JP2006120889A - 半導体装置の製造方法及びその方法に用いられる半導体ウェハホルダ - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体基板(以下ウェハ)の液浸露光方法において、ウェハ周辺に露光が可能とする方法を提供する。
【解決手段】 ウェハエッジに半導体装置を作製する為、ウェハのエッジに他の部材にて適度な力で密着させウェハエッジから液浸液の零れを防止し、液浸液を投影光学系とウェハ間に均一に液盛りをする方法であって、本発明で用いるウェハホルダは、ウェハエッジを液浸液がウェハチャック、ウェハ裏面及びウェハステージに漏洩もしくは液垂れしないようにウェハエッジ3mm以内即ちウェハエッジ付近にて密着させる機能を有する。代表的例は、ウェハを支持するとともにウェハを吸着固定するウェハチャック2、ウェハエッジからの液漏れを防止するエッジ密着材6、エッジ密着材を駆動させるユニット、ウェハ外周部にウェハ表面とほぼ同じ高さのプレート5を設置したものからなる。
【選択図】 図1
【解決手段】 ウェハエッジに半導体装置を作製する為、ウェハのエッジに他の部材にて適度な力で密着させウェハエッジから液浸液の零れを防止し、液浸液を投影光学系とウェハ間に均一に液盛りをする方法であって、本発明で用いるウェハホルダは、ウェハエッジを液浸液がウェハチャック、ウェハ裏面及びウェハステージに漏洩もしくは液垂れしないようにウェハエッジ3mm以内即ちウェハエッジ付近にて密着させる機能を有する。代表的例は、ウェハを支持するとともにウェハを吸着固定するウェハチャック2、ウェハエッジからの液漏れを防止するエッジ密着材6、エッジ密着材を駆動させるユニット、ウェハ外周部にウェハ表面とほぼ同じ高さのプレート5を設置したものからなる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体ウェハ(以下ウェハと称する)の液浸露光を用いた半導体装置の製造方法及びこの方法に使用される半導体ウェハホルダの改良に関する。
従来の半導体装置製造時のリソグラフィは、図2に示すように示すように縮小投影光学系とウェハ間には、空気が使用されていた。また現在開発中F2レーザを用いたリソグラフィは、酸素の吸収がある為窒素雰囲気下で露光されている。いずれの場合においても縮小投影光学系とウェハ間には気体を媒体としてマスクまたはレチクルに形成された回路パターンをウェハに転写していた。
そして更なる微細化またはプロセスマージン拡大の要求に対して液浸露光法という新規な手法が提案された。その例として特開平6−168866号公報(特許文献1)が挙げられる。更に、特開平10−303114号公報(特許文献2)、特開2004−193252号公報(特許文献3)等もある。
これらは(上述した特許文献1,2及び3)、いずれも屈折率が1以上有する液体を縮小投影光学系とウェハ間に満たしてウェハを逐次露光する方法である。
半導体装置が作製されるウェハ(シリコン基板)の製造ラインは、高額な費用を必要とするので限られたウェハエリアにて最大数が得られるように露光処理されている。
その例を図3、4にて模式的に示す。図3の例は、1枚のマスクに形成された半導体装置Aが縦2チップ横2チップの2X2配列の4個取りとなっていることを示した図である。
図4aは、従来理論収量として計算したときの半導体装置で実線は1フィールドが露光できることを示し、点線は1フィールド内としては欠落するが製造可能な半導体装置の示している。この図4の例では120個の製品が製造できる。液浸露光法においてウェハと縮小投影光学系の空間は、液浸液で満たさなければ十分な解像性能は得られない。
しかし、ウェハ周辺の露光において1フィールド内の欠落を生じウェハの厚みにより縮小投影光学系とウェハ間の距離が異なる為、液浸液がウェハ周辺に零れ縮小投影光学系とウェハの間に気体が入り込み露光精度へ懸念される(図5)。この為、半導体装置Aの理論収量は92個へ減少してしまう(図4b)。
このウェハ周辺の半導体装置を露光する方法として、上述した特開平10−303114号公報(特許文献2)において縮小投影光学系とウェハを直接液浸液で満たす種々の方法を提案している。また、上述した特開2004−193252号公報(特許文献3)においても縮小投影光学系とウェハ間に透明板を設置し、縮小投影光学系と透明板間及び透明板とウェハ間に液浸液を満たす方法を提案している。
上記のウェハ周辺の露光を具現化する手段の特許文献2には、縮小投影光学系の側面まで液浸液に浸していることが記載されている。この場合、半導体装置製造時のステージの移動速度は75〜125mm/sec.で移動する為縮小投影光学系の鏡筒の側面で液浸液が波立ち、気泡発生や液浸液が壁部を乗り越えステージ定盤へ零れることが懸念される。
これを防止するにはステージの移動速度を低下させるしかなくその結果スループットを犠牲にしなければならない。また、ウェハ外径より小さい透明版のリングの設置を行っているがウェハ交換時に該当リングをウェハ上載せる為搬送シーケンスが複雑となるのでウェハ交換時間が長くなりスループットを低下させる。
これを防止するにはステージの移動速度を低下させるしかなくその結果スループットを犠牲にしなければならない。また、ウェハ外径より小さい透明版のリングの設置を行っているがウェハ交換時に該当リングをウェハ上載せる為搬送シーケンスが複雑となるのでウェハ交換時間が長くなりスループットを低下させる。
また、上述した特許文献3には、次の点において将来の微細化や量産の面で利便性に欠ける。
まず解像度を向上させるため縮小投影光学系の開口数(N.A.)を上げることが予測される。N.A.を上げる場合、縮小投影光学系の口径を大きくする手法もあるが、レンズ硝材費及び加工組立ての点で難点が多いので、一般的にレンズ曲率を大きくして入射角を上げ縮小投影光学系とウェハ間の距離(Working distance)を短くする。
上記の特許文献3において、縮小投影光学系とウェハ間に透明板を設けることはWorking distanceを短くする上で不利となる。また透明板とウェハ間に液浸液を満たす時間を要し、スループットの面でも不利となる。
まず解像度を向上させるため縮小投影光学系の開口数(N.A.)を上げることが予測される。N.A.を上げる場合、縮小投影光学系の口径を大きくする手法もあるが、レンズ硝材費及び加工組立ての点で難点が多いので、一般的にレンズ曲率を大きくして入射角を上げ縮小投影光学系とウェハ間の距離(Working distance)を短くする。
上記の特許文献3において、縮小投影光学系とウェハ間に透明板を設けることはWorking distanceを短くする上で不利となる。また透明板とウェハ間に液浸液を満たす時間を要し、スループットの面でも不利となる。
更に、上記の特許文献2及び3とも、ウェハのウェハホルダへの吸着を減圧吸着しているが、単にウェハホルダに減圧をすると液浸液がウェハ裏面へ回り込み、減圧条件下ウェハとウェハホルダの微細な空間を通してウェハ裏面を液浸液が浸透することが懸念される。
また、ウェハ裏面のベベル部に小さな気泡が残存し露光中に液浸液へ放散すると、この気泡がパターンの欠陥、結像性能に悪影響する可能性もある。
また、ウェハ裏面のベベル部に小さな気泡が残存し露光中に液浸液へ放散すると、この気泡がパターンの欠陥、結像性能に悪影響する可能性もある。
以上説明したように、従来の方法では、スループットの低下、気泡がパターンの欠陥、結像性能に悪影響を及ぼす可能性があり、将来の微細化や量産の面で利便性に欠けるという問題があった。
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、半導体ウェハの液浸露光方法において、ウェハ周辺に露光が可能とし、また、ウェハエッジに半導体装置を作製する為、ウェハのエッジに他の部材にて適度な力で密着させ、ウェハエッジから液浸液の漏れを防止し、液浸液を投影光学系とウェハ間に均一に液盛り可能として、将来の微細化や量産の面で利便性を高めるようにした新規な半導体装置の製造方法である。
なお、本発明で用いられるウェハホルダは、ウェハエッジを液浸液がウェハチャック、ウェハ裏面及びウェハステージに漏洩もしくは液垂れしないように、ウェハエッジ3mm以内即ちウェハエッジ付近にて密着させる機能を有するものである。
本発明おける一つの半導体装置の製造方法は、フォトリソグラフィ工程の液浸露光を用いて、半導体装置を製造する際、半導体ウェハ側面付近にて他の部材にて密着させ液浸液が、前記半導体ウェハ裏面への回り込みを防止し、前記半導体ウェハ周辺部においても前記半導体ウェハ中心と同様均一に保持できるようにしたことを特徴とする。
また、もう一つ半導体装置の製造方法は、前記液浸液の供給量変動が小さくなるように、前記半導体ウェハ外周部に前記半導体ウェハ直径より大きく、また前記半導体ウェハ表面とほぼ同じ高さになるプレートを設置し、前記半導体ウェハ周辺部における液浸液の液不足を防止するようにしたことを特徴する。
さらに、もう一つの半導体装置の製造方法は、フォトリソグラフィ工程の液浸露光を用いて、半導体装置を製造する方法において、半導体ウェハを半導体ウェハホルダからアンロードポジションへ移動する際、前記半導体ウェハ、半導体ウェハチャック外周部に残存した液浸液を気体で吹き付け、ウェハステージ上に設置されたドレイン口から余分な液浸液を除去することを特徴とする。
また、本発明で用いる半導体ウェハホルダは、半導体ウェハエッジを液浸液が半導体ウェハチャック、半導体ウェハ裏面及び半導体ウェハステージに漏洩もしくは液垂れしないように半導体ウェハエッジ付近にて密着させる機能を有する半導体ウェハホルダにおいて、前記半導体ウェハを支持するとともに前記半導体ウェハを吸着固定する半導体ウェハチャックと、前記半導体ウェハエッジからの液漏れを防止するエッジ密着材と、前記エッジ密着材を駆動させるユニット、前記半導体ウェハ外周部に、前記半導体ウェハ表面とほぼ同じ高さとなるように配置されたプレートとを備えてなること特徴とする。
本発明によれば、半導体ウェハの液浸露光を用いた半導体装置の製造方法において、ウェハ周辺に露光が可能となる。
また、ウェハエッジに半導体装置を作製する為、ウェハのエッジに他の部材にて適度な力で密着させウェハエッジから液浸液の漏れを防止し、液浸液を投影光学系とウェハ間に均一に液盛りをするようにした新規な半導体装置の製造方法である。
また、ウェハエッジに半導体装置を作製する為、ウェハのエッジに他の部材にて適度な力で密着させウェハエッジから液浸液の漏れを防止し、液浸液を投影光学系とウェハ間に均一に液盛りをするようにした新規な半導体装置の製造方法である。
本発明の実施形態につき、図1、図6乃至17を用いて詳細に説明する。
(実施形態1)
本発明の第1の実施形態で提供するのは、液浸液が裏面に回りこまない構造とウェハホルダ上のウェハ交換に不都合が生じない構造を兼ね備えたウェハホルダである。またウェハ及びプレート等に液浸液が残存しても従来のスループットを維持できる構造となっている。
(実施形態1)
本発明の第1の実施形態で提供するのは、液浸液が裏面に回りこまない構造とウェハホルダ上のウェハ交換に不都合が生じない構造を兼ね備えたウェハホルダである。またウェハ及びプレート等に液浸液が残存しても従来のスループットを維持できる構造となっている。
まず、ウェハ裏面へ液浸液が回り込みを防止するには、ウェハ表面または側面での密着部材を接触させることが望ましい。ウェハの表面で密着部材を接触させることは前述のようにWorking Distanceを小さくしたとき縮小投影光学系の鏡筒と接触することが懸念されるので、本発明の第1の実施形態では、ウェハ側面に密着部材を接触させることを採用した。また、ウェハと密着するこの部材に金属のような硬質の部材を用いた場合ウェハエッジのチッピングを生じる懸念がある。そこで今回は、弾性を有する材料からなる部材を使用した。更にウェハエッジを硬質の材料で圧迫するとウェハが歪みアライメント精度の低下を引き起こすのでこの観点からも弾性材料を使用する優位性がある。
これを実現する為に、図1のようなウェハホルダの構造を見出した。
この図1において、まず、ウェハ吸着用のチャック2があり、2にはウェハを吸着固定する為の孔3が設けられている。このウェハチャック2にはウェハより大きい内径の庇を持つプレート5が設置されている。プレート5の幅は、少なくとも液浸液サブ回収口16の半径より十分広い幅を持って作製されている。そしてこのプレート5の庇とウェハチャック2の間にはエラストマー材で作製されたチューブ6があり、このチューブ6にはガスを導入できる孔7が接続されている。更にチューブ密着部材とウェハ間に僅かの隙間のため液浸液が漏洩したとき液浸液を排出するための孔4がある。
この図1において、まず、ウェハ吸着用のチャック2があり、2にはウェハを吸着固定する為の孔3が設けられている。このウェハチャック2にはウェハより大きい内径の庇を持つプレート5が設置されている。プレート5の幅は、少なくとも液浸液サブ回収口16の半径より十分広い幅を持って作製されている。そしてこのプレート5の庇とウェハチャック2の間にはエラストマー材で作製されたチューブ6があり、このチューブ6にはガスを導入できる孔7が接続されている。更にチューブ密着部材とウェハ間に僅かの隙間のため液浸液が漏洩したとき液浸液を排出するための孔4がある。
このチャック2にウェハ1を置き真空吸着を行う。このときプレート5の内径は、ウェハ外径とノッチ検出33で実施したウェハプリアライメント精度の数十ミクロンを加算して十分余裕を持たせて大きく作製されているので容易にウェハをチャックへ設置することができる(図6)。
次に、エラストマー材で作製されたチューブ6に接続孔7を通して、クリーンドライエア(C−DA)または窒素を導入する。これによりエラストマー材は、内部圧力が高くなり膨張する。エラストマー材の膨張において上方向は、プレート5の庇によって押さえられ、横方向はウェハ側へ進む。やがてエラストマー材は、ウェハと接触し密着する(図7)。
引き続き、液浸液供給口14からウェハ上へ液浸液を吐出させ縮小投影光学系8のレンズ硝材17とウェハ間を満たす。その後液浸液供給口14から液浸液供給すると同時に液浸液メイン回収口15から同量の液浸液を回収することで縮小投影光学系のレンズ硝材17とウェハ間を一定量の液浸液で充填できる。そして所定の半導体装置の位置へウェハステージが移動し逐次露光を行う。
尚、液浸液サブ回収口16は、液浸液メイン回収口15で回収できなかった液浸液を回収する為に設置した(図6)。
尚、液浸液サブ回収口16は、液浸液メイン回収口15で回収できなかった液浸液を回収する為に設置した(図6)。
そして、ウェハ周辺にレンズ硝材が移動してきてもウェハエッジは、図8に示したようにウェハの高さとほぼ等しいプレート5と密着部材6によって構成されているため、レンズ硝材下の液浸液は過不足なく正常に露光することが可能となった。
露光動作が完了し、液浸液供給口14から液浸液の供給停止後、液浸液メイン回収口15及び液浸液サブ回収口16から縮小投影光学系とウェハに残存している液浸液を回収する。
露光動作が完了し、液浸液供給口14から液浸液の供給停止後、液浸液メイン回収口15及び液浸液サブ回収口16から縮小投影光学系とウェハに残存している液浸液を回収する。
しかしながら、ウェハ、エラストマー密着部材及びプレート上には僅かではあるが液浸液が残存していることが多い。このままウェハをアンロードするとステージまたは電子部品等を液浸液によって濡らすことになり、金属部の腐食や配線短絡を引き起こす。これを防止する為、露光終了後ウェハのアンロード位置へステージが移動するとき細長い残留液浸液除去用のガス噴出しノズル10を設け、ウェハ、エラストマー密着部材及びプレートを一方向からC−DAまたは窒素のようなガスを全面に吹き付ける(図9)。図10aの残留液浸液除去用ガス吹き付け、ノズル10は、液浸液ブロー用にクリーンエアまたは窒素等の不活性ガスを吹き付けた時液浸液の流れが広がることを考慮して、幾分角度をつけている。本実施形態では、120度の角度で設定した。
更に、このガス吹き付け角度は、斜めに吹き付けることでより効果が現れる。またこの吹き付けノズルは、図10bのようにウェハ外形より小さい曲率を有する円弧形状でも同じ効果がある。
このようにして残留液浸液は、ステージ端からドレイン11側へ吹き寄せられる(図11のA)。プレート5の最終端のウェハチャック2には残留液浸液を排出する為のドレイン口11なる溝が形成されており、ノズル10により吹き寄せられた残留液浸液はドレイン口11へ流れ落ちる(図12のB)。ドレイン口11は、残留液浸液吸引孔12によって陰圧とされているのでドレイン口11に流れ落ちた液浸液は、直ちに残留液浸液回収用ドレイン口13へ排出される。
その後、ウェハアンロードポジションにてエラストマー材で作製されたチューブ6の圧力を大気圧に戻すことでウェハエッジと密着していたチューブは、ウェハから離れる。そしてウェハはチャックからアンロードされる。
上述のように、本第1の実施形態によれば、ウェハエッジにおいても液浸液を縮小投影光学系とウェハ間に液浸液を安定に満たせ液浸露光法の効果を利用できるので、高解像度及び広い焦点深度にて半導体装置を製造することができる。
また、ウェハエッジの段差が大きい場合、縮小投影光学系とウェハを完全に液浸液を満たす為には、縮小投影光学系がウェハエッジの位置にて液浸液の供給量を増加させなければならない。これを半導体装置の製造するときのステージスピードである75〜125mm/sec.にて液浸液の供給量の増減を精密に制御するには液浸液の供給装置がかなり複雑になる。本第1の実施形態においては、縮小投影光学系とウェハの距離は、ウェハ外周部においても一定に近いので液浸液の供給はほぼ定量となり液浸液の供給装置の制御が容易となる。
また、本実施形態によれば、液浸液のステージ等への付着が無いので金属部品の腐食によるダスト発生を抑え高い歩留まりを維持できる。
更に、本実施形態によれば、液浸液の電気部品への付着が無いので電気回路の短絡が無いので露光装置の安定且つ安全に稼動させることができる。
また、本実施形態によれば、液浸液のステージ等への付着が無いので金属部品の腐食によるダスト発生を抑え高い歩留まりを維持できる。
更に、本実施形態によれば、液浸液の電気部品への付着が無いので電気回路の短絡が無いので露光装置の安定且つ安全に稼動させることができる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
(実施形態2)
この第2の実施形態は、エラストマー密着材を機械駆動で、ウェハエッジに密着させる具体例を示す(図13)。ウェハ表面とほぼ同じ高さのリング状エラストマー密着材6は、弾性密着部材固定ピン19と固定されている。このピン19を動かすことで密着材6は連動し、リングの大きさが変化する。このリング内径は、ウェハ直径に比較して1〜3mm程度小さく作製されている。
(実施形態2)
この第2の実施形態は、エラストマー密着材を機械駆動で、ウェハエッジに密着させる具体例を示す(図13)。ウェハ表面とほぼ同じ高さのリング状エラストマー密着材6は、弾性密着部材固定ピン19と固定されている。このピン19を動かすことで密着材6は連動し、リングの大きさが変化する。このリング内径は、ウェハ直径に比較して1〜3mm程度小さく作製されている。
つまりウェハ1をウェハチャック2へセットするときにはピン19を駆動させてリング状エラストマー密着材を伸ばす必要がある(図14)。ピン19は、ピンを広げるリング状部品20に形成されたらせん状に開口した孔へ差し込まれている。
更に、そのピンは、チャック2に放射上に形成された孔を貫通している。次にピンを広げるリング状部品20は、メネジで作製されたリング駆動機構23と接合している。リング駆動機構23のオネジは、モータ22と結合されている(図15)。これによりモータ22を正転させるとリング駆動機構23がモータから遠くなり、リング状の弾性密着部材固定ピンを広げる部品20は、左回りに回転する。このときピン19は、チャック2で回転できない為チャック2の外側へ移動する(図16)。
そして、リング状エラストマー密着材6の内径は、外側へウェハ直径より大きく広がる。その後ウェハをチャックにセットする。
次に、モータ22を逆転させるとリング駆動機構23は、モータ側へ近づきリング状の弾性密着部材固定ピンを広げる部品20は、右回りへ回転する。このようにしてピン19は、チャック上の放射状の孔に沿って移動しリング状エラストマー密着材6の内径は、小さくなる。このときエラストマー材の縮む力によりウェハエッジと密着する(17)。その後の露光時の作用は、第1の実施形態と同様である。
次に、モータ22を逆転させるとリング駆動機構23は、モータ側へ近づきリング状の弾性密着部材固定ピンを広げる部品20は、右回りへ回転する。このようにしてピン19は、チャック上の放射状の孔に沿って移動しリング状エラストマー密着材6の内径は、小さくなる。このときエラストマー材の縮む力によりウェハエッジと密着する(17)。その後の露光時の作用は、第1の実施形態と同様である。
エラストマー材は、リング状に作製することでウェハエッジへの密着が均一になり望ましい。しかしリング状エラストマー材は、数mmから十数mmの幅で作成されるのでその外側において液浸液の零れが生じる可能性がある。
縮小投影光学系とウェハ間に安定に液浸液を供給する為、第1の実施形態と同様にプレート5を設置することが望ましい。
そして、リング状エラストマー密着材とプレート5との間における液浸液の漏れによる金属部品の腐食や電気部品の短絡を抑えるために、プレート5にはプレート用液浸液ドレイン口18が設置されている。
縮小投影光学系とウェハ間に安定に液浸液を供給する為、第1の実施形態と同様にプレート5を設置することが望ましい。
そして、リング状エラストマー密着材とプレート5との間における液浸液の漏れによる金属部品の腐食や電気部品の短絡を抑えるために、プレート5にはプレート用液浸液ドレイン口18が設置されている。
上述した第2の実施形態は、第1の実施形態における気体の圧力による密着方法に比べエラストマー材の伸縮性を利用してウェハエッジに容易に密着できる手法であり、更にその駆動装置も従来用いら入れている簡単な機構であり、安価且つ制御性に優れた方法である。
1:半導体基板(ウェハ)
2:ウェハチャック
3:ウェハ固定用真空引き孔
4:液浸液の排出する孔
5:プレート
6:ウェハのエッジを押さえる弾性密着部材
7:ウェハのエッジを押さえる密着部材を駆動させるエアー導入孔
8:縮小投影光学系
9:液浸液
10:残留液浸液除去用ガス吹き付けノズル
11:残留液浸液のドレイン口
12:残留液浸液吸引用孔
13:残留液浸回収後のドレイン口
14:液浸液供給口
15:液浸液メイン回収口
16:液浸液サブ回収口
17:レンズ硝材
18:プレート用液浸液ドレイン口
19:弾性密着部材固定ピン
20:弾性密着部材固定ピンを広げる部品
21:固定ピンの回転防止孔
22:モータ
23:リング駆動機構
31:ウェハステージ
32:フォーカス及びチルトステージ
33:ノッチ検出器
34:ウェハプリアライメントステージ
35:ウェハプリアライメントステージ駆動ユニット
36:ウェハロードスライドアーム
37:ウェハアンロードスライダーアーム
38:ウェハスライダー
2:ウェハチャック
3:ウェハ固定用真空引き孔
4:液浸液の排出する孔
5:プレート
6:ウェハのエッジを押さえる弾性密着部材
7:ウェハのエッジを押さえる密着部材を駆動させるエアー導入孔
8:縮小投影光学系
9:液浸液
10:残留液浸液除去用ガス吹き付けノズル
11:残留液浸液のドレイン口
12:残留液浸液吸引用孔
13:残留液浸回収後のドレイン口
14:液浸液供給口
15:液浸液メイン回収口
16:液浸液サブ回収口
17:レンズ硝材
18:プレート用液浸液ドレイン口
19:弾性密着部材固定ピン
20:弾性密着部材固定ピンを広げる部品
21:固定ピンの回転防止孔
22:モータ
23:リング駆動機構
31:ウェハステージ
32:フォーカス及びチルトステージ
33:ノッチ検出器
34:ウェハプリアライメントステージ
35:ウェハプリアライメントステージ駆動ユニット
36:ウェハロードスライドアーム
37:ウェハアンロードスライダーアーム
38:ウェハスライダー
Claims (4)
- フォトリソグラフィ工程の液浸露光を用いて、半導体装置を製造する際、半導体ウェハ側面付近にて他の部材にて密着させ液浸液が、前記半導体ウェハ裏面への回り込みを防止し、前記半導体ウェハ周辺部においても前記半導体ウェハ中心と同様均一に保持できるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、疝気液浸液の供給量変動が小さくなるように、前記半導体ウェハ外周部に前記半導体ウェハ直径より大きく、また前記半導体ウェハ表面とほぼ同じ高さになるプレートを設置し、前記半導体ウェハ周辺部における液浸液の液不足を防止するようにしたことを特徴する半導体装置の製造方法。
- フォトリソグラフィ工程の液浸露光を用いた半導体装置を製造する方法において、半導体ウェハを半導体ウェハホルダからアンロードポジションへ移動する際、前記半導体ウェハ、半導体ウェハチャック外周部に残存した液浸液を気体で吹き付け、ウェハステージ上に設置されたドレイン口から余分な液浸液を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体ウェハエッジを液浸液が半導体ウェハチャック、半導体ウェハ裏面及び半導体ウェハステージに漏洩もしくは液垂れしないように半導体ウェハエッジ付近にて密着させる機能を有する半導体ウェハホルダにおいて、前記半導体ウェハを支持するとともに前記半導体ウェハを吸着固定する半導体ウェハチャックと、前記半導体ウェハエッジからの液漏れを防止するエッジ密着材と、前記エッジ密着材を駆動させるユニット、前記半導体ウェハ外周部に、前記半導体ウェハ表面とほぼ同じ高さとなるように配置されたプレートとを備えてなること特徴とする半導体ウェハホルダ。
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