JP2011108735A - 洗浄部材、露光装置、洗浄方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制できる洗浄部材を提供する。
【解決手段】洗浄部材は、第１液体と接触する射出面から射出される露光光で第１液体を介して基板を露光する露光装置の、第１液体と接触する接液部材の接触面を射出面から射出される露光光で光洗浄するために用いられる。洗浄部材は、射出面と対向する位置で、射出面から射出される露光光を反射して接触面の少なくとも一部に照射する楕円形の反射面を備える。
【選択図】図４

Description

本発明は、洗浄部材、露光装置、洗浄方法、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。

特開２００８−２６３０９１号公報 特開２００９−０３３１６２号公報

液浸露光装置において、液体と接触する部材が汚染される可能性がある。例えば、その部材に汚染物（異物）が付着している状態を放置しておくと、その汚染物に起因して基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが製造される可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる洗浄部材、露光装置、及び洗浄方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、第１液体と接触する射出面から射出される露光光で第１液体を介して基板を露光する露光装置の、第１液体と接触する接液部材の接触面を射出面から射出される露光光で光洗浄するために用いられる洗浄部材であって、射出面と対向する位置で、射出面から射出される露光光を反射して接触面の少なくとも一部に照射する楕円形の反射面を備える洗浄部材が、提供される。

本発明の第２の態様に従えば、第１液体と接触する射出面から射出される露光光で第１液体を介して基板を露光する露光装置の、第１液体と接触する接液部材の接触面を射出面から射出される露光光で光洗浄するために用いられる洗浄部材であって、射出面と対向する位置に配置され、射出面から射出される露光光を反射して接触面の少なくとも一部に照射する反射面を備え、射出面と反射面とが対向する方向と平行な第１軸と、第１軸に直交する第２軸とを含む第１面に沿って反射面で反射する露光光の最周縁の光線がなす第１角度と、第１軸と、第１軸及び第２軸に直交する第３軸とを含む第２面に沿って反射面で反射する露光光の最周縁の光線がなす第２角度とが異なる洗浄部材が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第１液体と接触する接液部材の接触面を露光光で光洗浄するために、光洗浄時、露光光が射出する射出面と対向して、第１、第２の態様の洗浄部材が配置される露光装置が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、第１液体と接触する射出面から射出される露光光で第１液体を介して基板を露光する露光装置であって、 第１液体と接触する接触面を有する接液部材と、接触面の少なくとも一部に洗浄光を照射して接触面を洗浄する洗浄装置と、を備え、 接触面に照射される洗浄光の単位面積当たりの積算光量は、基板に照射される射出面から射出される露光光の単位面積当たりの積算光量より大きい露光装置が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第３、第４の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第１液体と接触する射出面から射出される露光光で第１液体を介して基板を露光する露光装置の、第１液体と接触する接液部材の接触面を光洗浄する洗浄方法であって、射出面と対向する位置に楕円形の反射面を配置することと、射出面から射出される露光光を、楕円形の反射面で反射して接触面の少なくとも一部に照射して光洗浄することと、を含む洗浄方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、第１液体と接触する射出面から射出される露光光で第１液体を介して基板を露光する露光装置の、第１液体と接触する接液部材の接触面を射出面から射出される露光光で光洗浄する洗浄方法であって、射出面と対向する位置に反射面を配置することと、射出面と反射面とが対向する方向と平行な第１軸と第１軸に直交する第２軸とを含む第１面に沿って反射する露光光の最周縁の光線がなす第１角度と、第１軸と第１軸及び第２軸に直交する第３軸とを含む第２面に沿って反射する露光光の最周縁の光線がなす第２角度とが異なるように、射出面から射出される露光光を反射面で反射することと、反射面で反射される露光光を接触面の少なくとも一部に照射して光洗浄することと、を含む洗浄方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、第１液体と接触する射出面から射出される露光光で第１液体を介して基板を露光する露光装置の洗浄方法であって、第１液体と接触する接液部材の接触面の少なくとも一部に洗浄光を照射して接液面を光洗浄することと、接液面に照射される洗浄光の単位面積当たりの積算光量は、基板に照射される射出面から射出される露光光の単位面積当たりの積算光量より大きいことと、を含む洗浄方法が提供される。

本発明の第９の態様に従えば、第６、第７、第８の態様の洗浄方法を用いて接触面を洗浄することと、露光光で基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る液浸部材の一例を示す側断面図である。 本実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージの一例を示す平面図である。 本実施形態に係る洗浄部材が配置された計測ステージの一例を示す側断面図である。 本実施形態に係る洗浄部材が配置された計測ステージの一部を示す平面図である。 本実施形態に係る露光方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための模式図である。 本実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための模式図である。 本実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための模式図である。 本実施形態に係る洗浄部材の光学特性を説明するための模式図である。 本実施形態に係るメンテナンスシーケンスの一例を説明するための模式図である。 本実施形態に係る洗浄部材の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る洗浄部材の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る洗浄部材の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る洗浄部材の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る洗浄部材の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る洗浄部材の一例を示す模式図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、第１液体ＬＱ１を介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、第１液体ＬＱ１として、水（純水）を用いる。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が第１液体ＬＱ１で満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８とを備えている。

液浸空間ＬＳは、液体で満たされた部分（空間、領域）である。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。

なお、基板を保持して移動可能な基板ステージと、基板を保持せずに、露光光を計測する計測部材（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されており、その内容を援用して本文の記載の一部とする。

また、露光装置ＥＸは、第１液体ＬＱ１と接触する液浸部材７の表面の少なくとも一部を、投影光学系ＰＬの射出面１３から射出される露光光ＥＬで光洗浄するために用いられる洗浄部材５０を備えている。洗浄部材５０は、射出面１３から射出される露光光ＥＬを反射して液浸部材７の表面の少なくとも一部に照射する反射面５１を有する。本実施形態において、洗浄部材５０は、計測ステージ３に配置されている。

照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、紫外光であるＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いる。照明系ＩＬの一例が、例えば米国特許出願公開第２００６／０１７０９０１号明細書に開示されており、その内容を援用して本文の記載の一部とする。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。ガイド面９Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。マスクステージ１は、例えば平面モータ、リニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムの作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部にマスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態において、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸とほぼ平行である。投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。射出面１３は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち像面に最も近い終端光学素子１２に配置されている。本実施形態において、射出面１３は−Ｚ方向を向いている。本実施形態において、射出面１３は、ＸＹ平面とほぼ平行である。なお、−Ｚ方向を向く射出面１３が−Ｚ側に突出する凸面でもよいし、凹面でもよい。

基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、射出面１３と対向する位置に移動可能である。投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲは、射出面１３と対向する位置を含む。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、射出面１３と対向する位置を含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ内において移動可能である。本実施形態において、ガイド面１０Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、ガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃ、計測器、及び洗浄部材５０を搭載した状態で、ガイド面１０Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、例えば平面モータ、リニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムの作動により、ガイド面１０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

本実施形態において、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置情報は、レーザ干渉計ユニット１１Ａ、１１Ｂを含む干渉計システム１１によって計測される。基板Ｐの露光、所定の計測を含む露光シーケンスを実行するとき、あるいは洗浄部材５０を用いる洗浄を含むメンテナンスシーケンスを実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果に基づいて、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ、洗浄部材５０）の位置制御を実行する。

液浸部材７の少なくとも一部は、終端光学素子１２（射出面１３）の周囲に配置されている。液浸部材７は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱ１で満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液浸部材７は、基板Ｐに照射される射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱ１で満たされるように基板Ｐとの間で第１液体ＬＱ１を保持して、液浸空間ＬＳを形成する。基板Ｐの露光において、液浸空間ＬＳの第１液体ＬＱ１は、射出面１３及び基板Ｐの表面のそれぞれに接触する。第１液体ＬＱ１と接触する射出面１３から射出される露光光ＥＬで、第１液体ＬＱ１を介して基板Ｐが露光される。Ｚ軸方向において、投影光学系ＰＬの焦点面において、基板Ｐが露光される。

液浸部材７は、射出面１３と対向する位置に配置される物体の表面（上面）と対向可能な下面１４を有する。その物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に配置されている洗浄部材５０の少なくとも一つを含む。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の表面（上面）との間に第１液体ＬＱ１が保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱ１で満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

基板Ｐの露光において、液浸部材７は、射出面１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱ１で満たされるように、基板Ｐとの間で第１液体ＬＱ１を保持して液浸空間ＬＳを形成する。第１液体ＬＱ１は、射出面１３及び下面１４と基板Ｐの表面との間に保持される。基板Ｐの露光において、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部は、第１液体ＬＱ１と接触する。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が第１液体ＬＱ１で覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）の少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

図２は、本実施形態に係る液浸部材７の一例を示す側断面図である。図２に示すように、液浸部材７は、射出面１３と対向する位置に開口７Ｋを有する。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。図２に示すように、液浸部材７は、開口７Ｋを取り囲むように平坦部Ｈを有する。本実施形態において、下面１４の少なくとも一部は、平坦部Ｈを含む。

また、液浸部材７は、基板Ｐ上へ第１液体ＬＱ１を供給可能な第１開口１５と、基板Ｐ上から第１液体ＬＱ１を回収可能な第２開口１６とを有する。

第１開口１５は、露光光ＥＬの光路に面するように配置されている。第１開口１５は、流路１７を介して液体供給装置１８から供給された第１液体ＬＱ１を基板Ｐ上へ供給可能である。第１開口１５から供給された第１液体ＬＱ１は、開口７Ｋを介して、基板Ｐ上へ供給される。

本実施形態において、液体供給装置１８は、第１液体ＬＱ１に溶存する酸素濃度を調整可能な調整装置６０を備えている。本実施形態において、調整装置６０は、第１液体ＬＱ１の酸素濃度を低減可能な脱気装置６１と、第１液体ＬＱ１に酸素を注入可能な注入装置６２とを含む。脱気装置６１は、例えば米国特許出願公開第２００５／０２１９４９０号明細書に開示されているような、中空糸膜に第１液体ＬＱ１を接触させて第１液体ＬＱ１の酸素濃度を低減させる膜脱気装置を含む。注入装置６２は、例えば気液混合装置を含む。また、本実施形態において、調整装置６０は、第１液体ＬＱ１に溶存するオゾン濃度を調整可能である。

第２開口１６は、基板Ｐの表面に面するように配置されている。本実施形態においては、第２開口１６は、露光光ＥＬが通過する開口７Ｋの周囲に配置されている。本実施形態においては、第２開口１６は、平坦部Ｈの周囲に配置されている。第２開口１６から回収された第１液体ＬＱ１は、流路２０を介して液体回収装置２１に回収される。液体回収装置２１は、真空システム等の吸引装置を含み、第２開口１６からの第１液体ＬＱ１を吸引して回収する。

第２開口１６には、プレート状の多孔部材１９が配置されている。多孔部材１９は、基板Ｐ上の第１液体ＬＱ１を回収可能な開口（孔）を複数有する。本実施形態において、下面１４の少なくとも一部は、多孔部材１９の下面を含む。多孔部材１９の上面が面する流路２０の圧力が液体回収装置２１によって低下される（負圧にされる）ことによって、基板Ｐ上の第１液体ＬＱ１が多孔部材１９の開口を介して流路２０に流入し、液体回収装置２１に回収される。

本実施形態においては、制御装置８は、第１開口１５からの第１液体ＬＱ１の供給動作と並行して、第２開口１６（多孔部材１９の開口）からの第１液体ＬＱ１の回収動作を実行する。これにより、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の基板Ｐ（物体）との間に第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳが形成される。

なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

図３は、基板ステージ２及び計測ステージ３を示す平面図、図４は、計測ステージ３の一部を示す側断面図、図５は、計測ステージ３の一部を示す平面図である。

図３、図４、及び図５に示すように、洗浄部材５０は、計測ステージ３に配置されている。計測ステージ３の移動によって、洗浄部材５０は、射出面１３と対向する位置に配置可能である。

洗浄部材５０は、射出面１３と対向する位置で、射出面１３から射出される露光光ＥＬを反射して液浸部材７の下面１４の少なくとも一部に照射する反射面５１を備えている。本実施形態においては、洗浄部材５０は、一つの反射面５１を備えているが、複数の反射面５１を備えていても構わない。

本実施形態において、反射面５１は、射出面１３に対して凹んだ凹面を含む。本実施形態において、反射面５１は、曲面である。本実施形態において、反射面５１は、楕円形の反射面（楕円反射面）である。楕円形の反射面は、楕円体の表面の一部と一致する面形状を有する反射面であれば構わない。反射面５１は、射出面１３に対して凹んでいる楕円反射面である。

また、洗浄部材５０は、反射面５１と対向し、射出面１３から射出される露光光が通過し、反射面５１で反射される露光光ＥＬを通過する（射出する）平坦面５２を備える。平坦面５２は、反射面５１と対向すると共に、射出面１３と反射面５１とが対向するＺ軸方向と交差する。すなわち、本実施形態において、平坦面５２は、ＸＹ平面とほぼ平行である。平坦面５２は、射出面１３と対向可能である。本実施形態において、平坦面５２と、その平坦面５２の周囲に配置される計測ステージ３の上面３Ｕとは、ほぼ同一平面内に配置される（面一である）。なお、平坦面５２は、ＸＹ平面と交差する面でも構わない。

本実施形態において、平坦面５２と反射面５１との間に、射出面１３から射出される露光光ＥＬが透過可能な透過部材が配置される。平面５２と反射面５１との間には、気体とは異なる物質で満たされている。本実施形態において、洗浄部材５０は、例えば合成石英等、露光光ＥＬを透過可能な光学部材である。すなわち、平坦面５２と反射面５１との間に合成石英等の透過部材（光学部材）が配置される。平坦面５２は、射出面１３と対向可能な光学部材の上面である。反射面５１は、上面と異なる光学部材の表面の少なくとも一部である。平坦面５２は、射出面１３から射出される露光光ＥＬを透過可能である。

射出面１３から射出され、平坦面５２に照射された露光光ＥＬは、その平坦面５２を透過（通過）して、洗浄部材（光学部材）５０の内部を通過する。洗浄部材５０の内部を通過する露光光ＥＬは、反射面５１で反射する。すなわち、反射面５１は、射出面１３から射出され、平坦面５２を透過した露光光ＥＬを反射する。反射面５１は、洗浄部材５０の内部を通過した露光光ＥＬを反射する。露光光ＥＬは、反射面５１において、内面反射する。

反射面５１で反射（内面反射）した露光光ＥＬは、洗浄部材５０の内部を通過して、平坦面５２から射出される。平坦面５２から射出された露光光ＥＬは、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部に照射される。このように、洗浄部材５０は、射出面１３から射出される露光光ＥＬを下面１４に導く。

露光光ＥＬが下面１４に照射されることによって、下面１４の少なくとも一部が光洗浄される。洗浄部材５０は、下面１４に紫外光である露光光ＥＬを照射して、その下面１４を洗浄することができる。また、露光光ＥＬが下面１４に照射されることによって、第１液体ＬＱ１に対する下面１４の少なくとも一部の親液性が高くなる。光洗浄については、例えば米国特許出願公開２００７／０２５８０７２号明細書に記載されている。

反射面（楕円反射面）５１は、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を有する。第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２は、ＸＹ平面内に配置される。本実施形態において、第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２とは、ＸＹ平面内のＹ軸方向に配置されている。

本実施形態において、平坦面５２は、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を含む。すなわち、平坦面５２に、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２が配置される。換言すれば、Ｚ軸方向に関する平坦面５２と第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２との位置が一致している。

また、反射面（楕円反射面）５１は、第３焦点Ｆ３及び第４焦点Ｆ４を有する。第３焦点Ｆ３及び第４焦点Ｆ４は、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２を含み射出面１３と反射面５１とが対向するＺ軸方向と垂直なＸＹ平面に対して、第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２との中心において直交するＸＺ平面に配置される。また、第３焦点Ｆ３及び第４焦点Ｆ４は、ＸＹ平面内に配置される。第３焦点Ｆ３と第４焦点Ｆ４とは、ＸＹ平面内のＸ軸方向に配置されている。

本実施形態において、平坦面５２は、第３焦点Ｆ３及び第４焦点Ｆ４を含む。すなわち、平坦面５２に、第３焦点Ｆ３及び第４焦点Ｆ４が配置される。換言すれば、Ｚ軸方向に関する平坦面５２と第３焦点Ｆ３と第４焦点Ｆ４との位置が一致している。

すなわち、図５に示すように、本実施形態において、第１、第２、第３、第４焦点Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４は、同一平面内（ＸＹ平面内）に配置され、第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２とを結ぶ第１直線Ｌ１と、第３焦点Ｆ３と第４焦点Ｆ４とを結ぶ第２直線Ｌ２とは、直交する。また、第１直線Ｌ１の中心と第２直線Ｌ２の中心とが交差する。

また、第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２との第１距離Ｄ１と、第３焦点Ｆ３と第４焦点Ｆ４との第２距離Ｄ２とは、異なる。

なお、本実施形態では、反射面（楕円反射面）５１は、２個の焦点を有する回転楕円体の表面の一部と一致する面形状を有する反射面でも構わない。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。

制御装置８は、基板ステージ２に対する基板Ｐの交換処理を実行する。基板Ｐの交換処理は、所定の搬送装置を用いて露光前の基板Ｐを基板ステージ２に搬入（ロード）する処理を含む。また、基板ステージ２に露光後の基板Ｐが保持されている場合、基板Ｐの交換処理は、その露光後の基板Ｐを基板ステージ２から搬出（アンロード）する処理を含む。また、基板Ｐの交換処理の少なくとも一部と並行して、計測ステージ３を用いる計測処理が実行される。計測処理は、射出面１３と対向する位置に計測ステージ３（計測部材Ｃ）を配置して、その計測部材Ｃに射出面１３から射出された露光光ＥＬを照射する処理を含む。

露光前の基板Ｐが基板ステージ２にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置８は、射出面１３と対向する位置に基板ステージ２を移動して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐ（基板ステージ２）との間に第１液体ＬＱ１で液浸空間ＬＳを形成する。射出面１３及び基板Ｐの表面のそれぞれに第１液体ＬＱ１が接触するように液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置８は、基板Ｐの露光を開始する。制御装置８は、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬでマスクＭを照明し、そのマスクＭを介した露光光ＥＬを投影光学系ＰＬ及び第１液体ＬＱ１を介して基板Ｐに照射する。これにより、基板Ｐは、第１液体ＬＱ１を接触する射出面１３から射出される露光光ＥＬで第１液体ＬＱ１を介して露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの第１液体ＬＱ１とを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。

本実施形態においては、基板Ｐの露光において、基板Ｐに照射される射出面１３から射出される露光光ＥＬの単位面積当たりの積算光量が、第１積算光量になるように、基板Ｐに対する露光光ＥＬの照射条件が調整される。制御装置８は、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの単位時間当たりの積算光量が第１積算光量になるように照射条件を調整しつつ、基板Ｐを露光する。

また、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、露光光ＥＬの光路に供給される第１液体ＬＱ１の気体濃度が第１気体濃度になるように、第１液体ＬＱ１の条件が調整される。制御装置８は、調整装置６０を用いて、基板Ｐの露光において露光光ＥＬの光路に供給される第１液体ＬＱ１の気体濃度が第１気体濃度になるように第１液体ＬＱ１の条件を調整しつつ、基板Ｐを露光する。

また、本実施形態においては、図２に示すように、制御装置８は、基板Ｐの露光において、基板Ｐの表面とほぼ平行な平面内（ＸＹ平面内）における液浸空間ＬＳの寸法（大きさ）が第１寸法Ｗ１になるように、液浸条件を調整する。液浸条件は、第１開口１５からの単位時間当たりの第１液体ＬＱ１の供給量、及び第２開口１６からの単位時間当たりの第１液体ＬＱ１の回収量の少なくとも一方を含む。例えば、制御装置８は、第１開口１５からの単位時間当たりの第１液体ＬＱ１の供給量を多くすることによって、液浸空間ＬＳの寸法を大きくすることができ、供給量を少なくすることによって、液浸空間ＬＳの寸法を小さくすることができる。また、制御装置８は、第２開口１６からの単位時間当たりの第１液体ＬＱ１の回収量を多くすることによって、液浸空間ＬＳの寸法を小さくすることができ、回収量を少なくすることによって、液浸空間ＬＳの寸法を大きくすることができる。

基板Ｐの露光が終了した後、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳを形成し、基板ステージ２に対する基板Ｐの交換処理を実行する。

以下、制御装置８は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

ところで、基板Ｐの露光中、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が、異物（汚染物、パーティクル）として液浸空間ＬＳの第１液体ＬＱ１中に混入する可能性がある。基板Ｐの交換処理、計測ステージ３を用いる計測処理、及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスの少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの第１液体ＬＱ１は、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部の領域と接触する。したがって、液浸空間ＬＳの第１液体ＬＱ１中に異物が混入すると、多孔部材１９を含む液浸部材７の下面１４の少なくとも一部に付着する可能性がある。その基板Ｐの露光において第１液体ＬＱ１と接触する液浸部材７の下面１４に異物が付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Ｐに付着したり、第１開口１５から供給された第１液体ＬＱ１が汚染されたりする可能性がある。また、液浸部材７の下面１４が汚染されると、例えば液浸空間ＬＳを良好に形成することができなくなる可能性もある。また、異物が第１液体ＬＱ１に対して撥液性である場合、その異物が下面１４に付着すると、下面１４が第１液体ＬＱ１に対して撥液性となり、液浸空間ＬＳを良好に形成することが困難となる可能性がある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、制御装置８は、所定のタイミングで、洗浄部材５０を用いて射出面１３から射出された露光光ＥＬを液浸部材７の下面１４に照射して、液浸部材７を洗浄（光洗浄）する。本実施形態において、露光光ＥＬは紫外光であり、光洗浄効果を有する。露光光ＥＬを下面１４に照射することによって、下面１４を光洗浄することができる。また、露光光ＥＬを下面１４に照射することによって、第１液体ＬＱ１に対する下面１４の親液性を高めることができる。

以下、本実施形態に係る光洗浄を含むメンテナンスシーケンスの一例について、図６のフローチャート及び図７の模式図を参照して説明する。

本実施形態において、メンテナンスシーケンスは、基板Ｐの非露光時に実行される。本実施形態のメンテナンスシーケンスは、射出面１３と対向する位置に反射面５１を配置すること（ステップＳＰ１）と、反射面５１に射出面１３から射出される露光光ＥＬを照射すること（ステップＳＰ２）と、反射面５１で反射される露光光ＥＬを下面１４の少なくとも一部に照射して光洗浄すること（ステップＳＰ３）と、を含む。なお、本実施形態においては、ステップＳＰ２とステップＳＰ３とを分けているが、メンテナンスシーケンスにおいて、ステップＳＰ２とステップＳＰ３とを同一のステップとしても構わない。すなわち、射出面１３から射出される露光光ＥＬを反射面５１に照射すること（ステップＳＰ２）とほぼ同時に、反射面５１で反射される露光光ＥＬを下面１４の少なくとも一部に照射して光洗浄すること（ステップＳＰ３）が実行される。なお、メンテナンスシーケンスが、射出面１３と対向する位置に反射面５１を配置すること（ステップＳＰ１）と、反射面５１で反射される露光光ＥＬを下面１４の少なくとも一部に照射して光洗浄すること（ステップＳＰ３）としても構わない。

また、本実施形態のメンテナンスシーケンスにおいては、下面１４に照射される露光光ＥＬの単位時間当たりの積算光量が、基板Ｐに照射される射出面１３から射出される露光光ＥＬの単位面積当たりの積算光量より大きくなるように、下面１４に対する露光光ＥＬの照射条件が調整され、その調整された照射条件に基づいて、射出面１３から射出された露光光ＥＬが下面１４に照射される。本実施形態においては、下面１４の洗浄時における露光光ＥＬの積算光量が、上述の第１積算光量より大きい第２積算光量になるように、露光光ＥＬの照射条件が調整される。なお、下面１４の洗浄時における露光光ＥＬの積算光量が、上述の第１積算光量と同等もしくは小さくても構わない。

例えば、露光光ＥＬの照射時間を調整することによって、積算光量を調整することができる。あるいは、露光光ＥＬの光源（本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ装置）に対して入力する電力を調整することによって、積算光量を調整することができる。また、光源がパルス光を発生する場合、そのパルス光のパルス幅及びパルス数の少なくとも一方を調整することによって、積算光量を調整することができる。また、照明系ＩＬに露光光ＥＬの照度を調整するフィルタが配置されている場合、そのフィルタの透過率を変えたり、使用するフィルタを変更したりすることによって、積算光量を調整することができる。また、投影領域ＰＲの大きさを調整する調整機構が配置されている場合、投影領域ＰＲの大きさを調整することによって、積算光量を調整することができる。

本実施形態において、制御装置８は、下面１４に存在する異物（汚染物）の厚み及び異物の種類（物性）の少なくとも一方に応じて、下面１４に照射する露光光ＥＬの積算光量を調整する。なお、異物の厚みとは、下面１４と垂直な方向に関する異物の寸法をいう。例えば、下面１４に存在する異物が厚い場合、下面１４に照射する露光光ＥＬの積算光量を大きくすることによって、その異物を下面１４から円滑に除去することができる。一方、下面１４に存在する異物が薄い場合、下面１４に照射する露光光ＥＬの積算光量が小さくても、その異物を下面１４から除去することができる。その場合、例えば露光光ＥＬの照射による液浸部材７の温度上昇を抑制することができる。また、異物が、小さい積算光量で下面１４から除去可能な物性を有する場合においても、液浸部材７の温度上昇を抑制しつつ、その異物を下面１４から除去することができる。

図７に示すように、本実施形態においては、下面１４の洗浄（光洗浄）において、下面１４と、その下面１４に対向する平坦面５２及び上面３Ｕとの間の空間ＳＫに第２液体ＬＱ２が保持された状態で、反射面５１で反射した露光光ＥＬが下面１４に照射される。本実施形態においては、洗浄において使用される第２液体ＬＱ２として、第１液体ＬＱ１が用いられる。すなわち、平坦面５２が下面１４との間で第１液体ＬＱ１を保持した状態で、反射面５１で反射した露光光ＥＬが平坦面５２を通過し、その平坦面５２を通過した露光光ＥＬが第１液体ＬＱ１を介して下面１４に照射される。本実施形態においては、下面１４に第１液体ＬＱ１が接触された状態で、下面１４の少なくとも一部が光洗浄される。なお、平坦面５２と下面１４との間で液体を保持しない状態で、下面１４の少なくとも一部を光洗浄しても構わない。

本実施形態において、第１開口１５は、空間ＳＫに第１液体ＬＱ１（第２液体ＬＱ２）を供給可能である。また、第２開口１６（多孔部材１９の開口）は、第１開口１５から空間ＳＫに供給された第１液体ＬＱ１（第２液体ＬＱ２）の少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、制御装置８は、第１開口１５からの第１液体ＬＱ１の供給動作と、第２開口１６（多孔部材１９の開口）からの第１液体ＬＱ１の回収動作とを実行しながら、射出面１３から露光光ＥＬを射出し、反射面５１で反射した露光光ＥＬを下面１４に照射する。第１開口１５から供給された第１液体ＬＱ１の少なくとも一部は、下面１４に供給され、その第１液体ＬＱ１の供給と並行して、下面１４からの第１液体ＬＱ１の少なくとも一部が第２開口１６から回収される。

また、本実施形態のメンテナンスシーケンスにおいては、反射面５１に露光光ＥＬを照射して下面１４を洗浄するときの第１液体ＬＱ１に溶存する酸素濃度が、基板Ｐを露光するときの第１液体ＬＱ１に溶存する酸素濃度より高くなるように、第１開口１５から供給される第１液体ＬＱ１の条件が調整され、その調整された第１液体ＬＱ１を介して射出面１３から射出され、反射面５１で反射した露光光ＥＬが下面１４に照射される。本実施形態においては、下面１４の洗浄における空間ＳＫの第１液体ＬＱ１に溶存する酸素濃度が、上述の第１気体濃度より高い第２気体濃度になるように第１液体ＬＱ１の条件が調整される。本実施形態においては、制御装置８は、少なくとも下面１４に露光光ＥＬを照射する前に、空間ＳＫの第１液体ＬＱ１に溶存する酸素濃度を高める。なお、下面１４に露光光ＥＬを照射する前に、空間ＳＫの第１液体ＬＱ１に溶存するオゾン濃度を高めてもよい。

また、本実施形態のメンテナンスシーケンスにおいては、反射面５１に露光光ＥＬを照射して下面１４を洗浄するときのＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの寸法が、基板Ｐを露光するときの液浸空間ＬＳの寸法より大きくなるように液浸条件が調整され、その液浸空間ＬＳの第１液体ＬＱ１を介して、射出面１３から射出された露光光ＥＬが反射面５１を介して下面１４に照射される。本実施形態においては、例えば図７に示すように、下面１４の洗浄における液浸空間ＬＳの寸法が、上述の第１寸法Ｗ１より大きい第２寸法Ｗ２になるように、液浸条件が調整される。

本実施形態においては、図７に示すように、射出面１３から射出される露光光ＥＬが反射面５１の第１焦点Ｆ１を通過する。その第１焦点Ｆ１を通過した露光光ＥＬは、反射面５１で反射して反射面５１の第２焦点Ｆ２を通過して下面１４に照射される。本実施形態においては、平坦面５２は、投影光学系ＰＬの焦点面と一致するように配置される。射出面１３から射出され、第１焦点Ｆ１を含む平坦面５２の一部の領域に照射された露光光ＥＬは、反射面５１で１回だけ反射して、第２焦点Ｆ２を含む平坦面５２の一部の領域から射出され、下面１４に照射される。なお、射出面１３から射出される露光光ＥＬを、反射面５１で複数回反射して、下面１４に照射しても構わない。また、平坦面５２は、投影光学系のＰＬの焦点面と異なるように配置されても構わない。

図８は、液浸部材７の下面１４を示す図であって、第２焦点Ｆ２を通過して下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域（照射位置）ＡＲ１を模式的に示す図である。下面１４の洗浄において、第１焦点Ｆ１が射出面１３と対向する位置に配置される。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを介して、第１焦点Ｆ１を通過する。第１焦点Ｆ１を通過し、反射面５１で反射した露光光ＥＬは、第２焦点Ｆ２を通過して、下面１４の一部の領域に照射される。そのため、下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域ＡＲ１は、第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２との第１距離Ｄ１に応じて定められる。本実施形態において、第１距離Ｄ１は、下面１４に照射される露光光ＥＬの第１目標位置７８に応じて定められている。したがって、下面１４の第１目標位置７８に集光した露光光ＥＬを照射することができる。

本実施形態においては、図８に示すように、下面１４に照射される露光光ＥＬの目標照射位置（目標照射領域）７７が定められている。本実施形態においては、目標照射位置７７は、基板Ｐを露光するときの液浸部材７の下面１４と基板Ｐ（基板ステージ２）との間の液浸空間ＬＳの外形（寸法）を規定する下面１４における液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面（気液界面）の位置に定められている。基板Ｐを露光するときの、下面１４における液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面の位置は、例えば、基板ステージ２の移動とともに変化する。したがって、本実施形態において、目標照射位置７７は、基板Ｐを露光するときの少なくとも一部において、下面１４における液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面の位置である。液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面は、開口７Ｋを囲むように配置される。したがって、下面１４における液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面の位置は、開口７Ｋ、平坦部Ｈ、及び多孔部材１９の下面の中心を囲むように配置される。図８において、液体ＬＱの界面の位置は、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向のそれぞれにおいて所定の幅を有する範囲内で変化する。なお、目標照射位置７７は、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向のそれぞれにおいて、所定の幅を有する範囲内に限られず、少なくとも一方の方向の全てでも構わない。また。目標照射位置７７が、Ｘ軸方向、及びＹ軸方向の少なくとも一方でも構わない。

なお、目標照射位置７７は、基板Ｐを露光するときに限られず、例えば、基板Ｐの非露光時のメンテナンス時の液浸空間ＬＳの外形を規定する界面が形成されている位置でも構わない。また、目標照射位置７７は、下面１４における液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面の位置に限られず、例えば下面１４の汚染状態に応じて定めても構わない。本実施形態において、下面１４の所望の領域に露光光ＥＬを照射することができる。

また、下面１４に照射される露光光ＥＬの目標照射位置を定めずに、下面１４の少なくとも一部に露光光ＥＬを照射しても構わない。

本実施形態においては、下面１４に照射される露光光ＥＬの目標照射位置７７は、第１目標照射位置（第１目標照射領域）７８と、第２目標照射位置（第２目標照射領域）７９とを含む。第１目標照射位置７８は、開口７Ｋ、平坦部Ｈ、及び多孔部材１９の下面の中心に対して、＋Ｘ方向およびーＸ方向に定められている。

図９は、液浸部材７の下面１４を示す図であって、第３焦点Ｆ３を通過して下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域（照射位置）ＡＲ２を模式的に示す図である。第３焦点Ｆ３に射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射された場合、その第３焦点Ｆ３に照射された露光光ＥＬは、反射面５１で反射して、第４焦点Ｆ４を通過して下面１４に照射される。第３焦点Ｆ３に露光光ＥＬを照射する場合、第３焦点Ｆ３が射出面１３と対向する位置に配置される。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを介して、第３焦点Ｆ３に照射される。第３焦点Ｆ３に照射され、反射面５１で反射した露光光ＥＬは、第４焦点Ｆ４を通過して、下面１４の一部の領域に照射される。そのため、下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域ＡＲ２は、第３焦点Ｆ３と第４焦点Ｆ４との第２距離Ｄ２に応じて定められる。

本実施形態においては、第２距離Ｄ２は、下面１４に照射される露光光ＥＬの第２目標照射位置（第２目標照射領域）７９に応じて定められる。第２目標照射位置７９は、開口７Ｋ、平坦部Ｈ、及び下面１４の中心に対して、＋Ｙ方向およびーＹ方向に定められている。これにより、下面１４の所望の領域に露光光ＥＬを照射することができる。

また、図８及び図９に示すように、第１焦点Ｆ１に射出面１３から射出される露光光ＥＬを照射した場合と、第３焦点Ｆ３に射出面１３から射出される露光光ＥＬを照射した場合とで、下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域ＡＲ１、ＡＲ２の位置、大きさ、及び形状の少なくとも一つが異なる。

図１０は、本実施形態に係る洗浄部材５０の光学特性を説明するための模式図である。
図１０に示すように、反射面５１に露光光ＥＬが照射された場合において、射出面１３と反射面５１とが対向する方向と平行なＺ軸とＺ軸に直交するＸ軸とを含むＸＺ平面に沿って反射面１１で反射する露光光ＥＬの最周縁の光線Ｂ１、Ｂ２がなす第１角度θ１と、Ｚ軸とＺ軸及びＸ軸に直交するＹ軸とを含むＹＺ面に沿って反射面５１で反射する露光光ＥＬの最周縁の光線Ｂ３、Ｂ４がなす第２角度θ２とが異なる。したがって、例えば、本実施形態においては、下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域ＡＲ１は、ＸＺ平面に沿った方向（Ｘ軸方向）と、ＹＺ平面に沿った方向（Ｙ軸方向）とで異なる。本実施形態においては、Ｘ軸方向に関する照射領域ＡＲ１の寸法は、Ｙ軸方向に関する照射領域ＡＲ１の寸法より大きい。また、本実施形態においては、Ｙ軸方向に関する照射領域ＡＲ１の寸法は、Ｙ軸方向に関する第１目標照射領域７８の寸法より小さい。したがって、Ｙ軸方向に関して照射領域を所望の領域に集光するので、第１目標照射領域７８に所望の照度の露光光ＥＬを照射することができる。また、Ｘ軸方向に関して照射領域の寸法を大きくすることで、第１目標照射領域７８内に効率良く露光光ＥＬを照射することが可能である。また、本実施形態においては、下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域ＡＲ２は、ＸＺ平面に沿った方向（Ｘ軸方向）と、ＹＺ平面に沿った方向（Ｙ軸方向）とで異なる。本実施形態においては、Ｙ軸方向に関する照射領域ＡＲ２の寸法は、Ｘ軸方向に関する照射領域ＡＲ２の寸法より大きい。

本実施形態において、ＸＺ平面に沿った反射面５１の屈折力と、ＹＺ平面に沿った反射面５１の屈折力とは、異なる。本実施形態において、球面反射系で近似すると、反射面の５１の屈折力は、焦点距離の逆数である。つまり、屈折力をＰｗ、焦点距離をＦｄとした場合、Ｐｗ＝１／Ｆｄである。球面反射系で近似すると、反射面５１の屈折力は、反射面５１の曲率半径の逆数を２倍にしたものである。つまり、曲率半径をＲとした場合、Ｐｗ＝２／Ｒである。すなわち、図５に示すように、ＸＺ平面に沿った反射面５１の屈折力はＸＺ平面に沿った反射面５１の曲率半径の逆数を２倍したものであり、ＹＺ平面に沿った反射面５１の屈折力はＹＺ平面に沿った反射面５１の曲率半径の逆数を２倍にしたものである。なお、ＸＺ平面に沿った反射面５１の屈折力と、ＹＺ平面に沿った反射面５１の屈折力とを調整することで、露光光ＥＬの照射領域（ＡＲ１、ＡＲ２）の寸法を調整することができる。また、Ｙ軸方向に配置された第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２との第１距離Ｄ１と、Ｘ軸方向に配置された第３焦点Ｆ３と第４焦点Ｆ４との第２距離Ｄ２とは異なる。したがって、第１焦点Ｆ１に射出面１３から射出される露光光ＥＬを照射したときの下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域ＡＲ１と、第３焦点Ｆ３に射出面１３から射出される露光光ＥＬを照射したときの下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域ＡＲ２とを異ならせることができる。本実施形態においては、下面１４に照射される露光光ＥＬの照射領域ＡＲ１、ＡＲ２は、ＸＺ平面に沿った方向（Ｘ軸方向）と、ＹＺ平面に沿った方向（Ｙ軸方向）とで異なる。本実施形態においては、Ｘ軸方向に関する照射領域ＡＲ１の寸法は、Ｙ軸方向に関する照射領域ＡＲ２の寸法より大きい。また、Ｙ軸方向に関する照射領域ＡＲ１の寸法と、Ｘ軸方向に関する照射領域ＡＲ２の寸法とは、異なる。また、照射領域ＡＲ１に照射される露光光ＥＬの照度と、照射領域ＡＲ２に照射される露光光ＥＬの照度とは、異なる。本実施形態においては、制御装置８は、下面１４に照射される露光光ＥＬの目標照射領域に応じて、第１焦点Ｆ１及び第３焦点Ｆ３のいずれか一方に射出面１３から射出される露光光ＥＬを照射する。これにより、下面１４の所望の領域に所望の照度で露光光ＥＬを照射することができる。

また、本実施形態において、ＸＹ平面内で射出面１３から射出される露光光ＥＬに対して反射面５１を移動しながら、その反射面５１で反射した露光光ＥＬを下面１４に照射してもよい。

例えば、図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）に示すように、制御装置８は、計測ステージ３の移動を制御して、射出面１３と対向する位置に対して洗浄部材５０をＸＹ平面内における所定方向（図１１ではＹ軸方向）に移動しながら、洗浄部材５０に射出面１３から射出される露光光ＥＬを照射することができる。計測ステージ３は、射出面１３及び下面１４と平坦面５２及び上面３Ｕとの間に第１液体ＬＱ１が保持された状態で、ＸＹ平面内における所定方向に反射部材５０を移動する。計測ステージ３は、射出面１３と反射面５１とが対向する方向と交差する方向に移動する。

射出面１３に対する反射面５１の位置に応じて、平坦面５２から下面１４に対して入射する露光光ＥＬの位置及び入射角度の少なくとも一方が変化する。射出面１３に対する反射面５１の位置に応じて、下面１４での照射される露光光ＥＬの照射される位置及び露光光ＥＬの照射される領域の大きさの少なくとも一方が変化する。これにより、下面１４の第１目標照射領域７８および第２目標照射領域７９を含む広範囲に露光光ＥＬを照射することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、反射面（楕円反射面）５１に射出面１３から射出された露光光ＥＬを照射して、その反射面５１で反射した露光光ＥＬを下面１４に照射するようにしたので、射出面１３から反射面５１に照射する露光光ＥＬの位置を調整することによって下面１４の所望の領域に露光光ＥＬを照射することができる。したがって、下面１４の汚染を抑制することができ、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。

また、反射面５１は、射出面１３に対して凹んでいるので、射出面１３からの露光光ＥＬを集光して下面１４に照射することができる。したがって、下面１４に照射される露光光ＥＬの照度の低下を抑制することができる。

また、第１焦点Ｆ１に照射された露光光ＥＬは、反射面で１回の反射で第２焦点Ｆ２を通過して下面１４に照射することが望ましい。反射面で複数回反射する場合と比較して、第２焦点Ｆ２を通過して下面１４に照射される露光光ＥＬの照度の低下を抑制することができる。

また、第１距離Ｄ１を調整することによって、射出面１３に対して下面１４の所望の位置に露光光ＥＬを照射することができる。

また、反射面５１は、第１焦点Ｆ１及び第２焦点Ｆ２のみならず、第３焦点Ｆ３及び第４焦点Ｆ４を有しているので、第１焦点Ｆ１及び第３焦点Ｆ３のいずれか一方に露光光ＥＬを照射することによって、下面１４の所望の領域に露光光ＥＬを照射することができる。

また、ＸＺ平面に沿って進行する露光光ＥＬの最周縁の光線Ｂ１、Ｂ２がなす第１角度θ１と、ＹＺ平面に沿って進行する露光光ＥＬの最周縁の光線Ｂ３、Ｂ４がなす第２角度θ２とが異なるように反射面５１が定められているので、下面１４の所望の領域に露光光ＥＬを照射することができる。

なお、露光光ＥＬを反射する反射面において、少なくとも一部において、ＸＺ平面に沿って進行する露光光ＥＬの最周縁の光線Ｂ１、Ｂ２がなす第１角度θ１と、ＹＺ平面に沿って進行する露光光ＥＬの最周縁の光線Ｂ３、Ｂ４がなす第２角度θ２とが異なるように反射面５１が定められていても構わない。

また、本実施形態においては、第１液体ＬＱ１と下面１４とを接触させた状態で下面１４に露光光ＥＬを照射するので、高い光洗浄効果を得ることができる。

また、本実施形態においては、溶存する酸素濃度（またはオゾン濃度）が高められた第１液体ＬＱ１と下面１４とを接触させた状態で下面１４に露光光ＥＬを照射するので、より高い光洗浄効果を得ることができる。

また、本実施形態においては、第１液体ＬＱ１の供給動作と並行して、第１液体ＬＱ１の回収動作を実行しながら、下面１４に露光光ＥＬを照射するので、第１開口１５から供給されたクリーンな第１液体ＬＱ１と下面１４とを接触させた状態で、下面１４を光洗浄することができる。また、光洗浄によって下面１４から剥離された異物は、第１液体ＬＱ１とともに第２開口１６から回収されるので、例えばその異物が下面１４に再付着することが抑制される。

また、本実施形態においては、洗浄において液浸空間ＬＳの寸法を大きくして、液浸空間ＬＳの第１液体ＬＱ１と接触する下面１４の面積を大きくしているので、下面１４の広範囲と第１液体ＬＱ１とを接触させた状態で、下面１４に露光光ＥＬを照射することができる。

また、本実施形態においては、下面１４の洗浄において下面１４に照射する露光光ＥＬの積算光量を少なくとも基板Ｐの露光時により高めているので、光洗浄を効果的に行うことができる。

なお、本実施形態においては、第１、第２焦点Ｆ１、Ｆ２（第３、第４焦点Ｆ３、Ｆ４）が平坦面５２に配置されることとしたが、配置されなくてもよい。例えば図１２に示す模式図のように、洗浄部材５０Ｂの平坦面５２Ｂが、反射面（楕円反射面）５１Ｂの第１、第２焦点Ｆ１、Ｆ２（第３、第４焦点Ｆ３、Ｆ４）に対して−Ｚ方向に配置されていてもよい。すなわち、第１、第２焦点Ｆ１、Ｆ２（第３、第４焦点Ｆ３、Ｆ４）が、投影光学系ＰＬの焦点面よりも、下面１４側に配置されている。図１２に示す例においても、射出面１３から射出され、第１焦点Ｆ１に照射された露光光ＥＬは、反射面５１で反射して第２焦点Ｆ２を通過して下面１４に照射される。また、例えば、第１焦点Ｆ１が平坦面５２に配置され、第２焦点Ｆ２が下面１４に配置されていても構わない。この場合、第１焦点Ｆ１および第２焦点Ｆ２を含む面は、例えば図１２において、ＸＹ平面と交差する面である。

なお、第１、第２焦点Ｆ１、Ｆ２と、第３、第４焦点Ｆ３、Ｆ４とは、異なる平面内に配置されていても構わない。例えば、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２とが、ほぼ平行になるように、Ｚ方向に離れて配置されていても構わない。また、例えば、所定の点で第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２とで交差し、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２とが異なる平面に配置されていても構わない。なお、所定の点は、第１、第２直線Ｌ１、Ｌ２の中心とは異なる点でも構わない。

なお、図１３に示すように、反射面５１で反射される露光光ＥＬを下面１４に照射するときに、第２焦点Ｆ２が下面１４に近づくように移動されてもよい。制御装置８は、計測ステージ３を移動する駆動システムを制御して、洗浄部材５０Ｂから反射される露光光ＥＬを下面１４に照射するときに洗浄部材５０Ｂと下面１４とが近づくように、洗浄部材５０Ｂを移動する。なお、液浸部材７が移動されもよいし、洗浄部材５０Ｂ及び液浸部材７の両方が移動されてもよい。制御装置８は、第２焦点Ｆ２が下面１４に近づくように反射面５１Ｂと下面１４との位置関係を調整することによって、より高い照度の露光光ＥＬを下面１４に照射することができる。図１３に示す例では、第２焦点Ｆ２が下面１４に配置された状態で、反射面５１Ｂで反射される露光光ＥＬが照射される。これにより、高い照度の露光光ＥＬが下面１４に照射されるので、光洗浄効果を高めることができる。

なお、上述の実施形態においては、平坦面５２（５２Ｂ）と上面３Ｕとがほぼ同一平面内に配置されることとしたが、例えば図１４に示すように、洗浄部材５０Ｃの少なくとも一部と上面３Ｕとが、同一平面内に配置されてなくてもよい。

なお、上述の実施形態においては、洗浄部材（５０等）が光学部材であることとしたが、例えば図１５に示すように、平坦面５２Ｄと反射面５１Ｄとの間に第３液体ＬＱ３が満たされてもよい。図１５に示す例において、第３液体ＬＱ３は、第１液体ＬＱ１と同じ種類である。すなわち、第３液体ＬＱ３は、水（純水）である。なお、第３液体ＬＱ３が、第１液体ＬＱ１と異なる種類でもよい。本実施形態において、平坦面５２Ｄは、ガラスプレート６０の上面である。図１５に示す例においても、射出面１３から射出された露光光ＥＬは、平坦面５２Ｄを通過して、反射面５１Ｄで反射して下面１４に照射される。

なお、図１６に示すように、洗浄部材５０Ｅが、複数の光学部材から構成されてもよい。図１６において、洗浄部材５０Ｅは、平坦面５２Ｅを有する第１光学部材６１と、反射面５１Ｅを有する第２光学部材６２とを含む。第１光学部材６１は、ガラスプレートである。図１６に示す例においても、反射面５１Ｅで反射された露光光ＥＬを下面１４に照射することができる。

なお、図１７に示すように、計測ステージ３が、洗浄部材５０Ｆをリリース可能に保持する保持部９０を有してもよい。図１７において、計測ステージ３は、上面３Ｕの一部に形成された凹部３Ｋを有する。保持部９０は、凹部３Ｋの内側に配置されている。図１７に示す例によれば、例えば洗浄部材５０Ｆが劣化した場合、新たな洗浄部材５０Ｆと容易に交換することができる。

なお、上述の実施形態においては、洗浄部材（５０等）が計測ステージ３に配置されることとしたが、基板ステージ２に配置されてもよい。また、基板ステージ２及び計測ステージ３とは別の、ＸＹ平面内を移動可能なステージ（可動部材）を設け、そのステージに洗浄部材（５０等）が配置されてもよい。

また、洗浄部材（５０等）は、複数個及び／又は複数箇所に配置されてもよい。例えば、計測ステージ３及び基板ステージ２のそれぞれに洗浄部材を配置しても構わない。

なお、反射部材５１に照射する露光光ＥＬの投影光学系ＰＬの焦点面での照射領域の大きさを、基板Ｐの露光時とは異なるように調整しても構わない。例えば、投影光学系ＰＬの焦点面での照射領域の大きさを調整し、第１、第３焦点Ｆ１、Ｆ３を含む大きさにしても構わない。また、投影光学系ＰＬの焦点面の大きさを調整することで、下面１４に照射される露光光ＥＬの照射される領域の大きさを変えることができる。

なお、上述の実施形態においては、下面１４のうち、主に、多孔部材１９の下面に露光光ＥＬが照射されることによって、その多孔部材１９の下面を光洗浄したが、洗浄する場所はこれに限られない。例えば、基板Ｐの露光において、第１液体ＬＱ１と接触する液浸部材７の平坦部Ｈ、あるいは終端光学素子１２でも構わない。また、基板Ｐの非露光時に第１液体ＬＱ１と接触する場所でも構わない。また、第１液体ＬＱ１と接触しない場所を光洗浄しても構わない。

なお、光洗浄には、露光光ＥＬとは異なる光を用いても構わない。例えば、洗浄に用いる光を照射する射出装置を設け、第１液体ＬＱ１と接触する接触する場所（例えば、基板ステージ２の表面、計測ステージ３の上面３Ｕ）に洗浄に用いる光を照射しても構わない。基板ステージ２の表面の洗浄において、基板ステージ２の表面に照射する露光光ＥＬの積算光量を少なくとも基板Ｐの露光時により高めているので、光洗浄を効果的に行うことができる。

なお、上述の実施形態においては、洗浄において使用される第２液体ＬＱ２として、基板Ｐの露光において使用される第１液体ＬＱ１を用いることとしたが、第２液体ＬＱ２が第１液体ＬＱ１と異なる種類の液体でもよい。例えば、洗浄において使用される第２液体ＬＱ２として、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を使用してもよい。ＴＭＡＨは、有機物に対する溶解性が高い。そのため、下面１４に付着している異物が有機物である場合、その異物を溶解することができる。したがって、光洗浄によって下面１４から剥離された異物が下面１４に再付着することを抑制することができる。

なお、上述の実施形態において、洗浄部材（５０等）を用いる光洗浄と、他の洗浄手法とを組み合わせることもできる。例えば、液浸部材７及び計測ステージ３の少なくとも一方に超音波振動子を配置し、下面１４と洗浄部材（５０等）の平坦面（５２等）との間に液体を保持した状態で、その液体に超音波振動を付与しつつ、反射面（５１等）で反射した露光光ＥＬを下面１４に照射してもよい。

また、浴槽に収容された洗浄用液体を液浸部材７の下面１４に接触させ、その下面１４に接触された洗浄用液体に、超音波振動子を用いて超音波振動を付与してもよい。洗浄用液体は、水でもよいし、上述のＴＭＡＨでもよい。その洗浄用液体を用いる洗浄が終了した後、洗浄部材を用いる光洗浄を実行することができる。

また、下面１４の汚染状態を検出可能な検出装置を設け、その検出装置を用いて、下面１４の汚染状態を検出してもよい。検出装置として、例えば下面１４の光学像（画像）を取得可能なカメラ、あるいは蛍光顕微鏡を用いることができる。例えば、反射面５１の一部に透過窓を設け、その透過窓を介して、計測ステージ３に配置された蛍光顕微鏡で、下面１４の汚染状態を検出することができる。透過窓には、蛍光のみを透過可能なフィルタが配置される。フィルタを通過した蛍光は、蛍光顕微鏡に受光される。下面１４に有機物（異物）が付着している場合、その下面１４に露光光ＥＬが照射されると、有機物が蛍光を発する。したがって、蛍光顕微鏡は、下面１４に異物が付着しているか否かを検出することができる。光洗浄のための露光光ＥＬが照射されることによって、蛍光顕微鏡は、光洗浄と並行して異物を検出することができる。換言すれば、蛍光顕微鏡は、下面１４の汚染状態をモニタすることができる。また、光洗浄により異物が除去された場合、蛍光顕微鏡は、下面１４から異物が除去されたことを検出することができる。

なお、上述の各実施形態において、反射面（５１等）の少なくとも一部が回折格子でもよい。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路が第１液体ＬＱ１で満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体で満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

なお、上述の各実施形態においては、第１液体ＬＱ１として水を用いているが、水以外の液体であってもよい。第１液体ＬＱ１としては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、第１液体ＬＱ１として、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、第１液体ＬＱ１として、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、計測ステージがなくてもよい。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。基板処理ステップは、上述の実施形態に従って、露光装置ＥＸの部材を洗浄する処理を含み、その洗浄された部材を有する露光装置ＥＸを用いて基板が露光光で露光される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、３…計測ステージ、７…液浸部材、１３…射出面、１４…下面、１５…第１開口、１６…第２開口、１９…多孔部材、５０…洗浄部材、５１…反射面、５２…平坦面、９０…保持部、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｆ１…第１焦点、Ｆ２…第２焦点、Ｆ３…第３焦点、Ｆ４…第４焦点、ＬＱ１…第１液体、ＬＱ２…第２液体、ＬＱ３…第３液体、Ｐ…基板

Claims (52)

1. 第１液体と接触する射出面から射出される露光光で前記第１液体を介して基板を露光する露光装置の、前記第１液体と接触する接液部材の接触面を前記射出面から射出される前記露光光で光洗浄するために用いられる洗浄部材であって、
   前記射出面と対向する位置で、前記射出面から射出される前記露光光を反射して前記接触面の少なくとも一部に照射する楕円形の反射面を備える洗浄部材。
2. 前記射出面から射出される前記露光光が、前記楕円形の反射面の第１焦点を通過し、前記楕円形の反射面で反射して前記楕円形の反射面の第２焦点を通過して前記接触面に照射される請求項１記載の洗浄部材。
3. 前記第１焦点と前記第２焦点との距離は、前記露光光が照射される前記接触面の第１目標照射位置に応じて定められる請求項２記載の洗浄部材。
4. 前記第２焦点が前記接触面に配置された状態で、前記楕円形の反射面で反射される前記露光光が照射される請求項２又は３記載の洗浄部材。
5. 前記第１焦点は、前記射出面を有する光学系の焦点面に配置される請求項２〜４の何れか一項記載の洗浄部材。
6. 前記第２焦点は、前記射出面を有する光学系の焦点面又はそれよりも前記接触面側に配置される請求項２〜５の何れか一項記載の洗浄部材。
7. 前記第１，第２焦点は、前記射出面と前記楕円形の反射面とが対向する方向と直交する第１方向に離れて配置され、
   前記反射面は、前記射出面と前記楕円形の反射面とが対向する方向と直交し、前記第１方向と交差する第２方向に離れて配置される第３、第４焦点を有し、
   前記射出面から射出される前記露光光が、前記楕円形の反射面の前記第３焦点を通過し、前記楕円形の反射面で反射して前記楕円形の反射面の前記第４焦点を通過して前記接触面に照射される請求項２〜６の何れか一項記載の洗浄部材。
8. 前記第３焦点は前記射出面を有する光学系の焦点面に配置され、前記第４焦点は前記焦点面又はそれよりも前記接触面側に配置される請求項７記載の洗浄部材。
9. 前記第３焦点と前記第４焦点との距離は、前記露光光が照射される前記接触面の第２目標照射位置に応じて定められる請求項７又は８記載の洗浄部材。
10. 前記第３焦点と前記第４焦点との距離と、前記第１焦点と前記第２焦点との距離とは異なる請求項７〜９の何れか一項記載の洗浄部材。
11. 前記露光光が照射される前記接触面における目標照射領域に応じて、前記第１焦点及び前記第３焦点のいずれか一方に前記射出面から射出される前記露光光が照射される請求項７〜１０の何れか一項記載の洗浄部材。
12. 第１液体と接触する射出面から射出される露光光で前記第１液体を介して基板を露光する露光装置の、前記第１液体と接触する接液部材の接触面を前記射出面から射出される前記露光光で光洗浄するために用いられる洗浄部材であって、
    前記射出面と対向する位置に配置され、前記射出面から射出される前記露光光を反射して前記接触面の少なくとも一部に照射する反射面を備え、
    前記射出面と前記反射面とが対向する方向と平行な第１軸と、前記第１軸に直交する第２軸とを含む第１面に沿って前記反射面で反射する前記露光光の最周縁の光線がなす第１角度と、
    前記第１軸と、前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸とを含む第２面に沿って前記反射面で反射する前記露光光の最周縁の光線がなす第２角度とが異なる洗浄部材。
13. 前記第１面に沿った前記反射面の屈折力と前記第２面に沿った前記反射面の屈折力とが異なる請求項１２記載の洗浄部材。
14. 前記接触面での前記露光光の照射領域の幅は、前記第２、第３軸に沿った方向で異なる請求項１２又は１３記載の洗浄部材。
15. 前記反射面は、楕円形の反射面である請求項１２〜１４の何れか一項記載の洗浄部材。
16. 前記反射面は、前記射出面に対して凹んでいる請求項１〜１５の何れか一項記載の洗浄部材。
17. 前記射出面と対向すると共に、前記射出面から射出される前記露光光が通過し、前記反射面で反射される前記露光光が通過する平坦面を備え、前記平坦面と前記反射面との間が、気体とは異なる物質で満たされている請求項１〜１６の何れか一項記載の洗浄部材。
18. 前記気体とは異なる物質は、前記露光光を通過させる光学部材である請求項１７記載の洗浄部材。
19. 前記気体とは異なる物質は、第２液体である請求項１７又は１８記載の洗浄部材。
20. 前記第２液体は、前記第１液体と同じ種類である請求項１９記載の洗浄部材。
21. 前記平坦面と前記接触面との間で前記第１液体を保持した状態で、前記反射面で反射した前記露光光が前記平坦面を通過する請求項１７〜２０の何れか一項記載の洗浄部材。
22. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記第１液体と接触する接液部材の接触面を前記露光光で光洗浄するために、前記光洗浄時、前記露光光が射出する射出面と対向して、請求項１〜２１の何れか一項記載の洗浄部材が配置される露光装置。
23. 前記洗浄部材が設けられ、前記接触面に対して移動可能な可動部材を備える請求項２２記載の露光装置。
24. 前記射出面と前記洗浄部材とが対向する方向と交差する面内において、前記可動部材を移動させることで、前記接触面で前記露光光が照射される位置及び前記接触面で前記露光光が照射される領域の大きさの少なくとも一方を変化させる請求項２３記載の露光装置。
25. 前記可動部材は、前記洗浄部材をリリース可能に保持する保持部を有する請求項２３又は２４記載の露光装置
26. 前記接触面に照射される単位面積当たりの積算露光量は、前記基板の表面に照射される単位面積当たりの積算露光量より大きい請求項２２〜２５の何れか一項記載の露光装置。
27. 前記射出面と前記洗浄部材とが対向する方向に、前記洗浄部材と前記接触面とが近づくように、前記洗浄部材及び前記接触面の少なくとも一方を移動させる駆動装置を備える請求項２２〜２６の何れか一項記載の露光装置。
28. 前記射出面を有する光学系の焦点面における前記射出面から射出される前記露光光の照射領域の大きさを、前記洗浄時と前記露光時とで異ならせる変更装置を備える請求項２２〜２７の何れか一項記載の露光装置。
29. 第１液体と接触する射出面から射出される露光光で前記第１液体を介して基板を露光する露光装置であって、
    前記第１液体と接触する接触面を有する接液部材と、
    前記接触面の少なくとも一部に洗浄光を照射して前記接触面を洗浄する洗浄装置と、を備え、
    前記接触面に照射される前記洗浄光の単位面積当たりの積算光量は、前記基板に照射される前記射出面から射出される前記露光光の単位面積当たりの積算光量より大きい露光装置。
30. 前記洗浄光は、前記射出面から射出される前記露光光を含む請求項２９記載の露光装置。
31. 前記接触面と、前記接触面と対向して配置される所定部材の所定面との間で洗浄液を保持した状態で、前記接触面を光洗浄する請求項２９又は３０記載の露光装置。
32. 前記接触面は、前記所定面を含む請求項３１記載の露光装置。
33. 前記接触面に存在する異物の厚み及び種類の少なくとも一方に応じて、前記接触面に対する前記積算光量を調整する調整装置を備える請求項２９〜３２の何れか一項記載の露光装置。
34. 前記接液部材は、前記射出面から射出される前記露光光の光路が前記第１液体で満たされるように前記基板との間で前記第１液体を保持する液浸部材の表面の少なくとも一部を含む請求項２２〜３３の何れか一項記載の露光装置。
35. 前記接触面は、前記基板上へ前記第１液体を供給可能な第１開口、及び前記基板上から前記第１液体を回収可能な第２開口の少なくとも一方を有する前記液浸部材の表面を含む請求項３４記載の露光装置。
36. 前記第２開口には、前記基板上の前記第１液体を回収可能な開口を複数有する多孔部材が設けられ、前記接触面は前記多孔部材の表面を含む請求項３５記載の露光装置。
37. 請求項２２〜３６の何れか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
38. 第１液体と接触する射出面から射出される露光光で前記第１液体を介して基板を露光する露光装置の、前記第１液体と接触する接液部材の接触面を光洗浄する洗浄方法であって、
    前記射出面と対向する位置に楕円形の反射面を配置することと、
    前記射出面から射出される前記露光光を、前記楕円形の反射面で反射して前記接触面の少なくとも一部に照射して光洗浄することと、を含む洗浄方法。
39. 前記射出面から射出される前記露光光が、前記楕円形の反射面の第１焦点を通過し、前記楕円形の反射面で反射して前記楕円形の反射面の第２焦点を通過して前記接触面に照射されることを含む請求項３８記載の洗浄方法。
40. 前記射出面を有する光学系の焦点面よりも前記接触面側に、前記第２焦点を配置するように、前記接触面と前記楕円形の反射面とが対向する方向の距離を変えることを含む請求項３９記載の洗浄方法。
41. 第１液体と接触する射出面から射出される露光光で前記第１液体を介して基板を露光する露光装置の、前記第１液体と接触する接液部材の接触面を前記射出面から射出される前記露光光で光洗浄する洗浄方法であって、
    前記射出面と対向する位置に反射面を配置することと、
    前記射出面と前記反射面とが対向する方向と平行な第１軸と前記第１軸に直交する第２軸とを含む第１面に沿って反射する前記露光光の最周縁の光線がなす第１角度と、前記第１軸と前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸とを含む第２面に沿って反射する前記露光光の最周縁の光線がなす第２角度とが異なるように、前記射出面から射出される前記露光光を前記反射面で反射することと、
    前記反射面で反射される前記露光光を前記接触面の少なくとも一部に照射して光洗浄することと、を含む洗浄方法。
42. 前記反射面は、前記射出面に対して凹んでいる請求項３８〜４１の何れか一項記載の洗浄方法。
43. 前記射出面と前記反射面とが対向する方向と交差する面内において、前記反射面を移動させることで、前記接触面で前記露光光が照射される位置及び前記接触面で前記露光光が照射される領域の大きさの少なくとも一方を変える請求項３８〜４２の何れか一項記載の洗浄方法。
44. 前記射出面と対向すると共に、前記射出面から射出される前記露光光が通過し、前記反射面で反射される前記露光光が通過する平坦面と、前記接触面との間で前記第１液体を保持した状態で、前記接触面の少なくとも一部を光洗浄する含む請求項３８〜４３の何れか一項記載の洗浄方法。
45. 前記接触面に照射される単位面積当たりの積算露光量は、前記基板の表面に照射される単位面積当たりの積算露光量より大きい請求項３８〜４４の何れか一項記載の洗浄方法。
46. 前記射出面を有する光学系の焦点面における前記射出面から射出される前記露光光の照射領域の大きさを、前記洗浄時と前記露光時とで異ならせることを含む請求項３８〜４５の何れか一項記載の洗浄方法。
47. 第１液体と接触する射出面から射出される露光光で前記第１液体を介して基板を露光する露光装置の洗浄方法であって、
    前記第１液体と接触する接液部材の接触面の少なくとも一部に洗浄光を照射して前記接液面を光洗浄することと、
    前記接液面に照射される前記洗浄光の単位面積当たりの積算光量は、前記基板に照射される前記射出面から射出される前記露光光の単位面積当たりの積算光量より大きい
    ことと、を含む洗浄方法。
48. 前記洗浄光は、前記射出面から射出される前記露光光である請求項４７記載の洗浄方法。
49. 前記接液部材は、前記射出面から射出される前記露光光の光路が前記第１液体で満たされるように前記基板との間で前記第１液体を保持する液浸部材の表面の少なくとも一部を含む請求項３８〜４８の何れか一項記載の洗浄方法。
50. 前記接触面は、前記基板上へ前記第１液体を供給可能な第１開口、及び前記基板上から前記第１液体を回収可能な第２開口の少なくとも一方を有する前記液浸部材の表面を含む請求項４９記載の洗浄方法。
51. 前記第２開口には、前記基板上の前記第１液体を回収可能な開口を複数有する多孔部材が設けられ、前記接触面は前記多孔部材の表面を含む請求項５０記載の洗浄方法。
52. 請求項３８〜５１の何れか一項記載の洗浄方法を用いて前記接触面を洗浄することと、
    前記露光光で基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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