WO2008075742A1

WO2008075742A1 - メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Info

Publication number: WO2008075742A1
Application number: PCT/JP2007/074557
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Nagasaka
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2006-12-20
Filing date: 2007-12-20
Publication date: 2008-06-26
Also published as: JPWO2008075742A1

Abstract

　露光装置は、第１液体に対して撥液性の表面を有する部材を有し、第１液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置のメンテナンス方法は、前記部材の表面の一部を除去することにより、劣化した撥液性を回復させる。表面エネルギーが増加した表層を除去し、その下の表面エネルギーが増加していない層を露出させることによって部材の表面エネルギーを減少させることができ、それにより撥液性を回復させる。

Description

明細書

メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法技術分野

[0001] 本発明は、露光装置のメンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法に関する。

本願 (ま、 2006年 12月 20曰 ίこ出願された特願 2006— 343023号 ίこ基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

背景技術

[0002] フォトリソグラフイエ程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光装置が知られている。特許文献 1：国際公開第 99/49504号パンフレット

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0003] 液浸露光装置においては、露光されるウェハなどの基板だけでなぐ各種部材上に液体の液浸空間（液浸領域）が形成される。例えば、所定部材の表面から液浸空間を移動した後にお!/、ても、その所定部材の表面に液体 (例えば液体の滴、膜など）が残留していると、その残留した液体に起因して、様々な不具合が生じる可能性がある。例えば、残留した液体の気化に起因して、露光装置が置かれている環境（温度、湿度、クリーン度等）が変化する可能性がある。残留した液体の気化熱に起因して、その所定部材が熱変形する可能性がある。また、残留した液体が気化した後に、その所定部材上に液体の付着跡 (所謂ウォーターマーク）が形成される可能性もある。このような不具合が生じると、露光装置の性能が劣化し、露光不良 (パターン欠陥など）が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが製造される可能性がある。

[0004] 本発明は、部材の表面に液体が残留することを抑制できる露光装置のメンテナンス方法を提供することを目的とする。また、部材の表面に液体が残留することを抑制し、露光不良の発生を抑制できる露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。また、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とす課題を解決するための手段

[0005] 本発明の第 1の態様に従えば、第 1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、露光装置は、第 1液体に対して撥液性の表面を有する部材を有し、その部材の表面の一部を除去するメンテナンス方法が提供される。

[0006] 本発明の第 1の態様によれば、部材の表面に液体が残留することを抑制できる。

[0007] 本発明の第 2の態様に従えば、第 1液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光が照射可能な位置に配置され、第 1液体に対して撥液性を有する部材の表面に露光光を照射することと、その部材の表面の一部を除去することと、を含む露光方法が提供される。

[0008] 本発明の第 2の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。

[0009] 本発明の第 3の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

[0010] 本発明の第 3の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

[0011] 本発明の第 4の態様に従えば、第 1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が照射可能な位置に移動可能であり、第 1液体に対して撥液性の表面を有する部材と、部材の表層を除去する第 2液体を部材の表面に供給する供給口と、を備えた露光装置が提供される。

[0012] 本発明の第 4の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。

[0013] 本発明の第 5の態様に従えば、第 1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が照射可能な位置に移動可能であり、第 1液体に対して撥液性の表面を有する部材と、部材の表面の一部を除去する除去装置と、を備えた露光装置が提供される。

[0014] 本発明の第 5の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。

[0015] 本発明の第 6の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

[0016] 本発明の第 6の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。

発明の効果 [0017] 本発明によれば、部材の表面における液体の残留を抑制できる。また、本発明によれば、部材の表面における液体の残留に起因する露光不良の発生を抑制できる。また、本発明によれば、部材の表面における液体の残留に起因する不良デバイスの発生を抑制できる。

図面の簡単な説明

[0018] [図 1]第 1実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。

[図 2]図 1の一部を拡大した側断面図である。

[図 3]基板ステージ及び計測ステージを示す斜視図である。

[図 4]基板ステージ及び計測ステージを上方力見た平面図である。

[図 5]基準板の近傍を示す側断面図である。

[図 6]スリット板の近傍を示す側断面図である。

[図 7]表面エネルギーが増大した部材の模式図である。

[図 8]メンテナンス動作を実行している状態の露光装置を示す図である。

[図 9A]第 1実施形態に係るメンテナンス方法で処理される膜の模式図である。

[図 9B]第 1実施形態に係るメンテナンス方法で処理される膜の模式図である。

[図 9C]第 1実施形態に係るメンテナンス方法で処理される膜の模式図である。

[図 10A]第 1実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。

[図 10B]第 1実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。

[図 10C]第 1実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。

[図 10D]第 1実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。

[図 11]第 2実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。

[図 12]第 2実施形態に係る第 2ノズル部材の一例を示す図である。

[図 13]第 2実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。

[図 14]マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。符号の説明

[0019] 1···基板ステージ、 2···計測ステージ、 5···駆動システム、 6···計測システム、 8···第 1光学素子、 30…ノズル部材、 31···供給口、 32···回収口、 36···第 1供給装置、 40 …第 2供給装置、 50···基準板、 50f…膜、 60···スリット板、 60f…膜、 70···上板、 70 f…膜、 80· · ·第 2ノズル部材、 EL…露光光、 ΕΧ· · ·露光装置、 IL…照明系、 LC…第 2液体、 LQ · · ·第 1液体、 Ρ· · ·基板、 S · · ·部材、 Sf…膜、 Τ· · ·プレート部材、 Tf · · ·膜発明を実施するための最良の形態

[0020] 以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、 XYZ直交座標系を設定し、この XY Z直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向を X軸方向、水平面内において X軸方向と直交する方向を Y軸方向、 X 軸方向及び Y軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）を z軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜）方向をそれぞれ、 Θ X、 Θ Y、及び Θ Ζ方向とする。

[0021] <第 1実施形態〉

第 1実施形態について説明する。図 1は、第 1実施形態に係る露光装置 EXを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置 EXが、例えば特開平 11 1 35400号公報（対応国際公開第 1999/23692号パンフレット）、特開 2000— 164 504号公報（対応米国特許第 6, 897, 963号)等に開示されているような、基板 Pを保持して移動可能な基板ステージ 1と、露光に関する計測を実行可能な計測器、計測部材などを搭載して移動可能な計測ステージ 2とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。

[0022] 図 1において、露光装置 EXは、マスク Mを保持して移動可能なマスクステージ 3と、基板 Pを保持して移動可能な基板ステージ 1と、基板 Pを保持せずに、露光に関する計測を実行可能な計測器及び計測部材を搭載し、基板ステージ 1とは独立して移動可能な計測ステージ 2と、マスクステージ 3を移動する駆動システム 4と、基板ステージ 1及び計測ステージ 2を移動する駆動システム 5と、各ステージ 1、 2、 3の位置情報を計測するレーザ干渉計を含む計測システム 6と、マスク Mを露光光 ELで照明する照明系 ILと、露光光 ELで照明されたマスク Mのパターンの像を基板 Pに投影する投影光学系 PLと、露光装置 EX全体の動作を制御する制御装置 7とを備えて!/、る。

[0023] なお、ここでいう基板 Pは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウェハのような半導体ウェハ等の基材 Wに感光材 (フォトレジスト）等の膜 Rgが形成されたもの、あるいは感光材に加え保護膜（トップコ一ト膜)などの各種の膜を塗布したものを含む。マスク Mは、基板 Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスク Mとして透過型のマスクを用いる力反射型のマスクを用いることもできる。透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばノヽーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。

[0024] 露光装置 EXは、基板ステージ 1及び計測ステージ 2のそれぞれを移動可能に支持するガイド面 GFを有するベース部材（定盤) BPを備えて!/、る。基板ステージ 1及び計測ステージ 2のそれぞれは、ガイド面 GF上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面 GFは、 XY平面とほぼ平行であり、基板ステージ 1及び計測ステージ 2のそれぞれは、ガイド面 GFに沿って、 XY方向（二次元方向）に移動可能である。

[0025] 本実施形態の露光装置 EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、露光光 ELの光路空間を露光用液体 LQで満たすように、露光用液体 LQの液浸空間を形成可能なノズル部材 30を備えている。露光光 ELの光路空間は、露光光 ELが通過する光路を含む空間である。液浸空間は、露光用液体 LQ (又は後述するメンテナンス用液体 LC)で満たされた空間である。露光装置 EXは、投影光学系 PLと露光用液体 LQとを介して基板 Pに露光光 ELを照射して、その基板 Pを露光する。本実施形態においては、露光用液体 LQとして、水（純水）を用いる。

[0026] 本実施形態においては、投影光学系 PLの複数の光学素子のうち、投影光学系 PL の像面に最も近い第 1光学素子 8の近傍にノズル部材 30が配置されている。本実施形態においては、ノズル部材 30は、第 1光学素子 8及び露光光 ELの光路空間を囲むように形成された環状の部材である。ノズル部材 30は下面を有し、ノズル部材 30 の下面と対向する位置に配置された部材との間に液体を保持することできる。また第 1光学素子 8は、露光光 ELを射出する光射出面（下面）を有し、第 1光学素子 8の射出面と対向する位置に配置された部材との間に液体を保持することができる。したがつて、ノズル部材 30及び第 1光学素子 8に対向する位置に所定の部材が配置されたときに、その所定部材とノズル部材 30と間、及びその所定部材と第 1光学素子 8との間に液体を保持することによって、第 1光学素子 8の光射出側の露光光 ELの光路空間、具体的には第 1光学素子 8とその所定部材との間の露光光 ELの光路空間を液体で満たすように、液浸空間を形成することができる。

[0027] 第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に配置可能な所定部材は、第 1 光学素子 8の光射出側で移動可能である。本実施形態においては、その所定部材は、基板ステージ 1及び計測ステージ 2の少なくとも一方を含む。本実施形態において、基板ステージ 1は、後述するプレート部材 Tを含み、計測ステージ 2は計測部材（基準板 50、スリット板 60、及び上板 70等）を含む。基板ステージ 1は、第 1光学素子 8 及びノズル部材 30と対向する位置を含むガイド面 GF上の所定領域内で移動可能であり、計測ステージ 2は、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置を含むガイド面 GF上の所定領域内で、基板ステージ 1と独立して移動可能である。なお、基板ステージ 1に保持された基板 Pも第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に配置可能である。また、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に配置される部材は一つの部材でなくてもよい。例えば、基板ステージ 1の上面及び計測ステージ 2の上面が、第 1光学素子 8及びノズル部材 30に対向して液浸空間を形成してもよいし、基板ステージ 1の上面及び基板ステージ 1に保持された基板 Pの表面が、第 1光学素子 8及びノズル部材 30に対向して液浸空間を形成してもよい。

[0028] また、本実施形態の露光装置 EXは、メンテナンス対象の所定部材にメンテナンス用液体 LCを供給して、その部材をメンテナンス可能である。露光装置 EXは、適当なタイミングで、メンテナンス対象の部材にメンテナンス用液体 LCを供給する。

[0029] 本実施形態においては、メンテナンス対象の部材は、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に移動可能 (配置可能）な部材を含む。本実施形態の露光装置 EXは、第 1光学素子 8及びノズル部材 30とメンテナンス対象部材との間にメンテナンス用液体 LCの液浸空間を形成して、その部材のメンテナンスを行う。

[0030] 照明系 ILは、マスク M上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光 ELで照明する。照明系 ILから射出される露光光 ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（g線、 h線、 i線）及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm)等の遠紫外光（DU V光）、 ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)及び Fレーザ光（波長 157nm)等の真空紫外光 (VUV光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光 ELとして、紫外光 (真空紫外光）である ArFエキシマレーザ光が用いられる。

[0031] マスクステージ 3は、リニアモータ等のァクチユエータを含む駆動システム 4により、マスク Mを保持した状態で、 X軸、 Y軸、及び θ Z方向に移動可能である。マスクステージ 3 (マスク M)の位置情報は、計測システム 6のレーザ干渉計 6Mによって計測される。レーザ干渉計 6Mは、マスクステージ 3上に設けられた計測ミラー 3Rを用いて、マスクステージ 3の X軸、 Y軸、及び θ Z方向に関する位置情報を計測する。制御装置 7は、レーザ干渉計 6Mを含む計測システム 6の計測結果に基づレ、て駆動システム 4を駆動し、マスクステージ 3に保持されているマスク Mの位置を制御する。

[0032] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターンの像を所定の投影倍率で基板 Pに投影する。投影光学系 PLは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒 PKで保持されている。本実施形態の投影光学系 PLは、その投影倍率が例えば 1/4、 1/5 、 1/8等の縮小系である。なお、投影光学系 PLは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系 PLの光軸 AXは Z軸方向と平行である。また、投影光学系 PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであつてもよい。また、投影光学系 PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

[0033] 基板ステージ 1は、ステージ本体 11と、ステージ本体 11上に搭載され、基板 Pを保持可能な基板テーブル 12とを有する。ステージ本体 11は、気体軸受によって、ガイド面 GFに非接触で支持されており、ガイド面 GF上を XY方向に移動可能である。基板ステージ 1は、基板 Pを保持した状態で、第 1光学素子 8の光射出側（投影光学系 PLの像面側）で移動可能である。

[0034] 計測ステージ 2は、ステージ本体 21と、ステージ本体 21上に搭載され、計測器及び計測部材を搭載可能な計測テーブル 22とを有する。ステージ本体 21は、気体軸受によって、ガイド面 GFに非接触で支持されており、ガイド面 GF上を XY方向に移動可能である。計測ステージ 2は、計測器を搭載した状態で、第 1光学素子 8の光射出側（投影光学系 PLの像面側）で移動可能である。

[0035] 駆動システム 5は、例えばリニアモータ等のァクチユエータを含み、ステージ本体 11 及びステージ本体 21のそれぞれをガイド面 GF上で X軸、 Y軸、及び Θ Z方向に移動することによって、ステージ本体 11上の基板テーブル 12、及びステージ本体 21上の計測テーブル 22を、 X軸、 Y軸、及び θ Z方向に移動可能な粗動システム 5Aと、例えばボイスコイルモータ等のァクチユエータを含み、ステージ本体 11に対して基板テ一ブル 12を Z軸、 Θ X、及び θ Y方向に移動可能な微動システム 5Bと、ステージ本体 21に対して計測テーブル 22を Z軸、 Θ X、及び θ Y方向に移動可能な微動システム 5Cとを備えている。粗動システム 5A及び微動システム 5B、 5Cを含む駆動システム 5は、基板テーブル 12及び計測テーブル 22のそれぞれを、 X軸、 Y軸、 Z軸、 θ X 、 θ Y、及び θ Ζ方向の 6自由度の方向に移動可能である。制御装置 7は、駆動システム 5を制御することにより、基板テーブル 12 (基板 Ρ)及び計測テーブル 22 (計測器 )の X軸、 Υ軸、 Ζ軸、 Θ Χ、 Θ Υ、及び Θ Ζ方向の 6自由度の方向に関する位置を制御可能である。

[0036] 基板テーブル 12及び計測テーブル 22の位置情報 (X軸、 Υ軸、及び θ Ζ方向に関する位置情報）は、計測システム 6のレーザ干渉計 6Ρによって計測される。レーザ干渉計 6Ρは、基板テーブル 12及び計測テーブル 22のそれぞれに設けられた計測ミラ一 12R、 22Rを用いて、基板テーブル 12及び計測テーブル 22それぞれの X軸、 Y 軸、及び Θ Z方向に関する位置情報を計測する。

[0037] また、露光装置 EXは、斜入射方式のフォーカス.レべリング検出システム FLを備えている。基板テーブル 12に保持された基板 Pの表面の面位置情報 (Z軸、 Θ Χ、及び θ Υ方向に関する位置情報）、及び計測テーブル 22の上面の面位置情報等は、フォ一カス'レべリング検出システム FLによって検出される。計測システム 6のレーザ干渉計 6Ρの計測結果及びフォーカス'レべリング検出システム FLの検出結果は、制御装置 7に出力される。制御装置 7は、レーザ干渉計 6Ρの計測結果及びフォーカス'レべリング検出システム FLの検出結果に基づいて、駆動システム 5を駆動し、基板テープノレ 12に保持されている基板 Ρ等の位置制御を行う。

[0038] また、本実施形態の露光装置 ΕΧは、露光波長の光を用いた TTR (Through The R ク M上のァライメントマーク、及び計測ステージ 2に設けられた基準板 50上の第 1基準マーク FM1等を検出する。ァライメントシステム RAの少なくとも一部は、マスクステージ 3の上方に配置されている。ァライメントシステム RAは、マスク M上のァライメントマークと、そのァライメントマークに対応するように計測ステージ 2に設けられた基準板 50上の第 1基準マーク FM1の投影光学系 PLを介した共役像とを観察する。本実施形態のァライメントシステム RAは、例えば特開平 7— 176468号公報（対応する米国特許 5, 646, 413号）に開示されているような、対象マーク（マスク M上のァライメントマーク、及び基準板 50上の第 1基準マーク FM1等）に対して光を照射し、 CCD カメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出する VRA (Visual Reticle Alignment)方式を採用する。

[0039] また、本実施形態の露光装置 EXは、オファクシス方式のァライメントシステム ALG を備えている。基板 P上のァライメントマーク、及び計測ステージ 2に設けられた基準板 50上の第 2基準マーク FM2等を検出する。ァライメントシステム ALGの少なくとも一部は、投影光学系 PLの先端の近傍に配置されている。本実施形態のァライメントシステム ALGは、例えば特開平 4 65603号公報（対応する米国特許 5, 493, 40 3号）に開示されているような、基板 P上の感光材を感光させないブロードバンドな検出光を対象マーク（基板 P上のァライメントマーク、及び基準板 50上の第 2基準マーク FM2等）に照射し、その対象マークからの反射光によって受光面に結像された対象マークの像と指標（ァライメントシステム ALG内に設けられた指標板上の指標マーク）の像とを CCD等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測する FIA (Field Image Alignment)方式のァライメントシステムを採用する。

[0040] 図 2は、本実施形態に係る露光装置 EXの一部を拡大した側断面図である。図 2において、露光装置 EXは、露光用液体 LQを発生する露光用液体供給装置 36と、露光装置 EXの所定の部材をメンテナンスするために、メンテナンス用液体 LCを発生するメンテナンス用液体供給装置 40とを備えている。なお、以下の説明において、露光用液体供給装置 36を第 1供給装置 36,メンテナンス用液体供給装置 40を第 2供給装置 40と称し、露光用液体 LQを第 1液体 LQ、メンテナンス用液体 LCを第 2液体 L Cと称する。 [0041] 上述のように、本実施形態においては、第 1液体 LQは、純水である。第 1供給装置 36は、温度調整され、十分に脱気された清浄な純水を、第 1液体 LQとして送出可能である。

[0042] 第 2液体 LCは、メンテナンス対象の部材の表層を溶解可能な液体を含む。第 2供給装置 40は、メンテナンス対象の部材の表層を溶解可能な液体を、第 2液体 LCとして送出可能である。

[0043] 図 2にお!/、て、ノズル部材 30は、液体（第 1液体 LQ及び第 2液体 LCの少なくとも一方)を供給可能な供給口 31を有し、供給口 31からの液体で上述の液浸空間が形成される。また、ノズル部材 30は、供給口 31より供給された液体を回収可能な回収口 3 2を有する。

[0044] また、露光装置 EXは、第 1供給装置 36からの第 1液体 LQ、及び第 2供給装置 40 力、らの第 2液体 LCの少なくとも一方を供給口 31へ供給するための流路を形成する供給管 35を備えている。供給管 35の一端（下端）は、ノズル部材 30の内部に形成された供給流路を介して供給口 31に接続されている。第 1供給装置 36は、第 1液体 L Qを、第 1管 41を介して、供給管 35の他端 (上端）に供給可能である。第 2供給装置 40は、第 2液体 LCを、第 2管 42を介して、供給管 35の他端 (上端）に供給可能であ

[0045] 供給管 35の他端（上端）には、流路切替機構 (バルブ機構) 43が設けられており、第 1管 41の一端は、バルブ機構 43に接続され、第 1管 41の他端は、第 1供給装置 3 6に接続されている。また、第 2管 42の一端は、バルブ機構 43に接続され、第 2管 42 の他端は、第 2供給装置 40に接続されている。

[0046] バルブ機構 43の動作は、制御装置 7に制御される。制御装置 7は、バルブ機構 43 を制御して、第 2管 42と供給管 35とを接続する流路を閉じ、第 1管 41と供給管 35とを接続する流路を開けることによって、第 2供給装置 40から供給管 35 (供給口 31)への第 2液体 LCの供給を停止した状態で、第 1供給装置 36より送出した第 1液体 LQ を、第 1管 41、供給管 35、及びノズル部材 30の供給流路を介して、供給口 31に供給可能である。また、制御装置 7は、バルブ機構 43を制御して、第 1管 41と供給管 3 5とを接続する流路を閉じ、第 2管 42と供給管 35とを接続する流路を開けることによつて、第 1供給装置 36から供給管 35 (供給口 31)への第 1液体 LQの供給を停止した状態で、第 2供給装置 40より送出した第 2液体 LCを、第 2管 42、供給管 35、及びノズル部材 30の供給流路を介して、供給口 31に供給可能である。

[0047] 以下の説明にお!/、ては、第 1供給装置 36から供給口 31に第 1液体 LQが供給される状態を適宜、第 1供給モード、と称し、第 2供給装置 40から供給口 31に第 2液体 L Cが供給される状態を適宜、第 2供給モード、と称する。

[0048] 回収口 32は、ノズル部材 30の下面に配置されており、回収口 32と対向する基板ステージ 1、計測ステージ 2、及び基板 Pの少なくとも 1つの表面から液体を回収すること力できる。回収口 32には、多孔部材 (メッシュ） 33が配置されている。本実施形態において、供給口 31は、回収口 32よりも光路空間に近い位置に配置されている。

[0049] 回収口 32は、ノズル部材 30の内部に形成された回収流路、及び回収管 37を介して、液体（第 1液体 LQ及び第 2液体 LCの少なくとも一方）を回収可能な液体回収装置 38に接続されている。液体回収装置 38は、真空システム等を備えており、液体を回収可能である。液体回収装置 38を作動させることにより回収口 32から回収された液体は、ノズル部材 30の回収流路を流れた後、回収管 37を介して液体回収装置 38 に回収される。

[0050] ノズル部材 30は露光光 ELを通過させるための開口 30Kを有する。またノズル部材 30の下面は、開口 30Kを囲むように配置された平坦面 34と平坦面 34の周囲に配置された回収口 32の多孔部材 33の下面を含む。

[0051] 少なくとも基板 Pの露光時には、露光光 ELの光路空間を第 1液体 LQで満たすように、第 1光学素子 8及びノズル部材 30に対向する位置に配置された基板 Pと第 1光学素子 8とノズル部材 30とで画定される第 1液体 LQの液浸空間が形成される。また、メンテナンス対象の部材のメンテナンス時には、第 1光学素子 8及びノズル部材 30に対向する位置に配置されたメンテナンス対象の部材と第 1光学素子 8とノズル部材 30 とで画定される第 2液体 LCの液浸空間が形成される。また、本実施形態においては、ノズル部材 30は、液浸空間を形成するために、供給口 31からの液体供給動作と回収口 32による液体回収動作とを並行して行う。

[0052] また、本実施形態においては、ノズル部材 30及び第 1光学素子 8と対向する位置に配置された部材の表面の一部の領域 (局所的な領域）が液体で覆われるように液浸空間が形成され、その部材の表面とノズル部材 30の下面との間に液体の界面 (メニスカス)が形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置 EXは、基板 P の露光時に、投影光学系 PLの投影領域を含む基板 P上の一部の領域が第 1液体 L Qで覆われるように液浸空間を形成する局所液浸方式を採用する。ノズル部材 30は、投影光学系 PLの像面側にお!/、て第 1液体 LQを保持する液体保持部材 (liquid co nfinement member)として機能する。なお、ノズル部材 30の構成は上述のものに限られず、例えば対応米国特許公報第 7, 199, 858号公報に開示されている部材を用いることあでさる。

[0053] 次に、基板テーブル 12について説明する。基板テーブル 12は、基材 13と、基材 1 3に設けられ、基板 Pをリリース可能に保持する第 1ホルダ PH1と、基材 13に設けられ、プレート部材 Tをリリース可能に保持する第 2ホルダ PH2とを備えている。プレート部材 Tは、基板テーブル 12とは別の部材であって、基板テーブル 12の第 2ホルダ PH2にリリース可能に保持される。

[0054] プレート部材 Tの中央には、基板 Pを配置可能な略円形状の開口 THが形成されている。第 2ホルダ PH2に保持されたプレート部材 Tは、第 1ホルダ PH1に保持された基板 Pの周囲を囲むように配置される。第 1ホルダ PH1に保持された基板 Pの外側のエッジ (側面）と、その基板 Pの外側に配置され、第 2ホルダ PH2に保持されたプレート部材 Tの内側（開口 TH側）のエッジ（内側面）との間には所定のギャップが形成される。本実施形態においては、第 2ホルダ PH2に保持されたプレート部材 Tの表面は、第 1ホルダ PH1に保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さ（面一）となるような平坦面となっている。このように、プレート部材 Tは、基板ステージ 1の第 1ホルダ PH1に保持された基板 Pの周囲に平坦部を形成する。

[0055] プレート部材 Tは、第 1液体 LQに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、プレート部材 Tの表面は、フッ素を含む材料の膜 Tfで形成されている。すなわち、プレート部材 Tの表面は、膜 Tfの表面を含む。具体的には、プレート部材 Tは、ステンレス鋼等の金属で形成された基材 Tbと、その基材 Tbの表面に形成されたフッ素を含む材料の膜 Tfとを有する。本実施形態においては、膜 Tfを形成する材料は、 PFA (テトラフルォロエチレンパーフルォロアルコキシエチレン共重合体）を含む。

[0056] 第 1ホルダ PH1は、所謂ピンチャック機構を含み、基材 13上に形成され、基板の裏面を支持する複数のピン状部材 14と、複数のピン状部材 14を囲むように基材 13 上に形成された第 1周壁 15とを備えている。第 1周壁 15は、基板 Pの外形とほぼ同形状の環状に形成されており、その第 1周壁 15の上面は、基板 Pの裏面の周縁領域 (エッジ領域）と対向する。また、第 1周壁 15の内側の基材 13上には、気体を吸引可能な第 1吸引口 16が複数設けられている。第 1吸引口 16のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置に接続されている。制御装置 7は、吸引装置を使って、基板の裏面と第 1周壁 15と基材 13とで囲まれた第 1空間の気体を第 1吸引口 16を介して吸引して、第 1空間を負圧にすることによって、基板 Pの裏面をピン状部材 14で吸着保持する。また、第 1吸引口 16に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第 1ホルダ PH1より基板 Pを外すことができる。

[0057] 第 2ホルダ PH2は、所謂ピンチャック機構を含み、第 1周壁 15を囲むように基材 13 上に形成された第 2周壁 17と、第 2周壁 17を囲むように基材 13上に形成された第 3 周壁 18と、第 2周壁 17と第 3周壁 18との間の基材 13上に形成され、プレート部材 T の裏面を支持する複数のピン状部材 19とを備えている。第 2周壁 17の上面は、開口 TH近傍のプレート部材 Tの裏面の内縁領域（内側のエッジ領域）と対向する。第 3周壁 18の上面は、プレート部材 Tの裏面の外縁領域 (外側のエッジ領域）と対向する。

[0058] また、第 2周壁 17と第 3周壁 18との間の基材 13上には、気体を吸引可能な第 2吸引口 20が複数設けられている。第 2吸引口 20のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置に接続されている。制御装置 7は、吸引装置を使って、プレート部材 Tの裏面と第 2周壁 17と第 3周壁 18と基材 13とで囲まれた第 2空間の気体を第 2吸引口 20 を介して吸引して、第 2空間を負圧にすることによって、プレート部材 Tの裏面をピン状部材 19で吸着保持する。また、第 2吸引口 20に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第 2ホルダ PH2よりプレート部材 Tを外すことができる。

[0059] なお、図 2に示すように、例えば基板 Pの表面の周縁領域（エッジショット）に露光光 ELが照射されるとき、プレート部材 Tの一部が、液浸空間の第 1液体 LQと接触していてもよい。この場合には、第 1液体 LQの液浸空間は、第 1光学素子 8、ノズル部材 30、プレート部材 T、及び基板 Ρで画定される。

[0060] 次に、計測ステージ 2について説明する。図 3は、基板ステージ 1及び計測ステージ 2を示す概略斜視図、図 4は、基板ステージ 1及び計測ステージ 2を示す平面図である。計測ステージ 2は、露光に関する各種計測を行うための複数の計測器及び計測部材を備えてレ、る。計測ステージ 2の計測テーブル 22上面の所定位置には、計測部材として、複数の基準マーク FM1、 FM2が形成された基準板 50が設けられている。本実施形態においては、基準板 50は、計測テーブル 22に設けられた第 3ホルダ PH 3にリリース可能に保持される。また、計測テーブル 22の上面の所定位置には、計測部材として、スリット部 61が形成されたスリット板 60が設けられている。本実施形態においては、スリット板 60は、計測テーブル 22に設けられた第 4ホルダ PH4にリリース可能に保持される。また、計測テーブル 22の上面の所定位置には、計測部材として、開口パターン 71が形成された上板 70が設けられている。本実施形態においては、上板 70は、計測テーブル 22に設けられた第 5ホルダ PH5にリリース可能に保持され

[0061] 基準板 50は、低熱膨張材料からなる基材 51と、基材 51上に形成され、ァライメントシステム RAで計測される第 1基準マーク FM1と、基材 51上に形成され、ァライメントシステム ALGで計測される第 2基準マーク FM2とを備えている。第 1、第 2基準マーク FM1、 FM2は、 Cr (クロム）等の金属で形成されている。

[0062] 基準板 50は、第 1液体 LQに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、基準板 50の表面は、フッ素を含む材料の膜 50fで形成されている。すなわち、記襦袢 50の表面は、膜 50fの表面を含む。本実施形態においては、基準板 50 の表面を形成する膜 50fは、光（露光光 EUを透過可能なフッ素を含む透明な材料で形成されている。膜 50fを形成するためのフッ素を含む透明な材料としては、例えば、旭硝子社製「サイトップ」を用いることができる。

[0063] スリット板 60は、ガラス板部材 64の上面中央に設けられた Cr (クロム）等からなる遮光膜 62と、その遮光膜 62の周囲、すなわちガラス板部材 64の上面のうち遮光膜 62 以外の部分に設けられたアルミニウム等からなる反射膜 63と、遮光膜 62の一部に形成された開口パターンであるスリット部 61とを備えている。スリット部 61においては透明部材であるガラス板部材 64が露出しており、光はスリット部 61を透過可能である。ガラス板部材 64の形成材料としては、露光光 ELに対する透過性の良い合成石英あるいは螢石などが用いられる。スリット部 61は、遮光膜 62を例えばエッチング処理することで形成可能である。スリット板 60は、例えば特開 2002— 14005号公報（対応する米国特許出願公開第 2002/0041377号明細書）、特開 2002— 198303号公報等に開示されているような空間像計測システム 60Sの一部を構成する。スリット板 60の下方には、空間像計測システム 60Sの一部を構成する受光素子が配置されている。

[0064] スリット板 60は、第 1液体 LQに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、スリット板 60の表面は、フッ素を含む材料の膜 60fで形成されている。すなわち、スリット板 60の表面は、膜 60fの表面を含む。スリット板 60の表面を形成する膜 6 Ofとしては、例えば、サイトップを用いることができる。

[0065] 上板 70は、ガラス板部材 74の上面に設けられた Cr (クロム）等からなる遮光膜 72と、その遮光膜 72の一部に形成された開口パターン 71とを備えている。開口パターン 71においては透明部材であるガラス板部材 74が露出しており、光は開口パターン 7 1を透過可能である。ガラス板部材 74の形成材料としては、露光光 ELに対する透過性の良い合成石英あるいは螢石などが用いられる。開口パターン 71は、遮光膜 72を例えばエッチング処理することで形成可能である。上板 70は、露光光 ELの露光エネルギ一に関する情報 (光量、照度、照度むら等）を計測する、例えば特開昭 57— 11 7238号公報（対応する米国特許第 4, 465, 368号)等に開示されているように照度むらを計測可能な計測器、例えば特開 2001— 267239号公報に開示されているような投影光学系 PLの露光光 ELの透過率の変動量を計測するためのむら計測器、例えば特開平 11 16816号公報（対応する米国特許出願公開第 2002/006146 9号明細書)等に開示されているような照射量計測器 (照度計測器)の一部を構成する。あるいは、上板 70が、例えば国際公開第 99/60361号パンフレット（対応する欧州特許第 1 , 079, 223号明細書）等に開示されているような、波面収差計測器の一部を構成していてもよい。上板 70の下方には、これら計測器の一部を構成する受光素子が配置されている。

[0066] 上板 70は、第 1液体 LQに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、上板 70の表面は、フッ素を含む材料の膜 70fで形成されている。すなわち、上板 70の表面は、膜 70fの表面を含む。本実施形態においては、上板 70の表面は、基準板 50、スリット板 60と同様、例えばサイトップの膜 70fで形成されている。

[0067] また、本実施形態においては、各計測部材 50、 60、 70の上面以外の計測テープノレ 22の上面は、 PFA等、フッ素を含む材料の膜で形成されており、第 1液体 LQに対して撥液性を有する。

[0068] 図 5は、第 3ホルダ PH3に保持された基準板 50を示す断面図である。第 3ホルダ P H3は、計測テーブル 22の上面の一部に設けられた凹部に配置されている。第 3ホルダ PH3は、所謂ピンチャック機構を含み、基準板 50の裏面を支持する複数のピン状部材 52と、複数のピン状部材 52を囲むように形成された周壁 53と、周壁 53の内側に配置され、気体を吸引可能な吸引口 54とを有する。第 3ホルダ PH3に保持された基準板 50の上面と、計測テーブル 22の上面とはほぼ同じ高さ（面一）になるように設定されている。

[0069] 図 5に示すように、制御装置 7は、基準板 50を用いた計測処理を実行する際、第 1 光学素子 8の光射出面と対向する位置に基準板 50を配置し、第 1光学素子 8と基準板 50との間に第 1液体 LQの液浸空間を形成した状態で、露光光 EL又は露光光 EL とほぼ同じ波長の光 (紫外光）を、基準板 50に照射する。

[0070] 図 6は、第 4ホルダ PH4に保持されたスリット板 60を示す断面図である。図 6に示すように、計測テーブル 22の上面の一部には開口が形成されており、計測テーブル 22 の内部には、開口に接続する内部空間が形成されている。スリット板 60は、計測テーブル 22の開口近傍に配置された第 4ホルダ PH4にリリース可能に保持される。第 4ホノレダ PH4は、所謂ピンチャック機構を含み、スリット部 61を透過した露光光 ELを遮らないように環状に形成された基材 67と、基材 67の内縁に沿うように基材 67上に形成された内側周壁 67Aと、内側周壁 67Aを囲むように基材 67上に形成された外側周壁 67Bと、内側周壁 67Aと外側周壁 67Bとの間に形成され、スリット板 60の裏面を支持する複数のピン状部材 68と、内側周壁 67Aと外側周壁 67Bとの間に配置され、気体を吸引可能な吸引口 69とを有する。第 4ホルダ PH4に保持されたスリット板 60の上面と、計測テーブル 22の上面とはほぼ同じ高さ（面一）になるように設定されている

〇

[0071] 空間像計測システム 60Sの少なくとも一部は、計測テーブル 22の内部空間に配置されている。空間像計測システム 60Sは、スリット板 60と、計測テーブル 22の内部空間においてスリット部 61の下方に配置された光学系 65と、光学系 65を介した光（露光光 EUを受光可能な受光素子 66とを備えて!/、る。

[0072] 図 6に示すように、制御装置 7は、スリット板 60を用いた計測処理を実行する際、第

1光学素子 8の光射出面と対向する位置にスリット板 60を配置し、第 1光学素子 8とスリット板 60との間に第 1液体 LQの液浸空間を形成した状態で、露光光 ELをスリット板 60に照射する。受光素子 66は、スリット板 60 (スリット部 61)を透過した露光光 EL を、光学系 65を介して受光し、空間像の計測を実行する。

[0073] なお、図示は省略するが、計測テーブル 22には、上板 70を着脱可能に保持する第 5ホルダ PH5が設けられており、上板 70は、計測テーブル 22の第 5ホルダ PH5に着脱可能に保持される。第 5ホルダ PH5に保持された上板 70の上面と、計測テープノレ 22の上面とはほぼ同じ高さ（面一）になるように設定されている。

[0074] 制御装置 7は、上板 70を用いた計測処理を実行する際、第 1光学素子 8の光射出面と対向する位置に上板 70を配置し、第 1光学素子 8と上板 70との間に第 1液体 LQ の液浸空間を形成した状態で、露光光 ELを上板 70に照射する。上板 70の下方に配置されている受光素子は、上板 70を透過した露光光 ELを受光し、所定の計測を実行する。

[0075] このように、計測テーブル 22を用いて計測処理を実行する場合等においては、第 1 光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に配置された計測テーブル 22と第 1光学素子 8とノズル部材 30とで第 1液体 LQの液浸空間が画定される。

[0076] また、本実施形態においては、例えば国際公開第 2005/074014号パンフレツト（対応欧州特許出願公開第 1 , 713, 113号公報）、米国特許公開第 2006/00231 86号公報などに開示されているように、制御装置 7は、基板テーブル 12及び計測テ一ブル 22が第 1光学素子 8との間で第 1液体 LQを保持可能な空間を形成し続けるように、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置を含むガイド面 GFの所定領域内で、基板テーブル 12 (プレート部材 T)の上面と計測テーブル 22の上面とを接近又は接触させた状態で、駆動システム 5を用いて、第 1光学素子 8及びノズル部材 30に対して、基板テーブル 12と計測テーブル 22とを XY方向に同期移動させる。これにより、制御装置 7は、第 1液体 LQの漏出を抑制しつつ、基板テーブル 12の上面と計測テーブル 22の上面との間で第 1液体 LQの液浸空間を移動可能である。なお、基板テーブル 12の上面と計測テーブル 22の上面との間で第 1液体 LQの液浸空間を移動するときに、基板テーブル 12の上面と計測テーブル 22の上面とはほぼ同じ高さ（面一）となるように調整されて!/、る。

[0077] このように、基板テーブル 12及び計測テーブル 22のいずれか一方のテーブルを投影光学系 PLから離したときには、他方のテーブルを第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に配置するので、第 1光学素子 8の光射出側の露光光 ELの光路空間を第 1液体 LQで満たし続けることができる。

[0078] 次に、上述の構成を有する露光装置 EXを用いて基板 Pを露光する方法の一例について説明する。

[0079] まず、制御装置 7は、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と計測ステージ 2とを対向させた状態で、露光光 ELの光路空間を第 1液体 LQで満たす。もちろん、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と基板ステージ 1とを対向させた状態で第 1液体 LQの液浸空間を形成してもよい。

[0080] 次に、制御装置 7は、基板 Pを露光する前に、計測ステージ 2に搭載されている計測器、計測部材の少なくとも一つを用いて、各種の計測を実行する。例えば、空間像計測システム 60Sを用いて、図 6で示したように、投影光学系 PLの結像特性を計測する。

[0081] そして、制御装置 7は、その計測結果基づ!/、て、各種調整 (キャリブレーション)を行う。例えば、空間像計測システム 60Sの計測結果に基づ!/、て投影光学系 PLの結像特性の調整が行われる。

[0082] 計測ステージ 2を用いた計測が終了した後、制御装置 7は、上述したように基板ステージ 1と計測ステージ 2とを同期移動して、第 1液体 LQの液浸空間を計測ステージ 2 から基板ステージ 1 移動する。次に、制御装置 7は、基板ステージ 1上の基板 Pに対するァライメント処理を開始する。制御装置 7は、基板ステージ 1を XY方向に移動し、ァライメントシステム ALGの検出領域に、基板 P上の各ショット領域に対応するように設けられている複数のァライメントマークを順次配置する。そして、制御装置 7は、レーザ干渉計 6Pを含む計測システム 6を用いて、基板ステージ 1の位置情報を計測しつつ、ァライメントシステム ALGを用いて、基板 P上の複数のァライメントマークを、第 1液体 LQを介さずに順次検出する。これにより、制御装置 7は、レーザ干渉計 6P を含む計測システム 6によって規定される座標系内での基板 P上のァライメントマークの位置情報を求めることができる。

[0083] そして、制御装置 7は、基板 Pのァライメントマークの位置情報に基づ!/、て、基板ステージ 1上の基板 Pの位置を制御し、基板 P上の複数のショット領域を順次露光する

[0084] 少なくともマスク Mのパターンの像を基板 Pに投影している間、露光光 ELの光路空間を第 1液体 LQで満たすように液浸空間が形成され、投影光学系 PLと第 1液体 LQ とを介して、マスク Mを通過した露光光 ELを基板ステージに保持された基板 Pに照射する。これにより、マスク Mのパターンの像が基板 Pに投影され、基板 Pが露光され

[0085] 本実施形態の露光装置 EXは、マスク Mと基板 Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスク Mのパターンの像を基板 Pに投影する走査型露光装置 (所謂スキヤニンダステツバ）である。本実施形態においては、基板 Pの走査方向（同期移動方向）を Y 軸方向とし、マスク Mの走査方向（同期移動方向）も Y軸方向とする。露光装置 EXは、基板 Pを投影光学系 PLの投影領域に対して Y軸方向に移動するとともに、その基板 Pの Y軸方向への移動と同期して、照明系 ILの照明領域に対してマスク Mを Y軸方向に移動しつつ、投影光学系 PLと第 1液体 LQとを介して基板 Pに露光光 ELを照射して、その基板 Pを露光する。

[0086] ところで、上述のように、例えばスリット板 60を用いた計測処理が終了した後、制御装置 7は、第 1光学素子 8及びノズル部材 30 (第 1液体 LQの液浸空間）に対して計測ステージ 2を所定の移動条件 (速度、加速度、移動方向を含む）で移動して、スリツト板 60を、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向しない位置に移動する。

[0087] スリット板 60を第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向しない位置に移動しても、スリット板 60の表面の撥液性が劣化（低下）していると、そのスリット板 60の表面に第 1 液体 LQ (例えば第 1液体 LQの滴、膜など）が残留する可能性がある。また、第 1光学素子 8及びノズル部材 30 (第 1液体 LQの液浸空間）に対して、スリット板 60 (計測ステージ 2)を所定の移動条件で XY方向に移動した場合、スリット板 60の表面の撥液性が劣化していると、第 1液体 LQの液浸空間（第 1液体 LQの液浸空間の形状など）を所望状態に維持することが困難となり、第 1液体 LQが漏出する可能性がある。特に、スループットの向上等を目的として、スリット板 60 (計測ステージ 2)の移動速度を高めた場合、第 1液体 LQが残留したり、第 1液体 LQが漏出したりする可能性が高くなる。

[0088] 同様に、基準板 50を用いた計測処理を実行した後に、基準板 50を第 1光学素子 8 及びノズル部材 30と対向しな!/、位置に移動しても、基準板 50の表面の撥液性が劣化していると、その基準板 50の表面に第 1液体 LQが残留する可能性がある。また、第 1光学素子 8及びノズル部材 30 (第 1液体 LQの液浸空間）に対して、基準板 50 ( 計測ステージ 2)を所定の移動条件で XY方向に移動した場合、基準板 50の表面の撥液性が劣化していると、第 1液体 LQの液浸空間を所望状態に維持することが困難となり、第 1液体 LQが漏洩する可能性がある。

[0089] 同様に、上板 70の表面の撥液性が劣化していると、上板 70の表面に第 1液体 LQ が残留したり、第 1液体 LQの液浸空間を所望状態に維持できず、第 1液体 LQが漏洩したりする可能性がある。

[0090] また、上述のように、基板 Pの表面の周縁領域 (エッジショット）に露光光 ELが照射されるとき、プレート部材 Tの少なくとも一部が、液浸空間の第 1液体 LQと接触する。

[0091] プレート部材 Tの表面の撥液性が劣化していると、第 1光学素子 8及びノズル部材 3 0と対向しない位置にプレート部材 Tを移動したときに、そのプレート部材 Tの表面に第 1液体 LQ (例えば第 1液体 LQの滴、膜など）が残留する可能性がある。また、第 1 光学素子 8及びノズル部材 30 (第 1液体 LQの液浸空間）に対して、プレート部材 T ( 基板ステージ 1)を所定の移動条件で XY方向に移動した場合、プレート部材 Tの表面の撥液性が劣化して!、ると、第 1液体 LQの液浸空間（第 1液体 LQの液浸空間の形状)を所望状態に維持することが困難となり、第 1液体 LQが漏洩する可能性がある

〇

[0092] スリット板 60の表面、基準板 50の表面，上板 70の表面、計測テーブル 22の上面、基板テーブル 12の上面（プレート部材 Tの上面）などの各部材の表面の撥液性能の劣化は、露光光 EL (紫外線）の照射などによって、各部材の表面を形成する撥液性の膜が劣化し、その撥液性の膜の表面エネルギーが増大したことに起因する。したがって、各部材の表面を形成する撥液性の膜の表面エネルギーを減少させ、各部材の表面の撥液性を高めることによって、上述の不具合（第 1液体 LQの残留、第 1液体 LQの漏出等）の発生を抑制できる。

[0093] ここで、以下の説明においては、基準板 50、スリット板 60、上板 70、プレート部材 T 、基板テーブル 12、及び計測テーブル 22等、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に移動可能 (配置可能）な部材を適宜、部材、と総称する。また、部材 S の表面を形成するフッ素を含む材料の膜を適宜、膜 Sf、と称する。膜 Sfは、上述の膜 50f、 60f、 70f、Tfの少なくとも 1つを含む。

[0094] なお、本実施形態においては、露光光 ELが照射される前、あるいは第 1液体 LQと接触する前、あるいは第 1液体 LQと接触した状態で露光光 ELが照射される前の初期状態においては、膜 Sfによって形成される部材 Sの表面エネルギーは小さぐその部材 Sの表面は高い撥液性を有する。すなわち、初期状態においては、膜 Sfの表面における第 1液体 LQ1の接触角が大きい（例えば、 90° 以上)。すなわち、初期状態においては、膜 Sfによって形成される部材 Sの表面は、第 1液体 LQの残留を抑制でき、第 1液体 LQの液浸空間を所望状態に維持できる程度の、所望の表面エネルギ一（撥液性）を有している。

[0095] 本発明者は、部材 Sの表層、すなわち膜 Sfの表層を除去することで、その部材 Sの表面エネルギーを減少できることを見出した。すなわち、本発明者は、部材 S (膜 Sf) の表層（表面エネルギーが増加した層）を除去し、その下の表面エネルギーが増加していない層を露出させることによって、部材 S (膜 Sf)の表面エネルギーを減少できることを見出した。すなわち、部材 (膜 Sf)の表面の一部をある厚みで除去し、その下の部分を露出させることによって、部材 S (膜 Sf)の表面の撥液性が回復できることを見いだした。本実施形態においては、部材 Sの表面に第 2液体 LCを供給することによつて、部材 S (膜 Sf)の表層を溶解し、部材 Sの表面の撥液性を回復させる（表面エネルギーを小さくする）。

[0096] 図 7は、第 1液体 LQと接触した状態で露光光 EL (紫外光）が照射された後の部材 Sの状態を示す模式図である。図 7には、部材 Sの一例として、スリット板 60の一部が示されている。

[0097] 上述したように、部材 Sの表面は、フッ素を含む材料の膜 Sf (膜 60f)で形成されている。すなわち、部材 Sの表面は膜 Sfの表面を含む。膜 Sfの表面に露光光 ELが照射されることによって、図 7の模式図に示すように、膜 Sfの表層の物性 (性質、材料特性）が変化する可能性がある。すなわち、膜 Sfの表面に露光光 ELが照射されると、膜 Sfの表面を含む表面近傍の厚み方向における一部の領域の物性が変化する可能性がある。以下の説明においては、露光光 ELの照射により物性が変化した膜 Sf の表層（膜 Sfの厚み方向における一部の領域)を適宜、変質領域 Sc、と称する。

[0098] 膜 Sfは、フッ素を含む材料 (有機材料）の膜であり、例えば、露光光 ELの照射によつて、膜 Sfの分子の結合が切れるなどの現象が生じる可能性がある。これにより、露光光 ELが照射された膜 Sfの表層の物性が変化する可能性がある。そして、膜 Sfの表層の物性の変化（劣化）に伴って、膜 Sfの表面の撥液性が低下する（表面ェネルギ一が増大する）可能性がある。

[0099] したがって、部材 S (膜 Sf)の表層を溶解可能な第 2液体 LCを部材 Sに供給して、その部材 S (膜 Sf)の表層、すなわち変質領域 Scを溶解し、部材 Sから除去することによって、変質領域 Scの下に存在していた、物性が変化していない、すなわち所望の物性を有するフレッシュな膜 Sfの表面を露出させることができる。これにより、部材 Sの表面エネルギーを減少させ、撥液性を回復させることができる。

[0100] このように、露光光 ELの照射などによって部材 Sの表面エネルギーが増大した場合でも、部材 Sの表層を溶解するために、部材 Sに第 2液体 LCを供給する動作を含むメンテナンス作業を実行することにより、部材 Sの表面エネルギーを減少させることができる。そこで、本実施形態においては、部材 Sの表面エネルギーの増大に伴う上述の不具合の発生を抑制するために、所定のタイミングで、部材 Sに第 2液体 LCを供給する動作を含むメンテナンス作業を実行する。

[0101] 以下、本実施形態に係るメンテナンス方法の一例について説明する。

[0102] 図 8は、部材 Sの一例として、スリット板 60をメンテナンスしている状態を示す模式図である。図 8に示すように、本実施形態においては、制御装置 7は、メンテナンス時に、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置にスリット板 60を配置して、供給口 31から供給された第 2液体 LCで液浸空間を形成する。このとき、制御装置 7は、バルブ機構 43を第 2供給モードに設定する。これにより、図 8に示すように、第 2供給装置 40より送出した第 2液体 LCを、第 2管 42、供給管 35、及びノズル部材 30の供給流路を介して、供給口 31に供給可能である。

[0103] 制御装置 7は、スリット板 60の表層を溶解するために、供給口 31よりスリット板 60に第 2液体 LCを供給する。第 2液体 LCは、スリット板 60の表層を溶解可能な物質を所定液体に溶解させたものである。

[0104] 上述のように、本実施形態のスリット板 60の表面は、フッ素を含む材料の膜 60fで形成されている。第 2液体 LCは、フッ素を含有する溶剤を含み、膜 60fの表層を溶解可能である。すなわち、本実施形態においては、スリット板 60の表層を溶解可能な物質として、フッ素を含有する溶剤を用いる。以下の説明においては、フッ素を含有する溶剤を適宜、フッ素系溶剤、と称する。

[0105] フッ素系溶剤としては、例えば、ハイド口フルォロカーボンエーテル（HFE)、ハイド口フルォロカーボン（HFC)等が挙げられる。ハイド口フルォロカーボンとしては、例えば、三井デュポンフロロケミカル社製「バートレル XF」が挙げられる。また、フッ素系溶剤としては、例えば、住友スリーェム社製「フロリナート FC— 77」も挙げられる。

[0106] また、本実施形態の第 2液体 LCは、上述のフッ素系溶剤をアルコールに溶解させたものである。すなわち、本実施形態の第 2液体 LCは、溶質をフッ素系溶剤とし、溶媒をアルコールとした溶液である。フッ素系溶剤を溶解させるためのアルコールとしては、エタノール、イソプロピルアルコール（IPA)、ペンタノール等が挙げられる。

[0107] 第 2液体 LCの溶媒としては、第 1液体 LQに対しても可溶性を有するものを用いることが望ましい。上述のように、本実施形態においては、第 2液体 LCの溶媒は、アルコールであり、第 1液体 LQは、純水であり、第 2液体 LCの溶質は、フッ素系溶剤である。すなわち、純水及びフッ素系溶剤は、それぞれアルコールに可溶である。

[0108] また、本実施形態の第 2供給装置 40は、アルコールにフッ素系溶剤を溶解させて、所定濃度のフッ素系溶剤を含む第 2液体 LCを送出することができるとともに、アルコール (溶媒）のみを送出することもできる。

[0109] また、スリット板 60のメンテナンスを実行するとき、制御装置 7は、供給口 31からの液体供給動作と回収口 32による液体回収動作とを並行して行!/、、供給口 31よりスリット板 60に供給された第 2液体 LCを回収口 32より回収する。

[0110] また、制御装置 7は、第 2液体 LCで液浸空間を形成した状態で、第 1光学素子 8及びノズル部材 30に対してスリット板 60 (計測ステージ 2)を XY方向に移動する。

[0111] 図 9A、 9B、及び 9Cは、本実施形態に係るメンテナンス方法によって、スリット板 60 の表面状態が変化する様子を示す模式図である。図 9Aは、スリット板 60に第 1液体 LQを接触させつつ、スリット板 60に露光光 ELを照射した状態を示す。図 9Aに示すように、露光光 ELが照射されることによって、スリット板 60 (膜 Sf)の表層の物性が変化し、変質領域 Scが形成される。これにより、部材 Sの表面の撥液性が低下 (劣化）する。

[0112] 図 9Bは、スリット板 60に第 2液体 LCを接触させた状態を示す。図 9Bに示すように、スリット板 60 (膜 Sf)と第 2液体 LCとが接触することによって、膜 Sfの変質領域 Scがスリット板 60より徐々に除去される。

[0113] 本実施形態においては、スリット板 60のメンテナンスを実行するとき、制御装置 7は、供給口 31からの液体供給動作と回収口 32による液体回収動作とを並行して行い、供給口 31よりスリット板 60上に供給された第 2液体 LCを回収口 32より回収する。したがって、第 2液体 LCによってスリット板 60より除去された、変質領域 Scを含む膜 Sf の一部は、第 2液体 LCとともに回収口 32より回収される。したがって、スリット板 60より除去された膜 Sfの一部、あるいは溶解した膜 Sfを含む第 2液体 LC力部材 Sに付着 (再付着)することを抑制できる。

[0114] また、制御装置 7は、ノズル部材 30とスリット板 60との間に第 2液体 LCで液浸空間を形成した状態で、ノズル部材 30と部材 Sとを相対的に移動するので、スリット板 60 の表面の広い領域に対して均一に第 2液体 LCを接触させることができ、膜 Sfの表層を均一に溶解し、除去できる。なお、膜 Sfの表層の除去は、膜 Sfの表面の全域で行つてもよ!/、し、膜 Sfの表面の一部領域で行うだけでもよ!/、。

[0115] そして、スリット板 60と第 2液体 LCとを所定時間接触することによって、図 9Cに示すように、物性が変化している膜 Sfの表層、すなわち変質領域 Scが全て除去され、所望の物性 (撥液性、表面エネルギー）を有するフレッシュな膜 Sfの表面が露出する。これにより、スリット板 60の表面エネルギーが減少し、撥液性が回復する。例えば、スリット板 60の表面状態を、露光光 ELが照射される前の初期状態とほぼ等しくすること力 Sできる。

[0116] また、制御装置 7は、スリット板 60 (膜 Sf)と第 2液体 LCとが接触する時間、第 2液体 LC中のフッ素系溶剤の濃度、及びスリット板 60に対する第 2液体 LCの流速 (供給口 31から供給される第 2液体 LCの単位時間当たりの量、及び回収口 32から回収される第 2液体 LCの単位時間当たりの量)等を制御することによって、スリット板 60 (膜 Sf )の表層のみ（変質領域 Scのみ）を溶解し、除去すること力 Sできる。スリット板 60 (膜 Sf )と第 2液体 LCとの接触時間、第 2液体 LC中のフッ素系溶剤の濃度、及びスリット板 60に対する第 2液体 LCの流速 (供給口 31から供給される第 2液体 LCの単位時間当たりの量、及び回収口 32から回収される第 2液体 LCの単位時間当たりの量）等のノラメータは、予め実験、シミュレーションなどを行って決定することができる。また、変質領域 Scの厚さは、露光光 ELの照射時間及び/又はドーズ量によって変化する可能性もあるので、露光光 ELの照射時間及び/又はドーズ量に上述の各パラメ一タを決めてもよい。

[0117] そして、スリット板 60のメンテナンスが終了した後、制御装置 7は、第 2供給モードから第 1供給モードに変化させ、通常のシーケンスを実行する。

[0118] メンテナンス作業によって、スリット板 60の表面エネルギーを減少させ、第 1液体 L Qに対するスリット板 60の表面の撥液性を高めることによって、スリット板 60の表面に第 1液体 LQが残留することを抑制できるとともに、第 1光学素子 8及びノズル部材 30 (第 1液体 LQの液浸空間）に対して、スリット板 60を所定の移動条件 (速度、加速度、移動方向を含む）で XY方向に移動した場合において、第 1液体 LQの液浸空間（第 1液体 LQの液浸空間の形状)を所望状態に維持され、第 1液体 LQの漏洩を防止できる。

[0119] 次に、図 10A、 10B、 10C、及び 10Dを参照しながら、露光装置 EXが第 1供給モードから第 2供給モードに変化するときの動作の一例について説明する。

[0120] 図 10Aは、露光装置 EXが第 1供給モードに設定されている状態を示す。図 10Aに示すように、例えばスリット板 60等を用いた計測、あるいは基板 Pの露光を実行する場合には、制御装置 7は、バルブ機構 43を第 1供給モードに設定する。これにより、供給口 31からは、第 1液体 LQ (純水）が供給され、ノズル部材 30は、供給口 31から供給された第 1液体 LQでスリット板 60との間に液浸空間を形成する。

[0121] スリット板 60をメンテナンスするために、第 1供給モードから第 2供給モードに変化する際、制御装置 7は、図 10Bに示すように、バルブ機構 43 (又は第 1供給装置 36) を制御して、供給口 31からの第 1液体 LQの供給を停止する。また、制御装置 7は、回収口 32を用いて、液浸空間の第 1液体 LQの全てを回収する。

[0122] 次いで、図 10Cに示すように、制御装置 7は、第 2供給装置 40を制御して、第 2供給装置 40よりアルコールのみを送出する。これにより、供給管 35の流路、及びノズル部材 30の供給流路等にはアルコールが流れ、それら供給管 35の流路、及びノズノレ部材 30の供給流路等は、アルコールで満たされる。供給口 31からは、アルコールが供給され、そのアルコールで液浸空間が形成される。また、制御装置 7は、供給口 31 力、らのアルコールの供給動作と並行して、回収口 32からのアルコールの回収動作を行う。これにより、ノズル部材 30の回収流路、及び回収管 37の流路等は、アルコールで満たされる。このように、制御装置 7は、第 1供給モードから第 2供給モードに変化させる際、第 1供給モードにおいて第 1液体 LQ (純水）が満たされていた流路 (供給管 35の流路、ノズル部材 30の供給流路、回収流路、回収管 37の流路等）を、第 2供給モードに変化させる前に、第 2液体 LCの溶媒であるアルコールで置換する。

[0123] 流路から第 1液体 LQを排除し、流路をアルコールで置換した後、図 10Dに示すように、制御装置 7は、第 2供給装置 40を制御して、第 2供給装置 40より第 2液体 LC ( 所定濃度のフッ素系溶剤を含むメンテナンス用液体 LC)を送出する。これにより、供給管 35の流路、及びノズル部材 30の供給流路等は、第 2液体 LCで満たされる。また、供給口 31からは第 2液体 LCが供給され、供給口 31から供給された第 2液体 LC で液浸空間が形成される。また、制御装置 7は、供給口 31からの第 2液体 LCの供給動作と並行して、回収口 32からの第 2液体 LCの回収動作を行う。これにより、ノズル部材 30の回収流路、及び回収管 37の流路等は、第 2液体 LCで満たされる。

[0124] アルコールは、第 1液体 LQ及びフッ素系溶剤のそれぞれに可溶であり、第 1供給モードから第 2供給モードに変化させる際、流路から第 1液体 LQを排除し、流路をァルコールで置換した後、第 2供給モードに変化させることによって、例えば析出物（異物）の発生を抑制し、第 1供給モードから第 2供給モードに円滑に変化させることができる。また、スリット板 60を良好にメンテナンスできる。

[0125] また、第 2供給モードから第 1供給モードに変化させる際には、制御装置 7は、まず、第 2供給装置 40を制御して、第 2供給装置 40よりアルコールのみを送出し、流路（供給管 35の流路、ノズル部材 30の供給流路、回収流路、回収管 37の流路等）を、アルコールで置換する。

[0126] 流路から第 2液体 LC (フッ素系溶剤）を排除し、流路をアルコールで置換した後、制御装置 7は、バルブ機構 43 (又は第 2供給装置 40)を制御して、供給口 31からのアルコールの供給を停止し、回収口 32を用いて、液浸空間のアルコールの全てを回収する。

[0127] そして、制御装置 7は、バルブ機構 43を第 1供給モードに設定し、第 1供給装置 36 より第 1液体 LQを送出する。これにより、供給管 35の流路、及びノズル部材 30の供給流路等は、第 1液体 LQで満たされる。また、制御装置 7は、供給口 31からの第 1 液体 LQの供給動作と並行して、回収口 32からの第 1液体 LQの回収動作を行う。これにより、ノズル部材 30の回収流路、及び回収管 37の流路等は、第 1液体 LQで満たされる。

[0128] 第 2供給モードから第 1供給モードに変化させる際においても、流路から第 2液体 L Cを排除し、流路をアルコールで置換した後、第 1供給モードに変化させることによつて、例えば析出物（異物）の発生を抑制し、第 2供給モードから第 1供給モードに円滑に変化させること力 Sできる。また、基板 Pを良好に露光できる。

[0129] 本実施形態においては、第 2液体 LCを用いたスリット板 60に対するメンテナンス作業は、定期的に実行される。第 2液体 LCを用いたスリット板 60に対するメンテナンス作業は、例えば基板 Pを所定枚数露光処理した毎、ロット毎、所定時間間隔毎等に実 fiすること力でさる。

[0130] なお、上述の説明では、主に、スリット板 60をメンテナンスする場合を例にして説明したが、制御装置 7は、スリット板 60のみならず、基準板 50、上板 70、プレート部材 T 、基板テーブル 12、及び計測テーブル 22等、第 1光学素子 8の光射出面と対向する位置、すなわち第 1光学素子 8からの露光光 ELが照射可能な位置に移動可能 (配置可能）であり、第 1光学素子 8及びノズル部材 30とともに第 1液体 LQの液浸空間を形成可能な部材を、第 2液体 LCを用いてメンテナンス可能である。

[0131] 以上説明したように、本実施形態によれば、スリット板 60等、撥液性の表面を有する部材 Sが、露光光 ELの照射などによってその撥液性が低下した場合でも、部材 S に第 2液体 LCを供給することによって、部材 Sの表層を溶解し、その部材 S (膜 Sf)の表面エネルギーを減少させ、その部材 S (膜 Sf )の表面の撥液性を回復させることができる。したがって、液浸露光処理、あるいは液浸露光処理のための計測処理を実行する際、第 2液体 LCでメンテナンス処理した後の部材 Sを用いることによって、部材 S上に第 1液体 LQが残留することを抑制し、第 1液体 LQの液浸空間を所望状態に維持すること力 Sできる。したがって、露光装置 EXの性能を維持でき、露光不良の発生を抑制しつつ、基板 Pを良好に露光して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。

[0132] 本実施形態においては、露光装置 EX内で部材 Sのメンテナンスを実行できる。そのため、従来のように、撥液性が低下した部材 Sを交換したり、その交換のために露光装置 EXの稼動を長時間停止したりすることなぐ撥液性が低下した部材 Sの表面の撥液性を回復させることができる。また、メンテナンス作業を何度力、行うことよって、撥液性が低下した部材 Sを交換する必要が生じても、その交換の頻度を抑えることができる。したがって、露光装置 EXの稼動率の低下を抑制し、露光不良の発生を抑制しつつ、基板 Pを良好に露光できる。

[0133] また、本実施形態においては、第 1液体 LQの供給を回収に使われるノズル部材 30 を用いて第 2液体 LCの供給と回収を行うので、部品点数を抑制し、装置の構造の複雑化を抑制できる。

[0134] <第 2実施形態〉

次に、第 2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

[0135] 図 11は、第 2実施形態に係る露光装置 EXを示す図である。図 11において、露光装置 EXは、ノズル部材 30と離れた位置に配置され、第 2液体 LCで液浸空間を形成可能な第 2ノズル部材 80を備えて!/、る。

[0136] 本実施形態においては、第 2ノズル部材 80は、第 1ノズル部材 30の + Y側に配置されており、基板ステージ 1に保持された基板 Pを露光している間、計測ステージ 2は、基板ステージ 1の + Y側で移動する。

[0137] 基板ステージ 1及び計測ステージ 2のそれぞれは、第 1光学素子 8の光射出面及びノズル部材 30の下面と対向する位置、及び第 2ノズル部材 80の下面と対向する位置を含むガイド面 GF上の所定領域内で移動可能である。計測ステージ 2は、ガイド面 GF上の所定領域内で基板ステージ 1と独立して移動可能である。

[0138] 本実施形態において、ノズル部材 30は、専ら第 1液体 LQの供給及び回収に用いられ、第 1光学素子 8の光射出面及びノズル部材 30の下面と対向する位置に配置された部材 (基板ステージ 1、計測ステージ 2、及び基板 Pの少なくとも 1つ）と第 1光学素子 8とノズル部材 30とで第 1液体 LQの液浸空間を画定する。

[0139] 第 2ノズル部材 80は、専ら第 2液体 LCの供給及び回収に用いられ、第 2ノズル部材 80の下面と対向する位置に配置された部材 S (基板ステージ 1、計測ステージ 2、及び基板 Pの少なくとも 1つ）と第 2ノズル部材 80とで、第 2液体 LCの液浸空間を画定する。メンテナンス対象の部材 Sのメンテナンス時に、第 2ノズル部材 80の下面と対向する位置に配置された部材 Sと第 2ノズル部材 80との間に、第 2液体 LCが保持される。

[0140] 図 12は、第 2ノズル部材 80の一例を示す図である。図 12において、第 2ノズル部材 80は、第 2液体 LCを供給可能な供給口 81と、供給口 81より部材 Sに供給された第 2液体 LCを回収可能な回収口 82とを有する。供給口 81は、第 2ノズル部材 80の下面のほぼ中央に形成されている。回収口 82は、第 2ノズル部材 80の下面において、供給口 81を囲むように形成されている。

[0141] 供給口 81には、第 2ノズル部材 80の内部に形成された供給流路、及び供給管 85 を介して、第 2供給装置 40Aから第 2液体 LCが供給される。回収口 82は、第 2ノズル部材 80の内部に形成された回収流路、及び回収管 88を介して、少なくとも第 2液体 LCを回収可能な液体回収装置 38Eに接続されている。

[0142] 図 11に示すように、本実施形態においては、制御装置 7は、基板ステージ 1を第 1 光学素子 8の光射出面及びノズル部材 30の下面と対向する位置に配置して、一方側の第 1光学素子 8とノズル部材 30と、他方側の基板ステージ 1 (基板 P)との間に第 1液体 LQで液浸空間を形成する動作と、計測ステージ 2を第 2ノズル部材 80の下面と対向する位置に配置して、第 2ノズル部材 80の下面と計測ステージ 2との間に第 2 液体 LCで液浸空間を形成する動作の少なくとも一部とを並行して実行できる。すなわち、本実施形態においては、制御装置 7は、基板ステージ 1に保持された基板の液浸露光動作と、計測ステージ 2の表面エネルギーを減少させるためのメンテナンス動作とを並 fiして fiうことができる。

[0143] したがって、本実施形態における第 2ノズル部材 80の配置は、計測ステージ 2のメンテナンスを頻繁に行レ、た!/、場合に有効である。

[0144] また、本実施形態にお!/、ては、第 1液体 LQ (純水）が流れる流路を形成する部材（ノズル部材 30、供給管 35、回収管 37等）と、第 2液体 LCが流れる流路を形成する部材 (第 2ノズル部材 80、供給管 85、回収管 88等）とを分けること力 Sできる。第 1液体 L Qと第 2液体 LCとは物性 (材料特性、種類）が異なるので、第 1液体 LQが流れる流路を形成する部材と、第 2液体 LCが流れる流路を形成する部材とを分けることによつて、第 1液体 LQの物性に適した材料で、第 1液体 LQが流れる流路を形成する部材を形成でき、第 2液体 LCの物性に適した材料で、第 2液体 LCが流れる流路を形成する部材を形成できる。

[0145] 例えば、第 1液体 LQ (純水）が流れる供給管 35 (又は回収管 37)力 PFAによって形成されている場合、その PFAによって形成された供給管 35 (又は回収管 37)に、フッ素系溶剤を含む第 2液体 LCを流すと、例えば供給管 35 (又は回収管 37)がダメージを受けたり、供給管 35 (又は回収管 37)からの溶出物が第 2液体 LCに混ざったりする可能性がある。本実施形態においては、第 1液体 LQが流れる供給管 35 (又は回収管 37)と、第 2液体 LCが流れる供給管 85 (又は回収管 88)とは別の部材なので、第 2液体 LCが流れる供給管 85 (又は回収管 88)を、その第 2液体 LCの物性に適した材料 (第 2液体 LCからダメージを受けない材料、第 2液体 LCに影響を与えない材料)で形成することができる。例えば、第 2液体 LCが流れる供給管 85 (又は回収管 88)を、ステンレス、チタン等の金属、あるいはポリエチレン等の合成樹脂で形成することにより、供給管 85 (又は回収管 88)が第 2液体 LCからダメージを受けたり、供給管 85 (又は回収管 88)が第 2液体 LCに影響を与えたりすることを抑制できる。同様に、ノズル部材 30及び第 2ノズル部材 80のそれぞれを、第 1液体 LQ及び第 2液体 LC の物性に応じた材料で形成できる。

[0146] なお、本実施形態において、基板ステージ 1を第 2ノズル部材 80と対向する位置に配置して、基板ステージ 1 (プレート部材 T)の上面を第 2液体 LCを用いてメンテナンスしてもよい。このときに、計測ステージ 2は第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に移動してもよい。

[0147] <第 3実施形態〉

次に、第 3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

[0148] 図 13は、第 3実施形態に係る露光装置 EXを示す図である。上述の第 2実施形態と同様、露光装置 EXは、第 2ノズル部材 80と、ノズル部材 30とを備えている。

[0149] 本実施形態においては、第 2ノズル部材 80は、第 1ノズル部材 30の— Y側に配置されており、計測ステージ 2が、第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に配置されているときに、基板ステージ 1は、計測ステージ 2の Y側で移動する。

[0150] 図 13に示すように、本実施形態においては、制御装置 7は、計測ステージ 2を第 1 光学素子 8の光射出面及びノズル部材 30の下面と対向する位置に配置して、第 1光学素子 8とノズル部材 30と計測ステージ 2との間に第 1液体 LQで液浸空間を形成する動作と、基板ステージ 1を第 2ノズル部材 80の下面と対向する位置に配置して、第 2ノズル部材 80の下面と基板ステージ 1 (プレート部材 T等）との間に第 2液体しじで液浸空間を形成する動作の少なくとも一部とを並行して実行できる。すなわち、本実施形態においては、計測ステージ 2及び第 1液体 LQを用いた計測動作と、基板ステージ 1 (プレート部材 T等）の表面エネルギーを減少させるためのメンテナンス動作とを並 fiして fiうことができる。

[0151] したがって、本実施形態における第 2ノズル部材 80の配置は、基板ステージ 1のメンテナンスを頻繁に行レ、た!/、場合に有効である。

[0152] なお、第 2ノズル部材 80を用いて基板ステージ 1のメンテナンスを行っているときに、計測ステージ 2の計測器、及び計測部材の少なくとも一つを用いる計測動作を行わずに、第 1光学素子 8と計測ステージ 2との間に第 1液体 LQを保持し続けるだけでもよい。

[0153] また、第 2ノズル部材 80を用いて計測ステージ 2の上面のメンテナンスを実行してもよい。このとき、基板ステージ 1を第 1光学素子 8及びノズル部材 30と対向する位置に配置してもよい。

[0154] なお、上述の第 2実施形態と第 3実施形態とを組み合わせることはもちろん可能である。すなわち、投影光学系 PLの + Y側及び Y側のそれぞれに、第 2ノズル部材 8 0を配置すること力 Sできる。これにより、基板ステージ 1及び計測ステージ 2それぞれに対するメンテナンス動作を所定のタイミングで円滑に実行できる。

[0155] なお、上述の各実施形態においては、スリット板 60等の部材 Sの表面エネルギーを減少させるためのメンテナンス動作を、定期的に実行するように説明したが、部材 S の表面エネルギーが減少しているか否力、（部材 Sの表面の撥液性が劣化しているか否力、）を検知して、その結果に基づ!/、てメンテナンス動作を行うタイミングを決定しても良い。例えばァライメントシステム ALGで部材 Sの表面の画像（光学像）を取得し、その取得した画像情報に基づ!/、て、部材 Sの表面エネルギーを減少させるためのメンテナンス動作を実行するか否力、 (部材 Sの表面の撥液性が劣化しているか否力、）を決定するようにしてもよい。上述のように、本実施形態のァライメントシステム ALGは、 CCD等の撮像素子を有しており、部材 Sの画像を取得可能である。部材 Sの表面ェネルギ一が増大して!/、るとき（部材 Sの表面の撥液性が劣化して!/、るとき）、部材 Sの表面から第 1液体 LQを取り去る動作を実行したにもかかわらず、その部材 Sの表面に第 1液体 LQ (滴）が残留している可能性が高い。そこで、制御装置 7は、ァライメントシステム ALGを用いて取得した部材 Sの表面の画像情報に基づいて、その部材 S の表面に第 1液体 LQ (滴）が残留していると判断した場合、部材 Sの表面の撥液性が劣化していると判断 (推定）し、部材 Sの表面エネルギーを減少させるためのメンテナンス動作を実行する。また露光装置 EXに、部材 Sの表面における第 1液体 LQの滴の接触角を測定する測定装置を搭載し、その測定結果に基づ!/、てメンテナンス動作を行うか否かを決定してもよレ、。

[0156] また、部材 Sに、その部材 Sの表面の温度を検出可能な温度センサを設け、その温度センサの検出結果に基づレ、て、部材 Sの表面エネルギーを減少させるためのメンテナンス動作を実行するか否かを決定するようにしてもよい。部材 Sの表面エネルギ一が増大しているとき（部材 Sの表面の撥液性が劣化しているとき）には、その部材 S の表面に第 1液体 LQ (滴）が残留する可能性が高ぐその残留した第 1液体 LQの気化によって、部材 Sの表面の温度が大きく変化（低下)する可能性がある。そこで、制御装置 7は、温度センサの検出結果に基づいて、部材 Sの表面の温度が大きく変化していることを検知した場合、部材 Sの表面の撥液性が劣化して、その部材 Sの表面に第 1液体 LQ (滴）が残留し易くなつていると判断 (推定）し、部材 Sの表面エネルギ一を減少させるための表面処理動作を実行する。

[0157] なお、上述の各実施形態においては、主に露光光 ELが照射されることによって増大した部材 Sの表面エネルギーを減少させるために、第 2液体 LCを用いたメンテナンス動作が実行されるが、メンテナンス対象の部材 Sとしては、露光光 ELが照射されない部材であってもよい。露光光 ELが照射されない部材であっても、その部材の表面の撥液性が、例えば経時的に劣化する可能性がある。そのような場合でも、部材の表層を第 2液体 LCを用いて溶解することによって、所望の撥液性を有する面が露出され、部材 Sの表面の撥液性を回復させることができる。

[0158] また、上述の各実施形態においては、第 1液体 LQの液浸空間に対して部材 Sを移動したときに、部材 Sの表面に残留する第 1液体 LQを問題としている力 S、部材 Sの表面の撥液性が劣化して!/、る場合には、ノズル部材 30の回収口を使って第 1液体 LQ をすベて回収しょうとしても、部材 Sの表面に第 1液体 LQが残留してしまうため、上述の各実施形態と同様にして部材 Sのメンテナンスが必要となる。

[0159] なお、上述の各実施形態においては、部材 Sの表面はフッ素を含む材料によって形成されているものとした力部材 sの表面力例えばシリコン、アクリル等、フッ素以外の材料によって形成されていてもよい。シリコン、アクリル等を含む材料によって部材 Sの表面を形成することにより、その部材 Sの表面は撥液性を有する。この場合、使用する第 2液体 LCとしては、部材 Sの表面を形成する材料に応じて適宜選択される。すなわち、部材 Sの表面を形成する材料に応じて、部材 Sの表層を溶解可能な物質が適宜選択される。また、第 2液体 LCが、部材 Sの表層を溶解可能な物質 (溶質）を所定液体 (溶媒）に溶解させたものである場合、第 2液体 LC中の物質 (溶質）の濃度を調整することによって、部材 Sの表層を良好に溶解させることができる。

[0160] なお、上述の各実施形態において、第 2液体 LCを用いた部材 Sの表面の一部の除去は、第 2液体 LCで部材 Sの表面の一部を溶解することに限られない。

[0161] また、上述の各実施形態においては、部材 Sの表面の一部を第 2液体 LCを使わずに除去しても良い。例えば、砥石などを使って部材 Sの表面を一部を除去してもよい

〇

[0162] なお、上述の各実施形態においては、露光光 ELの光路空間を満たすための第 1 液体 LQが水（純水）である場合を例にして説明した力 S、水以外の液体であってもよレヽ。例えば、第 1液体 LQとして、屈折率が 1. 6〜； 1. 8程度のものを使用してもよい。また、第 1液体 LQとしては、投影光学系 PL、あるいは基板 Pの表面を形成する感光材の膜 Rgに対して安定なもの（例えば、ハイド口フロロエーテル（HFE)、過フッ化ポリエーテル (PFPE)、フォンブリンオイル)を用いることも可能である。部材 Sの表面（膜 Sf)は、第 1液体 LQ (第 1液体 LQの物性等）に応じて定められる。

[0163] なお、上述の各実施形態においては、部材 S (50、 60、 70、 T)の表面は撥液性の膜 Sf (50f、 60f、 70f、Tf)で形成されている力 S、部材 S全体が撥液性を有する材料で形成されていてもよい。例えば、基板テーブル 12のプレート部材 T全体を、撥液性をするォ料、列よ、 PFA (Tetra fluoro ethylene— perfluoro alkylvinyl ether copol ymer)等を含む材料で形成してもよい。そして、そのプレート部材 Tの表面を、上述の各実施形態に係るメンテナンス方法でメンテナンスすることによって、撥液性を回復させること力 Sでさる。

[0164] なお、上述の各実施形態においては、露光装置 EX内においてメンテナンス対象の部材 Sに第 2液体 LCを供給している力スリット板 60等の部材 Sを露光装置 EXの外へ搬送し、露光装置 EXの外で第 2液体 LCを使って撥液性を復活させるメンテナンス動作を fiつてもよい。

[0165] なお、上述の各実施形態の投影光学系は、先端の第 1光学素子 8の像面 (射出面）側の光路空間を液体で満たしている力国際公開第 2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の第 1光学素子 8の物体面（入射面)側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

[0166] 液体と接触する投影光学系 PLの光学素子（光学素子 8など）は、例えば石英 (シリ力）、あるいは、フッ化カルシウム（蛍石）、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成してもよい。更に、光学素子は、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば 1. 6以上)材料で形成してもよい。屈折率が 1. 6以上の材料としては、例えば、国際公開第 2005/059617 号パンフレットに開示されるサファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第 2005/059618号パンフレットに開示される塩化カリウム（屈折率は約 1. 75)等を用いること力 Sできる。さらに、光学素子の表面の一部（少なくとも液体との接触面を含む）又は全部に、親液性及び/又は溶解防止機能を有する薄膜を形成してもよ!/、。なお、石英は液体との親和性が高ぐかつ溶解防止膜も不要であるが、蛍石は少なくとも溶解防止膜を形成することができる。

[0167] なお、上述の各実施形態におレ、ては、レーザ干渉計を含む計測システム（干渉計システム）を用いて、マスクステージ、基板ステージ、及び計測ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもょレ、。

[0168] また、上述の実施形態において、ノズル部材など液浸システムの構成は上述のものに限られず、例えば国際公開第 2004/086468号パンフレット（対応米国特許出願公開第 2005/0280791号）、国際公開第 2005/024517号パンフレットに開示されてレ、る液浸システムを用いることもできる。

[0169] なお、上述の各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ゥェハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリコンウェハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板はその形状が円形に限られず、矩形など他の形状でもよい。

[0170] 露光装置 EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走查露光するステップ ·アンド ' ·スキャン方式の走査型露光装置 (スキャニングステツパ）の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基板 Pを順次ステップ移動させるステップ'アンド'リピート方式の投影露光装置 (ステツノ）にも適用することができる。

[0171] さらに、ステップ ·アンド'リピート方式の露光において、第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第 1パターンの縮小像を基板 P上に転写した後、第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第 2バターンの縮小像を第 1パターンと部分的に重ねて基板 P上に一括露光してもよい (ステイッチ方式の一括露光装置)。また、ステイッチ方式の露光装置としては、基板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板 Pを順次移動させるステップ •アンド 'スティツチ方式の露光装置にも適用できる。

[0172] また、本発明は、米国特許 6, 590,634号、米国特許 6, 262, 796号、米国特許 6 , 208, 407号などに開示されているような複数（2つ）の基板ステージを備えたマルチステージ型 (ツインステージ型）の露光装置にも適用できる。

[0173] また、本発明は、国際公開第 99/49504号パンフレットに開示されているように、計測ステージを備えていない露光装置にも適用できる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。 [0174] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLと基板 Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用している力本発明は、特開平 6— 124873号公報、特開平 10— 303114号公報、米国特許第 5, 825, 043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

[0175] また、上述の各実施形態においては、露光装置 EXが、第 1液体 LQを介して露光処理及び計測処理を行う液浸露光装置である場合を例にして説明したが、第 1液体 LQを用いない、通常のドライ露光装置であってもよい。ドライ露光装置であっても、撥液性の表面を有する部材の表面エネルギーを減少させた!/、場合に、上述の各実施形態で説明した第 2液体 LCを用いたメンテナンスを実行できる。

[0176] 上述の各実施形態においては、投影光学系 PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきた力投影光学系 PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用すること力 Sできる。このように投影光学系 PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

[0177] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（CCD)、マイクロマシン、 MEMS, DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

[0178] なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン (又は位相パターン '減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いた力このマスクに代えて、例えば米国特許第 6, 778, 257号公報に開示されているように、露光すベきパターンの電子データに基づ!/、て透過パターン又は反射パターン、ある!/、は発光ノターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器： Spatial Light Modulator (SLM)とも呼ばれる）の一種である DMD (Digital Micro-mirror Device)などを含む）を用いてもよい。なお、 DMDを用いた露光装置は、例えば米国特許第 6,778,257号公報に開示されている。 [0179] また、例えば国際公開第 2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板 P上に形成することによって、基板 P上にライン 'アンド '·スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

[0180] また、例えば特表 2004— 519850号公報（対応米国特許第 6, 611 , 316号）に開示されているように、 2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、 1回の走査露光によって基板上の 1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。

[0181] なお、法令で許容される限りにおいて、上記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

また、上述の各実施形態の構成を適宜組み合わせてもよ!/、。

[0182] 以上のように、上記実施形態の露光装置 EXは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系につ!/、ては光学的精度を達成するための調整、各種機械系につ!/、ては機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたタリーンルームで行うことが望まし!/、。

[0183] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 14に示すように、マイクロデバイスの機能-性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した実施形態に従って、マスクのパターンを基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ 204、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む） 205、検査ステップ 206等を経て製造される。

Claims

請求の範囲

[I] 第 1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、前記露光装置は、前記第 1液体に対して撥液性の表面を有する部材を有し、前記部材の前記表面の一部を除去するメンテナンス方法。

[2] 前記部材の前記表面に第 2液体を供給することによって、前記部材の前記表面の一部を除去する請求項 1記載のメンテナンス方法。

[3] 前記部材の前記表面の一部を除去することは、前記部材の前記表面の一部を前記第 2液体で溶解することを含む請求項 1又は 2記載のメンテナンス方法。

[4] 前記第 2液体は、前記部材の前記表面の一部を溶解可能な物質を所定液体に溶解させたものである請求項 3記載のメンテナンス方法。

[5] 前記第 2液体は、フッ素を含有する溶剤を含む請求項 2〜4のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

[6] 前記第 2液体は、アルコールに前記溶剤を溶解させたものである請求項 5記載のメンテナンス方法。

[7] 前記部材に供給された前記第 2液体を回収する請求項 2〜6の!/、ずれか一項記載のメンテナンス方法。

[8] 前記露光光の照射によって前記部材の表面エネルギーが増大した後、前記部材の前記表面の一部を除去する請求項 1〜7のいずれか一項記載のメンテナンス方法

〇

[9] 前記部材の前記表面の一部を除去することによって、前記部材の表面エネルギーを減少する請求項 1〜8のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

[10] 前記部材の前記表面の一部を除去することによって、前記部材の表面の撥液性を回復する請求項 1〜9のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

[I I] 前記部材の前記表面は、フッ素を含む材料の膜の表面を含む請求項;!〜 10のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

[12] 前記部材の前記表面の一部は、前記部材の表層を含む請求項;!〜 11のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

[13] 前記部材の前記表面の一部の除去は、前記部材の前記表面の全域において行われる請求項;!〜 12の!/、ずれか一項記載のメンテナンス方法。

[14] 第 1液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、

前記露光光が照射可能な位置に配置され、前記第 1液体に対して撥液性を有する部材の表面に前記露光光を照射することと、

前記部材の前記表面の一部を除去することと、を含む露光方法。

[15] 前記部材を透過、又は前記部材で反射した露光光を受光して、所定の計測を実行し、

前記計測結果に基づ!/、て、前記基板が露光される請求項 14記載の露光方法。

[16] 前記部材の前記表面の一部を除去することは、前記部材の前記表面に第 2液体を供給することによって、前記部材の前記表面の表層を溶解することを含む請求項 14 又は 15記載の露光方法。

[17] 請求項 14〜； 16のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。

[18] 第 1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、

前記露光光が照射可能な位置に移動可能であり、前記第 1液体に対して撥液性の表面を有する部材と、

前記部材の表層を除去する第 2液体を、前記部材の前記表面に供給する供給口と、を備えた露光装置。

[19] 前記第 2液体を供給することによって、前記部材の表面エネルギーを減少する請求項 13記載の露光装置。

[20] 前記第 2液体は、アルコールにフッ素を含有する溶剤を溶解させたものである請求項 18又は 19記載の露光装置。

[21] 前記供給口から供給された前記第 2液体で前記部材との間に液浸空間を形成可能な第 1液浸部材を備えた請求項 18〜20のいずれか一項記載の露光装置。

[22] 前記第 1液浸部材は、前記基板の露光時に、前記露光光の光路空間を前記第 1液体で満たすように、前記基板との間に前記第 1液体で液浸空間を形成する請求項 21 記載の露光装置。

[23] 前記第 1液浸部材と離れた位置に配置され、前記基板の露光時に、前記露光光の光路空間を前記第 1液体で満たすように、前記基板との間に前記第 1液体で液浸空間を形成する第 2液浸部材を備えた請求項 21記載の露光装置。

[24] 前記第 1液浸部材によって前記第 2液体で液浸空間を形成することと、

前記第 2液浸部材によって前記第 1液体で液浸空間を形成することとが並行して実行される請求項 23記載の露光装置。

[25] 前記第 1液浸部材と前記部材との間に前記第 2液体で前記液浸空間を形成した状態で、前記第 1液浸部材と前記部材とを相対的に移動する請求項 2；!〜 24のいずれか一項記載の露光装置。

[26] 前記供給口より前記部材に供給された前記第 2液体を回収する回収口を備えた請求項 18〜25いずれか一項記載の露光装置。

[27] 第 1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、

前記部材の前記表面の一部を除去する除去装置と、を備えた露光装置。

[28] 前記除去装置は、前記部材の前記表面の一部を除去する第 2液体を前記部材の前記表面に供給可能な供給口を有する請求項 27記載の露光装置。

[29] 前記除去装置は、前記部材の前記表面の一部を前記第 2液体で溶解する請求項

28記載の露光装置。

[30] 前記除去装置は、前記部材の前記表面の一部を除去することによって、前記部材の表面エネルギーを減少する請求項 27〜29のいずれか一項記載の露光装置。

[31] 前記除去装置は、前記部材の前記表面の一部を除去することによって、前記部材の表面の撥液性を回復する請求項 27〜30のいずれか一項記載の露光装置。

[32] 前記部材の前記表面の撥液性の劣化を検出する検出装置を含み、

前記検出装置の検出結果に基づレ、て、前記除去装置を使って前記部材の前記表面の一部を除去するか否か決定する請求項 31記載の露光装置。

[33] 前記部材の前記表面は、フッ素を含む材料の膜の表面を含む請求項 18〜32のいずれか一項記載の露光装置。

[34] 前記露光光を射出する光射出面を有する光学部材を備え、前記部材は、前記光学部材の光射出面と対向する位置を含む所定領域内で移動可能である請求項 18〜33のいずれか一項記載の露光装置。

[35] 前記部材は、露光に関する計測を実行可能な計測器を搭載して移動可能な計測ステージの少なくとも一部を含む請求項 34記載の露光装置。

[36] 前記部材は、前記計測ステージにリリース可能に保持される請求項 35記載の露光装置。

[37] 前記部材は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージの少なくとも一部を含む請求項 34〜36の!/、ずれか一項記載の露光装置。

[38] 前記部材は、前記基板ステージにリリース可能に保持される請求項 37記載の露光装置。

[39] 前記部材は、前記基板ステージに保持された前記基板の周囲に平坦部を形成する請求項 37又は 38記載の露光装置。

[40] 前記部材は、前記露光光が照射される計測部材を含む請求項 34〜39のいずれか一項記載の露光装置。

[41] 請求項 18〜39のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。