JPH11204396A - 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 - Google Patents
半導体製造システムおよびデバイス製造方法Info
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- JPH11204396A JPH11204396A JP10002270A JP227098A JPH11204396A JP H11204396 A JPH11204396 A JP H11204396A JP 10002270 A JP10002270 A JP 10002270A JP 227098 A JP227098 A JP 227098A JP H11204396 A JPH11204396 A JP H11204396A
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- Japan
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- exposure apparatus
- semiconductor manufacturing
- manufacturing system
- coater
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置とコータ・デベロッパのインライン
システムにおいて、インライン接続部から漏れ込むガス
状化学物質を軽減すること。 【解決手段】 露光装置とコータ・デベロッパとが接続
され、これらの間の基板受け渡し経路に外部と遮断可能
な空間が形成された半導体製造システムであって、該空
間から露光装置への有害化学物質の侵入を防止する手段
を設けたことを特徴とする。
システムにおいて、インライン接続部から漏れ込むガス
状化学物質を軽減すること。 【解決手段】 露光装置とコータ・デベロッパとが接続
され、これらの間の基板受け渡し経路に外部と遮断可能
な空間が形成された半導体製造システムであって、該空
間から露光装置への有害化学物質の侵入を防止する手段
を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスの製
造に好適に用いられる半導体製造システムの技術分野に
属する。
造に好適に用いられる半導体製造システムの技術分野に
属する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、液晶パネル等の半導体デ
バイスの製造工程においては、基板（半導体ウエハ基板
やガラス基板）に対して多くの処理を施すが、中でもパ
ターン焼き付けのための露光プロセス、ならびにその前
後に行なうレジスト塗布プロセス、現像プロセスは半導
体製造の要となる重要なプロセスである。これらプロセ
スを行なう処理装置として、露光装置（ステッパ、スキ
ャナ）、コータ・デベロッパなどの装置が知られてい
る。
バイスの製造工程においては、基板（半導体ウエハ基板
やガラス基板）に対して多くの処理を施すが、中でもパ
ターン焼き付けのための露光プロセス、ならびにその前
後に行なうレジスト塗布プロセス、現像プロセスは半導
体製造の要となる重要なプロセスである。これらプロセ
スを行なう処理装置として、露光装置（ステッパ、スキ
ャナ）、コータ・デベロッパなどの装置が知られてい
る。
【０００３】これら装置は単独で使われる場合もある
が、最近では、露光装置とコータ・デベロッパをインラ
インで接続して配置し、露光装置とコータ・デベロッパ
間の基板受け渡しをロボットで行なうことにより、基板
への感光剤の塗布、露光、現像といった一連の処理を自
動化させるインラインシステムと呼ばれる使い方をする
ことが多い。
が、最近では、露光装置とコータ・デベロッパをインラ
インで接続して配置し、露光装置とコータ・デベロッパ
間の基板受け渡しをロボットで行なうことにより、基板
への感光剤の塗布、露光、現像といった一連の処理を自
動化させるインラインシステムと呼ばれる使い方をする
ことが多い。
【０００４】一般に、インラインシステムでは、露光装
置を収納するチャンバとコータ・デベロッパのチャンバ
の隣接するそれぞれの壁面に開口部を設け、この開口部
を通してロボットハンドにより基板の受渡しが行なわれ
ている。
置を収納するチャンバとコータ・デベロッパのチャンバ
の隣接するそれぞれの壁面に開口部を設け、この開口部
を通してロボットハンドにより基板の受渡しが行なわれ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、長期間にわたり装置を運転させると、そ
の結果、露光装置内の光源装置や照明光学系内に配置さ
れているミラ−やレンズ等の光学部材が曇ってしまい、
露光光の照度劣化や照度むらにより装置性能が低下する
可能性がある。この曇りの発生する場所を調査したとこ
ろ、いずれも光源の発光部や光学系によって集光された
光のエネルギ強度の高い位置に近接して配置された光学
部材であることが判明した。
記従来例では、長期間にわたり装置を運転させると、そ
の結果、露光装置内の光源装置や照明光学系内に配置さ
れているミラ−やレンズ等の光学部材が曇ってしまい、
露光光の照度劣化や照度むらにより装置性能が低下する
可能性がある。この曇りの発生する場所を調査したとこ
ろ、いずれも光源の発光部や光学系によって集光された
光のエネルギ強度の高い位置に近接して配置された光学
部材であることが判明した。
【０００６】また、特開平４−１２８７０２号公報や特
開平４−１３９４５３号公報にも開示されているよう
に、この曇りの物質の多くが硫酸アンモニウム（NH4)2S
O4であることが判明している。またこれら物質の発生源
としては基板と感光剤の密着強化剤として使われるＨＭ
ＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）や建築物内のコンクリ
ートから発生するアンモニア蒸気 (NH3)、基板上の感光
剤を剥離するために使用される硫酸 (H2SO4)等が考えら
れる。上述のＨＭＤＳについては、コータ内で使用され
ているため、インラインシステムにおいてコータ内の圧
力が露光装置を囲むチャンバ内の圧力より高い場合、基
板受渡し開口部を通って露光装置側の雰囲気中にＨＭＤ
Ｓの蒸気が侵入する可能性がある。
開平４−１３９４５３号公報にも開示されているよう
に、この曇りの物質の多くが硫酸アンモニウム（NH4)2S
O4であることが判明している。またこれら物質の発生源
としては基板と感光剤の密着強化剤として使われるＨＭ
ＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）や建築物内のコンクリ
ートから発生するアンモニア蒸気 (NH3)、基板上の感光
剤を剥離するために使用される硫酸 (H2SO4)等が考えら
れる。上述のＨＭＤＳについては、コータ内で使用され
ているため、インラインシステムにおいてコータ内の圧
力が露光装置を囲むチャンバ内の圧力より高い場合、基
板受渡し開口部を通って露光装置側の雰囲気中にＨＭＤ
Ｓの蒸気が侵入する可能性がある。
【０００７】ところで、露光装置において外気導入口ｏ
ａからチャンバ内に侵入するガス状化学物質を課題認識
して対策を施したものとして、特開平７−１３０６１３
号公報に開示された発明がある。しかし、インラインシ
ステムにおける基板受け渡し開口部からの侵入までは考
慮されていない。
ａからチャンバ内に侵入するガス状化学物質を課題認識
して対策を施したものとして、特開平７−１３０６１３
号公報に開示された発明がある。しかし、インラインシ
ステムにおける基板受け渡し開口部からの侵入までは考
慮されていない。
【０００８】本発明は上記従来技術が有する課題を解決
すべくなされたもので、露光装置とコータ・デベロッパ
のインラインシステムにおいて、インライン接続部から
漏れ込むガス状化学物質を軽減することによって、従来
以上に高精度なデバイス製造を可能とした半導体製造シ
ステムやデバイス製造方法を提供することを目的とす
る。
すべくなされたもので、露光装置とコータ・デベロッパ
のインラインシステムにおいて、インライン接続部から
漏れ込むガス状化学物質を軽減することによって、従来
以上に高精度なデバイス製造を可能とした半導体製造シ
ステムやデバイス製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、露光装置とコータ・デベロッパとがインライ
ン接続された半導体製造システムであって、該インライ
ン接続部から侵入するガス状化学物質を除去する手段を
設けたことを特徴とする。
本発明は、露光装置とコータ・デベロッパとがインライ
ン接続された半導体製造システムであって、該インライ
ン接続部から侵入するガス状化学物質を除去する手段を
設けたことを特徴とする。
【００１０】ここで該除去手段は、前記インライン接続
部から前記露光装置側に侵入するガス状化学物質を除去
する。
部から前記露光装置側に侵入するガス状化学物質を除去
する。
【００１１】好ましくは、前記露光装置と前記コータ・
デベロッパとの間の基板受け渡し経路に外部と遮断可能
な空間を形成する。
デベロッパとの間の基板受け渡し経路に外部と遮断可能
な空間を形成する。
【００１２】また、前記除去手段は例えば、前記空間内
を排気する排気手段を有する、もしくは目的の化学物質
を除去するケミカルフィルタを介して清浄な気体を供給
する手段を有する。
を排気する排気手段を有する、もしくは目的の化学物質
を除去するケミカルフィルタを介して清浄な気体を供給
する手段を有する。
【００１３】また好ましくは、前記空間内の雰囲気中に
含まれるガス状化学物質の濃度を検知する検知手段を設
ける。該検知手段は、アンモニウムイオン（ＮＨ4 +）、
硫酸イオン（ＳＯ4 2-）、またはアンモニア（ＮＨ3）を
検知する。
含まれるガス状化学物質の濃度を検知する検知手段を設
ける。該検知手段は、アンモニウムイオン（ＮＨ4 +）、
硫酸イオン（ＳＯ4 2-）、またはアンモニア（ＮＨ3）を
検知する。
【００１４】また好ましくは、前記検知手段は、イオン
クロマトグラフィ法、拡散スクライバー式イオンクロマ
ト法、または発色テープ法を検出原理としたものであ
る。
クロマトグラフィ法、拡散スクライバー式イオンクロマ
ト法、または発色テープ法を検出原理としたものであ
る。
【００１５】また好ましくは、前記空間と露光装置との
間、ならびに前記空間と前記コータ・デベロッパの間の
少なくとも一方に自動開閉式の扉もしくはエアカーテン
を発生させる機構を設ける。
間、ならびに前記空間と前記コータ・デベロッパの間の
少なくとも一方に自動開閉式の扉もしくはエアカーテン
を発生させる機構を設ける。
【００１６】また、前記空間は、前室は前記露光装置と
前記コータデベロッパの間、もしくは前記露光装置また
は前記コータ・デベロッパに含まれる空間に形成され
る。
前記コータデベロッパの間、もしくは前記露光装置また
は前記コータ・デベロッパに含まれる空間に形成され
る。
【００１７】また、前記露光装置はチャンバ内に収納さ
れ、該チャンバ内の空調を行う空調装置を有する。
れ、該チャンバ内の空調を行う空調装置を有する。
【００１８】本発明のデバイス製造方法は、上記いずれ
か記載の半導体製造システムを用いてデバイスを製造す
ることを特徴とする。
か記載の半導体製造システムを用いてデバイスを製造す
ることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は露光装置（ステッパ又はス
キャナ）とコータ・デベロッパを接続したインライン半
導体製造システムの全体構成図である。
キャナ）とコータ・デベロッパを接続したインライン半
導体製造システムの全体構成図である。
【００２０】まず露光装置側から説明する。１は露光装
置本体を収納する露光装置チャンバ、２はフォト原版
（以下、レチクルという）、３は基板（半導体ウエハ基
板やガラス基板）である。光源装置４から出た光束が照
明光学系５を通ってレチクル２を照明して、投影レンズ
６によりレチクル２上のパタ−ンを基板３上の感光層に
転写することができる。光源装置４は例えば光源として
の超高圧水銀灯と楕円鏡やレンズ等の光学部材で構成さ
れ、また例えば光源としてのエキシマレーザとレーザビ
ームを所定の形状に形成する光学系で構成されている。
置本体を収納する露光装置チャンバ、２はフォト原版
（以下、レチクルという）、３は基板（半導体ウエハ基
板やガラス基板）である。光源装置４から出た光束が照
明光学系５を通ってレチクル２を照明して、投影レンズ
６によりレチクル２上のパタ−ンを基板３上の感光層に
転写することができる。光源装置４は例えば光源として
の超高圧水銀灯と楕円鏡やレンズ等の光学部材で構成さ
れ、また例えば光源としてのエキシマレーザとレーザビ
ームを所定の形状に形成する光学系で構成されている。
【００２１】レチクル２はレチクル２を保持、移動する
ためのレチクルステージ７により支持されている。基板
３は基板チャック９１により真空吸着された状態で露光
される。基板チャック９１は基板ステージ９により各軸
方向に移動可能である。レチクル２の上側にはレチクル
の位置ずれ量を検出するためのレチクル光学系８１が配
置される。基板ステージ９の上方に、投影レンズ６に隣
接してオフアクシス顕微鏡８２が配置されている。オフ
アクシス顕微鏡８２は非露光光（白色光）を扱う単眼の
顕微鏡であり、内部の基準マークと基板３上のアライメ
ントマークとの相対位置検出を行うのが主たる役割であ
る。
ためのレチクルステージ７により支持されている。基板
３は基板チャック９１により真空吸着された状態で露光
される。基板チャック９１は基板ステージ９により各軸
方向に移動可能である。レチクル２の上側にはレチクル
の位置ずれ量を検出するためのレチクル光学系８１が配
置される。基板ステージ９の上方に、投影レンズ６に隣
接してオフアクシス顕微鏡８２が配置されている。オフ
アクシス顕微鏡８２は非露光光（白色光）を扱う単眼の
顕微鏡であり、内部の基準マークと基板３上のアライメ
ントマークとの相対位置検出を行うのが主たる役割であ
る。
【００２２】また、これら露光装置本体に隣接して周辺
装置であるレチクルライブラリ２０や基板キャリアエレ
ベータ３０が配置され、必要なレチクルや基板はレチク
ル搬送装置２１および基板搬送装置３１によって露光装
置本体に搬送される。
装置であるレチクルライブラリ２０や基板キャリアエレ
ベータ３０が配置され、必要なレチクルや基板はレチク
ル搬送装置２１および基板搬送装置３１によって露光装
置本体に搬送される。
【００２３】また、露光装置チャンバ１内に収納される
露光装置本体や周辺装置の空調装置が設けられており、
これは主に空気の温度調整を行う空調気室１０および微
小異物を濾過し清浄空気の均一な流れを形成するフィル
タボックス１３、また装置環境を外部と遮断するブース
１４で構成されている。空調機室１０内にある冷却器１
５および再熱ヒータ１６により温度調整された空気が、
送風機１７によりエアフィルタｇを介してブース１４内
に供給される。ブース１４に供給された空気はリターン
口ｒａより再度空調機室１０に取り込まれて循環する。
なお厳密には完全な循環系ではなく、ブース１４内を常
時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブース１４内の
空気を空調機室１０に設けられた外気導入口ｏａにより
送風機を介して導入している。
露光装置本体や周辺装置の空調装置が設けられており、
これは主に空気の温度調整を行う空調気室１０および微
小異物を濾過し清浄空気の均一な流れを形成するフィル
タボックス１３、また装置環境を外部と遮断するブース
１４で構成されている。空調機室１０内にある冷却器１
５および再熱ヒータ１６により温度調整された空気が、
送風機１７によりエアフィルタｇを介してブース１４内
に供給される。ブース１４に供給された空気はリターン
口ｒａより再度空調機室１０に取り込まれて循環する。
なお厳密には完全な循環系ではなく、ブース１４内を常
時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブース１４内の
空気を空調機室１０に設けられた外気導入口ｏａにより
送風機を介して導入している。
【００２４】また光源装置４等の冷却のためブース１４
内の空気の一部を工場設備に強制排気するため、この排
気流量に見合う量の外気導入が付加される。ブース１４
を陽圧に保つ理由は、ブース１４にある微小な隙間を通
してブース１４外より微小異物がブース１４内に侵入す
るのを防止するためである。光源装置４には超高圧水銀
灯の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口
ｅａが設けられ、ブース１４内の空気の一部が光源装置
４を経由し、空調機室１０に備えられた専用の排気ファ
ンを介して工場設備に強制排気されている。
内の空気の一部を工場設備に強制排気するため、この排
気流量に見合う量の外気導入が付加される。ブース１４
を陽圧に保つ理由は、ブース１４にある微小な隙間を通
してブース１４外より微小異物がブース１４内に侵入す
るのを防止するためである。光源装置４には超高圧水銀
灯の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口
ｅａが設けられ、ブース１４内の空気の一部が光源装置
４を経由し、空調機室１０に備えられた専用の排気ファ
ンを介して工場設備に強制排気されている。
【００２５】以上の露光装置と、コータとデベロッパを
両者一体化したコータデベロッパ４０とはインラインシ
ステムで接続されている。インラインの基板受渡し経路
（ｗｃ）は外気から遮断され前室（ｐｒ）を形成されて
いる。この前室ｐｒには。コータ・デベロッパから侵入
する化学物質を除去するための排気装置（ｅｓ）と化学
物質の濃度を検知する検知手段であるモニタ手段（Ｍ）
とが備えられている。このモニタ手段Ｍは、例えばイオ
ンクロマトグラフィ法、拡散スクライバー式イオンクロ
マト法、発色テープ法など検出原理としたものが採用さ
れ、アンモニウムイオン（ＮＨ4 +）、硫酸イオン（ＳＯ
4 2-）、またはアンモニア（ＮＨ3）などを検知する。
両者一体化したコータデベロッパ４０とはインラインシ
ステムで接続されている。インラインの基板受渡し経路
（ｗｃ）は外気から遮断され前室（ｐｒ）を形成されて
いる。この前室ｐｒには。コータ・デベロッパから侵入
する化学物質を除去するための排気装置（ｅｓ）と化学
物質の濃度を検知する検知手段であるモニタ手段（Ｍ）
とが備えられている。このモニタ手段Ｍは、例えばイオ
ンクロマトグラフィ法、拡散スクライバー式イオンクロ
マト法、発色テープ法など検出原理としたものが採用さ
れ、アンモニウムイオン（ＮＨ4 +）、硫酸イオン（ＳＯ
4 2-）、またはアンモニア（ＮＨ3）などを検知する。
【００２６】前室ｐｒの両側には２枚の開閉扉（Ｄ１，
Ｄ２）を備えている。これら扉Ｄ１，Ｄ２は露光装置と
コータ・デベロッパの基板受け渡し開口部を介して基板
受け渡しを行なうことを知らせる識別信号に応じて自動
で開閉すると共に、モニタ手段Ｍにより検知した化学物
質の濃度がある規定値を越えた場合には開不能となるよ
うな電気的なロック機能を有する。
Ｄ２）を備えている。これら扉Ｄ１，Ｄ２は露光装置と
コータ・デベロッパの基板受け渡し開口部を介して基板
受け渡しを行なうことを知らせる識別信号に応じて自動
で開閉すると共に、モニタ手段Ｍにより検知した化学物
質の濃度がある規定値を越えた場合には開不能となるよ
うな電気的なロック機能を有する。
【００２７】コータ・デベロッパ４０から搬出された基
板３″は、扉Ｄ１を通り前室ｐｒに入る。次に、前室ｐ
ｒ内（各扉にて閉ざされた空間）にて基板雰囲気中に含
まれるガス状化学物質が除去される。ガス状化学物質の
濃度がある規定値以下になると、扉Ｄ２が開き露光装置
内へ搬入される。一方、露光装置からコータ・デベロッ
パに基板が搬出される場合も同様に、前室にてガス状化
学物質を除去した後にコータ・デベロッパ内に搬入され
る。
板３″は、扉Ｄ１を通り前室ｐｒに入る。次に、前室ｐ
ｒ内（各扉にて閉ざされた空間）にて基板雰囲気中に含
まれるガス状化学物質が除去される。ガス状化学物質の
濃度がある規定値以下になると、扉Ｄ２が開き露光装置
内へ搬入される。一方、露光装置からコータ・デベロッ
パに基板が搬出される場合も同様に、前室にてガス状化
学物質を除去した後にコータ・デベロッパ内に搬入され
る。
【００２８】これによって、ファンを備えた排気装置ｅ
ｓにより工場設備へ強制排気し、扉Ｄ１，Ｄ２にて基板
受け渡し開口部を遮断することで、露光装置に侵入する
アンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や硫酸イオン（Ｓ
Ｏ4 2-）等の目的化学物質を効果的に除去することがで
きる。
ｓにより工場設備へ強制排気し、扉Ｄ１，Ｄ２にて基板
受け渡し開口部を遮断することで、露光装置に侵入する
アンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や硫酸イオン（Ｓ
Ｏ4 2-）等の目的化学物質を効果的に除去することがで
きる。
【００２９】なお、前室にてガス状化学物質を除去する
には、上述のように排気手段によって工場設備へ強制排
気させる方法のほかに、目的化学物質を吸着除去するケ
ミカルフィルタを設けて、これで清浄にされたクリーン
な気体を受け渡し経路上に供給するようにしても良い。
には、上述のように排気手段によって工場設備へ強制排
気させる方法のほかに、目的化学物質を吸着除去するケ
ミカルフィルタを設けて、これで清浄にされたクリーン
な気体を受け渡し経路上に供給するようにしても良い。
【００３０】また、別の変形例として、扉の代わりに図
２に示すように、２個所にエアカーテン（ｅｋ１，ｅｋ
２）を形成しても、前記露光装置内に侵入するガス状化
学物質を除去することができる。この場合、吹きつけ方
向は基板面に対し、垂直に吹きつける場合と平行に吹き
つける場合とが考えられるが、垂直吹きつけの場合は基
板面の抵抗が大きく外部との遮断が困難となる場合があ
る。それに対し、平行吹きつけは基板自身の抵抗が小さ
いので、外部との遮断がより効果的となる。よって図２
に図示するように基板面に対して平行な方向もしくは斜
め方向から吹き付けてエアーカーテンを形成することが
好ましい、なお本例では、前室を露光装置とコータ・デ
ベロッパの間に配置しているが、変形例として、前室を
前記露光装置または前記コータデベロッパに含まれる箇
所に形成してもよい。
２に示すように、２個所にエアカーテン（ｅｋ１，ｅｋ
２）を形成しても、前記露光装置内に侵入するガス状化
学物質を除去することができる。この場合、吹きつけ方
向は基板面に対し、垂直に吹きつける場合と平行に吹き
つける場合とが考えられるが、垂直吹きつけの場合は基
板面の抵抗が大きく外部との遮断が困難となる場合があ
る。それに対し、平行吹きつけは基板自身の抵抗が小さ
いので、外部との遮断がより効果的となる。よって図２
に図示するように基板面に対して平行な方向もしくは斜
め方向から吹き付けてエアーカーテンを形成することが
好ましい、なお本例では、前室を露光装置とコータ・デ
ベロッパの間に配置しているが、変形例として、前室を
前記露光装置または前記コータデベロッパに含まれる箇
所に形成してもよい。
【００３１】以上のように、露光装置とコータ・デベロ
ッパ間での基板受け渡し経路上に、ガス状化学物質を除
去する装置を設けるようにしたため、アンモニウムイオ
ン（ＮＨ4 +）、硫酸イオン（ＳＯ4 2-）、またはアンモ
ニア（ＮＨ3）をはじめとするガス状化学物質が除去さ
れた空気がチャンバ内に侵入することを防止できる。こ
れにより、チャンバ内の空気に接する光源装置や照明光
学系内の光学部材を白濁させる原因となる（ＮＨ4）2Ｓ
Ｏ4の生成を防止して露光光の照度劣化を最小限に抑え
ることができる。
ッパ間での基板受け渡し経路上に、ガス状化学物質を除
去する装置を設けるようにしたため、アンモニウムイオ
ン（ＮＨ4 +）、硫酸イオン（ＳＯ4 2-）、またはアンモ
ニア（ＮＨ3）をはじめとするガス状化学物質が除去さ
れた空気がチャンバ内に侵入することを防止できる。こ
れにより、チャンバ内の空気に接する光源装置や照明光
学系内の光学部材を白濁させる原因となる（ＮＨ4）2Ｓ
Ｏ4の生成を防止して露光光の照度劣化を最小限に抑え
ることができる。
【００３２】また、基板搬送経路を外気と遮断し、各開
口部に扉やエアカーテンを設けることで、空調空間の均
一な温調が可能となる。したがって、露光装置の初期歩
留りを長期間維持することが可能となる。
口部に扉やエアカーテンを設けることで、空調空間の均
一な温調が可能となる。したがって、露光装置の初期歩
留りを長期間維持することが可能となる。
【００３３】また、チャンバ内部の圧力を更に高く保て
るので、クリーンルーム内部圧力の設定範囲を広げるこ
とができる。
るので、クリーンルーム内部圧力の設定範囲を広げるこ
とができる。
【００３４】＜デバイス製造方法の実施例＞次に上記説
明した半導体製造システムを利用したデバイス製造方法
の実施形態を説明する。図３は微小デバイス（ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気
ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ス
テップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行
なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターン
を形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（基板
製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いて基板を製
造する。ステップ４（基板プロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクと基板を用いて、リソグラフィ
技術によって基板上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製された基板を用いて半導体チップ化する工程で
あり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
明した半導体製造システムを利用したデバイス製造方法
の実施形態を説明する。図３は微小デバイス（ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気
ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ス
テップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行
なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターン
を形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（基板
製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いて基板を製
造する。ステップ４（基板プロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクと基板を用いて、リソグラフィ
技術によって基板上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製された基板を用いて半導体チップ化する工程で
あり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３５】図４は上記基板プロセスの詳細なフローを
示す。ステップ１１（酸化）では基板の表面を酸化させ
る。ステップ１２（ＣＶＤ）では基板表面に絶縁膜を形
成する。ステップ１３（電極形成）では基板上に電極を
蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）
では基板にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト
処理）では基板にレジストを塗布する。ステップ１６
（露光）ではマスクの回路パターンを基板の複数のショ
ット領域に並べて焼付露光する。ステップ１７（現像）
では露光した基板を現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ス
テップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰
り返し行なうことによって、基板上に多重に回路パター
ンが形成される。
示す。ステップ１１（酸化）では基板の表面を酸化させ
る。ステップ１２（ＣＶＤ）では基板表面に絶縁膜を形
成する。ステップ１３（電極形成）では基板上に電極を
蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）
では基板にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト
処理）では基板にレジストを塗布する。ステップ１６
（露光）ではマスクの回路パターンを基板の複数のショ
ット領域に並べて焼付露光する。ステップ１７（現像）
では露光した基板を現像する。ステップ１８（エッチン
グ）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ス
テップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰
り返し行なうことによって、基板上に多重に回路パター
ンが形成される。
【００３６】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高精度デバイスを低コストに製造するこ
とができる。
造が難しかった高精度デバイスを低コストに製造するこ
とができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、インラインシステ
ムの接続部から漏れ込むガス状化学物質を軽減すること
によって、従来以上に高精度なデバイス製造を可能とし
た半導体製造システムやデバイス製造方法を提供するこ
とができる。
ムの接続部から漏れ込むガス状化学物質を軽減すること
によって、従来以上に高精度なデバイス製造を可能とし
た半導体製造システムやデバイス製造方法を提供するこ
とができる。
【図１】実施形態のインライン半導体露光システムの全
体構成図
体構成図
【図２】図１のシステムの変形例の要部説明図
【図３】半導体デバイス製造フローを示す図
【図４】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図
１ 露光装置チャンバ ２，２′ レチクル ３，３′，３″ 基板 ４ 光源装置 ５ 照明光学系 ６ 投影レンズ ７ レチクルステージ ９ 基板ステージ １０ 空調機室 １３ フィルタボックス １４ ブース １７ 送風機 ４０ コータ・デベロッパ ８１ レチクル顕微鏡 ８２ オフアクシス顕微鏡 ｅｓ 排気装置 ｇ エアフィルタ ｏａ 外気導入口 ｒａ リターン口 ｗｃ 基板受け渡し経路 Ｄ１，Ｄ２ 自動開閉式扉 Ｍ ガス状化学物質検知モニタ ｅｋ１，ｅｋ２ エアカーテン発生装置 ｐｒ 前室
Claims (13)
- 【請求項１】 露光装置とコータ・デベロッパとがイン
ライン接続された半導体製造システムであって、該イン
ライン接続部から侵入するガス状化学物質を除去する手
段を設けたことを特徴とする半導体製造システム。 - 【請求項２】 前記除去手段は、前記インライン接続部
から前記露光装置側に侵入するガス状化学物質を除去す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体製造システ
ム。 - 【請求項３】 前記露光装置と前記コータ・デベロッパ
との間の基板受け渡し経路に外部と遮断可能な空間を形
成したことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体製
造システム。 - 【請求項４】 前記除去手段は、前記空間内を排気する
排気手段を有することを特徴とする請求項３記載の半導
体製造システム。 - 【請求項５】 前記除去手段は、目的の化学物質を除去
するケミカルフィルタを介して清浄な気体を供給する手
段を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導
体製造システム。 - 【請求項６】 前記空間内の雰囲気中に含まれるガス状
化学物質の濃度を検知する検知手段を設けたことを特徴
とする請求項３記載の半導体製造システム。 - 【請求項７】 前記検知手段は、アンモニウムイオン
（ＮＨ4 +）、硫酸イオン（ＳＯ4 2-）、またはアンモニ
ア（ＮＨ3）を検知することを特徴とする請求項６記載
の半導体製造システム。 - 【請求項８】 前記検知手段は、イオンクロマトグラフ
ィ法、拡散スクライバー式イオンクロマト法、または発
色テープ法を検出原理としたものであることを特徴とす
る請求項６記載の半導体製造システム。 - 【請求項９】 前記空間と露光装置との間、ならびに前
記空間と前記コータ・デベロッパの間の少なくとも一方
に自動開閉式の扉を設けたことを特徴とする請求項３又
は６記載の半導体製造システム。 - 【請求項１０】 前記空間と露光装置との間、ならびに
前記空間と前記コータ・デベロッパとの間の少なくとも
一方にエアカーテンを発生させる機構を設けたことを特
徴とする請求項３又は６記載の半導体製造システム。 - 【請求項１１】 前記空間は、前室は前記露光装置と前
記コータデベロッパの間、もしくは前記露光装置または
前記コータ・デベロッパに含まれる空間に形成されるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体製造システム。 - 【請求項１２】 前記露光装置はチャンバ内に収納さ
れ、該チャンバ内の空調を行う空調装置を有することを
特徴とする請求項１乃至１１のいずれか記載の半導体製
造システム。 - 【請求項１３】 請求項１乃至１２のいずれか記載の半
導体製造システムを用いてデバイスを製造することを特
徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10002270A JPH11204396A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 |
| US09/225,708 US6356338B2 (en) | 1998-01-08 | 1999-01-06 | Semiconductor production system with an in-line subsystem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10002270A JPH11204396A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204396A true JPH11204396A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11524691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10002270A Pending JPH11204396A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6356338B2 (ja) |
| JP (1) | JPH11204396A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002067303A1 (fr) * | 2001-02-19 | 2002-08-29 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, dispositif d'exposition et procede de production du dispositif |
| US6875281B2 (en) | 2000-05-11 | 2005-04-05 | Tokyo Electron Limited | Method and system for coating and developing |
| JP2006183929A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
| JP2007067099A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2007170813A (ja) * | 2006-12-26 | 2007-07-05 | Hokkaido Univ | クリーンユニット−プロセス装置融合システム、クリーンユニットシステム、クリーンユニット、連結クリーンユニット、ポータブルクリーンユニットおよびプロセス方法 |
| JP2008232612A (ja) * | 2008-03-19 | 2008-10-02 | Hokkaido Univ | クリーンユニット、連結クリーンユニットおよびプロセス方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274050A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2000055891A1 (fr) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Nikon Corporation | Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif |
| AU4779700A (en) * | 1999-05-27 | 2000-12-18 | Nikon Corporation | Exposure system, method of manufacturing device, and method of environmental control of exposure system |
| JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP2001274054A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Canon Inc | 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場 |
| JP4466811B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2010-05-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2002158170A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4759272B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-08-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 露光装置 |
| JP5305568B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法 |
| CN102213908B (zh) * | 2010-04-06 | 2013-05-15 | 王金志 | 全旋转扩印立体照片的曝光装置 |
| JP6681572B2 (ja) * | 2016-02-26 | 2020-04-15 | 株式会社東京精密 | 搬送ユニット及びプローバ |
| US11133208B2 (en) * | 2017-05-31 | 2021-09-28 | Tdk Corporation | EFEM and method of introducing dry air thereinto |
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| US5043299B1 (en) * | 1989-12-01 | 1997-02-25 | Applied Materials Inc | Process for selective deposition of tungsten on semiconductor wafer |
| JP3266156B2 (ja) | 1990-09-19 | 2002-03-18 | 株式会社ニコン | 照明用光源装置および露光装置 |
| JPH04139453A (ja) | 1990-10-01 | 1992-05-13 | Fujitsu Ltd | 露光装置及びその空冷方法 |
| JP3061980B2 (ja) | 1993-06-28 | 2000-07-10 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
| DE69535412D1 (de) * | 1994-04-08 | 2007-04-12 | Canon Kk | Verarbeitungssystem zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
| US5625433A (en) * | 1994-09-29 | 1997-04-29 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for developing resist coated on a substrate |
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1998
- 1998-01-08 JP JP10002270A patent/JPH11204396A/ja active Pending
-
1999
- 1999-01-06 US US09/225,708 patent/US6356338B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2008232612A (ja) * | 2008-03-19 | 2008-10-02 | Hokkaido Univ | クリーンユニット、連結クリーンユニットおよびプロセス方法 |
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| US6356338B2 (en) | 2002-03-12 |
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