JP2011003759A - 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液 - Google Patents

部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液 Download PDF

Info

Publication number
JP2011003759A
JP2011003759A JP2009146034A JP2009146034A JP2011003759A JP 2011003759 A JP2011003759 A JP 2011003759A JP 2009146034 A JP2009146034 A JP 2009146034A JP 2009146034 A JP2009146034 A JP 2009146034A JP 2011003759 A JP2011003759 A JP 2011003759A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
cleaning
hydrofluoric acid
substrate
hydrogen peroxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009146034A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunji Watanabe
俊二 渡辺
Tadashi Ichikawa
正 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2009146034A priority Critical patent/JP2011003759A/ja
Publication of JP2011003759A publication Critical patent/JP2011003759A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】液浸露光に用いられる、液体と接触する部材の洗浄方法および該部材の洗浄に用いる洗浄液を提供する。
【解決手段】洗浄方法は、液浸液体と接する部材をアルカリ溶液で洗浄し、次いで、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液で洗浄することを含む。
【選択図】 図5

Description

本発明は部材の洗浄方法に関し、特に液体を介して基板を露光する際に用いる、前記液体と接する上記部材の洗浄方法に関する。更に、本発明は、露光方法、デバイス製造方法、及び洗浄液に関する。
半導体デバイス、液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、マスクに露光光を照射することでマスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投影露光する。近年のマイクロデバイスの高密度化に応えるべく、フォトリソグラフ工程では、基板上に形成されるパターンを一層微細化することが要求されている。そのようなパターンの微細化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献1に開示されているような、投影光学系と基板との間の露光光の光路空間を液体で満たし、液体を介して基板を露光する液浸法が提案されている。
国際公開第99/49504号パンフレット
液浸法を用いて露光を行う場合、液体を供給するためのノズル部材など、液体と接触する部材に異物が付着すると、それらの部材が所望の性能を維持できなくなる可能性がある。また、液体に接触する部材が汚染されると、その部材に接触することによって液体が汚染される可能性がある。汚染された液体が露光光の光路空間を満たすことになると、マスクパターンの像が劣化し、所望の露光精度が得られない。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体と接触する部材の洗浄方法および該部材の洗浄に用いる洗浄液を提供することを目的とする。また、液体を介して精度良く露光処理を行うことができる露光方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様に従えば、液体を介して基板を露光する際に用いる、前記液体と接する部材の洗浄方法であって、前記部材をアルカリ溶液で洗浄し、次いで、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液で洗浄することを含む洗浄方法が提供される。
本発明の第2の態様に従えば、液体を介して基板に露光光を照射することで基板を露光する方法であって、前記液体と接する部材を介して、前記露光光が通過する光路上に前記液体を供給および/または回収することと、前記液体を介して前記基板を露光することと、前記露光後に、上述した本発明の第1の態様である洗浄方法を用いて前記部材の洗浄を行うこと、とを含む露光方法が提供される。
本発明の第3の態様に従えば、本発明の第2の態様である露光方法を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第4の態様に従えば、部材の洗浄に用いる洗浄液であって、バッファードフッ酸および過酸化水素を含み、前記バッファードフッ酸は、フッ化アンモニウムおよびフッ酸を含み、その混合比が体積比(40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸)に換算して、5〜2000である洗浄液が提供される。
本発明の態様の洗浄方法により、液浸露光法における液体と接する部材は表面に付着した汚染物が取り除かれ、それら部材の所望の性能を維持することができる。また、その部材に接触する前記液体の汚染を防止でき、その結果、マスクパターンの像の劣化を防ぎ、所望の露光精度を維持できる。
第1の実施形態にかかる露光装置の概略構成図である。 第1の実施形態にかかる露光装置の要部拡大図である。 第1の実施形態にかかるメンテナンス機器を示す図である。 第1の実施形態にかかるメンテナンス機器の使用状態を示す概念図である。 第2の実施形態にかかる露光方法を示すフローチャートである。 第3の実施形態にかかるデバイス製造方法を示すフローチャートである。
本発明者らは、液浸露光において、液体(以下、適宜「液浸液体」という)と接する部材を洗浄するために、部材をまず、アルカリ溶液で洗浄し(以下、適宜「アルカリ溶液洗浄工程」という)、次いで、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液で洗浄する(以下、適宜「混合溶液洗浄工程」という)という、2段階で順次洗浄することで該部材の表面が有効に浄化されることを見出した。以下に本発明の第1の実施形態である洗浄方法について説明する。
[アルカリ溶液洗浄工程]
液浸液体と接する部材に付着する汚染物として、露光される基板に形成されたフォトレジスト層から生じ得る有機系汚染物が主に含まれる。具体的には、フォトレジストのトップコート(撥水性のフルオロカーボン)、ベース樹脂、ベース樹脂中に含まれる光酸発生剤(PAG:Photo Acid Generator)、及びクエンチャーと呼ばれるアミン系物質などであるが、特に、トップコートは液浸液体と直接接触するため、該液体を介してトップコートを構成する成分がノズル部材等に付着しやすくなる。
トップコート等から生じる有機系汚染物は、フォトレジストのエッチング液として用いられるアルカリ溶液に溶解する。本願発明では、まず、アルカリ溶液でノズル部材等を洗浄することにより、トップコート等フォトレジスト由来の汚染物を取り除く。
アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリの溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリメチル(2-ヒドロキシエチル)アンモニウム等の有機アルカリの溶液を用いることが出来る。中でも、水酸化テトラメチルアンモニウムを用いることが好ましい。水酸化テトラメチルアンモニウムはフォトレジストの現像液として半導体工場で一般に用いられる溶剤であるので入手が容易で、半導体素子に悪影響を及ぼすアルカリ金属元素を含まず、非可燃性であり、かつ周辺を腐食することがないからである。これらの溶液の溶媒としては、半導体工場で用いられるレベルの高純度純水を使用することが望ましい。
該部材をアルカリ溶液で洗浄すると、主な汚染物であるトップコート等フォトレジスト由来の有機系汚染物の洗浄を行うことはできる。しかし、Fe、Al、Cr、Cu等の金属系汚染物を除去することはできないことが分かった。更に、本発明者らは、アルカリ溶液のみで洗浄した該部材の表面は、洗浄前と比較して汚染され易くなるという問題点を発見した。
汚染されたノズル部材をアルカリ溶液のみで洗浄すると、主な汚染物は除去されるので、目視上は洗浄されたように見える。しかし、洗浄後の部材を再び露光装置に装着し、通常の条件で動作させると、アルカリ溶液洗浄直後からノズル部材に汚染物が付着し汚染が始まる。これに対して、未使用のノズル部材を露光装置に装着して同条件で露光動作させると、相当の長期間、例えば1ヶ月程は汚染物質の再付着を抑制することができる。この比較から、アルカリ溶液のみで洗浄したノズル部材の表面状態は、未使用のノズル部材とは異なるものであり、非常に汚染物質が付着し易い表面であることがわかる。この原因は、アルカリ溶液と被洗浄部材との親和性が高いため、洗浄後もアルカリ溶液が該部材表面に残留し、残留したアルカリ溶液にトップコート等フォトレジスト由来の汚染物が溶解して付着するためと考えられる。
液浸露光法における液体と接する部材の洗浄は、露光装置の露光動作を停止して行うため、洗浄(メンテナンス)を行う周期は長い方が生産性の面から望ましい。したがって、アルカリ溶液での洗浄後に、部材表面に残留するアルカリ溶液を除去する必要がある。また、汚染物質の再付着を抑制するためには、部材の表面はできるだけ平滑に維持されることが望ましい。したがって後述する混合溶液洗浄工程では、部材表面に残留するアルカリ溶液を除去するのと同時に、部材表面を一定量エッチングすることによって表面の平滑化を実現する。
[混合溶液洗浄工程]
本実施形態の洗浄方法では、アルカリ溶液で部材を洗浄した後に、部材をバッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液で洗浄する。
バッファードフッ酸(緩衝フッ酸)とは、フッ酸と過剰のフッ化アンモニウムの混合物である。フッ化アンモニウムとフッ酸の間には水素結合が存在し、過剰のフッ化アンモニウムの存在により、フッ酸のアウトガスの発生を抑えることができる。アウトガスが発生しないとは、HF検出管での測定結果がHF濃度の安全基準2〜3ppm以下であることを意味する。尚、液浸液体と接する部材をエッチング可能な試薬としては、バッファードフッ酸以外に、硫酸、塩酸およびフッ酸等が存在する。しかし、硫酸は高沸点で部材表面に残留するため本実施形態の洗浄液としては適当でない。また、塩酸およびフッ酸は、部材周辺に存在する金属を腐食し、フッ酸の場合は露光用レンズまで腐食してしまう。それ故、本実施形態では、アウトガスの発生しないバッファードフッ酸を含む溶液を用いて液浸液体と接する部材を洗浄する。上記の理由から、本実施形態のバッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液は、硫酸および塩酸を含まない。
本実施形態の洗浄方法では、更にバッファードフッ酸に過酸化水素を加えることにより、これらの相互作用により、該部材表面を平滑にエッチングすることを可能としている。部材表面をエッチングするだけであるならバッファードフッ酸のみで可能であるが、平滑にエッチングすることが出来ない。バッファードフッ酸のみでおこなったエッチング表面は粗れて凹凸を生じ、かつ黒色化する(黒色物質が発生する)。これに対し、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液でエッチングを行うと、部材のエッチング表面は平滑であり、かつ黒色物質は発生しない。この理由は、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液でエッチングを行うと、過酸化水素により部材表面が酸化され、酸化膜(例えばTiO)を作りながら、その膜をバッファードフッ酸が均一にエッチングしていくためと考えられる。一方、バッファードフッ酸のみでエッチングを行うと、部材表面において特定箇所をバッファードフッ酸が優先的にアタックし、エッチングスピードに斑が生じ、結果表面に凹凸が生じてしまう。部材表面の前記特定箇所は、バッファードフッ酸により酸化され、一酸化チタン等の黒色物質が生じると考えられる。
液体と接する部材表面が平滑でない(粗れている)と、平滑な場合と比較して汚染物が付着しやすい。また、表面に生じた黒色物質が表面から離脱し、液浸の液体を介して露光用レンズや露光対象の基板に付着する可能性もある。本実施形態では、該液体と接する部材をバッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液を用いて洗浄することにより、汚染物の付着を防止することが可能となった。
なお、過酸化水素には有機物を酸化分解する作用もあるため、特にアルカリ溶液として有機アルカリ溶液を用いた場合には、部材表面に残留するアルカリ溶液を確実に除去することが可能になる。
尚、上述のアルカリ溶液での洗浄を行わずに、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液のみで洗浄を行った場合、洗浄効果が不十分であることが分かった。バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液は、部材の主な汚染物であるトップコート等フォトレジスト由来の有機系汚染物の除去を行うことが出来ないからである。したがって、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液のみで洗浄を行うと、有機系汚染物が残留したまま、有機系汚染物の付着していない部分のみが部分的にエッチングされることとなり表面は粗れ、平滑な表面を得ることができない。
本実施形態の洗浄方法において、バッファードフッ酸はフッ化アンモニウムおよびフッ酸を含み、その混合比率は体積比(40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸)に換算して、5〜2000、好ましくは5〜1000、更に好ましくは、5〜500である。混合比率がこの範囲であれば、HFアウトガスを発生すること無しに、十分なエッチング効果およびエッチングレートを得ることができる。尚、本実施形態において、周辺金属および露光用レンズを腐食するHFアウトガスは厳禁であるため、フッ化アンモニウムがフッ酸に対して過剰に添加されているバッファードフッ酸を用いている。
本実施形態の洗浄方法において、バッファードフッ酸と過酸化水素の混合比率は、(過酸化水素/フッ酸)重量比に換算して0.8〜55が好ましく、更に好ましくは、1.9〜55である。この範囲の混合比率であると、黒色物質の発生を抑えつつ、該部材表面を効率よく平滑にエッチングし、清浄化させることができる。
尚、本実施形態の洗浄方法において、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液の濃度は、洗浄対象物および必要とされるエッチングレート等により、液の組成や洗浄時間を勘案し適宜設定することが可能である。実用的には、フッ酸濃度に換算して0.03wt%〜8wt%の範囲が適当と考えられる。
本実施形態の洗浄方法において、アルカリ溶液および/または、バッファードフッ酸と過酸化水素を含む溶液に超音波を適用して洗浄を行うことが好ましい。本実施形態の洗浄方法は、液体の洗浄液を用いた方法なので、研磨等によって表面付着物を除去する洗浄方法と比較して複雑な形状の部材の洗浄を行うことに優れている。更に超音波を適用して洗浄することによって、適用しない場合と比較して短時間で複雑な形状の部材の洗浄することが可能となる。例えば、本実施形態の液体と接する部材が、液浸用露光装置の液体を回収する回収口に設けられた多孔部材であった場合、超音波を適用することで孔内部まで短時間に洗浄することが可能である。
本実施形態の洗浄方法において、液浸液体と接する部材は、液浸液体を介して基板を露光する露光装置に装着される部材であり、例えば、液浸液体を基板上に供給および/又は回収するためのノズル部材である。ノズル部材は、液体を供給する供給口と液体を回収する回収口を有し、その回収口に多孔部材が設けられていることがある。本実施形態の洗浄方法は、このような構造の孔の中まで十分に洗浄を行うことが出来る。
本実施形態の洗浄方法において、液浸液体と接する部材は、液浸液体を介して基板を露光する露光装置に装着される部材であり、露光装置に装着したまま洗浄を行うことが好ましい。露光装置に装着したまま洗浄を行うとことで、部材の取り外し作業を行うことなく部材を洗浄することができ、洗浄後の取り付け作業を行う必要もないため、作業性を向上させ、作業時間を短縮することができる。
液浸液体と接する部材を露光装置に装着したまま洗浄する実施形態について説明する。尚、図面を参照しながら説明するが、本実施形態はこれに限定されない。図1に露光装置EXおよび露光装置EXに装着されるノズル部材70を示す。図2にノズル部材70周辺の拡大図を示す。ノズル部材70は、液体を供給する供給口12と液体を回収する回収口22を有し、投影光学系PLの第1光学素子LS1に隣接する。更に、回収口22にはメッシュフィルタ状の多孔部材25が設けられている。ノズル部材70および多孔部材25は液浸液体と接する部材であり、支持機構140で支持され露光装置EXに装着された状態で洗浄される。
図3に、ノズル部材70を洗浄するメンテナンス機器30を示す。メンテナンス機器30は、プレート30a上に洗浄液LKを収容する一対の容器31を備えている。洗浄液LKは、上で説明したアルカリ溶液、又はバッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液である。一対の容器31は、ノズル部材70の供給口12および回収口22の設けられた位置に対応して所定距離を隔てて配置されており、ノズル部材70の洗浄時には、一対の容器31の間に投影光学系PLの第1光学素子LS1が配置される。このように配置することで、第1光学素子LS1が洗浄液LKと接触し、ダメージを受けることを防止できる。また、容器31には超音波発生装置37が設けられており、洗浄時に洗浄液に超音波を適用することが可能である。
図4は、メンテナンス機器30を用いてノズル部材70を洗浄する様子を示す概念図である。予め洗浄液LKが容器31に充満されたメンテナンス機器30を、容器31内の洗浄液LKにノズル部材70の供給口12及び回収口22の多孔部材25が接触し、又は一部浸漬するように配置する。ノズル部材70および多孔部材25は洗浄液LKに接触し、又は一部浸漬することにより洗浄される。このとき必要に応じて、メンテナンス機器30の超音波装置37を作動させて洗浄液LKに超音波を適用することができる。
本実施形態の洗浄方法において、液浸液体と接する部材の材質としては、チタン、チタン合金、ステンレス鋼、ニッケル合金等が挙げられる。特に、本実施形態の液体と接する部材が、チタン又はチタン部材であるとき、フッ酸含有溶液による洗浄効果が大きいので、本実施形態の洗浄方法は有効に作用する。
本発明の第2の実施形態である露光方法は、上述の第1の実施形態の洗浄方法を含む液浸露光方法であって、前記部材を介して、露光光が通過する光路上に液浸液体を供給および/または回収することと、前記液体を介して基板を露光することと、露光後に、上述の第1の実施形態の洗浄方法を用いて前記部材の洗浄を行うこと、とを含む。第1の実施形態の洗浄方法で洗浄することにより、その部材に接触する液浸液体の汚染を防止でき、その結果、マスクパターンの像の劣化を防ぎ、所望の露光精度を維持できる。
本発明の第3の実施形態であるデバイス製造方法は、第2の実施形態である露光方法を含むデバイス製造方法である。本実施形態のデバイス製造方法について以下に説明する。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図6に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、マスクからの露光光で基板を露光すること、及び露光した基板を現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。第2の実施形態で説明した露光方法は、基板処理ステップ204に含まれ、その露光方法により基板を露光することが行われる。
なお、本実施形態の基板としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
本発明の第4の実施形態である洗浄液は、バッファードフッ酸および過酸化水素を含み、前記バッフードフッ酸は、フッ化アンモニウムおよびフッ酸を含み、その混合比が体積比(40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸)に換算して、5〜2000である洗浄液である。本実施形態の洗浄液を用いて部材を洗浄すると、HFのアウトガスを発生すること無しに、部材表面を有効に洗浄することができる。HFアウトガスは周辺金属等を腐食し、人体および環境に悪影響を与えるが、HFアウトガスを発生しない本発明の洗浄液は、ドラフト等の設備が不十分な環境であっても使用可能である。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
[実施例1]
40wt%フッ化アンモニウム(NHF)水溶液と50wt%フッ酸(HF)を体積比10対1の割合で混合したバッファードフッ酸(試料A)を調製した。このように調製したバッファードフッ酸50mlを100mlテフロン(登録商標)ビーカーに入れ、25℃のクリーンルーム内で液面上10mmの高さで検知管によりガスを採取して、HF濃度を測定した。測定されたHF濃度は、0ppm(検出限界以下)であり、HFアウトガスが発生していないことが分かった。
次に、試料Aを蒸留水で20倍(体積)に希釈し、これと蒸留水で20倍に希釈した過酸化水素水(H濃度5vol%)とを100対20の体積比で混合し、洗浄液を調製した。この洗浄液における(過酸化水素/フッ酸)重量比は5.5と計算される。
この洗浄液を用いて試験片の洗浄処理(エッチング処理)を行った。試験片として複合電解研磨を施したチタン片(縦30mm×横30mm×厚0.1mm)を用い、これを洗浄液中に5分間浸漬してエッチングした後、試験片表面の観察を行った。試験片表面は、清浄化されており、黒色化(黒色物質)も認められず平滑であった。
[実施例2]
40wt%フッ化アンモニウム(NHF)水溶液と50wt%フッ酸(HF)の体積比を5対1とした以外は、実施例1と同様の方法でバッファードフッ酸(試料B)を調製し、HFアウトガス濃度を測定した。測定されたHF濃度は1ppmであり、HFアウトガス濃度の安全基準である2〜3ppm以下であることが分かった。
次いで試料Bを実施例1と同様の方法で洗浄液に調製((過酸化水素/フッ酸)重量比=5.5)し、試験片の洗浄(エッチング)を行い、洗浄後に試験片表面の観察を行った。試験片の表面は、エッチングにより清浄化されており、黒色化(黒色物質)も認められず、平滑であった。
[比較例1]〜[比較例3]
40wt%フッ化アンモニウム(NHF)水溶液と50wt%フッ酸(HF)の体積比を、それぞれ3.3:1、2.5:1および2:1とした以外は、実施例1と同様の方法で3種類の配合比のバッファードフッ酸(試料C〜E)を調製し、HFアウトガス濃度を測定した。
測定されたHFアウトガス濃度は、それぞれ5ppm、13ppmおよび40ppmであった。これらの測定値は、HFアウトガス濃度の安全基準である2〜3ppmを超えるため、安全性の観点から洗浄液として適さないと判断し、これらの試料C〜Eを用いて洗浄液を調製しなかった。
実施例1、2および比較例1〜3で調製したバッファードフッ酸の組成、HF濃度測定値及び試料表面観察結果を表1に示す。
Figure 2011003759
表1からバッファードフッ酸液組成において、フッ酸に対するフッ化アンモニウムの量が高い程、HFアウトガスの発生を抑えられることがわかる。HFアウトガス濃度の安全基準は2〜3ppmであり、これ以下であれば周辺金属等の腐食問題は生じない。よって、バッファードフッ酸のフッ化アンモニウムとフッ酸の混合比率は、(40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸)体積比に換算して5以上であることが好ましい。
また、チタン板試料の洗浄による重量減を板の表面積と比重と洗浄時間で除することによって、洗浄液による試料のエッチングされるスピード(エッチングレート)を調べた。バッファードフッ酸液組成において、(40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸)に換算した体積比が2000、1000および500の洗浄液のエッチングレートはそれぞれ、0.6nm/min、1.1nm/minおよび2.0nm/minであった。バッファードフッ酸液組成において、フッ酸に対するフッ化アンモニウム割合を増やすほどエッチングレート(洗浄スピード)は低下することが分かったが、それ以外の洗浄性能に変化は無かった。したがって、必要とされるエッチングレートによってフッ酸に対するフッ化アンモニウム割合の上限を決定することができる。実用的なエッチングレート(数nm/min以上)を得るためには(40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸)に換算した体積比が2000以下が好ましい。更には、1000以下が好ましく、500以下がより好ましい。
以上から、本発明に用いるバッファードフッ酸は、フッ化アンモニウムおよびフッ酸を含み、その混合比率は体積比(40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸)に換算して、5〜2000であり、5〜1000が好ましく、更には5〜500がより好ましい。
次に、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む洗浄液における、バッファードフッ酸と過酸化水素の混合割合を変化させて試料の洗浄効果を観察した。
[実施例3]〜[実施例8]
バッファードフッ酸(試料Aの20倍(体積)希釈)に対して過酸化水素水(H濃度5vol%)を表2に記載した比率で用いた以外は、実施例1と同様の方法で洗浄液の調製および試験片の洗浄(エッチング)を行い、洗浄後に試験片表面の観察を行った。
[比較例4]
バッファードフッ酸(試料Aの20倍希釈)に過酸化水素水(H濃度5vol%)を添加せずに、実施例1と同様の方法で洗浄液の調製および試験片の洗浄(エッチング)を行い、洗浄後に試験片表面の観察を行った。
表2に実施例3〜8および比較例4の洗浄液組成および評価結果を示す。
Figure 2011003759
洗浄後の試験片表面の観察結果を4段階で評価した。表面が清浄化されており、平滑かつ黒色化していない(黒色物質の発生がない)ものを◎、わずかに黒色物質が認められるものを○、黒色化が多少進んでいるものを△、黒色化が著しいものを×とした。表2から、過酸化水素を含まないバッファードフッ酸のみの洗浄(比較例4)では試験片の黒色化が著しいが、過酸化水素の添加により黒色化が抑えられ、その効果は過酸化水素が多い程高いことがわかった(実施例1および3〜7)。表2に示した結果より、洗浄液の組成は20倍希釈バッファードフッ酸(試料A20倍(体積)希釈)と5vol%過酸化水素水との混合体積比率に換算して、100:3よりも過酸化水素が多い比率(表中、○又は◎)が好ましく、100:7より過酸化水素が多い比率(表中、◎)が更に好ましい。
本実施例および比較例に用いたバッファードフッ酸(試料A)におけるフッ酸(HF)濃度は4.6wt%、比重は1.1である。また、フッ酸(HF)の比重は1.0、過酸化水素(H)の比重は1.4である。これらを用いて、バッファードフッ酸(試料Aの20倍(体積)希釈)と5vol%過酸化水素水との混合体積比率100:3を、重量比(フッ酸:過酸化水素)に換算すると、4.6:(3×1.4/1.1)=1:0.8となる。よって、(過酸化水素/フッ酸)重量比は0.8である。同様に、バッファードフッ酸(試料Aの20倍希釈)と5vol%過酸化水素水との混合体積比率100:7は、(過酸化水素/フッ酸)重量比=1.9となる。したがって、本発明において、(過酸化水素/フッ酸)重量比は、0.8以上が好ましく、1.9以上が更に好ましいことが分かる。
また、洗浄液におけるバッファードフッ酸と過酸化水素の混合割合を変化させ、試料のエッチングレートを調べた。その結果、20倍希釈バッファードフッ酸(試料Aの20倍希釈)と5vol%過酸化水素水との混合体積比率が100:200のとき、エッチングレートは5nm/minであった。また、フッ酸に対する過酸化水素割合を増やすほどエッチングレートは低下することがわかったが、それ以外の洗浄性能に変化は無かった。したがって、必要とされるエッチングレートによって過酸化水素割合の上限を決定することができる。実用的には100:200よりも過酸化水素が少ない範囲での使用が好ましい。これは、重量比(過酸化水素/フッ酸)に換算すると55以下に相当する。
本願発明における洗浄液のバッファードフッ酸と過酸化水素の混合比率は、(過酸化水素/フッ酸)重量比に換算して0.8〜55が好ましく、更に好ましくは、1.9〜55である。
実施例1、3〜8および比較例4においては、バッファードフッ酸におけるフッ化アンモニウムとフッ酸の比率は固定(試料Aを使用)して実験を行ったが、本発明の洗浄効果がフッ酸と過酸化水素の相乗効果によるという知見からすれば、その他の組成のバッファードフッ酸においても、前述の(過酸化水素/フッ酸)重量比の好ましい範囲は同様に当てはまる。
次に、液浸露光装置を用いた露光処理および、露光後に行う液浸液体と接する部材の洗浄について説明する。
[実施例9]
液体を介して基板を露光する本発明の露光方法に用いる露光装置について図1及び図2を参照しながら説明する。図1は液浸露光装置EXの概略構成図、図2は投影光学系PLの像面側先端近傍を示す拡大図である。図1及び図2において、露光装置EXは、主にマスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持して移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに保持されている基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括して制御する制御装置CONTとを備えている。この露光装置EXは、露光の際、基板ステージPSTとマスクステージMSTを露光光ELに対して走査方向(X方向)に同期移動するステップ・アンド・スキャン方式を採用している。
露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であるので、投影光学系PLの像面側における露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすための液浸機構1を備えている。液浸機構1は、投影光学系PLの像面近傍に設けられ、液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22を有するノズル部材70と、ノズル部材70に設けられた供給口12を介して投影光学系PLの像面側に液体LQを供給する液体供給機構10と、ノズル部材70に設けられた回収口22を介して投影光学系PLの像面側の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。ノズル部材70は、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1の近傍に配置されている。ノズル部材70は、中央に第1光学素子LS1が収容される開口70aが形成された板状部材である。供給口12は、走査方向(X方向)において開口70aを挟んでその両側に配置されている。回収口22は、開口70に対して供給口12より離れた位置に、且つ回収口22は開口70aに対して互いに対向するように一対設けられている。回収口22にはメッシュフィルタ状の多孔部材25が嵌め込まれている。
露光装置EXは、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1の下面LSAと、投影光学系PLの像面側に配置された基板P上面との間の光路空間K1を液体LQで満たし、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターンの像を基板Pに投影する。制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に液体LQを所定量供給するとともに、液体回収機構20を使って基板P上の液体LQを所定量回収することで、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。本実施例においては、液浸領域LRを形成する液体(液浸液体)LQとして純水が用いられている。
本実施例において、照明光学系ILから射出される露光光ELとして、ArFエキシマレーザ光が用いられ、第1光学素子LS1は螢石で形成されている。
液浸機構1のノズル部材70は、メインコラム100に支持機構140を介して支持されている。支持機構140は、ノズル部材70を投影光学系PLに対して所定の位置関係で支持するものであり、第1光学素子LS1とノズル部材70との間に所定の隙間(ギャップ)が形成されるように、ノズル部材70を支持している。
次に、液浸機構1について説明する。ノズル部材70は、液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22を有している。供給口12及び回収口22はノズル部材70の下面70Aに複数形成されている。ノズル部材70の下面70Aは、基板Pの上面及び基板ステージPSTの上面95と対向可能な位置に設けられている。
本実施例のノズル部材70は、チタンによって形成されている。ノズル部材70も、第1光学素子LS1と同様、光路空間K1に満たされる液体LQと接触するが、チタンを用いることにより、ノズル部材70の下面(液体接触面)70Aと液体LQとを良好に密着させることができ、基板Pとの間で、液浸領域LRを良好に形成することができる。また、第1光学素子LS1と基板Pとの間の光路空間K1を液体LQで確実に満たすことができる。
液体供給機構10は、液体LQをノズル部材70の供給口12を介して投影光学系PLの像面側に供給する。液体供給機構10は、ノズル部材70に加えて、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端を接続する供給管13とを備えている。これらの部材もまた、チタン又はチタン合金から形成してもよい。供給管13の他端はノズル部材70に接続されている。
液体供給部11は、純水製造装置、供給する液体(純水)LQの温度を調整する温調装置、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、及び液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。図には、一例として温調装置17が示されている。液体供給部11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。
液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQをノズル部材70の回収口22を介して回収するためのものである。液体回収機構20は、ノズル部材70に加えて、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端を接続する回収管23とを備えている。これらの部材もまた、チタン又はチタン合金から形成してもよい。回収管23の他端はノズル部材70に接続されている。
液体回収部21は、例えば真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。
また、液体回収機構20は、回収した液体LQに対して所定の処理を施す処理装置26を備えている。処理装置26は、回収した液体LQを清浄にするものであって、例えばフィルタユニット、蒸留装置等を備えている。液体回収機構20は、処理装置26で処理した後の液体LQを戻し管27を介して液体供給機構10に戻す。本実施例における露光装置EXは、液体供給機構10と液体回収機構20との間で液体LQを循環する循環系を備えており、液体回収機構20で回収された液体LQは、液体供給機構10の液体供給部11に戻される。
ここで、図2を参照しながら基板Pについて説明する。基板Pは、基材2と、その基材2の上面に被覆された感光材3とを有している。基材2は、例えばシリコンウエハ(半導体ウエハ)を含むものである。感光材3は、基材2の上面の中央部の殆どを占める領域に、所定の厚み(例えば200nm程度)で被覆されている。
基板Pと液浸領域LRの液体LQとが接触すると、基板Pの一部の成分が液体LQへ溶出する。例えば、感光材3として化学増幅型レジストと、その上に形成されたトップコートが使われている場合、その化学増幅型レジストは、ベース樹脂、ベース樹脂中に含まれる光酸発生剤(PAG:Photo Acid Generator)、及びクエンチャーと呼ばれるアミン系物質を含む。またトップコートは撥水性のフルオロカーボンを含む。そのような感光材3が液体LQに接触すると、トップコート成分であるフルオロカーボンが液体LQ中に溶出する。更に、感光材3の他の成分、具体的にはPAG、アミン系物質等が液体LQ中に溶出する。また、基材2と液体LQとが接触した場合にも、基材2を構成する物質によっては、基材2の一部の成分(シリコン)が液体LQ中に溶出する可能性がある。
このように、基板Pに接触した液体LQは、基板Pより発生した汚染物を含んでおり、更に液体LQは、大気中の汚染物(ガスを含む)を含んでいる可能性もある。そこで、液体回収機構20は、回収した液体LQの一部を処理装置26で清浄にした後、その清浄化された液体LQを液体供給機構10に戻す。なお、本実施例の液体回収機構20は、回収した液体LQの残りの一部を液体供給機構10に戻さずに、排出管28を介して露光装置EXの外部に排出(廃棄)する。液体供給機構10の液体供給部11に戻された液体LQは、純水製造装置で精製された後、再び投影光学系PLの像面側の光路空間K1に供給される。液体供給機構10は、液体回収機構20より戻された液体LQを投影光学系PLの像面側に再び供給し、液浸露光のために再利用する。
そして、制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に液体LQを所定量供給するとともに、液体回収機構20を使って基板P上の液体LQを所定量回収することで、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。液体LQの液浸領域LRを形成する際、制御装置CONTは、液体供給部11及び液体回収部21のそれぞれを駆動する。制御装置CONTの制御のもとで液体供給部11から液体LQが送出されると、その液体供給部11から送出された液体LQは、供給管13を流れた後、ノズル部材70の供給流路14を介して、供給口12より投影光学系PLの像面側に供給される。また、制御装置CONTのもとで液体回収部21が駆動されると、投影光学系PLの像面側の液体LQは回収口22を介してノズル部材70の回収流路24に流入し、回収管23を流れた後、液体回収部21に回収される。
次に、上述した露光装置EXを使って基板Pを液浸露光する方法について図5を参照しながら説明する。制御装置CONTは、液浸機構1を制御してノズル部材70を介し投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たして基板P上に液体LQの液浸領域LRを形成する(ステップS1)。制御装置CONTは、照明光学系EL、マスクステージMST及び基板ステージPSTを制御して、マスクMを通過した露光光ELを投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介して基板Pに照射することによってマスクMのパターンの像をステップ・アンド・スキャン方式で基板Pに投影する(ステップS2)。
液浸露光中、またはその前後において、図2に示すように、液体LQは、第1光学素子LS1の下面(液体接触面)LSA及びノズル部材70の下面(液体接触面)70Aと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を含む空間を満たす。すなわち、液体LQは、基板Pに接触するとともに、第1光学素子LS1の下面LSA、ノズル部材70の下面70Aなどにも接触する。
上述のように、基板Pに接触した液体LQは、基板Pなどから発生した汚染物を含んでいる。したがって、その汚染物を含んだ液体LQがノズル部材70に接触すると、液体LQ中の汚染物がノズル部材70に付着して、ノズル部材70が汚染される。特に、ノズル部材70の回収口22近傍、多孔部材25および回収流路24においては汚染物が付着しやすい。そして、その不純物が付着した状態を放置しておくと、液体LQの回収動作が不安定になるばかりでなく、光路空間K1に清浄な液体LQが供給されたとしても、汚染しているノズル部材70等に接触することで、供給された液体LQが汚染されてしまう。
そこで、本発明では、多孔部材25を含むノズル部材70を洗浄する。以下、ノズル部材70を洗浄する方法(メンテナンス方法)について説明する。
洗浄を行う前に、液浸露光に使用したノズル部材70の回収口22に設けられた多孔部材25周辺を光学顕微鏡で観察した。表面には汚染物が付着しており、更に未使用部品にみられる金属光沢が失われ黄色化していた。TOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析装置)を用い、ノズル部材70の表面分析を行った。その結果、フォトレジストトップコート由来の有機系汚染物(フルオロカーボン、等)、金属系汚染物(Fe、Al、Cr,Cu、等)がノズル部材70の表面に付着していたことが観測された。
本実施例では、ノズル部材70を露光装置EXから取り外した後、図3に示すメンテナンス機器30を用い洗浄を行った。洗浄ノズル部材70の洗浄方法について図5を参照しながら説明する。液浸露光が終了した後、ノズル部材70を支持機構140から取り外し、予め洗浄液LK1としての水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液が容器31に充満されたメンテナンス機器30の上に、支持機構140から取り外したノズル部材70を設置した。これにより、容器31内の水酸化テトラメチルアンモニウム洗浄液に、ノズル部材70の供給口12及び回収口22の多孔部材25を接触させ、又は一部浸漬させた。次いで、メンテナンス機器30の超音波装置37を作動させて洗浄液LK1に超音波を適用し、この状態を10分間継続した(ステップ3)。超音波を適用することにより、多孔部材25の孔の内部にも洗浄液が行き渡ると共に、超音波の液体振動または圧力変動作用により洗浄効果が一層有効になり洗浄時間を短縮できると考えられる。
本実施例では、上記の洗浄が終了した後に、容器31内の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を一旦排出し、容器31に純水を供給して、容器31やノズル部材70のフラッシングを行う。フラッシングにより水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液をできるだけ除去しておくことよって、次工程のバッファードフッ酸及び過酸化水素による洗浄の効果をより確実なものとすることができる。
次に、メンテナンス機構30の容器31の洗浄液をバッファードフッ酸および過酸化水素を含む洗浄液LK2に交換した。バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液としては、40wt%フッ化アンモニウム(NHF)水溶液と50wt%フッ酸(HF)を体積比10対1の比率で混合したバッファードフッ酸を20倍(体積)に希釈したものに、20倍に希釈の過酸化水素水(H濃度5vol%)を混合して調製した。混合比は、容積比(20倍希釈バッファードフッ酸/20倍に希釈の過酸化水素水)=100/20のもの(実施例1で用いた洗浄液)を用いた。こうして調製した洗浄液LK2をメンテナンス機器30の容器31に充填し、洗浄液LK2とノズル部材7とを接触させ、又は洗浄液LK2にノズル部材70を一部浸漬させ、5分間、超音波を適用した(ステップS4)。
次に、メンテナンス機器30の容器31の洗浄液LK2を純水に交換し、純水とノズル部材7とを接触させ、又は純水にノズル部材70を浸漬させ、30分間、超音波を適用した(ステップS5)。純水での洗浄(リンス)は、洗浄液LK2を除去するとともに、液浸用液体でもある純水に各部材を接触させることにより、次の露光環境を整えることができる。
純水洗浄終了後に、多孔部材25周辺を光学顕微鏡で観察した。洗浄前に付着していた汚染物が除去されていることが確認でき、平滑かつ清浄なチタン表面が現れ、未使用部材同様の金属光沢を有していた。このことから、チタン表面が薄く平滑にエッチングされているといえる。TOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析装置)を用い、ノズル部材70の表面分析を行った。洗浄前に存在した汚染物は検出されなかった。本実施例により、ノズル部材70を本発明の洗浄方法で洗浄することにより、汚染物が除去でき、平滑かつ清浄なチタン表面を得られることが分かった。
[比較例5]
実施例9と同様に、メンテナンス機器30を用いて露光装置EXに装着されているチタン製ノズル部材70の洗浄を行った。しかし、洗浄液LK1(アルカリ溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム)での超音波洗浄(ステップS3)後、洗浄液LK2での洗浄(ステップS4)は行わず、純水による超音波洗浄(ステップS5)を行った。
純水の洗浄後に、多孔部材25周辺を光学顕微鏡で観察した。洗浄前に存在した汚染物は目視上除去されていたが、表面に金属光沢は無く黄色のままであった。TOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析装置)を用い、ノズル部材70の表面分析を行った。この結果、フォトレジストトップコート由来の有機系汚染物(フルオロカーボン、等)は検出されなかったが、金属系汚染物(Fe、Al、Cr、Cu、等)は残存していた。更に、洗浄前のノズルには見られなかった水酸化テトラメチルアンモニウム由来の汚染物(CHN、CN、CN)が検出された。分析結果から、洗浄液LK2を用いない洗浄方法はノズル部材70の洗浄方法としては不十分であり、更に、アルカリ溶液がチタン表面に残存し新たな汚染源となる可能性が高いことが分かった。
[比較例6]
実施例9と同様に、メンテナンス機器30を用いて露光装置EXに装着されているチタン製ノズル部材70の洗浄を行った。しかし、洗浄液LK1での洗浄(ステップS3)は行わず後、洗浄液LK2(バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液)での洗浄後(ステップS4)、純水による超音波洗浄(ステップS5)を行った。
純水での洗浄後に、多孔部材25周辺を光学顕微鏡で観察した。洗浄前に存在した汚染物は完全には除去できず残存していた。更に、表面は洗浄前と比較して粗い表面となっていた。これは、洗浄液LK2では汚染物の除去が十分行えず、更に汚染物が付着していない箇所のみ選択的にチタン表面がエッチングされたためと考えられる。TOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析装置)を用いた表面分析を行った。その結果、洗浄前と同様、フォトレジストトップコート由来の有機系汚染物(フルオロカーボン、等)が確認された。分析結果から、洗浄液LK1を用いない洗浄方法はノズル部材70の洗浄方法としては不十分であることが分かった。
尚、上記実施例では、本発明の洗浄対象となる液浸液体と接する部材として、多孔部材25を含むノズル部材70を用いたが、本発明はこれに限定されない。その他にも、例えば、ノズル部材に接続される該液体の供給管および回収管等を洗浄対象とすることが可能である。
上記実施例では、ノズル部材がチタンで形成されていたが、チタンに代えて、チタン合金またはステンレス鋼、ニッケル合金などを用いても、本発明の洗浄方法は有効である。
上記実施例では、洗浄液LK1、洗浄液LK2及び純水を用いてノズル部材の洗浄を行なったが、純水での洗浄(リンス)は、露光前に、液体供給部11及び液体回収部21により液浸液体LQとしての純水を流すことによって行なってもよい。
上記実施例では、洗浄液LK1、洗浄液LK2及び純水での洗浄工程でそれらの液体に超音波を適用しながらノズル部材70を洗浄したが、いずれかまたは全ての工程における超音波の適用は省いてもよい。
上記実施例では、液浸露光終了後に、ノズル部材70を露光装置EXから取り外してノズル部材単独で洗浄したが、ノズル部材70を露光装置EXから取り外すことなく、すなわち、露光装置EXに装着したまま、ノズル部材70を洗浄してもよい。また、本実施例では、ノズル部材70をメンテナンス機器30に充填された洗浄液に接触又は浸漬させて洗浄をおこなったが、ノズル部材に直接、洗浄液を噴射することにより洗浄してもよい。また、洗浄の際に、洗浄液を液体供給部11及び液体回収部21を循環させてもよい。この場合、メンテナンス機器30を用いないで、洗浄液を液体LQに代えて循環させることも可能である。
ノズル部材70等の液浸機構1の構造は、上述の構造に限られず、例えば、欧州特許公開第1420298号公報、国際公開第2004/055803号公報、国際公開第2004/057590号公報、国際公開第2005/029559号公報に記載されているものを用いることができる。特に、上記実施例では、ノズル部材の構造として、供給口12および回収口22が、それぞれ、走査方向において開口70aを挟んで両側に設けられている構造を示したが、例えば、国際公開第2004/086468号公報、国際公開第2004/105106号公報及び国際公開第2005/067013号公報に記載されているように、回収口22が開口70aを取り囲んで形成されている構造でもよい。
上記実施例では、液浸液体として、純水を用いたが、純水と別の液体を添加(混合)したものでもよい。さらに、液浸液体は、純水にH、Cs、K、Cl、SO 2−、PO 2−等の塩基又は酸を添加(混合)したものでもよいし、純水にAl酸化物等の微粒子を添加(混合)したものでもよい。なお、液浸液体としては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少ないほうが好ましく、本発明の目的との関係からすれば、投影光学系PL、及び/又は基板Pの表面に塗布されている感光材(又はトップコート膜あるいは反射防止膜など)に対して安定なものであることが好ましい。
上記実施例では、基板とマスクを露光光に対して同期移動させるステップ・アンド・スキャン型の露光方法を例に挙げて説明したが、基板を一括露光するステップ・アンド・リピート型の露光方法でもよい。また、液浸露光において、基板の一部の領域のみに液浸領域を形成する局所液浸(Local filling)方式を例に挙げて説明したが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。また、本発明は、投影光学系と基板との間の液浸領域をその周囲のエアーカーテンで保持する液浸型の露光方法にも適用することができる。また、本発明の露光方法は、ウエハステージおよび計測ステージを有するタンデム型ステージシステムや米国特許第6,208,407号に開示されているような複数のステージが露光セクションと計測セクションを移動するツインステージシステムにも適用し得る。
1 液浸機構
10 液体供給機構
12 供給口
20 液体回収機構
22 回収口
25 多孔部材
30 メンテナンス機器
31 容器
37 超音波振動子
70 ノズル部材
140 支持機構
EL 露光光
EX 露光装置
K1 光路空間
LK 洗浄用液
LQ 液体
LS1 第1光学素子
P 基板
PL 投影光学系

Claims (16)

  1. 液体を介して基板を露光する際に用いる、前記液体と接する部材の洗浄方法であって、
    前記部材をアルカリ溶液で洗浄し、
    次いで、バッファードフッ酸および過酸化水素を含む溶液で洗浄することを含む洗浄方法。
  2. 前記液体と接する部材が、チタン又はチタン合金部材である請求項1に記載の洗浄方法。
  3. 前記部材を前記アルカリ溶液で洗浄するとき、および/または、前記バッファードフッ酸と過酸化水素を含む溶液で洗浄するときに、
    前記アルカリ溶液および/または、前記バッファードフッ酸と過酸化水素を含む溶液に超音波を適用して洗浄を行う請求項1または2に記載の洗浄方法。
  4. 前記バッファードフッ酸は、フッ化アンモニウムおよびフッ酸を含み、その混合比率が、40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸の体積比に換算して、5〜2000である請求項1〜3のいずれか一項に記載の洗浄方法。
  5. 前記バッファードフッ酸と過酸化水素の混合比率は、過酸化水素/フッ酸の重量比に換算して、0.8〜55である請求項1〜4のいずれか一項に記載の洗浄方法。
  6. 前記部材は、前記液体を介して基板を露光する露光装置に装着される部材であり、
    前記部材を前記露光装置に装着したまま洗浄を行う請求項1〜5のいずれか一項に記載の洗浄方法。
  7. 前記部材は、前記液体を介して基板を露光する露光装置に装着される部材であり、
    前記部材は、前記液体を回収する回収口に設けられた多孔部材である請求項1〜6のいずれか一項に記載の洗浄方法。
  8. 前記アルカリ溶液が、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液である請求項1〜7のいずれか一項に記載の洗浄方法。
  9. 液体を介して基板に露光光を照射することで基板を露光する方法であって、
    前記液体と接する部材を介して、前記露光光が通過する光路上に前記液体を供給および/または回収することと、
    前記基板を前記液体を介して露光することと、
    前記露光後に、請求項1〜8のいずれか一項に記載の洗浄方法を用い前記部材の洗浄を行うこと
    とを含む露光方法。
  10. 前記基板上に、感光剤が形成されている請求項9記載の露光方法。
  11. 請求項9又は10記載の露光方法を含むデバイス製造方法。
  12. バッファードフッ酸および過酸化水素を含み、
    前記バッファードフッ酸は、フッ化アンモニウムおよびフッ酸を含み、その混合比率が、40wt%フッ化アンモニウム溶液/50wt%フッ酸の体積比に換算して、5〜2000である洗浄液。
  13. 前記バッファードフッ酸と過酸化水素の混合比率が、過酸化水素/フッ酸の重量比に換算して、0.8〜55である請求項12項に記載の洗浄液。
  14. 液体を介して基板を露光する露光装置に用いる、前記液体と接触する部材を洗浄するための洗浄液である請求項12または13に記載の洗浄液。
  15. 前記部材がチタン又はチタン合金部材である請求項14記載の洗浄液。
  16. 前記バッファードフッ酸がフッ酸のアウトガスを発生しない請求項12〜15のいずれか一項に記載の洗浄液。
JP2009146034A 2009-06-19 2009-06-19 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液 Pending JP2011003759A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009146034A JP2011003759A (ja) 2009-06-19 2009-06-19 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009146034A JP2011003759A (ja) 2009-06-19 2009-06-19 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011003759A true JP2011003759A (ja) 2011-01-06

Family

ID=43561474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009146034A Pending JP2011003759A (ja) 2009-06-19 2009-06-19 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011003759A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102412173A (zh) * 2011-11-01 2012-04-11 浙江光益硅业科技有限公司 切割、研磨硅片表面清洗设备

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0445531A (ja) * 1990-06-13 1992-02-14 Nec Corp シリコン酸化膜のエッチング液およびシリコン酸化膜のエッチング方法
JPH0848996A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Nippon Steel Corp シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
JPH0992636A (ja) * 1995-09-28 1997-04-04 Rohm Co Ltd 洗浄液およびその洗浄液を用いた洗浄方法
JP2002231699A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Kawasaki Microelectronics Kk フロロカーボン系プラズマ生成用シリコン製電極の洗浄方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法
WO2004050266A1 (ja) * 2002-12-03 2004-06-17 Nikon Corporation 汚染物質除去方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP2007088328A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Toshiba Corp 液浸型露光装置の洗浄方法
JP2008300824A (ja) * 2007-05-04 2008-12-11 Asml Netherlands Bv 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法
JP2009016422A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Nikon Corp クリーニング装置、露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法
JP2009076904A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Samsung Electronics Co Ltd 液浸リソグラフィシステム用洗浄液及び液浸リソグラフィ工程
JP2012527743A (ja) * 2009-05-21 2012-11-08 株式会社ニコン 洗浄方法、露光方法、及びデバイス製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0445531A (ja) * 1990-06-13 1992-02-14 Nec Corp シリコン酸化膜のエッチング液およびシリコン酸化膜のエッチング方法
JPH0848996A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Nippon Steel Corp シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
JPH0992636A (ja) * 1995-09-28 1997-04-04 Rohm Co Ltd 洗浄液およびその洗浄液を用いた洗浄方法
JP2002231699A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Kawasaki Microelectronics Kk フロロカーボン系プラズマ生成用シリコン製電極の洗浄方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法
WO2004050266A1 (ja) * 2002-12-03 2004-06-17 Nikon Corporation 汚染物質除去方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP2007088328A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Toshiba Corp 液浸型露光装置の洗浄方法
JP2008300824A (ja) * 2007-05-04 2008-12-11 Asml Netherlands Bv 洗浄装置、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置洗浄方法
JP2009016422A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Nikon Corp クリーニング装置、露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法
JP2009076904A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Samsung Electronics Co Ltd 液浸リソグラフィシステム用洗浄液及び液浸リソグラフィ工程
JP2012527743A (ja) * 2009-05-21 2012-11-08 株式会社ニコン 洗浄方法、露光方法、及びデバイス製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102412173A (zh) * 2011-11-01 2012-04-11 浙江光益硅业科技有限公司 切割、研磨硅片表面清洗设备
CN102412173B (zh) * 2011-11-01 2013-10-16 沈利军 切割、研磨硅片表面清洗设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4772306B2 (ja) 液浸光学装置及び洗浄方法
JP5655921B2 (ja) メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2009177143A (ja) リソグラフィ装置及びインライン洗浄装置
JP2007227543A (ja) 液浸光学装置、洗浄方法及び液浸露光方法
JP2005085789A (ja) 露光装置
JP2006229198A (ja) 紫外線内設洗浄器具のための方法および装置
JP2007013161A (ja) 液浸リソグラフィ実施方法,液浸リソグラフィシステムおよび液浸リソグラフィ実施装置
JP5601329B2 (ja) 洗浄方法、露光方法、及びデバイス製造方法
TW201027265A (en) Lithographic apparatus and a method of removing contamination
JP2005353763A (ja) 露光装置及びパターン形成方法
JP5110085B2 (ja) ガラス基板表面から異物を除去する方法
WO2007052544A1 (ja) 洗浄液および洗浄方法
JP4688966B2 (ja) マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法
WO2007052545A1 (ja) 洗浄液および洗浄方法
JP4952297B2 (ja) フォトマスク洗浄方法及びフォトマスク洗浄装置
JP2011003759A (ja) 部材の洗浄方法、露光方法、デバイス製造方法、および洗浄液
JPWO2011081062A1 (ja) 液浸部材、液浸部材の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2007165866A (ja) 半導体製造用薬液供給装置の洗浄液
JP2012009668A (ja) チタン含有部材の製造方法、チタン含有部材、露光装置及びデバイス製造方法
JP2007281320A (ja) 光学素子の汚れ除去方法及び露光装置
JP3981368B2 (ja) パターン形成方法
JP2008083509A (ja) フォトマスク曇り抑制方法
Hoyeh et al. Non-chemical cleaning technology for sub-90nm design node photomask manufacturing
TW202244594A (zh) 移除euv光罩的汙染物
JP2006147639A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120604

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130625

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131023