JP2005085789A - 露光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 被転写基板と、投影光学系の最も被転写基板に近い光学素子との間に充填される液体に気泡を混入させず、かつその液体の圧力変動の小さい、すなわち液体の屈折率の変動が小さく、高解像度を実現することのできる露光装置を提供すること。
【解決手段】 レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、前記液体を供給する供給系と、前記液体を回収する回収系と、気体は通し液体は通さない性質を持つ気泡除去体と、該気泡除去体を介して前記液体内の気泡を除去する排気系と、を有する構成とした。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えば、半導体集積回路、撮像素子(CCD等)、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するためのリソグラフィー工程で用いられる投影露光装置に関し、特に投影光学系の基板側の素子と基板との間の光路中の少なくとも一部分に位置する液体を介して露光を行う液浸式露光装置に関するものである。
液浸式投影露光装置は被転写基板と、被転写基板に最も近い光学素子との間に液体を充填させることによって、NA(開口数)を上げることができるため、高解像度が期待されている。液浸式投影露光装置は被転写基板全体を液体の中に浸す方法や、被転写基板と被転写基板に最も近い光学素子との間だけに液体を充填させる方法などが提案されている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照。)。
特に後者の方法では、International Symposium on 157nm Lithpgraphy,3−6 September2002,Belgiumにおいて、Bruce Smithら(Rochester Institute of Technology)によって講演されたExtreme−NA Water Immersion Lithography for35−65nm Technologyで、液浸式投影露光装置の液体供給方法および回収方法について示している。図7にその従来の技術の構成図を示す。図7において、101は基板、106は最終レンズ、107は液浸材となる液体、110は液体を供給する液体供給ノズル、111は液体を回収する液体回収ノズル、115は液体を外部に出さないために働くエアカーテンである。
基板101と最終レンズ106との対向面に向けて、最終レンズ106のエッジ部近傍に搭載した液体供給ノズル110より液体107を供給する。そして、最終レンズ106を挟んで反対側に搭載した液体回収ノズル111から液体を回収する。さらに、それらの外側には圧縮空気をふきつけつことによってエアカーテンを形成し、基板101と最終レンズ106との間の液体を保持させる。
また、エアカーテンは示されていないものの、特許文献2においても液体供給ノズルと液体回収ノズルについて、図7と同様な構成で示されている。特許文献2ではさらに、基板101の移動速度に応じて、液体107の供給量と回収量の調整を行うことを示している。
特開平6−124873号公報 国際公開第99/49504号パンフレット
しかしながら、上記従来例では以下のような課題があった。
図7に示した構成では圧縮空気によるエアカーテンの調整が困難で、液体内部に空気が混入しやすい。さらに、基板ステージのステップ駆動あるいはスキャン駆動に伴う液体の流れによって、液体と外部の雰囲気との境界部に発生したメニスカスが破壊されやすくなるが、液体の境界部に発生したメニスカスが最終レンズ106の近傍にあるため、より基板101と最終光学レンズ106との間の液体に気泡が混入しやすくなる。気泡が液体内部に混入すると、露光光の妨げとなり、露光転写精度が低下し、半導体デバイス製造における歩留まりの低下を引き起こす。さらに、エアカーテンによる液体の圧力の保持が困難なので、液体の圧力が変動するに伴い、液体の密度が変動するため、屈折率が変動しやすくなり光学系のNA(開口数)が変化する。そのため露光転写精度の低下、すなわち半導体デバイス製造における歩留まりの低下を引き起こす。また、エアカーテンの空気の流れに混ざって液体が外部に飛び出す可能性があり、その液体によって露光装置内の部品などが損傷する可能性がある。そうすると、露光装置の修理や調整などにより露光装置の運転を止めなければならず、半導体デバイス製造における生産性が低下する。
また、特許文献2の構成では基板の移動速度に応じて、液体の供給量と回収量の調整を行うとしているが、基板の移動には加速や減速があるため、その速度に応じて液体の供給量と回収量の調整を高精度に行うことが困難である。この場合、液体の供給量と回収量の調整を高精度に行うことができなければ、液体の圧力の保持が困難なので、液体の圧力が変動するに伴い、液体の密度が変動するため、屈折率が変動しやすくなり光学系のNA(開口数)が変化する。そのため露光転写精度の低下、すなわち半導体デバイス製造における歩留まりの低下を引き起こす。
図7で示した構成、ならびに特許文献2の構成に共通する課題として、液体の供給と回収を行う位置が限られているため、ステップ駆動あるいはスキャン駆動の駆動方向の自由度が低下する。ステップ駆動あるいはスキャン駆動の駆動方向の自由度が低下すると、スループットが低下するため、半導体デバイス製造における生産性が低下する。
本発明は斯かる点に鑑み、被転写基板と、投影光学系の最も被転写基板に近い光学素子との間に充填される液体に気泡を混入させず、かつその液体の圧力変動の小さい、すなわち液体の屈折率の変動が小さく、高解像度を実現することのできる露光装置を提供することを例示的な目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、前記液体を供給する供給系と、前記液体を回収する回収系と、気体は通し液体は通さない性質を持つ気泡除去体と、該気泡除去体を介して前記液体内の気泡を除去する排気系と、を有することを特徴とする。
また、本発明の別の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、前記液体を供給する供給系と、前記液体を回収する回収系と、多孔質体を介して前記液体内の気泡を除去する排気系と、を有することを特徴とする。
更に、本発明の別の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、多孔質体を介して前記液体を供給する供給系と、前記液体を回収する回収系と、を有することを特徴とする。
更に、本発明の別の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、前記液体を供給する供給系と、前記液体を回収する回収系と、気体は通し液体は通さない性質を持つ気泡除去体と、該気泡除去体を介して前記液体内の気泡を除去する排気系と、を有することを特徴とする。
更に、本発明の別の一側面としてのデバイス製造方法は、上記の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光した基板を現像する工程とを有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、添付図面を参照して説明される以下の好ましい実施の形態によって明らかにされるであろう。
性能の良い液浸式投影露光装置を提供することができる。
本発明の好ましい実施の形態の詳細について、添付の図面をもとに、以下説明する。
図1は本実施例を表す模式図である。
回路パターンなどを転写する被転写体としての基板1は基板保持部2で保持する。その保持方法は真空保持や静電保持などがある。そして、基板保持部2は基板ステージ3に搭載されており、基板ステージ3はステージ定盤4にならってステップ駆動、あるいはスキャン駆動し、ステップ駆動あるいはスキャン駆動時には不図示のAFセンサの計測結果に基づき、基板1が所定の高さになるよう基盤ステージ3で制御する。
一方、光学系は不図示の光源、その光源からの光で転写パターンが描かれたレチクルを照明する照明系と、および鏡筒5内に搭載した投影光学系、そして投影光学系の最も基板1よりの最終光学素子6からなる。そして、液浸式投影露光装置の特徴である液体7は基板1と最終光学素子6との間に充填されている。液体7は例えば水やフッ素化合物などがあり、基板1上に塗布されたレジストの種類や露光光の波長に応じて選定することができる。
本実施例では最終光学素子6の周りに第一の多孔質体8と第二の多孔質体9を設ける。第一の多孔質体8は、例えばポリテトラフロロエチレン(PTFE)を延伸加工してできる微細な連続多孔質構造などからなり、気体は通すが液体7は通さない性質を持つ。第二の多孔質体9はスポンジなどのように、多孔質内部の毛細管現象で液体7を吸収する性質を持つ。そして、液体供給系10から第二の多孔質体9を介して基板1と最終光学素子6との間に液体7を供給する。なお、液体供給系10は液体供給源と液体供給管10a、ならびに液体供給管先端の液体供給ノズル10bからなる。液体供給ノズル10bは第二の多孔質体9と接続もしくは概ね接触している。第二の多孔質体9はその全体で液体7を吸収でき、吸収量が飽和したときに液体供給ができるため、基板1と対向している面の全体から液体7を供給することができる。このときの液体供給ノズル10bから第二の多孔質体9への液体7の供給量は、第二の多孔質体9の液体7を吸収する量が常に飽和した状態を保つように、不図示の第一の制御部で制御することが好ましい。また、基板ステージ3のステップ駆動あるいはスキャン駆動によって、基板1上に残った液体7は液体回収系11から回収する。なお、液体回収系11は液体回収ポンプと液体回収管11a、ならびに液体回収管先端の液体回収ノズル11bからなる。このときの液体回収量は第一の制御部で制御した液体供給量と同量にするように、不図示の第二の制御部で制御する。液体回収ノズル11bは第二の多孔質体9の外周に配置しているが、最終光学素子6の外周であればその位置は任意である。さらに、第一の多孔質体8と接続した真空排気系12から液体7内部の気泡のみ除去することによって、供給された液体7の中に混入した気泡が基板1と最終光学素子6との間に入る前に、その気泡を除去することができる。
次に図2を用いて、多孔質体まわりの構成を説明する。図2は本実施例の第一の多孔質体8と第二の多孔質体9を表す断面図である。
図1では装置構成の説明を簡略化するため、最終光学素子6のまわりに直接第一の多孔質体8を配置し、さらに真空排気系12を第一の多孔質体8から直接接続した図を示した。しかしながら、この構成では第一の多孔質体8と真空排気系12との接触部の雰囲気だけが、真空排気系12から排気されてしまい、液体7に混入した気泡除去をするという第一の多孔質体8の本来の目的が果たせない。そのため、新たに多孔質体保持部13を設ける。多孔質体保持部13はその内側に最終光学素子6が搭載されるべきスペースを有し、外側には第二の多孔質体9が搭載できるようにする。多孔質体保持部14の内部は第一の多孔質体8が入っており、基板1との対向面(図2における下側の面)は開放され、第一の多孔質体8と直接対向できる構成となっている。なお、多孔質体保持部13の材質はステンレス鋼やアルミなど金属、あるいはガラスなどでも良い。図2では第一の多孔質体8上部と多孔質体保持部13との間に隙間を持たせたが、それ以外の接触面は隙間がないことが好ましい。さらに、第一の多孔質体8上部と多孔質体保持部13との間に隙間を設け、その隙間が真空排気のバッファの役割を果たすことを意味しているが、この隙間は必ずしも必要はない。なお、真空排気系12は液体7内に混入した気泡を排気する排気ポンプと該排気ポンプに接続した気泡排気管からなり、さらに気泡排気管と多孔質体保持部13とを接続する接続部がある。従って、多孔質体8上部と気泡排気管との間には、隙間がある。
図2では液体供給系10と液体回収系11、真空排気系12を一本ずつ図示したが、これに限定されず、それらの本数および配置は任意である。例えば、基板ステージ3のステップ駆動あるいはスキャン駆動は基板ステージ3の往復駆動を伴うため、液体供給系10や液体回収系11は双方向にある方が好ましい。
また、図1および図2では二種類の多孔質体を最終光学素子6側から、第一の多孔質体8、第二の多孔質体13の順番で配置したが、この順番は逆でも良いし、交互に複数層の配置にしても良い。例えば図3に示すように、最終光学素子6の外周に第一の多孔質体8と第二の多孔質体9をそれぞれ設ける。こうすることによって、液体7内部に混入した気泡は第一の多孔質体8越しに除去することができ、第二の多孔質体9全面から液体7を安定して供給することができる。つまり、液体を供給する際、できるだけ広範囲から液体を供給することによって、単位面積あたりの流量を減らすことができるのである。
さらに、第一の多孔質体8は気体を通し液体7は通さない性質を持つものであれば、多孔質体に限らない。同様に第二の多孔質体9は液体7を吸収する性質を持つものであれば、多孔質体に限らない。
図1と図2では、第一の多孔質体8と第二の多孔質体9は最終光学素子6の基板1側の面と同じ高さに保たれているように示した。そして図3では、第二の多孔質体9が最終光学素子6の基板1側の面と同じ高さに保たれているように示した。基板1と最終光学素子6との間隙は数十μmからミリメートルオーダの距離である。したがって、第一の多孔質体8および/または第二の多孔質体9も最終光学素子6の基板1側の面と同じ高さに保たれていることが好ましいが、それに限定されない。基板1と第一の多孔質体8、第二の多孔質体9との間隙はそれぞれ任意である。
さらに、第一の多孔質体8あるいは多孔質体保持部13、第二の多孔質体9は最終光学素子6と同心円状の形状に示したが、これに限定されず、四角形など形状は任意である。また最終光学素子6の外周に対して全周に渡り第一の多孔質体8と第二の多孔質体9があることが好ましいが、それらは最終光学素子6の外周の少なくともステップ、スキャン方向の一部にあれば良い。第一の多孔質体8や第二の多孔質体9の大きさも、最終光学素子6に対する大きさが図示のような比率に限定されず、任意である。多孔質体保持部13は第一の多孔質体8のみを覆う構成を示したが、これに限定されず、第二の多孔質体9も含めた構成にしても良い。
図4は本実施例の第一の多孔質体から第三の多孔質体を表す断面図である。
第一の実施例では基板1に残留した液体7を液体回収系11から直接回収したが、第二の実施例では新たに第三の多孔質体14を設け、第三の多孔質体14から液体7を回収する。なお、第一の実施例で説明した構成や機能など、重複する部分の説明は省略する。
第三の多孔質体14はスポンジなどのように、多孔質内部の毛細管現象で液体7を保持する性質を持ち、第二の多孔質体9と同じ種類の多孔質体でも良い。液体回収系11は第三の多孔質体14に接続もしくは概ね接触する。第三の多孔質体14は通常、液体7を吸収していない状態で、すなわち乾いた状態で使用し、基板1上に残った液体7を除去する。このときの液体回収量は第三の多孔質体14の液体7を吸収する量が飽和しないように、常に吸収力を維持するための不図示の第二の制御部で制御することが好ましい。なお、液体7を十分に吸収した第二の多孔質体9と、液体7を吸収していない第三の多孔質体14が隣接すると、第二の多孔質体9に吸収された液体7が第三の多孔質体14に直接吸収され、基板1上に残った液体7を除去するという第三の吸収体14の本来の機能が低下する。そのため、第二の多孔質体9と第三の多孔質体14との間には壁が必要であるが、図4では不図示とした。
以上の説明では液体7の回収方法を第三の多孔質体14に吸収させてから、液体回収系11によって回収するとしたが、これに限定されない。例えば、液体回収系11がなくても、第三の多孔質体14が十分な量の液体7を吸収できれば、液体7を所定の量だけ吸収したときや、何枚かの基板1を露光してから、新しいものにあるいは乾いたものに交換しても良い。その場合は別途、第三の多孔質体14の交換手段が必要となる。
第一の実施例でも説明した通り、基板1と最終光学素子6との間隙は数十μmからミリメートルオーダの距離である。第一の多孔質体8と第二の多孔質体9と同様に、第三の多孔質体14は最終光学素子6の基板1側の面と同じ高さに保たれていることが好ましいが、それに限定されず、基板1と第一の多孔質体8、第二の多孔質体9、第三の多孔質体14との間隙はそれぞれ任意である。さらに、第一の多孔質体8あるいは多孔質体保持部13、第二の多孔質体9と同様に、第三の多孔質体14も最終光学素子6と同心円状の形状に示したが、これに限定されず、四角形など形状は任意である。そして、最終光学素子6の外周に対して全周に渡り第一の多孔質体8と第二の多孔質体9、第三の多孔質体14があることが好ましいが、それらは最終光学素子6の外周の少なくともステップ、スキャン方向の一部にあれば良い。第一の多孔質体8や第二の多孔質体9、第三の多孔質体14の大きさも、最終光学素子6に対する大きさが図示のような比率に限定されず、任意である。多孔質体保持部13は第一の多孔質体8のみを覆う構成を示したが、これに限定されず、第二の多孔質体9や第三の多孔質体1も含めた構成にしても良い。
また、第三の多孔質体は液体7を吸収する性質を持つものであれば、多孔質体に限らない。
図5は本実施例の第一の多孔質体を表す断面図である。
第一の実施例と第二の実施例では複数の多孔質体を使用することによって、液体の供給、回収および液体7内に混入した気泡を除去する構成について説明した。第三の実施の形態では多孔質体に第一の多孔質体8を使用し、その周りに取り付けたノズルから液体を供給、回収する。なお、第一の実施例と第二の実施例で説明した構成や機能など、重複する部分の説明は省略する。
第一の多孔質体8は多孔質体保持部13の中に保持されており、多孔質体保持部13の外側は、真空排気系12が装備され、真空排気系12から液体7の中に混入した気泡を除去する構成となっている。また、多孔質体保持部13の外周には液体供給系10と液体回収系11が装備されており、液体供給系10から基板1と最終光学素子6との間に液体7を供給し、液体回収系11からその液体7を回収する構成となっている。なお、基板1に残った液体7を回収する構成は液体回収系11から直接回収するに限定されず、第二の実施例で説明したように、図5では不図示の第三の多孔質体14を多孔質体保持部13のまわりに取り付けても良い。
図6は本実施例の第二の多孔質体を表す断面図である。
第一の実施例と第二の実施例では複数の多孔質体を使用することによって、液体の供給、回収および液体7内に混入した気泡を除去する構成について説明した。第四の実施の形態では多孔質体に第二の多孔質体9を使用し、その第二の多孔質体9から液体を供給し、その周りに取り付けたノズルから液体を回収する。なお、第一の実施例と第二の実施例で説明した構成や機能など、重複する部分の説明は省略する。
なお、基板1に残った液体7を回収する構成は液体回収系11から直接回収するに限定されず、第二の実施例で説明したように、図6では不図示の第三の多孔質体14を多孔質体保持部13のまわりに取り付けても良い。
以上の実施例によれば、液浸式投影露光装置において、基板と最終光学素子との間の液体を保持することができるため、エアカーテンを使用する必要がなく、しいてはエアカーテンによって基板と最終光学素子との間の液体に気泡が混入することがなくなる。また、多孔質体を設けることにより液体と外部の雰囲気との境界に発生するメニスカスが、最終光学素子から遠ざかるため、メニスカスが破壊されても基板と最終光学素子との間の液体に気泡が混入することがなくなる。したがって、液体内部の気泡に起因する露光転写精度の低下を防止することができる。そして、エアカーテンを使わない液体の供給および/または回収方法は、多孔質体から必要に応じた流量しか与えないため、液体の圧力変動を抑制することができ、液体の密度が変動することがなくなるので、液体の屈折率の変動を抑えることができる。しいては光学系のNA(開口数)の変化を抑えることができる。したがって、光学系のNAの変化に起因する露光転写制度の低下を防止することができる。さらに、液体の供給と回収が露光領域を囲むような構成となっているため、ステップ駆動あるいはスキャン駆動の自由度が向上し、スループットが向上する。また、基板上に付着して残った液体を液浸式投影露光装置内に撒き散らすことなく回収できるので、液体を撒き散らすことによって起因する部品損傷を防止することができる。そのため、装置の運転を停止することを減らすことができる。以上の効果をまとめると、露光転写精度を向上し、スループットを向上させ、そして装置の運転の停止を抑制することができるため、半導体デバイス製造における生産性を向上させる液浸式投影露光装置を提供することができる。
次に、前述した本発明の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
図8はデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネルやCCD)の製造フローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いて基板としてのウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハとを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4よって作成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図9は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12ではウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハにレジスト(感材)を塗布する。ステップ16(露光)では前述の本発明の露光装置によってマスクの回路パタ−ンの像でウエハを露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行うことによりウエハ上に回路パタ−ンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は難しかった高集積度のデバイスを製造することが可能になる。
以上、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明はこれに限定されず、その要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
本発明の第一の実施例に係る装置構成を模式的に説明する図である。 本発明の第一の実施例に係る多孔質体まわりを説明するため、断面で示す図である。 本発明の第一の実施例に係る多孔質体まわりを説明し、図2とは異なる構成を断面で示す図である。 本発明の第二の実施例に係る多孔質体まわりを説明するため、断面で示す図である。 本発明の第三の実施例に係る多孔質体まわりを説明するため、断面で示す図である。 本発明の第四の実施例に係る多孔質体まわりを説明するため、断面で示す図である。 従来の技術の液浸式投影露光装置を示す図である。 デバイスの製造フローを示す図である。 図8中のウエハプロセスを示す図である。
符号の説明
1 基板
2 基板保持部
3 基板ステージ
4 ステージ定盤
5 鏡筒
6 最終光学素子
7 液体
8 第一の多孔質体
9 第二の多孔質体
10 液体供給系
10a 液体供給管
10b 液体供給ノズル
11 液体回収系
11a 液体回収管
11b 液体回収ノズル
12 真空排気系
13 多孔質体保持部
14 第三の多孔質体

Claims (22)

  1. レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、
    前記液体を供給する供給系と、
    前記液体を回収する回収系と、
    気体は通し液体は通さない性質を持つ気泡除去体と、
    該気泡除去体を介して前記液体内の気泡を除去する排気系と、を有することを特徴とする露光装置。
  2. 前記気泡除去体と前記排気系との間に、隙間を有することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. 前記供給系は、液体を吸収する性質を持つ液体供給体を介して、前記液体を供給することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  4. 前記回収系は、液体を吸収する性質を持つ液体回収体を介して、前記液体を回収することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  5. 前記回収系は、前記液体回収体と接触又は略接触した回収ノズルを有することを特徴とする請求項4記載の露光装置。
  6. 前記回収系は、前記液体回収体を交換する交換手段を有することを特徴とする請求項4記載の露光装置。
  7. 前記光学素子の外周の少なくとも一部に、前記気泡除去体を有することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  8. 前記光学素子の外周の少なくとも一部に、前記気泡除去体を有し、前記気泡除去体の外周の少なくとも一部に前記液体供給体を有することを特徴とする請求項3記載の露光装置。
  9. 前記光学素子の外周の少なくとも一部に、前記液体供給体を有し、該液体供給体の前記基板と反対側の少なくとも一部に前記気泡除去体を有することを特徴とする請求項3記載の露光装置。
  10. 前記光学素子の外周の少なくとも一部に、前記気泡除去体を有し、前記気泡除去体の外周の少なくとも一部に前記液体回収体を有することを特徴とする請求項4記載の露光装置。
  11. 前記回収系は、液体を吸収する性質を持つ液体回収体を介して、前記液体を回収し、
    前記光学素子の外周の少なくとも一部に、前記液体供給体を有し、
    前記液体供給体の外周の少なくとも一部に、該液体回収体を有することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  12. 前記回収系は、液体を吸収する性質を持つ液体回収体を介して、前記液体を回収し、
    前記液体供給体の外周の少なくとも一部に、該液体回収体を有することを特徴とする請求項8記載の露光装置。
  13. 前記気泡除去体は、多孔質体であることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  14. 前記液体供給体は、多孔質体であることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  15. 前記液体回収体は、多孔質体であることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  16. 前記供給系の液体供給量を、前記液体供給体の液体吸収量が常に飽和した状態を保つように制御する第1の制御部を有することを特徴とする請求項3記載の露光装置。
  17. 前記供給系の液体供給量を、前記第1の制御部が制御している液体供給量と同量に制御する第2の制御部を有することを特徴とする請求項16記載の露光装置。
  18. 前記回収系の液体回収量を、前記液体回収体の液体吸収量が常に飽和しない状態を保つように制御する制御部を有することを特徴とする請求項4記載の露光装置。
  19. レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、
    前記液体を供給する供給系と、
    前記液体を回収する回収系と、
    多孔質体を介して前記液体内の気泡を除去する排気系と、を有することを特徴とする露光装置。
  20. レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、
    多孔質体を介して前記液体を供給する供給系と、
    前記液体を回収する回収系と、を有することを特徴とする露光装置。
  21. レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を有し、該投影光学系の最も基板側にある光学素子と前記基板との間の少なくとも一部分を液体で満たした露光装置において、
    前記液体を供給する供給系と、
    前記液体を回収する回収系と、
    気体は通し液体は通さない性質を持つ気泡除去体と、
    該気泡除去体を介して前記液体内の気泡を除去する排気系と、を有することを特徴とする露光装置。
  22. 請求項1〜21のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光した基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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JP (1) JP4378136B2 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005223315A (ja) * 2004-01-05 2005-08-18 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005347617A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005353820A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
EP1628163A3 (en) * 2004-08-19 2006-03-15 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100609220B1 (ko) 2005-08-02 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 액체 공급 장치 및 이를 포함하는 노광 시스템
WO2006106836A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006313904A (ja) * 2005-05-03 2006-11-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2007055373A1 (ja) * 2005-11-14 2007-05-18 Nikon Corporation 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2009182359A (ja) * 2003-10-28 2009-08-13 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
JP2010118713A (ja) * 2005-05-03 2010-05-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
JP2010171462A (ja) * 2010-04-26 2010-08-05 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2012129564A (ja) * 2003-04-10 2012-07-05 Nikon Corp 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
JP2012147039A (ja) * 2005-06-28 2012-08-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2012164995A (ja) * 2004-06-09 2012-08-30 Nikon Corp 基板保持装置、基板ステージ、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに撥液プレート
JP2013214761A (ja) * 2003-07-28 2013-10-17 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2013225693A (ja) * 2007-03-15 2013-10-31 Nikon Corp リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device

Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101101737B1 (ko) * 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
JP4775256B2 (ja) 2003-04-10 2011-09-21 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
EP2618213B1 (en) 2003-04-11 2016-03-09 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
EP2261742A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2937893B1 (en) 2003-06-13 2016-09-28 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
KR20180132996A (ko) 2003-06-19 2018-12-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4288426B2 (ja) 2003-09-03 2009-07-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101441840B1 (ko) 2003-09-29 2014-11-04 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
KR101111364B1 (ko) 2003-10-08 2012-02-27 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3370115A1 (en) 2003-12-03 2018-09-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device
KR101345443B1 (ko) 2003-12-15 2013-12-27 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
TWI606485B (zh) 2004-03-25 2017-11-21 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
KR101258033B1 (ko) * 2004-04-19 2013-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005111722A2 (en) * 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1954408B (zh) * 2004-06-04 2012-07-04 尼康股份有限公司 曝光装置、曝光方法及元件制造方法
JP4845880B2 (ja) 2004-06-04 2011-12-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像系の像品質測定システム
TWI257553B (en) * 2004-06-04 2006-07-01 Asustek Comp Inc Multiple over-clocking main board and control method thereof
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) * 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080068567A1 (en) 2004-06-10 2008-03-20 Hiroyuki Nagasaka Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
KR101485650B1 (ko) 2004-06-10 2015-01-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070139628A1 (en) * 2004-06-10 2007-06-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101264939B1 (ko) * 2004-09-17 2013-05-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
SG188899A1 (en) 2004-09-17 2013-04-30 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) * 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) * 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN102360170B (zh) 2005-02-10 2014-03-12 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) * 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) * 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
TW200644079A (en) * 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) * 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751026B2 (en) * 2005-08-25 2010-07-06 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7804577B2 (en) * 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7420194B2 (en) * 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) * 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US8045135B2 (en) * 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US7841352B2 (en) * 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US20090122282A1 (en) * 2007-05-21 2009-05-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method
US8289497B2 (en) * 2008-03-18 2012-10-16 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
US8233139B2 (en) * 2008-03-27 2012-07-31 Nikon Corporation Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
US8634055B2 (en) * 2008-10-22 2014-01-21 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US8477284B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US8476004B2 (en) 2011-06-27 2013-07-02 United Microelectronics Corp. Method for forming photoresist patterns
US8701052B1 (en) 2013-01-23 2014-04-15 United Microelectronics Corp. Method of optical proximity correction in combination with double patterning technique
US8627242B1 (en) 2013-01-30 2014-01-07 United Microelectronics Corp. Method for making photomask layout
US9230812B2 (en) 2013-05-22 2016-01-05 United Microelectronics Corp. Method for forming semiconductor structure having opening

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
KR100326432B1 (ko) * 2000-05-29 2002-02-28 윤종용 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4288426B2 (ja) * 2003-09-03 2009-07-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129564A (ja) * 2003-04-10 2012-07-05 Nikon Corp 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
JP2014057114A (ja) * 2003-04-10 2014-03-27 Nikon Corp 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
JP2013214761A (ja) * 2003-07-28 2013-10-17 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2014017527A (ja) * 2003-07-28 2014-01-30 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
US7868998B2 (en) 2003-10-28 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US10527955B2 (en) 2003-10-28 2020-01-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10248034B2 (en) 2003-10-28 2019-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010206225A (ja) * 2003-10-28 2010-09-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
US9482962B2 (en) 2003-10-28 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8860923B2 (en) 2003-10-28 2014-10-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009182359A (ja) * 2003-10-28 2009-08-13 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
US9910369B2 (en) 2004-01-05 2018-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP2005223315A (ja) * 2004-01-05 2005-08-18 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US9588436B2 (en) 2004-01-05 2017-03-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP2010251808A (ja) * 2004-01-05 2010-11-04 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8064044B2 (en) 2004-01-05 2011-11-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP4517341B2 (ja) * 2004-06-04 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
JP2005347617A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2012164995A (ja) * 2004-06-09 2012-08-30 Nikon Corp 基板保持装置、基板ステージ、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに撥液プレート
JP4543767B2 (ja) * 2004-06-10 2010-09-15 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005353820A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US9904185B2 (en) 2004-08-19 2018-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10599054B2 (en) 2004-08-19 2020-03-24 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2017224000A (ja) * 2004-08-19 2017-12-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2014057108A (ja) * 2004-08-19 2014-03-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8446563B2 (en) 2004-08-19 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10331047B2 (en) 2004-08-19 2019-06-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1628163A3 (en) * 2004-08-19 2006-03-15 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9488923B2 (en) 2004-08-19 2016-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8031325B2 (en) 2004-08-19 2011-10-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10705439B2 (en) 2004-08-19 2020-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261744A3 (en) * 2004-08-19 2011-01-05 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8755028B2 (en) 2004-08-19 2014-06-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9746788B2 (en) 2004-08-19 2017-08-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9507278B2 (en) 2004-08-19 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
WO2006106836A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006313904A (ja) * 2005-05-03 2006-11-16 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US10684554B2 (en) 2005-05-03 2020-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9146478B2 (en) 2005-05-03 2015-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9606449B2 (en) 2005-05-03 2017-03-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9081300B2 (en) 2005-05-03 2015-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9229335B2 (en) 2005-05-03 2016-01-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11016394B2 (en) 2005-05-03 2021-05-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10025196B2 (en) 2005-05-03 2018-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010118713A (ja) * 2005-05-03 2010-05-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
TWI410745B (zh) * 2005-05-03 2013-10-01 Asml荷蘭公司 微影裝置及元件製造方法
US10353296B2 (en) 2005-05-03 2019-07-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012147039A (ja) * 2005-06-28 2012-08-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR100609220B1 (ko) 2005-08-02 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 액체 공급 장치 및 이를 포함하는 노광 시스템
WO2007055373A1 (ja) * 2005-11-14 2007-05-18 Nikon Corporation 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8345217B2 (en) 2005-11-14 2013-01-01 Nikon Corporation Liquid recovery member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JPWO2007055373A1 (ja) * 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013225693A (ja) * 2007-03-15 2013-10-31 Nikon Corp リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法
JP2010171462A (ja) * 2010-04-26 2010-08-05 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法

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