JP2009267401A - 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、露光液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光を射出する射出面を有する光学部材と、射出面と所定部材との間の露光光の光路に配置される仕切部材と、光学部材と仕切部材との間の第１空間に第１クリーニング液体を供給する第１供給口と、仕切部材と所定部材との間の第２空間に第２クリーニング液体を供給する第２供給口とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置、露光装置のクリーニング方法、及びデバイス製造方法に関する。

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。下記特許文献には、基板との間で液体を保持可能な液浸部材を備えた液浸露光装置に関する技術の一例が開示されている。

米国特許第７１１９８７４号明細書 米国特許公開第２００６／００２３１８５号明細書

液浸露光装置において、液体と接触する部材が汚染される可能性がある。例えば、液体と接触する部材の液体接触面に異物が付着すると、その異物に起因して、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが製造される可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるクリーニング方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光を射出する射出面を有する光学部材と、射出面と所定部材との間の露光光の光路に配置される仕切部材と、光学部材と仕切部材との間の第１空間に第１クリーニング液体を供給する第１供給口と、仕切部材と所定部材との間の第２空間に第２クリーニング液体を供給する第２供給口と、を備えた露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、光学部材から射出された露光光で露光液体を介して基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、光学部材と所定部材との間に仕切部材を配置することと、仕切部材と光学部材との間の空間に第１クリーニング液体を供給することと、仕切部材と所定部材との間の空間に第２クリーニング液体を供給することと、を含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置を第３の態様のクリーニング方法でクリーニングすることと、クリーニング後に、露光装置で基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージを示す平面図である。 第１実施形態に係る基板ステージ及び計測ステージを示す側断面図である。 第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示すＹＺ平面と平行な側断面図である。 第１実施形態に係る液浸部材の近傍を示すＸＺ平面と平行な側断面図である。 第１実施形態に係る液浸部材を示す概略斜視図の一部破断図である。 第１実施形態に係る液浸部材を下側から見た斜視図である。 第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す模式図である。 第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を示す模式図である。 第２実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第２実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第３実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、そのＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、露光液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、露光液体ＬＱを供給する第１供給口４１を備えている。露光装置ＥＸは、第１供給口４１から供給された露光液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する。本実施形態においては、露光液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。なお、以下の説明において、露光液体ＬＱを適宜、第１液体ＬＱと称する。

また、本実施形態においては、露光装置ＥＸ内の部材がクリーニング液体ＬＣ（図１には不図示）によってクリーニングされる。露光装置ＥＸは、クリーニング液体ＬＣを供給する第２供給口４２を備えている。露光装置ＥＸは、第２供給口４２から供給されたクリーニング液体ＬＣで露光装置ＥＸ内の部材をクリーニングする。なお、以下の説明において、クリーニング液体ＬＣを適宜、第２液体ＬＣと称する。

第２液体ＬＣは、露光装置ＥＸ内の部材をクリーニング可能な液体である。第２液体ＬＣは、例えば露光装置ＥＸ内の部材に付着している異物（汚染物）を除去可能な液体である。本実施形態においては、第２液体ＬＣとして、アルカリを含有するアルカリ洗浄液を用いる。アルカリ洗浄液は、例えばアンモニアを含む。第２液体ＬＣとしてアルカリ洗浄液を用いることにより、露光装置ＥＸ内の部材に付着している、例えば有機物等の汚染物を良好に除去することができる。

本実施形態においては、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ１と、基板Ｐを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ２とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板ステージ１と、計測ステージ２と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が第１液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材４と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ３は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部６を有する。本実施形態において、マスク保持部６は、マスクＭのパターン形成面（下面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ３は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むＸＹ平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ３は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む第１駆動システム７の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

マスクステージ３（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム８のレーザ干渉計８Ａによって計測される。レーザ干渉計８Ａは、マスクステージ３に設けられた反射ミラー３Ｒを用いて位置情報を計測する。制御装置５は、レーザ干渉計８Ａの計測結果に基づいて第１駆動システム７を作動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒９に保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれは、ベース部材１０のガイド面１１上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面１１は、ＸＹ平面とほぼ平行である。

基板ステージ１は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むＸＹ平面内をガイド面１１に沿って移動可能である。計測ステージ２は、少なくとも１つの計測器Ｃを搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むＸＹ平面内をガイド面１１に沿って移動可能である。本実施形態において、基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれは、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む第２駆動システム１２の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

本実施形態において、投影光学系ＰＬ及び液浸部材４の位置はほぼ固定されている。基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれは、投影光学系ＰＬ及び液浸部材４に対して可動である。

基板ステージ１（基板Ｐ）及び計測ステージ２（計測器Ｃ）の位置情報は、干渉計システム８のレーザ干渉計８Ｂによって計測される。レーザ干渉計８Ｂは、基板ステージ１に設けられた反射ミラー１Ｒ、及び計測ステージ２に設けられた反射ミラー２Ｒを用いて位置情報を計測する。また、基板ステージ１に保持されている基板Ｐの表面の位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）が、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。フォーカス・レベリング検出システムは、基板Ｐの表面の位置情報のみならず、基板ステージ１の上面１３、及び計測ステージ２の上面１４の位置情報を検出可能である。制御装置５は、レーザ干渉計８Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて第２駆動システム１２を作動し、基板ステージ１に保持されている基板Ｐの位置制御、及び計測ステージ２に搭載されている計測器Ｃの位置制御を行う。

図２は、基板ステージ１及び計測ステージ２を上方から見た平面図、図３は、側断面図である。図２及び図３において、基板ステージ１は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部１５を備えている。基板保持部１５は、基板Ｐの裏面と対向し、基板Ｐの裏面を保持する。基板ステージ１の上面１３は、基板保持部１５の周囲に配置されている。基板保持部１５は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。本実施形態においては、基板保持部１５に保持された基板Ｐの表面と基板ステージ１の上面１３とは、ほぼ平行である。また、本実施形態においては、基板保持部１５に保持された基板Ｐの表面と基板ステージ１の上面１３とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

本実施形態においては、基板ステージ１は、基板Ｐの周囲に配置されるプレート部材Ｔと、基板保持部１５の周囲に配置され、プレート部材Ｔをリリース可能に保持するプレート部材保持部１６とを有する。プレート部材保持部１６は、プレート部材Ｔの下面と対向し、プレート部材Ｔの下面を保持する。以下の説明において、基板保持部１５を第１保持部１５、プレート部材保持部１６を第２保持部１６と称する。

プレート部材Ｔは、基板Ｐを配置可能な開口ＴＨを有する。第２保持部１６に保持されたプレート部材Ｔは、第１保持部１５に保持された基板Ｐの周囲に配置される。本実施形態においては、基板ステージ１の上面１３は、第２保持部１６に保持されたプレート部材Ｔの上面を含む。

本実施形態において、第２保持部１６に保持されたプレート部材Ｔの開口ＴＨの内面（内側エッジ）と、第１保持部１５に保持された基板Ｐの外面（外側エッジ）とは、所定のギャップを介して対向するように配置される。第２保持部１６は、プレート部材Ｔの上面１３とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。また、第２保持部１６は、プレート部材Ｔの上面１３と第１保持部１５に保持された基板Ｐの表面とがほぼ面一となるように、プレート部材Ｔを保持する。

第１保持部１５及び第２保持部１６のそれぞれは、所謂、ピンチャック機構を含む。図３に示すように、第１保持部１５は、基板ステージ１の第１チャック面１７に配置され、基板Ｐの裏面を支持する複数の凸部１５Ｐと、第１チャック面１７において複数の凸部１５Ｐの周囲に配置された第１周壁１５Ａと、第１周壁１５Ａの内側の第１チャック面１７に複数設けられ、気体を吸引可能な第１吸引口１５Ｂとを備えている。第２保持部１６は、基板ステージ１の第２チャック面１８において第１周壁１５Ａの周囲に形成された第２周壁１６Ａと、第２チャック面１８において第２周壁１６Ａの周囲に形成された第３周壁１６Ｃと、第２周壁１６Ａと第３周壁１６Ｃとの間の第２チャック面１８に形成され、プレート部材Ｔの下面を支持する複数の凸部１６Ｐと、第２周壁１６Ａと第３周壁１６Ｃとの間の第２チャック面１８に複数設けられ、気体を吸引可能な第２吸引口１６Ｂとを備えている。

基板Ｐの裏面と第１周壁１５Ａと第１チャック面１７とで囲まれた空間の気体が第１吸引口１５Ｂにより吸引され、その空間が負圧になることによって、基板Ｐの裏面が凸部１５Ｐに吸着保持される。また、第１吸引口１５Ｂを用いる吸引動作が停止されることによって、第１保持部１５より基板Ｐを外すことができる。また、プレート部材Ｔの下面と第２周壁１６Ａと第３周壁１６Ｃと第２チャック面１８とで囲まれた空間の気体が第２吸引口１６Ｂにより吸引され、その空間が負圧になることによって、プレート部材Ｔの下面が凸部１６Ｐに吸着保持される。また、第２吸引口１６Ｂを用いる吸引動作が停止されることによって、第２保持部１６よりプレート部材Ｔを外すことができる。

計測ステージ２は、露光に関する計測を実行可能な計測器Ｃを備えている。計測器Ｃは、計測部材（光学部品）を含む。本実施形態において、計測ステージ２の上面１４の所定位置には、計測器（計測部材）Ｃとして、露光光ＥＬを透過可能な開口パターンが形成されたスリット板Ｃ１が配置されている。スリット板Ｃ１は、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような、投影光学系ＰＬによる空間像を計測可能な空間像計測システムの一部を構成する。空間像計測システムは、スリット板Ｃ１と、スリット板Ｃ１の開口パターンを介した露光光ＥＬを受光する受光素子とを備えている。制御装置５は、スリット板Ｃ１に露光光ＥＬを照射し、そのスリット板Ｃ１の開口パターンを介した露光光ＥＬを受光素子で受光して、投影光学系ＰＬの結像特性の計測を実行する。

また、計測ステージ２の上面１４の所定位置には、計測器（計測部材）Ｃとして、露光光ＥＬを透過可能な透過パターンが形成された上板Ｃ２が配置されている。上板Ｃ２は、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような、露光光ＥＬの照度むらを計測可能な照度むら計測システムの一部を構成する。照度むら計測システムは、上板Ｃ２と、上板Ｃ２の開口パターンを介した露光光ＥＬを受光する受光素子とを備えている。制御装置５は、上板Ｃ２に露光光ＥＬを照射し、その上板Ｃ２の開口パターンを介した露光光ＥＬを受光素子で受光して、露光光ＥＬの照度むらの計測を実行する。

なお、上板Ｃ２が、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような、投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測可能な計測システム、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような、照射量計測システム（照度計測システム）、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような、波面収差計測システム等、露光光ＥＬの露光エネルギーに関する情報を計測可能な計測システムの一部を構成するものであってもよい。その場合、露光装置ＥＸは、それら計測システムの一部を構成する受光素子を備えている。

また、計測ステージ２の上面１４の所定位置には、計測器（計測部材）Ｃとして、基準板Ｃ３が配置されている。基準板Ｃ３は、例えば米国特許第５４９３４０３号明細書に開示されているようなＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムで計測される基準マークを有する。

また、計測ステージ２の上面１４の所定位置には、計測器（計測部材）Ｃとして、光を透過可能な上板Ｃ４が配置されている。上板Ｃ４は、例えば欧州特許出願公開第１７９１１６４号明細書に開示されているような、投影光学系ＰＬ及び液浸部材４等の光学像（画像）を取得可能な観察システムの一部を構成する。観察システムは、上板Ｃ４と、上板Ｃ４を介して画像を取得する撮像装置（観察カメラ）とを備えている。制御装置５は、投影光学系ＰＬ及び液浸部材４の少なくとも一方と上板Ｃ４とを対向させて、画像を取得する。

本実施形態においては、スリット板Ｃ１の上面と、上板Ｃ２の上面と、基準板Ｃ３の上面と、上板Ｃ４の上面と、計測ステージ２の上面１４とは、ほぼ同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される（ほぼ面一である）。

次に、液浸部材４について、図４〜図７を参照して説明する。図４は、液浸部材４の近傍を示すＹＺ平面と平行な側断面図、図５は、ＸＺ平面と平行な側断面図、図６は、液浸部材４を示す概略斜視図の一部破断図、図７は、液浸部材４を下側（−Ｚ側）から見た斜視図である。図４及び図５は、第１液体ＬＱを介して基板Ｐが露光されているときの状態を示す。

液浸部材４は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が第１液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液浸空間ＬＳは、液体で満たされた部分（空間、領域）である。

液浸部材４は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１９の近傍に配置される。終端光学素子１９は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面（下面）２０を有する。本実施形態において、液浸部材４は、終端光学素子１９から射出される露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。

終端光学素子１９は、例えば合成石英で形成される。なお、終端光学素子１９が、蛍石で形成されてもよい。液浸部材４は、例えばチタンで形成される。なお、液浸部材４が、ステンレスで形成されてもよい。

液浸部材４は、終端光学素子１９と、射出面２０から射出される露光光ＥＬの照射位置に配置された所定部材との間の露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態において、射出面２０から射出される露光光ＥＬの照射位置（照射領域）は、射出面２０と対向する位置を含み、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む。以下の説明において、射出面２０から射出される露光光ＥＬの照射位置を適宜、露光位置、と称する。

液浸部材４は、射出面２０から射出される露光光ＥＬの光路の周囲に配置され、露光位置に配置された所定部材の表面との間で第１液体ＬＱを保持可能な下面２１を有する。本実施形態において、射出面２０と対向可能な所定部材は、下面２１と対向可能である。所定部材の表面が射出面２０と対向する位置に配置されたとき、下面２１の少なくとも一部と所定部材の表面とが対向する。射出面２０と所定部材の表面とが対向しているとき、終端光学素子１９の射出面２０と所定部材の表面との間の空間は第１液体ＬＱを保持可能である。また、下面２１と所定部材の表面とが対向しているとき、液浸部材４の下面２１と所定部材の表面との間の空間は第１液体ＬＱを保持可能である。一方側の射出面２０及び下面２１と他方側の所定部材の表面との間に第１液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１９の射出面２０と所定部材の表面との間の露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、射出面２０及び下面２１と対向可能な所定部材は、終端光学素子１９の射出側（像面側）で、終端光学素子１９及び液浸部材４に対して可動な部材を含み、露光位置を含む所定面内を、露光光ＥＬの光路に対して移動可能な部材を含む。本実施形態において、その所定部材は、基板ステージ１、及び計測ステージ２の少なくとも一方を含む。また、その所定部材は、基板ステージ１に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２に搭載された計測器Ｃの少なくとも一方を含む。

基板Ｐの露光時、基板ステージ１に保持された基板Ｐが、終端光学素子１９及び液浸部材４と対向するように、露光位置に配置される。少なくとも基板Ｐの露光時、終端光学素子１９の射出面２０から射出される露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱで満たされるように、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材４と他方側の基板Ｐとの間に第１液体ＬＱが保持され、液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が第１液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。すなわち、第１液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧは、液浸部材４の下面２１と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

なお、以下の説明においては、説明を簡単にするため、主に、終端光学素子１９の射出面２０及び液浸部材４の下面２１と対向する位置に基板Ｐが配置されている状態を例にして説明する。

図４〜図７に示すように、液浸部材４は、環状の部材である。液浸部材４は、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。本実施形態においては、液浸部材４は、終端光学素子１９の周囲に配置される第１プレート部２２と、Ｚ軸方向に関して少なくとも一部が終端光学素子１９の射出面２０と基板Ｐの表面との間に配置される第２プレート部２３とを有する。

第１プレート部２２は、終端光学素子１９の外周面と対向し、その外周面に沿って形成された内周面を有する。液浸部材４の内周面と、終端光学素子１９の外周面とは、所定の間隙を介して対向する。

第２プレート部２３は、中央に開口２４を有する。終端光学素子１９の射出面２０から射出された露光光ＥＬは、開口２４を通過可能である。例えば、基板Ｐの露光中、射出面２０から射出された露光光ＥＬは、開口２４を通過し、第１液体ＬＱを介して基板Ｐの表面に照射される。本実施形態においては、開口２４における露光光ＥＬの断面形状はＸ軸方向を長手方向とする略矩形状（スリット状）である。開口２４は、露光光ＥＬの断面形状に応じて、ＸＹ方向において略矩形状（スリット状）に形成されている。また、開口２４における露光光ＥＬの断面形状と、基板Ｐにおける投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲの形状とはほぼ同じである。

本実施形態において、液浸部材４は、開口２４の周囲に配置され、終端光学素子１９の射出面２０と所定の間隙を介して対向する上面２５を有する。本実施形態においては、上面２５は、第２プレート部２３の上面を含む。本実施形態において、上面２５は、開口２４の周囲に配置された平坦面である。上面２５は、ＸＹ平面とほぼ平行である。上面２５は、開口２４の上側（＋Ｚ側）の空間２６と面する。空間２６は、上面２５と射出面２０との間の空間を含む。以下の説明において、空間２６を適宜、上側空間２６、と称する。なお、上面２５は、曲面であってもよいし、凹凸を有していてもよい。

液浸部材４の下面２１は、第２プレート部２３の下面と、第２プレート部２３の周囲に配置された多孔部材２７の下面とを含む。本実施形態において、ＸＹ平面における第２プレート部２３の下面の外形は、ほぼ正方形である。多孔部材２７は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、多孔部材２７が、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタでもよい。本実施形態においては、ＸＹ平面内における多孔部材２７の形状は、矩形の環状である。多孔部材２７は、チタン製である。なお、多孔部材２７が、ステンレス製でもよい。

液浸部材４の下面２１は、開口２４の周囲に配置された第１領域３１と、第１領域３１の周囲に配置された第２領域３２と、第２領域３２の周囲に配置された第３領域３３とを含む。本実施形態において、第２プレート部２３の下面は、第１領域３１及び第２領域３２を含み、多孔部材２７の下面は、第３領域３３を含む。

第１領域３１は、開口２４の周囲に配置された平坦面である。平坦面３１は、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。平坦面３１は、開口２４の下側（＋Ｚ側）の空間２８と面する。空間２８は、平坦面３１と基板Ｐの表面との間の空間を含む。平坦面３１と基板Ｐの表面との間の空間は、第１液体ＬＱを保持可能である。以下の説明において、空間２８を適宜、下側空間２８、と称する。

本実施形態においては、平坦面３１の一部に、静電チャック機構を含む保持装置７１が配置されている。保持装置７１の保持面は、平坦面３１と同一平面内に配置される（面一である）。保持装置７１は、物体をリリース可能に保持する。

第２領域３２は、平坦面３１の周囲に配置された溝２９を有する。本実施形態において、ＸＹ平面内における溝２９の形状は、矩形の環状である。

第３領域３３は、液体を回収可能な液体回収面を含む。本実施形態において、液体回収面（第３領域）３３は、基板Ｐの表面（ＸＹ平面）とほぼ平行である。液体回収面３３は、基板Ｐの露光中、その液体回収面３３と対向する基板Ｐ上の第１液体ＬＱを回収可能である。液体回収面３３は、多孔部材２７の下面を含む。液体回収面３３と対向する位置に配置された基板Ｐ上の第１液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材２７の孔を介して回収される。液体回収面３３は、その液体回収面３３（多孔部材２７の下面）に接触した液体を回収可能である。

本実施形態においては、Ｚ軸方向に関して、平坦面３１の位置と液体回収面３３との位置が異なる。本実施形態においては、液体回収面３３が、平坦面３１に対して＋Ｚ側に配置される。すなわち、液体回収面３３は、基板Ｐの表面に対して平坦面３１よりも離れた位置に配置されている。本実施形態において、平坦面３１と液体回収面３３との間に段差３０が形成されている。

なお、平坦面３１と液体回収面３３とが同一平面内に配置されてもよい。また、液体回収面３３は、ＸＹ平面と平行でなくてもよいし、曲面であってもよい。

液浸部材４は、第１液体ＬＱを供給する第１供給口４１を備えている。また、液浸部材４は、第２液体ＬＣを供給可能な第２供給口４２を備えている。第１供給口４１は、露光光ＥＬの光路に第１液体ＬＱを供給可能である。第２供給口４２は、液浸部材４と接触するように第２液体ＬＣを供給可能である。

第１供給口４１は、第２供給口４２より終端光学素子１９の近くに配置されている。本実施形態においては、第１供給口４１は、第２供給口４２より上方（＋Ｚ側）に配置されている。

第１供給口４１は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように液浸部材４の所定位置に配置されている。本実施形態において、第１供給口４１は、第１プレート部２２の内周面の所定位置に配置される。本実施形態において、第１供給口４１は、上側空間２６の近傍に配置されている。第１供給口４１は、上側空間２６に第１液体ＬＱを供給可能である。本実施形態において、第１供給口４１は、露光光ＥＬの光路に対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられている。

第２供給口４２は、液浸部材４の下面２１の所定位置に配置されている。本実施形態において、第２供給口４２は、開口２４に対して平坦面３１の外側に配置されている。第２供給口４２は、平坦面３１の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、第２供給口４２は、液浸部材４の下面２１の第２領域３２に配置されている。

本実施形態において、第２供給口４２は、溝２９内に配置されている。図７等に示すように、本実施形態においては、第２供給口４２は、溝２９内において、平坦面３１の周囲の４つの位置のそれぞれに配置されている。

図４に示すように、第１供給口４１は、流路４３を介して、第１供給装置４４と接続されている。第１供給装置４４は、清浄で温度調整された第１液体ＬＱを送出可能である。流路４３は、液浸部材４の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と第１供給装置４４とを接続する供給管で形成される流路を含む。第１供給装置４４から送出された第１液体ＬＱは、流路４３を介して第１供給口４１に供給される。第１供給口４１は、第1供給装置４４からの第１液体ＬＱを露光光ＥＬの光路に供給する。

第２供給口４２は、流路４５を介して、第２供給装置４６と接続されている。第２供給装置４６は、第２液体ＬＣを送出可能である。流路４５は、液浸部材４の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と第２供給装置４６とを接続する供給管で形成される流路を含む。第２供給装置４６から送出された第２液体ＬＣは、流路４５を介して第２供給口４２に供給される。第２供給口４２は、第２供給装置４６からの第２液体ＬＣを、液浸部材４の下面２１と、その下面２１と対向する所定部材の表面との間の空間に供給可能である。液浸部材４の下面２１と所定部材の表面との間の空間は、下側空間２８を含む。

また、液浸部材４は、液体を回収可能な液体回収口４７を有する。液体回収口４７は、液浸部材４の下面２１と対向する所定部材上の液体を回収する。

液体回収口４７は、基板Ｐの表面と対向するように液浸部材４の所定位置に配置されている。液体回収口４７は、露光光ＥＬの光路に対して平坦面３１、及び第２供給口４２（第２領域３２）の外側に配置されている。液体回収口４７には、多孔部材２７が配置されている。液体回収口４７に配置された多孔部材２７の下面は、液体回収面３３である。

液体回収口４７（液体回収面３３）は、流路４８を介して、第１液体回収装置４９と接続されている。第１液体回収装置４９は、真空システムを含み、液体を吸引して回収可能である。流路４８は、液浸部材４の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と第１液体回収装置４９とを接続する回収管で形成される流路を含む。液体回収口４７（液体回収面３３）から回収された液体は、流路４８を介して、第１液体回収装置４９に回収される。

また、本実施形態において、液浸部材４は、上側空間２６の近傍に配置された開口５０を有している。本実施形態において、開口５０は、露光光ＥＬの光路に対してＸ軸方向両側のそれぞれに設けられている。開口５０は、流路５１を介して、第２液体回収装置８０と接続されている。第２液体回収装置８０は、真空システムを含み、液体を吸引して回収可能である。流路５１は、液浸部材４の内部に形成された内部流路、及びその内部流路と第２液体回収装置８０とを接続する管で形成される流路を含む。開口５０から回収された液体は、流路５１を介して、第２液体回収装置８０に回収される。なお第２液体回収装置８０の真空システムは、真空ポンプを含んでいなくてもよい。

図５に示すように、本実施形態においては、流路５１には、例えばバルブ機構を含む流路切替機構８１が配置されている。本実施形態においては、制御装置５は、第２液体回収装置８０を用いる液体回収動作を実行しないとき、流路切替機構８１を制御して、流路５１の一部に開口を形成する。その流路５１の開口は、液浸部材４（液浸空間ＬＳ）の周囲の外部空間（周囲環境）に配置される。すなわち、本実施形態においては、第２液体回収装置８０を用いる液体回収動作を実行しないとき、上側空間２６の近傍に配置されている開口５０と外部空間に配置される流路５１の開口とが連通するように、流路切替機構８１が制御される。本実施形態において、外部空間は、大気空間を含む。したがって、第２液体回収装置８０を用いる液体回収動作を実行しないとき、上側空間２６と外部空間（大気空間）とが連通され、上側空間２６は、流路５１を介して大気開放される。なお、流路切替機構８１を省いて、第２液体回収装置８０を用いる液体回収動作を実行しないときに、上側空間２６を外部空間（大気空間）と連通させなくてもよい。

次に、第１液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する動作の一例について説明する。液浸空間ＬＳを形成するために、制御装置５は、第１供給口４１を用いて、露光光ＥＬの光路に第１液体ＬＱを供給する。第１液体ＬＱを供給するとき、制御装置５は、終端光学素子１９の射出面２０及び液浸部材４の下面２１と対向する位置に、所定部材を配置する。第１供給装置４４から送出された第１液体ＬＱは、流路４３を介して第１供給口４１に供給される。第１供給口４１は、上側空間２６に第１液体ＬＱを供給する。第１液体ＬＱは、上側空間２６を流れ、開口２４を介して、下側空間２８に流入する。こうして、終端光学素子１９の射出面２０と所定部材の表面との間の露光光ＥＬの光路が第１液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

また、本実施形態においては、制御装置５は、第１供給口４１を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口４７を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行する。所定部材上の第１液体ＬＱの少なくとも一部は、液体接触面３３（多孔部材２７の下面）に接触し、その液体回収面３３より回収される。液体回収面３３より回収された第１液体ＬＱは、流路４８を介して、第１液体回収装置４９に回収される。

制御装置５は、第１供給口４１を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口４７を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材４と他方側の所定部材との間に、第１液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置５は、基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方と終端光学素子１９との間に液体を保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ１の上面１３の一つの直線エッジと計測ステージ２の上面１４の一つの直線エッジとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ１の上面１３及び計測ステージ２の上面１４の少なくとも一方と終端光学素子１９の射出面２０とを対向させつつ、終端光学素子１９に対して、基板ステージ１と計測ステージ２とをＸＹ方向に同期移動させることができる。これにより、液体の漏出が抑制されつつ、基板ステージ１の上面１３から計測ステージ２の上面１４へ、あるいは計測ステージ２の上面１４から基板ステージ１の上面１３へ液体の液浸空間が移動可能である。

次に、上述の露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。

制御装置５は、基板ステージ１を基板交換位置に移動し、搬送システム（不図示）を用いて、基板交換位置に配置された基板ステージ１に露光前の基板Ｐを搬入（ロード）する。基板交換位置に基板ステージ１が配置されているとき、露光位置には、計測ステージ２が配置され、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材４と、他方側の計測ステージ２との間に第１液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。制御装置５は、必要に応じて、第１液体ＬＱ及び計測ステージ２を用いて、露光に関する所定の計測を実行する。

基板交換位置において基板ステージ１対する基板Ｐのロードが終了し、計測ステージ２を用いる計測が終了した後、制御装置５は、露光前の基板Ｐを保持した基板ステージ１を、露光位置に移動し、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材４と、他方側の基板ステージ１（基板Ｐ）との間に第１液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光時、制御装置５は、マスクステージ３及び基板ステージ１を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、光軸ＡＸ（露光光ＥＬの光路）と交差するＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置５は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの第１液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。

本実施形態において、第１液体ＬＱを用いて基板Ｐを露光するとき、あるいは第１液体ＬＱを用いて計測器Ｃで計測するとき、第２供給口４２からの第２液体ＬＣの供給は停止されている。

また、第１液体ＬＱを用いて基板Ｐを露光するとき、あるいは第１液体ＬＱを用いて計測器Ｃで計測するとき、上側空間２６は、流路５１を介して大気開放される。

露光後の基板Ｐは、基板ステージ１より搬出（アンロード）される。制御装置５は、露光後の基板Ｐを基板ステージ１からアンロードするために、基板ステージ１を基板交換位置に移動する。基板ステージ１を基板交換位置に移動するとき、制御装置５は、計測ステージ２を、露光位置に移動し、一方側の終端光学素子１９及び液浸部材４と、他方側の計測ステージ２との間に第１液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。制御装置５は、搬送システムを用いて、基板交換位置に配置された基板ステージ１から露光後の基板Ｐをアンロードする。

制御装置５は、露光前の基板Ｐのロード動作、基板Ｐの露光動作、及び露光後の基板Ｐのアンロード動作を繰り返し、複数の基板Ｐを順次液浸露光する。

このように、本実施形態においては、基板Ｐの露光中、第１液体ＬＱは、終端光学素子１９、液浸部材４、基板ステージ１（プレート部材Ｔ）、及び計測ステージ２のそれぞれに接触する。

基板Ｐの露光中、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が第１液体ＬＱ中に混入する可能性がある。その第１液体ＬＱ中に混入した物質は、液浸部材４の下面２１に異物（汚染物）として付着する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が第１液体ＬＱに混入し、液浸部材４の下面２１に付着する可能性もある。異物（汚染物）が液浸部材４の下面２１に付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Ｐに付着したり、第１供給口４１から供給された第１液体ＬＱを汚染したりする可能性がある。その結果、例えば基板Ｐに形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。

また、終端光学素子１９の射出面２０が汚染される可能性もある。終端光学素子１９の射出面２０が汚染された状態を放置しておくと、露光不良が発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、制御装置５は、所定のタイミングで、終端光学素子１９及び液浸部材４をクリーニングする。

次に、終端光学素子１９及び液浸部材４をクリーニングする方法の一例について、図８及び図９を参照して説明する。

図８に示すように、クリーニング処理を実行するとき、第１保持部１５にダミー基板ＤＰが保持される。ダミー基板ＤＰは、露光用の基板Ｐとは別の、異物を放出しにくい高い清浄度を有する（クリーンな）部材である。ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形であり、第１保持部１５は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。

制御装置５は、終端光学素子１９及び液浸部材４と対向するように、基板ステージ１、及び計測ステージ２の少なくとも一方を配置する。本実施形態においては、制御装置５は、基板ステージ１の上面１３と計測ステージ２の上面１４とを接近又は接触させた状態で、基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方を、第２供給口４２と対向するように配置する。図８は、基板ステージ１（プレート部材Ｔ）の上面１３が、第２供給口４２と対向するように配置される例を示す。なお、クリーニング動作中に、基板ステージ１の上面１３と計測ステージ２の上面１４とが接近又は接触していなくてもよい。

図８に示すように、本実施形態において、液浸部材４などのクリーニングを実行するときに、終端光学素子１９の射出面２０と基板ステージ１との間の露光光ＥＬの光路に、カバー部材７０が配置される。カバー部材７０は、平坦面３１に配置された保持装置７１に保持される。上述のように、保持装置７１は、静電チャック機構を含み、カバー部材７０をリリース可能に保持できる。カバー部材７０は、不図示の搬送装置によって、保持装置７１に搬送される。保持装置７１は、開口２４が閉じられるように、カバー部材７０を保持する。

カバー部材７０は、プレート状の部材である。カバー部材７０は、平坦面３１と対向可能な上面７２を有する。ＸＹ平面内において、カバー部材７０の外形は、開口２４より大きく、平坦面３１の外形より小さい。

開口２４を閉じるように、そのカバー部材７０が配置されることによって、終端光学素子１９とカバー部材７０との間に第１空間９１が形成され、カバー部材７０と基板ステージ１との間に第２空間９２が形成される。第１空間９１は、上側空間２６を含み、第２空間９２は、下側空間２８を含む。

制御装置５は、第１供給口４１より第１空間９１に第１液体ＬＱを供給し、第２供給口４２より第２空間９２に第２液体ＬＣを供給する。

露光光ＥＬの光路にカバー部材７０を配置した状態で第１空間９１に第１液体ＬＱを供給するとき、制御装置５は、流路切替機構８１及び第２液体回収装置８０を制御して、開口５０を用いる液体回収動作を実行する。第１供給口４１は、終端光学素子１９の射出面２０と接触するように、第１空間９１に第１液体ＬＱを供給する。第１空間９１の第１液体ＬＱは、開口５０より回収される。

本実施形態において、制御装置５は、第１供給口４１を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、開口５０を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行する。図９に示すように、第１供給口４１から第１空間９１に供給された第１液体ＬＱは、終端光学素子１９の射出面２０と接触しながら第１空間９１を流れた後、開口５０より回収される。これにより、終端光学素子１９が第１液体ＬＱでクリーニングされる。

また、第１空間９１が第１液体ＬＱで満たされているとき、制御装置５は、終端光学素子１９より露光光ＥＬを射出する。制御装置５は、終端光学素子１９の射出面２０を光洗浄するために、露光光ＥＬを照射する。露光光ＥＬは、紫外光であり、露光光ＥＬを照射することによって、終端光学素子１９の射出面２０は、光洗浄される。なお、第１空間９１が第１液体ＬＱで満たされているときに、露光光ＥＬを射出面２０に照射させずに、第１液体ＬＱを第１空間９１に供給するだけでもよい。

また、制御装置５は、液浸部材４をクリーニングするために、第２供給口４２より第２液体ＬＣを供給する。第２供給口４２は、液浸部材４と接触するように、第２空間９２に第２液体ＬＣを供給する。液体回収口４７は、第２空間９２の第２液体ＬＣを回収する。

本実施形態においては、制御装置５は、第２供給口４２を用いる第２液体ＬＣの供給動作と並行して、液体回収口４７を用いる第２液体ＬＣの回収動作を実行する。これにより、図８に示すように、液浸部材４と基板ステージ１との間に第２液体ＬＣで液浸空間が形成される。

第２液体ＬＣは、多孔部材２７の下面（液体回収面３３）に接触する。これにより、多孔部材２７が第２液体ＬＣによってクリーニングされる。また、第２液体ＬＣは、多孔部材２７の孔を介して、流路４８に流入し、その流路４８を流れて、第１液体回収装置４９に回収される。したがって、多孔部材２７の孔の内面、多孔部材２７の上面、及び流路４８の内面も、第２液体ＬＣによってクリーニングされる。

本実施形態においては、クリーニング時において第２液体ＬＣで形成される液浸空間の大きさ（ＸＹ平面内における大きさ）は、基板Ｐの露光時において第１液体ＬＱで形成される液浸空間の大きさ（ＸＹ平面内における大きさ）より、大きい。したがって、液浸部材４の下面２１の広い範囲が第２液体ＬＣと接触し、第２液体ＬＣによってクリーニングされる。

また、基板ステージ１の上面１３は、第２供給口４２と対向するように配置されており、第２供給口４２からの第２液体ＬＣと接触する。これにより、基板ステージ１（プレート部材Ｔ）の上面１３が、第２液体ＬＣによってクリーニングされる。

また、第２供給口４２より第２液体ＬＣを供給しながら、液浸部材４に対して基板ステージ１をＸＹ方向に移動することによって、基板ステージ１（プレート部材Ｔ）の上面１３の広い範囲が、第２液体ＬＣによってクリーニングされる。

本実施形態においては、第１保持部１５でダミー基板ＤＰを保持した状態で、第２液体ＬＣを用いるクリーニングが実行されるので、第２液体ＬＣと第１保持部１５との接触が防止される。また、第２供給口４２と対向する位置にダミー基板ＤＰを配置した状態で、第２供給口４２より第２液体ＬＣを供給し、液浸部材４の下面２１をクリーニングするだけでもよい。

また、制御装置５は、計測器Ｃの上面を含む計測ステージ２の上面１４を、第２供給口４２と対向するように配置して、第２供給口４２より第２液体ＬＣを供給することにより、計測ステージ２の上面１４を、第２液体ＬＣによってクリーニングすることができる。

このように、本実施形態においては、第１液体ＬＱによる終端光学素子１９のクリーニング処理の少なくとも一部と並行して、第２液体ＬＣによる所定部材（液浸部材４、基板ステージ１、計測ステージ２など）のクリーニング処理が実行される。

第２液体ＬＣを用いるクリーニングが終了した後、制御装置５は、第２供給装置４６の作動を停止して、第２供給口４２を用いる第２液体ＬＣの供給を停止する。そして、制御装置５は、基板Ｐの露光前に、液浸部材４から第２液体ＬＣを除去するための処理を実行する。

本実施形態において、液浸部材４から第２液体ＬＣを除去するための処理は、第１液体ＬＱを供給するフラッシング処理を含む。

図１０に示すように、露光光ＥＬの光路からカバー部材７０を退かした後、制御装置５は、終端光学素子１９及び液浸部材４と対向するように、第１保持部１５でダミー基板ＤＰを保持した基板ステージ１を配置し、第２液体ＬＣの供給を停止した状態で、第１供給口４１を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口４７を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行する。これにより、液浸部材４の下面２１、多孔部材２７、及び回収流路４８等に残留している第２液体ＬＣが洗い流される。

また、第１供給装置４４からの第１液体ＬＱを流路４５に供給することによって、流路４５、第２供給口４２等に残留している第２液体ＬＣを、第１液体ＬＱで洗い流すことができる。

また、制御装置５は、終端光学素子１９及び液浸部材４と対向するように、基板ステージ１（プレート部材Ｔ）の上面１３を配置し、第２液体ＬＣの供給を停止した状態で、第１供給口４１及び第２供給口４２を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口４７を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行することにより、基板ステージ１（プレート部材Ｔ）の上面１３に残留している第２液体ＬＣを、第１液体ＬＱで洗い流すことができる。

また、制御装置５は、終端光学素子１９及び液浸部材４と対向するように、計測ステージ２の上面１４を配置し、第２液体ＬＣの供給を停止した状態で、第１供給口４１及び第２供給口４２を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、液体回収口４７を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行することにより、計測ステージ２の上面１４に残留している第２液体ＬＣを、第１液体ＬＱで洗い流すことができる。

このように、第２液体ＬＣを用いて液浸部材４などをクリーニングした後、第１液体ＬＱを用いて、第２液体ＬＣを除去することによって、その後に実行される基板Ｐの露光中に、露光光ＥＬの光路を満たす第１液体ＬＱに第２液体ＬＣが混入することが抑制される。

第２液体ＬＣを用いるクリーニング処理、及び第１液体ＬＱを用いるフラッシング処理が終了した後、次に露光される基板Ｐが第１保持部１５に保持され、その基板Ｐの露光処理が実行される。露光された基板Ｐは、例えば現像処理等、所定のプロセス処理を実行される。

以上説明したように、本実施形態によれば、終端光学素子１９及び液浸部材４などを効率良く良好にクリーニングできる。したがって、終端光学素子１９及び液浸部材４などの汚染に起因する露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

上述のように、本実施形態においては、第２液体ＬＣとして、アルカリ洗浄液を用いる。第２液体ＬＣとしてアルカリ洗浄液を用いることにより、液浸部材４の下面２１などに付着している、例えば感光材等に起因する有機物（汚染物）を良好に除去することができる。

一方、アルカリ洗浄液を含む第２液体ＬＣが終端光学素子１９と接触すると、例えば終端光学素子１９の表面の状態が変化する可能性がある。例えば終端光学素子１９が石英で形成される場合、第２液体ＬＣと終端光学素子１９とが接触すると、終端光学素子１９の表面の状態が変化したり、光学特性が変化したりする可能性がある。

本実施形態によれば、カバー部材７０によって、第２液体ＬＣと終端光学素子１９との接触が防止されるので、終端光学素子１９の性能が変化することを抑制することができる。また、液浸部材４などをクリーニングするために用いられる第２液体ＬＣの選択の自由度を高めることができる。

また、本実施形態によれば、基板ステージ１の上面１３、計測ステージ２の上面１４等、基板Ｐの露光中に第１液体ＬＱと接触する所定部材の表面（液体接触面）も、第２液体ＬＣを用いて効率良く良好にクリーニングできる。したがって、それら所定部材の汚染に起因する露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

なお、本実施形態において、カバー部材７０を保持する保持装置７１の少なくとも一部が、平坦面３１に設けられているが、保持装置７１の替わりに、カバー部材７０を液浸部材４の下側に挿脱可能に支持する支持装置を設けてもよい。

また、本実施形態においては、カバー部材７０が平坦面３１の下側に配置されているが、開口２４内にカバー部材７０を配置してもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

以下の説明において、クリーニング処理時、液浸部材４と対向する位置に基板ステージ１が配置される場合を例にして説明するが、上述の実施形態と同様、第１保持部１５に保持されたダミー基板ＤＰ、計測ステージ２を配置することもできる。

図１１は、第２実施形態に係る液浸部材４Ｃの一例を示す図である。本実施形態において、液浸部材４Ｃは、終端光学素子１９と基板ステージ１との間の露光光ＥＬの光路に配置されるシャッタ部材７３Ａ、７３Ｂを含むシャッタ機構７４を有する。

本実施形態において、シャッタ機構７４は、第２プレート部２３の開口２４を規定する内面に形成された凹部７５Ａ、７５Ｂと、凹部７５Ａ、７５Ｂのそれぞれに配置可能なシャッタ部材７３Ａ、７３Ｂと、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂを移動可能なアクチュエータ７６Ａ、７６Ｂとを備えている。凹部７５Ａは、第２プレート部２３の開口２４を規定する＋Ｙ側の内面に形成され、凹部７５Ｂは、第２プレート部２３の開口２４を規定する−Ｙ側の内面に形成されている。シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂは、プレート状の部材である。アクチュエータ７６Ａ、７６Ｂの作動により、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂは、露光光ＥＬの光路に対して移動可能である。本実施形態において、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂは、Ｙ軸方向に移動可能である。アクチュエータ７６Ａ、７６Ｂの作動により、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂは、凹部７５Ａ、７５Ｂに対して出入可能である。

例えば、基板Ｐの露光時、図１１Ａに示すように、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂは、凹部７５Ａ、７５Ｂに配置される。制御装置５は、液浸空間ＬＳを形成するために、第１供給口４１より第１液体ＬＱを供給する。

終端光学素子１９及び液浸部材４Ｃなどのクリーニング時、図１１Ｂに示すように、制御装置５は、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂで開口２４を閉じるために、アクチュエータ７６Ａ、７６Ｂを作動して、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂを開口２４に配置する。これにより、開口２４が閉じられる。終端光学素子１９とシャッタ部材７３Ａ、７３Ｂとの間に第１空間９１が形成され、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂと基板ステージ１との間に第２空間９２が形成される。

制御装置５は、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂで開口２４を閉じた状態で、第１供給口４１より第１空間９１に第１液体ＬＱを供給し、第２供給口４２より第２空間９２に第２液体ＬＣを供給する。

なお、本実施形態において、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂを開口２４内に配置して、開口２４を閉じるようにしているが、シャッタ部材７３Ａ、７３Ｂを、平坦面３１の下側、あるいは液浸部材４Ｃの上面２５の上側に配置するようにしてもよい。

本実施形態においても、終端光学素子１９、液浸部材４、及び基板ステージ１などをクリーニングすることができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

上述の各実施形態においては、液浸部材４に第２供給口４２が配置される場合を例にして説明したが、第３実施形態の特徴的な部分は、液浸部材４Ｊの下面２１と対向する位置に配置される所定部材に第２供給口４２Ｊを設ける点にある。

図１２は、第３実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。図１２において、計測ステージ２Ｊは、上面１４に配置された第２供給口４２Ｊを備えている。第２供給口４２Ｊは、液浸部材４Ｊの下面２１と対向可能である。第２供給口４２Ｊは、流路４５Ｊを介して、第２供給装置４６Ｊと接続されている。流路４５Ｊは、計測ステージ２Ｊの内部に形成された供給流路、及びその供給流路と第２供給装置４６Ｊとを接続する供給管で形成される流路を含む。

本実施形態においては、上述の第１実施形態で説明したような、終端光学素子１９と基板ステージ１との間の露光光ＥＬの光路を第１空間９１と第２空間９２とに仕切るためのカバー部材７０と、そのカバー部材７０をリリース可能に保持する保持装置７１とを含む。なお、終端光学素子１９と基板ステージ１との間の露光光ＥＬの光路を第１空間９１と第２空間９２とに仕切るために、上述の第２実施形態で説明したような、シャッタ機構７４を用いることもできる。

制御装置５は、液浸部材４Ｊの下面２１と計測ステージ２Ｊの上面１４に配置された第２供給口４２Ｊとを対向させ、終端光学素子１９と基板ステージ１との間の露光光ＥＬの光路にカバー部材７０を配置した状態で、第１供給口４１より第１空間９１に第１液体ＬＱを供給し、第２供給口４２より第２空間９２に第２液体ＬＣを供給する。

制御装置５は、第１供給口４１を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、開口５０を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行することによって、終端光学素子１９の射出面２０などをクリーニングすることができる。

また、制御装置５は、第２供給口４２Ｊを用いる第２液体ＬＣの供給動作と並行して、液浸部材４Ｊに配置されている液体回収口４７Ｊを用いる第２液体ＬＣの回収動作を実行することによって、液浸部材４Ｊの下面２１及び計測ステージ２Ｊの上面１４などをクリーニングすることができる。

なお、本実施形態においては、計測ステージ２Ｊに第２供給口４２Ｊが配置される場合を例にして説明したが、基板ステージ１に第２供給口が配置されてもよい。液浸部材の下面２１と基板ステージ１の上面１３に配置された第２供給口とを対向させた状態で、第２供給口を用いる第２液体ＬＣの供給動作と並行して、液体回収口を用いる第２液体ＬＣの回収動作を実行することによって、液浸部材の下面２１及び基板ステージ１の上面１３をクリーニングできる。また、基板ステージ１、及び計測ステージ２とことなる可動部材に第２供給口を設けてもよい。

また、本実施形態において、液浸部材４Ｊにも第２液体ＬＣを供給する供給口を設け、液浸部材４Ｊの第２供給口、および液浸部材４Ｊの下面２１と対向する位置に配置される所定部材（計測ステージ２など）の第２供給口４２Ｊとを併用してもよい。

なお、上述の第１〜第３実施形態において、液体回収口４７（液体回収面３３）とともに、あるいは液体回収口４７（液体回収面３３）を使わずに、液浸部材の下面と対向する位置に配置された液体回収部を使って、第１液体ＬＱ及び／又は第２液体ＬＣを回収するようにしてもよい。液浸部材の下面と対向する位置に配置された液体回収部は、例えば、基板ステージ１及び／又は計測ステージ２に設けることができる。

なお、上述の第１〜第３実施形態においては、液浸部材４の下面２１と対向する位置に所定部材（基板ステージ１、計測ステージ２、ダミー基板ＤＰ）を配置し、液浸部材４の下面２１と所定部材との間に第２液体ＬＣを供給して、第２液体ＬＣで液浸空間を形成する場合を例にして説明したが、上述のように、液浸部材の下面と対向する位置に液体回収部を配置する場合には、例えば開口２４をカバー部材７０で閉じた状態で、液浸部材４の下方から液浸部材４の下面に向けて第２液体ＬＣを吹き付けてもよい。

また、上述のように、液浸部材の下面と対向する位置に液体回収部を配置する場合には、例えば液浸部材の液体回収口４７から第２液体ＬＣを供給してもよい。

なお、上述の各実施形態においては、終端光学素子１９をクリーニングするために、第１供給口４１から第１空間９１に第１液体ＬＱが供給される場合を例にして説明したが、第１供給口４１より第１空間９１に、第１液体ＬＱと異なるクリーニング用の液体を供給してもよい。例えば過酸化水素水を含むクリーニング用の液体を供給することができる。こうすることによっても、終端光学素子１９の射出面２０を良好にクリーニングすることができる。

また、上述の各実施形態において、第１供給口４１の近傍に、さらに別の液体供給口を設けて、そのさらなる液体供給口から上側空間２６に液体（例えば第１液体ＬＱ、あるいは第１液体と異なるクリーニング液体）を供給してもよい。この場合、第１供給口４１から第１液体ＬＱの供給を並行して行ってもよい。

なお、上述の実施形態においては、アンモニアを含む第２液体ＬＣを用いているが、これに限られず、コリン、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの少なくとも１つを含む第２液体ＬＣを用いてもよい。

また、上述の各実施形態において、第２液体ＬＣに振動（超音波）を与える超音波クリーニングを併用してもよい。

なお、上述の各実施形態における投影光学系ＰＬにおいて、終端光学素子１９の射出側（像面側）の光路が第１液体ＬＱで満たされているが、投影光学系ＰＬとして、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているような、終端光学素子１９の入射側（物体面側）の光路も液体で満たされる投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の各実施形態の第１液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、第１液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、第１液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系ＰＬを用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系ＰＬを用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ１及び基板ステージ２の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ１、２に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

１…基板ステージ、２…計測ステージ、４…液浸部材、１９…終端光学素子、２０…射出面、２１…下面、２３…第２プレート部、２４…開口、２６…上側空間、２８…下側空間、３３…平坦面、４１…第１供給口、４２…第２供給口、４７…液体回収口、５３…防止装置、７０…カバー部材、７１…保持装置、７７…流体カーテン、ＤＰ…ダミー基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＣ…クリーニング液体、ＬＱ…露光液体、Ｐ…基板。

Claims (29)

1. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光を射出する射出面を有する光学部材と、
   前記射出面と所定部材との間の前記露光光の光路に配置される仕切部材と、
   前記光学部材と前記仕切部材との間の第１空間に第１クリーニング液体を供給する第１供給口と、
   前記仕切部材と前記所定部材との間の第２空間に第２クリーニング液体を供給する第２供給口と、を備えた露光装置。
2. 前記仕切部材は、前記光路に対して移動可能である請求項１記載の露光装置。
3. 前記光学部材から射出される前記露光光の光路が前記露光液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材を備え、
   前記第２クリーニング液体は、前記液浸部材と接触するように前記第２供給口から供給される請求項１又は２記載の露光装置。
4. 前記第２供給口は、前記液浸部材に設けられる請求項３記載の露光装置。
5. 前記所定部材は、前記第２供給口と対向するように配置される請求項４記載の露光装置。
6. 前記第２クリーニング液体で前記液浸部材の少なくとも一部をクリーニングする請求項３〜５のいずれか一項記載の露光装置。
7. 前記液浸部材は、前記光学部材からの前記露光光が通過する開口を有し、
   前記仕切部材は、前記開口を閉じるように前記露光光の光路に配置される請求項３〜６のいずれか一項記載の露光装置。
8. 前記仕切部材で前記開口を閉じるように、前記仕切部材をリリース可能に保持する保持装置をさらに備えた請求項７記載の露光装置。
9. 前記保持装置の少なくとも一部は、前記液浸部材に設けられる請求項７または８記載の露光装置。
10. 前記第１供給口は、前記液浸部材に設けられる請求項３〜９のいずれか一項記載の露光装置。
11. 前記第１空間の前記第１クリーニング液体を回収する第１回収口を備える請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
12. 前記第２空間の前記第２クリーニング液体を回収する第２回収口を備える請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
13. 前記第１クリーニング液体は、前記露光液体を含む請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
14. 前記露光液体は、純水を含む請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
15. 前記第１クリーニング液体は、過酸化水素水を含む請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
16. 前記第２クリーニング液体は、アルカリを含む請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
17. 前記第２クリーニング液体で、前記所定部材の少なくとも一部をクリーニングする請求項１〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
18. 前記所定部材は、前記露光光の光路に対して移動可能である請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
19. 前記露光光の光路に対して移動可能なステージをさらに備え、
    前記所定部材は、前記ステージの一部を含む請求項１８記載の露光装置。
20. 前記ステージは、前記基板を保持する基板ステージを含む請求項１９記載の露光装置。
21. 前記ステージは、露光に関する計測を実行可能な計測器を搭載する計測ステージを含む請求項１９又は２０記載の露光装置。
22. 前記第２供給口は、前記可動ステージに設けられる請求項１９〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
23. 前記第１クリーニング液体で前記光学部材の射出面をクリーニングする請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
24. 前記光学部材と前記仕切部材との間の第１空間が前記第１クリーニング液体で満たされているときに、前記露光光が前記光学部材から射出される請求項１〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
25. 前記基板を保持する基板保持部を有し、前記露光光の光路に対して移動可能な基板ステージをさらに備え、
    前記所定部材は、前記基板保持部に保持されたダミー基板を含む請求項１〜２４のいずれか一項記載の露光装置。
26. 請求項１〜２５のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
27. 光学部材から射出された露光光で露光液体を介して基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
    前記光学部材と所定部材との間に仕切部材を配置することと、
    前記仕切部材と前記光学部材との間に第１クリーニング液体を供給することと、
    前記仕切部材と前記所定部材との間に第２クリーニング液体を供給することと、を含むクリーニング方法。
28. 前記光学部材を光洗浄するために、紫外光を照射することを含む請求項２７記載のクリーニング方法。
29. 露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置を請求項２７又は２８記載のクリーニング方法でクリーニングすることと、
    前記クリーニング後に、前記露光装置で前記基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

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