KR100326432B1 - 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워 - Google Patents

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Abstract

화학 물질에 의한 공기의 오염과 웨이퍼의 패턴 프로파일의 저하를 방지할 수 있는 새로운 구조의 에어 샤워가 개시되어 있다. 프레임은 웨이퍼위에 제공되어 중앙부에는 웨이퍼의 표면상에 광을 조사하기 위한 구멍이 형성되고, 상기 구멍을 중심으로 구멍에서 멀어질수록 두껍게 형성되어 상면이 원추형 테이퍼상에 대응하는 오목부를 갖고, 하면은 개방되어 웨이퍼를 향하여 배치되며, 외측면은 폐쇄되어 있고, 내부는 외부로부터의 공기를 흡입하기 위한 공간을 구비한다. 프레임의 하면 주변부에 상기 프레임에 스터프가 물리적으로 결합된다. 스터프에는 웨이퍼의 상면을 향하여 균일한 압력으로 에어를 분출할 수 있도록 다수의 미세한 홀들이 형성되어 있다. 결합 부재는 스터프와 프레임을 물리적으로 결합한다. 에어 샤워의 프레임과 스터프간의 접합부위에 접착제를 사용하지 않아서, 접착제로부터 지속적으로 방출되는 유기 물질의 오염을 줄일 수 있다.

Description

웨이퍼 스테이지용 에어 샤워{AIR SHOWER FOR WAFER STAGE}
본 발명은 노광 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정중의 포토 공정인 노광 공정에서 사용되는 노광 장치의 에어 샤워에 관한 것이다.
미세 회로를 제조하기 위해서는, 실리콘 기판 상의 작은 영역에 불순물을 정확하게 조절하여 주입한다. 이러한 영역들이 상호 연결되어 소자 및 VLSI(very large scale integration) 회로를 형성한다. 이들 영역을 한정하기 위하여 포토리소그래피(photolithography) 공정에 의하여 형성된 패턴을 사용한다. 즉, 웨이퍼 (기판) 상에 감광성 포토레지스트를 코팅하고, 자외선, 전자선 또는 X-선 등을 설계된 마스크를 통해 얻어지는 포토레지스트층을 조사하여 이를 선택적으로 노광 시킨 다음 현상하여 상기 마스크 패턴과 동일하거나 반대인 패턴을 갖는 포토레지스트패턴을 얻게 된다. 남은 포토레지스트는 도포하고 있는 기판을 보호하게 되고, 레지스트가 제거된 부분에는 잔류하는 포토레지스트 패턴을 이용하여 기판 표면상에 각종 부가적 또는 추출적 공정을 수행한다.
반도체 소자 또는 반도체 칩은 상술한 포토 리소그래피를 포함하여, 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 반도체 공정을 거쳐 제조된다. 포토리소그래피 공정중의 포토 공정은 상기 포토 마스크를 장착한 노광장치를 사용하여 웨이퍼상에 형성된 포토 레지스트를 선택적으로 노광시켜서 포토 레지스트 패턴을 형성하는 공정이다. 이러한 노광 공정을 수행하기 위한 장치의 예가 미합중국 특허 제5963324호(issued to Minoru Murata)에 개시되어 있다.
이러한 리소그래피 기술은 반도체 제조 공정중 핵심공정의 하나로 간주되어 왔고, 미크론이하 디자인룰에서 최근에는 0.25미크론 이하의 디자인룰을 갖도록 고집적화가 진행되게 되었다. 이에 따라서, 새로운 공정의 변수들을 고려하여야 한다. 이러한 공정 변수들 중에서는 공기에 의한 화학 물질의 오염문제는 10년 전부터 대두되어 왔다. 특히, 암모니아나 아민류와 같은 화학 물질은 포토 레지스트막상에서 자외선에 의해 활성화되는 광활성 화합물(Photo Active Compound)과 반응하여 패턴의 형성을 저해하는 것으로 알려져 왔다. 따라서, 이러한 화학 물질에 의한 오염을 방지하기 위하여 케미컬 필터를 사용하여 렌즈 부근에 공기를 공급하여 외부로부터의 불순물이나 수분의 영향을 배제시키는 방법이 제시되어 있다.(일본국 특허 공개 평9-283401호 참조)
최근의 자외선을 이용한 노광설비에는 노광 장비의 렌즈 부근에는 에어 샤워를 구비시켜서 에어 샤워를 통하여 렌즈 부근에 공기를 공급하여 웨이퍼가 주변의 화학약품 물질들로부터 오염되는 것을 방지하고 있다.
도 1은 노광 설비에 에어를 공급하기 위한 공기 순환 시스템을 설명하기 위한 개략도이다. 도 1을 참조하면, 공기 조화 장치(10)의 일측에는 냉각수 라인(12)을 통하여 냉각수가 공급되고, 타측에는 순환 공기 라인(50)을 통하여 공기가 공급된다. 순환 공기 라인(50)을 통하여 공기 조화 장치(10)에 공급된 공기는 냉각수와 접촉하면서 냉각되어 화학 약품 필터 장치(20)에 공급된다. 화학 약품 필터 장치(20)에서는 화학 약품들은 필터링되어 깨끗한 공기가 제1, 제2 및 제3 공기 공급라인(50a, 50b, 50c)을 통하여 공기 분배 장치(30)로 공급된다. 먼저, 제1 공급라인(50a)을 통하여 공급된 공기는 공기 분배 장치(30)를 거쳐서 노광 장치(도시 안됨)로 공급된다. 제2 공급라인(50b)을 통하여 공급된 공기는 이 물질 입자를 거르기 위한 제1 필터(32)를 거쳐서 이 물질 입자들이 제거되고, 계속하여 웨이퍼 예비 정열 스테이지 또는 웨이퍼 이송 시스템으로 공급된다. 제3 공급 라인(50c)을 통하여 공급된 공기는 열 교환기(36)와 제2 필터(34)를 거쳐서 일정한 온도와 습도로 조정되면서, 노광 장치의 웨이퍼 스테이지의 에어 샤워로 공급된다.
도 2는 노광장치에 구비되어 있는 렌즈부(110)와 상기 렌즈부의 아래에 구비되어 있는 에어 샤워(100)를 나타내는 사시도이다. 도 3은 도 2에 도시한 렌즈부(110)와 에어 샤워(100)의 중심부의 측면도이다.
도시한 바와 같이, 에어 샤워(100)는 웨이퍼(도시 안됨)와 렌즈부(110) 사이에 구비되어 있다. 에어 샤워(100)는 상부의 프레임(120)과 상기 프레임의 하부에부착되어 있는 스터프(130)로 구성되어 있다.
프레임(120)의 중심부에는 테이퍼상으로 경사진 오목부(124)가 형성되어 있고, 중앙에는 렌즈부(110)를 통과한 광선에 웨이퍼에 조사될 수 있도록 홀(122)이 형성되어 있다. 상기 홀(122)을 중심으로 주변부로 갈수록 테이퍼상의 오목부(124)를 형성하면서 두꺼워 지고, 오목부(124)의 주변에는 편평한 편평부(126)가 형성되어 있다. 또한, 프레임(120)의 내부는 공간이 형성되어 있고, 하부는 개방되어 있으며, 측벽부(128)는 폐쇄되어 있다. 프레임(120)의 측벽부(128)의 하부 말단부(128a)와 홀(122)의 주변의 하부 말단부(122a)는 스터프(130)와 접합되어 있다.
스터프(130)는 중앙에 상기 프레임(120)의 홀(122)에 대응하는 구멍이 형성되어 있다. 스터프(130)는 내화학성 합성 섬유를 성글게 짠 직포(woven fabric)로 제조되며, 미세한 다수의 구멍들이 짜여진 섬유사이에 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 도 4는 도 3의 A부분의 확대 단면도로서, 프레임(120)의 홀(122)의 주변부의 하부 말단부(122a)와 스터프(130)의 접합 상태를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 스터프(130)는 프레임(120)의 하부에 화학 접착제(140)에 의해 부착된다.
도 1에 도시한 제3 공기 공급 라인(50c)은 상기 에어 샤워(100)의 일 측에 접속되어 에어 샤워(100)의 프레임(120)의 내부 공간에 공기를 공급한다. 공급된 공기는 스터프(130)의 구멍들을 통하여 외부로 분출되어 웨이퍼의 상부로 공급된다. 따라서, 웨이퍼 스테이지의 부위는 다른 외부에 비하여 높은 압력을 유지하게 된다. 그 결과, 주변의 이 물질들이 웨이퍼로 유입되는 것을 방지한다.
그렇지만, 이러한 에어 샤워의 사용은 최근의 초고집적화된 반도체 장치를 제조하는 데 있어서는 오히려 유기 오염 물질을 발생시키는 원인이 되고 있다. 즉, 상기 프레임과 스터프간의 접착을 위하여 사용되는 접착제로부터 지속적으로 유기 오염 물질 등이 가스의 형태로 발생한다. 또한, 스터프도 일반적인 섬유를 마무리하는 방법으로 상기 에어 샤워의 프레임에 결합되기 때문에, 섬유로부터 분리된 입자 형태나 섬유형태의 이 물질들이 웨이퍼상에 부착되어 포토 레지스트를 오염시키게 된다.
본 발명자들은 이러한 오염의 원인이 에어 샤워의 존재 때문이라는 것을 증명하기 위하여 도 1의 제3 공기 공급라인(50c)을 통하여 에어 샤워가 있는 노광장치의 웨이퍼 스테이지로 공급되었던 공기를 회수하여 제1 나웨이퍼(bare wafer)를 방치시키고, 제2 공기 공급라인(50b)을 통하여 에어 샤워가 없는 웨이퍼 이송 시스템으로 공급되었던 공기를 회수하여 제2 나웨이퍼를 방치시켰다.
나웨이퍼는 방치전에 동일하게 불산용액과 세정액을 사용하여 클리닝을 하였다. 방치시간은 각각 4시간으로 하였다. 방치후에, 각각의 웨이퍼상에 존재하는 유기물질은 분석하기 위하여 FTIR흡수도를 측정하였다. 도 5는 상기 제1 나웨이퍼와 제2 나웨이퍼상의 C-H결합을 갖는 유기물질을 분석하기 위한 챠트이고, 도 6은 상기 제1 나웨이퍼와 제2 나웨이퍼상의 C-X(X는 할로겐이다), S=O, C-N 결합을 갖는 유기물질을 분석하기 위한 챠트이다.
도 5 및 도 6에서, 점선은 에어 샤워가 있는 노광장치의 웨이퍼 스테이지로 공급되었던 공기 중에 방치된 제1 나웨이퍼상의 오염 물질을 나타낸 챠트이고, 실선은 제2 공기 공급라인(50b)을 통하여 에어 샤워가 없는 웨이퍼 이송 시스템으로 공급되었던 공기 중에 방치된 제2 나웨이퍼상의 오염물질을 나타낸 챠트이다. 도 5 및 도 6으로부터, 에어 샤워가 없는 웨이퍼 이송 시스템으로부터 회수한 공기가 오염이 덜 되었음을 알 수 있고, 에어 샤워로가 있는 웨이퍼 스테이지로부터 회수한 공기는 화학물질에 의해 비교적 오염이 많이 되었음을 알 수 있다. 이러한 오염 물질의 예로서는 1-부탄올, 3-메틸 1-헵텐, 4-메틸 1,6-디옥사시클로도데칸-7,12-디온2-헵텐, 3-메틸 2-펜타놀, 2-펜타논, 4-메틸 2-프로판올, 1-메톡시 프로피온산류, 트리메틸-2,4,4 헥센-1과 같은 유기 물질과 염소를 들 수 있다. 이러한 오염물질은 설비의 부식을 일으킬 뿐만 아니라, 렌즈 표면에 헤이즈(haze)를 발생시켜 광선의 강도를 저하시키는 원인이 된다. 또한, 유기 물질의 경우에는 웨이퍼상에 도포된 포토 레지스트중의 광활성 화합물과 반응하여 패턴의 형성을 저해하기도 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 이러한 화학 물질에 의한 공기의 오염과 웨이퍼의 패턴 프로파일의 저하를 방지할 수 있는 새로운 구조의 에어 샤워를 제공하는 것이다.
도 1은 노광 설비에 에어를 공급하기 위한 공기 순환 시스템을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는 노광장치에 구비되어 있는 렌즈부와 상기 렌즈부의 아래에 구비되어 있는 에어 샤워를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시한 렌즈부와 에어 샤워의 중심부의 측면도이다.
도 4는 도 1의 A부분의 확대 단면도이다.
도 5는 나웨이퍼상의 C-H결합을 갖는 유기물질을 분석하기 위한 챠트이다.
도 6는 나웨이퍼상의 C-X(X는 할로겐이다), S=O, C-N 결합을 갖는 유기물질을 분석하기 위한 챠트이다.
도 7는 노광장치의 렌즈부와 상기 렌즈부의 아래에 구비되어 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 에어 샤워를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시한 렌즈부와 에어 샤워의 중심부의 측면도이다.
도 9a는 도 8의 B부분의 확대 단면도이다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 결합 부재를 포함하는 에어 샤워의 프레임과 스터프의 접합부를 나타내는 확대 단면도들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
210: 렌즈부 200: 에어 샤워
220: 프레임 230: 스터프(230)
224: 에어 샤워의 오목부 222: 에어 샤워의 홀
226: 에어 샤워의 편평부 228: 에어 샤워의 측벽
222a: 홀부위의 하부 말단부 222b: 제1 절곡부
228a: 측벽의 하부 말단부 228b: 제2 절곡부
224: 실링 부재 250: 결합 부재
255: 클램프 260: 나사
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼위에 제공되어 중앙부에는 웨이퍼의 표면상에 광을 조사하기 위한 구멍이 형성되고, 상기 구멍을 중심으로 구멍에서 멀어질수록 두껍게 형성되어 상면이 원추형 테이퍼상에 대응하는 오목부를갖고, 하면은 개방되어 웨이퍼를 향하여 배치되며, 외측면은 폐쇄되어 있고, 내부는 외부로부터의 공기를 흡입하기 위한 공간을 구비하는 프레임;
상기 프레임의 하면 주변부에 상기 프레임에 물리적으로 결합되며, 상기 웨이퍼의 상면을 향하여 균일한 압력으로 에어를 분출할 수 있도록 다수의 미세한 홀들이 형성되어 있는 스터프; 및
상기 스터프와 프레임을 물리적으로 결합하기 위한 결합 수단을 구비하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워를 제공한다.
본 발명에 의하면, 에어 샤워의 프레임과 스터프간의 접합부위에 접착제를 사용하지 않는다. 따라서, 접착제로부터 지속적으로 방출되는 유기 물질의 오염을 줄일 수 있어서, 이들의 유기 물질로 발생하였던 렌즈의 헤이즈를 방지할 수 있어서, 포토 레지스트의 불량을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 7는 노광장치의 렌즈부(210)와 상기 렌즈부의 아래에 구비되어 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 에어 샤워(200)를 나타내는 사시도이다. 도 8은 도 7에 도시한 렌즈부(210)와 에어 샤워(200)의 중심부의 측면도이다.
도시한 바와 같이, 에어 샤워(200)는 웨이퍼(도시 안됨)와 렌즈부(210) 사이에 구비되어 있다. 에어 샤워(200)는 상부의 프레임(220)과 상기 프레임의 하부에 부착되어 있는 스터프(230)로 구성된다.
프레임(220)의 중심부에는 테이퍼상으로 경사진 오목부(224)가 형성되어 있고, 중앙에는 렌즈부(210)를 통과한 광선에 웨이퍼에 조사될 수 있도록 홀(222)이 형성되어 있다. 상기 홀(222)을 중심으로 주변부로 갈수록 테이퍼상의 오목부(224)를 형성하면서 두꺼워 지고, 오목부(224)의 주변에는 편평한 편평부(226)가 형성되어 있다. 또한, 프레임(220)의 내부는 공간이 형성되어 있고, 하부는 개방되어 있으며, 측벽부(228)는 폐쇄되어 있다. 프레임(220)의 측벽부(228)의 하부 말단부(228a)와 홀(222)의 주변의 하부 말단부(222a)는 스터프(230)와 접합되어 있다.
스터프(230)는 중앙에 상기 프레임(220)의 홀(222)에 대응하는 구멍이 형성되어 있다. 스터프(230)는 내화학성 합성 섬유(yarn)를 성글게 짠 직포(woven fabric)로 제조되며, 미세한 다수의 구멍들이 짜여진 섬유사이에 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 스터프(230)는 상기 프레임(220)에 결합 부재(250)에 의해 물리적으로 결합되어 있다.
도 9는 도 8의 B부분의 확대 단면도로서, 프레임(220)의 홀(222)의 주변부의 하부 말단부(222a)와 스터프(230)의 결합부재(250)를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 스터프(230)는 결합부재(250)에 의해 프레임(220)의 하부에 물리적으로 부착된다.
상기 결합부재(250)는 상기 프레임(220)의 홀(222)주변부의 하부 말단부(222a)에 상기 프레임의 내부를 향하여 U자형으로 절곡되어 있는 제1 절곡부(222b)를 포함한다. 또한, 프레임(220)의 측벽부(228)의 하부 말단부(228a)부에는 상기 제1 절곡부(222b)와 유사한 제2 절곡부(228b)가 형성되어 있다.
상기 스터프(230)는 상기 제1 및 제2 절곡부(222b, 228b)에 삽입되어 고정된다. 스터프(230)를 고정할 때, 펼쳐진 상태로 고정할 수도 있지만, 스터프의 말단에서 섬유성 파티클이 분리되는 것을 방지하기 위하여 상기 U자형으로 절곡되어 있는 제1 및 제2 절곡부(222b, 228b)의 길이만큼 또는 이보다 약간 작게 스터프(230)의 말단부를 접어서 상기 제1 및 제2 절곡부(222b, 228b)에 삽입시켜 고정한다.
또한, 필요에 따라서는 상기 스터프(230)와 프레임(220)의 제1 및 제2 절곡부(222b, 228b)간의 간극을 실링하기 위하여 실리콘 실링 부재(225)를 더 포함할 수 있다. 실리콘 실링 부재는 화학적으로 안정하여 유기 물질의 발생(outgassing)을 줄일 수 있다.
도 1에 도시한 제3 공기 공급 라인(50c)은 상기 에어 샤워(200)의 일 측에 접속되어 에어 샤워(200)의 프레임(220)의 내부 공간에 공기를 공급한다. 공급된 공기는 스터프(230)의 구멍들을 통하여 외부로 분출되어 웨이퍼의 상부로 공급된다. 따라서, 웨이퍼 스테이지의 부위는 다른 외부에 비하여 높은 압력을 유지하게 된다. 그 결과, 주변의 이 물질들이 웨이퍼로 주변으로 유입되어 웨이퍼상에 도포된 포토레지스트막이 오염되는 것을 방지한다.
본 실시예에 의하면, 화학적 접착제를 사용하지 않고, 스터프를 프레임에 고정시키기 위하여, 프레임의 말단에 U자형 절곡부를 형성한다. 상기 U자형 절곡부에 스터프를 삽입하여 고정시킨다. 또한, 미세한 틈새는 필요에 따라서, 화학적으로 안정한 실리콘 실링 부재로 처리한다.
따라서, 화학적 접착제로부터 발생하는 유기 물질과 염소의 발생을 제거할 수 있다. 또한, 스터프를 접어서 상기 절곡부에 삽입하는 경우에는 스터프의 말단부에서 방적사가 풀려서 생성되는 섬유상 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 결합 부재를 포함하는 에어 샤워의 프레임의 홀과 스터프의 홀의 접합부를 나타내는 확대 단면도들이다. 도 10a 내지 도 10d에는 도 9의 절곡부대신에 클램프(255)를 이용하여 스터프(230)를 프레임(220)에 결합시키는 것을 나타낸다.
즉, 결합 부재로서는 상기 프레임의 하면 주변부의 형상에 대응하는 형상을 갖는 클램프(255)를 포함한다. 스터프(230)는 상기 클램프(255)와 프레임 주변부(222a)사이에 고정된다.
본 발명의 제2 실시예에 의하면, 도 10a에 도시한 바와 같이, 클램프(255)는 상기 프레임(220)의 주변부(222a)의 외측에 구비된다. 상기 스터프(230)의 말단부(230a)는 상기 프레임(220)의 주변부(222a)를 감싸면서 상기 클램프(255)와 주변부(222a)의 외측간에 삽입되어 고정된다.
본 발명의 제3 실시예에 의하면, 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 클램프(255)는 상기 프레임(220)의 주변부(222a)의 내측에 구비된다. 상기 스터프(230)의 말단부(230a)는 상기 클램프(255)를 감싸면서 상기 클램프(255)와 주변부(222a)의 내측간에 삽입되어 고정된다.
본 발명의 제4 실시예에 의하면, 도 10c에 도시한 바와 같이, 상기 클램프(255)는 상기 프레임(220)의 주변부(222a)의 하면에 구비된다. 상기 스터프(230)의 말단부(230a)는 상기 접혀진 상태로 상기 클램프(255)와 주변부(222a)의 하면간에 삽입되어 고정된다. 또한, 도 10d에 도시한 바와 같이,상기 클램프(255)와 주변부(222a)의 하면간에 미세한 틈새는 안정한 실리콘 실링 부재(224)로 메워져 있다.
상기 클램프(255)를 사용하여 스터프(230)를 프레임(220)에 고정시키는 경우에는 또한, 클램프(255)를 프레임(220)에 고정하기 위한 고정 부재를 더 포함할 수 있다. 이러한 고정 부재로서는 특별한 제한은 없지만, 도 10a 및 도 10c에 도시한 바와 같이, 통상적으로 고정부재로서 널리 사용되는 나사(260) 또는 리벳을 사용하는 것이 바람직하다.
도 10a 내지 10d에는 렌즈부에 인접한 프레임(220)의 홀(222)과 스터프(230)의 홀부위의 단부를 접합시키는 결합구조만을 나타냈지만, 스터프(230)의 외주변부와 프레임 측벽 하단부(228a)와의 결합구조도 동일한 방식으로 변경할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 상기 스터프(230)는 내화학적 특성을 갖는 금속으로 구성될 수 있다. 내화학 특성이 있는 금속을 재질로 사용하는 것이 바람직하다. 사용할 수 있는 금속의 예로서는 금, 백금 등을 들 수 있다. 이러한 금속을 사용하여 금속사를 만든 다음 상기 섬유를 이용하여 방적을 하는 것과 마찬가지로 미세하게 짜거나, 기계적인 펀칭 공정을 이용하여 금속 플레이트에 미세한 홀들을 형성하여 사용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 스터프와 프레임간의 결합을 접착제와 같은 화학 물질을 사용하지 않고, 물리적인 결합구조를 채용한다. 따라서, 접착제로부터 지속적으로 방출되는 유기 물질의 오염을 줄일 수 있어서, 이들의 유기 물질로 발생하였던 렌즈의 헤이즈을 방지할 수 있어서, 웨이퍼상에 형성된 포토 레지스트의 불량을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서 다양한 개량이나 변형이 가능하고, 이러한 개량이나 변형 또한 본 발명에 속한다는 것은 당업자라면 인지할 수 있을 것이다.

Claims (13)

  1. 웨이퍼위에 제공되어 중앙부에는 웨이퍼의 표면상에 광을 조사하기 위한 구멍이 형성되고, 상기 구멍을 중심으로 구멍에서 멀어질수록 두껍게 형성되어 상면이 원추형 테이퍼상에 대응하는 오목부를 갖고, 하면은 개방되어 웨이퍼를 향하여 배치되며, 외측면은 폐쇄되어 있고, 내부는 외부로부터의 공기를 흡입하기 위한 공간을 구비하는 프레임;
    상기 프레임의 하면 주변부에 상기 프레임에 물리적으로 결합되며, 상기 웨이퍼의 상면을 향하여 균일한 압력으로 에어를 분출할 수 있도록 다수의 미세한 홀들이 형성되어 있는 스터프; 및
    상기 스터프와 프레임을 물리적으로 결합하기 위한 결합 수단을 구비하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스터프는 섬유(yarn)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  3. 제2항에 있어서, 상기 결합 수단은 상기 스터프와의 접합부에 상기 프레임의 내부를 향하여 U자로 절곡되어 있는 절곡부를 포함하고, 상기 스터프는 상기 절곡부에 삽입되어 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  4. 제2항에 있어서, 상기 결합 수단은 상기 프레임의 하면 주변부의 형상에 대응하는 형상을 갖는 클램프를 포함하고, 상기 클램프와 프레임 주변부사이에 상기 스터프가 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  5. 제4항에 있어서, 상기 클램프는 상기 프레임의 주변부의 외측에 구비되고, 상기 스터프의 말단부는 상기 프레임의 주변부를 감싸면서 상기 클램프와 주변부의 외측간에 삽입되어 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  6. 제4항에 있어서, 상기 클램프는 상기 프레임의 주변부의 내측에 구비되고, 상기 스터프의 말단부는 상기 클램프를 감싸면서 상기 클램프와 주변부의 내측간에 삽입되어 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  7. 제4항에 있어서, 상기 클램프는 상기 프레임의 주변부의 하면에 구비되고, 상기 스터프의 말단부는 상기 접혀진 상태로 상기 클램프와 주변부의 하면간에 삽입되어 고정되는 것을 특징으로 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  8. 제4항에 있어서, 상기 결합 수단은 상기 클램프와 프레임을 물리적으로 결합하여 고정하기 위한 고정 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  9. 제7항에 있어서, 상기 고정 부재는 나사 또는 리벳인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  10. 제1항에 있어서, 상기 결합 수단은 상기 스터프와 프레임간의 간극을 실링하기 위한 실리콘 접착 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  11. 제1항에 있어서, 상기 스터프는 상기 프레임과의 결합부위에서 끝부분을 접은 상태로 상기 프레임과 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  12. 제1항에 있어서, 상기 스터프는 내화학적 특성을 갖는 금속으로 구성되어 있고, 상기 결합 수단은 납땜 부재인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
  13. 제9항에 있어서, 상기 금속은 금 또는 백금인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스테이지용 에어 샤워.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6801301B2 (en) * 2001-10-12 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
KR100568032B1 (ko) * 2003-06-24 2006-04-05 동부아남반도체 주식회사 포토레지스트 코팅불량 감지방법 및 그 검출장치
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7426651B2 (en) * 2004-07-19 2008-09-16 Sony Corporation System and method for encoding independent clock using communication system reference clock
US7432513B2 (en) * 2005-10-21 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Gas shower, lithographic apparatus and use of a gas shower
CN107783283B (zh) * 2016-08-30 2020-01-24 上海微电子装备(集团)股份有限公司 镜片防污染装置及方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
US5685895A (en) * 1994-08-10 1997-11-11 Nikon Corporation Air cleaning apparatus used for an exposure apparatus
US5825470A (en) * 1995-03-14 1998-10-20 Nikon Corporation Exposure apparatus
TW284907B (en) * 1995-06-07 1996-09-01 Cauldron Lp Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation
JPH09115800A (ja) 1995-10-16 1997-05-02 Nikon Corp 露光装置
JPH09283401A (ja) 1996-04-09 1997-10-31 Nikon Corp 露光装置
US6394109B1 (en) * 1999-04-13 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system

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