JPH10223520A

JPH10223520A - 基板保持装置および露光装置

Info

Publication number: JPH10223520A
Application number: JP3559397A
Authority: JP
Inventors: Yuji Chiba; 裕司千葉; Shinichi Hara; 真一原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-02-04
Filing date: 1997-02-04
Publication date: 1998-08-21
Anticipated expiration: 2017-02-04
Also published as: JP3526162B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ウエハの温度制御の応答性を改善する。【解決手段】Ｘ線Ｌ₁ によって露光されるウエハＷ₁
は、密封された露光室３内のウエハステージ４に保持さ
れる。ウエハＷ₁ は、ウエハチャック１０に吸着され、
その内部配管を流動する温調流体によって温度制御され
る。温調流体は、露光室３の外に配設された第１の温調
ユニット１４によって恒温水となり、恒温水の温度は、
ウエハチャック１０と一体である第２の温調ユニット１
５によって微調節される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造のため
のウエハ等基板を露光する露光装置の基板保持装置およ
び露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩなどで固体素子の集積度お
よび動作速度向上のため、回路パターンの微細化が進ん
でいる。これらのＬＳＩを製造する過程の回路パターン
形成では、露光光源を真空紫外とする縮小投影露光装置
が広く用いられている。この場合、解像度は露光波長λ
と投影光学系の開口数ＮＡに依存するため、解像限界の
向上は、開口数ＮＡを大きくすることによって行なわれ
てきた。しかしながら、焦点深度（Ｄ．Ｏ．Ｆ）の減少
と屈折光学系設計・製造技術の困難から、解像限界に近
づきつつある。そこで、露光波長λを短くし解像度の向
上を行なっている。例えば、水銀ランプを用いたｉ線
（λ＝３６５ｎｍ）、さらにＫｒＦエキシマレーザ（λ
＝２４８ｎｍ）へ光源が移行しているが、波長から来る
原理的な限界によって、従来の光露光技術の延長では
０．１μｍ以下の解像度を得ることは困難である。

【０００３】将来的な露光技術として、ＳＲ光源（荷電
粒子蓄積リング）等からの高輝度Ｘ線を利用した微細パ
ターンの形成が注目されている。このようなＸ線露光方
法には、大別して０．５ｎｍから２ｎｍの軟Ｘ線を用い
た近接等倍Ｘ線露光方法と、４ｎｍから２０ｎｍの軟Ｘ
線を用い、反射型マスクを用いた縮小投影露光方法があ
る。前者では、本出願人から特開平２−１００３１１号
公報に示す露光装置が提案されている。この方法は、露
光波長が短いため、原理的に０．１μｍ以下の高い解像
度が得られる可能性がある。近接等倍Ｘ線露光法では、
等倍Ｘ線マスクと呼ばれる透過型マスクが用いられる。
上記等倍Ｘ線マスクにおけるＸ線が透過する部分は、メ
ンブレンと呼ばれるＳｉＮ・ＳｉＣ等の軽元素材料で形
成され、通常厚さ２μｍ程度で、３５ｍｍ四方の薄膜か
ら成っている。上記等倍Ｘ線マスクにおけるＸ線を吸収
する部分としては、吸収体と呼ばれるＷ，Ａｕ，Ｔａ等
の重金属からなる厚さ０．５から１．０μｍ程度の回路
パターンが上記メンブレン上に形成されている。また、
近接等倍Ｘ線露光法の光学系は、例えば光源からのＸ線
をＸ線ミラーにより所定のフィールドサイズに拡大しＸ
線マスクを通してＸ線マスクと対峙しているウエハにパ
ターンを転写する。

【０００４】一方、真空紫外または、軟Ｘ線を露光光源
とし、反射型マスクを用いた後者のＸ線縮小投影露光法
は、上記等倍Ｘ線マスクと異なる反射型マスクを用い、
高い分解能の像性能を得ることができる。特開平４−２
２５２１５号公報等で代表されるＸ線縮小投影露光法の
露光光学系では、真空紫外線または、軟Ｘ線はアンジュ
レータ光源（ＳＲ）より発せられ、反射ミラー光学系を
経由した後、反射型マスクを照明し、さらにＸ線縮小投
影光学系を経てウエハ上に到達し、所定のパターンを結
像する。前記反射型マスクには、真空紫外線または、軟
Ｘ線を略正反射できる多層膜が形成されている。多層膜
には、Ｘ線吸収体により所定のパターンが形成されてい
る。露光照明に用いる真空紫外または、軟Ｘ線の波長は
およそ５ｎｍから２０ｎｍ程度であるので、露光光の波
長の大きさからくる原理的な解像力は向上する。

【０００５】しかしながら、上記の近接等倍Ｘ線露光法
やＸ線縮小投影露光方法には、従来の光露光装置（紫外
線等）と異なる２つの問題点がある。１つは、露光温度
環境の制御、もう１つは露光転写倍率の補正機構であ
る。

【０００６】光露光装置においては、大気露光を行なう
ため、前者の露光雰囲気の温度環境の制御はクリーンエ
アーを強制対流させることで行なっていた。しかしなが
ら、Ｘ線露光装置の露光環境は、真空もしくは、ヘリウ
ムガス等の減圧雰囲気中であり、同様な強制対流方式を
用いることができない。そこで、例えば、特開平２−１
００３１１に示す露光装置では、ウエハチャックに一定
温度に制御された温調水を流すことで、ウエハや、Ｘ線
マスクの温度の上昇を防ぐ方法が開示されている。

【０００７】後者の問題は、Ｘ線露光装置においては、
ウエハ上に転写される露光転写倍率をＸ線光学系を用い
て可変にすることが困難である。これは、レンズ群を用
いた光学系により紫外光で露光する光露光装置のような
倍率補正が、ミラー反射による光学系や等倍露光系では
困難なために発生する固有の問題である。そこで、Ｘ線
露光装置における倍率補正方法としてはウエハに微小な
温度変化を与え、ウエハの熱伸縮を利用する方法が考え
られている。これは、特開昭５６−１１２７３２号公報
に示すように、ウエハチャックの温度を制御してウエハ
の温度を変化させるものである。ウエハチャックの温度
制御方法としては、特開昭５７−１３６３２５号公報の
ように熱媒体として水を用いたものもある。

【０００８】図６は、一従来例によるウエハチャックＥ
₀ を示すもので、これは、吸着面１０１ａを有する本体
１０１の内部配管１０２に熱媒体として水等の温調流体
を流すことで、ウエハチャックＥ₀ の温度制御を行な
う。ウエハチャックＥ₀ は図示しないＸＹステージ等に
載置され、温調流体の温度を制御する温調ユニット１０
３は、ウエハチャックＥ₀ やＸＹステージ上等に載置す
るとその駆動部の駆動負荷等が増大するため、ウエハチ
ャックＥ₀ やＸＹステージ等を含むウエハステージから
分離されて、例えば露光室の外側に配設されるのが一般
的である。

【０００９】なお、ウエハチャック１０１の吸着面１０
１ａには、吸着溝１０１ｂが形成されており、貫通孔１
０１ｃに接続された真空ポンプ等によって吸着溝１０１
ｂを排気することで、ウエハＷ₀ をウエハチャック１０
１の吸着面１０１ａに吸着する真空吸着力が発生され
る。

【００１０】このようにしてウエハチャック１０１の吸
着面１０１ａに吸着されたウエハＷ₀ は、本体１０１の
内部配管１０２を流動する温調流体によって所定の温度
に制御される。すなわち、高エネルギーのＸ線による露
光中は、ウエハＷ₀ の温度が徐徐に上昇するため、温調
流体の温度を下げてウエハＷ₀ を冷却する。また、ウエ
ハＷ₀ に転写されるマスクパターンの転写倍率を補正し
たいときは、目標とする転写倍率に合わせて温調流体の
温度を微調節し、露光中のウエハＷ₀ の温度を微小量だ
け変化させ、これに伴なうウエハＷ₀ の微小伸縮を利用
して前記転写倍率の補正を行なう。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、前述のように、温調流体の温度を制御
する温調ユニットがウエハステージから離れたところに
配設されているため、温調ユニットからウエハチャック
の内部配管に到達するまでの配管が長くなり、温度制御
の応答性が低く、特にウエハの温度を調節することで転
写倍率の補正を行なう場合には、露光開始までの準備に
時間がかかり過ぎて、スループットが著しく低下すると
いう未解決の課題がある。

【００１２】また、Ｘ線を露光光とする露光装置におい
ては、ヘリウムガス等の減圧雰囲気中あるいは高真空の
雰囲気内でウエハの露光が行なわれるため、雰囲気の強
制対流等によるウエハの冷却効果を期待できず、ウエハ
の温度制御はウエハチャックからの伝熱のみを利用す
る。その結果、大容量で高価な温調ユニットを必要と
し、このために露光装置が高価格化する傾向がある。ま
た、ヘリウムガス等の減圧雰囲気に制御される露光室の
外に温調ユニットが配設されるため、ウエハチャックの
内部配管に到達するまでの配管がより一層長くなり、ウ
エハの温度制御の応答性は極めて低くなる。

【００１３】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、露光中のウエハ等基
板の温度を制御するに際して、温度制御の応答性が良好
であり、また、温調流体の温度を調節する温調ユニット
等の小型化にも貢献できる基板保持装置および露光装置
を提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の基板保持装置は、基板保持面と温調流体流
動路を有する基板保持盤と、これを移動させる移動ステ
ージと、前記基板保持盤の前記温調流体流動路に供給さ
れる温調流体を所定の温度に制御する第１の温度制御手
段と、前記温調流体の温度を前記所定の温度から所定量
だけ変化させる第２の温度制御手段を有することを特徴
とする。

【００１５】第２の温度制御手段が、基板保持盤と移動
ステージを有するステージユニットに配設されていると
よい。

【００１６】

【作用】Ｘ線等の高エネルギーによって基板を露光する
と、露光中の基板が昇温し、熱歪のために転写ずれを発
生する。そこで、基板保持盤の温調流体流動路に流す温
調流体を第１および第２の温度制御手段によって一定の
温度に制御して、前記転写ずれを防ぐ。

【００１７】転写倍率を基板の熱伸縮によって補正する
ときは、第２の温度制御手段によって温調流体の温度を
微少量だけ変化させる。第２の温度制御手段を基板保持
盤や移動ステージに直付けあるいは内蔵することで、第
２の温度制御手段から基板保持盤の温調流体流動路に到
る配管の長さを短縮すれば、基板の温度制御の応答性を
大きく改善できる。これによって、露光装置のスループ
ットを向上できる。

【００１８】また、第１、第２の温度制御手段を用いて
段階的に温調流体の温度を制御することで、第１の温度
制御手段のみによって基板の温度制御を行なう場合に比
べて、温度制御手段に用いる温調ユニット等を大幅に小
型化できる。これによって、露光装置の小型化や低価格
化に大きく貢献できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。

【００２０】図１は一実施例による露光装置を示すもの
で、これは、荷電粒子蓄積リング放射光（シンクロトロ
ン放射光）等のＸ線Ｌ₁ を発生する露光手段である光源
１と、Ｘ線Ｌ₁ を所定の方向（Ｙ軸方向）に拡大する拡
大ミラー２と、ヘリウムガスの減圧雰囲気に制御される
露光室３と、その内部に配設されたステージユニットで
あるウエハステージ４と、マスクステージ５と、アライ
メント光学系６と、移動シャッタ７を有する。

【００２１】Ｘ線Ｌ₁ は、拡大ミラー２によって前述の
ようにＹ軸方向へ拡大され、超高真空に制御されたビー
ムダクト２ａを通り、ベリリウム窓３ａを透過して露光
室３へ導入され、マスクステージ５に保持されたマスク
を経て、ウエハステージ４上の基板であるウエハＷ₁ を
露光する。マスクとウエハＷ₁ の間は、いわゆるプロキ
シミティギャップを介して近接対峙しており、マスクを
透過したＸ線によって、マスクのパターンがウエハＷ₁
に転写される。

【００２２】拡大ミラー２によって拡大されたＸ線は、
Ｙ軸方向にガウス分布に似た強度分布を有するため、各
露光画角の端部等において露光量が不足する等の露光む
らを発生する。そこで、露光中に移動シャッタ７の移動
速度を制御することで露光時間を調節し、前記露光むら
を防ぐように工夫されている。

【００２３】なお、露光開始前には、アライメント光学
系６を用いて、ウエハＷ₁ とマスクの位置合わせを厳密
に行ない、等倍露光の転写精度を確保する。

【００２４】このような等倍露光系（プロキシミティ露
光系）においては、縮小投影露光系のようにレンズ群を
用いた倍率補正を行なうことができない。そこで後述す
るように、ウエハＷ₁ の温度を微調節し、これに伴なう
熱膨張あるいは熱収縮を利用してウエハＷ₁ の寸法を変
化させることで倍率補正を行なう。

【００２５】ウエハステージ４は、ウエハＷ₁ を吸着す
る基板保持盤であるウエハチャック１０と、これを移動
させる移動ステージ２０を有し、移動ステージ２０は、
ウエハＷ₁ の各露光画角をＸ線Ｌ₁ の照射領域にステッ
プ移動させるための粗動ステージと、ステップ移動され
た露光画角をアライメント光学系６の出力に基づいて微
小量だけ移動させ、マスク等に対する最終的な位置合わ
せを行なうための微動ステージを備えている。

【００２６】ウエハチャック１０は、図２に拡大して示
すように、基板保持面である吸着面１１ａを備えた本体
１１を有し、本体１１には、ウエハＷ₁ の温度を制御す
る温調流体を流すための温調流体流動路である内部配管
１２が形成されている。内部配管１２を流動する温調流
体としては、一般的に水が用いられる。この水は、給水
管１３ａから内部配管１２に供給され、排水管１３ｂを
通って第１の温度制御手段である温調ユニット１４に戻
される。第１の温調ユニット１４は、温調流体を一定の
温度でいわゆる恒温水として給水管１３ａに送り出す。

【００２７】給水管１３ａの途中には第２の温度制御手
段である温調ユニット１５が配設され、温度コントロー
ラ１６によって恒温水の温度を微調節する。これは、ウ
エハチャック１０の本体１１の吸着面１１ａの温度を検
出する温度センサ１７と、露光装置のＣＰＵ等に接続さ
れ、温度センサ１７の出力とＣＰＵ等から送信される指
令値に基づいて第２の温調ユニット１５を制御し、ウエ
ハチャック１０に供給される恒温水の温度を微調節する
ものである。

【００２８】第２の温調ユニット１５は、高精度な温度
制御が自在でしかも応答性の良好なペルチェ素子等であ
り、ウエハチャック１０の本体１１に内蔵されていても
よいし、本体１１の裏面側に固着されていてもよい。あ
るいは、移動ステージ２０と一体的に配設されていても
よい。応答の速いペルチェ素子等をこのようにウエハチ
ャック１０あるいは移動ステージ２０に配設すること
で、ウエハチャック１０の吸着面１０ａに吸着されたウ
エハＷ₁ の温度を高精度でしかも迅速に微調節すること
ができる。

【００２９】ウエハチャック１０の吸着面１１ａには、
吸着溝１１ｂが形成されており、貫通孔１１ｃに接続さ
れた真空ポンプ等によって吸着溝１１ｂを排気すること
で、ウエハＷ₁ をウエハチャック１０の吸着面１１ａに
吸着する真空吸着力が発生される。

【００３０】なお、このような真空吸着力によってウエ
ハを吸着する替わりに、公知の静電吸着方式を採用して
もよい。

【００３１】Ｘ線Ｌ₁ の露光中は、Ｘ線Ｌ₁ のエネルギ
ーを吸収したマスクやウエハＷ₁ が昇温する。そこで、
ウエハチャック１０の内部配管１２に温調流体（恒温
水）を流動させてマスクやウエハＷ₁ を冷却し、これら
の熱歪による転写ずれ等を防ぐ。第１の温調ユニット１
４は、このようにマスクやウエハＷ₁ の熱を吸収し昇温
した温調流体を回収してもとの温度に冷却し、恒温水と
して給水管１３ａに送り出す役目をする。従って、比較
的大容量であるから、ウエハステージ１０から分離さ
れ、露光室３の外側に配設される。

【００３２】第２の温調ユニット１５は、転写倍率を補
正する必要がある場合に、露光サイクルを開始する前に
ウエハＷ₁ の温度を微調節するために用いる。すなわ
ち、ウエハＷ₁ を露光装置にローディングする前に転写
倍率の補正量を予め計測しておき、そのデータに基づい
て露光中のウエハＷ₁ の最適温度を算出し、これを指令
値として温度コントローラ１６に入力する。温度コント
ローラ１６は、温度センサ１７によってウエハチャック
１０の温度をモニタして前記最適温度と比較し、第２の
温調ユニット１５を制御して、ウエハチャック１０の内
部配管１２に流入する直前の温調流体の温度を変化させ
る。このようにしてウエハＷ₁ を熱膨張あるいは熱収縮
させることで転写倍率を補正する。

【００３３】第２の温調ユニット１５は、予め第１の温
調ユニット１４によって恒温水に温度制御された温調流
体をわずかに加熱あるいは冷却するだけであるから、極
めて小容量の小型の温調ディバイスでよい。そこで、高
精能で応答性の良好なペルチェ素子等をウエハチャック
に内蔵または直付けする。転写倍率の補正に費やされる
時間を大幅に短縮することで、スループットの向上にも
大きく貢献できる。

【００３４】なお、ペルチェ素子等を移動ステージに取
り付けて、ウエハチャックの内部配管に接続される配管
に断熱を施してもよい。この場合は、多少応答性が劣化
するが、ウエハチャックを駆動する駆動部の負荷を低減
できるという利点がある。

【００３５】また、転写倍率の補正を必要としない場合
でも、第１の温調ユニットで温度制御された恒温水の温
度を、ウエハに近接した第２の温調ユニットで段階的に
最適温度に調節してウエハチャックの内部配管に供給す
れば、ウエハやマスクを効率良く冷却することができ
る。すなわち、Ｘ線によるウエハ等の昇温に迅速に対応
できるうえに、内部配管を流れる温調流体の量が少なく
ても、ウエハ等を適切に冷却することができる。従っ
て、第１の温調ユニットに比較的容量の小さい小型で安
価なものを用いることができる。これによって、露光装
置の小型化、低価格化を大きく促進できる。

【００３６】なお、ウエハを露光装置にローディングす
る前に転写倍率の補正量を予め計測しておく替わりに、
ウエハを露光装置にローディングした後にアライメント
光学系の計測データを用いて転写倍率を算出して、ウエ
ハの最適温度を得る方法を採用してもよい。

【００３７】さらに、ウエハチャックにウエハを搬送す
るハンドにも、同様の内部配管を設け、これに供給する
温調流体の温度制御を上記と同様の第１、第２の温調ユ
ニットによって段階的に行なうことで、ウエハチャック
にウエハを受け渡す直前に転写倍率を補正してもよい。

【００３８】図３は一変形例によるウエハチャック３０
を示すもので、これは、第２の温調ユニット１５の下流
側で給水管１３ａ内の温調流体の温度を検出する第２の
温度センサ３７を付加したものである。内部配管１２に
流入する直前の温調流体の温度を第２の温度センサ３７
によって検出して温度コントローラ１６に導入し、第１
の温度センサ１７の出力と比較する。予めウエハチャッ
ク３０の昇温時等の時定数を計測しておき、これと、第
１、第２の温度センサ１７，３７の出力の比較値に基づ
いて過渡的に目標温度と現在温度の差が大きくなるよう
に温度制御を行なうことで、応答性を高めることができ
る。

【００３９】転写倍率の補正等に費やされる時間をより
一層短縮することで、ウエハの交換作業中に転写倍率の
補正等を完了することが可能となる。これによってスル
ープットの向上により一層貢献できる。

【００４０】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体ディバイスの製造方法の実施例を説明する。図４は半
導体ディバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ある
いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステ
ップ１（回路設計）では半導体ディバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウエ
ハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ
５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
ィバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
なう。こうした工程を経て半導体ディバイスが完成し、
これが出荷（ステップ７）される。

【００４１】図５は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体
ディバイスを製造することができる。

【００４２】

【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。

【００４３】露光中のウエハ等基板の温度をウエハチャ
ックの内部配管等を流動する温調流体によって制御する
に際して、温度制御の応答性を大きく改善できる。ま
た、温調流体の温度を段階的に調節することで、温調ユ
ニット等の小型化を促進し、露光装置全体の小型化や低
価格化に大きく貢献できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施例による露光装置を説明する図である。

【図２】図１のウエハステージを拡大して示す拡大模式
断面図である。

【図３】一変形例によるウエハステージを示す拡大模式
断面図である。

【図４】半導体製造工程を示すフローチャートである。

【図５】ウエハプロセスを示すフローチャートである。

【図６】一従来例によるウエハステージを示す模式断面
図である。

【符号の説明】

１光源２拡大ミラー３露光室４ウエハステージ１０，３０ウエハチャック１２内部配管１４，１５温調ユニット１６温度コントローラ１７，３７温度センサ２０移動ステージ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｈ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板保持面と温調流体流動路を有する基
板保持盤と、これを移動させる移動ステージと、前記基
板保持盤の前記温調流体流動路に供給される温調流体を
所定の温度に制御する第１の温度制御手段と、前記温調
流体の温度を前記所定の温度から所定量だけ変化させる
第２の温度制御手段を有する基板保持装置。
【請求項２】第２の温度制御手段が、基板保持面に保
持された基板の温度を変化させることで該基板の転写倍
率を補正するように構成されていることを特徴とする請
求項１記載の基板保持装置。
【請求項３】第２の温度制御手段が、基板保持盤と移
動ステージを有するステージユニットに配設されている
ことを特徴とする請求項１または２記載の基板保持装
置。
【請求項４】第１の温度制御手段が、基板保持盤と移
動ステージを内蔵する露光室の外に配設されていること
を特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の基板
保持装置。
【請求項５】基板保持盤の基板保持面に温度センサが
配設されていることを特徴とする請求項１ないし４いず
れか１項記載の基板保持装置。
【請求項６】基板保持盤の温調流体流動路と第２の温
度制御手段の間に第２の温度センサが配設されているこ
とを特徴とする請求項５記載の基板保持装置。
【請求項７】請求項１ないし６いずれか１項記載の基
板保持装置と、これに保持された基板を露光する露光手
段を有する露光装置。
【請求項８】露光手段が、Ｘ線によって基板を露光す
るように構成されていることを特徴とする請求項７記載
の露光装置。