JP3513437B2 - 基板管理方法及び半導体露光装置 - Google Patents

基板管理方法及び半導体露光装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体
の製造装置における基板管理方法及びこの基板管理方法
を採用する半導体製造装置に関する。特に、フォトマス
ク、レチクル（以下レチクルと総称）又はウエハ、ガラ
スプレート等（以下ウエハと総称）の基板（板状物）や
それらが収納されたカセット、キャリアを自動的に搬送
する搬送装置が組み込まれた露光装置、洗浄装置、検査
装置等の半導体製造装置における基板管理方法及びこの
基板管理方法を採用する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の各工程で使用される半
導体製造装置、特に露光工程で使用される半導体露光装
置では、歩留まり、スループット向上のために、搬送の
効率化、防塵の観点で、レチクル及びウエハを自動搬送
するウエハ搬送装置、レチクル搬送装置が備えられてい
る。
【０００３】露光工程に使用されるレチクルは、一枚又
は複数枚毎にキャリアに収納された状態でレチクルスト
ッカーから各露光装置へ人手又はＡＧＶ（Automated Gu
idedViecle), ＯＨＴ(Over-Head Transfar）などの自動
搬送装置により搬送されており、装置近傍又は装置内に
設けられている収納部へ収納し待機させていた。露光装
置では、各露光工程ごとに所望のレチクルを前記レチク
ル搬送装置にて超高速にかつ露光ステージ上へ高精度に
搬送することが要求され、さらには近年の少量多品種化
の流れにより、製造するデバイスの種類の増加に応じて
レチクルの数も増加し、前記収納部へ収納するレチクル
も多数必要とされる。
【０００４】また、従来の半導体製造はクリーン度の極
めて高いクリーンルーム内で行われており、特に露光工
程などの異物管理の厳しい工程では、０．１μｍ〜０．
２μｍ粒径（クラス１）などの極めてクリーン度の高い
環境の中に、さらにクリーンチャンバを設け、その中に
半導体露光装置が設置されている。
【０００５】ここで近年、次世代のギガビット世代を考
えた時の異物管理レベルの上昇と、近年の半導体不況に
よる効率化の要求により、現在のクリーンルーム全体を
ダウンフローにて清浄化する方式の場合、設備のランニ
ングコストが増大するという観点から、清浄空間の局所
化が必要とされ、特公平５−６６７３３号公報にて提唱
されているＳＭＩＦ(Standardized Mechanical Inter F
ace)に代表されるミニエンバイラメントの思想が提案さ
れるようになってきた。
【０００６】また、近年の半導体集積回路の微細化に伴
う露光線幅の微細化及び露光エネルギーの増大により、
レチクルの熱変形によるディストーションが問題として
取り上げられるようになってきた。レチクルステージ周
りの清浄度は、温調されたクリーンエアーの層流を流す
ことで管理しており、同時に露光エネルギーによる熱の
影響を低減させている。露光光源としては、例えば、６
４ＭＤＲＡＭから２５６ＭＤＲＡＭの生産には、波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザが使用されており、次
世代のＩＧＤＲＡＭの生産には、波長１９３ｎｍのＡｒ
Ｆエキシマレーザが使用されることが予定されている。
ＫｒＦレーザからＡｒＦレーザヘ移行することにより、
硝材に対する透過率が低下し、レチクルへのエネルギー
吸収率が増加するが、ＡｒＦでは照明系での吸収が大き
く、レチクル面での照度がＫｒＦと比較して低くなる
為、レチクルへの熱の影響は少なくなることが予想され
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ミ
ニエンバイラメント思想を採用したＳＭＩＦ方式の場
合、クリーンルームのクリーン度は０．３μｍ粒径（ク
ラス１０００）程度まで落ちるため、種々の問題が考え
られる。その問題のひとつとして、現在の半導体製造装
置においては、露光性能の維持のためにメンテナンスが
頻繁に行われており、ウエハチャック等デイリーメンテ
ナンスを要する項目もいくつか有る。その為、チャンバ
を長時間開放した際の装置内の汚染が懸念されており、
チャンバ開放後、チャンバ内を清浄化させるのに大幅な
時間がかかったり、また、装置内で処理途中の基板が有
った場合、それらへの汚染の影響が懸念されている。
【０００８】また、将来的にＡｒＦレーザのレチクル面
の照度が上がることが予想され、また、さらなる露光線
幅の微細化も合せて、レチクルの熱変形が無視できなく
なることが考えられる。
【０００９】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、半導体製造工場へミニエンバイラメントの
思想を導入した際に、装置メンテナンス時等のチャンバ
を開放した際のレチクルへの異物付着を防止し、さらに
は、レチクルを繰返し使用する際にレチクルの温度制御
を可能にすることにより、歩留まり及び露光精度を向上
させた、信頼性の高い高性能な半導体製造装置の基板管
理方法及びこの基板管理方法を採用する半導体製造装置
を提供することにある。
【００１０】
【００１１】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、本発明は、 基板を１枚又は複数枚収納可能
なキャリア保管部と、半導体露光を行う為のステージ
と、前記キャリア保管部と前記ステージとの間の基板搬
送を行う搬送装置と、それら周辺の環境を管理するチャ
ンバとを備えた半導体露光装置における基板管理方法に
おいて、前記基板自体を収納する基板一時収納部を具備
し、装置メンテナンス等のためにチャンバが開放された
際に、前記基板のチャンバ外環境からの汚染を防ぐ為
に、前記基板を前記基板一時収納部へ一時待避させるこ
とを特徴とする。ここで、前記基板一時収納部は、チャ
ンバ内で密閉可能な密閉手段により、基板の清浄度を維
持することができ、基板を複数枚収納可能な前記キャリ
アであることができる。
【００１２】更に、前記基板一時収納部では、清浄なエ
アフローにより、基板の清浄度を管理することができ
る。ここで、前記エアフローは温調されており、前記基
板を強制的に所定の温度まで温調することができ、前記
エアフローにより温調する目標温度は、前記ステージ上
にて基板を保持するチャックの温度であることが好まし
い。
【００１３】本発明の基板管理方法では、１枚のウエハ
に対して２枚以上複数枚のレチクルを使用する露光にお
いて、任意のレチクルの露光間のインターバル時に前記
基板保管部または前記基板一時収納部へ前記レチクルを
回収し、温調されたエアフローにて所定の温度に温調す
ることができる。
【００１４】
【００１５】また、本発明は、基板を１枚又は複数枚収
納可能なキャリア保管部と、半導体露光を行う為のステ
ージと、前記キャリア保管部と、前記ステージとの間の
基板搬送を行う搬送装置と、それら周辺の環境を管理す
るチャンバとを備えた半導体露光装置において、装置メ
ンテナンス等のためにチャンバが開放された際に、前記
基板のチャンバ外環境からの汚染を防ぐ為に、前記基板
自体を収納して一時待避させることができる基板一時収
納部を具備することを特徴とする。ここで、前記基板一
時収納部は、基板の清浄度を維持し、チャンバ内で密閉
可能な密閉手段を有することができ、前記基板一時収納
部は、基板を複数枚収納可能な前記キャリアであること
ができる。
【００１６】また、前記基板一時収納部では、清浄なエ
アフローにより、基板の清浄度を管理できる。ここで、
前記エアフローは温調されており、前記基板を強制的に
所定の温度まで温調でき、前記エアフローにより温調す
る目標温度は、前記ステージ上にて基板を保持するチャ
ックの温度であることができる。
【００１７】本発明の半導体露光装置では、１枚のウエ
ハに対して２枚以上複数枚のレチクルを使用する露光に
おいて、任意のレチクルの露光間のインターバル時に前
記基板保管部または前記基板一時収納部へ前記レチクル
を回収し、温調されたエアフローにて所定の温度に温調
することができる。
【００１８】また、本発明は、前記の半導体露光装置を
用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製
造方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明による第一の実施の形態
は、装置メンテナンス時などチャンバの一部を開放させ
る際に、外部汚染環境のチャンバ内への流入による基板
汚染を防ぐ為に、基板を基板保管部または基板一時収納
部へ待避させるようにしたものである。この際、基板保
管部または基板一時収納部には扉を設け、基板収納後に
それらを閉めることにより密閉構造を取っても良いし、
清浄なエアフロー等により基板保管部または基板一時収
納部をチャンバ内周辺よりも陽圧に保つようにしても良
い。
【００２０】これらによれば、チャンバ開放時にも基板
への異物付着の懸念が無く、信頼性の高い基板の異物管
理を行うことが出来る。
【００２１】またこの場合、露光装置内にて基板は、露
光ステージ及びその直前のプリセット位置に存在するこ
とが多く、前記基板保管部または基板一時収納部は、露
光ステージ近傍に配置されることが望ましい。
【００２２】本発明による第二の実施の形態は、ステー
ジでの露光により加熱されたレチクルを次回使用に備え
て、前記基板保管部または基板一時収納部へ一時待避さ
せ、温調されたクリーンエアにより強制的に所定の温度
まで温調するようにしたものである。
【００２３】この場合、露光条件及びレチクルステージ
周りの環境条件により、レチクルステージのチャック温
度が定常状態に達した場合、前記基板保管部または基板
一時収納部での温調温度としては、レチクルステージの
チャック温度と同等であることが望ましい。
【００２４】これらによれば、レチクルの温度変化によ
る変形が低減され、レチクル変形による露光時のディス
トーションの低減につながる。
【００２５】
【実施例】（実施例１）図１は、本発明の特徴を最も良
く表す半導体露光装置の全体図であり、図２は前記半導
体露光装置の外観図である。まず、図１及び図２により
半導体露光装置内でのレチクルの流れの概略を説明す
る。
【００２６】半導体露光装置周辺環境はチャンバー６に
よりクリーンルーム内のチャンバー外環境と分離され、
温度、気圧、清浄度等が管理されている。レチクル１は
１枚又は複数枚毎にキャリア２８に収納保持された状態
で、平面方向に複数個配置されたロードポート３１にセ
ットされている。
【００２７】レチクル１はロードポート３１上でキャリ
ア２８から下方向へ引出された後、レチクル１のロー
ド、アンロードを行うためのレチクル搬送手段４により
搬出され、レチクルＩＤ読取装置５１によりレチクル上
のコードが読取られレチクルＩＤの登録又は確認が行わ
れる。その後、レチクルプリアライメントステーション
５４でレチクルステージ７１に対しての位置合わせが行
われてから、レチクルステージ７１へ送り込まれ露光に
用いられる。５２はレチクル上のゴミを検査する検査装
置であり、レチクル１をレチクルステージ７１へ搬送す
る搬送途中にレチクル上にゴミが付着していないかどう
かを検査することができる。
【００２８】５３はレチクル自体を複数枚保管可能なレ
チクルライブラリであり、本発明でいう基板保管部また
は基板一時収納部に相当する。該レチクルライブラリ５
３はチャンバ開放時には、収納したレチクルの清浄度が
管理できる機構を備えている。また、レチクルライブラ
リ５３はレチクルステージ７１により近い位置に配置す
るのが望ましく、予め使うレチクルのスケジュールが分
かっている場合は、レチクルをキャリアより先送りして
ゴミ検査を終了済みのものをレチクルライブラリ５３へ
待機させておくことにより、レチクル交換時間を短縮で
き、効率的なレチクルマネージメントを行うことができ
る。
【００２９】また、レチクルＩＤの登録は、不図示のキ
ャリアＩＤ読取装置によってキャリア２８がロードポー
ト３１にセットされた時点でキャリアに貼り付けられて
いるコードを読むことによって行い、レチクルＩＤを露
光前の確認用として使うようにしても良いし、キャリア
ＩＤのデータを元に、内部に収納している複数枚のレチ
クルデータをオンラインにて上位の演算処理装置からも
らうようにしても良い。
【００３０】次に、図３ａ〜ｄにより、ロードポート部
の詳細を説明する。レチクル１はキャリア２８内で、レ
チクルキャリアライブラリ２８３により支持されてお
り、開口部をキャリアドア２８２にて封止され密閉状態
で保持されている。キャリア２８は人手又はＡＧＶ、Ｏ
ＨＴなどにより自動搬送されて、ロードポート３１へセ
ットされる（図３ａ）。
【００３１】ロードポート３１上ではキャリア本体２８
１は、不図示のクランプ機構によりロードポート３１に
対して固定される。ロードポートドア３３はキャリア２
８がセットされていない状態でロードポート３１の開口
部を封止して保持されており、チャンバ６の気密を保っ
ている。また、ロードポートドア３３内部にはキャリア
ドア２２のロックを解除する解除機構と、キャリアドア
２８２とロードポートドア３３を一体で保持するための
例えばバキューム吸着などの保持機構を内蔵している
（図３ｂ）。
【００３２】キャリア２８がロードポート３１にセット
された後、前記キャリアロック解除機構によりキャリア
のロックが解除され、同時に前記保持機構によりキャリ
アドア２８２とロードポートドア３３が一体状態で保持
され、それぞれのドアの外側に付着したチャンバ外環境
の異物がキャリアドア２８２とロードポートドア３３の
間にトラップされる。
【００３３】そしてエレベータ機構３２によりレチクル
１を複数枚支持しているレチクルキャリアライブラリ２
８３ごとキャリア本体２８１内から下方へ引き抜くこと
により（図３ｃ）、レチクル搬送ロボット４２によるレ
チクル１の搬送を可能にする（図３ｄ）。
【００３４】次に、図４ａ〜ｃにより、レチクルライブ
ラリ５３の詳細な構造を説明する。図４ａは密閉手段を
備えたレチクルライブラリ詳細正面図であり、図４ｂ，
ｃは密閉手段を備えたレチクルライブラリ詳細平面図で
ある。
【００３５】レチクルライブラリ５３は側壁５３１によ
り三方を囲まれ、レチクルの搬出入のために一方向のみ
開放されている。５３２はライブラリ５３内でレチクル
１を支持しているレチクル支持部であり、５３３はレチ
クルライブラリ５３の開放された一方を封止するための
封止手段である。封止手段５３３は、連結手段５３８に
よりベルト５３５と結合され、ベルト５３６、プーリ５
３５を介してモータ５３７により駆動され、ガイド５３
４に沿って平行移動し、レチクルライブラリ５３の開放
された一面を覆う位置で停止する。その後、エアシリン
ダ５３９によりレチクルライブラリ５３に対して押し付
けられ、レチクルライブラリ５３内を完全に密閉する。
【００３６】次に、図７にて装置開放時のレチクル一時
待避フローについて説明する。装置のメンテナンス時ま
たは何らかのトラブルが発生し、チャンバを開放しなけ
ればならなくなった場合、オペレータはまず、オペレー
ションパネル６３上にあるタッチパネル式でモニタ上か
ら操作が可能なモニタ６４より、レチクル一時待避コマ
ンドを指定しコマンドを発行する。コマンド発行後モニ
タ６４上で回収先を聞いてくるので、キャリア２８か又
はライブラリ５３のどちらへ一時待避させるかを指定し
実行ボタンを押す。実行コマンドが発行された後、レチ
クル搬送手段４により、レチクルステージ７１、プリア
ライメントポジション５４、ゴミ検査装置５２、搬送手
段４上などの装置内に存在するレチクルを、指定された
一時待避位置へ回収する。
【００３７】回収先としてキャリア２８が指定された場
合は、レチクルキャリアライブラリ２８３ヘレチクルが
全て回収された後、エレベータ機構３２により、キャリ
ア本体部２８１内ヘレチクルを収納し、キャリアドア２
８２にてキャリアを封止する。また、回収先としてレチ
クルライブラリ５３が指定された場合は、レチクル１が
全てライブラリ５３内へ回収された後、上記図４ａ，ｂ
を用いて説明した機構によりレチクルライブラリ５３を
密閉状態にする。また、同時にレチクルキャリアライブ
ラリ２８３内にレチクルが残っている場合、エレベータ
機構３２によりそれらをキャリア本体２８１内へ収納す
る。
【００３８】これらの待避動作が終了後、オペレーショ
ンパネル６３上のランプ６５及びアラーム音によってレ
チクルの待避が終了したことをオペレータに知らせる。
その後オペレータはチャンバを開放し作業に入る。作業
後、装置は一時待避以前のレチクルの位置情報を記憶し
ており、復帰コマンドにて復帰させることが可能となっ
ている。
【００３９】この際、装置の復帰を早める為に、レチク
ルステージ７１への迅速なレチクル搬送を目的として、
レチクルライブラリ５３は可能な限りレチクルステージ
７１の近傍に配置することが望ましい。
【００４０】また、本発明におけるレチクルライブラリ
５３は、必ずしも密閉構造が取れる構造となっていなく
ても良く、図５ａ，ｂに示されるように、レチクルライ
ブラリ５３に併設されたレチクルライブラリ５３専用の
空調手段５５よりクリーンエアを供給することにより、
ライブラリ５３内の気圧を周囲よりも陽圧とすることに
より清浄度管理しても良い。
【００４１】また、基板の管理温度がチャンバにて管理
している温度と同一な場合は、図６ａ，ｂに示されるよ
うに、チャンバの空調装置から清浄なエアを直接供給す
ることにより、レチクルライブラリ５３専用の空調手段
を設けなくても良く、効率的な清浄度管理を行える。
【００４２】（実施例２）図５ａ，ｂは本発明の第二の
実施例を表すレチクルライブラリであり、図１に示され
る半導体露光装置に適用される。図８は本実施例におけ
るレチクル回収のフローチャートである。
【００４３】まず図８により、レチクル温調シーケンス
のフローを説明する。レチクルＡはレチクルステージ７
１上に有り、露光に使用されている。次に露光に用いる
レチクルＢを予め用意しておき、レチクルライブラリ５
３へ収納しておく。レチクルライブラリ５３では、温調
されたエアフローによりレチクルＢを所定の温度まで温
調して待機している。レチクルＡによる露光が終了する
前になったら、露光終了後即座にレチクル交換が行える
ような、最適なタイミングでレチクルＢをレチクルライ
ブラリ５３から搬送し始めアライメントステーション５
４にてプリアライメントを行う。
【００４４】レチクルＡによる露光終了後、レチクルス
テージ７１上のレチクルをレチクルＡからレチクルＢへ
交換し、レチクルＢによる露光を行う。回収したレチク
ルＡは、次の露光に備えて、レチクルライブラリ５３へ
収納しておき、温調・待機しておく。レチクルＢの露光
が終了する前になったら、上記と同様なタイミングで、
レチクルＡを搬送し始めアライメントステーション５４
にてプリアライメントを行い、露光終了後レチクルの交
換を行う。その後、これらのサイクルを繰返す。
【００４５】この場合、所定の温度としては、レチクル
ステージのチャック温度と同様であることが望ましく、
レチクルライブラリ５３への保持時間としては、予めレ
チクルチャックと、レチクル自体と、レチクルライブラ
リ５３上でのエアフロー温度の関係を実験にて求めてお
き、決めるようにしても良い。また、レチクルライブラ
リ５３上に温度測定手段を設けても良い。
【００４６】これは、一枚のウエハに対して２枚以上の
レチクルを用いて多重露光を行う場合にも有効であり、
任意のレチクルを露光に用いた後、次のレチクルへの交
換を行い、次の露光までのインターバルの間にレチクル
ライブラリ５３へ一時収納することにより、温調された
クリーンエアにより強制的に所定の温度まで温調するこ
とができる。また、前記レチクルライブラリ５３は、レ
チクルステージ７１へ可能な限り近い位置に設けられて
いることにより、レチクルライブラリ５３への一時収納
によるトータルスループットの低下は無い。
【００４７】（デバイス生産方法の実施例）次に上記説
明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例
を説明する。図９は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４８】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。
【００４９】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ミニエンバイラメントの思想が導入されたクリーンルー
ムにおいて、半導体製造装置のメンテナンス時等に際
し、チャンバを長時間開放した時であっても、内部に収
納したレチクルの清浄度が装置外の汚染環境に汚染され
ることのない基板管理方法を提供することができる。
【００５１】さらに、本発明によれば、レチクルステー
ジヘ供給するレチクルを所定の温度へ管理することによ
り、レチクルの熱変形を抑制し、ディストーションを低
減し、露光性能の向上へ貢献する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 半導体露光装置全体図である。
【図２】 半導体露光装置外観図である。
【図３】 ａ〜ｄはロードポート詳細側面図である。
【図４】 ａは密閉手段を備えたレチクルライブラリ詳
細正面図、ｂ，ｃは密閉手段を備えたレチクルライブラ
リ詳細平面図である。
【図５】 ａは空調手段を備えたレチクルライブラリ詳
細平面図、ｂはａのＡ−Ａ断面図である。
【図６】 ａはチャンバの空調手段よりエアを導入した
レチクルライブラリ詳細平面図、ｂはａのＢ−Ｂ断面図
である。
【図７】 レチクル一時待避シーケンスのフローチャー
トである。
【図８】 レチクル温調シーケンスのフローチャートで
ある。
【図９】 微小デバイスの製造のフローを示す図であ
る。
【図１０】 ウエハプロセスの詳細なフローを示す図で
ある。
【符号の説明】
１：レチクル、１２：ぺリクル、２８：キャリア、２８
１：キャリア本体、２８２：キャリアドア、２８４：ロ
ボティックフランジ、２８３：レチクルキャリアライブ
ラリ、３１：ロードポート、３２：エレベータ機構、３
３：ロードポートドア、４：レチクル搬送手段、４１：
ハンド、４２：搬送ロボット、４３：エレベータ機構、
５１：ＩＤ読取装置、５２：ゴミ検査装置、５３：レチ
クルライブラリ、５３１：側壁、５３２：レチクル支持
部、５３３：ライブラリ封止手段、５３４：ガイド、５
３５：プーリ、５３６：ベルト、５３７：モータ、５３
８：連結手段、５３９：エアシリンダ、５４：アライメ
ントステーション、５５：空調手段、６：チャンバー、
６１：チャンバ壁、６３：オペレーションパネル、６
４：モニタ、６５：ランプ、７１：レチクルステージ、
７２：ウエハステージ、７３：レンズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開2000−277601（ＪＰ，Ａ) 特開2000−260859（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−307610（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−145048（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−143522（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−242046（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−116772（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−320957（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−167561（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321179（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−260386（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129181（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 G03F 1/08 H01L 21/68

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を１枚又は複数枚収納可能なキャリ
    ア保管部と、半導体露光を行う為のステージと、前記キ
    ャリア保管部と前記ステージとの間の基板搬送を行う搬
    送装置と、それら周辺の環境を管理するチャンバとを備
    えた半導体露光装置における基板管理方法において、前
    記基板自体を収納する基板一時収納部を具備し、装置メ
    ンテナンス等のためにチャンバが開放された際に、前記
    基板のチャンバ外環境からの汚染を防ぐ為に、前記基板
    を前記基板一時収納部へ一時待避させることを特徴とす
    る基板管理方法。
  2. 【請求項２】 前記基板一時収納部は、チャンバ内で密
    閉可能な密閉手段により、基板の清浄度を維持すること
    を特徴とする請求項１記載の基板管理方法。
  3. 【請求項３】 前記基板一時収納部は、基板を複数枚収
    納可能な前記キャリアであることを特徴とする請求項１
    記載の基板管理方法。
  4. 【請求項４】 前記基板一時収納部では、清浄なエアフ
    ローにより、基板の清浄度を管理することを特徴とする
    請求項１記載の基板管理方法。
  5. 【請求項５】 前記エアフローは温調されており、前記
    基板を強制的に所定の温度まで温調することを特徴とす
    る請求項４記載の基板管理方法。
  6. 【請求項６】 前記エアフローにより温調する目標温度
    は、前記ステージ上にて基板を保持するチャックの温度
    であることを特徴とする請求項５記載の基板管理方法。
  7. 【請求項７】 １枚のウエハに対して２枚以上複数枚の
    レチクルを使用する露光において、任意のレチクルの露
    光間のインターバル時に前記基板一時収納部へ前記レチ
    クルを回収し、温調されたエアフローにて所定の温度に
    温調することを特徴とする請求項４〜６項のいずれかに
    記載の基板管理方法。
  8. 【請求項８】 基板を１枚又は複数枚収納可能なキャリ
    ア保管部と、半導体露光を行う為のステージと、前記キ
    ャリア保管部と、前記ステージとの間の基板搬送を行う
    搬送装置と、それら周辺の環境を管理するチャンバとを
    備えた半導体露光装置において、装置メンテナンス等の
    ためにチャンバが開放された際に、前記基板のチャンバ
    外環境からの汚染を防ぐ為に、前記基板自体を収納して
    一時待避させることができる基板一時収納部を具備する
    ことを特徴とする半導体露光装置。
  9. 【請求項９】 前記基板一時収納部は、基板の清浄度を
    維持し、チャンバ内で密閉可能な密閉手段を有すること
    を特徴とする請求項８記載の半導体露光装置。
  10. 【請求項１０】 前記基板一時収納部は、基板を複数枚
    収納可能な前記キャリアであることを特徴とする請求項
    ８記載の半導体露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記基板一時収納部では、清浄なエア
    フローにより、基板の清浄度を管理出来ることを特徴と
    した請求項８記載の半導体露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記エアフローは温調されており、前
    記基板を強制的に所定の温度まで温調できることを特徴
    とする請求項１１記載の半導体露光装置。
  13. 【請求項１３】 前記エアフローにより温調する目標温
    度は、前記ステージ上にて基板を保持するチャックの温
    度であることを特徴とする請求項１２記載の半導体露光
    装置。
  14. 【請求項１４】 １枚のウエハに対して２枚以上複数枚
    のレチクルを使用する露光において、任意のレチクルの
    露光間のインターバル時に前記基板一時収納部へ前記レ
    チクルを回収し、温調されたエアフローにて所定の温度
    に温調することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれ
    かに記載の半導体露光装置。
  15. 【請求項１５】 請求項８ないし１４のいずれかに記載
    の半導体露光装置を用いてデバイスを製造することを特
    徴とするデバイス製造方法。
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