JP5861642B2 - 露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、露光装置の調整方法、デバイス製造方法、及びダミー基板 - Google Patents

Description

本発明は、露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、露光装置の調整方法、デバイス製造方法、及びダミー基板に関する。
本願は、２００９年１１月９日に、日本に出願された特願２００９−２５６３７２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

リソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。露光装置は、基板をリリース可能に保持する基板保持部を備え、その基板保持部に保持された基板を露光する。

米国特許出願公開第２００６／０１３２７３７号明細書

基板保持部が保持可能なダミー基板を用いて所定の処理を行う場合、例えば劣化したダミー基板を使用し続けると、その所定の処理を良好に実行できなくなる可能性がある。その結果、露光不良が発生する等、露光性能が低下し、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、ダミー基板を用いる処理を良好に実行でき、露光性能の低下を抑制できる露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、及び露光装置の調整方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、基板をリリース可能に保持して移動可能な基板保持部と、基板保持部が保持可能なダミー基板の使用の状態を管理する管理装置と、を備える露光装置が提供される。
本発明の一つの態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、前記基板をリリース可能に保持して移動可能な基板保持部と、前記基板保持部が保持可能なダミー基板の使用の状態を管理する管理装置と、前記管理装置が管理する前記ダミー基板の使用の状態と、前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、前記ダミー基板の使用の可否を判断する制御装置と、を備え、前記管理パラメータは、前記ダミー基板の使用の内容に応じて定められる露光装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、第１態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、基板保持部に保持された基板を露光光で露光することと、基板保持部でダミー基板を保持してダミー基板を使用して所定の処理を実行することと、ダミー基板の使用の状態を管理することと、を含む露光方法が提供される。
本発明の一つの態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、基板保持部に保持された前記基板を前記露光光で露光することと、前記基板保持部でダミー基板を保持して前記ダミー基板を使用して所定の処理を実行することと、前記ダミー基板の使用の状態を管理することと、前記ダミー基板の使用の状態と、前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、前記ダミー基板の使用の可否を判断することと、を含み、前記管理パラメータは、前記ダミー基板の使用の内容に応じて定められる露光方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、第３態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、基板をリリース可能に保持する基板保持部にダミー基板を保持することと、ダミー基板と所定部材との間で液体を保持して所定部材をメンテナンスすることと、ダミー基板の使用の状態を管理することと、を含むメンテナンス方法が提供される。
本発明の一つの態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、前記基板をリリース可能に保持する基板保持部にダミー基板を保持することと、前記ダミー基板と所定部材との間で液体を保持して前記所定部材をメンテナンスすることと、前記ダミー基板の使用の状態を管理することと、前記ダミー基板の使用の状態と前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、前記ダミー基板の使用の可否を判断すること、を含み、前記管理パラメータは、前記ダミー基板の使用の内容に応じて定められるメンテナンス方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、第５態様のメンテナンス方法でメンテナンスされた露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の調整方法であって、基板をリリース可能に保持する基板保持部にダミー基板を保持することと、基板保持部にダミー基板を保持した状態で、所定装置を調整することと、ダミー基板の使用の状態を管理することと、を含む調整方法が提供される。
本発明の一つの態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の調整方法であって、前記基板をリリース可能に保持する基板保持部にダミー基板を保持することと、前記基板保持部にダミー基板を保持した状態で、所定装置を調整することと、前記ダミー基板の使用の状態を管理することと、前記ダミー基板の使用の状態と前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、前記ダミー基板の使用の可否を判断することと、を含み、前記管理パラメータは、前記ダミー基板の使用の内容に応じて定められる調整方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、第７態様の調整方法で調整された露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第９の態様に従えば、基板に液体を介して露光光を照射する露光する露光装置の基板保持部にリリース可能に保持されるダミー基板であって、露光装置での使用の内容に応じた管理パラメータが定められているダミー基板が提供される。
本発明の一つの態様に従えば、基板に液体を介して露光光を照射する露光する露光装置の基板保持部にリリース可能に保持されるダミー基板であって、前記ダミー基板のそれぞれを識別する識別マークを有し、前記識別マークによって前記露光装置での前記ダミー基板の使用の内容ごとの履歴と対応付けられ、前記露光装置での使用の内容ごとに応じた管理パラメータが定められているダミー基板が提供される。

本発明に係る態様によれば、露光性能の低下を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

露光装置の一例を示す概略構成図である。 図１の一部を示す平面図である。 液浸部材の一例を示す側断面図である。 露光装置の動作の一例を示す模式図である。 ダミー基板の一例を示す側断面図である。 ダミー基板の一例を示す側断面図である。 露光装置の動作の一例を示すフローチャートである。 露光装置の動作の一例を示す模式図である。 露光装置の動作の一例を示す模式図である。 デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ及びθＺ方向とする。

図１は、本発明に係る一実施形態における露光装置ＥＸを含むデバイス製造システムＳＹＳの一例を示す概略構成図、図２は、図１の一部を示す平面図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間は、液体で満たされた部分（空間、領域）である。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器（計測部材）を搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置である。

図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部５を有し、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ６と、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部７を有し、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ８と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測器２４を搭載して移動可能な計測ステージ２３と、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、マスクステージ６、基板ステージ８、及び計測ステージ２３の位置を計測する干渉計システム１６と、基板Ｐのアライメントマークを検出するアライメントシステム１９と、基板Ｐを搬送する搬送システム４と、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持する液浸部材９と、基板Ｐが処理される内部空間１４を形成するチャンバ部材１５Ａを有するチャンバ装置１５と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置１と、制御装置１に接続され、露光に関する各種の情報が記憶される記憶装置２とを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

露光装置ＥＸは、基板処理装置ＣＤと接続されている。本実施形態において、基板処理装置ＣＤは、コータ・デベロッパ装置を含む。基板処理装置ＣＤは、基板に所定の膜を形成可能な膜形成装置、及び露光後の基板Ｐを現像する現像装置を含む。膜形成装置は、例えば米国特許出願公開第２００６／００６８１１０号明細書等に開示されているような、感光材の溶液をスピンコーティング法に基づいて基板に塗布することによって、基板上に感光膜を形成可能な塗布装置を含む。膜形成装置は、感光膜のみならず、保護膜及び反射防止膜等、各種の膜を基板上に形成可能である。

本実施形態において、露光装置ＥＸには、基板Ｐを収容可能な収容装置１３が接続される。収容装置１３は、チャンバ装置１５の所定位置に接続される。本実施形態において、収容装置１３は、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれる基板収容装置を含む。収容装置１３は、例えば１ロット分（例えば５０枚）の基板Ｐを収容可能である。

また、本実施形態において、収容装置１３は、ダミー基板ＤＰを収容可能である。ダミー基板ＤＰは、露光用の基板Ｐとは別の、異物を放出しにくい高いクリーン度を有する（クリーンな）部材である。本実施形態において、ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形である。本実施形態において、基板Ｐ及びダミー基板ＤＰは、円形のプレート状の部材である。基板保持部７は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。収容装置１３は、複数のダミー基板ＤＰを収容可能である。収容装置１３は、例えば１ロット分の基板Ｐの数と同じ数（例えば５０枚）のダミー基板ＤＰを収容可能である。

また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、搬送システム４の搬送経路の少なくとも一部に配置され、ダミー基板ＤＰを収容する収容装置１７を備えている。本実施形態において、収容装置１７は、収容装置１３が収容可能なダミー基板ＤＰの数（例えば５０枚）よりも少ない数のダミー基板ＤＰを収容する。本実施形態において、収容装置１７は、ダミー基板ＤＰを２枚収容可能である。なお、収容装置１７が、収容装置１３が収容可能なダミー基板ＤＰの数よりも多い数のダミー基板ＤＰを収容してもよいし、同じ数のダミー基板ＤＰを収容してもよい。以下の説明において、収容装置１７を適宜、バッファ部１７、と称する。バッファ部１７は、ダミー基板ＤＰを一時的に保管可能である。

本実施形態において、搬送システム４は、基板Ｐ及びダミー基板ＤＰのそれぞれを搬送可能である。搬送システム４は、基板Ｐを、収容装置１３と、基板ステージ８（基板保持部７）と、基板処理装置ＣＤとの間で搬送可能である。また、搬送システム４は、ダミー基板ＤＰを、収容装置１３と、バッファ部１７と、基板ステージ８（基板保持部７）との間で搬送可能である。

本実施形態において、搬送システム４は、基板ステージ８に基板Ｐを搬入（ロード）する第１搬送部材４Ａと、基板ステージ８から基板Ｐを搬出（アンロード）する第２搬送部材４Ｂとを備えている。本実施形態において、第１搬送部材４Ａは、バッファ部１７に配置されているダミー基板ＤＰを基板ステージ８に搬送可能である。第２搬送部材４Ｂは、基板ステージ８に保持されているダミー基板ＤＰをバッファ部１７に搬送可能である。また、第２搬送部材４Ｂは、バッファ部１７に収容されているダミー基板ＤＰを収容装置１３に搬送可能である。また、第２搬送部材４Ｂは、収容装置１３に収容されているダミー基板ＤＰをバッファ部１７に搬送可能である。

なお、搬送システム４が、第１、第２搬送部材４Ａ、４Ｂとは別の搬送部材を備えていてもよい。また、搬送システム４が、第２搬送部材４Ｂとは異なる搬送部材を用いて、収容装置１３とバッファ部１７との間におけるダミー基板ＤＰの搬送を実行してもよい。

また、露光装置ＥＸは、ダミー基板ＤＰの使用の状態を管理する管理装置３を備えている。管理装置３は、複数のダミー基板ＤＰそれぞれの使用の状態を管理することができる。管理装置３は、例えばダミー基板ＤＰが使用される時間を計測するタイマー、及びダミー基板ＤＰが使用される回数を計測するカウンタ等を含む。管理装置３は、制御装置１に接続される。

また、記憶装置２には、予め定められた管理パラメータが記憶されている。制御装置１は、管理装置３の出力と、記憶装置２に記憶されている管理パラメータとに基づいて、ダミー基板ＤＰの使用の可否を判断する。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ６は、マスク保持部５でマスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１８のガイド面１８Ｇ上を移動可能である。マスクステージ６は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により、ガイド面１８Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（露光位置）を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１１を有する。射出面１１は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１０に配置されている。投影領域ＰＲは、射出面１１から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１１は、−Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１１は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。

また、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの結像特性を調整する結像特性調整システムＰＬＣを備えている。結像特性調整システムＰＬＣの例は、例えば米国特許第４６６６２７３号明細書、米国特許第６２３５４３８号明細書、及び米国特許出願公開第２００５／０２０６８５０号明細書等に開示されている。本実施形態の結像特性調整システムＰＬＣは、投影光学系ＰＬの複数の光学素子の一部を移動可能な駆動装置を含む。駆動装置は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち特定の光学素子を光軸方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。また、駆動装置は、特定の光学素子を光軸に対して傾斜可能である。結像特性調整システムＰＬＣは、投影光学系ＰＬの特定の光学素子を動かすことによって、投影光学系ＰＬの各種収差（投影倍率、ディストーション、球面収差等）及び像面位置（焦点位置）等を含む結像特性を調整する。また、結像特性調整システムＰＬＣは、投影光学系ＰＬの特定の光学素子を動かすことによって、露光位置（投影領域ＰＲの位置）を調整可能である。なお、結像特性調整システムは、投影光学系ＰＬの光学素子を収容する鏡筒の内部に保持されている一部の光学素子同士の間の空間の気体の圧力を調整する圧力調整装置を含んでもよい。結像特性調整システムＰＬＣは、制御装置１により制御される。

基板ステージ８は、基板保持部７で基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材２０のガイド面２０Ｇ上を移動可能である。基板保持部７は、射出面１１から射出される露光光ＥＬが照射可能な露光位置（投影領域ＰＲの位置）において基板Ｐをリリース可能に保持する。基板ステージ８は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により、ガイド面２０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

本実施形態において、基板保持部７に保持された基板Ｐの表面と、その基板Ｐの周囲に配置される基板ステージ８の上面２２とは、同一平面内に配置される（面一である）。上面２２は、平坦である。本実施形態において、基板保持部７に保持された基板Ｐの表面、及び基板ステージ８の上面２２は、ＸＹ平面とほぼ平行である。

なお、基板保持部７に保持された基板Ｐの表面と上面２２とが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面及び上面２２の少なくとも一方がＸＹ平面と非平行でもよい。

なお、基板ステージ８の上面２２が、例えば米国特許出願公開第２００７／０１７７１２５号明細書、米国特許出願公開第２００８／００４９２０９号明細書等に開示されているような、基板ステージにリリース可能に保持されるプレート部材の上面でもよい。

計測ステージ２３は、計測器２４（計測部材）を搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材２０のガイド面２０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ２３は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により、ガイド面２０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

計測器２４は、露光光ＥＬを計測可能である。本実施形態において、計測器２４は、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような、投影光学系ＰＬによって形成される空間像（投影光学系ＰＬの結像特性）を計測する空間像計測システムの少なくとも一部である。

また、本実施形態において、計測ステージ２３は、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような、照度むら計測システムの少なくとも一部を搭載する。また、計測ステージ２３は、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような、投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測可能な計測システムの少なくとも一部を搭載する。また、計測ステージ２３は、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような、照射量計測システム（照度計測システム）の少なくとも一部を搭載する。また、計測ステージ２３は、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような、波面収差計測システムの少なくとも一部を搭載する。

チャンバ装置１５は、基板Ｐが処理される内部空間１４を形成するチャンバ部材１５Ａと、その内部空間１４の環境を調整する空調装置１５Ｂとを備えている。内部空間１４の環境は、内部空間１４の温度、湿度、圧力、及びクリーン度を含む。チャンバ部材１５Ａは、露光位置を含み、空調装置１５Ｂによって温度調整される内部空間１４を形成する。
基板ステージ８は、内部空間１４において移動する。

マスクステージ６、基板ステージ８、及び計測ステージ２３の位置は、レーザ干渉計ユニット１６Ａ、１６Ｂを含む干渉計システム１６によって計測される。レーザ干渉計ユニット１６Ａは、マスクステージ６の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット１６Ｂは、基板ステージ８及び計測ステージ２３の位置を計測可能である。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置１は、干渉計システム１６の計測結果に基づいて、マスクステージ６（マスクＭ）、基板ステージ８（基板Ｐ）、及び計測ステージ２３（計測器２４）の位置制御を実行する。

なお、露光装置ＥＸが、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号明細書に開示されているような、基板ステージ８の上面２２に配置されたスケールを計測可能なエンコーダヘッドを複数有するエンコーダシステムを備えていてもよい。

また、基板Ｐの露光が実行される前に、基板Ｐのアライメントマークがアライメントシステム１９によって検出される。本実施形態において、アライメントシステム１９は、例えば米国特許第５４９３４０３号明細書等に開示されているような、ＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムである。アライメントシステム１９は、基板Ｐのアライメントマークの画像を取得して、基板Ｐ（ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１）の位置を検出する。また、アライメントシステム１９は、基板Ｐのアライメントマークのみならず、各種のマークを検出することができる。

図３は、本実施形態に係る液浸部材９の一例を示す側断面図である。液浸部材９は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材９の少なくとも一部は、射出面１１から射出される露光光ＥＬの光路の周囲の少なくとも一部に配置されている。本実施形態において、液浸部材９は、Ｚ軸方向から見て環状の部材である。本実施形態において、液浸部材９の少なくとも一部は、終端光学素子１０及び露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。

液浸空間ＬＳは、終端光学素子１０と、終端光学素子１０から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲの位置）に配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材９は、その物体が対向可能な下面１２を有する。射出面１１と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように下面１２と物体との間で液体ＬＱが保持される。

本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１０の射出面１１側）で投影領域ＰＲに対して移動可能な物体であり、射出面１１及び下面１２と対向する位置に移動可能な物体である。本実施形態において、射出面１１及び下面１２と対向する位置に移動可能な物体は、基板ステージ８、基板ステージ８に保持された基板Ｐ、基板ステージ８に保持されたダミー基板ＤＰ、及び計測ステージ２３の少なくとも一つを含む。

液浸部材９の下面１２は、物体の表面（基板ステージ８の上面２２、基板ステージ８に保持された基板Ｐの表面、基板ステージ８に保持されたダミー基板ＤＰの表面、及び計測ステージ２３の上面５０の少なくとも一つ）との間で液体ＬＱを保持可能である。液浸部材９は、射出面１１と物体の表面（上面）との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、下面１２と物体の表面との間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。一方側の射出面１１及び下面１２と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１０と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材９の下面１２と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

ここで、図３を用いる説明においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１０及び液浸部材９と対向する位置）に基板Ｐが配置される場合を例にして説明するが、上述のように、基板ステージ８、ダミー基板ＤＰ、及び計測ステージ２３の少なくとも一つを配置することもできる。

図３に示すように、液浸部材９は、射出面１１と対向する位置に開口３０を有する。射出面１１から射出された露光光ＥＬは、開口３０を通過して、基板Ｐに照射可能である。
また、液浸部材９は、開口３０の周囲に配置され、基板Ｐの表面と対向可能な平坦面２１を有する。平坦面２１は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持する。液浸部材９の下面１２の少なくとも一部は、平坦面２１を含む。

液浸部材９は、液体ＬＱを供給可能な供給口２７と、液体ＬＱを回収可能な回収口２８とを備えている。供給口２７は、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液体ＬＱを供給する。回収口２８は、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液体ＬＱを回収する。

供給口２７は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。供給口２７は、供給流路３４を介して、液体供給装置３１と接続されている。液体供給装置３１は、クリーンで温度調整された液体ＬＱを送出可能である。供給流路３４は、液浸部材９の内部流路、及びその内部流路と液体供給装置３１とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置３１から送出された液体ＬＱは、供給流路３４を介して供給口２７に供給される。

回収口２８は、液浸部材９の下面１２と対向する基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口２８は、平坦面２１の周囲に配置されている。回収口２８は、基板Ｐの表面と対向する液浸部材９の所定位置に配置されている。回収口２８には、複数の孔(holes, openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材２９が配置されている。なお、回収口２８に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材９の下面１２は、多孔部材２９の下面を含む。基板Ｐの露光の少なくとも一部において、多孔部材２９の下面は、基板Ｐに面する。基板Ｐ上の液体ＬＱは、多孔部材２９の孔を介して回収される。

回収口２８は、回収流路３５を介して、液体回収装置３３と接続されている。液体回収装置３３は、回収口２８を真空システムに接続可能であり、回収口２８を介して液体ＬＱを吸引可能である。回収流路３５は、液浸部材９の内部流路、及びその内部流路と液体回収装置３３とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口２８から回収された液体ＬＱは、回収流路３５を介して、液体回収装置３３に回収される。

本実施形態においては、制御装置１は、供給口２７からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口２８からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１０及び液浸部材９と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

なお、液浸部材９として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

次に、基板Ｐの露光時における露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。図４は、基板ステージ８に保持されている基板Ｐの平面図である。基板Ｐの露光において、基板Ｐが基板保持部７に保持される。また、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸部材９と基板Ｐとの間に液体ＬＱが保持される。図４に示すように、基板Ｐ上には、露光対象領域である複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１がマトリクス状に設定される。また、図４に示すように、本実施形態においては、投影領域ＰＲは、Ｘ軸方向を長手方向とするスリット状である。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光時において、マスクＭ及び基板Ｐは、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動される。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置１は、マスクＭを保持したマスクステージ６（マスク保持部５）と、基板Ｐを保持した基板ステージ８（基板保持部７）とを、露光光ＥＬの光路に対してＹ軸方向に同期移動する。

制御装置１は、マスクステージ６及び基板ステージ８を制御して、基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明領域ＩＲに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板保持部７に保持された基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１は、投影光学系ＰＬの射出面１１から射出される露光光ＥＬで液体ＬＱを介して露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に投影される。

各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光するときには、制御装置１は、基板ステージ８を制御して、投影領域ＰＲ（終端光学素子１０）に対して基板ＰをＹ軸方向に移動する。また、あるショット領域（例えば第１ショット領域Ｓ１）の露光が終了した後、次のショット領域（例えば第２ショット領域Ｓ２）を露光するために、制御装置１は、終端光学素子１０からの露光光ＥＬの射出を停止した状態で、投影領域ＰＲが次のショット領域の露光開始位置に配置されるように、基板ステージ８を制御して、終端光学素子１０に対して基板ＰをＸＹ平面内の所定方向に移動する。

本実施形態においては、制御装置１は、投影領域ＰＲが、図４中、例えば矢印Ｒ１に沿って移動するように、終端光学素子１０と基板Ｐ（基板ステージ８）を相対的に移動しつつ、終端光学素子１０の射出面１１から露光光ＥＬを射出して、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光する。

以下の説明において、矢印Ｒ１に沿って移動する基板ステージ８の移動軌跡を適宜、移動軌跡Ｒ１、と称する。

次に、図５及び図６を参照して、ダミー基板ＤＰについて説明する。図５及び図６は、本実施形態に係るダミー基板ＤＰの一例を示す側断面図である。上述のように、ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形である。基板保持部７は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持されるとき、ダミー基板ＤＰの表面の少なくとも一部が基板保持部７に対向する。以下の説明において、基板保持部７と対向するダミー基板ＤＰの表面の少なくとも一部を適宜、ダミー基板ＤＰの下面ＳＢ、と称し、下面ＳＢの反対方向を向くダミー基板ＤＰの表面の少なくとも一部を適宜、ダミー基板ＤＰの上面ＳＡ、と称する。基板保持部７は、ダミー基板ＤＰの下面ＳＢを保持する。

ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持された状態で、基板ステージ８の上面２２は、ダミー基板ＤＰの上面ＳＡの周囲に配置される。ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持された状態で、ダミー基板ＤＰの上面ＳＡと、基板ステージ８の上面２２とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。また、ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持された状態で、ダミー基板ＤＰの上面ＳＡは、終端光学素子１０の射出面１１及び液浸部材９の下面１２と対向可能である。

図５に示すように、本実施形態において、ダミー基板ＤＰは、基材Ｗと、その基材Ｗの表面の少なくとも一部に形成された膜Ｆとを含む。本実施形態において、ダミー基板ＤＰの上面ＳＡ、下面ＳＢ、及び上面ＳＡと下面ＳＢとを結ぶ側面ＳＣのそれぞれは、膜Ｆの表面である。なお、図６に示すように、上面ＳＡ及び側面ＳＣが膜Ｆの表面であり、下面ＳＢが基材Ｗの表面でもよい。あるいは、上面ＳＡが膜Ｆの表面であり、側面ＳＣ及び下面ＳＢが基材Ｗの表面でもよい。

本実施形態において、ダミー基板ＤＰの基材Ｗは、デバイス製造用の基板Ｐの基材と同じである。本実施形態において、ダミー基板ＤＰの基材Ｗは、シリコンウエハ（所謂、ベアウエハ）である。

本実施形態において、膜Ｆは、液体ＬＱに対して撥液性である。本実施形態において、膜Ｆは、フッ素を含む樹脂（フッ素系樹脂）で形成されている。本実施形態において、膜Ｆは、テフロン（登録商標）で形成される。なお、膜Ｆが、ＣＶＤ法で形成されたシリコン炭窒化（ＳｉＣＮ）膜でもよい。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について、図７のフローチャート、及び図８、図９の模式図を参照して説明する。

本実施形態においては、ダミー基板ＤＰを使用して所定の処理が実行される。ダミー基板ＤＰを用いる処理は、露光装置ＥＸの所定装置（基板ステージ８、投影光学系ＰＬ等）を調整する調整処理、及び露光装置ＥＸの所定部材（液浸部材９、終端光学素子１０等）をメンテナンスするメンテナンス処理の少なくとも一方を含む。

本実施形態において、調整処理及びメンテナンス処理を含む所定の処理は、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で実行される。

本実施形態において、調整処理は、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、投影光学系ＰＬの射出面１１から射出される露光光ＥＬの照射量を調整する処理、及び投影光学系ＰＬを調整する処理の少なくとも一方を含む。また、調整処理は、ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持された状態でマスクステージ６と基板ステージ８との同期移動誤差を調整する処理を含む。

本実施形態において、メンテナンス処理は、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、液浸部材９の少なくとも一部をクリーニングする処理、及び露光光ＥＬで投影光学系ＰＬの少なくとも一部を光洗浄する処理の少なくとも一方を含む。

図７に示すように、本実施形態の露光方法は、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持してダミー基板ＤＰを使用して所定装置の調整処理を実行すること（ステップＳＰ１）と、基板保持部７に保持された基板Ｐを露光光ＥＬで露光すること（ステップＳＰ２）と、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持してダミー基板ＤＰを使用して所定部材のメンテナンス処理を実行すること（ステップＳＰ３）とを含む。

本実施形態においては、ダミー基板ＤＰを用いる所定の処理が実行される前に、バッファ部１７にダミー基板ＤＰが予め収容される。制御装置１は、収容装置１３に収容されている複数（例えば５０枚）のダミー基板ＤＰのうち、２枚のダミー基板ＤＰを選択し、その２枚のダミー基板ＤＰを、搬送システム４を用いてバッファ部１７に収容する。

本実施形態において、ダミー基板ＤＰの使用は、基板保持部７に保持された状態における使用を含む。ダミー基板ＤＰを用いる所定の処理を実行する場合、制御装置１は、搬送システム４を用いて、バッファ部１７に収容されているダミー基板ＤＰを基板保持部７に搬入する。

制御装置１は、ダミー基板ＤＰを使用する調整処理を実行するために、バッファ部１７に収容されている２枚のダミー基板ＤＰのうち、１枚のダミー基板ＤＰを選択し、その選択したダミー基板ＤＰを、搬送システム４を用いて基板保持部７に搬入する。基板保持部７は、そのダミー基板ＤＰを保持する。

制御装置１は、ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持された後、その基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰを使用して、調整処理を開始する（ステップＳＰ１）。

図８は、投影光学系ＰＬの射出面１１から射出される露光光ＥＬの照射量の調整処理を実行している状態の一例を示す。図８に示すように、露光光ＥＬの照射量の調整処理は、投影光学系ＰＬの射出面１１と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で実行される。制御装置１は、射出面１１とダミー基板ＤＰとを対向させた状態で、射出面１１から露光光ＥＬを射出させつつ、射出面１１から射出される露光光ＥＬの照射量を調整する。射出面１１から射出された露光光ＥＬは、ダミー基板ＤＰに照射される。本実施形態においては、照明系ＩＬに、露光光ＥＬの照射量を計測可能な照射量センサが配置されている。露光光ＥＬの光源から射出され、照明系ＩＬを通過した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬに入射し、その投影光学系ＰＬの複数の光学素子を介して射出面１１より射出され、ダミー基板ＤＰに照射される。制御装置１は、露光光ＥＬの光源から射出され照明系ＩＬを通過する露光光ＥＬの照射量を、照明系ＩＬに配置されている照射量センサで計測する。制御装置１は、その照射量センサの計測結果に基づいて、射出面１１から射出される露光光ＥＬの照射量を導出することができる。制御装置１は、その照射量センサの計測結果に基づいて、例えば光源（本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ装置）の出力を調整することによって、露光光ＥＬの照射量を調整することができる。

このように、本実施形態において、ダミー基板ＤＰの使用は、射出面１１と対向した状態における使用を含む。また、ダミー基板ＤＰを使用することは、射出面１１から射出された露光光ＥＬをダミー基板ＤＰに照射することを含む。本実施形態においては、露光光ＥＬの照射量の調整処理において、ダミー基板ＤＰに露光光ＥＬが照射されるので、露光光ＥＬが露光装置ＥＸの好ましくない部位に照射されてしまうことを防ぐことができる。
例えば、調整処理において、基板ステージ８の上面２２、あるいは計測ステージ２３の上面５０に露光光ＥＬが照射されてしまうと、それら上面２２、５０が露光光ＥＬの照射により劣化してしまう可能性がある。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰに露光光ＥＬを照射することによって、露光光ＥＬの照射による上面２２、５０等の劣化を抑制することができる。

また、図８に示すように、露光光ＥＬの照射量の調整処理は、終端光学素子１０及び液浸部材９と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱが保持された状態で実行される。このように、本実施形態において、ダミー基板ＤＰを使用することは、終端光学素子１０及び液浸部材９との間において液体ＬＱを保持することを含む。

次に、ダミー基板ＤＰを使用して、投影光学系ＰＬを調整する処理の一例について説明する。投影光学系ＰＬの調整処理も、投影光学系ＰＬの射出面１１と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で実行される。制御装置１は、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持した状態で、図４を参照して説明したように、基板ステージ８を移動軌跡Ｒ１に沿って移動させつつ、投影光学系ＰＬの射出面１１から露光光ＥＬを射出する。すなわち、制御装置１は、射出面１１と基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で、基板ステージ８を移動軌跡Ｒ１に沿って移動しながら、投影光学系ＰＬの射出面１１から露光光ＥＬを射出させる。投影光学系ＰＬの射出面１１から射出された露光光ＥＬは、ダミー基板ＤＰに照射される。制御装置１は、ダミー基板ＤＰに仮想的に設定されたショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に露光光ＥＬが照射されるように射出面１１とダミー基板ＤＰとを対向させた状態で、そのダミー基板ＤＰを移動軌跡Ｒ１に沿って移動しながら、射出面１１から露光光ＥＬを射出する。すなわち、制御装置１は、ダミー基板ＤＰに仮想的に設定されたショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光（ダミー露光）する。

本実施形態において、投影光学系ＰＬの調整処理のためのダミー露光は、終端光学素子１０及び液浸部材９と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱが保持された状態で実行される。

ダミー露光が終了した後、制御装置１は、投影光学系ＰＬに対する基板ステージ８及び計測ステージ２３の位置を制御して、射出面１１と対向する位置に計測ステージ２３の計測器２４を配置する。制御装置１は、投影光学系ＰＬの射出面１１から露光光ＥＬを射出して、計測器２４に露光光ＥＬを照射する。上述のように、本実施形態において、計測器２４は、空間像計測システムを含み、投影光学系ＰＬによって形成される空間像（投影光学系ＰＬの結像特性）を計測可能である。制御装置１は、計測器２４の計測結果に基づいて、結像特性調整システムＰＬＣを制御する。すなわち、制御装置１は、計測器２４の計測結果に基づいて、投影光学系ＰＬが所期の結像特性になるように、結像特性調整システムＰＬＣを用いて、投影光学系ＰＬの結像特性を調整する。

このように、本実施形態において、ダミー基板ＤＰを使用することは、射出面１１と対向された状態で、露光光ＥＬの照射量を調整すること、及び投影光学系ＰＬを調整することの少なくとも一方を含む。

計測器２４を用いて投影光学系ＰＬの結像特性を計測する場合、計測ステージ２３が終端光学素子１０及び液浸部材９に対して所定位置に配置され、終端光学素子１０及び液浸部材２と計測ステージ２３との間に液体ＬＱが保持される。

このように、本実施形態において、ダミー基板ＤＰを使用することは、終端光学素子１０及び液浸部材９との間において液体ＬＱを保持することを含む。また、上述のように、ダミー露光において、ダミー基板ＤＰは、終端光学素子１０及び液浸部材９と対向された状態で、移動軌跡Ｒ１に沿って移動される。このように、ダミー基板ＤＰを使用することは、終端光学素子１０及び液浸部材９と対向された状態において移動することを含む。

本実施形態においては、投影光学系ＰＬの調整処理において、ダミー基板ＤＰを使用してダミー露光を実行した後、投影光学系ＰＬの結像特性の計測を実行するようにしたので、デバイスを製造するための基板Ｐに対する露光（実露光）と同様の露光条件で、投影光学系ＰＬの結像特性を精度良く計測することができる。したがって、その計測結果に基づいて、投影光学系ＰＬを所期の結像特性に良好に調整することができる。ダミー露光において、デバイスを製造するための基板Ｐでなくダミー基板ＤＰを使用することによって、基板Ｐが無駄に使用されてしまうことを防ぐことができる。また、上述のように、ダミー露光において、ダミー基板ＤＰは、液体ＬＱと接触する。ダミー基板ＤＰは基板Ｐに比べて異物を放出し難いので、調整処理において、液体ＬＱが汚染したり、液体ＬＱと接触する終端光学素子１０及び液浸部材９等が汚染したりすることを抑制することができる。

次に、ダミー基板ＤＰを使用して、マスクステージ６と基板ステージ８との同期移動誤差を調整する処理の一例について説明する。マスクステージ６と基板ステージ８との同期移動誤差の調整処理も、投影光学系ＰＬの射出面１１と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で実行される。

制御装置１は、ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持された状態で、マスクステージ６と基板ステージ８との同期移動誤差を調整する処理を実行する。すなわち、外形及び重量が基板Ｐとほぼ等しいダミー基板ＤＰを基板保持部７に保持させるとともに、マスクＭをマスク保持部５に保持させた状態で、基板Ｐの露光時と同じ移動条件で、マスクステージ６と基板ステージ８とを同期移動させる。制御装置１は、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持させた状態で、移動軌跡Ｒ１に沿って基板ステージ８を移動させる。ダミー基板ＤＰは、終端光学素子１０及び液浸部材９と対向された状態で、ＸＹ平面内において移動する。制御装置１は、干渉計システム１６でマスクステージ６及び基板ステージ８の位置を計測しつつ、マスクステージ６及び基板ステージ８を同期移動させる。これにより、マスクステージ６と基板ステージ８との同期移動誤差が計測され、その計測結果に基づいて、同期移動誤差を調整（補正）することができる。同期移動誤差を調整する技術の一例が、例えば国際公開第２００５／０３６６２０号パンフレットに開示されている。

このように、ダミー基板ＤＰを使用することは、ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持された状態で、マスクステージ６（マスク保持部５）と基板ステージ８（基板保持部７）との同期移動誤差を調整することを含む。

なお、調整処理として、射出面１１とダミー基板ＤＰとを対向させた状態で、射出面１１から露光光ＥＬを射出させつつ、例えば、チャンバ装置１５を用いる内部空間１４の環境を調整してもよい。

調整処理が終了した後、制御装置１は、基板Ｐの露光を開始する（ステップＳＰ２）。
制御装置１は、搬送システム４を用いて、基板保持部７からダミー基板ＤＰを搬出し、露光前の基板Ｐを基板保持部７に搬入（ロード）する。基板保持部７から搬出されたダミー基板ＤＰは、バッファ部１７及び収容装置１３の少なくとも一方に搬送される。

露光前の基板Ｐが基板ステージ８にロードされた後、制御装置１は、基板ステージ８を投影領域ＰＲに移動して、射出面１１から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、液浸部材９の下面１２の少なくとも一部と基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置１は、基板ステージ８及び計測ステージ２３の少なくとも一方と終端光学素子１０及び液浸部材９との間に液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ８の上面２２と計測ステージ２３の上面５０とを接近又は接触させた状態で、基板ステージ８の上面２２及び計測ステージ２３の上面５０の少なくとも一方と終端光学素子１０の射出面１１及び液浸部材９の下面１２とを対向させつつ、終端光学素子１０及び液浸部材９に対して、基板ステージ８と計測ステージ２３とをＸＹ方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置１は、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板ステージ８との間に液浸空間ＬＳが形成可能な状態、及び終端光学素子１０及び液浸部材９と計測ステージ２３との間に液浸空間ＬＳが形成可能な状態の一方から他方へ変化させることができる。すなわち、制御装置１は、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、液浸部材９の下面１２側に形成された液浸空間ＬＳが基板ステージ８の上面２２上と計測ステージ２３の上面５０上との間を移動するように、基板ステージ８及び計測ステージ２３を液浸部材９に対して移動させることができる。

以下の説明において、基板ステージ８の上面２２と計測ステージ２３の上面５０とを接近又は接触させた状態で、終端光学素子１０及び液浸部材９に対して、基板ステージ８と計測ステージ２３とをＸＹ方向に同期移動させる動作を適宜、スクラム移動、と称する。

スクラム移動を実行して、射出面１１から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板ステージ８（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置１は、基板Ｐの露光処理を開始する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置１は、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板ステージ８とを対向させ、終端光学素子１０と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置１は、照明系ＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭからの露光光ＥＬを投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに照射する。これにより、基板Ｐは露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。基板Ｐの露光において、制御装置１は、図４に示したように、基板ステージ８を移動軌跡Ｒ１に沿って移動させつつ、基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１のそれぞれを順次露光する。

基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置１は、スクラム移動を実行して、終端光学素子１０及び液浸部材９と計測ステージ２３との間に液浸空間ＬＳを形成し、基板ステージ８を基板交換位置に移動する。制御装置１は、基板交換位置に移動した基板ステージ８から露光後の基板Ｐを搬出し、露光前の基板Ｐを基板ステージ８に搬入する。

以下、制御装置１は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

制御装置１は、所定のタイミングで、ダミー基板ＤＰを使用して、メンテナンス処理を開始する（ステップＳＰ３）。

以下、液浸部材９のメンテナンス処理を実行する場合を例にして説明する。基板Ｐの露光において、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が、異物（汚染物、パーティクル）として液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に混入する可能性がある。また、基板Ｐから発生する物質のみならず、例えば空中を浮遊する異物が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入する可能性もある。液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に異物が混入すると、その液体ＬＱに接触する液浸部材９の下面１２の少なくとも一部に異物が付着する可能性がある。
そこで、本実施形態においては、制御装置１は、基板Ｐの非露光時に、ダミー基板ＤＰを使用して、液浸部材９の下面１２の少なくとも一部のメンテナンス処理を実行する。メンテナンス処理は、液浸部材９と基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で液浸部材９の少なくとも一部をクリーニングする処理を含む。

制御装置１は、ダミー基板ＤＰを使用するメンテナンス処理を実行するために、バッファ部１７に収容されている２枚のダミー基板ＤＰのうち、１枚のダミー基板ＤＰを選択し、その選択したダミー基板ＤＰを、搬送システム４を用いて基板保持部７に搬入する。基板保持部７は、そのダミー基板ＤＰを保持する。

制御装置１は、ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持された後、その基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰを使用して、メンテナンス処理を開始する。

以下、メンテナンス処理として、液浸部材９をクリーニングする処理の一例について説明する。液浸部材９のクリーニング処理は、液浸部材９の下面１２と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で実行される。本実施形態においては、液浸部材９の少なくとも一部をクリーニングするために、第１クリーニングモードと、第２クリーニングモードとが用意されている。

まず、第１クリーニングモードについて説明する。第１クリーニングモードは、終端光学素子１０及び液浸部材９と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成した状態で、基板ステージ８をＸＹ平面内で移動することによって、液浸部材９の少なくとも一部をクリーニングするモードである。制御装置１は、供給口２７からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口２８からの液体ＬＱの回収動作を実行して、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成した状態で、例えば基板ステージ８を移動軌跡Ｒ１に沿って移動させる。これにより、液浸部材９の下面１２の少なくとも一部がクリーニングされる。また、下面１２から剥離した異物は、液体ＬＱとともに、回収口２８から回収される。

次に、第２クリーニングモードについて説明する。第２クリーニングモードは、終端光学素子１０及び液浸部材９と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間にクリーニング用液体ＬＣを保持してそのクリーニング用液体ＬＣで液浸空間ＬＳＣを形成することによって、液浸部材９の少なくとも一部をクリーニングするモードである。本実施形態において、供給口２７は、液体ＬＱと異なるクリーニング用液体ＬＣを供給可能である。本実施形態においては、クリーニング用液体ＬＣとして、アルカリ洗浄液を用いる。本実施形態においては、クリーニング用液体ＬＣとして、アルカリ水溶液を用いる。本実施形態においては、クリーニング用液体ＬＣは、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH：tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液を含む。なお、クリーニング用液体ＬＣが、アルコールでもよい。例えば、クリーニング用液体ＬＣが、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及びペンタノールの少なくとも一つでもよい。

図９は、第２クリーニングモードの一例を示す模式図である。制御装置１は、供給口２７からのクリーニング用液体ＬＣの供給動作と並行して、回収口２８からのクリーニング用液体ＬＣの回収動作を実行して、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間にクリーニング用液体ＬＣで液浸空間ＬＳＣを形成する。
これにより、液浸部材９の下面１２の少なくとも一部がクリーニングされる。また、下面１２から剥離した異物は、クリーニング用液体ＬＣとともに、回収口２８から回収される。

また、制御装置１は、液浸部材９のクリーニング処理時においてクリーニング用液体ＬＣで形成される液浸空間ＬＳＣの大きさ（下面１２と平行なＸＹ平面内における大きさ）が、基板Ｐの露光時において液体ＬＱで形成される液浸空間ＬＳの大きさよりも大きくなるように、供給口２７を用いる供給動作、及び回収口２８を用いる回収動作の少なくとも一方を調整することができる。例えば、制御装置１は、液浸部材９のクリーニング処理において供給口２７から供給されるクリーニング用液体ＬＣの単位時間当たりの供給量を、基板Ｐの露光時において供給口２７から供給される液体ＬＱの単位時間当たりの供給量よりも多くすることによって、クリーニング用液体ＬＣで形成される液浸空間ＬＳＣの大きさを大きくすることができる。あるいは、制御装置１は、液浸部材９のクリーニング処理において回収口２８から回収されるクリーニング用液体ＬＣの単位時間当たりの回収量を、基板Ｐの露光時において回収口２８から回収されるクリーニング用液体ＬＣの単位時間当たりの回収量よりも少なくすることによって、クリーニング用液体ＬＣで形成される液浸空間ＬＳＣの大きさを大きくすることができる。もちろん、制御装置１は、供給口２７から供給されるクリーニング用液体ＬＣの単位時間当たりの供給量を多くするとともに、回収口２８から回収されるクリーニング用液体ＬＣの単位時間当たりの回収量を少なくすることによって、クリーニング用液体ＬＣで形成される液浸空間ＬＳＣの大きさを大きくしてもよい。

また、制御装置１は、第２クリーニングモードにおいて、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間にクリーニング用液体ＬＣで液浸空間を形成した状態で、ＸＹ平面内において基板ステージ８を移動してもよい。

このように、ダミー基板ＤＰの使用は、ダミー基板ＤＰが液浸部材９と対向された状態における液浸部材９の少なくとも一部のクリーニングを含む。また、上述のクリーニング処理によって、液浸部材９の下面１２のみならず、終端光学素子１０の射出面１１もクリーニングされる。

また、本実施形態においては、メンテナンス処理として、露光光ＥＬを用いて投影光学系ＰＬの少なくとも一部を光洗浄する処理が実行される。以下、メンテナンス処理として、投影光学系ＰＬの少なくとも一部を光洗浄する処理の一例について説明する。投影光学系ＰＬの光洗浄処理は、終端光学素子１０の射出面１１と、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとを対向させた状態で実行される。

また、本実施形態において、投影光学系ＰＬの光洗浄処理は、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳが形成された状態で実行される。

制御装置１は、照明系ＩＬから露光光ＥＬを射出する。照明系ＩＬから射出された露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬに入射し、投影光学系ＰＬの複数の光学素子を通過した後、射出面１１から射出される。本実施形態において、露光光ＥＬは、光洗浄効果を有する紫外光である。したがって、露光光ＥＬが照射されることによって、投影光学系ＰＬの光学素子は、光洗浄される。

上述のように、基板Ｐの露光において、基板Ｐから発生（溶出）した物質（例えば感光材等の有機物）が、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入する可能性がある。液浸空間ＬＳの液体ＬＱ中に異物が混入すると、その液体ＬＱに接触する終端光学素子１０の射出面１１に異物が付着する可能性がある。本実施形態においては、異物の発生が抑制されたダミー基板ＤＰと射出面１１を対向させた状態で射出面１１に露光光ＥＬが照射されるので、射出面１１は良好に光洗浄される。また、液体ＬＱと射出面１１とが接触された状態でその射出面１１に露光光ＥＬが照射されるので、高い光洗浄効果を得ることができる。また、本実施形態においては、供給口２７からの液体ＬＱの供給動作と回収口２８からの液体ＬＱの回収動作とを実行しながら、射出面１１に露光光ＥＬが照射される。これにより、射出面１１から剥離した異物は、回収口２８から回収される。

このように、メンテナンス処理は、射出面１１とダミー基板ＤＰとを対向させた状態で露光光ＥＬで投影光学系ＰＬの少なくとも一部を光洗浄する処理を含み、ダミー基板ＤＰの使用は、露光光ＥＬを用いる投影光学系ＰＬの少なくとも一部の光洗浄を含む。投影光学系ＰＬの光洗浄において、射出面１１と対向する位置にダミー基板ＤＰを配置することによって、射出面１１から射出された露光光ＥＬは、ダミー基板ＤＰに照射される。これにより、投影光学系ＰＬの光洗浄において、例えば基板ステージ８の上面２２、計測ステージ２３の上面５０等に露光光ＥＬが照射されることを防ぐことができ、露光光ＥＬの照射による上面２２、５０等の劣化を抑制することができる。

なお、本実施形態においては、上述の調整処理及びメンテナンス処理のみならず、ダミー基板ＤＰを用いる種々の処理が実行可能である。例えば、調整処理、露光処理、及びメンテナンス処理等のシーケンスが実行されていない状態（所謂、アイドリング状態）において、内部空間１４における基板ステージ８の状態（位置、移動条件、及び駆動条件の少なくとも一つ）によっては、内部空間１４の環境（温度等）が変動してしまう可能性がある。すなわち、基板ステージ８の状態に応じて、アイドリング状態における内部空間１４の環境が所期の環境から変化してしまう可能性がある。その結果、アイドリング状態から基板Ｐの露光を開始しようとしても、チャンバ装置１５によって内部空間１４が所期の環境に調整されるまでに時間を要してしまい、露光装置ＥＸの稼動率の低下を招いてしまう等、不都合が発生する可能性がある。

本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの使用は、内部空間１４において所定位置に配置された基板保持部７による保持を含む。すなわち、制御装置１は、アイドリング状態において、ダミー基板ＤＰを保持した基板保持部７を内部空間１４内の所定位置に配置する。制御装置１は、アイドリング状態においても、内部空間１４が所期の環境に対して大きく変化しないように、ダミー基板ＤＰを保持した基板保持部７を内部空間１４内の所定位置に配置する。あるいは、制御装置１は、アイドリング状態において、ダミー基板ＤＰを保持した基板保持部７（基板ステージ８）を、移動軌跡Ｒ１に沿って移動させる。これにより、アイドリング状態においても、内部空間１４の環境（温度等）が大きく変動してしまうことを抑制することができる。これにより、例えば基板ステージ８及び計測ステージ２３の位置計測を精度良く実行することができる。例えば、基板ステージ８がエンコーダシステムによって計測されるスケールを有する場合、そのスケールの熱変形を抑制することができる。

また、アイドリング状態において、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板ステージ８が移動軌跡Ｒ１に沿って移動することで、例えば終端光学素子１０及び液浸部材９が汚染されることを抑制することができる。

以上のように、本実施形態においては、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持してそのダミー基板ＤＰを使用して調整処理、メンテナンス処理等、種々の処理が実行される。そのダミー基板ＤＰの使用の状態は、管理装置３によって管理される。

管理装置３は、ダミー基板ＤＰの使用が開始されてからのダミー基板ＤＰの使用の履歴を管理する。管理装置３は、複数の管理項目に関してダミー基板ＤＰを管理する。

本実施形態において、管理項目は、ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持される累積時間、ダミー基板ＤＰと液体ＬＱとが接触する接液時間、ダミー基板ＤＰと液体ＬＱとが接触する第１状態と接触しない第２状態とが繰り返される回数（繰り返し回数）、ダミー基板ＤＰに対して照射される露光光ＥＬの積算エネルギー、バッファ部１７と基板保持部７との間でダミー基板ＤＰが搬送される回数（搬送回数）、及びダミー基板ＤＰが収容装置１３から搬出されてから収容装置１３に搬入されるまでの時間（装置内滞在時間）の少なくとも一つを含む。

また、上述の複数の管理項目のそれぞれに関して、管理パラメータが予め定められている。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの使用の内容に応じて、管理パラメータが定められている。

表１は、ダミー基板ＤＰの使用の内容と、各管理項目に関して予め定められた管理パラメータとの関係を示す。

管理パラメータは、ダミー基板ＤＰの使用の内容に応じて予め定められた、ダミー基板ＤＰに関する寿命に関する値である。換言すれば、管理パラメータは、ダミー基板ＤＰの使用の内容に応じて定められた、ダミー基板ＤＰの表面状態が所期の性能（値）を維持可能な期間である。ダミー基板ＤＰの表面状態は、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの接触角（撥液性）、及びダミー基板ＤＰの表面の汚染度（単位面積当たりの異物の量）の少なくとも一方を含む。

例えば、接液時間に応じて、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角（撥液性）が変化する可能性がある。例えば接液時間が長くなると、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角（撥液性）が低下（劣化）する可能性が高い。また、ダミー基板ＤＰに対して照射される露光光ＥＬの積算エネルギーに応じても、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの接触角（撥液性）が変化する可能性がある。例えばダミー基板ＤＰに対して照射される露光光ＥＬの積算エネルギーが大きくなると、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角（撥液性）が低下（劣化）する可能性が高い。また、累積時間及び装置内滞在時間の少なくとも一方が長くなったり、繰り返し回数が多くなったりした場合にも、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角（撥液性）が劣化する可能性がある。

また、累積時間、接液時間、繰り返し回数、及び装置内滞在時間の少なくとも一つに応じて、ダミー基板ＤＰの表面の汚染度が変化する可能性がある。例えば、クリーニング処理における接液時間が長くなったり、繰り返し回数が多くなったりすると、液浸部材９等から剥離した異物がダミー基板ＤＰの表面に付着する可能性が高くなり、ダミー基板ＤＰの表面の汚染度が高くなる可能性がある。また、累積時間及び装置内滞在時間の少なくとも一方が長くなると、例えば空中を浮遊する異物がダミー基板ＤＰの表面に付着する可能性が高くなり、ダミー基板ＤＰの表面の汚染度が高くなる可能性がある。また、搬送回数が多くなると、例えば搬送中にダミー基板ＤＰの下面ＳＢに異物（液体ＬＱの滴を含む）が付着する可能性が高くなり、ダミー基板ＤＰの表面の汚染度が高くなる可能性がある。

表１において、例えば第１クリーニングモードでダミー基板ＤＰを使用する場合、接液時間に関する管理パラメータは、３０日である。すなわち、第１クリーニングモードでダミー基板ＤＰを使用する場合、接液時間は３０日まで許容される。第１クリーニングモードで使用される場合において接液時間が３０日を超えると、例えば液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角は、許容値よりも低下（劣化）してしまう可能性が高い。また、クリーニング用液体ＬＣを用いる第２クリーニングモードでダミー基板ＤＰを使用する場合、ダミー基板ＤＰの表面は、第１クリーニングモードで使用される場合に比べて劣化し易いので、接液時間に関する管理パラメータは６時間に設定される。第２クリーニングモードで使用される場合において接液時間が６時間を超えると、液体ＬＱに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角は、許容値よりも低下（劣化）してしまう可能性が高い。

このように、本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの使用の内容に応じて、管理項目に関する管理パラメータが定められる。

なお、表１の管理項目、管理パラメータ、及び使用の内容等は一例である。管理パラメータは、例えばダミー基板ＤＰの表面（膜Ｆ）の堅牢さ、ダミー基板ＤＰの使用の状態等に応じて適宜定めることができる。

ダミー基板ＤＰの表面の撥液性が劣化すると、例えば終端光学素子１０及び液浸部材９との間で液体ＬＱ（クリーニング用液体ＬＣ）を良好に保持できなくなり、液浸空間を良好に形成できなくなる。その結果、ダミー基板ＤＰを使用する所定の処理中に、液浸空間の液体が流出してしまう等、不具合が発生する可能性がある。

また、ダミー基板ＤＰの表面の汚染度が劣化すると、そのダミー基板ＤＰを使用する所定の処理中に、周囲の部材（終端光学素子１０、液浸部材９、基板ステージ８、搬送システム４等）にダミー基板ＤＰの異物が付着してしまう等、被害が拡大してしまう可能性がある。

このように、ダミー基板ＤＰを用いて所定の処理を行う場合、液体ＬＱに対する撥液性、あるいは汚染度が劣化したダミー基板ＤＰを使用し続けると、その所定の処理を良好に実行できなくなる可能性がある。その結果、露光不良が発生する等、露光性能が低下し、不良デバイスが発生する可能性がある。

そこで、本実施形態においては、制御装置１は、管理装置３の出力と記憶装置２に記憶されている管理パラメータとに基づいて、ダミー基板ＤＰの使用の可否を判断する。上述のように、管理装置３は、タイマー及びカウンタ等を含み、上述の各管理項目に関する値を計測（管理）可能である。制御装置１は、各管理項目に関して管理装置３が計測した値と、予め定められた管理パラメータとを比較し、その比較した結果に基づいて、ダミー基板ＤＰの使用の可否を判断する。

例えば、制御装置１は、管理装置３の出力がダミー基板ＤＰの使用の内容に応じて定められた管理パラメータ以下である場合、そのダミー基板ＤＰは使用可能であると判断し、そのダミー基板ＤＰの使用を継続する。一方、制御装置１は、管理装置３の出力が管理パラメータを超えると判断した場合、そのダミー基板ＤＰは使用不可であると判断する。

制御装置１は、搬送システム４を用いて、使用不可であると判断したダミー基板ＤＰを、基板保持部７及びバッファ部１７の少なくとも一方から収容装置１３に搬送する。制御装置１は、収容装置１３に収容されている使用可能なダミー基板ＤＰを収容装置１３から搬出し、バッファ部１７に収容する。なお、使用可能なダミー基板ＤＰは、未使用のダミー基板ＤＰを含む。制御装置１は、そのバッファ部１７に収容されたダミー基板ＤＰの使用を開始する。

本実施形態において、バッファ部１７には、２枚のダミー基板ＤＰが収容されており、制御装置１は、その２枚のダミー基板ＤＰそれぞれの使用の可否を判断する。また、制御装置１は、収容装置１３が収容可能な複数（例えば５０枚）のダミー基板ＤＰそれぞれの使用の可否を判断することができる。

本実施形態において、複数のダミー基板ＤＰのそれぞれに識別子として識別マークが配置されている。識別マークは、複数のダミー基板ＤＰのそれぞれに付された固有のマークである。本実施形態において、アライメントシステム１９が、その識別マークを計測可能である。アライメントシステム１９で識別マークを計測するとき、制御装置１は、ダミー基板ＤＰを保持した基板ステージ８を制御して、アライメントシステム１９の計測領域に、ダミー基板ＤＰの識別マークを配置する。アライメントシステム１９は、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰの識別マークを計測する。アライメントシステム１９の計測結果は、制御装置１に出力される。制御装置１は、管理装置３の出力とアライメントシステム１９の計測結果とに基づいて、複数のダミー基板ＤＰのそれぞれの使用の可否を判断することができる。

なお、識別子を計測するための計測装置は、アライメントシステム１９に限られない。
例えば、収容装置１３、あるいは収容装置１３とバッファ部１７との搬送経路の間に、ダミー基板ＤＰに配置されている識別子（識別マーク）を計測可能な計測装置が配置されてもよい。

なお、複数のダミー基板ＤＰのそれぞれを識別するための識別子は、識別マークに限られず、例えば複数のダミー基板ＤＰのそれぞれに配置されたＩＣチップでもよい。

また、ダミー基板ＤＰのそれぞれに識別子を設けることなく、露光装置ＥＸ内の各ダミー基板ＤＰの所在を制御装置１によって追跡・管理することにより、各ダミー基板ＤＰを識別してもよい。

これにより、制御装置１は、複数のダミー基板ＤＰのうち、使用可能なダミー基板ＤＰを求めることができる。例えば、制御装置１は、管理装置３の出力と管理パラメータと識別子の計測結果とに基づいて、使用可能なダミー基板ＤＰと使用不可なダミー基板ＤＰとが収容装置１３に混在している場合でも、それら複数のダミー基板ＤＰのうち、基板保持部７に保持させて使用するダミー基板ＤＰを選択することができる。

また、制御装置１は、複数のダミー基板ＤＰの使用可否の判定結果を不図示のコンソールパネル等に表示して、オペレータに通知する。表示内容は、当該ダミー基板ＤＰが使用不可である旨の表示、当該ダミー基板ＤＰが使用可能である旨および使用期限の表示、当該ダミー基板ＤＰの各管理項目の現在値（例えば、現時点までの基板保持部７で保持された累積時間、積算接液時間、積算エネルギー量等）の表示、の一つを含むことができる。
そして、制御装置１は、使用不可と判定されたダミー基板ＤＰのそれ以降の使用を禁止する。

また、制御装置１は、管理装置３の出力と予め定められた管理パラメータとに基づいて、複数のダミー基板ＤＰの表面状態が同じになるように、基板保持部７に保持させて使用するダミー基板ＤＰを選択することができる。すなわち、複数（例えば５０枚）のダミー基板ＤＰの劣化状態が均一になるように、それら複数のダミー基板ＤＰを順次使用するようにしてもよい。

更に、制御装置１は、複数のダミー基板ＤＰを、露光動作を伴う処理専用のダミー基板、クリーニング専用のダミー基板というように、使用目的に合わせて各ダミー基板ＤＰを個別に管理することもできる。この場合、それぞれの使用目的を各ダミー基板ＤＰに対応付けて不図示のコンソールパネル上に表示してもよい。

以上説明したように、本実施形態においては、ダミー基板ＤＰの使用の状態を管理する管理装置３の出力と、予め定められた管理パラメータとに基づいて、ダミー基板ＤＰの使用の可否を判断するようにしたので、例えば劣化したダミー基板ＤＰを使用し続けてしまう状況が発生することを抑制することができる。したがって、劣化したダミー基板ＤＰの使用に起因する露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

また、本実施形態においては、複数のダミー基板ＤＰが用意されている場合において、管理装置３の出力と管理パラメータとに基づいて、複数のダミー基板ＤＰのうち基板保持部７に保持させて使用するダミー基板ＤＰを選択するようにしたので、例えば使用不可のダミー基板ＤＰを基板保持部７に搬送してしまったり、その使用不可のダミー基板ＤＰを使用してしまったりするといった不具合の発生を抑制することができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

また、本実施形態においては、複数の管理項目を管理することによって、ダミー基板ＤＰの表面状態（液体ＬＱに対する撥液性及び汚染度の少なくとも一方）を導出することができるので、所期の表面状態を有するダミー基板ＤＰを使用することができる。

なお、本実施形態においては、バッファ部１７が２枚のダミー基板ＤＰを収容可能であることとした。その場合、バッファ部１７に収容される２枚のダミー基板ＤＰの一方のダミー基板ＤＰの使用の内容と他方のダミー基板ＤＰの使用の内容とを分けてもよい。例えば、２枚のダミー基板ＤＰのそれぞれをクリーニング処理に使用する場合において、一方のダミー基板ＤＰを第１クリーニングモードに使用し、他方のダミー基板ＤＰを第２クリーニングモードに使用する。

なお、本実施形態においては、基板保持部７に搬送されるダミー基板ＤＰが、バッファ部１７に収容されているダミー基板ＤＰであることとした。収容装置１３に収容されているダミー基板ＤＰを、バッファ部１７を介さずに、基板保持部７に搬送してもよい。また、基板保持部７に保持されているダミー基板ＤＰを、バッファ部１７を介さずに、収容装置１３に搬送してもよい。

なお、上述の実施形態において、収容装置１３は、デバイス製造のための基板Ｐ、及びダミー基板ＤＰの少なくとも一方を収容可能である。その場合、収容装置１３に、収容している基板の種類（基板Ｐ及びダミー基板ＤＰのいずれか一方）を識別するための識別子を設けてもよい。すなわち、基板Ｐを収容している収容装置１３に第１識別子を設け、ダミー基板ＤＰを収容している収容装置１３に第１識別子と異なる第２識別子を設けることができる。これにより、制御装置１は、第１、第２識別子を計測することによって、収容装置１３が収容している基板Ｐの種類を把握することができる。また、制御装置１は、第２識別子を計測した場合、すなわち、露光装置ＥＸにダミー基板ＤＰを収容した収容装置１３が接続されたと判断した場合、管理装置３の管理動作を開始することができる。

なお、上述の実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子の射出側（像面側）の光路空間を液体で満たしているが、米国特許出願公開第２００５／０２４８８５６号明細書に開示されているように、終端光学素子の入射側（物体面側）の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の各実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。
液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

また、例えば露光光ＥＬがＦ２レーザ光である場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置としては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書及び米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

露光装置の種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。

また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸部が形成される。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。上述の実施形態のダミー基板ＤＰを用いる動作は、基板処理ステップ２０４に含まれる。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

１…制御装置、２…記憶装置、３…管理装置、５…マスク保持部、６…マスクステージ、７…基板保持部、８…基板ステージ、９…液浸部材、１０…終端光学素子、１１…射出面、１３…収容装置、１４…内部空間、１５…チャンバ装置、１５Ａ…チャンバ部材、１７…バッファ部、ＤＰ…ダミー基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系

Claims (45)

1. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
   前記基板をリリース可能に保持して移動可能な基板保持部と、
   前記基板保持部が保持可能なダミー基板の使用の状態を管理する管理装置と、
   前記管理装置が管理する前記ダミー基板の使用の状態と、前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、前記ダミー基板の使用の可否を判断する制御装置と、
   を備え、
   前記管理パラメータは、前記ダミー基板の使用の内容に応じて定められる露光装置。
2. 前記ダミー基板の使用は、前記基板保持部に保持された状態における使用を含む請求項１記載の露光装置。
3. 前記管理装置は複数の前記ダミー基板の使用の状態を管理し、
   前記制御装置は、複数の前記ダミー基板それぞれの使用の可否を判断する請求項１又は２記載の露光装置。
4. 前記管理装置は複数の前記ダミー基板の使用の状態を管理し、
   前記制御装置は、前記管理装置が管理する前記ダミー基板の使用の状態と、前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、複数の前記ダミー基板のうち前記基板保持部に保持させて使用するダミー基板を選択する請求項１から３のいずれか一項記載の露光装置。
5. 前記制御装置は、複数の前記ダミー基板の表面状態が同じになるように前記ダミー基板を選択する請求項４記載の露光装置。
6. 前記管理装置は、前記ダミー基板の使用が開始されてからの前記ダミー基板の使用の履歴を管理する請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
7. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板が前記基板保持部に保持される累積時間を含む請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
8. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板と前記液体とが接触する接液時間を含む請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
9. 前記ダミー基板と前記液体とが接触する第１状態と接触しない第２状態とが繰り返され、
   前記管理パラメータは、前記第１状態と前記第２状態とが繰り返される回数を含む請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
10. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板に対して照射される前記露光光の積算エネルギーを含む請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
11. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板を収容する第１収容装置と前記基板保持部との間で前記ダミー基板が搬送される回数を含む請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
12. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板が前記ダミー基板を収容する第２収容装置から搬出されてから前記第２収容装置に搬入されるまでの時間を含む請求項１〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
13. 前記基板に照射される前記露光光の光路が前記液体で満たされるように前記基板との間で前記液体を保持する液浸部材を備え、
    前記ダミー基板の使用は、前記液浸部材との間における液体の保持を含む請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
14. 前記ダミー基板の使用は、前記液浸部材と対向された状態における移動を含む請求項１３記載の露光装置。
15. 前記ダミー基板の使用は、前記液浸部材と対向された状態における前記液浸部材の少なくとも一部のクリーニングを含む請求項１３又は１４記載の露光装置。
16. 露光位置に前記露光光を射出する射出面を有する光学系を備え、
    前記ダミー基板の使用は、前記射出面と対向した状態における使用を含む請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
17. 前記ダミー基板の使用は、前記射出面から射出された前記露光光の照射を含む請求項１６記載の露光装置。
18. 前記ダミー基板の使用は、前記露光光の照射量の調整を含む請求項１６又は１７記載の露光装置。
19. 前記ダミー基板の使用は、前記露光光を用いる前記光学系の少なくとも一部の光洗浄を含む請求項１６記載の露光装置。
20. 前記ダミー基板の使用は、前記光学系の調整を含む請求項１６記載の露光装置。
21. 露光位置を含み、温度調整される所定空間を形成する所定部材を備え、
    前記ダミー基板の使用は、前記所定空間内において所定位置に配置された前記基板保持部に対する保持を含む請求項１〜２０のいずれか一項記載の露光装置。
22. マスクを保持したマスク保持部と前記基板を保持した前記基板保持部とが前記露光光の光路に対して所定方向に同期移動され、
    前記ダミー基板の使用は、前記ダミー基板が前記基板保持部に保持された状態における前記マスク保持部と前記基板保持部との同期移動誤差の調整を含む請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
23. 請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
24. 液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    基板保持部に保持された前記基板を前記露光光で露光することと、
    前記基板保持部でダミー基板を保持して前記ダミー基板を使用して所定の処理を実行することと、
    前記ダミー基板の使用の状態を管理することと、
    前記ダミー基板の使用の状態と、前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、前記ダミー基板の使用の可否を判断することと、
    を含み、
    前記管理パラメータは、前記ダミー基板の使用の内容に応じて定められる露光方法。
25. 前記ダミー基板の使用の状態の管理は、複数の前記ダミー基板それぞれの使用の状態を管理することを含み、
    複数の前記ダミー基板それぞれの使用状態と前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、複数の前記ダミー基板の表面状態が同じになるように、複数の前記ダミー基板のうち前記基板保持部に保持させて使用するダミー基板を選択することと、を更に含む請求項２４記載の露光方法。
26. 前記基板に照射される前記露光光の光路が液体で満たされるように液浸部材と前記基板との間に液体が保持され、
    前記所定の処理は、前記液浸部材と前記ダミー基板とを対向させた状態で前記液浸部材の少なくとも一部をクリーニングする処理を含む請求項２４又は２５記載の露光方法。
27. 光学系の射出面から射出される前記露光光で前記基板が露光され、
    前記所定の処理は、前記射出面と前記ダミー基板とを対向させた状態で前記露光光で前記光学系の少なくとも一部を光洗浄する処理を含む請求項２４〜２６のいずれか一項記載の露光方法。
28. 光学系の射出面から射出される前記露光光で前記基板が露光され、
    前記所定の処理は、前記射出面と前記ダミー基板とを対向させた状態で前記露光光の照射量を調整する処理を含む請求項２４〜２６のいずれか一項記載の露光方法。
29. 光学系の射出面から射出される前記露光光で前記基板が露光され、
    前記所定の処理は、前記射出面と前記ダミー基板とを対向させた状態で前記光学系を調整する処理を含む請求項２４〜２６のいずれか一項記載の露光方法。
30. 露光位置を含み温度調整される所定空間内において前記基板を保持した前記基板保持部が移動され、
    前記所定の処理は、前記ダミー基板を保持した前記基板保持部を前記所定空間内の所定位置に配置する処理を含む請求項２４〜２９のいずれか一項記載の露光方法。
31. マスクを保持したマスク保持部と前記基板を保持した前記基板保持部とが前記露光光の光路に対して所定方向に同期移動され、
    前記所定の処理は、前記ダミー基板が前記基板保持部に保持された状態で前記マスク保持部と前記基板保持部との同期移動誤差を調整する処理を含む請求項２４〜３０のいずれか一項記載の露光方法。
32. 請求項２４〜３１のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
33. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、
    前記基板をリリース可能に保持する基板保持部にダミー基板を保持することと、
    前記ダミー基板と所定部材との間で液体を保持して前記所定部材をメンテナンスすることと、
    前記ダミー基板の使用の状態を管理することと、
    前記ダミー基板の使用の状態と前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、前記ダミー基板の使用の可否を判断すること、
    を含み、
    前記管理パラメータは、前記ダミー基板の使用の内容に応じて定められるメンテナンス方法。
34. 前記ダミー基板の使用の状態の管理は、複数の前記ダミー基板それぞれの使用の状態を管理することを含み、
    複数の前記ダミー基板それぞれの使用状態と予め定められた管理パラメータとに基づいて、複数の前記ダミー基板の表面状態が同じになるように、複数の前記ダミー基板のうち前記基板保持部に保持させて使用するダミー基板を選択することを更に含む請求項３３記載のメンテナンス方法。
35. 請求項３３又は３４記載のメンテナンス方法でメンテナンスされた露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
36. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の調整方法であって、
    前記基板をリリース可能に保持する基板保持部にダミー基板を保持することと、
    前記基板保持部にダミー基板を保持した状態で、所定装置を調整することと、
    前記ダミー基板の使用の状態を管理することと、
    前記ダミー基板の使用の状態と前記ダミー基板に関して予め定められた管理パラメータとに基づいて、前記ダミー基板の使用の可否を判断することと、
    を含み、
    前記管理パラメータは、前記ダミー基板の使用の内容に応じて定められる調整方法。
37. 前記ダミー基板の使用の状態の管理は、複数の前記ダミー基板それぞれの使用の状態を管理することを含み、
    複数の前記ダミー基板それぞれの使用状態と予め定められた管理パラメータとに基づいて、複数の前記ダミー基板の表面状態が同じになるように、複数の前記ダミー基板のうち前記基板保持部に保持させて使用するダミー基板を選択することを更に含む請求項３６記載の調整方法。
38. 請求項３６又は３７記載の調整方法で調整された露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
39. 基板に液体を介して露光光を照射する露光する露光装置の基板保持部にリリース可能に保持されるダミー基板であって、
    前記ダミー基板のそれぞれを識別する識別マークを有し、
    前記識別マークによって前記露光装置での前記ダミー基板の使用の内容ごとの履歴と対応付けられ、
    前記露光装置での使用の内容ごとに応じた管理パラメータが定められているダミー基板。
40. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板が前記基板保持部に保持される累積時間を含む請求項３９記載のダミー基板。
41. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板と前記液体とが接触する接液時間を含む請求項３９又は４０に記載のダミー基板。
42. 前記ダミー基板と前記液体とが接触する第１状態と接触しない第２状態とが繰り返され、
    前記管理パラメータは、前記第１状態と前記第２状態とが繰り返される回数を含む請求項３９〜４１のいずれか一項記載のダミー基板。
43. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板に対して照射される前記露光光の積算エネルギーを含む請求項３９〜４２のいずれか一項記載のダミー基板。
44. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板を収容する第１収容装置と前記基板保持部との間で前記ダミー基板が搬送される回数を含む請求項３９〜４３のいずれか一項記載のダミー基板。
45. 前記管理パラメータは、前記ダミー基板が前記ダミー基板を収容する第２収容装置から搬出されてから前記第２収容装置に搬入されるまでの時間を含む請求項３９〜４４のいずれか一項記載のダミー基板。

Images