JP2009147235A - 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、リソグラフィシステム及びメンテナンス方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板保持部の汚染を抑制し、露光性能の低下を抑制できる露光方法を提供する。
【解決手段】露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法は、移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で基板を保持することと、基板保持部に保持された基板を露光用液体を介して露光することと、基板保持部が基板を保持しないときに、所定部材を基板保持部に供給し、基板保持部で保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージ上及び所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含む。露光方法は、所定部材を基板保持部に供給する前に、所定部材の表面処理を実行するか否かを判断する。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光方法、露光装置、デバイス製造方法、リソグラフィシステム及びメンテナンス方法に関する。

リソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
米国特許出願公開第２００５／０２８０７９１号明細書 米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書

露光装置において、基板を保持する基板保持部が汚染すると、例えば基板を良好に保持できなくなる可能性がある。例えば、液浸露光装置において、基板保持部に液体が接触すると、基板保持部が汚染する可能性がある。その結果、露光不良が発生する等、露光性能が低下し、不良デバイスが発生する可能性がある。

本発明の態様は、基板保持部の汚染を抑制し、露光性能の低下を抑制できる露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるリソグラフィシステムを提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光装置の露光性能の低下を抑制できるメンテナンス方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で基板を保持することと、基板保持部に保持された基板を露光用液体を介して露光することと、基板保持部が基板を保持しないときに、所定部材を基板保持部に供給し、基板保持部で保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージ上及び所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含み、所定部材を基板保持部に供給する前に、所定部材の表面処理を実行するか否かを判断する露光方法が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で基板を保持することと、基板保持部に保持された基板を露光用液体を介して露光することと、基板保持部が基板を保持しないときに、基板保持部が保持可能な、表面処理された所定部材の供給を要求することと、要求後、所定部材を基板保持部に供給し、基板保持部で保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージ上及び所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含み、所定部材を基板保持部に供給する前に、所定部材の表面処理を再度実行するか否かを判断する露光方法が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で基板を保持することと、基板保持部に保持された基板を露光用液体を介して露光することと、露光が実行されない状態が所定時間経過したときに、基板保持部が保持可能な所定部材の供給を要求することと、要求後、供給された所定部材を基板保持部で保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージ上及び所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含み、所定部材を基板保持部に供給する前に、所定部材の表面処理を実行するか否かを判断する露光方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で基板を保持することと、基板保持部に保持された基板を露光用液体を介して露光することと、基板保持部が基板を保持しないときに、基板保持部が保持可能な所定部材の供給を要求することと、要求後、所定部材の表面処理を実行することと、表面処理された所定部材を基板保持部に供給し、基板保持部で保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージ上及び所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で基板を保持することと、基板保持部に保持された基板を露光用液体を介して露光することと、露光が実行されない状態が所定時間経過したときに、基板保持部が保持可能な所定部材の供給を要求することと、要求後、所定部材の表面処理を実行することと、表面処理された所定部材を基板保持部に供給し、基板保持部で保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージ上及び所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で基板を保持することと、基板保持部に保持された基板を露光用液体を介して露光することと、基板保持部が保持可能な所定部材の表面処理を実行することと、基板保持部が基板を保持しないときに、表面処理された所定部材を基板保持部に供給し、基板保持部で保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージ上及び所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含み、予め定められた露光制御情報に応じて、所定部材の表面処理開始時点を決定する露光方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、第１〜第６の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、基板を着脱可能な基板保持部を有し、基板を保持して移動可能なステージと、基板、及び基板保持部が保持可能な所定部材を収容可能な収容装置と、所定部材を、収容装置と基板保持部と所定部材の表面処理を実行可能な処理装置との間で搬送可能な搬送システムと、を備え、所定部材は、少なくとも基板保持部に基板が保持されているとき、収容装置に収容され、基板保持部は、搬送システムで収容装置から搬送された所定部材を保持する露光装置が提供される。

本発明の第９の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、基板を着脱可能な基板保持部を有し、基板を保持して移動可能なステージと、外部装置から供給される、基板保持部が保持可能な、表面処理された所定部材を、基板保持部に搬送可能な搬送システムと、外部装置との間で通信可能な通信装置と、通信装置を介して、外部装置に信号を出力可能な制御装置と、を備え、制御装置は、外部装置に所定部材の供給を要求する信号を出力する露光装置が提供される。

本発明の第１０の態様に従えば、第８、第９の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第１１の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置を含むリソグラフィシステムであって、基板を着脱可能な基板保持部を有し、基板を保持して移動可能なステージと、基板、及び基板保持部が保持可能な所定部材を収容可能な収容装置と、所定部材を、収容装置と基板保持部と所定部材の表面処理を実行可能な処理装置との間で搬送可能な搬送システムと、を備え、所定部材は、少なくとも基板保持部に基板が保持されているとき、収容装置に収容され、基板保持部は、搬送システムで収容装置から搬送された所定部材を保持するリソグラフィシステムが提供される。

本発明の第１２の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置を含むリソグラフィシステムであって、基板を着脱可能な基板保持部を有し、基板を保持して移動可能なステージと、基板保持部が保持可能な所定部材の表面処理を実行可能な処理装置と、所定部材を、基板保持部に搬送可能な搬送システムと、所定部材の表面処理を実行するか否かを判断し、判断結果に基づいて、表面処理に関する信号を前記処理装置に出力する制御装置と、を備え、制御装置は、処理装置及び搬送システムを制御して、表面処理された所定部材を基板保持部に供給するリソグラフィシステムが提供される。

本発明の第１３の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、基板を着脱可能なステージの基板保持部が保持可能な所定部材を、基板を収容可能な収容装置に収容することと、ステージのメンテナンス処理のために、収容装置から所定部材を搬出することと、搬出した所定部材の表面状態に応じて、所定部材の表面処理を実行するか否かを判断することと、判断後、所定部材を基板保持部に供給して、基板保持部に所定部材を保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージのメンテナンス処理を実行することと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明の第１４の態様に従えば、露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、基板を着脱可能な基板保持部を有するステージをメンテナンス処理するために、基板保持部が保持可能で表面処理された所定部材の供給を要求することと、供給された所定部材に関して前回の表面処理終了時からの経過時間が所定時間以上であるか否かを判断することと、判断後、所定部材を基板保持部に供給して、基板保持部に所定部材を保持することと、基板保持部が所定部材を保持した状態で、ステージのメンテナンス処理を実行することと、を含むメンテナンス方法が提供される。

本発明によれば、露光性能の低下を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係るデバイス製造システムＳＹＳの一例を示す図、図２は、デバイス製造システムＳＹＳの制御システムを示すブロック図である。本実施形態のデバイス製造システムＳＹＳは、露光光ＥＬで基板Ｐを露光して、基板Ｐにデバイスパターンを生成するリソグラフィシステム（フォトリソグラフィシステム）を含む。

図１及び図２において、デバイス製造システムＳＹＳは、露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸと、インターフェースＩＦを介して露光装置ＥＸと接続された基板処理装置ＣＤと、デバイス製造システムＳＹＳ全体を制御するホストコンピュータＨＣとを備えている。

露光装置ＥＸは、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する第１制御装置１を備えている。基板処理装置ＣＤは、基板処理装置ＣＤ全体の動作を制御する第２制御装置２を備えている。第１制御装置１及び第２制御装置２はそれぞれ、コンピュータシステムを含む。第１制御装置１は、ホストコンピュータＨＣに接続されている。第２制御装置２は、ホストコンピュータＨＣに接続されている。第１制御装置１には、時間を計測するタイマー５０が接続されている。また、第１制御装置１には、露光に関する各種情報を記憶可能な記憶装置５１が接続されている。

第１制御装置１は、ホストコンピュータＨＣに信号を出力可能（送信可能）であり、ホストコンピュータＨＣからの信号を入力可能（受信可能）である。第２制御装置２は、ホストコンピュータＨＣに信号を出力可能（送信可能）であり、ホストコンピュータＨＣからの信号を入力可能（受信可能）である。第１制御装置１と第２制御装置２とは、ホストコンピュータＨＣを介して通信可能である。露光装置ＥＸの第１制御装置１は、ホストコンピュータＨＣを介して、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２との間で通信可能である。

露光装置ＥＸは、基板Ｐを処理する内部空間を形成する第１チャンバ装置ＣＨ１と、第１チャンバ装置ＣＨ１の内部空間において基板Ｐを搬送可能な搬送システム３とを備えている。基板処理装置ＣＤは、基板Ｐを処理する内部空間を形成する第２チャンバ装置ＣＨ２と、第２チャンバ装置ＣＨ２の内部空間において基板Ｐを搬送可能な搬送システム４とを備えている。搬送システム３、４により、基板Ｐは、露光装置ＥＸと基板処理装置ＣＤとの間をインターフェースＩＦを介して移動可能である。

基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基板に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板に、例えば保護膜（トップコート膜）、反射防止膜等、各種の膜が形成されていてもよい。

本実施形態において、基板処理装置ＣＤは、コータ・デベロッパ装置を含む。基板処理装置ＣＤは、基板に所定の膜を形成可能な膜形成装置４０、４１と、露光後の基板Ｐを現像する現像装置４２と、基板の表面処理を実行可能な表面処理装置４３とを備えている。膜形成装置４０は、例えば米国特許出願公開第２００６／００６８１１０号明細書等に開示されているような、感光材の溶液をスピンコーティング法に基づいて基板に塗布することによって、基板上に感光膜を形成可能な塗布装置を含む。膜形成装置４０は、感光膜のみならず、保護膜及び反射防止膜等、各種の膜を基板上に形成可能である。

膜形成装置４１は、基板上にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の膜を形成可能な膜形成装置を含む。表面処理装置４３は、基板をフッ酸処理可能な表面処理装置を含む。

露光装置ＥＸは、マスクＭを着脱可能なマスク保持部５を有し、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ６と、基板Ｐを着脱可能な基板保持部７を有し、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ８と、マスクステージ６に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。

マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＭは、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクである。透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型等の位相シフトマスクも含む。なお、本実施形態においては、マスクＭとして透過型マスクを用いるが、反射型マスクでもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００５／０２８０７９１号明細書及び米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているような、露光用液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が露光用液体ＬＱで満たされるように露光用液体ＬＱで液浸空間ＬＳ１を形成可能な液浸部材９を備えている。液浸空間は、液体で満たされた空間である。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１０と、その終端光学素子１０と対向する物体との間の露光光ＥＬの光路が露光用液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳ１が形成される。終端光学素子１０は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する下面（射出面）１１を有する。液浸空間ＬＳ１は、終端光学素子１０の下面１１と、その終端光学素子１０の下面１１と対向する物体との間の露光光ＥＬの光路を露光用液体ＬＱで満たすように形成される。露光装置ＥＸは、露光用液体ＬＱを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。

液浸部材９は、終端光学素子１０の近傍に配置されている。液浸部材９は、終端光学素子１０の下面１１と対向する位置に配置される物体と対向可能な下面１２を有する。本実施形態においては、終端光学素子１０及び液浸部材９と、その終端光学素子１０及び液浸部材９と対向する物体との間に保持される露光用液体ＬＱによって液浸空間ＬＳ１が形成される。

終端光学素子１０及び液浸部材９と対向可能な物体は、終端光学素子１０の射出側（投影光学系ＰＬの像面側）で移動可能な物体を含む。本実施形態においては、終端光学素子１０の射出側で移動可能な物体は、基板ステージ８及び基板ステージ８の基板保持部７に保持される基板Ｐの少なくとも一方を含む。液浸空間ＬＳ１は、終端光学素子１０及び液浸部材９と、基板ステージ８及び基板保持部７に保持された基板Ｐの少なくとも一方との間に形成可能である。

本実施形態においては、投影光学系ＰＬの投影領域を含む基板Ｐの上面の一部の領域が露光用液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳ１が形成される。露光用液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）は、液浸部材９の下面１２と基板Ｐの上面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

また、本実施形態においては、所定のタイミングで、終端光学素子１０及び液浸部材９と、その終端光学素子１０及び液浸部材９と対向する物体との間に、クリーニング用液体ＬＣで液浸空間ＬＳ２が形成される。クリーニング用液体ＬＣで液浸空間ＬＳ２を形成することによって、その液浸空間ＬＳ２のクリーニング用液体ＬＣと接触する部材の表面をクリーニングすることができる。

以下の説明においては、露光用液体ＬＱを適宜、第１液体ＬＱ、と称し、クリーニング用液体ＬＣを適宜、第２液体ＬＣ、と称する。また、第１液体ＬＱで形成される液浸空間ＬＳ１を適宜、第１液浸空間ＬＳ１、と称し、第２液体ＬＣで形成される液浸空間ＬＳ２を適宜、第２液浸空間ＬＳ２、と称する。

また、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板Ｐを収容可能な第１収容装置１３を備えている。第１収容装置１３は、第１チャンバ装置ＣＨ１の所定位置に接続される。第１収容装置１３は、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれる基板収容装置を含む。第１収容装置１３は、例えば１ロット分（例えば５０枚）の基板Ｐを収容可能である。

また、本実施形態においては、基板処理装置ＣＤは、基板Ｐを収容可能な第２収容装置１４を備えている。第２収容装置１４は、第２チャンバ装置ＣＨ２の所定位置に接続される。第２収容装置１４は、例えばＦＯＵＰを含む。第２収容装置１４は、例えば１ロット分（例えば５０枚）の基板Ｐを収容可能である。

本実施形態において、搬送システム３は、基板Ｐを、第１収容装置１３と、基板ステージ８の基板保持部７と、基板処理装置ＣＤとの間で搬送可能である。搬送システム４は、基板Ｐを、第２収容装置１４と、膜形成装置４０、４１と、現像装置４２と、表面処理装置４３と、露光装置ＥＸとの間で搬送可能である。

また、本実施形態においては、第１収容装置１３にダミー基板ＤＰが収容されている。ダミー基板ＤＰは、露光用の基板Ｐとは別の、異物を放出しにくい高い清浄度を有する（クリーンな）部材である。本実施形態において、ダミー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形である。基板保持部７は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。第１収容装置１３は、基板保持部７が保持可能なダミー基板ＤＰを収容可能である。本実施形態においては、第１収容装置１３にダミー基板ＤＰが１枚収容される。なお、第１収容装置１３に複数のダミー基板ＤＰが収容されてもよい。

基板Ｐを搬送可能な搬送システム３は、ダミー基板ＤＰを、第１収容装置１３と、基板ステージ８の基板保持部７と、基板処理装置ＣＤとの間で搬送可能である。搬送システム４も、ダミー基板ＤＰを搬送可能である。

照明系ＩＬは、所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬは、照明領域に配置されたマスクＭの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ６は、マスクＭを保持するマスク保持部５を有する。マスク保持部５は、マスクＭを着脱可能である。本実施形態において、マスク保持部５は、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ６は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置１５の作動により、マスクＭを保持して移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ６は、マスク保持部５にマスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。

マスクステージ６（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム１６のレーザ干渉計１６Ａによって計測される。レーザ干渉計１６Ａは、マスクステージ６の計測面６Ｒに照射した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に関するマスクステージ６の位置情報を計測する。第１制御装置１は、干渉計システム１６（レーザ干渉計１６Ａ）の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置１５を作動し、マスク保持部５に保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、所定の投影領域に露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域に配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒に保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ８は、ステージ本体１７と、ステージ本体１７上に搭載された基板テーブル１８とを有する。基板テーブル１８は、基板Ｐを保持する基板保持部７を有する。基板保持部７は、基板Ｐを着脱可能である。本実施形態において、基板保持部７は、基板Ｐの上面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ８は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置１９の作動により、プレート部材２０上において、基板Ｐを保持して移動可能である。

本実施形態において、基板ステージ駆動装置１９は、プレート部材２０上でステージ本体１７を移動する粗動システム１９Ａと、ステージ本体１７上で基板テーブル１８を移動する微動システム１９Ｂとを含む。粗動システム１９Ａは、リニアモータ等のアクチュエータを含み、プレート部材２０上のステージ本体１７を、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に移動可能である。粗動システム１９Ａによってステージ本体１７がＸ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に移動することによって、そのステージ本体１７上に搭載されている基板テーブル１８も、ステージ本体１７と一緒に、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に移動する。

微動システム１９Ｂは、ステージ本体１７と基板テーブル１８との間に配置された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置（エンコーダなど）とを含み、ステージ本体１７上の基板テーブル１８を、少なくともＺ軸、θＸ及びθＹ方向に移動可能である。また、微動システム１９Ｂは、ステージ本体１７上の基板テーブル１８を、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に移動（微動）可能である。

粗動システム１９Ａ及び微動システム１９Ｂを含む基板ステージ駆動装置１９によって、基板テーブル１８は、基板保持部７に基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

基板テーブル１８（基板Ｐ）の位置情報は、干渉計システム１６のレーザ干渉計１６Ｂによって計測される。レーザ干渉計１６Ｂは、基板テーブル１８の計測面１８Ｒに照射した計測光を用いて、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に関する基板テーブル１８の位置情報を計測する。また、基板保持部７に保持されている基板Ｐの上面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ及びθＹ方向に関する位置情報）が、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。第１制御装置１は、干渉計システム１６（レーザ干渉計１６Ｂ）の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置１９を作動し、基板保持部７に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。

図３は、基板テーブル１８及び液浸部材９の近傍を示す側断面図、図４は、基板テーブル１８を示す斜視図である。基板テーブル１８は、第１凹部２１を有する。基板保持部７は、第１凹部２１に配置されている。第１凹部２１の周囲には、基板テーブル１８の上面２２が配置される。基板テーブル１８の上面２２は、基板保持部７に保持された基板Ｐの上面の周囲に配置される。基板保持部７に保持された基板Ｐの上面と基板テーブル１８の上面２２とは、所定のギャップＧ１を介して配置される。ギャップＧ１は、例えば約０．１ｍｍである。基板テーブル１８の上面２２は、ほぼ平坦であり、基板保持部７に保持された基板Ｐの上面とほぼ同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される。すなわち、基板テーブル１８の上面２２と、基板保持部７に保持された基板Ｐの上面とは、ほぼ面一である。基板テーブル１８の上面２２は、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と対向可能である。また、基板保持部７に保持された基板Ｐの上面は、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と対向可能である。

上述のように、ダミーー基板ＤＰは、基板Ｐとほぼ同じ外形であり、基板保持部７は、ダミー基板ＤＰを保持可能である。ダミー基板ＤＰが基板保持部７に保持されたとき、基板テーブル１８の上面２２は、ダミー基板ＤＰの上面の周囲に配置される。基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰの上面と基板テーブル１８の上面２２とは、ギャップＧ１を介して配置される。基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰの上面と、基板テーブル１８の上面２２とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。また、基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰの上面は、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と対向可能である。

本実施形態において、基板テーブル１８は、第２凹部２３を有する。第２凹部２３には、振動部材２４が配置されている。本実施形態において、振動部材２４は、石英で形成されたロッド状の部材である。振動部材２４は、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と対向可能な上面２５を有する。振動部材２４の上面２５と、基板テーブル１８の上面２２とは、ほぼ同一平面内に配置されている（ほぼ面一である）。振動部材２４の上面２５の周囲には、基板テーブル１８の上面２２が配置される。振動部材２４の上面２５と基板テーブル１８の上面２２とは、所定のギャップＧ２を介して配置される。ギャップＧ２は、例えば約０．１ｍｍである。第２凹部２３の内側において、振動部材２４の下面に振動発生装置２６が接続されている。振動発生装置２６は、振動部材２４を振動させる。振動発生装置２６は、超音波発生装置を含み、振動部材２４に超音波を与える。本実施形態において、振動発生装置２６は、圧電素子を含む。

図３に示すように、液浸部材９は、終端光学素子１０の近傍に配置されている。液浸部材９は、環状の部材である。液浸部材９は、終端光学素子１０（露光光ＥＬの光路）の周囲に配置されている。例えば基板Ｐ上に第１液浸空間ＬＳ１を形成する場合、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と基板Ｐの上面との間に液体ＬＱが保持される。

液浸部材９は、第１液体ＬＱを供給可能な供給口２７と、第１液体ＬＱを回収可能な回収口２８とを有する。回収口２８は、液浸部材９の下面１２の一部に配置されている。本実施形態においては、回収口２８に多孔部材（メッシュ部材）２９が配置されている。多孔部材２９は、液浸部材９の下面１２の一部を形成する。終端光学素子１０の下面１１と対向する液浸部材９の一部に、開口３０が形成されている。終端光学素子１０の下面１１から射出された露光光ＥＬは、開口３０を通過し、基板Ｐに照射される。

露光装置ＥＸは、第１液体ＬＱを発生する第１液体供給装置３１と、第２液体ＬＣを発生する第２液体供給装置３２と、液体を回収可能な液体回収装置３３とを備えている。第１液体供給装置３１、第２液体供給装置３２及び液体回収装置３３は、第１制御装置１に制御される。第１液体供給装置３１と供給口２７とは、液浸部材９の内部に形成された供給流路及び供給管３４を介して接続されている。液体回収装置３３と回収口２８とは、液浸部材９の内部に形成された回収流路及び回収管３５を介して接続されている。第２液体供給装置３２は、流路切替機構３６を介して、供給管３４と接続されている。流路切替機構３６は、第１制御装置１に制御される。

上述のように、第１液体ＬＱは、露光用液体である。第１液体供給装置３１は、清浄で温度調整された第１液体ＬＱを、供給口２７に向けて送出可能である。第２液体ＬＣは、クリーニング用液体である。第２液体供給装置３２は、第２液体ＬＣを、供給口２７に向けて送出可能である。液体回収装置３３は、真空システムを含み、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣを回収可能である。

本実施形態において、第１制御装置１は、流路切替機構３６、第１液体供給装置３１及び第２液体供給装置３２を制御して、第１液体供給装置３１から送出された第１液体ＬＱが供給口２７へ供給されるとき、第２液体供給装置３２から供給口２７への第２液体ＬＣの供給を停止することができる。また、第１制御装置１は、第２液体供給装置３２から送出された第２液体ＬＣが供給口２７へ供給されるとき、第１液体供給装置３１から供給口２７への第１液体ＬＱの供給を停止することができる。

例えば、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成するために、第１制御装置１は、第２液体供給装置３２から供給口２７への第２液体ＬＣの供給を停止し、第１液体供給装置３１から第１液体ＬＱを送出する。第１液体供給装置３１から送出された第１液体ＬＱは、供給管３４及び液浸部材９の供給流路を流れた後、供給口２７に供給される。供給口２７は、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成するために、第１液体供給装置３１からの第１液体ＬＱを供給する。また、液体回収装置３３の作動によって、回収口２８から回収された第１液体ＬＱは、液浸部材９の回収流路を流れた後、回収管３５を介して液体回収装置３３に回収される。第１制御装置１は、供給口２７を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口２８を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行することによって、第１液浸空間ＬＳ１を形成する。

また、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成するために、第１制御装置１は、第１液体供給装置３１から供給口２７への第１液体ＬＱの供給を停止し、第２液体供給装置３２から第２液体ＬＣを送出する。第２液体供給装置３２から送出された第２液体ＬＣは、供給管３４及び液浸部材９の供給流路を流れた後、供給口２７に供給される。供給口２７は、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成するために、第２液体供給装置３２からの第２液体ＬＣを供給する。また、液体回収装置３３の作動によって、回収口２８から回収された第２液体ＬＣは、液浸部材９の回収流路を流れた後、回収管３５を介して液体回収装置３３に回収される。第１制御装置１は、供給口２７を用いる第２液体ＬＣの供給動作と並行して、回収口２８を用いる第２液体ＬＣの回収動作を実行することによって、第２液浸空間ＬＳ２を形成する。

このように、本実施形態においては、供給口２７は、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣのそれぞれを供給可能である。基板保持部７に基板Ｐが保持されたとき、液浸部材９は、基板テーブル１８及び基板保持部７に保持された基板Ｐの少なくとも一部との間に第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成可能であり、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成可能である。また、基板保持部７にダミー基板ＤＰが保持されたとき、液浸部材９は、基板テーブル１８及び基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰの少なくとも一部との間に第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成可能であり、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成可能である。

本実施形態においては、液浸露光で使用する第１液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態においては、第２液体ＬＣとして、第１液体ＬＱと異なるものを用いる。本実施形態においては、第２液体ＬＣとして、水素ガスを水に溶解させた水素水（水素溶解水）を用いる。

なお、第２液体ＬＣとして、オゾンガスを水に溶解させたオゾン水（オゾン溶解水）、窒素ガスを水に溶解させた窒素水（窒素溶解水）、アルゴンガスを水に溶解させたアルゴン水（アルゴン溶解水）、二酸化炭素ガスを水に溶解させた二酸化炭素水（二酸化炭素溶解水）等、所定のガスを水に溶解させた溶解ガス制御水を用いてもよい。また、大気圧下の溶解度以上にガスを溶解させたガス過飽和水でもよい。また、第２液体ＬＣとして、過酸化水素を水に添加した過酸化水素水、塩酸（次亜塩素酸）を水に添加した塩素添加水、アンモニアを水に添加したアンモニア水、コリンを溶解させたコリン水、及び硫酸を水に添加した硫酸添加水等、所定の薬液を水に添加した薬液添加水を用いてもよい。また、第２液体ＬＣとして、エタノール、及びメタノール等のアルコール類、エーテル類、ガンマブチロラクトン、シンナー類、界面活性剤、ＨＦＥ等のフッ素系溶剤を用いてもよい。

本実施形態において、基板テーブル１８の上面２２は、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対して撥液性である。第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対する基板テーブル１８の上面２２の接触角は、例えば９０度以上である。本実施形態においては、基板テーブル１８の上面２２は、例えばフッ素系樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡなど）等、撥液性を有する材料の膜で形成されている。なお、第１凹部２１の内側面及び第２凹部２３の内側面も、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対して撥液性であることが望ましい。第１凹部２１の内側面は、基板Ｐの側面又はダミー基板ＤＰの側面と対向する面を含む。第２凹部２３の内側面は、振動部材２４の側面を対向する面を含む。

また、本実施形態において、振動部材２４の上面２５は、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対して撥液性である。第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対する振動部材２４の上面２５の接触角は、例えば９０度以上である。本実施形態においては、振動部材２４の上面２５は、例えばフッ素系樹脂（ＰＴＦＥ、ＰＦＡなど）等、撥液性を有する材料の膜で形成されている。なお、振動部材２４の側面も、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対して撥液性であることが望ましい。

また、例えば図４に示すように、基板テーブル１８は、露光に関する計測を実行可能な計測部材３７、３８、３９を備えている。計測部材３７、３８、３９のそれぞれは、基板テーブル１８の上面２２の所定位置に配置されている。本実施形態において、計測部材３７は、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような、空間像計測システムの一部を構成する光学部材（スリット板）である。空間像計測システムは、計測部材（スリット板）３７の開口パターンを介した露光光ＥＬを受光する受光素子を備えている。空間像計測システムは、計測部材３７に照射された露光光ＥＬを、計測部材３７を介して受光素子で受光して、投影光学系ＰＬの結像特性の計測を実行する。

計測部材３８は、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような、露光光ＥＬの照度むらを計測可能する照度むら計測システムの一部を構成する光学部材（上板）である。照度むら計測システムは、計測部材３８の開口パターンを介した露光光ＥＬを受光する受光素子を備えている。照度むら計測システムは、計測部材３８に照射された露光光ＥＬを、計測部材３８を介して受光素子で受光して、露光光ＥＬの照度むらの計測を実行する。

なお、計測部材３８が、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような、投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測するための計測システム、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような、照射量計測システム（照度計測システム）、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような、波面収差計測システム等、露光光ＥＬの露光エネルギーに関する情報を計測する計測システムの一部を構成するものでもよい。

計測部材３９は、基準マークが配置された基準板である。計測部材３９の基準マークは、例えば米国特許第５４９３４０３号明細書等に開示されているような、ＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムによって計測される。

本実施形態においては、計測部材３７、３８、３９の上面のそれぞれと、基板テーブル１８の上面２２とは、ほぼ同一平面内に配置される（ほぼ面一である）。

次に、基板処理装置ＣＤの一例について説明する。本実施形態において、基板処理装置ＣＤは、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行可能である。本実施形態において、ダミー基板ＤＰの表面処理は、撥液処理を含む。撥液処理は、表面を液体（第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣを含む）に対して撥液性にする処理である。すなわち、本実施形態において、ダミー基板ＤＰの表面処理は、ダミー基板ＤＰの表面（上面、側面、及び下面）を、液体（第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣを含む）に対して撥液性にする処理を含む。基板処理装置ＣＤは、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が、例えば９０度以上になるように、ダミー基板ＤＰを表面処理する。

本実施形態において、ダミー基板ＤＰの表面処理（撥液処理）は、ダミー基板ＤＰ上にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の膜を形成する処理を含む。

図５は、基板処理装置ＣＤの膜形成装置４１の一例を示す図である。上述のように、膜形成装置４１は、ＨＭＤＳの膜を形成可能である。本実施形態において、膜形成装置４１は、ダミー基板ＤＰ上にＨＭＤＳの膜Ｆを形成可能である。以下の説明において、ＨＭＤＳの膜Ｆを適宜、ＨＭＤＳ膜Ｆ、と称し、ダミー基板ＤＰ上にＨＭＤＳ膜Ｆを形成する処理を適宜、ＨＭＤＳ処理、と称する。

図５において、膜形成装置４１は、密閉室４４と、密閉室４４の内部に設けられ、ダミー基板ＤＰを保持する保持装置４５と、ガス状のＨＭＤＳを密閉室４４の内部に供給するガス供給装置４６とを備えている。保持装置４５は、保持したダミー基板ＤＰを加熱可能である。膜形成装置４１は、保持装置４５で保持したダミー基板ＤＰを加熱した状態で、ガス供給装置４６よりガス状のＨＭＤＳを密閉室４４の内部に供給する。これにより、ダミー基板ＤＰの表面とガス状のＨＭＤＳとが接触し、ダミー基板ＤＰの表面にＨＭＤＳ膜Ｆが形成される。図５に示すように、本実施形態においては、保持装置４５は、ダミー基板ＤＰの下面側に所定の空間が形成されるようにダミー基板ＤＰを保持する。したがって、膜形成装置４１は、ダミー基板ＤＰの上面、側面及び下面のそれぞれにＨＭＤＳ膜Ｆを形成可能である。ダミー基板ＤＰがＨＭＤＳ処理されることにより、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が９０度以上になる。

また、ダミー基板ＤＰの表面処理（撥液処理）が、フッ酸処理を含む処理でもよい。上述のように、本実施形態においては、基板処理装置ＣＤは、フッ酸処理可能な表面処理装置４３を有する。表面処理装置４３は、ダミー基板ＤＰの表面をフッ酸処理可能である。フッ酸処理は、液体フッ化水素の水溶液（フッ化水素酸）とダミー基板ＤＰとを接触させる処理を含む。フッ酸処理によっても、ダミー基板ＤＰの表面を撥液性にすることができる。ダミー基板ＤＰがフッ酸処理されることにより、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が、例えば９０度以上になる。

次に、上述の構成を有するデバイス製造システムＳＹＳを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。

例えば、第１制御装置１は、搬送システム３を用いて、第１収容装置１３に収容されている基板Ｐを第１収容装置１３から搬出し、基板保持部７に供給する。基板保持部７は、搬送システム３で第１収容装置１３から搬送された基板Ｐを保持する。第１制御装置１は、終端光学素子１０及び液浸部材９と対向する位置に基板テーブル１８を配置し、終端光学素子１０及び液浸部材９と、基板テーブル１８及び基板保持部７に保持された基板Ｐの少なくとも一方との間に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する。

また、第１制御装置１は、必要に応じて、第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱを介して、基板テーブル１８に配置された計測部材３７、３８、３９を用いる計測処理を実行する。そして、第１制御装置１は、その計測結果に基づいて、例えば投影光学系ＰＬの結像特性等、基板Ｐを露光するときの露光条件を調整し、基板Ｐの露光動作を開始する。基板Ｐを露光するときには、第１制御装置１は、基板ステージ駆動装置１９を用いて、終端光学素子１０及び液浸部材９と対向する位置に、基板Ｐを保持した基板テーブル１８を配置し、終端光学素子１０及び液浸部材９と、基板テーブル１８及び基板保持部７に保持された基板Ｐの少なくとも一方との間に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する。

そして、第１制御装置１は、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、基板保持部７に保持された基板Ｐを、第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱを介して露光する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。

第１制御装置１は、基板Ｐの露光が終了した後、その露光後の基板Ｐを保持した基板テーブル１８を、所定の基板交換位置に移動し、その露光後の基板Ｐを、搬送システム３を用いて基板テーブル１８から搬出する。基板テーブル１８から搬出された露光後の基板Ｐは、例えば基板処理装置ＣＤの現像装置４２に供給される。また、露光後の基板Ｐが搬出された基板保持部７には、第１収容装置１３に収容されている露光前の基板Ｐが供給される。基板保持部７は、供給された基板Ｐを保持する。第１制御装置１は、基板保持部７に保持された基板Ｐを第１液体ＬＱを介して露光する。そして、第１制御装置１は、上述の動作を繰り返して、第１収容装置１３に収容されている複数（１ロット分）の基板Ｐを順次露光する。

上述のように、第１収容装置１３は、ダミー基板ＤＰを収容可能である。ダミー基板ＤＰは、少なくとも基板保持部７に基板Ｐが保持されているとき、第１収容装置１３に収容されている。本実施形態において、第１収容装置１３に収容されている複数の基板Ｐが順次露光されているとき、ダミー基板ＤＰは、第１収容装置１３に収容されている。

例えば、第１収容装置１３に収容されている１ロット分の基板Ｐの露光が終了した後、基板保持部７が基板Ｐを保持しない期間が発生する。例えば、第１収容装置１３に収容されている１ロット分の基板Ｐの露光が終了した後、次のロットの複数の基板Ｐが第１収容装置１３にセットされ、そのロットの基板Ｐの露光が開始されるまでの期間、基板保持部７が基板Ｐを保持しない状態が発生する。換言すれば、ロット毎の基板Ｐに対する露光動作の間に、基板保持部７が基板Ｐを保持しない期間が発生する。

基板保持部７が基板Ｐを保持しない期間が長くなると、基板保持部７が露出している期間が長くなり、基板保持部７が汚染される可能性が高くなる。例えば、基板保持部７が露出していると、第１液体ＬＱが基板保持部７に付着し易くなる可能性がある。また、例えば、露光装置ＥＸが置かれている空間中を浮遊する物質（異物）が基板保持部７に付着する可能性が高くなる。基板保持部７が汚染したり、基板保持部７に異物が付着したりすると、例えば基板保持部７で基板Ｐを良好に保持できなくなる可能性がある。また、その汚染された基板保持部７で基板Ｐを保持した場合、その基板保持部７に保持された基板Ｐが汚染してしまう可能性もある。また、基板保持部７に液体が付着した状態で基板Ｐを保持した場合、その基板保持部７に付着している液体が基板Ｐに付着したり、その液体の気化熱によって基板Ｐの温度が変化したり、基板Ｐが熱変形したりする可能性がある。そのような不具合が発生すると、露光不良が発生したりする可能性がある。

そこで、本実施形態においては、ロット毎の基板Ｐに対する露光動作の間など、基板保持部７が基板Ｐを保持しないときに、ダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給し、そのダミー基板ＤＰを基板保持部７で保持する。

次に、ダミー基板ＤＰを用いる動作の一例について、図６のフローチャートを参照して説明する。

１ロット分の基板Ｐの露光が終了すると、ダミー基板ＤＰを用いる動作が開始される（ステップＳＡ１）。第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰを要求する。第１制御装置１は、搬送システム３を用いて、第１収容装置１３よりダミー基板ＤＰを搬出する（ステップＳＡ２）。

第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給する前に、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断する（ステップＳＡ３）。

第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面状態に応じて、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断する。本実施形態においては、第１液体ＬＱ（又は第２液体ＬＣ）に対するダミー基板ＤＰの表面の撥液性が低いとき、または低下しているとき、ダミー基板ＤＰの表面処理が実行される。例えば、第１液体ＬＱ（又は第２液体ＬＣ）に対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が所定値未満のとき（例えば９０度未満のとき）、ダミー基板ＤＰの表面処理が実行される。例えば、表面処理が実行されていないダミー基板ＤＰが第１収容装置１３に収容されている場合、そのダミー基板ＤＰの表面処理が実行される。また、撥液性が低下している表面を有するダミー基板ＤＰが第１収容装置１３に収容されている場合、そのダミー基板ＤＰの表面処理が実行される。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰが表面処理されているか否かが、所定の測定装置によって予め測定されている。また、本実施形態においては、第１、第２液体ＬＱ、ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角情報、すなわち第１、第２液体ＬＱ、ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の撥液性情報が、所定の測定装置によって予め測定されている。ダミー基板ＤＰの表面処理の実行の有無情報、ダミー基板ＤＰの表面の撥液性情報は、そのダミー基板ＤＰが第１収容装置１３に収容される前に予め測定されている。第１制御装置１は、その測定結果に基づいて、第１収容装置１３に収容されているダミー基板ＤＰの表面状態が所望状態が否かを判断し、その表面状態に応じて、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断する。

ダミー基板ＤＰの表面の撥液性が高い（第１、第２液体ＬＱ、ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が、例えば９０度以上である）と判断された場合、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行しないことを決定する。第１制御装置１は、搬送システム３を用いて、ダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給する。基板保持部７は、ダミー基板ＤＰを保持する（ステップＳＡ４）。これにより、基板保持部７は、ダミー基板ＤＰで保護される。

そして、第１制御装置１は、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持した状態で、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と対向する位置に、基板テーブル１８及びダミー基板ＤＰの少なくとも一方を配置し、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と、基板テーブル１８の上面２２及びダミー基板ＤＰの上面の少なくとも一部との間に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する（ステップＳＡ５）。

ステップＳＡ３において、ダミー基板ＤＰが表面処理されていない、あるいはダミー基板ＤＰの表面の撥液性が低い（第１、第２液体ＬＱ、ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が、例えば９０度未満である）と判断された場合、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理の実行を決定する。第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するために、ホストコンピュータＨＣを介して、表面処理に関する指令信号を、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に出力する（ステップＳＡ６）。表面処理に関する指令信号は、基板処理装置ＣＤに、ダミー基板ＤＰの表面処理の実行を指令する信号を含む。基板処理装置ＣＤは、第１制御装置１より送信された指令信号に基づいて、ダミー基板ＤＰの表面処理のための準備を実行する。

第１収容装置１３から搬出されたダミー基板ＤＰは、基板保持部７に供給される前に、搬送システム３及び搬送システム４によって、基板処理装置ＣＤに供給される（ステップＳＡ７）。

第２制御装置２は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行する（ステップＳＡ８）。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰは、膜形成装置４１に搬送され、ＨＭＤＳ処理される。これにより、ダミー基板ＤＰの表面は、撥液性になる。なお、表面処理として、ダミー基板ＤＰがフッ酸処理されてもよい。

膜形成装置４１でＨＭＤＳ処理されたダミー基板ＤＰは、搬送システム４及び搬送システム３によって、露光装置ＥＸの基板保持部７に供給される（ステップＳＡ４）。基板保持部７は、膜形成装置４１でＨＭＤＳ処理されたダミー基板ＤＰを保持する。そして、第１制御装置１は、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持した状態で、基板テーブル１８上及びダミー基板ＤＰ上の少なくとも一部に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する（ステップＳＡ５）。

図７は、基板テーブル１８上及びダミー基板ＤＰ上の少なくとも一部に第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１が形成されている状態を示す図である。図７に示すように、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持することによって、基板保持部７を保護することができる。また、ダミー基板ＤＰは、表面処理されて、撥液性が高い表面を有するので、終端光学素子１０及び液浸部材９との間で、第１液浸空間ＬＳ１を良好に形成することができる。また、図７に示すように、ギャップＧ１上に第１液浸空間ＬＳ１が配置されても、ダミー基板ＤＰの側面（第１凹部２１の内側面と対向する面）の撥液性は高いので、ギャップＧ１に第１液体ＬＱが浸入することを抑制できる。

本実施形態においては、第１制御装置１は、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、所定の処理を実行する。所定の処理は、露光に関する計測処理を含む。第１制御装置１は、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と、基板テーブル１８の例えば計測部材３７の上面とを対向させ、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と、計測部材３７の上面との間に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する。第１制御装置１は、第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱを介して、計測部材３７に露光光ＥＬを照射する。これにより、投影光学系ＰＬの空間像が計測される。同様に、第１制御装置１は、計測部材３８、３９を用いる計測処理を、第１液体ＬＱを介して実行することができる。基板保持部７にダミー基板ＤＰが保持されているので、第１液浸空間ＬＳ１を良好に形成することができる。

また、所定の処理は、基板ステージ８のメンテナンス処理を含む。基板ステージ８のメンテナンス処理のために第１収容装置１３から搬出されたダミー基板ＤＰを基板保持部７で保持した状態でメンテナンス処理をすることにより、例えば基板保持部７を保護しつつ、メンテナンス処理を円滑に実行することができる。

また、所定の処理は、基板ステージ８のクリーニング処理を含む。第１制御装置１は、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と基板テーブル１８の上面２２との間に第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成した状態で、終端光学素子１０及び液浸部材９に対して、基板テーブル１８をＸＹ平面内で移動する。これにより、第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱを用いて、基板テーブル１８の上面２２をクリーニングできる。

また、上述したように、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成可能である。第１制御装置１は、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と基板テーブル１８の上面２２との間に第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成する。これにより、基板テーブル１８の上面２２が第２液体ＬＣでクリーニングされる。また、第１制御装置１は、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成した状態で、終端光学素子１０及び液浸部材９に対して、基板テーブル１８をＸＹ平面内で移動することにより、基板テーブル１８の上面２２を、第２液体ＬＣを用いて、より良好にクリーニングできる。

また、本実施形態においては、基板テーブル１８に振動部材２４が配置されているので、図８に示すように、終端光学素子１０及び液浸部材９と振動部材２４との間に第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成した状態で、あるいは第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成した状態で、振動部材２４を振動させることによって、終端光学素子１０及び液浸部材９の少なくとも一方をクリーニングすることができる。

以上により、ダミー基板ＤＰを用いる動作が終了する（ステップＳＡ９）。

以上説明したように、本実施形態によれば、ダミー基板ＤＰによって、基板保持部７が露出している期間が長くなることを抑制できる。また、ダミー基板ＤＰによって、基板保持部７を保護することができる。したがって、基板保持部７の汚染、劣化等を抑制することができる。したがって、基板Ｐを露光するとき、基板保持部７で基板Ｐを良好に保持できるので、露光不良の発生を抑制できる。したがって、不良デバイスの発生を抑制できる。

また、本実施形態においては、撥液性が高い表面を有するダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給できるので、基板テーブル１８及びダミー基板ＤＰ上に第１、第２液浸空間ＬＳ１、ＬＳ２を良好に形成できる。また、基板テーブル１８の上面２２とダミー基板ＤＰの上面とのギャップＧ１の内側に第１、第２液体ＬＱ、ＬＣが浸入することを抑制することができる。したがって、露光装置ＥＸの性能の低下を抑制することができる。

また、本実施形態においては、基板保持部７が基板Ｐを保持しないときでも、ダミー基板ＤＰを保持することによって、第１液浸空間ＬＳ１（又は第２液浸空間ＬＳ２）を形成し続けることができる。第１液浸空間ＬＳ１（又は第２液浸空間ＬＳ２）の第１液体ＬＱ（又は第２液体ＬＣ）が全て回収されてしまうと、第１液浸空間ＬＳ１（又は第２液浸空間ＬＳ２）を再度形成するのに時間を要する可能性がある。また、第１液体ＬＱ（又は第２液体ＬＣ）の供給動作、回収動作を止めてしまうと、例えば液浸部材９の内部の供給流路、回収流路、供給管３４の内面、回収管３５の内面等の状態が劣化する可能性がある。本実施形態によれば、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持することにより、例えば露光装置ＥＸの露光動作が長期間実行されない場合でも、第１液浸空間ＬＳ１（又は第２液浸空間ＬＳ２）を良好に形成できる。また、露光装置ＥＸの露光動作が長期間実行されない場合でも、第１液体ＬＱ（又は第２液体ＬＣ）の供給動作、回収動作が長期間停止してしまうことを抑制できる。

なお、本実施形態においては、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持した状態で、所定の処理（計測処理、メンテナンス処理及びクリーニング処理等）を実行することとしたが、所定の処理は実行しなくてもよい。基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持することで、基板保持部７を保護することができる。

なお、本実施形態においては、ロット毎の基板Ｐに対する露光動作の間に、基板保持部７が基板Ｐを保持しない期間が発生し、その期間において、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持する場合を例にして説明したが、例えば、露光装置ＥＸの稼動停止期間等においても、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持することができる。なお、露光装置ＥＸの稼動停止期間は、例えば夜間、長期の休暇期間等である。

なお、本実施形態においては、ダミー基板ＤＰが、基板保持部７に供給される前に、第１収容装置１３に収容されている場合を例にして説明したが、第２収容装置１４に収容されてもよい。その場合、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持するために、第１制御装置１は、ホストコンピュータＨＣを介して、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰの供給を要求する信号を出力する。第２制御装置２は、第１制御装置１からの信号に基づいて、搬送システム４を用いて、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰを第２収容装置１４から搬出し、露光装置ＥＸに搬送する。また、例えばホストコンピュータＨＣが、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰの表面状態に応じて、そのダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給する前に、そのダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断することができる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図９は、第２実施形態に係るダミー基板ＤＰを用いる動作の一例を説明するためのフローチャートである。第２実施形態は、第１実施形態の変形例である。上述の第１実施形態では、所定の測定装置の測定結果に基づいて、第１収容装置１３（又は第２収容装置１４）から搬出されたダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断する処理（ステップＳＡ３）が実行されるが、図９に示すように、ステップＳＡ３を省略することができる。すなわち、例えばダミー基板ＤＰが第２収容装置１４に配置されている場合において、１ロット分の基板Ｐの露光が終了し、ダミー基板ＤＰを用いる動作が開始されると（ステップＳＡ１）、第１制御装置１は、ホストコンピュータＨＣを介して、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰの供給を要求する信号を出力する（ステップＳＡ１０）。第２制御装置２は、第１制御装置１からの信号に基づいて、搬送システム４を用いて、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰを第２収容装置１４から搬出する。

また、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するために、ホストコンピュータＨＣを介して、表面処理に関する指令信号を、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に出力する（ステップＳＡ６）。表面処理に関する指令信号は、基板処理装置ＣＤに、ダミー基板ＤＰの表面処理の実行を指令する信号を含む。基板処理装置ＣＤは、第１制御装置１より送信された指令信号に基づいて、ダミー基板ＤＰの表面処理のための準備を実行する。

第２収容装置１４から搬出されたダミー基板ＤＰは、搬送システム４によって、膜形成装置４１に供給される（ステップＳＡ７）。第２制御装置２は、ダミー基板ＤＰのＨＭＤＳ処理を実行する（ステップＳＡ８）。なお、表面処理として、ダミー基板ＤＰがフッ酸処理されてもよい。

膜形成装置４１でＨＭＤＳ処理されたダミー基板ＤＰは、搬送システム４及び搬送システム３によって、露光装置ＥＸの基板保持部７に供給される（ステップＳＡ４）。基板保持部７は、膜形成装置４１でＨＭＤＳ処理されたダミー基板ＤＰを保持する。そして、第１制御装置１は、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持した状態で、基板テーブル１８上及びダミー基板ＤＰ上の少なくとも一部に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する（ステップＳＡ５）。

その後、第１制御装置１は、必要に応じて、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、所定の処理を実行する。上述の第１実施形態と同様、所定の処理は、露光に関する計測処理、基板ステージ８のメンテナンス処理及びクリーニング処理の少なくとも一つを含む。なお、所定の処理が実行されなくてもよい。以上により、ダミー基板ＤＰを用いる動作が終了する（ステップＳＡ９）。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板保持部７に保持される直前に、ダミー基板ＤＰの表面処理が確実に実行されるので、基板保持部７は、撥液性が高い表面を有するダミー基板ＤＰを保持することができる。

なお、本実施形態においては、ダミー基板ＤＰが、基板保持部７に供給される前に、第２収容装置１４に収容されている場合を例にして説明したが、第１収容装置１３に収容されてもよい。また、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２が形成されてもよい。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、第３実施形態に係るダミー基板ＤＰを用いる動作の一例を説明するためのフローチャートである。

例えば１ロット分の基板Ｐの露光が終了すると、タイマー５０が時間計測を開始する（ステップＳＢ１）。第１制御装置１は、タイマー５０の計測値をモニタする。第１制御装置１は、タイマー５０の計測値に基づいて、露光が実行されない状態が、予め定められた所定時間を経過したか否かを判断する（ステップＳＢ２）。換言すれば、第１制御装置１は、タイマー５０の計測値に基づいて、基板Ｐの露光終了時点からの経過時間が、所定時間以上か否かを判断する。基板Ｐの露光終了時点は、１ロット中の最後の基板Ｐの露光後、その基板Ｐが基板保持部７から搬出された時点、すなわち、最後の基板Ｐの露光後、基板保持部７が露出した時点を含む。

ステップＳＢ２において、経過時間が所定時間以上であると判断した場合、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰを要求する。第１制御装置１は、例えば第１収容装置１に収容されているダミー基板ＤＰを、搬送システム３を用いて、第１収容装置１３より搬出する（ステップＳＢ３）。

第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給する前に、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断する（ステップＳＢ４）。上述の第１実施形態と同様、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面状態に応じて、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断する。

ダミー基板ＤＰの表面の撥液性が高い（第１、第２液体ＬＱ、ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が、例えば９０度以上である）と判断された場合、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行しないことを決定する。第１制御装置１は、搬送システム３を用いて、ダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給する。基板保持部７は、ダミー基板ＤＰを保持する（ステップＳＢ５）。

そして、第１制御装置１は、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持した状態で、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２の対向する位置に、基板テーブル１８及びダミー基板ＤＰの少なくとも一方を配置し、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と、基板テーブル１８の上面２２及びダミー基板ＤＰの上面の少なくとも一部との間に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する（ステップＳＢ６）。

ステップＳＢ４において、ダミー基板ＤＰが表面処理されていない、あるいはダミー基板ＤＰの表面の撥液性が低い（第１、第２液体ＬＱ、ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が、例えば９０度未満である）と判断された場合、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理の実行を決定する。第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するために、ホストコンピュータＨＣを介して、表面処理に関する指令信号を、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に出力する（ステップＳＢ７）。

第１収容装置１３から搬出されたダミー基板ＤＰは、基板保持部７に供給される前に、搬送システム３及び搬送システム４によって、基板処理装置ＣＤに供給される（ステップＳＢ８）。

第２制御装置２は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行する（ステップＳＢ９）。上述の第１実施形態と同様、表面処理は、ＨＭＤＳ処理及びフッ酸処理の少なくとも一方を含む。

基板処理装置ＣＤで表面処理されたダミー基板ＤＰは、搬送システム４及び搬送システム３によって、露光装置ＥＸの基板保持部７に供給される（ステップＳＢ５）。基板保持部７は、表面処理されたダミー基板ＤＰを保持する。そして、第１制御装置１は、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持した状態で、基板テーブル１８上及びダミー基板ＤＰ上の少なくとも一部に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する（ステップＳＢ６）。

上述の第１実施形態と同様、第１制御装置１は、必要に応じて、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、所定の処理を実行する。上述の第１実施形態と同様、所定の処理は、露光に関する計測処理、基板ステージ８のメンテナンス処理及びクリーニング処理の少なくとも一つを含む。なお、所定の処理が実行されなくてもよい。また、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２が形成されてもよい。

以上により、ダミー基板ＤＰを用いる動作が終了する（ステップＳＢ１０）。

以上説明したように、本実施形態によれば、露光が実行されない状態が所定時間経過したときに、基板保持部７にダミー基板ＤＰを供給するようにしたので、基板保持部７が露出している状態の時間が長くなることを抑制できる。

なお、本実施形態においては、ダミー基板ＤＰが、基板保持部７に供給される前に、第１収容装置１３に収容されている場合を例にして説明したが、第２収容装置１４に収容されてもよい。その場合、第１制御装置１は、露光が実行されない状態が予め定められた所定時間を経過したと判断したとき、換言すれば、基板Ｐの露光終了時点からの経過時間が所定時間以上であると判断したとき、ホストコンピュータＨＣを介して、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰの供給を要求する信号を出力する。第２制御装置２は、第１制御装置１からの信号に基づいて、搬送システム４を用いて、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰを第２収容装置１４から搬出し、露光装置ＥＸに搬送する。また、例えばホストコンピュータＨＣが、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰの表面状態に応じて、そのダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給する前に、そのダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断することができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１１は、第４実施形態に係るダミー基板ＤＰを用いる動作の一例を説明するためのフローチャートである。第４実施形態は、第３実施形態の変形例である。上述の第３実施形態では、所定の測定装置の測定結果に基づいて、第１収容装置１３（又は第２収容装置１４）から搬出されたダミー基板ＤＰの表面処理を実行するか否かを判断する処理（ステップＳＢ４）が実行されるが、図１１に示すように、ステップＳＢ４を省略することができる。すなわち、例えばダミー基板ＤＰが第２収容装置１４に配置されている場合において、タイマー５０の計測値に基づいて、露光が実行されない状態が、予め定められた所定時間を経過したと判断したとき、換言すれば、基板Ｐの露光終了時点からの経過時間が、所定時間以上であると判断したとき、第１制御装置１は、ホストコンピュータＨＣを介して、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰの供給を要求する信号を出力する（ステップＳＢ１１）。第２制御装置２は、第１制御装置１からの信号に基づいて、搬送システム４を用いて、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰを第２収容装置１４から搬出する。

また、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するために、ホストコンピュータＨＣを介して、表面処理に関する指令信号を、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に出力する（ステップＳＢ７）。

第２収容装置１４から搬出されたダミー基板ＤＰは、搬送システム４によって、膜形成装置４１に供給される（ステップＳＢ８）。第２制御装置２は、ダミー基板ＤＰのＨＭＤＳ処理を実行する（ステップＳＢ９）。なお、表面処理として、ダミー基板ＤＰがフッ酸処理されてもよい。膜形成装置４１でＨＭＤＳ処理されたダミー基板ＤＰは、搬送システム４及び搬送システム３によって、露光装置ＥＸの基板保持部７に供給される（ステップＳＢ５）。基板保持部７は、膜形成装置４１でＨＭＤＳ処理されたダミー基板ＤＰを保持する。そして、第１制御装置１は、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持した状態で、基板テーブル１８上及びダミー基板ＤＰ上の少なくとも一部に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する（ステップＳＢ６）。その後、第１制御装置１は、必要に応じて、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、所定の処理を実行する。所定の処理は、露光に関する計測処理、基板ステージ８のメンテナンス処理及びクリーニング処理の少なくとも一つを含む。なお、所定の処理が実行されなくてもよい。以上により、ダミー基板ＤＰを用いる動作が終了する（ステップＳＢ１０）。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板保持部７に保持される直前に、ダミー基板ＤＰの表面処理が確実に実行されるので、基板保持部７は、撥液性が高い表面を有するダミー基板ＤＰを保持することができる。

なお、本実施形態においては、ダミー基板ＤＰが、基板保持部７に供給される前に、第２収容装置１４に収容されている場合を例にして説明したが、第１収容装置１３に収容されてもよい。また、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２が形成されてもよい。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１２は、第５実施形態に係るダミー基板ＤＰを用いる動作の一例を説明するためのフローチャートである。

１ロット分の基板Ｐの露光が終了すると、ダミー基板ＤＰを用いる動作が開始される（ステップＳＣ１）。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰは、第２収容装置１４に収容されており、第１制御装置１は、ホストコンピュータＨＣを介して、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰの供給を要求する信号を出力する（ステップＳＣ２）。第２制御装置２は、第１制御装置１からの信号に基づいて、搬送システム４を用いて、第２収容装置１４に収容されているダミー基板ＤＰを第２収容装置１４から搬出する。

第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰを基板保持部７に供給する前に、ダミー基板ＤＰが表面処理されているか否かを判断する（ステップＳＣ３）。本実施形態においては、第１制御装置１は、第２制御装置２から送信された情報に基づいて、ダミー基板ＤＰが表面処理されているか否かを判断する。第２制御装置２は、ダミー基板ＤＰの表面処理に関する情報を予め保持している。第１制御装置１は、第２制御装置２から送信された、ダミー基板ＤＰの表面処理に関する情報に基づいて、ダミー基板ＤＰが表面処理されているか否かを判断できる。

ステップＳＣ３において、ダミー基板ＤＰが表面処理されていると判断された場合、第１制御装置１は、そのダミー基板ＤＰの表面処理を再度実行するか否かを判断する。

本実施形態においては、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰに対する前回の表面処理終了時点からの経過時間に応じて、ダミー基板ＤＰの表面処理を再度実行するか否かを判断する。本実施形態においては、第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰに対する前回の表面処理終了時点からの経過時間が予め定められた所定時間以上か否かを判断する（ステップＳＣ４）。

第１制御装置１は、第２制御装置２から送信された情報に基づいて、前回の表面処理終了時からの経過時間が所定時間以上であるかを判断する。上述のように、第２制御装置２は、ダミー基板ＤＰの表面処理に関する情報を予め保持している。第１制御装置１は、第２制御装置２から送信された、ダミー基板ＤＰの表面処理に関する情報に基づいて、前回の表面処理終了時からの経過時間が所定時間以上であるか否かを判断できる。

ダミー基板ＤＰに対する前回の表面処理終了時点からの経過時間が所定時間未満であると判断された場合、第１制御装置１は、そのダミー基板ＤＰの表面処理を再度実行しないことを決定する。ダミー基板ＤＰは、搬送システム４及び搬送システム３により、基板保持部７に供給される。基板保持部７は、ダミー基板ＤＰを保持する（ステップＳＣ５）。これにより、基板保持部７は、ダミー基板ＤＰで保護される。

そして、第１制御装置１は、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持した状態で、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と、基板テーブル１８の上面２２及びダミー基板ＤＰの上面の少なくとも一部との間に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する（ステップＳＣ６）。

ステップＳＣ４において、ダミー基板ＤＰに対する前回の表面処理終了時点からの経過時間が所定時間以上であると判断された場合、第１制御装置１は、そのダミー基板ＤＰの表面処理の実行（再実行）を決定する。第１制御装置１は、ダミー基板ＤＰの表面処理を実行するために、ホストコンピュータＨＣを介して、表面処理に関する指令信号を、基板処理装置ＣＤの第２制御装置２に出力する（ステップＳＣ７）。すなわち、第１制御装置１は、第２制御装置２に、ダミー基板ＤＰの表面処理の実行を指令する信号を出力する。

第２収容装置１４から搬出されたダミー基板ＤＰは、基板処理装置ＣＤの膜形成装置４１に供給される（ステップＳＣ８）。ダミー基板ＤＰは、膜形成装置４１によりＨＭＤＳ処理される（ステップＳＣ９）。なお、ダミー基板ＤＰがフッ酸処理されてもよい。

また、ステップＳＣ３において、第２制御装置２から送信された情報に基づいて、ダミー基板ＤＰが表面処理されていないと判断したとき、第１制御装置１は、第２制御装置２に、ダミー基板ＤＰの表面処理の実行を指令する信号を出力する。これにより、ダミー基板ＤＰの表面処理が実行される（ステップＳＣ７〜ＳＣ９）。

膜形成装置４１でＨＭＤＳ処理されたダミー基板ＤＰは、搬送システム４及び搬送システム３によって、露光装置ＥＸの基板保持部７に供給される（ステップＳＣ５）。基板保持部７は、膜形成装置４１でＨＭＤＳ処理されたダミー基板ＤＰを保持する。そして、第１制御装置１は、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持した状態で、基板テーブル１８上及びダミー基板ＤＰ上の少なくとも一部に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する（ステップＳＣ６）。その後、第１制御装置１は、必要に応じて、基板保持部７にダミー基板ＤＰを保持した状態で、所定の処理を実行する。所定の処理は、露光に関する計測処理、基板ステージ８のメンテナンス処理及びクリーニング処理の少なくとも一つを含む。なお、所定の処理が実行されなくてもよい。また、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成してもよい。以上により、ダミー基板ＤＰを用いる動作が終了する（ステップＳＣ１０）。

以上説明したように、本実施形態によれば、ダミー基板ＤＰに対する前回の表面処理終了時からの経過時間が所定時間以上である場合、そのダミー基板ＤＰの表面処理を実行するようにしたので、基板保持部７は、撥液性が高い表面を有するダミー基板ＤＰを保持することができる。ダミー基板ＤＰの表面の撥液性が、例えば時間の経過とともに低下する可能性がある場合、前回の表面処理終了時からの経過時間が所定時間以上であると判断したときに、そのダミー基板ＤＰの表面処理を再度実行することによって、そのダミー基板ＤＰの表面の撥液性を高めることができる。なお、所定期間は、ダミー基板ＤＰの表面の撥液性が時間の経過とともに低下する場合、そのダミー基板ＤＰの表面の撥液性（接触角）が許容レベルにおさまる期間である。所定期間は、例えば実験又はシミュレーションにより事前に求めることができる。

なお、本実施形態において、第１制御装置１は、第２制御装置２から送信されたダミー基板ＤＰの表面処理に関する情報に基づいて、第１、第２液体ＬＱ、ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角が所定値未満（例えば９０度未満）であると判断したとき、第２制御装置２に、ダミー基板ＤＰの表面処理の実行を指令する信号を出力することもできる。例えば、所定の測定装置によって、第１、第２液体ＬＱ、ＬＣに対するダミー基板ＤＰの表面の接触角を予め計測し、その計測結果をダミー基板ＤＰの表面処理に関する情報として保持しておくことにより、第１制御装置１は、第２制御装置２から送信された情報に基づいて、ダミー基板ＤＰの表面の接触角が所定値未満であるか否かを判断することができる。

また、例えば時間の経過に応じたダミー基板ＤＰの表面の接触角の低下量が予測可能である場合、その予測結果に応じて、第１制御装置１は、第２制御装置２に、ダミー基板ＤＰの表面処理の実行を指令する信号を出力することができる。例えば、予め実行された実験又はシミュレーションに基づいて、時間の経過に応じたダミー基板ＤＰの表面の接触角の低下量を予測することができる。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１３は、第６実施形態に係るダミー基板ＤＰを用いる動作の一例を説明するための図である。図１３は、ダミー基板ＤＰに係る各処理を経時的に示す。本実施形態においては、ダミー基板ＤＰが、基板保持部７に供給される前に、第２収容装置１４に収容されている場合を例にして説明する。

図１３に示すように、ダミー基板ＤＰに係る処理は、露光終了（ＳＤ１）の後、第２収容装置１４から基板処理装置ＣＤへのダミー基板ＤＰの供給（ＳＤ２、ＳＤ３）、基板処理装置ＣＤでのダミー基板ＤＰの表面処理（ＳＤ４、ＳＤ５）、基板処理装置ＣＤから基板保持部７へのダミー基板ＤＰの搬送（ＳＤ６、ＳＤ７）、及び基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰ上での第１液浸空間ＬＳ１の形成（ＳＤ８）を含む。

第２収容装置１４から基板処理装置ＣＤへのダミー基板ＤＰの供給は、第１制御装置１から出力された、ダミー基板ＤＰの供給を要求する信号ＳＧ１に応じて開始される。基板処理装置ＣＤでのダミー基板ＤＰの表面処理は、第１制御装置１から出力された、表面処理の実行を指令する信号ＳＧ２に応じて実行される。基板処理装置ＣＤから基板保持部７へのダミー基板ＤＰの搬送は、第１制御装置１から出力された、基板処理装置ＣＤから基板保持部７へのダミー基板ＤＰの搬送を指令する信号ＳＧ３に応じて実行される。基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰ上での第１液浸空間ＬＳ１の形成は、第１制御装置１から出力された、所定の処理の実行を指令する信号ＳＧ４に応じて実行される。

また、本実施形態においては、第１制御装置１は、所定のタイミングで、ダミー基板ＤＰの表面処理開始時点Ｔ３を決定する処理（ＳＤ０）を実行する。本実施形態においては、第１制御装置１は、予め定められた露光制御情報に応じて、ダミー基板ＤＰの表面処理開始時点を決定する。

露光制御情報は、露光装置ＥＸを含むデバイス製造システムＳＹＳの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。露光装置ＥＸの動作は、露光制御情報に基づいて実行される。以下の説明において、露光制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。

露光レシピは、ダミー基板ＤＰが基板保持部７に供給される時点Ｔ６、及び基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰと第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱとが接触する時点Ｔ７のそれぞれに関する情報を含む。時点Ｔ６は、基板保持部７が露出する状態が許容時間におさまるように、露光終了時点Ｔ０に応じて定められる。

また、露光レシピは、ダミー基板ＤＰが第２収容装置１４より搬出されてから膜形成装置４１へ供給されるまでに要する時間ＴＤ１、ダミー基板ＤＰが膜形成装置４１へ供給されてから表面処理が開始されるまでに要する時間ＴＤ２、膜形成装置４１がダミー基板ＤＰの表面処理に要する時間ＴＤ３、ダミー基板ＤＰの表面処理が終了してからそのダミー基板ＤＰの膜形成装置４１からの搬出動作が開始されるまでに要する時間ＴＤ４、ダミー基板ＤＰが膜形成装置４１より搬出されてから基板保持部７へ供給されるまでに要する時間ＴＤ５、及びダミー基板ＤＰが基板保持部７に供給されてから第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱと接触するまでに要する時間ＴＤ６のそれぞれに関する情報を含む。

また、本実施形態においては、表面処理（ＳＤ３、ＳＤ４）よりも前に、ダミー基板ＤＰに対する表面処理（ＳＤ３ａ、ＳＤ４ａ）が実行されている。記憶装置５１には、ダミー基板ＤＰに対する前回の表面処理終了時点Ｔ４ａに関する情報が記憶される。

上述の露光レシピは、記憶装置５１に予め記憶されている。第１制御装置１は、記憶装置５１の記憶情報に基づいて、ダミー基板ＤＰに対する前回の表面処理終了時点Ｔ４ａから接触時点Ｔ７までの経過時間が予め定められた所定時間以上にならないように、表面処理開始時点Ｔ３を決定する。

第１制御装置１は、決定した時点Ｔ３、及び時間ＴＤ１、ＴＤ２に応じて、ダミー基板ＤＰの膜形成装置４１（基板処理装置ＣＤ）への供給が開始される時点（ダミー基板ＤＰが第２収容装置１４から搬出される時点）Ｔ１を決定する。第１制御装置１は、基板Ｐの露光終了後、決定した時点Ｔ１に応じて、第２制御装置２に、ダミー基板ＤＰの供給を要求する信号を出力する。

以上説明したように、露光レシピに応じて、前回の表面処理終了時点Ｔ４ａからダミー基板ＤＰと第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱとが接触する時点Ｔ７までの経過時間が所定時間以上にならないように、表面処理開始時点Ｔ３が決定されるので、基板保持部７は、高い撥液性の表面を有するダミー基板ＤＰを保持することができる。ダミー基板ＤＰの表面の撥液性が、例えば時間の経過とともに低下する可能性がある場合、前回の表面処理終了時点Ｔ４ａからの経過時間が所定時間以上にならないように、そのダミー基板ＤＰの表面処理を実行することによって、そのダミー基板ＤＰの表面は、高い撥液性を維持できる。なお、所定期間は、ダミー基板ＤＰの表面の撥液性が時間の経過とともに低下する場合、そのダミー基板ＤＰの表面の撥液性（接触角）が許容レベルにおさまる期間である。所定期間は、例えば実験又はシミュレーションにより事前に求めることができる。

なお、本実施形態においても、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２が形成されてもよい。また、基板保持部７に保持される前のダミー基板ＤＰが第１収容装置１３に収容されていてもよい。

なお、上述の第１〜第６実施形態において、ダミー基板ＤＰが、例えばデバイス製造システムＳＹＳが設置される工場の設備から供給されることとしてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、基板保持部７でダミー基板ＤＰを保持した状態で、液浸部材９を用いて、終端光学素子１０の下面１１及び液浸部材９の下面１２と、基板テーブル１８の上面２２及び基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰの上面の少なくとも一方との間に第１液浸空間ＬＳ１（又は第２液浸空間ＬＳ２）が形成される場合を例にして説明したが、液浸部材９とは別の第２の液浸部材を設け、露光光ＥＬの光路と離れた位置で、その第２の液浸部材と、基板テーブル１８の上面２２及び基板保持部７に保持されたダミー基板ＤＰの上面の少なくとも一方との間に第１液浸空間ＬＳ１（又は第２液浸空間ＬＳ２）を形成してもよい。

なお、上述の各実施形態において、基板ステージ８のメンテナンス処理は、終端光学素子１０及び液浸部材９とダミー基板ＤＰを保持した状態の基板ステージ８との間に第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成した状態で、基板ステージ８をＸＹ方向に移動して、その基板ステージ８に異物（パーティクル）が付着することを抑制したり、基板ステージ８に付着している異物（パーティクル）を除去したりすることを含む。

なお、上述の各実施形態において、基板ステージ８のメンテナンス処理は、終端光学素子１０及び液浸部材９とダミー基板ＤＰを保持した状態の基板ステージ８との間に第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成した状態で、基板ステージ８をＸＹ方向に移動して、第１液体ＬＱで基板ステージ８の温度を調整することを含む。第１液体空間ＬＳ１を形成した状態で基板ステージ８をＸＹ方向に移動することによって、基板ステージ８の温度を均一化したり、温度を安定化したりすることができる。

なお、上述の各実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子の射出側（像面側）の光路空間を液体で満たしているが、米国特許出願公開第２００５／０２４８８５６号明細書に開示されているように、終端光学素子の入射側（物体面側）の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の各実施形態の第１液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。第１液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、第１液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、第１液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、第１液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。また、第１液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

また、例えば露光光ＥＬがＦ_２レーザ光である場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、第１液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置としては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書及び米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、基板ステージ８（基板テーブル１８）に、露光に関する計測器が搭載されている場合を例にして説明したが、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持する基板ステージと、基板Ｐを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器（計測部材）を搭載する計測ステージを備えた露光装置にも、本発明を適用することができる。例えば、基板Ｐが基板保持部７に保持されていない状態で、終端光学素子１０及び液浸部材９と計測ステージとを対向させた状態で、終端光学素子１０及び液浸部材９と計測ステージとの間に液浸空間を形成しているとき、あるいは計測ステージを用いる計測動作を実行しているとき、基板保持部７がダミー基板ＤＰを保持することができる。これにより、ダミー基板ＤＰで基板保持部７を保護することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。

露光装置の種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。

また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸部が形成される。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。上述の実施形態のダミー基板ＤＰを用いる動作は、基板処理ステップ２０４に含まれる。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

第１実施形態に係るデバイス製造システムの一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係るデバイス製造システムの制御システムを示す図である。 第１実施形態に係る液浸部材及び基板テーブルの近傍を示す側断面図である。 第１実施形態に係る基板テーブルを示す斜視図である。 第１実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図である。 第１実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示す図である。 第１実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示す図である。 第２実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示すフローチャートである。 第３実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示すフローチャートである。 第４実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示すフローチャートである。 第５実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示すフローチャートである。 第６実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示すフローチャートである。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

１…第１制御装置、２…第２制御装置、３…第１収容装置、４…第２収容装置、７…基板保持部、８…基板ステージ、９…液浸部材、１０…終端光学素子、１１…下面、１２…下面、１３…第１収容装置、１４…第２収容装置、１８…基板テーブル、２２…上面、２７…供給口、２８…回収口、４１…膜形成装置、４３…表面処理装置、５０…タイマー、５１…記憶装置、ＣＤ…基板処理装置、ＤＰ…ダミー基板、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＨＣ…ホストコンピュータ、ＬＣ…第２液体、ＬＱ…第１液体、ＬＳ１…第１液浸空間、ＬＳ２…第２液浸空間、Ｐ…基板

Claims (97)

1. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
   移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で前記基板を保持することと、
   前記基板保持部に保持された前記基板を前記露光用液体を介して露光することと、
   前記基板保持部が前記基板を保持しないときに、所定部材を前記基板保持部に供給し、前記基板保持部で保持することと、
   前記基板保持部が前記所定部材を保持した状態で、前記ステージ上及び前記所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含み、
   前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、前記所定部材の表面処理を実行するか否かを判断する露光方法。
2. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
   移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で前記基板を保持することと、
   前記基板保持部に保持された前記基板を前記露光用液体を介して露光することと、
   前記基板保持部が前記基板を保持しないときに、前記基板保持部が保持可能な、表面処理された所定部材の供給を要求することと、
   前記要求後、前記所定部材を前記基板保持部に供給し、前記基板保持部で保持することと、
   前記基板保持部が前記所定部材を保持した状態で、前記ステージ上及び前記所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含み、
   前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、前記所定部材の表面処理を再度実行するか否かを判断する露光方法。
3. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
   移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で前記基板を保持することと、
   前記基板保持部に保持された前記基板を前記露光用液体を介して露光することと、
   前記露光が実行されない状態が所定時間経過したときに、前記基板保持部が保持可能な所定部材の供給を要求することと、
   前記要求後、供給された前記所定部材を前記基板保持部で保持することと、
   前記基板保持部が前記所定部材を保持した状態で、前記ステージ上及び前記所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含み、
   前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、前記所定部材の表面処理を実行するか否かを判断する露光方法。
4. 前記判断結果に基づいて、前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、前記所定部材の表面処理を実行可能な処理装置に供給し、前記所定部材の表面処理を実行する請求項１〜３のいずれか一項記載の露光方法。
5. 前記処理装置で表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給する請求項４記載の露光方法。
6. 前記所定部材の表面状態に応じて、前記判断する請求項１〜５のいずれか一項記載の露光方法。
7. 前記所定液体に対する前記所定部材の表面の接触角が所定値未満のとき、前記所定部材の表面処理が実行される請求項６記載の露光方法。
8. 前記所定部材に対する前回の表面処理終了時点からの経過時間に応じて、前記判断する請求項１〜５のいずれか一項記載の露光方法。
9. 前回の表面処理終了時点からの経過時間が所定時間以上のとき、前記所定部材の表面処理が実行される請求項８記載の露光方法。
10. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で前記基板を保持することと、
    前記基板保持部に保持された前記基板を前記露光用液体を介して露光することと、
    前記基板保持部が前記基板を保持しないときに、前記基板保持部が保持可能な所定部材の供給を要求することと、
    前記要求後、前記所定部材の表面処理を実行することと、
    前記表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給し、前記基板保持部で保持することと、
    前記基板保持部が前記所定部材を保持した状態で、前記ステージ上及び前記所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含む露光方法。
11. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で前記基板を保持することと、
    前記基板保持部に保持された前記基板を前記露光用液体を介して露光することと、
    前記露光が実行されない状態が所定時間経過したときに、前記基板保持部が保持可能な所定部材の供給を要求することと、
    前記要求後、前記所定部材の表面処理を実行することと、
    前記表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給し、前記基板保持部で保持することと、
    前記基板保持部が前記所定部材を保持した状態で、前記ステージ上及び前記所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含む露光方法。
12. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
    移動可能なステージの、基板を着脱可能な基板保持部で前記基板を保持することと、
    前記基板保持部に保持された前記基板を前記露光用液体を介して露光することと、
    前記基板保持部が保持可能な所定部材の表面処理を実行することと、
    前記基板保持部が前記基板を保持しないときに、前記表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給し、前記基板保持部で保持することと、
    前記基板保持部が前記所定部材を保持した状態で、前記ステージ上及び前記所定部材上の少なくとも一部に所定液体で液浸空間を形成することと、を含み、
    予め定められた露光制御情報に応じて、前記所定部材の表面処理開始時点を決定する露光方法。
13. 前記露光制御情報は、前記所定部材と前記液浸空間の所定液体との接触時点情報を含む請求項１２記載の露光方法。
14. 前記露光制御情報は、前記所定部材の供給に要する時間情報、及び前記表面処理に要する時間情報の少なくとも一方を含む請求項１３記載の露光方法。
15. 前回の表面処理終了時点から前記接触時点までの経過時間が所定時間以上にならないように、前記表面処理開始時点が決定される請求項１３又は１４記載の露光方法。
16. 前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、前記所定部材の表面処理を実行可能な処理装置に供給し、前記所定部材の表面処理を実行する請求項１０〜１５のいずれか一項記載の露光方法。
17. 前記処理装置で表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給する請求項１６記載の露光方法。
18. 前記所定部材は、前記基板保持部に供給される前に、前記基板を露光する露光装置に設けられた、前記基板を収容可能な収容装置に収容される請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光方法。
19. 前記表面処理は、撥液処理を含む請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光方法。
20. 前記表面処理は、ＨＭＤＳ処理を含む請求項１〜１９のいずれか一項記載の露光方法。
21. 前記表面処理は、フッ酸処理を含む請求項１〜２０のいずれか一項記載の露光方法。
22. 前記基板保持部を保護するために、前記基板保持部に前記所定部材が保持される請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光方法。
23. 前記基板保持部に前記所定部材を保持した状態で、所定の処理が実行される請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光方法。
24. 前記所定の処理は、露光に関する計測処理を含む請求項２３記載の露光方法。
25. 前記所定の処理は、前記ステージのメンテナンス処理を含む請求項２３又は２４記載の露光方法。
26. 前記所定の処理は、前記ステージのクリーニング処理を含む請求項２３〜２５のいずれか一項記載の露光方法。
27. 前記クリーニング処理は、前記露光用液体を用いる請求項２６記載の露光方法。
28. 前記クリーニング処理は、クリーニング用液体を用いる請求項２６記載の露光方法。
29. 前記クリーニング用液体は、所定の気体を水に溶解させたクリーニング水を含む請求項２８記載の露光方法。
30. 前記ステージ及び前記所定部材の少なくとも一方と対向して液浸部材が配置され、
    前記ステージ及び前記所定部材の少なくとも一方と前記液浸部材との間に、前記液浸空間が形成される請求項１〜２９のいずれか一項記載の露光方法。
31. 前記露光光の光路の少なくとも一部が前記所定液体で満たされるように前記液浸空間が形成される請求項１〜３０のいずれか一項記載の露光方法。
32. 前記所定液体は、前記露光用液体を含む請求項１〜３１のいずれか一項記載の露光方法。
33. 前記所定液体は、クリーニング用液体を含む請求項１〜３２のいずれか一項記載の露光方法。
34. 前記所定部材は、前記基板とほぼ同じ外形である請求項１〜３３のいずれか一項記載の露光方法。
35. 請求項１〜３４のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
36. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を着脱可能な基板保持部を有し、前記基板を保持して移動可能なステージと、
    基板、及び前記基板保持部が保持可能な所定部材を収容可能な収容装置と、
    前記所定部材を、前記収容装置と前記基板保持部と前記所定部材の表面処理を実行可能な処理装置との間で搬送可能な搬送システムと、を備え、
    前記所定部材は、少なくとも前記基板保持部に基板が保持されているとき、前記収容装置に収容され、
    前記基板保持部は、前記搬送システムで前記収容装置から搬送された前記所定部材を保持する露光装置。
37. 前記基板保持部は、前記基板を保持しない所定期間において、前記所定部材を保持する請求項３６記載の露光装置。
38. 前記所定部材の表面処理を実行するか否かを判断する制御装置を備え、
    前記搬送システムは、前記制御装置の判断結果に基づいて、前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、前記処理装置に供給する請求項３６又は３７記載の露光装置。
39. 前記処理装置との間で通信可能な通信装置を備え、
    前記制御装置は、前記判断結果に基づいて、前記通信装置を介して、前記表面処理に関する信号を前記処理装置に出力する請求項３８記載の露光装置。
40. 前記搬送システムは、前記処理装置で表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給する請求項３８又は３９記載の露光装置。
41. 前記制御装置は、前記収容装置に収容されている前記所定部材の表面状態に応じて、前記表面処理を実行するか否かを判断する請求項３８〜４０のいずれか一項記載の露光装置。
42. 前記処理装置は、前記基板の表面処理を実行可能である請求項３６〜４１のいずれか一項記載の露光装置。
43. 前記処理装置は、前記基板に感光膜を形成可能である請求項４２記載の露光装置。
44. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を着脱可能な基板保持部を有し、前記基板を保持して移動可能なステージと、
    外部装置から供給される、前記基板保持部が保持可能な、表面処理された所定部材を、前記基板保持部に搬送可能な搬送システムと、
    前記外部装置との間で通信可能な通信装置と、
    前記通信装置を介して、前記外部装置に信号を出力可能な制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記外部装置に前記所定部材の供給を要求する信号を出力する露光装置。
45. 前記制御装置は、前記基板保持部が前記基板を保持しないときに、前記信号を出力する請求項４４記載の露光装置。
46. 前記制御装置は、予め定められた露光制御情報に応じて、前記信号を出力する請求項４４記載の露光装置。
47. 前記制御装置は、前記露光が実行されない状態が所定時間経過したときに、前記信号を出力する請求項４４記載の露光装置。
48. 前記基板保持部は、前記搬送システムで前記外部装置から搬送された前記所定部材を保持する請求項４４〜４７のいずれか一項記載の露光装置。
49. 前記外部装置は、前記所定部材の表面処理を実行可能な処理装置を含み、
    前記制御装置は、前記外部装置から送信された情報に基づいて、前記所定部材の表面処理を実行するか否かを判断し、前記判断結果に基づいて、前記通信装置を介して、前記表面処理に関する信号を前記外部装置に出力する請求項４４〜４８のいずれか一項記載の記載の露光装置。
50. 前記制御装置は、前記外部装置から送信された情報に基づいて、前記所定部材が表面処理されていないと判断したとき、前記外部装置に、前記所定部材の表面処理の実行を指令する請求項４９記載の露光装置。
51. 前記制御装置は、前記外部装置から送信された情報に基づいて、所定液体に対する前記所定部材の表面の接触角が所定値未満であると判断したとき、前記外部装置に、前記所定部材の表面処理の実行を指令する請求項４９記載の露光装置。
52. 前記制御装置は、前記外部装置から送信された情報に基づいて、前回の表面処理終了時からの経過時間が所定時間以上であると判断したとき、前記外部装置に、前記所定部材の表面処理の実行を指令する請求項４９記載の露光装置。
53. 前記外部装置は、前記基板の表面処理を実行可能である請求項４９〜５２のいずれか一項記載の露光装置。
54. 前記処理装置は、前記基板に感光膜を形成可能である請求項５３記載の露光装置。
55. 前記表面処理は、撥液処理を含む請求項３６〜５４のいずれか一項記載の露光装置。
56. 前記表面処理は、ＨＭＤＳ処理を含む請求項３６〜５５のいずれか一項記載の露光装置。
57. 前記表面処理は、フッ酸処理を含む請求項３６〜５６のいずれか一項記載の露光装置。
58. 前記基板保持部を保護するために、前記基板保持部に前記所定部材が保持される請求項３６〜５７のいずれか一項記載の露光装置。
59. 露光以外の所定の処理を実行するときに、前記基板保持部は、前記所定部材を保持する請求項３６〜５８のいずれか一項記載の露光装置。
60. 前記所定の処理は、露光に関する計測処理を含む請求項５９記載の露光装置。
61. 前記所定の処理は、前記ステージのメンテナンス処理を含む請求項５９又は６０記載の露光装置。
62. 前記所定の処理は、前記ステージのクリーニング処理を含む請求項５９〜６１のいずれか一項記載の露光装置。
63. 前記クリーニング処理は、前記露光用液体を用いる請求項６２記載の露光装置。
64. 前記クリーニング処理は、クリーニング用液体を用いる請求項６２記載の露光装置。
65. 前記クリーニング用液体は、所定の気体を水に溶解させたクリーニング水を含む請求項６４記載の露光装置。
66. 前記ステージ及び前記基板保持部に保持された前記所定部材の少なくとも一部との間に所定液体で液浸空間を形成可能な液浸部材を備える請求項３６〜６５のいずれか一項記載の露光装置。
67. 前記所定液体は、前記露光用液体を含む請求項６６記載の露光装置。
68. 前記所定液体は、クリーニング用液体を含む請求項６６記載の露光装置。
69. 前記液浸部材は、前記所定液体を供給する供給口を有する請求項６６〜６８のいずれか一項記載の露光装置。
70. 前記液浸部材は、前記所定液体を回収する回収口を有する請求項６６〜６９記載の露光装置。
71. 前記液浸部材は、前記露光光の光路の少なくとも一部を前記所定液体で満たすように液浸空間を形成可能である請求項６６〜７０のいずれか一項記載の露光装置。
72. 前記所定部材は、前記液浸部材の下面と対向可能な第１面を有し、
    前記ステージは、前記液浸部材の下面と対向可能な第２面を有し、
    前記基板保持部に保持された前記所定部材の第１面と前記第２面とは、所定のギャップを介して配置される請求項６６〜７１のいずれか一項記載の露光装置。
73. 前記第２面は、前記第１面の周囲に配置されている請求項７２記載の露光装置。
74. 前記第１面と前記第２面とは同一平面内に配置されている請求項７２又は７３記載の露光装置。
75. 前記所定部材は、前記基板とほぼ同じ外形である請求項６６〜７４のいずれか一項記載の露光装置。
76. 前記搬送システムは、前記基板も搬送可能である請求項６６〜７５のいずれか一項記載の露光装置。
77. 請求項３６〜７６のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
78. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置を含むリソグラフィシステムであって、
    前記基板を着脱可能な基板保持部を有し、前記基板を保持して移動可能なステージと、
    基板、及び前記基板保持部が保持可能な所定部材を収容可能な収容装置と、
    前記所定部材を、前記収容装置と前記基板保持部と前記所定部材の表面処理を実行可能な処理装置との間で搬送可能な搬送システムと、を備え、
    前記所定部材は、少なくとも前記基板保持部に基板が保持されているとき、前記収容装置に収容され、
    前記基板保持部は、前記搬送システムで前記収容装置から搬送された前記所定部材を保持するリソグラフィシステム。
79. 前記所定部材の表面処理を実行するか否かを判断する制御装置を備え、
    前記搬送システムは、前記制御装置の判断結果に基づいて、前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、前記処理装置に供給する請求項７８記載のリソグラフィシステム。
80. 前記搬送システムは、前記処理装置で表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給する請求項７８又は７９記載のリソグラフィシステム。
81. 前記制御装置は、前記収容装置に収容されている前記所定部材の表面状態に応じて、前記表面処理を実行するか否かを判断する請求項７９又は８０記載のリソグラフィシステム。
82. 前記処理装置は、前記露光装置に接続されている請求項７８〜８１のいずれか一項記載のリソグラフィシステム。
83. 前記処理装置は、前記基板の表面処理を実行可能である請求項７８〜８２のいずれか一項記載のリソグラフィシステム。
84. 前記処理装置は、前記基板に感光膜を形成可能である請求項８３記載のリソグラフィシステム。
85. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置を含むリソグラフィシステムであって、
    前記基板を着脱可能な基板保持部を有し、前記基板を保持して移動可能なステージと、
    前記基板保持部が保持可能な所定部材の表面処理を実行可能な処理装置と、
    前記所定部材を、前記基板保持部に搬送可能な搬送システムと、
    前記所定部材の表面処理を実行するか否かを判断し、前記判断結果に基づいて、前記表面処理に関する信号を前記処理装置に出力する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記処理装置及び前記搬送システムを制御して、表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給するリソグラフィシステム。
86. 露光以外の所定の処理時に、前記基板保持部は、前記搬送システムで搬送された前記所定部材を保持する請求項８５記載のリソグラフィシステム。
87. 前記制御装置は、前記所定部材が表面処理されていないと判断したとき、前記処理装置に、前記所定部材の表面処理の実行を指令する請求項８６記載のリソグラフィシステム。
88. 前記制御装置は、所定液体に対する前記所定部材の表面の接触角が所定値未満であると判断したとき、前記処理装置に、前記所定部材の表面処理の実行を指令する請求項８６記載のリソグラフィシステム。
89. 前記制御装置は、前回の表面処理終了時からの経過時間が所定時間以上であると判断したとき、前記処理装置に、前記所定部材の表面処理の実行を指令する請求項８６記載のリソグラフィシステム。
90. 前記処理装置は、前記基板の表面処理を実行可能である請求項８６〜８９のいずれか一項記載のリソグラフィシステム。
91. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、
    前記基板を着脱可能なステージの基板保持部が保持可能な所定部材を、前記基板を収容可能な収容装置に収容することと、
    前記ステージのメンテナンス処理のために、前記収容装置から前記所定部材を搬出することと、
    前記搬出した前記所定部材の表面状態に応じて、前記所定部材の表面処理を実行するか否かを判断することと、
    前記判断後、前記所定部材を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部に前記所定部材を保持することと、
    前記基板保持部が前記所定部材を保持した状態で、前記ステージのメンテナンス処理を実行することと、を含むメンテナンス方法。
92. 前記判断結果に基づいて、前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、処理装置に供給し、前記所定部材の表面処理を実行する請求項９１記載のメンテナンス方法。
93. 前記処理装置で表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給する請求項９１又は９２記載のメンテナンス方法。
94. 露光用液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、
    前記基板を着脱可能な基板保持部を有するステージをメンテナンス処理するために、前記基板保持部が保持可能で表面処理された所定部材の供給を要求することと、
    供給された所定部材に関して前回の表面処理終了時からの経過時間が所定時間以上であるか否かを判断することと、
    前記判断後、前記所定部材を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部に前記所定部材を保持することと、
    前記基板保持部が前記所定部材を保持した状態で、前記ステージのメンテナンス処理を実行することと、を含むメンテナンス方法。
95. 前記経過時間が前記所定時間以上であると判断したとき、前記所定部材を前記基板保持部に供給する前に、処理装置に供給し、前記所定部材の表面処理を実行する請求項９４記載のメンテナンス方法。
96. 前記処理装置で表面処理された前記所定部材を前記基板保持部に供給する請求項９４記載のメンテナンス方法。
97. 前記メンテナンス処理は、前記ステージの少なくとも一部をクリーニング用液体でクリーニングする処理を含む請求項９１〜９６のいずれか一項記載のメンテナンス方法。

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