JPH1116816A - 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 - Google Patents

投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法

Info

Publication number
JPH1116816A
JPH1116816A JP9168406A JP16840697A JPH1116816A JP H1116816 A JPH1116816 A JP H1116816A JP 9168406 A JP9168406 A JP 9168406A JP 16840697 A JP16840697 A JP 16840697A JP H1116816 A JPH1116816 A JP H1116816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
transmittance
optical system
projection optical
system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9168406A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuaki Tanaka
康明 田中
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp, 株式会社ニコン filed Critical Nikon Corp
Priority to JP9168406A priority Critical patent/JPH1116816A/ja
Publication of JPH1116816A publication Critical patent/JPH1116816A/ja
Application status is Withdrawn legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. REMA
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70216Systems for imaging mask onto workpiece
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control, light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Abstract

(57)【要約】 【課題】 投影光学系の透過率変動によって発生する基
板上での照度変動(又はパルスエネルギー変動)に起因
した露光量の制御精度の劣化を防止した投影露光装置を
提供する。 【解決手段】 投影光学系PLに入射する紫外パルス光
ILの光量をインテグレータセンサ9を介して計測し、
投影光学系PLを透過した紫外パルス光ILの光量を照
射量モニタ32を介して計測し、透過光量を入射光量で
除算することによって投影光学系PLの透過率を算出す
る。この透過率を入射光量の積分値の関数として求めて
おき、露光時にはその関数にインテグレータセンサ9を
介して計測される入射光量の積分値を代入して投影光学
系PLの透過率を推定し、この透過率に応じて例えばエ
キシマレーザ光源1の出力を制御することで露光量を制
御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するた
めのリソグラフィ工程でマスクパターンを投影光学系を
介して基板上に転写するために使用される投影露光装
置、この投影露光装置を用いた露光方法、及びこの投影
露光装置を用いた回路デバイスの製造方法に関する。

【0002】

【従来の技術】半導体デバイスの集積度及び微細度の向
上に対応するため、半導体デバイスを製造するためのリ
ソグラフィ工程(代表的にはレジスト塗布工程、露光工
程、及びレジスト現像工程からなる)を担う露光装置に
おいては、解像力、及び転写忠実度等をより高めること
が要求されている。このように解像力、及び転写忠実度
を高めるためには、先ず基板としてのウエハ上に塗布さ
れたレジストを適正露光量で露光するための露光量制御
を高精度に行う必要がある。

【0003】現在、半導体デバイスの製造現場では、主
に水銀放電灯の輝線のうち波長365nmのi線を露光
用の照明光として、レチクルからウエハへの投影倍率が
1/5倍の縮小投影光学系を用いたステップ・アンド・
リピート方式の縮小投影露光装置(ステッパー)が多用
されている。また、ここ数年の動向として、ウエハ上に
形成される回路デバイスのサイズ(チップサイズ)の大
型化に伴って縮小投影光学系の投影視野が極端に大きく
なるのを避けるために、その投影光学系の物体面側の視
野内でレチクルを所定方向に等速走査しつつ、その投影
光学系の像面側の視野内でウエハを対応する方向に縮小
倍率と同じ速度比で等速走査することで、レチクルの回
路パターンの全体像をウエハ上の各領域に走査露光する
ステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装置も
注目されている。

【0004】従来の露光量制御では、投影光学系の露光
用の照明光に対する透過率は短時間には変動しないもの
として、例えば露光直前の或る時点で計測した投影光学
系の透過率を用いて、照明光学系内で分岐された照明光
の光量とその透過率とからウエハの表面での露光量を計
算していた。そして、ステッパーであれば、その計算さ
れる露光量の積算値が所定値となるように露光時間を制
御し、ステップ・アンド・スキャン方式であれば、その
計算される露光量が一定の値になるように光源の出力、
又は走査速度を制御していた。

【0005】

【発明が解決しようとする課題】最近では、露光波長を
短波長化して解像力をより高めるために、露光用の照明
光としてエキシマレーザ光源からの波長250nm程度
以下の紫外パルス光を用いたステップ・アンド・リピー
ト方式、及びステップ・アンド・スキャン方式の投影露
光装置が開発され、波長248nmのKrFエキシマレ
ーザ光源を使用した投影露光装置は製造ラインに本格的
に投入され始めている。更に、より短波長の波長193
nmの紫外パルス光を出力するArFエキシマレーザ光
源も開発されており、これは今後の露光用光源として有
望視されている。

【0006】このArFエキシマレーザ光源を露光光源
として用いる場合、その紫外パルス光の自然発振状態で
の波長帯域内には酸素の吸収帯が幾つか存在するため、
パルス光の波長特性をそれらの吸収帯を避けた波長に狭
帯化することが必要となる。更に、露光光源からレチク
ルまでの照明光路内やレチクルからウエハまでの投影光
路内に極力酸素が含まれないような環境にすること、即
ちそれらの照明光路や投影光路の大部分を不活性ガス
(窒素ガスやヘリウムガス等)で置換することも必要と
なる。そのようなArFエキシマレーザ光源を用いた投
影露光装置の一例は、例えば特開平6−260385号
公報、特開平6−260386号公報に開示されてい
る。

【0007】以上のようなエキシマレーザ光源からの紫
外パルス光(波長250nm程度以下)に対して所望の
透過率を有する実用的な光学硝材としては、現在の所、
石英(SiO2)とホタル石(蛍石:CaF2)との2つが知られ
ているだけである。もちろん、その他にフッ化マグネシ
ウムやフッ化リチウム等も知られているが、投影露光装
置用の光学硝材とするためには、加工性の問題、耐久性
の問題等を解決しておく必要がある。

【0008】これに関して、投影露光装置に搭載される
投影光学系としては、ジオプトリック系(屈折系)の他
に、屈折光学素子(レンズ素子)と反射光学素子(特に
凹面鏡)との組み合わせで構成したカタジオプトリック
系(反射屈折系)も使用されている。何れのタイプの投
影光学系を採用するにしても、屈折光学素子(透過性光
学素子)を使うことには変わりなく、現時点では屈折光
学素子として石英とホタル石との2種類の硝材を使わざ
るを得ない。更に屈折光学素子にしろ反射光学素子にし
ろ、その表面には反射防止膜や保護層等の多層膜が蒸着
され、光学素子単体としての性能が所定の状態になるよ
うに製造されている。ここで特に注目すべき性能は、レ
ンズ素子単体の透過率の絶対値、あるいは反射光学素子
単体の反射率の絶対値がどの程度大きく取れるかであ
る。

【0009】例えばレンズ素子単体の場合、一般に光の
入射面と射出面との2面の両方に反射防止膜等をコート
し、極力透過率を高めるように工夫されている。投影光
学系のように精密な結像光学系においては、各種の収差
特性を良好に補正するために使用するレンズ素子が20
〜30枚と多く、各レンズ素子の透過率が100%より
僅かに低いだけで投影光学系全体の透過率はかなり小さ
くなる。また、幾つかの反射光学素子を含む投影光学系
でも、各反射光学素子の反射率が低いときには投影光学
系全体の透過率も低くなる。

【0010】例えば、投影光学系の結像光路を構成する
レンズ素子が25枚の場合、それらレンズ素子の個々の
透過率を96%とすると、投影光学系全体としての透過
率εは約36%(≒0.9625×100)とかなり小さ
くなる。投影光学系の透過率が低い場合に、レチクルの
回路パターン像をウエハ上に露光するための照明光の強
度(エネルギー)の増大を図るか、又はより感度の高い
紫外線用レジストを使用するかの対策を取らないと、露
光時間の増大によってスループットが低下する。そこ
で、投影露光装置側で実現可能な対策として、より高出
力なエキシマレーザ光源を用意することが考えられる。

【0011】ところが、エキシマレーザ光源を用いた比
較的フィールドサイズの大きい投影露光装置によって各
種の露光実験をしたところ、紫外波長域の照明光(Kr
Fエキシマレーザ光、又はArFエキシマレーザ光等)
の照射によって、短時間の間に投影光学系内の光学素
子、あるいは光学素子のコート材(例えば反射防止膜等
の薄膜)の透過率がダイナミックに変動するといった新
たな現象が発見された。この現象は、投影光学系内の光
学素子のみならず、レチクルを照明する照明光学系の内
の光学素子や、レチクル(石英板)自体についても全く
同様に発生し得ることが分かってきた。

【0012】そのような現象は、投影光路内や照明光路
内の空間に存在する気体(空気、窒素ガス等)中に含ま
れる不純物、光学素子を鏡筒に固定するための接着剤等
から発生する有機物質の分子、或いはその鏡筒の内壁
(反射防止用の塗装面等)から発生する不純物(例えば
水分子、炭化水素の分子、又はこれら以外の照明光を拡
散する物質)が光学素子の表面に付着したり照明光路内
に進入(浮遊)することで起こるものと考えられてい
る。その結果、投影光学系の透過率や照明光学系の透過
率が比較的大きく変動するといった不都合が生じる。

【0013】例えば上記のレンズ素子が25枚で透過率
εが約36%の投影光学系で、レンズ素子単体の透過率
が仮に一律に1%だけ低下したとすると、投影光学系全
体の透過率εは約27.7%(≒0.9525×100)
に低下してしまう。このような透過率の変動は、ウエハ
上に与えるべき露光量を適正値から異ならせ、ウエハ上
に転写される設計線幅0.25〜0.18μm程度の微
細パターンの転写忠実度を劣化させる恐れがある。従来
の投影露光装置では、例えば特開平2−135723号
公報に開示されているように、照明光学系の光路内の所
定の位置で照明光の光強度を検出し、その光強度に基づ
いて適正露光量が得られるようにエキシマレーザ光源か
らのパルス光の強度(1パルス当たりのエネルギー)を
調整している。このため従来の投影露光装置では、露光
量制御のために照明光の強度を検出している照明光路内
の部分以降の照明光学系や投影光学系の透過率変動が全
く加味されず、正確な露光量制御ができなくなる恐れが
あった。

【0014】また、投影光学系に対する紫外パルス光の
照射を停止した場合には、次第にその投影光学系の透過
率が回復(変動)するという現象も見いだされている。
このような場合に、再び紫外パルス光の照射を開始して
露光を再開すると、投影光学系の透過率が変動している
ため、正確な露光量制御が困難になる恐れがある。本発
明は斯かる点に鑑み、投影光学系の透過率変動によって
発生する基板上での照度変動(又はパルスエネルギー変
動)に起因した露光量の制御精度の劣化を防止した投影
露光装置を提供することを第1の目的とする。

【0015】更に本発明は、そのような投影露光装置を
用いて良好な露光量制御精度が得られる露光方法を提供
することを第2の目的とする。更に本発明は、そのよう
な投影露光装置を用いて高い転写忠実度で回路パターン
を基板上に形成できる回路デバイスの製造方法を提供す
ることを第3の目的とする。

【0016】

【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、マスク(R)に形成されたパターンを紫外域の所
定の露光エネルギービームで照射する照射系(1〜1
9)と、そのマスクのパターンの像を基板(W)上に投
影する投影光学系(PL)と、を備えた投影露光装置に
おいて、投影光学系(PL)に対する入射エネルギー量
を計測する入射エネルギー量計測系(9)と、この入射
エネルギー量計測系の計測値を積算してその投影光学系
に対する総入射エネルギー量を求める入射エネルギー量
積算系(64)と、その投影光学系からの射出エネルギ
ー量を計測する射出エネルギー量計測系(32)と、入
射エネルギー量計測系(9)、入射エネルギー量積算系
(64)、及び射出エネルギー量計測系(32)の計測
結果に基づいて算出されるその投影光学系の透過率のそ
の総入射エネルギー量に対する変化率を記憶する透過率
特性記憶部(68)と、この透過率特性記憶部に記憶さ
れている透過率の変化率、及び入射エネルギー量積算系
(64)の出力に基づいて逐次その投影光学系の透過率
を算出する演算系(67)と、この演算系によって算出
される透過率に応じてその照射系からその投影光学系を
介してその基板上に照射されるその露光エネルギービー
ムの露光量を制御する露光量制御系(1,69;22,
25,27)と、を設けたものである。

【0017】斯かる本発明によれば、予め露光エネルギ
ービームの総入射エネルギーに対して投影光学系の透過
率変化を計測して記憶しておき、実際の露光時には露光
開始、即ち露光エネルギービームの照射開始時から投影
光学系に入射するエネルギーを計測しつつ、先に記憶し
ておいた透過率変化に当てはめることによって、ほぼリ
アルタイムで高精度に投影光学系の透過率が推定でき
る。その透過率の変化を相殺するように露光量を制御す
ることによって、投影光学系の透過率変動によって発生
する基板上での照度変動(又はパルスエネルギー変動)
に起因した露光量の制御精度の劣化が防止できる。

【0018】この場合、透過率特性記憶部(68)は、
その投影光学系の透過率のその総入射エネルギー量に対
する変化率の他に、その露光エネルギービームの照射を
中断した後の経過時間に対するその投影光学系の透過率
の変化率を記憶し、演算系(67)は、透過率特性記憶
部(68)に記憶されている透過率の2種類の変化率、
入射エネルギー量積算系(9)の出力、及びその露光エ
ネルギービームの照射を中断した後の経過時間に基づい
て逐次その投影光学系の透過率を算出することが望まし
い。これによって、露光エネルギービームの照射の中断
後に投影光学系の透過率がすぐに十分回復しない場合で
も、高精度に投影光学系の透過率の変化を推定できる。

【0019】また、マスク及び基板をそれぞれ移動する
ステージ系(20A,20B,24)を備え、露光時に
そのステージ系を介してそのマスク及びその基板をその
投影光学系に対して相対的に同期走査してもよい。これ
は本発明を走査露光方式の投影露光装置に適用したこと
を意味する。この場合、露光量を制御するためには、露
光光源の出力を制御する他に、走査速度を制御してもよ
い。

【0020】また、本発明の露光方法は、その投影露光
装置を用いた露光方法であって、その投影光学系の透過
率を計測する際に、そのステージ系を介して実際の露光
時と同様にそのマスクをその投影光学系に対して走査し
ながら、入射エネルギー量計測系(9)、及び射出エネ
ルギー量計測系(32)による計測値を取り込み、この
ように取り込まれた計測値をそのマスクのパターン存在
率(又はパターン透過率)で補正することによってその
投影光学系の透過率を算出し、その基板に対する露光時
に、そのマスクのパターン存在率で補正して得られる透
過率に基づいてその基板に対するその露光エネルギービ
ームの露光量を制御することが望ましい。これによっ
て、マスクのパターン存在率(パターン透過率)の影響
で投影光学系の透過率が誤計測されることが防止され
る。

【0021】また、本発明の回路デバイスの製造方法
は、本発明の投影露光装置を用いて所定の回路デバイス
を製造するための回路デバイスの製造方法であって、そ
の基板上に感光材料を塗布する第1工程(ステップ17
3)と、透過率特性記憶部(68)に記憶されている透
過率の変化率、及び入射エネルギー量積算系(9)の出
力に基づいて演算系(68)を介して逐次その投影光学
系の透過率を算出し、このように算出される透過率に応
じてその露光量制御系によってその照射系からその投影
光学系を介してその基板上に照射されるその露光エネル
ギービームの露光量を制御しながら、そのマスクのパタ
ーン像をその基板上の各ショット領域に露光する第2工
程(ステップ174)と、その基板の現像を行う第3工
程(ステップ175)と、この現像後のその基板上の各
ショット領域にそれぞれ回路パターンを形成する第4工
程(ステップ176)と、を有するものである。この場
合、露光工程で適正な露光量が得られるため、回路パタ
ーンの転写忠実度が向上する。

【0022】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
につき図面を参照して説明する。本例は、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の投影露光装置で露光を行う場合に
本発明を適用したものである。図1は、本例の投影露光
装置の概略構成を示し、この図1において、ArFエキ
シマレーザ光源1からの波長193nmで狭帯化された
露光光としての紫外パルス光ILは、露光装置本体との
間で光路を位置的にマッチングさせるための可動ミラー
等を含むビームマッチングユニット(BMU)3を通
り、遮光性のパイプ5を介して光アッテネータとしての
可変減光器6に入射する。ウエハ上のレジストに対する
露光量を制御するための露光制御ユニット30が、Ar
Fエキシマレーザ光源1の発光の開始及び停止、並びに
発振周波数、及びパルスエネルギーで定まる出力を制御
すると共に、可変減光器6における紫外パルス光に対す
る減光率を段階的、又は連続的に調整する。なお、露光
光としては、波長248nmのKrFエキシマレーザ
光、又はその他の波長250nm程度以下のレーザ光等
を使用する場合にも本発明が適用される。

【0023】可変減光器6を通った紫外パルス光IL
は、所定の光軸に沿って配置されるレンズ系7A,7B
よりなるビーム整形光学系を経てフライアイレンズ11
に入射する。このように、本例ではフライアイレンズ1
1は1段であるが、照度分布均一性を高めるために、例
えば特開平1−235289号公報に開示されているよ
うに、フライアイレンズを直列に2段配置するようにし
てもよい。フライアイレンズ11の射出面には照明系の
開口絞り系12が配置されている。開口絞り系12に
は、通常照明用の円形の開口絞り、複数の偏心した小開
口よりなる変形照明用の開口絞り、輪帯照明用の開口絞
り等が切り換え自在に配置されている。フライアイレン
ズ11から射出されて開口絞り系12中の所定の開口絞
りを通過した紫外パルス光ILは、透過率が高く反射率
が低いビームスプリッタ8に入射する。ビームスプリッ
タ8で反射された紫外パルス光は、光電検出器よりなる
インテグレータセンサ9に入射し、インテグレータセン
サ9の検出信号は露光制御ユニット30に供給されてい
る。

【0024】ビームスプリッタ8の透過率、及び反射率
は予め高精度に計測されて、露光制御ユニット30内の
メモリに記憶されており、露光制御ユニット30は、イ
ンテグレータセンサ9の検出信号より間接的に投影光学
系PLに対する紫外パルス光ILの入射光量、及びその
積分値をモニタできるように構成されている。なお、投
影光学系PLに対する入射光量をモニタするためには、
図1中に2点鎖線で示すように、例えばレンズ系7Aの
前にビームスプリッタ8Aを配置し、このビームスプリ
ッタ8Aからの反射光を光電検出器9Aで受光し、光電
検出器9Aの検出信号を露光制御ユニット30に供給す
るようにしてもよい。

【0025】ビームスプリッタ8を透過した紫外パルス
光ILは、コンデンサレンズ系14を経てレチクルブラ
インド機構16内の固定照明視野絞り(固定ブライン
ド)15Aに入射する。固定ブラインド15Aは、例え
ば特開平4−196513号公報に開示されているよう
に、投影光学系PLの円形視野内の中央で走査露光方向
と直交した方向に直線スリット状、又は矩形状(以下、
まとめて「スリット状」と言う)に伸びるように配置さ
れた開口部を有する。更に、レチクルブラインド機構1
6内には、固定ブラインド15Aとは別に照明視野領域
の走査露光方向の幅を可変とするための可動ブラインド
15Bが設けられ、この可動ブライント15Bによって
レチクルステージの走査移動ストロークの低減、レチク
ルRの遮光帯の幅の低減を図っている。可動ブラインド
15Bの開口率の情報は露光制御ユニット30にも供給
され、インテグレータセンサ9の検出信号から求められ
る入射光量にその開口率を乗じた値が、投影光学系PL
に対する実際の入射光量となる。

【0026】レチクルブラインド機構16の固定ブライ
ンド15Aでスリット状に整形された紫外パルス光IL
は、結像用レンズ系17、反射ミラー18、及び主コン
デンサレンズ系19を介して、レチクルRの回路パター
ン領域上で固定ブラインド15Aのスリット状の開口部
と相似な照明領域を一様な強度分布で照射する。即ち、
固定ブラインド15Aの開口部、又は可動ブラインド1
5Bの開口部の配置面は、結像用レンズ系17と主コン
デンサレンズ系19との合成系によってレチクルRのパ
ターン面とほぼ共役となっている。

【0027】紫外パルス光ILのもとで、レチクルRの
照明領域内の回路パターンの像が両側テレセントリック
な投影光学系PLを介して所定の投影倍率β(βは例え
ば1/4,1/5等)で、投影光学系PLの結像面に配
置されたウエハW上のレジスト層のスリット状の露光領
域に転写される。その露光領域は、ウエハ上の複数のシ
ョット領域のうちの1つのショット領域上に位置してい
る。本例の投影光学系PLは、ジオプトリック系(屈折
系)であるが、カタジオプトリック系(反射屈折系)も
使用できることは言うまでもない。以下、投影光学系P
Lの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内
で走査方向(ここでは図1の紙面に平行な方向)にX軸
を取り、走査方向に直交する非走査方向(ここでは図1
の紙面に垂直な方向)にY軸を取って説明する。

【0028】このとき、レチクルRは、レチクルステー
ジ20A上に吸着保持され、レチクルステージ20A
は、レチクルベース20B上にX方向に等速移動できる
と共に、X方向、Y方向、回転方向に微動できるように
載置されている。レチクルステージ20A(レチクル
R)の2次元的な位置、及び回転角は駆動制御ユニット
22内のレーザ干渉計によってリアルタイムに計測され
ている。この計測結果、及び装置全体の動作を統轄制御
するコンピュータよりなる主制御系27からの制御情報
に基づいて、駆動制御ユニット22内の駆動モータ(リ
ニアモータやボイスコイルモータ等)は、レチクルステ
ージ20Aの走査速度、及び位置の制御を行う。

【0029】一方、ウエハWは、ウエハホルダWHを介
してZチルトステージ24Z上に吸着保持され、Zチル
トステージ24Zは、投影光学系PLの像面と平行なX
Y平面に沿って2次元移動するXYステージ24XY上
に固定され、Zチルトステージ24Z及びXYステージ
24XYよりウエハステージ24が構成されている。Z
チルトステージ24Zは、ウエハWのフォーカス位置
(Z方向の位置)、及び傾斜角を制御してウエハWの表
面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式
で投影光学系PLの像面に合わせ込み、XYステージ2
4XYはウエハWのX方向への等速走査、及びX方向、
Y方向へのステッピングを行う。Zチルトステージ24
Z(ウエハW)の2次元的な位置、及び回転角は駆動制
御ユニット25内のレーザ干渉計によってリアルタイム
に計測されている。この計測結果及び主制御系27から
の制御情報に基づいて、駆動制御ユニット25内の駆動
モータ(リニアモータ等)は、XYステージ24XYの
走査速度、及び位置の制御を行う。ウエハWの回転誤差
は、主制御系27及び駆動制御ユニット22を介してレ
チクルステージ20Aを回転することで補正される。

【0030】主制御系27は、レチクルステージ20
A、及びXYステージ24XYのそれぞれの移動位置、
移動速度、移動加速度、位置オフセット等の各種情報を
駆動制御ユニット22及び25に送る。そして、走査露
光時には、レチクルステージ20Aを介して紫外パルス
光ILの照明領域に対してレチクルRが+X方向(又は
−X方向)に速度Vrで走査されるのに同期して、XY
ステージ24XYを介してレチクルRのパターン像の露
光領域に対してウエハWが−X方向(又は+X方向)に
速度β・Vr(βはレチクルRからウエハWへの投影倍
率)で走査される。

【0031】また、主制御系27は、上述のレチクルブ
ラインド機構16内に設けられている可動ブラインド1
6Bの各ブレードの移動を走査露光時のレチクルステー
ジ20Aの移動と同期するための制御を行う。更に主制
御系27は、ウエハW上の各ショット領域のレジストを
適正露光量で走査露光するための各種露光条件を設定し
て、露光制御ユニット30とも連携して最適な露光シー
ケンスを実行する。即ち、ウエハW上の1つのショット
領域への走査露光開始の指令が主制御系27から露光制
御ユニット30に発せられると、露光制御ユニット30
はArFエキシマレーザ光源1の発光を開始すると共
に、インテグレータセンサ9を介して投影光学系PLに
対する入射光量の積分値を算出する。その積分値は走査
露光開始時に0にリセットされている。そして、露光制
御ユニット30では、後述のようにその入射光量の積分
値より投影光学系PLの透過率を逐次算出し、この透過
率に応じて、走査露光後のウエハW上のレジストの各点
で適正露光量が得られるように、ArFエキシマレーザ
光源1の出力(発振周波数、及びパルスエネルギー)及
び可変減光器6の減光率を制御する。そして、当該ショ
ット領域への走査露光の終了時に、ArFエキシマレー
ザ光源1の発光が停止される。

【0032】また、本例のZチルトステージ24Z上の
ウエハホルダWHの近傍には光電検出器よりなる照射量
モニタ32が設置され、照射量モニタ32の検出信号も
露光制御ユニット30に供給されている。照射量モニタ
32は、投影光学系PLによる露光領域の全体を覆う大
きさの受光面を備え、XYステージ24XYを駆動して
その受光面を投影光学系PLの露光領域を覆う位置に設
定することで、投影光学系PLを通過した紫外パルス光
ILの光量を計測できる。本例では、インテグレータセ
ンサ9及び照射量モニタ32の検出信号を用いて投影光
学系PLの透過率を計測する。なお、照射量モニタ32
の代わりに、その露光領域内での光量分布を計測するた
めのピンホール状の受光部を有する照度むらセンサを使
用してもよい。

【0033】本例ではArFエキシマレーザ光源1を用
いているため、パイプ5内から可変減光器6、レンズ系
7A,7B、更にフライアイレンズ11〜主コンデンサ
レンズ系19までの各照明光路を外気から遮断するサブ
チャンバ35が設けられ、そのサブチャンバ35内の全
体には配管36を通して酸素含有率を極めて低く抑えた
乾燥窒素ガス(N2)が供給される。同様に、投影光学系
PLの鏡筒内部の空間(複数のレンズ素子間の空間)の
全体にも配管37を介して乾燥窒素ガスが供給される。

【0034】その乾燥窒素ガスの供給は、サブチャンバ
35や投影光学系PLの鏡筒の気密性が高い場合は、一
度大気との完全な置換が行われた後はそれ程頻繁に行う
必要はない。しかしながら、光路内に存在する各種の物
質(硝材、コート材、接着剤、塗料、金属、セラミック
ス等)から生じる水分子や炭化水素分子等が光学素子の
表面に付着して起こる透過率変動を考慮すると、温度制
御された窒素ガスを光路内で強制的にフローさせつつ、
ケミカルフィルタや静電フィルタによってそれらの不純
物分子を除去していくことも必要である。

【0035】次に、本例の投影露光装置における投影光
学系PLの透過率計測系につき図2を参照して説明す
る。投影光学系PLの透過率計測を行う場合には、図2
に示すように、XYステージ24XYを駆動して照射量
モニタ32の受光面が投影光学系PLの露光領域に設定
される。そして、ArFエキシマレーザ光源1のパルス
発光が開始されて、ビームスプリッタ8に入射する紫外
パルス光ILの一部が反射されて、紫外パルス光IL1
としてインテグレータセンサ9に入射する。これと共
に、投影光学系PLを通過した紫外パルス光IL2は、
照射量モニタ32に入射し、インテグレータセンサ9の
検出信号、及び照射量モニタ32の検出信号は並列に露
光制御ユニット30に取り込まれる。

【0036】図2において、インテグレータセンサ9の
検出信号は、露光制御ユニット30内でピークホールド
(P/H)回路61、及びアナログ・デジタル変換器
(以下、「ADC」と呼ぶ)62を介して入射エネルギ
Eiとして直接透過率計算部63、及び入射光量積分部
64に供給されている。直接透過率計算部63、入射光
量積分部64、及び後述の透過率演算部67、制御部6
9は、本例ではそれぞれマイクロプロセッサによって実
行されるソフトウェア上の機能を表すものであるが、そ
れらの機能をそれぞれハードウェアで実現してもよいこ
とは言うまでもない。

【0037】一方、照射量モニタ32の検出信号は、露
光制御ユニット30内でピークホールド回路65、及び
ADC66を介して透過エネルギEoとして直接透過率
計算部63に供給されている。直接透過率計算部63で
は、透過エネルギーEoを入射エネルギーEiで除算し
て投影光学系PLの透過率T(=Eo/Ei)を算出
し、算出した透過率Tを透過率演算部67に供給する。
また、入射光量積分部64では、入射する紫外パルス光
毎に入射エネルギーEiを積分(積算)して入射総エネ
ルギーeを算出し、算出した入射総エネルギーeを透過
率演算部67に供給する。入射総エネルギーeは、パル
ス発光の開始直前に0にリセットされている。透過率演
算部67は、供給される透過率Tを供給される入射総エ
ネルギーeの関数(2次以上の高次関数、又は指数関数
等)T(e)で近似し、この関数T(e)をメモリ68
に格納する。そして、露光時に透過率演算部67は、入
射光量積分部64から供給される入射総エネルギーeを
そのメモリ68から読み出された関数T(e)に代入す
ることによって現在の投影光学系PLの透過率T(no
w)を求め、この透過率T(now)を制御部69に供
給する。不図示であるが、制御部69には、ADC62
からの入射エネルギーEiも供給されており、制御部6
9では、その入射エネルギーEi、及び透過率T(no
w)を用いてウエハW上のレジストの各点での紫外パル
ス光の露光量が適正露光量となるようにArFエキシマ
レーザ光源1の出力、及び可変減光器6における減光率
を制御する。

【0038】次に、本例において投影光学系PLの透過
率の変化を計測し、その計測結果に基づいて露光量制御
を行いながら走査露光を行う場合の動作につき、図3の
フローチャートを参照して説明する。その透過率の計測
は、例えば投影露光装置の稼働開始時や露光動作開始時
等に行われる。先ず、図3のステップ101において、
図2に示すように、照射量モニタ32の受光面が投影光
学系PLの露光領域に設定され、固定ブラインド15A
及び可動ブラインド15Bの総合的な開口率が100%
に設定される。この例では、投影光学系PLに対する入
射エネルギーの最大値と透過率との関係を求めるのが目
的であるため、レチクルRがレチクルステージ20Aか
ら取り外され、レチクルステージ20Aの走査も行われ
ない。そして、ArFエキシマレーザ光源1のパルス発
光が開始される。

【0039】それに続くステップ102において、図2
の露光制御ユニット30ではインテグレータセンサ9及
び照射量モニタ32の出力信号を並列に取り込むことに
よって、投影光学系PLに実際に入射するエネルギーに
対応する入射エネルギーEi、及び投影光学系PLを実
際に通過するエネルギーに対応する透過エネルギーEo
が生成される。そして、パルス発光毎に、図2の入射光
量積分部64では、入射エネルギーEiを積分してそれ
までの入射総エネルギーeを算出し、直接透過率計算部
63では透過率T(=Eo/Ei)を算出する。この動
作は計測終了までパルス発光毎に連続的に実行される。
なお、露光光が連続光であれば、ピークホールド回路6
1,65の変わりにサンプルホールド回路を使用して、
入射光量積分部64では検出信号を所定のサンプリング
レートで順次積算すればよく、直接透過率計算部63で
は所定の時間間隔で透過率Tを算出すればよい。

【0040】次に、ステップ103において、露光制御
ユニット30内の透過率演算部67では、例えば1ショ
ットの露光時間に対して十分短い間隔になるような計測
間隔で、各計測時点での入射総エネルギーe、及び透過
率Tを取り込む。次のステップ104では、計測終了か
どうかが判定されるが、計測終了時の入射総エネルギー
eが1ショットの露光の間に蓄積される入射総エネルギ
ーに対して十分大きくなるように計測時間が設定されて
いる。計測時間は、一例として数sec〜数10sec
である。そして、ステップ103の透過率演算部67に
よる計測データの取り込み動作(計算動作)を所定の計
測間隔で繰り返して、所定の計測時間が経過した後、動
作はステップ104からステップ105に移行して、透
過率演算部67では、一連の入射総エネルギーeの関数
として投影光学系PLの透過率T(e)を求めてメモリ
68に格納する。これは、入射エネルギーEiに対する
投影光学系PLの透過率変化の状態を記憶するのと等価
である。その透過率の関数T(e)は走査露光中のステ
ップ109で使用される。

【0041】その後、走査露光を行う場合、ステップ・
アンド・スキャン方式の投影露光装置ではステップ・ア
ンド・リピート方式とは異なり、露光量制御を走査速度
と露光光源の光量制御(可変減光器6の減光率制御を含
む)との両方を用いて行うことが行われる。即ち、ウエ
ハ上の1点について考えると、その点が投影光学系PL
によるスリット状の露光領域を通過する時間中に、レジ
スト感度等から定まる所定の露光量がその点に対して照
射されるようにウエハステージ24の走査速度及び露光
光源の光量を制御する。

【0042】ここで、ArFエキシマレーザ光源1の単
位時間当たりの出力(即ち、発振周波数×パルスエネル
ギー)の基準値をE0 [W]とする。更に、以下ではそ
の出力は可変減光器6での減光率を乗じた値とする。そ
して、投影光学系PLの初期透過率をTO 、スリット状
の露光領域の面積をS[cm2 ]、その露光領域の走査
方向の長さをL[mm]、レジスト感度をI[J/cm
2 ]とすると、走査露光時のウエハステージ24の走査
速度の初期値Vw0 [mm/sec]は、次のようにな
る。

【0043】 Vw0 =(L・E0 ・T0)/(I・S) (1) 走査露光開始直後には、ウエハステージ24がその走査
速度となるように、レチクルRとウエハWとの相対的な
位置関係を維持しつつ走査が行われる。即ち、走査露光
が開始されると、図3のステップ106において、図1
に示すようにレチクルステージ20A上にレチクルRが
載置され、ウエハステージ24上のウエハホルダWHに
レジストが塗布されたウエハWがロードされる。そし
て、露光制御ユニット30内で入射総エネルギーeが0
にリセットされた後、レチクルステージ20A及びウエ
ハステージ24の走査が開始され、走査の同期が取られ
た時点でArFエキシマレーザ光源1のパルス発光が開
始され、インテグレータセンサ9の検出信号の露光制御
ユニット30への取り込みも開始される。その後、次第
に可動ブラインド15Bが開いてレチクルRのパターン
像のウエハW上の当該ショット領域への転写が開始され
る。固定ブラインド15A、及び可動ブラインド15B
の総合的な開口率の情報は、図2の入射光量積分部64
に供給されている。

【0044】そして、ステップ107において、パルス
発光毎に図2のインテグレータセンサ9、ピークホール
ド回路61、及びADC62を介して入射エネルギーE
iが計測され、この入射エネルギーEiが順次入射光量
積分部64に供給される。それに続くステップ108に
おいて、入射光量積分部64では、パルス発光毎に供給
される入射エネルギーEiにそのときの開口率を乗じて
得られるエネルギーを積算してそれまでの入射総エネル
ギーeを求め、この露光開始からの入射総エネルギーe
を透過率演算部67に供給する。次のステップ109に
おいて、透過率演算部67では、メモリ68から読み出
した透過率を表す関数T(e)(即ち、透過率データ)
にその入射総エネルギーeを代入して、所定の時間間隔
で現在の投影光学系PLの透過率T(now)を算出
し、算出した透過率T(now)を制御部69に供給す
る。この計算の頻度は、1ショットの露光時間に対して
十分短くなるようにする。即ち、1ショットの露光時間
中において、複数回にわたって投影光学系PLの透過率
計算を繰り返し、常にほぼリアルタイムで現時点での透
過率を求めるようにする。

【0045】次のステップ110で、制御部69は、供
給された透過率T(now)に基づいて紫外パルス光I
Lの出力を制御する。ここでは、ウエハステージ24の
走査速度Vwを(1)式のVw0 から変化させないもの
とすると、ウエハW上の各点での露光量を一定にするた
めには、紫外パルス光ILのウエハWの表面(ウエハ
面)での照度(単位時間当たり、単位面積当たりのエネ
ルギー)を一定にすればよい。即ち、投影光学系PLの
透過率T(now)の変化を相殺するように(その透過
率T(now)に反比例させて)、ArFエキシマレー
ザ光源1の出力を変化させればよい。具体的に、そのよ
うにして求めた或る時点tにおける投影光学系PLの透
過率T(now)の値をT1 、投影光学系PLの初期透
過率をT0、ArFエキシマレーザ光源1の出力の基準
値(初期値)をE0 として、ウエハ面での紫外パルス光
ILの照度を一定にするためのArFエキシマレーザ光
源1の目標出力をEt とすると、Et は以下のように求
められる。

【0046】Et =E0 ×(T0 /T1 ) (2) そこで、制御部69は、可変減光器6を通過する紫外パ
ルス光ILの出力が(2)式より求めた目標出力Et
なるように、ArFエキシマレーザ光源1の出力(発振
周波数、及びパルスエネルギー)、又は可変減光器6で
の減光率を制御する。次に、ステップ111で走査露光
が終了していないときには、動作は再びステップ107
〜110に戻って所定の時間間隔で投影光学系PLの透
過率の計算、紫外パルス光ILの目標出力Et の計算、
及びArFエキシマレーザ光源1の出力制御が行われ
る。そして、走査露光が終了したときには、動作はステ
ップ111からステップ112に移行して、ArFエキ
シマレーザ光源1の発光が停止され、1ショット分の露
光が終了した後(ステップ113)、次のショット領域
への露光動作が開始される(ステップ114)。次のシ
ョット領域の露光開始時には、投影光学系PLの透過率
はステップ106での初期透過率にほぼ回復しているも
のとして透過率の計算が開始される。

【0047】このように本例によれば、インテグレータ
センサ9を介して計測される投影光学系PLへの入射エ
ネルギーの積分値に基づいて投影光学系PLの透過率を
ほぼリアルタイムで計測し、この計測結果に基づいてウ
エハ面での紫外パルス光ILの照度が一定になるように
ArFエキシマレーザ光源1の出力を制御しているた
め、投影光学系PLの透過率が変化する場合でもウエハ
W上の各ショット領域の全面を適正露光量で露光でき
る。

【0048】なお、上述の実施の形態では、投影光学系
PLの透過率に応じてArFエキシマレーザ光源1の出
力を制御しているが、(1)式より分かるように、露光
光源の出力E0 が一定であれば、投影光学系PLの透過
率T0 とウエハステージ24の走査速度Vw0 とは比例
する関係にある。そこで、投影光学系PLの透過率T
(now)が変化した場合には、露光光源の出力を一定
にしておいて、透過率T(now)に比例してウエハス
テージ24の走査速度を制御してもよい。但し、この制
御は、走査速度がステージ系で定まる上限に達しない範
囲で行うことができる。

【0049】次に、本発明の第2の実施の形態につき説
明する。本例でも図1の投影露光装置を使用するが、投
影光学系PLの透過率の変化の計測方法が異なってい
る。そこで、本例における投影光学系PLの透過率の変
化の計測動作、及び走査露光動作につき、図4のフロー
チャートを参照して説明する。本例では投影光学系PL
の透過率変化を計測する際に、実際に露光するレチクル
Rを使用してこれを実際の露光時と同様に走査させる。
この計測の際の図1のレチクルステージ20A(レチク
ルR)の走査速度をVm 、ArFエキシマレーザ光源1
の出力をEm として、それらの実際の走査露光時の走査
速度をVe 、出力をEe とすると、これらの間には以下
の関係が成り立つようにする。

【0050】Vm /Em =Ve /Ee (3) 即ち、走査開始から或る任意の位置までレチクルRを走
査する間に投影光学系PLに入射する総光量が、計測時
と走査露光時とで同一になるようにする。当然ながら、
m =Ve となるのが望ましい。なお、この計測の際、
図2の投影光学系PLに実際に入射する光量は、インテ
グレータセンサ9で計測される入射エネルギーEiにレ
チクルRのパターン透過率(=照明領域内の透過部の面
積/レチクルR上の照明領域の面積)を掛け合わせた光
量である。なお、パターン透過率は1からパターン存在
率を差し引いた値でもあるため、このパターン存在率を
使用してもよい。また、照射量モニタ32を介して計測
される透過エネルギーEoは、入射する光量にレチクル
Rのパターン透過率と、投影光学系PLの透過率とを掛
け合わせたものとなる。ここで、パターン透過率はレチ
クルRの設計データよりレチクルRの位置Xの関数とし
て既知であり、求める対象は投影光学系PLの透過率で
ある。そこで、インテグレータセンサ9を介して計測さ
れる入射エネルギーEi、照射量モニタ32を介して計
測される透過エネルギーEoを用いて、レチクルRのパ
ターン透過率を位置Xの関数TR(X)、投影光学系P
Lの透過率をTとすれば、以下の式より投影光学系PL
の透過率Tが求まる。より正確には、そのパターン透過
率の関数TR(X)には、固定ブラインド15A及び可
動ブラインド15Bの総合的な開口率が乗じられてい
る。

【0051】 T=(1/TR(X))×(Eo/Ei) (4) そこで、先ず図4のステップ121において、図2に示
すように、投影光学系PLの露光領域に照射量モニタ3
2の受光面が設定され、レチクルステージ20A上にレ
チクルRが載置され、レチクルステージ20Aは走査開
始位置に移動する。次のステップ122において、図1
の主制御系27によって例えば不図示のホストコンピュ
ータよりレチクルRの設計データ(レチクルデータ)が
呼び出され、レチクルRの走査方向の位置Xに対応する
パターン透過率TR(X)が算出される。その後、ステ
ップ123において、主制御系27の指令によって実際
の露光時と同様にレチクルステージ20A(レチクル
R)の走査が開始され、ArFエキシマレーザ光源1の
発光も開始される。レチクルRは+方向、又は−X方向
に走査終了位置まで走査される。

【0052】そして、ステップ124で、駆動制御ユニ
ット22を介して計測されたレチクルステージ20Aの
位置Xが主制御系27に供給され、パルス発光毎にイン
テグレータセンサ9を介して計測される入射エネルギー
Eiが直接透過率計算部63、及び入射光量積分部64
に供給され、照射量モニタ32を介して計測される透過
エネルギーEoが直接透過率計算部63に供給される。
次のステップ125において、主制御系27は、レチク
ルステージ20Aの位置Xよりパルス発光の周期より短
い周期で現在のパターン透過率TR(X)を算出し、算
出結果を直接透過率計算部63、及び入射光量積分部6
4に供給する。入射光量積分部64では、パルス発光毎
に入射エネルギーEiにそのパターン透過率TR(X)
を乗じた値を積分(積算)して入射総エネルギーeを算
出して透過率演算部67に供給し、直接透過率計算部6
3では、入射エネルギーEi、及び透過エネルギーEo
を(4)式に代入して投影光学系PLの透過率Tを計算
し、計算結果を透過率演算部67に供給する。次のステ
ップ126で計測終了となるまで、即ちレチクルRが走
査終了位置まで移動するまで、所定の時間間隔でステッ
プ125の動作が繰り返され、計測が終了したときにス
テップ127に移行して、透過率演算部67では、投影
光学系PLの透過率Tを入射総エネルギーeの関数T
(e)として求め、この関数T(e)をメモリ68に格
納する。

【0053】その後、実際に走査露光を行う場合には、
ステップ128において、図3のステップ106と同様
に、図1に示すようにレチクルR及びウエハWの走査が
開始されて、ArFエキシマレーザ光源1の発光が開始
される。そして、ステップ129において、所定周期で
駆動制御ユニット22によりレチクルRの位置Xの計測
が行われ、パルス発光毎にインテグレータセンサ9によ
る入射エネルギーEiの計測が行われる。そして、レチ
クルRの位置Xより算出されるパターン透過率TR
(X)が図2の入射光量積分部64に供給され、入射光
量積分部64は入射エネルギーEiにそのパターン透過
率TR(X)を乗じた値を積分して入射総エネルギーe
を計算し、計算結果を透過率演算部67に供給する。ス
テップ130において、透過率演算部67では、ステッ
プ127でメモリ68に記憶された関数T(e)にその
入射総エネルギーeを代入して現在の投影光学系PLの
透過率T(now)を算出し、算出結果を制御部69に
供給する。そして、制御部69では、ステップ131に
おいて、ステップ110と同様に投影光学系PLの透過
率の変動を相殺してウエハW上での紫外パルス光ILの
照度が一定となるように、ArFエキシマレーザ光源1
の出力、又は可変減光器6の減光率を制御する。その後
のステップ132〜135はステップ111〜114と
同様であり、当該ショット領域への走査露光、及び次の
ショット領域への露光準備が行われる。

【0054】この例によれば、レチクルのパターン透過
率も考慮しているため、実際の走査露光時の投影光学系
PLの透過率の変動をより高精度に検出できる。従っ
て、露光量の制御精度も向上している。なお、上記の例
では透過率計測時にはレチクルRは任意の方向に走査さ
れるものとしているが、走査方向によって投影光学系P
Lの透過率を表す関数T(e)の形が微妙に変化する恐
れもある。そこで、走査方向毎にその関数T1(e),
T2(e)を求めておき、走査露光時には走査方向に応
じてその関数T1(e),T2(e)を使い分けるよう
にしてもよい。これによって、レチクルのパターン透過
率が対称でない場合や、レチクルの基板自体の透過率が
対称でない場合等にも、高精度に露光量制御が行われ
る。

【0055】次に、本発明の第3の実施の形態につき説
明する。本例でも図1の投影露光装置を使用するが、本
例では紫外パルス光ILの照射停止後の投影光学系PL
の透過率の変動をも計測する。即ち、上記の第1及び第
2の実施の形態においては、投影光学系PLの透過率が
紫外パルス光ILの照射停止後に直ちに初期の状態に戻
るという前提で、単純に1回の走査露光毎の照射のみ考
慮して投影光学系PLの透過率の変化を求めていた。し
かし、紫外パルス光ILの照射停止後の回復速度によっ
ては或るショットの露光終了後、次のショットの露光開
始までに透過率が初期状態まで十分回復しないことがあ
り得る。特に、低感度レジストが使用されている場合に
は、大きな露光量を必要とするために透過率の変化が大
きくなって、ショット間で透過率が初期状態まで回復し
にくくなり、投影露光装置のスループットの向上を図る
ためにショット間のステッピング時間等を短縮する場合
にも、ショット間での透過率の回復が不十分となる恐れ
があるため、紫外パルス光ILの照射停止後の透過率変
動を考慮する必要がある。

【0056】そこで、本例における投影光学系PLの透
過率の変化の計測動作、及び走査露光動作につき、図5
のフローチャートを参照して説明する。本例では、先ず
図5のステップ141〜145において、第1の実施の
形態のステップ101〜105と同様に(第2の実施の
形態のステップ121〜127と同様でもよい)、紫外
パルス光ILの照射中の投影光学系PLの透過率の変化
を計測し、入射総エネルギーeの関数としてその透過率
T(e)を求めてメモリ68に記憶する。次に、ステッ
プ147〜150において、照射をしない場合の投影光
学系PLの透過率の変化を計測して経過時間の関数で表
す。

【0057】具体的に、ステップ146で投影光学系P
Lに例えば想定される最大の露光量に所定のマージンを
加えた露光量が照射された状態で、ArFエキシマレー
ザ光源1の発光を停止する。その後、ステップ147で
発光停止からの経過時間tを計測し、所定の時間間隔で
ステップ148において、図2のArFエキシマレーザ
光源1に瞬間的に最小パルス数の発光を行わせて、直接
透過率計算部63において、透過エネルギーEo及び入
射エネルギーEiより投影光学系PLの透過率T(=E
o/Ei)を算出し、この透過率Tを透過率演算部67
に供給する。この透過率の計測を所定回数繰り返し、計
測が終了したときに動作はステップ149からステップ
150に移行して、透過率演算部67では、投影光学系
PLの透過率Tを紫外パルス光ILの発光停止からの経
過時間tの関数T(t)として近似し、この関数T
(t)をメモリ68に記憶する。その関数T(t)とし
ては、予め係数を未定とした経過時間tの2次以上の関
数、又は指数関数等を使用できる。

【0058】図6の曲線70Cは、紫外パルス光ILの
照射停止後の投影光学系PLの透過率T(=Eo/E
i)の変化の一例を示し、この図6の横軸は照射停止か
らの経過時間t(hour)で、縦軸は透過率T(相対値)で
ある。また、曲線70Aは、透過率計測用に瞬間的に供
給される入射エネルギーEi(相対値)を示し、曲線7
0Bは、その入射エネルギーEiに対応して計測される
透過エネルギーEo(相対値)を示している。その曲線
70Cより分かるように、紫外パルス光ILの照射停止
後には、投影光学系PLの透過率Tは一度大きく回復し
た後、次第に低下している。メモリ68には、その曲線
70Cを近似した経過時間tの関数T(t)が記憶され
る。

【0059】その後の走査露光時には、図1の主制御系
27から図2の透過率演算部67に対して紫外パルス光
ILの照射中か、又は例えばショット間のステッピング
中で紫外パルス光ILの照射が中断されているかを示す
情報が供給される。又は、透過率演算部67では、AD
C62からの入射エネルギーEiの有無によって照射中
かどうかを判定してもよい。このようにして、図5のス
テップ151において、透過率演算部67では、紫外パ
ルス光ILが照射中かどうかを判定し、照射中であると
きには、ステップ152において、所定の時間間隔で入
射光量積分部64からの入射総エネルギーeを取り込
み、ステップ153において、この入射総エネルギー
e、及びステップ144でメモリ68に記憶された関数
T(e)より投影光学系PLの現在の透過率T(no
w)を求める。そして、以下のステップ154で図3の
ステップ110と同様にその透過率T(now)の変化
を相殺するように紫外パルス光ILの出力を制御し、以
下ステップ155で走査露光が終了するまで、ステップ
152〜154の動作が繰り返される。

【0060】その後、ステップ155で走査露光が終了
し、ステップ159で1つのショット領域への露光が終
了すると、ステップ160で全部のショット領域への露
光が終了したかどうかが判定され、露光が終了していな
いときには、ステップ151に戻る。この場合には、ウ
エハステージ24が次のショット領域を走査開始位置に
移動するためにステッピング中であり、紫外パルス光I
Lの照射は中断しているため、動作はステップ151か
らステップ156に移行して、透過率演算部67は先ず
その時点で入射光量積分部64から供給されている入射
総エネルギーe、及びステップ145で記憶された関数
T(e)より、現在の投影光学系PLの透過率TAを計
算する。そして、次のショット領域への走査露光が始ま
る直前にステップ157において、透過率演算部67
は、紫外パルス光ILの照射中断からこれまでの経過時
間t、及びステップ150で記憶された関数T(t)よ
り現在の投影光学系PLの透過率TBを算出する。この
場合、経過時間tが0での透過率T(0)の値をTCと
すると、ステップ158において、透過率演算部67で
は、一例として次式より現在の投影光学系PLの実際の
透過率T(now)を算出する。

【0061】 T(now)=TA・TB/TC (5) そして、次のショット領域への走査露光が開始されて動
作がステップ151からステップ152に移行したとき
には、投影光学系PLの透過率の初期値を(5)式で定
まる値として、露光量制御を行う。このようにして各シ
ョット領域への走査露光が行われ、ステップ160で全
部のショット領域への露光が終了したときにステップ1
61で露光動作が終了する。

【0062】このように本例によれば、ショット間で紫
外パルス光ILの照射が中断されている際の投影光学系
PLの透過率の変動も考慮されるため、より高精度にウ
エハW上の各ショット領域への露光量が制御される。次
に、図5の走査露光を実際にウエハW上に回路パターン
を形成する工程で用いる場合の動作の一例につき、図7
のフローチャートを参照して説明する。先ず、図7のス
テップ171において、図1のレチクルステージ20A
上にレチクルRがロードされる。次のステップ172に
おいて、露光対象のウエハ(ウエハWとする)上に金属
膜を蒸着し、ステップ173において、そのウエハW上
の金属膜上にレジストを塗布した後、ウエハWを図1の
投影露光装置のウエハステージ24上にロードする。次
に、ステップ174において、図5のステップ151〜
161までの動作と同様に、投影光学系PLの透過率の
変化を相殺するように、即ちウエハW上での紫外パルス
光ILの照度が一定となるように紫外パルス光ILの光
量を制御しながら、レチクルRのパターン像を走査露光
方式でウエハW上の各ショット領域に露光する。

【0063】その後、ステップ175において、ウエハ
W上のレジストの現像を行い、ステップ176でそのレ
ジストパターンをマスクとしてウエハW上の金属膜のエ
ッチングを行った後、レジストパターンを除去すること
によって、所望の回路パターンがウエハW上の各ショッ
ト領域に形成される。その後、ウエハWは次のレイヤの
回路パターンの形成工程に移行する。この際に本例で
は、ウエハW上の各ショット領域で最適な露光量が得ら
れているため、ウエハW上の各ショット領域に所望の回
路パターンが高い転写忠実度で形成される。

【0064】なお、上記の実施の形態は、本発明をステ
ップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に適用した
ものであるが、本発明はステップ・アンド・リピート方
式の投影露光装置(ステッパー)で露光する場合にも適
用することができる。ステッパーの場合には、例えば図
3のステップ110及び111に対応する工程で、ウエ
ハ上の当該ショット領域への積算露光量が所定の値にな
るように露光時間が制御される。

【0065】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得ることは勿論である。

【0066】

【発明の効果】本発明の投影露光装置によれば、露光エ
ネルギービームの照射開始からの投影光学系の透過率変
化が照射量に応じてほぼ一定の変化量を示すことを利用
して、予めこの透過率変化を計測して記憶している。そ
して、実際の露光時には投影光学系に入射する露光エネ
ルギービーム量から投影光学系の透過率の変化を推定
し、この透過率の変化に応じて露光量を制御しているた
め、投影光学系の透過率変動によって発生する基板上で
の照度変動(又はパルスエネルギー変動)に起因した露
光量の制御精度の劣化を防止できる利点がある。

【0067】また、露光中の基板面上での露光量を計測
するような新規のセンサーを追加する必要がなく、基板
側のステージ付近のスペースの制約を受けることがな
い。この場合、透過率特性記憶部は、投影光学系の透過
率の総入射エネルギー量に対する変化率の他に、露光エ
ネルギービームの照射を中断した後の経過時間に対する
投影光学系の透過率の変化率を記憶し、演算系は、透過
率特性記憶部に記憶されている透過率の2種類の変化
率、入射エネルギー量積算系の出力、及び露光エネルギ
ービームの照射を中断した後の経過時間に基づいて逐次
投影光学系の透過率を算出するときには、露光エネルギ
ービームの照射の中断後に投影光学系の透過率が十分に
回復しない場合でも、その投影光学系の透過率の変化を
正確に推定できる。

【0068】また、本発明をステップ・アンド・スキャ
ン方式のような走査露光方式の投影露光装置に適用した
場合、走査露光方式では、投影光学系の透過率変動に応
じて例えば基板面で一定の照度が得られるように露光量
を制御することで、良好な露光量制御精度が得られる。
次に、本発明の露光方法によれば、走査露光方式の投影
露光装置を用いて、投影光学系の透過率の変化の計測時
に実際にマスクを使用した状態での透過率を計測するこ
とによって、マスクのパターン密度の違いによる入射エ
ネルギー量の変動によって投影光学系の透過率変化を誤
計測することが防止され、露光量制御精度を向上させる
ことができる。

【0069】また、本発明の回路デバイスの製造方法に
よれば、本発明の投影露光装置を用いて高い転写忠実度
で回路パターンを基板上に形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の実施の形態で使用される投影露光装置
を示す概略構成図である。

【図2】本発明の実施の形態で投影光学系PLの透過率
の計測を行うために、照射量モニタ32を投影光学系P
Lの露光領域に移動した状態を示す一部機能ブロック図
を含む構成図である。

【図3】本発明の第1の実施の形態における投影光学系
PLの透過率計測動作、及び露光動作を示すフローチャ
ートである。

【図4】本発明の第2の実施の形態における投影光学系
PLの透過率計測動作、及び露光動作を示すフローチャ
ートである。

【図5】本発明の第3の実施の形態における投影光学系
PLの透過率計測動作、及び露光動作を示すフローチャ
ートである。

【図6】その第3の実施の形態で計測される紫外パルス
光の照射停止以後の投影光学系PLの透過率の変化の一
例を示す図である。

【図7】その第3の実施の形態において回路パターンを
形成する工程の一例を示すフローチャートである。

【符号の説明】

1 ArFエキシマレーザ光源 11 フライアイレンズ 8 ビームスプリッタ 9 インテグレータセンサ 16 レチクルブラインド機構 R レチクル PL 投影光学系 W ウエハ 20A レチクルステージ 24 ウエハステージ 27 主制御系 30 露光制御ユニット 32 照射量モニタ 63 直接透過率計算部 64 入射光量積分部 67 透過率演算部 68 メモリ 69 制御部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクに形成されたパターンを紫外域の
    所定の露光エネルギービームで照射する照射系と、前記
    マスクのパターンの像を基板上に投影する投影光学系
    と、を備えた投影露光装置において、 前記投影光学系に対する入射エネルギー量を計測する入
    射エネルギー量計測系と、 該入射エネルギー量計測系の計測値を積算して前記投影
    光学系に対する総入射エネルギー量を求める入射エネル
    ギー量積算系と、 前記投影光学系からの射出エネルギー量を計測する射出
    エネルギー量計測系と、 前記入射エネルギー量計測系、前記入射エネルギー量積
    算系、及び前記射出エネルギー量計測系の計測結果に基
    づいて算出される前記投影光学系の透過率の前記総入射
    エネルギー量に対する変化率を記憶する透過率特性記憶
    部と、 該透過率特性記憶部に記憶されている透過率の変化率、
    及び前記入射エネルギー量積算系の出力に基づいて逐次
    前記投影光学系の透過率を算出する演算系と、 該演算系によって算出される透過率に応じて前記照射系
    から前記投影光学系を介して前記基板上に照射される前
    記露光エネルギービームの露光量を制御する露光量制御
    系と、を設けたことを特徴とする投影露光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の投影露光装置であって、 前記透過率特性記憶部は、前記投影光学系の透過率の前
    記総入射エネルギー量に対する変化率の他に、前記露光
    エネルギービームの照射を中断した後の経過時間に対す
    る前記投影光学系の透過率の変化率を記憶し、 前記演算系は、前記透過率特性記憶部に記憶されている
    透過率の2種類の変化率、前記入射エネルギー量積算系
    の出力、及び前記露光エネルギービームの照射を中断し
    た後の経過時間に基づいて逐次前記投影光学系の透過率
    を算出することを特徴とする投影露光装置。
  3. 【請求項3】 請求項1、又は2記載の投影露光装置で
    あって、 前記マスク及び前記基板をそれぞれ移動するステージ系
    を備え、露光時に前記ステージ系を介して前記マスク及
    び前記基板を前記投影光学系に対して相対的に同期走査
    することを特徴とする投影露光装置。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の投影露光装置を用いた露
    光方法であって、 前記投影光学系の透過率を計測する際に、前記ステージ
    系を介して実際の露光時と同様に前記マスクを前記投影
    光学系に対して走査しながら、前記入射エネルギー量計
    測系、及び前記射出エネルギー量計測系による計測値を
    取り込み、該取り込まれた計測値を前記マスクのパター
    ン存在率で補正することによって前記投影光学系の透過
    率を算出し、 前記基板に対する露光時に、前記マスクのパターン存在
    率で補正して得られる透過率に基づいて前記基板に対す
    る前記露光エネルギービームの露光量を制御することを
    特徴とする露光方法。
  5. 【請求項5】 請求項1、2、又は3記載の投影露光装
    置を用いて所定の回路デバイスを製造するための回路デ
    バイスの製造方法であって、 前記基板上に感光材料を塗布する第1工程と、 前記透過率特性記憶部に記憶されている透過率の変化
    率、及び前記入射エネルギー量積算系の出力に基づいて
    前記演算系を介して逐次前記投影光学系の透過率を算出
    し、該算出される透過率に応じて前記露光量制御系によ
    って前記照射系から前記投影光学系を介して前記基板上
    に照射される前記露光エネルギービームの露光量を制御
    しながら、前記マスクのパターン像を前記基板上の各シ
    ョット領域に露光する第2工程と、 前記基板の現像を行う第3工程と、 該現像後の前記基板上の各ショット領域にそれぞれ回路
    パターンを形成する第4工程と、を有することを特徴と
    する回路デバイスの製造方法。
JP9168406A 1997-06-25 1997-06-25 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 Withdrawn JPH1116816A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9168406A JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1997-06-25 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9168406A JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1997-06-25 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
PCT/JP1998/002840 WO1998059364A1 (en) 1997-06-25 1998-06-25 Projection aligner, method of manufacturing the aligner, method of exposure using the aligner, and method of manufacturing circuit devices by using the aligner
KR1019997012210A KR20010020502A (ko) 1997-06-25 1998-06-25 투영 노광 장치, 그 장치의 제조 방법, 그 장치를 이용한노광방법 및 그 장치를 사용한 회로 장치의 제조 방법
EP98929682A EP1017086A4 (en) 1997-06-25 1998-06-25 Projection aligner, method of manufacturing the aligner, method of exposure using the aligner, and method of manufacturing circuit devices by using the aligner
AU79334/98A AU7933498A (en) 1997-06-25 1998-06-25 Projection aligner, method of manufacturing the aligner, method of exposure using the aligner, and method of manufacturing circuit devices by using the aligner
US10/042,345 US20020061469A1 (en) 1997-06-25 2002-01-11 Projection apparatus, method of manufacturing the apparatus,method of exposure using the apparatus, and method of manufacturing circuit devices by using the apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1116816A true JPH1116816A (ja) 1999-01-22

Family

ID=15867540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9168406A Withdrawn JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1997-06-25 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20020061469A1 (ja)
EP (1) EP1017086A4 (ja)
JP (1) JPH1116816A (ja)
KR (1) KR20010020502A (ja)
AU (1) AU7933498A (ja)
WO (1) WO1998059364A1 (ja)

Cited By (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002373840A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Fuji Electric Co Ltd 露光装置および露光方法
WO2005076323A1 (ja) 2004-02-10 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法
WO2005122218A1 (ja) 2004-06-09 2005-12-22 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2007007746A1 (ja) 2005-07-11 2007-01-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2007066692A1 (ja) 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2007077925A1 (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corporation パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
WO2007094414A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007094407A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007097379A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007097380A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2007097466A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
WO2007136089A1 (ja) 2006-05-23 2007-11-29 Nikon Corporation メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2007135990A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
WO2007136052A1 (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
WO2008001871A1 (fr) 2006-06-30 2008-01-03 Nikon Corporation Procédé de maintenance, procédé d'exposition et procédé de fabrication d'appareil et de dispositif
WO2008026742A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
WO2008026739A1 (fr) 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Procédé d'entraînement de corps mobile et système d'entraînement de corps mobile, procédé et appareil de mise en forme de motif, procédé et appareil d'exposition et procédé de fabrication de dispositif
WO2008026732A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Mobile body drive system and mobile body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision method
WO2008029758A1 (en) 2006-09-01 2008-03-13 Nikon Corporation Mobile body driving method, mobile body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus and device manufacturing method
WO2008029757A1 (fr) 2006-09-01 2008-03-13 Nikon Corporation Procédé de commande d'objet mobile, système de commande d'objet mobile, procédé et appareil de formation de motif, procédé et appareil d'exposition, procédé de fabrication de dispositif et procédé d'étalonnage
US7433019B2 (en) 2003-07-09 2008-10-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7456929B2 (en) 2004-10-15 2008-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2009013903A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2009013905A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 位置計測システム、露光装置、位置計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに工具及び計測方法
US7570344B2 (en) 2007-04-03 2009-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
EP2199859A2 (en) 2004-01-05 2010-06-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
EP2226682A2 (en) 2004-08-03 2010-09-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7812928B2 (en) 2005-07-06 2010-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus
US7852456B2 (en) 2004-10-13 2010-12-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2264533A2 (en) 2003-07-28 2010-12-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and exposure method
EP2267759A2 (en) 2004-02-02 2010-12-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
WO2011024983A1 (en) 2009-08-25 2011-03-03 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2312395A1 (en) 2003-09-29 2011-04-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
US8023100B2 (en) 2004-02-20 2011-09-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, supply method and recovery method, exposure method, and device producing method
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US8035799B2 (en) 2004-12-09 2011-10-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US8089608B2 (en) 2005-04-18 2012-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8098362B2 (en) 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
EP2466620A2 (en) 2003-05-23 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8208119B2 (en) 2004-02-04 2012-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2472332A1 (en) 2004-11-01 2012-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US8218129B2 (en) 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US8236467B2 (en) 2005-04-28 2012-08-07 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8237919B2 (en) 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US8253924B2 (en) 2005-05-24 2012-08-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
US8368870B2 (en) 2004-06-21 2013-02-05 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8488099B2 (en) 2004-04-19 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP2637061A1 (en) 2004-06-09 2013-09-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device
US8547527B2 (en) 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
EP2717295A1 (en) 2003-12-03 2014-04-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US8780326B2 (en) 2005-09-09 2014-07-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP2772804A1 (en) 2004-11-18 2014-09-03 Nikon Corporation Positioning and loading a substrate in an exposure apparatus
US8867022B2 (en) 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8891053B2 (en) 2008-09-10 2014-11-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US8902401B2 (en) 2006-05-09 2014-12-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US9104117B2 (en) 2004-07-07 2015-08-11 Bob Streefkerk Lithographic apparatus having a liquid detection system
US9207543B2 (en) 2004-04-14 2015-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a groove to collect liquid
US9250537B2 (en) 2004-07-12 2016-02-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method with detection of liquid on members of the apparatus
US9304412B2 (en) 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9411247B2 (en) 2004-06-10 2016-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9429495B2 (en) 2004-06-04 2016-08-30 Carl Zeiss Smt Gmbh System for measuring the image quality of an optical imaging system
US9436095B2 (en) 2004-01-20 2016-09-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US9500960B2 (en) 2003-04-11 2016-11-22 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
EP3098835A1 (en) 2004-06-21 2016-11-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9810995B2 (en) 2003-06-19 2017-11-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9846371B2 (en) 2003-06-13 2017-12-19 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9958786B2 (en) 2003-04-11 2018-05-01 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using object on wafer holder in place of wafer
USRE46933E1 (en) 2005-04-08 2018-07-03 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US10061207B2 (en) 2005-12-02 2018-08-28 Asml Netherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10151983B2 (en) 2004-02-03 2018-12-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6327290B1 (en) 1999-02-12 2001-12-04 Lambda Physik Ag Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser
US6442182B1 (en) 1999-02-12 2002-08-27 Lambda Physik Ag Device for on-line control of output power of vacuum-UV laser
US6529533B1 (en) 1999-11-22 2003-03-04 Lambda Physik Ag Beam parameter monitoring unit for a molecular fluorine (F2) laser
US6795456B2 (en) 1999-12-20 2004-09-21 Lambda Physik Ag 157 nm laser system and method for multi-layer semiconductor failure analysis
JP2001196293A (ja) 2000-01-14 2001-07-19 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
EP1174769B1 (en) * 2000-07-10 2006-12-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and lithographic device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
DE10261775A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
DE10323664B4 (de) * 2003-05-14 2006-02-16 Carl Zeiss Smt Ag Belichtungsvorrichtung mit Dosissensorik
WO2005010611A2 (en) * 2003-07-08 2005-02-03 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP1672681B8 (en) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Exposure apparatus, substrate carrying method, exposure method, and method for producing device
US20070030467A1 (en) * 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
US20070258068A1 (en) * 2005-02-17 2007-11-08 Hiroto Horikawa Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method
WO2005093792A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
KR100589055B1 (ko) * 2004-07-23 2006-06-12 삼성전자주식회사 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 노광 장치
TW200615716A (en) * 2004-08-05 2006-05-16 Nikon Corp Stage device and exposure device
EP1801853A4 (en) * 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
KR20070063505A (ko) * 2004-10-08 2007-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1865540A4 (en) * 2005-03-30 2010-03-17 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP4888388B2 (ja) * 2005-03-31 2012-02-29 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
CN100476595C (zh) 2005-03-31 2009-04-08 英飞凌科技股份公司 确定辐射功率的方法和曝光设备
US8411271B2 (en) * 2005-12-28 2013-04-02 Nikon Corporation Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
JP5151989B2 (ja) * 2006-11-09 2013-02-27 株式会社ニコン 保持装置、位置検出装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP5055971B2 (ja) 2006-11-16 2012-10-24 株式会社ニコン 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US20080212047A1 (en) * 2006-12-28 2008-09-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP2008192854A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Canon Inc 液浸露光装置
KR20100031694A (ko) * 2007-05-28 2010-03-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 세정 장치, 및 클리닝 방법 그리고 노광 방법
US20090051895A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
CN101681125B (zh) 2007-10-16 2013-08-21 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
KR20100102580A (ko) * 2007-12-17 2010-09-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP5369443B2 (ja) 2008-02-05 2013-12-18 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8654306B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
JP5097166B2 (ja) * 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
WO2009145048A1 (ja) 2008-05-28 2009-12-03 株式会社ニコン 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
JPWO2010050240A1 (ja) * 2008-10-31 2012-03-29 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US10061214B2 (en) 2009-11-09 2018-08-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, exposure apparatus maintenance method, exposure apparatus adjustment method and device manufacturing method
US20110164238A1 (en) 2009-12-02 2011-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20120019804A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US20120019802A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US20120019803A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US20130016329A1 (en) 2011-07-12 2013-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method
US9360772B2 (en) 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
US9772564B2 (en) 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
WO2014084229A1 (ja) 2012-11-30 2014-06-05 株式会社ニコン 搬送システム、露光装置、搬送方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに吸引装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01274022A (en) * 1988-04-27 1989-11-01 Nikon Corp Light quantity adjustor
JP2682067B2 (ja) * 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP3262138B2 (ja) * 1992-06-09 2002-03-04 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JP3301153B2 (ja) * 1993-04-06 2002-07-15 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法
KR100210569B1 (ko) * 1995-09-29 1999-07-15 미따라이 하지메 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법

Cited By (241)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002373840A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Fuji Electric Co Ltd 露光装置および露光方法
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9500960B2 (en) 2003-04-11 2016-11-22 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9958786B2 (en) 2003-04-11 2018-05-01 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using object on wafer holder in place of wafer
US9946163B2 (en) 2003-04-11 2018-04-17 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
EP2466618A2 (en) 2003-05-23 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP2466620A2 (en) 2003-05-23 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP2466616A2 (en) 2003-05-23 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9939739B2 (en) 2003-05-23 2018-04-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP2498131A2 (en) 2003-05-23 2012-09-12 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP2535769A2 (en) 2003-05-23 2012-12-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP3032572A1 (en) 2003-05-23 2016-06-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing a device
EP2466615A2 (en) 2003-05-23 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP2466617A2 (en) 2003-05-23 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP2466619A2 (en) 2003-05-23 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9846371B2 (en) 2003-06-13 2017-12-19 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10191388B2 (en) 2003-06-19 2019-01-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US10007188B2 (en) 2003-06-19 2018-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9810995B2 (en) 2003-06-19 2017-11-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7433019B2 (en) 2003-07-09 2008-10-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US10185232B2 (en) 2003-07-28 2019-01-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
EP2264533A2 (en) 2003-07-28 2010-12-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and exposure method
US9760026B2 (en) 2003-07-28 2017-09-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
EP2264535A2 (en) 2003-07-28 2010-12-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
EP2264534A2 (en) 2003-07-28 2010-12-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
EP3093710A2 (en) 2003-09-29 2016-11-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2837969A1 (en) 2003-09-29 2015-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3093711A2 (en) 2003-09-29 2016-11-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US10025194B2 (en) 2003-09-29 2018-07-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2312395A1 (en) 2003-09-29 2011-04-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
EP2320273A1 (en) 2003-09-29 2011-05-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10088760B2 (en) 2003-12-03 2018-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
EP3139214A2 (en) 2003-12-03 2017-03-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device producing method, and optical component
EP2717295A1 (en) 2003-12-03 2014-04-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
US8064044B2 (en) 2004-01-05 2011-11-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
EP2199859A2 (en) 2004-01-05 2010-06-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
EP3376523A1 (en) 2004-01-05 2018-09-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US9910369B2 (en) 2004-01-05 2018-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US9588436B2 (en) 2004-01-05 2017-03-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US9436095B2 (en) 2004-01-20 2016-09-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US10345710B2 (en) 2004-01-20 2019-07-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for a projection lens
EP2267759A2 (en) 2004-02-02 2010-12-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
EP3139401A1 (en) 2004-02-02 2017-03-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
EP2284866A2 (en) 2004-02-02 2011-02-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
EP2998982A1 (en) 2004-02-02 2016-03-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US9632431B2 (en) 2004-02-02 2017-04-25 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US10139737B2 (en) 2004-02-02 2018-11-27 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US10007196B2 (en) 2004-02-02 2018-06-26 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
EP2287894A2 (en) 2004-02-02 2011-02-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US9684248B2 (en) 2004-02-02 2017-06-20 Nikon Corporation Lithographic apparatus having substrate table and sensor table to measure a patterned beam
EP2980834A1 (en) 2004-02-02 2016-02-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
EP2287893A2 (en) 2004-02-02 2011-02-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
EP2960927A2 (en) 2004-02-02 2015-12-30 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9665016B2 (en) 2004-02-02 2017-05-30 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate table and sensor table to hold immersion liquid
US10151983B2 (en) 2004-02-03 2018-12-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP2765595A1 (en) 2004-02-04 2014-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
US8208119B2 (en) 2004-02-04 2012-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8605252B2 (en) 2004-02-04 2013-12-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US10048602B2 (en) 2004-02-04 2018-08-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3093873A2 (en) 2004-02-04 2016-11-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3252533A1 (en) 2004-02-04 2017-12-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
EP3267469A1 (en) 2004-02-04 2018-01-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3208658A1 (en) 2004-02-04 2017-08-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US7557900B2 (en) 2004-02-10 2009-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method
EP2256790A2 (en) 2004-02-10 2010-12-01 Nikon Corporation exposure apparatus, device manufacturing method and maintenance method
US8115902B2 (en) 2004-02-10 2012-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method
WO2005076323A1 (ja) 2004-02-10 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法
US8023100B2 (en) 2004-02-20 2011-09-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, supply method and recovery method, exposure method, and device producing method
US9207543B2 (en) 2004-04-14 2015-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a groove to collect liquid
US9568840B2 (en) 2004-04-14 2017-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10234768B2 (en) 2004-04-14 2019-03-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9829799B2 (en) 2004-04-14 2017-11-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9989861B2 (en) 2004-04-14 2018-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8488099B2 (en) 2004-04-19 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9429495B2 (en) 2004-06-04 2016-08-30 Carl Zeiss Smt Gmbh System for measuring the image quality of an optical imaging system
EP2966670A1 (en) 2004-06-09 2016-01-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP2637061A1 (en) 2004-06-09 2013-09-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device
US9645505B2 (en) 2004-06-09 2017-05-09 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device to measure specific resistance of liquid
US8705008B2 (en) 2004-06-09 2014-04-22 Nikon Corporation Substrate holding unit, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellant plate
EP3318928A1 (en) 2004-06-09 2018-05-09 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing a device
WO2005122218A1 (ja) 2004-06-09 2005-12-22 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP3203498A1 (en) 2004-06-09 2017-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9411247B2 (en) 2004-06-10 2016-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3067749A2 (en) 2004-06-10 2016-09-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3067750A2 (en) 2004-06-10 2016-09-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3462241A1 (en) 2004-06-21 2019-04-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device
US8810767B2 (en) 2004-06-21 2014-08-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
EP3190605A1 (en) 2004-06-21 2017-07-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
EP3255652A1 (en) 2004-06-21 2017-12-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US9904182B2 (en) 2004-06-21 2018-02-27 Nikon Corporation Exposure apparatus
EP3098835A1 (en) 2004-06-21 2016-11-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8368870B2 (en) 2004-06-21 2013-02-05 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9470984B2 (en) 2004-06-21 2016-10-18 Nikon Corporation Exposure apparatus
US10338478B2 (en) 2004-07-07 2019-07-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9104117B2 (en) 2004-07-07 2015-08-11 Bob Streefkerk Lithographic apparatus having a liquid detection system
US9250537B2 (en) 2004-07-12 2016-02-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method with detection of liquid on members of the apparatus
EP3258318A1 (en) 2004-08-03 2017-12-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3048485A1 (en) 2004-08-03 2016-07-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8169591B2 (en) 2004-08-03 2012-05-01 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3267257A1 (en) 2004-08-03 2018-01-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2226682A2 (en) 2004-08-03 2010-09-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7852456B2 (en) 2004-10-13 2010-12-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3306647A1 (en) 2004-10-15 2018-04-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP3046135A2 (en) 2004-10-15 2016-07-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8456609B2 (en) 2004-10-15 2013-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7456929B2 (en) 2004-10-15 2008-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8922754B2 (en) 2004-11-01 2014-12-30 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device fabricating method with two substrate stages and metrology station
US8330939B2 (en) 2004-11-01 2012-12-11 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage
EP2472332A1 (en) 2004-11-01 2012-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US9709900B2 (en) 2004-11-01 2017-07-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
EP2772803A1 (en) 2004-11-18 2014-09-03 Nikon Corporation Positioning and loading a substrate in an exposure apparatus
EP2772804A1 (en) 2004-11-18 2014-09-03 Nikon Corporation Positioning and loading a substrate in an exposure apparatus
EP3346486A1 (en) 2004-11-18 2018-07-11 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing methods
US8913224B2 (en) 2004-12-09 2014-12-16 Nixon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US8035799B2 (en) 2004-12-09 2011-10-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8830446B2 (en) 2005-01-12 2014-09-09 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus
US8542341B2 (en) 2005-01-12 2013-09-24 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus
USRE46933E1 (en) 2005-04-08 2018-07-03 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US8089608B2 (en) 2005-04-18 2012-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8236467B2 (en) 2005-04-28 2012-08-07 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8941812B2 (en) 2005-04-28 2015-01-27 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2527921A2 (en) 2005-04-28 2012-11-28 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8253924B2 (en) 2005-05-24 2012-08-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
US7812928B2 (en) 2005-07-06 2010-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus
WO2007007746A1 (ja) 2005-07-11 2007-01-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US8780326B2 (en) 2005-09-09 2014-07-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US10061207B2 (en) 2005-12-02 2018-08-28 Asml Netherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US8243254B2 (en) 2005-12-06 2012-08-14 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
US8547520B2 (en) 2005-12-06 2013-10-01 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
WO2007066692A1 (ja) 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2007077925A1 (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corporation パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
WO2007094414A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007094407A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8390779B2 (en) 2006-02-16 2013-03-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8027020B2 (en) 2006-02-16 2011-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3267258A1 (en) 2006-02-21 2018-01-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
WO2007097466A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US10139738B2 (en) 2006-02-21 2018-11-27 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US9329060B2 (en) 2006-02-21 2016-05-03 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US10132658B2 (en) 2006-02-21 2018-11-20 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US10088343B2 (en) 2006-02-21 2018-10-02 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US9690214B2 (en) 2006-02-21 2017-06-27 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US10088759B2 (en) 2006-02-21 2018-10-02 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US10409173B2 (en) 2006-02-21 2019-09-10 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
WO2007097380A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US10012913B2 (en) 2006-02-21 2018-07-03 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
EP2813893A1 (en) 2006-02-21 2014-12-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP3267259A1 (en) 2006-02-21 2018-01-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9989859B2 (en) 2006-02-21 2018-06-05 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
EP3327507A1 (en) 2006-02-21 2018-05-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US10234773B2 (en) 2006-02-21 2019-03-19 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
EP3279739A1 (en) 2006-02-21 2018-02-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP3293577A1 (en) 2006-02-21 2018-03-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
WO2007097379A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法
EP2541325A1 (en) 2006-02-21 2013-01-02 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
EP3115844A1 (en) 2006-02-21 2017-01-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US10345121B2 (en) 2006-02-21 2019-07-09 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
EP3270226A1 (en) 2006-02-21 2018-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US9857697B2 (en) 2006-02-21 2018-01-02 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
US8902401B2 (en) 2006-05-09 2014-12-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US9810996B2 (en) 2006-05-09 2017-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US8514366B2 (en) 2006-05-18 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
WO2007135990A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
WO2007136052A1 (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
WO2007136089A1 (ja) 2006-05-23 2007-11-29 Nikon Corporation メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2008001871A1 (fr) 2006-06-30 2008-01-03 Nikon Corporation Procédé de maintenance, procédé d'exposition et procédé de fabrication d'appareil et de dispositif
US10162274B2 (en) 2006-08-31 2018-12-25 Nikon Corporation Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method
EP2991101A2 (en) 2006-08-31 2016-03-02 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10073359B2 (en) 2006-08-31 2018-09-11 Nikon Corporation Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method
EP2990872A2 (en) 2006-08-31 2016-03-02 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10338482B2 (en) 2006-08-31 2019-07-02 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
EP2988320A1 (en) 2006-08-31 2016-02-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufactuing method
WO2008026742A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Mobile body drive method and mobile body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
EP3291010A1 (en) 2006-08-31 2018-03-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
EP3064999A1 (en) 2006-08-31 2016-09-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2008026739A1 (fr) 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Procédé d'entraînement de corps mobile et système d'entraînement de corps mobile, procédé et appareil de mise en forme de motif, procédé et appareil d'exposition et procédé de fabrication de dispositif
US8947639B2 (en) 2006-08-31 2015-02-03 Nikon Corporation Exposure method and apparatus measuring position of movable body based on information on flatness of encoder grating section
EP2993688A2 (en) 2006-08-31 2016-03-09 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
EP3312676A1 (en) 2006-08-31 2018-04-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US10067428B2 (en) 2006-08-31 2018-09-04 Nikon Corporation Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method
US9958792B2 (en) 2006-08-31 2018-05-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
EP3067748A1 (en) 2006-08-31 2016-09-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8937710B2 (en) 2006-08-31 2015-01-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus compensating measuring error of encoder due to grating section and displacement of movable body in Z direction
US9983486B2 (en) 2006-08-31 2018-05-29 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
EP3279738A1 (en) 2006-08-31 2018-02-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
WO2008026732A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Mobile body drive system and mobile body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision method
US10353302B2 (en) 2006-08-31 2019-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10353301B2 (en) 2006-08-31 2019-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
EP3418807A1 (en) 2006-08-31 2018-12-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP2738608A1 (en) 2006-08-31 2014-06-04 Nikon Corporation Method and system for driving a movable body in an exposure apparatus
US10101673B2 (en) 2006-08-31 2018-10-16 Nikon Corporation Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method
EP2993523A2 (en) 2006-09-01 2016-03-09 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
WO2008029757A1 (fr) 2006-09-01 2008-03-13 Nikon Corporation Procédé de commande d'objet mobile, système de commande d'objet mobile, procédé et appareil de formation de motif, procédé et appareil d'exposition, procédé de fabrication de dispositif et procédé d'étalonnage
WO2008029758A1 (en) 2006-09-01 2008-03-13 Nikon Corporation Mobile body driving method, mobile body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus and device manufacturing method
US10197924B2 (en) 2006-09-01 2019-02-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US9760021B2 (en) 2006-09-01 2017-09-12 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US9971253B2 (en) 2006-09-01 2018-05-15 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
EP3361317A1 (en) 2006-09-01 2018-08-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
US9625834B2 (en) 2006-09-01 2017-04-18 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
EP2993524A2 (en) 2006-09-01 2016-03-09 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US10289012B2 (en) 2006-09-01 2019-05-14 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US9846374B2 (en) 2006-09-01 2017-12-19 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US9377698B2 (en) 2006-09-01 2016-06-28 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US9874822B2 (en) 2006-09-01 2018-01-23 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US9740114B2 (en) 2006-09-01 2017-08-22 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US10289010B2 (en) 2006-09-01 2019-05-14 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US7570344B2 (en) 2007-04-03 2009-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
US8098362B2 (en) 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US8547527B2 (en) 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
WO2009013903A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2009013905A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 位置計測システム、露光装置、位置計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに工具及び計測方法
US8582084B2 (en) 2007-07-24 2013-11-12 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
US9612539B2 (en) 2007-07-24 2017-04-04 Nikon Corporation Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head
US8264669B2 (en) 2007-07-24 2012-09-11 Nikon Corporation Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head
US8243257B2 (en) 2007-07-24 2012-08-14 Nikon Corporation Position measurement system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and device manufacturing method, and tool and measuring method
US8218129B2 (en) 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US8237919B2 (en) 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US9304412B2 (en) 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
US8767182B2 (en) 2007-08-24 2014-07-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US8867022B2 (en) 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8891053B2 (en) 2008-09-10 2014-11-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2011024983A1 (en) 2009-08-25 2011-03-03 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1017086A1 (en) 2000-07-05
WO1998059364A1 (en) 1998-12-30
KR20010020502A (ko) 2001-03-15
US20020061469A1 (en) 2002-05-23
AU7933498A (en) 1999-01-04
EP1017086A4 (en) 2004-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4631707B2 (ja) 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
US4780747A (en) Projection exposure apparatus
US6559925B2 (en) Projection exposure apparatus and method
CN1860585B (zh) 液浸型透镜系统和投影曝光装置
US20010043321A1 (en) Exposure apparatus, exposure method using the same, and method of manufacture of circuit device
JP4179283B2 (ja) 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置
KR100358544B1 (ko) 주사형노광방법및장치
US20030025890A1 (en) Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
KR100210569B1 (ko) 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법
JP4345098B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP3395280B2 (ja) 投影露光装置及び方法
CN1303649C (zh) 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
US6411368B1 (en) Projection exposure method, projection exposure apparatus, and methods of manufacturing and optically cleaning the exposure apparatus
US6721039B2 (en) Exposure method, exposure apparatus and device producing method
US6396071B1 (en) Scanning exposure method and apparatus
JP3456597B2 (ja) 露光装置
US7566893B2 (en) Best focus detection method, exposure method, and exposure apparatus
JP4923370B2 (ja) 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
US6252650B1 (en) Exposure apparatus, output control method for energy source, laser device using the control method, and method of producing microdevice
EP1014429A1 (en) Method and device for exposure control, method and device for exposure, and method of manufacture of device
JP4202181B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、性能測定方法、較正方法、およびコンピュータ・プログラム
JP2009158979A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
CN101164144B (zh) 曝光方法及曝光装置、以及器件制造方法
JPWO2005022614A1 (ja) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2007058188A1 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040624

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20060920