JP2009212132A - 基板、基板の処理方法及び処理装置、基板の処理システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】露光不良の発生を抑制できる基板を提供する。
【解決手段】液体を介して露光光で露光される基板は、基材と、基材のエッジ部のみに形成されたHMDS膜とを備える。
【選択図】図5
【解決手段】液体を介して露光光で露光される基板は、基材と、基材のエッジ部のみに形成されたHMDS膜とを備える。
【選択図】図5
Description
本発明は、液体を介して露光される基板、基板の処理方法及び処理装置、基板の処理システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法に関する。
半導体デバイス等のマイクロデバイスを製造する技術の一つとして、フォトリソグラフィ技術が知られている。フォトリソグラフィ技術は、例えば半導体ウエハ等の基板上に感光膜、反射防止膜等の膜を形成する処理、その膜が形成された基板を露光する処理、及び露光された基板を現像する処理等を含む。基板を露光する技術として、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光技術が知られている。
国際公開第99/49504号パンフレット
基板を液浸露光する際に、膜の一部が剥離した場合、その剥離した膜が異物となって基板に付着したり、液体中に混入したりする可能性がある。異物が存在する状態で基板を露光した場合、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる基板を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる基板の処理方法及び処理装置、処理システムを提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板であって、基材と、基材のエッジ部のみに形成されたHMDS膜と、を備える基板が提供される。
本発明の第2の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板の処理方法であって、基板の基材のエッジ部のみにHMDS膜を形成することを含む処理方法が提供される。
本発明の第3の態様に従えば、第2の態様の処理方法で基板を処理することと、処理された基板を液体を介して露光光で露光することと、を含む露光方法が提供される。
本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第5の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板の処理装置であって、基板の基材のエッジ部のみにHMDS膜を形成可能な第1形成装置を備える処理装置が提供される。
本発明の第6の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第5の態様の処理装置を備える露光装置が提供される。
本発明の第7の態様に従えば、第6の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第8の態様に従えば、液体を介して露光される基板の処理システムであって、基板の基材のエッジ部のみにHMDS膜を形成する第1形成装置と、基材上に感光膜を形成する第2形成装置と、感光膜を覆うように保護膜を形成する第3形成装置と、HMDS膜、感光膜、及び保護膜が形成された基板を液体を介して露光光で露光する液浸露光装置と、を備え、第1形成装置は、感光膜が形成される有効領域の外側で、基材と保護膜とが接触しないように、HMDS膜を形成する処理システムが提供される。
本発明によれば、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る基板処理システムSYSの一例を示す図である。図1において、基板処理システムSYSは、第1処理システム1と、インターフェースIFを介して第1処理システム1と接続された第2処理システム2と、基板Pを搬送可能な搬送装置3と、基板処理システムSYS全体を制御する制御システム8とを備えている。制御システム8は、コンピュータシステムを含む。基板Pは、搬送装置3により、第1処理システム1と第2処理システム2との間をインターフェースIFを介して移動可能である。
図1は、第1実施形態に係る基板処理システムSYSの一例を示す図である。図1において、基板処理システムSYSは、第1処理システム1と、インターフェースIFを介して第1処理システム1と接続された第2処理システム2と、基板Pを搬送可能な搬送装置3と、基板処理システムSYS全体を制御する制御システム8とを備えている。制御システム8は、コンピュータシステムを含む。基板Pは、搬送装置3により、第1処理システム1と第2処理システム2との間をインターフェースIFを介して移動可能である。
第1処理システム1は、基板Pを露光光ELで露光する露光装置4を含む。第2処理システム2は、コータ・デベロッパ装置を含む。本実施形態において、第2処理システム2は、基板上に所定の膜を形成可能な第1,第2形成装置5,6と、露光後の基板Pを現像する現像装置7とを備えている。露光装置4は、第1チャンバ装置CH1の内側に配置されている。第1,第2形成装置5,6、及び現像装置7は、第2チャンバ装置CH2の内側に配置されている。
本実施形態において、基板Pは、デバイス(デバイスパターン)を形成するために所定の処理が実行される。基板Pは、半導体ウエハ等の基材Wと、その基材W上に形成される所定材料の膜とを含む。以下の説明において、基材Wの表面(上面、側面、下面)に形成された膜のうち、最も表層の膜の表面(露出面)を適宜、基板の表面(上面、側面、下面)、と言う。本実施形態においては、基板Pが、シリコンウエハのような半導体ウエハ等の円形の基材Wを含み、その基材W上に形成される膜が、少なくとも感光材の膜Rgを含む場合を例にして説明する。
以下、上述の各装置4〜7について説明する。まず、露光装置4について説明する。本実施形態の露光装置4は、例えば国際公開第99/49504号パンフレット、米国特許公開第2005/0280791号明細書、国際公開第2005/024517号パンフレット等に開示されているような、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液浸露光で使用する液体LQとして、水(純水)を用いる。
図1において、露光装置4は、デバイスを製造するためのパターンを有するマスクMを保持して移動可能なマスクステージ9と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ10と、マスクステージ9に保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液体LQで液浸空間LSを形成可能な液浸部材11とを備えている。
液浸空間LSは、液体LQで満たされた空間である。本実施形態においては、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子12の下面(射出面)13と、その終端光学素子12の下面13と対向する位置に配置された基板Pとの間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように、液浸部材11及び終端光学素子12と基板Pとの間に液浸空間LSが形成される。
本実施形態においては、投影光学系PLの投影領域を含む基板Pの上面の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成される。液体LQの界面(メニスカス、エッジ)は、液浸部材11の下面と基板Pの上面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置4は、局所液浸方式を採用する。
なお、液浸空間LSは、基板P上のみならず、露光光ELを射出する終端光学素子12の下面13と対向する位置に配置された物体上に形成可能である。例えば、液浸空間LSは、液浸部材11及び終端光学素子12と基板ステージ10の上面10Fとの間に形成可能である。
照明系ILは、マスクM上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ELで照明する。本実施形態においては、照明系ILから射出される露光光ELとして、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられる。
マスクステージ9は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動システム9Dにより、マスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。マスクステージ9(マスクM)のX軸、Y軸、及びθZ方向の位置情報は、不図示のレーザ干渉計によって計測される。マスクステージ駆動システム9Dは、レーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ9を移動し、マスクステージ9に保持されているマスクMの位置制御を行う。
投影光学系PLは、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で基板Pに投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
基板ステージ10は、終端光学素子12から射出される露光光ELの照射位置(終端光学素子12の下面13と対向する位置)を含む定盤14上の所定領域内を、基板Pを保持して移動可能である。基板ステージ10は、基板Pを保持する基板ホルダ10Hを有する。基板ホルダ10Hは、基板Pの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。基板ホルダ10Hに保持された基板Pの上面と基板ステージ10の上面10Fとは、同一平面内に配置される(面一である)。
基板ステージ10は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動システム10Dにより、基板Pを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。基板ステージ10(基板P)のX軸、Y軸、及びθZ方向の位置情報は、不図示のレーザ干渉計によって計測される。基板ステージ10に保持されている基板Pの上面の面位置情報(Z軸、θX、及びθY方向に関する位置情報)は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。基板ステージ駆動システム10Dは、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて基板ステージ10を移動し、基板ステージ10に保持されている基板Pの位置制御を行う。
図2は、液浸部材11の近傍を示す断面図である。液浸部材11は、終端光学素子12と基板Pとの間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液体LQを供給する供給口15と、液体LQを回収する回収口16とを備えている。供給口15は、流路を介して液体供給装置と接続されている。液体供給装置は、清浄で温度調整された液体LQを供給口15に供給可能である。回収口16は、流路を介して真空システムを含む液体回収装置に接続されている。液体回収装置は、回収口16を介して、回収口16と対向する基板P上の液体LQを回収可能である。本実施形態においては、回収口16には多孔部材(メッシュ部材)17が配置されている。露光装置4は、液浸空間LSを形成するために、供給口15を用いる液体供給動作と並行して、回収口16を用いる液体回収動作を実行する。これにより、終端光学素子12の下面13と基板Pの上面との間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。
露光装置4は、少なくともマスクMのパターンの像を基板Pに投影している間、液浸部材11を用いて液浸空間LSを形成する。露光装置4は、液体LQと基板Pとを接触させながら、マスクMからの露光光ELを投影光学系PLと液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板P上に投影され、基板Pが露光される。
本実施形態の露光装置4は、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。基板P上には、複数のショット領域が配置されている。露光装置4は、投影光学系PLの投影領域に対して基板P上のショット領域をY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域に対してマスクMのパターン形成領域をY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射して、その基板Pを露光する。
次に、第2処理システム2の第1形成装置5について説明する。図3は、第1形成装置5の一例を示す図である。本実施形態において、第1形成装置5は、基材W上にHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の膜を形成可能な膜形成装置を含む。以下の説明において、HMDSの膜を適宜、HMDS膜Mh、と称し、基材W上にHMDS膜Mhを形成する処理を適宜、HMDS処理、と称する。
本実施形態において、第1形成装置5は、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを形成可能である。基材Wのエッジ部Eは、基材Wの側面、及び基材Wの上面の周縁領域の少なくとも一部を含む。基材Wの上面は、基板Pの露光時において露光光ELが照射される面、すなわち終端光学素子12の下面13と対向する面である。
本実施形態において、第1形成装置5は、液体状のHMDSを基材W上に供給して、その基材W上にHMDS膜Mhを形成する。以下の説明において、HMDSを含む液体を適宜、液体HMDS、と称する。液体HMDSは、液体状のHMDSを含む。また、液体HMDSは、液体状のHMDSに所定の溶剤、あるいは添加剤等が含有されたものを含む。
図3において、第1形成装置5は、基材Wの下面を保持して回転可能な保持部材20と、保持部材20を回転する回転モータ21と、保持部材20に保持された基材Wのエッジ部Eに液体HMDSを供給可能な第1供給口22を有する第1ノズル23と、第1ノズル23を移動可能な駆動装置24と、保持部材20の周囲に配置され、液体HMDSを受けるカップ25とを備えている。カップ25の底には、飛散した液体HMDSを集めて排出する排液口26と、飛散した液体HMDSの微粒子が基材Wに再付着することを抑制するために、カップ25の内側の気体を排出する排気口27とが形成されている。
HMDS処理を実行するとき、第1供給口22は、保持部材20に保持された基材Wの上面の周縁領域と対向する位置に配置される。第1供給口22には、液体HMDSを送出可能な供給装置(不図示)より、流路を介して液体HMDSが供給される。第1供給口22は、供給装置より供給された液体HMDSを、基材Wの上方より、基材Wのエッジ部Eに供給する。第1供給口22は、基材Wの上面の周縁領域に対して液体HHDSが斜めに入射するように、基材Wの上面に対して斜め方向から液体HMDSを供給する。具体的には、第1供給口22は、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向かうように、基材Wの上面に対して斜め方向から液体HMDSを供給する。
本実施形態において、駆動装置24は、第1ノズル23を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。少なくともHMDS処理の際、駆動装置24の作動により、第1ノズル23の第1供給口22と保持部材20に保持された基材Wとの位置関係が調整される。また、駆動装置24の作動により、第1供給口22は、基材Wの上面の中心に対して放射方向に移動可能である。
また、HMDS処理を実行するとき、第1形成装置5は、保持部材20に保持されている基材Wを回転しながら、第1供給口22より液体HMDSを供給する。第1形成装置5は、回転モータ21を駆動して、保持部材20を回転することによって、その保持部材20に保持されている基材Wを回転することができる。
次に、第2形成装置6について説明する。図4は、第2形成装置6の一例を示す図である。本実施形態において、第2形成装置6は、例えば米国特許出願公開第2006/0068110号明細書等に開示されているような、感光材の溶液をスピンコーティング法に基づいて基板に塗布することによって、基板上に感光材の膜Rgを形成可能な膜形成装置(塗布装置)31と、基板をエッジリンス処理するエッジリンス装置32とを含む。エッジリンス処理は、基板の周縁領域にエッジリンス用液体を供給して、その基板の周縁領域の感光材の膜Rgの少なくとも一部を除去する処理を含む。以下の説明において、感光材の膜Rgを適宜、感光膜Rg、と称する。
図4において、第2形成装置6は、基板の下面を保持して回転可能な保持部材33と、保持部材33を回転する回転モータ34と、保持部材33に保持された基板の上面に感光材の溶液を供給可能な供給口35を有する膜形成用ノズル36と、保持部材33に保持された基板をエッジリンス処理するためのエッジリンス用液体(溶剤)を供給可能な供給口37を有するエッジリンス用ノズル38と、保持部材33の周囲に配置され、感光材の溶液、エッジリンス用液体を受けるカップ39とを備えている。カップ39の底には、飛散した感光材の溶液、エッジリンス用液体を集めて排出する排液口40と、飛散した感光材の溶液、エッジリンス用液体の微粒子が基板に再付着することを抑制するために、カップ39の内側の気体を排出する排気口41とが形成されている。
また、本実施形態において、第2形成装置6は、感光膜Rgとは異なる膜を基板上に形成可能である。本実施形態において、第2形成装置6は、感光膜Rgを保護するための保護膜(トップコート膜)Tcを形成可能である。保護膜Tcは、例えばフッ素を含む材料の膜であり、液体LQに対して撥液性である。保護膜Tcを形成する保護材として、例えば東京応化工業株式会社製「TSP−3A」を用いることができる。第2形成装置6は、膜形成用ノズル36の供給口35より、保護材の溶液を基板に供給することによって、感光膜Rgを覆うように、基板上に保護膜Tcを形成可能である。
次に、第2処理システム2によって形成された各種の膜を含む基板Pの一例について、図5を参照して説明する。図5(A)は、第2処理システム2の処理によって膜が形成された基板Pの一例を示す側断面図、図5(B)は、図5(A)の一部を拡大した図である。上述したように、第2処理システム2は、基板上にHMDS膜Mh及び感光膜Rgを形成可能である。図5に示すように、本実施形態において、基板Pは、基材Wと、基材Wのエッジ部Eのみに形成されたHMDS膜Mhと、基材W上に形成された感光膜Rgとを備えている。本実施形態において、エッジ部Eは、基材Wの側面、基材Wの上面の周縁領域、及び基材Wの下面の周縁領域を含む。
また、本実施形態において、基板Pは、感光膜Rgが形成される有効領域A1と、有効領域A1の外側の非有効領域A2とを有する。有効領域A1は、感光膜Rgが形成された露光可能な領域であって、所望精度のパターンが形成できる領域である。非有効領域A2は、基材Wの上面の周縁領域、基材Wの側面、及び基材Wの下面を含む。本実施形態において、非有効領域A2には感光膜Rgが形成されていない。HMDS膜Mhは、非有効領域A2の少なくとも一部に形成されている。
本実施形態において、エッジ部Eは、感光膜Rgが形成される有効領域A1の外側の非有効領域A2の一部分を含む。本実施形態において、HMDS膜Mhは、非有効領域A2の一部分であるエッジ部Eのみに形成されている。
また、上述したように、第2処理システム2は、基板上に保護膜Tcを形成可能である。本実施形態において、基板Pは、感光膜Rgを覆うように形成された保護膜Tcを有する。保護膜Tcは、感光膜Rgの表面の全域を覆うように形成される。また、本実施形態において、保護膜Tcの少なくとも一部は、HMDS膜Mhと接触する。本実施形態においては、保護膜Tcの周縁部とHMDS膜Mhとが接触する。
本実施形態において、HMDS膜Mhは、有効領域A1の外側で、基材Wと保護膜Tcとの接触を抑制する。本実施形態においては、HMDS膜Mhと保護膜Tcとの密着性のほうが、基材Wと保護膜Tcとの密着性よりも高い。したがって、基板Pのエッジ部における保護膜Tcの剥離が抑制される。
次に、本実施形態に係る基板Pの処理方法の一例について説明する。図6は、本実施形態に係る処理方法の一例を示すフローチャートである。図6に示すように、本実施形態の処理方法は、上述の第2処理システム2を用いて、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを形成する処理(ステップS1)と、基材W上に感光膜Rgを形成する処理(ステップS2)と、感光膜Rgを覆うように保護膜Tcを形成する処理(ステップS3)と、HMDS膜Mh、感光膜Rg、及び保護膜Tcが形成された基板Pを液体LQを介して露光光ELで露光する処理(ステップS4)と、露光された基板Pを現像する処理(ステップS5)とを含む。
まず、第2処理システム2の第1形成装置5により、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜が形成される(ステップS1)。本実施形態においては、基材Wは、シリコンウエハを含む。すなわち、基材Wは、シリコン基板を含み、基材Wの表面は、シリコン基板の表面を含む。本実施形態においては、説明を簡単にするために、基材Wに最初のリソグラフィ処理を施す場合について説明する。なお、基材Wは、少なくとも1回のリソグラフィ工程(露光工程)を経ていてもよい。また、基材Wの表面(下地)がSiO2等の酸化膜の表面を含む場合もある。また、基材Wの表面(下地)が、前のプロセスまでに形成されたSiO2等の酸化膜、SiO2及びSiNx等の絶縁膜、Cu及びAl−Si等の金属・導体膜、アモルファスSi等の半導体膜の少なくとも1つの表面を含む場合もある。
図7は、HMDS処理を実行する第1形成装置5の動作の一例を説明するための模式図である。基材Wのエッジ部EにHDMS膜Mhを形成するとき、保持部材20に保持された基材Wの上面の周縁領域と対向するように、第1ノズル23の第1供給口22が配置される。第1形成装置5は、回転モータ21を駆動して、保持部材20に保持された基材Wを回転しながら、第1ノズル23の第1供給口22より、エッジ部Eに液体HMDSを供給する。これにより、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhが形成される。本実施形態においては、HMDS膜Mhは、基材Wの上面の周縁領域、基材Wの側面、及び基材Wの下面の周縁領域のそれぞれに形成される。
第1供給口22は、基材Wの上面の周縁領域に対して液体HHDSが斜めに入射するように、基材Wの上方より、基材Wの上面に対して斜め方向から液体HMDSを供給する。これにより、第1形成装置5は、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを良好に形成することができる。第1形成装置5は、感光膜Rgが形成される有効領域A1の外側で、基材Wと保護膜Tcとが接触しないように、第1供給口22より液体HMDSを供給して、HMDS膜Mhを形成する。
第1形成装置5によりHMDS膜Mhが形成され、必要に応じて加熱処理が実行された後、第2処理システム2は、第2形成装置6により基材W上に感光膜Rgを形成する(ステップS2)。
図8は、感光膜Rgを形成する第2形成装置6の動作の一例を説明するための模式図である。基材W上に感光膜Rgを形成するとき、HMDS膜Mhが形成された基材Wが、第1形成装置5より第2形成装置6に搬送される。第2形成装置6に搬送された基材Wは、その第2形成装置6の保持部材33に保持される。第2形成装置6は、第2形成装置6の保持部材33に保持された基板(基材W)の上面の中央領域と対向するように、膜形成用ノズル36の供給口35を配置する。第2形成装置6は、回転モータ34を駆動して、保持部材33に保持された基板を回転しつつ、供給口35より感光材の溶液を基板の上面に供給する。これにより、基材Wの上面に感光膜Rgが形成される。
また、第2形成装置6は、必要に応じて、エッジリンス処理を実行する。エッジリンス処理は、基板の周縁領域にエッジリンス用液体を供給して、その基板の周縁領域の感光膜Rgの少なくとも一部を除去する処理を含む。エッジリンス用液体は、例えばアセトン、又はシンナー等の溶剤を含む。エッジリンス処理を実行するとき、保持部材33に保持された基板の周縁領域と対向するように、エッジリンス用ノズル38の供給口37が配置される。第2形成装置6は、回転モータ34を駆動して、保持部材33に保持された基板を回転しつつ、エッジリンス用ノズル38の供給口37よりエッジリンス用液体を基板の周縁領域に向けて供給する。これにより、基板の周縁領域の感光膜Rgが除去される。
感光膜Rgが形成され、必要に応じて加熱処理が実行された後、第2処理システム2は、感光膜Rgを覆うように保護膜Tcを形成する(ステップS3)。
第2形成装置6は、第2形成装置6の保持部材33に保持された基板の上面の中央領域と対向するように、膜形成用ノズル36の供給口35を配置する。第2形成装置6は、回転モータ34を駆動して、保持部材33に保持された基板を回転しつつ、供給口35より保護材の溶液を基板の上面に供給する。これにより、感光膜Rgを覆うように保護膜Tcが形成される。
本実施形態においては、保護膜Tcを形成する前に、エッジ部EにHMDS膜Mhが形成されているので、有効領域A1の外側における、基材Wと保護膜Tcとの接触が抑制される。
また、第2形成装置6は、必要に応じて、エッジリンス処理を実行する。エッジリンス処理は、基板の周縁領域にエッジリンス用液体を供給して、その基板の周縁領域の保護膜Tcの少なくとも一部を除去する処理を含む。第2形成装置6は、回転モータ34を駆動して、保持部材33に保持された基板を回転しつつ、エッジリンス用ノズル38の供給口37よりエッジリンス用液体を基板の周縁領域に向けて供給する。これにより、基板の周縁領域の保護膜Tcが除去される。
以上、ステップS1〜S3を含む処理によって、図5に示したような、HMDS膜Mh、感光膜Rg、及び保護膜Tcを含む基板Pが形成される。
第2処理システム2で各膜を形成された基板Pは、例えば加熱処理(プリベーク処理)等の所定の処理を実行された後、第1処理システム1に搬送される。第1処理システム1へ搬送された基板Pは、露光装置4の基板ステージ10に保持される。露光装置4は、その基板P上に液体LQを供給して、液体LQを介して基板Pに露光光ELを照射して、その基板Pを露光する(ステップS4)。露光装置4は、露光光ELの光路及びその光路を液体LQで満たすように形成されている液浸空間LSに対して基板Pを移動しながら、その基板Pに露光光ELを照射する。
露光処理が終了した基板Pは、第2処理システム2に搬送され、例えば加熱処理(ポストベーク処理)、現像処理等、所定の処理を実行される(ステップS5)。
以上説明したように、本実施形態によれば、基材Wのエッジ部EにHMDS膜Mhを形成するので、基板Pのエッジ部における保護膜Tcの剥離を抑制することができる。例えば、基板の表面(下地)と保護膜Tcとの密着性が十分でない場合、保護膜Tcが剥離する可能性が高くなる。例えば、図2に示すように、基板Pの上面の周縁領域(エッジショット領域)と液浸空間LSの液体LQとを接触させた状態で基板Pを移動したり、あるいは基板Pの上面の周縁領域と液浸空間LSの液体LQとが接触する状態と接触しない状態とで変化させたりした場合、基板の表面(下地)と保護膜Tcの密着性が十分でないと、基板Pのエッジ部における保護膜Tcが剥離する可能性が高くなる。基板Pを液浸露光する際に、保護膜Tcの一部が剥離した場合、その剥離した保護膜Tcが異物となって基板Pに付着したり、液体LQ中に混入したりする可能性がある。異物が存在する状態で基板Pを露光した場合、基板Pに形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
本実施形態においては、基材Wと保護膜Tcとの密着性が、HMDS膜Mhと保護膜Tcとの密着性より低い場合において、HMDS膜Mhが基材Wのエッジ部Eに形成されているので、エッジ部における基板の表面(下地)と保護膜Tcとの密着性を高めることができる。また、HMDS膜Mhと基材Wの表面との密着性も十分に高い。また、エッジ部Eに形成されたHMDS膜Mhは、基板のエッジ部において基材Wと保護膜Tcとの接触を抑制している。したがって、基板のエッジ部における保護膜Tcの剥離を抑制することができる。したがって、膜の剥離に起因する露光不良の発生を抑制できる。
また、本実施形態においては、HMDS膜Mhは、有効領域A1の外側の基材Wのエッジ部Eのみに形成されており、露光光ELの照射によりパターンが形成される有効領域A1には形成されていない。基材Wと感光膜Rgとの間にHMDS膜Mhが形成される場合(HMDS膜Mhが感光膜Rgの下地を形成する場合)、換言すれば、有効領域A1にHMDS膜Mhが形成される場合、例えば感光膜Rgの解像性能が低下したり、露光後の現像処理、エッチング処理等に影響を及ぼしたりする可能性があり、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
本実施形態によれば、HMDS膜Mhは、有効領域A1の外側で、基材Wと保護膜Tcとの接触を抑制するように形成されているので、感光膜Rgの解像性能の低下をもたらしたり、露光後の現像処理、エッチング処理等に影響を及ぼしたりする不都合の発生を抑制しつつ、基板Pのエッジ部における保護膜Tcの剥離を抑制することができる。したがって、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。
また、例えば基板Pを搬送装置3で搬送するときに、基板Pのエッジ部が搬送装置3の搬送アームに接触したり、基板Pをキャリア(収容部材)に保管するときに、基板Pのエッジ部がそのキャリアの支持部に接触したりする可能性がある。その場合において、保護膜Tcの一部が剥離すると、それが異物となって搬送アーム、支持部等を汚染する可能性がある。本実施形態によれば、エッジ部における保護膜Tcの剥離が抑制されているので、搬送アーム、支持部等の汚染を抑制することができる。
また、本実施形態においては、スピンコーティング法に基づいて感光膜Rg、保護膜Tcが形成された後、エッジリンス処理が実行される。スピンコーティング法に基づいて膜を形成した場合、基板の中央部よりエッジ部のほうが膜の厚みが厚くなる現象が生じる可能性がある。そのエッジ部の膜は剥離し易い。本実施形態によれば、エッジリンス処理によって、エッジ部の膜の一部が除去されるので、膜の剥離、及びその膜の剥離に起因する露光不良の発生を抑制することができる。
なお、本実施形態においては、第2形成装置6は、感光膜Rgを形成するための感光材の溶液と、保護膜Tcを形成するための保護材の溶液とが、同一の膜形成用ノズル36の供給口35より供給される場合を例にして説明したが、第2形成装置6が、感光材の溶液を供給する供給口35を有する膜形成用ノズル36とは別に、保護材の溶液を供給する供給口を有するノズルを備えてもよい。また、第2処理システム2が、感光膜Rgを形成するための第2形成装置6とは別に、保護膜Tcを形成するための膜形成装置を備えてもよい。
なお、本実施形態においては、第2処理システム2が、HMDS膜Mhを形成するための第1形成装置5と、感光膜Rg(保護膜Tc)を形成するための、第1形成装置5とは別の第2形成装置6とを備えている場合を例にして説明したが、同一の膜形成装置によって、HMDS膜Mhと感光膜Rg(保護膜Tc)とが形成されてもよい。また、HMDS膜Hhを形成するための液体HMDSを供給する供給口と、感光膜Rg(保護膜Tc)を形成するための溶液を供給する供給口とが、同一の供給口でもよいし、異なる供給口でもよい。
なお、本実施形態において、第2処理システム2は、HMDS膜Mh、感光膜Rg、及び保護膜Tcのみならず、例えば反射防止膜等、各種の膜を形成可能である。反射防止膜は、基材Wと感光膜Rgとの間に形成される反射防止膜(bottom ARC(Anti-Reflective Coating))でもよいし、感光膜Rgの上に形成される反射防止膜(top ARC(Anti-Reflective Coating))でもよい。反射防止膜を形成する際、第2形成装置6は、反射防止膜を形成するための反射防止材の溶液を基板上に供給することによって、その基板上に反射防止膜を形成することができる。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図9は、第2実施形態に係る第1形成装置5Bの一例を示す図である。第2実施形態の特徴的な部分は、上述の第1実施形態で説明した第1形成装置5が、気体供給装置50Bをさらに備える点にある。
図9において、第1形成装置5Bは、基材Wを回転可能に支持する保持部材20と、基材Wの上面の周縁領域と対向する位置に配置された、液体HMDSを供給する第1供給口22を有する第1ノズル23と、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向けて気体を流す気体供給装置50Bとを備えている。
気体供給装置50Bは、放射方向に関して第1供給口22の内側で、基材Wの上面と対向するように配置される気体供給口51Bを有する気体ノズル52Bを備えている。気体供給口51Bは、流路を介して気体供給源(不図示)と接続されており、清浄で温度調整された気体を供給可能である。本実施形態において、気体供給口51Bは、保持部材20に保持された基材Wの上面の中央領域と対向する位置に配置される。
また、本実施形態においては、気体供給口51Bは、基材Wが配置されている空間の圧力より高い圧力の気体(陽圧気体)を供給する。本実施形態においては、基材Wが配置されている空間は、第2チャンバ装置CH2の内側の空間を含む。本実施形態において、基材Wが配置されている空間の圧力は、例えば大気圧である。
気体ノズル52Bは、基材Wの上面と対向する下面53を備えている。下面53は、基材Wの上面とほぼ平行な平面を含む。気体供給口51Bは、下面53のほぼ中央に配置されている。本実施形態において、基材Wの上面及び下面53は、XY平面とほぼ平行である。XY平面内におおける下面53の大きさは、基材Wの上面の大きさより小さい。
第1形成装置5Bは、基材Wの上面のほぼ中心と気体供給口51Bとを対向させた状態で、気体供給口51Bより気体を送出する。気体供給口51Bより送出された気体は、基材Wの上面の中央領域に供給される。基材Wの上面の中央領域に供給された気体は、基材Wの上面に沿って、放射方向に関して内側から外側へ向かって流れる。すなわち、気体供給口51Bから送出される気体によって、基材Wの上面の中央領域からエッジ領域へ向かう気体の流れが生成される。また、本実施形態においては、基材Wの上面と対向する位置に、気体ノズル52Bの下面53が配置されており、気体供給口51Bより送出された気体の少なくとも一部は、下面53及び基材Wの上面にガイドされつつ、基材Wのエッジ領域へ向かって流れる。
次に、第1形成装置5Bの動作の一例について説明する。第1形成装置5Bは、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを形成するために、保持部材20を用いて基材Wを回転しながら、基材Wのエッジ部Eに対して第1供給口22より液体HMDSを供給する。また、本実施形態においては、第1形成装置5Bは、第1供給口22による液体HMDSの供給動作の少なくとも一部と並行して、気体供給口51Bを用いる気体供給動作を実行する。すなわち、本実施形態において、気体供給装置50Bは、基材Wのエッジ部Eに液体HMDSが供給されているときに、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ気体を流す。
第1形成装置5Bは、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向けて気体を流しつつ、基材Wのエッジ部Eに液体HNDSを供給するので、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを良好に形成することができる。
なお、本実施形態において、第1供給口22は、気体状のHMDSを供給してもよい。気体状のHMDSを供給する場合、密閉室の内部に基材Wを配置し、その密閉室の内部に配置された基材Wを回転しながら、その基材Wのエッジ部Eに気体状のHMDSを供給することができる。また、基材Wを回転可能に保持する保持部材に加熱装置を設け、保持部材で基材Wを加熱しながら、気体状のHMDSを供給することができる。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図10は、第3実施形態に係る第1形成装置5Cの一例を示す図である。第2実施形態の特徴的な部分は、上述の第1実施形態で説明した第1形成装置5が、気体供給装置50Cをさらに備える点にある。
図10において、第1形成装置5Cは、基材Wを回転可能に支持する保持部材20と、基材Wの上面の周縁領域と対向する位置に配置された、液体HMDSを供給する第1供給口22を有する第1ノズル23と、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向けて気体を流す気体供給装置50Cとを備えている。
気体供給装置50Cは、放射方向に関して第1供給口22の内側で、基材Wの上面と対向するように配置される気体供給口51Cを有する気体ノズル52Cを備えている。気体供給口51Cは、流路を介して気体供給源(不図示)と接続されており、清浄で温度調整された気体を供給可能である。
本実施形態において、気体供給口51Cは、放射方向に関して第1供給口22の内側で、第1供給口22の近傍に配置されている。本実施形態において、気体供給口51Cは、基材Wの上方より、基材Wのエッジ部Eの近傍に気体を供給する。気体供給口51Cは、基材Wの上面の周縁領域に対して気体が斜めに入射するように、基材Wの上面に対して斜め方向から気体を供給する。具体的には、気体供給口51Cは、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向かうように、基材Wの上面に対して斜め方向から気体を供給する。気体供給口51Cより送出された気体は、基材Wの上面に沿って、放射方向に関して内側から外側へ向かって流れる。
また、本実施形態においては、気体供給口51Cは、基材Wが配置されている空間の圧力より高い圧力の気体(陽圧気体)を供給する。本実施形態において、基材Wが配置されている空間の圧力は、例えば大気圧である。
次に、第1形成装置5Cの動作の一例について説明する。第1形成装置5Cは、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを形成するために、保持部材20を用いて基材Wを回転しながら、基材Wのエッジ部Eに対して第1供給口22より液体HMDSを供給する。また、本実施形態においては、第1形成装置5Cは、第1供給口22による液体HMDSの供給動作の少なくとも一部と並行して、気体供給口51Cを用いる気体供給動作を実行する。気体供給装置50Cは、基材Wのエッジ部Eに液体HMDSが供給されているときに、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ気体を流す。
本実施形態においても、第1形成装置5Cは、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向けて気体を流しつつ、基材Wのエッジ部Eに液体HNDSを供給するので、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを良好に形成することができる。
なお、本実施形態においても、第1供給口22より、気体状のHMDSを供給して、基材Wのエッジ部EにHMDS膜Mhを形成してもよい。
<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図11は、第4実施形態に係る第1形成装置5Dの一例を示す図である。第4実施形態の特徴的な部分は、上述の第1実施形態で説明した第1形成装置5が、基材Wの上面との間で陽圧空間を形成する第1部材52Dを含む気体供給装置50Dをさらに備える点にある。
図11において、第1形成装置5Dは、基材Wを回転可能に支持する保持部材20と、基材Wの上面の周縁領域と対向する位置に配置された、液体HMDSを供給する第1供給口22を有する第1ノズル23と、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向けて気体を流す気体供給装置50Dとを備えている。
気体供給装置50Dは、放射方向に関して第1供給口22の内側で、基材Wの上面と対向するように配置される第1部材52Dを備えている。第1部材52Dは、基材Wの上面と対向する位置に形成された開口54と、開口54に接続された内部空間55とを有する。内部空間55は、流路56を介して気体供給源57と接続されている。気体供給源57は、清浄で温度調整された気体を、流路56を介して内部空間55に供給可能である。
第1部材52Dは、その第1部材52Dの下端53Dが基材Wの上面と所定の間隙51Dを介して対向するように配置される。XY平面内における下端53Dの外形の大きさは、有効領域A1の外形より僅かに小さい。下端53Dは、エッジ部E(非有効領域A2)の内側の基材Wの上面と所定の間隙51Dを介して対向する。
本実施形態において、気体供給源57は、基材Wが配置されている空間の圧力より高い圧力の気体(陽圧気体)を供給する。本実施形態において、基材Wが配置されている空間の圧力は、例えば大気圧である。
気体供給源57より内部空間55に気体が供給されることによって、内部空間55は、第1部材52Dの外部空間より高い圧力の空間(陽圧空間)となる。このように、気体供給源57の作動により、第1部材52Dは、基材Wの上面との間で陽圧空間を形成する。
内部空間55が陽圧空間となることによって、内部空間55の気体の少なくとも一部は、間隙51Dを介して、外部空間へ向かって流れる。間隙51Dより外部空間へ流出した気体は、基材Wの上面に沿って、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向かう気体の流れを生成する。本実施形態においては、間隙51Dは、放射方向に関して第1供給口22の内側に配置され、放射方向に関して内側から外側へ向けて気体の流れが生成されるように気体を供給する気体供給口として機能する。
次に、第1形成装置5Dの動作の一例について説明する。第1形成装置5Dは、基材Wの上面と所定の間隙51Dを介して対向するように第1部材52Dを配置し、気体供給源57を用いて、内部空間55を陽圧にする。これにより、間隙51Dより、放射方向に関して内側から外側へ向かう気体の流れが生成される。そして、第1形成装置5Dは、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを形成するために、保持部材20を用いて基材Wを回転しながら、基材Wのエッジ部Eに対して第1供給口22より液体HMDSを供給する。気体供給装置50Dは、基材Wのエッジ部Eに液体HMDSが供給されているときに、間隙51Dより、放射方向に関して内側から外側へ気体を流す。
本実施形態においても、第1形成装置5Dは、基材Wの上面の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向けて気体を流しつつ、基材Wのエッジ部Eに液体HNDSを供給するので、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを良好に形成することができる。
なお、本実施形態においても、第1供給口22より、気体状のHMDSを供給して、基材Wのエッジ部EにHMDS膜Mhを形成してもよい。
なお、上述の第1〜第4実施形態においては、基材Wのエッジ部EにHMDS膜Mhを形成した後、有効領域A1に感光膜Rgを形成することとしたが、基材W上に感光膜Rgを形成し、必要に応じてエッジリンス処理した後、エッジ部EにHMDS膜Mhを形成し、その後、保護膜Tcを形成することもできる。
<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
上述の第1〜第4実施形態においては、基材Wのエッジ部EのみにHMDS膜Mhを形成する第1形成装置5(5B〜5D)が、露光装置4を含む第1処理システム1とは別の第2処理システム2に配置されている場合を例にして説明したが、図12に示すように、露光装置4Eが第1形成装置5(5B〜5D)を備えていてもよい。図12に示す露光装置4Eは、露光装置4Eが配置される第1チャンバ装置CH1の内側に配置された、第1形成装置5(5B〜5D)を含む処理装置1Eを備えている。また、本実施形態においては、処理装置1Eは、基板上に感光膜Rg、保護膜Tcを形成可能である。また、露光装置4Eは、基板ステージ10と処理装置1Eとの間で基板Pを搬送可能な搬送装置3Eを備えている。搬送装置3Eは、処理装置1Eで処理された基板Pを、基板ステージ10に搬送可能である。搬送装置3Eにより基板ステージ10に搬送された基板Pは、その基板ステージ10の移動により、露光光ELの照射位置(終端光学素子12の下面13と対向する位置)に円滑に移動することができる。
なお、上述の第1〜第5実施形態において、液浸空間LSを形成する液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等のフッ素系流体を用いることも可能である。また、液体LQとして、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
なお、上述の実施形態の投影光学系は、終端光学素子の像面側(射出側)の光路を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子の物体面側(入射側)の光路も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
なお、上述の実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
露光装置4としては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
また、露光装置4として、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6400441号明細書、米国特許第6549269号明細書、米国特許第6590634号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置を採用することもできる。
更に、例えば米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書などに開示されているような、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
また、上述の実施形態は、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
露光装置4の種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ、基板ステージの各ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。
また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に採用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
また、露光装置4として、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)を採用することができる。
本願実施形態の露光装置4は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図13に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板Pを製造するステップ203、前述した実施形態に従って、マスクMからの露光光ELで基板Pを露光すること、及び露光した基板Pを現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。ステップ204は、上述の実施形態で説明したステップS1〜S5を含む。
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いることが可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
なお、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
1…第1処理システム、2…第2処理システム、3…搬送装置、3E…搬送装置、4…露光装置、5…第1形成装置、6…第2形成装置、10…基板ステージ、20…保持部材、21…回転モータ、22…第1供給口、23…第1ノズル、50…気体供給装置、51…気体供給口、51B、51C…気体供給口、51D…間隙、52D…第1部材、55…内部空間、E…エッジ部、EL…露光光、LQ…液体、Mh…HMDS膜、P…基板、Rg…感光膜、SYS…基板処理システム、Tc…保護膜、W…基材
Claims (28)
- 液体を介して露光光で露光される基板であって、
基材と、
前記基材のエッジ部のみに形成されたHMDS膜と、を備える基板。 - 前記エッジ部は、前記基材の側面、及び前記露光光が照射される上面の周縁領域の少なくとも一部を含む請求項1記載の基板。
- 前記基材上に形成される感光膜を有し、
前記エッジ部は、前記感光膜が形成される有効領域の外側の部分を含む請求項1又は2記載の基板。 - 前記感光膜を覆うように形成される保護膜を有し、
前記保護膜の少なくとも一部は、前記HMDS膜と接触する請求項3記載の基板。 - 前記HMDS膜は、前記有効領域の外側で、前記基材と前記保護膜との接触を抑制する請求項3又は4記載の基板。
- 前記基材の表面は、シリコン基板の表面を含む請求項1〜5のいずれか一項記載の基板。
- 前記基材の表面は、酸化膜、金属膜、及び絶縁膜の少なくとも1つの表面を含む請求項1〜6のいずれか一項記載の基板。
- 液体を介して露光光で露光される基板の処理方法であって、
前記基板の基材のエッジ部のみにHMDS膜を形成することを含む処理方法。 - 前記基材上に感光膜を形成することを含み、
前記エッジ部は、前記感光膜が形成される有効領域の外側の部分を含む請求項8記載の処理方法。 - 前記感光膜を覆うように保護膜を形成することを含み、
前記HMDS膜は、前記有効領域の外側で、前記基材と前記保護膜とが接触しないように形成される請求項9記載の処理方法。 - 前記HMDS膜を形成することは、前記エッジ部に液体HMDSを供給することを含む請求項8〜10のいずれか一項記載の処理方法。
- 前記基材を回転しながら、前記液体HMDSを供給する請求項11記載の処理方法。
- 前記基材の中心に対する放射方向に関して、内側から外側へ向けて気体を流しつつ、前記液体HMDSを供給する請求項11又は12記載の処理方法。
- 請求項8〜13のいずれか一項記載の処理方法で基板を処理することと、
処理された基板を液体を介して露光光で露光することと、を含む露光方法。 - 請求項14記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 液体を介して露光光で露光される基板の処理装置であって、
前記基板の基材のエッジ部のみにHMDS膜を形成可能な第1形成装置を備える処理装置。 - 前記第1形成装置は、前記基材のエッジ部に液体HMDSを供給する第1供給口を含む請求項16記載の処理装置。
- 前記第1供給口は、前記露光光が照射される前記基材の上面の周縁領域と対向する請求項17記載の処理装置。
- 前記第1形成装置は、前記基材を回転する回転装置を備え、
前記回転装置で前記基材を回転しながら、前記液体HMDSを供給する請求項17又は18記載の処理装置。 - 前記基材の中心に対する放射方向に関して内側から外側へ向けて気体を流す気体供給装置を備える請求項17〜19のいずれか一項記載の処理装置。
- 前記気体供給装置は、前記液体HMDSが供給されているときに、前記気体を流す請求項20記載の処理装置。
- 前記気体供給装置は、前記放射方向に関して前記第1供給口の内側で、前記基材の上面と対向するように配置された気体供給口を含む請求項20又は21記載の処理装置。
- 前記気体供給装置は、前記エッジ部の内側の前記基材の上面と所定の間隙を介して対向し、前記基材の上面との間で陽圧空間を形成する第1部材を含む請求項22記載の処理装置。
- 前記基材上に感光膜を形成する第2形成装置と、
前記感光膜を覆うように保護膜を形成する第3形成装置と、を備え、
前記第1形成装置は、前記感光膜が形成される有効領域の外側で、前記基材と前記保護膜とが接触しないように、前記HMDS膜を形成する請求項16〜23のいずれか一項記載の処理装置。 - 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
請求項16〜24のいずれか一項記載の処理装置を備える露光装置。 - 前記露光光の照射位置と前記処理装置との間で前記基板を搬送する搬送装置を備える請求項25記載の露光装置。
- 請求項25又は26記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 液体を介して露光される基板の処理システムであって、
前記基板の基材のエッジ部のみにHMDS膜を形成する第1形成装置と、
前記基材上に感光膜を形成する第2形成装置と、
前記感光膜を覆うように保護膜を形成する第3形成装置と、
前記HMDS膜、前記感光膜、及び前記保護膜が形成された前記基板を液体を介して露光光で露光する液浸露光装置と、を備え、
前記第1形成装置は、前記感光膜が形成される有効領域の外側で、前記基材と前記保護膜とが接触しないように、前記HMDS膜を形成する処理システム。
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JP2008050780A JP2009212132A (ja) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | 基板、基板の処理方法及び処理装置、基板の処理システム、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
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JP2016107272A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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2008
- 2008-02-29 JP JP2008050780A patent/JP2009212132A/ja active Pending
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