JPH10116772A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法Info
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- JPH10116772A JPH10116772A JP8270711A JP27071196A JPH10116772A JP H10116772 A JPH10116772 A JP H10116772A JP 8270711 A JP8270711 A JP 8270711A JP 27071196 A JP27071196 A JP 27071196A JP H10116772 A JPH10116772 A JP H10116772A
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- holding
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置及び露光方法に関し、生産のスルー
プットが減少することなくウェーハの膨張又は収縮によ
る位置ずれを減少することのできる露光装置及び露光方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 露光手段と、該露光手段により露光を行
うためにウェーハを保持する保持手段２２と、少なくと
も該保持手段を覆う露光室１２内の該保持手段とは別の
位置にウェーハ３８の温度を該保持手段の温度と同じに
なるように保温するための保温手段４４とを備えた構成
とする。
プットが減少することなくウェーハの膨張又は収縮によ
る位置ずれを減少することのできる露光装置及び露光方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 露光手段と、該露光手段により露光を行
うためにウェーハを保持する保持手段２２と、少なくと
も該保持手段を覆う露光室１２内の該保持手段とは別の
位置にウェーハ３８の温度を該保持手段の温度と同じに
なるように保温するための保温手段４４とを備えた構成
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体のウェーハに
投影露光を行うための露光装置及び露光方法に関する。
投影露光を行うための露光装置及び露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のウェーハに投影露光を行うため
の露光装置は、光源や、コンデンサレンズや、縮小投影
レンズ等を含む露光手段を備える。露光用のマスクとし
てのレチクルを使用して、真空チャックによって保持さ
れた半導体のウェーハに焼き付けが行われる。
の露光装置は、光源や、コンデンサレンズや、縮小投影
レンズ等を含む露光手段を備える。露光用のマスクとし
てのレチクルを使用して、真空チャックによって保持さ
れた半導体のウェーハに焼き付けが行われる。
【０００３】露光装置の前工程として、レジスト等を塗
布するためのコーターやデベロッパーが配置される。ウ
ェーハは、コーターやデベロッパーで処理された後で露
光装置へ搬送される。露光装置がコーターやデベロッパ
ーとインライン接続されている場合には、ウェーハはコ
ーターやデベロッパーで処理された後直ちに露光装置に
搬送され、露光装置の真空チャックで保持され、露光処
理される。あるいは、露光装置とコーターやデベロッパ
ーとがインライン接続されてない場合には、コーターや
デベロッパーで処理されたウェーハは貯蔵部等に一旦集
められ、そして使用時に貯蔵部から露光装置に搬送され
る。ウェーハが露光装置に達するとウェーハは直ちに露
光装置の真空チャックで保持され、露光処理される。
布するためのコーターやデベロッパーが配置される。ウ
ェーハは、コーターやデベロッパーで処理された後で露
光装置へ搬送される。露光装置がコーターやデベロッパ
ーとインライン接続されている場合には、ウェーハはコ
ーターやデベロッパーで処理された後直ちに露光装置に
搬送され、露光装置の真空チャックで保持され、露光処
理される。あるいは、露光装置とコーターやデベロッパ
ーとがインライン接続されてない場合には、コーターや
デベロッパーで処理されたウェーハは貯蔵部等に一旦集
められ、そして使用時に貯蔵部から露光装置に搬送され
る。ウェーハが露光装置に達するとウェーハは直ちに露
光装置の真空チャックで保持され、露光処理される。
【０００４】半導体の製造においては全ての処理装置は
クリーンルーム内に配置される。クリーンルーム内にお
いて、露光装置は全体的にサーマルチャンバ（露光室）
内に配置され、サーマルチャンバは所望の温度に保温さ
れている。露光装置の内部（サーマルチャンバ）の温度
は、クリーンルームの空気の温度とはわずかに異なって
いることが多い。
クリーンルーム内に配置される。クリーンルーム内にお
いて、露光装置は全体的にサーマルチャンバ（露光室）
内に配置され、サーマルチャンバは所望の温度に保温さ
れている。露光装置の内部（サーマルチャンバ）の温度
は、クリーンルームの空気の温度とはわずかに異なって
いることが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】露光装置がコーターや
デベロッパーとインライン接続されている場合には、ウ
ェーハはコーターやデベロッパーで処理された後直ちに
露光装置に搬送され、露光装置の真空チャックで保持さ
れ、露光処理される。すると、搬送時のウェーハの温度
と真空チャックの温度との間に差があるため、露光中
に、ウェーハが膨張又は収縮し、焼き付け後に位置ずれ
が発生するという問題がある。
デベロッパーとインライン接続されている場合には、ウ
ェーハはコーターやデベロッパーで処理された後直ちに
露光装置に搬送され、露光装置の真空チャックで保持さ
れ、露光処理される。すると、搬送時のウェーハの温度
と真空チャックの温度との間に差があるため、露光中
に、ウェーハが膨張又は収縮し、焼き付け後に位置ずれ
が発生するという問題がある。
【０００６】例えば、ウェーハが真空チャックに載る前
に０．５℃の温度差があると、φ８インチのシリコンウ
ェーハ（熱膨張係数２×１０-6／℃）の場合、ウェーハ
の熱変形量は０．２μｍになる。最近では露光における
位置ずれ量の許容値が小さくなってきており、例えば位
置ずれ量の許容値は０．１μｍに設定されることもあ
る。
に０．５℃の温度差があると、φ８インチのシリコンウ
ェーハ（熱膨張係数２×１０-6／℃）の場合、ウェーハ
の熱変形量は０．２μｍになる。最近では露光における
位置ずれ量の許容値が小さくなってきており、例えば位
置ずれ量の許容値は０．１μｍに設定されることもあ
る。
【０００７】また、ウェーハがクリーンルーム内の貯蔵
部等に集められる場合には、ウェーハはクリーンルーム
内の温度に馴染むことになる。クリーンルーム内の温度
と露光装置内の温度とは一致していないことが多く、施
設の運用上、両者の間には２℃程度の温度差が生じるこ
とがある。そこで、ウェーハが貯蔵部から露光装置に搬
送され、直ちに真空チャックで保持されて焼き付けが開
始されると、露光中に、ウェーハが膨張又は収縮し、焼
き付け後に位置ずれが発生する。
部等に集められる場合には、ウェーハはクリーンルーム
内の温度に馴染むことになる。クリーンルーム内の温度
と露光装置内の温度とは一致していないことが多く、施
設の運用上、両者の間には２℃程度の温度差が生じるこ
とがある。そこで、ウェーハが貯蔵部から露光装置に搬
送され、直ちに真空チャックで保持されて焼き付けが開
始されると、露光中に、ウェーハが膨張又は収縮し、焼
き付け後に位置ずれが発生する。
【０００８】いずれの場合にも、ウェーハは露光装置に
搬送された後露光装置内で膨張又は収縮する。時間が経
つと、ウェーハは露光装置内の温度に馴染み、膨張又は
収縮は落ちつく。従来は、ウェーハは露光装置内の温度
に馴染む前に真空チャックで保持されて焼き付け（露光
処理）が行われていたので、露光処理中にウェーハが膨
張又は収縮していた。
搬送された後露光装置内で膨張又は収縮する。時間が経
つと、ウェーハは露光装置内の温度に馴染み、膨張又は
収縮は落ちつく。従来は、ウェーハは露光装置内の温度
に馴染む前に真空チャックで保持されて焼き付け（露光
処理）が行われていたので、露光処理中にウェーハが膨
張又は収縮していた。
【０００９】そこで、ウェーハが露光処理中に膨張又は
収縮するのを防止するために、ウェーハを直ちに露光処
理せずに、しばらく露光装置内で待機させて、ウェーハ
が露光室内の温度に馴染んだ後で真空チャックで保持し
て焼き付けを開始することが考えられる。しかし、ウェ
ーハが露光装置内の温度に馴染むためには、数分待つこ
とが必要であり、すると、生産のスループットが減少す
る。
収縮するのを防止するために、ウェーハを直ちに露光処
理せずに、しばらく露光装置内で待機させて、ウェーハ
が露光室内の温度に馴染んだ後で真空チャックで保持し
て焼き付けを開始することが考えられる。しかし、ウェ
ーハが露光装置内の温度に馴染むためには、数分待つこ
とが必要であり、すると、生産のスループットが減少す
る。
【００１０】本発明の目的は、生産のスループットが減
少することなくウェーハの膨張又は収縮による位置ずれ
を減少することのできる露光装置及び露光方法を提供す
ることである。
少することなくウェーハの膨張又は収縮による位置ずれ
を減少することのできる露光装置及び露光方法を提供す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による露光装置
は、ウェーハを保管する保管手段と、露光手段と、該露
光手段により露光を行うためにウェーハを保持する保持
手段と、該保持手段及び該保管手段とは異なる位置にウ
ェーハの温度を該保持手段の温度と同じになるように保
温するための保温手段とを露光室内に備えたことを特徴
とするものである。
は、ウェーハを保管する保管手段と、露光手段と、該露
光手段により露光を行うためにウェーハを保持する保持
手段と、該保持手段及び該保管手段とは異なる位置にウ
ェーハの温度を該保持手段の温度と同じになるように保
温するための保温手段とを露光室内に備えたことを特徴
とするものである。
【００１２】この構成によれば、ウェーハを保持手段の
温度と同じになるように保温するための保温手段を設け
たので、単に、ウェーハが露光装置内の温度に自然に馴
染むようにする場合と比べて、短い保温時間で、その後
にウェーハが膨張又は収縮しなくなるようにすることが
できる。
温度と同じになるように保温するための保温手段を設け
たので、単に、ウェーハが露光装置内の温度に自然に馴
染むようにする場合と比べて、短い保温時間で、その後
にウェーハが膨張又は収縮しなくなるようにすることが
できる。
【００１３】この構成において、該保温手段はウェーハ
を収容する箱状の収容器具からなり、該箱状の収容器具
の内部に収容されたウェーハの温度を該保持手段の温度
と同じになるように制御するようにするとよい。この場
合、温度調節された空気が該箱状の収容器具の内部に供
給されるように構成し、あるいは、温度調節された物体
が該箱状の収容器具の内部に配置されるように構成す
る。
を収容する箱状の収容器具からなり、該箱状の収容器具
の内部に収容されたウェーハの温度を該保持手段の温度
と同じになるように制御するようにするとよい。この場
合、温度調節された空気が該箱状の収容器具の内部に供
給されるように構成し、あるいは、温度調節された物体
が該箱状の収容器具の内部に配置されるように構成す
る。
【００１４】好ましくは、該保持手段の温度を検出する
第１の検出手段と、該保温手段の温度を検出する第２の
検出手段と、該第１及び第２の検出手段の出力からウェ
ーハの温度を該保持手段の温度と同じになるように保温
するための制御手段とを備え。このようにして、保持手
段の温度を目標にしてウェーハの温度をフィードバック
制御する。
第１の検出手段と、該保温手段の温度を検出する第２の
検出手段と、該第１及び第２の検出手段の出力からウェ
ーハの温度を該保持手段の温度と同じになるように保温
するための制御手段とを備え。このようにして、保持手
段の温度を目標にしてウェーハの温度をフィードバック
制御する。
【００１５】本発明による露光方法は、露光室内に設け
られた保管手段に保管されたウェーハを保温手段に搬送
して保温し、ある時間保温されたウェーハを露光室内に
おいて該保温手段とは別の位置に配置された保持手段に
保持し、該ウェーハが該保持手段に保持された状態で露
光手段により露光を行うことを特徴とする。
られた保管手段に保管されたウェーハを保温手段に搬送
して保温し、ある時間保温されたウェーハを露光室内に
おいて該保温手段とは別の位置に配置された保持手段に
保持し、該ウェーハが該保持手段に保持された状態で露
光手段により露光を行うことを特徴とする。
【００１６】また、本発明による露光方法は、複数のウ
ェーハをウェーハキャリヤにより露光室内に搬送し、該
複数のウェーハのうちの１つのウェーハを取り出して保
温手段において保温し、ある時間保温されたウェーハを
該保温手段とは別の位置に設けられた保持手段に保持
し、該ウェーハに露光手段により露光を行うことを特徴
とする。
ェーハをウェーハキャリヤにより露光室内に搬送し、該
複数のウェーハのうちの１つのウェーハを取り出して保
温手段において保温し、ある時間保温されたウェーハを
該保温手段とは別の位置に設けられた保持手段に保持
し、該ウェーハに露光手段により露光を行うことを特徴
とする。
【００１７】このように、ある時間保温されたウェーハ
を露光室内の保温手段とは別の位置に設けられた保持手
段に保持し、該ウェーハに露光手段により露光を行うよ
うにしたので、単に、ウェーハが露光装置内の温度に自
然に馴染むようにする場合と比べて、短い保温時間で、
その後にウェーハが膨張又は収縮しなくなるようにする
ことができる。そして、そのウェーハの保温時間と露光
処理時間の後には、同じウェーハキャリヤ内の残りのウ
ェーハは露光装置内の温度に自然に馴染むようになり、
必ずしも保温手段で保温する必要はなくなる。
を露光室内の保温手段とは別の位置に設けられた保持手
段に保持し、該ウェーハに露光手段により露光を行うよ
うにしたので、単に、ウェーハが露光装置内の温度に自
然に馴染むようにする場合と比べて、短い保温時間で、
その後にウェーハが膨張又は収縮しなくなるようにする
ことができる。そして、そのウェーハの保温時間と露光
処理時間の後には、同じウェーハキャリヤ内の残りのウ
ェーハは露光装置内の温度に自然に馴染むようになり、
必ずしも保温手段で保温する必要はなくなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１から図５は本発明の実施例に
よる投影露光装置１０を示す図である。図１及び図５に
示されるように、投影露光装置１０は、投影露光装置１
０の全ての部材あるいはほとんど全ての部材を収容する
サーマルチャンバ１２を備える。サーマルチャンバ１２
内には、ダクト１４及びフィルタ１６に通ってクリーン
ルーム（図示せず）内の空気が導入される。ダクト１４
内には、ファン１８及びヒータ２０が配置されている。
よる投影露光装置１０を示す図である。図１及び図５に
示されるように、投影露光装置１０は、投影露光装置１
０の全ての部材あるいはほとんど全ての部材を収容する
サーマルチャンバ１２を備える。サーマルチャンバ１２
内には、ダクト１４及びフィルタ１６に通ってクリーン
ルーム（図示せず）内の空気が導入される。ダクト１４
内には、ファン１８及びヒータ２０が配置されている。
【００１９】真空チャック２２を取りつけたＸＹステー
ジ２４がサーマルチャンバ１２内に配置される。図３に
示されるように、真空チャック２２の上方には、露光手
段２６が配置される。露光手段２６は、水銀ランプを含
む光源２８と、反射ミラー２９、３２と、シャッター３
０と、フライアレイレンズ３１と、コンデンサレンズ３
３と、縮小投影レンズ３４等を含む。コンデンサレンズ
３３と縮小投影レンズ３４との間には露光用マスクとし
てのレチクル３６が配置される。なお、露光手段２６は
真空チャック２２に保持されたウェーハ３８に光を投影
できるものであれば、この例に示したものに限定される
ものではない。
ジ２４がサーマルチャンバ１２内に配置される。図３に
示されるように、真空チャック２２の上方には、露光手
段２６が配置される。露光手段２６は、水銀ランプを含
む光源２８と、反射ミラー２９、３２と、シャッター３
０と、フライアレイレンズ３１と、コンデンサレンズ３
３と、縮小投影レンズ３４等を含む。コンデンサレンズ
３３と縮小投影レンズ３４との間には露光用マスクとし
てのレチクル３６が配置される。なお、露光手段２６は
真空チャック２２に保持されたウェーハ３８に光を投影
できるものであれば、この例に示したものに限定される
ものではない。
【００２０】図１及び図５において、４０はウェーハキ
ャリアである。ウェーハキャリア４０は複数のウェーハ
３８を前工程であるコーターやデベロッパー（図示せ
ず）から直接に、あるいは貯蔵部を経て、露光装置１０
へ搬送するものである。図４に示されるように、ウェー
ハキャリア４０は、前方が開口し、内側面にウェーハ３
８を支持する溝を設けたものである。ウェーハ３８は、
ウェーハキャリア４０の前側から例えばロボットのアー
ム４２により出し入れすることができる。
ャリアである。ウェーハキャリア４０は複数のウェーハ
３８を前工程であるコーターやデベロッパー（図示せ
ず）から直接に、あるいは貯蔵部を経て、露光装置１０
へ搬送するものである。図４に示されるように、ウェー
ハキャリア４０は、前方が開口し、内側面にウェーハ３
８を支持する溝を設けたものである。ウェーハ３８は、
ウェーハキャリア４０の前側から例えばロボットのアー
ム４２により出し入れすることができる。
【００２１】クーリングボックス４４がサーマルチャン
バ１２内の真空チャック２２とは別の位置に配置され
る。クーリングボックス４４は前方が開口し、その開口
からウェーハ３８を出し入れすることができる箱状の器
具である。クーリングボックス４４の後端部にはダクト
４６が接続され、クーリングボックス４４内にはフィル
タ４７が配置されている。
バ１２内の真空チャック２２とは別の位置に配置され
る。クーリングボックス４４は前方が開口し、その開口
からウェーハ３８を出し入れすることができる箱状の器
具である。クーリングボックス４４の後端部にはダクト
４６が接続され、クーリングボックス４４内にはフィル
タ４７が配置されている。
【００２２】図５に示されるように、ダクト４６の他端
は温度調整器４７に接続される。温度調整器４７はそれ
を通る空気の温度及び流量を制御する制御手段（図示せ
ず）を備える。温度調整器４７はフィルタ４８を介して
クリーンルームからの空気の一部を取り入れ、温調空気
をフィルタ４７を介してクーリングボックス４４へ供給
する。精密制御された温調空気でウェーハ３８を温調す
ることにより、より短い時間でウェーハ３８の温度が真
空チャック２２の温度と同じになる。
は温度調整器４７に接続される。温度調整器４７はそれ
を通る空気の温度及び流量を制御する制御手段（図示せ
ず）を備える。温度調整器４７はフィルタ４８を介して
クリーンルームからの空気の一部を取り入れ、温調空気
をフィルタ４７を介してクーリングボックス４４へ供給
する。精密制御された温調空気でウェーハ３８を温調す
ることにより、より短い時間でウェーハ３８の温度が真
空チャック２２の温度と同じになる。
【００２３】サーマルチャンバ１２へ搬送されたウェー
ハ３８の温度が真空チャック２２の温度よりも高い場合
には、クーリングボックス４４内に供給される温調空気
の温度をウェーハ３８の温度よりも低くする。一方、サ
ーマルチャンバ１２へ搬送されたウェーハ３８の温度が
真空チャック２２の温度よりも低い場合には、クーリン
グボックス４４内に供給される温調空気の温度をウェー
ハ３８の温度よりも高くする。実施例においては、クリ
ーンルーム内の空気の温度がサーマルチャンバ１２の空
気の温度よりも高いので、クーリングボックス４４内へ
供給される温調空気の温度の低い空気を供給する。温度
調整器４８は空気の温度を±０．０５℃以内に制御す
る。
ハ３８の温度が真空チャック２２の温度よりも高い場合
には、クーリングボックス４４内に供給される温調空気
の温度をウェーハ３８の温度よりも低くする。一方、サ
ーマルチャンバ１２へ搬送されたウェーハ３８の温度が
真空チャック２２の温度よりも低い場合には、クーリン
グボックス４４内に供給される温調空気の温度をウェー
ハ３８の温度よりも高くする。実施例においては、クリ
ーンルーム内の空気の温度がサーマルチャンバ１２の空
気の温度よりも高いので、クーリングボックス４４内へ
供給される温調空気の温度の低い空気を供給する。温度
調整器４８は空気の温度を±０．０５℃以内に制御す
る。
【００２４】オートウェーハローダ４８がウェーハキャ
リア４０の置き場からクーリングボックス４４を通って
真空チャック２２への移送経路を規定するように設けら
れる。オートウェーハローダ４８は、ロボットのアーム
４２を運動させる手段を含み、ウェーハ３８をウェーハ
キャリア４０とクーリングボックス４４との間、及びウ
ェーハ３８をクーリングボックス４４と真空チャック２
２との間で移送させる。また、ウェーハ３８をクーリン
グボックス４４を飛ばしてウェーハキャリア４０と真空
チャック２２との間で移送させることもできる。
リア４０の置き場からクーリングボックス４４を通って
真空チャック２２への移送経路を規定するように設けら
れる。オートウェーハローダ４８は、ロボットのアーム
４２を運動させる手段を含み、ウェーハ３８をウェーハ
キャリア４０とクーリングボックス４４との間、及びウ
ェーハ３８をクーリングボックス４４と真空チャック２
２との間で移送させる。また、ウェーハ３８をクーリン
グボックス４４を飛ばしてウェーハキャリア４０と真空
チャック２２との間で移送させることもできる。
【００２５】オートウェーハローダ４８は、図１及び図
２に示されるロボットのアーム４２以外のタイプのアー
ム等を含むことができる。例えば、図６に示されるロボ
ットのアーム４２ａは、ウェーハ３８の周辺部を載せた
状態でウェーハ３８を移送することができる。これによ
って、ウェーハ３８の向きを変えたりしながら、搬送を
行うこともできる。
２に示されるロボットのアーム４２以外のタイプのアー
ム等を含むことができる。例えば、図６に示されるロボ
ットのアーム４２ａは、ウェーハ３８の周辺部を載せた
状態でウェーハ３８を移送することができる。これによ
って、ウェーハ３８の向きを変えたりしながら、搬送を
行うこともできる。
【００２６】さらに、温度センサ５０が真空チャック２
２に設けられ、温度センサ５２がクーリングボックス４
４に設けられている。温度センサ５４がフィルタ１６に
設けられる。従って、これらの温度センサ５０、５２、
５４の出力により、ダクト４６から供給される冷却空気
の温度又は流量を制御してクーリングボックス４４内の
ウェーハ３８の温度が真空チャック２２の温度と同じに
なるようにフィードバック制御することができる。
２に設けられ、温度センサ５２がクーリングボックス４
４に設けられている。温度センサ５４がフィルタ１６に
設けられる。従って、これらの温度センサ５０、５２、
５４の出力により、ダクト４６から供給される冷却空気
の温度又は流量を制御してクーリングボックス４４内の
ウェーハ３８の温度が真空チャック２２の温度と同じに
なるようにフィードバック制御することができる。
【００２７】このようにして、複数のウェーハ３８がウ
ェーハキャリア４０によってサーマルチャンバ１２内に
搬送されると、１枚目のウェーハ３８がオートウェーハ
ローダ４８によってクーリングボックス４４へ搬送され
る。そのウェーハ３８はクーリングボックス４４内で所
定時間待機し、真空チャック２２の温度と同じ温度に精
密制御された冷却空気に触れ、短い時間で真空チャック
２２の温度に近くなっていく。
ェーハキャリア４０によってサーマルチャンバ１２内に
搬送されると、１枚目のウェーハ３８がオートウェーハ
ローダ４８によってクーリングボックス４４へ搬送され
る。そのウェーハ３８はクーリングボックス４４内で所
定時間待機し、真空チャック２２の温度と同じ温度に精
密制御された冷却空気に触れ、短い時間で真空チャック
２２の温度に近くなっていく。
【００２８】実施例においては、ウェーハ３８をクーリ
ングボックス４４内で６０秒間待機させた後、真空チャ
ック２２へ搬送し、露光処理を行った。これによって、
ウェーハ３８の真空チャック２２上の熱膨張及び収縮は
非常に小さくなり、位置ずれの小さな露光を達成するこ
とができた。そして、最初のウェーハ３８をクーリング
ボックス４４内で待機させ、そして真空チャック２２上
で露光処理している間に、残りのウェーハ３８はサーマ
ルチャンバ１２内の温度に自然に馴染んでいき、２枚目
以降のウェーハ３８はクーリングボックス４４に挿入す
ることなく直接に真空チャック２２へ搬送し、露光処理
すればよく、この場合、熱膨張及び収縮は非常に小さか
った。従って、最初の１枚目のウェーハ３８だけが、ク
ーリングボックス４４内で待機すればよく、生産のスル
ープットに与える影響は非常に小さい。
ングボックス４４内で６０秒間待機させた後、真空チャ
ック２２へ搬送し、露光処理を行った。これによって、
ウェーハ３８の真空チャック２２上の熱膨張及び収縮は
非常に小さくなり、位置ずれの小さな露光を達成するこ
とができた。そして、最初のウェーハ３８をクーリング
ボックス４４内で待機させ、そして真空チャック２２上
で露光処理している間に、残りのウェーハ３８はサーマ
ルチャンバ１２内の温度に自然に馴染んでいき、２枚目
以降のウェーハ３８はクーリングボックス４４に挿入す
ることなく直接に真空チャック２２へ搬送し、露光処理
すればよく、この場合、熱膨張及び収縮は非常に小さか
った。従って、最初の１枚目のウェーハ３８だけが、ク
ーリングボックス４４内で待機すればよく、生産のスル
ープットに与える影響は非常に小さい。
【００２９】図７はクーリングボックス４４の変形例を
示す図である。クーリングボックス４４は、直接に温調
空気でウェーハ３８を温調する代わりに、温度調節され
た物体５６を含んでおり、ウェーハ３８が温度調節され
た物体５６に接触することにより温調される。温度調節
された物体５６は例えばステンレス鋼の袋状円板からな
り、その中に温調流体（空気又は液体）が流される。そ
のために、流体供給パイプ５８及び流体排出パイプ６０
が温度調節された物体５６が接続される。この構成の作
用は前の例の作用と同様である。
示す図である。クーリングボックス４４は、直接に温調
空気でウェーハ３８を温調する代わりに、温度調節され
た物体５６を含んでおり、ウェーハ３８が温度調節され
た物体５６に接触することにより温調される。温度調節
された物体５６は例えばステンレス鋼の袋状円板からな
り、その中に温調流体（空気又は液体）が流される。そ
のために、流体供給パイプ５８及び流体排出パイプ６０
が温度調節された物体５６が接続される。この構成の作
用は前の例の作用と同様である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハの膨張又は収縮による位置ずれを起こすことな
く露光を行うことができる。
ウェーハの膨張又は収縮による位置ずれを起こすことな
く露光を行うことができる。
【図１】本発明の実施例による露光装置を示す図であ
る。
る。
【図２】図１の露光装置のクーリングボックスを示す斜
視図である。
視図である。
【図３】図１の露光装置の露光手段を示す略図である。
【図４】図１のウェーハキャリヤを示す斜視図である。
【図５】図１の露光装置を示す拡大斜視図である。
【図６】ロボットのアームの変形例を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】クーリングボックスの変形例を示す斜視図であ
る。
る。
１２…サーマルチャンバ ２２…真空チャック ２６…露光手段 ３８…ウェーハ ４０…ウェーハキャリア ４２…ロボットのアーム ４４…クーリングボックス ４７…温度調整器 ５０、５２、５４…温度センサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０３Ｅ
Claims (7)
- 【請求項１】 ウェーハを保管する保管手段と、露光手
段と、該露光手段により露光を行うためにウェーハを保
持する保持手段と、該保持手段及び該保管手段とは異な
る位置にウェーハの温度を該保持手段の温度に近づける
ための保温手段とを露光室内に備えたことを特徴とする
露光装置。 - 【請求項２】 該保温手段はウェーハを収容する箱状の
収容器具からなり、該箱状の収容器具の内部に収容され
たウェーハの温度を該保持手段の温度と同じになるよう
に制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装
置。 - 【請求項３】 温度調節された空気が該箱状の収容器具
の内部に供給されることを特徴とする請求項２に記載の
露光装置。 - 【請求項４】 温度調節された物体が該箱状の収容器具
の内部に配置されることを特徴とする請求項２に記載の
露光装置。 - 【請求項５】 該保持手段の温度を検出する第１の検出
手段と、該保温手段の温度を検出する第２の検出手段
と、該第１及び第２の検出手段の出力からウェーハの温
度を該保持手段の温度と同じになるように保温するため
の制御手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載
の露光装置。 - 【請求項６】 露光室内に設けられた保管手段に保管さ
れたウェーハを保温手段に搬送して保温し、ある時間保
温されたウェーハを露光室内において該保温手段とは別
の位置に配置された保持手段に保持し、該ウェーハが該
保持手段に保持された状態で露光手段により露光を行う
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項７】 複数のウェーハをウェーハキャリヤによ
り露光室内に搬送し、該複数のウェーハのうちの１つの
ウェーハを取り出して保温手段において保温し、ある時
間保温されたウェーハを該保温手段とは別の位置に設け
られた保持手段に保持し、該ウェーハに露光手段により
露光を行うことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8270711A JPH10116772A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8270711A JPH10116772A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116772A true JPH10116772A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17489906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8270711A Withdrawn JPH10116772A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10116772A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6471037B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
| EP1770445A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2008016579A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Orion Mach Co Ltd | 板状ワークの温度調整装置及びその始動開始方法 |
| JP2009200486A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2013016595A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1996
- 1996-10-14 JP JP8270711A patent/JPH10116772A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6471037B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
| US6759334B2 (en) | 1999-09-01 | 2004-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing apparatus and method |
| EP1770445A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007096309A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれによって製造されたデバイス |
| US7440076B2 (en) | 2005-09-29 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| JP2011082549A (ja) * | 2005-09-29 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれによって製造されたデバイス |
| JP2008016579A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Orion Mach Co Ltd | 板状ワークの温度調整装置及びその始動開始方法 |
| JP2009200486A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US8228487B2 (en) | 2008-02-20 | 2012-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2013016595A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040106 |