WO2019167234A1 - ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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WO2019167234A1
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真生 中野
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ギガフォトン株式会社
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    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the present disclosure relates to a target supply apparatus, an extreme ultraviolet light generation apparatus, and an electronic device manufacturing method.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • a target supply device includes a tank that stores a liquid target material, a nozzle that outputs the target material stored in the tank, and a vibration element that is driven by an electrical signal, A vibration element that generates a droplet of the target material by applying vibration to the target material output from the nozzle via the vibration propagation path, a vibration propagation path component that constitutes at least a part of the vibration propagation path, and a vibration propagation path
  • a first temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the refrigerant supplied to the component to the first temperature, a temperature sensor for detecting the temperature of the vibration propagation path, and the temperature of the vibration propagation path supplied with the refrigerant at the second temperature.
  • a second temperature adjustment mechanism that adjusts to the second temperature adjustment mechanism, and a control unit that controls the second temperature adjustment mechanism based on the output of the temperature sensor.
  • An electronic device manufacturing method uses an extreme ultraviolet light generation device including a chamber and a target supply device that supplies a target material into the chamber, and the target supply device is provided in the chamber.
  • the target material is supplied from, and the target material is irradiated with laser light to turn the target material into plasma, generate extreme ultraviolet light, output the extreme ultraviolet light to the exposure device, and manufacture an electronic device.
  • the target supply device is driven by an electric signal and a tank for storing the liquid target material, a nozzle for outputting the target material stored in the tank, and This is a vibration element that applies vibrations to the target material output from the nozzle via the vibration propagation path.
  • a vibration element that generates droplets of the fluid material, a vibration propagation path component that constitutes at least a part of the vibration propagation path, and a first temperature that adjusts a temperature of the refrigerant supplied to the vibration propagation path component to a first temperature.
  • the temperature sensor for detecting the temperature of the vibration propagation path
  • the second temperature adjustment mechanism for adjusting the temperature of the vibration propagation path supplied with the refrigerant to the second temperature
  • the output of the temperature sensor And a control unit that controls the second temperature adjustment mechanism.
  • a target supply device includes a tank that stores a liquid target material, a nozzle that outputs the target material stored in the tank, and a vibration element that is driven by an electric signal.
  • a temperature adjusting mechanism that adjusts the temperature of the propagation path component to a specified control temperature
  • an energy detector that detects energy radiated to the excitation element and the vibration propagation path component from outside the vibration element and the vibration propagation path component.
  • a controller that controls the operation of the temperature adjustment mechanism based on the output of the energy detector.
  • An electronic device manufacturing method uses an extreme ultraviolet light generation device including a chamber and a target supply device that supplies a target material into the chamber, and the target supply device is provided in the chamber.
  • the target material is supplied from, and the target material is irradiated with laser light to turn the target material into plasma, generate extreme ultraviolet light, output the extreme ultraviolet light to the exposure device, and manufacture an electronic device.
  • the target supply device is driven by an electric signal and a tank for storing the liquid target material, a nozzle for outputting the target material stored in the tank, and This is a vibration element that applies vibrations to the target material output from the nozzle via the vibration propagation path.
  • a vibration element that generates droplets of the fluid material, a vibration propagation path component that constitutes at least a part of the vibration propagation path, a temperature adjustment mechanism that adjusts the temperature of the vibration propagation path component to a specified control temperature,
  • An energy detector that detects energy radiated from the outside of the vibration element and the vibration propagation path component to the vibration element and the vibration propagation path component, and a control that controls the operation of the temperature adjustment mechanism based on the output of the energy detector A manufacturing method of an electronic device.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including the target supply apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including the target supply apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the fourth embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the fifth embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the sixth embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the seventh embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the eighth embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the ninth embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the tenth embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing the configuration of the piezo unit.
  • 14 is a cross-sectional view of the piezo unit shown in FIG. 13 taken along line 14-14.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a first example of a fixing method of the piezo unit temperature sensor.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a first example of a fixing method of the piezo unit temperature sensor.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a second example of the fixing method of the piezo unit temperature sensor.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view schematically showing a second example of the fixing method of the piezo unit temperature sensor.
  • FIG. 19 is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus connected to the EUV light generation apparatus.
  • Embodiment 8 12.1 Configuration 12.2 Operation 12.3 Action and Effect 13.
  • Embodiment 9 13.1 Configuration 13.2 Operation 13.3 Action and Effect 14. 15. Another embodiment provided with a plasma shielding plate
  • Embodiment 10 15.1 Configuration 15.2 Operation 15.3 Action and Effect 16.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation device 12 may be used with at least one laser device 14.
  • a system including the EUV light generation apparatus 12 and the laser apparatus 14 is referred to as an EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a chamber 16 and a target supply unit 18.
  • the chamber 16 is a container that can be sealed.
  • the target supply unit 18 is configured to supply the target material into the chamber 16, and is attached to penetrate the wall of the chamber 16, for example.
  • the material of the target substance may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 16 is provided with at least one through hole.
  • the through hole is closed by the window 20, and the pulse laser beam 22 output from the laser device 14 is transmitted through the window 20.
  • an EUV light collecting mirror 24 having a spheroidal reflecting surface is disposed.
  • the EUV light collector mirror 24 has a first focus and a second focus.
  • a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated is formed on the surface of the EUV light collector mirror 24.
  • the EUV light collector mirror 24 is disposed, for example, such that its first focus is located in the plasma generation region 26 and its second focus is located in an intermediate focusing point (IF) 28. .
  • a through hole 30 is provided at the center of the EUV light collector mirror 24, and the pulse laser beam 23 passes through the through hole 30.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes an EUV light generation control unit 40, a target sensor 42, and the like.
  • the target sensor 42 is configured to detect one or more of the presence, trajectory, position, and speed of the target 44.
  • the target sensor 42 may have an imaging function.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a connection portion 48 that communicates the inside of the chamber 16 and the inside of the exposure apparatus 46. Inside the connecting portion 48, a wall 52 in which an aperture 50 is formed is provided inside the connecting portion 48. The wall 52 is arranged so that the aperture 50 is located at the second focal position of the EUV light collector mirror 24.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a laser light transmission device 54, a laser light condensing mirror 56, a target collection unit 58 for collecting the target 44, and the like.
  • the laser light transmission device 54 includes an optical element for defining the transmission state of the laser light and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the target recovery unit 58 is disposed on an extension line in the direction in which the target 44 output into the chamber 16 travels.
  • the laser device 14 may be a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) system.
  • the laser device 14 may be configured to include a master oscillator (not shown), an optical isolator (not shown), and a plurality of CO 2 laser amplifiers (not shown).
  • the wavelength of the laser beam output from the master oscillator is, for example, 10.59 ⁇ m, and the repetition frequency of pulse oscillation is, for example, 100 kHz.
  • the operation of an exemplary LPP type EUV light generation system 10 is described with reference to FIG.
  • the inside of the chamber 16 is maintained at a pressure lower than the atmospheric pressure, and may be a vacuum.
  • a gas having a high EUV light transmittance exists inside the chamber 16.
  • the gas present inside the chamber 16 may be, for example, hydrogen gas.
  • the pulsed laser light 21 output from the laser device 14 passes through the window 20 as the pulsed laser light 22 through the laser light transmission device 54 and enters the chamber 16.
  • the pulse laser beam 22 travels along the at least one laser beam path in the chamber 16, is reflected by the laser beam collector mirror 56, and is irradiated to the at least one target 44 as the pulse laser beam 23.
  • the target supply unit 18 is configured to output the target 44 formed of the target material toward the plasma generation region 26 inside the chamber 16.
  • the target supply unit 18 forms droplets by, for example, a continuous jet method.
  • the nozzle is vibrated, the target material ejected in a jet shape from the nozzle hole is periodically vibrated, and the target material is periodically separated.
  • the separated target material can form a free interface by its own surface tension to form a droplet.
  • the target 44 is irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 23.
  • the target 44 irradiated with the pulse laser beam is turned into plasma, and radiation light 60 is emitted from the plasma.
  • the EUV light 62 included in the radiation light 60 is selectively reflected by the EUV light collector mirror 24.
  • the EUV light 62 reflected by the EUV light condensing mirror 24 is condensed at the intermediate condensing point 28 and output to the exposure device 46.
  • a single target 44 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulsed laser light 23.
  • the EUV light generation controller 40 is configured to control the entire EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation controller 40 is configured to process the detection result of the target sensor 42. Based on the detection result of the target sensor 42, the EUV light generation control unit 40 is configured to control, for example, the timing at which the target 44 is output, the output direction of the target 44, and the like. Further, the EUV light generation control unit 40 is configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 14, the traveling direction of the pulse laser light 22, the focusing position of the pulse laser light 23, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls are added as necessary.
  • Target is an object to be irradiated with laser light introduced into a chamber.
  • the target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
  • the target is a plasma generation source.
  • Droplet is a form of target supplied into the chamber.
  • a droplet can mean a target that has become substantially spherical due to the surface tension of the molten target material.
  • Pulse laser light may mean laser light including a plurality of pulses.
  • Laser light may mean not only pulsed laser light but general laser light.
  • Laser optical path means the optical path of laser light.
  • CO 2 represents carbon dioxide
  • Pulsma light is radiation light emitted from a plasma target.
  • the emitted light includes EUV light.
  • EUV light is an abbreviation for “extreme ultraviolet light”.
  • Extreme ultraviolet light generator is expressed as “EUV light generator”.
  • piezo element is synonymous with piezoelectric element.
  • the piezo element may be simply referred to as “piezo”.
  • a piezo element is an example of a vibration element.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration of an EUV light generation device including a target supply device.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a target supply unit 18, a target control unit 70, a delay circuit 72, and an inert gas supply unit 74.
  • the target supply unit 18 includes a nozzle 80 that outputs a target material, a tank 82 that stores the target material, a heater 84, a tank temperature sensor 86, a piezo unit 88, and a pressure regulator 90.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a heater power source 92, a tank temperature control unit 94, a piezo power source 96, a piezo unit temperature sensor 100, a piezo unit temperature monitor unit 102, and a chiller unit 110.
  • the target supply device 78 includes a target supply unit 18, a target control unit 70, a heater power supply 92, a tank temperature control unit 94, a piezo power supply 96, a piezo unit temperature sensor 100, and a piezo unit temperature monitor unit 102.
  • the chiller unit 110 may be included in the configuration of the target supply device 78.
  • the target supply device 78 may include a droplet detection device that is not shown in FIG.
  • the droplet detection device is an example of the target sensor 42 described in FIG.
  • the droplet detection device may detect the presence of the droplet at a predetermined position on the droplet trajectory and output a signal indicating the passage timing of the droplet 136 passing through the predetermined position.
  • the tank 82 is formed in a hollow cylindrical shape.
  • a target material is accommodated in the hollow tank 82.
  • At least the inside of the tank 82 is made of a material that hardly reacts with the target substance.
  • tin which is an example of the target substance, for example, any one of SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , molybdenum, tungsten, and tantalum can be used as a material that hardly reacts with tin.
  • a heater 84 and a tank temperature sensor 86 are fixed to the tank 82.
  • the heater 84 is fixed to the outer side surface portion of the cylindrical tank 82.
  • a heater 84 fixed to the tank 82 heats the tank 82.
  • the heater 84 is connected to the heater power source 92.
  • the heater power supply 92 supplies power to the heater 84.
  • the heater power source 92 is connected to the tank temperature control unit 94.
  • the tank temperature control unit 94 may be connected to the target control unit 70 or may be included in the target control unit 70.
  • the heater power supply 92 is controlled by the tank temperature control unit 94 to supply power to the heater 84.
  • a tank temperature sensor 86 is fixed to the outer side surface of the tank 82.
  • the tank temperature sensor 86 is connected to the tank temperature control unit 94.
  • the tank temperature sensor 86 detects the temperature of the tank 82 and outputs tank temperature information to the tank temperature control unit 94.
  • the tank temperature control unit 94 can adjust the power supplied to the heater 84 based on the tank temperature information output from the tank temperature sensor 86.
  • the tank temperature control unit 94 outputs a heater power control signal to the heater power source 92.
  • the tank temperature adjustment mechanism including the heater 84 and the heater power supply 92 can adjust the temperature of the tank 82 based on the heater power supply control signal of the tank temperature control unit 94.
  • the pressure regulator 90 is disposed in a pipe 98 between the inert gas supply unit 74 and the tank 82.
  • the pipe 98 can communicate the target supply unit 18 including the tank 82 with the pressure regulator 90.
  • the pipe 98 may be covered with a heat insulating material (not shown).
  • a heater (not shown) is disposed in the pipe 98.
  • the temperature in the pipe 98 may be kept at the same temperature as the temperature in the tank 82 of the target supply unit 18.
  • the inert gas supply unit 74 includes a gas cylinder filled with an inert gas such as helium or argon.
  • the inert gas supply unit 74 supplies the inert gas into the tank 82 via the pressure regulator 90.
  • argon is used as the inert gas.
  • the pressure regulator 90 may include a solenoid valve, a pressure sensor, etc. (not shown) for supplying and exhausting air.
  • the pressure regulator 90 detects the pressure in the tank 82 using a pressure sensor (not shown).
  • the pressure regulator 90 is connected to an exhaust pump (not shown).
  • the pressure regulator 90 operates an exhaust pump (not shown) to exhaust the gas in the tank 82.
  • the pressure regulator 90 can increase or decrease the pressure in the tank 82 by supplying gas into the tank 82 or exhausting the gas in the tank 82.
  • the pressure regulator 90 is connected to the target control unit 70.
  • the pressure regulator 90 outputs a detection signal of the detected pressure to the target control unit 70.
  • the pressure regulator 90 receives a control signal output from the target control unit 70.
  • the target control unit 70 adjusts a pressure command signal for controlling the operation of the pressure regulator 90 based on the detection signal output from the pressure regulator 90 so that the pressure in the tank 82 becomes a target pressure.
  • the pressure regulator 90 supplies gas into the tank 82 or exhausts gas in the tank 82 based on a pressure command signal from the target control unit 70. As the pressure regulator 90 supplies or exhausts gas, the pressure in the tank 82 can be adjusted to a target pressure.
  • the nozzle 80 includes a nozzle hole 80a that outputs a target material.
  • a target material As an example of the target material to be output from the nozzle hole 80a, liquid tin can be adopted.
  • the nozzle 80 is provided on the bottom surface of the cylindrical tank 82.
  • the nozzle 80 is disposed inside the chamber 16 through a target supply hole (not shown) of the chamber 16.
  • the target supply hole of the chamber 16 is closed by the target supply unit 18 being arranged. Due to the structure in which the target supply unit 18 is disposed so as to close the target supply hole of the chamber 16, the interior of the chamber 16 can be isolated from the atmosphere.
  • At least the inner surface of the nozzle 80 is made of a material that hardly reacts with the target substance.
  • One end of the nozzle 80 is fixed to a hollow tank 82.
  • a nozzle hole 80 a is provided at the other end of the nozzle 80.
  • a tank 82 on one end side of the nozzle 80 is located outside the chamber 16, and a nozzle hole 80 a on the other end side of the nozzle 80 is located inside the chamber 16.
  • the tank 82 may be positioned inside the chamber 16.
  • a part of the tank including the heater 84 may be located inside the chamber 16.
  • the nozzle hole 80 a on the other end side of the nozzle 80 is located inside the chamber 16.
  • the plasma generation region 26 inside the chamber 16 is located on the extended line in the central axis direction of the nozzle hole 80a.
  • the tank 82, the nozzle 80, and the chamber 16 communicate with each other inside.
  • the nozzle hole 80 a is formed in such a shape that the molten target material is jetted into the chamber 16.
  • a piezo unit 88 is fixed to the nozzle 80.
  • the piezo unit 88 includes a piezo element 202.
  • the piezo element 202 is connected to a piezo power source 96.
  • the piezo unit 88 applies vibration to the nozzle 80.
  • the target supply unit 18 forms the droplet 136 by, for example, a continuous jet method.
  • a rectangular piezoelectric drive signal having a predetermined frequency is applied from the piezoelectric power source 96 to the piezoelectric element 202, whereby tin droplets 136 are continuously discharged from the nozzle 80.
  • a plurality of droplets discharged from the nozzle 80 may be combined into a droplet 136 that is combined into a required mass during dropping.
  • the piezo unit 88 and the piezo power source 96 can be elements constituting a droplet forming mechanism that gives the nozzle 80 vibration necessary for forming the droplet 136.
  • the vibration generated by the piezo element 202 is transmitted to the nozzle 80 via the parts constituting the piezo unit 88.
  • the piezo power supply 96 supplies power to the piezo element 202.
  • the piezo power supply 96 is connected to the target control unit 70.
  • the piezo power source 96 is controlled by the target control unit 70 to supply power to the piezo element 202.
  • the piezo unit temperature sensor 100 measures the temperature of the piezo unit 88.
  • the temperature of the piezo unit 88 is referred to as “piezo unit temperature”.
  • the piezo unit 88 is an element constituting a part of the vibration propagation path, and the piezo unit temperature information is information that directly or indirectly indicates the temperature of the vibration propagation path. In the present embodiment, the piezo unit temperature is used as information indicating the temperature of the vibration propagation path.
  • the piezo unit temperature sensor 100 is fixed to the piezo unit 88.
  • the piezo unit temperature sensor 100 is connected to the piezo unit temperature monitor unit 102.
  • the piezo unit temperature monitoring unit 102 is a device that monitors piezo unit temperature information obtained from the piezo unit temperature sensor 100.
  • “monitoring” includes monitoring continuously or at an appropriate time interval.
  • the piezo unit temperature monitoring unit 102 may be configured to include a display device and an indicator that visualize and output piezo unit temperature information.
  • the piezo unit 88 is provided with a cooling water introduction port 88A and a cooling water discharge port 88B.
  • the piezo unit 88 has a cooling water channel that leads from the cooling water inlet 88A to the cooling water outlet 88B.
  • a cooling water channel inside the piezo unit 88 which is not shown in FIG. 2 is indicated by reference numeral 214 in FIG.
  • a configuration example of the piezo unit 88 will be described later with reference to FIGS. 13 and 14.
  • the chiller unit 110 is a cooling water circulation device that supplies cooling water as a refrigerant for cooling the piezoelectric unit 88 to the piezoelectric unit 88.
  • the cooling water outlet 111 of the chiller unit 110 is connected to the cooling water inlet 88 ⁇ / b> A of the piezo unit 88 via the cooling water supply channel 121.
  • the cooling water inlet 112 of the chiller unit 110 is connected to the cooling water discharge port 88B of the piezo unit 88 via the cooling water return flow path 122.
  • the chiller unit 110 includes a cooling water heating / cooling unit 114, a cooling water temperature sensor 116, and a cooling water temperature control unit 118.
  • the cooling water heating / cooling unit 114 is a temperature adjustment device having a function of heating the cooling water and a function of cooling the cooling water.
  • the cooling water heating and cooling unit 114 includes a heater and a cooler (not shown).
  • the cooler includes a heat exchanger.
  • the cooling water heating / cooling unit 114 is connected to the cooling water temperature control unit 118.
  • the cooling water temperature sensor 116 is a sensor that measures the cooling water temperature on the cooling water outlet side in the chiller unit 110.
  • the cooling water temperature sensor 116 is disposed in a flow path on the outlet side that connects between the cooling water heating and cooling unit 114 and the cooling water outlet 111.
  • the cooling water temperature sensor 116 is connected to the cooling water temperature control unit 118.
  • the cooling water temperature control unit 118 controls the operation of the cooling water heating / cooling unit 114.
  • the coolant temperature control unit 118 transmits a coolant temperature control signal to the coolant warming / cooling unit 114 based on the coolant temperature information output from the coolant temperature sensor 116.
  • the target control unit 70 can detect the presence of the droplet 136 at a predetermined position on the droplet trajectory based on an output signal from the target sensor 42 (see FIG. 1). In particular, the target control unit 70 can detect the timing at which the droplet 136 has passed a predetermined position on the droplet trajectory.
  • the passage timing signal indicating the timing at which the droplet 136 has passed through a predetermined position on the droplet trajectory may be generated by the target sensor 42 or generated by the target control unit 70 based on the output of the target sensor 42. Good.
  • the passage timing signal is input to the delay circuit 72 via the target control unit 70.
  • a signal line for setting the delay time of the delay circuit 72 from the target control unit 70 is connected to the delay circuit 72.
  • the delay circuit 72 may be configured as a part of the target control unit 70.
  • the output of the delay circuit 72 is input to the laser device 14 as a light emission trigger signal.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a first high reflection mirror 130, a second high reflection mirror 132, and a laser beam condensing optical system 134.
  • the laser beam transmission device 54 described in FIG. 1 includes a first high reflection mirror 130 and a second high reflection mirror 132.
  • the laser beam focusing optical system 134 includes the laser beam focusing mirror 56 described with reference to FIG.
  • the chamber 16 of the EUV light generation apparatus 12 is formed in, for example, a hollow spherical shape or a cylindrical shape.
  • the central axis direction of the cylindrical chamber 16 may be a direction in which the EUV light 62 is led out to the exposure apparatus 46.
  • the chamber 16 includes an exhaust device (not shown) and a pressure sensor.
  • the EUV light generation control unit 40 transmits and receives signals to and from an exposure apparatus control unit (not shown) that is a control unit of the exposure apparatus 46.
  • the EUV light generation control unit 40 controls the overall operation of the EUV light generation system 10 based on a command from the exposure apparatus 46.
  • the EUV light generation control unit 40 transmits and receives control signals to and from the laser device 14. Thereby, the EUV light generation controller 40 controls the operation of the laser device 14.
  • the EUV light generation controller 40 transmits and receives control signals to and from the respective actuators (not shown) of the laser light transmission device 54 and the laser light focusing optical system 134. Thereby, the EUV light generation control unit 40 adjusts the traveling direction and the focusing position of the pulsed laser beams 21, 22, and 23.
  • the EUV light generation control unit 40 transmits and receives control signals to and from the target control unit 70 of the target supply device 78. Thereby, the EUV light generation controller 40 controls operations of the target supply device 78 and the laser device 14.
  • the computer can be configured to include a CPU (Central Processing Unit) and a memory.
  • Software is synonymous with program. Programmable controllers are included in the concept of computers.
  • FPGA Field Programmable Gate Array
  • ASIC Application Specific Integrated Circuit
  • control devices may be connected to each other via a communication network such as a local area network or the Internet.
  • program units may be stored in both local and remote memory storage devices.
  • the EUV light generation controller 40 controls an exhaust device (not shown) so that the chamber 16 is in a vacuum state.
  • the EUV light generation control unit 40 performs exhaust by the exhaust device and gas supply from a gas supply device (not shown) so that the pressure in the chamber 16 is within a predetermined range based on a detection value of a pressure sensor (not shown). To control.
  • the target control unit 70 passes through the tank temperature control unit 94 so that the target material in the target supply unit 18 has a predetermined temperature equal to or higher than the melting point.
  • the heater 84 is controlled.
  • the tank temperature control unit 94 controls the heater power source 92 based on the detection value of the tank temperature sensor 86 in accordance with the control of the target control unit 70.
  • the tank temperature control unit 94 transmits a heater power control signal to the heater power source 92.
  • the heater power supply 92 supplies heater power to the heater 84 in accordance with the heater power supply control signal.
  • tin (Sn) is used as the target material, the melting point of tin is 232 ° C.
  • the target control unit 70 controls the heater 84 so that the tin in the target supply unit 18 has a predetermined temperature in the range of 232 ° C. to 300 ° C., for example. As a result, the tin stored in the target supply unit 18 melts and becomes a liquid.
  • the molten tin may correspond to one form of “liquid target material”.
  • the target control unit 70 controls the pressure regulator 90 so that the pressure in the tank 82 becomes a predetermined pressure in order to discharge the liquid target material from the nozzle hole 80a.
  • the pressure adjuster 90 can increase or decrease the pressure in the tank 82 by supplying gas into the tank 82 or exhausting the gas in the tank 82. That is, the pressure regulator 90 determines the pressure in the tank 82 in accordance with an instruction from the target controller 70 so that the droplet 136 reaches the plasma generation region 26 at a predetermined target speed and a predetermined target trajectory. Adjust to the value.
  • the predetermined target speed of the droplet 136 may be a speed ranging from 60 m / s to 120 m / s, for example.
  • the predetermined value of the pressure in the tank 82 may be a pressure in the range of several MPa to 40 MPa, for example.
  • the target control unit 70 sends an electrical signal having a predetermined piezo driving frequency and a predetermined duty to the piezo element 202 via the piezo power source 96 so that the liquid tin output from the nozzle 80 generates the droplet 136. That is, the target control unit 70 transmits a voltage waveform signal for piezo driving to the piezo power source 96.
  • the piezo power supply 96 supplies a piezo drive voltage to the piezo element 202 in accordance with an instruction from the target control unit 70.
  • a piezo drive voltage is applied to the piezo element 202, the piezo element 202 vibrates.
  • the vibration of the piezo element 202 is transmitted to the nozzle 80, and the liquid target material vibrates through the nozzle 80.
  • the liquid tin jet output from the nozzle hole 80a is given a regular vibration that promotes droplet coupling, whereby droplets 136 having approximately the same volume are periodically generated. Then, the droplet 136 can be supplied to the plasma generation region 26.
  • the target sensor 42 When the droplet 136 passes through a predetermined position on the droplet trajectory between the nozzle hole 80a and the plasma generation region 26, the target sensor 42 generates a detection signal.
  • the detection signal output from the target sensor 42 is sent to the target control unit 70.
  • the target control unit 70 generates a passage timing signal indicating the passage timing of the droplet.
  • the passage timing signal is input from the target control unit 70 to the delay circuit 72.
  • the delay circuit 72 generates a light emission trigger signal by adding a delay time to the passage timing signal, and inputs the light emission trigger signal to the laser device 14.
  • the delay time of the delay circuit 72 is set so that a light emission trigger signal is input to the laser device 14 before the droplet 136 passes through a predetermined position and reaches the plasma generation region 26. That is, the delay time is set so that the pulse 136 is irradiated with the pulsed laser light output from the laser device 14 when the droplet 136 reaches the plasma generation region 26.
  • the pulsed laser light output from the laser device 14 is guided to the plasma generation region 26 via the first high reflection mirror 130, the second high reflection mirror 132, and the laser beam condensing optical system 134, and is sent to the droplet 136. Irradiated.
  • the plasma generation region 26 can correspond to a condensing position of pulsed laser light.
  • the piezo unit temperature sensor 100 measures the temperature of the piezo unit 88.
  • the piezo unit temperature information output from the piezo unit temperature sensor 100 is sent to the piezo unit temperature monitor unit 102.
  • the piezo unit temperature is monitored by the piezo unit temperature monitor 102.
  • the feedback control of the cooling water heating / cooling unit 114 is performed by the cooling water temperature sensor 116 and the cooling water temperature control unit 118 mounted on the chiller unit 110.
  • the coolant temperature information output from the coolant temperature sensor 116 is sent to the coolant temperature control unit 118.
  • the cooling water temperature control unit 118 controls the cooling water heating and cooling unit 114 so as to eliminate the difference between the target cooling water temperature and the temperature detected by the cooling water temperature sensor 116 provided on the cooling water outlet side.
  • the cooling water temperature at the cooling water outlet 111 of the chiller unit 110 that is, the outlet temperature of the chiller unit 110 is maintained at a constant temperature that falls within an allowable range of ⁇ 0.1 ° C. of the target cooling water temperature, for example. Is done.
  • the outlet temperature of the chiller unit 110 is controlled to be constant based on the output of the coolant temperature sensor 116, but the temperature of the piezo unit 88 is not always constant.
  • the piezo unit temperature changes.
  • the radiation area of the radiation 140 from the plasma is schematically shown as a gray-tone filled area.
  • the gas convection 142 is schematically shown as a hollow arrow.
  • the piezo unit 88 When emitting EUV light, the piezo unit 88 can be heated by radiant heat from the plasma. Further, for example, since hydrogen gas is introduced into the chamber 16, the hydrogen gas is heated during EUV emission, and the piezo unit 88 may be heated by convection of the hydrogen gas.
  • FIG. 3 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including the target supply apparatus according to the first embodiment. Differences from the configuration shown in FIG. 2 will be described.
  • the target supply device 78 is based on the piezo unit temperature information of the piezo unit temperature monitoring unit 102, and controls the piezo unit temperature so as to keep the piezo unit temperature constant.
  • a feedback control unit 150 is provided.
  • Constant includes allowing a fluctuation or variation that falls within a predetermined allowable temperature range including the control target temperature to be generally constant.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 150 is connected to the piezo unit temperature monitor unit 102. Further, the piezo unit temperature feedback control unit 150 is connected to the cooling water temperature control unit 118 of the chiller unit 110.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 150 sets the outlet temperature of the chiller unit 110 and the cooling water temperature control unit of the chiller unit 110 so as to make the piezo unit temperature constant based on the piezo unit temperature information of the piezo unit temperature monitor unit 102. Feedback control is performed via 118.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 150 transmits a feedback control signal to the cooling water temperature control unit 118 of the chiller unit 110 according to the piezo unit temperature information.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 150 is not limited to the configuration that acquires the piezo unit temperature information from the piezo unit temperature monitor unit 102, and may acquire the piezo unit temperature information directly from the piezo unit temperature sensor 100.
  • the piezo unit temperature sensor 100 is typically a thermocouple.
  • a thermocouple such as K-TYPE can be used.
  • the temperature detector is, for example, a thermocouple tip.
  • the temperature detection unit may be inserted inside a component of the piezo unit 88.
  • the temperature detection unit may be inserted into the component of the piezo unit 88 by making a hole in the component of the piezo unit 88 and inserting the temperature detection unit into the hole.
  • the piezo unit temperature sensor 100 may be fixed using a clamp member, a retaining bolt, or the like so that the piezo unit temperature sensor 100 does not move.
  • the piezo unit temperature is measured using the piezo unit temperature sensor 100, and the piezo unit temperature monitor 102 monitors the piezo unit temperature.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 150 acquires piezo unit temperature information from the piezo unit temperature monitor unit 102.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 150 transmits a feedback control signal for making the piezo unit temperature constant to the cooling water temperature control unit 118 of the chiller unit 110 based on the piezo unit temperature information.
  • the control target temperature range of the piezo unit temperature is set to 53 ° C. ⁇ 0.1 ° C., for example.
  • the feedback control signal includes an instruction to change the temperature of the coolant flowing through the piezo unit 88.
  • the coolant temperature control unit 118 of the chiller unit 110 appropriately changes the coolant temperature at the coolant outlet of the chiller unit 110.
  • the piezo unit temperature is maintained at a temperature within the control target temperature range (for example, a temperature within the range of 53 ° C. ⁇ 0.1 ° C.).
  • the piezo unit temperature is controlled so as to be maintained at a constant temperature regardless of the presence or absence of laser irradiation, thereby stabilizing the droplet coupling.
  • the temperature of “53 ° C.” is an example of a typical piezo unit temperature during an operation period in which EUV light is generated.
  • the control target temperature of the piezo unit temperature can be set to an appropriate temperature with reference to a standard temperature during EUV emission.
  • the control target temperature of the piezo unit temperature may be set to an appropriate temperature within the range of 20 ° C. to 70 ° C., for example.
  • the control target temperature of the piezo unit temperature may be set to a temperature selected from the range of 30 ° C. to 60 ° C., or may be set to a temperature selected from the range of 50 ° C. to 55 ° C.
  • the allowable range of “ ⁇ 0.1 ° C.” is one of typical examples of the allowable temperature range with respect to the control target temperature.
  • FIG. 4 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the second embodiment. Differences from the first embodiment shown in FIG. 3 will be described.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in that the temperature of the piezo unit is stabilized by using a heating / cooling device 154 that is a temperature adjustment mechanism different from the cooling water heating / cooling unit 114 of the chiller unit 110. .
  • the heating / cooling device 154 includes at least one of a heating device and a cooling device.
  • the heating device is typically a heater.
  • the cooling device 154 is typically a Peltier element.
  • the heating / cooling device 154 may be either a heating device or a cooling device, or may be configured by combining both devices.
  • the heating / cooling device 154 is disposed in the cooling water supply channel 121 from the cooling water outlet 111 of the chiller unit 110 to the cooling water inlet 88A of the piezo unit 88.
  • the arrangement position of the heating / cooling device 154 may be outside the chamber 16.
  • FIG. 4 shows an example in which the heating / cooling device 154 is disposed outside the chamber 16. It is desirable that the heating / cooling device 154 is disposed outside the chamber 16 and as close as possible to the piezo unit 88 on the cooling water supply flow path 121.
  • the heating / cooling device 154 is connected to the heating / cooling device power source 156.
  • the heating / cooling device power source 156 supplies driving power to the heating / cooling device 154.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 151 is connected to the piezo unit temperature monitor unit 102.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 151 feedback-controls the temperature of the heating / cooling device 154 via the heating / cooling device power source 156 so as to keep the piezo unit temperature constant based on the piezo unit temperature information.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 151 acquires piezo unit temperature information from the piezo unit temperature monitor unit 102.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 151 transmits a feedback control signal for making the piezo unit temperature constant to the heating / cooling device power source 156 based on the piezo unit temperature information.
  • the control target temperature range of the piezo unit temperature is set to 53 ° C. ⁇ 0.1 ° C., for example.
  • the feedback control signal includes an instruction to change the temperature of the heating / cooling device 154.
  • the temperature of the heating / cooling device 154 is appropriately changed by the heating / cooling device power source 156.
  • the cooling water temperature in the cooling water supply channel 121 is changed.
  • the piezo unit temperature is kept at a temperature within the control target temperature range (for example, a temperature within the range of 53 ° C. ⁇ 0.1 ° C.).
  • the outlet temperature of the chiller unit 110 controlled by the cooling water temperature control unit 118 may be adjusted to a temperature range equivalent to the control target temperature range of the piezo unit temperature, or different from the control target temperature range of the piezo unit temperature. It may be adjusted to a temperature range.
  • the control target temperature range of the outlet temperature of the chiller unit 110 may be set to a temperature range lower than the control target temperature range of the piezo unit temperature.
  • the control target temperature range of the outlet temperature of the chiller unit 110 may be set to 12 ° C. ⁇ 0.1 ° C., for example.
  • control target temperature range of the piezo unit temperature is 53 ° C. ⁇ 0.1 ° C.
  • control target temperature range of the outlet temperature of the chiller unit 110 is set to, for example, 50 ° C. ⁇ 0.1 ° C. Also good.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 151 is an example of a “control unit”.
  • the piezo unit temperature sensor 100 is an example of a “temperature sensor” that detects the temperature of a vibration propagation path.
  • the temperature of the heating / cooling device 154 is feedback-controlled using the piezo unit temperature as a control target, and the cooling water temperature in the cooling water supply passage 121 is changed accordingly.
  • the piezo unit temperature is kept constant even when thermal disturbance such as radiation from plasma or heat transfer by gas convection occurs. Thereby, the droplet coupling is stabilized, and as a result, the EUV emission is stabilized.
  • the configuration of the second embodiment performs temperature control at a position closer to the piezo unit 88 including the vibration propagation path that is a target to be maintained at a constant temperature. Piezo unit temperature control is possible. Compared to the configuration of the first embodiment, the configuration of the second embodiment maintains the piezo unit temperature constant with higher accuracy even when a thermal disturbance occurs, stabilizes the droplet coupling, and as a result, stabilizes the EUV emission. To do.
  • the heating / cooling device 154 is arranged outside the chamber 16 such that the wiring of the cable for connection with the heating / cooling device power source 156 is relatively simple.
  • FIG. 5 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the third embodiment. Differences from the second embodiment shown in FIG. 4 will be described.
  • a target supply device 78 shown in FIG. 5 is different from the second embodiment in that a heating / cooling device 154 is disposed inside the chamber 16.
  • the configuration of the third embodiment performs temperature control at a position closer to the piezo unit 88 including the vibration propagation path that is a target to be maintained at a constant temperature as compared with the configuration of the second embodiment. Highly accurate piezo unit temperature control is possible. As a result, the configuration of the third embodiment maintains a constant piezo unit temperature with higher accuracy even when a thermal disturbance occurs, stabilizes the droplet coupling, and results in EUV light emission. Is stable.
  • FIG. 6 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply device according to the fourth embodiment. Differences from the second embodiment shown in FIG. 4 will be described.
  • the target supply device 78 shown in FIG. 6 is different from the second embodiment in that the heating / cooling device 154 is arranged on the surface or inside of the piezo unit 88.
  • the heating / cooling device 154 disposed in the piezo unit 88 directly heats or cools the piezo unit 88.
  • Other operations are the same as those in the second embodiment.
  • the piezo unit temperature is kept at a temperature within the control target temperature range (for example, a temperature within the range of 53 ° C. ⁇ 0.1 ° C.).
  • the fourth embodiment performs temperature control at a position closer to the piezo unit 88 including the vibration propagation path that is a target to be maintained at a constant temperature, as compared with the configuration of the second embodiment and the configuration of the third embodiment. Therefore, the piezo unit temperature can be controlled with higher accuracy. As a result, the configuration of the fourth embodiment maintains the piezo unit temperature constant with higher accuracy even when a thermal disturbance occurs, compared to the configurations of the first to third embodiments. Bonding is stabilized, and as a result, EUV emission is stabilized.
  • FIG. 7 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the fifth embodiment. Differences from the first embodiment shown in FIG. 3 will be described.
  • a mechanism for feedforward control of the piezo unit temperature is added.
  • the target supply device 78 shown in FIG. 7 further includes a thermal disturbance sensor 162, a thermal disturbance monitor unit 164 that monitors thermal disturbance information of the thermal disturbance sensor 162, and a piezo unit temperature feedforward control.
  • Unit 166 The thermal disturbance sensor 162 is a sensor that measures a thermal disturbance inside the chamber 16.
  • the thermal disturbance includes at least one of radiant heat due to radiation 140 from the plasma and convective heat due to heat transfer of the gas convection 142.
  • the thermal disturbance sensor 162 may be an energy detector that detects energy radiated to the piezo unit 88.
  • the thermal disturbance sensor 162 may be a sensor that detects heat or a sensor that detects light energy.
  • the sensor that detects heat may be, for example, a thermocouple, a thermoelectric element, a platinum resistor, or the like.
  • the sensor that detects light energy may be, for example, a photodiode, an EUV energy detector, an infrared energy detector, a pyroelectric element, or the like.
  • thermocouple detecting the temperature using a thermocouple or the like is included in the concept of detecting the amount of heat (heat energy). That is, a sensor that detects heat as temperature is included in the concept of a heat quantity detector that detects heat quantity.
  • the thermal disturbance sensor 162 is disposed in the radiation area of the radiation 140 from the plasma.
  • the arrangement position of the thermal disturbance sensor 162 is more preferably closer to the piezo unit 88 in the plasma radiation region.
  • the thermal disturbance sensor 162 is connected to the thermal disturbance monitor unit 164.
  • the thermal disturbance monitor unit 164 is connected to the piezo unit temperature feedforward control unit 166.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 166 performs feedforward control on the outlet temperature of the chiller unit 110 so as to keep the piezo unit temperature constant based on the thermal disturbance information of the thermal disturbance monitor unit 164.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 166 acquires thermal disturbance information from the thermal disturbance monitor unit 164 and outputs a feedforward control signal to the cooling water temperature control unit 118 of the chiller unit 110.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 166 is not limited to the configuration that acquires thermal disturbance information from the thermal disturbance monitor unit 164, and may acquire thermal disturbance information directly from the thermal disturbance sensor 162.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 150 performs feedback control using the piezo unit temperature as a control target based on the piezo unit temperature information. Furthermore, the target supply device 78 shown in FIG. 7 detects a thermal disturbance in the chamber 16 with the thermal disturbance sensor 162 and monitors it with the thermal disturbance monitor unit 164.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 166 transmits a feedforward control signal for making the piezo unit temperature constant to the cooling water temperature control unit 118 of the chiller unit 110 based on the thermal disturbance information from the thermal disturbance monitor unit 164. To do.
  • the driving of the cooling water heating / cooling unit 114 is controlled by the cooling water temperature control unit 118 of the chiller unit 110, and the cooling water temperature at the cooling water outlet 111 of the chiller unit 110 is appropriately changed.
  • the cooling water heating / cooling unit 114 is an example of a “temperature adjusting mechanism” that adjusts the temperature of the vibration propagation path component to a specified control temperature.
  • a control target temperature for example, 53 ° C.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 150 is an example of a “first control unit”.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 166 is an example of a “control unit” that changes the control temperature based on the output of the energy detector.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 166 is an example of a “second control unit”.
  • the piezo unit temperature is kept constant with higher accuracy than in the case of only the feedback control (the first embodiment), the droplet coupling is stabilized, and as a result, the EUV emission is stabilized.
  • FIG. 8 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the sixth embodiment. Differences from the second embodiment shown in FIG. 4 will be described.
  • a piezo unit temperature feedforward control mechanism is added to the configuration including the piezo unit temperature feedback control mechanism described in the second embodiment.
  • Embodiment 8 includes the configuration of the second embodiment, and further includes a thermal disturbance sensor 162, a thermal disturbance monitor unit 164, and a piezo unit temperature feedforward control unit 167.
  • a thermal disturbance sensor 162 and the thermal disturbance monitor part 164 it is the same as that of the structure demonstrated in Embodiment 5 (FIG. 7).
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 167 in FIG. 8 feeds forward the temperature of the heating / cooling device 154 via the heating / cooling device power source 156 so as to keep the piezo unit temperature constant based on the thermal disturbance information. Control.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 151 performs feedback control using the piezo unit temperature as a control target based on the piezo unit temperature information. Further, the target supply device 78 shown in FIG. 8 detects the thermal disturbance in the chamber 16 with the thermal disturbance sensor 162 and monitors it with the thermal disturbance monitor unit 164.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 167 transmits a feedforward control signal for making the piezo unit temperature constant to the heating / cooling device power source 156 based on the thermal disturbance information obtained from the thermal disturbance monitor unit 164.
  • the temperature of the heating / cooling device 154 is appropriately changed by the heating / cooling device power source 156, and the cooling water temperature in the cooling water supply channel 121 is changed accordingly.
  • the piezo unit temperature feedback control unit 151 is an example of a “first control unit”.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 167 is an example of a “control unit” that changes the control temperature based on the output of the energy detector.
  • the piezo unit temperature feedforward control unit 167 is an example of a “second control unit”.
  • FIG. 9 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the seventh embodiment. Differences from the sixth embodiment shown in FIG. 8 will be described.
  • the target supply device 78 according to the seventh embodiment shown in FIG. 9 is different from the sixth embodiment in that the heating / cooling device 154 is disposed inside the chamber 16.
  • the configuration of the seventh embodiment performs temperature control at a position closer to the piezo unit 88 that is a target to be maintained at a constant temperature as compared with the configuration of the sixth embodiment, so that more accurate piezo unit temperature control is possible. It becomes.
  • the configuration of the seventh embodiment maintains a constant piezo unit temperature with higher accuracy even when a thermal disturbance occurs, stabilizes the droplet coupling, and results in EUV light emission. Is stable.
  • FIG. 10 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply device according to the eighth embodiment. Differences from the sixth embodiment shown in FIG. 8 will be described.
  • the target supply device 78 according to the eighth embodiment shown in FIG. 10 is different from the sixth embodiment in that the heating / cooling device 154 is arranged on the surface or inside of the piezo unit 88.
  • the heating / cooling device 154 arranged in the piezo unit 88 directly heats or cools the piezo unit 88.
  • Other operations are the same as those in the sixth embodiment.
  • the configuration of the eighth embodiment controls the temperature at a position closer to the piezo unit 88 that is a target to be maintained at a constant temperature as compared with the configurations of the sixth and seventh embodiments. Temperature control is possible. In addition to feedback control, by performing feedforward control using thermal disturbance information, fluctuations in the piezo unit temperature are suppressed more than in the configuration of the fourth embodiment. The configuration of the eighth embodiment maintains the piezo unit temperature constant with higher accuracy even when a thermal disturbance occurs, compared to the configurations of the respective embodiments of the fourth to seventh embodiments. Thereby, the droplet coupling is stabilized, and as a result, the EUV emission is stabilized.
  • FIG. 11 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply device according to the ninth embodiment. Differences from the first embodiment shown in FIG. 3 will be described.
  • the target supply apparatus shown in FIG. 11 includes the configuration of the first embodiment, and further includes a plasma shielding plate 190 that limits a range (area) in which vibration propagation path components such as the piezo unit 88 are exposed to radiation from plasma.
  • the plasma shielding plate 190 is disposed on the droplet trajectory from the nozzle 80 to the plasma generation region 26.
  • the plasma shielding plate 190 has a small hole 191 through which the droplet 136 passes.
  • the plasma shielding plate 190 reduces the radiation from the plasma that reaches the components constituting the vibration propagation path, such as the piezo unit 88. As is clear from comparison with FIG. 3, the plasma radiation exposure area is smaller in the ninth embodiment shown in FIG. 11 than the plasma radiation exposure area without the plasma shielding plate 190.
  • the plasma shielding plate 190 By arranging the plasma shielding plate 190, it is possible to reduce the influence of the thermal disturbance due to the plasma radiation, and to suppress the fluctuation of the piezo unit temperature caused by the thermal disturbance as compared with the configuration of FIG.
  • feedback control including the piezo unit temperature feedback control unit 150 is the same as that of the first embodiment.
  • a part of thermal disturbance (radiation from plasma in this case) that is a factor of temperature variation reaches a vibration propagation path component such as the piezo unit 88. Since the amount decreases, the temperature fluctuation of the piezo unit 88 is suppressed.
  • the feedback control since the radiation from the plasma reaching the vibration propagation path component such as the piezo unit 88 is reduced as compared with the configuration in which the plasma shielding plate 190 is not present, the feedback control becomes more accurate, and the piezo. Unit temperature is further stabilized. Thereby, the droplet coupling is stabilized, and as a result, the EUV emission is stabilized.
  • FIG. 11 shows an example in which the plasma shielding plate 190 is added to the configuration of the first embodiment, but for each configuration of the embodiment 2-8, as in FIG. A plasma shielding plate 190 may be added.
  • a mode in which the plasma shielding plate 190 is added to the configuration of the fifth embodiment will be described as a tenth embodiment.
  • FIG. 12 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply device according to the tenth embodiment. Differences from the fifth embodiment shown in FIG. 7 will be described.
  • the target supply device shown in FIG. 12 includes the configuration of the fifth embodiment, and further includes a plasma shielding plate 190 that limits a range (area) in which vibration propagation path components such as the piezo unit 88 are exposed to the radiation 140 from the plasma. .
  • the plasma shielding plate 190 is disposed on the droplet trajectory from the nozzle 80 to the plasma generation region 26.
  • the plasma shielding plate 190 has a small hole 191 through which the droplet 136 passes.
  • the thermal disturbance sensor 162 is disposed in the plasma radiation area.
  • the thermal disturbance sensor 162 may be disposed between the plasma generation region 26 and the plasma shielding plate 190, but preferably, between the plasma shielding plate 190 and the vibration propagation path component such as the piezo unit 88 as shown in FIG. It is good to be arranged.
  • the role of the plasma shielding plate 190 is as described in the ninth embodiment.
  • the plasma shielding plate 190 reduces radiation from plasma that reaches vibration propagation path components such as the piezo unit 88.
  • the operation of the feedforward control including the thermal disturbance sensor 162, the thermal disturbance monitor unit 164, and the piezo unit temperature feedforward control unit 166 is the same as that of the fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a longitudinal sectional view of the nozzle 80 and the piezo unit 88 cut along a plane including the central axis of the nozzle 80.
  • 14 is a cross-sectional view taken along line 14-14 of FIG. FIG. 14 corresponds to a cross-sectional view in which the nozzle 80 and the piezo unit 88 are cut along a plane orthogonal to the central axis of the nozzle 80.
  • the piezo unit 88 includes a piezo element 202, a first component 210, and a second component 220.
  • the piezo unit 88 is configured such that the piezo element 202 is sandwiched between the first component 210 and the second component 220.
  • the first component 210 is fixed to the outer side surface portion of the nozzle 80.
  • the first component 210 transmits the vibration of the piezo element 202 to the nozzle 80.
  • the second part 220 is fastened to the first part 210 using a bolt (not shown).
  • the second component 220 makes it easy to transmit the vibration of the piezo element 202 to the first component 210 by pressing the piezo element 202 against the first component 210.
  • a range indicated by a two-dot chain line in the first component 210 in FIG. 13 is the vibration propagation path 212 of the piezo element 202.
  • the vibration propagation path 212 is an area that overlaps the area of the piezo element 202 when the area of the piezo element 202 is looked down in the direction from the piezo element 202 toward the nozzle 80, and is an area directly below the so-called piezo element 202.
  • the first component 210 is provided with a cooling water channel 214. Cooling water is caused to flow through the cooling water channel 214 of the first component 210 so that the piezo element 202 is not overheated by heat transfer from the nozzle 80.
  • the white arrow in FIG. 14 represents the flow of cooling water.
  • the piezo unit temperature sensor 100 is disposed on the first component 210.
  • the piezo unit temperature sensor 100 measures the temperature inside the first component 210 rather than the surface of the first component 210.
  • the first component 210 is provided with a sensor insertion hole 218 for inserting the piezo unit temperature sensor 100.
  • the sensor insertion hole 218 reaches the vicinity of the vibration propagation path 212 inside the first component 210.
  • the piezo unit temperature sensor 100 is inserted into a sensor insertion hole 218 provided in the first component 210.
  • the piezo unit temperature sensor 100 and the cooling water channel 214 are preferably not arranged in the vibration propagation path 212. This is because vibration transmission is not hindered. As shown in FIG. 13, the piezo unit temperature sensor 100 and the cooling water channel 214 are disposed outside the vibration propagation path 212 while avoiding the vibration propagation path 212.
  • the temperature detection unit 100A of the piezo unit temperature sensor 100 be as close as possible to the vibration propagation path 212. This is because the temperature in the vicinity of the vibration propagation path 212 is measured.
  • the cooling water channel 214 is desirably provided at a position near the piezo element 202 in the first component 210, and the piezo unit temperature sensor 100 may be provided at a position near the piezo element 202 in the first component 210.
  • FIGS. 13 and 14 can be applied to each of the first to tenth embodiments.
  • liquid tin 230 is supplied into the nozzle 80 as shown in FIG. 232 is ejected.
  • the piezo element 202 vibrates.
  • the vibration of the piezo element 202 is transmitted to the nozzle hole 80a through the first component 210, and the liquid tin 230 jet 232 outputted from the nozzle hole 80a is given a regular vibration that promotes the generation and coupling of droplets. .
  • the droplet 136 is generated.
  • Fixing method 1 of piezo unit temperature sensor 15 and 16 are cross-sectional views schematically showing a first example of a fixing method of the piezo unit temperature sensor.
  • the first component 210 has a sensor insertion hole 218.
  • the piezo unit temperature sensor 100 is inserted into the sensor insertion hole 218, and the temperature detection unit 100A is pressed against the bottom 218A of the sensor insertion hole 218.
  • the piezo unit temperature sensor 100 may be clamped by using a clamp member 219 so that the temperature detection unit 100A is kept in contact with the bottom 218A of the sensor insertion hole 218.
  • Fixing method 2 of piezo unit temperature sensor 17 and 18 are cross-sectional views schematically showing a second example of the fixing method of the piezo unit temperature sensor.
  • a screw bolt 210 ⁇ / b> A for a fastening bolt may be provided in the first component 210, and the piezo unit temperature sensor 100 may be fixed using the fastening bolt 222 (see FIG. 18). That is, the piezo unit temperature sensor 100 may be fixed by tightening the fastening bolt 222 into the screw hole 210A in a state where the temperature detection unit 100A of the piezo unit temperature sensor 100 is pressed against the bottom 218A of the sensor insertion hole 218. .
  • the piezo unit temperature sensor 100 configured as illustrated in FIGS. 13 to 18 measures the temperature in the vicinity of the vibration propagation path 212 of the piezo unit 88.
  • the piezo unit 88 is an example of a “vibration unit”.
  • the second component 220 of the piezo unit 88 is an example of a “vibration propagation path component”.
  • the pole of the vibration propagation path 212 of the piezo unit 88 is compared with the form in which the piezo unit temperature sensor is arranged on the surface of the component of the piezo unit 88.
  • the temperature in the vicinity can be measured.
  • the difference between the actual temperature of the vibration propagation path 212 and the detected temperature (measured temperature) detected by the piezo unit temperature sensor 100 is reduced, and more accurate piezo unit temperature control is possible.
  • the laser device 14 may include a prepulse laser device configured to output prepulse laser light and a main pulse laser device configured to output main pulse laser light.
  • a droplet-shaped target is irradiated with a pre-pulse laser beam to diffuse the target, and after forming a diffusion target, the diffusion target is irradiated with a main pulse laser beam. .
  • the main pulse laser beam is irradiated to the diffusion target, the target material can be efficiently converted into plasma. According to this, the conversion efficiency (CE: Conversion Efficiency) from the energy of the pulsed laser light to the energy of the EUV light can be improved.
  • CE Conversion Efficiency
  • the pre-pulse laser beam for forming the diffusion target includes a short pulse whose pulse width is less than 1 nanosecond [ns], preferably less than 500 picoseconds [ps], more preferably less than 50 picoseconds [ps]. Is done. Further, in the pre-pulse laser beam, the fluence of each pulse is not more than the fluence of each pulse of the main pulse laser beam, and is 6.5 J / cm 2 or more, preferably 30 J / cm 2 or more, more preferably 45 J / cm 2. It is said above.
  • the target can be broken into fine particles and diffused by shortening the pulse width of each pulse of the pre-pulse laser beam.
  • the target when the diffused target is irradiated with the main pulse laser beam, the target can be efficiently converted to plasma and CE can be improved.
  • the structure which irradiates a target with a several pre-pulse laser beam prior to irradiation of a main pulse laser beam is employable.
  • FIG. 19 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus connected to the EUV light generation apparatus.
  • the exposure apparatus 46 includes a mask irradiation unit 462 and a workpiece irradiation unit 464.
  • the mask irradiation unit 462 illuminates the mask pattern of the mask table MT via the reflective optical system 463 with the EUV light 62 incident from the EUV light generation apparatus 12.
  • the workpiece irradiation unit 464 images the EUV light 62 reflected by the mask table MT on a workpiece (not shown) disposed on the workpiece table WT via the reflection optical system 465.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer coated with a photoresist.
  • the exposure device 46 exposes the workpiece with EUV light reflecting the mask pattern by moving the mask table MT and the workpiece table WT in parallel in synchronization.
  • a semiconductor device can be manufactured by transferring a device pattern to a semiconductor wafer by the exposure process as described above.
  • a semiconductor device is an example of an electronic device.

Abstract

本開示の一観点に係るターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、ノズルから出力されるターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、振動伝播経路部品に供給する冷媒の温度を第１の温度に調節する第１の温度調節機構と、振動伝播経路の温度を検出する温度センサと、冷媒の供給された振動伝播経路の温度を第２の温度に調節する第２の温度調節機構と、温度センサの出力に基づいて、第２の温度調節機構を制御する制御部と、を備える。

Description

ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
国際公開第2017/130323号 米国特許出願公開第2006/0192153号明細書 国際公開第2016/072431号 特開2010-149335号公報 国際公開第2016/079838号
概要
　本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、タンクに収容されているターゲット物質を出力するノズルと、電気信号によって駆動される加振素子であって、ノズルから出力されるターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、振動伝播経路の少なくとも一部を構成する振動伝播経路部品と、振動伝播経路部品に供給する冷媒の温度を第１の温度に調節する第１の温度調節機構と、振動伝播経路の温度を検出する温度センサと、冷媒の供給された振動伝播経路の温度を第２の温度に調節する第２の温度調節機構と、温度センサの出力に基づいて、第２の温度調節機構を制御する制御部と、を備える。
　本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバの内部にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、を備える極端紫外光生成装置を用い、チャンバ内にターゲット供給装置からターゲット物質を供給し、ターゲット物質にレーザ光を照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含み、ターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、タンクに収容されているターゲット物質を出力するノズルと、電気信号によって駆動される加振素子であって、ノズルから出力されるターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、振動伝播経路の少なくとも一部を構成する振動伝播経路部品と、振動伝播経路部品に供給する冷媒の温度を第１の温度に調節する第１の温度調節機構と、振動伝播経路の温度を検出する温度センサと、冷媒の供給された振動伝播経路の温度を第２の温度に調節する第２の温度調節機構と、温度センサの出力に基づいて、第２の温度調節機構を制御する制御部と、を備える、電子デバイスの製造方法である。
　本開示の他の１つの観点に係るターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、タンクに収容されているターゲット物質を出力するノズルと、電気信号によって駆動される加振素子であって、ノズルから出力されるターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、振動伝播経路の少なくとも一部を構成する振動伝播経路部品と、振動伝播経路部品の温度を指定された制御温度に調節する温度調節機構と、加振素子及び振動伝播経路部品の外部から加振素子及び振動伝播経路部品に放射されるエネルギを検出するエネルギ検出器と、エネルギ検出器の出力に基づいて、温度調節機構の動作を制御する制御部と、を備える。
　本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバの内部にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、を備える極端紫外光生成装置を用い、チャンバ内にターゲット供給装置からターゲット物質を供給し、ターゲット物質にレーザ光を照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含み、ターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、タンクに収容されているターゲット物質を出力するノズルと、電気信号によって駆動される加振素子であって、ノズルから出力されるターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、振動伝播経路の少なくとも一部を構成する振動伝播経路部品と、振動伝播経路部品の温度を指定された制御温度に調節する温度調節機構と、加振素子及び振動伝播経路部品の外部から加振素子及び振動伝播経路部品に放射されるエネルギを検出するエネルギ検出器と、エネルギ検出器の出力に基づいて、温度調節機構の動作を制御する制御部と、を備える、電子デバイスの製造方法である。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２は、ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図３は、実施形態１に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図４は、実施形態２に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図５は、実施形態３に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図６は、実施形態４に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図７は、実施形態５に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図８は、実施形態６に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図９は、実施形態７に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図１０は、実施形態８に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図１１は、実施形態９に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図１２は、実施形態１０に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図１３は、ピエゾユニットの構成を示す断面図である。 図１４は、図１３に示したピエゾユニットの１４－１４線に沿う断面図である。 図１５は、ピエゾユニット温度センサの固定方法の第１例を模式的に示す断面図である。 図１６は、ピエゾユニット温度センサの固定方法の第１例を模式的に示す断面図である。 図１７は、ピエゾユニット温度センサの固定方法の第２例を模式的に示す断面図である。 図１８は、ピエゾユニット温度センサの固定方法の第２例を模式的に示す断面図である。 図１９は、ＥＵＶ光生成装置と接続された露光装置の概略構成を示す図である。
実施形態
　－目次－
１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　１．２　動作
２．用語の説明
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の説明
　３．１　構成
　３．２　動作
４．課題
５．実施形態１
　５．１　構成
　５．２　動作
　５．３　作用・効果
６．実施形態２
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用・効果
７．実施形態３
　７．１　構成
　７．２　動作
　７．３　作用・効果
８．実施形態４
　８．１　構成
　８．２　動作
　８．３　作用・効果
９．実施形態５
　９．１　構成
　９．２　動作
　９．３　作用・効果
１０．実施形態６
　１０．１　構成
　１０．２　動作
　１０．３　作用・効果
１１．実施形態７
　１１．１　構成
　１１．２　動作
　１１．３　作用・効果
１２．実施形態８
　１２．１　構成
　１２．２　動作
　１２．３　作用・効果
１３．実施形態９
　１３．１　構成
　１３．２　動作
　１３．３　作用・効果
１４．プラズマ遮蔽板を備える他の形態
１５．実施形態１０
　１５．１　構成
　１５．２　動作
　１５．３　作用・効果
１６．ピエゾユニットの具体例
　１６．１　構成
　１６．２　ピエゾユニット温度センサの固定方法１
　１６．３　ピエゾユニット温度センサの固定方法２
　１６．４　動作
　１６．５　作用・効果
１７．レーザ装置について
１８．ＥＵＶ光生成装置を用いた電子デバイスの製造方法の例
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、少なくとも１つのレーザ装置１４と共に用いられる場合がある。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１２及びレーザ装置１４を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１０と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６と、ターゲット供給部１８とを含む。
　チャンバ１６は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部１８は、ターゲット物質をチャンバ１６内部に供給するよう構成され、例えば、チャンバ１６の壁を貫通するように取り付けられる。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ１６の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウインドウ２０によって塞がれ、ウインドウ２０をレーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光２２が透過する。チャンバ１６の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ光集光ミラー２４が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー２４は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー２４の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ光集光ミラー２４は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２６に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ：Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ　Ｆｏｃｕｓｉｎｇ　ｐｏｉｎｔ）２８に位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー２４の中央部には貫通孔３０が設けられ、貫通孔３０をパルスレーザ光２３が通過する。
　ＥＵＶ光生成装置１２は、ＥＵＶ光生成制御部４０と、ターゲットセンサ４２等を含む。ターゲットセンサ４２は、ターゲット４４の存在、軌跡、位置、及び速度のうちいずれか、又は複数を検出するよう構成される。ターゲットセンサ４２は、撮像機能を備えてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６の内部と露光装置４６の内部とを連通させる接続部４８を含む。接続部４８内部には、アパーチャ５０が形成された壁５２が設けられる。壁５２は、そのアパーチャ５０がＥＵＶ光集光ミラー２４の第２の焦点位置に位置するように配置される。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１２は、レーザ光伝送装置５４、レーザ光集光ミラー５６、ターゲット４４を回収するためのターゲット回収部５８等を含む。レーザ光伝送装置５４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。ターゲット回収部５８は、チャンバ１６内に出力されたターゲット４４が進行する方向の延長線上に配置される。
　レーザ装置１４は、ＭＯＰＡ（Ｍａｓｔｅｒ　Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ　Ｐｏｗｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）システムであってよい。レーザ装置１４は、図示せぬマスターオシレータと、図示せぬ光アイソレータと、複数台の図示せぬＣＯ２レーザ増幅器とを含んで構成され得る。マスターオシレータが出力するレーザ光の波長は、例えば１０．５９μｍであり、パルス発振の繰り返し周波数は、例えば１００ｋＨｚである。
　１．２　動作
　図１を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の動作を説明する。チャンバ１６内は大気圧よりも低圧に保持され、好ましくは真空であってよい。あるいは、チャンバ１６の内部にはＥＵＶ光の透過率が高いガスが存在する。チャンバ１６の内部に存在するガスは、例えば、水素ガスであってよい。
　レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光２１は、レーザ光伝送装置５４を経て、パルスレーザ光２２としてウインドウ２０を透過してチャンバ１６内に入射する。パルスレーザ光２２は、少なくとも１つのレーザ光路に沿ってチャンバ１６内を進み、レーザ光集光ミラー５６で反射されて、パルスレーザ光２３として少なくとも１つのターゲット４４に照射される。
　ターゲット供給部１８は、ターゲット物質によって形成されたターゲット４４をチャンバ１６内部のプラズマ生成領域２６に向けて出力するよう構成される。ターゲット供給部１８は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレットを形成する。コンティニュアスジェット方式では、ノズルを振動させて、ノズル穴からジェット状に噴出したターゲット物質の流れに周期的振動を与え、ターゲット物質を周期的に分離する。分離されたターゲット物質は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレットを形成し得る。
　ターゲット４４には、パルスレーザ光２３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたターゲット４４はプラズマ化し、そのプラズマから放射光６０が放射される。放射光６０に含まれるＥＵＶ光６２は、ＥＵＶ光集光ミラー２４によって選択的に反射される。ＥＵＶ光集光ミラー２４によって反射されたＥＵＶ光６２は、中間集光点２８で集光され、露光装置４６に出力さる。なお、１つのターゲット４４に、パルスレーザ光２３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部４０は、ＥＵＶ光生成システム１０全体の制御を統括するよう構成される。ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲットセンサ４２の検出結果を処理するよう構成される。ターゲットセンサ４２の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光生成制御部４０は、例えば、ターゲット４４が出力されるタイミング、ターゲット４４の出力方向等を制御するよう構成される。さらに、ＥＵＶ光生成制御部４０は、例えば、レーザ装置１４の発振タイミング、パルスレーザ光２２の進行方向、パルスレーザ光２３の集光位置等を制御するよう構成される。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加される。
　２．用語の説明
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。ターゲットは、プラズマの発生源となる。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。ドロップレットは、溶融したターゲット物質の表面張力によってほぼ球状となったターゲットを意味し得る。
　「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。
　「レーザ光」は、パルスレーザ光に限らずレーザ光一般を意味し得る。
　「レーザ光路」は、レーザ光の光路を意味する。
　「ＣＯ２」は、二酸化炭素を表す。
　「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれる。
　「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。「極端紫外光生成装置」は「ＥＵＶ光生成装置」と表記される。
　「ピエゾ素子」は、圧電素子と同義である。ピエゾ素子を単に「ピエゾ」と表記する場合がある。ピエゾ素子は、加振素子の一例である。
　３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の説明
　３．１　構成
　図２に、ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、ターゲット供給部１８と、ターゲット制御部７０と、遅延回路７２と、不活性ガス供給部７４と、を含む。
　ターゲット供給部１８は、ターゲット物質を出力するノズル８０と、ターゲット物質を貯蔵するタンク８２と、ヒータ８４と、タンク温度センサ８６と、ピエゾユニット８８と、圧力調節器９０と、を含む。
　また、ＥＵＶ光生成装置１２は、ヒータ電源９２と、タンク温度制御部９４と、ピエゾ電源９６と、ピエゾユニット温度センサ１００と、ピエゾユニット温度モニタ部１０２と、チラーユニット１１０と、を含む。
　ターゲット供給装置７８は、ターゲット供給部１８、ターゲット制御部７０、ヒータ電源９２、タンク温度制御部９４、ピエゾ電源９６、ピエゾユニット温度センサ１００、及びピエゾユニット温度モニタ部１０２を含む。チラーユニット１１０は、ターゲット供給装置７８の構成に含まれてもよい。また、ターゲット供給装置７８は、図２に示されていないドロップレット検出装置を含んでもよい。ドロップレット検出装置は、図１で説明したターゲットセンサ４２の一例である。ドロップレット検出装置は、ドロップレット軌道上の所定位置におけるドロップレットの存在を検出し、所定位置を通過するドロップレット１３６の通過タイミングを示す信号を出力し得る。
　タンク８２は、中空の筒形状に形成されている。中空のタンク８２の内部には、ターゲット物質が収容される。タンク８２の少なくとも内部は、ターゲット物質と反応し難い材料で構成される。ターゲット物質の一例であるスズを用いる場合、スズと反応し難い材料として、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、及びタンタルのうちのいずれかを用いることができる。
　タンク８２には、ヒータ８４とタンク温度センサ８６が固定されている。ヒータ８４は、筒形状のタンク８２の外側側面部に固定される。タンク８２に固定されたヒータ８４は、タンク８２を加熱する。ヒータ８４は、ヒータ電源９２と接続される。
　ヒータ電源９２は、ヒータ８４に電力を供給する。ヒータ電源９２は、タンク温度制御部９４と接続される。タンク温度制御部９４は、ターゲット制御部７０と接続されてもよく、ターゲット制御部７０に含まれていてもよい。ヒータ電源９２は、ヒータ８４への電力供給をタンク温度制御部９４によって制御される。
　タンク８２の外側側面部には、タンク温度センサ８６が固定される。タンク温度センサ８６は、タンク温度制御部９４と接続される。タンク温度センサ８６は、タンク８２の温度を検出し、タンク温度情報をタンク温度制御部９４に出力する。タンク温度制御部９４は、タンク温度センサ８６から出力されたタンク温度情報に基づいて、ヒータ８４へ供給する電力を調節し得る。タンク温度制御部９４は、ヒータ電源９２に対してヒータ電源制御信号を出力する。
　ヒータ８４とヒータ電源９２を含むタンク温度調節機構は、タンク温度制御部９４のヒータ電源制御信号に基づいてタンク８２の温度を調節し得る。
　圧力調節器９０は、不活性ガス供給部７４とタンク８２の間の配管９８に配置される。配管９８は、タンク８２を含むターゲット供給部１８と圧力調節器９０とを連通させ得る。配管９８は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管９８には、図示しないヒータが配置される。配管９８内の温度は、ターゲット供給部１８のタンク８２内の温度と同じ温度に保たれてもよい。
　不活性ガス供給部７４は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されているガスボンベを含む。不活性ガス供給部７４は、圧力調節器９０を介して、タンク８２内に不活性ガスを給気する。なお、本例では、不活性ガスとしてアルゴンを用いる。
　圧力調節器９０は、給気及び排気用の図示しない電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器９０は、図示しない圧力センサを用いてタンク８２内の圧力を検出する。圧力調節器９０は、図示しない排気ポンプに連結される。圧力調節器９０は、図示しない排気ポンプを動作させて、タンク８２内のガスを排気する。
　圧力調節器９０は、タンク８２内にガスを給気又はタンク８２内のガスを排気することによって、タンク８２内の圧力を加圧又は減圧し得る。圧力調節器９０は、ターゲット制御部７０と接続される。圧力調節器９０は、検出した圧力の検出信号をターゲット制御部７０に出力する。圧力調節器９０は、ターゲット制御部７０から出力された制御信号が入力される。
　ターゲット制御部７０は、圧力調節器９０から出力された検出信号に基づいて、タンク８２内の圧力が目標とする圧力になるよう圧力調節器９０の動作を制御するための圧力指令信号を圧力調節器９０に供給する。圧力調節器９０は、ターゲット制御部７０からの圧力指令信号に基づいてタンク８２内にガスを給気又はタンク８２内のガスを排気する。圧力調節器９０がガスを給気又は排気することにより、タンク８２内の圧力は、目標とする圧力に調節され得る。
　ノズル８０は、ターゲット物質を出力するノズル孔８０ａを備えている。ノズル孔８０ａから出力させるターゲット物質の一例として、液体スズを採用し得る。
　ノズル８０は、筒形状のタンク８２の底面部に設けられている。ノズル８０は、チャンバ１６の図示しないターゲット供給孔を通してチャンバ１６の内部に配置される。チャンバ１６のターゲット供給孔は、ターゲット供給部１８が配置されることで塞がれる。ターゲット供給部１８がチャンバ１６のターゲット供給孔を塞ぐように配置される構造により、チャンバ１６の内部は大気と隔絶され得る。ノズル８０の少なくとも内面は、ターゲット物質と反応し難い材料で構成される。
　ノズル８０の一端は、中空のタンク８２に固定される。ノズル８０の他端には、ノズル孔８０ａが設けられている。ノズル８０の一端側にあるタンク８２がチャンバ１６の外部に位置し、ノズル８０の他端側にあるノズル孔８０ａがチャンバ１６の内部に位置する。この例に限らず、タンク８２がチャンバ１６の内部に位置するようにしてもよい。この場合、ヒータ８４を含むタンクの一部がチャンバ１６の内部に位置するようにしてもよい。但しこの場合においてもノズル８０の他端側にあるノズル孔８０ａがチャンバ１６の内部に位置する。ノズル孔８０ａの中心軸方向の延長線上には、チャンバ１６の内部にあるプラズマ生成領域２６が位置する。タンク８２、ノズル８０、及びチャンバ１６は、それぞれの内部が互いに連通する。
　ノズル孔８０ａは、溶融したターゲット物質をチャンバ１６内へジェット状に噴出するような形状で形成される。
　ノズル８０には、ピエゾユニット８８が固定されている。ピエゾユニット８８は、ピエゾ素子２０２を含む。ピエゾ素子２０２は、ピエゾ電源９６と接続される。ピエゾユニット８８は、ノズル８０に振動を与える。ターゲット供給部１８は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット１３６を形成する。
　ピエゾ電源９６からピエゾ素子２０２に対し、所定周波数の矩形波のピエゾ駆動信号が印加されることにより、ノズル８０からスズのドロップレット１３６が連続的に吐出される。ノズル８０から吐出されたドロップレットは、落下中に複数個が結合して所要の質量に合体したドロップレット１３６になり得る。
　ピエゾユニット８８とピエゾ電源９６は、ドロップレット１３６の形成に必要な振動をノズル８０に与えるドロップレット形成機構を構成する要素となり得る。ピエゾ素子２０２が発生する振動は、ピエゾユニット８８を構成する部品を介してノズル８０に伝わる。
　ピエゾ電源９６は、ピエゾ素子２０２に電力を供給する。ピエゾ電源９６は、ターゲット制御部７０と接続される。ピエゾ電源９６は、ピエゾ素子２０２への電力供給をターゲット制御部７０によって制御される。
　ピエゾユニット温度センサ１００は、ピエゾユニット８８の温度を計測する。ピエゾユニット８８の温度を「ピエゾユニット温度」という。ピエゾユニット８８は、振動伝播経路の一部を構成する要素であり、ピエゾユニット温度情報は、振動伝播経路の温度を直接的に又は間接的に示す情報である。本実施形態では、振動伝播経路の温度を示す情報としてピエゾユニット温度を用いる。
　ピエゾユニット温度センサ１００は、ピエゾユニット８８に固定される。ピエゾユニット温度センサ１００は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２と接続される。
　ピエゾユニット温度モニタ部１０２は、ピエゾユニット温度センサ１００から得られるピエゾユニット温度情報をモニタする装置である。ここで「モニタする」とは、連続して、或いは、適宜の時間間隔をあけて監視することを含む。ピエゾユニット温度モニタ部１０２は、ピエゾユニット温度情報を可視化して出力する表示装置やインジケータを含んで構成され得る。
　ピエゾユニット８８には、冷却水導入口８８Ａと、冷却水排出口８８Ｂとが設けられている。ピエゾユニット８８は、冷却水導入口８８Ａから冷却水排出口８８Ｂに通じる冷却水路を有する。図２に示されていないピエゾユニット８８の内部の冷却水路は、図１３の符号２１４として示す。ピエゾユニット８８の構成例については、図１３及び図１４を用いて後述する。
　チラーユニット１１０は、ピエゾユニット８８を冷却する冷媒としての冷却水をピエゾユニット８８に供給する冷却水循環装置である。チラーユニット１１０の冷却水出口１１１は、冷却水供給流路１２１を介してピエゾユニット８８の冷却水導入口８８Ａと接続される。チラーユニット１１０の冷却水入口１１２は、冷却水戻り流路１２２を介してピエゾユニット８８の冷却水排出口８８Ｂと接続される。
　チラーユニット１１０は、冷却水加温冷却部１１４と、冷却水温度センサ１１６と、冷却水温度制御部１１８とを含む。冷却水加温冷却部１１４は、冷却水を加温する機能と、冷却水を冷却する機能とを備えた温度調節装置である。冷却水加温冷却部１１４は、図示せぬヒータと冷却器を含む。冷却器は、熱交換器を含んで構成される。冷却水加温冷却部１１４は、冷却水温度制御部１１８と接続される。
　冷却水温度センサ１１６は、チラーユニット１１０における冷却水出口側の冷却水温度を計測するセンサである。冷却水温度センサ１１６は、冷却水加温冷却部１１４と冷却水出口１１１との間をつなぐ出口側の流路に配置される。冷却水温度センサ１１６は、冷却水温度制御部１１８と接続される。
　冷却水温度制御部１１８は、冷却水加温冷却部１１４の動作を制御する。冷却水温度制御部１１８は、冷却水温度センサ１１６から出力される冷却水温度情報を基に、冷却水加温冷却部１１４に対して冷却水温制御信号を送信する。
　ターゲット制御部７０は、ターゲットセンサ４２（図１参照）からの出力信号により、ドロップレット軌道上の所定位置におけるドロップレット１３６の存在を検出し得る。特に、ターゲット制御部７０は、ドロップレット１３６がドロップレット軌道上の所定位置を通過したタイミングを検出し得る。ドロップレット軌道上の所定位置をドロップレット１３６が通過したタイミングを示す通過タイミング信号は、ターゲットセンサ４２によって生成されてもよいし、ターゲットセンサ４２の出力を基にターゲット制御部７０によって生成されてもよい。
　通過タイミング信号は、ターゲット制御部７０を介して遅延回路７２に入力される。遅延回路７２には、ターゲット制御部７０から遅延回路７２の遅延時間を設定するための信号ラインが接続されている。遅延回路７２は、ターゲット制御部７０の一部として構成されてもよい。遅延回路７２の出力は、発光トリガ信号としてレーザ装置１４に入力される。
　ＥＵＶ光生成装置１２は、第１の高反射ミラー１３０と第２の高反射ミラー１３２と、レーザ光集光光学系１３４とを含む。図１で説明したレーザ光伝送装置５４は、第１の高反射ミラー１３０と第２の高反射ミラー１３２を含んで構成される。レーザ光集光光学系１３４は、図１で説明したレーザ光集光ミラー５６を含む。
　ＥＵＶ光生成装置１２のチャンバ１６は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成される。筒形状のチャンバ１６の中心軸方向は、ＥＵＶ光６２を露光装置４６へ導出する方向であってもよい。チャンバ１６は、図示せぬ排気装置と、圧力センサとを備えている。
　ＥＵＶ光生成制御部４０は、露光装置４６の制御部である図示しない露光装置制御部との間で信号の送受を行う。ＥＵＶ光生成制御部４０は、露光装置４６の指令に基づいてＥＵＶ光生成システム１０全体の動作を統括的に制御する。ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ装置１４との間で制御信号の送受を行う。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ装置１４の動作を制御する。
　ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ光伝送装置５４及びレーザ光集光光学系１３４のそれぞれの図示しないアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行う。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、パルスレーザ光２１、２２及び２３の進行方向及び集光位置を調整する。
　ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲット供給装置７８のターゲット制御部７０との間で制御信号の送受を行う。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲット供給装置７８、及びレーザ装置１４の動作を制御する。
　本開示において、ＥＵＶ光生成制御部４０、ターゲット制御部７０、タンク温度制御部９４、並びに、後述するピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０、１５１及びピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６、１６７その他の制御装置は、１台又は複数台のコンピュータのハードウェア及びソフトウェアの組み合わせによって実現することが可能である。コンピュータは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）及びメモリを含んで構成され得る。ソフトウェアはプログラムと同義である。プログラマブルコントローラはコンピュータの概念に含まれる。
　また、ＥＵＶ光生成制御部４０、ターゲット制御部７０、タンク温度制御部９４、ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０、１５１、及びピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６、１６７その他の制御装置の処理機能の一部又は全部は、ＦＰＧＡ(Field Programmable Gate Array)やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）に代表される集積回路を用いて実現してもよい。
　また、これら複数の制御装置の機能を１台の制御装置で実現することも可能である。さらに本開示において、これらの複数の制御装置は、ローカルエリアネットワークやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムユニットは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてよい。
　３．２　動作
　図２を用いて、ＥＵＶ光生成装置１２の動作について説明する。ＥＵＶ光生成制御部４０は、チャンバ１６内が真空状態となるように、図示せぬ排気装置を制御する。ＥＵＶ光生成制御部４０は、図示せぬ圧力センサの検出値に基づいて、チャンバ１６内の圧力が所定の範囲内となるように、排気装置による排気及び図示せぬガス供給装置からのガス供給を制御する。
　ターゲット制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲットの生成信号が入力されると、ターゲット供給部１８内のターゲット物質が融点以上の所定の温度になるように、タンク温度制御部９４を介してヒータ８４を制御する。タンク温度制御部９４は、ターゲット制御部７０の制御に従い、タンク温度センサ８６の検出値に基づいてヒータ電源９２を制御する。タンク温度制御部９４は、ヒータ電源９２にヒータ電源制御信号を送信する。ヒータ電源９２は、ヒータ電源制御信号に従い、ヒータ８４にヒータ電力を供給する。ターゲット物質としてスズ（Ｓｎ）が用いられる場合、スズの融点は２３２℃である。ターゲット制御部７０は、ターゲット供給部１８内のスズが、例えば、２３２℃から３００℃の範囲の所定の温度になるように、ヒータ８４を制御する。その結果、ターゲット供給部１８に貯蔵されたスズは融解して液体となる。融解したスズは、「液状のターゲット物質」の一形態に相当し得る。
　ターゲット制御部７０は、液体のターゲット物質をノズル孔８０ａから吐出するために、タンク８２内の圧力が所定圧力となるように圧力調節器９０を制御する。圧力調節器９０は、ターゲット制御部７０からの制御信号に基づいてタンク８２内にガスを給気又はタンク８２内のガスを排気してタンク８２内の圧力を加圧又は減圧し得る。すなわち、圧力調節器９０は、ターゲット制御部７０からの指示に応じて、ドロップレット１３６が所定の目標速度及び所定の目標軌道でプラズマ生成領域２６に到達するように、タンク８２内の圧力を所定値に調節する。
　ドロップレット１３６の所定の目標速度は、例えば、６０ｍ／ｓから１２０ｍ／ｓの範囲の速度であってよい。タンク８２の圧力の所定値は、例えば、数ＭＰａから４０ＭＰａの範囲の圧力であってよい。その結果、ノズル孔８０ａから所定の速度で液体のターゲット物質のジェットが噴出される。
　ターゲット制御部７０は、ノズル８０から出力された液体スズがドロップレット１３６を生成するよう、ピエゾ電源９６を介してピエゾ素子２０２に所定のピエゾ駆動周波数及び所定デューティの電気信号を送る。すなわち、ターゲット制御部７０は、ピエゾ電源９６にピエゾ駆動用の電圧波形信号を送信する。
　ピエゾ電源９６は、ターゲット制御部７０からの指示に従い、ピエゾ素子２０２に対しピエゾ駆動電圧を供給する。ピエゾ素子２０２にピエゾ駆動電圧が印加されることにより、ピエゾ素子２０２が振動する。ピエゾ素子２０２の振動がノズル８０に伝わり、ノズル８０を介して液体のターゲット物質が振動する。ノズル孔８０ａから出力される液体スズのジェットに、ドロップレット結合を促進する規則的な振動が与えられることにより、周期的にほぼ同じ体積のドロップレット１３６が生成される。そして、プラズマ生成領域２６にドロップレット１３６を供給し得る。
　ドロップレット１３６が、ノズル孔８０ａとプラズマ生成領域２６の間のドロップレット軌道上の所定位置を通過すると、ターゲットセンサ４２は検出信号を生成する。ターゲットセンサ４２から出力された検出信号は、ターゲット制御部７０に送られる。ターゲット制御部７０は、ドロップレットの通過タイミングを示す通過タイミング信号を生成する。通過タイミング信号は、ターゲット制御部７０から遅延回路７２に入力される。
　遅延回路７２は、通過タイミング信号に遅延時間を付加して発光トリガ信号を生成し、発光トリガ信号をレーザ装置１４に入力する。遅延回路７２の遅延時間は、ドロップレット１３６が所定位置を通過して、プラズマ生成領域２６に到達する前に、レーザ装置１４に発光トリガ信号が入力されるように設定する。つまり、遅延時間は、ドロップレット１３６がプラズマ生成領域２６に到達した時に、レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光がドロップレット１３６に照射されるように設定する。
　レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光は、第１の高反射ミラー１３０、第２の高反射ミラー１３２及びレーザ光集光光学系１３４を介してプラズマ生成領域２６に導かれ、ドロップレット１３６に照射される。プラズマ生成領域２６は、パルスレーザ光の集光位置に相当し得る。
　ピエゾユニット温度センサ１００は、ピエゾユニット８８の温度を計測する。ピエゾユニット温度センサ１００から出力されるピエゾユニット温度情報は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２に送られる。ピエゾユニット温度モニタ部１０２によってピエゾユニット温度がモニタされる。
　チラーユニット１１０に搭載された冷却水温度センサ１１６と冷却水温度制御部１１８によって、冷却水加温冷却部１１４のフィードバック制御が行われる。冷却水温度センサ１１６が出力する冷却水温度情報は、冷却水温度制御部１１８に送られる。冷却水温度制御部１１８は、目標冷却水温度と、冷却水出口側に設けた冷却水温度センサ１１６による検出温度との差分を無くすように、冷却水加温冷却部１１４を制御する。これにより、チラーユニット１１０の冷却水出口１１１での冷却水温度、つまり、チラーユニット１１０の出口温度は、例えば、目標冷却水温度の±０．１℃の許容範囲内に収まる一定の温度に保持される。
　４．課題
　チラーユニット１１０の出口温度は、冷却水温度センサ１１６の出力に基づき、一定に制御されているが、ピエゾユニット８８の温度が一定とは限らない。特に、プラズマからの放射１４０やガス対流１４２による伝熱などの熱外乱がピエゾユニット８８に加わる場合、ピエゾユニット温度が変化する。なお、図２においてプラズマからの放射１４０の放射域を、グレートーンの塗りつぶし領域として模式的に示す。また、図２において、ガス対流１４２を、白抜きの矢印として模式的に示す。
　ＥＵＶ光の発光時は、プラズマからの放射熱によってピエゾユニット８８が加熱され得る。また、チャンバ１６内には、例えば、水素ガスが導入されているため、ＥＵＶ発光時に水素ガスが加熱されて、水素ガスの対流によってピエゾユニット８８が加熱される場合がある。
　放射熱や対流熱を含む様々な外乱要因によってピエゾユニット温度が変化すると、振動伝播状態が変化し、ドロップレット結合が不安定になり、結果としてＥＵＶ発光が不安定になる。
　５．実施形態１
　５．１　構成
　図３に、実施形態１に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図２に示した構成との相違点を説明する。
　図３に示す実施形態１に係るターゲット供給装置７８は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２のピエゾユニット温度情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするようにチラー出口温度を制御するためのピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０を備える。ここで「一定にする」とは、制御目標温度を含む所定の許容温度範囲内に収まる変動やばらつきを許容して概ね一定にすることを含む。
　ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２と接続される。また、ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は、チラーユニット１１０の冷却水温度制御部１１８と接続される。
　ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２のピエゾユニット温度情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするようにチラーユニット１１０の出口温度を、チラーユニット１１０の冷却水温度制御部１１８を介してフィードバック制御する。ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は、ピエゾユニット温度情報に応じて、チラーユニット１１０の冷却水温度制御部１１８にフィードバック制御信号を送信する。
　なお、ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２からピエゾユニット温度情報を取得する構成に限らず、ピエゾユニット温度センサ１００から直接にピエゾユニット温度情報を取得してもよい。
　ピエゾユニット温度センサ１００は、代表的には熱電対である。ピエゾユニット温度センサ１００として、例えば、Ｋ－ＴＹＰＥなどの熱電対を用いることができる。ピエゾユニット温度センサ１００は、振動伝播を阻害しない範囲で、なるべく温度検知部を振動伝播経路に近接させて配置するのが望ましい。
　温度検知部は、例えば、熱電対先端部である。温度検知部は、ピエゾユニット８８の部品内部に挿入されてもよい。ピエゾユニット８８の部品に穴を穿ち、その穴に温度検知部を差し込むことにより、温度検知部をピエゾユニット８８の部品内部に挿入する形態としてもよい。また、温度検知部をピエゾユニット８８の部品内部に挿入後、ピエゾユニット温度センサ１００が動かないように、クランプ部材や留めボルトなどを用いてピエゾユニット温度センサ１００を固定してもよい。
　５．２　動作
　図３に示す構成において、ピエゾユニット温度センサ１００を用いてピエゾユニット温度を計測し、ピエゾユニット温度モニタ部１０２でピエゾユニット温度をモニタする。ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２からピエゾユニット温度情報を取得する。ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は、ピエゾユニット温度情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするためのフィードバック制御信号をチラーユニット１１０の冷却水温度制御部１１８に送信する。
　ピエゾユニット温度の制御目標温度範囲は、例えば、５３℃±０．１℃に設定される。ピエゾユニット温度センサ１００によって検知されたピエゾユニット温度が、制御目標温度範囲を超えた場合、フィードバック制御信号には、ピエゾユニット８８に流す冷却水温度を変更する指示が含まれる。このフィードバック制御信号に基づき、チラーユニット１１０の冷却水温度制御部１１８によりチラーユニット１１０の冷却水出口での冷却水温度が適宜変更される。こうして、ピエゾユニット温度情報を用いたフィードバック制御が行われることにより、ピエゾユニット温度は制御目標温度範囲内の温度（例えば、５３℃±０．１℃の範囲内の温度）に保たれる。
　少なくともピエゾ素子２０２の駆動中は、レーザ照射の有無に関係なく、ピエゾユニット温度を一定の温度に保つように制御して、ドロップレットの結合を安定化させる。
　なお、「５３℃」という温度は、ＥＵＶ光を発生させている運転期間中における典型的なピエゾユニット温度の一例である。ピエゾユニット温度の制御目標温度は、ＥＵＶ発光時における標準的な温度を目安に、適宜の温度に設定し得る。ピエゾユニット温度の制御目標温度は、例えば、２０℃から７０℃の範囲内の適宜の温度に設定してよい。ピエゾユニット温度の制御目標温度を、３０℃から６０℃の範囲内から選択された温度に設定してもよく、５０℃から５５℃の範囲内から選択された温度に設定してもよい。「±０．１℃」という許容範囲は、制御目標温度に対して許容される温度範囲の典型的な例の１つである。
　５．３　作用・効果
　実施形態１によれば、ピエゾユニット温度を制御対象にして、チラーユニット１１０の冷却水出口での冷却水温度がフィードバック制御されるため、プラズマ放射やガス対流による伝熱などの熱外乱が発生した場合でもピエゾユニット温度が一定に維持される。これにより、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　６．実施形態２
　６．１　構成
　図４に、実施形態２に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３に示した実施形態１との相違点を説明する。実施形態２ではチラーユニット１１０の冷却水加温冷却部１１４とは別の温度調節機構である加熱／冷却デバイス１５４を用いて、ピエゾユニット温度の安定化を図る点で、実施形態１と相違する。
　図４に示すターゲット供給装置７８は、加熱／冷却デバイス１５４と、この加熱／冷却デバイス１５４を駆動するための加熱／冷却デバイス電源１５６とを含む。加熱／冷却デバイス１５４は、加熱デバイスと冷却デバイスとの少なくとも一方を含んで構成される。加熱デバイスは、代表的には、ヒータである。冷却デバイス１５４は、代表的には、ペルチェ素子である。加熱／冷却デバイス１５４は、加熱デバイス又は冷却デバイスのどちらか一方でもよいし、両デバイスを組み合わせて構成されてもよい。
　加熱／冷却デバイス１５４は、チラーユニット１１０の冷却水出口１１１からピエゾユニット８８の冷却水導入口８８Ａまでの冷却水供給流路１２１に配置されている。加熱／冷却デバイス１５４の配置位置は、チャンバ１６の外部であってもよい。図４には、加熱／冷却デバイス１５４がチャンバ１６の外に配置される例が示されている。なお、加熱／冷却デバイス１５４の配置位置は、チャンバ１６の外部であり、さらに冷却水供給流路１２１の経路上においてピエゾユニット８８になるべく近接することが望ましい。
　加熱／冷却デバイス１５４は、加熱／冷却デバイス電源１５６と接続される。加熱／冷却デバイス電源１５６は、加熱／冷却デバイス１５４に駆動電力を供給する。
　図４に示すターゲット供給装置７８は、加熱／冷却デバイス電源１５６と接続されるピエゾユニット温度フィードバック制御部１５１を備える。ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５１は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２と接続される。
　ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５１は、ピエゾユニット温度情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするように、加熱／冷却デバイス電源１５６を介して、加熱／冷却デバイス１５４の温度をフィードバック制御する。
　６．２　動作
　ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５１は、ピエゾユニット温度モニタ部１０２からピエゾユニット温度情報を取得する。ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５１は、ピエゾユニット温度情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするためのフィードバック制御信号を加熱／冷却デバイス電源１５６に送信する。
　ピエゾユニット温度の制御目標温度範囲は、例えば、５３℃±０．１℃に設定される。ピエゾユニット温度センサ１００によって検知されたピエゾユニット温度が、制御目標温度範囲を超えた場合、フィードバック制御信号には加熱／冷却デバイス１５４の温度を変更する指示が含まれる。このフィードバック制御信号に基づき、加熱／冷却デバイス電源１５６により、加熱／冷却デバイス１５４の温度が適宜変更される。この制御に伴い、冷却水供給流路１２１内の冷却水温度が変更される。こうして、ピエゾユニット温度は制御目標温度範囲内の温度（例えば、５３℃±０．１℃の範囲内の温度）に保たれる。
　冷却水温度制御部１１８によって制御されるチラーユニット１１０の出口温度は、ピエゾユニット温度の制御目標温度範囲と同等の温度範囲に調節されてもよいし、ピエゾユニット温度の制御目標温度範囲とは異なる温度範囲に調節されてもよい。例えば、チラーユニット１１０の出口温度の制御目標温度範囲は、ピエゾユニット温度の制御目標温度範囲よりも低い温度範囲に設定されてよい。ピエゾユニット温度の制御目標温度範囲が５３℃±０．１℃である場合に、チラーユニット１１０の出口温度の制御目標温度範囲は、例えば、１２℃±０．１℃に設定してもよい。
　或いはまた、ピエゾユニット温度の制御目標温度範囲が５３℃±０．１℃である場合に、チラーユニット１１０の出口温度の制御目標温度範囲は、例えば、５０℃±０．１℃に設定してもよい。
　チラーユニット１１０の出口温度の制御目標温度範囲として例示した「１２℃±０．１℃」及び「５０℃±０．１℃」は、「第１の温度」の一例である。チラーユニット１１０に搭載されている冷却水加温冷却部１１４は「第１の温度調節機構」の一例である。加熱／冷却デバイス１５４は「第２の温度調節機構」の一例である。ピエゾユニット温度の制御目標温度範囲として例示した「５３℃±０．１℃」は、「第２の温度」の一例である。ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５１は「制御部」の一例である。ピエゾユニット温度センサ１００は、振動伝播経路の温度を検出する「温度センサ」の一例である。
　６．３　作用・効果
　実施形態２によれば、ピエゾユニット温度を制御対象にして、加熱／冷却デバイス１５４の温度がフィードバック制御され、それに伴い冷却水供給流路１２１内の冷却水温度が変更される。このため、プラズマからの放射やガス対流による伝熱などの熱外乱が発生した場合でもピエゾユニット温度が一定に維持される。これにより、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　実施形態２の構成は、実施形態１の構成に比べて、一定の温度に保つべき対象である振動伝播経路を含むピエゾユニット８８に、より近接した位置で温度制御を行うため、より高精度なピエゾユニット温度制御が可能となる。実施形態２の構成は、実施形態１の構成に比べて、熱外乱が発生した場合でも、より高い精度でピエゾユニット温度が一定に維持され、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　また、図４のように、加熱／冷却デバイス１５４をチャンバ１６の外部に配置する形態は、加熱／冷却デバイス電源１５６との接続用のケーブルの配線等が比較的簡単である。
　７．実施形態３
　７．１　構成
　図５に、実施形態３に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図４に示した実施形態２との相違点を説明する。図５に示すターゲット供給装置７８は、加熱／冷却デバイス１５４がチャンバ１６の内部に配置されている点で実施形態２と相違する。
　７．２　動作
　図５に示すターゲット供給装置７８の動作は、図４に示す実施形態２と同様である。
　７．３　作用・効果
　実施形態３によれば、実施形態２と同様の効果が得られる。また、実施形態３の構成は、実施形態２の構成と比べて、一定の温度に保つべき対象である振動伝播経路を含むピエゾユニット８８に、より近接した位置で温度制御を行うため、より一層高精度なピエゾユニット温度制御が可能となる。これにより、実施形態３の構成は、実施形態２の構成に比べて、熱外乱が発生した場合でもより高い精度でピエゾユニット温度が一定に維持され、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　８．実施形態４
　８．１　構成
　図６に、実施形態４に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図４に示した実施形態２との相違点を説明する。図６に示すターゲット供給装置７８は、加熱／冷却デバイス１５４がピエゾユニット８８の表面又は内部に配置されている点で実施形態２と相違する。
　８．２　動作
　図６に示すターゲット供給装置７８では、ピエゾユニット８８に配置した加熱／冷却デバイス１５４がピエゾユニット８８を直接的に加熱又は冷却する。他の動作は、実施形態２と同様である。こうして、ピエゾユニット温度は制御目標温度範囲内の温度（例えば、５３℃±０．１℃の範囲内の温度）に保たれる。
　８．３　作用・効果
　実施形態４によれば、実施形態２と同様の効果が得られる。また、実施形態４は、実施形態２の構成や実施形態３の構成と比べて、一定の温度に保つべき対象である振動伝播経路を含むピエゾユニット８８に、より近接した位置で温度制御を行うため、より一層高精度なピエゾユニット温度制御が可能となる。これにより、実施形態４の構成は、実施形態１から実施形態３の各実施形態の構成に比べて、熱外乱が発生した場合でも、より高い精度でピエゾユニット温度が一定に維持され、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　９．実施形態５
　９．１　構成
　図７に、実施形態５に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３に示した実施形態１との相違点を説明する。実施形態５では、実施形態１で説明したピエゾユニット温度フィードバック制御機構に加え、ピエゾユニット温度をフィードフォワード制御する機構が追加されている。
　図７に示すターゲット供給装置７８は、実施形態１の構成に加え、さらに、熱外乱センサ１６２と、熱外乱センサ１６２の熱外乱情報をモニタする熱外乱モニタ部１６４と、ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６と、を備える。熱外乱センサ１６２は、チャンバ１６の内部において熱外乱を計測するセンサである。熱外乱には、プラズマからの放射１４０による放射熱、及び、ガス対流１４２の伝熱による対流熱の少なくとも一方が含まれる。
　熱外乱センサ１６２は、ピエゾユニット８８に放射されるエネルギを検出するエネルギ検出器であってよい。熱外乱センサ１６２は、熱を検出するセンサであってもよいし、光エネルギを検出するセンサであってもよい。熱を検出するセンサは、例えば、熱電対、熱電素子、白金抵抗体などであってもよい。光エネルギを検出するセンサは、例えば、フォトダイオード、ＥＵＶエネルギ検出器、赤外線エネルギ検出器、パイロエレクトリック素子などであってよい。
　なお、熱電対などを用いて温度を検出することは、熱量（熱エネルギ）を検出することの概念に含まれる。すなわち、熱を温度として検出するセンサは、熱量を検出する熱量検出器の概念に含まれる。
　熱外乱センサ１６２は、プラズマからの放射１４０の放射域に配置される。熱外乱センサ１６２の配置位置は、プラズマの放射域内のピエゾユニット８８に近い方がより望ましい。
　熱外乱センサ１６２は、熱外乱モニタ部１６４と接続される。熱外乱モニタ部１６４は、ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６と接続される。ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６は、熱外乱モニタ部１６４の熱外乱情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするように、チラーユニット１１０の出口温度を、フィードフォワード制御する。ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６は、熱外乱モニタ部１６４から熱外乱情報を取得し、チラーユニット１１０の冷却水温度制御部１１８にフィードフォワード制御信号を出力する。なお、ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６は、熱外乱モニタ部１６４から熱外乱情報を取得する構成に限らず、熱外乱センサ１６２から直接に熱外乱情報を取得してもよい。
　９．２　動作
　実施形態１で説明したように、ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は、ピエゾユニット温度情報を基に、ピエゾユニット温度を制御対象としてフィードバック制御を行う。さらに、図７に示すターゲット供給装置７８は、チャンバ１６内の熱外乱を熱外乱センサ１６２で検出し、熱外乱モニタ部１６４でモニタする。
　ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６は、熱外乱モニタ部１６４からの熱外乱情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするためのフィードフォワード制御信号をチラーユニット１１０の冷却水温度制御部１１８に送信する。
　チラーユニット１１０の冷却水温度制御部１１８により、冷却水加温冷却部１１４の駆動が制御され、チラーユニット１１０の冷却水出口１１１での冷却水温度が適宜変更される。
　冷却水加温冷却部１１４は、振動伝播経路部品の温度を指定された制御温度に調節する「温度調節機構」の一例である。ピエゾユニット温度を一定にするための制御目標温度（例えば５３℃）は「指定された制御温度」の一例である。ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０は「第１の制御部」の一例である。ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６はエネルギ検出器の出力に基づいて、制御温度を変更する「制御部」の一例である。また、ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６は「第２の制御部」の一例である。
　９．３　作用・効果
　実施形態５によれば、熱外乱発生時にピエゾユニット温度を制御対象にして、チラーユニット１１０の冷却水出口１１１での冷却水温度がフィードフォワード制御される。これにより、フィードバック制御だけでは抑制しきれない熱外乱発生初期のピエゾユニット温度の変動が抑制される。
　実施形態５によれば、フィードバック制御だけの場合（実施形態１）と比較して、より高い精度でピエゾユニット温度が一定に維持され、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　１０．実施形態６
　１０．１　構成
　図８に、実施形態６に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図４に示した実施形態２との相違点を説明する。実施形態６では、実施形態２で説明したピエゾユニット温度フィードバック制御機構を備える構成に、ピエゾユニット温度フィードフォワード制御機構が追加されている。
　図８に示すターゲット供給装置７８は、実施形態２の構成を含み、さらに、熱外乱センサ１６２と、熱外乱モニタ部１６４と、ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６７とを備える。熱外乱センサ１６２と熱外乱モニタ部１６４については、実施形態５（図７）で説明した構成と同様である。
　図８のピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６７は、熱外乱情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするように、加熱／冷却デバイス電源１５６を介して、加熱／冷却デバイス１５４の温度をフィードフォワード制御する。
　１０．２　動作
　ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５１は、ピエゾユニット温度情報を基に、ピエゾユニット温度を制御対象としてフィードバック制御を行う。さらに、図８に示すターゲット供給装置７８は、チャンバ１６内の熱外乱を熱外乱センサ１６２で検出し、熱外乱モニタ部１６４でモニタする。
　ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６７は、熱外乱モニタ部１６４から得られる熱外乱情報を基に、ピエゾユニット温度を一定にするためのフィードフォワード制御信号を加熱／冷却デバイス電源１５６に送信する。加熱／冷却デバイス電源１５６により、加熱／冷却デバイス１５４の温度が適宜変更され、それに伴い冷却水供給流路１２１内の冷却水温度が変更される。
　ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５１は「第１の制御部」の一例である。ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６７は、エネルギ検出器の出力に基づいて、制御温度を変更する「制御部」の一例である。また、ピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６７は「第２の制御部」の一例である。
　１０.３　作用・効果
　実施形態６によれば、熱外乱発生時にピエゾユニット温度を制御対象にして、実施形態５（図７）よりもピエゾユニット８８に近い冷却水流路内の冷却水温度がフィードフォワード制御される。このため実施形態５に比べて、ピエゾユニット温度の変動がより一層抑制される。実施形態６は、実施形態５の場合と比較して、より高い精度でピエゾユニット温度が一定に維持され、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　１１．実施形態７
　１１．１　構成
　図９に、実施形態７に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図８に示した実施形態６との相違点を説明する。図９に示す実施形態７に係るターゲット供給装置７８は、加熱／冷却デバイス１５４がチャンバ１６の内部に配置されている点で実施形態６と相違する。
　１１．２　動作
　図９に示すターゲット供給装置７８の動作は、図８に示す実施形態６と同様である。
　１１．３　作用・効果
　実施形態７によれば、実施形態６と同様の効果が得られる。また、実施形態７の構成は、実施形態６の構成と比べて、一定の温度に保つべき対象であるピエゾユニット８８により近接した位置で温度制御するため、より高精度なピエゾユニット温度制御が可能となる。これにより、実施形態７の構成は、実施形態６の構成に比べて、熱外乱が発生した場合でもより高い精度でピエゾユニット温度が一定に維持され、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　１２．実施形態８
　１２．１　構成
　図１０に、実施形態８に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図８に示した実施形態６との相違点を説明する。図１０に示す実施形態８に係るターゲット供給装置７８は、加熱／冷却デバイス１５４がピエゾユニット８８の表面又は内部に配置されている点で実施形態６と相違する。
　１２．２　動作
　図１０に示すターゲット供給装置７８では、ピエゾユニット８８に配置した加熱／冷却デバイス１５４がピエゾユニット８８を直接的に加熱又は冷却する。他の動作は、実施形態６と同様である。
　１２．３　作用・効果
　実施形態８によれば、実施形態６と同様の効果が得られる。また、実施形態８の構成は、実施形態６や実施形態７の構成と比べて、一定の温度に保つべき対象であるピエゾユニット８８により近接した位置で温度制御するため、より高精度なピエゾユニット温度制御が可能となる。また、フィードバック制御に加えて、熱外乱情報を用いたフィードフォワード制御を行うことにより、実施形態４の構成よりもピエゾユニット温度の変動が抑制される。実施形態８の構成は、実施形態４～７の各実施形態の構成に比べて、熱外乱が発生した場合でもより高い精度でピエゾユニット温度が一定に維持される。これにより、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　１３．実施形態９
　１３．１　構成
　図１１に、実施形態９に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３に示した実施形態１との相違点を説明する。図１１に示すターゲット供給装置は、実施形態１の構成を含み、さらに、ピエゾユニット８８など振動伝播経路部品がプラズマからの放射に暴露される範囲（面積）を制限するプラズマ遮蔽板１９０を備える。
　プラズマ遮蔽板１９０は、ノズル８０からプラズマ生成領域２６に至るドロップレット軌道上に配置される。プラズマ遮蔽板１９０は、ドロップレット１３６が通過するための小さな孔１９１を有する。
　１３．２　動作
　プラズマ遮蔽板１９０は、ピエゾユニット８８など振動伝播経路を構成する部品に到達するプラズマからの放射を減少させる。図３と比較すると明らかなように、プラズマ遮蔽板１９０がない場合のプラズマ放射暴露エリアに比べて、図１１に示す実施形態９では、プラズマ放射暴露エリアが小さくなっている。
　プラズマ遮蔽板１９０を配置することにより、プラズマ放射による熱外乱の影響を低減することができ、図３の構成と比較して、熱外乱に起因するピエゾユニット温度の変動を抑制することができる。
　ピエゾユニット温度フィードバック制御部１５０を含むフィードバック制御の動作は、第１実施形態と同様である。
　１３．３　作用・効果
　実施形態９に係るターゲット供給装置７８によれば、温度変動要因である熱外乱の一部（ここではプラズマからの放射）がピエゾユニット８８などの振動伝播経路部品に到達する量が減少するので、ピエゾユニット８８の温度変動が抑制される。実施形態９によれば、プラズマ遮蔽板１９０が存在しない形態と比較して、ピエゾユニット８８など振動伝播経路部品に到達するプラズマからの放射が減少するため、フィードバック制御がより高精度になり、ピエゾユニット温度がより一層安定化する。これにより、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　１４．プラズマ遮蔽板を備える他の実施形態について
　図１１では実施形態１の構成にプラズマ遮蔽板１９０を追加した例を示したが、実施形態２－８の各構成に対して、図１１と同様に、プラズマ遮蔽板１９０を追加してもよい。プラズマ遮蔽板１９０を実施形態５の構成に追加した形態を実施形態１０として説明する。
　１５．実施形態１０
　１５．１　構成
　図１２に、実施形態１０に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図７に示した実施形態５との相違点を説明する。
　図１２に示すターゲット供給装置は、実施形態５の構成を含み、さらに、ピエゾユニット８８など振動伝播経路部品がプラズマからの放射１４０に暴露される範囲（面積）を制限するプラズマ遮蔽板１９０を備える。
　プラズマ遮蔽板１９０は、ノズル８０からプラズマ生成領域２６に至るドロップレット軌道上に配置される。プラズマ遮蔽板１９０は、ドロップレット１３６が通過するための小さな孔１９１を有する。
　熱外乱センサ１６２は、プラズマの放射域に配置される。熱外乱センサ１６２は、プラズマ生成領域２６とプラズマ遮蔽板１９０の間に配置されてもよいが、望ましくは、図１１のように、プラズマ遮蔽板１９０とピエゾユニット８８など振動伝播経路部品の間に配置されるのが良い。
　１５．２　動作
　プラズマ遮蔽板１９０の役割は、実施形態９で説明したとおりである。プラズマ遮蔽板１９０は、ピエゾユニット８８など振動伝播経路部品に到達するプラズマからの放射を減少させる。
　熱外乱センサ１６２、熱外乱モニタ部１６４及びピエゾユニット温度フィードフォワード制御部１６６を含むフィードフォワード制御の動作は、第５実施形態と同様である。
　１５．３　作用・効果
　実施形態１０によれば、プラズマ遮蔽板１９０が存在しない形態と比較して、ピエゾユニット８８など振動伝播経路部品に到達するプラズマからの放射が減少するため、フィードバック制御及びフィードフォワード制御がより高精度になり、ピエゾユニット温度がより一層安定化する。これにより、ドロップレット結合が安定し、結果としてＥＵＶ発光が安定する。
　１６．ピエゾユニットの具体例
　１６．１　構成
　図１３は、ノズル８０及びピエゾユニット８８をノズル８０の中心軸を含む平面で切断した縦断面図である。図１４は、図１３の１４－１４線に沿って切断した断面図である。図１４は、ノズル８０及びピエゾユニット８８をノズル８０の中心軸と直交する面で切断した横断面図に相当する。
　ピエゾユニット８８は、ピエゾ素子２０２と、第１部品２１０と、第２部品２２０とを含む。ピエゾユニット８８は、第１部品２１０と第２部品２２０とでピエゾ素子２０２を挟み込む構成である。第１部品２１０は、ノズル８０の外側側面部に固定される。第１部品２１０は、ピエゾ素子２０２の振動をノズル８０に伝達させる。第２部品２２０は、図示せぬボルトを用いて、第１部品２１０に締結されている。第２部品２２０は、ピエゾ素子２０２を第１部品２１０に押し付けることで、ピエゾ素子２０２の振動を第１部品２１０に伝達しやすくする。
　図１３の第１部品２１０内に二点鎖線で示した範囲は、ピエゾ素子２０２の振動伝播経路２１２である。振動伝播経路２１２は、ピエゾ素子２０２からノズル８０に向かう方向にピエゾ素子２０２の領域を見下ろした場合にピエゾ素子２０２の領域と重なる領域であり、いわゆるピエゾ素子２０２の真下の領域である。
　第１部品２１０には冷却水路２１４が設けられている。ノズル８０からの伝熱によってピエゾ素子２０２が過熱されないように、第１部品２１０の冷却水路２１４に冷却水が流される。図１４中の白抜き矢印は、冷却水の流れを表している。
　また、第１部品２１０には、ピエゾユニット温度センサ１００が配置されている。ピエゾユニット温度センサ１００は、第１部品２１０の表面ではなく、第１部品２１０の内部の温度を計測する。第１部品２１０には、ピエゾユニット温度センサ１００を差し込むためのセンサ挿入穴２１８が設けられている。センサ挿入穴２１８は、第１部品２１０の内部の振動伝播経路２１２の近くまで達している。ピエゾユニット温度センサ１００は、第１部品２１０に設けられたセンサ挿入穴２１８に差し込まれている。ピエゾユニット温度センサ１００と冷却水路２１４は、振動伝播経路２１２内には配置しないことが望ましい。振動伝達を阻害しないためである。図１３のように、ピエゾユニット温度センサ１００と冷却水路２１４は、振動伝播経路２１２を避けて、振動伝播経路２１２の外側に配置される。
　ピエゾユニット温度センサ１００の温度検知部１００Ａは、振動伝播経路２１２になるべく近づけることが好ましい。振動伝播経路２１２の極近傍の温度を計測するためである。
　冷却水路２１４は、第１部品２１０におけるピエゾ素子２０２寄りの位置に設ける方が望ましく、ピエゾユニット温度センサ１００は、第１部品２１０におけるピエゾ素子２０２寄りの位置に設けられてもよい。
　図１３及び図１４に示す構成は、実施形態１から実施形態１０の各実施形態に適用することができる。
　圧力調節器９０によってタンク８２内の圧力が所定圧に調節されると、図１３に示すように、ノズル８０内に液体スズ２３０が供給され、ノズル孔８０ａから所定の速度で液体スズ２３０のジェット２３２が噴出される。
　ピエゾ電源９６からピエゾ素子２０２にピエゾ駆動信号が印加されることにより、ピエゾ素子２０２が振動する。ピエゾ素子２０２の振動は第１部品２１０を介してノズル孔８０ａに伝わり、ノズル孔８０ａから出力される液体スズ２３０のジェット２３２に、ドロップレットの生成と結合を促進する規則的な振動が与えられる。これにより、ドロップレット１３６が生成される。
　１６．２　ピエゾユニット温度センサの固定方法１
　図１５及び図１６は、ピエゾユニット温度センサの固定方法の第１例を模式的に示す断面図である。第１部品２１０は、センサ挿入穴２１８を有する。ピエゾユニット温度センサ１００をセンサ挿入穴２１８に差し込み、温度検知部１００Ａをセンサ挿入穴２１８の底部２１８Ａに押し付ける。
　そして、温度検知部１００Ａがセンサ挿入穴２１８の底部２１８Ａとの接触状態を保つように、図１６に示すように、クランプ部材２１９を用いてピエゾユニット温度センサ１００をクランプしてもよい。
　１６．３　ピエゾユニット温度センサの固定方法２
　図１７及び図１８は、ピエゾユニット温度センサの固定方法の第２例を模式的に示す断面図である。図１７に示すように、第１部品２１０に、留めボルト用のねじ穴２１０Ａを設け、留めボルト２２２を用いて、ピエゾユニット温度センサ１００を固定してもよい（図１８参照）。すなわち、ピエゾユニット温度センサ１００の温度検知部１００Ａをセンサ挿入穴２１８の底部２１８Ａに押し付けた状態で、ねじ穴２１０Ａに留めボルト２２２を締め込むことにより、ピエゾユニット温度センサ１００を固定してもよい。
　１６．４　動作
　図１３から図１８に例示した構成のピエゾユニット温度センサ１００は、ピエゾユニット８８の振動伝播経路２１２の極近傍の温度を計測する。
　ピエゾユニット８８は「加振ユニット」の一例である。ピエゾユニット８８の第２部品２２０は「振動伝播経路部品」の一例である。
　１６．５　作用・効果
　　図１３から図１８に例示した構成によれば、ピエゾユニット温度センサがピエゾユニット８８の部品表面に配置された形態と比較して、ピエゾユニット８８の振動伝播経路２１２の極近傍の温度を計測することができる。これにより、振動伝播経路２１２の実際の温度と、ピエゾユニット温度センサ１００によって検出される検出温度（計測温度）との乖離が小さくなり、より高精度なピエゾユニット温度制御が可能となる。
　１７．レーザ装置について
　レーザ装置１４は、プリパルスレーザ光を出力するよう構成されたプリパルスレーザ装置と、メインパルスレーザ光を出力するよう構成されたメインパルスレーザ装置とを含んで構成されてもよい。本実施形態におけるＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置１２では、ドロップレット状のターゲットにプリパルスレーザ光を照射してターゲットを拡散させ、拡散ターゲットを形成した後、この拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射する。このように、拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射すれば、ターゲット物質が効率良くプラズマ化され得る。これによれば、パルスレーザ光のエネルギからＥＵＶ光のエネルギへの変換効率（ＣＥ：Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が向上し得る。
　拡散ターゲットを形成するためのプリパルスレーザ光は、各パルスのパルス幅が１ナノ秒［ｎｓ］未満、好ましくは５００ピコ秒［ｐｓ］未満、さらに好ましくは５０ピコ秒［ｐｓ］未満の短パルスとされる。さらに、プリパルスレーザ光は、各パルスのフルーエンスが、メインパルスレーザ光の各パルスのフルーエンス以下で、かつ、６．５Ｊ／ｃｍ２以上、好ましくは３０Ｊ／ｃｍ２以上、さらに好ましくは４５Ｊ／ｃｍ２以上とされる。
　このような構成によれば、プリパルスレーザ光の各パルスのパルス幅を短くすることにより、ターゲットを細かい粒子状に破壊して拡散させ得る。これにより、拡散したターゲットにメインパルスレーザ光を照射したときに、ターゲットが効率良くプラズマ化され、ＣＥが向上し得る。
　なお、メインパルスレーザ光の照射に先行して複数のプリパルスレーザ光をターゲットに照射する構成を採用することができる。
　１８．ＥＵＶ光生成装置を用いた電子デバイスの製造方法の例
　図１９は、ＥＵＶ光生成装置と接続された露光装置の概略構成を示す図である。図１９において、露光装置４６は、マスク照射部４６２とワークピース照射部４６４とを含む。マスク照射部４６２は、ＥＵＶ光生成装置１２から入射したＥＵＶ光６２によって、反射光学系４６３を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。
　ワークピース照射部４６４は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光６２を、反射光学系４６５を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。
　ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置４６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。
　以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。半導体デバイスは電子デバイスの一例である。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　液状のターゲット物質を収容するタンクと、
    　前記タンクに収容されている前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    　電気信号によって駆動される加振素子であって、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットを発生させる前記加振素子と、
    　前記振動伝播経路の少なくとも一部を構成する振動伝播経路部品と、
    　前記振動伝播経路部品に供給する冷媒の温度を第１の温度に調節する第１の温度調節機構と、
    　前記振動伝播経路の温度を検出する温度センサと、
    　前記冷媒の供給された前記振動伝播経路の温度を第２の温度に調節する第２の温度調節機構と、
    　前記温度センサの出力に基づいて、前記第２の温度調節機構を制御する制御部と、
    を備えるターゲット供給装置。
  2. 　請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記加振素子及び前記振動伝播経路部品の外部から前記加振素子及び前記振動伝播経路部品に放射されるエネルギを検出するエネルギ検出器をさらに備え、
    　前記制御部は、前記温度センサの出力と前記エネルギ検出器の出力とに基づいて前記第２の温度調節機構を制御する、ターゲット供給装置。
  3. 　請求項２に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記エネルギ検出器は、前記エネルギとしての熱量を検出する熱量検出器であるターゲット供給装置。
  4. 　請求項２に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記制御部は、前記温度センサの出力に基づいて前記第２の温度調節機構をフィードバック制御する第１の制御部と、前記エネルギ検出器の出力に基づいて前記第２の温度調節機構をフィードフォワード制御する第２の制御部と、を含むターゲット供給装置。
  5. 　請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記冷媒としての冷却水を循環させるチラーユニットをさらに備え、
    　前記第１の温度調節機構は、前記チラーユニットに搭載されており、前記チラーユニットの出口温度を前記第１の温度に調節する、ターゲット供給装置。
  6. 　請求項５に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記第２の温度調節機構は、加熱デバイス及び冷却デバイスの少なくとも一方を含み、前記加熱デバイス及び前記冷却デバイスの少なくとも一方は、前記チラーユニットの冷却水出口から前記振動伝播経路部品に前記冷却水を供給するための冷却水供給流路に配置されている、ターゲット供給装置。
  7. 　請求項５に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記第２の温度調節機構は、加熱デバイス及び冷却デバイスの少なくとも一方を含み、前記加熱デバイス及び前記冷却デバイスの少なくとも一方は、前記加振素子と前記振動伝播経路部品とを含む加振ユニットに配置されている、ターゲット供給装置。
  8. 　請求項１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記ノズルから出力された前記ターゲット物質にレーザ光が照射されることによって発生するプラズマからの放射に、前記振動伝播経路部品が暴露される範囲を制限するプラズマ遮蔽板をさらに備え、
    　前記プラズマ遮蔽板は、前記ドロップレットを通過させるための孔を有し、前記ノズルからプラズマ生成領域に至るドロップレット軌道上に配置される、ターゲット供給装置。
  9. 　請求項１に記載のターゲット供給装置と、
    　前記ターゲット供給装置の前記ノズルから出力された前記ターゲット物質が内部に供給されるチャンバと、を備え、
    　前記チャンバ内に供給された前記ターゲット物質にレーザ光を照射することにより前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。
  10. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　チャンバと、
    　前記チャンバの内部にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、を備える極端紫外光生成装置を用い、前記チャンバ内に前記ターゲット供給装置から前記ターゲット物質を供給し、前記ターゲット物質にレーザ光を照射することにより前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を生成し、
    　前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光することを含み、
    　前記ターゲット供給装置は、
    　液状のターゲット物質を収容するタンクと、
    　前記タンクに収容されている前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    　電気信号によって駆動される加振素子であって、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットを発生させる前記加振素子と、
    　前記振動伝播経路の少なくとも一部を構成する振動伝播経路部品と、
    　前記振動伝播経路部品に供給する冷媒の温度を第１の温度に調節する第１の温度調節機構と、
    　前記振動伝播経路の温度を検出する温度センサと、
    　前記冷媒の供給された前記振動伝播経路の温度を第２の温度に調節する第２の温度調節機構と、
    　前記温度センサの出力に基づいて、前記第２の温度調節機構を制御する制御部と、を備える、電子デバイスの製造方法。
  11. 　液状のターゲット物質を収容するタンクと、
    　前記タンクに収容されている前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    　電気信号によって駆動される加振素子であって、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットを発生させる前記加振素子と、
    　前記振動伝播経路の少なくとも一部を構成する振動伝播経路部品と、
    　前記振動伝播経路の温度を指定された制御温度に調節する温度調節機構と、
    　前記加振素子及び前記振動伝播経路部品の外部から前記加振素子及び前記振動伝播経路部品に放射されるエネルギを検出するエネルギ検出器と、
    　前記エネルギ検出器の出力に基づいて、前記温度調節機構を制御する制御部と、
    　を備えるターゲット供給装置。
  12. 　請求項１１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記エネルギ検出器は、前記エネルギとしての熱量を検出する熱量検出器であるターゲット供給装置。
  13. 　請求項１１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記制御部は、前記エネルギ検出器の出力に基づいて前記温度調節機構をフィードフォワード制御する、ターゲット供給装置。
  14. 　請求項１１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記振動伝播経路の温度を検出する温度センサをさらに備え、
    　前記制御部は、前記温度センサの出力に基づいて前記温度調節機構をフィードバック制御する第１の制御部と、前記エネルギ検出器の出力に基づいて前記温度調節機構をフィードフォワード制御する第２の制御部と、を含むターゲット供給装置。
  15. 　請求項１１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記振動伝播経路部品に供給する冷却水を循環させるチラーユニットをさらに備え、
    　前記温度調節機構は、前記チラーユニットに搭載されており、前記チラーユニットの出口温度を調節する、ターゲット供給装置。
  16. 　請求項１１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記振動伝播経路部品に供給する冷却水を循環させるチラーユニットをさらに備え、
    　前記温度調節機構は、前記チラーユニットの冷却水出口から前記振動伝播経路部品に前記冷却水を供給するための冷却水供給流路に配置された加熱デバイス及び冷却デバイスの少なくとも一方を含む、ターゲット供給装置。
  17. 　請求項１１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記温度調節機構は、前記加振素子と前記振動伝播経路部品とを含む加振ユニットに配置された加熱デバイス及び冷却デバイスの少なくとも一方を含む、ターゲット供給装置。
  18. 　請求項１１に記載のターゲット供給装置であって、
    　前記ノズルから出力された前記ターゲット物質にレーザ光が照射されることによって発生するプラズマからの放射に暴露される前記振動伝播経路部品の範囲を制限するプラズマ遮蔽板をさらに備え、
    　前記プラズマ遮蔽板は、前記ドロップレットを通過させるための孔を有し、前記ノズルからプラズマ生成領域に至るドロップレット軌道上に配置される、ターゲット供給装置。
  19. 　請求項１１に記載のターゲット供給装置と、
    　前記ターゲット供給装置の前記ノズルから出力された前記ターゲット物質が内部に供給されるチャンバと、を備え、
    　前記チャンバ内に供給された前記ターゲット物質にレーザ光を照射することにより前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。
  20. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　チャンバと、
    　前記チャンバの内部にターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、を備える極端紫外光生成装置を用い、前記チャンバ内に前記ターゲット供給装置から前記ターゲット物質を供給し、前記ターゲット物質にレーザ光を照射することにより前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を生成し、
    　前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光することを含み、
    　前記ターゲット供給装置は、
    　液状のターゲット物質を収容するタンクと、
    　前記タンクに収容されている前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    　電気信号によって駆動される加振素子であって、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質に振動伝播経路を介して振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットを発生させる前記加振素子と、
    　前記振動伝播経路の少なくとも一部を構成する振動伝播経路部品と、
    　前記振動伝播経路の温度を指定された制御温度に調節する温度調節機構と、
    　前記加振素子及び前記振動伝播経路部品の外部から前記加振素子及び前記振動伝播経路部品に放射されるエネルギを検出するエネルギ検出器と、
    　前記エネルギ検出器の出力に基づいて、前記温度調節機構を制御する制御部と、を備える、電子デバイスの製造方法。
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