JP2010109271A - 確認方法、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液体の汚染状態を確認できる確認方法を提供する。
【解決手段】確認方法は、液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する第１保持部で評価部材を保持することと、液体供給装置から供給された液体を評価部材の表面の第１領域に第１時間だけ接触させることと、液体供給装置からの液体を第１領域と異なる評価部材の表面の第２領域に第１時間と異なる第２時間だけ接触させることと、第１領域及び第２領域の表面状態に基づいて、液体供給装置から供給された液体の汚染状態を確認することと、を含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、確認方法、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法に関する。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。
米国特許公開第２００６／０１３９６１４号明細書 米国特許第７１９９８５８号明細書

液浸露光装置において、液体が汚染されていたり、露光装置の部材、あるいは部品（コンポーネント）が汚染されていたりすると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、液体及び部材、あるいは部品（コンポーネント）の汚染状態を確認でき、露光装置を効率良くメンテナンスできる技術の案出が望まれる。

本発明の態様は、液体の汚染状態を確認できる確認方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、部材、あるいは部品（コンポーネント）の汚染状態を確認できる確認方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるメンテナンス方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する第１保持部で評価部材を保持することと、液体供給装置から供給された液体を評価部材の表面の第１領域に第１時間だけ接触させることと、液体供給装置からの液体を第１領域と異なる評価部材の表面の第２領域に第１時間と異なる第２時間だけ接触させることと、第１領域及び第２領域の表面状態に基づいて、液体供給装置から供給された液体の汚染状態を確認することと、を含む確認方法が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する第１保持部で評価部材を保持することと、露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材と評価部材との間に形成された液浸空間の液体と、評価部材の表面とを接触させた状態で、液浸部材に対して評価部材を所定の移動経路で移動することと、評価部材の表面の汚染状態と移動経路との相関関係に基づいて、液体と接触する液浸部材の液体接触面の汚染状態を確認することと、を含む確認方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する第１保持部で第１評価部材を保持することと、第１評価部材の周囲の第１部材と液体とが接触しないように第１評価部材の表面上に液浸空間を形成して、第１評価部材の表面と液体とを接触させる第１動作を実行することと、第１保持部で第２評価部材を保持することと、第２評価部材の表面上及び第１部材の表面上に液浸空間を形成して、第２評価部材の表面及び第１部材の表面と液体とを接触させる第２動作を実行することと、第１評価部材の表面状態及び第２評価部材の表面状態に基づいて、第１部材の表面の汚染状態を確認することと、を含む確認方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、第１の態様の確認方法を用いて、液体を介して基板を露光する液浸露光装置における液体の汚染状態を確認することと、確認の結果に応じて、液体供給装置をメンテナンスすることと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第２の態様の確認方法を用いて、液体を介して基板を露光する液浸露光装置の液浸部材の液体接触面の汚染状態を確認することと、確認の結果に応じて、液浸部材をクリーニングすることと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第３の態様の確認方法を用いて、液体を介して基板を露光する液浸露光装置の第１部材の表面の汚染状態を確認することと、確認の結果に応じて、第１部材をクリーニングすることと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、第４，第５，第６の態様のメンテナンス方法でメンテナンスされた液浸露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、液体の汚染状態を確認できる。また本発明によれば、部材、あるいは部品（コンポーネント）の汚染状態を確認できる。また本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３とを備えた露光装置である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板ステージ２と、計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、計測ステージ３を移動する駆動システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８とを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。駆動システム４は、ガイド面９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材９に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。

基板ステージ２を移動するための駆動システム５は、ガイド面１０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ３を移動するための駆動システム６は、平面モータを含み、計測ステージ３に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。

本実施形態において、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置情報は、レーザ干渉計ユニット１１Ａ、１１Ｂを含む干渉計システム１１によって計測される。レーザ干渉計ユニット１１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１１Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に配置された計測ミラー３Ｒを用いて、基板ステージ２及び計測ステージ３それぞれの位置情報を計測可能である。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果に基づいて、駆動システム４，５，６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

液浸部材７は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。液浸部材７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材７の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。

終端光学素子１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１２と、終端光学素子１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１３側）で投影領域ＰＲに対して移動可能な物体であり、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。

本実施形態において、液浸部材７は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面１４を有する。液浸部材７は、投影領域ＰＲに配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

図２は、本実施形態に係る基板ステージ２の一例を示す側断面図である。本実施形態において、基板ステージ２は、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部３１と、第１保持部３１の周囲に配置され、プレート部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部３２とを有する。第１，第２保持部３１，３２は、ピンチャック機構を有する。プレート部材Ｔは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。基板ステージ２が移動することによって、第１保持部３１に保持された基板Ｐ、及び第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔは、投影領域ＰＲに移動可能である。なお、第１保持部３１と第２保持部３２の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、プレート部材Ｔは基板ステージ２に一体的に形成されていてもよい。

本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２保持部３２は、プレート部材Ｔの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面と第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。また、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面と、第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの内側面とは、所定のギャップＧ１を介して対向する。

ここで、以下の説明において、第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面を適宜、基板ステージ２の上面２Ｕ、と称する。

図３は、本実施形態に係る液浸部材７の一例を示す側断面図である。なお、図３を用いる説明においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置）に基板Ｐが配置される場合を例にして説明するが、上述のように、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）、及び計測ステージ３（プレート部材Ｓ、計測部材Ｃ）を配置することもできる。

図３に示すように、液浸部材７は、射出面１３と対向する位置に開口７Ｋを有する。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。

また、液浸部材７は、液体ＬＱを供給可能な供給口１５と、液体ＬＱを回収可能な回収口１６とを備えている。供給口１５は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。供給口１５は、流路１７を介して、液体供給装置１８と接続されている。液体供給装置１８は、供給する液体ＬＱの異物を除去するためのフィルタユニット１８Ｆ、及び供給する液体ＬＱの温度を調整可能な温度調整装置１８Ｔを有し、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１７は、液浸部材７の内部に形成された供給流路１７Ａ、及びその供給流路１７Ａと液体供給装置１８とを接続する供給管３３で形成される流路１７Ｂを含む。液体供給装置１８から送出された液体ＬＱは、流路１７を介して供給口１５に供給される。

回収口１６は、液浸部材７の下面１４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口１６は、露光光ＥＬが通過する開口７Ｋの周囲に配置されている。回収口１６は、物体の表面と対向する液浸部材７の所定位置に配置されている。回収口１６には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材１９が配置されている。なお、回収口１６に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。また回収口１６に多孔部材１９が配置されていなくてもよい。本実施形態において、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部は、多孔部材１９の下面を含む。回収口１６は、流路２０を介して、液体回収装置２１と接続されている。液体回収装置２１は、回収口１６を真空システムに接続可能であり、回収口１６を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路２０は、液浸部材７の内部に形成された回収流路２０Ａ、及びその回収流路２０Ａと液体回収装置２１とを接続する回収管３４で形成される流路２０Ｂを含む。回収口１６から回収された液体ＬＱは、流路２０を介して、液体回収装置２１に回収される。

本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて、基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。

制御装置８は、基板搬送装置（不図示）を用いて、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）する。また、制御装置８は、計測ステージ３（計測部材Ｃ）を用いて、所定の計測処理を実行する。露光前の基板Ｐが第１保持部３１にロードされ、計測部材Ｃを用いる計測処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳを形成する。終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置８は、基板Ｐの露光処理を開始する。

図４は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐ上に露光対象領域であるショット領域ＳＨがマトリクス状に複数配置されている。制御装置８は、基板Ｐの複数のショット領域ＳＨを順次露光する。基板Ｐのショット領域ＳＨを露光するとき、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐとを対向させ、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置８は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。

例えば基板Ｐ上の第１のショット領域ＳＨを露光するために、制御装置８は、基板Ｐ（第１のショット領域ＳＨ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動して第１のショット領域ＳＨに露光光ＥＬを照射する。第１のショット領域ＳＨの露光が終了した後、制御装置８は、次の第２のショット領域ＳＨの露光を開始するために、液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動し、第２のショット領域ＳＨを露光開始位置に移動する。そして、制御装置８は、第１ショット領域と同様に、第２のショット領域ＳＨを露光する。

制御装置８は、投影領域ＰＲに対してショット領域ＳＨをＹ軸方向に移動しながらそのショット領域ＳＨを露光する動作と、そのショット領域ＳＨの露光が終了した後、次のショット領域ＳＨを露光開始位置に移動するための動作とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域ＳＨを順次露光する。制御装置８は、露光光ＥＬ（液浸部材７）に対して基板ステージ２（基板Ｐ）を、矢印Ｒ１で示す所定の移動経路で移動させながら、複数のショット領域ＳＨを順次露光する。

基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２から露光後の基板Ｐを搬出し、露光前の基板Ｐを基板ステージ２に搬入する。以下、制御装置８は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

ところで、基板Ｐの露光中、液体供給装置１８から基板Ｐ上に供給された液体ＬＱが汚染されていると、露光不良が発生する可能性がある。例えば、供給口１５から供給された液体ＬＱに異物が混入していると、その異物に起因して、露光された基板Ｐにパターン欠陥が発生する等、露光不良が発生する可能性がある。

また、基板Ｐの露光中、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が、異物（汚染物、パーティクル）として液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に混入する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入する可能性もある。基板Ｐの露光中、基板Ｐの表面と接触した液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、プレート部材Ｔの上面の少なくとも一部の領域と接触する。また、基板Ｐの露光中、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、液浸部材７の下面１４とも接触する。したがって、例えば供給口１５から供給された液体ＬＱが清浄であっても、基板Ｐから発生した異物、空中を浮遊する異物等が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に異物が混入すると、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の上面２Ｕに異物が付着する可能性がある。また、液浸部材７の下面１４に異物が付着する可能性がある。それら露光装置ＥＸの部材の液体ＬＱと接触する液体接触面（上面２Ｕ、下面１４）に異物が付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Ｐに付着したり、供給口１５から供給された液体ＬＱが汚染されたりする可能性がある。また、基板ステージ２の上面２Ｕ、液浸部材７の下面１４が汚染されると、例えば液浸空間ＬＳを局所的に良好に形成できなくなる可能性もある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、所定のタイミングで、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱの汚染状態を確認する確認処理が実行され、その確認の結果に応じて、液体供給装置１８がメンテナンスされる。

また、本実施形態においては、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する液浸部材７の下面１４の汚染状態を確認する確認処理が実行され、その確認の結果に応じて、その液浸部材７がメンテナンスされる。

また、本実施形態においては、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触するプレート部材Ｔの上面２Ｕの汚染状態を確認する確認処理が実行され、その確認の結果に応じて、そのプレート部材Ｔがメンテナンスされる。

以下、本実施形態に係る確認処理、及びメンテナンスの一例について説明する。まず、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱの汚染状態を確認する確認処理を含むメンテナンスシーケンスについて説明する。

図５のフローチャートに示すように、本実施形態においては、メンテナンスシーケンスは、第１保持部３１でダミー基板ＤＰを保持する動作（ステップＳＡ１）と、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱをダミー基板ＤＰの表面の第１領域に第１時間だけ接触させる動作（ステップＳＡ２）と、液体供給装置１８からの液体ＬＱを第１領域と異なるダミー基板ＤＰの表面の第２領域に第１時間と異なる第２時間だけ接触させる動作（ステップＳＡ３）と、液体供給装置１８からの液体ＬＱを第１，第２領域と異なるダミー基板ＤＰの表面の第３領域に第１，第２時間と異なる第３時間だけ接触させる動作（ステップＳＡ４）と、液体供給装置１８からの液体ＬＱを第１，第２，第３領域と異なるダミー基板ＤＰの表面の第４領域に第１，第２，第３時間と異なる第４時間だけ接触させる動作（ステップＳＡ５）と、第１，第２，第３，第４領域の表面状態に基づいて、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱの汚染状態を確認する動作（ステップＳＡ６）と、を含む。本実施形態において、確認処理は、上述のステップＳＡ１〜ＳＡ６の動作を含む。また、本実施形態においては、その確認の結果、液体ＬＱが汚染されていると判断された場合に、液体供給装置１８をメンテナンスを実行する。

本実施形態において、上述の確認処理は、液体ＬＱを介して露光された基板Ｐの状態（基板Ｐの表面の異物の付着状態、及び／又は基板Ｐに形成されたパターンの欠陥の数（量））に基づいて開始される。すなわち、本実施形態においては、確認処理を開始するタイミングは、露光後の基板Ｐの状態を観察した結果に基づいて決定される。

例えば、液体ＬＱを介して露光された基板Ｐの状態に関する情報が、所定の観察装置で取得される。例えば、露光後の基板の表面の画像が、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等で取得される。その取得された情報は、制御装置８に出力される。制御装置８は、その情報に基づいて、露光後の基板Ｐが許容できない状態である（基板Ｐの表面に異物が許容できないほど付着している、及び／又は基板Ｐに形成されたパターンに許容できないほど欠陥が生じている）と判断した場合、確認処理を開始する。

例えば、露光後の基板Ｐの状態が許容できない場合、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱが汚染されている可能性があると判断できる。したがって、制御装置８は、露光後の基板Ｐの状態に基づいて、確認処理を開始するか否かを判断する。

確認処理を実行するために、図６に示すように、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持される（ステップＳＡ１）。ダミー基板ＤＰは、露光用の基板Ｐとは別の、異物を放出し難く、高い清浄度を有する（クリーンな）部材である。ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形であり、第１保持部３１は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。第１保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰの側面と、第２保持部３２に保持されているプレート部材Ｔの内側面との間に、所定のギャップＧ１ｂが形成される。なお、ダミー基板ＤＰは、基板Ｐと同じ外形でなくてもよい。

本実施形態において、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面（上面）の接触角は、液体ＬＱに対する基板Ｐの表面（上面）の接触角とほぼ同じである。本実施形態において、基板Ｐの表面は、トップコート膜の表面で形成され、ダミー基板ＤＰの表面も、トップコート膜で形成される。本実施形態において、ダミー基板ＤＰは、感光膜を含まず、半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成されたトップコート膜とを有する。なお、ダミー基板ＤＰにおいて、基材とトップコート膜との間に、ＨＭＤＳ膜が配置されてもよい。また、ダミー基板ＤＰに感光膜が形成されていてもよい。

制御装置８は、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱの汚染状態の確認処理を実行するために、供給口１５からの液体ＬＱの供給と並行して、その供給口１５から供給された液体ＬＱを回収口１６から回収することによって、ダミー基板ＤＰの表面上の第１領域５１に液浸空間ＬＳを形成する。図６に示すように、制御装置８は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、第１保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰの表面の第１領域５１に接触するように、液浸部材７に対する基板ステージ２の位置を調整する。

制御装置８は、その位置で第１時間ｔ１だけ基板ステージ２の移動を停止する（位置を固定する）。これにより、ダミー基板ＤＰの表面の第１領域５１は、液体供給装置１８から供給された液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第１時間ｔ１だけ接触する（ステップＳＡ２）。

液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第１領域５１とを第１時間ｔ１だけ接触させた後、制御装置８は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第２領域５２とを接触させるために、基板ステージ２をＸＹ方向に移動する。制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給と並行して、その供給口１５から供給された液体ＬＱを回収口１６から回収することによって、ダミー基板ＤＰの表面上の第２領域５２液浸空間ＬＳを形成する。

制御装置８は、その位置で第２時間ｔ２だけ基板ステージ２の移動を停止する（位置を固定する）。本実施形態において、第２時間ｔ２は、第１時間ｔ１より長い。これにより、ダミー基板ＤＰの表面の第２領域５２は、液体供給装置１８から供給された液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第２時間ｔ２だけ接触する（ステップＳＡ３）。

液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第２領域５２とを第２時間ｔ２だけ接触させた後、制御装置８は、基板ステージ２の位置を調整して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第３領域５３とを接触させる。制御装置８は、基板ステージ２の移動を停止するとともに、供給口１５からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収を実行して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第３領域５３とを第３時間ｔ３だけ接触させる（ステップＳＡ４）。本実施形態において、第３時間ｔ３は、第１，第２時間ｔ１，ｔ２より長い。

液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第３領域５３とを第３時間ｔ３だけ接触させた後、制御装置８は、基板ステージ２の位置を調整して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第４領域５４とを接触させる。制御装置８は、基板ステージ２の移動を停止するとともに、供給口１５からの液体ＬＱの供給と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収を実行して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第４領域５４とを第４時間ｔ４だけ接触させる（ステップＳＡ５）。本実施形態において、第４時間ｔ４は、第１，第２，第３時間ｔ１，ｔ２，ｔ３より長い。

上述のステップＳＡ１〜ＳＡ５の動作において、制御装置８は、プレート部材Ｔの上面と液体ＬＱを接触させないように、液浸空間ＬＳを形成する。すなわち、制御装置８は、プレート部材Ｔと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとが接触しないように、基板ステージ２の位置を調整する。

上述のステップＳＡ１〜ＳＡ５の動作が終了した後、ダミー基板ＤＰの表面の観察が実行される。例えば、制御装置８は、搬送装置（不図示）を用いて、ダミー基板ＤＰを第１保持部３１からアンロードする。アンロードされたダミー基板ＤＰは、所定の観察装置に送られる。本実施形態において、観察装置は、ダミー基板ＤＰの表面の画像を取得可能なカメラ、あるいは走査型電子顕微鏡である。観察装置は、そのダミー基板ＤＰの表面を観察し、そのダミー基板ＤＰの表面の画像を取得する。これにより、そのダミー基板ＤＰの表面の汚染状態が確認される。

本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの表面の第１〜第４領域５１〜５４の表面状態に基づいて、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱの汚染状態を確認する（ステップＳＡ６）。例えば、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱ中に異物が混入している場合、その液体ＬＱとダミー基板ＤＰの表面とを接触させることによって、その液体ＬＱ中の異物がダミー基板ＤＰの表面に付着する可能性が高い。したがって、そのダミー基板ＤＰの表面の状態を観察装置で観察し、そのダミー基板ＤＰの表面に異物が付着しているか否かを確認することによって、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱ中に異物が混入しているか否かを確認することができる。

液体供給装置１８から供給された液体ＬＱとダミー基板ＤＰの表面との接触時間に応じて、そのダミー基板ＤＰの表面に付着する異物の量が変化する。換言すれば、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱが汚染されている場合、その液体ＬＱとダミー基板ＤＰの表面との接触時間が長いほど、そのダミー基板ＤＰの表面の汚染（汚染度）が悪化する。したがって、第１領域５１の汚染状態と、第２領域５２の汚染状態と、第３領域５３の汚染状態と、第４領域５４の汚染状態とが液体ＬＱとの接触時間に応じて異なるとき、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱが汚染していると判断することができる。すなわち、ダミー基板ＤＰの表面の第１，第２，第３，第４領域５１，５２，５３，５４それぞれの汚染状態を観察することによって、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱが汚染されているか否かをより精確に確認することができる。

本実施形態においては、観察装置で取得された画像データが、制御装置８に出力される。制御装置８は、その画像データを処理し、ダミー基板ＤＰの表面の第１〜第４領域５１〜５４の汚染状態を確認する。

図７は、取得されたダミー基板ＤＰの表面の画像データの一例を示す模式図である。例えば、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱが汚染されていない場合、あるいは汚染度が十分に低い場合、図７（Ａ）に示すように、ダミー基板ＤＰの表面は、クリーンである。一方、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱに異物が混入している場合、図７（Ｂ）の模式図に示すように、ダミー基板ＤＰの表面には、液体ＬＱとダミー基板ＤＰの表面との接触時間に依存した数（量）の異物が、第１〜第４領域５１〜５４のそれぞれに付着する。上述のように、本実施形態においては、第１〜第４時間ｔ１〜ｔ４のうち、第４時間ｔ４が最も長く、第４時間ｔ４に次いで第３時間ｔ３が長く、第３時間ｔ３に次いで第２時間ｔ２が長く、第１時間ｔ１が最も短い。これにより、第１〜第４領域５１〜５４のうち、第４領域５４の汚染状態が最も高く、第４領域５４に次いで第３領域５３の汚染状態が高く、第３領域５３に次いで第２領域５２の汚染状態が高く、第１領域５１の汚染状態が最も低い。このように、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱとの接触時間に応じて、各領域５１〜５４の汚染状態が異なるので、各領域５１〜５４の汚染状態が異なるとき、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱが汚染していると判断することができる。

このように、制御装置８は、観察装置の画像データに基づいて、ダミー基板ＤＰの表面の第１〜第４領域５１〜５４の汚染状態を確認することによって、液体供給装置１８から供給された液体ＬＱの汚染状態を確認することができる。

上述の確認処理において、液体供給装置１８から供給されたＬＱの汚染が確認された場合、制御装置８は、液体供給装置１８をメンテナンスする。本実施形態において、液体供給装置１８のメンテナンスは、例えばフィルタユニット１８Ｆの交換を含む。また、液体供給装置１８のメンテナンスとして、流路１７のクリーニング、供給管３３の交換、液浸部材７の交換が実行されてもよい。

なお、液体ＬＱの汚染状態を確認する上述シーケンスにおいては、ダミー基板ＤＰ上の４つの領域上で液浸空間ＬＳを形成しているが、これに限定されず、ダミー基板ＤＰ上の少なくとも２つの領域上で液浸空間ＬＳが形成されればよい。

次に、液浸部材７の汚染状態を確認する確認処理を含むメンテナンスシーケンスについて説明する。

図８のフローチャートに示すように、本実施形態においては、メンテナンスシーケンスは、第１保持部３１でダミー基板ＤＰを保持する動作（ステップＳＢ１）と、液浸部材７とダミー基板ＤＰとの間に液浸空間ＬＳを形成し、液浸空間ＬＳの液体ＬＱとダミー基板ＤＰの表面とを接触させた状態で、液浸部材７に対してダミー基板ＤＰを所定の移動経路で移動する動作（ステップＳＢ２）と、ダミー基板ＤＰの表面の汚染状態とダミー基板ＤＰの表面上における液浸空間ＬＳの移動軌跡との相関関係に基づいて、液浸部材７の下面１４の汚染状態を確認する動作（ステップＳＢ３）と、を含む。本実施形態において、確認処理は、上述のステップＳＢ１〜ＳＢ３の動作を含む。また、本実施形態においては、その確認の結果、液浸部材７の下面１４が汚染されていると判断された場合に、液浸部材７のクリーニングを実行する。

確認処理を実行するために、図９に示すように、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持される（ステップＳＢ１）。

制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給と並行して、その供給口１５から供給された液体ＬＱを回収口１６から回収することによって、ダミー基板ＤＰの表面上に液浸空間ＬＳを形成する。

次に、制御装置８は、液浸部材７とダミー基板ＤＰとの間に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱと、ダミー基板ＤＰの表面とを接触させた状態で、液浸部材７に対してダミー基板ＤＰを所定の移動経路で移動する（ステップＳＢ２）。

本実施形態においては、制御装置８は、基板ステージ２を制御して、液浸空間ＬＳがダミー基板ＤＰの表面の第１位置ＰＪ１と、第１位置ＰＪ１と異なる第２位置ＰＪ２との間を所定回数だけ往復するように、液浸部材７に対してダミー基板ＤＰを移動する。

例えば、制御装置８は、ダミー基板ＤＰの表面上で液浸空間ＬＳが、図９中、矢印Ｒ２で示す移動軌跡に沿って移動するように、液浸部材７に対して基板ステージ２を移動する。

このとき、制御装置８は、ダミー基板ＤＰの周囲に配置されるプレート部材Ｔと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとが接触しないように、基板ステージ２（ダミー基板ＤＰ）を移動する。

上述のステップＳＢ１、ＳＢ２の動作が終了した後、ダミー基板ＤＰの表面の観察が実行される。例えば、制御装置８は、搬送装置を用いて、ダミー基板ＤＰを第１保持部３１からアンロードする。アンロードされたダミー基板ＤＰは、所定の観察装置に送られる。観察装置は、そのダミー基板ＤＰの表面を観察し、そのダミー基板ＤＰの表面の画像を取得する。これにより、そのダミー基板ＤＰの表面の汚染状態が確認される。

本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの表面の汚染状態と、ステップＳＢ２におけるダミー基板ＤＰの移動軌跡との相関関係に基づいて、液浸部材７の下面１４の汚染状態を確認する（ステップＳＢ３）。例えば、液浸部材７の下面１４に異物が付着している場合、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと、液浸部材７の下面１４とを接触させることによって、その液浸部材７の下面１４に付着している異物が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に混入し、その液体ＬＱ中の異物がダミー基板ＤＰの表面に付着する可能性が高い。したがって、そのダミー基板ＤＰの表面の状態を観察装置で観察し、そのダミー基板ＤＰの表面に異物が付着しているか否かを確認することによって、液浸部材７の下面１４に異物が付着しているか否かを確認することができる。

また、ダミー基板ＤＰの表面上で液浸空間ＬＳを移動軌跡Ｒ２で移動した場合、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、移動軌跡Ｒ２に応じたダミー基板ＤＰの一部の領域と接触する。したがって、液浸部材７の下面１４に異物が付着している場合、その異物は、液浸空間ＬＳの移動軌跡Ｒ２に沿ってダミー基板ＤＰの表面の一部の領域に付着する。したがって、液浸空間ＬＳの移動軌跡Ｒ２に沿ってダミー基板ＤＰの表面の一部の領域に異物が付着している場合、液浸部材７の下面１４が汚染していると判断することができる。

本実施形態においては、観察装置で取得された画像データが、制御装置８に出力される。制御装置８は、その画像データを処理し、ダミー基板ＤＰの表面の汚染状態を確認する。

図１０は、取得されたダミー基板ＤＰの表面の画像データの一例を示す模式図である。例えば、液浸部材７の下面１４が汚染されていない場合、あるいは汚染度が十分に低い場合、図１０（Ａ）に示すように、ダミー基板ＤＰの表面は、クリーンである。一方、液浸部材７の下面１４に異物が付着している場合、図１０（Ｂ）の模式図に示すように、ダミー基板ＤＰの表面には、液浸空間ＬＳの移動軌跡に沿って異物が付着する。このように、ダミー基板ＤＰの表面の汚染状態（汚染領域）が液浸空間ＬＳの移動軌跡に依存している場合、液浸部材７が汚染されていると判断することができる。制御装置８は、観察装置の画像データに基づいて、ダミー基板ＤＰの表面の汚染状態を確認することによって、液浸部材７の下面１４の汚染状態を確認することができる。

上述の確認処理において、液浸部材７の下面１４の汚染が許容できないと判断された場合、制御装置８は、液浸部材７をクリーニングする。

本実施形態において、クリーニングは、クリーニング液体を用いて実行される。本実施形態においては、クリーニング液体として、基板Ｐの露光に用いられる液体ＬＱを用いる。

例えば、上述の確認処理において、液浸部材７の下面１４の汚染が確認された場合、図１１に示すように、制御装置８は、液浸部材７と、例えばダミー基板ＤＰ等、清浄な物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成した状態で、液浸部材７に対して、物体をＸＹ方向に移動する。本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行して、液浸部材７と物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成して、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱと液浸部材７の下面１４とを接触させた状態で、物体をＸＹ平面内で移動させる。これにより、液浸部材７の下面１４が、液体ＬＱでクリーニングされる。

なお、液浸部材７の下面１４の汚染状態を確認する上述のシーケンスにおいては、液浸空間ＬＳの移動軌跡Ｒ２が直線状であるが、移動軌跡に曲線が含まれていてもよい。例えば、ダミー基板ＤＰの表面上で液浸空間ＬＳの移動軌跡が円状となるように、基板ステージ２を移動してもよよい。

次に、プレート部材Ｔの上面の汚染状態を確認する確認処理を含むメンテナンスシーケンスについて説明する。

図１２のフローチャートに示すように、本実施形態においては、メンテナンスシーケンスは、第１保持部３１で第１ダミー基板ＤＰ１を保持する動作（ステップＳＣ１）と、第１ダミー基板ＤＰ１の周囲のプレート部材Ｔと液体ＬＱとが接触しないように第１ダミー基板ＤＰ１の表面と液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを接触させる動作（ステップＳＣ２）と、第１保持部３１で第２ダミー基板ＤＰ２を保持する動作（ステップＳＣ３）第２ダミー基板ＤＰ２の表面及びプレート部材Ｔの表面と液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを接触させる動作（ステップＳＣ４）と、第１ダミー基板ＤＰ１の表面状態及び第２ダミー基板ＤＰ２の表面状態に基づいて、プレート部材Ｔの汚染状態を確認する動作（ステップＳＣ５）とを含む。本実施形態において、確認処理は、上述のステップＳＣ１〜ＳＣ５の動作を含む。また、本実施形態においては、その確認の結果、プレート部材Ｔの汚染が許容できないと判断した場合、制御装置８はプレート部材Ｔをクリーニングする動作を実行する。

確認処理を実行するために、図１３に示すように、第１保持部３１に第１ダミー基板ＤＰ１が保持される（ステップＳＣ１）。

制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給と並行して、その供給口１５から供給された液体ＬＱを回収口１６から回収することによって、第１ダミー基板ＤＰ１の表面上に液浸空間ＬＳを形成する。

次に、制御装置８は、液浸部材７と第１ダミー基板ＤＰ１との間に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱと、第１ダミー基板ＤＰ１の表面とを接触させた状態で、図１３の矢印Ｒ１ａで示す移動軌跡に沿って第１ダミー基板ＤＰ１の表面上で液浸空間ＬＳが移動するように、液浸部材７に対して第１ダミー基板ＤＰ１を移動する（ステップＳＣ２）。このとき、制御装置８は、プレート部材Ｔと液体ＬＱとが接触しないように、基板ステージ２を移動する。

本実施形態においては、制御装置８は、基板Ｐの複数のショット領域ＳＨを露光するための移動経路のうち、基板Ｐの中央の一部のショット領域ＳＨを露光するような移動経路で第１ダミー基板ＤＰ１（基板ステージ２）を移動する。

第１ダミー基板ＤＰ１の表面と液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを接触させる動作が終了した後、制御装置８は、第１保持部３１から第１ダミー基板ＤＰ１をアンロードする。第１保持部３１から第１ダミー基板ＤＰ１がアンロードされた後、制御装置８は、第１保持部３１に第２ダミー基板ＤＰ２をロードする。これにより、図１４に示すように、第１保持部３１に第２ダミー基板ＤＰ２が保持される（ステップＳＣ３）。

次に、制御装置８は、液浸部材７と第２ダミー基板ＤＰ２との間に液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板Ｐの露光時における露光光ＥＬに対する基板Ｐの移動条件とほぼ同じ移動条件で、第２ダミー基板ＤＰ２（基板ステージ２）を移動する。制御装置８は、基板Ｐの露光時における露光光ＥＬに対する基板Ｐの速度、加速度、及び移動軌跡Ｒ１とほぼ同じ速度、加速度、及び移動経路で基板ステージ２（第２ダミー基板ＤＰ２及びプレート部材Ｔ）を移動する。

液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの露光時と同様に井基板ステージ２を移動することによって、液浸空間ＬＳは、第２ダミー基板ＤＰ２の表面上及びプレート部材Ｔの上面上の両方に形成される。すなわち、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、第２ダミー基板ＤＰ２の表面、及びプレート部材Ｔの上面の両方に接触する（ステップＳＣ４）。

例えば、図１４に示すように、液浸空間ＬＳが移動軌跡Ｒ１で移動するとき、その移動軌跡Ｒ１の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳが、第２ダミー基板ＤＰ２とプレート部材Ｔとの間に形成されたギャップＧ１ｂ上に配置される状況が発生する。すなわち、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、第２ダミー基板ＤＰ２の表面とプレート部材Ｔの上面とに同時に接触する状況が発生する。

第２ダミー基板ＤＰ２の表面及びプレート部材Ｔの上面と液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを接触させる動作が終了した後、制御装置８は、第１保持部３１から第２ダミー基板ＤＰ２をアンロードする。

上述のステップＳＣ１〜ＳＣ４の動作が終了した後、第１，第２ダミー基板ＤＰ１，ＤＰ２の表面の観察が、観察装置によって実行される。観察装置は、その第１，第２ダミー基板ＤＰ１，ＤＰ２の表面を観察し、その第１，第２ダミー基板ＤＰ１，ＤＰ２の表面の画像を取得する。これにより、その第１，第２ダミー基板ＤＰ１，ＤＰ２の表面の汚染状態が確認される。

本実施形態においては、第１，第２ダミー基板ＤＰ１，ＤＰ２の表面状態に基づいて、プレート部材Ｔの汚染状態を確認する（ステップＳＣ５）。例えば、プレート部材Ｔの表面（上面及び／又は内側面）に異物が付着している場合、ステップＳＣ４において、そのプレート部材Ｔの表面と接触した液体ＬＱと第２ダミー基板ＤＰ２の表面とが接触することによって、そのプレート部材Ｔの表面に付着していた異物が、液体ＬＱを介して、第２ダミー基板ＤＰ２の表面に付着する可能性が高い。したがって、その第２ダミー基板ＤＰ２の表面の状態を観察装置で観察し、その第２ダミー基板ＤＰ２の表面への異物の付着状態を確認することによって、プレート部材Ｔの表面への異物の付着状態を確認することができる。

また、本実施形態においては、プレート部材Ｔと接触していない液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触した第１ダミー基板ＤＰ１の表面状態も観察される。本実施形態においては、第２ダミー基板ＤＰ２の表面の汚染状態を評価するとき、第１ダミー基板ＤＰ１の表面状態が参照される。本実施形態においては、第１ダミー基板ＤＰ１の表面の汚染状態が、第２ダミー基板ＤＰ２の表面の汚染状態より悪いとき、プレート部材Ｔが汚染していると判断される。第１，第２ダミー基板ＤＰ１，ＤＰ２それぞれの表面の汚染状態を観察することによって、プレート部材Ｔが汚染されているか否かをより精確に確認することができる。

観察装置で取得された画像データは、制御装置８に出力される。制御装置８は、その画像データを処理し、第１，第２ダミー基板ＤＰ１，ＤＰ２の表面の汚染状態を確認することによって、プレート部材Ｔの上面の汚染状態を判断することができる。

本実施形態によれば、ステップＳＣ４において、基板Ｐの露光時とほぼ同じ移動条件で、第２ダミー基板ＤＰ２を保持した基板ステージ２が移動するので、基板Ｐの露光時に基板Ｐに生じる可能性がある汚染状態を確認することができる。

上述の確認処理において、プレート部材Ｔの汚染が許容できないと判断した場合、制御装置８は、プレート部材Ｔをクリーニングする。

本実施形態において、クリーニングは、クリーニング液体を用いて実行される。本実施形態においては、クリーニング液体として、基板Ｐの露光に用いられる液体ＬＱを用いる。

例えば、上述の確認処理において、液浸部材４の下面１４の汚染が確認された場合、制御装置８は、第１保持部３１に、例えばダミー基板ＤＰ等、清浄な物体を保持した状態で、基板ステージ２上に液浸空間ＬＳを形成して、液浸部材７に対して、基板ステージ２をＸＹ方向に移動する。制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行して、液浸部材７と基板ステージ２との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成して、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱとプレート部材Ｔ表面とを接触させた状態で、基板ステージ２をＸＹ平面内で移動させる。これにより、プレート部材Ｔの表面が、液体ＬＱでクリーニングされる。

図１５は、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを用いてプレート部材Ｔの上面をクリーニングするときの基板ステージ２の動作の一例を示す図である。制御装置８は、プレート部材Ｔをクリーニングする際、例えば図１５に示すように、液浸空間ＬＳが、矢印Ｒ３で示す移動軌跡に沿って移動するように、液浸部材７に対して基板ステージ２の移動することができる。

なお、上述のステップＳＣ２，ＳＣ４における基板ステージ２の移動経路は、基板Ｐの露光時における移動経路と異なってもよい。例えば、ステップＳＣ２において、図１６中、矢印Ｒ４で示す移動軌跡に沿って液浸空間ＬＳが第１ダミー基板ＤＰ１上で移動するように液浸部材７に対して基板ステージ２（第１ダミー基板ＤＰ１）を移動してもよいし、ステップＳＣ４において、図１７中、矢印Ｒ５で示す移動軌跡に沿って液浸空間ＬＳが第２ダミー基板ＤＰ２上で移動するように液浸部材７に対して基板ステージ２（第２ダミー基板ＤＰ２）を移動してもよい。

図１６に示す例では、制御装置８は、プレート部材Ｔの表面と液浸空間ＬＳの液体ＬＱとが接触しないように、液浸空間ＬＳを第１ダミー基板ＤＰ１の表面の第１領域６１に配置した状態で、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第１領域６１とが所定時間だけ接触し続けるように、基板ステージ２（第１ダミー基板ＤＰ１）の位置をほぼ停止する（位置を固定する）。

液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第１領域６１とを接触させた後、制御装置８は、プレート部材Ｔの表面と液浸空間ＬＳの液体ＬＱとが接触しないように、基板ステージ２をＸＹ方向に移動して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと第１ダミー基板ＤＰ１の表面の第２領域６２とが所定時間だけ接触し続けるように、基板ステージ２（第１ダミー基板ＤＰ１）の位置をほぼ停止する（位置を固定する）。

同様に、制御装置８は、液浸空間ＬＳを第１ダミー基板ＤＰ１の表面の第３領域６３上に配置した状態で、第１ダミー基板ＤＰ１の位置をほぼ停止する動作を実行した後、第４領域６４上に配置した状態で、第１ダミー基板ＤＰ１の位置をほぼ停止する動作を実行する。

また、図１７に示す例では、制御装置８は、第２ダミー基板ＤＰ２の表面及びプレート部材Ｔの表面と液浸空間ＬＳの液体ＬＱとが接触するように、液浸空間ＬＳを第２ダミー基板ＤＰ２とプレート部材Ｔとの間に形成されたギャップＧ１ｂの第１部分７１上に配置した状態で、所定時間だけ、基板ステージ２（第２ダミー基板ＤＰ２及びプレート部材Ｔ）の位置をほぼ停止する（位置を固定する）。

液浸空間ＬＳを第１部分７１上に配置した後、制御装置８は、基板ステージ２をＸＹ方向に移動して、液浸空間ＬＳをギャップＧ１ｂの第２部分７２上に配置した状態で、所定時間だけ、基板ステージ２（第２ダミー基板ＤＰ２及びプレート部材Ｔ）の位置をほぼ停止する。

同様に、制御装置８は、液浸空間ＬＳをギャップＧ１ｂの第３部分７３上に配置した状態で、基板ステージ２の位置をほぼ停止する動作を実行した後、第４部分７４上に配置した状態で、基板ステージ２の位置をほぼ停止する動作を実行する。

そして、第１，第２ダミー基板ＤＰ１，ＤＰ２の表面の汚染状態を観察することによって、プレート部材Ｔの表面の汚染状態を確認することができる。図１６及び図１７に示す例によれば、確認処理を短時間で実行することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、液体ＬＱの汚染状態、液浸部材７の汚染状態、及びプレート部材Ｔの汚染状態を確認することができる。したがって、液体供給装置１８、液浸部材７、及びプレート部材Ｔを効率良くメンテナンスできる。なお、液体ＬＱ、液浸部材７、プレート部材Ｔのすべての汚染状態を、その順で確認する必要はなく、少なくとも一つを実行するだけでもよい。

また、本実施形態においては、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角と、液体ＬＱに対する基板Ｐの表面の接触角とがほぼ同じなので、終端光学素子１２及び液浸部材７とダミー基板ＤＰの表面との間に液浸空間ＬＳを良好に形成することができる。また、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角を、液体ＬＱに対する基板Ｐの表面の接触角より高くすることによっても、終端光学素子１２及び液浸部材７とダミー基板の表面との間に液浸空間ＬＳを良好に形成することができる。

なお、上述の実施形態においては、第１保持部３１にダミー基板ＤＰを保持して、確認処理を実行しているが、第１保持部３１に露光用の基板Ｐを保持して、確認処理を実行してもよい。

なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐの露光に用いる液体ＬＱを用いて、液浸部材７及びプレート部材Ｔをクリーニングする場合を例にして説明したが、露光用の液体ＬＱと異なる液体を用いてクリーニングしてもよい。例えば、アルカリ洗浄液を用いて、液浸部材７及びプレート部材Ｔをクリーニングすることができる。その場合、供給口１５よりアルカリ洗浄液を供給して、液浸部材７とプレート部材Ｔとの間にアルカリ洗浄液で液浸空間を形成して、それら液浸部材７及びプレート部材Ｔをクリーニングすることができる。

また、液浸部材７と異なるクリーニング用の液浸部材を設け、例えばプレート部材Ｔをクリーニングする際、そのクリーニング用の液浸部材とプレート部材Ｔとの間に液浸空間を形成して、プレート部材Ｔをクリーニングしてもよい。クリーニング用の液浸部材で液浸空間を形成する場合、基板Ｐの露光に用いられる液体ＬＱで液浸空間を形成してもよいし、アルカリ洗浄液等、液体ＬＱとは異なる液体で液浸空間を形成してもよい。

また、液浸部材７、及び／又はプレート部材Ｔをクリーニングする際、液浸空間の液体に超音波振動を与えてもよい。

また、クリーニング対象の部材に紫外線（例えば露光光ＥＬ）を照射して、クリーニング対象部材を光洗浄してもよい。光洗浄については、例えば米国特許出願公開２００７／０２５８０７２号明細書に記載されている。

なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸの部材、及び／又は部品の汚染状態の確認処理が、液体ＬＱを介して露光された基板Ｐの状態に基づいて開始されることとしたが、例えば所定時間間隔毎、所定枚数の基板Ｐを露光する毎、各ロット内の１枚目の基板Ｐの露光処理を開始する直前など、所定のタイミングで実行されてもよい。

なお、上述の各実施形態において、観察装置は、露光装置ＥＸが備えていてもよいし、露光装置ＥＸの外に配置されていてもよい。露光装置ＥＸの外部に配置された観察装置を使用する場合には、露光装置ＥＸから観察装置へダミー基板ＤＰをオペレータが運んでもよいし、露光装置ＥＸと観察装置との間に配置された搬送装置を使って、露光装置ＥＸから観察装置へダミー基板ＤＰを搬送してもよい。

また、上述の各実施形態においては、制御装置８が観察装置で取得された画像データに基づいて、評価対象部材の汚染状態を確認しているが、露光装置ＥＸ、または観察装置に設けられた表示装置にダミー基板ＤＰの汚染状態を表示して、オペレータが評価対象部材の汚染状態を判断してもよい。

また、上述の実施形態においては、部材、及び／又は部品の汚染が許容できないと判断された場合に、その部材及び／または部品のクリーニングを実施しているが、クリーニングを行わずに交換してもよい。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。基板処理ステップは、上述の実施形態に従って、液体ＬＱ、液浸部材７、及びプレート部材Ｔの汚染状態の確認処理、及び確認処理の結果に応じて実行されるメンテナンス処理を含み、そのメンテナンスされた露光装置ＥＸを用いて基板が露光光で露光される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る基板ステージの一例を示す側断面図である。 本実施形態に係る液浸部材の一例を示す側断面図である。 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係る確認方法の一例を説明するための図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

２…基板ステージ、３…計測ステージ、７…液浸部材、８…制御装置、３１…第１保持部、３２…第２保持部、ＤＰ…ダミー基板、Ｐ…基板、Ｔ…プレート部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間

Claims (24)

1. 液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する第１保持部で評価部材を保持することと、
   液体供給装置から供給された液体を前記評価部材の表面の第１領域に第１時間だけ接触させることと、
   前記液体供給装置からの液体を前記第１領域と異なる前記評価部材の表面の第２領域に前記第１時間と異なる第２時間だけ接触させることと、
   前記第１領域及び前記第２領域の表面状態に基づいて、前記液体供給装置から供給された前記液体の汚染状態を確認することと、を含む確認方法。
2. 前記第１領域の汚染状態と前記第２領域の汚染状態とが異なるとき、前記液体が汚染していると判断する請求項１記載の確認方法。
3. 前記評価部材の周囲に配置される第１部材と前記液体とが接触しないように、前記液浸空間が形成される請求項１又は２記載の確認方法。
4. 前記液体供給装置の供給口からの液体の供給と並行して、前記供給口から供給された前記液体を回収口から回収することによって、前記液浸空間が形成される請求項１〜３のいずれか一項記載の確認方法。
5. 前記評価部材は、前記液体に対する接触角が前記基板の表面とほぼ同じ、又は前記液体に対する接触角が前記基板の表面よりも大きい表面を有するダミー基板を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の確認方法。
6. 液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する第１保持部で評価部材を保持することと、
   前記露光光の光路が液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材と前記評価部材との間に形成された液浸空間の液体と、前記評価部材の表面とを接触させた状態で、前記液浸部材に対して前記評価部材を所定の移動経路で移動することと、
   前記評価部材の表面の汚染状態と前記移動経路との相関関係に基づいて、前記液体と接触する前記液浸部材の液体接触面の汚染状態を確認することと、を含む確認方法。
7. 前記液浸空間が前記評価部材の表面の第１位置と、前記第１位置と異なる第２位置との間を所定回数だけ往復するように、前記液浸部材に対して前記評価部材を移動する請求項６記載の確認方法。
8. 前記評価部材の周囲に配置される第１部材と前記液体とが接触しないように、前記液浸空間が形成される請求項６又は７記載の確認方法。
9. 供給口からの液体の供給と並行して、前記供給口から供給された液体を回収口から回収することによって、前記液浸空間が形成される請求項６〜８のいずれか一項記載の確認方法。
10. 前記評価部材は、前記液体に対する接触角が前記基板の表面とほぼ同じ、又は前記液体に対する接触角が前記基板の表面よりも大きい表面を有するダミー基板を含む請求項６〜９のいずれか一項記載の確認方法。
11. 液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する第１保持部で第１評価部材を保持することと、
    前記第１評価部材の周囲の第１部材と液体とが接触しないように前記第１評価部材の表面上に液浸空間を形成して、前記第１評価部材の表面と前記液体とを接触させる第１動作を実行することと、
    前記第１保持部で第２評価部材を保持することと、
    前記第２評価部材の表面上及び前記第１部材の表面上に液浸空間を形成して、前記第２評価部材の表面及び前記第１部材の表面と前記液体とを接触させる第２動作を実行することと、
    前記第１評価部材の表面状態及び前記第２評価部材の表面状態に基づいて、前記第１部材の表面の汚染状態を確認することと、を含む確認方法。
12. 前記第１評価部材の表面の汚染状態と前記第２評価部材の表面の汚染状態とが異なるとき、前記第１部材が汚染していると判断する請求項１１記載の確認方法。
13. 前記第１動作と前記第２動作との間で、前記第１保持部から前記第１評価部材をアンロードすることを含む請求項１１又は１２記載の確認方法。
14. 前記第２動作は、前記基板の露光時における前記露光光に対する前記基板の移動条件とほぼ同じ移動条件で前記第２評価部材及び前記第１部材を移動する請求項１１〜１３のいずれか一項記載の確認方法。
15. 前記第２動作の少なくとも一部において、前記液浸空間が前記第２評価部材と前記第１部材との間に形成されたギャップ上に配置される請求項１１〜１４のいずれか一項記載の確認方法。
16. 前記第２動作は、前記液浸空間が前記第２評価部材と前記第１部材との間に形成されたギャップ上に配置された状態で、前記第２評価部材及び前記第１部材の位置をほぼ停止することを含む請求項１１〜１５のいずれか一項記載の確認方法。
17. 前記第１部材は、前記第１保持部の周囲に配置された第２保持部にリリース可能に保持されるプレート部材を含む請求項１１〜１６のいずれか一項記載の確認方法。
18. 供給口からの液体の供給と並行して、前記供給口から供給された前記液体を回収口から回収することによって、前記液浸空間が形成される請求項１１〜１７のいずれか一項記載の確認方法。
19. 前記第１評価部材及び前記第２評価部材の少なくとも一方は、前記液体に対する接触角が前記基板の表面とほぼ同じ、又は前記液体に対する接触角が前記基板の表面より大きい表面を有するダミー基板を含む請求項１１〜１８のいずれか一項記載の確認方法。
20. 請求項１〜５のいずれか一項記載の確認方法を用いて、液体を介して基板を露光する液浸露光装置における前記液体の汚染状態を確認することと、
    前記確認の結果に応じて、前記液体供給装置をメンテナンスすることと、を含むメンテナンス方法。
21. 請求項６〜１０のいずれか一項記載の確認方法を用いて、液体を介して基板を露光する液浸露光装置の液浸部材の液体接触面の汚染状態を確認することと、
    前記確認の結果に応じて、前記液浸部材をクリーニングすることと、を含むメンテナンス方法。
22. 請求項１１〜１９のいずれか一項記載の確認方法を用いて、液体を介して基板を露光する液浸露光装置の第１部材の表面の汚染状態を確認することと、
    前記確認の結果に応じて、前記第１部材をクリーニングすることと、を含むメンテナンス方法。
23. 前記確認は、前記液体を介して露光された前記基板の表面状態、及び／又は前記液体を介して露光された前記基板のパターンの欠陥に基づいて実行される請求項２３〜２５のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
24. 請求項２０〜２３のいずれか一項記載のメンテナンス方法でメンテナンスされた液浸露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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