JP2011165798A - 露光装置、露光装置で使用される方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように基板との間に第１液浸空間を形成する液浸部材と、光路に対する放射方向に関して液浸部材の外側に配置され、基板の露光において第１吸引力で気体を吸引し、液浸部材のクリーニングの少なくとも一部において第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引する吸引口とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、露光装置、露光装置で使用される方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。

米国特許公開第２００６／０１３９６１４号明細書 米国特許第７１９９８５８号明細書

液浸露光装置において、例えば液体の気化に起因して温度変化が発生する可能性がある。温度変化が発生すると、例えば検出装置の検出精度が低下したり、基板等の部材が熱変形したりする可能性がある。その結果、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるプログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
露光光が射出される射出面を有する光学部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように基板との間に第１液浸空間を形成する液浸部材と、光路に対する放射方向に関して液浸部材の外側に配置され、基板の露光において第１吸引力で気体を吸引し、液浸部材のクリーニングの少なくとも一部において第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引する吸引口と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように基板との間に第１液浸空間を形成する液浸部材と、光路に対する放射方向に関して液浸部材の外側に配置され、基板の露光において第１吸引力で気体を吸引し、基板の非露光期間において液浸部材と射出面に対向する物体との間に第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間を形成するための動作が実行されるときに第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引する吸引口と、を備える露光装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、第１、第２の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置で使用される方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材と基板との間に第１液浸空間を形成し、第１液浸空間の液体を介して基板を露光することと、基板の露光において光路に対する放射方向に関して液浸部材の外側に配置される吸引口から第１吸引力で気体を吸引することと、液浸部材のクリーニングの少なくとも一部において第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引することと、を含む方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光装置で使用される方法であって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材と基板との間に第１液浸空間を形成し、第１液浸空間の液体を介して基板を露光することと、基板の露光において光路に対する放射方向に関して液浸部材の外側に配置される吸引口から第１吸引力で気体を吸引することと、基板の非露光期間において液浸部材と射出面に対向する物体との間に第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間を形成するための動作が実行されるときに吸引口から第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引することと、を含む方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第４、第５の態様の方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材と基板との間に第１液浸空間を形成し、第１液浸空間の液体を介して基板を露光することと、基板の露光において光路に対する放射方向に関して液浸部材の外側に配置される吸引口から第１吸引力で気体を吸引することと、液浸部材のクリーニングの少なくとも一部において第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引することと、を実行させるプログラムが提供される。

本発明の第８の態様に従えば、コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、光学部材の射出面から射出される露光光の光路が液体で満たされるように光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材と基板との間に第１液浸空間を形成し、第１液浸空間の液体を介して基板を露光することと、基板の露光において光路に対する放射方向に関して液浸部材の外側に配置される吸引口から第１吸引力で気体を吸引することと、基板の非露光期間において液浸部材と射出面に対向する物体との間に第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間を形成するための動作が実行されるときに吸引口から第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引することと、を実行させるプログラムが提供される。

本発明の第９の態様に従えば、第７、第８の態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る液浸部材の一例を示す側断面図である。 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、計測ステージ３を移動する駆動システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、気体を吸引可能な吸引部材７０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８と、制御装置８に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置１０１とを備えている。記憶装置１０１は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置１０１には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

また、露光装置ＥＸは、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する干渉計システム１１と、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面の位置を検出する検出システム１００とを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

また、露光装置ＥＸは、基板Ｐが処理される空間１０２の環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ）を調整するチャンバ装置１０３を備えている。基板ステージ２及び計測ステージ３は、空間１０２を移動する。チャンバ装置１０３は、空間１０２を形成するチャンバ部材１０４と、その空間１０２の環境を調整する空調システム１０５とを有する。空調システム１０５は、空間１０２に気体を供給して、その空間１０２の環境を調整する。本実施形態においては、少なくとも基板ステージ２、計測ステージ３、及び投影光学系ＰＬの終端光学素子１２が空間１０２に配置される。本実施形態においては、空間１０２に、基板ステージ２、計測ステージ３、及び投影光学系ＰＬのみならず、マスクステージ１、及び照明系ＩＬの少なくとも一部も配置される。露光光ＥＬは、空間１０２の少なくとも一部を進行する。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態において、照明系ＩＬは、照明領域ＩＲの大きさ及び形状を調整可能なブラインド装置３０を備えている。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。駆動システム４は、ガイド面９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材９に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２と計測ステージ３とは、ガイド面１０Ｇ上を独立して移動可能である。

基板ステージ２を移動するための駆動システム５は、ガイド面１０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ３を移動するための駆動システム６は、平面モータを含み、計測ステージ３に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。

干渉計システム１１は、レーザ干渉計ユニット１１Ａ、１１Ｂを含む。レーザ干渉計ユニット１１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒに計測光Ｌａを照射して、マスクステージ１の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１１Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に配置された計測ミラー３Ｒに計測光Ｌａを照射して、基板ステージ２及び計測ステージ３それぞれの位置を計測可能である。

検出システム１００は、オートフォーカス・レベリング検出システムを含み、基板Ｐの表面に検出光Ｌｂを照射して、その基板Ｐの表面の位置を検出可能である。なお、検出システム１００は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面のみならず、基板ステージ２の上面２Ｕ、及び計測ステージ３の上面３Ｕの少なくとも一方の位置も検出可能である。

基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果、及び検出システム１００の検出結果に基づいて、駆動システム４，５，６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

液浸部材７は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。液浸部材７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２の近傍に配置される。液浸部材７は、終端光学素子１２の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材７の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。

終端光学素子１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。本実施形態において、射出面１３側に液浸空間ＬＳが形成される。射出面１３から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１３は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１３は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１３がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。

液浸部材７は、少なくとも一部が−Ｚ方向を向く下面１４を有する。本実施形態において、射出面１３及び下面１４は、射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸空間ＬＳは、射出面１３と、投影領域ＰＲに配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。

本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１３側）で投影領域ＰＲに対して移動可能な物体を含む。その物体は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一方と対向可能な上面（表面）を有する。物体の上面は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一方との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の上面（表面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態において、その物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。

また、本実施形態においては、物体は、基板ステージ２に保持されたダミー基板ＤＰを含む。ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形である。ダミー基板ＤＰは、感光膜を含まない。ダミー基板ＤＰは、デバイスパターンを形成不可能な基板である。ダミー基板ＤＰは、基板Ｐよりも異物を放出し難い基板である。本実施形態において、ダミー基板ＤＰの表面は、液体ＬＱに対して撥液性である。

もちろん、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、基板ステージ２に保持されたダミー基板ＤＰ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つに限られない。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧｑの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

本実施形態において、基板ステージ２は、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部３１と、第１保持部３１の周囲に配置され、プレート部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部３２とを有する。第１，第２保持部３１，３２は、ピンチャック機構を有する。プレート部材Ｔは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。なお、第１保持部３１と第２保持部３２の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、プレート部材Ｔは基板ステージ２に一体的に形成されていてもよい。

本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２保持部３２は、プレート部材Ｔの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面と第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

また、第１保持部３１は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。第１保持部３１は、ダミー基板ＤＰの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、ダミー基板ＤＰを保持する。

第１保持部３１に保持された基板Ｐ（ダミー基板ＤＰ）、及び第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔは、駆動システム５の作動により基板ステージ２が移動することによって、投影領域ＰＲに対して移動可能である。第１保持部３１に保持された基板Ｐ（ダミー基板ＤＰ）の表面は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。第２保持部３１に保持されたプレート部材Ｔの上面は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。

計測ステージ３は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する第３保持部３３と、第３保持部３３の周囲に配置され、プレート部材Ｓをリリース可能に保持する第４保持部３４とを有する。第３，第４保持部３３，３４は、ピンチャック機構を有する。プレート部材Ｓは、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの周囲に配置される。なお、第３保持部３３と第４保持部３４の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、計測部材Ｃ及びプレート部材Ｓの少なくとも一方は計測ステージ３に一体的に形成されていてもよい。

本実施形態において、第３保持部３３は、計測部材Ｃの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、計測部材Ｃを保持する。第４保持部３４は、プレート部材Ｓの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｓを保持する。本実施形態において、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面と第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

第３保持部３３に保持された計測部材Ｃ、及び第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓは、駆動システム６の作動により計測ステージ３が移動することによって、投影領域ＰＲに対して移動可能である。第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面は、射出面１３及び下面１４の少なくとも一部との間に液浸空間ＬＳを形成可能である。

本実施形態において、プレート部材Ｔの上面は、液体ＬＱに対して撥液性である。また、プレート部材Ｓの上面も、液体ＬＱに対して撥液性である。液体ＬＱに対するプレート部材Ｔ、Ｓの上面の接触角は、９０度以上である。本実施形態において、液体ＬＱに対するプレート部材Ｔ、Ｓの上面の接触角は、１１０度以上である。本実施形態において、プレート部材Ｔの上面及びプレート部材Ｓの上面の少なくとも一方は、ＰＦＡの膜の表面を含む。

また、本実施形態において、計測ステージ３は、光センサ等の計測器を搭載する。本実施形態において、計測部材Ｃは、例えば石英など、露光光ＥＬを透過可能な部材を含み、計測部材Ｃの少なくとも一部は、露光光ＥＬを透過可能な光透過部を含む。第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面に照射された露光光ＥＬは、計測部材Ｃの光透過部を介して、計測器に照射される。計測器は、終端光学素子１２より射出され、計測部材Ｃの光透過部を介した露光光ＥＬを受光する。

なお、基板を保持して移動可能な基板ステージと、基板を保持せずに、露光光を計測する計測部材（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されている。

ここで、以下の説明において、第２保持部３２に保持されたプレート部材Ｔの上面を適宜、基板ステージ２の上面２Ｕ、と称し、第３保持部３３に保持された計測部材Ｃの上面及び第４保持部３４に保持されたプレート部材Ｓの上面を合わせて適宜、計測ステージ３の上面３Ｕ、と称する。

図２は、本実施形態に係る液浸部材７及び吸引部材７０の一例を示す側断面図である。なお、図２を用いる説明においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置）に基板Ｐが配置される場合を例にして説明するが、上述のように、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）、及び計測ステージ３（プレート部材Ｓ、計測部材Ｃ）を配置することもできる。

図２に示すように、液浸部材７は、射出面１３と対向する位置に開口７Ｋを有する。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。本実施形態において、液浸部材７の下面１４は、開口７Ｋの周囲に配置された平坦面７Ｈを含む。

また、液浸部材７は、液体ＬＱを供給可能な供給口１５と、供給口１５から供給された液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能な回収口１６とを備えている。供給口１５は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように配置されている。供給口１５は、流路１７を介して、液体供給装置１８と接続されている。液体供給装置１８は、クリーンで温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１７は、液浸部材７の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置１８とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置１８から送出された液体ＬＱは、流路１７を介して供給口１５に供給される。

回収口１６は、液浸部材７の下面１４と対向する基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口１６は、露光光ＥＬが通過する開口７Ｋの周囲に配置されている。回収口１６は、物体の表面と対向する液浸部材７の所定位置に配置されている。回収口１６には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材１９が配置されている。なお、回収口１６に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。また、回収口１６に多孔部材１９が配置されていなくてもよい。本実施形態において、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部は、多孔部材１９の下面を含む。回収口１６は、流路２０を介して、液体回収装置２１と接続されている。液体回収装置２１は、回収口１６を真空システムに接続可能であり、回収口１６を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路２０は、液浸部材７の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置２１とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口１６から回収された液体ＬＱは、流路２０を介して、液体回収装置２１に回収される。

本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

吸引部材７０は、液浸部材７の周囲の少なくとも一部に配置されている。本実施形態において、吸引部材７０は、環状の部材であり、液浸部材７の周囲に配置されている。本実施形態において、吸引部材７０は、投影領域ＰＲに配置される物体が対向可能な下面７１を有する。基板Ｐの露光において、吸引部材７０の下面７１は、基板Ｐの表面と対向する。

吸引部材７０は、露光光ＥＬの光路Ｋに対する放射方向に関して液浸部材７の外側に配置された吸引口７２を備えている。吸引口７２は、基板Ｐ（物体）の表面と対向可能である。
本実施形態において、吸引口７２は、下面７１に配置されている。本実施形態において、吸引口７２は、環状であり、回収口１６の周囲に配置されている。なお、吸引口７２が、回収口１６を囲むように、所定間隔で複数配置されてもよい。

吸引口７２は、基板Ｐの露光時において、気体を吸引する。基板Ｐの露光時において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの界面ＬＧｑは、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に配置される。界面ＬＧｑが液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に配置されている通常状態において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、吸引部材７０の下面７１と基板Ｐの表面との間の空間に流入せず、吸引口７２は、液体ＬＱを吸引しない。通常状態において、吸引口７２は、液浸空間ＬＳの周囲の気体の少なくとも一部を吸引可能である。

液浸空間ＬＳが形成されている場合、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部が気化し、周囲の空間に放出される可能性がある。すなわち、液体ＬＱの気化により、液浸空間ＬＳの周囲の空間（界面ＬＧｑの外側の気体空間）の湿度が高くなる可能性がある。本実施形態においては、液浸空間ＬＳの周囲の少なくとも一部に吸引口７２が配置されている。制御装置７は、吸引口７２を用いる吸引動作を実行することによって、液浸空間ＬＳの周囲の高湿度の気体を吸引口７２から吸引することができる。すなわち、基板Ｐの露光時において、液浸空間ＬＳが形成されているときに吸引口７２が気体を吸引することにより、高湿度の気体が吸引部材７０と基板Ｐとの間の空間の外側に流出（放出）されることが抑制される。

図２に示すように、本実施形態において、検出システム１００は、光路Ｋに対する放射方向に関して吸引口７２（吸引部材７０）の外側に配置されている。検出システム１００は、光路Ｋに対する放射方向に関して吸引口７２の外側において、検出光Ｌｂを用いる基板Ｐの表面の位置検出処理を実行する。液浸空間ＬＳの周囲の高湿度の気体は、吸引口７２から吸引されるので、その高湿度の気体が検出システム１００の検出光Ｌｂの光路上に流入することが抑制される。検出システム１００の検出光Ｌｂの光路の環境は、チャンバ装置１０３によって制御される。これにより、例えば基板Ｐの露光時に、検出システム１００の検出精度の低下が抑制される。

また、干渉計システム１１は、光路Ｋに対する放射方向に関して吸引口７２の外側において、計測光Ｌａを用いる基板ステージ２、計測ステージ３、及びマスクステージ１の位置計測処理を実行する。液浸空間ＬＳの周囲の高湿度の気体は、吸引口７２から吸引されるので、その高湿度の気体が干渉計システム１１の計測光Ｌａの光路上に流入することが抑制される。これにより、干渉計システム１１の計測精度の低下が抑制される。

なお、露光装置ＥＸが、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているようなエンコーダシステム、あるいはアライメントシステム等を備えていてもよい。これらのシステムも、吸引口７２の外側において検出光を用いる検出処理を実行する。吸引口７２によって高湿度の気体が検出光の光路上に流入することを抑制することができる。

吸引口７２は、流路７３を介して、吸引装置７４と接続されている。吸引装置７４は、吸引口７２を真空システムに接続可能であり、吸引口７２を介して気体を吸引可能である。流路７３は、吸引部材７０の内部に形成された吸引流路、及びその吸引流路と吸引装置７４とを接続する吸引管で形成される流路を含む。吸引口７２から吸引された気体は、流路７３を介して、吸引装置７４に吸引される。

なお、基板Ｐの露光において、吸引口７２が液体ＬＱを吸引してもよい。例えば基板Ｐの移動条件（移動速度、加速度、及び移動距離等）、及び基板Ｐの表面の状態等によっては、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間の空間から流出してしまう可能性がある。吸引口７２は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間の空間から流出し、吸引部材７０の下面７１と基板Ｐの表面との間の空間に流入した液体ＬＱを吸引可能である。また、吸引口７２は、回収口１６が回収しきれず、基板Ｐ上に残留した液体ＬＱを吸引することもできる。これにより、液体ＬＱが漏出したり、基板Ｐ上に残留したりすることが抑制される。

なお、吸引部材７０の下面７１と基板Ｐの表面との間の空間に液体ＬＱが流入した場合、吸引口７２の吸引動作が停止されてもよい。吸引口７２が液体ＬＱを吸引することによって液体ＬＱの気化熱が発生する場合、吸引部材７０の下面７１と基板Ｐの表面との間の空間に流入した液体ＬＱを吸引口７２で吸引しないようにすることによって、気化熱の発生、及び温度変化の発生を抑制することができる。

なお、吸引口７２に多孔部材を配置し、その多孔部材の孔を介して気体を吸引してもよい。また、多孔部材の孔の内面を液体ＬＱに対して撥液性し、その多孔部材の孔を介して気体のみが吸引されるように、基板Ｐの表面に面する多孔部材の下面側の圧力と、吸引部材７０の内部に形成された吸引流路に面する多孔部材の上面側の圧力との差を調整してもよい。多孔部材の孔の内面を液体ＬＱに対して撥液性にして、多孔部材の下面側と上面側との圧力差を調整することによって、吸引部材７０と基板Ｐとの間の空間に液体ＬＱが存在する場合でも、その液体ＬＱを吸引せず、気体のみを吸引することができる。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。

制御装置８は、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）する処理を実行する。制御装置８は、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）するために、図３に示すように、液浸部材７から離れた基板ステージ２を基板交換位置ＣＰに移動する。なお、例えば露光後の基板Ｐが第１保持部３１に保持されている場合、その露光後の基板Ｐが第１保持部３１から搬出（アンロード）する処理が実行された後、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）する処理が実行される。

基板交換位置ＣＰは、基板Ｐの交換処理が実行可能な位置である。基板Ｐの交換処理は、搬送装置３６を用いて、第１保持部３１に保持された露光後の基板Ｐを第１保持部３１から搬出（アンロード）する処理、及び第１保持部３１に露光前の基板Ｐを搬入（ロード）する処理の少なくとも一方を含む。制御装置８は、液浸部材７から離れた基板交換位置ＣＰに基板ステージ２を移動して、基板Ｐの交換処理を実行する。

基板ステージ２が液浸部材７から離れている期間の少なくとも一部において、制御装置８は、計測ステージ３を液浸部材７に対して所定位置に配置して、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３の上面３Ｕとの間で液体ＬＱを保持して、液浸空間ＬＳを形成する。

また、基板ステージ２が液浸部材７から離れた期間の少なくとも一部において、必要に応じて、計測部材Ｃ（計測器）を用いる計測処理が実行される。計測部材Ｃ（計測器）を用いる計測処理を実行するとき、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３とを対向させ、終端光学素子１２と計測部材Ｃとの間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測部材Ｃに露光光ＥＬを照射して、計測部材Ｃを用いる計測処理を実行する。その計測処理の結果は、基板Ｐの露光処理に反映される。

露光前の基板Ｐが第１保持部３１にロードされ、計測部材Ｃを用いる計測処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方と終端光学素子１２及び液浸部材７との間に液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ２の上面２Ｕ及び計測ステージ３の上面３Ｕの少なくとも一方と終端光学素子１２の射出面１３及び液浸部材７の下面１４とを対向させつつ、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に移動させることができる。これにより、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２との間に液浸空間ＬＳが形成可能な状態、及び終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳが形成可能な状態の一方から他方へ変化させることができる。すなわち、制御装置８は、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、液浸部材７の下面１４側に形成された液浸空間ＬＳが基板ステージ２の上面２Ｕ上と計測ステージ３の上面３Ｕ上との間を移動するように、基板ステージ２及び計測ステージ３を液浸部材７に対して移動させることができる。

以下の説明において、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１２及び液浸部材７に対して、基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に同期移動させる動作を適宜、スクラム移動、と称する。

本実施形態においては、スクラム移動を実行するとき、図４に示すように、制御装置８は、基板ステージ２の＋Ｙ側の側面２Ｆと、その基板ステージ２と対向可能な計測ステージ３の−Ｙ側の側面３Ｆとを所定のギャップを介して対向させる。そして、制御装置８は、そのギャップを維持した状態で、基板ステージ２及び計測ステージ３を同時に移動（同期移動）させる。本実施形態においては、スクラム移動を実行するとき、制御装置８は、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとで実質的に一つの連続面が形成されるように、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとの位置関係を調整する。

スクラム移動を実行して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置８は、基板Ｐの露光処理を開始する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２とを対向させ、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。基板Ｐの露光において、液浸部材７は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、照明系ＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭからの露光光ＥＬを投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。

図２に示すように、基板Ｐの露光において、吸引口７２は、下面７１と基板Ｐの表面との間の気体の少なくとも一部を吸引する。本実施形態おいて、吸引口７２は、基板Ｐの露光において第１吸引力Ｆ１で気体を吸引する。吸引力は、吸引口７２から吸引される単位時間当たりの気体吸引量を含む。これにより、液浸空間ＬＳの周囲の高湿度の気体が、吸引部材７０と基板Ｐとの間の空間の外側に流出することが抑制される。

また、図２に示すように、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、液浸空間ＬＳの大きさ（寸法）は、第１寸法Ｗ１に定められる。図２に示す第１寸法Ｗ１は、基板Ｐがほぼ静止している状態で液浸空間ＬＳを形成した場合の、射出面１３とほぼ平行な面内（ＸＹ平面内）における液浸空間ＬＳの寸法である。

以下の説明においては、終端光学素子１２及び液浸部材７とほぼ静止している物体との間に形成される液浸空間の大きさ（寸法）を、液浸空間の大きさ（寸法）、と称する。なお、物体が所定の移動条件（移動速度、加速度、及び移動距離等）で移動している状態で形成される液浸空間の大きさ（寸法）を、液浸空間の大きさ（寸法）としてもよい。

本実施形態においては、制御装置８は、基板Ｐの露光において液浸空間ＬＳの大きさが第１寸法Ｗ１になるように、供給口１５からの液体ＬＱの供給量と、回収口１６からの液体ＬＱの回収量とを調整する。上述のように、本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態においては、液浸空間ＬＳが第１寸法Ｗ１になるように、供給口１５から単位時間当たり第１供給量で液体ＬＱが供給され、その液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６から単位時間当たり第１回収量で液体ＬＱが回収される。

基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置８は、スクラム移動を実行し、終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳを形成する。制御装置８は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰに移動する。制御装置８は、基板交換位置ＣＰに移動した基板ステージ２から露光後の基板Ｐを搬出し、次に露光される基板Ｐを基板ステージ２に搬入する。なお、基板ステージ２からアンロードされた露光後の最初の基板Ｐは、外部装置に供給され、例えば現像処理等、所定の処理を施される。

以下、制御装置８は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

なお、本実施形態においては、基板Ｐの交換処理、計測ステージ３を用いる計測処理、及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスの少なくとも一部の期間において、供給口１５から露光光ＥＬの光路Ｋ及び基板Ｐ上に液体ＬＱが供給されるとともに、基板Ｐ上の液体ＬＱの少なくとも一部が回収口１６から回収される。また、露光シーケンスの少なくとも一部の期間において、吸引口７２の吸引動作が実行される。本実施形態においては、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作及び回収口１６からの液体ＬＱの回収動作が実行されて液浸空間ＬＳが形成されている間、吸引口７２の吸引動作も継続される。露光シーケンスにおいて、吸引口７２は、第１吸引力Ｆ１で気体を吸引する。吸引口７２に対向する基板Ｐ上に液体ＬＱが存在しない場合には、吸引口７２は、周囲の気体を吸引する。一方、吸引口７２に対向する基板Ｐ上に液体ＬＱが存在する場合には、吸引口７２から、その基板Ｐ上の液体ＬＱを吸引してもよいし、しなくてもよい。上述のように、吸引口７２から液体ＬＱを吸引することによって、液体ＬＱの漏出、残留等を抑制することができる。一方、吸引口７２から液体ＬＱを吸引しないことによって、液体ＬＱの気化、及びその気化に伴う気化熱（温度変化）の発生を抑制することができる。

ところで、基板Ｐの露光中、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機
物）が、異物（汚染物、パーティクル）として液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に混入する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入する可能性もある。上述したように、基板Ｐの交換処理、計測ステージ３を用いる計測処理、及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスの少なくとも一部の期間において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、液浸部材７、基板ステージ２、及び計測ステージ３の少なくとも一部と接触する。

したがって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に異物が混入すると、液浸部材７の下面１４、回収口１６に配置されている多孔部材１９、基板ステージ２の上面２Ｕ、及び計測ステージ３の上面３Ｕの少なくとも一部に異物が付着する可能性がある。それら液体ＬＱと接触する露光装置ＥＸ内の所定部材の表面（液体接触面）に異物が付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Ｐに付着したり、供給口１５から供給された液体ＬＱが汚染されたりする可能性がある。また、液浸部材７の下面１４、基板ステージ２の上面２Ｕ、計測ステージ３の上面３Ｕが汚染されると、例えば液浸空間ＬＳを良好に形成できなくなる可能性もある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、制御装置８は、所定のタイミングで、液浸空間ＬＳの
液体ＬＱと接触する露光装置ＥＸ内の所定部材をクリーニングする処理を実行する。なお、液体ＬＱと接触しない部材のクリーニング処理を実行してもよい。

以下、基板Ｐの露光において液体ＬＱと接触する露光装置ＥＸ内の所定部材のうち、主に液浸部材７をクリーニングする場合を例にして説明する。

図５は、液浸部材７のクリーニング処理を含むクリーニングシーケンスを説明するための図である。本実施形態においては、液浸部材７のクリーニングにおいて、液浸部材７と、射出面１３及び下面１４に対向する物体との間に液浸空間ＬＴが形成される。以下の説明においては、射出面１３及び下面１４に対向する物体が、第１基板保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰであることとする。なお、物体が、基板ステージ２でもよいし、計測ステージ３でもよい。

本実施形態においては、液浸部材７は、液浸空間ＬＴの液体ＬＲによってクリーニングされる。すなわち、液浸部材７と液体ＬＲとが接触することによって、液浸部材７がクリーニングされる。本実施形態においては、液浸部材７のクリーニングにおいて、基板Ｐの露光時に形成された液浸空間ＬＳよりも大きい液浸空間ＬＴが形成される。クリーニングにおいて形成される液浸空間ＬＴの大きさ（寸法）は、第２寸法Ｗ２である。第２寸法Ｗ２は、第１寸法Ｗ１よりも大きい。

以下の説明において、基板Ｐの露光時において形成される液浸空間ＬＳを適宜、第１液浸空間ＬＳ、と称し、液浸部材７のクリーニング時において形成される液浸空間ＬＴを適宜、第２液浸空間ＬＴ、と称する。第２液浸空間ＬＴの第２寸法Ｗ２は、第１液浸空間ＬＳの第１寸法Ｗ１よりも大きい。

本実施形態において、第２液浸空間ＬＴは、水によって形成される。すなわち、本実施形態において、第１液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱと、第２液浸空間ＬＴを形成する液体ＬＲとは、同じである。なお、第１液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱと、第２液浸空間ＬＴを形成する液体ＬＲとが異なってもよい。例えば、第２液浸空間ＬＴを形成する液体ＬＲが、アルカリ洗浄液を含んでもよい。例えば、液体ＬＲが、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液のようなアルカリ水溶液でもよい。また、液体ＬＲが、アルコールでもよい。例えば、液体ＬＲが、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及びペンタノールの少なくとも一つでもよい。また、液体ＬＲが、過酸化水素を含んでもよい。

本実施形態において、第２液浸空間ＬＴを形成するための液体ＬＲは、供給口１５から供給される。また、第２液浸空間ＬＴを形成する液体ＬＲの少なくとも一部は、回収口１６から回収される。制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＲの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＲの回収動作を実行して、終端光学素子１２及び液浸部材７とダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＲで第２液浸空間ＬＴを形成する。制御装置８は、第２液浸空間ＬＴが第１寸法Ｗ１よりも大きい第２寸法Ｗ２になるように、供給口１５から単位時間当たり第２供給量で液体ＬＲを供給し、その液体ＬＲの供給動作と並行して、回収口１６から単位時間当たり第２回収量で液体ＬＲを回収する。

例えば、第２液浸空間ＬＴを形成するために液体ＬＲを供給するときの第２供給量を、第１液浸空間ＬＳを形成するために液体ＬＱを供給するときの第１供給量よりも多くすることによって、第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴを形成することができる。

また、第２液浸空間ＬＴから液体ＬＲを回収するときの第２供給量を、第１液浸空間ＬＳから液体ＬＱを回収するときの第１回収量よりも少なくすることによって、第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴを形成することもできる。

もちろん、液体ＬＲを供給するときの第２供給量、及び液体ＬＲを回収するときの第２回収量の両方を調整して、第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴを形成することもできる。

液浸部材７のクリーニングにおいて第２液浸空間ＬＴを大きくすることによって、液体ＬＲと接触する液浸部材７の表面（下面１４）の領域（面積）を大きくすることができる。これにより、液体ＬＲで液浸部材７を良好にクリーニングできる。

図５に示すように、液浸部材７のクリーニングにおいて、吸引口７２は、下面７１と基板Ｐの表面との間の気体の少なくとも一部を吸引する。本実施形態においては、第２液浸空間ＬＴが形成されている状態で、吸引口７２は、液浸部材７のクリーニングの少なくとも一部において第１吸引力Ｆ１よりも小さい第２吸引力Ｆ２で気体を吸引する。吸引力は、吸引口７２から吸引する単位時間当たりの気体吸引量を含む。すなわち、制御装置８は、基板Ｐの露光時よりも単位時間当たり少ない吸引量で吸引口７２から気体を吸引する。

第２液浸空間ＬＴを大きくすることによって、液浸部材７の表面の広い領域をクリーニングできる。第２液浸空間ＬＴを大きくすることによって、第２液浸空間ＬＴの液体ＬＲが、回収部材７０とダミー基板ＤＰとの間の空間に流入する可能性が高くなる。回収部材７０とダミー基板ＤＰとの間の空間に液体ＬＲが存在する状態で、大きい吸引力で吸引口７２から液体ＬＲを吸引した場合、液体ＬＲの気化が発生しやすくなり、その気化による温度変化が大きくなってしまう可能性がある。

本実施形態においては、基板Ｐの非露光期間において液浸部材７とダミー基板ＤＰとの間に第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴを形成するための動作が実行されるときに、吸引口７２からの気体の吸引力を小さくするようにしたので、液体ＬＲの気化を抑制することができる。したがって、気化熱の発生を抑制することができ、温度変化の発生を抑制することができる。

本実施形態において、第２吸引力Ｆ２は、零を含む。すなわち、制御装置８は、第２液浸空間ＬＴが形成されているときに、吸引口７２からの気体の吸引を停止してもよい。こうすることによっても、温度変化の発生を抑制することができる。

本実施形態においては、液浸部材７のクリーニングにおいて、第２液浸空間ＬＴを大きくする動作及び小さくする動作が実行される。本実施形態において、制御装置８は、第２液浸空間ＬＴの大きさが、第１寸法Ｗ１よりも大きい第２寸法Ｗ２と、第１寸法Ｗ２よりも小さい第３寸法Ｗ３との一方から他方へ複数回変化するように、その第２液浸空間ＬＴの大きさを調整する。制御装置８は、供給口１５からの単位時間当たりの液体ＬＲの供給量、及び回収口１６からの単位時間当たりの液体ＬＲの回収量の少なくとも一方を調整して、第２液浸空間ＬＴを大きくする動作及び小さくする動作を実行する。第２液浸空間ＬＴの大きさを変化させることによって、下面１４とダミー基板ＤＰの表面との間において第２液浸空間ＬＴの液体ＬＲの界面ＬＧｒの位置が光路Ｋに対する放射方向に関して変化し、液浸部材７のクリーニング効果をより高めることができる。

また、本実施形態においては、制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７とダミー基板ＤＰとの間に第２液浸空間ＬＴが形成された状態で、ダミー基板ＤＰ（基板ステージ２）をＸＹ平面内において移動させる。これにより、第２液浸空間ＬＴの液体ＬＲに流れが生じ、液浸部材７のクリーニング効果をより高めることができる。ダミー基板ＤＰを移動することによって、下面７１とダミー基板ＤＰの表面との間に液体ＬＲが流入する可能性が高くなるが、吸引口７２の吸引力が小さいので、温度変化の発生を抑制することができる。

以上、第２液浸空間ＬＴを形成して液浸部材７をクリーニングする場合を例にして説明した。終端光学素子１２及び液浸部材７と物体の上面（ダミー基板ＤＰの上面、基板ステージ２の上面２Ｕ、及び計測ステージ３の上面３Ｕの少なくとも一つ）との間に第２液浸空間ＬＴが形成されることによって、液浸部材７のみならず、終端光学素子１２、及び物体の少なくとも一方も、第２液浸空間ＬＴの液体ＬＲでクリーニングすることができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板Ｐの非露光期間において液浸部材７と物体との間に第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴを形成するための動作が実行されるときに吸引口７２の吸引力を小さくするようにしたので、液体ＬＲを気体とともに吸引口７２から吸引した場合でも、気化熱の発生、及び温度変化の発生を抑制することができる。また、吸引口７２の吸引を停止することによっても、温度変化の発生を抑制することができる。したがって、検出光Ｌｂを用いる検出処理を実行する検出システム１００等の検出精度が低下したり、基板ステージ２等の部材が熱変形したりすることを抑制することができる。したがって、クリーニングシーケンス後に実行される基板Ｐの露光シーケンスにおいて露光不良が発生することを抑制でき、不良デバイスが発生することを抑止することができる。

なお、本実施形態において、吸引口７２から第２吸引力Ｆ２で気体を吸引する動作は、クリーニングシーケンスの全部において実行されてもよいし、一部において実行されてもよい。

なお、本実施形態において、第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴを形成する動作は、クリーニングシーケンスの全部において実行されてもよいし、一部において実行されてもよい。

なお、本実施形態においては、液浸部材７等のクリーニングシーケンスにおいて、第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴを形成するための動作が実行されることとしたが、例えば基板Ｐの露光を含む露光シーケンスにおいて、液浸空間ＬＳを大きくする可能性もある。例えば、基板Ｐの露光において、基板Ｐの移動条件に応じて液浸空間ＬＳを大きくするための動作が実行される可能性がある。基板Ｐの移動条件は、基板Ｐの移動速度、加速度、ＸＹ平面内における所定の一方向への移動距離、及びＸＹ平面内における終端光学素子１２及び液浸部材７に対する基板Ｐの移動軌跡の少なくとも一つを含む。また、露光光ＥＬの照射条件に応じて、液浸空間ＬＳを大きくするための動作が実行される可能性もある。基板Ｐの移動条件及び露光光ＥＬの照射条件を含む露光条件に応じて、液浸空間ＬＳを第１寸法Ｗ１よりも大きくするための動作が実行されるときに、第１吸引力Ｆ１よりも小さい吸引力で吸引口７２から気体を吸引することによって、基板Ｐの露光において温度変化の発生を抑制することができる。

なお、液浸空間ＬＳを大きくするための動作は、供給口１５からの液体供給量を多くする動作、及び回収口１６からの液体回収量を少なくする動作の少なくとも一方を含む。

なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの露光において液体ＬＱを供給する供給口１５が、液浸部材７のクリーニングにおいて液体ＬＲを供給することとしたが、供給口１５とは別の供給口から液体ＬＲを供給してもよい。また、基板Ｐの露光において液体ＬＱを回収する回収口１６が、液浸部材７のクリーニングにおいて液体ＬＲを回収することとしたが、回収口１６とは別の回収口から液体ＬＲを回収してもよい。

なお、上述の実施形態においては、吸引口７２の吸引力を小さくする非露光期間が、液浸部材７のクリーニングシーケンスの期間であることとしたが、例えば、所定数のロットの基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスが終了し、次の指令が入力されるまでのアイドリング期間でもよい。アイドリング期間において、例えば終端光学素子１２及び液浸部材７と計測ステージ３等の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する場合において、そのアイドリング期間の液浸空間ＬＳの寸法が、露光シーケンスの液浸空間ＬＳの寸法より大きい場合、アイドリング期間における吸引口７２の吸引力を、露光シーケンスにおける吸引力より小さくしてもよい。

なお、上述の実施形態において、液浸部材７の温度を調整する温度調整装置を設けることができる。例えば、吸引口７２から液体ＬＱ、ＬＲが吸引されるときに、温度調整装置で液浸部材７の温度を調整することができる。温度調整装置は、例えば液浸部材７に接触するように配置されたヒータ機構を含む。あるいは、液浸部材７の内部に温度調整用の流体が流通可能な流路を形成し、その流路に温度調整用の流体を流して、液浸部材７の温度を調整してもよい。

なお、上述したように、制御装置８は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置８は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置１０１は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置１０１には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

なお、制御装置８に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。

記憶装置１０１に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）８が読み取り可能である。記憶装置１０１には、制御装置８に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。

記憶装置１０１に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、終端光学素子１２の射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように終端光学素子１２の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材７と基板Ｐとの間に第１液浸空間ＬＳを形成し、第１液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する処理と、基板Ｐの露光において光路Ｋに対する放射方向に関して液浸部材７の外側に配置される吸引口７２から第１吸引力Ｆ１で気体を吸引する処理と、液浸部材７のクリーニングの少なくとも一部において液浸部材７と射出面１３に対向する物体との間に第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴが形成されるときに第１吸引力Ｆ１よりも小さい第２吸引力Ｆ２で気体を吸引する処理とを実行させることができる。

また、記憶装置１０１に記憶されているプログラムは、終端光学素子１２の射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように終端光学素子１２の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材７と基板Ｐとの間に第１液浸空間ＬＳを形成し、第１液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する処理と、基板Ｐの露光において光路Ｋに対する放射方向に関して液浸部材７の外側に配置される吸引口７２から第１吸引力Ｆ１で気体を吸引することと、基板Ｐの非露光期間において液浸部材７と射出面１３に対向する物体との間に第１液浸空間ＬＳよりも大きい第２液浸空間ＬＴを形成するための動作が実行されるときに吸引口７２から第１吸引力Ｆ１よりも小さい第２吸引力Ｆ２で気体を吸引する処理とを実行させることができる。

記憶装置１０１に記憶されているプログラムが制御装置８に読み込まれることにより、基板ステージ２、計測ステージ３、液浸部材７、吸引部材７０、液体供給装置１８、液体回収装置２１、及び吸引装置７４等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光、及びクリーニング処理等、各種の処理を実行する。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。基板処理ステップは、上述のクリーニング処理を含み、上述の実施形態に従って、吸引口７２からの吸引力を調整することを含む。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、２Ｕ…上面、３…計測ステージ、３Ｕ…上面、７…液浸部材、８…制御装置、１２…終端光学素子、１３…射出面、１４…下面、１５…供給口、１６…回収口、７０…吸引部材、７２…吸引口、１０１…記憶装置、ＤＰ…ダミー基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＲ…液体、ＬＳ…液浸空間、ＬＴ…液浸空間、Ｐ…基板

Claims (23)

1. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
   前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記射出面から射出される前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記基板との間に第１液浸空間を形成する液浸部材と、
   前記光路に対する放射方向に関して前記液浸部材の外側に配置され、前記基板の露光において第１吸引力で気体を吸引し、前記液浸部材のクリーニングの少なくとも一部において前記第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引する吸引口と、を備える露光装置。
2. 前記クリーニングの少なくとも一部において前記液浸部材と前記射出面に対向する物体との間に前記第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間が形成される請求項１記載の露光装置。
3. 前記クリーニングにおいて、前記第２液浸空間を大きくする動作及び小さくする動作が実行される請求項２記載の露光装置。
4. 前記クリーニングにおいて、前記第２液浸空間の液体で前記液浸部材、前記光学部材、及び前記物体の少なくとも一つがクリーニングされる請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
5. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
   前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記射出面から射出される前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記基板との間に第１液浸空間を形成する液浸部材と、
   前記光路に対する放射方向に関して前記液浸部材の外側に配置され、前記基板の露光において第１吸引力で気体を吸引し、前記基板の非露光期間において前記液浸部材と前記射出面に対向する物体との間に前記第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間を形成するための動作が実行されるときに前記第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引する吸引口と、を備える露光装置。
6. 液体を供給する供給口と、
   前記供給口から供給された液体の少なくとも一部を回収する回収口と、を備え、
   前記動作は、前記第２液浸空間を形成するための液体供給量を、前記第１液浸空間を形成するための液体供給量よりも多くする動作を含む請求項５記載の露光装置。
7. 液体を供給する供給口と、
   前記供給口から供給された液体の少なくとも一部を回収する回収口と、を備え、
   前記動作は、前記第２液浸空間からの液体回収量を、前記第１液浸空間からの液体回収量よりも少なくする動作を含む請求項５記載の露光装置。
8. 前記非露光期間において、前記第２液浸空間の液体で前記液浸部材、前記光学部材、及び前記物体の少なくとも一つがクリーニングされる請求項５〜７のいずれか一項記載の露光装置。
9. 前記第１液浸空間を形成する液体と、前記第２液浸空間を形成する液体とは異なる請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
10. 前記光路に対する放射方向に関して前記吸引口の外側において検出光を用いる検出処理を実行する検出装置を備える請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
11. 前記第２液浸空間が形成された状態で前記物体が移動される請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
12. 前記物体は、前記基板を保持可能である請求項１１記載の露光装置。
13. 前記物体は、前記露光光を計測する計測器を搭載する請求項１１記載の露光装置。
14. 前記基板をリリース可能に保持する基板保持部を有する基板ステージを備え、
    前記物体は、前記基板保持部に保持されるダミー基板を含む請求項１１記載の露光装置。
15. 請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
16. 液体を介して露光光で基板を露光装置で使用される方法であって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路が液体で満たされるように前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材と前記基板との間に第１液浸空間を形成し、前記第１液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、
    前記基板の露光において前記光路に対する放射方向に関して前記液浸部材の外側に配置される吸引口から第１吸引力で気体を吸引することと、
    前記液浸部材のクリーニングの少なくとも一部において前記第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引することと、を含む方法。
17. 前記クリーニングの少なくとも一部において前記液浸部材と前記射出面に対向する物体との間に前記第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間が形成される請求項１６記載の方法。
18. 液体を介して露光光で基板を露光装置で使用される方法であって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路が液体で満たされるように前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材と前記基板との間に第１液浸空間を形成し、前記第１液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、
    前記基板の露光において前記光路に対する放射方向に関して前記液浸部材の外側に配置される吸引口から第１吸引力で気体を吸引することと、
    前記基板の非露光期間において前記液浸部材と前記射出面に対向する物体との間に前記第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間を形成するための動作が実行されるときに前記吸引口から前記第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引することと、を含む方法。
19. 請求項１６〜１８のいずれか一項記載の方法を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
20. コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路が液体で満たされるように前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材と前記基板との間に第１液浸空間を形成し、前記第１液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、
    前記基板の露光において前記光路に対する放射方向に関して前記液浸部材の外側に配置される吸引口から第１吸引力で気体を吸引することと、
    前記液浸部材のクリーニングの少なくとも一部において前記第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引することと、を実行させるプログラム。
21. 前記クリーニングの少なくとも一部において前記液浸部材と前記射出面に対向する物体との間に前記第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間が形成される請求項２０記載のプログラム。
22. コンピュータに、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    光学部材の射出面から射出される前記露光光の光路が液体で満たされるように前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置される液浸部材と前記基板との間に第１液浸空間を形成し、前記第１液浸空間の液体を介して前記基板を露光することと、
    前記基板の露光において前記光路に対する放射方向に関して前記液浸部材の外側に配置される吸引口から第１吸引力で気体を吸引することと、
    前記基板の非露光期間において前記液浸部材と前記射出面に対向する物体との間に前記第１液浸空間よりも大きい第２液浸空間を形成するための動作が実行されるときに前記吸引口から前記第１吸引力よりも小さい第２吸引力で気体を吸引することと、を実行させるプログラム。
23. 請求項２０〜２２のいずれか一項記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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