JP5655921B2 - メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5655921B2 JP5655921B2 JP2013217616A JP2013217616A JP5655921B2 JP 5655921 B2 JP5655921 B2 JP 5655921B2 JP 2013217616 A JP2013217616 A JP 2013217616A JP 2013217616 A JP2013217616 A JP 2013217616A JP 5655921 B2 JP5655921 B2 JP 5655921B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- nozzle member
- exposure apparatus
- substrate
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
本願は、2004年12月6日に出願された特願2004−353093号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
露光装置の一実施形態について図1及び図2を参照しながら説明する。図1は露光装置EXの一実施形態を示す概略構成図、図2は投影光学系PLの像面側先端近傍を示す拡大図である。図1及び図2において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持して移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに保持されている基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
プティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。
上面とほぼ同じ高さ(面一)になるような平坦面(平坦部)となっている。
て、ベース110(床面FD)及びメインコラム100の振動が、投影光学系PLを支持する鏡筒定盤103に伝わらないように、鏡筒定盤103とメインコラム100及びベース110(床面FD)とが振動的に分離されている。
PLの第1光学素子の近傍に配置されたノズル部材で液体LQの回収を行う必要がない場合には、ノズル部材70に供給口だけを設ければよい。
次に、上述した露光装置EXを使って基板Pを露光する方法に着いて説明する。基板P
の液浸露光を行うとき、制御装置CONTは、液浸機構1によって投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たして基板P上に液体LQの液浸領域LRを形成する。制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターンの像を基板Pに投影する。露光装置EXは、基板ステージPSTに保持されている基板Pに対するステップ・アンド・スキャン方式の液浸露光を行う。
図3は、ノズル部材70をメンテナンスするメンテナンス機器の第1実施形態を示す図である。ノズル部材70は、メンテナンス機器30Aによってメンテナンス(洗浄)される。図3において、メンテナンス機器30Aは、洗浄用液LKを収容可能な容器31を備えている。メンテナンス機器30Aは、ノズル部材70を洗浄するために、容器31に収容された洗浄用液LKにノズル部材70を浸漬する。メンテナンス機器30Aは、容器31に収容されている洗浄用液LKにノズル部材70を浸漬し、ノズル部材70に付着している不純物を除去あるいは溶解することによって、ノズル部材70を洗浄する。
1に収容された洗浄用液LKに浸漬される(なお図3には支持機構140は示されていない)。これにより、ノズル部材70を支持機構140(露光装置EX)から取り外すことなく洗浄用液LKに浸漬することができる。すなわち、ノズル部材70の取り外し作業を行うことなくノズル部材70を洗浄することができ、洗浄後(メンテナンス後)の取り付け作業を行う必要もないため、メンテナンス作業(洗浄作業)の作業性を向上することができ、作業時間を短縮することができる。
全体に洗浄用液LKを流した後、液浸露光処理を行う前に、液体供給機構10及び液体回収機構20の流路の全体を液体LQで完全に置換し、光路空間K1に洗浄用液LKが供給されることを防止する必要がある。ところが、液体供給機構10及び液体回収機構20の流路の全体に洗浄用液LKを流した場合、その流路を液体LQで完全に置換するためには、液浸機構1による液体LQの供給及び回収動作を長時間行う必要があり、露光装置EXの稼動率の低下を招くといった不都合が生じる。また、液体供給機構10に洗浄用液LKが流入すると、例えば液体供給機構10の純水製造装置などに影響を及ぼす可能性がある。また、多量の洗浄用液LKを要するといった不都合も生じる。液体供給機構10及び液体回収機構20の流路のうち、基板Pから発生した不純物に起因する汚染は、主にノズル部材70の回収口22近傍、回収流路24、ノズル部材70の下面70A、第1光学素子LS1の下面等に発生すると考えられるため、液体供給機構10及び液体回収機構20の流路の全体に洗浄用液LKを流すことは非効率である。
メンテナンス機器30Aを使った洗浄処理の開始が指令されると(ステップSA1)、例えば作業者によって、洗浄用液LKを収容した容器31とノズル部材70とが接続部32を介して接続される。これにより、ノズル部材70及び第1光学素子LS1が洗浄用液LKに浸漬される(ステップSA2)。このとき、図3に示すように、基板ステージPSTは投影光学系PLの下方の位置以外の所定の退避位置に退避している。
(表面処理)が施されている。
タ、溶存酸素を計測可能な溶存酸素計(DO計)等が挙げられる。もちろん、計測器としては、上述のものに限られず、液体LQの状態を表す種々の項目を計測可能なものを使用することができる。また、ノズル部材70の洗浄前における計測器の計測結果(計測値)に対してノズル部材70を洗浄後の計測器の計測結果(計測値)が改善されている場合には、ノズル部材70が良好に洗浄できたと判断することができる。一方、計測結果が改善されていない場合には、再度メンテナンス機器30Aを使った洗浄処理を行えばよい。
次に、メンテナンス機器及び方法の第2実施形態について図5を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
浄用液LKの一部をメンテナンス機器30Bの外部に排出(廃棄)するとともに、新たな(清浄な)洗浄用液LKを補給しつつ循環することにより、常に清浄な洗浄用液LKでノズル部材70及び第1光学素子LS1を洗浄(浸漬)することができる。なお、循環装置34に回収管36を介して戻された洗浄用液LKを清浄にする機能を設け、回収管36を介して戻された洗浄用液LKの一部を廃棄せずに、再利用するようにしてもよい。
。こうすることにより、ノズル部材70の下面70A、第1光学素子LS1の下面LSA、ノズル部材70の供給流路14、回収流路24などに残留している洗浄用液LKをより確実に除去することができる。この場合においても、液浸機構1のノズル部材70の回収口22から回収された液体LQを排出管28を介して露光装置EXの外部に全て排出(廃棄)する動作を所定時間だけ行うことにより、回収口22から回収された液体LQ中に洗浄用液LKが混在していても、洗浄用液LKが液体供給機構10に戻されることを防止できる。
次に、メンテナンス機器及び方法の第3実施形態について図6を参照しながら説明する。図6に示すメンテナンス機器30Cは、容器31内の洗浄用液LKに超音波を印加する超音波振動子(超音波発生装置)37を備えている。超音波振動子37は、容器31の所定位置に取り付けられている。図6に示す例では、超音波振動子37は、容器31の外側面に取り付けられている。超音波振動子37としては、ピエゾ素子、電磁式などの振動子が挙げられる。超音波振動子37は、容器31を振動(超音波加振)することで、容器31内の洗浄用液LKに超音波を印加し、ノズル部材70、第1光学素子LS1などに付着している不純物の除去(溶解)を促進する。洗浄用液LKによる浸漬処理が終了した後は、上述の実施形態同様、液体LQによる浸漬処理、及びノズル部材70及び第1光学素子LS1と基板ステージPSTの上面95(又はダミー基板)とを対向させた状態での液浸機構1による液体LQの供給及び回収などが行われる。
次に、メンテナンス機器及び方法の第4実施形態について図7を参照しながら説明する。図7に示すメンテナンス機器30Dは、容器31を移動可能に支持する支持装置40を備えている。支持装置40は、露光装置EX内部と外部との間で容器31を移動可能であって、容器31を支持する支持台41と、支持台41と台車42とを連結する連結部材43とを備えている。支持台41は連結部材43の先端で支持され、連結部材43の他端部は台車42に接続されている。なお、支持台41と連結部材43の先端との間にアクチュエータ等を含む駆動機構を設け、連結部材43に対して支持台41をX軸、Y軸、及びZ軸方向に移動可能にしてもよい。
次に、メンテナンス機器及び方法の第5実施形態について図8を参照しながら説明する。上述の第1〜第4の実施形態においては、ノズル部材70を支持機構140で支持した状態で、洗浄用液LKに浸漬しているが、本実施形態の特徴的な部分は、ノズル部材70を支持機構140(露光装置EX)から外して、容器31内の洗浄用液LKに浸漬する点にある。すなわち、本実施形態のメンテナンス機器30Eは、露光装置EXの外部において、ノズル部材70の浸漬処理を行う。洗浄用液LKによる浸漬処理が終了した後は、ノズル部材70を支持機構140に接続する前に、液体LQを収容した容器31内にノズル部材70が配置され、液体LQにノズル部材70が浸漬される。これにより、ノズル部材70に残留している洗浄用液LKが除去される。そして、ノズル部材70に残留している洗浄用液LKが十分に除去された後、そのノズル部材と支持機構140との接続作業が行われる。
次に、メンテナンス機器及び方法の第6実施形態について図9を参照しながら説明する。本実施形態においては、上述の第5の実施形態のようにノズル部材70を支持機構140(露光装置EX)から外した後、回収管23をメンテナンス(洗浄)する場合について説明する。
次に、メンテナンス機器及び方法の第7実施形態について図10を参照しながら説明する。図10に示すように、支持機構140(露光装置EX)からノズル部材70を外した場合、回収管23のノズル部材70との接続部23S、及び供給管13のノズル部材70との接続部13Sが露出する。そこで、本実施形態においては、ノズル部材70を支持機構140から外した後に、供給管13の接続部13Sと回収管23の接続部23Sとを、メンテナンス機器30Gを使って接続することで、回収管23を洗浄する。
なお、上述の第1〜第3実施形態においては、容器31は、ノズル部材70に対して接続する接続部32を有しているが、例えば容器31に、基板ステージPSTに対して接続可能な接続部を設けておき、容器31を基板ステージPSTに接続した状態で、その容器31内の洗浄用液LK(又は液体LQ)にノズル部材70及び第1光学素子LS1を浸漬するようにしてもよい。また、基板ステージPST以外の、露光装置EX内の所定の機器又は部材と容器31とを接続し、その容器31内の洗浄用液LK(又は液体LQ)にノズル部材70及び第1光学素子LS1を浸漬するようにしてもよい。
どを洗浄する場合について述べたが、露光装置EX内で液体LQに接触し、不純物によって汚染されている種々の部材を洗浄するときに、上述の各実施形態の洗浄方法(メンテナンス方法)を行うことができる。例えば、基板P上の液体LQが飛散して、投影光学系PLに並んで配置されるオフ・アクシス方式のアライメント系、あるいはフォーカス・レベリング検出系などに付着し、そのアライメント系、フォーカス・レベリング検出系などが汚染した場合には、アライメント系、フォーカス・レベリング検出系などを洗浄用液LKで浸漬することができる。
たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
Claims (23)
- 露光動作中に第1液体を介して基板を露光する液浸露光装置のメンテナンス方法であって、
洗浄動作中に第2液体でノズル部材を洗浄することと、
前記第2液体による前記ノズル部材の洗浄後、前記ノズル部材の供給口から第1液体を供給しかつ前記供給した第1液体を前記ノズル部材の回収口を介して回収することと、
前記ノズル部材の前記回収口を介して前記回収した第1液体の成分を計測することと、
を含む、メンテナンス方法。 - 前記回収した第1液体の前記成分は、全有機体炭素を含む、請求項1に記載のメンテナンス方法。
- 前記回収した第1液体の前記成分は、パーティクルカウンタを含む計測器によって計測される、請求項1または2に記載のメンテナンス方法。
- 露光動作中に第1液体を介して基板を露光する液浸露光装置のメンテナンス方法であって、
洗浄動作中に第2液体でノズル部材を洗浄することと、
前記第2液体による前記ノズル部材の洗浄後、前記ノズル部材の供給口から第1液体を供給しかつ前記供給した第1液体を前記ノズル部材の回収口を介して回収することと、
前記ノズル部材の前記回収口を介して前記回収した第1液体の水質をTOC計で計測することと、
を含む、メンテナンス方法。 - 露光動作中に第1液体を介して基板を露光する液浸露光装置のメンテナンス方法であって、
洗浄動作中に第2液体でノズル部材を洗浄することと、
前記第2液体による前記ノズル部材の洗浄後、前記ノズル部材の供給口から第1液体を供給しかつ前記供給した第1液体を前記ノズル部材の回収口を介して回収することと、
前記ノズル部材の前記回収口を介して前記回収した第1液体の水質をパーティクルカウンタで計測することと、
を含む、メンテナンス方法。 - 前記計測の結果に基づいて前記洗浄動作の結果を判定する、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記液浸露光装置によって前記ノズル部材を支持した状態で、前記ノズル部材を前記第2液体で洗浄する、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記液浸露光装置から前記ノズル部材を取り外した状態で、前記ノズル部材を前記第2液体で洗浄する、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記液浸露光装置は前記ノズル部材を支持する支持システムを有し、前記支持システムによって前記ノズル部材を支持した状態で、前記ノズル部材を洗浄する、請求項7に記載のメンテナンス方法。
- 前記ノズル部材の下に容器を配すること、をさらに含み、
前記第2液体を前記容器内に収容し、前記容器内に収容した前記第2液体で前記ノズル部材を洗浄する、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。 - 前記容器内に収容した前記第2液体で前記ノズル部材を洗浄するとき、前記第2液体を循環させる、請求項10に記載のメンテナンス方法。
- 前記第2液体で前記ノズル部材を洗浄するとき、前記第2液体に超音波を印加する、請求項10又は請求項11に記載のメンテナンス方法。
- UV洗浄又はケミカル洗浄と組み合わせて、前記第2液体による前記ノズル部材の洗浄を実行する、請求項1から請求項12のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。
- 前記第1液体は水である請求項1〜13のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
- 請求項1から請求項14のいずれか一項に記載のメンテナンス方法でメンテナンスされる、露光装置。
- 露光動作中に第1液体を介して基板ホルダに保持された基板を露光する液浸露光装置であって、
投影光学系と、
第1液体を供給する供給口と、前記供給口から供給された第1液体を回収する回収口とを有するノズル部材と、
前記回収口から回収した第1液体の成分を計測可能な計測器と、を備え、
前記ノズル部材を第2液体で洗浄した後に、前記基板ホルダに保持されたダミー基板と前記投影光学系とが対向した状態で、前記供給口からの第1液体の供給と前記回収口からの第1液体の回収を行うとともに、前記回収口から回収した第1液体の前記成分を前記計測器で計測する露光装置。 - 前記計測器は、TOC計を含む請求項16に記載の露光装置。
- 前記計測器は、パーティクルカウンタを含む請求項16または17に記載の露光装置。
- 露光動作中に第1液体を介して基板ホルダに保持された基板を露光する液浸露光装置であって、
投影光学系と、
第1液体を供給する供給口と、前記供給口から供給された第1液体を回収する回収口とを有するノズル部材と、
TOC計と、を備え、
前記ノズル部材を第2液体で洗浄した後に、前記基板ホルダに保持されたダミー基板と前記投影光学系とが対向した状態で、前記供給口からの第1液体の供給と前記回収口からの第1液体の回収を行うとともに、前記回収口から回収した第1液体の水質を前記TOC計で計測する露光装置。 - 露光動作中に第1液体を介して基板ホルダに保持された基板を露光する液浸露光装置であって、
投影光学系と、
第1液体を供給する供給口と、前記供給口から供給された第1液体を回収する回収口とを有するノズル部材と、
パーティクルカウンタと、を備え、
前記ノズル部材を第2液体で洗浄した後に、前記基板ホルダに保持されたダミー基板と前記投影光学系とが対向した状態で、前記供給口からの第1液体の供給と前記回収口からの第1液体の回収を行うとともに、前記回収口から回収した第1液体の水質を前記パーティクルカウンタで計測する露光装置。 - 前記ノズル部材は、容器内に収容された前記第2液体で洗浄する請求項16から20のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第1液体は水である請求項16〜21のいずれか一項記載の露光装置。
- 請求項15〜22のいずれか一項に記載の露光装置を使用する、デバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013217616A JP5655921B2 (ja) | 2004-12-06 | 2013-10-18 | メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004353093 | 2004-12-06 | ||
JP2004353093 | 2004-12-06 | ||
JP2013217616A JP5655921B2 (ja) | 2004-12-06 | 2013-10-18 | メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011225969A Division JP2012044204A (ja) | 2004-12-06 | 2011-10-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014033224A JP2014033224A (ja) | 2014-02-20 |
JP5655921B2 true JP5655921B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=36577892
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006546680A Expired - Fee Related JP4784513B2 (ja) | 2004-12-06 | 2005-12-05 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2010092301A Expired - Fee Related JP5056891B2 (ja) | 2004-12-06 | 2010-04-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011225969A Pending JP2012044204A (ja) | 2004-12-06 | 2011-10-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2013217616A Expired - Fee Related JP5655921B2 (ja) | 2004-12-06 | 2013-10-18 | メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006546680A Expired - Fee Related JP4784513B2 (ja) | 2004-12-06 | 2005-12-05 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2010092301A Expired - Fee Related JP5056891B2 (ja) | 2004-12-06 | 2010-04-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011225969A Pending JP2012044204A (ja) | 2004-12-06 | 2011-10-13 | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7804576B2 (ja) |
EP (1) | EP1821337B1 (ja) |
JP (4) | JP4784513B2 (ja) |
KR (2) | KR101559621B1 (ja) |
HK (1) | HK1109239A1 (ja) |
WO (1) | WO2006062065A1 (ja) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1614001B1 (en) | 2003-04-11 | 2009-11-25 | Nikon Corporation | Cleanup method for optics in immersion lithography |
TW201806001A (zh) * | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101942136B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2019-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN108490741A (zh) | 2004-06-09 | 2018-09-04 | 株式会社尼康 | 曝光装置及元件制造方法 |
EP1783822A4 (en) * | 2004-06-21 | 2009-07-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE DEVICE ELEMENT CLEANING METHOD, EXPOSURE DEVICE MAINTENANCE METHOD, MAINTENANCE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP4772306B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
US7385670B2 (en) | 2004-10-05 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4872916B2 (ja) | 2005-04-18 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
EP1909310A4 (en) * | 2005-07-11 | 2010-10-06 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
WO2007105645A1 (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Nikon Corporation | 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
SG175671A1 (en) * | 2006-05-18 | 2011-11-28 | Nikon Corp | Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method |
CN101385125B (zh) * | 2006-05-22 | 2011-04-13 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法 |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
CN102156389A (zh) * | 2006-05-23 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法 |
CN101390194B (zh) * | 2006-06-30 | 2011-04-20 | 株式会社尼康 | 维修方法、曝光方法及装置、以及元件制造方法 |
US8570484B2 (en) | 2006-08-30 | 2013-10-29 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus, device manufacturing method, cleaning method, and cleaning member to remove foreign substance using liquid |
KR20090060270A (ko) | 2006-09-08 | 2009-06-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 클리닝용 부재, 클리닝 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US8040490B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR100843709B1 (ko) | 2007-02-05 | 2008-07-04 | 삼성전자주식회사 | 액체 실링 유니트 및 이를 갖는 이멀젼 포토리소그래피장치 |
US8237911B2 (en) * | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US8947629B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7841352B2 (en) * | 2007-05-04 | 2010-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
KR20100031694A (ko) * | 2007-05-28 | 2010-03-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 세정 장치, 및 클리닝 방법 그리고 노광 방법 |
US7916269B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US20090025753A1 (en) | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method |
NL1035942A1 (nl) | 2007-09-27 | 2009-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus. |
SG151198A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
JP5017232B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
NL1036273A1 (nl) | 2007-12-18 | 2009-06-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus. |
NL1036306A1 (nl) | 2007-12-20 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus. |
US8339572B2 (en) | 2008-01-25 | 2012-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20100039628A1 (en) * | 2008-03-19 | 2010-02-18 | Nikon Corporation | Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method |
US8654306B2 (en) | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method |
NL1036709A1 (nl) * | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
TW201009895A (en) * | 2008-08-11 | 2010-03-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method |
US8619231B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-12-31 | Nikon Corporation | Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method |
US20110199591A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-08-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method |
NL2005610A (en) | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and surface cleaning method. |
US20120019804A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120188521A1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-07-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium |
TWI544291B (zh) * | 2012-05-22 | 2016-08-01 | 斯克林半導體科技有限公司 | 顯像處理裝置 |
KR101658487B1 (ko) | 2015-03-24 | 2016-09-23 | 주식회사 엠티에스 | 탈부착형 제빙회전드럼 위생세척용 저수조 탱크가 구비된 빙삭기 |
KR101583315B1 (ko) | 2015-06-10 | 2016-01-08 | 주식회사 엠티에스 | 냉매누설 및 드럼외측면 결빙방지를 포함한 외부모세관을 이용한 2단 냉매팽창용 빙삭기 |
EP3627713B1 (en) * | 2018-09-20 | 2022-12-28 | Swisscom AG | Method and apparatus |
DE102020206249A1 (de) * | 2020-05-18 | 2021-11-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Instandhaltung einer Projektionsbelichtungsanlage, Servicemodul und Anordnung für die Halbleiterlithographie |
Family Cites Families (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3516645A (en) * | 1967-08-14 | 1970-06-23 | Clevite Corp | Ultrasonic cleaner |
JPS5638606A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-13 | Nippon Soken Inc | Driving method of proportional electromagnetic valve |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US6297871B1 (en) * | 1995-09-12 | 2001-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
SG88824A1 (en) | 1996-11-28 | 2002-05-21 | Nikon Corp | Projection exposure method |
DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands Bv | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH11162831A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1999027568A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2004050048A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 配管洗浄装置及び配管の洗浄装置を備えた超純水製造装置 |
JP4296469B2 (ja) * | 2002-08-01 | 2009-07-15 | 栗田工業株式会社 | 超純水製造用膜分離装置の洗浄方法 |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
CN100470367C (zh) | 2002-11-12 | 2009-03-18 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN101382738B (zh) | 2002-11-12 | 2011-01-12 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
EP2945016B1 (en) | 2003-02-26 | 2017-09-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
ATE426914T1 (de) | 2003-04-07 | 2009-04-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
EP1614001B1 (en) | 2003-04-11 | 2009-11-25 | Nikon Corporation | Cleanup method for optics in immersion lithography |
CN101002140B (zh) * | 2003-04-11 | 2010-12-08 | 株式会社尼康 | 保持平板印刷投射透镜下面的浸没流体的设备和方法 |
TW201806001A (zh) * | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4305095B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法 |
TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP1672682A4 (en) * | 2003-10-08 | 2008-10-15 | Zao Nikon Co Ltd | SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
KR101166007B1 (ko) | 2004-02-10 | 2012-07-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법 |
JP2005236047A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
EP1783822A4 (en) * | 2004-06-21 | 2009-07-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE DEVICE ELEMENT CLEANING METHOD, EXPOSURE DEVICE MAINTENANCE METHOD, MAINTENANCE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP4444743B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006032750A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Canon Inc | 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7224427B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method |
JP4772306B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
US7362412B2 (en) | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
US7732123B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion photolithography with megasonic rinse |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060250588A1 (en) | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Stefan Brandl | Immersion exposure tool cleaning system and method |
US7262422B2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-08-28 | Spansion Llc | Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
-
2005
- 2005-12-05 KR KR1020127030300A patent/KR101559621B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-05 KR KR1020077002499A patent/KR101339887B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-05 JP JP2006546680A patent/JP4784513B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-05 WO PCT/JP2005/022308 patent/WO2006062065A1/ja active Application Filing
- 2005-12-05 EP EP05811795.3A patent/EP1821337B1/en not_active Not-in-force
- 2005-12-05 US US11/662,452 patent/US7804576B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-12-31 HK HK07114300.9A patent/HK1109239A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-04-13 JP JP2010092301A patent/JP5056891B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-16 US US12/805,715 patent/US8456608B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-13 JP JP2011225969A patent/JP2012044204A/ja active Pending
-
2013
- 2013-04-26 US US13/871,452 patent/US8891055B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-18 JP JP2013217616A patent/JP5655921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1821337A4 (en) | 2008-02-27 |
KR101559621B1 (ko) | 2015-10-13 |
JP5056891B2 (ja) | 2012-10-24 |
KR20070083476A (ko) | 2007-08-24 |
EP1821337A1 (en) | 2007-08-22 |
EP1821337B1 (en) | 2016-05-11 |
US8456608B2 (en) | 2013-06-04 |
JPWO2006062065A1 (ja) | 2008-06-12 |
KR101339887B1 (ko) | 2013-12-10 |
US20100315609A1 (en) | 2010-12-16 |
US8891055B2 (en) | 2014-11-18 |
WO2006062065A1 (ja) | 2006-06-15 |
KR20120132699A (ko) | 2012-12-07 |
JP2014033224A (ja) | 2014-02-20 |
JP2010171453A (ja) | 2010-08-05 |
HK1109239A1 (zh) | 2008-05-30 |
US7804576B2 (en) | 2010-09-28 |
JP4784513B2 (ja) | 2011-10-05 |
US20130235359A1 (en) | 2013-09-12 |
US20080018867A1 (en) | 2008-01-24 |
JP2012044204A (ja) | 2012-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5655921B2 (ja) | メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP5713085B2 (ja) | 露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP5408006B2 (ja) | 洗浄方法、及び基板処理方法 | |
JP5273135B2 (ja) | 露光方法、及びデバイス製造方法 | |
KR101411799B1 (ko) | 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 | |
JP4677833B2 (ja) | 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法 | |
JP2018049295A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4729876B2 (ja) | 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP4487907B2 (ja) | メンテナンス方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131118 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5655921 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |