JP6466597B2 - サポート装置、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

サポート装置、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDF

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Description

[関連出願へのクロスリファレンス]
本出願は、2015年4月29日に出願された欧州出願15165563.6号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
[技術分野]
本発明は、サポート装置、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、たいていの場合基板のターゲット部分に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に用いることができる。そのような場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスがICの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成するために用いられうる。このパターンは、基板(例えばシリコンウェハ)上の(例えば、ダイの一部、一つのダイまたはいくつかのダイを備える)ターゲット部分に転写されることができる。パターンの転写は、基板上に設けられる放射感受性材料(レジスト)の層への結像を典型的に介する。一般に、単一の基板は、連続してパターン化される隣接するターゲット部分のネットワークを含むであろう。既知のリソグラフィ装置は、いわゆるステッパを含み、これは一度にパターン全体をターゲット部分に露光することで各ターゲット部分が照射される。従来のリソグラフィ装置は、いわゆるスキャナを含み、これは放射ビームを通じてパターンを所定方向(スキャン方向)にスキャンする一方、基板をこの方向に平行または反平行に同期してスキャンすることで各ターゲット部分が照射される。パターンを基板にインプリントすることでパターンをパターニングデバイスから基板に転写することも可能である。
リソグラフィ投影装置内の基板を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水に浸して、投影システムの最終光学素子と基板との隙間を埋めるようにすることが提案されている。ある実施の形態において、液体は蒸留水であるが、別の液体を用いることもできる。本発明のある実施の形態では、液体と称して記述されるであろう。しかしながら、別の液体、特に湿潤流体、非圧縮性流体、および/または、空気より高屈折率の液体、好ましくは、水より高屈折率の液体が適するかもしれない。ガスを除く流体が特に望ましい。この点は、より小さなフィーチャの結像を可能にする。なぜなら、露光放射が液体中でより短い波長を有するためである(液体の作用は、有効開口数(NA)の増加と見なすこともできるかもしれない)。他の液浸液も提案されており、固体粒子(例えば水晶)が懸濁した水、または、ナノ粒子(例えば、最大寸法が10nmまでの粒子)が懸濁した液体を含む。懸濁粒子は、それらが懸濁する液体と同様または同じ屈折率を有してもよいし、または、そうでなくてもよい。他の適しうる液体は、芳香族やフッ化炭化水素などの炭化水素、および/または、水溶液を含む。
液槽内に基板または基板および基板テーブルを浸すこと(例えば、米国特許4,509,852号を参照)は、露光のスキャン中に加速させなければならない液体の大きな本体が存在すること意味する。これは、追加のまたはより強力なモータを必要とし、液中での擾乱が好ましくない予測不可能な影響につながりうる。
液浸装置において、液浸液は、流体取扱システム、デバイス構造または装置により扱われる。ある実施の形態において、流体取扱システムは、液浸液を供給し、したがって流体供給システムとなりうる。ある実施の形態において、流体取扱システムは、少なくとも部分的に液浸液を閉じ込め、したがって流体閉じ込めシステムとなりうる。ある実施の形態において、流体取扱システムは、液浸液にバリアを提供し、したがって流体閉じ込め構造といったバリア部材となりうる。ある実施の形態において、流体取扱システムは、ガスの流れを生成または使用し、例えば、液浸液の流れおよび/または位置の制御を助けうる。ガスの流れは、液浸液を閉じ込めるためのシールを形成し、そのため流体取扱システムはシール部材と称されうる。このようなシール部材が流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施の形態において、液浸液は液浸流体として用いられてもよい。その場合、流体取扱システムは、液体取扱システムであってもよい。前述の記載に関して、この段落において流体に関して定義された特徴への言及は、液体に関して定義された特徴を含むものと理解されうる。
リソグラフィ装置内で液浸液を扱うことは、液体取扱の一以上の問題をもたらす。基板および/またはセンサといった対象物と、対象物(例えば基板および/またはセンサ)の縁の周りのテーブル(例えば基板テーブルまたは測定テーブル)との間には隙間が通常存在する。米国特許出願公開US2005−0264778は、液体供給システムの下を隙間が通過するときの泡混入を防ぐために及び/又は隙間に侵入するいかなる液体も除去するために、その隙間を物質で埋めること又はその隙間を意図的に液体で満たすための液体供給源または低圧発生源を提供することを開示する。
例えば、リソグラフィ装置の対象物ホルダの温度プロファイルの安定性を改善することが望ましい。
ある態様によれば、リソグラフィ装置用のサポート装置が提供される。この装置は、
テーブル面および凹部を有する対象物テーブルと、
凹部内に嵌合して対象物面を有する対象物を支持するよう構成され、対象物面とテーブル面とが実質的に同一平面上となるようにする対象物ホルダと、
凹部内かつ対象物ホルダの径方向外側にある抽出体であって、流体を抽出するよう構成される抽出開口を備え、抽出体が対象物ホルダおよび対象物テーブルから実質的に分離するように対象物ホルダおよび対象物テーブルの双方から離間する抽出体と、
抽出体と対象物ホルダの間の隙間をシールするためのシール装置であって、抽出体および対象物ホルダの一方のみに固定される可撓性部材を備えるシール装置と、を備える。
ある態様によれば、リソグラフィ装置用のサポート装置が提供される。この装置は、
テーブル面および凹部を有する対象物テーブルと、
凹部内に嵌合して対象物面を有する対象物を支持するよう構成され、対象物面とテーブル面とが実質的に同一平面上となるようにする対象物ホルダと、
凹部内かつ対象物ホルダの径方向外側にある抽出体であって、流体を抽出するよう構成される抽出開口を備え、抽出体が対象物ホルダおよび対象物テーブルから実質的に分離するように対象物ホルダおよび対象物テーブルの双方から離間する抽出体と、を備え、
抽出体は、対象物ホルダの外周面に対向する内面を有し、その内面の毛細管部分は、外周面と毛細管部分の間に毛細管ギャップが形成されるように構成される。
ある態様によれば、リソグラフ装置を用いるデバイス製造方法が提供される。この方法は、サポート装置で基板を支持しながらパターニングデバイスによりパターンが付与されたビームを基板に投影することを備え、
サポート装置は、
テーブル面および凹部を有する対象物テーブルと、
凹部内に嵌合して対象物面を有する対象物を支持するよう構成され、対象物面とテーブル面とが実質的に同一平面上となるようにする対象物ホルダと、
凹部内かつ対象物ホルダの径方向外側にある抽出体であって、流体を抽出するよう構成される抽出開口を備え、抽出体が対象物ホルダおよび対象物テーブルから実質的に分離するように対象物ホルダおよび対象物テーブルの双方から離間する抽出体と、
抽出体と対象物ホルダの間の隙間をシールするためのシール装置であって、抽出体および対象物ホルダの一方のみに固定される可撓性部材を備えるシール装置と、を備える。
ある態様によれば、リソグラフ装置を用いるデバイス製造方法が提供される。この方法は、サポート装置で基板を支持しながらパターニングデバイスによりパターンが付与されたビームを基板に投影することを備え、
サポート装置は、
テーブル面および凹部を有する対象物テーブルと、
凹部内に嵌合して対象物面を有する対象物を支持するよう構成され、対象物面とテーブル面とが実質的に同一平面上となるようにする対象物ホルダと、
凹部内かつ対象物ホルダの径方向外側にある抽出体であって、流体を抽出するよう構成される抽出開口を備え、抽出体が対象物ホルダおよび対象物テーブルから実質的に分離するように対象物ホルダおよび対象物テーブルの双方から離間する抽出体と、を備え、
抽出体は、対象物ホルダの外周面に対向する内面を有し、その内面の毛細管部分は、外周面と毛細管部分の間に毛細管ギャップが形成されるように構成される。
本発明の実施の形態は、対応する参照符号が対応する部分を示す以下に添付される概略図面を参照しながら、単に例示を目的として示されるであろう。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す図である。
リソグラフィ投影装置内で用いる液浸液閉じ込め構造を概略的に示す図である。
ある実施の形態に係る別の液浸液供給システムを概略的に示す側断面図である。
ある実施の形態のサポート装置の一部を概略的に示す断面図である。
別の実施の形態のサポート装置の一部を概略的に示す断面図である。
別の実施の形態のサポート装置の一部を概略的に示す断面図である。
別の実施の形態のサポート装置の一部を概略的に示す断面図である。
別の実施の形態のサポート装置の一部を概略的に示す断面図である。
図1は、本発明の一実施の形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
放射ビームB(例えばUV放射またはDUV放射)を調整するよう構成される照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するよう構築され、特定のパラメータにしたがってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするよう構成される第1位置決め装置PMに接続されるサポート構造(例えばマスクテーブル)MTと、
例えば一以上のセンサを支持するセンサテーブルまたは基板(例えばレジストコートされた基板)Wを保持するよう構築される基板サポート装置60であるサポートテーブルであって、特定のパラメータにしたがってテーブルの(例えば基板Wの)表面を正確に位置決めするよう構成される第2位置決め装置PWに接続されるサポートテーブルと、
パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されるパターンを基板Wの(例えばダイの一部、一つのダイ、または二以上のダイを備える)ターゲット部分Cに投影するよう構成される投影システム(例えば屈折型投影レンズシステム)PSと、を備える。
照明システムILは、放射を方向付け、成形または制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型または他の形式の光学素子といった各種光学素子もしくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
サポート構造MTは、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置のデザイン、および、例えばパターニングデバイスMAが真空環境中で保持されるか否かといった他の条件に応じた方法でパターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、機械式、真空式、静電式または他の固定技術を用いてパターニングデバイスMAを保持できる。サポート構造MTは、フレームまたはテーブルであってもよく、必要に応じて固定式または可動式であってよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを確実にしうる。本書での「レチクル」または「マスク」のいかなる使用も、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなされてよい。
本書での「パターニングデバイス」の用語は、放射ビームの断面にパターンを付して例えば基板のターゲット部分にパターンを生成するために使用可能な任意のデバイスを参照するものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付されるパターンは、例えばパターン位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに完全に対応しなくてもよいことが留意されよう。たいていの場合、放射ビームに付されるパターンは、ターゲット部分に生成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応するであろう。
パターニングデバイスMAは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、マトリックス状に配列される小型のミラーを採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜できる。傾斜されるミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを付与する。
本書で用いる「投影システム」の用語は、用いられる露光放射に適切であれば、または、液浸液の使用といった他の要素について適切であれば、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型および静電型の光学システムまたはこれらの任意の組み合わせを含む、任意の形式の投影システムを包含するものと解釈されるべきである。本書での「投影レンズ」の用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影システム」と同義であるとみなされてよい。
図示されるように、装置は透過型である(例えば透過型マスクを用いる)。代わりに、装置が反射型であってもよい(例えば上述のような形式のプログラマブルミラーアレイを用いるか、反射型マスクを用いる)。
リソグラフィ装置は、二以上のテーブル(またはステージまたはサポート)、例えば二以上の基板テーブル、もしくは、一以上の基板テーブルおよび一以上のセンサまたは測定テーブルの組み合わせを有する形式のものであってよい。このような「マルチステージ」の機械において、複数のテーブルが並行して用いられてもよいし、または、一以上のテーブルで準備ステップが実行される一方で、一以上の他のテーブルが露光に用いられてもよい。リソグラフィ装置は、基板、センサおよび測定テーブルと同様に並行して用いられうる二以上のパターニングデバイステーブル(またはステージまたはサポート)を有してもよい。
リソグラフィ装置は、基板Wの少なくとも一部が比較的高い屈折率を有する液浸液10(例えば超純水(UPW)などの水)により被覆され、投影システムPSと基板Wの間の液浸空間11が満たされるような形式のものである。液浸液10は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターニングデバイスMAと投影システムPSの間に適用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増大させるために用いることができる。本書で用いられる「液浸」の用語は、基板Wなどの構造が液浸液10に水没しなければならないことを意味するのではない。むしろ、露光中に投影システムPSと基板Wの間に液浸液10が位置することのみを意味する。パターン放射ビームBの投影システムPSから基板Wまでの経路は、その全体が液浸液10を通る。
図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOからの放射ビームを受ける。ソースSOおよびリソグラフィ装置は、例えばソースSOがエキシマレーザの場合、別体であってもよい。この場合、ソースSOがリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームがソースSOからイルミネータILに向けて、例えば適切な方向付けミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムBDの助けを借りて通過する。別の場合、例えばソースSOが水銀ランプの場合、ソースSOがリソグラフィ装置の一体的部分であってもよい。ソースSOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと称されてもよい。
イルミネータILは、放射ビームBの角度強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般に、イルミネータILの瞳面における強度分布の少なくとも外側半径範囲および/または内側半径範囲(通常それぞれσアウタ、σインナと呼ばれる)を調整できる。また、イルミネータILは、インテグレータINやコンデンサCOなどの様々な他の要素を備えてもよい。イルミネータILは、ビーム断面において所望の均一性および強度分布を有するように放射ビームBを調整するために用いられてもよい。ソースSOと同様、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部を形成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体的な部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータILがその上に搭載可能となるよう構成されてもよい。選択的に、イルミネータILが着脱可能であり、(例えばリソグラフィ装置製造者や他のサプライヤによって)別個に提供されてもよい。
放射ビームBは、サポート構造(例えばマスクテーブル)MTに保持されるパターニングデバイス(例えばマスク)MAに入射し、パターニングデバイスMAによりパターン化される。パターニングデバイスMAの通過後、放射ビームBは、ビームを基板Wのターゲット部分Cに合焦させる投影システムPSを通過する。第2位置決め装置PWおよび位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは静電容量センサ)の助けを借りて、例えば放射ビームBの経路上に異なるターゲット部分Cが位置するように、基板サポート装置60が正確に移動されることができる。
同様に、第1位置決め装置PMおよび別の位置センサ(図1には明示されていない)は、例えばマスクライブラリからの機械検索後またはスキャン中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めするために用いることができる。一般にサポート構造MTの動きは、第1位置決め装置PMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けを借りて実現されうる。同様に、基板サポート装置60の動きは、第2位置決め装置PWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現されうる。
ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、サポート構造MTはショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよいし、または、固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1,M2および基板アライメントマークP1,P2を用いてアライメントされうる。基板アライメントマークP1,P2は専用のターゲット部分を占めるように図示されているが、これらはターゲット部分Cの間に位置してもよい(これはスクライブラインアライメントマークとして知られる)。同様に、パターニングデバイスMA上に二以上のダイが設けられる状況では、パターニングデバイスアライメントマークM1,M2がダイの間に位置してもよい。
図示される装置は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。
1.ステップモードでは、サポート構造MTおよび基板サポート装置60が実質的に静止状態とされる間、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに一度で投影される(つまり、単一静的露光)。その後、基板サポート装置60がX方向および/またはY方向にシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Cが露光されることができる。ステップモードにおいて、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光にて結像されるターゲット部分Cのサイズを制限する。
2.スキャンモードでは、サポート構造MTおよび基板サポート装置60が同期してスキャンされる間、放射ビームBに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(つまり、単一動的露光)。サポート構造MTに対する基板サポート装置60の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)特性および像反転特性により決定されうる。スキャンモードにおいて、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光におけるターゲット部分Cの(非スキャン方向の)幅を制限する。一方、スキャン動作の長さ(および露光フィールドのサイズ)は、ターゲット部分Cの(スキャン方向の)高さを決定する。
3.別のモードでは、サポート構造MTがプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態を維持し、基板サポート装置60が移動またはスキャンされる間、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される。このモードにおいて、一般にパルス放射源が用いられ、基板サポート装置60の移動後またはスキャン中の一連の放射パルスの間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに直ちに適用可能である。
上記の使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、使用モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別の使用モードを用いてもよい。
制御部500は、リソグラフィ装置の全般的動作を制御し、特に別途後述する作業工程を実行する。制御部500は、中央処理装置、揮発性および不揮発性の記憶手段、キーボードおよび画面などの一以上の入力および出力装置、一以上のネットワーク接続、および、リソグラフィ装置の様々な部分への一以上のインターフェースを備える適切にプログラムされた汎用コンピュータとして実現できる。制御コンピュータとリソグラフィ装置の間の一対一の関係が必須ではないことが理解されよう。本発明のある実施の形態において、一つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御できる。本発明のある実施の形態において、複数のネットワーク化されたコンピュータを一つのリソグラフィ装置を制御するために用いることができる。制御部500は、リソグラフィ装置がその一部を形成するリソセルまたはクラスタ内の一以上の関連する処理装置および基板ハンドリング装置を制御するように構成されてもよい。制御部500は、リソセルまたはクラスタの監視制御システムおよび/または工場の全体制御システムに従属するよう構成されることもできる。ある実施の形態において、制御部は、本発明のある実施の形態を実行する装置を操作する。ある実施の形態において、制御部500は、本書に記載するステップ1の結果を後のステップ2で使用するために記憶するメモリを有する。
投影システムPSの最終光学素子と基板Wの間に液浸液を供給するための構成は、三つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、槽形式構成、いわゆる局所液浸システム、および、オールウェット(all-wet)液浸システムである。本発明のある実施の形態は、特に局所液浸システムに関する。
局所液浸システム向けに提案されている実施の形態において、液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終光学素子100と、投影システムPSに対向するステージまたはテーブルの対向面との間の液浸空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在する。テーブルの対向面がそのように称されるのは、テーブルが使用中に移動しており、ほとんど静止しないためである。一般にテーブルの対向面は、基板W、基板Wを囲む基板テーブルWTまたはその両方の表面である。このような構成が図2に示される。図2に示される後述する構成は、上述の図1に示されるリソグラフィ装置に適用されてもよい。
図2は、液体閉じ込め構造12を概略的に示す。液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終光学素子100と基板テーブルWTまたは基板Wの間の液浸空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在する。ある実施の形態において、シールが液体閉じ込め構造12と基板W/基板テーブルWTの表面との間に形成される。シールは、ガスシール16(このようなガスシールを持つシステムは、欧州特許出願公開EP−A−1,420,298に開示される)または液浸液シールといった非接触シールであってもよい。
液体閉じ込め構造12は、液浸液10を液浸空間11に供給し、閉じ込めるよう構成される。液浸液10は、液体開口13の一つを通じて液浸空間11に供給される。液浸液10は、別の液浸開口13を通じて除去されてもよい。液浸液10は、少なくとも二つの液体開口13を通じて液浸空間11に供給されてもよい。どちらの液浸開口13を用いて液浸液10が供給されるか、および、選択的にどちらを用いて液浸液10が除去されるかは、基板テーブルWTの動きの方向に依存しうる。
液浸液10は、ガスシール16により液浸空間11に閉じ込められてもよい。ガスシールは、使用中、液体閉じ込め構造12の底部とテーブルの対向面(つまり、基板Wの表面および/または基板テーブルWTの表面)の間に形成される。ガスシール16中のガスは、ガス注入口15を介した圧力下で、液体閉じ込め構造12と基板Wおよび/または基板テーブルWTとの間の隙間に供給される。ガスは、ガス排出口14に関連する流路を通じて抽出される。ガス注入口15での過圧力、ガス排出口14での真空度および隙間の配置は、液浸液10を閉じ込める高速度のガスの流れが内向きに存在するように構成される。液体閉じ込め装置12と基板Wおよび/または基板テーブルWTの間の液浸液10に作用するガスの力は、液浸液10を液浸空間11に閉じ込める。メニスカスが液浸液10の境界に形成される。このようなシステムは、米国特許出願公開US2004−0207824に開示される。他の液浸液閉じ込め構造12は、本発明の実施の形態に用いることができる。
図3は、ある実施の形態に係る別の液体供給システムまたは流体取扱システムを示す側断面図である。図3に示される後述する構成は、上述の図1に示されるリソグラフィ装置に適用されてよい。液体供給システムは、投影システムPSの最終光学素子と基板テーブルWTおよび/または基板Wの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造12を備える。(以下の文章における基板Wへの言及は、特に明記しない限り、追加的または代替的に基板テーブルWTの表面も指す。)
液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終光学素子と基板Wおよび/または基板テーブルWTの間の液浸空間11に液浸液10を少なくとも部分的に閉じ込める。液浸空間11は、投影システムPSの最終光学素子の下に位置してその周囲を囲む液体閉じ込め構造12により少なくとも部分的に形成される。ある実施の形態において、液体閉じ込め構造12は、本体部材153と、多孔質部材183とを備える。多孔質部材183は、板形状であり、複数の孔184(つまり、開口または細孔)を有する。ある実施の形態において、多孔質部材183は、メッシュに多数の小さな孔184が形成されたメッシュ板である。このようなシステムは、米国特許出願公開US2010/0045949A1に開示される。
本体部材153は、液浸空間11への液浸液10の供給を可能にする一以上の供給ポート172と、液浸空間11からの液浸液10の回収を可能にする回収ポート173と、を備える。一以上の供給ポート172は、通路174を通じて液体供給装置175に接続される。液体供給装置175は、一以上の供給ポート172への液浸液10の供給を可能にする。液体供給装置175から与えられる液浸液10は、対応する通路174を通じて一以上の供給ポート172に供給される。一以上の供給ポート172は、光路に対向する本体部材53の所定位置のそれぞれにおいて光路の近傍に配置される。回収ポート173は、液浸空間11からの液浸液10の回収を可能にする。回収ポート173は、通路179を通じて液体回収装置180に接続される。液体回収装置180は、吸引システムを備え、回収ポート173を通じて吸い込むことで液浸液10の回収を可能にする。液体回収装置180は、回収ポート173を介して回収される液浸液10を通路179を通じて回収する。多孔質部材183は、回収ポート173に配置される。
ある実施の形態において、液浸液10を有する液浸空間11を投影システムPSと一方の側の液体閉じ込め構造12と他方の側の基板Wとの間に形成するため、液浸液10は一以上の供給ポート172から液浸空間11に供給され、液体閉じ込め構造12内の回収チャンバ181の圧力が負圧となって多孔質部材183の孔184(つまり回収ポート173)を通じて液浸液10が回収されるように調整される。一以上の供給ポート172を用いる液体供給動作および多孔質部材183を用いる液体回収動作を実行することで、投影システムPSと液体閉じ込め構造12と基板Wとの間に液浸空間11が形成される。
図4は、本発明のある実施の形態を示す。図4は、サポート装置および対象物を通る断面である。ある実施の形態において、サポート装置は、基板サポート装置60であり、対象物は、基板Wである。サポート装置は、対象物ホルダを備える。対象物ホルダは、対象物を保持するよう構成される。以下の説明において、本発明のある実施の形態は、サポート装置が基板サポート装置60であり、対象物ホルダが基板を保持する基板ホルダ61であるという文脈で説明される。しかしながら、ある実施の形態において、対象物ホルダは、例えばセンサを保持するセンサホルダであり、基板サポート装置60は、対象物ホルダ用のサポート装置であり、選択的に基板を保持するよう構成されない。
図4に示されるように、基板Wは基板ホルダ61により保持される。ある実施の形態において、基板ホルダ61は、一以上の突起62(例えばバール)を備える。基板ホルダ61は、ピンプルテーブルまたはバールテーブルと称されうる。
基板サポート装置60は、抽出体65を備える。抽出体65は、基板ホルダ61の径方向外側にある。図4において、基板サポート装置60および基板Wの下にある矢印は、径方向外側を示す。ある実施の形態において、抽出体65は、平面視において抽出体65が基板ホルダ61を取り囲むように形作られる。ある実施の形態において、抽出体65は、閉じた形状を形成する。その形状は特に限定されないが、例えば、環また多角形であってよい。ある実施の形態において、抽出体65は、本体65aおよびカバープレート65bを備える。
基板Wの縁が結像されているとき、または、基板Wが投影システムPSの下方で高速移動するときなどの別のとき、液浸空間11からの液浸液10は、基板Wの縁と基板サポート装置60の縁の間の隙間5の上方を少なくとも部分的に通過するであろう。これは、液浸空間11からの液浸液10が隙間5に侵入する結果となりうる。
基板ホルダ61により基板Wと基板サポート60の間に加わる負圧は、基板Wがしっかりとその位置に保持されるのを助ける。しかしながら、仮に液浸液10が基板Wと基板ホルダ61の間に達すると、これは特に基板Wを外すときの困難性につながりうる。
抽出体65は、基板サポート装置60の上面69から流体を抽出するよう構成される。抽出開口66を設けることにより、液浸空間11内の液浸液10に入るガスの気泡のサイズおよび数が低減される。一以上のこのような気泡は、基板Wの結像に悪影響を与えうる。抽出開口66は、基板Wと基板サポート装置60の間の隙間5にて液浸空間11内の液浸液10に逃げ込むガスを低減するように設けられる。仮にガスが液浸空間11に逃げ込んでしまうと、液浸空間11内で浮遊する気泡につながりうる。このような気泡は、仮に投影ビームの経路上にあれば、結像誤差につながりうる。抽出開口66は、基板Wの縁と、基板Wが配置される基板サポート装置60の凹部の縁との間の隙間5からガスを除去するためにある。
抽出開口66は、ほとんどガスを抽出し(例えば、毎分20から100ノルマルリットル(Nl/min))、少量の液浸液10しか抽出しない(例えば、約1から100ml/分、選択的に10から20ml/分)。このような二相流を用いると、液浸液10が蒸発し、基板Wの縁を取り囲む基板サポート装置60を冷却する。これは、基板Wの変形につながるおそれがあり、最終的にオーバレイ性能の低下につながりうる。
ある実施の形態において、抽出体65は、抽出体65が基板ホルダ61から実質的に分離するように基板ホルダ61から離間する。抽出体65は、基板ホルダ61から実質的に熱的に分離され、および/または、実質的に機械的に分離される。ある実施の形態において、基板ホルダ61の実質的に全体が抽出体65の実質的に全体から離間する。
抽出体65を基板ホルダ61から実質的に分離することで、抽出体65の温度負荷による基板ホルダ61の熱機械的強度への影響が低減される。特に、抽出体65の冷却による基板ホルダ61への影響が低減される。上述のように、このような蒸発性の冷却は、抽出体65の抽出開口66を通る二相流に起因して発生しうる。したがって、基板ホルダ61の温度プロファイルの安定性を改善できる。また、基板W自体への熱力学的負荷が低減される。
ある実施の形態において、対象物ホルダは、センサを保持するよう構成されるセンサホルダであり、抽出体は、エッジシール部材、つまり、センサホルダの縁の周りをシールするよう機能する部材である。ある実施の形態において、エッジシール部材は、エッジシール部材とセンサとの間の隙間を通る経路を見つけるであろう任意の液浸液10を抽出する抽出開口を備える。
ある実施の形態において、対象物ホルダは、基板を保持するよう構成される基板テーブルであり、抽出体65はセンサホルダである。センサは、基板Wに隣接して配置される。センサおよび基板Wは、異なるサポートにより支持される。ある実施の形態において、センサホルダは、基板テーブルとセンサの間の隙間を通る経路を見つけるであろう液浸液10を抽出するための抽出開口を備える。
ある実施の形態において、抽出開口65は、流路68を備える。流路68は、通路67を通じて抽出開口66と流体連通している。抽出開口66は、基板Wの縁の周(例えば外周)の周りの一以上の別々の場所に設けられてもよい。抽出開口66は、平面視において、スリット、円形開口または任意の他の形状であってよい。ある実施の形態において、三つの別々の円形開口が設けられ、抽出体65から基板サポート装置60に向かう二相流を抽出する。抽出開口66は、2mmの直径を有してもよい。流路68は、抽出開口66を通じて基板サポート装置60の上面69から流体を抽出するように負圧に接続される。
ある実施の形態において、抽出体65は、別途後述するシール装置により強固ではない態様で基板ホルダ61に接続される。シール装置は、抽出体65と基板ホルダ61との間の中間ギャップ75をつなぐように構成される。中間ギャップ75は、約0.1mmから1mmの範囲内で、上面69に平行する方向に最小幅を有してもよい。中間ギャップ75は、基板ホルダ61と抽出体65の間の良好な熱接触を妨げる。
ある実施の形態において、抽出体65は、真空またはガスを備える中間ギャップ75により基板ホルダ61から離間する。中間ギャップ75における真空またはほぼ真空は、抽出体65と基板ホルダ61の間の熱伝達を低減する。
ある実施の形態において、基板サポート装置60は、基板テーブルWTを備える。基板ホルダ61は、基板テーブルWTの対象物ホルダ凹部内に位置する。対象物ホルダが基板ホルダ61であるという文脈において、対象物ホルダ凹部は、基板テーブルWTの基板ホルダ凹部85である。抽出体65の少なくとも一部は、基板ホルダ凹部85内に位置する。図4に示すように、ある実施の形態において、抽出体65の実質的に全てが基板ホルダ凹部85内に位置する。しかしながら、これは必ずしもそうである必要はない。ある実施の形態において、抽出体65の一部が基板ホルダ凹部85を越えて延在する。
図4に示すように、抽出体65は、基板ホルダ凹部85内の界面81にて基板テーブルWTに接続される。界面81は、抽出体65と基板テーブルWTの間の接続を提供する。基板WTの加速力は、界面81を介して抽出体65に伝わる。界面81は、界面81が基板テーブルWTから抽出体65に加速力を伝える程度に堅固な接続を提供する。界面81での接続の剛性は、抽出体65と基板テーブルWTの間の熱伝達を低減するように極小であることが好ましい。
ある実施の形態において、界面81は、抽出体65の底面および/またはラジアル面(例えば径方向外側の縁)にある。ある実施の形態において、界面81は、抽出体65の外面にある。
界面81での接続の形態は、特に限定されない。ある実施の形態において、抽出体65は、真空クランプ、ボルト固定、接着および/または動的な板ばね結合により基板テーブルWTと接続される。
ある実施の形態において、界面81は、一以上のバールを備える。ある実施の形態において、バールと基板テーブルWTの間の接続領域は、バールと抽出体65の間の接続領域より小さい。これは、バールに追加の柔軟性を提供する。
ある実施の形態において、隙間5の表面には疎水性コーティングが設けられる。疎水性コーティングは、基板サポート装置60の上面69からの中間ギャップ75を通じた液浸液10の損失の低減を助ける。
ある実施の形態において、抽出体65は、金属、例えばチタンでできている。ある実施の形態において、抽出体65は、基板ホルダ61と同じ材料でできている。ある実施の形態において、基板ホルダ61と抽出体64の双方は、例えばアルミニウム、SiC、SiSiCまたはダイヤモンドライク材料で形成される。抽出体65の材料を基板ホルダ61の材料と適合させることにより、基板ホルダ61と抽出体65の間の熱機械的な干渉を低減できる。
ある実施の形態において、抽出体65は、基板テーブルWTと同じ材料でできている。ある実施の形態において、抽出体65と基板テーブルWTの双方は、例えば、Zerodur(登録商標)またはコージライトなどのガラスセラミックから形成される。
ある実施の形態において、抽出体65は、本体65aおよびカバーリング65bを備える。カバーリング65bは、本体65aの上面に位置する。ある実施の形態において、カバーリング65bは、本体65aと一体的(モノリシック)である。ある実施の形態において、カバーリング65bは、本体65aとは別体である。通常の使用時に液浸液10と接触するであろう抽出体65の上面にカバーリング65bを設けることで、抽出開口66、通路67および流路68における熱負荷が液体閉じ込め構造12に対する低減された熱影響を有する。ある実施の形態において、カバーリング65bは、例えばチタン、SiC、SiSiCまたはダイヤモンドライク材料で形成される。
ある実施の形態において、基板Wが基板ホルダ61により保持されるとき、基板Wの上面は、抽出体65の上面65cと実質的に同一平面である。ある実施の形態において、抽出体65の上面65cは、基板テーブルWTの上面122と実質的に同一平面である。
ある実施の形態において、カバーリング65bと基板テーブルWTの上面122の間のギャップは、薄いフィルムシール(不図示)により埋められる。薄いフィルムシールは、様々な構造を有することができる。ある実施の形態において、薄いフィルムシールは、接着層とフィルム層を備える。接着層は、基板テーブルWTの上面122および抽出体65にフィルム層を接着させる。ある実施の形態において、薄いフィルムシールは、50マイクロメートル以下、10マイクロメートル以下または約10マイクロメートルの厚さを有する。
ある実施の形態において、基板サポート装置60は、液体抽出器61a,61bを備える。液体抽出器61a,61bは、抽出開口66の径方向内側にある。液体抽出器61a,61bは、基板ホルダ61の上面から液体を抽出するよう構成される。
液体抽出器61a,61bは、隙間5から基板Wの下方に向かう経路を見つける任意の液体によって結像後の基板ホルダ61から基板Wが効率的に外されることが邪魔されるのを妨げるのを助けるように設けられる。液体抽出器61a,61bを設けることにより、液体が基板Wの下方の経路を見つけることに起因して生じうる問題が低減または除去される。
液体抽出器61a,61bは、開口(不図示)および流路61bを備える。流路61bは、通路61aを通じてその開口と流体連通している。開口は、基板Wの周縁の周りの一以上の別々の場所に設けられてもよく、平面視においてスリット、円形開口または任意の他の形状であってよい。ある実施の形態において、例えば、三つの別々の(円形)開口が基板Wの縁の周りに設けられる。
ある実施の形態において、液体抽出器61a,61bは、液体抽出器61a,61bに熱エネルギーを供給し、および/または、液体抽出器61a,61bから熱エネルギーを除去するよう構成される液体抽出器調整システムを備える。液体抽出器調整システムは、熱調整システムである。
ある実施の形態において、抽出体65は、抽出体65に熱エネルギーを供給し、および/または、抽出体65から熱エネルギーを除去するよう構成される抽出体調整システムを備える。抽出体調整システムは、熱調整システムである。ある実施の形態において、熱調整システムは、独立に制御可能な複数の調整ユニットを備える。複数の調整ユニットのそれぞれは、抽出体65の個々の調整領域に熱エネルギーを供給し、および/または、抽出体65の個々の調整領域から熱エネルギーを除去するよう構成される。ある実施の形態において、調整ユニットは、ヒータおよび温度センサ(不図示)を備える。ある実施の形態において、ヒータおよび温度センサは、抽出体65の抽出開口と流体連通する流路68に隣接して配置される。調整ユニットは、抽出体65の別の位置に配置することもできる。ヒータおよび温度センサは、互いに一体化されてもよい。
ヒータおよび温度センサは、独立に制御可能である。温度センサは、流路68の温度を検出するよう構成される。ヒータは、流路68に熱エネルギーを供給するよう構成される。ある実施の形態において、制御部500は、流路68(または基板サポート装置60の別の要素)をある温度(例えば所定温度)に維持するようにヒータ/温度センサを制御する。
ある実施の形態において、熱調整システムは、抽出体65などの要素の温度を制御するよう構成される流体搬送流路(不図示)のネットワークを備える。ある実施の形態において、流体搬送流路は、調熱液を搬送する。調熱液は、例えば水であってよい。流体搬送流路は、抽出体65の温度をある温度(例えば所定温度)に維持する。ある実施の形態において、一以上のヒータおよび/または温度センサ(不図示)が流体搬送流路またはその近傍に配置され、流体搬送流路内の調熱液の温度を制御するようにしてもよい。
ある実施の形態において、流体搬送流路は、相変化物質を搬送する。このようなシステムにおいて、相変化物質は、所望の設定温度にて相変化するように選択され、したがって、相変化しない液体と比べて非常に効率的な熱伝達が可能である。
ある実施の形態において、流体搬送流路は、流体として二酸化炭素を搬送する。流体搬送流路は、冷却流路と称されてもよい。ある実施の形態において、流体搬送流路は、二酸化炭素の沸点が最高でも30℃、選択的に最高でも22℃となるような圧力の二酸化炭素を収容する。二酸化炭素は、抽出体65の温度の維持を助ける。例えば、流体搬送流路に収容される二酸化炭素の沸点を超える抽出体65の余分な熱を二酸化炭素に伝達できる。この余分な熱は、二酸化炭素を沸騰させる。
ある実施の形態において、熱調整システムは、ヒートパイプ(不図示)を備える。ある実施の形態において、ヒートパイプは流路68の周りに位置する。流路68の周りにヒートパイプを設けることにより、流路68の温度を容易に制御できる。これは、ヒートパイプが非常に大きな「伝導性」を有するという事実に起因する。
ある実施の形態において、ヒートパイプの少なくとも一部は、流路68と基板ホルダ61の間に位置する。これは、抽出体65と基板ホルダ61の間の熱伝達を低減する。ヒートパイプの温度は、ヒートパイプ内の均質な圧力に起因して非常に均一である。ヒートパイプは、蒸気に蒸発できる作動流体を収容し、それにより熱エネルギーを吸収する。蒸気は、ヒートパイプの溝に沿って低温の領域に移動する。蒸気はその後作動流体に凝縮し、ヒートパイプの芯(ウィック)に吸収される。この凝縮は、熱エネルギーを放出する。作動流体はその後ヒートパイプの高温領域に戻るように流れる。このようにして、ヒートパイプの温度は実質的に均一に維持される。
ある実施の形態において、ヒートパイプは、水、アセトン、エタノール、メタノール、アンモニア、2−ブタン、DME、1,1,1,2−テトラフルオロエタンおよびプロパンからなる群から選択される作動流体を備える。
ある実施の形態において、熱調整システムは、ヒートパイプと、ヒータ/温度センサの少なくとも一方とを備える。ヒータ/温度センサは、ヒートパイプにエネルギーを与えるよう構成される。これは、ヒートパイプ内の作動流体に飽和圧力を設定する。
本発明のある実施の形態において、抽出体65は、WO2013/178484に記載されるようにすることができる。
ある実施の形態において、中間ギャップ75を通る液浸液10および/またはガスの漏れをシールするシール装置は、抽出体65および基板ホルダ61の一方のみに固定される可撓性部材を備える。この実施の形態において、可撓性部材は、抽出体65の内面73に設けられる溝72に固定されるOリング71である。内面73は、環状の形状であってよい。Oリング71は、溝72とOリング71の相対的なサイズおよびOリング71に固有の弾力性に単純に起因して溝72に固定されることができる。代替的または追加的に、接着剤がOリング71を抽出体65に固定するために用いられてもよい。接着剤を用いれば、溝72の深さが低減され、または、除去されることができる。溝72の深さは、Oリングの断面直径の約75%までであってよい。
定位置にあるとき、Oリング71は、基板ホルダ61の外直径よりわずかに小さな内直径と、抽出体64の内面73の直径よりわずかに大きな外直径とを有する。標準的な直径、例えば300mmまたは450mmの基板を支持するよう構成する基板ホルダ61用に、Oリング71の内外直径は、基板Wの直径と同様であってよい。Oリング71の非圧縮時の断面直径は、0.5mmから2mm、好ましくは1mmから1.5mmの範囲であってよい。Oリング71の断面直径は、中間ギャップ75の幅より大きい。
Oリング71は、フッ素系弾性材料(フルオロエラストマ、例えば、Viton(登録商標)の商品名でDuPontにより販売される)または他の弾性材料を備えることができる。フッ素系弾性材料は、このような材料がDUV放射による劣化に対して高耐性でありうるために有利となることができる。Oリング71には、DUV放射または他の原因による劣化からOリング71を保護するのを助ける異なる材料の表面層またはコーティングを設けることができる。
Oリング71は、射出成形、押出および溶接、または、材料の冷却ブロックからの切削を含む、様々な技術により製造できる。
基板ホルダ61と抽出体65の間の非常に狭いクリアランスは、サポート装置60の組立を難しくする。サポート装置60を組み立てる手法は、まず、抽出体65を凹部85内に配置する。これは、抽出体65の外周と凹部85の間のクリアランスを都合の良い大きさにできるために適度に簡単にできる。その後、基板ホルダ61を抽出体65内の空間に向けて降ろす。このステップは、中間ギャップ75の狭さゆえにより難しい。基板ホルダ61と抽出体65の接触を避けることが重要である。なぜなら、このような接触は、いずれかの要素の損傷および/または汚染粒子の発生につながりうるからである。基板ホルダ61と抽出体65の双方が硬い材料でできているため、衝突は汚染粒子を容易に生成しうる。基板ホルダ61は、リソグラフィ装置の可動要素とみなされ、リソグラフィ装置の寿命の間に保守および/または交換用に複数回取り除かれるかもしれない。
本実施の形態のシール装置は、サポート装置60の組立を支援することができる。可撓性シール部材、例えばOリング71は、基板ホルダ61を抽出体65に向けて降ろすときに基板ホルダ61がセンタリングされるのを支援し、基板ホルダ61および抽出体65の硬い表面の間の衝突を妨げて汚染粒子の発生を防ぐ。基板ホルダ61は保守または交換のために取り除かれうるため、サポート装置60の組立容易性の改善は、リソグラフィ装置の寿命の全体を通じて利益をもたらす。
可撓性シール部材(例えばOリング71)は、基板ホルダ61の上面ではなく、むしろ外周面61cに支持される。これは、基板ホルダ61の上面においてその縁のすぐそばまでバール62を設けることができることを意味し、基板Wの支持の均一性を改善する。基板ホルダ61の上面を封止するシールは、基板ホルダ61の縁に隣接したバール62が存在しない領域を必要とするであろう。その結果、基板Wはバール62が存在しない基板ホルダ61の縁に隣接する領域では支持されず、その領域にて変形するかもしれない。基板Wの変形は、結像誤差につながりうる。
Oリング71は、基板ホルダ61を抽出体65に接続させ、したがって、基板ホルダ61から抽出体65を分離する効果を損なわせうる。しかしながら、Oリング71の材料は、低熱伝導性(例えば0.1から1.0W/mKの範囲)および基板ホルダ61に対する低接触断面積(例えば300mmウェハに対して約0.001m未満または約0.02m未満)を有するため、基板ホルダ61から抽出体65への熱伝導は低い。同様にヤング率が0.01から1.0GPaの範囲であるために力の伝達も小さい。仮にOリング71が堅固であれば、0.1から1MN/mの範囲の剛性を有することができる。したがって、可撓性シール部材の存在は、基板ホルダ61からの抽出体65の熱的分離または機械的分離のいずれも顕著に損なわせない。
ある実施の形態において、シール装置はさらにステッカを備え、これは薄いフィルムシールと称されることもできる。ステッカ70は、DUV放射による劣化からOリング71を保護するように配置される。ある実施の形態において、ステッカ70は、中間ギャップ75のシールを助ける。ステッカ70は、選択的であり、特にDUV放射がOリング71に到達しないように基板W、カバープレート65bおよび抽出体65が配置されていれば、省略されてもよい。仮にステッカ70が設けられる場合、基板ホルダ61に対して液密封止をする必要はなく、したがって、液密封止をしなければならない場合と比べてステッカ70と基板ホルダ61の間の重なる領域を低減できる。これは、バール62を基板ホルダ61の縁の近くまで設けることができることを意味し、基板Wが支持されない領域を低減する。
ある実施の形態において、ステッカ70は、接着層およびフィルム層を備える。接着層は、フィルム層を基板ホルダ61および抽出体65に接着する。ステッカ70は、基板ホルダ61と抽出体65の間の中間ギャップ75への流体の侵入の防止を助ける。ある実施の形態において、ステッカ70は、50マイクロメートル以下、10マイクロメートル以下または約10マイクロメートルの厚さを有する。
図5は、本発明の別の実施の形態に係るサポート装置の断面部分を示す。簡潔さのため、図4の実施の形態の対応する部分と同じ図5の実施の形態の部分は、以下ではさらに説明しない。
図5の実施の形態において、可撓性シール部材は、リップシール91である。リップシール91は、Oリング71と同じ材料で形成されてもよく、同じ技術により製造されてもよい。リップシール91は、上述と同様、その固有の弾力性および/または接着剤の使用によって溝72に固定される。
リップシール91は、基板ホルダ61の外周面61cに支持され、抽出体65の内側の場所に向けて基板ホルダ61を降ろすときに下方に曲がる。リップシール91は、Oリング71よりも小さい断面積を有し、基板ホルダ61と抽出体65の間の熱的結合および機械的結合をさらに低減させてもよい。
図6は、本発明の別の実施の形態に係るサポート装置の断面部分を示す。簡潔さのため、図6および図7の実施の形態の対応する部分と同じ図6の実施の形態の部分は、以下ではさらに説明しない。
図6の実施の形態において、可撓性部材はリップシール92である。リップシール92は、基板ホルダ61の上面に支持される点でリップシール91と異なる。くぼみ93は、リップシール92を収容するように基板ホルダ61の上縁に設けられてもよい。基板サポート装置60の組立中、基板ホルダ61の挿入後に、リップシール92は、外周面61cに支持されるのではなく、むしろ、くぼみ93内に座るように解放される必要があるかもしれない。リップシール92の縁は、接着剤によりくぼみ93に接着することができる。
リップシール91と比べて、リップシール92は、基板ホルダ61と抽出体65の間の機械的結合および熱的結合をよりさらに低減する。
図7は、本発明の別の実施の形態に係るサポート装置の断面部分を示す。簡潔さのため、従前の実施の形態の対応する部分と同じ図7の実施の形態の部分は、以下ではさらに説明しない。
図7の実施の形態において、可撓性部材は、膨張式リングシール94である。膨張式リングシール94は、Oリング71と同じ材料で形成することができ、同じ技術で製造することができる。膨張式リングシール94は、前と同様、その固有の弾力性および/または接着剤の使用により溝72内に固定される。圧力源および制御システム(不図示)は、膨張式リングシール94内のガス(例えば非常にきれいな乾燥空気)の圧力を制御するために設けられる。したがって、基板サポート装置60は、収縮状態の膨張式リングシール94、および、基板ホルダ61を抽出体65の内側に配置した後に膨張する膨張式リングシール94とともに組み立てることができる。このようにして、膨張式リングシール94によって基板ホルダ61および抽出体65に加わる力を最小に維持することができる一方で、中間ギャップ75のシールを確実にできる。
図8は、本発明の別の実施の形態に係るサポート装置の断面部分を示す。簡潔さのため、従前の実施の形態の対応する部分と同じ図8の実施の形態の部分は、以下ではさらに説明しない。
図8の実施の形態において、シール装置は毛細管シールを備える。突起95は、抽出体65の内面73に設けられ、毛細管面95aを規定する。選択的に、対応する突起96が基板ホルダ61の外周面61cに設けられる。突起96は、同様に毛細管面96aを規定する。毛細管面95aおよび96aは、それらの間で、毛細管ギャップに入ろうとする任意の液浸液10に対して毛細管力が作用し、かつ、毛細管ギャップを通る液浸液10の流れを制御するように構成される毛細管ギャップを規定する。突起96が基板ホルダ61に設けられない場合、毛細管面95aと基板ホルダ61の外周面61cの一部との間に毛細管ギャップが形成されるのを確実にするように抽出体65の突起95のサイズを調整できる。毛細管面95a、(もしあれば)毛細管面96aおよび/または外周面61cの少なくとも一部は、その疎水性を高めるようなコーティングまたは表面処理を設けることができる。
液体抽出開口95bは、毛細管面95aまたはその近傍に設けられ、抽出開口66を介して隙間5から除去される液浸液10とともに毛細管ギャップ内の任意の液浸液10が除去されうるように流路68と流体連通となる。
本発明の他の実施の形態に比べる場合であっても、図8の実施の形態は、基板ホルダ61と抽出体65の間の機械的結合を低減させる。
本書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に記載するリソグラフィ装置は、例えば集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途も有しうることが理解されよう。当業者であれば、このような代替的な用途において、本書における「ウェハ」または「ダイ」の用語の任意の使用がより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」のそれぞれと同義とみなされうることが理解されよう。本書で言及される基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(典型的にはレジストの層を基板に適用して露光されたレジストを現像するツール)、計測ツールおよび/または検査ツールで処理することができる。適用可能であれば、本書の開示は、そのような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、例えば、多層ICを作製するために、基板を2回以上処理することができ、その結果、本書で使用される基板という用語は、一つ以上の処理された層をすでに含む基板を称してもよい。
本書で用いられる「放射」および「ビーム」の用語は、いかなる種類の電磁的な放射を包含し、紫外(UV)放射(例えば、436、405、365、248、193、157または126nm、もしくは、その近傍の波長を有する)を含む。「レンズ」の用語は、文脈上許されれば、屈折型および反射型の光学素子を含む様々な形式の光学素子のいずれか一つまたはその組み合わせを称してもよい。
本発明の特定の実施の形態が上述されたが、本発明は上記とは異なる態様で実施されてもよいことが理解されよう。
本書に記述されるいずれの制御部も、リソグラフィ装置の少なくとも一つの要素内に配置される一以上のコンピュータプロセッサにより一以上のコンピュータプログラムが読み取られるときに、それぞれで動作可能であってもよいし、または、組み合わせで動作可能であってもよい。制御部は、信号を受信、処理および送信するための任意の適切な構成をそれぞれまたは組み合わせて有してもよい。一以上のプロセッサは、少なくとも一つの制御部と通信するよう構成される。例えば、各制御部は、上述の方法のための機械可読指令を含むコンピュータプログラムを実行するための一以上のプロセッサを含んでもよい。制御部は、コンピュータプログラムなどを記憶するためのデータ記憶媒体および/またはこのような媒体を受けるためのハードウェアを含んでもよい。したがって、制御部は、一以上のコンピュータプログラムの機械可読指令にしたがって動作してもよい。
本発明の一以上の実施の形態は、任意の液浸リソグラフィ装置、特に上述した液浸液が槽形式で設けられるか、基板の局所的な表面領域のみに設けられるか、または閉じ込められるかの形式に適用されてもよいが、決して排他的ではない。非閉じ込め構成において、液浸液は、基板および/または基板テーブルの表面の上方を流れてもよく、その結果、基板テーブルおよび/または基板の覆われていない表面の実質的に全体が濡れる。このような非閉じ込めの液浸システムにおいて、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めなくてもよく、または、ある割合の液浸液の閉じ込めを提供してもよいが、液浸液の実質的に完全な閉じ込めを提供しない。
本書で考慮された液体供給システムは、広い意味で解釈されるべきである。特定の実施の形態において、それは、液浸液を投影システムと基板および/または基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供する機構または構造の組み合わせであってよい。それは、一以上の構造の組み合わせ、一以上の液体開口を含む一以上の流体開口、一以上のガス開口、もしくは、二相流用の一以上の開口を備えてもよい。開口のそれぞれは、液浸空間に向かう注入口(または液体取扱システムからの排出口)もしくは液浸空間からの排出口(または流体取扱システムに向かう注入口)であってもよい。ある実施の形態において、その空間の表面は、基板および/または基板テーブルの一部であってもよく、または、その空間の表面は、基板および/または基板テーブルの表面を完全に被覆してもよく、または、その空間は、基板および/基板テーブルを包囲してもよい。液体供給システムは、液浸液の位置、量、質、形状、流速または任意の他の特徴を制御するための一以上の要素を選択的にさらに含んでもよい。
上記の説明は例示的なものであり、限定するものではない。したがって、以下に規定される請求項の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して変更がなされうることは、当業者には明らかであろう。

Claims (7)

  1. リソグラフィ装置用のサポート装置であって、
    テーブル面および凹部を有する対象物テーブルと、
    前記凹部内に嵌合して対象物面を有する対象物を支持するよう構成され、前記対象物面と前記テーブル面とが実質的に同一平面上となるようにする対象物ホルダと、
    前記凹部内かつ前記対象物ホルダの径方向外側にある抽出体であって、流体を抽出するよう構成される抽出開口を備え、前記抽出体が前記対象物ホルダおよび前記対象物テーブルから実質的に分離するように前記対象物ホルダおよび前記対象物テーブルの双方から離間する抽出体と、を備え、
    前記抽出体は、前記対象物ホルダの外周面と対向する内面を有し、前記内面の毛細管部分は、前記外周面と前記毛細管部分の間に毛細管ギャップが形成されるように構成されることを特徴とするサポート装置。
  2. 前記抽出体は、前記毛細管ギャップから流体を抽出するよう構成されるギャップ抽出開口を有することを特徴とする請求項1に記載のサポート装置。
  3. 前記毛細管部分は、前記内面の一部のみに延在することを特徴とする請求項1または2に記載のサポート装置。
  4. 前記抽出体は、前記抽出体に熱エネルギーを供給し、および/または、前記抽出体から熱エネルギーを除去するよう構成される抽出体調整システムを備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のサポート装置。
  5. 前記内面および/または前記外周面の少なくとも一部には、その疎水性を増大させるコーティングまたは表面処理が設けられることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のサポート装置。
  6. 請求項1からのいずれか一項に記載のサポート装置を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
  7. リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法であって、サポート装置で基板を支持しながらパターニングデバイスによりパターンが付与されたビームを前記基板に投影することを備え、
    前記サポート装置は、
    テーブル面および凹部を有する対象物テーブルと、
    前記凹部内に嵌合して対象物面を有する対象物を支持するよう構成され、前記対象物面と前記テーブル面とが実質的に同一平面上となるようにする対象物ホルダと、
    前記凹部内かつ前記対象物ホルダの径方向外側にある抽出体であって、流体を抽出するよう構成される抽出開口を備え、前記抽出体が前記対象物ホルダおよび前記対象物テーブルから実質的に分離するように前記対象物ホルダおよび前記対象物テーブルの双方から離間する抽出体と、を備え、
    前記抽出体は、前記対象物ホルダの外周面と対向する内面を有し、前記内面の毛細管部分は、前記外周面と前記毛細管部分の間に毛細管ギャップが形成されるように構成されることを特徴とするデバイス製造方法。
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