JP2009016422A - クリーニング装置、露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】デバイス製造装置を良好にクリーニングできるクリーニング装置を提供する。
【解決手段】クリーニング装置は、基板を処理するデバイス製造装置に用いられる。クリーニング装置は、液体接触面と、液体接触面上のクリーニング用液体に振動を与える振動発生装置とを備え、デバイス製造装置の保持部に着脱可能である。
【選択図】図１

Description

本発明は、デバイス製造装置に用いられるクリーニング装置、基板を露光光で露光する露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス製造装置のクリーニング方法に関する。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスを製造する際、半導体ウエハ、ガラス板等の基板が、例えばＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置のような薄膜形成装置、スピンコーティング装置、インクジェット装置のような塗布装置、及び露光装置等、各種のデバイス製造装置によって処理される。下記特許文献には、デバイス製造装置の一例として、基板を露光光で露光する露光装置の一例が開示されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット 特開２００４−２８９１２７号公報

デバイス製造装置において、例えば処理対象である基板の近傍の所定部位が汚染している状態を放置しておくと、デバイス製造装置の性能が低下したり、基板が汚染されたりして、製造されるデバイスが不良となる可能性がある。そのため、デバイス製造装置を良好にクリーニングできる技術の案出が望まれる。

本発明は、デバイス製造装置を良好にクリーニングできるクリーニング装置を提供することを目的とする。また本発明は、所定部位を良好にクリーニングできる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、デバイス製造装置を良好にクリーニングできるクリーニング方法を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、基板を処理するデバイス製造装置に用いられるクリーニング装置であって、液体接触面と、液体接触面上のクリーニング用液体に振動を与える振動発生装置と、を備え、デバイス製造装置の保持部に着脱可能であるクリーニング装置が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、基板を露光光で露光する露光装置であって、振動発生装置を有するクリーニング装置を着脱可能に支持可能な保持部を備え、クリーニング装置と所定部位との間のクリーニング用液体に、振動発生装置を用いて振動を与えて、所定部位をクリーニングする露光装置が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第４の態様に従えば、基板を処理するデバイス製造装置のクリーニング方法であって、基板を着脱可能に保持する保持部で、振動発生装置を有するクリーニング装置を支持することと、デバイス製造装置の所定部位と対向する位置に、保持部に支持されたクリーニング装置を配置することと、所定部位とクリーニング装置との間にクリーニング用液体を供給することと、振動発生装置を使ってクリーニング用液体に振動を与えることと、を含むクリーニング方法が提供される。

本発明によれば、デバイス製造装置を良好にクリーニングできる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係るクリーニング装置１を示す平面図、図２は、側断面図である。本実施形態において、クリーニング装置１は、基板を処理するデバイス製造装置に用いられる。

図１及び図２に示すように、本実施形態においては、クリーニング装置１は、円板状の外形を有し、表面２及び裏面３を有する。クリーニング装置１は、クリーニング用液体を用いて、デバイス製造装置の少なくとも一部をクリーニングする。デバイス製造装置をクリーニングするとき、クリーニング装置１の表面２上に、クリーニング用液体で液浸空間が形成され、クリーニング装置１の表面２は、クリーニング用液体と接触する。

なお、液浸空間は、液体で満たされた空間である。また、以下の説明において、液体（クリーニング用液体を含む）と接触するクリーニング装置１の表面２を適宜、液体接触面２、と称する。

クリーニング装置１は、振動発生装置４を備えている。本実施形態において、振動発生装置４は、圧電素子を含む。振動発生装置４は、クリーニング装置１の液体接触面２上のクリーニング用液体に振動を与える。本実施形態においては、液体接触面２と平行なＸＹ平面内における振動発生装置４の外形は、円形である。

デバイス製造装置の所定部位をクリーニングするとき、その所定部位と対向する位置にクリーニング装置１の液体接触面２が配置され、デバイス製造装置の所定部位とクリーニング装置１の液体接触面２との間にクリーニング用液体で液浸空間が形成される。クリーニング装置１は、振動発生装置４を用いて、デバイス製造装置の所定部位と液体接触面２との間のクリーニング用液体に振動を与えて、所定部位をクリーニングする。本実施形態においては、振動発生装置４は、クリーニング用液体に、超音波を与える。

本実施形態において、クリーニング装置１は、円板状の基材５を有し、振動発生装置４は、基材５上に配置されている。本実施形態においては、振動発生装置４は、液体接触面２と平行なＸＹ平面内において、基材５のほぼ中央に配置されている。本実施形態において、基材５は、石英（ガラス）で形成されている。なお、基材５がシリコンで形成されていてもよいし、ステンレス鋼等の金属、あるいはガラスで形成されていてもよい。

また、クリーニング装置１は、振動発生装置４に動力を供給する動力供給装置６を備えている。本実施形態において、動力供給装置６は、充電池を含む電源７と、配線８を介して電源７と接続された高周波電圧発生器９とを含む。電源７及び高周波電圧発生器９を含む動力供給装置６は、基材５上に配置されている。

高周波電圧発生器９は、配線１０を介して振動発生装置４と接続されている。電源７から供給される電力によって高周波電圧発生器９が作動すると、その高周波電圧発生器９は、振動発生装置４を振動（超音波振動）させるための信号（交流電圧）を振動発生装置４に供給する。

また、本実施形態においては、クリーニング装置１は、電源７と配線１１を介して接続された回路素子１２を備えている。回路素子１２は、無線で通信可能な通信器１３を含む。通信器１３は、信号を無線で受信可能な受信器１４、及び信号を無線で送信可能な送信器１５を含む。また、回路素子１２は、高周波電圧発生器９、通信器１３等を制御可能な制御器１６を含む。回路素子１２と高周波電圧発生器９とは配線１７を介して接続されており、制御器１６の制御信号は、配線１７を介して高周波電圧発生器９に供給可能である。通信器１３及び制御器１６を含む回路素子１２は、基材５上に配置されている。回路素子１２は、電源７から供給される電力によって作動する。

本実施形態においては、振動発生装置４が振動することによって、基材５を含むクリーニング装置１全体が振動（超音波振動）する。

次に、上述のクリーニング装置１が用いられるデバイス製造装置について説明する。本実施形態においては、デバイス製造装置が、基板を露光光で露光する露光装置である場合を例にして説明する。

図３は、本実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図３において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ２０と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２１と、マスクステージ２０を移動する第１駆動システム２２と、基板ステージ２１を移動する第２駆動システム２３と、各ステージ２０、２１の位置情報を計測するレーザ干渉計２４Ａ、２４Ｂを含む干渉計システム２４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置２５とを備えている。

なお、ここでいう基板Ｐは、デバイスを製造するためのデバイス製造用基板であって、本実施形態においては、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐには、感光膜とは別に保護膜（トップコート膜）等の各種の膜が形成されていてもよい。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、無線で通信可能な通信装置２６を有する。通信装置２６は、制御装置２５に接続されている。通信装置２６は、信号を無線で受信可能な受信装置２７、及び信号を無線で送信可能な送信装置２８を含む。通信装置２６は、クリーニング装置１と無線で通信可能である。

また、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送部材２９を含む搬送システム３０を備えている。搬送システム３０は、搬送部材２９を用いて、露光前の基板Ｐを基板ステージ２１に搬入（ロード）可能である。また、搬送システム３０は、搬送部材２９を用いて、露光後の基板Ｐを基板ステージ２１から搬出（アンロード）可能である。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光用液体ＬＱを介して基板Ｐを露光光ＥＬで露光する液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路空間の少なくとも一部が露光用液体ＬＱで満たされるように、露光用液体ＬＱで液浸空間を形成する。なお、露光光ＥＬの光路空間は、露光光ＥＬが通過する光路を含む空間である。

本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子３１と、その終端光学素子３１と対向する物体との間の露光光ＥＬの光路空間が露光用液体ＬＱで満たされるように、露光用液体ＬＱで液浸空間が形成される。終端光学素子３１は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する下面３２（射出面）を有し、露光用液体ＬＱの液浸空間は、終端光学素子３１の下面３２と、その終端光学素子３１の下面３２と対向する物体との間の露光光ＥＬの光路空間を露光用液体ＬＱで満たすように形成される。露光装置ＥＸは、露光用液体ＬＱを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路空間を露光用液体ＬＱで満たすために、露光用液体ＬＱで液浸空間を形成可能なノズル部材３３を備えている。ノズル部材３３は、終端光学素子３１の近傍に配置されている。ノズル部材３３は、終端光学素子３１の下面３２と対向する位置に配置される物体と対向可能な下面３４を有する。本実施形態においては、終端光学素子３１及びノズル部材３３と、その終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向する物体との間に保持される露光用液体ＬＱによって液浸空間が形成される。

終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向可能な物体は、終端光学素子３１の射出側（投影光学系ＰＬの像面側）で移動可能な物体を含む。本実施形態においては、終端光学素子３１の射出側で移動可能な物体は、基板ステージ２１、及び基板ステージ２１に保持された基板Ｐの少なくとも一方を含む。

基板Ｐの露光時には、基板ステージ２１に保持された基板Ｐが、終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向するように配置される。ノズル部材３３は、少なくとも基板Ｐの露光時に、終端光学素子３１と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間を露光用液体ＬＱで満たすように、露光用液体ＬＱで液浸空間を形成する。

本実施形態においては、上述の物体の表面の一部の領域（局所的な領域）が液体で覆われるように液浸空間が形成され、その物体の表面とノズル部材３３の下面３４との間に液体の界面(メニスカス、エッジ)が形成される。基板Ｐの露光時には、投影光学系ＰＬの投影領域を含む基板Ｐ上の一部の領域が露光用液体ＬＱで覆われるように露光用液体ＬＱで液浸空間が形成される。すなわち、本実施形態の液浸露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

また、本実施形態においては、所定のタイミングで、上述のクリーニング装置１を用いて、露光装置ＥＸの所定部位をクリーニングする処理が実行される。露光装置ＥＸの所定部位をクリーニングするとき、その所定部位と対向する位置にクリーニング装置１の液体接触面２が配置され、その所定部位とクリーニング装置１の液体接触面２との間にクリーニング用液体で液浸空間が形成される。クリーニング用液体で液浸空間を形成することによって、その液浸空間のクリーニング用液体と接触する所定部位をクリーニングすることができる。

ここで、以下の説明においては、露光用液体ＬＱを適宜、第１液体ＬＱ、と称し、クリーニング用液体ＬＣを適宜、第２液体ＬＣ、と称する。また、第１液体ＬＱで形成される液浸空間を適宜、第１液浸空間ＬＳ１、と称し、第２液体ＬＣで形成される液浸空間を適宜、第２液浸空間ＬＳ２、と称する。

照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

マスクステージ２０は、マスクＭを保持した状態で、第１駆動システム２２により、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。第１駆動システム２２は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。マスクステージ２０（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム２４のレーザ干渉計２４Ａによって計測される。レーザ干渉計２４Ａは、マスクステージ２０に設けられた計測ミラー２０Ｒを用いて、マスクステージ２０のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。制御装置２５は、干渉計システム２４のレーザ干渉計２４Ａの計測結果に基づいて、第１駆動システム２２を用いて、マスクステージ２０（マスクＭ）の位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの光学素子は、鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸方向と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

基板ステージ２１は、基板Ｐを保持した状態で、第２駆動システム２３により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。第２駆動システム２３は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。基板ステージ２１（基板Ｐ）の位置情報は、干渉計システム２４のレーザ干渉計２４Ｂによって計測される。レーザ干渉計２４Ｂは、基板ステージ２１に設けられた計測ミラー２１Ｒを用いて、基板ステージ２１のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ２１に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。制御装置２５は、干渉計システム２４のレーザ干渉計２４Ｂの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第２駆動システム２３を用いて、基板ステージ２１（基板Ｐ）の位置制御を行う。

本実施形態において、基板ステージ２１は、基板Ｐを着脱可能に保持可能な保持部３５を有する。本実施形態において、保持部３５は、ピンチャック機構（真空チャック機構）を有し、基板Ｐを着脱可能に保持可能である。保持部３５は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２１は、凹部３６を有し、保持部３５は、凹部３６に配置されている。保持部３５（凹部３６）の周囲には、基板ステージ２１の上面３７が配置される。基板ステージ２１の上面３７は、保持部３５に保持された基板Ｐの表面の周囲に配置される。上面３７は、ほぼ平坦であり、保持部３５に保持された基板Ｐの表面とほぼ同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される。すなわち、保持部３５に保持された基板Ｐの表面と、基板ステージ２１の上面３７とは、ほぼ面一である。保持部３５に保持された基板Ｐの表面、及び基板ステージ２１の上面３７は、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４と対向可能である。

搬送システム３０の搬送部材２９は、露光前の基板Ｐを基板ステージ２１の保持部３５に搬入（ロード）可能である。また、搬送システム３０の搬送部材２９は、露光後の基板Ｐを基板ステージ２１の保持部３５から搬出（アンロード）可能である。

本実施形態において、クリーニング装置１は、露光装置ＥＸの保持部３５に着脱可能である。本実施形態において、クリーニング装置１は、基板Ｐとほぼ同じ外形を有し、保持部３５は、クリーニング装置１を着脱可能に支持可能である。本実施形態において、保持部３５は、クリーニング装置１の裏面３を支持する。裏面３は、平坦である。

基板ステージ２１の上面３７は、保持部３５に支持されたクリーニング装置１の液体接触面２の周囲に配置され、保持部３５に支持されたクリーニング装置１の液体接触面２とほぼ同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される。すなわち、保持部３５に支持されたクリーニング装置１の液体接触面２と、基板ステージ２１の上面３７とは、ほぼ面一である。保持部３５に支持されたクリーニング装置１の液体接触面２、及び基板ステージ２１の上面３７は、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４と対向可能である。

また、本実施形態においては、搬送システム３０の搬送部材２９は、クリーニング装置１を基板ステージ２１の保持部３５に搬入（ロード）可能である。また、搬送システム３０の搬送部材２９は、クリーニング装置１を基板ステージ２１の保持部３５から搬出（アンロード）可能である。

図４は、ノズル部材３３の近傍を示す側断面図である。図４に示すように、ノズル部材３３は、終端光学素子３１の近傍に配置されている。ノズル部材３３は、環状の部材であって、終端光学素子３１（露光光ＥＬの光路空間）の周囲に配置されている。例えば基板Ｐ上に第１液浸空間ＬＳ１を形成する場合、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４と基板Ｐの表面との間に第１液体ＬＱが保持される。

ノズル部材３３は、第１液体ＬＱを供給可能な供給口３８と、第１液体ＬＱを回収可能な回収口３９とを有する。本実施形態においては、ノズル部材３３の供給口３８は、第２液体ＬＣを供給可能であり、ノズル部材３３の回収口３９は、第２液体ＬＣを回収可能である。

回収口３９は、ノズル部材３３の下面３４の一部に配置されている。また、終端光学素子３１の下面３２と対向するノズル部材３３の一部に開口４０が形成されている。終端光学素子３１の下面３２から射出された露光光ＥＬは、開口４０を通過し、基板Ｐに照射される。

露光装置ＥＸは、第１液体ＬＱを発生する第１液体供給装置４１と、第２液体ＬＣを発生する第２液体供給装置４２と、液体（第１液体ＬＱ、第２液体ＬＣを含む）を回収可能な液体回収装置４３とを備えている。第１液体供給装置４１、第２液体供給装置４２、及び液体回収装置４３は、制御装置２５に制御される。第１液体供給装置４１と供給口３８とは、ノズル部材３３の内部に形成された供給流路４４、及び供給管４５を介して接続されている。液体回収装置４３と回収口３９とは、ノズル部材３３の内部に形成された回収流路４６、及び回収管４７を介して接続されている。第２液体供給装置４２は、流路切替機構４８を介して、供給管４５と接続されている。流路切替機構４８は、制御装置２５に制御される。

上述のように、第１液体ＬＱは、露光用液体である。第１液体供給装置４１は、清浄で温度調整された第１液体ＬＱを、供給口３８に向けて送出可能である。第２液体ＬＣは、クリーニング用液体である。第２液体供給装置４２は、第２液体ＬＣを、供給口３８に向けて送出可能である。液体回収装置４３は、真空システムを含み、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣを回収可能である。

本実施形態において、制御装置２５は、流路切替機構４８、第１液体供給装置４１、及び第２液体供給装置４２を制御して、第１液体供給装置４１から送出された第１液体ＬＱが供給口３８へ供給されるとき、第２液体供給装置４２から供給口３８への第２液体ＬＣの供給を停止することができる。また、制御装置２５は、第２液体供給装置４２から送出された第２液体ＬＣが供給口３８へ供給されるとき、第１液体供給装置４１から供給口３８への第１液体ＬＱの供給を停止することができる。

例えば、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成するために、制御装置２５は、第２液体供給装置４２から供給口３８への第２液体ＬＣの供給を停止し、第１液体供給装置４１から第１液体ＬＱを送出する。第１液体供給装置４１から送出された第１液体ＬＱは、供給管４５、及びノズル部材３３の供給流路４４を流れた後、供給口３８に供給される。供給口３８は、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成するために、第１液体供給装置４１からの第１液体ＬＱを供給する。また、液体回収装置４３の作動によって、回収口３９から回収された第１液体ＬＱは、ノズル部材３３の回収流路４６を流れた後、回収管４７を介して液体回収装置４３に回収される。制御装置２５は、供給口３８を用いる第１液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３９を用いる第１液体ＬＱの回収動作を実行することによって、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する。

また、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成するために、制御装置２５は、第１液体供給装置４１から供給口３８への第１液体ＬＱの供給を停止し、第２液体供給装置４２から第２液体ＬＣを送出する。第２液体供給装置４２から送出された第２液体ＬＣは、供給管４５、及びノズル部材３３の供給流路４４を流れた後、供給口３８に供給される。供給口３８は、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成するために、第２液体供給装置４２からの第２液体ＬＣを供給する。また、液体回収装置４３の作動によって、回収口３９から回収された第２液体ＬＣは、ノズル部材３３の回収流路４６を流れた後、回収管４７を介して液体回収装置４３に回収される。制御装置２５は、供給口３８を用いる第２液体ＬＣの供給動作と並行して、回収口３９を用いる第２液体ＬＣの回収動作を実行することによって、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成する。

このように、本実施形態においては、供給口３８は、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣのそれぞれを供給可能である。また、回収口３９は、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣのそれぞれを回収可能である。

本実施形態においては、第１液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態においては、第２液体ＬＣとして、第１液体ＬＱと異なるものを用いる。本実施形態においては、第２液体ＬＣとして、水素ガスを水に溶解させた水素水（水素溶解水）を用いる。

なお、第２液体ＬＣとして、オゾンガスを水に溶解させたオゾン水（オゾン溶解水）、窒素ガスを水に溶解させた窒素水（窒素溶解水）、アルゴンガスを水に溶解させたアルゴン水（アルゴン溶解水）、二酸化炭素ガスを水に溶解させた二酸化炭素水（二酸化炭素溶解水）等、所定のガスを水に溶解させた溶解ガス制御水を用いてもよい。また、大気圧下の溶解度以上にガスを溶解させたガス過飽和水でもよい。また、第２液体ＬＣとして、過酸化水素を水に添加した過酸化水素水、塩酸（次亜塩素酸）を水に添加した塩素添加水、アンモニアを水に添加したアンモニア水、コリンを溶解させたコリン水、及び硫酸を水に添加した硫酸添加水等、所定の薬液を水に添加した薬液添加水を用いてもよい。また、第２液体ＬＣとして、エタノール、及びメタノール等のアルコール類、エーテル類、ガンマブチロラクトン、シンナー類、界面活性剤、ＨＦＥ等のフッ素系溶剤を用いてもよい。

本実施形態において、クリーニング装置１の液体接触面２は、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対して撥液性を有する。第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対するクリーニング装置１の液体接触面２の接触角は、９０度以上である。 本実施形態においては、クリーニング装置１の液体接触面２は、フッ素を含む材料の膜で形成されている。例えば、クリーニング装置１の液体接触面２は、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）の膜で形成される。あるいは、クリーニング装置１の液体接触面２が、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロエラエチレン）の膜で形成されていてもよい。あるいは、クリーニング装置１の液体接触面２が、例えば旭硝子社製「サイトップ」のような、光を透過可能なフッ素を含む材料の膜で形成されていてもよい。なお、クリーニング装置１の側面も、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対して撥液性を有することが望ましい。

同様に、基板ステージ２１の上面３７は、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対して撥液性を有する。第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対する基板ステージ２１の上面３７の接触角は、９０度以上である。本実施形態においては、基板ステージ２１の上面３７は、例えばＰＦＡ、ＰＴＦＥ等、フッ素を含む材料の膜で形成されている。あるいは、基板ステージ２１の上面３７が、「サイトップ」の膜で形成されていてもよい。なお、基板ステージ２１の凹部３６の内側面（クリーニング装置１の側面と対向可能な面）も、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣに対して撥液性を有することが望ましい。

次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について説明する。

搬送部材２９によって露光前の基板Ｐが基板ステージ２１の保持部３５にロードされると、制御装置２５は、基板Ｐを保持部３５で保持する。保持部３５は、真空チャック機構を含み、基板Ｐを真空力で吸着保持する。制御装置２５は、第２駆動システム２３を用いて、終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向する位置に、基板Ｐを保持した基板ステージ２１を配置し、終端光学素子３１及びノズル部材３３と基板ステージ２１（基板Ｐ）との間に、第１液体ＬＱで第１液浸空間ＬＳ１を形成する。

そして、制御装置２５は、第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱを介して、マスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐが露光される。

制御装置２５は、基板Ｐの露光が終了した後、保持部３５による吸着保持を解除し、搬送部材２９を用いて、露光後の基板Ｐを基板ステージ２１の保持部３５から搬出（アンロード）するとともに、露光前の基板Ｐを基板ステージ２１の保持部３５に搬入（ロード）する。基板ステージ２１に対する基板Ｐの搬入が終了した後、上述同様、制御装置２５は、第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する。そして、制御装置２５は、上述の動作を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

基板Ｐの露光時に、基板Ｐの表面、終端光学素子３１の下面３２、及びノズル部材３３の下面３４のそれぞれは、第１液浸空間ＬＳ１の第１液体ＬＱと接触する。基板Ｐと接触した第１液体ＬＱに、例えば基板Ｐの一部の物質（例えば感光材の一部）が溶出する可能性がある。その液体ＬＱが、終端光学素子３１の下面３２、ノズル部材３３の下面３４に接触すると、基板Ｐから溶出、あるいは分離した物質によって、下面３２、３４が汚染される可能性がある。また、基板Ｐからの物質に限られず、例えば、露光装置ＥＸが置かれている空間中を浮遊する物質（異物）によっても、下面３２、３４が汚染される可能性がある。

そこで、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、クリーニング装置１を用いて、終端光学素子３１及びノズル部材３３の少なくとも一方をクリーニングする。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、基板ステージ２１の保持部３５にクリーニング装置１を支持して、基板ステージ２１の保持部３５に支持されているクリーニング装置１と、終端光学素子３１及びノズル部材３３との間に第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成し、その形成された第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに、クリーニング装置１の振動発生装置４を用いて振動を与えることによって、終端光学素子３１及びノズル部材３３の少なくとも一方をクリーニングする。

次に、クリーニング装置１を用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニングする方法の一例について、図５のフローチャート、及び図６の模式図を参照しながら説明する。

クリーニング装置１を用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニングするために、制御装置２５は、搬送部材２９を用いて、基板ステージ２１の保持部３５にクリーニング装置１をロードする。クリーニング装置１の裏面３は、基板ステージ２１の保持部３５に支持される（ステップＳ１）。なお、本実施形態においては、搬送部材２９でクリーニング装置１を搬送しているとき、クリーニング装置１の振動発生装置４の作動は停止されている。

制御装置２５は、保持部３５に支持されたクリーニング装置１の液体接触面２が終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向するように基板ステージ２１を移動して、終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向する位置に、保持部３５に支持されたクリーニング装置１を配置する（ステップＳ２）。

制御装置２５は、終端光学素子３１及びノズル部材３３とクリーニング装置１との間に、供給口３８より第２液体ＬＣを供給する（ステップＳ３）。制御装置２５は、供給口３８を用いる第２液体ＬＣの供給動作と並行して、回収口２９を用いる第２液体ＬＣの回収動作を実行する。これにより、図６に示すように、終端光学素子３１及びノズル部材３３とクリーニング装置１との間に、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２が形成される。

図６に示すように、保持部３５に支持されたクリーニング装置１の液体接触面２と、基板ステージ２１の上面３７とは、ほぼ面一である。また、図６に示すように、第２液体ＬＣの第２液浸空間ＬＳ２は、クリーニング装置１の液体接触面２の一部の領域（局所的な領域）を覆うように形成される。本実施形態においては、クリーニング装置１の液体接触面２のうち、振動発生装置４が配置されている領域と第２液体ＬＣとが接触するように、第２液浸空間ＬＳ２が形成される。

制御装置２５は、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成した状態で、クリーニング装置１の振動発生装置４を振動させる動作を開始する。本実施形態においては、制御装置２５は、保持部３５に支持されたクリーニング装置１の動力発生装置６を無線で制御する。制御装置２５は、通信装置２６（送信装置２８）を用いて、動力発生装置６を制御するための制御信号を、クリーニング装置１の通信器１３（受信器１４）に対して、無線で送信する。

クリーニング装置１は、露光装置ＥＸの送信装置２８から送信された、動力供給装置６を制御するための制御信号を、受信器１４を用いて、無線で受信する。動力供給装置６は、露光装置ＥＸから無線で送信された制御信号に基づいて、振動発生装置４に動力を供給する。これにより、振動発生装置４は、振動を開始する（ステップＳ４）。

また、制御装置２５は、振動発生装置４の振動数を制御可能である。制御装置２５は、振動発生装置４の振動数（目標振動数）に関する情報を含む制御信号を、クリーニング装置１に無線で送信可能である。動力発生装置６は、露光装置ＥＸから無線で送信された制御信号に基づいて、振動発生装置４を所定の振動数で振動させる。

制御装置２５は、クリーニング装置１の振動発生装置４を振動させることによって、クリーニング装置１の液体接触面２上に形成されている第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣ２に振動（超音波）を与える。クリーニング装置１は、基板ステージ２１の保持部３５に支持された状態で、露光装置ＥＸの終端光学素子３１及びノズル部材３３と液体接触面２との間の第２液体ＬＣに振動を与えることによって、終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニングする。

本実施形態においては、振動発生装置４は、２０ｋＨｚ〜５０００ｋＨｚの振動数で振動する。クリーニング装置１は、振動発生装置４を用いて、終端光学素子３１及びノズル部材３３と液体接触面２との間に形成された第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに超音波（振動）を与えることによって、終端光学素子３１及びノズル部材３３の少なくとも一方に付着している異物（汚染物）を剥離させ、終端光学素子３１及びノズル部材３３の少なくとも一方をクリーニングすることができる。供給口３８からは、常に清浄な第２液体ＬＣが供給され、終端光学素子３１及びノズル部材３３の少なくとも一方から剥離された異物（汚染物）は、第２液体ＬＣとともに、回収口３９より回収される。これにより、終端光学素子３１及びノズル部材３３は、良好にクリーニングされる。

本実施形態においては、制御装置２５は、クリーニング装置１を用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニングするとき、すなわち振動発生装置４を振動させるとき、クリーニング装置１を保持部３５に吸着保持する。クリーニング装置１は、保持部３５に吸着保持された状態で、振動発生装置４を用いて、第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに振動（超音波）を与えることができる。

なお、制御装置２５は、クリーニング装置１を用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニングするとき、クリーニング装置１を保持部３５に吸着保持せずに、クリーニング装置１を保持部３５上に載せた状態で、振動発生装置４を振動させることもできる。

また、終端光学素子３１及びノズル部材３３とクリーニング装置１との間に第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成し、終端光学素子３１及びノズル部材３３に対して、クリーニング装置１を支持した保持部３５（基板ステージ２１）をＸＹ方向に移動しながら、振動発生装置４を使って第２液体ＬＣに振動を与えるようにしてもよい。

クリーニング装置１を用いたクリーニング処理が終了した後、制御装置２５は、送信装置２８を用いて、クリーニング装置１に制御信号を無線で送信して、動力供給装置６から振動発生装置４に対する動力の供給を停止させる。これにより、クリーニング装置１の振動が停止する。クリーニング装置１の振動が停止された後、制御装置２５は、搬送部材２９を用いて、クリーニング装置１を基板ステージ２１の保持部３５からアンロードする。その後、基板Ｐの露光処理を含む通常シーケンスが開始される。

アンロードされたクリーニング装置１の電源７に対して、必要に応じて、充電処理が実行される。また、アンロードされたクリーニング装置１に対して、必要に応じて、クリーニング処理が実行される。終端光学素子３１及びノズル部材３３から剥離した異物（汚染物）がクリーニング装置１に付着する等して、クリーニング装置１が汚れている場合には、そのクリーニング装置１に対するクリーニング処理を実行することができる。例えば、作業者によって、所定のクリーニング用液体等を用いて、クリーニング装置１に対するクリーニング処理が実行される。また、クリーニング装置１を複数用意し、アンロードされたクリーニング装置１を新たなものと交換してもよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、終端光学素子３１及びノズル部材３３等、露光装置ＥＸの所定部位を、クリーニング装置１を用いて良好にクリーニングすることができる。したがって、終端光学素子３１及びノズル部材３３の汚染に起因する露光装置ＥＸの性能の劣化を抑制できる。

また、本実施形態においては、クリーニング装置１は、第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに超音波を与えるので、クリーニング効果を高めることができる。本実施形態においては、クリーニングに適した第２液体ＬＣ（水素水）と超音波との相乗効果によって、終端光学素子３１及びノズル部材３３を良好にクリーニングすることができる。

また、本実施形態においては、第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに超音波を与えるために、基板ステージ２１の保持部３５に着脱可能なクリーニング装置１を用いている。これにより、例えば露光装置ＥＸに、専用のクリーニング装置を設けることなく、既存の搬送部材２９を用いてクリーニング装置１を搬送し、既存の保持部３５でクリーニング装置１を支持することで、クリーニング装置１の液体接触面２と対向する露光装置ＥＸの所定部位（終端光学素子３１及びノズル部材３３）を円滑にクリーニングできる。したがって、露光装置ＥＸの構造の複雑化、大型化、装置コストの増大化等を抑制しつつ、露光装置ＥＸの所定部位を良好にクリーニングできる。

また、上述したように、終端光学素子３１及びノズル部材３３に対するクリーニング処理によって、終端光学素子３１及びノズル部材３３から剥離した異物（汚染物）が、クリーニング装置１に付着する等して、クリーニング装置１が汚染する可能性がある。本実施形態のクリーニング装置１は、露光装置ＥＸ内から容易に取り出せることができるので、汚染している可能性があるクリーニング装置１が、露光装置ＥＸ内に長時間配置され続けることを抑制できる。また、汚染している可能性のあるクリーニング装置１を容易にクリーニングしたり、新たなものと容易に交換したりすることができる。

また、本実施形態によれば、クリーニング装置１の液体接触面２が第２液体ＬＣに対して撥液性なので、終端光学素子３１及びノズル部材３３と液体接触面２との間に第２液体ＬＣを良好に保持することができ、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を良好に形成することができる。したがって、例えば終端光学素子３１及びノズル部材３３に対するクリーニング処理中に、第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣが漏出することを抑制できる。また、液体接触面２に第２液体ＬＣが残留することを抑制できる。

また、本実施形態によれば、保持部３５に着脱可能な、小型のクリーニング装置１を振動させている。これにより、クリーニング装置１を高い周波数（振動数）で円滑に振動させることができ、第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに高い周波数の超音波を円滑に与えることができる。第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに与える超音波の周波数が高いほうが、より良好なクリーニング効果が得られる場合には、クリーニング装置１を、例えば１ＭＨｚ以上の高い周波数（振動数）で振動させることが有効である。

また、本実施形態においては、保持部３５に支持されたクリーニング装置１の液体接触面２と、基板ステージ２１の上面３７とは面一なので、第２液浸空間ＬＳ２が基板ステージ２１の上面３７とクリーニング装置１の液体接触面２との間を移動するような場合でも、第２液浸空間ＬＳ２を良好に形成することができる。

また、保持部３５に支持されたクリーニング装置１の液体接触面２と、基板ステージ２１の上面３７との間のギャップは微小（約０．１ｍｍ）であり、且つクリーニング装置１の液体接触面２及び基板ステージ２１の上面３７は、第２液体ＬＣに対して撥液性を有しているので、液体接触面２、上面３７に第２液体ＬＣが残留したり、クリーニング装置１の液体接触面と基板ステージ２１の上面３７との間のギャップから基板ステージ２の内部に第２液体ＬＣが浸入することを抑制することができる。

なお、本実施形態においては、振動発生装置４が、ＸＹ平面内においてクリーニング装置１（基材５）のほぼ中央に配置されている場合を例にして説明したが、エッジ近傍等、中央に配置されていなくてもよい。なお、クリーニング装置１の液体接触面２を形成する撥液性の膜を、例えばスピンコーティング法を用いて形成する場合、クリーニング装置１の回転中心と重心とが一致するように、振動発生装置４、動力供給装置６、回路素子１２等の位置関係（配置）を考慮することが望ましい。

なお、本実施形態においては、クリーニング装置１に振動発生装置４が１つだけ搭載されている場合を例にして説明したが、複数の振動発生装置が搭載されていてもよい。

なお、本実施形態においては、ノズル部材３３に形成された供給口３８が第２液体ＬＣと第１液体ＬＱとの両方を供給可能である場合を例にして説明したが、ノズル部材に、第２液体ＬＣを供給する供給口と、第１液体ＬＱを供給する供給口との両方を形成してもよい。同様に、ノズル部材に第１液体ＬＱを回収するための回収口と、第２液体ＬＣを回収するための回収口の両方を設けてもよい。また、ノズル部材とは別の部材に、供給口、回収口を形成してもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

第２実施形態の特徴的な部分は、クリーニング装置１Ｂが、画像を取得する撮像素子を含む観察装置を備えている点にある。

図７は、第２実施形態に係るクリーニング装置１Ｂの一例を示す平面図である。図７において、クリーニング装置１Ｂは、露光装置ＥＸの所定部位の状態を観察可能な観察装置５０を備えている。観察装置５０は、画像を取得する撮像素子５１と、撮像素子５１の入射側に設けられた光学系５２とを含む。撮像素子５１は、例えばＣＣＤ（charge coupled device）を含み、露光装置ＥＸの所定部位の画像を、光学系５２を介して取得可能である。撮像素子５１を含む観察装置５０は、基材５上に配置されている。観察装置５０は、電源７に接続されており、電源７から供給される電力によって作動する。

また、本実施形態においては、クリーニング装置１Ｂは、発光装置５３を有する。発光装置５３は、例えば有機ＥＬ装置のような面光源を備える。発光装置５３は、基材５上に配置されている。発光装置５３は、電源７に接続されており、電源７から供給される電力によって作動する。

クリーニング装置１Ｂの発光装置５３は、露光装置ＥＸの所定部位を照明可能である。クリーニング装置１Ｂは、発光装置５３で露光装置ＥＸの所定部位を照明しながら、撮像素子５１を用いて、露光装置ＥＸの所定部位の画像を取得する。

上述の第１実施形態と同様、クリーニング装置１Ｂは、無線で通信可能な通信器１３を備えている。通信器１３は、信号を無線で受信可能な受信器１４、及び信号を無線で送信可能な送信器１５を含む。本実施形態において、送信器１５は、観察装置５０の撮像素子５１で取得した画像情報を含む信号を無線で送信する。

露光装置ＥＸは、通信装置２６（受信装置２７）を使って、クリーニング装置１Ｂから送信された、観察装置５０の撮像素子５１で取得した画像情報を含む信号を無線で受信する。制御装置２５は、受信装置２７で受信した信号を画像処理する。このように、本実施形態においては、制御装置２５は、通信装置２６を使って、撮像素子５１で取得した画像情報を取得する。

次に、第２実施形態に係るクリーニング装置１Ｂを用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニングする方法の一例について、図８の模式図を参照しながら説明する。

搬送部材２９によって、基板ステージ２１の保持部３５にクリーニング装置１Ｂがロードされると、制御装置２５は、保持部３５に支持されたクリーニング装置１Ｂの液体接触面２が終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向するように基板ステージ２１を移動して、終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向する位置に、保持部３５に支持されたクリーニング装置１Ｂを配置する。

制御装置２５は、供給口３８を用いる第２液体ＬＣの供給動作と並行して、回収口３９を用いる第２液体ＬＣの回収動作を実行して、終端光学素子３１及びノズル部材３３とクリーニング装置１Ｂとの間に、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成する。

制御装置２５は、通信装置２６（送信装置２８）を用いて、動力発生装置６を制御するための制御信号を、クリーニング装置１Ｂの通信器１２（受信器１４）に対して、無線で送信する。クリーニング装置１Ｂの動力供給装置６は、露光装置ＥＸから無線で送信された制御信号に基づいて、振動発生装置４に動力を供給する。これにより、振動発生装置４は、振動を開始する。

制御装置２５は、クリーニング装置１Ｂの振動発生装置４を振動させることによって、クリーニング装置１Ｂの液体接触面２上に形成されている第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣ２に振動（超音波）を与える。クリーニング装置１Ｂは、基板ステージ２１の保持部３５に支持された状態で、露光装置ＥＸの終端光学素子３１及びノズル部材３３と液体接触面２との間の第２液体ＬＣに振動を与えることによって、終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニングする。

制御装置２５は、第２液体ＬＣに振動を与える動作を所定時間実行した後、制御信号を無線で送信して、振動発生装置６による振動発生動作を停止させる。そして、制御装置２５は、供給口３８を用いる第２液体ＬＣの供給動作と並行して、回収口３９を用いる第２液体ＬＣの回収動作を実行しながら、図８の模式図に示すように、終端光学素子３１及びノズル部材３３と観察装置５０とを対向させる。制御装置２５は、観察装置５０及び発光装置５３を制御するための制御信号を無線で送信し、発光装置５３を用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３を照明しながら、観察装置５０を用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３の画像を取得する。

このとき、制御装置２５は、終端光学素子３１及びノズル部材３３に対して、クリーニング装置１Ｂを支持した保持部３５（基板ステージ２１）を、ＸＹ方向に移動しながら、観察装置５０を用いて、終端光学素子３１及びノズル部材３３の画像を取得することができる。こうすることにより、広い範囲の画像を取得することができる。

観察装置５０で取得した、終端光学素子３１及びノズル部材３３の画像情報を含む信号は、無線で露光装置ＥＸの受信装置２７に送信される。制御装置２５は、送信された信号を画像処理し、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４の状態が所望状態かどうかを判断する。すなわち、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が十分にクリーニングされたか、換言すれば、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が汚染されていないかどうかが判断される。

このように、本実施形態においては、観察装置５０を用いて、クリーニング処理の確認処理が実行される。そして、その確認処理によって得られた画像情報に基づいて、制御装置２５は、クリーニング装置１Ｂを用いたクリーニング処理を制御する。

終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が良好にクリーニングされたと判断した場合、制御装置２５は、クリーニング処理を終了し、搬送部材２９を用いて、クリーニング装置１Ｂを保持部３５からアンロードする動作を開始する。その後、通常シーケンスが実行される。

一方、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が十分にクリーニングされていないと判断した場合、制御装置２５は、クリーニング装置１Ｂを用いたクリーニング処理を再実行する。そして、クリーニング装置１Ｂを用いたクリーニング処理を所定時間実行した後、制御装置２５は、再度、観察装置５０を用いた確認処理を実行する。そして、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が十分にクリーニングされたと判断されるまで、クリーニング処理と確認処理とが繰り返される。

また、所定のクリーニング条件でクリーニング処理したにもかかわらず、取得した画像情報に基づいて、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が未だ汚染していると判断した場合には、例えば、制御装置２５は、クリーニング条件を変更するための制御信号を無線で送信する。例えば、制御装置２５は、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４を十分にクリーニングするために、振動発生装置４の振動数を高める等、振動発生装置４の動作条件を変更する制御信号を送信する。

以上説明したように、本実施形態によれば、終端光学素子３１及びノズル部材３３等、露光装置ＥＸの所定部位をクリーニングした後、観察装置５０を用いて、クリーニング効果の確認処理を実行できる。そして、クリーニング効果が認められた場合には、クリーニング処理を終了することで、所定部位が十分にクリーニングされたにも関わらず、クリーニング処理を継続してしまうことを抑制することができる。したがって、不要なクリーニング処理を排除できるので、スループットの低下、露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑制できる。また、十分なクリーニング効果が認められない場合には、クリーニング処理を継続（再実行）することで、所定部位を良好にクリーニングすることができる。

なお、本実施形態においては、観察装置５０が、第２液体ＬＣを介して、終端光学素子３１及びノズル部材３３の画像を取得する場合を例にして説明したが、第２液体ＬＣを介さずに、終端光学素子３１及びノズル部材３３の画像を取得するようにしてもよい。例えば、観察装置５０を用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３の画像を取得する際に、供給口３８を用いる第２液体ＬＣの供給動作を停止し、回収口３９を用いる第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣの回収動作を所定時間継続して、第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣを全て無くした後、観察装置５０を用いて終端光学素子３１及びノズル部材３３の画像を取得するようにしてもよい。

なお、本実施形態においては、クリーニング装置１Ｂを用いるクリーニング処理を実行した後、観察装置５０を用いる確認処理を実行しているが、クリーニング装置１Ｂを用いるクリーニング処理を実行する前に、観察装置５０を用いて、終端光学素子３１及びノズル部材３３の画像を取得するようにしてもよい。例えば、搬送部材２９によって、基板ステージ３１の保持部３５にクリーニング装置１Ｂをロードした後、クリーニング装置１Ｂの液体接触面２上に第２液浸空間ＬＳ２を形成する前に、観察装置５０を用いて、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４の画像情報を取得し、その取得した画像情報に基づいて、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が汚染されているかどうかを判断し、その判断した結果に基づいて、クリーニング処理を実行するかどうかを判断するようにしてもよい。例えば、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が汚染されていないと判断された場合には、クリーニング装置１Ｂは、保持部３５からアンロードされる。一方、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４が汚染されていると判断された場合には、終端光学素子３１及びノズル部材３３と保持部３５に保持されたクリーニング装置１Ｂとの間に第２液浸空間ＬＳ２が形成され、クリーニング装置１Ｂを用いたクリーニング処理が開始される。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

第３実施形態の特徴的な部分は、クリーニング装置１Ｃが、例えば特開２００６−１６５５０２号公報に開示されているような、光洗浄効果を有する光を射出する発光装置６０を備えている点にある。

図９は、第３実施形態を示す図である。図９において、クリーニング装置１Ｃは、光洗浄効果を有する光を射出する発光装置６０を備えている。発光装置６０は、基材５上に設けられている。本実施形態においては、発光装置６０は、振動発生装置４Ｃの近傍に配置されている。

また、上述の第２実施形態と同様、第３実施形態のクリーニング装置１Ｃは、観察装置５０と、露光装置ＥＸの所定部位を照明するための照明光を射出する発光装置５３とを備えている。

発光装置６０は、光洗浄効果を有する光として、紫外光を射出する。例えば、制御装置２５は、終端光学素子３１及びノズル部材３３と、発光装置６０を有するクリーニング装置１Ｃとの間に第２液体ＬＣ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成した状態で、発光装置６０より、光洗浄効果を有する光を射出して、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４に照射することができる。これにより、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４は、光洗浄される。また、制御装置２５は、振動発生装置４Ｃを振動させて第２液体ＬＣに振動を与える動作と並行して、発光装置６０から光洗浄効果を有する光を射出させる動作を実行することができる。

また、上述の第２実施形態と同様、制御装置２５は、クリーニング装置１Ｃの観察装置５０を用いて、終端光学素子３１の下面３２及びノズル部材３３の下面３４の状態を観察したり、クリーニング効果を確認したりすることができる。

なお、上述の、第２、第３実施形態においては、終端光学素子３１及びノズル部材３３の少なくとも一方の汚染状態を検出するために、クリーニング装置１Ｂ（１Ｃ）の観察装置５０を用いる場合を例にして説明したが、例えば、終端光学素子３１の下面３２と対向する位置に光量検出器を配置し、終端光学素子３１の下面３２から射出される露光光ＥＬの光量を光量検出器で検出し、その検出結果に基づいて、クリーニング処理を実行するかどうかを判断することができる。終端光学素子３１の下面３２が汚染されている状態と汚染されていない状態とでは、光量検出器に照射される露光光ＥＬの光量が変化する可能性が高い。したがって、光量検出器の検出結果に基づいて、終端光学素子３１の下面３２の汚染状態を求めることができる。そして、終端光学素子３１の下面３２が汚染されていると判断されたときに、クリーニング装置１（１Ｂ、１Ｃ）が、基板ステージ２１の保持部３５にロードされ、クリーニング装置１（１Ｂ、１Ｃ）を用いたクリーニング処理が実行される。この場合、光量検出器は、クリーニング装置１Ｂ（１Ｃ）に設けてもよいし、クリーニング装置１Ｂ（１Ｃ）を保持する基板ステージ２１に設けてもよい。

また、マスクＭ及び投影光学系ＰＬを介した露光光ＥＬで基板Ｐを露光し、現像処理を行った後、その基板Ｐ上に形成されたパターンの形状を所定の計測装置で計測し、その計測結果に基づいて、クリーニング処理を実行するかどうかを判断するようにしてもよい。例えば、パターンの形状の計測結果に基づいて、パターンの欠陥が許容範囲でないと判断した場合、終端光学素子３１の下面３２の汚染状態も許容範囲でないと判断し、クリーニング処理を実行する。

なお、終端光学素子３１及びノズル部材３３に対するクリーニング装置１（１Ｂ、１Ｃ）を用いたクリーニング処理を、例えば所定枚数の基板Ｐを露光する毎に、あるいはロット毎に、あるいは所定時間間隔毎に実行するようにしてもよい。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、第４実施形態に係るクリーニング装置１Ｄの一部を拡大した側断面図である。上述の第１〜第３実施形態においては、振動発生装置の作動によって、クリーニング装置全体が振動する場合を例にして説明したが、第４実施形態の特徴的な部分は、クリーニング装置１Ｄの一部分が振動する点にある。

図１０において、クリーニング装置１Ｄは、基材５Ｄと、基材５Ｄ上に配置された振動部材７１と、振動部材７１に振動を与える振動発生装置４Ｄとを備えている。振動発生装置４Ｄは、圧電素子を含む。

基材５Ｄは、凹部７２を有する。振動部材７１は、基材５Ｄの凹部７２の内側に配置されている。振動部材７１の側面と、基材５Ｄの凹部７２の内側面との間には所定のギャップが形成されている。振動発生装置４Ｄは、凹部７２の内側において、振動部材７１の下面と接続されている。また、振動発生装置４Ｄと基材５Ｄとの間には、バネ、ゴム等の弾性部材（可撓性部材）７３が配置されており、振動発生装置４Ｄの振動が基材５Ｄに伝わることが抑制されている。また、振動部材７１の表面と、基材５Ｄの表面とは、ほぼ面一である。なお、図１０においては、電源、通信装置等の図示を省略してある。

振動発生装置４Ｄが作動すると、その振動発生装置４Ｄは、振動部材７１を振動させる。本実施形態においては、基材５Ｄと振動部材７１とは振動的に分離されており、振動発生装置４Ｄによって振動部材７１が振動しても、基材５Ｄはほぼ振動しない。

終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニング処理する際、終端光学素子３１及びノズル部材３３と対向する位置に、振動部材７１の表面を含むクリーニング装置１Ｄの液体接触面２Ｄが配置される。そして、上述の第１〜第３実施形態と同様、終端光学素子３１及びノズル部材３３とクリーニング装置１Ｄとの間に、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２が形成される。第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣは、振動部材７１と接触する。振動発生装置４Ｄを用いて振動部材７１が振動することによって、第２液体ＬＣに振動を与えることができる。

以上説明したように、本実施形態においても、終端光学素子３１及びノズル部材３３を良好にクリーニングすることができる。また、本実施形態によれば、小型の振動部材７１を振動させている。これにより、振動部材７１を高い周波数（振動数）で円滑に振動させることができ、第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに高い周波数の超音波を円滑に与えることができる。第２液浸空間ＬＳ２の第２液体ＬＣに与える超音波の周波数が高いほうが、より良好なクリーニング効果が得られる場合には、振動部材７１を、例えば１ＭＨｚ以上の高い周波数（振動数）で振動させることが有効である。

なお、上述の第１〜第４実施形態において、第１液体ＬＱで第２液浸空間を形成して、終端光学素子３１及びノズル部材３３等をクリーニングしてもよい。例えば、使用される第１液体ＬＱがクリーニング能力を有するもの（例えばフッ素系液体）であったり、あるいは発生した汚染が第１液体ＬＱで良好に除去可能（クリーニング可能）である場合には、第１液体ＬＱで良好にクリーニングできる。

なお、上述の各実施形態において、終端光学素子３１及びノズル部材３３とクリーニング装置との間に第２液浸空間ＬＳ２を形成するために、第１液体ＬＱと、第１液体ＬＱと異なる第２液体ＬＣとを時系列的に使用してもよい。例えば第１液体ＬＱが水（純水）であり、第２液体ＬＣが所定の気体を水に溶解させた溶解ガス制御水（水素水、窒素水等）である場合には、第２液体ＬＣを用いたクリーニング動作後、第１液体ＬＱを用いたクリーニング動作を実行することができる。クリーニング動作終了後に第１液体ＬＱに置換する処理の時間を短くすることができる。

また、上述の各実施形態において、ノズル部材３３とクリーニング装置との両方を振動させて第２液浸空間ＬＳ２の液体に超音波（振動）を与えるようにしてもよい。

また、上述の各実施形態においては、終端光学素子及びノズル部材のクリーニングを促進するために、液体（ＬＱ又はＬＣ）に２０ｋＨｚ以上の振動（超音波）を与えるようにしているが、液体（ＬＱ又はＬＣ）に２０ｋＨｚ未満の振動を与えるようにしてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、クリーニング装置１の液体接触面２は、第１液体ＬＱ及び第２液体ＬＣの両方に対して撥液性を有しているが、どちらか一方、例えばクリーニング用の第２液体ＬＣのみに対して撥液性であってもよい。また、液体接触面２の全面が撥液性でなくてもよく、例えば液体接触面２の周縁部のみが撥液性であってもよい。この場合、液体接触面２の一部に液体が残留する可能性があるが、液体接触面２の周縁部に撥液性の領域が設けられているので、残留した液体がクリーニング装置から落下することを防止できる。

また、液体接触面２の周縁部を撥液性にするかわりに、液体接触面２の周縁部に環状の壁部（凸部）を設けて、残留した液体がクリーニング装置から落下することを防止するようにしてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、動力供給装置６を制御するための信号を無線でクリーニング装置１に送信し、搬送部材２９によってクリーニング装置１が保持部３５にロードされた後、クリーニング装置１の振動を開始し、クリーニング装置１が搬送部材２９によってアンロードされる前に、クリーニング装置１の振動を停止する場合を例にして説明したが、例えば、クリーニング装置１を振動させた状態で、保持部３５にロードしてもよいし、クリーニング装置１を振動させた状態で、保持部３５からアンロードしてもよい。クリーニング装置１を振動させた状態で搬送しても、搬送部材２９を用いて円滑に搬送可能である場合には、クリーニング装置１を振動させた状態で、そのクリーニング装置１を搬送することができる。

なお、上述の各実施形態においては、振動発生装置４が圧電素子を含む場合を例にして説明したが、例えば、偏心されたロッド状の部材と、そのロッド状の部材を回転させる回転モータとをクリーニング装置１（基材５）に搭載し、ロッド状の部材を回転モータで回転させることによって、クリーニング装置１の液体接触面２上の液体に振動を与えることができる。

なお、上述の各実施形態においては、クリーニング装置１を用いて、第１液体ＬＱと接触する終端光学素子３１及びノズル部材３３をクリーニングする場合を例にして説明したが、それら終端光学素子３１及びノズル部材３３以外の部位をクリーニングすることももちろん可能である。保持部３５を移動することによって、保持部３５に保持されたクリーニング装置１の液体接触面２と対向する位置に配置される所定部位を、クリーニング装置１を用いてクリーニングすることができる。例えば、ＦＩＡ方式のアライメント装置が配置されている場合において、保持部３５に保持されたクリーニング装置１の液体接触面２と、アライメント装置の少なくとも一部とが対向する位置関係となる場合、クリーニング装置１の液体接触面２と、アライメント装置との間に第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成して、アライメント装置をクリーニングすることができる。この場合、クリーニング装置１の液体接触面２とアライメント装置とで形成される空間の近傍に、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成するために第２液体ＬＣ２を供給する供給口、回収口等が設けられる。

なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐの外形とクリーニング装置１の外形とが同じである場合を例にして説明したが、基板Ｐの外形とクリーニング装置１の外形とが異なる場合でも、基板Ｐを着脱可能に保持する保持部３５にクリーニング装置１を支持した状態で、クリーニング処理を実行可能であるならば、基板Ｐの外形とクリーニング装置１の外形とは異なっていてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、クリーニング装置１が、基板Ｐを着脱可能に保持する保持部３５に支持された状態で、クリーニング処理が実行される場合を例にして説明したが、基板Ｐを着脱可能に保持する保持部とは別の保持部に、クリーニング装置１を支持して、クリーニング処理を実行するようにしてもよい。例えば、基板Ｐを着脱可能に保持する保持部とは別に、クリーニング装置１専用の保持部を設け、その専用の保持部にクリーニング装置１を支持して、クリーニング処理を実行するようにしてもよい。その場合、クリーニング装置１の外形は、必ずしも基板Ｐと同じでなくてもよい。また、基板Ｐの外形とクリーニング装置１の外形とが異なる場合、クリーニング装置１専用の保持部は、クリーニング装置１の外形に応じた構造を有することが望ましい。

また、クリーニング装置１専用の保持部を、クリーニングしたい部位の近傍に設けることによって、露光装置ＥＸの様々な部位を、クリーニング装置１を用いてクリーニングすることができる。例えば、照明系ＩＬの一部、マスクステージ２０の一部をクリーニングすることもできる。

なお、上述の各実施形態で説明したクリーニング動作、クリーニング機構を適宜組み合わせて使用できることは言うまでもない。

なお、上述の各実施形態の露光用液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系の終端光学素子の射出側（像面側）の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子の光入射側（物体面側）の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような、露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置を採用可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）を採用することができる。

さらに、露光装置ＥＸとして、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置を採用してもよい。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置を採用することもできる。

また、露光装置ＥＸとして、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などを採用することができる。また、露光装置ＥＸとして、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどを採用することができる。

また、露光装置ＥＸとして、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置を採用することもできる。

更に、米国特許第６，８９７，９６３号公報、欧州特許出願公開第１，７１３，１１３号公報などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ、基板ステージ、及び計測ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。

また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許７,０２３,６１０号に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。

また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明光学系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に採用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。

また、露光装置ＥＸとして、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）を採用することができる。

本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクからの露光光で基板を露光すること、及び露光した基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。上述の各実施形態で説明した露光装置ＥＸにおけるクリーニング方法は、基板処理ステップ２０４に含まれ、そのクリーニング方法でクリーニングされた露光装置ＥＸを用いて、基板Ｐを露光することが行われる。

なお、上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸが、第１液体ＬＱを介して基板Ｐを露光光ＥＬで露光する液浸露光装置の所定部位をクリーニング装置１を用いてクリーニングする場合を例にして説明したが、液体を用いずに、気体を介して基板Ｐを露光光ＥＬで露光するドライ型露光装置の所定部位を、クリーニング装置１を用いてクリーニングすることももちろん可能である。ドライ型露光装置においても、例えば投影光学系ＰＬの終端光学素子が汚染される可能性がある場合には、クリーニング装置１を用いて、その終端光学素子をクリーニングすることができる。また、ＥＵＶ露光装置の所定部位を、クリーニング装置を用いてクリーニングすることもできる。

なお、上述の各実施形態においては、クリーニング装置１を用いて、露光装置ＥＸの所定部位をクリーニングする場合を例にして説明したが、半導体デバイス等のマイクロデバイスを製造するために使用される、例えばＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置のような薄膜形成装置、スピンコーティング装置、インクジェット装置のような塗布装置、現像装置、ＣＭＰ装置、ウエハ洗浄装置等、各種のデバイス製造装置をクリーニングするために、クリーニング装置を用いることができる。また、バッチ式の基板（ウエハ）洗浄装置に、他の基板とともに、上述のクリーニング装置１を搬送して、洗浄動作を行ってもよい。

例えば、図１２に示すように、インクジェット装置ＩＪの所定部位を、クリーニング装置１を用いてクリーニングすることができる。インクジェット装置ＩＪは、デバイスを製造するためのインクを吐出する吐出口８１を有するインクジェットヘッド８０と、デバイスを製造するための保持部８２を有し、保持部８２で基板を保持しながら、吐出口８１と対向する位置に移動可能な基板ステージ８３とを備えている。インクジェット装置ＩＪは、インクジェットヘッド８０と基板ステージ８３とを相対的に移動して、吐出口８１が形成されているインクジェットヘッド８０の吐出面８４と、基板ステージ８３上の基板とを対向させることができる。インクジェット装置ＩＪは、基板上にデバイスパターンを形成するために、インクジェットヘッド８０と基板ステージ８３とを相対的に移動しながら、吐出口８１より基板に向けてインクの滴を吐出する。

クリーニング装置１は、インクジェット装置ＩＪの保持部８２に着脱可能であり、その保持部８２に支持される。本実施形態において、インクジェット装置ＩＪは、インクジェットヘッド８０の吐出面８４と、クリーニング装置１の液体接触面２との間に、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成する。また、本実施形態においては、インクジェット装置ＩＪは、第２液浸空間ＬＳ２を形成するために、第２液体ＬＣを供給するための供給口８５と、第２液体ＬＣを回収するための回収口８６とを備えている。クリーニング装置１は、インクジェット装置ＩＪの保持部８２に支持された状態で、インクジェットヘッド８０の吐出面８４と液体接触面２との間の第２液体ＬＣに振動を与えて、インクジェットヘッド８０の吐出面８４、吐出口８１等をクリーニングすることができる。また、インクジェット装置ＩＪに、クリーニング装置専用の保持部を設けてもよい。

なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いることが可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。

なお、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

第１実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す平面図である。 第１実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す側断面図である。 第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第１実施形態に係るノズル部材の近傍を示す側断面図である。 第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するためのフローチャートである。 第１実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための模式図である。 第２実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す平面図である。 第２実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための模式図である。 第３実施形態に係るクリーニング方法の一例を説明するための模式図である。 第４実施形態に係るクリーニング装置の一例を示す側断面図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。 デバイス製造装置の所定部位に対するクリーニング方法の一例を説明するための模式図である。

符号の説明

１…クリーニング装置、２…液体接触面、４…振動発生装置、６…動力供給装置、１３…通信器、１４…受信器、１５…送信器、２６…通信装置、２７…受信装置、２８…送信装置、２９…搬送部材、３１…終端光学素子、３２…下面、３３…ノズル部材、３４…下面、３５…保持部、３７…上面、３８…供給口、３９…回収口、５０…観察装置、５１…撮像素子、５３…発光装置、６０…発光装置、ＥＸ…露光装置、ＬＣ…第２液体、ＬＱ…第１液体、Ｐ…基板

Claims (49)

1. 基板を処理するデバイス製造装置に用いられるクリーニング装置であって、
   液体接触面と、
   前記液体接触面上のクリーニング用液体に振動を与える振動発生装置と、を備え、
   前記デバイス製造装置の保持部に着脱可能であるクリーニング装置。
2. 前記保持部に支持された状態で、前記デバイス製造装置の所定部位と前記液体接触面との間のクリーニング用液体に振動を与えて、前記所定部位をクリーニングする請求項１記載のクリーニング装置。
3. 前記デバイス製造装置は、前記基板を露光光で露光する露光装置を含む請求項２記載のクリーニング装置。
4. 前記露光装置は、露光用液体を介して前記基板を露光光で露光する請求項３記載のクリーニング装置。
5. 前記クリーニング用液体は、前記露光用液体を含む請求項４記載のクリーニング装置。
6. 前記所定部位は、前記露光用液体と接触する請求項４又は５記載のクリーニング装置。
7. 前記露光装置は、前記露光光を射出する光学素子を備え、
   前記所定部位は、前記光学素子を含む請求項６記載のクリーニング装置。
8. 前記露光装置は、前記露光光を射出する光学素子と、前記基板の露光時に前記基板が対向するように配置され、前記光学素子と前記基板との間を前記露光用液体で満たすための液浸部材とを備え、
   前記所定部位は、前記液浸部材を含む請求項６記載のクリーニング装置。
9. 前記液浸部材は、前記クリーニング用液体を供給するための供給口を有する請求項８記載のクリーニング装置。
10. 前記液浸部材は、前記クリーニング用液体を回収するための回収口を有する請求項８又は９記載のクリーニング装置。
11. 前記保持部は、前記基板を着脱可能に保持可能である請求項１〜１０のいずれか一項記載のクリーニング装置。
12. 前記基板とほぼ同じ外形を有する請求項１〜１１のいずれか一項記載のクリーニング装置。
13. 前記基板は、半導体ウエハを含む請求項１〜１２のいずれか一項記載のクリーニング装置。
14. 前記液体接触面は、前記クリーニング用液体に対して撥液性を有する請求項１〜１３のいずれか一項記載のクリーニング装置。
15. 前記クリーニング用液体は、気体が水に溶解されたクリーニング水を含む請求項１〜１４のいずれか一項記載のクリーニング装置。
16. 前記振動発生装置は、圧電素子を含む請求項１〜１５のいずれか一項記載のクリーニング装置。
17. 前記振動発生装置は、前記クリーニング用液体に超音波を与える請求項１〜１６のいずれか一項記載のクリーニング装置。
18. 前記振動発生装置に動力を供給する動力供給装置をさらに備えた請求項１〜１７のいずれか一項記載のクリーニング装置。
19. 画像を取得する撮像装置をさらに備えた請求項１〜１８のいずれか一項記載のクリーニング装置。
20. 発光装置を有する請求項１〜１９のいずれか一項記載のクリーニング装置。
21. 無線で通信可能な通信装置を有する請求項１〜２０のいずれか一項記載のクリーニング装置。
22. 前記振動発生装置に動力を供給可能な動力供給装置と、前記動力供給装置を制御するための信号を無線で受信可能な受信装置とを有する請求項１〜１７のいずれか一項記載のクリーニング装置。
23. 画像を取得可能な撮像装置と、前記撮像装置で取得した画像情報を含む信号を無線で送信可能な送信装置とを有する請求項１〜１７のいずれか一項記載のクリーニング装置。
24. 基板を露光光で露光する露光装置であって、
    振動発生装置を有するクリーニング装置を着脱可能に支持可能な保持部を備え、
    前記クリーニング装置と所定部位との間のクリーニング用液体に、前記振動発生装置を用いて振動を与えて、前記所定部位をクリーニングする露光装置。
25. 前記保持部は、前記基板を着脱可能に保持可能である請求項２４記載の露光装置。
26. 前記クリーニング装置を前記保持部へ搬送する搬送部材をさらに備えた請求項２５記載の露光装置。
27. 前記搬送部材は、前記保持部へ前記基板を搬送可能である請求項２６記載の露光装置。
28. 前記クリーニング用液体は、所定の気体が水に溶解されたクリーニング水を含む請求項２４〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
29. 前記保持部の周囲に配置された所定面を有し、
    前記保持部に支持された前記クリーニング装置の液体接触面と前記所定面とはほぼ面一である請求項２４〜２８のいずれか一項記載の露光装置。
30. 露光用液体を介して前記基板を前記露光光で露光する請求項２４〜２９のいずれか一項記載の露光装置。
31. 前記クリーニング用液体は、前記露光用液体を含む請求項３０記載の露光装置。
32. 前記所定部位は、前記基板の露光時に、前記露光用液体と接触する請求項３０又は３１記載の露光装置。
    。
33. 前記露光光を射出する光学素子を備え、
    前記所定部位は、前記光学素子を含む請求項３２記載の露光装置。
34. 前記露光光を射出する光学素子と、前記基板の露光時に前記基板が対向するように配置され、前記光学素子と前記基板との間を前記露光用液体で満たすための液浸部材とを備え、
    前記所定部位は、前記液浸部材を含む請求項３２記載の露光装置。
35. 前記液浸部材は、前記クリーニング用液体を供給する供給口を有する請求項３４記載の露光装置。
36. 前記液浸部材は、前記クリーニング用液体を回収する回収口を有する請求項３４又は３５記載の露光装置。
37. 前記クリーニング装置と無線で通信可能な通信装置を有する請求項２４〜３６のいずれか一項記載の露光装置。
38. 前記クリーニング装置は、前記振動発生装置に動力を供給可能な動力供給装置を有し、
    前記通信装置を使って前記動力供給装置を制御する請求項３７記載の露光装置。
39. 前記クリーニング装置は、画像を取得可能な撮像装置を有し、
    前記通信装置を使って、前記撮像装置で取得した画像情報を取得する請求項３７又は３８記載の露光装置。
40. 請求項２４〜３９のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
41. 基板を処理するデバイス製造装置のクリーニング方法であって、
    前記基板を着脱可能に保持する保持部で、振動発生装置を有するクリーニング装置を支持することと、
    前記デバイス製造装置の所定部位と対向する位置に、前記保持部に支持された前記クリーニング装置を配置することと、
    前記所定部位と前記クリーニング装置との間にクリーニング用液体を供給することと、
    前記振動発生装置を使って前記クリーニング用液体に振動を与えることと、を含むクリーニング方法。
42. 前記クリーニング装置は、前記基板とほぼ同じ外形を有する請求項４１記載のクリーニング方法。
43. 前記クリーニング装置は、前記所定部位と対向する液体接触面を有し、前記液体接触面は、前記クリーニング用液体に対して撥液性を有する請求項４１又は４２記載のクリーニング方法。
44. 前記クリーニング用液体は、所定の気体が水に溶解されたクリーニング水を含む請求項４１〜４３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
45. 前記振動発生装置は、前記クリーニング用液体に超音波を与える請求項４１〜４４のいずれか一項記載のクリーニング方法。
46. 前記クリーニング装置は、前記振動発生装置に動力を供給可能な動力供給装置を含み、
    前記保持部に支持された前記動力供給装置を無線で制御することをさらに含む請求項４１〜４５のいずれか一項記載のクリーニング方法。
47. 前記クリーニング装置は、前記所定部位の画像を取得可能な撮像装置を含み、
    前記保持部に支持された前記撮像装置で取得した画像情報を無線で取得することをさらに含む請求項４１〜４６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
48. 前記画像情報に基づいて、前記クリーニング装置を用いたクリーニング動作が制御される請求項４７記載のクリーニング方法。
49. 前記クリーニング装置は、発光装置を含み、
    前記発光装置から光を前記所定部位に照射することをさらに含む請求項４１〜４７のいずれか一項記載のクリーニング方法。

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