KR20090060270A - 클리닝용 부재, 클리닝 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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KR20090060270A
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Abstract

클리닝용 부재는, 노광광이 조사되는 노광용 기판보다 작고, 노광용 기판의 이면을 유지하는 기판 유지 부재의 적어도 일부를 클리닝하기 위해 기판 유지 부재에 유지된다.
Figure P1020097003335
클리닝용 부재, 노광광, 노광용 기판, 기판 유지 부재

Description

클리닝용 부재, 클리닝 방법, 그리고 디바이스 제조 방법{CLEANING MEMBER, CLEANING METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
기술분야
본 발명은, 기판을 유지하는 기판 유지 부재를 클리닝하기 위한 클리닝용 부재, 클리닝 방법, 그리고 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2006년 9월 8일에 출원된 일본 특허출원 2006-244271호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
배경기술
포토 리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치에 있어서, 예를 들어 하기 특허 문헌에 개시되어 있는 바와 같은, 액체를 통하여 기판을 노광하는 액침 노광 장치가 알려져 있다.
특허 문헌 1 : 국제공개 제99/49504호 팜플렛
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 2004-289127호
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
액침 노광 장치에 있어서, 기판과 기판 유지 부재 사이의 갭 등에 액체가 침입하면, 그 침입된 액체에 의해, 혹은 그 액체에 혼입된 이물질, 불순물 등에 의해 기판 유지 부재의 일부가 오염될 가능성이 있다. 기판 유지 부재가 오염된 상 태를 방치해 두면, 그 기판 유지 부재로 기판을 양호하게 유지할 수 없게 되거나, 그 기판 유지 부재로 유지된 기판이 오염되거나, 오염이 확대되거나 할 가능성이 있다. 그러한 문제가 발생한 경우, 기판을 양호하게 노광할 수 없게 될 가능성이 있다.
본 발명은, 기판 유지 부재를 양호하게 클리닝할 수 있는 클리닝용 부재 및 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 그 클리닝된 기판 유지 부재로 기판을 유지하여 디바이스를 제조하는 디바이스 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 노광광이 조사되는 기판의 이면을 유지하는 기판 유지 부재의 적어도 일부를 클리닝하기 위해 기판 유지 부재에 유지되는 클리닝용 부재로서, 기판보다 작은 외경을 갖는 클리닝 부재가 제공된다.
본 발명의 제 1 양태에 의하면, 기판 유지 부재를 양호하게 클리닝할 수 있다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 상기 양태의 클리닝용 부재를 기판 유지 부재에 유지하고, 기판 유지 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 클리닝 방법이 제공된다.
본 발명의 제 2 양태에 의하면, 기판 유지 부재를 양호하게 클리닝할 수 있다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 노광광이 조사되는 기판을 유지하는 기판 유 지 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 클리닝 방법으로서, 기판과 거의 동일한 외형을 갖고, 그 기판보다 작은 외경을 갖는 클리닝용 부재를 기판 유지 부재로 유지하는 것과, 기판 유지 부재의 적어도 일부를 클리닝하기 위한 액체를 공급하는 것을 포함하는 클리닝 방법이 제공된다.
본 발명의 제 3 양태에 의하면, 기판 유지 부재를 양호하게 클리닝할 수 있다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 상기 양태의 클리닝 방법을 사용하여 기판 유지 부재를 클리닝하는 것과, 기판 유지 부재로 기판을 유지하는 것과, 기판 유지 부재에 유지된 기판을 노광광으로 노광하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 제 4 양태에 의하면, 양호하게 클리닝된 기판 유지 부재로 기판을 유지하고, 그 기판을 노광함으로써, 원하는 성능을 갖는 디바이스를 제조할 수 있다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 기판 유지 부재를 양호하게 클리닝할 수 있다. 따라서, 그 기판 유지 부재로 양호하게 유지된 기판을 양호하게 노광할 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 노광 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2 는 제 1 실시형태에 관련된 테이블의 측단면도이다.
도 3 은 기판을 유지한 상태의 테이블의 평면도이다.
도 4 는 제 1 실시형태에 관련된 테이블의 주요부를 나타내는 측단면도이다.
도 5 는 제 1 실시형태에 관련된 테이블의 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 6 은 제 1 실시형태에 관련된 테이블의 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 7 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝용 부재를 나타내는 도면이다.
도 8 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 9 는 도 8 의 일부를 확대한 도면이다.
도 10 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 11 은 제 1 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 12a 는 제 2 실시형태에 관련된 클리닝용 부재를 나타내는 도면이다.
도 12b 는 제 2 실시형태에 관련된 클리닝용 부재를 나타내는 도면이다.
도 12c 는 제 2 실시형태에 관련된 클리닝용 부재를 나타내는 도면이다.
도 13 은 제 2 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 14 는 제 3 실시형태에 관련된 클리닝 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 15 는 마이크로 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 플로우 차트도이다.
부호의 설명
4 … 기판 스테이지, 4T … 테이블, 12 … 액체 공급구, 22 … 액체 회수구, 33 … 제 1 둘레벽, 33A … 제 1 상면, 34 … 제 2 둘레벽, 34A … 제 2 상면, 61 … 제 2 흡인구, 63 … 제 1 흡인구, 70 … 노즐 부재, 81 … 제 1 지지 부재, 90 … 액체 분사구, CP … 클리닝용 부재, EL … 노광광, EX … 노광 장치, HD1…제 1 홀더, LQ … 액체, LR … 액침 공간, P … 노광용 기판
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부재의 위치 관계에 대해 설명한다. 그리고, 수평면 내에 있어서의 소정 방향을 X 축 방향, 수평면 내에 있어서 X 축 방향과 직교하는 방향을 Y 축 방향, X 축 방향 및 Y 축 방향 각각에 직교하는 방향 (즉 연직 방향) 을 Z 축 방향으로 한다. 또한, X 축, Y 축 및 Z 축 둘레의 회전 (경사) 방향을 각각 θX, θY 및 θZ 방향으로 한다.
<제 1 실시형태>
제 1 실시형태에 대해 설명한다. 도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 노광 장치 (EX) 를 나타내는 개략 구성도이다. 도 1 에 있어서, 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 를 유지하고 이동 가능한 마스크 스테이지 (3) 와, 노광용 기판 (P) 을 유지하고 이동 가능한 기판 스테이지 (4) 와, 마스크 (M) 를 노광광 (EL) 으로 조명하는 조명계 (IL) 와, 노광광 (EL) 으로 조명된 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 에 투영하는 투영 광학계 (PL) 와, 기판 스테이지 (4) 에 대하여 기판 (P) 을 반송할 수 있는 반송 장치 (100) 와, 노광 장치 (EX) 전체의 동작을 제어하는 제어 장치 (7) 를 구비하고 있다.
또한, 여기서 말하는 노광용 기판 (P) 은, 디바이스를 제조하기 위한 기판으로서, 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼 등의 기재 상에 감광재 (포토 레지스트) 가 도포된 것, 혹은 감광재에 추가하여 보호막 (탑코트막) 등의 각종 막을 도포한 것을 포함한다. 노광용 기판 (P) 은 원판상의 부재로서, XY 평면 내에 있어서의 노광용 기판 (P) 의 외형은 원형이다. 마스크 (M) 는, 노광용 기판 (P) 상에 투영되는 디바이스 패턴이 형성된 레티클을 포함한다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 마스크로서 투과형 마스크를 사용하는데, 반사형 마스크를 사용할 수도 있다. 투과형 마스크는, 차광막으로 패턴이 형성되는 바이너리 마스크에 한정되지 않고, 예를 들어 하프톤형 혹은 공간 주파수 변조형 등의 위상 시프트 마스크도 포함한다.
본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 노광 파장을 실질적으로 짧게 하여 해상도를 향상시킴과 함께 초점 심도를 실질적으로 넓게 하기 위해 액침법을 적용한 액침 노광 장치로서, 기판 (P) 의 표면과 대향하도록 배치되고, 기판 (P) 표면과의 사이에 액침 공간 (LR) 을 형성할 수 있는 노즐 부재 (70) 를 구비하고 있다. 액침 공간 (LR) 은, 액체 (LQ) 로 채워진 공간이다. 노즐 부재 (70) 는, 기판 (P) 의 표면과 대향하는 하면을 갖고 있고, 그 하면과 기판 (P) 의 표면 사이에서 액체 (LQ) 를 유지할 수 있다. 노즐 부재 (70) 는, 기판 (P) 표면과의 사이에서 액체 (LQ) 를 유지하고, 그 기판 (P) 표면과의 사이에 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LR) 을 형성할 수 있다.
노즐 부재 (70) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측 (광 사출측) 의 노광광 (EL) 의 광로 공간 (K), 구체적으로는 투영 광학계 (PL) 의 복수의 광학 소자 중, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면에 가장 가까운 종단 광학 소자 (FL) 의 광 사출면 (하면) 과 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측에 배치된 기판 (P) 사이의 노광광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채우도록, 액침 공간 (LR) 을 형성한다. 노광광 (EL) 의 광로 공간 (K) 은, 노광광 (EL) 이 진행되는 광로를 포함하는 공간이다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 노광용 액체 (LQ) 로서 물 (순수) 을 사용한다.
노광 장치 (EX) 는, 적어도 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 상에 투영하고 있는 동안, 노즐 부재 (70) 를 사용하여 액침 공간 (LR) 을 형성한다. 노광 장치 (EX) 는, 노광광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채우도록 액침 공간 (LR) 을 형성하고, 그 액체 (LQ) 를 통하여, 마스크 (M) 를 통과한 노광광 (EL) 을 기판 스테이지 (4) 에 유지된 기판 (P) 에 조사함으로써, 그 기판 (P) 을 노광한다. 이로써, 마스크 (M) 의 패턴 이미지가 기판 (P) 에 투영된다.
또한, 본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 적어도 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 상에 투영하고 있는 동안, 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (AR) 을 포함하는 기판 (P) 상의 일부 영역이 액침 공간 (LR) 의 액체 (LQ) 로 덮이도록, 노즐 부재 (70) 와 기판 (P) 사이에 액침 공간 (LR) 을 형성하는 국소 액침 방식을 채용하고 있다. 즉, 노즐 부재 (70) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측에 있어서 액체 (LQ) 를 유지하는 액체 유지 부재 (liquid confinement member) 로서 기 능한다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 노즐 부재 (70) 가 기판 (P) 표면과의 사이에 액침 공간 (LR) 을 형성하는 경우에 대해 주로 설명하지만, 노즐 부재 (70) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측에 있어서, 노광광 (EL) 이 조사 가능한 위치에 배치된 물체 표면과의 사이, 즉 투영 광학계 (PL) 의 광 사출면과 대향하는 위치에 배치된 물체 표면과의 사이에도 액침 공간 (LR) 을 형성할 수 있다. 예를 들어, 노즐 부재 (70) 는, 기판 스테이지 (4) 상면 (판 부재 (T)) 과의 사이, 및 후술하는 클리닝용 부재 (CP) 와의 사이에도 액침 공간 (LR) 을 형성할 수 있다.
조명계 (IL) 는, 마스크 (M) 상의 소정의 조명 영역을 균일한 조도 분포의 노광광 (EL) 으로 조명한다. 조명계 (IL) 로부터 사출되는 노광광 (EL) 으로는, 예를 들어 수은 램프로부터 사출되는 휘선 (g 선, h 선, i 선) 및 KrF 엑시머 레이저광 (파장 248㎚) 등의 원자외광 (DUV 광) 이나, ArF 엑시머 레이저광 (파장 193㎚) 및 F2 레이저광 (파장 157㎚) 등의 진공 자외광 (VUV 광) 등이 사용된다. 본 실시형태에 있어서는, 노광광 (EL) 으로서 ArF 엑시머 레이저광이 사용된다.
마스크 스테이지 (3) 는, 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 마스크 스테이지 구동 장치의 구동에 의해, 마스크 (M) 를 유지한 상태에서 X 축, Y 축 및 θZ 방향으로 이동할 수 있다. 마스크 스테이지 (3) (나아가서는 마스크 (M)) 의 위치 정보는, 레이저 간섭계 (3L) 에 의해 계측된다. 레이저 간섭계 (3L) 는, 마스크 스테이지 (3) 상에 형성된 계측 미러 (3K) 를 사용하여 마스크 스테이 지 (3) 의 위치 정보를 계측한다. 제어 장치 (7) 는, 레이저 간섭계 (3L) 의 계측 결과에 기초하여 마스크 스테이지 구동 장치를 구동시키고, 마스크 스테이지 (3) 에 유지되어 있는 마스크 (M) 의 위치를 제어한다.
투영 광학계 (PL) 는, 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 소정의 투영 배율로 기판 (P) 에 투영한다. 투영 광학계 (PL) 는 복수의 광학 소자를 갖고 있고, 그들 광학 소자는 경통 (PK) 으로 유지되어 있다. 본 실시형태의 투영 광학계 (PL) 는, 그 투영 배율이 예를 들어 1/4, 1/5, 1/8 등의 축소계이다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는 축소계, 등배계 및 확대계 중 어느 것이어도 된다. 본 실시형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 의 광축 (AX) 은 Z 축 방향과 평행으로 되어 있다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는, 반사 광학 소자를 포함하지 않는 굴절계, 굴절 광학 소자를 포함하지 않는 반사계, 반사 광학 소자와 굴절 광학 소자를 포함하는 반사 굴절계 중 어느 것이어도 된다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는 도립상과 정립상 중 어느 것을 형성해도 된다.
기판 스테이지 (4) 는, 스테이지 본체 (4B) 와, 스테이지 본체 (4B) 상에 탑재된 테이블 (4T) 과, 테이블 (4T) 에 형성되고 기판 (P) 을 착탈 가능하게 유지하는 제 1 홀더 (HD1) 와, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 주위를 둘러싸도록 배치되는 판 부재 (T) 와, 테이블 (4T) 에 형성되고 판 부재 (T) 를 착탈 가능하게 유지하는 제 2 홀더 (HD2) 를 구비하고 있다.
스테이지 본체 (4B) 는, 에어 베어링 (4A) 에 의해, 베이스 부재 (BP) 의 상면 (가이드면) 에 대하여 비접촉 지지되어 있다. 베이스 부재 (BP) 의 상면은 XY 평면과 거의 평행하고, 기판 스테이지 (4) 는 베이스 부재 (BP) 상에서 XY 방향으로 이동할 수 있다.
기판 스테이지 (4) 는, 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하는 기판 스테이지 구동 장치의 구동에 의해, 제 1 홀더 (HD1) 에 기판 (P) 을 유지한 상태로 베이스 부재 (BP) 상에서 이동할 수 있다. 기판 스테이지 구동 장치는, 스테이지 본체 (4B) 를 베이스 부재 (BP) 상에서 X 축, Y 축 및 θZ 방향으로 이동시킴으로써, 스테이지 본체 (4B) 상에 탑재되어 있는 테이블 (4T) 을 X 축, Y 축 및 θZ 방향으로 이동시킬 수 있는 제 1 구동계와, 스테이지 본체 (4B) 에 대하여 테이블 (4T) 을 Z 축, θX 및 θY 방향으로 이동시킬 수 있는 제 2 구동계를 구비하고 있다.
제 1 구동계는, 리니어 모터 등의 액추에이터를 포함하고, 스테이지 본체 (4B) 를 X 축, Y 축 및 θZ 방향으로 구동시킬 수 있다. 제 2 구동계는, 스테이지 본체 (4B) 와 테이블 (4T) 사이에 개재된, 예를 들어 보이스 코일 모터 등의 액추에이터 (4V) 와, 각 액추에이터의 구동량을 계측하는 도시가 생략된 계측 장치 (인코더 등) 를 포함한다. 테이블 (4T) 은, 적어도 3 개의 액추에이터 (4V) 에 의해 스테이지 본체 (4B) 상에 지지된다. 액추에이터 (4V) 각각은, 스테이지 본체 (4B) 에 대하여 테이블 (4T) 을 Z 축 방향으로 독립적으로 구동시킬 수 있고, 제어 장치 (7) 는, 3 개의 액추에이터 (4V) 각각의 구동량을 조정함으로써, 스테이지 본체 (4B) 에 대하여 테이블 (4T) 을 Z 축, θX 및 θY 방향으로 구동시킨다. 이와 같이, 제 1, 제 2 구동계를 포함하는 기판 스테이지 구동 장치는, 기판 스 테이지 (4) 의 테이블 (4T) 을 X 축, Y 축, Z 축, θX, θY 및 θZ 방향의 6 자유도 방향으로 이동시킬 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 기판 스테이지 구동 장치를 제어함으로써, 테이블 (4T) 의 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 표면의 6 자유도 방향에 관한 위치를 제어할 수 있다.
기판 스테이지 (4) 의 테이블 (4T) (기판 (P)) 의 위치 정보는, 레이저 간섭계 (4L) 에 의해 계측된다. 레이저 간섭계 (4L) 는, 테이블 (4T) 에 형성된 계측 미러 (4K) 를 사용하여, 테이블 (4T) 의 X 축, Y 축 및 θZ 방향에 관한 위치 정보를 계측한다. 또한, 테이블 (4T) 의 제 1 홀더 (HD1) 에 유지되어 있는 기판 (P) 표면의 면위치 정보 (Z 축, θX 및 θY 방향에 관한 위치 정보) 는, 도시가 생략된 포커스·레벨링 검출계에 의해 검출된다. 제어 장치 (7) 는, 레이저 간섭계 (4L) 의 계측 결과 및 포커스·레벨링 검출계의 검출 결과에 기초하여, 기판 스테이지 구동 장치를 구동시키고, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 위치를 제어한다.
노즐 부재 (70) 는, 액체 (LQ) 를 공급할 수 있는 액체 공급구 (12) 와 액체 (LQ) 를 회수할 수 있는 액체 회수구 (22) 를 갖는다. 액체 회수구 (22) 에는 다공 부재 (메시) 가 배치되어 있다. 액체 공급구 (12) 는, 노즐 부재 (70) 의 내부에 형성된 공급 유로 및 공급관 (13) 을 통하여 액체 (LQ) 를 송출할 수 있는 액체 공급 장치 (11) 에 접속되어 있다. 액체 회수구 (22) 는, 노즐 부재 (70) 의 내부에 형성된 회수 유로 및 회수관 (23) 을 통하여 액체 (LQ) 를 회수할 수 있는 액체 회수 장치 (21) 에 접속되어 있다.
액체 공급 장치 (11) 는, 청정하고 온도 조정된 액체 (LQ) 를 송출할 수 있다. 또한, 액체 회수 장치 (21) 는 진공계 등을 구비하고 있고, 액체 (LQ) 를 회수할 수 있다. 액체 공급 장치 (11) 및 액체 회수 장치 (21) 의 동작은 제어 장치 (7) 에 의해 제어된다. 액체 공급 장치 (11) 로부터 송출된 액체 (LQ) 는, 공급관 (13) 및 노즐 부재 (70) 의 공급 유로를 흐른 후, 액체 공급구 (12) 로부터 노광광 (EL) 의 광로 공간 (K) 에 공급된다. 또한, 액체 회수 장치 (21) 를 구동시킴으로써 액체 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 는, 노즐 부재 (70) 의 회수 유로를 흐른 후, 회수관 (23) 을 통하여 액체 회수 장치 (21) 에 회수된다. 제어 장치 (7) 는, 액체 공급구 (12) 로부터의 액체 공급 동작과 액체 회수구 (22) 에 의한 액체 회수 동작을 병행하여 실시함으로써, 종단 광학 소자 (FL) 와 기판 (P) 사이의 노광광 (EL) 의 광로 공간 (K) 을 액체 (LQ) 로 채우도록, 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LR) 을 형성한다. 또한, 노즐 부재 (70) 의 구성은 상기 서술한 것에 한정되지 않고, 예를 들어 일본 공개특허공보 2004-289127호 (대응 미국 특허공보 제7,199,858호) 에 개시되어 있는 부재를 사용할 수도 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 노광 장치 (EX) 는, 액체 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 품질 (수질) 을 검출할 수 있는 검출 장치 (26) 를 구비하고 있다. 검출 장치 (26) 는, 예를 들어 액체 (LQ) 중의 전체 유기체 탄소를 계측하기 위한 TOC 계, 미립자 및 기포를 포함하는 이물질을 계측하기 위한 파티클 카운터 등을 포함하고, 액체 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 오염 상태를 검출할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태에 관련된 테이블 (4T) 에 대해, 도 1 ∼ 도 4 를 참조하여 설명한다. 도 2 는 제 1 홀더 (HD1) 로 기판 (P) 을 유지한 상태의 테이블 (4T) 의 측단면도, 도 3 은 제 1 홀더 (HD1) 로 기판 (P) 을 유지한 상태의 테이블 (4T) 을 상방에서 본 평면도, 도 4 는 제 1 홀더 (HD1) 의 일부를 확대한 측단면도이다.
테이블 (4T) 은, 기재 (30) 와, 기재 (30) 에 형성되고 기판 (P) 을 착탈 가능하게 유지하는 제 1 홀더 (HD1) 와, 기재 (30) 에 형성되고 판 부재 (T) 를 착탈 가능하게 유지하는 제 2 홀더 (HD2) 를 구비하고 있다. 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된 판 부재 (T) 는, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 주위를 둘러싸도록 배치된다.
제 1 홀더 (HD1) 에 대해 설명한다. 도 2 ∼ 도 4 에 나타내는 바와 같이, 제 1 홀더 (HD1) 는, 기재 (30) 상에 형성되고, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 이면의 둘레 가장자리 영역과 대향하는 제 1 상면 (33A) 을 갖는 제 1 둘레벽 (33) 과, 기재 (30) 상에 형성되고, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면과 대향하는 제 2 상면 (34A) 을 갖고, 제 1 둘레벽 (33) 을 둘러싸도록 배치된 제 2 둘레벽 (34) 과, 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 배치되고, 기판 (P) 의 이면을 지지하는 제 1 지지 부재 (81) 를 구비하고 있다. 제 1 지지 부재 (81) 는, 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 있어서의 기재 (30) 의 상면에 형성되어 있다.
또한, 제 1 홀더 (HD1) 는, 기재 (30) 상에 형성되고, 기판 (P) 의 이면과 대향하는 제 3 상면 (31A) 을 갖고, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 과 기재 (30) 사이의 제 1 공간 (41) 을 둘러싸도록 형성된 제 3 둘레벽 (31) 과, 기재 (30) 상에 형성되고, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면과 대향하는 제 4 상면 (32A) 을 갖고, 제 3 둘레벽 (31) 을 둘러싸도록 형성된 제 4 둘레벽 (32) 을 구비하고 있다. 제 1 둘레벽 (33) 은, 제 4 둘레벽 (32) 을 둘러싸도록 배치되어 있다.
제 1 홀더 (HD1) 는, 제 1 둘레벽 (33) 의 외측에 형성되고, 유체 (액체 및 기체 중 적어도 일방) 를 흡인할 수 있는 제 1 흡인구 (63) 와, 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 형성되고, 유체 (액체 및 기체 중 적어도 일방) 를 흡인할 수 있는 제 2 흡인구 (61) 를 갖고 있다. 제 1 흡인구 (63) 및 제 2 흡인구 (61) 각각은, 기재 (30) 의 상면에 형성되어 있다.
본 실시형태에 있어서는, 제 1 흡인구 (63) 는 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이에 형성되어 있어, 그 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이의 제 4 공간 (44) 의 유체를 흡인할 수 있다. 제 2 흡인구 (61) 는, 제 1 둘레벽 (33) 과 제 4 둘레벽 (32) 사이에 형성되어 있어, 그 제 1 둘레벽 (33) 과 제 4 둘레벽 (32) 사이의 제 3 공간 (43) 의 유체를 흡인할 수 있다.
또한, 제 1 홀더 (HD1) 는, 제 3 둘레벽 (31) 과 제 4 둘레벽 (32) 사이의 제 2 공간 (42) 에 대하여 기체를 공급할 수 있는 유통구 (60) 를 구비하고 있다. 유통구 (60) 는, 기재 (30) 의 상면에 형성되어 있다.
제 3 둘레벽 (31) 은, 기판 (P) 의 외형과 거의 동일 형상인 고리형으로 형성되어 있다. 제 3 둘레벽 (31) 의 제 3 상면 (31A) 은, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 이면의 상대적으로 외측의 영역과 대향하도록 형성되어 있다. 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면측에는, 기판 (P) 의 이면과 제 3 둘레벽 (31) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 제 1 공간 (41) 이 형성된다.
제 4 둘레벽 (32) 은, 기판 (P) 의 외형과 거의 동일 형상인 고리형으로 형성되어 있고, 제 3 둘레벽 (31) 과 소정 거리 떨어진 위치에서 제 3 둘레벽 (31) 을 따르도록 형성되어 있다. 제 4 둘레벽 (32) 의 제 4 상면 (32A) 은, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 이면의 상대적으로 외측의 영역과 대향하도록 형성되어 있다. 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면측에는, 기판 (P) 의 이면과 제 3 둘레벽 (31) 과 제 4 둘레벽 (32) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 제 2 공간 (42) 이 형성된다.
제 1 둘레벽 (33) 은, 기판 (P) 의 외형과 거의 동일 형상인 고리형으로 형성되어 있고, 제 4 둘레벽 (32) 과 소정 거리 떨어진 위치에서 제 4 둘레벽 (32) 을 따르도록 형성되어 있다. 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 은, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 이면의 둘레 가장자리 영역과 대향하도록 형성되어 있다. 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면측에는, 기판 (P) 의 이면과 제 4 둘레벽 (32) 과 제 1 둘레벽 (33) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 제 3 공간 (43) 이 형성된다.
본 실시형태에 있어서는, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 외부 가장자리의 직경 (외경) 은, 기판 (P) 의 외경보다 작다. 그리고, 기판 (P) 의 둘레 가장자리 영역은, 제 1 상면 (33A) 의 외부 가장자리의 외측으로 소정량 오버 행되어 있다. 이하의 설명에 있어서는, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 중 제 1 상면 (33A) 의 외부 가장자리보다 외측으로 오버행된 영역을 적절히 오버행 영역 (H1) (도 4 참조) 이라고 칭한다.
제 2 둘레벽 (34) 은, 기판 (P) 의 외형과 거의 동일 형상인 고리형으로 형성되어 있고, 제 1 둘레벽 (33) 과 소정 거리 떨어진 위치에서 제 1 둘레벽 (33) 을 따르도록 형성되어 있다. 제 2 둘레벽 (34) 의 제 2 상면 (34A) 은, 기판 (P) 이면의 오버행 영역 (H1) 과 대향하도록 형성되어 있다. 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면측에는, 기판 (P) 이면의 오버행 영역 (H1) 과 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 제 4 공간 (44) 이 형성된다.
본 실시형태에 있어서는, 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 둘레벽 각각은, 거의 동심이다. 제 1 홀더 (HD1) 는, 제 1 공간 (41) 의 중심과 기판 (P) 이면의 중심이 거의 일치하도록 기판 (P) 을 유지한다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면과 제 3 둘레벽 (31) 의 제 3 상면 (31A) 사이에는, 예를 들어 2 ∼ 10㎛ 정도의 제 1 갭 (G1) 이 형성된다. 또한, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면과 제 4 둘레벽 (32) 의 제 4 상면 (32A) 사이에는, 예를 들어 2 ∼ 10㎛ 정도의 제 2 갭 (G2) 이 형성된다. 제 1 둘레벽 (33) 은, 또한 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 은 접촉한다. 또한, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 이면과 제 2 둘레벽 (34) 의 제 2 상면 (34A) 사이에는, 예를 들어 1 ∼ 10㎛ 정도의 제 4 갭 (G4) 이 형성된다.
유통구 (60) 는, 외부 공간 (대기 공간) 과 유로 (60R) 를 통하여 접속되어 있다. 또한, 유통구 (60) 는 제 2 공간 (42) 과 접속되어 있다. 즉, 제 2 공간 (42) 은, 유통구 (60) 및 그 유통구 (60) 에 접속되는 유로 (60R) 를 통하여 대기 개방되어 있다. 본 실시형태에 있어서는, 유통구 (60) 는, 제 3 둘레벽 (31) 과 제 4 둘레벽 (32) 사이의 기재 (30) 상에서 제 3 둘레벽 (31) 을 둘러싸도록 소정 간격으로 복수 형성되어 있다.
제 2 흡인구 (61) 는, 진공계 등을 포함하는 흡인 장치와 유로 (61R) 를 통하여 접속되어 있다. 또한, 제 2 흡인구 (61) 는 제 3 공간 (43) 과 접속되어 있다. 제어 장치 (7) 는, 제 2 흡인구 (61) 에 접속되어 있는 흡인 장치를 구동시킴으로써, 제 2 흡인구 (61) 로부터 제 3 공간 (43) 의 유체를 흡인할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제 2 흡인구 (61) 는, 제 4 둘레벽 (32) 과 제 1 둘레벽 (33) 사이의 기재 (30) 상에서 제 4 둘레벽 (32) 을 둘러싸도록 소정 간격으로 복수 형성되어 있다.
제 1 흡인구 (63) 는, 진공계 등을 포함하는 흡인 장치와 유로 (63R) 를 통하여 접속되어 있다. 또한, 제 1 흡인구 (63) 는 제 4 공간 (44) 과 접속되어 있다. 제어 장치 (7) 는, 제 1 흡인구 (63) 에 접속되어 있는 흡인 장치를 구동시킴으로써, 제 1 흡인구 (63) 로부터 제 4 공간 (44) 의 유체를 흡인할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제 1 흡인구 (63) 는, 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이의 기재 (30) 상에서 제 1 둘레벽 (33) 을 둘러싸도록 소정 간격으로 복수 형성되어 있다.
제 1 지지 부재 (81) 는, 기재 (30) 의 상면에 형성된 핀상의 돌기 부재로, 기재 (30) 상면의 복수의 소정 위치 각각에 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서는, 제 1 지지 부재 (81) 는, 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 있어서의 기재 (30) 의 상면에 복수 배치되어 있다. 제 1 지지 부재 (81) 는, 제 1 공간 (41) 및 제 3 공간 (43) 의 기재 (30) 상에 복수 형성되어 있다.
제 1 공간 (41) 및 제 3 공간 (43) 의 기재 (30) 상에는, 제 1 공간 (41) 및 제 3 공간 (43) 을 부압으로 하기 위해 유체 (주로 기체) 를 흡인하는 제 3 흡인구 (62) 가 복수 형성되어 있다. 제 1 공간 (41) 에 있어서, 제 3 흡인구 (62) 는 제 1 지지 부재 (81) 이외의 복수의 소정 위치에 각각 형성되어 있다. 제 3 공간 (43) 에 있어서, 제 3 흡인구 (62) 는 제 4 둘레벽 (32) 에 대하여 제 2 흡인구 (61) 보다 떨어진 위치에 형성되어 있다.
제 3 흡인구 (62) 는, 진공계 등을 포함하는 흡인 장치와 유로 (62R) 를 통하여 접속되어 있다. 또한, 제 3 흡인구 (62) 는, 제 1 공간 (41) 및 제 3 공간 (43) 과 접속되어 있다. 제어 장치 (7) 는, 제 3 흡인구 (62) 에 접속되어 있는 흡인 장치를 구동시킴으로써, 제 3 흡인구 (62) 로부터 기판 (P) 과 제 1 둘레벽 (33) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 공간, 구체적으로는 제 1 공간 (41) 및 제 3 공간 (43) 의 유체를 흡인할 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 제 3 흡인구 (62) 를 사용하여, 기판 (P) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 공간의 유체 (주로 기체) 를 흡인하고, 그 공간을 부압으로 함으로써, 기판 (P) 의 이면을 제 1 지지 부재 (81) 에 흡착 유지한다. 또한, 제어 장치 (7) 는, 제 3 흡인구 (62) 에 의한 흡인 동작을 해제함으로써, 제 1 홀더 (HD1) 로부터 기판 (P) 을 분리할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 제 1 홀더 (HD1) 는 기판 (P) 을 착탈 가능하게 유지한다. 제 1 홀더 (HD1) 는, 이른바 핀척 기구를 포함한다.
다음으로, 판 부재 (T) 및 그 판 부재 (T) 를 착탈 가능하게 유지하는 제 2 홀더 (HD2) 에 대해 설명한다. 판 부재 (T) 는, 테이블 (4T) 과는 다른 부재로서, 기재 (30) 에 대하여 착탈 가능하게 형성되어 있다. 판 부재 (T) 의 중앙에는, 기판 (P) 을 배치할 수 있는 대략 원형상의 구멍 (TH) 이 형성되어 있다. 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된 판 부재 (T) 는, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 을 둘러싸도록 배치된다. 본 실시형태에 있어서는, 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된 판 부재 (T) 의 표면은, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 의 표면과 거의 동일한 높이 (면일) 가 되는 평탄면으로 되어 있다.
제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 외측의 에지 (측면) 와, 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된 판 부재 (T) 내측의 에지 (내측면) 사이에는, 0.1 ∼ 1.0㎜ 정도의 제 5 갭 (G5) 이 형성된다. 또한, 판 부재 (T) 의 외형은 XY 평면 내에 있어서 직사각형상이며, 본 실시형태에 있어서는, 기재 (30) 의 외형과 거의 동일 형상으로 형성되어 있다. 판 부재 (T) 는, 예를 들어 폴리 4 불화에틸렌 (테플론 (등록 상표)) 등의 불소계 수지, 또는 아크릴계 수지 등의 발액성을 갖는 재료에 의해 형성되어 있어, 발액성을 갖고 있다.
제 2 홀더 (HD2) 는, 기재 (30) 상에 형성되고, 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된 판 부재 (T) 의 이면과 대향하는 제 5 상면 (35A) 을 갖고, 제 2 둘레벽 (34) 을 둘러싸도록 형성된 제 5 둘레벽 (35) 과, 기재 (30) 상에 형성되고, 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된 판 부재 (T) 의 이면과 대향하는 제 6 상면 (36A) 을 갖고, 제 5 둘레벽 (35) 을 둘러싸도록 형성된 제 6 둘레벽 (36) 과, 제 5 둘레벽 (35) 과 제 6 둘레벽 (36) 사이의 기재 (30) 상에 형성되고, 판 부재 (T) 의 이면을 지지하는 제 2 지지 부재 (82) 를 구비하고 있다.
제 5 둘레벽 (35) 의 제 5 상면 (35A) 은, 판 부재 (T) 의 이면 중, 구멍 (TH) 근방의 내부 가장자리 영역 (내측의 에지 영역) 과 대향하도록 형성되어 있다. 또한, 제 6 둘레벽 (36) 의 제 6 상면 (36A) 은, 판 부재 (T) 의 이면 중, 외부 가장자리 영역 (외측의 에지 영역) 과 대향하도록 형성되어 있다. 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된 판 부재 (T) 의 이면측에는, 판 부재 (T) 의 이면과 제 5 둘레벽 (35) 과 제 6 둘레벽 (36) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 제 5 공간 (45) 이 형성된다. 이 제 5 공간 (45) 을 부압으로 함으로써, 제 2 홀더 (HD2) 의 제 2 지지 부재 (82) 상에 판 부재 (T) 가 지지된다.
본 실시형태에 있어서는, 제 5 둘레벽 (35) 은, 제 2 지지 부재 (82) 에 지지된 판 부재 (T) 의 이면과 제 5 상면 (35A) 이 접촉하도록 형성되고, 제 6 둘레벽 (36) 은, 제 2 지지 부재 (82) 에 지지된 판 부재 (T) 의 이면과 제 6 상면 (36A) 이 접촉하도록 형성된다.
제 2 지지 부재 (82) 는, 기재 (30) 의 상면에 형성된 핀상의 돌기 부재로, 제 5 둘레벽 (35) 과 제 6 둘레벽 (36) 사이의 기재 (30) 상면의 복수의 소정 위치 각각에 배치되어 있다.
제 5 공간 (45) 의 기재 (30) 상면에는, 제 5 공간 (45) 을 부압 공간으로 하기 위해 유체 (주로 기체) 를 흡인하는 제 4 흡인구 (64) 가 형성되어 있다. 제 4 흡인구 (64) 는 판 부재 (T) 를 흡착 유지하기 위한 것이다. 제 5 공간 (45) 에 있어서, 제 4 흡인구 (64) 는 제 2 지지 부재 (82) 이외의 복수의 소정 위치에 각각 형성되어 있다.
제 4 흡인구 (64) 는, 진공계 등을 포함하는 흡인 장치에 유로 (64R) 를 통하여 접속되어 있다. 또한, 제 4 흡인구 (64) 는 제 5 공간 (45) 과 접속되어 있다. 제어 장치 (7) 는, 제 4 흡인구 (64) 에 접속되어 있는 흡인 장치를 구동시킴으로써, 제 4 흡인구 (64) 로부터 제 5 공간 (45) 의 유체를 흡인할 수 있다. 제어 장치 (7) 는, 제 4 흡인구 (64) 를 사용하여 판 부재 (T) 의 이면과 제 5 둘레벽 (35) 과 제 6 둘레벽 (36) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 제 5 공간 (45) 의 유체 (주로 기체) 를 흡인하고, 제 5 공간 (45) 을 부압으로 함으로써, 판 부재 (T) 의 이면을 제 2 지지 부재 (82) 상에 흡착 유지한다. 또한, 제어 장치 (7) 는, 제 4 흡인구 (64) 에 의한 흡인 동작을 해제함으로써, 제 2 홀더 (HD2) 로부터 판 부재 (T) 를 분리할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 제 2 홀더 (HD2) 는 판 부재 (T) 를 착탈 가능하게 유지한다. 제 2 홀더 (HD2) 는, 이른바 핀척 기구를 포함한다.
또한, 기판 (P) 이면의 오버행 영역 (H1) 과 제 2 둘레벽 (34) 과 제 5 둘레벽 (35) 과 기재 (30) 로 둘러싸인 제 6 공간 (46) 은, 기판 (P) 과 판 부재 (T) 사이에 형성된 제 5 갭 (G5) 을 통하여 외부 공간 (대기 공간) 과 접속되어 있다.
또한, 제 4 공간 (44) 은, 제 4 갭 (G4) 및 제 5 갭 (G5) 을 통하여 외부 공간과 접속되어 있다. 즉, 제 4, 제 5 갭 (G4, G5) 에 의해 제 4 공간 (44) 과 외부 공간 사이에 유체가 유통 가능하게 되어 있다.
또한, 제 1 둘레벽 (33) 의 외측면과 제 2 둘레벽 (34) 의 내측면 사이에는 약 1㎜ 의 제 6 갭 (G6) 이 형성되고, 제 2 둘레벽 (34) 의 외측면과 제 5 둘레벽 (35) 의 내측면 사이에는 약 1㎜ 의 제 7 갭 (G7) 이 형성된다.
다음으로, 상기 서술한 구성을 갖는 테이블 (4T) 의 동작 및 노광 장치 (EX) 전체의 주된 동작에 대해 설명한다.
제어 장치 (7) 는, 기판 교환 위치 (로딩 포지션) 에 있어서, 반송 장치 (100) 를 사용하여, 테이블 (4T) 의 제 1 홀더 (HD1) 에 노광 처리되어야 할 기판 (P) 을 반입 (로드) 한다. 제어 장치 (7) 는, 제 3 흡인구 (62) 를 사용하여 제 1 둘레벽 (33) 으로 둘러싸인 공간을 부압으로 함으로써, 기판 (P) 을 제 1 지지 부재 (81) 에 흡착 유지한다. 또한, 기판 (P) 이 제 1 홀더 (HD1) 에 유지되기 전에, 판 부재 (T) 가 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 제어 장치 (7) 는, 제 1 홀더 (HD1) 에 기판 (P) 을 로드한 직후, 제 2 흡인구 (61) 의 흡인 동작을 개시한다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 제어 장치 (7) 는, 기판 (P) 의 액침 노광 중에 있어서는 제 1 흡인구 (63) 를 사용한 흡인 동작은 실행하지 않는다.
제어 장치 (7) 는, 제 1 홀더 (HD1) 로 유지된 기판 (P) 을 액침 노광하기 위해, 노즐 부재 (70) 를 사용하여 노즐 부재 (70) 와 기판 (P) 사이에 액침 공간 (LR) 을 형성한다. 제어 장치 (7) 는, 테이블 (4T) 의 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 을 액침 공간 (LR) 의 액체 (LQ) 를 통하여 노광한다.
예를 들어, 기판 (P) 표면의 둘레 가장자리 영역을 액침 노광하는 경우, 액침 공간 (LR) 의 일부가 기판 (P) 외측의 판 부재 (T) 와 노즐 부재 (70) 사이에 형성된다. 즉, 제 5 갭 (G5) 상에 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LR) 이 형성된다. 본 실시형태에 있어서는, 제 5 갭 (G5) 은 작으므로, 액체 (LQ) 의 표면 장력에 의해 제 5 갭 (G5) 에 대한 액체 (LQ) 의 침입이 억제된다. 또한, 판 부재 (T) 는 발액성이므로, 제 5 갭 (G5) 에 대한 액체 (LQ) 의 침입이 억제된다.
또한, 액침 공간 (LR) 의 액체 (LQ) 의 압력 변화 등에서 기인하여, 가령 제 5 갭 (G5) 에 액체 (LQ) 가 침입하고, 그 제 5 갭 (G5) 을 통하여 제 6 공간 (46) 에 침입한 액체 (LQ) 가, 제 4 갭 (G4) 을 통하여 제 4 공간 (44) 에 침입한 경우에도, 기판 (P) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 은 접촉 (밀착) 하고 있으므로, 제 1 둘레벽 (33) 의 내측으로의 액체 (LQ) 의 침입이 억제된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 적어도 액침 공간 (LR) 이 형성되어 있는 상태에서는, 제 2 흡인구 (61) 의 흡인 동작이 실행되고 있고, 도 5 의 모식도에 나타내는 바와 같이, 제 2 공간 (42) 으로부터 제 2 갭 (G2) 을 통하여 제 3 공간 (43) 을 향하는 기체의 흐름 (F2) 이 생성되고 있다. 따라서, 어떠한 원인으로 기판 (P) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 사이에 간극이 형성되고, 그 기판 (P) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 사이를 통하여 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 액체 (LQ) 가 침입하였다 하더라도, 기체의 흐름 (F2) 에 의해 제 4 둘레벽 (32) 으로부터도 내측으로의 액체 (LQ) 의 침입이 억제된다.
또한, 제 2 갭 (G2) 의 크기는 최적화되어 있어, 제 3 공간 (43) 은 원하는 압력 (부압 상태) 으로 유지된다. 따라서, 제 1 홀더 (HD1) 에 의한 기판 (P) 의 흡착 유지 동작은 방해받지 않는다. 동일하게, 제 1 갭 (G1) 의 크기도 최적화되어 있어, 제 1 홀더 (HD1) 에 의한 기판 (P) 의 흡착 유지 동작은 방해받지 않는다.
기판 (P) 의 액침 노광 종료 후, 기판 (P) 상 및 판 부재 (T) 상의 액침 공간 (LR) 을 없앤 후, 제어 장치 (7) 는, 기판 (P) 을 제 1 홀더 (HD1) 로 유지한 상태에서 제 1 흡인구 (63) 에 의한 흡인 동작을 개시한다. 제 1 흡인구 (63) 에 의한 흡인 동작에 의해, 도 6 의 모식도에 나타내는 바와 같이, 외부 공간으로부터 제 5 갭 (G5) 을 통하여 제 1 흡인구 (63) 를 향하는 기체의 흐름 (F3) 이 생성된다. 이로써, 기판 (P) 이면의 오버행 영역 (H1) 에 부착되어 있는 액체 (LQ), 및 제 4 공간 (44) 에 존재하는 액체 (LQ) 등은 제 1 흡인구 (63) 에 의해 회수된다.
그리고, 제어 장치 (7) 는, 제 1 흡인구 (63), 제 2 흡인구 (61) 및 제 3 흡인구 (62) 의 흡인 동작을 모두 정지시킨 후, 도시가 생략된 기판 승강 기구 (이른바 리프트 핀 등) 를 사용하여 제 1 홀더 (HD1) 에 대하여 기판 (P) 을 상승시키 고, 기판 교환 위치에 있어서, 반송 장치 (100) 를 사용하여 제 1 홀더 (HD1) 로부터 기판 (P) 을 반출 (언로드) 한다.
상기 서술한 바와 같이, 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 혹은 제 5 둘레벽 (35) 등, 테이블 (4T) 의 일부가 제 5 갭 (G5) 에 침입한 액체 (LQ) 와 접촉할 가능성이 있어, 그 액체 (LQ) 와 접촉한 테이블 (4T) 의 일부가 액체 (LQ) 에 의해 오염될 가능성이 있다. 기판 (P) 과 접촉한 액체 (LQ) 에 기판 (P) 의 일부 물질 (예를 들어 감광재의 일부, 또는 감광재를 덮는 탑코트막, 혹은 그 양방) 이 용출되거나, 박리되어 혼입되거나 한 경우, 제 5 갭 (G5) 에는 그 물질을 포함하는 액체 (LQ) 가 침입할 가능성이 있다. 그 경우, 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 등에는 그 물질을 포함하는 액체 (LQ) 가 접촉하게 되므로, 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 등은, 액체 (LQ) 중에 포함되는 물질 (예를 들어 감광재의 일부) 등에 의해 오염된다. 또한, 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 등을 오염시키는 물질로는, 액체 (LQ) 중의 물질에 한정되지 않고, 예를 들어, 노광 장치 (EX) 가 놓여져 있는 공간 중을 부유하는 물질 (이물질) 도 포함된다.
여기서, 이하의 설명에 있어서, 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 혹은 제 5 둘레벽 (35) 등, 테이블 (4T) 의 일부를 오염시키는 물질을 적절히 오염 물질이라고 칭한다.
제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 등, 기판 (P) 을 유지하는 테이블 (4T) 의 적어도 일부가 오염된 상태를 방치해 두면, 그 테이블 (4T) 로 기판 (P) 을 양호하게 유지할 수 없게 되거나, 그 테이블 (4T) 로 유지된 기판 (P) 이 오염되거나, 오염이 확대되거나 하는 문제가 발생할 가능성이 있다. 예를 들어, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 에 오염 물질이 부착된 상태를 방치해 두면, 기판 (P) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 이 양호하게 접촉 (밀착) 하지 않아, 테이블 (4T) 로 기판 (P) 을 양호하게 유지할 수 없게 될 가능성이 있다. 또한, 기판 (P) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 이 양호하게 접촉 (밀착) 하고 있지 않는 것에서 기인하여, 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 액체 (LQ) 가 다량으로 침입하거나, 기판 (P) 의 이면에 액체 (LQ) 가 부착될 가능성이 있다. 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 액체 (LQ) 가 다량으로 침입하면, 테이블 (4T) 의 기판 유지 동작에 영향을 미칠 가능성이 있다. 또한, 기판 (P) 의 이면에 액체 (LQ) 가 부착되면, 그 기판 (P) 을 테이블 (4T) 로부터 언로드하는 반송 장치 (100) 가 젖거나 오염되거나 할 가능성이 있다. 또한, 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이의 테이블 (4T) 표면, 혹은 제 2 둘레벽 (34) 과 제 5 둘레벽 (35) 사이의 테이블 (4T) 표면에 오염 물질이 부착된 상태를 방치해 두면, 그 오염 물질이 제 5 갭 (G5) 을 통하여, 기판 (P) 의 표면측 및 판 부재 (T) 의 표면측 중 적어도 일방에 형성되어 있는 액침 공간 (LR) 에 혼입되어, 노광 정밀도에 영향을 주거나 기판 (P) 의 표면, 판 부재 (T) 의 표면을 오염시키거나 할 가능성이 있다.
그래서, 본 실시형태에 있어서는, 클리닝용 부재 (CP) 를 사용하여, 테이블 (4T) 을 클리닝한다. 이하, 본 실시형태에 관련된 클리닝 방법에 대해 설명한 다.
도 7 은 본 실시형태에 관련된 클리닝용 부재 (CP) 를 나타내는 모식도이다. 부재 (CP) 는, 노광광 (EL) 이 조사되는 기판 (P) 의 이면을 유지하는 테이블 (4T) 의 적어도 일부를 클리닝하기 위해 사용되는 것으로서, 테이블 (4T) 의 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된다.
본 실시형태에 있어서는, 부재 (CP) 는 기판 (P) 과 거의 동일한 외형을 갖고, 그 기판 (P) 보다 작은 판상 부재이다. 상기 서술한 바와 같이, XY 평면 내에 있어서의 기판 (P) 의 외형은 원형이며, XY 평면 내에 있어서의 부재 (CP) 의 외형도 원형이다. 즉, XY 평면 내에 있어서의 부재 (CP) 의 형상은 기판 (P) 의 형상과 서로 유사하다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 부재 (CP) 는 기판 (P) 과 거의 동일한 두께의 원판상 부재이다.
또한, 상기 서술한 바와 같이, 제 1 둘레벽 (33) 은 기판 (P) 과 거의 동일한 외형을 갖고 있다. 따라서, 부재 (CP) 도, 기판 (P) 과 동일하게 제 1 둘레벽 (33) 과 거의 동일 형상의 외형을 갖는다.
이하의 설명에 있어서는, 클리닝용 부재 (CP) 를 적절히 기판 (CP) 이라고도 칭한다.
기판 (CP) 의 표면 및 이면 각각은, 발액성을 갖는다. 본 실시형태에 있어서는, 기판 (CP) 은 예를 들어 폴리 4 불화에틸렌 (테플론 (등록 상표)) 등의 불소계 수지, 또는 아크릴계 수지 등의 발액성을 갖는 재료에 의해 형성되어 있다. 또한, 기판 (CP) 을 금속, 혹은 기판 (P) 의 기재 (반도체 웨이퍼) 와 동일한 재 료로 형성하고, 그 표면 및 이면 각각에 불소계 수지 등의 발액성 재료를 피복하도록 해도 된다.
도 8 은 기판 (CP) 을 사용하여 테이블 (4T) 을 클리닝하고 있는 상태를 나타내는 모식도, 도 9 는 도 8 의 확대도이다. 테이블 (4T) 을 클리닝할 때, 제어 장치 (7) 는, 반송 장치 (100) 를 사용하여 기판 (CP) 을 테이블 (4T) 의 제 1 홀더 (HD1) 에 로드한다. 기판 (CP) 은, 기판 (P) 과 거의 동일한 두께의 판상 부재로서, 기판 (P) 과 거의 동일한 외형을 갖고 있기 때문에, 반송 장치 (100) 는 기판 (CP) 을 원활하게 반송할 수 있다. 또한, 기판 (P) 을 반송하는 반송 장치와 기판 (CP) 을 반송하는 반송 장치는 다른 장치 (부재) 이어도 된다.
제어 장치 (7) 는 테이블 (4T) 을 제어하고, 반송 장치 (100) 를 사용하여 테이블 (4T) 에 로드된 기판 (CP) 을 테이블 (4T) 로 유지한다. 본 실시형태에 있어서는, 기판 (CP) 은 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 외부 가장자리의 직경보다 작은 외경을 갖고 있고, 기판 (P) 이면의 둘레 가장자리 영역과 대향하도록 테이블 (4T) 에 형성된 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 적어도 일부가 노출되도록 테이블 (4T) 에 유지된다.
기판 (CP) 은, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 외부 가장자리의 직경보다 작은 외경을 갖고, 제 1 둘레벽 (33) 과 거의 동일 형상의 외형을 갖고 있기 때문에, 제 1 둘레벽 (33) 으로 둘러싸인 공간의 중심과 기판 (CP) 이면의 중심이 거의 일치하도록, 테이블 (4T) 로 기판 (CP) 을 유지함으로써, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 적어도 일부가 노출되도록 기판 (CP) 을 테이블 (4T) 에 유지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 기판 (CP) 은, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 외부 가장자리의 직경보다 작고, 또한 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 내부 가장자리의 직경보다 큰 외경을 갖는다. 따라서, 기판 (CP) 이면의 일부와 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 일부는 접촉할 수 있다.
제 1 홀더 (HD1) 로 기판 (CP) 을 유지함으로써, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (CP) 외측의 에지 (측면) 와, 제 2 홀더 (HD2) 에 유지된 판 부재 (T) 내측의 에지 (내측면) 사이에는, 제 1 홀더 (HD1) 에 유지된 기판 (P) 외측의 에지와 판 부재 (T) 내측의 에지 사이에 형성된 제 5 갭 (G5) 보다 큰, 제 8 갭 (G8) 이 형성된다.
테이블 (4T) 의 클리닝 동작은 액체를 사용하여 실시된다. 제어 장치 (7) 는, 제 1 홀더 (HD1) 로 기판 (CP) 을 유지한 상태에서 테이블 (4T) 의 적어도 일부를 클리닝하기 위한 액체를 공급한다. 액체는 적어도 제 8 갭 (G8) 에 공급된다.
본 실시형태에 있어서는, 클리닝용 액체로서 노광용 액체 (LQ) (물) 를 사용한다. 테이블 (4T) 의 클리닝 동작을 실행하기 위해, 제어 장치 (7) 는 기판 (CP) 을 유지한 테이블 (4T) 의 적어도 일부가 노즐 부재 (70) 와 대향하도록 테이블 (4T) 을 이동시키고, 기판 (CP) 및 테이블 (4T) (판 부재 (T)) 과 노즐 부재 (70) 사이에 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LR) 을 형성한다.
본 실시형태에 있어서는, 제어 장치 (7) 는, 액체 공급구 (12) 로부터의 액 체 공급 동작과 액체 회수구 (22) 에 의한 액체 회수 동작의 적어도 일부를 병행하여 실시함으로써, 기판 (CP) 및 테이블 (4T) (판 부재 (T)) 과 노즐 부재 (70) 사이에 액체 (LQ) 의 액침 공간 (LR) 을 형성한다.
도 8 및 도 9 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (7) 는, 액침 공간 (LR) 의 적어도 일부가 제 8 갭 (G8) 상에 형성되도록 노즐 부재 (70) 에 대한 테이블 (4T) 의 위치를 제어한다. 상기 서술한 바와 같이, 기판 (CP) 은 기판 (P) 보다 작으므로, 액체 (LQ) 의 일부는 기판 (CP) 의 에지와 판 부재 (T) 사이의 갭 (G8) 으로부터 용이하게 침입하여, 테이블 (4T) 의 일부 영역에 접촉한다. 액체 (LQ) 가 접촉하는 영역은, 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이의 테이블 (4T) (기재 (30)) 표면, 및 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 적어도 일부를 포함한다. 또한, 액체 (LQ) 가 접촉하는 영역은, 제 2 둘레벽 (34) 과 제 5 둘레벽 (35) 사이의 테이블 (4T) 표면, 및 제 2 둘레벽 (34) 의 제 2 상면 (34A) 도 포함한다.
액체 (LQ) 가 접촉함으로써, 이들 액체 (LQ) 가 접촉하는 테이블 (4T) 의 일부 영역은, 액체 (LQ) 에 의해 클리닝된다. 즉, 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 등, 테이블 (4T) 의 일부 영역에 부착되어 있던 오염 물질은, 액침 공간 (LR) 의 액체 (LQ) 에 의해 테이블 (4T) 의 표면으로부터 박리된다 (제거된다). 본 실시형태에 있어서는, 액체 공급구 (12) 로부터의 액체 공급 동작과 액체 회수구 (22) 에 의한 액체 회수 동작을 병행하여 실시하고 있고, 오염 물질이 부착되어 있을 가능성이 있는 테이블 (4T) 의 일부 영역에는, 액체 공급구 (12) 로부터 청정 한 액체 (LQ) 가 계속 공급되고, 그 공급된 청정한 액체 (LQ) 에 의해 오염 물질을 양호하게 박리할 수 있다. 또한, 박리된 오염 물질은 액체 회수구 (22) 에 의해 바로 회수된다.
또한, 제어 장치 (7) 는, 노즐 부재 (70) 를 사용하여 액침 공간 (LR) 을 형성하고 있는 상태에서, 제 1 흡인구 (63) 를 사용하여 액체 (LQ) 의 적어도 일부를 흡인 (회수) 한다. 즉, 본 실시형태에 있어서는, 제어 장치 (7) 는, 액체 공급구 (12) 로부터의 액체 공급 동작과 액체 회수구 (22) 에 의한 액체 회수 동작과 제 1 흡인구 (63) 에 의한 액체 회수 동작 (흡인 동작) 을 병행하여 실시한다. 노즐 부재 (70) 의 액체 회수구 (22) 는, 테이블 (4T) 의 상방에서 그 테이블 (4T) 의 표면과 대향하는 위치에 배치되어 있고, 테이블 (4T) 의 표면으로부터 박리되어 액체 (LQ) 중을 부유하는 오염 물질이, 예를 들어 중력의 작용에 의해 액체 회수구 (22) 에 원활하게 도달할 수 없을 가능성이 있다. 제어 장치 (7) 는, 테이블 (4T) 의 일부 (기재 (30) 의 상면) 에 형성되어 있는 제 1 흡인구 (63) 에 의한 액체 회수 동작을 실행함으로써, 액체 회수구 (22) 에서 완전히 회수할 수 없었던 오염 물질을 회수할 수 있다.
또한, 제어 장치 (7) 는, 액체 (LQ) 를 사용한 클리닝 동작 중에 제 2 흡인구 (61) 에 의한 흡인 동작을 실행한다. 제 2 흡인구 (61) 에 의한 흡인 동작을 실행함으로써, 상기 서술한 바와 같이, 제 2 공간 (42) 으로부터 제 2 갭 (G2) 을 통하여 제 3 공간 (43) 을 향하는 기체의 흐름 (F2) 이 생성되므로, 기판 (CP) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 사이를 통하여 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 액체 (LQ) 가 침입하였다 하더라도, 그 침입한 액체 (LQ) 를 제 2 흡인구 (61) 로 회수할 수 있음과 함께, 생성된 기체의 흐름 (F2) 에 의해 제 4 둘레벽 (32) 으로부터도 내측으로의 액체 (LQ) 의 침입을 억제할 수 있다.
또한, 제어 장치 (7) 는, 필요에 따라, 테이블 (4T) 에 광 세정 효과를 갖는 노광광 (EL) 을 조사하면서, 액체 (LQ) 를 사용한 테이블 (4T) 의 클리닝 동작을 실시한다. 즉, 제어 장치 (7) 는, 노즐 부재 (70) 를 사용하여 제 8 갭 (G8) 상에 액침 공간 (LR) 을 형성한 상태에서, 투영 광학계 (PL) 를 통하여 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 혹은 제 5 둘레벽 (35) 등, 테이블 (4T) 의 일부에 노광광 (EL) 을 조사한다. 본 실시형태에 있어서는, 노광광 (EL) 으로서 광 세정 효과를 갖는 자외광인 ArF 엑시머 레이저광을 사용하고 있기 때문에, 테이블 (4T) 중, 노광광 (EL) 이 조사된 영역은 광 세정된다. 자외광인 노광광 (EL) 이 조사됨으로써, 테이블 (4T) 의 표면에 부착되어 있던 오염 물질 (유기 물질) 은, 산화 분해되어 제거된다. 또한, 조명계 (IL) (노광용 광원) 와는 다른 발광 장치로부터, 광 세정 효과를 갖는 광을 테이블 (4T) 에 조사하도록 해도 된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 제어 장치 (7) 는, 액체 공급구 (12) 로부터의 액체 공급 동작과 액체 회수구 (22) 에 의한 액체 회수 동작의 적어도 일부를 병행하여 실시하면서, 기판 (P) 을 유지한 테이블 (4T) 과 노즐 부재 (70) 를 상대적으로 이동시킨다.
예를 들어, 도 10 의 화살표 y1 로 나타내는 바와 같이, 액침 공간 (LR) 이 고리형의 제 8 갭 (G8) (기판 (CP) 의 에지) 을 따라 이동하도록, 제어 장치 (7) 는, 액체 공급구 (12) 로부터의 액체 공급 동작과 액체 회수구 (22) 에 의한 액체 회수 동작을 병행하여 실시하면서, 노즐 부재 (70) 에 대하여 기판 (P) 을 유지한 테이블 (4T) 을 이동시킨다. 이로써, 테이블 (4T) 의 넓은 범위를 클리닝할 수 있다.
기판 (CP) 을 사용한 클리닝 동작 종료 후, 제어 장치 (7) 는, 노즐 부재 (70) 의 액체 공급구 (12) 로부터의 액체 공급 동작을 정지시킴과 함께, 액체 회수구 (22), 제 1 흡인구 (63) 및 제 2 흡인구 (61) 로부터의 흡인 동작을 실행하여, 도 11 의 모식도에 나타내는 바와 같이, 기판 (CP) 및 테이블 (4T) (판 부재 (T)) 상으로부터 액침 공간 (LR) 을 없앤다. 또한, 제어 장치 (7) 는, 액체 회수구 (22) 의 액체 회수 동작을 정지시킴과 함께, 제 1 흡인구 (63) 에 의한 흡인 동작 및 제 2 흡인구 (61) 에 의한 흡인 동작을 소정 시간 계속한다. 제 1 흡인구 (63) 에 의한 흡인 동작을 실행함으로써, 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이의 테이블 (4T) 표면 등에 잔류하고 있는 액체 (LQ) 를 제 1 흡인구 (63) 로 회수할 수 있어, 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이의 테이블 (4T) 표면에 있어서의 액체 (LQ) 의 잔류를 억제할 수 있다. 또한, 제 2 흡인구 (61) 에 의한 흡인 동작을 실행함으로써, 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 액체 (LQ) 가 침입하였다 하더라도, 그 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 침입한 액체 (LQ) 를 제 2 흡인구 (61) 로 회수할 수 있다.
그리고, 제어 장치 (7) 는, 제 1 흡인구 (63), 제 2 흡인구 (61) 및 제 3 흡인구 (62) 의 흡인 동작을 모두 정지시킨 후, 도시가 생략된 기판 승강 기구 (이른 바 리프트 핀 등) 를 사용하여 제 1 홀더 (HD1) 에 대하여 기판 (CP) 을 상승시키고, 기판 교환 위치에 있어서, 반송 장치 (100) (또는 다른 반송 장치) 를 사용하여 제 1 홀더 (HD1) 로부터 기판 (CP) 을 반출 (언로드) 한다.
그 후, 클리닝된 테이블 (4T) 에 새로운 기판 (P) 이 유지되고, 그 테이블 (4T) 에 유지된 기판 (P) 에 노광광 (EL) 을 조사함으로써, 그 기판 (P) 이 노광된다.
이상 설명한 바와 같이, 기판 (CP) 을 사용하여 테이블 (4T) 을 원활하고 또한 양호하게 클리닝할 수 있다. 따라서, 테이블 (4T) 에 부착된 오염 물질에서 기인하는 노광 정밀도의 열화를 억제하여, 기판 (P) 을 양호하게 노광할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 이 노출되도록 기판 (CP) 을 배치함으로써, 그 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 을 중점적으로 클리닝할 수 있기 때문에, 그 제 1 둘레벽 (33) 을 구비한 테이블 (4T) 에 의해, 기판 (P) 을 양호하게 유지하며 노광할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 제 8 갭 (G8) 을 통하여 외부 공간과 접속 가능한 공간 (제 4 공간 (44), 제 6 공간 (46)) 을 형성하는 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 혹은 제 5 둘레벽 (35) 등을 중점적으로 클리닝할 수 있으므로, 제 1 둘레벽 (33) 및 제 2 둘레벽 (34) 혹은 제 5 둘레벽 (35) 등에 부착되어 있는 오염 물질이 외부 공간 및 액침 공간 (LR) 으로 방출되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 테이블 (4T) (제 1 홀더 (HD1)) 전부의 영역을 클리닝하지 않고, 국소적인 영역을 중점적으로 클리닝하고 있으므로, 클리닝 작 업이 장시간에 이르거나 번잡해지는 것을 억제하여, 클리닝 작업을 단시간에 원활하고 또한 양호하게 실행할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 액체 (LQ) 와 접촉하는 기판 (CP) 의 표면 및 이면은 발액성이므로, 기판 (CP) 의 이면과 제 1 둘레벽 (33) 사이를 통하여 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 액체 (LQ) 가 침입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 액체 (LQ) 를 사용한 클리닝 동작 종료 후, 기판 (CP) 에 접촉한 액체 (LQ) 를 원활하게 회수할 수 있어, 기판 (CP) 의 표면 및 이면 등에 액체 (LQ) 가 잔류하는 것을 억제할 수 있다.
<제 2 실시형태>
다음으로, 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 서술한 실시형태와 동일 또는 동등한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 간략 혹은 생략한다.
상기 서술한 제 1 실시형태에 있어서는, 도 12a 의 모식도에 나타내는 바와 같이, 기판 (CP) 은, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 외부 가장자리의 직경보다 작고, 또한 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 내부 가장자리의 직경보다 큰 외경을 갖고 있는데, 도 12b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 외부 가장자리의 직경보다 큰 외경을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 은 노출되지 않지만, 기판 (CP) 과 판 부재 (T) 사이의 제 8 갭 (G8') 은 기판 (P) 과 판 부재 (T) 사이의 제 5 갭 (G5) 보다 크므로, 클리닝용 액체 (LQ) 를 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이의 공간에 공급할 수 있고, 그 공간에 공급된 액체 (LQ) 를 사용하여 테이블 (4T) 의 일부를 클리닝할 수 있다.
또한, 도 12c 에 나타내는 바와 같이, 기판 (CP) 은, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 내부 가장자리의 직경보다 작은 외경을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 클리닝용 액체 (LQ) 는 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 거의 전역에 접촉할 수 있으므로, 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 을 양호하게 클리닝할 수 있다.
즉, 기판 (CP) 의 외경은, 테이블 (4T) 의 세정되는 영역 (공간) 에 따라 결정할 수 있으며, 예를 들어 기판 (P) 의 규격 외경보다 2.0㎜ ∼ 20.0㎜ 만큼 외경이 작은 기판 (원형 기판의 경우에는, 규격 반경보다 1.0 ∼ 10.0㎜ 반경이 작은 원형 기판) 이 사용된다.
<제 3 실시형태>
다음으로, 제 3 실시형태에 대해 설명한다. 도 14 는 제 3 실시형태에 관련된 노즐 부재 (70) 의 근방을 나타내는 도면이다. 본 실시형태에 있어서는, 노즐 부재 (70) 는 액침 공간 (LR) 에 액체 (LQ) 를 분사할 수 있는 액체 분사구 (90) 를 갖고, 액침 공간 (LR) 내에 있어서 액체 분사구 (90) 로부터 액체 (LQ) 를 분사하여, 액침 공간 (LR) 에 액체 (LQ) 의 분류 (噴流) 를 형성한다. 액체 (LQ) 의 분류는 테이블 (4T) 의 표면에 작용한다. 이로써, 그 테이블 (4T) 의 표면에 부착되어 있는 오염 물질의 제거가 촉진된다.
또한, 상기 서술한 제 1 ∼ 제 3 실시형태에 있어서, 기판 (CP) 을 사용한 클리닝 동작은, 예를 들어 기판 (P) 을 소정 장수 처리할 때마다, 로트마다, 소정 시간 간격마다 등으로 실행할 수 있다.
또한, 상기 서술한 바와 같이, 노광 장치 (EX) 는, 액체 회수구 (22) 로부터 회수된 노광용 액체 (LQ) 의 품질 (수질) 을 검출할 수 있는 검출 장치 (26) 를 구비하고 있고, 그 검출 장치 (26) 는 액체 회수구 (22) 로부터 회수된 노광용 액체 (LQ) 의 오염 상태를 검출할 수 있으므로, 제어 장치 (7) 는, 검출 장치 (26) 의 검출 결과에 기초하여, 액체 회수구 (22) 로부터 회수된 노광용 액체 (LQ) 가 오염되어 있다고 판단하였을 때에, 기판 (CP) 을 사용한 클리닝 동작을 실행하도록 해도 된다. 테이블 (4T) 의 오염 상태에 따라, 액체 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 오염 상태도 변화하므로, 제어 장치 (7) 는, 액체 회수구 (22) 로부터 회수된 액체 (LQ) 의 오염 상태를 검출 장치 (26) 를 사용하여 검출함으로써, 그 검출 결과에 기초하여, 테이블 (4T) 의 오염 상태를 구할 (추정할) 수 있다. 그리고, 제어 장치 (7) 는, 검출 장치 (26) 의 검출 결과에 기초하여, 테이블 (4T) 의 오염 상태가 허용 범위에 없다고 판단한 경우, 다음의 노광 동작을 개시하지 않고, 클리닝 동작을 실행한다.
또한, 기판 (P) 을 패턴 이미지로 노광하고, 그 기판 (P) 상에 형성된 패턴의 형상을 소정의 계측 장치로 계측하고, 그 계측 결과에 따라, 기판 (CP) 을 사용한 클리닝 동작을 실행하도록 해도 된다. 예를 들어, 패턴 형상의 계측 결과에 기초하여, 패턴의 결함이 허용 범위에 없다고 판단된 경우, 제어 장치 (7) 는 테이블 (4T) 의 오염 상태도 허용 범위에 없다고 판단하여, 클리닝 동작을 실행한다. 혹은, 제 1 홀더 (HD1) 에 고평탄도의 표면을 갖는 더미 기판을 유지하고, 그 더미 기판 표면의 형상 (플랫니스) 을, 사입사 방식의 포커스·레벨링 검출계 등으로 검출하고, 플랫니스의 열화 정도가 허용 범위에 없다고 판단한 경우, 제어 장치 (7) 는 테이블 (4T) 의 오염 상태도 허용 범위에 없다고 판단하여, 클리닝 동작을 실행할 수 있다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 제어 장치 (7) 는, 테이블 (4T) 을 클리닝하기 위해, 액체 공급구 (12) 로부터의 액체 공급 동작과 액체 회수구 (22) 에 의한 액체 회수 동작과 제 1 흡인구 (63) 에 의한 액체 회수 동작 (흡인 동작) 을 병행하여 실시하고 있는데, 클리닝 동작 중에 제 1 흡인구 (63) 에 의한 흡인 동작을 정지시켜도 된다. 또한, 클리닝 동작 중에는 제 1 흡인구 (63) 에 의한 흡인 동작을 실행하지 않고, 클리닝 동작 종료 후 제 1 흡인구 (63) 에 의한 흡인 동작을 실행함으로써, 제 1 둘레벽 (33) 과 제 2 둘레벽 (34) 사이의 테이블 (4T) 표면에 있어서의 액체 (LQ) 의 잔류를 억제할 수 있다. 혹은, 클리닝 동작 중에 액체 회수구 (22) 로부터의 액체 회수 동작을 정지시켜도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 제어 장치 (7) 는, 테이블 (4T) 의 클리닝 동작 중에 제 2 흡인구 (61) 에 의한 흡인 동작을 실행하고 있는데, 클리닝 동작 중에 제 2 흡인구 (61) 에 의한 흡인 동작을 정지시켜도 된다. 또한, 클리닝 동작 중에는 제 2 흡인구 (61) 에 의한 흡인 동작을 실행하지 않고, 클리닝 동작 종료 후 제 2 흡인구 (61) 에 의한 흡인 동작을 실행함으로써, 제 1 둘레벽 (33) 의 내측에 침입한 액체 (LQ) 를 제 2 흡인구 (61) 로 회수할 수 있다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 클리닝용 액체로서 노광용 액체 (LQ) 를 사용하고 있는데, 노광용 액체 (LQ) 와는 다른 액체를 사용해도 된다. 클리닝용 액체로는, 예를 들어 에탄올, 메탄올 등의 알코올류, 혹은 계면 활성제를 함유하는 액체를 사용할 수 있다. 또한, 오존 가스를 물에 용해시킨 오존수, 수소를 물에 용해시킨 수소수 등, 소정의 기체를 물에 용해시킨, 이른바 기능수를 클리닝용 액체에 사용할 수도 있다.
또한, 클리닝용 액체에 진동 (예를 들어 초음파) 을 부여하는 진동 장치를 병용해도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 기판 (P) 을 노광할 때에 액침 영역 (LR) 을 형성하는 노즐 부재 (70) 를 사용하여 테이블 (4T) 의 클리닝을 실시하고 있는데, 클리닝 전용의 노즐 부재를 형성하고, 부재 (CP) 및 판 부재 (T) 와 클리닝용 노즐 부재 사이에 클리닝용 액체를 유지하여, 테이블 (4T) 의 클리닝 동작을 실행해도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 기판 (P) 주위의 평탄부를 탈착할 수 있는 판 부재 (T) 로 형성하고 있는데, 기판 (P) 주위의 평탄부를 기재 (30) 와 일체적인 부재로 형성해도 된다. 즉, 테이블 (4T) 의 구성은 상기 서술한 것에 한정되지 않고, 액침 노광되는 기판 (P) 을 양호하게 유지할 수 있는 것이면, 다양한 구성의 테이블 (4T) 을 사용할 수 있다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 부재 (CP) 는 기판 (P) 과 거의 동일 형상의 외형을 갖고, 기판 (P) 과 거의 동일한 두께의 판상 부재인데, 테이블 (4T) (제 1 홀더 (HD1)) 로 유지하였을 때에 제 1 둘레벽 (33) 의 제 1 상면 (33A) 의 적어도 일부 등, 세정하고자 하는 영역을 노출시켜 그 영역과 클리닝용 액체를 접촉시킬 수 있는 것이면, 부재 (CP) 는 기판 (P) 의 외형과 상이한 외형을 갖고 있어도 되고, 기판 (P) 의 두께와 상이한 두께를 갖고 있어도 되며, 판상이 아니어도 된다. 또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 부재 (CP) 는 표면과 이면이 클리닝용 액체에 대하여 발액성을 갖고 있는데, 필요에 따라, 부재 (CP) 의 일부 영역이 발액성이면 되고, 테이블 (4T) 의 클리닝과 클리닝용 액체의 회수가 원활하게 실행된다면, 부재 (CP) 에 발액성의 영역을 형성하지 않아도 된다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태의 투영 광학계는, 종단 광학 소자의 이미지면 (사출면) 측의 광로 공간을 액체로 채우고 있는데, 국제공개 제2004/019128호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같이, 종단 광학 소자의 물체면 (입사면) 측의 광로 공간도 액체로 채우는 투영 광학계를 채용할 수도 있다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태의 노광용 액체 (LQ) 는 물인데, 물 이외의 액체이어도 된다. 예를 들어, 노광용 액체 (LQ) 는, 과불화폴리에테르 (PFPE), 불소계 오일 등의 불소계 유체이어도 되고, 세다유이어도 된다. 또한, 액체 (LQ) 로는 굴절률이 1.6 ∼ 1.8 정도인 것을 사용해도 된다.
액체 (LQ) 와 접촉하는 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (최종 광학 소자 (FL) 등) 는, 예를 들어 석영 (실리카), 혹은 불화칼슘 (형석), 불화바륨, 불화스트론튬, 불화리튬 및 불화나트륨 등의 불화 화합물의 단결정 재료로 형성해도 된다. 또한, 종단 광학 소자는 석영 및 형석보다 굴절률이 높은 (예를 들어 1.6 이상) 재료로 형성해도 된다. 굴절률이 1.6 이상인 재료로는, 예를 들어, 국제공개 제2005/059617호 팜플렛에 개시되는 사파이어, 이산화게르마늄 등, 혹은 국제공개 제2005/059618호 팜플렛에 개시되는 염화칼륨 (굴절률은 약 1.75) 등을 사용할 수 있다. 또한, 종단 광학 소자 표면의 일부 (적어도 액체와의 접촉면을 포함한다) 또는 전부에 친액성 및/또는 용해 방지 기능을 갖는 박막을 형성해도 된다. 또한, 석영은 액체와의 친화성이 높고, 또한 용해 방지막도 불필요한데, 형석은 적어도 용해 방지막을 형성할 수 있다. 순수보다 굴절률이 높은 (예를 들어 1.5 이상) 액체로는, 예를 들어, 굴절률이 약 1.50 인 이소프로판올, 굴절률이 약 1.61 인 글리세롤 (글리세린) 과 같은 C-H 결합 혹은 O-H 결합을 갖는 소정 액체, 헥산, 헵탄, 데칸 등의 소정 액체 (유기 용제), 혹은 굴절률이 약 1.60 인 데칼린 (Decalin : Decahydronaphthalene) 등을 들 수 있다. 또한, 액체는 이들 액체 중 임의의 2 종류 이상의 액체를 혼합한 것이어도 되고, 순수에 이들 액체 중 적어도 1 개를 첨가 (혼합) 한 것이어도 된다. 또한, 액체는, 순수에 H+, Cs+, K+, Cl-, SO4 2-, PO4 2- 등의 염기 또는 산을 첨가 (혼합) 한 것이어도 되고, 순수에 Al 산화물 등의 미립자를 첨가 (혼합) 한 것이어도 된다. 또한, 액체로는, 광의 흡수 계수가 작고, 온도 의존성이 적고, 투영 광학계 및/또는 기판의 표면에 도포되어 있는 감광재 (또는 탑코트막 혹은 반사 방지막 등) 에 대하여 안정적인 것인 것이 바람직하다. 기판에는, 액체로부터 감광재나 기재를 보호하는 탑코트막 등을 형성할 수 있다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태의 기판 (P) 으로는, 반도체 디바이스 제조용 반도체 웨이퍼뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용 유리 기판, 박막 자기 헤드용 세라믹 웨이퍼, 혹은 노광 장치에서 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (합성 석영, 실리콘 웨이퍼), 또는 필름 부재 등이 적용된다. 또한, 기판은 그 형상이 원형에 한정되는 것이 아니라, 직사각형 등 기타 형상이어도 된다.
노광 장치 (EX) 로는, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 동기 이동시켜 마스크 (M) 의 패턴을 주사 노광하는 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 노광 장치 (스캐닝 스테퍼) 외에, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 정지 (靜止) 시킨 상태에서 마스크 (M) 의 패턴을 일괄 노광하고, 기판 (P) 을 순차적으로 스텝 이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영 노광 장치 (스테퍼) 에도 적용할 수 있다.
또한, 스텝·앤드·리피트 방식의 노광에 있어서, 제 1 패턴과 기판 (P) 을 거의 정지시킨 상태에서, 투영 광학계를 사용하여 제 1 패턴의 축소 이미지를 기판 (P) 상에 전사한 후, 제 2 패턴과 기판 (P) 을 거의 정지시킨 상태에서, 투영 광학계를 사용하여 제 2 패턴의 축소 이미지를 제 1 패턴과 부분적으로 중첩시켜 기판 (P) 상에 일괄 노광해도 된다 (스티치 방식의 일괄 노광 장치). 또한, 스티치 방식의 노광 장치로는, 기판 (P) 상에서 적어도 2 개의 패턴을 부분적으로 중첩시켜 전사하고, 기판 (P) 을 순차적으로 이동시키는 스텝·앤드·스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 일본 공개특허공보 평10-163099호, 일본 공개특허공보 평10-214783호 (대응 미국 특허 제6,341,007호, 제6,400,441호, 제6,549,269호 및 제 6,590,634호), 일본 공표특허공보 2000-505958호 (대응 미국 특허 제5,969,441호) 등에 개시되어 있는 바와 같은 복수의 기판 스테이지를 구비한 멀티 스테이지형 (트윈 스테이지형) 의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 예를 들어 일본 공개특허공보 평11-135400호, 일본 공개특허공보 2000-164504호 (대응 미국 특허 제6,897,963호) 등에 개시되어 있는 바와 같이, 기판을 유지하는 기판 스테이지와 기준 마크가 형성된 기준 부재 및/또는 각종 광전 센서를 탑재한 계측 스테이지를 구비한 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 를 구비한 노광 장치를 예로 들어 설명해 왔는데, 투영 광학계 (PL) 를 사용하지 않은 노광 장치 및 노광 방법에 본 발명을 적용할 수 있다. 이와 같이 투영 광학계 (PL) 를 사용하지 않은 경우에도, 노광광은 렌즈 등의 광학 부재를 통하여 기판에 조사되고, 그러한 광학 부재와 기판 사이의 소정 공간에 액침 공간이 형성된다.
노광 장치 (EX) 의 종류로는, 기판 (P) 에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플레이 제조용 노광 장치, 박막 자기 헤드, 촬상 소자 (CCD), 마이크로 머신, MEMS, DNA 칩, 혹은 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
또한, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서는, 광 투과성의 기판 상에 소정의 차광 패턴 (또는 위상 패턴·감광 패턴) 을 형성한 광 투과형 마스크를 사용하였는데, 이 마스크 대신에, 예를 들어 미국 특허 제6,778,257호에 개시되어 있는 바와 같이, 노광해야 할 패턴의 전자 데이터에 기초하여 투과 패턴 또는 반사 패턴, 혹은 발광 패턴을 형성하는 전자 마스크 (가변 성형 마스크라고도 불리며, 예를 들어 비발광형 화상 표시 소자 (공간 광 변조기 : Spatial Light Modulator (SLM) 라고도 불린다) 의 일종인 DMD (Digital Micro-mirror Device) 등을 포함한다) 를 사용해도 된다. 또한, DMD 를 사용한 노광 장치는, 예를 들어 미국 특허 제6,778,257호에 개시되어 있다.
또한, 예를 들어 국제공개 제2001/035168호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같이, 간섭 무늬를 기판 (P) 상에 형성함으로써, 기판 (P) 상에 라인·앤드·스페이스 패턴을 노광하는 노광 장치 (리소그래피 시스템) 에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 예를 들어 일본 공표특허공보 2004-519850호 (대응 미국 특허 제6,611,316호) 에 개시되어 있는 바와 같이, 2 개의 마스크 패턴을 투영 광학계를 통하여 기판 상에서 합성하고, 1 회의 주사 노광에 의해 기판 상의 1 개의 쇼트 영역을 거의 동시에 이중 노광하는 노광 장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 프록시미티 방식의 노광 장치, 미러 프로젝션·얼라이너 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 법령으로 허용되는 한에서, 상기 각 실시형태 및 변형예에서 인용한 노광 장치 등에 관한 모든 공개 공보 및 미국 특허 등의 개시를 원용하여 본문 기재의 일부로 한다.
이상과 같이, 상기 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 각 구성 요소를 포함하는 각종 서브 시스템을 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해, 이 조립의 전후에는 각종 광학계에 대해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 실시된다. 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치로의 조립 공정은 각종 서브 시스템 상호의, 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치로의 조립 공정 전에, 각 서브 시스템 개개의 조립 공정이 있는 것은 말할 필요도 없다. 각종 서브 시스템의 노광 장치로의 조립 공정이 종료되면, 종합 조정이 실시되어, 노광 장치 전체로서의 각종 정밀도가 확보된다. 또한, 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린 룸에서 실시하는 것이 바람직하다.
반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스는, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계를 실시하는 단계 201, 이 설계 단계에 기초한 마스크 (레티클) 를 제작하는 단계 202, 디바이스의 기재인 기판을 제조하는 단계 203, 전술한 실시형태에 따라, 마스크의 패턴을 기판에 노광하고, 노광된 기판을 현상하는 기판 처리 (노광 처리) 를 포함하는 기판 처리 단계 204, 디바이스 조립 단계 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정 등의 가공 프로세스를 포함한다) 205, 검사 단계 206 등을 거쳐 제조된다.

Claims (26)

  1. 노광광이 조사되는 기판의 이면을 유지하는 기판 유지 부재의 적어도 일부를 클리닝하기 위해 상기 기판 유지 부재에 유지되는 클리닝용 부재로서,
    상기 기판보다 작은 외경을 갖는, 클리닝용 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재의 클리닝은, 상기 기판 이면의 둘레 가장자리 영역과 대향하도록 상기 기판 유지 부재에 형성된 제 1 둘레벽의 제 1 상면의 적어도 일부가 노출된 상태에서 실시되는, 클리닝용 부재.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 둘레벽과 거의 동일한 외형을 갖고,
    상기 기판과 거의 동일한 두께를 갖고,
    상기 외경은, 상기 제 1 둘레벽의 제 1 상면의 외부 가장자리의 직경보다 작은, 클리닝용 부재.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 외경은, 상기 제 1 둘레벽의 제 1 상면의 내부 가장자리의 직경보다 작은, 클리닝용 부재.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재에는, 상기 제 1 둘레벽의 내측에 상기 기판의 이면을 지지하는 지지 부재가 형성되고, 상기 제 1 둘레벽으로 둘러싸인 공간을 부압으로 함으로써, 상기 기판의 이면이 상기 지지 부재에 지지되는, 클리닝용 부재.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재의 클리닝은, 액체를 사용하여 실시되는, 클리닝용 부재.
  7. 제 6 항에 있어서,
    발액성의 액체 접촉면을 갖는, 클리닝용 부재.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝용 부재를 상기 기판 유지 부재에 유지하고, 상기 기판 유지 부재의 적어도 일부를 클리닝하는, 클리닝 방법.
  9. 노광광이 조사되는 기판을 유지하는 기판 유지 부재의 적어도 일부를 클리닝하는 클리닝 방법으로서,
    상기 기판과 거의 동일한 외형을 갖고, 상기 기판보다 작은 외경을 갖는 클 리닝용 부재를 상기 기판 유지 부재로 유지하는 것과,
    상기 기판 유지 부재의 적어도 일부를 클리닝하기 위한 액체를 공급하는 것을 포함하는, 클리닝 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 액체는, 상기 클리닝용 부재의 에지 외측에서, 상기 기판 유지 부재의 일부 영역에 접촉하는, 클리닝 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재는, 상기 기판 이면의 둘레 가장자리 영역과 대향하는 제 1 상면을 갖는 제 1 둘레벽을 구비하고,
    상기 클리닝용 부재는, 상기 제 1 둘레벽의 제 1 상면의 적어도 일부가 노출되도록 상기 기판 유지 부재에 유지되는, 클리닝 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 클리닝용 부재의 외형은, 상기 제 1 둘레벽과 거의 동일하고,
    상기 클리닝용 부재의 외경은, 상기 제 1 둘레벽의 제 1 상면의 외부 가장자리의 직경보다 작고, 또한
    상기 클리닝용 부재는, 상기 기판과 거의 동일한 두께를 갖는, 클리닝 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 클리닝용 부재의 외경은, 상기 제 1 둘레벽의 제 1 상면의 내부 가장자리의 직경보다 작은, 클리닝 방법.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재는, 상기 제 1 둘레벽의 내측에 배치되고, 상기 기판의 이면을 지지하는 지지 부재를 갖고,
    상기 제 1 둘레벽으로 둘러싸인 공간을 부압으로 함으로써, 상기 기판의 이면이 상기 지지 부재에 흡착 유지되는, 클리닝 방법.
  15. 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재는, 상기 제 1 둘레벽을 둘러싸도록 배치된 제 2 둘레벽을 갖고,
    상기 영역은, 상기 제 1 둘레벽과 상기 제 2 둘레벽 사이를 포함하는, 클리닝 방법.
  16. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 영역은, 상기 제 1 둘레벽의 제 1 상면을 포함하는, 클리닝 방법.
  17. 제 10 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재는, 상기 제 1 둘레벽의 외측에 형성되고, 유체를 흡인할 수 있는 제 1 흡인구를 갖고,
    상기 제 1 흡인구는, 상기 액체의 적어도 일부를 흡인하는, 클리닝 방법.
  18. 제 10 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재는, 상기 제 1 둘레벽의 내측에 형성되고, 유체를 흡인할 수 있는 제 2 흡인구를 갖고,
    상기 제 2 흡인구는, 상기 액체의 적어도 일부를 흡인하는, 클리닝 방법.
  19. 제 9 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클리닝용 부재를 유지한 상기 기판 유지 부재의 적어도 일부가 소정 부재와 대향하도록 상기 기판 유지 부재를 이동시키는 것과,
    상기 액체에 의해, 상기 클리닝용 부재 및 상기 기판 유지 부재와 상기 소정 부재 사이에 액침부를 형성하는, 클리닝 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 액체는, 상기 소정 부재의 액체 공급구로부터 공급되는, 클리닝 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 소정 부재는 액체 회수구를 갖고,
    상기 액체 공급구로부터의 액체 공급 동작과 상기 액체 회수구에 의한 액체 회수 동작의 적어도 일부를 병행하여 실시하는, 클리닝 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 액체 공급구로부터의 액체 공급 동작과 상기 액체 회수구에 의한 액체 회수 동작의 적어도 일부를 병행하여 실시하면서, 상기 클리닝용 부재를 유지한 상기 기판 유지 부재와 상기 소정 부재를 상대적으로 이동시키는, 클리닝 방법.
  23. 제 19 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정 부재는, 액체 분사구를 갖고,
    상기 액체 분사구로부터 액체를 분사하여, 상기 액침부에 액체의 분류 (噴流) 를 형성하는, 클리닝 방법.
  24. 제 9 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지 부재에 광 세정 효과를 갖는 광을 조사하는 동작을 포함하는, 클리닝 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 광은 상기 노광광을 포함하는, 클리닝 방법.
  26. 제 9 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 방법을 사용하여 상기 기판 유지 부재를 클리닝하는 것과,
    상기 기판 유지 부재로 기판을 유지하는 것과,
    상기 기판 유지 부재에 유지된 상기 기판을 노광광으로 노광하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
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