JP2006032750A - 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この液浸型投影露光装置は、光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、レチクルのパターンを基板上に投影する投影光学系と、投影光学系の最も基板近くに配置された光学素子の表面に液浸剤を供給する液浸剤供給部とを有し、パターンを基板に液浸剤を介して露光する露光装置であって、液浸剤とは異なる液体を光学素子の表面に供給する液体供給部をさらに有している。
【選択図】 図1
Description
R = k1 × λ / NA (1)
で表される。ここでλは露光光の波長、NAは投影光学系の開口数、k1はプロセスに関する係数である。式(1)からわかるように、解像力を向上させるためには、より短波長の光を露光光として用いる、開口数の大きい光学系を設計する、位相シフトマスクや変形照明などにより結果的にk1係数を小さくする、等の手法が考えられる。
この液浸型投影露光装置の実施形態としては、ウエハチャックを含むウエハ全体を水槽内に満たされた液浸剤に浸すものや、投影光学系の最終光学素子としての最終レンズとそれに対向している部分のウエハ表面との間隔のみを局所的に液浸剤で満たすものなどが提案されている。例えば特許文献1には、ウエハ表面とそれに対向する投影光学系の最終レンズとの間隔のみを液体で満たし露光するステップ・アンド・リピート方式又はステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が開示されている。また、液浸剤の供給・回収配管の配置、及び、露光処理時の液浸剤の供給方向、流量なども開示されている。さらに、この特許文献1の実施例に、液体中の不純物の付着などに起因して液体に接触する光学素子の表面が汚れた場合にその光学素子を定期的に交換する必要があること、コスト及び交換時間の観点から交換すべき光学素子を平行平面板にすること、純水が液浸剤に使用可能であり、かつ純水によるレンズ表面の洗浄作用も期待できることが記載されている。
本発明は上記の事情に鑑みて為されたもので、投影光学系の光学素子表面への汚れ付着による光学特性の劣化を防止し、良好な投影露光を行う液浸露光装置を提供することを例示的目的とする。さらに、光学素子表面に汚れが付着してしまった場合でも、その汚れを除去して光学特性を回復させ、良好な投影露光を行う液浸露光装置を提供することを他の例示的目的とする。
図2は、本発明の実施の形態1に係る露光装置としての液浸型投影露光装置(以下、液浸露光装置という。)の概略構成図である。液浸露光装置本体1は、全体をチャンバ2で覆われており装置内部を一定の雰囲気に保っている。架台3は剛性の高い構造をしており、ウエハ(基板)20及びレチクル10の高精度な位置決めを可能としている。レチクル10は不図示のレチクル搬送系により装置外部からレチクルステージ(レチクル駆動系)11に搬送され、保持される。表面に感光レジストが塗布済みのウエハ20も不図示のウエハ搬送系により装置外部からウエハステージ22上のウエハチャック21に搬送され、保持される。このウエハステージ22とウエハチャック21とは基板駆動系を構成する。
洗浄終了後、洗浄剤排出ノズル30から洗浄液27を排出し、ウエハステージ22をZ方向及びXY方向に駆動して洗浄槽26を投影光学系6から離間させ、所定位置(いわゆるアイドル位置)に戻す。このとき洗浄槽26を投影光学系6から離間させる前に、給排ノズル25a及び/又は給排ノズル25bから液浸剤を供給すると、最終レンズ7表面に残余した洗浄剤27を洗い流すことができ、光学特性を維持するのに効果的である。またその際の廃液回収は給排ノズル25a,25bを用いるよりも排出ノズル30を用いる方が望ましい。さらに、予め洗浄剤給排制御部45内に洗浄剤27とは異なる液体としてのすすぎ液(不図示)を用意し、洗浄用供給ノズル29からすすぎ液を供給、洗浄剤用排出ノズル30から廃液の回収をしてすすぎ処理を行なえばより効果的である。すすぎ液としては、例えばアルコールや低pHのCO2溶解液等が考えられる。
図3は、最終レンズ7洗浄機能を有する本発明の実施の形態2に係る液浸露光装置の概略構成図である。実施の形態1と同様の構成及び同様の機能を発揮する部位については、図中、同一符号を用いて示しその説明を省略する。本実施の形態2は、洗浄剤供給ノズル29と洗浄剤排出ノズルが省略され、液浸剤24の給排ノズル25が洗浄剤27の供給部・排出部を兼ねている点において実施の形態1と異なっている。したがって、液浸剤及び洗浄剤給排制御部47による制御のもと、切替えバルブ46により液浸剤24と洗浄剤27との切替えを行うように構成されている。
図6は、最終レンズ7洗浄機能を有する本発明の実施の形態3に係る液浸露光装置の概略構成図である。この液浸露光装置では、露光時と同様にウエハと投影光学系6とを対向させ、液浸剤24の代わりに洗浄剤27を最終レンズ7とウエハとの間に充填して最終レンズ7表面を洗浄する。したがって、本実施の形態3においては、洗浄槽26が不要とされている。ただし、洗浄を行う際に用いるウエハとしては、露光用のウエハ20とは異なる専用ウエハ20aを用いる。
上記実施の形態1〜3においては、液浸露光装置の最終レンズ7表面を洗浄するために液浸剤、洗浄剤、及びすすぎ液を必要に応じて使用していた。一方、本実施の形態4においては、複数種類の液浸剤を液浸剤給排制御部44の制御に基づいて切り替えて使用し、露光を行う。
上記実施の形態1〜4においては、洗浄液の切替えか液浸剤の切替えかのいずれか一方が切り替えられる構成について説明したが、本実施の形態5においては、洗浄液と液浸剤との両方の切替えが可能な構成について説明する。本実施の形態5に係る液浸露光装置の概略構成は図6に示す実施の形態3に係る液浸露光装置の概略構成と略同様である。
図11(b)は、本発明の実施の形態6に係る液浸露光装置を用いた露光処理と洗浄処理とを説明するためのフローチャートである。S11−11でコンソール(不図示)等から入力したジョブデータを主制御部40が処理して液浸露光装置の各パラメータを初期設定する。S11−12では、使用するレチクルデータや描画データなどの情報から今回のジョブの要求される解像度を判断し,S11−13で、図10(b)の表を参照して必要な解像度を満足する液浸剤RとSとの混合比を計算し、液浸剤がその混合比になるよう液浸剤給排制御部44に切替えバルブ46の制御データを指令する。S11−14ではジョブで指定した条件にしたがって一連の液浸露光処理を行う。露光処理が完了したら、S11−15で洗浄が必要か否かの判断を行う。ここで判断基準としては、例えば累積処理枚数や累積照射量が所定量に達したか、オペレータからの指示があったか、又は不図示の液浸剤純度センサによる液浸剤の汚染度が許容値を超えたかなどがある。この判断の結果、洗浄の必要がなければ以下の処理をスキップして露光処理は終了する。洗浄が必要と判断したら、S11−16で液浸剤給排制御部44に洗浄剤供給指令を出し、最終レンズ7の洗浄準備を行う。S11−17で、専用ウエハ20aを搬入し、所定の位置までステージ22駆動、洗浄剤の供給、すすぎ及び廃液回収など一連の洗浄処理を主制御部40からの指令により行う。
次に、図12及び図13を参照して、上述の液浸露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図12は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ101(回路設計)ではデバイスの回路設計を行う。ステップ102(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ103(ウエハ製造)ではシリコンなどの材料を用いてウエハ(基板)を製造する。ステップ104(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ105(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ104によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ106(検査)では、ステップ105で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ107)される。
4:照明系
5:露光光
6:投影光学系
7:最終光学素子(最終レンズ)
10:レチクル
11:レチクルステージ(レチクル駆動系)
19,A,B:レジスト
20:ウエハ(基板)
20a:専用ウエハ
21:ウエハチャック(ウエハ駆動系の一部)
22:ウエハステージ(ウエハ駆動系の一部)
24,P,Q,R,S:液浸剤
25,25a,25b:給排ノズル(液浸剤供給部、液浸剤排出部)
25c:液浸剤供給ノズル(液浸剤供給部)
25d:洗浄剤供給ノズル(液体供給部)
25e:排出ノズル
26:洗浄槽
27:洗浄剤
29:洗浄剤供給ノズル(液体供給部)
30:洗浄剤排出ノズル(液体排出部)
31:超音波発振器
40:主制御部
44:液浸剤給排制御部(選択機構の一部、混合比決定手段)
45:洗浄剤給排制御部
46:切替えバルブ(選択機構の一部)
46’:切替えバルブ(混合機構の一部)
47:液浸剤及び洗浄剤給排制御部(選択機構の一部)
Claims (20)
- 光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルのパターンを基板上に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の最も前記基板近くに配置された光学素子の表面に液浸剤を供給する液浸剤供給部とを有し、前記パターンを前記基板に前記液浸剤を介して露光する露光装置であって、
前記液浸剤とは異なる液体を前記光学素子の表面に供給する液体供給部をさらに有することを特徴とする露光装置。 - 前記液浸剤供給部と前記液体供給部とが別々に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記液浸剤供給部の供給路と前記液体供給部の供給路とが少なくとも部分的に共用されていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記共用された供給路から前記液浸剤と前記液体とのいずれを供給するかを選択可能な選択機構をさらに有することを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 前記液浸剤を排出する液浸剤排出部と前記液体を排出する液体排出部とがさらに設けられていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記液浸剤排出部の排出路と前記液体排出部の排出路とが少なくとも部分的に共用されていることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
- 前記液体が、前記光学素子の表面を洗浄するための洗浄剤であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記表面を洗浄するための洗浄槽をさらに有し、前記洗浄剤が該洗浄槽に供給されるようになっていることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記洗浄増は、前記基板駆動系とともに移動可能とされていることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記洗浄槽に、超音波発生器が設けられていることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記液体が、洗浄後の前記光学素子の表面をすすぐためのすすぎ液であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記液浸剤が水であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記液体が、前記液浸剤とは異なる特性を有する他の液浸剤であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記特性が、屈折率又は透過率の少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
- 前記特性が、前記基板上に形成されたレジストに対する溶出度であることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
- 前記基板上に形成されたレジストの種類又は前記パターンの投影寸法のうち少なくともいずれか一方に基づいて、前記液浸剤又は前記他の液浸剤のうちいずれを使用するかを判断する判断手段をさらに有することを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
- 前記液浸剤と前記他の液浸剤とを混合する混合機構をさらに有することを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
- 前記基板上に形成されたレジストの種類又は前記パターンの投影寸法のうち少なくともいずれか一方に基づいて、前記液浸剤と前記他の液浸剤との混合比を決定する混合比決定手段を有することを特徴とする請求項17に記載の露光装置。
- 光源からの光でレチクルを照明し、該レチクルのパターンを投影光学系によって基板上に投影する露光装置であって、該投影光学系の最も前記基板近くに配置された光学素子の表面に供給された液浸剤を介して前記基板に前記パターンを露光する露光装置の前記光学素子の表面を洗浄する方法であって、
前記光学素子の表面に前記液浸剤とは異なる洗浄剤を供給する洗浄ステップを有することを特徴とする表面の洗浄方法。 - 請求項1から請求項18のうちいずれか1項に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、
露光された前記基板に所定のプロセスを行う工程とを有するデバイスの製造方法。
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Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073951A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
WO2006062065A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2007135990A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2007136089A1 (ja) * | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007318129A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置洗浄方法 |
WO2008001871A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Nikon Corporation | Procédé de maintenance, procédé d'exposition et procédé de fabrication d'appareil et de dispositif |
WO2008026593A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procédé de fabrication de dispositif, procédé de nettoyage et élément de nettoyage |
JP2008277819A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Asml Netherlands Bv | クリーニングデバイス、リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のクリーニング方法 |
WO2008146819A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Nikon Corporation | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
JP2009016421A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 |
JP2009088509A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 |
JPWO2008029884A1 (ja) * | 2006-09-08 | 2010-01-21 | 株式会社ニコン | クリーニング用部材、クリーニング方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2011046174A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011124569A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および表面洗浄方法 |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
JP2012134512A (ja) * | 2004-06-21 | 2012-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法 |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US10175585B2 (en) | 2008-04-24 | 2019-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
US10451973B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10495980B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005012195A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-01-13 | Nikon Corp | 露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2005136404A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006523031A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
-
2004
- 2004-07-20 JP JP2004211031A patent/JP2006032750A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006523031A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-05 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィにおける光学素子の洗浄方法 |
JP2005012195A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-01-13 | Nikon Corp | 露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005136404A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
JP2012134512A (ja) * | 2004-06-21 | 2012-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法 |
JP2006073951A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
US8174669B2 (en) | 2004-09-06 | 2012-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid immersion optical tool, method for cleaning liquid immersion optical tool, liquid immersion exposure method and method for manufacturing semiconductor device |
JP4784513B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-05 | 株式会社ニコン | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2010171453A (ja) * | 2004-12-06 | 2010-08-05 | Nikon Corp | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7804576B2 (en) | 2004-12-06 | 2010-09-28 | Nikon Corporation | Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8456608B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-06-04 | Nikon Corporation | Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2012044204A (ja) * | 2004-12-06 | 2012-03-01 | Nikon Corp | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US8891055B2 (en) | 2004-12-06 | 2014-11-18 | Nikon Corporation | Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101559621B1 (ko) | 2004-12-06 | 2015-10-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
JP2014033224A (ja) * | 2004-12-06 | 2014-02-20 | Nikon Corp | メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2006062065A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US10495980B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10495981B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10488759B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-11-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10451973B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US8514366B2 (en) | 2006-05-18 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method |
JP2008283156A (ja) * | 2006-05-18 | 2008-11-20 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
CN102298274A (zh) * | 2006-05-18 | 2011-12-28 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法 |
WO2007135990A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2007318129A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-12-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置洗浄方法 |
JP4691066B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2011-06-01 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置洗浄方法 |
WO2007136089A1 (ja) * | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2008010843A (ja) * | 2006-05-23 | 2008-01-17 | Nikon Corp | メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
CN102156389A (zh) * | 2006-05-23 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法 |
JP5245825B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2013-07-24 | 株式会社ニコン | メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2008001871A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Nikon Corporation | Procédé de maintenance, procédé d'exposition et procédé de fabrication d'appareil et de dispositif |
WO2008026593A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procédé de fabrication de dispositif, procédé de nettoyage et élément de nettoyage |
US8570484B2 (en) | 2006-08-30 | 2013-10-29 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus, device manufacturing method, cleaning method, and cleaning member to remove foreign substance using liquid |
KR101523388B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2015-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 클리닝 방법 및 클리닝용 부재 |
JP5151981B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JPWO2008029884A1 (ja) * | 2006-09-08 | 2010-01-21 | 株式会社ニコン | クリーニング用部材、クリーニング方法、並びにデバイス製造方法 |
JP5029611B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-09-19 | 株式会社ニコン | クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012147030A (ja) * | 2006-09-08 | 2012-08-02 | Nikon Corp | クリーニング用部材、クリーニング方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2011097108A (ja) * | 2007-05-04 | 2011-05-12 | Asml Netherlands Bv | クリーニングデバイス、リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のクリーニング方法 |
JP2008300824A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-12-11 | Asml Netherlands Bv | 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US9013672B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
JP4686571B2 (ja) * | 2007-05-04 | 2011-05-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クリーニングデバイス、リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のクリーニング方法 |
JP2008277819A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Asml Netherlands Bv | クリーニングデバイス、リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のクリーニング方法 |
JP2008294439A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-12-04 | Asml Netherlands Bv | 洗浄装置及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
JP2011187971A (ja) * | 2007-05-04 | 2011-09-22 | Asml Netherlands Bv | 洗浄装置及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
JP2011238939A (ja) * | 2007-05-04 | 2011-11-24 | Asml Netherlands Bv | 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法 |
US8189168B2 (en) | 2007-05-28 | 2012-05-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, device production method, cleaning apparatus, cleaning method, and exposure method |
WO2008146819A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Nikon Corporation | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
JP2009016421A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 |
JP2009088509A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置を清浄する方法 |
US8638421B2 (en) | 2007-09-27 | 2014-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of cleaning a lithographic apparatus |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US10175585B2 (en) | 2008-04-24 | 2019-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
WO2011046174A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法 |
US10185223B2 (en) | 2009-12-02 | 2019-01-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and surface cleaning method |
US8760616B2 (en) | 2009-12-02 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and surface cleaning method |
US9927716B2 (en) | 2009-12-02 | 2018-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and surface cleaning method |
JP2011124569A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-23 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および表面洗浄方法 |
US10437156B2 (en) | 2009-12-02 | 2019-10-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and surface cleaning method |
US9645508B2 (en) | 2009-12-02 | 2017-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and surface cleaning method |
KR101258449B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2013-04-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 표면 세정 방법 |
US9261796B2 (en) | 2009-12-02 | 2016-02-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and surface cleaning method |
KR101353372B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2014-01-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 표면 세정 방법 |
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