JP2011258819A - プレート部材、プレート部材の使用方法、デバイス製造方法、及びプレート部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所定の処理を円滑に実行できるプレート部材を提供する。
【解決手段】プレート部材は、基板を保持する基板保持部を有し、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置において、基板保持部に保持されて使用される。プレート部材は、基材と、表面の少なくとも一部を形成し、液体に対して撥液性の第１膜と、基材と第１膜との間の少なくとも一部に配置され、基材と異なる色相を発現する第２膜と、を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、プレート部材、プレート部材の使用方法、デバイス製造方法、及びプレート部材の製造方法に関する。

リソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。露光装置は、基板をリリース可能に保持する基板保持部を備え、その基板保持部に保持された基板を露光する。

米国特許出願公開第２００６／０１３２７３７号明細書

例えばダミー基板等のプレート部材を基板保持部に保持して所定の処理を実行する場合、その処理を円滑に実行できる技術の案出が望まれる。プレート部材を用いる処理が円滑に実行されない場合、例えば露光装置の露光性能が低下し、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、所定の処理を円滑に実行できるプレート部材、及びプレート部材の使用方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、所定の処理を円滑に実行できるプレート部材の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、基板を保持する基板保持部を有し、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置において、基板保持部に保持されて使用されるプレート部材であって、基材と、表面の少なくとも一部を形成し、液体に対して撥液性の第１膜と、基材と第１膜との間の少なくとも一部に配置され、基材と異なる色相を発現する第２膜と、を備えるプレート部材が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、基板を保持する基板保持部を有し、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置において、基板保持部に保持されて使用されるプレート部材であって、基材と、表面の少なくとも一部を形成し、液体に対して撥液性の第１膜と、基材と第１膜との間の少なくとも一部に配置され、基板と異なる色相を発現する第２膜と、を備えるプレート部材が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、基板を保持する基板保持部を有し、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置において、基板保持部に保持されて使用されるプレート部材であって、基材と、表面の少なくとも一部を形成し、フッ素を含む第１膜と、基材と第１膜との間に配置され、珪素化合物を含む第２膜と、を備え、基材上に感光膜がないプレート部材が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、第１〜第３の少なくとも一つの態様のプレート部材を基板保持部に保持することと、基板の露光において露光液体に接触する接液部材と基板保持部に保持されたプレート部材との間に液体を保持することと、を含むプレート部材の使用方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第４の態様の使用方法でプレート部材を使用することと、基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデイバス製造方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、露光液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する基板保持部が保持可能なプレート部材の製造方法であって、基材を表面処理することと、表面処理された基材上に、液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、を含み、表面処理は、基材と異なる色相を発現する第２膜を基材上に形成する処理を含む製造方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、露光液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する基板保持部が保持可能なプレート部材の製造方法であって、基材を表面処理することと、表面処理された基材上に、液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、を含み、表面処理は、基板と異なる色相を発現する第２膜を基材上に形成する処理を含む製造方法が提供される。

本発明の態様によれば、プレート部材を用いる処理を円滑に実行できる。また本発明の態様によれば、露光性能の低下を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係る基板の一例を示す側断面図である。 第１実施形態に係るダミー基板の一例を示す側断面図である。 第１実施形態に係るダミー基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係るダミー基板の一例を示す模式図である。 図６（Ａ）は第１実施形態に係るダミー基板の一例を示す平面図であり、図６（Ｂ）は第１実施形態に係る基板の一例を示す平面図である。 第１実施形態に係る基板が基板保持部に保持されている状態の一例を示す図である。 第１実施形態に係る基板が基板保持部に保持されている状態の一例を示す平面図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。 第１実施形態に係るダミー基板が基板保持部に保持されている状態の一例を示す図である。 第２実施形態に係るダミー基板が基板保持部に保持されている状態の一例を示す平面図である。 第２実施形態に係るダミー基板の一例を示す模式図である。 第３実施形態に係るダミー基板の一例を示す平面図である。 第３実施形態に係るメンテナンス装置の一例を示す図である。 デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。また、本実施形態においては、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である場合を例にして説明する。

図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材Ｃ（計測器）を保持して移動可能な計測ステージ３と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材４と、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する干渉計システム１７と、基板Ｐに配置されているアライメントマークＡＭを検出するアライメントシステム２９と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、露光用（デバイス製造用）の基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態においては、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。なお、露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）を用いてもよい。また、露光光ＥＬとして、Ｆ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）を用いてもよい。

マスクステージ１は、第１定盤６のガイド面６Ｇ上を移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持する保持部７を有する。マスクステージ１は、保持部７に保持されたマスクＭを、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面８を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子９が射出面８を有する。投影領域ＰＲは、射出面８から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態において、射出面８から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。

基板ステージ２及び計測ステージ３は、第２定盤１０のガイド面１０Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部１１を有する。基板ステージ２は、基板保持部１１に保持された基板Ｐを、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。計測ステージ３は、計測部材Ｃをリリース可能に保持する保持部１２を有する。計測ステージ３は、保持部１２に保持された計測部材Ｃを、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能である。

本実施形態において、基板ステージ２は、米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、及び米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、基板保持部１１の周囲の少なくとも一部に配置され、プレート部材Ｔをリリース可能に保持する保持部１３を有する。計測ステージ３は、保持部１２の周囲の少なくとも一部に配置され、プレート部材Ｓをリリース可能に保持する保持部１４を有する。

マスクステージ１は、駆動システム１５の作動により移動可能である。駆動システム１５は、マスクステージ１に配置された可動子１５Ａと、第１定盤６に配置された固定子１５Ｃとを有する平面モータを含む。マスクステージ１は、駆動システム１５の作動により、ガイド面６Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システム１６の作動により移動可能である。駆動システム１６は、基板ステージ２に配置された可動子１６Ａと、計測ステージ３に配置された可動子１６Ｂと、第２定盤１０に配置された固定子１６Ｃとを有する平面モータを含む。基板ステージ２及び計測ステージ３のそれぞれは、駆動システム１６の作動により、ガイド面１０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、平面モータの一例が、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されている。

干渉計システム１７は、マスクステージ１、基板ステージ２、及び計測ステージ３の位置を計測する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置５は、干渉計システム１７の計測結果に基づいて駆動システム１５、１６を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、基板ステージ２（基板Ｐ）、及び計測ステージ３（計測部材Ｃ）の位置制御を実行する。

アライメントシステム２９は、基板Ｐに配置されているアライメントマークＡＭを検出する。本実施形態のアライメントシステム２９は、例えば米国特許第５４９３４０３号明細書等に開示されているような、アライメントマークＡＭに対して検出光を照射し、そのアライメントマークＡＭからの反射光によって受光面に結像されたアライメントマークＡＭの像と指標の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでアライメントマークＡＭの位置を検出するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムである。本実施形態において、アライメントシステム２９の検出光は、基板Ｐの感光膜を感光させないブロードバンドな光である。

液浸部材４は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。液浸部材４は、終端光学素子９の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材４は、環状の部材であり、露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材４の少なくとも一部が、終端光学素子９の周囲に配置される。

本実施形態において、液浸空間ＬＳは、終端光学素子９の射出面８と、射出面８と対向する位置に配置される物体の表面との間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように形成される。本実施形態において、射出面８と対向する位置は、射出面８から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）を含む。

本実施形態において、射出面８と対向する位置に配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（射出面８側）で投影領域ＰＲに移動可能な物体であり、基板ステージ２、基板ステージ２に保持された基板Ｐ（後述するダミー基板ＤＰ）、計測ステージ３、及び計測ステージ３に保持された計測部材Ｃの少なくとも一つを含む。

液浸部材４は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面１８を有する。液浸部材４は、投影領域ＰＲに配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができ、その物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。一方側の射出面８及び下面１８と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子９の射出面８と物体の表面との間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態においては、基板Ｐの露光において、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材４の下面１８と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

本実施形態においては、計測部材Ｃ（計測ステージ３）を用いる計測処理、及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスの少なくとも一部において、終端光学素子９及び液浸部材４は、液体ＬＱに接触する。また、基板ステージ２及び計測ステージ３も液体ＬＱに接触する。

図２は、本実施形態に係る基板Ｐの一例を示す側断面図である。図２において、基板Ｐは、基材Ｗａと、その基材Ｗａ上に形成された感光膜Ｒｇとを含む。基材Ｗａは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハを含む。感光膜Ｒｇは、感光材（フォトレジスト）の膜である。

本実施形態において、基板Ｐは、感光膜Ｒｇを保護するための保護膜（トップコート膜）Ｔｃを有する。保護膜Ｔｃは、感光膜Ｒｇの少なくとも一部を覆うように配置される。なお、保護膜Ｔｃは無くてもよい。また、基板Ｐが、例えば反射防止膜等、感光膜Ｒｇとは別の膜を有してもよい。

本実施形態においては、基板保持部１１に基板Ｐが保持されない期間の少なくとも一部において、基板Ｐとは別のプレート部材ＤＰが基板保持部１１に保持される。

図３は、本実施形態に係るプレート部材ＤＰの一例を示す側断面図である。図３において、プレート部材ＤＰは、基材Ｗｂと、プレート部材ＤＰの表面の少なくとも一部を形成し、液体ＬＱに対して撥液性の第１膜Ｆ１と、基材Ｗｂと第１膜Ｆ１との間の少なくとも一部に配置される第２膜Ｆ２とを備えている。

プレート部材ＤＰは、異物を放出し難く、高いクリーン度を有する（クリーンな）部材である。プレート部材ＤＰは、少なくとも基板Ｐより異物を放出し難い。プレート部材ＤＰは感光膜を含まない。すなわち、プレート部材ＤＰの基材Ｗｂ上には感光膜がない。本実施形態において、プレート部材ＤＰの基材Ｗｂの外形は、基板Ｐの外形とほぼ等しい。以下の説明において、プレート部材ＤＰを適宜、ダミー基板ＤＰ、と称する。

本実施形態において、基板Ｐ及びダミー基板ＤＰは、円形のプレート状の部材である。基板保持部１１は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。

本実施形態において、基材Ｗｂは、シリコンを含む。本実施形態において、基材Ｗｂは、シリコンウエハ（所謂、ベアウエハ）である。本実施形態において、基板Ｐの基材Ｗａ及びダミー基板ＤＰの基材Ｗｂのそれぞれがシリコンウエハを含む。なお、基板Ｐの基材Ｗａを形成する材料とダミー基板ＤＰの基材Ｗｂを形成する材料とが異なってもよい。

第２膜Ｆ２は、基材Ｗｂの表面の少なくとも一部に配置される。基材Ｗｂの表面は、基材Ｗｂの上面、下面、及び側面を含む。なお、本実施形態において、上面は、＋Ｚ方向を向く面であり、下面は、−Ｚ方向を向く面であり、側面は、上面と下面とを結ぶ面である。

図３に示すように、本実施形態において、第２膜Ｆ２は、基材Ｗｂの表面の全部を覆うように配置される。なお、第２膜Ｆ２が、基材Ｗｂの表面の一部に配置されてもよい。例えば、第２膜Ｆ２が、基材Ｗｂの上面のみに配置されてもよいし、基材Ｗｂの上面及び側面に配置されてもよいし、基材Ｗｂの上面、側面、及び下面の一部に配置されてもよい。

第１膜Ｆ１は、ダミー基板ＤＰの表面の少なくとも一部を形成する。第１膜Ｆ１は、第２膜Ｆ２の表面の少なくとも一部に配置される。第２膜Ｆ２は、基材Ｗｂと第１膜Ｆ１との間の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、第１膜Ｆ１は、第２膜Ｆ２の表面の全部を覆うように配置される。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの表面の全部が、第１膜Ｆ１の表面で形成される。

なお、第１膜Ｆ１が、第２膜Ｆ２の表面の一部を覆うように配置されてもよい。また、例えば第２膜Ｆ２が基材Ｗｂの表面の一部を覆うように配置されている場合において、第１膜Ｆ１が、第２膜Ｆ２及び基材Ｗｂの少なくとも一部を覆うように配置されてもよい。

第２膜Ｆ２は、珪素化合物を含む。本実施形態において、珪素化合物は、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ_２）を含む。本実施形態において、第２膜Ｆ２は、二酸化珪素の膜を含む。

なお、第２膜Ｆ２が、窒化珪素を含んでもよい。また、第２膜Ｆ２が、ポリシリコンを含んでもよい。また、第２膜Ｆ２が、フッ化珪素を含んでもよい。

本実施形態において、第１膜Ｆ１は、液体ＬＱに対して撥液性である。液体ＬＱに対する第１膜Ｆ１の表面の接触角は、例えば９０度以上である。なお、液体ＬＱに対する第１膜Ｆ１の表面の接触角が、１００度以上でもよいし、１２０度以上でもよい。

また、液体ＬＱに対する第１膜Ｆ１の表面の後退接触角が、例えば８０度以上でもよいし、１００度以上でもよいし、１１０度以上でもよい。

本実施形態において、可視光に対する第１膜Ｆ１の透過率は、第２膜Ｆ２の透過率よりも高い。本実施形態において、第１膜Ｆ１は、可視光に対して実質的に透明である。本実施形態において、第１膜Ｆ１は、第２膜Ｆ２よりも薄い。本実施形態において、第１膜Ｆ１の厚みは、例えば１０〜２０ｎｍである。なお、第１膜Ｆ１が、第２膜Ｆ２よりも厚くてもよいし、第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２とが同じ厚みでもよい。

本実施形態において、第１膜Ｆ１は、フッ素を含む。第１膜Ｆ１は、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＴＦＥ（Poly tetra fluoro ethylene）、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）、及びテフロン（登録商標）の少なくとも一つで形成可能である。

本実施形態において、第１膜Ｆ１は、テフロン（登録商標）を含む。

なお、第１膜Ｆ１が、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びシリコン樹脂の少なくとも一つを含んでもよい。また、第１膜Ｆ１が、カーボン、ダイヤモンド・ライク・カーボン等の有機材料を含んでもよい。

本実施形態において、第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２とは隣接する。また、第２膜Ｆ２と基材Ｗｂとは隣接する。

なお、第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２との間に、所定の膜が配置されてもよい。また、第２膜Ｆ２と基材Ｗｂとの間に所定の膜が配置されてもよい。所定の膜は、第１膜Ｆ１及び第２膜Ｆ２とは異なる膜を含む。

次に、本実施形態に係るダミー基板ＤＰの製造方法の一例について、図４のフローチャートを参照して説明する。

まず、基材Ｗｂが用意される。本実施形態において、基材Ｗｂは、珪素を含む。本実施形態において、基材Ｗｂは、シリコンウエハ（所謂、ベアウエハ）である。なお、基材Ｗｂが他の材料で形成されていてもよい。例えば、基材Ｗｂが、ポリカーボネート、ガラス材（石英板など）、プラスチック、金属（Ｔｉ，Ａｌ，Ｆｅなど）、セラミックスのいずれか１つ、あるいは２つ以上の材料で形成されていてもよい。

次に、その基材Ｗｂに対する表面処理が実行される（ステップＳＡ１）。表面処理は、基材Ｗｂ上に第２膜Ｆ２を形成する処理を含む。表面処理は、例えばプラズマ処理を含む。表面処理が実行されることによって、基材Ｗｂ上に珪素化合物の第２膜Ｆ２が形成される。本実施形態においては、表面処理として、酸素プラズマ処理が実行される。酸素プラズマ処理が実行されることによって、基材Ｗｂの表面に酸素がドーピングされ、その基材Ｗｂの表面が二酸化珪素を含む膜（第２膜Ｆ２）に変化する。これにより、基材Ｗｂ上に二酸化珪素を含む第２膜Ｆ２が形成される。

次に、表面処理された基材Ｗｂ上（第２膜Ｆ２上）に第１膜Ｆ１が形成される（ステップＳＡ２）。これにより、ダミー基板ＤＰが製造される。

なお、本実施形態においては、表面処理が、プロセスガスとして酸素ガスを用いる酸素プラズマ処理であることとしたが、プロセスガスとして例えば窒素ガスを用いてもよい。プロセスガスとして窒素ガスを用いることにより、基材Ｗｂ上に窒化珪素を含む第２膜Ｆ２が形成される。

なお、表面処理としては、プラズマ処理に限られず、例えばスパッタ法を用いる表面処理、蒸着法を用いる表面処理、及びＣＶＤ法を用いる表面処理等、基材Ｗｂ上に第２膜Ｆ２を形成できる表面処理であれば任意の手法を用いることができる。

本実施形態においては、表面処理の条件を調整することによって、第２膜Ｆ２の厚みが調整される。例えば表面処理としてプラズマ処理を用いる場合、プラズマ処理時間、プロセスガスの供給量等を調整することによって、第２膜Ｆ２の厚みが調整される。

本実施形態においては、第２膜Ｆ２は、基材Ｗｂと異なる色相を発現する。また、本実施形態において、第２膜Ｆ２は、基板Ｐと異なる色相を発現する。なお、第２膜Ｆ２が、基材Ｗｂ（Ｗａ）と同じ色相を発現し、且つ、基板Ｐと異なる色相を発現してもよい。

図５は、ダミー基板ＤＰの一部を拡大した側断面図である。以下の説明において、第２膜Ｆ２の一方の面Ｒ１を適宜、第１面Ｒ１、と称し、他方の面Ｒ２を適宜、第２面Ｒ２、と称する。図５において、第１面Ｒ１は、第１膜Ｆ１に隣接し、第２面Ｒ２は、基材Ｗｂに隣接する。本実施形態において、第１面Ｒ１は、第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２との界面を含む。また、本実施形態において、第２面Ｆ２は、第２膜Ｆ２と基材Ｗｂとの界面を含む。

本実施形態においては、第２膜Ｆ２が反射した光Ｌ１、Ｌ２の干渉によって、基材Ｗｂ及び基板Ｐの少なくとも一方と異なる色相が発現される。

ダミー基板ＤＰの表面（第１膜Ｆ１の表面）からダミー基板ＤＰに入射した光の少なくとも一部は、第１膜Ｆ１を透過する。その第１膜Ｆ１を透過した光の少なくとも一部は、第１面Ｒ１で反射する。また、第１膜Ｆ１を透過した光の少なくとも一部は、第２膜Ｆ２を透過する。その第２膜Ｆ２を透過した光の少なくとも一部は、第２面Ｒ２で反射する。ここで、以下の説明において、第１面Ｒ１で反射した光を適宜、第１光Ｌ１、と称し、第２面Ｒ２で反射した光を適宜、第２光Ｌ２、と称する。

第１光Ｌ１の少なくとも一部は、第１膜Ｆ１を介して、第１膜Ｆ１の表面から射出される。また、第２光Ｌ２の少なくとも一部は、第２膜Ｆ２及び第１膜Ｆ１を介して、第１膜Ｆ１の表面から射出される。

第１膜Ｆ１の表面から射出される第１光Ｌ１と第２光Ｌ２との干渉によって、所定の色相が発現される。本実施形態においては、第２膜Ｆ２の厚み（第１面Ｒ１と第２面Ｒ２との距離）に応じて、発現される色相が変化する。

本実施形態においては、基材Ｗｂと異なる色相が発現されるように、第２膜Ｆ２の厚みが調整される。また、本実施形態においては、基板Ｐと異なる色相が発現されるように、第２膜Ｆ２の厚みが調整される。

また、本実施形態においては、第２膜Ｆ２は、入射する光（可視光）のうち所定の波長領域の光を所定の吸収率で吸収する。入射する光の少なくとも一部を第２膜Ｆ２が吸収することによっても、第２膜Ｆ２は所定の色相を発現する。例えば第２膜Ｆ２を形成する材料を適宜選択することによって、入射する光のうち吸収される波長及び吸収率の少なくとも一方を含む吸収条件が調整され、その吸収条件に応じた色相が発現される。

なお、第２膜Ｆ２からの反射光の干渉によって色相を発現させる場合、例えば２色以上の異なる色相が発現されてもよい。

図６（Ａ）は、本実施形態に係るダミー基板ＤＰを上面側から見た図、図６（Ｂ）は、本実施形態に係る基板Ｐを上面側から見た図である。図６に示す模式図のように、ダミー基板ＤＰが発現する色相と、基板Ｐが発現する色相とは異なる。これにより、例えば作業者は、ダミー基板ＤＰと基板Ｐとを視覚において区別（認識、視認）することができる。

図７は、終端光学素子９及び液浸部材４と基板保持部１１に保持された基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態の一例を示す図である。図７に示すように、液浸部材４は、基板Ｐの露光において射出面８と基板Ｐとの間が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。液浸部材４は、射出面８と対向する位置に開口２０を有する。射出面８から射出された露光光ＥＬは、開口２０を通過して、基板Ｐに照射可能である。また、液浸部材４は、開口２０の周囲に配置され、基板Ｐの表面と対向可能な平坦面２１を有する。平坦面２１は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持する。液浸部材９の下面１８の少なくとも一部は、平坦面２１を含む。

液浸部材４は、液体ＬＱを供給可能な供給口２２と、液体ＬＱを回収可能な回収口２３とを備えている。供給口２２は、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液体ＬＱを供給する。回収口２３は、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液体ＬＱを回収する。

供給口２２は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。供給口２２は、供給流路２４を介して、液体供給装置２５と接続されている。液体供給装置２５は、クリーンで温度調整された液体ＬＱを送出可能である。供給流路２４は、液浸部材４の内部流路、及びその内部流路と液体供給装置２５とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置２５から送出された液体ＬＱは、供給流路２４を介して供給口２２に供給される。

回収口２３は、液浸部材４の下面１８と対向する基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口２３は、平坦面２１の周囲に配置されている。回収口２３は、基板Ｐの表面と対向する液浸部材４の所定位置に配置されている。回収口２３には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材２６が配置されている。なお、回収口２３に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材４の下面１８は、多孔部材２６の下面２６Ｂを含む。基板Ｐの露光の少なくとも一部において、多孔部材２６の下面２６Ｂは、基板Ｐに面する。基板Ｐ上の液体ＬＱは、多孔部材２６の孔を介して回収される。

回収口２３は、回収流路２７を介して、液体回収装置２８と接続されている。液体回収装置２８は、回収口２３を真空システムに接続可能であり、回収口２３を介して液体ＬＱを吸引可能である。回収流路２７は、液浸部材４の内部流路、及びその内部流路と液体回収装置２８とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口２３から回収された液体ＬＱは、回収流路２７を介して、液体回収装置２８に回収される。

本実施形態においては、制御装置５は、供給口２２からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口２３からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子９及び液浸部材４と、他方側の基板Ｐ（物体）との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置５は、終端光学素子９及び液浸部材４と、基板保持部１１に保持された基板Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された状態で、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出して、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。これにより、基板Ｐが露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

なお、液浸部材４として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

図８は、基板ステージ２（基板保持部１１）に保持されている基板Ｐの平面図である。基板Ｐの露光において、基板Ｐが基板保持部１１に保持され、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。図８に示すように、本実施形態においては、基板Ｐ上には、露光対象領域である複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１がマトリクス状に設定される。また、基板Ｐ上には、ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の位置を計測するためのアライメントマークＡＭが配置されている。アライメントマークＡＭは、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに対応するように複数配置されている。また、図８に示すように、本実施形態においては、投影領域ＰＲは、Ｘ軸方向を長手方向とするスリット状である。

制御装置５は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光前に、アライメントシステム２９を用いて、基板保持部１１に保持された基板Ｐに配置されているアライメントマークＡＭを検出する。以下の説明において、基板Ｐに配置されているアライメントマークＡＭを検出する処理を適宜、アライメント処理、と称する。

制御装置５は、干渉計システム１７で基板ステージ２の位置を計測しつつ、複数のアライメントマークＡＭがアライメントシステム２９の検出領域に順次配置されるように、アライメントシステム２９（又は終端光学素子９）に対して、基板Ｐ（基板保持部１１、基板ステージ２）を第１の移動条件で移動する。すなわち、アライメント処理においては、基板Ｐが第１の移動条件で移動される。

基板Ｐの移動条件は、基板Ｐの移動速度、加速度（減速度）、及び移動軌跡の少なくとも一つを含む。

なお、制御装置５は、アライメント処理において、基板Ｐに配置されている複数のアライメントマークＡＭの全部を検出してもよいし、一部を検出してもよい。

制御装置５は、アライメントシステム２９の検出結果に基づいて、投影領域ＰＲに対する複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１それぞれの位置を求めることができる。

複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の位置が計測された後、制御装置５は、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光処理を開始する。制御装置５は、干渉計システム１７で基板ステージ２の位置を計測しつつ、複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１が投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに順次配置されるように、投影光学系ＰＬ（終端光学素子９）に対して、基板Ｐ（基板保持部１１、基板ステージ２）を第２の移動条件で移動する。すなわち、基板Ｐの露光処理においては、基板Ｐが第２の移動条件で移動される。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐの露光処理において、マスクＭ及び基板Ｐは、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動される。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。

制御装置５は、例えば基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１を露光する場合、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１を投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明領域ＩＲに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板保持部１１に保持された基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１は、投影光学系ＰＬの射出面８から射出される露光光ＥＬで液体ＬＱを介して露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐの第１ショット領域Ｓ１に投影される。

また、本実施形態においては、例えば第１ショット領域Ｓ１の露光が終了した後、次の第２ショット領域Ｓ２を露光するために、投影領域ＰＲが第２ショット領域Ｓ２の露光開始位置に配置されるように、終端光学素子９からの露光光ＥＬの射出が停止された状態で、終端光学素子９に対して基板Ｐ（基板ステージ２）がＸＹ平面内の所定方向に移動される。

本実施形態においては、制御装置５は、投影領域ＰＲが、図８中、例えば矢印ＭＴに沿って移動するように、終端光学素子９と基板Ｐ（基板ステージ２）を相対的に移動しつつ、終端光学素子９の射出面８から露光光ＥＬを射出して、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光する。

次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。

制御装置５は、露光前の基板Ｐを基板保持部１１に搬入（ロード）するために、図９に示すように、液浸部材４から離れた基板交換位置ＣＰに基板ステージ２を移動する。基板交換位置ＣＰは、基板Ｐの交換処理が実行可能な位置である。基板Ｐの交換処理は、搬送装置１９を用いて、基板保持部１１に保持された露光後の基板Ｐを基板保持部１１から搬出（アンロード）する処理、及び基板保持部１１に露光前の基板Ｐを搬入（ロード）する処理の少なくとも一方を含む。制御装置５は、液浸部材４から離れた基板交換位置ＣＰに基板ステージ２を移動して、基板Ｐの交換処理を実行する。

本実施形態においては、基板ステージ２が液浸部材４から離れた位置に配置されるとき、計測ステージ３が終端光学素子９及び液浸部材４と対向する位置に配置される。終端光学素子９及び液浸部材４と計測ステージ３との間に液体ＬＱが保持され、液浸空間ＬＳが形成される。終端光学素子９及び液浸部材４と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳが形成されている状態において、制御装置５は、例えば計測部材Ｃを用いる計測処理を実行してもよい。また、制御装置５は、計測部材Ｃを用いる計測処理の結果を、その後の基板Ｐの露光に反映してもよい。

露光前の基板Ｐが基板保持部１１にロードされ、計測部材Ｃを用いる計測処理が終了した後、制御装置５は、基板ステージ２を投影領域ＰＲに移動して、終端光学素子９及び液浸部材４と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置５は、基板ステージ２及び計測ステージ３の少なくとも一方と終端光学素子９及び液浸部材４との間に液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ２（プレート部材Ｔ）の上面２Ｕと計測ステージ３（プレート部材Ｓ）の上面３Ｕとを接近又は接触させた状態で、上面２Ｕ及び上面３Ｕの少なくとも一方と射出面８及び下面１８とを対向させつつ、終端光学素子９及び液浸部材４に対して基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に同期移動させる。以下の説明において、基板ステージ２の上面２Ｕと計測ステージ３の上面３Ｕとを接近又は接触させた状態で、終端光学素子９及び液浸部材４に対して基板ステージ２と計測ステージ３とをＸＹ方向に同期移動させる動作を適宜、スクラム移動、と称する。図１０に示すように、スクラム移動の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳは、射出面８及び下面１８と、上面２Ｕ及び上面３Ｕとの間に形成される。

上述のように、本実施形態においては、制御装置５は、基板Ｐの露光処理が開始される前に、基板Ｐ（基板保持部１１）を第１の移動条件で移動して、基板Ｐに配置されているアライメントマークＡＭを検出するアライメント処理を実行する。

スクラム移動を実行して、終端光学素子９及び液浸部材４と基板ステージ２（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置５は、基板Ｐの露光処理を開始する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置５は、終端光学素子９及び液浸部材４と基板ステージ２とを対向させ、終端光学素子９と基板Ｐとの間の光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置５は、終端光学素子９及び液浸部材４と、基板保持部１１に保持された基板Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された状態で、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出して、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭからの露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐに照射される。

上述のように、本実施形態においては、制御装置５は、基板Ｐ（基板保持部１１）を第２の移動条件で移動して、基板Ｐの複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光する露光処理を実行する。

基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置５は、スクラム移動を実行する。終端光学素
子９及び液浸部材４と計測ステージ３との間に液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置５は、基板ステージ２を基板交換位置ＣＰに移動する。計測ステージ３は、終端光学素子９及び液浸部材４と対向する位置に移動する。制御装置５は、基板交換位置ＣＰに移動した基板ステージ２から露光後の基板Ｐを搬出し、露光前の基板Ｐを基板ステージ２に搬入する。

以下、制御装置５は、上述の計測処理、アライメント処理、及び露光処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

本実施形態においては、ダミー基板ＤＰを使用して所定の処理が実行される。ダミー基板ＤＰを用いる処理は、基板Ｐの露光において液体ＬＱに接触する接液部材と基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体を保持する処理を含む。本実施形態において、接液部材は、終端光学素子９及び液浸部材４の少なくとも一方を含む。

本実施形態において、搬送装置１９は、ダミー基板ＤＰを搬送可能である。制御装置５は、搬送装置１９を用いて、基板保持部１１にダミー基板ＤＰを搬送してもよい。

図１１は、ダミー基板ＤＰを使用する処理の一例を示す図である。図１１に示すように、本実施形態において、ダミー基板ＤＰを使用する処理は、終端光学素子９及び液浸部材４と、基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＣを保持して液浸空間ＬＴを形成する処理を含む。本実施形態において、ダミー基板ＤＰを使用する処理は、終端光学素子９及び液浸部材４と基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰとの間にクリーニング用の液体ＬＣが保持された状態で、終端光学素子９及び液浸部材４の少なくとも一方をクリーニングする処理を含む。本実施形態においては、終端光学素子９及び液浸部材４の少なくとも一方のクリーニングにおいて、終端光学素子９及び液浸部材４と基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰとの間にクリーニング用の液体ＬＣで液浸空間ＬＴが形成される。

本実施形態において、液体ＬＣは、露光用の液体ＬＱと異なる。本実施形態において、液体ＬＣは、例えばアルカリ洗浄液を含む。例えば、液体ＬＣが、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液のようなアルカリ水溶液でもよい。また、液体ＬＣが、アルコールでもよい。例えば、液体ＬＣが、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及びペンタノールの少なくとも一つでもよい。また、液体ＬＣが、過酸化水素を含んでもよい。

図１１に示すように、本実施形態においては、供給口２２から液体ＬＣが供給されるとともに、その供給口２２からの液体ＬＣの供給と並行して、回収口２３から液体ＬＣの回収が実行される。これにより、終端光学素子９及び液浸部材４とダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＣで液浸空間ＬＴが形成される。例えば液体ＬＣと液浸部材４とが接触することによって、その液浸部材４は、液体ＬＣでクリーニングされる。また、多孔部材２６の孔を介して液体ＬＣを回収することによって、その多孔部材２６の孔（孔の内面）がクリーニングされる。

また、液体ＬＣと終端光学素子９とが接触することによって、その終端光学素子９は、液体ＬＣでクリーニングされる。

なお、供給口２２とは別の供給口を設け、その別の供給口から液体ＬＣを供給してもよい。また、回収口２３とは別の回収口を設け、その別の回収口から液体ＬＣを回収するようにしてもよい。

なお、クリーニング用の液体ＬＣと、露光用の液体ＬＱとが同じ液体でもよい。

ダミー基板ＤＰを用いる処理が終了した後、制御装置５は、計測部材Ｃ（計測ステージ３）を用いる計測処理、基板交換処理、アライメント処理、及び基板Ｐの露光処理を含む露光シーケンスを実行してもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、ダミー基板ＤＰは基板Ｐと異なる色相を発現するので、ダミー基板ＤＰと基板Ｐとを円滑に区別することができる。したがって、例えばクリーニング処理において基板Ｐが基板保持部１１に保持されてしまうことを抑制することができる。そのため、基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰを使用してクリーニング処理を円滑に実行することができる。また、ダミー基板ＤＰを使用してクリーニング処理を円滑に実行できるため、例えば液浸部材４の汚染に起因する露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

また、本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの表面は液体ＬＱに対して撥液性であり、終端光学素子９及び液浸部材４との間に液体ＬＣで液浸空間ＬＴを良好に形成することができる。

なお、制御装置５は、クリーニング処理において液体ＬＣで形成される液浸空間ＬＴの大きさ（下面１８と平行なＸＹ平面内における大きさ）が、基板Ｐの露光処理において液体ＬＱで形成される液浸空間ＬＳの大きさよりも大きくなるように、供給口２２を用いる供給動作、及び回収口２３を用いる回収動作の少なくとも一方を調整してもよい。例えば、制御装置５は、クリーニング処理において供給口２２から供給される液体ＬＣの単位時間当たりの供給量を、基板Ｐの露光処理において供給口２２から供給される液体ＬＱの単位時間当たりの供給量よりも多くしてもよいし、クリーニング処理において回収口２３から回収される液体ＬＣの単位時間当たりの回収量を、基板Ｐの露光処理において回収口２３から回収される液体ＬＱの単位時間当たりの回収量よりも少なくしてもよい。もちろん、制御装置５は、供給口２２から供給される液体ＬＣの単位時間当たりの供給量を多くするとともに、回収口２３から回収される液体ＬＣの単位時間当たりの回収量を少なくしてもよい。

また、制御装置５は、クリーニング処理において、終端光学素子９及び液浸部材４と基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＣで液浸空間ＬＴを形成した状態で、ＸＹ平面内において基板ステージ２を移動してもよい。

なお、クリーニング処理が、射出面８とダミー基板ＤＰとを対向させた状態で射出面８から露光光ＥＬを射出する処理でもよい。本実施形態において、露光光ＥＬは、光洗浄効果を有する紫外光である。したがって、露光光ＥＬが照射されることによって、投影光学系ＰＬの光学素子が光洗浄される。射出面８から射出される露光光ＥＬは、基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰに照射される。なお、露光光ＥＬを照射して光洗浄する場合、射出面８とダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＣが存在してもよいし、存在しなくてもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と異なる構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１２は、第２実施形態に係るダミー基板ＤＰ２の一例を示す図である。図１２は、ダミー基板ＤＰ２が基板ステージ２（基板保持部１１）に保持されている状態を示す。

図１２に示すように、本実施形態において、ダミー基板ＤＰ２は、マークＡＭ２を備えている。マークＡＭ２は、基板Ｐに配置されているアライメントマークＡＭに対応するようにダミー基板ＤＰ２に配置されている。すなわち、ダミー基板ＤＰ２にショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を仮想的に設定した場合において、マークＡＭ２は、それらショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれに対応するように配置されている。換言すれば、ダミー基板ＤＰ２上におけるマークＡＭ２の数と基板Ｐ上におけるアライメントマークＡＭの数とは等しく、ダミー基板ＤＰ２の中心と複数のマークＡＭ２それぞれとの位置関係と、基板Ｐの中心と複数のアライメントマークＡＭそれぞれとの位置関係とは、ほぼ等しい。ダミー基板ＤＰ２の外形と、基板Ｐの外形とは等しい。

図１３は、本実施形態に係るダミー基板ＤＰ２の一部を拡大した側断面図である。本実施形態において、マークＡＭ２は、第１膜Ｆ１と基材Ｗｂとの間の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、第２膜Ｆ２の少なくとも一部が加工されることによって、マークＡＭ２が形成される。なお、基材Ｗｂの表面の少なくとも一部を加工することによって、マークＡＭ２を形成してもよい。

次に、第２実施形態に係るダミー基板ＤＰ２の使用方法の一例について説明する。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰ２を用いて、擬似的にアライメント処理及び露光処理が実行される。

制御装置５は、ダミー基板ＤＰ２を保持する基板保持部１１（基板ステージ２）を第１の移動条件で移動して、ダミー基板ＤＰ２に配置されている複数のマークＡＭ２を順次検出する。また、制御装置５は、終端光学素子９及び液浸部材４とダミー基板ＤＰ２との間に液体ＬＱが保持された状態で、ダミー基板ＤＰ２を保持する基板保持部１１（基板ステージ２）を第２の移動条件で移動して、ダミー基板ＤＰ２に仮想的に設定されている複数のショット領域を順次露光する。

本実施形態においては、制御装置５は、ダミー基板ＤＰ２を用いて擬似的にアライメント処理及び露光処理を実行して、そのアライメント処理及び露光処理に要する時間（スループット）を計測する。以下の説明において、スループットを計測する処理を適宜、スループット計測処理、と称する。

制御装置５は、スループット計測処理の計測結果に基づいて、基板ステージ２の移動条件を調整してもよい。例えば、スループットが高くなるように、基板ステージ２の移動条件が調整されてもよい。

本実施形態においては、マークＡＭ２は、第１膜Ｆ１と基材Ｗｂとの間の少なくとも一部に配置されているため、アライメントシステム２９は、第１膜Ｆ１を介して、マークＡＭ２を良好に検出できる。また、第１膜Ｆ１の表面はほぼ平坦なので、終端光学素子９及び液浸部材４とダミー基板ＤＰ２との間に液浸空間ＬＳを良好に形成することができる。

なお、本実施形態においては、ダミー基板ＤＰ２を用いて擬似的にアライメント処理及び露光処理を実行することとしたが、アライメント処理のみを実行してもよいし、露光処理のみを実行してもよい。露光処理のみを実行する場合、ダミー基板ＤＰ２においてマークＡＭ２を省略することができる。

また、ダミー基板ＤＰ２を用いて、基板交換処理、アライメント処理、及び基板Ｐの露光処理等を含む露光シーケンスを実行し、その露光シーケンスに要する時間を計測してもよい。

また、ダミー基板ＤＰ２を外部装置に搬送し、その外部装置の処理に要する時間（スループット）を計測してもよい。例えば、基材Ｗａ上に感光膜Ｒｇを形成するコーティング装置、及び露光後の基板Ｐを現像するデベロッパ装置が露光装置ＥＸに接続されている場合、そのコーティング装置及びデベロッパ装置の少なくとも一方にダミー基板ＤＰ２を搬送してもよい。例えば、コーティング装置に搬送されたダミー基板ＤＰ２に対して、コーティング装置が基板Ｐ（基材Ｗａ）に対して実行する処理と同様の処理を実行し、その処理に要する時間を計測してもよい。また、その計測結果に基づいて、コーティング装置の処理の内容及び手順等を調整してもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と異なる構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１４は、第３実施形態に係るダミー基板ＤＰ３の一例を示す図である。図１４において、ダミー基板ＤＰ３は、識別子７０を備えている。

本実施形態において、ダミー基板ＤＰ３に識別子７０として識別マーク７０Ｍが配置されている。例えばダミー基板ＤＰ３が複数存在する場合、識別マーク７０Ｍは、それら複数のダミー基板ＤＰ３のそれぞれに付された固有のマークである。識別マーク７０Ｍは、例えばアライメントシステム２９によって検出される。アライメントシステム２９で識別マーク７０Ｍを検出するとき、制御装置５は、ダミー基板ＤＰ３を保持した基板ステージ２を制御して、アライメントシステム２９の検出領域にダミー基板ＤＰ３の識別マーク７０Ｍを配置する。アライメントシステム２９は、基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰ３の識別マーク７０Ｍを検出する。アライメントシステム２９の検出結果は、制御装置５に出力される。制御装置５は、アライメントシステム２９の検出結果に基づいて、例えば複数のダミー基板ＤＰ３のそれぞれ使用状態を求めることができる。

本実施形態において、制御装置５は、識別マーク７０Ｍに対応付けて複数のダミー基板ＤＰ３の使用状態（使用履歴）を記憶し、管理している。制御装置５は、例えば識別マーク７０Ｍの検出結果に基づいて、その識別マーク７０Ｍを有するダミー基板ＤＰ３の使用時間が予め定められた許容時間を超えた場合、そのダミー基板ＤＰ３の使用を中止してもよい。なお、ダミー基板ＤＰ３を管理するための管理項目は使用時間に限られず、例えばダミー基板ＤＰ３に対する露光光ＥＬの積算照射量でもよい。

これにより、複数のダミー基板ＤＰ３のうち使用に適していないダミー基板ＤＰ３を使用し続けてしまうといった不具合が回避される。制御装置５は、そのダミー基板ＤＰ３を基板保持部１１から搬出し、新たなダミー基板ＤＰ３を基板保持部１１に搬入して、その新たなダミー基板ＤＰ３を使用してもよい。

なお、識別マーク７０Ｍを検出するための検出装置は、アライメントシステム２９に限られない。例えば、ダミー基板ＤＰ３を搬送装置１９で搬送する場合、その搬送装置１９の搬送経路にダミー基板ＤＰ３に配置されている識別マーク７０Ｍ）（識別子７０）を検出可能な検出装置が配置されてもよい。

図１５は、ダミー基板ＤＰ３のメンテナンス装置８０の一例を示す模式図である。ダミー基板ＤＰ３は、汚染される可能性がある。メンテナンス装置８０は、ダミー基板ＤＰ３をクリーニングする。

メンテナンス装置８０は、ダミー基板ＤＰ３を保持する保持部８１と、ダミー基板ＤＰ３にクリーニング用の液体ＬＤを供給する供給口８２を有するノズル部材８３とを備えている。メンテナンス装置８０は、保持部８１に保持されたダミー基板ＤＰ３に供給口８２から液体ＬＤを供給して、そのダミー基板ＤＰ３をクリーニングする。

本実施形態において、メンテナンス装置８０は、ダミー基板ＤＰ３にオゾン水を供給する。次いで、メンテナンス装置８０は、ダミー基板ＰＤ３に超純水を供給する。これにより、ダミー基板ＤＰ３がクリーニングされる。

なお、メンテナンス装置８０は、ダミー基板ＤＰ３に対してオゾン水を供給した後、水素水を供給し、その後、超純水を供給してもよい。

本実施形態においては、メンテナンス装置８０は、ミスト状の液体ＬＤをダミー基板ＤＰ３に供給する。本実施形態において、ダミー基板ＤＰ３は、所謂スプレー洗浄される。

また、本実施形態において、メンテナンス装置８０は、保持部８１を回転する駆動装置８４を備えている。メンテナンス装置８０は、保持部８１に保持されたダミー基板ＤＰ３を回転させながらそのダミー基板ＤＰ３に液体ＬＤを供給してもよい。

また、メンテナンス装置８０は、供給口８２から供給される液体ＬＤに超音波振動を付与してもよい。

なお、図１５に示す例ではダミー基板ＤＰ３をクリーニングすることとしたが、もちろん、第１、第２実施形態で説明したダミー基板ＤＰ、ＤＰ２をクリーニングしてもよい。

なお、識別マーク７０Ｍは、例えばダミー基板ＤＰ３の基材Ｗｂにレーザ光を照射することによって形成可能である。なお、ダミー基板ＤＰ３にシリアルナンバーを付してもよい。また、ダミー基板ＤＰ３に刻印を形成してもよい。

なお、複数のダミー基板ＤＰ３のそれぞれを識別するための識別子７０は、識別マーク７０Ｍに限られず、例えば複数のダミー基板ＤＰ３のそれぞれに配置されたＩＣチップでもよい。

また、ダミー基板ＤＰ３のそれぞれに識別子７０を設けることなく、露光装置ＥＸ内の各ダミー基板ＤＰ３の所在を制御装置５によって追跡・管理することにより、各ダミー基板ＤＰ３を識別してもよい。

なお、上述の第１〜第３実施形態においては、ダミー基板（ＤＰ等）を用いてクリーニング処理及びスループット計測処理を実行することとした。例えば、計測処理、基板交換処理、アライメント処理、露光処理、クリーニング処理、及びスループット計測処理等のシーケンスが実行されていない状態（所謂、アイドリング状態）において、終端光学素子９及び液浸部材４と基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱを保持する処理が実行されてもよい。

例えば、基板ステージ２の状態（位置、移動条件、及び駆動条件の少なくとも一つ）に応じて、終端光学素子９が配置される空間の環境（温度等）が変動してしまう可能性がある。すなわち、基板ステージ２の状態に応じて、アイドリング状態における空間の環境が所期の環境に対して変化してしまう可能性がある。その結果、アイドリング状態から基板Ｐの露光を開始しようとしても、その空間が所期の環境に調整されるまでに時間を要してしまい、露光装置ＥＸの稼動率の低下を招いてしまう等、不都合が発生する可能性がある。

アイドリング状態において、終端光学素子９及び液浸部材４と基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成することによって、空間の環境の変動が抑制される。なお、制御装置５は、アイドリング状態において、ダミー基板ＤＰを保持した基板保持部１１（基板ステージ２）を、矢印ＭＴで示した移動軌跡に沿って移動させてもよい。また、制御装置５は、アイドリング状態において、ダミー基板ＤＰを保持した基板保持部１１（基板ステージ２）を、第１の移動条件で移動してもよいし、第２の移動条件で移動してもよい。

なお、露光装置ＥＸの調整処理においてダミー基板ＤＰを使用してもよい。例えば、投影光学系ＰＬの射出面８から射出される露光光ＥＬの照射量の調整処理を実行する場合、投影光学系ＰＬの射出面８と基板保持部１１に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で、射出面８から露光光ＥＬを射出させつつ、露光光ＥＬの照射量を調整する。射出面８から射出された露光光ＥＬは、ダミー基板ＤＰに照射される。本実施形態においては、露光光ＥＬの照射量を計測可能な照射量センサが照明系ＩＬに配置されている。露光光ＥＬの光源から射出され、照明系ＩＬを通過した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬに入射し、その投影光学系ＰＬの複数の光学素子を介して射出面８より射出され、ダミー基板ＤＰに照射される。制御装置５は、露光光ＥＬの光源から射出され照明系ＩＬを通過する露光光ＥＬの照射量を、照明系ＩＬに配置されている照射量センサで計測する。制御装置５は、その照射量センサの計測結果に基づいて、射出面８から射出される露光光ＥＬの照射量を導出することができる。制御装置５は、その照射量センサの計測結果に基づいて、例えば光源（本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ装置）の出力を調整することによって、露光光ＥＬの照射量を調整することができる。

なお、第２実施形態において、ダミー基板ＤＰ２の仮想的なショット領域を露光した後、例えば空間像計測装置を用いて投影光学系ＰＬの空間像を計測し、その計測結果に基づいて、投影光学系ＰＬの光学特性を調整するようにしてもよい。

また、制御装置５は、ダミー基板ＤＰが基板保持部１１に保持された状態で、マスクステージ１と基板ステージ２との同期移動誤差を調整する処理を実行してもよい。すなわち、外形及び重量が基板Ｐとほぼ等しいダミー基板ＤＰを基板保持部１１に保持させるとともに、マスクＭを保持部７に保持させた状態で、基板Ｐの露光時と同じ移動条件で、マスクステージ１と基板ステージ２とを同期移動させる。制御装置５は、基板保持部１１にダミー基板ＤＰを保持させた状態で、矢印ＭＴで示した移動軌跡を含む第２の移動条件で基板ステージ２を移動させる。ダミー基板ＤＰは、終端光学素子９及び液浸部材４と対向された状態で、ＸＹ平面内において移動する。制御装置５は、干渉計システム１７でマスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測しつつ、マスクステージ１及び基板ステージ２を同期移動させる。これにより、マスクステージ１と基板ステージ２との同期移動誤差が計測され、その計測結果に基づいて、同期移動誤差を調整（補正）することができる。同期移動誤差を調整する技術の一例が、例えば国際公開第２００５／０３６６２０号パンフレットに開示されている。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子９の射出側（像面
側）の光路Ｋが液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子９の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等のフッ素系液体を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置であってもよい。また、露光装置ＥＸは、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどであってもよい。

また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、２つの基板ステージを備えている場合、射出面７と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの基板保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、その他方の基板ステージの基板保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよいし、干渉計システムとエンコーダシステムを併用してもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬを備えていなくてもよい。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、露光装置ＥＸは、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）であってもよい。

なお、上述の実施形態においては、ダミー基板ＤＰを露光装置ＥＸで用いる場合について説明したが、上述の実施形態で説明したダミー基板ＤＰを露光装置以外の基板処理装置（例えば、基板に感光膜を形成する膜形成装置、露光された基板を現像処理する現像装置など）、あるいは基板（ウエハ）検査装置に用いてもよい。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、上述の各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を
製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の
実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光され
た基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバ
イス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工
プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。上述の実施形態のダミー基板ＤＰを用いる処理は、基板処理ステップ２０４に含まれる。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

２…基板ステージ、４…液浸部材、５…制御装置、８…射出面、９…終端光学素子、１１…基板保持部、ＤＰ…ダミー基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｆ１…第１膜、Ｆ２…第２膜、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、Ｗｂ…基材

Claims (30)

1. 基板を保持する基板保持部を有し、露光液体を介して露光光で前記基板を露光する露光装置において、前記基板保持部に保持されて使用されるプレート部材であって、
   基材と、
   表面の少なくとも一部を形成し、液体に対して撥液性の第１膜と、
   前記基材と前記第１膜との間の少なくとも一部に配置され、前記基材と異なる色相を発現する第２膜と、を備えるプレート部材。
2. 基板を保持する基板保持部を有し、露光液体を介して露光光で前記基板を露光する露光装置において、前記基板保持部に保持されて使用されるプレート部材であって、
   基材と、
   表面の少なくとも一部を形成し、前記液体に対して撥液性の第１膜と、
   前記基材と前記第１膜との間の少なくとも一部に配置され、前記基板と異なる色相を発現する第２膜と、を備えるプレート部材。
3. 前記第２膜が反射した光の干渉によって、前記色相が発現される請求項１又は２記載のプレート部材。
4. 前記第１膜は、可視光に対して実質的に透明である請求項１〜３のいずれか一項記載のプレート部材。
5. 前記第１膜は、フッ素を含む請求項１〜４のいずれか一項記載のプレート部材。
6. 前記第２膜は、前記第１膜との密着性を高める請求項１〜５のいずれか一項記載のプレート部材。
7. 前記第２膜は、二酸化珪素を含む請求項１〜６のいずれか一項記載のプレート部材。
8. 前記第２膜は、窒化珪素、及びポリシリコンの少なくとも一方を含む請求項１〜６のいずれか一項記載のプレート部材。
9. 基板を保持する基板保持部を有し、露光液体を介して露光光で前記基板を露光する露光装置において、前記基板保持部に保持されて使用されるプレート部材であって、
   基材と、
   表面の少なくとも一部を形成し、フッ素を含む第１膜と、
   前記基材と前記第１膜との間に配置され、珪素化合物を含む第２膜と、を備え、
   前記基材上に感光膜がないプレート部材。
10. 前記第１膜は、可視光に対して実質的に透明である請求項９記載のプレート部材。
11. 前記珪素化合物は、二酸化珪素を含む請求項９又は１０記載のプレート部材。
12. 前記第２膜は、前記基材と異なる色相を発現する厚みを有する請求項９〜１１のいずれか一項記載のプレート部材。
13. 前記第２膜は、前記基板と異なる色相を発現する厚みを有する請求項９〜１１のいずれか一項記載のプレート部材。
14. 前記第１膜と前記第２膜とは隣接する請求項１〜１３のいずれか一項記載のプレート部材。
15. 前記第１膜は、前記第２膜よりも薄い請求項１〜１４のいずれか一項記載のプレート部材。
16. 前記基材の外形は、前記基板の外形とほぼ等しい請求項１〜１５のいずれか一項記載のプレート部材。
17. 前記第１膜と前記基材との間の少なくとも一部に配置されるマークを備える請求項１〜１６のいずれか一項記載のプレート部材。
18. さらに、識別子を備える請求項１〜１７のいずれか一項記載のプレート部材。
19. 請求項１〜１８のいずれか一項記載のプレート部材を前記基板保持部に保持することと、
    前記基板の露光において前記露光液体に接触する接液部材と前記基板保持部に保持された前記プレート部材との間に液体を保持することと、を含むプレート部材の使用方法。
20. 前記接液部材と前記プレート部材との間に前記液体が保持された状態で、前記接液部材をクリーニングすることを含む請求項１９記載の使用方法。
21. 前記液体は、前記露光液体と異なる請求項２０記載の使用方法。
22. 前記基板の露光において前記基板保持部が所定の移動条件で移動され、
    前記接液部材と前記プレート部材との間に液体が保持された状態で、前記プレート部材を保持する前記基板保持部を前記移動条件で移動することを含む請求項１９記載の使用方法。
23. 前記接液部材は、前記露光光を射出する射出面を有する光学部材と、前記基板の露光において前記射出面と前記基板との間が前記露光液体で満たされるように液浸空間を形成する液浸部材との少なくとも一方を含む請求項１９〜２２のいずれか一項記載の使用方法。
24. 請求項１９〜２３のいずれか一項記載の使用方法で前記プレート部材を使用することと、
    前記基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデイバス製造方法。
25. 露光液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する基板保持部が保持可能なプレート部材の製造方法であって、
    基材を表面処理することと、
    前記表面処理された前記基材上に、液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、を含み、
    前記表面処理は、前記基材と異なる色相を発現する第２膜を前記基材上に形成する処理を含む製造方法。
26. 前記基材と異なる色相が発現されるように前記第２膜の厚みが調整される請求項２５記載の製造方法。
27. 露光液体を介して露光光で露光される基板をリリース可能に保持する基板保持部が保持可能なプレート部材の製造方法であって、
    基材を表面処理することと、
    前記表面処理された前記基材上に、液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、を含み、
    前記表面処理は、前記基板と異なる色相を発現する第２膜を前記基材上に形成する処理を含む製造方法。
28. 前記基板と異なる色相が発現されるように前記第２膜の厚みが調整される請求項２７記載の製造方法。
29. 前記基材は、珪素を含み、
    前記表面処理は、前記基材上に珪素化合物の膜を形成する処理を含む請求項２５〜２８のいずれか一項記載の製造方法。
30. 前記第１膜は、フッ素を含む請求項２５〜２９のいずれか一項記載の製造方法。

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