JP2011233690A - クリーニング方法、露光装置、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】部材をクリーニングして露光不良の発生を抑制できるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法は、露光の前及び後の少なくとも一方において、露光において基板の周囲の少なくとも一部に位置する所定部材の表面の、露光において露光光が照射されない所定領域に洗浄光を照射することを含む。
【選択図】図５

Description

本発明は、クリーニング方法、露光装置、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。

米国特許出願公開第２００６／０１３９６１４号明細書 米国特許第７１９９８５８号明細書

液浸露光装置において、露光装置の部材が汚染されると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、部材を良好にクリーニングできる技術の案出が望まれる。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できるクリーニング方法、及び露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、部材をクリーニングして露光不良の発生を抑制できるプログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光の前及び後の少なくとも一方において、露光において基板の周囲の少なくとも一部に位置する所定部材の表面の、露光において露光光が照射されない所定領域に洗浄光を照射することを含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光の少なくとも一部において、基板と基板の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材との間隙に対する第１液体の浸入を検出することと、検出の結果に基づいて、基板の周囲に配置される所定部材の表面の少なくとも一部に洗浄光を照射することと、を含むクリーニング方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、第１、第２の態様のクリーニング方法でクリーニングされた露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光において基板の周囲の少なくとも一部に位置する所定部材と、洗浄光を射出する光学部材と、を備え、露光の前及び後の少なくとも一方において、所定部材の表面のうちの、露光において露光光が照射されない所定領域に光学部材からの洗浄光を照射する露光装置が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第４の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、 露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、第１液体を介して露光光で基板を露光することと、露光の前及び後の少なくとも一方において、露光において基板の周囲の少なくとも一部に位置する所定部材の表面の、露光において露光光が照射されない所定領域に洗浄光を照射することと、を実行させるプログラムが提供される。

本発明の第７の態様に従えば、コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、第１液体を介して露光光で基板を露光することと、露光の少なくとも一部において、基板と基板の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材との間隙に対する第１液体の浸入を検出することと、検出の結果に基づいて、基板の周囲に配置される所定部材の表面の少なくとも一部に洗浄光を照射することと、を実行させるプログラムが提供される。

本発明の第８の態様に従えば、第６、第７の態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る基板ステージ及び液浸部材の一例を示す側断面図である。 本実施形態に係る基板ステージに保持された基板の一例を示す図である。 図３の一部を拡大した図である。 本実施形態に係るクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。 本実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 本実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）Ｃを搭載して移動可能な計測ステージ３とを備えた露光装置である。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板ステージ２と、計測ステージ３と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、計測ステージ３を移動する駆動システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材７と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置８と、制御装置８に接続された記憶装置３０とを備えている。記憶装置３０は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含み、露光に関する各種の情報を記憶する。記憶装置３０には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材９のガイド面９Ｇ上を移動可能である。駆動システム４は、ガイド面９Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材９に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、ガイド面９Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。

基板ステージ２を移動するための駆動システム５は、ガイド面１０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ３を移動するための駆動システム６は、平面モータを含み、計測ステージ３に配置された可動子と、ベース部材１０に配置された固定子とを有する。

本実施形態において、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置情報は、レーザ干渉計ユニット１１Ａ、１１Ｂを含む干渉計システム１１によって計測される。レーザ干渉計ユニット１１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１１Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒ、及び計測ステージ３に配置された計測ミラー３Ｒを用いて、基板ステージ２及び計測ステージ３それぞれの位置を計測可能である。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置８は、干渉計システム１１の計測結果に基づいて、駆動システム４，５，６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３(計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

液浸部材７は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。液浸部材７は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材７は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材７の少なくとも一部が、終端光学素子１２の周囲に配置される。

終端光学素子１２は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１３を有する。本実施形態において、射出面１３から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子１２と、終端光学素子１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１２の射出面１３側）で投影領域ＰＲに対して移動可能な物体であり、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。

本実施形態において、液浸部材７は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面１４を有する。液浸部材７は、投影領域ＰＲに配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。一方側の射出面１３及び下面１４と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１２と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材７の下面１４と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

図２は、本実施形態に係る液浸部材７及び基板ステージ２の一例を示す側断面図である。なお、図２を用いる説明においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１２及び液浸部材７と対向する位置）に基板Ｐ及び基板ステージ２の少なくとも一方が配置される場合を例にして説明するが、上述のように、例えば計測ステージ３等、所定の物体を配置することもできる。

本実施形態において、基板ステージ２は、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部３１と、第１保持部３１の周囲の少なくとも一部に配置され、カバー部材Ｔをリリース可能に保持する第２保持部３２とを有する。第１，第２保持部３１，３２は、例えばピンチャック機構を有する。なお、第１保持部３１及び第２保持部３２の少なくとも一方で使用される保持機構は、ピンチャック機構に限られない。基板ステージ２が移動することによって、第１保持部３１に保持された基板Ｐ、及び第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔは、投影領域ＰＲに対して移動可能である。

カバー部材Ｔは、基板Ｐを配置可能な開口ＴＫを有する。基板Ｐの露光において、カバー部材Ｔは、第１保持部３１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。なお、カバー部材Ｔが、第１保持部３１に保持された基板Ｐの周囲の一部に配置されてもよい。

なお、カバー部材Ｔが基板ステージ２に一体的に形成されていてもよい。

本実施形態において、第１保持部３１は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持可能である。第２保持部３２は、カバー部材Ｔの上面２ＵとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Ｔを保持可能である。すなわち、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、カバー部材Ｔの上面２Ｕは、基板Ｐの表面の周囲において基板Ｐの表面とほぼ平行である。本実施形態において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの表面と第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面２Ｕとは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。なお、Ｚ軸方向に関する基板Ｐの表面の位置とカバー部材Ｔの上面２Ｕの位置とが異なってもよい。基板Ｐの表面の位置とカバー部材Ｔの上面２Ｕとが平行でなくてもよい。

カバー部材Ｔは、基板Ｐの露光において第１保持部３１に保持された基板ＰのエッジＥｐに間隙Ｇを介して隣り合う内側エッジＥｔを有する。カバー部材Ｔの内側エッジＥｔは、内側面を含む。また基板ＰのエッジＥｐは側面を含む。基板Ｐの露光において、第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面の少なくとも一部と、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの内側面（開口ＴＫの内側面）の少なくとも一部とは、間隙Ｇを介して対向する。

ここで、以下の説明において、第２保持部３２に保持されたカバー部材Ｔの上面２Ｕを適宜、基板ステージ２の上面２Ｕ、と称する。上面２Ｕは、射出面１３及び下面１４と対向可能である。

また、本実施形態において、基板ステージ２の少なくとも一部の温度を検出する温度センサ３４が設けられている。

なお、図１に示したように、本実施形態においては、計測ステージ３も、カバー部材Ｂをリリース可能に保持する第３保持部３３を有する。射出面１３及び下面１４と対向可能な計測ステージ３の上面３Ｕは、カバー部材Ｂの上面３Ｕを含む。カバー部材Ｂは、計測部材Ｃを配置可能な開口を有する。計測部材Ｃの周囲に、第３保持部３３に保持されたカバー部材Ｂが配置される。なお、カバー部材Ｂが計測ステージ３に一体的に形成されていてもよい。

図２に示すように、液浸部材７は、射出面１３と対向する位置に開口７Ｋを有する。また、液浸部材７は、開口７Ｋの周囲に下面２２を有する。基板Ｐ（物体）は、下面２２に対向可能である。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、開口７Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。

また、液浸部材７は、液体ＬＱを供給可能な供給口１５と、液体ＬＱを回収可能な回収口１６とを備えている。供給口１５は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。供給口１５は、流路１７を介して、液体供給装置１８と接続されている。液体供給装置１８は、供給する液体ＬＱの異物を除去するためのフィルタユニット、及び供給する液体ＬＱの温度を調整可能な温度調整装置等を有し、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路１７は、液浸部材７の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置１８とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置１８から送出された液体ＬＱは、流路１７を介して供給口１５に供給される。

回収口１６は、液浸部材７の下面１４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口１６は、下面２２の周囲の少なくとも一部に配置されている。回収口１６は、基板Ｐ（物体）が対向可能な液浸部材７の所定位置に配置されている。

本実施形態において、回収口１６には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材１９が配置されている。本実施形態において、物体上の液体ＬＱの少なくとも一部は、多孔部材１９の孔を介して回収される。なお、回収口１６に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材７の下面１４の少なくとも一部は、下面２２及び多孔部材１９の下面１９Ｂを含む。

回収口１６は、流路２０を介して、液体回収装置２１と接続されている。液体回収装置２１は、回収口１６を真空システムに接続可能であり、回収口１６を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路２０は、液浸部材７の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置２１とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口１６（多孔部材１９の孔）から回収された液体ＬＱは、流路２０を介して、液体回収装置２１に回収される。

なお、回収口１６から多孔部材１９を介して液体ＬＱを気体とともに回収するようにしてもよいし、回収口１６から多孔部材１９を介して実質的に液体ＬＱのみを回収するようにしてもよい。なお、回収口１６に多孔部材１９が配置されていなくてもよい。

なお、液浸部材７として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

本実施形態においては、制御装置８は、供給口１５からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口１６からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材７と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

本実施形態において、露光装置ＥＸの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報（露光制御情報）に基づいて実行される。すなわち、本実施形態においては、基板Ｐの露光条件は、露光制御情報等に基づいて定められる。露光制御情報は、露光装置ＥＸの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。露光レシピは、記憶装置３０に予め記憶されている。

少なくとも基板Ｐの露光において、露光装置ＥＸの動作が露光レシピに基づいて制御される。本実施形態においては、少なくとも露光シーケンスにおいて、露光装置ＥＸの動作が露光レシピに基づいて制御される。露光シーケンスは、基板Ｐの露光処理、露光光ＥＬの計測処理、及び基板Ｐの交換処理の少なくとも一つを含む。基板Ｐの露光処理は、射出面１３から射出される露光光ＥＬを基板Ｐの少なくとも一部に照射する処理を含む。露光光ＥＬの計測処理は、射出面１３から射出される露光光ＥＬを計測ステージ３（計測部材Ｃ）に照射する処理を含む。基板Ｐの交換処理は、露光前の基板Ｐを基板ステージ２（第１保持部３１）に搬入（ロード）する処理、及び露光後の基板Ｐを基板ステージ２（第１保持部３１）から搬出（アンロード）する処理の少なくとも一方を含む。

本実施形態においては、例えば露光前の基板Ｐが基板ステージ２（第１保持部３１）にロードされてから、その基板Ｐに対する露光処理が実行され、その露光後の基板Ｐが基板ステージ２（第１保持部３１）からアンロードされるまでの間の露光装置ＥＸの動作が露光レシピに基づいて制御される。また、１つのロットに含まれる複数の基板Ｐが基板ステージ２に順次ロードされ、それら複数の基板Ｐが順次露光される場合、その１つのロットに含まれる複数の基板Ｐのうち、最初（ロット先頭）の基板Ｐが基板ステージ２にロードされてから最後（ロット最終）の基板Ｐが基板ステージ２からアンロードされるまでの間、露光装置ＥＸの動作が露光レシピに基づいて制御される。

本実施形態において、露光条件は、基板Ｐの露光処理におけるマスクＭ（マスクステージ１）及び基板Ｐ（基板ステージ２）の移動条件を含む。基板Ｐの露光は、露光光ＥＬに対して基板Ｐを所定の移動条件で移動しながら露光光ＥＬを照射することを含む。基板Ｐの移動条件は、基板Ｐの移動速度、加速度（減速度）、ＸＹ平面内における基板Ｐの移動距離（所定の一方向に関する移動距離を含む）、及び露光光ＥＬに対する基板Ｐの移動経路（移動軌跡）の少なくとも一つを含む。制御装置８は、露光レシピに基づいて、露光光ＥＬに対して基板Ｐ（基板ステージ２）を所定の移動条件で移動しながら露光光ＥＬを基板Ｐに照射する。

また、本実施形態において、露光条件は、基板Ｐ上における複数のショット領域Ｓの配列条件を含む。基板Ｐの露光は、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光することを含む。ショット領域Ｓの配列条件は、例えば複数のショット領域Ｓそれぞれの寸法、形状、及び複数のショット領域Ｓを露光する順序の少なくとも一つを含む。制御装置８は、露光レシピに基づいて、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光する。

すなわち、本実施形態において、露光レシピは、少なくとも基板Ｐの移動条件、及び基板Ｐ上における複数のショット領域Ｓの配列情報を含む。制御装置８は、その露光レシピに基づいて、露光シーケンスを実行する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置８は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと基板Ｐ上の液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。

図２に示すように、本実施形態においては、露光シーケンスの少なくとも一部において、終端光学素子１２及び液浸部材７と、基板Ｐ及びカバー部材Ｔとの間に液浸空間ＬＳが形成される。換言すれば、露光シーケンスの少なくとも一部において、間隙Ｇ上に液浸空間ＬＳが形成される。本実施形態においては、基板Ｐとカバー部材Ｔとの間隙Ｇに対する液浸空間ＬＳの液体ＬＱの浸入が抑制されるように、間隙Ｇの寸法、及び液体ＬＱに対するカバー部材Ｔの表面（開口ＴＫの内側面、及び上面２Ｕの少なくとも一方）の接触角が調整されている。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて、基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。

制御装置８は、基板搬送装置（不図示）を用いて、基板Ｐの交換処理を実行する。制御装置８は、露光前の基板Ｐを第１保持部３１に搬入（ロード）する。なお、第１保持部３１に露光後の基板Ｐが保持されている場合、その基板Ｐが第１保持部３１から搬出（アンロード）された後、露光前の基板Ｐが第１保持部３１に搬入（ロード）される。

また、制御装置８は、計測ステージ３（計測部材Ｃ、計測器）を用いて、所定の計測処理を実行する。露光前の基板Ｐが第１保持部３１にロードされ、計測ステージ３を用いる計測処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。終端光学素子１２及び液浸部材７と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置８は、基板Ｐの露光処理を開始する。

図３は、基板ステージ２に保持された基板Ｐの一例を示す図、図４は、図３の一部を拡大した図である。

本実施形態においては、基板Ｐ上に露光対象領域であるショット領域Ｓがマトリクス状に複数配置されている。制御装置８は、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光する。

基板Ｐのショット領域Ｓを露光するとき、終端光学素子１２及び液浸部材７と基板Ｐとが対向され、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。例えば基板Ｐ上の第１のショット領域Ｓを露光するために、制御装置８は、その第１のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、第１のショット領域Ｓ（基板Ｐ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動しながら、その第１のショット領域Ｓに対して露光光ＥＬを照射する。

第１のショット領域Ｓの露光が終了した後、次の第２のショット領域Ｓを露光するために、制御装置８は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動し、第２のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置８は、第１のショット領域Ｓと同様に、第２のショット領域Ｓを露光する。

制御装置８は、投影領域ＰＲに対してショット領域ＳをＹ軸方向に移動しながらそのショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する動作（スキャン露光動作）と、そのショット領域Ｓの露光が終了した後、次のショット領域Ｓを露光開始位置に移動するための動作（ステッピング動作）とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓを、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して順次露光する。

上述のように、露光レシピは、露光光ＥＬに対する基板Ｐの移動条件、及び基板Ｐ上における複数のショット領域Ｓの配列情報の少なくとも一方を含み、制御装置８は、その露光レシピに基づいて、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光する。本実施形態において、制御装置８は、露光光ＥＬ（液浸部材７）に対して基板Ｐ（基板ステージ２）を、矢印Ｒ１で示す所定の移動経路で移動させながら、複数のショット領域Ｓを順次露光する。

本実施形態においては、基板Ｐの露光において、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に露光光ＥＬが照射される。以下の説明において、基板Ｐの露光において露光光ＥＬが照射されるカバー部材Ｔの表面の一部の領域を適宜、照射領域Ａ１、と称する。

本実施形態においては、内側エッジＥｔを含むカバー部材Ｔの内縁領域ＥＲの少なくとも一部に射出面１３から射出された露光光ＥＬが照射される。

本実施形態において、カバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲとは、内側エッジＥｔを含み、基板Ｐの露光において射出面１３と対向可能なカバー部材Ｔの上面２Ｕの一部の領域（輪帯状の領域）、及び第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面と対向するカバー部材Ｔの開口ＴＫの内側面を含む。

すなわち、照射領域Ａ１は、カバー部材Ｔの表面のうち、内側エッジＥｔを含む輪帯状の内縁領域ＥＲの少なくとも一部である。照射領域Ａ１は、射出面１３と対向可能なカバー部材Ｔの上面２Ｕ、及び第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面と対向するカバー部材Ｔの開口ＴＫの内側面の少なくとも一方の少なくとも一部である。

本実施形態において、ショット領域Ｓは、ノーマルショット領域Ｓｎと、エッジショット領域Ｓｅとを含む。

ノーマルショット領域Ｓｎは、例えば製品となるデバイスを構成するチップを形成可能な領域であり、チップを形成可能な所定の大きさを有する。ノーマルショット領域Ｓｎは、基板Ｐの表面のエッジＥｐ近傍の外縁領域を除く、基板Ｐの有効露光範囲の内側に配置される。有効露光範囲は、基板Ｐの表面の中央を含む、感光膜で形成された基板Ｐの表面の大部分の範囲である。有効露光範囲は、ノーマルショット領域Ｓｎを配置可能な範囲であり、チップパターンを所望の精度で形成可能な範囲である。本実施形態において、ノーマルショット領域Ｓｎは、基板Ｐの表面の有効露光範囲内に、マトリクス状に複数設定される。本実施形態においては、ノーマルショット領域Ｓｎのそれぞれは、ほぼ同じ大きさ及びほぼ同じ形状である。ノーマルショット領域Ｓｎは、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面内においてほぼ長方形であり、Ｘ軸方向に関して寸法Ｗｘを有し、Ｙ軸方向に関して寸法Ｗｙを有する。

エッジショット領域Ｓｅは、チップを形成不可能な領域であり、ノーマルショット領域Ｓｎよりも小さい。また、エッジショット領域Ｓｅの形状は、ノーマルショット領域Ｓｎの形状と異なる。エッジショット領域Ｓｅは、ノーマルショット領域Ｓｎと基板ＰのエッジＥｐとの間に複数配置される。

本実施形態において、基板Ｐの外形は、ほぼ円形である。また、射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射される投影領域ＰＲの形状は、ほぼ四角形である。本実施形態において、投影領域ＰＲの形状は、Ｘ軸方向に長いスリット状である。

本実施形態においては、例えばエッジショット領域Ｓｅを露光するときに、射出面１３から射出された露光光ＥＬがカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に照射される。例えば、エッジショット領域Ｓｅの露光開始直前及び露光終了直後の少なくとも一方において、そのエッジショット領域Ｓｅの近傍のカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に露光光ＥＬが照射される。なお、ノーマルショット領域Ｓｎを露光するときに、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に露光光ＥＬが照射されてもよい。例えば、ノーマルショット領域Ｓｎの露光開始前にカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に露光光ＥＬが照射されてもよいし、露光終了後にカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に露光光ＥＬが照射されてもよい。

また、本実施形態において、基板Ｐの露光において基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材Ｔの表面は、基板Ｐの露光において露光光ＥＬが照射されない非照射領域Ａ２を含む。本実施形態において、非照射領域Ａ２は、基板Ｐの露光において基板Ｐの周囲の少なくとも一部に位置する。

非照射領域Ａ２は、カバー部材Ｔの表面のうち、内側エッジＥｔを含む輪帯状の内縁領域ＥＲの少なくとも一部に配置される。内縁領域ＥＲの非照射領域Ａ２は、射出面１３と対向可能なカバー部材Ｔの上面２Ｕ、及び第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面と対向するカバー部材Ｔの開口ＴＫの内側面の少なくとも一方に配置される。本実施形態において、非照射領域Ａ２は、その内縁領域ＥＲにおいて、照射領域Ａ１と隣り合う位置に配置される。

すなわち、本実施形態においては、露光シーケンスにおいて、カバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲの一部に露光光ＥＬが照射され、内縁領域ＥＲの一部に露光光ＥＬが照射されない。露光シーケンスにおいて基板Ｐの周囲の少なくとも一部に位置するカバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲは、露光シーケンスにおいて露光光ＥＬが照射される照射領域Ａ１と、露光光ＥＬが照射されない非照射領域Ａ２とを含む。例えば、非照射領域Ａ２は、露光シーケンスにおいて露光光ＥＬが照射されない内側エッジＥｔの一部に隣接する領域を含む。

一例として、非照射領域Ａ２は、２つのエッジショット領域Ｓｅの間に位置するカバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲの少なくとも一部に配置される。例えば図４に示すように、マトリクス状に配置された複数のショット領域Ｓのうち、ｍ行ｎ列のエッジショット領域Ｓｅ１とｍ＋１行ｎ＋１列のエッジショット領域Ｓｅ２との間に非照射領域Ａ２が配置される。なお、図３及び図４に示す非照射領域Ａ２の位置は、一例である。カバー部材Ｔの内縁領域ＥＲにおいて、非照射領域Ａ２は複数存在する。

なお、本実施形態においては、露光シーケンスにおいて、内縁領域ＥＲの外側のカバー部材Ｔの表面の外縁領域には露光光ＥＬが照射されないが、そのカバー部材Ｔの外縁領域に露光光ＥＬが照射されてもよい。

なお、一例として、内縁領域ＥＲの幅（開口ＴＫの中心に対する放射方向に関する寸法）は、ノーマルショット領域Ｓｎの寸法Ｗｙとほぼ等しい。内縁領域ＥＲにおける照射領域Ａ１及び非照射領域Ａ２の少なくとも一方の寸法は、寸法Ｗｙとほぼ等しい。なお、照射領域Ａ１及び非照射領域Ａ２の少なくとも一方の寸法が、寸法Ｗｙより大きくてもよいし小さくてもよい。また、内縁領域ＥＲにおける照射領域Ａ１及び非照射領域Ａ２の少なくとも一方の寸法が、寸法Ｗｘとほぼ等しくてもよいし、大きくてもよいし、小さくてもよい。

また、本実施形態においては、基板Ｐの露光において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱがカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部と接触する。例えば、ショット領域Ｓの露光において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、そのショット領域Ｓの近傍に位置するカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に接触する。また、ステッピング動作中においても、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に接触する。

本実施形態においては、基板Ｐの露光処理において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、カバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲの少なくとも一部に接触する。本実施形態においては、基板Ｐの露光処理において、非照射領域Ａ２の少なくとも一部が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する。また、基板Ｐの露光処理において、照射領域Ａ１の少なくとも一部も、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する。本実施形態においては、基板Ｐの露光処理において、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、上面２Ｕにおける内縁領域ＥＲの全部に接触する。

カバー部材Ｔの表面における非照射領域Ａ２は、露光条件に応じて決定される。すなわち、非照射領域Ａ２は、基板Ｐの露光における基板Ｐの移動条件、及び基板Ｐ上における複数のショット領域Ｓの配列情報の少なくとも一方に応じて決定される。上述のように、本実施形態において、基板Ｐの移動条件及びショット領域Ｓの配列情報を含む露光条件は、露光レシピによって予め定められている。すなわち、カバー部材Ｔの表面における非照射領域Ａ２は、露光レシピによって予め定められており、既知の情報である。本実施形態においては、少なくともカバー部材Ｔにおける非照射領域Ａ２の位置及び大きさが既知の情報である。

基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓが露光レシピに基づいて順次露光され、その基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置８は、基板ステージ２から露光後の基板Ｐをアンロードし、露光前の基板Ｐを基板ステージ２にロードする。以下、制御装置８は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

ところで、基板Ｐの露光中、例えば基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が、異物（汚染物、パーティクル）として液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に混入する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入する可能性もある。基板Ｐの露光中、基板Ｐの表面と接触した液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部と接触する。本実施形態においては、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、少なくともカバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲと接触する。また、基板Ｐの露光中、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、液浸部材７の下面１４とも接触する。したがって、例えば供給口１５から供給された液体ＬＱが清浄であっても、基板Ｐから発生した異物、空中を浮遊する異物等が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に異物が混入すると、カバー部材Ｔ（基板ステージ２）の表面の少なくとも一部に異物が付着する可能性がある。また、液浸部材７の下面１４に異物が付着する可能性がある。それら露光装置ＥＸの部材の液体ＬＱと接触する液体接触面（内縁領域ＥＲ、下面１４等）に異物が付着している状態を放置しておくと、その異物が露光中に基板Ｐに付着したり、供給口１５から供給された液体ＬＱが汚染されたりする可能性がある。また、カバー部材Ｔの上面２Ｕ、及び液浸部材７の下面１４の少なくとも一方が汚染されると、例えば液浸空間ＬＳを局所的に良好に形成できなくなる可能性もある。また、カバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲ（例えばカバー部材Ｔの開口ＴＫの内側面）が汚染されると、基板Ｐとカバー部材Ｔとの間隙Ｇに液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部が浸入する可能性もある。間隙Ｇに浸入した液体ＬＱが放置されると、例えばその液体ＬＱの気化熱によって温度変化が発生する可能性がある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、所定のタイミングで、液浸部材７の下面１４及びカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部のクリーニングシーケンスが実行される。

以下、本実施形態に係るクリーニングシーケンスの一例について説明する。図５に示すフローチャートのように、本実施形態のクリーニングシーケンスは、基板ステージ２の第１保持部３１にダミー基板ＤＰを保持すること（ステップＳＡ１）と、終端光学素子１２及び液浸部材７とダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成し、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱを用いて液浸部材７の下面１４の少なくとも一部をクリーニングすること（ステップＳＡ２）と、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に、洗浄光を照射すること（ステップＳＡ３）と、を含む。

まず、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持される（ステップＳＡ１）。ダミー基板ＤＰは、露光用の基板Ｐとは別の、異物を放出し難く、高い清浄度を有する（クリーンな）部材である。ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形であり、第１保持部３１は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。第１保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰの側面と、第２保持部３２に保持されているカバー部材Ｔの内側面との間に、所定の間隙Ｇｂが形成される。間隙Ｇｂの寸法は、間隙Ｇの寸法とほぼ等しい。なお、ダミー基板ＤＰは、基板Ｐと同じ外形でなくてもよいし、基板Ｐより外径が小さくてもよい。

本実施形態において、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面（上面）の接触角は、液体ＬＱに対する基板Ｐの表面（上面）の接触角とほぼ同じである。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの表面の液体ＬＱとの接触角は、９０°以上、１００°以上、１１０°以上、１２０°以上、又は１３０°以上である。本実施形態において、ダミー基板ＤＰの表面は、フッ素系材料の膜の表面で形成される。本実施形態において、ダミー基板ＤＰは、感光膜を含まず、半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成されたフッ素系材料の膜とを有する。なお、ダミー基板ＤＰにおいて、基材とフッ素系材料の膜との間にＨＭＤＳ膜が配置されてもよい。なお、ダミー基板ＤＰの表面が、ＨＭＤＳ膜で形成されてもよい。なお、ダミー基板ＤＰに感光膜が形成されていてもよい。

第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持された後、制御装置８は、液浸部材７のクリーニングを開始する（ステップＳＡ２）。制御装置８は、終端光学素子１２及び液浸部材７と第１保持部３１に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で、供給口１５から液体ＬＱを供給するとともに、その液体ＬＱの供給と並行して、回収口１６から液体ＬＱを回収する。これにより、図６に示すように、液浸部材７とダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成される。液浸部材７の下面１４と接触した液体ＬＱは、その下面１４の少なくとも一部をクリーニングする。例えば下面１４に付着していた異物は、その下面１４から離れ（剥離し）、液体ＬＱとともに回収口１６から回収される。

なお、液浸部材７とダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、ダミー基板ＤＰがＸＹ平面内において移動されてもよい。例えば、液浸空間ＬＳが形成された状態で、ダミー基板ＤＰをＸＹ平面内における所定方向（例えばＹ軸方向）に関して往復移動させてもよい。また、クリーニングシーケンスにおける液浸空間ＬＳの大きさを、露光シーケンスにおける液浸空間ＬＳの大きさよりも大きくしてもよい。なお、液浸空間ＬＳの大きさは、液浸部材７とその液浸部材７に対向する物体（基板Ｐ、ダミー基板ＤＰ）との間におけるＸＹ平面内における液浸空間ＬＳの寸法を含む。例えば、クリーニングシーケンスにおいて供給口１５から供給される単位時間当たりの液体供給量を、露光シーケンスにおいて供給口１５から供給される単位時間当たりの液体供給量よりも多くすることによって、液浸空間ＬＳの大きさを大きくすることができる。また、クリーニングシーケンスにおいて回収口１６から回収される単位時間当たりの液体回収量を、露光シーケンスにおいて回収口１６から回収される単位時間当たりの液体回収量よりも少なくすることによって、液浸空間ＬＳの大きさを大きくすることができる。もちろん供給口１５からの液体供給量を多くするとともに、回収口１６からの液体回収量を少なくしてもよい。

なお、液浸部材７のクリーニングにおいて、液浸空間ＬＳがダミー基板ＤＰ上のみに形成されるように基板ステージ２の位置が調整されてもよいし、液浸空間ＬＳの少なくとも一部がカバー部材Ｔ上に形成されるように基板ステージ２の位置が調整されてもよい。

なお、液体ＬＱ（水）とは異なる液体を用いて液浸部材７がクリーニングされてもよい。例えば、アルカリ洗浄液、あるいは過酸化水素水等を用いて液浸部材７がクリーニングされてもよい。

液浸部材７のクリーニングが終了した後、制御装置８は、カバー部材Ｔのクリーニングを開始する（ステップＳＡ３）。

カバー部材Ｔのクリーニングは、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に洗浄光を照射することを含む。洗浄光は、光洗浄効果を有する光である。洗浄光として、例えば紫外光を用いることができる。本実施形態においては、洗浄光として、露光光ＥＬを用いる。すなわち、本実施形態において、カバー部材Ｔを光洗浄するための洗浄光は、終端光学素子１２の射出面１３から射出される。

本実施形態においては、露光シーケンスにおいて露光光ＥＬが照射されないカバー部材Ｔの非照射領域Ａ２に洗浄光が照射される。

露光シーケンスにおいて露光光ＥＬが照射されるカバー部材Ｔの照射領域Ａ１は、その露光光ＥＬの照射によって光洗浄される。クリーニングシーケンスにおいては、基板Ｐの露光において基板Ｐの周囲に位置するカバー部材Ｔの内縁領域ＥＲのうち、その露光において露光光ＥＬが照射されない非照射領域Ａ２に洗浄光が照射される。

図７は、非照射領域Ａ２に洗浄光が照射されている状態の一例を示す模式図、図８は、側断面図である。洗浄光は、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持された状態で照射される。洗浄光は、カバー部材Ｔの内縁領域ＥＲの非照射領域Ａ２の少なくとも一部に照射される。

本実施形態において、射出面１３から射出される洗浄光が照射される照射領域ＣＲは、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲである。すなわち、本実施形態において、洗浄光の照射領域ＣＲは、Ｘ軸方向に長いスリット状である。なお、洗浄光の照射領域ＣＲが、基板Ｐの露光における投影領域ＰＲの寸法より大きくてもよいし、小さくてもよい。一例として、図７には、Ｘ軸方向に関する寸法が基板Ｐの露光における投影領域ＰＲよりも大きい照射領域ＣＲが示されている。

上述のように、非照射領域Ａ２は、露光レシピに基づいて既知の情報である。制御装置８は、露光レシピに含まれる基板Ｐの移動条件に基づいて、非照射領域Ａ２に洗浄光が照射されるように、カバー部材Ｔにおける洗浄光の照射位置を定めることができる。また、制御装置８は、露光レシピに含まれる基板Ｐ上における複数のショット領域Ｓの配列情報に基づいて、非照射領域Ａ２に洗浄光が照射されるように、カバー部材Ｔにおける洗浄光の照射位置を定めることができる。制御装置８は、干渉計システム１１を用いてＸＹ平面内における基板ステージ２の位置を計測しつつ、基板ステージ２の第２保持部３２に保持されているカバー部材Ｔの非照射領域Ａ２に洗浄光が照射されるように、射出面１３（照射領域ＣＲ）に対する基板ステージ２の位置を制御する。

本実施形態においては、カバー部材Ｔの内縁領域ＥＲの非照射領域Ａ２に洗浄光が照射される。上述のように、カバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲとは、基板Ｐの露光において射出面１３と対向可能なカバー部材Ｔの上面２Ｕの一部の領域（輪帯状の領域）、及び第１保持部３１に保持された基板Ｐの側面と対向するカバー部材Ｔの開口ＴＫの内側面を含む。

図７及び図８に示すように、本実施形態においては、洗浄光の照射領域ＣＲにカバー部材Ｔの内側エッジＥｔの一部が配置された状態で、洗浄光が照射される。これにより、カバー部材Ｔの表面の内縁領域ＥＲに洗浄光が照射される。本実施形態においては、内縁領域ＥＲの上面２Ｕの一部に対する洗浄光の照射と、内側面に対する洗浄光の照射とが同時に実行される。

本実施形態においては、図７に示すように、制御装置８は、基板ステージ２を制御して、内側エッジＥｔの複数の部分を洗浄光の照射領域ＣＲに順次配置して、それら複数の部分のそれぞれに順次洗浄光を照射する。すなわち、内側エッジＥｔの第１の部分を洗浄光の照射領域ＣＲに配置して、その照射領域ＣＲに対して基板ステージ２をほぼ静止させた状態で洗浄光を照射する。その第１の部分を含むカバー部材Ｔの表面の一部に対する洗浄光の照射が終了した後、内側エッジＥｔの第２の部分を洗浄光の照射領域ＣＲに配置して、その照射領域ＣＲに対して基板ステージ２をほぼ静止させた状態で洗浄光を照射する。制御装置８は、基板ステージ２をほぼ静止させた状態で洗浄光を照射する動作と、基板ステージ２を移動する動作とを繰り返して、非照射領域Ａ２に洗浄光を照射する。なお、投影光学系ＰＬを調整して、洗浄光の照射領域ＣＲを移動してもよい。

なお、制御装置８は、洗浄光の照射領域ＣＲに対してカバー部材Ｔを移動しながら、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に洗浄光を照射してもよい。

なお、内縁領域ＥＲの上面に対する洗浄光の照射と、内側面に対する洗浄光の照射とが非同時に実行されてもよい。また、洗浄光の照射領域ＣＲに内側エッジＥｔを配置することなく、非照射領域Ａ２に洗浄光を照射してもよい。

本実施形態においては、制御装置８は、カバー部材Ｔの表面の、露光シーケンスにおいて露光光ＥＬが照射される照射領域Ａ１の少なくとも一部に洗浄光を照射することなしに、非照射領域Ａ２に洗浄光を照射する。すなわち、制御装置８は、露光シーケンスにおいて露光光ＥＬが照射される照射領域Ａ１には、クリーニングシーケンスにおいて洗浄光が照射されないようにする。これにより、カバー部材Ｔの表面において紫外光が過剰に照射される領域が発生することを抑制することができる。

なお、露光シーケンスにおいて露光光ＥＬが照射される照射領域Ａ１の少なくとも一部に洗浄光が照射されてもよい。

また、例えば図９に示す模式図のように、非照射領域Ａ２がダミー基板ＤＰ（第１保持部３１）の周囲の複数の位置に存在する場合には、所定の順序で、それら複数の非照射領域Ａ２のそれぞれに洗浄光を照射してもよい。図９に示す例では、最初に、ダミー基板ＤＰの中心に対して＋Ｘ側かつ＋Ｙ側に存在する非照射領域Ａ２に対して洗浄光が照射され、次いで、ダミー基板ＤＰの中心に対して＋Ｘ側かつ−Ｙ側に存在する非照射領域Ａ２に対して洗浄光が照射され、次いで、ダミー基板ＤＰの中心に対して−Ｘ側かつ＋Ｙ側に存在する非照射領域Ａ２に対して洗浄光が照射され、最後に、ダミー基板ＤＰの中心に対して−Ｘ側かつ−Ｙ側に存在する非照射領域Ａ２に対して洗浄光が照射される。もちろん、複数の非照射領域Ａ２のそれぞれに対して洗浄光が照射される順序は、任意に定めることができる。

図８に示すように、本実施形態においては、終端光学素子１２及び液浸部材７とカバー部材Ｔ及びダミー基板ＤＰの少なくとも一方との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成され、その液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して、終端光学素子１２の射出面１３から射出される洗浄光（露光光ＥＬ）がカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に照射される。供給口１５から液体ＬＱが供給されるとともに、その供給口１５からの液体ＬＱの供給と並行して回収口１６から液体ＬＱが回収されることによって液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態においては、クリーニングシーケンスにおいて液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱに含まれる酸素濃度は、露光シーケンスにおいて液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱに含まれる酸素濃度より高い。すなわち、本実施形態においては、酸素濃度が高められた液体ＬＱとカバー部材Ｔとを接触させた状態で、そのカバー部材Ｔに洗浄光が照射される。

本実施形態において、液体供給装置１８は、供給する液体ＬＱに含まれる酸素濃度を調整可能な調整装置を有する。調整装置は、例えば液体ＬＱに含まれる酸素濃度を低減可能な脱気装置を含む。制御装置８は、液体供給装置１８が備える調整装置を制御して、クリーニングシーケンスにおいて液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱに含まれる酸素濃度を、露光シーケンスにおいて液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱに含まれる酸素濃度より高くすることができる。

なお、終端光学素子１２及び液浸部材７と、カバー部材Ｔ及びダミー基板ＤＰの少なくとも一方との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された状態で、ＸＹ平面内において基板ステージ２を移動して、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに含まれる酸素濃度を高めてもよい。例えば、液浸空間ＬＳが形成された状態で、ＸＹ平面内における所定方向に関して基板ステージ２を往復移動させることによって、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに含まれる酸素濃度を高めることができる。

なお、クリーニングシーケンスにおいて液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱに含まれる酸素濃度が、露光シーケンスにおいて液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱに含まれる酸素濃度とほぼ等しくてもよいし、低くてもよい。

なお、本実施形態においては、露光用の液体ＬＱを介して洗浄光を照射することとしたが、液体ＬＱとは異なる液体を介して洗浄光を照射してもよい。例えばアルカリ洗浄液、あるいは過酸化水素水等を介して洗浄光が照射されてもよい。

非照射領域Ａ２に対する洗浄光の照射が終了し、本実施形態に係るクリーニングシーケンスが終了した後、制御装置８は、例えば通常の露光シーケンスを実行することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、露光シーケンスにおいて露光光ＥＬが照射されないカバー部材Ｔの非照射領域Ａ２に、クリーニングシーケンスにおいて洗浄光を照射するようにしたので、その洗浄光が照射された領域を光洗浄することができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制できる。

また、本実施形態においては、カバー部材Ｔの内縁領域ＥＲに洗浄光が照射される。基板ＰのエッジＥｐとの間で間隙Ｇを形成する内側エッジＥｔを含む内縁領域ＥＲが汚染されている状態を放置しておくと、例えば露光シーケンスにおいて間隙Ｇに液体ＬＱが浸入してしまう可能性がある。本実施形態によれば、その内縁領域ＥＲを光洗浄することによって、間隙Ｇに対する液体ＬＱの浸入を抑制することができる。

なお、クリーニングシーケンスにおいて、カバー部材Ｔの表面のうち、内縁領域ＥＲに対して外側の外縁領域の少なくとも一部に洗浄光が照射されてもよい。

なお、本実施形態においては、露光シーケンスが終了した後、クリーニングシーケンスが実行されることとしたが、露光シーケンスが開始される前に、クリーニングシーケンスが実行されてもよい。上述のように、非照射領域Ａ２は、露光レシピに基づいて既知の情報であるため、露光シーケンスが開始される前においても、非照射領域Ａ２に洗浄光を照射することができる。もちろん、露光シーケンスが開始される前にクリーニングシーケンスを実行するとともに、露光シーケンスが終了した後にクリーニングシーケンスを実行してもよい。あるいは、露光装置ＥＸのアイドリング中にクリーニング動作を実行してもよい。

なお、クリーニングシーケンスにおいてカバー部材Ｔ（ダミー基板ＤＰ）に照射される洗浄光（露光光ＥＬ）の照射量は、露光シーケンスにおいてカバー部材Ｔ（基板Ｐ）に照射される露光光ＥＬの照射量よりも高くてもよいし、低くてもよいし、等しくてもよい。照射量は、照度、及び積算光量の少なくとも一方を含む。

なお、本実施形態においては、ステップＳＡ３において第１保持部３１に保持されるダミー基板ＤＰと、ステップＳＡ２において第１保持部３１に保持されるダミー基板ＤＰとは同じダミー基板ＤＰであることとしたが、例えばステップＳＡ２が終了した後、第１保持部３１に保持されるダミー基板ＤＰを新たな（クリーンな）ダミー基板ＤＰと交換し、その交換されたダミー基板ＤＰを第１保持部３１で保持した状態で、洗浄光を照射してもよい。また、ステップＳＡ２で使用されるダミー基板ＤＰの表面を形成する材料と、ステップＳＡ３で使用されるダミー基板ＤＰの表面を形成する材料とが異なってもよい。

また、本実施形態においては、液浸部材７をクリーニングするステップＳＡ２の後に、カバー部材ＴをクリーニングするステップＳＡ３を実行しているが、ステップＳＡ２を省略してもよい。

なお、本実施形態においては、洗浄光が照射される内縁領域ＥＲは、露光シーケンスにおいて液体ＬＱと接触することとしたが、露光シーケンスにおいて液体ＬＱと接触しないカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に洗浄光が照射されもよい。

なお、本実施形態においては、液体を介して洗浄光を照射することとしたが、液体を介さずにカバー部材Ｔに洗浄光を照射してもよい。

なお、本実施形態においては、ステップＳＡ３において、第１保持部３１にダミー基板ＤＰが保持された状態で洗浄光を照射することとしたが、第１保持部３１にダミー基板ＤＰ等の物体が保持されない状態で洗浄光が照射されてもよい。また、第１保持部３１及び／又は第２保持部３２の表面の少なくとも一部に洗浄光が照射されてもよい。

なお、クリーニングシーケンスを実行するタイミングは、例えば所定時間間隔毎でもよいし、所定枚数の基板Ｐの露光が終了する毎でもよいし、１つのロットに含まれる複数の基板Ｐの露光が終了した後でもよいし、１つのロットに含まれる複数の基板Ｐの露光が開始される前でもよい。また、露光後の基板Ｐのパターン欠陥を検出し、その検出結果に基づいて、クリーニングシーケンスが実行されてもよい。例えば、検出されたパターン欠陥が許容値を超えた場合、クリーニングシーケンスが実行されてもよい。また、回収口１６から回収される液体ＬＱの汚染度（例えば液体ＬＱに含まれる異物の数）を検出し、その検出結果に基づいて、クリーニングシーケンスが実行されてもよい。例えば、検出された液体ＬＱの汚染度が許容値を超えた場合、クリーニングシーケンスが実行されてもよい。

また、基板Ｐの露光において基板Ｐとカバー部材Ｔとの間隙Ｇに対する液体ＬＱの浸入を検出し、その検出結果に基づいて、洗浄光の照射を含むクリーニングシーケンスが実行されてもよい。上述のように、本実施形態においては、基板ステージ２の少なくとも一部の温度を検出可能な温度センサ３４が配置されている。

図１０は、温度センサ３４の近傍を示す図である。温度センサ３４は、第１保持部３１と第２保持部３２との間の基板ステージ２の所定部位の温度を検出可能である。液浸空間ＬＳの液体ＬＱの少なくとも一部が間隙Ｇに浸入した場合、その間隙Ｇに浸入した液体ＬＱの少なくとも一部は、第１保持部３１と第２保持部３２との間の基板ステージ２の所定部位に接触する。温度センサ３４は、その液体ＬＱが接触する所定部位の温度を検出する。間隙Ｇに液体ＬＱが浸入し、所定部位に接触した場合、その所定部位の温度が変化する。温度センサ３４は、その温度変化（液体ＬＱが接触しない状態における所定部位の温度と液体ＬＱが接触した状態における所定部位の温度との差）を検出可能である。制御装置８は、その温度センサ３４の検出結果に基づいて、所定部位に液体ＬＱが接触したか否か、すなわち、間隙Ｇに対して液体ＬＱが浸入したか否かを検出することができる。

制御装置８は、その温度センサ３４の検出結果に基づいて、洗浄光の照射を含むクリーニングシーケンスを実行するか否かを判断する。間隙Ｇに液体ＬＱが浸入する状態は、カバー部材Ｔの内縁領域ＥＲが汚染されている状態である可能性が高い。したがって、制御装置８は、温度センサ３４を用いて間隙Ｇに対する液体ＬＱの浸入を検出し、その検出結果に基づいて、洗浄光の照射を含むクリーニングシーケンスを実行する。これにより、カバー部材Ｔの内縁領域ＥＲがクリーニングされる。この場合、洗浄光の照射位置を決定するために、クリーニング前の露光レシピを参照しなくてもよい。また、液体ＬＱの浸入を検出しない場合には、温度センサ３４を省略してもよい。

なお、上述の実施形態において、内縁領域ＥＲを設定しなくてもよい。この場合、図７を参照して説明したように、内側エッジＥｔを含むように、洗浄光を照射するだけでもよい。

また、上述の実施形態においては、基板Ｐの露光処理において、露光光ＥＬが照射されない非照射領域Ａ２に洗浄光を照射しているが、基板Ｐの露光処理において、露光光ＥＬが照射される領域を洗浄光を照射すべき領域としてもよい。例えば、基板Ｐの露光処理において、積算照射量（積算ドーズ）が所定量よりも少ない領域、及び／又は積算照射パルス数が所定数よりも少ない領域を、洗浄光を照射すべき領域としてもよい。

なお、上述の実施形態においては、洗浄光が終端光学素子１２の射出面１３から射出されることとしたが、投影光学系ＰＬとは別の、光洗浄効果を有する洗浄光（紫外光）を射出可能な光洗浄装置を用いて、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に洗浄光を照射してもよい。

なお、上述の実施形態において、制御装置８は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。また、上述の実施形態において、制御装置８は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。また、上述の実施形態において、制御装置８には、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置３０が接続されている。記憶装置３０は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置３０には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。

なお、制御装置８に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。

記憶装置３０に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）８が読み取り可能である。記憶装置３０には、制御装置８に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。

記憶装置３０に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、例えば、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する処理と、露光の前及び後の少なくとも一方において、露光において基板Ｐの周囲の少なくとも一部に位置するカバー部材Ｔの表面の、露光において露光光ＥＬが照射されない非照射領域に洗浄光を照射する処理と、を実行させてもよい。

また、記憶装置３０に記憶されるプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置８に、例えば、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する処理と、露光の少なくとも一部において、基板Ｐと基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材Ｔとの間隙Ｇ１に対する液体ＬＱの浸入を検出する処理と、その検出の結果に基づいて、基板Ｐの周囲に配置されるカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に洗浄光を照射する処理と、を実行させてもよい。

なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの周囲に配置される部材がカバー部材Ｔであり、そのカバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に洗浄光を照射することとしたが、基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置される部材は、カバー部材でなくてもよい。例えば、第１保持部３１に保持される基板Ｐの周囲に、露光光ＥＬの計測に用いられる計測部材が配置される場合、その計測部材に洗浄光を照射してもよい。また、第１保持部３１に保持される基板Ｐの周囲に、例えば計測部材の少なくとも一部を覆うカバー部材が配置される場合、そのカバー部材に洗浄光を照射してもよい。

なお、上述の実施形態においては、カバー部材Ｔに対して洗浄光を照射することとしたが、例えば計測ステージ３の表面の少なくとも一部に洗浄光を照射してもよい。例えば、計測ステージ３のカバー部材Ｂの表面が、計測処理において露光光ＥＬが照射される照射領域と、露光光ＥＬが照射されない非照射領域とを含む場合、クリーニングシーケンスにおいて、カバー部材Ｂの表面のうち、非照射領域に洗浄光が照射されてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬで基板Ｐを露光すること、及び露光された基板Ｐを現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。基板処理ステップは、上述の実施形態に従って、カバー部材Ｔの表面の少なくとも一部に洗浄光を照射するクリーニング処理を含み、そのクリーニングされた露光装置ＥＸを用いて基板が露光光で露光される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、３…計測ステージ、７…液浸部材、８…制御装置、１２…終端光学素子、１３…射出面、１５…供給口、１６…回収口、３０…記憶装置、３１…第１保持部、３２…第２保持部、３４…温度センサ、Ａ１…照射領域、Ａ２…非照射領域、ＣＲ…照射領域、ＤＰ…ダミー基板、Ｅｐ…エッジ、ＥＲ…内縁領域、Ｅｔ…内側エッジ、Ｇ…間隙、Ｐ…基板、Ｓ…ショット領域、Ｓｅ…エッジショット領域、Ｓｎ…ノーマルショット領域、Ｔ…カバー部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間

Claims (26)

1. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
   前記露光の前及び後の少なくとも一方において、前記露光において前記基板の周囲の少なくとも一部に位置する所定部材の表面の、前記露光において前記露光光が照射されない所定領域に洗浄光を照射することを含むクリーニング方法。
2. 前記露光において、前記所定部材の表面の少なくとも一部に前記露光光が照射される請求項１記載のクリーニング方法。
3. 前記所定領域は、前記露光において前記第１液体と接触する請求項１又は２記載のクリーニング方法。
4. 前記露光は、前記露光光に対して前記基板を所定の移動条件で移動しながら前記露光光を照射することを含み、
   前記基板の移動条件に基づいて、前記洗浄光の照射位置が定められる請求項１〜３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
5. 前記露光は、前記基板上に定められた複数のショット領域を順次露光することを含み、
   前記基板上における複数の前記ショット領域の配列情報に基づいて、前記所定部材における前記洗浄光の照射位置が定められる請求項１〜４のいずれか一項記載のクリーニング方法。
6. 前記基板と前記所定部材との間隙に対する前記第１液体の浸入を検出することを含み、
   前記検出の結果に基づいて、前記洗浄光の照射が実行される請求項１〜５のいずれか一項記載のクリーニング方法。
7. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
   前記露光の少なくとも一部において、前記基板と前記基板の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材との間隙に対する前記第１液体の浸入を検出することと、
   前記検出の結果に基づいて、前記基板の周囲に配置される前記所定部材の表面の少なくとも一部に洗浄光を照射することと、を含むクリーニング方法。
8. 前記間隙に対する前記第１液体の浸入の検出は、前記浸入した前記第１液体が接触する接液部材の温度を検出することを含む請求項６又は７記載のクリーニング方法。
9. 前記所定部材は、前記露光において前記基板のエッジに間隙を介して隣り合う内側エッジを有し、
   前記洗浄光の照射領域に前記内側エッジの一部が配置された状態で前記洗浄光が照射される請求項１〜８のいずれか一項記載のクリーニング方法。
10. 前記内側エッジの複数の部分を前記洗浄光の照射領域に順次配置して、複数の前記部分のそれぞれに順次洗浄光を照射する請求項９記載のクリーニング方法。
11. 前記洗浄光が照射される所定領域は、前記露光において前記基板の表面の周囲に配置され、前記基板の表面とほぼ平行な前記所定部材の上面の少なくとも一部を含む請求項１〜１０のいずれか一項記載のクリーニング方法。
12. 前記洗浄光が照射される所定領域は、前記露光において前記基板の側面と対向する前記所定部材の内側面の少なくとも一部を含む請求項１〜１１のいずれか一項記載のクリーニング方法。
13. 前記所定部材の表面の、前記露光において前記露光光が照射される領域の少なくとも一部に前記洗浄光を照射することなしに、前記所定領域に前記洗浄光を照射する請求項１〜１２のいずれか一項記載のクリーニング方法。
14. 光学部材の射出面から前記露光光が射出され、
    前記洗浄光は、前記射出面から射出される請求項１〜１３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
15. 第２液体を介して前記洗浄光が照射される請求項１〜１４のいずれか一項記載のクリーニング方法。
16. 前記第２液体に含まれる酸素濃度は、前記第１液体に含まれる酸素濃度より高い請求項１５記載のクリーニング方法。
17. 前記洗浄光の照射領域に対して前記所定部材を移動しながら前記洗浄光を照射する請求項１〜１６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
18. 前記基板をリリース可能に保持する第１保持部にダミー基板が保持された状態で前記洗浄光が照射される請求項１〜１７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
19. 前記所定部材は、前記基板を保持する第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置される第２保持部にリリース可能に保持される請求項１〜１７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
20. 請求項１〜１９のいずれか一項記載のクリーニング方法でクリーニングされた露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
21. 第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光において前記基板の周囲の少なくとも一部に位置する所定部材と、
    洗浄光を射出する光学部材と、を備え、
    前記露光の前及び後の少なくとも一方において、前記所定部材の表面のうちの、前記露光において前記露光光が照射されない所定領域に前記光学部材からの前記洗浄光を照射する露光装置。
22. 前記光学部材は、前記露光において、前記露光光を前記基板に照射する請求項２１記載の露光装置。
23. 請求項２１又は２２記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
24. コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記第１液体を介して前記露光光で前記基板を露光することと、
    前記露光の前及び後の少なくとも一方において、前記露光において前記基板の周囲の少なくとも一部に位置する所定部材の表面の、前記露光において前記露光光が照射されない所定領域に洗浄光を照射することと、を実行させるプログラム。
25. コンピュータに、第１液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、
    前記第１液体を介して前記露光光で前記基板を露光することと、
    前記露光の少なくとも一部において、前記基板と前記基板の周囲の少なくとも一部に配置される所定部材との間隙に対する前記第１液体の浸入を検出することと、
    前記検出の結果に基づいて、前記基板の周囲に配置される前記所定部材の表面の少なくとも一部に洗浄光を照射することと、を実行させるプログラム。
26. 請求項２４又は２５記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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