JP4888388B2 - 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4888388B2 JP4888388B2 JP2007512863A JP2007512863A JP4888388B2 JP 4888388 B2 JP4888388 B2 JP 4888388B2 JP 2007512863 A JP2007512863 A JP 2007512863A JP 2007512863 A JP2007512863 A JP 2007512863A JP 4888388 B2 JP4888388 B2 JP 4888388B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- exposure
- measurement
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Description
本願は、2005年3月31日に出願された特願2005−103644号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
露光装置EXの一実施形態について図1を参照しながら説明する。図1は露光装置EXの一実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHと、基板Pを保持した基板ホルダPHを移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。制御装置CONTには、露光処理に関する各種情報を記憶した記憶装置MRYが接続されている。更に露光装置EXは、露光条件として、投影光学系PLの結像特性(光学特性)を決定するための計測を行う空間像計測装置60を備えている。空間像計測装置60は、投影光学系PLの像面側に配置されたスリット部61を有するスリット板65と、光電変換素子からなる受光素子73と、スリット板65を通過した光を受光素子73に導く光学系74とを備えている。受光素子73は、スリット板65及び光学系74を介して投影光学系PLを通過した光(露光光EL)を受光する。
液浸領域LRを形成する液体LQの圧力は、第1光学素子LS1と対向して配置され、液体LQに接触する物体の液体接触面の液体LQとの接触角に応じて変化する。例えば、物体の液体接触面の液体LQとの接触角が大きい場合、換言すれば、物体の液体接触面が撥液性である場合、その物体に接触する液浸領域LRの液体LQの圧力は高くなりやすい。一方、物体の液体接触面の液体LQとの接触角が小さい場合、換言すれば、物体の液体接触面が親液性である場合、その物体に接触する液浸領域LRの液体LQの圧力は低くなりやすい。したがって、液浸領域LRの液体LQの圧力を変化させながらテスト露光を行うために、液体LQとの接触角が互いに異なる膜(液体接触面)Fを有する複数のテスト基板Ptのそれぞれを液浸露光すればよい。この場合、テスト基板Ptの液体接触面を形成する膜は、感光剤(レジスト)であってもよいし、感光剤の保護などに使用される保護膜(トップコート膜)であってもよい。
なお、本実施形態においては、複数のテスト基板Ptを液体LQの圧力条件を変えて露光しているが、一つのテスト基板Pt上の複数の異なる領域を、液体LQの圧力条件を変えて露光するようにしてもよい。
第2実施形態について図6を参照しながら説明する。本実施形態の特徴的な部分は、露光装置EXが、光路空間K1に満たされた液体LQの圧力を調整可能な圧力調整機構90を備えている点にある。以下の説明において上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
なお、上述の実施形態においては、計測実行時の液体LQの圧力と基板Pの露光時の液体LQの圧力との差を考慮して、パターン像の結像状態を調整し、基板Pを露光するようにしているが、計測実行時の液体LQの圧力と基板Pの露光時の液体LQの圧力とに差が生じないようにしてもよい。
Claims (19)
- 液浸機構を用いて基板上に液浸領域を形成するとともに、該液浸領域の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板を露光する露光方法において、
前記基板の露光条件を決定するために、前記液浸機構を用いて計測部材上に液浸領域を形成するとともに、該液浸領域の液体を介して計測光を受光する計測を実行し、
前記計測時と前記露光時との前記液体の圧力差、及び前記計測結果に基づいて、前記基板を露光すること、を含み、
前記計測部材の表面における前記液体の接触角と、前記基板の表面における前記液体との接触角とは互いに異なる露光方法。 - 前記液体の圧力差、及び前記計測結果を考慮して、前記基板上に投影されるパターン像の結像状態が調整され、該結像状態が調整されたパターン像で前記基板を露光する請求項1記載の露光方法。
- 前記露光光は投影光学系を介して前記基板上に照射され、
前記投影光学系を調整することによって、前記パターン像の結像状態が調整される請求項2記載の露光方法。 - 前記計測の結果に基づいて、前記基板を露光するための露光条件を求め、
前記圧力差に基づいて前記露光条件を補正して、該補正された露光条件の下で前記基板が露光される請求項1記載の露光方法。 - 前記露光条件の補正量と前記圧力差との関係が予め求められている請求項4記載の露光方法。
- 前記露光条件は、前記基板上にパターン像を投影する投影光学系の結像特性を含む請求項4又は5記載の露光方法。
- 前記液体の圧力を変化させながら前記計測を実行し、
前記露光時の液体の圧力に対応する計測結果に基づいて前記基板を露光する請求項1〜6のいずれか一項記載の露光方法。 - 前記露光時に、前記液体は、前記露光光が通過する光学部材と前記基板との間に保持され、
前記計測時に、前記液体は、前記光学部材と前記計測部材との間に保持され、
前記液体の圧力によって、前記光学部材が変動する請求項1〜7のいずれか一項記載の露光方法。 - 前記液体の圧力差に関する情報を得るために、前記計測時及び前記露光時における前記液体の圧力をそれぞれ検出する請求項1〜8のいずれか一項記載の露光方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
- 基板上に液浸領域を形成するとともに、該液浸領域の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板を露光する露光装置において、
物体上に液浸領域を形成する液浸機構と、
計測部材を有し、前記液浸機構を用いて前記計測部材上に形成された液浸領域の液体を介して計測光を受光して、前記基板の露光条件を決定するための計測を行う計測装置と、
前記液浸機構を用いて前記基板上に液浸領域を形成するとともに、前記計測装置で計測された計測結果と、前記計測時と前記露光時との前記液体の圧力差とに基づいて、前記基板を露光する露光制御装置と、を備え、
前記計測部材の表面における前記液体の接触角と、前記基板の表面における前記液体との接触角とは互いに異なる露光装置。 - 前記露光光が通過する投影光学系と、
前記投影光学系の結像特性を調整する調整装置とを備え、
前記露光制御装置は、前記計測装置で計測された計測結果と、前記計測時と前記露光時との前記液体の圧力差とに基づいて、前記調整装置を制御する請求項11記載の露光装置。 - 前記液体の圧力差を求めるために、前記計測時及び前記露光時のそれぞれにおいて前記液体の圧力を検出する圧力センサを備えた請求項11又は12記載の露光装置。
- 前記液体の圧力を調整するための圧力調整機構をさらに備え、
前記圧力調整機構を使って前記液体の圧力を変化させながら前記計測装置による計測が実行される請求項11〜13のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記露光制御装置は、前記計測装置の計測結果に基づいて決定された露光条件を前記圧力差に基づいて補正し、該補正された露光条件の下で前記基板を露光する請求項11〜14のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記露光条件の補正量と前記圧力差との関係を記憶した記憶装置を更に備えた請求項15記載の露光装置。
- 前記基板を保持する基板ステージ上に配置された基準マークに対して液体を介して計測光を照射することにより前記基準マークの位置情報を取得することをさらに含む請求項11〜16のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記物体に配置された基準マークに対して液体を介して計測光を照射することにより前記基準マークの位置情報を取得する位置計測系をさらに備える請求項11〜17のいずれか一項記載の露光装置。
- 請求項11〜18のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007512863A JP4888388B2 (ja) | 2005-03-31 | 2006-03-30 | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005103644 | 2005-03-31 | ||
JP2005103644 | 2005-03-31 | ||
PCT/JP2006/306682 WO2006106836A1 (ja) | 2005-03-31 | 2006-03-30 | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2007512863A JP4888388B2 (ja) | 2005-03-31 | 2006-03-30 | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011224400A Division JP2012009906A (ja) | 2005-03-31 | 2011-10-11 | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006106836A1 JPWO2006106836A1 (ja) | 2008-09-11 |
JP4888388B2 true JP4888388B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=37073392
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007512863A Expired - Fee Related JP4888388B2 (ja) | 2005-03-31 | 2006-03-30 | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2011224400A Pending JP2012009906A (ja) | 2005-03-31 | 2011-10-11 | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011224400A Pending JP2012009906A (ja) | 2005-03-31 | 2011-10-11 | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090047607A1 (ja) |
EP (1) | EP1865541A4 (ja) |
JP (2) | JP4888388B2 (ja) |
KR (1) | KR20070115863A (ja) |
WO (1) | WO2006106836A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8192474B2 (en) | 2006-09-26 | 2012-06-05 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Tissue treatment methods |
US9132031B2 (en) | 2006-09-26 | 2015-09-15 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Cooling device having a plurality of controllable cooling elements to provide a predetermined cooling profile |
US20080287839A1 (en) | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Juniper Medical, Inc. | Method of enhanced removal of heat from subcutaneous lipid-rich cells and treatment apparatus having an actuator |
US8523927B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-09-03 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | System for treating lipid-rich regions |
EP3056945B1 (en) * | 2007-07-18 | 2017-08-23 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
ES2693430T3 (es) | 2007-08-21 | 2018-12-11 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Monitorización del enfriamiento de células subcutáneas ricas en lípidos, como el enfriamiento de tejido adiposo |
US8603073B2 (en) | 2008-12-17 | 2013-12-10 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Systems and methods with interrupt/resume capabilities for treating subcutaneous lipid-rich cells |
WO2010127315A2 (en) | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Device, system and method of removing heat from subcutaneous lipid-rich cells |
KR20120113788A (ko) | 2010-01-25 | 2012-10-15 | 젤티크 애스세틱스, 인코포레이티드. | 상 변화 냉각제를 경유하여 피하 지질-풍부 세포로부터 열을 비침습성으로 제거하기 위한 가정용 어플리케이터 및 연관 디바이스, 시스템 및 방법 |
US8676338B2 (en) | 2010-07-20 | 2014-03-18 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Combined modality treatment systems, methods and apparatus for body contouring applications |
NL2009692A (en) | 2011-12-07 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US9844460B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-12-19 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Treatment systems with fluid mixing systems and fluid-cooled applicators and methods of using the same |
US9545523B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-01-17 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Multi-modality treatment systems, methods and apparatus for altering subcutaneous lipid-rich tissue |
WO2015117032A1 (en) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Zeltiq Aesthestic, Inc. | Treatment systems for treating glands by cooling |
US10675176B1 (en) | 2014-03-19 | 2020-06-09 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Treatment systems, devices, and methods for cooling targeted tissue |
USD777338S1 (en) | 2014-03-20 | 2017-01-24 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Cryotherapy applicator for cooling tissue |
US10952891B1 (en) | 2014-05-13 | 2021-03-23 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Treatment systems with adjustable gap applicators and methods for cooling tissue |
US10568759B2 (en) | 2014-08-19 | 2020-02-25 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Treatment systems, small volume applicators, and methods for treating submental tissue |
US10935174B2 (en) | 2014-08-19 | 2021-03-02 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Stress relief couplings for cryotherapy apparatuses |
WO2017070112A1 (en) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Vascular treatment systems, cooling devices, and methods for cooling vascular structures |
CN108472151B (zh) | 2016-01-07 | 2020-10-27 | 斯尔替克美学股份有限公司 | 在组织冷却期间施用器与皮肤之间的温度依赖性粘附 |
US10765552B2 (en) | 2016-02-18 | 2020-09-08 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Cooling cup applicators with contoured heads and liner assemblies |
US10682297B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-06-16 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Liposomes, emulsions, and methods for cryotherapy |
US10555831B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-02-11 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Hydrogel substances and methods of cryotherapy |
US11382790B2 (en) | 2016-05-10 | 2022-07-12 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Skin freezing systems for treating acne and skin conditions |
US11076879B2 (en) | 2017-04-26 | 2021-08-03 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Shallow surface cryotherapy applicators and related technology |
CA3107932A1 (en) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Zeltiq Aesthetics, Inc. | Methods, devices, and systems for improving skin characteristics |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004114380A1 (ja) * | 2003-06-19 | 2004-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005051215A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2006191079A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US4666273A (en) * | 1983-10-05 | 1987-05-19 | Nippon Kogaku K. K. | Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus |
JP2897355B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
CN1244018C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
DE69717975T2 (de) * | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands Bv | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
JPH1116816A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US6235438B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-05-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
US6897963B1 (en) * | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
US6819414B1 (en) * | 1998-05-19 | 2004-11-16 | Nikon Corporation | Aberration measuring apparatus, aberration measuring method, projection exposure apparatus having the same measuring apparatus, device manufacturing method using the same measuring method, and exposure method |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP1231514A1 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
WO2003065428A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information |
CN101382738B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-01-12 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
JP4595320B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR101101737B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
JP4232449B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4720106B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4770129B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2011-09-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TWI612557B (zh) * | 2003-05-23 | 2018-01-21 | Nikon Corp | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
JP2005026634A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Sony Corp | 露光装置および半導体装置の製造方法 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2006
- 2006-03-30 KR KR1020077005315A patent/KR20070115863A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-03-30 US US11/910,224 patent/US20090047607A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-30 EP EP06730630.8A patent/EP1865541A4/en not_active Withdrawn
- 2006-03-30 JP JP2007512863A patent/JP4888388B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-30 WO PCT/JP2006/306682 patent/WO2006106836A1/ja active Application Filing
-
2011
- 2011-10-11 JP JP2011224400A patent/JP2012009906A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004114380A1 (ja) * | 2003-06-19 | 2004-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005051215A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2006191079A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070115863A (ko) | 2007-12-06 |
US20090047607A1 (en) | 2009-02-19 |
EP1865541A4 (en) | 2017-06-14 |
EP1865541A1 (en) | 2007-12-12 |
JP2012009906A (ja) | 2012-01-12 |
JPWO2006106836A1 (ja) | 2008-09-11 |
WO2006106836A1 (ja) | 2006-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4888388B2 (ja) | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP6160681B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5273163B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 | |
JP4488006B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4802604B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP5239337B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2009105414A (ja) | 露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP4515209B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP4605219B2 (ja) | 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP4470433B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP4517354B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4565271B2 (ja) | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP4923480B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法、計測部材 | |
JP2007287824A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4715505B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4572539B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 | |
JP5375843B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JPWO2008075742A1 (ja) | メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP4706422B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2006310587A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010087532A (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110613 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111011 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4888388 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |