JPWO2017154528A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

極端紫外光生成装置は、外部装置からの指令に基づいて極端紫外光の生成位置を移動させる極端紫外光生成装置であって、内部に供給されたターゲットに対してレーザ光が照射されることでターゲットから極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲットを出力しチャンバ内に供給するターゲット供給器と、チャンバ内に供給されたターゲットにレーザ光を集光する集光ミラーと、ターゲット供給器の位置を調整するステージと、集光ミラーの位置を調整するマニピュレータと、極端紫外光の生成中に生成位置を移動させる際、ステージ、マニピュレータ、及び、ターゲットに対するレーザ光の照射タイミングのうちの少なくとも１つをフィードフォワード方式で制御可能に構成された制御部と、を備える。

Description

本開示は、極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０１３−１２４６５号公報 特開２０１１−２１０７０４号公報

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、外部装置からの指令に基づいて極端紫外光の生成位置を移動させる極端紫外光生成装置であって、内部に供給されたターゲットに対してレーザ光が照射されることでターゲットから極端紫外光が生成されるチャンバと、ターゲットを出力しチャンバ内に供給するターゲット供給器と、チャンバ内に供給されたターゲットにレーザ光を集光する集光ミラーと、ターゲット供給器の位置を調整するステージと、集光ミラーの位置を調整するマニピュレータと、極端紫外光の生成中に生成位置を移動させる際、ステージ、マニピュレータ、及び、ターゲットに対するレーザ光の照射タイミングのうちの少なくとも１つをフィードフォワード方式で制御可能に構成された制御部と、を備える。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図２は、図１に示された照明部及び検出部の配置を説明するための図を示す。 図３は、ＥＵＶ光の生成位置を移動させる際に、図２に示されるように配置されたターゲット検出センサを備えるＥＵＶ光生成装置によってパルスレーザ光の照射タイミングを変更するために変更される遅延時間を説明するための図を示す。 図４は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図５は、図４に示されたＥＵＶ光センサの配置を説明するための図を示す。 図６は、図５に示されたＥＵＶ光センサの配置をＸ軸方向の逆方向から視た図を示す。 図７は、ＥＵＶ光移動処理の概略を説明するためのフローチャートを示す。 図８は、第１実施形態に係る制御部によって実行されるＥＵＶ光移動処理のフローチャートを示す。 図９は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１０は、図９に示された第１及び第２画像センサの構成を説明するための図を示す。 図１１は、図１０に示された第１画像センサに含まれる撮像部によって取得された画像を説明するための図を示す。 図１２は、図１０に示された第２画像センサに含まれる撮像部によって取得された画像を説明するための図を示す。 図１３は、図１０に示された第２画像センサに含まれる撮像部によって取得された画像を説明するための図を示す。 図１４は、第２実施形態に係る制御部によって実行されるＥＵＶ光移動処理のフローチャートを示す。 図１５は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１６は、図１５に示された複数の第１画像センサの構成を説明するための図を示す。 図１７は、図１６に示された第１画像センサに含まれる撮像部によって取得された画像を説明するための図を示す。 図１８は、図１６に示された第１画像センサに含まれる撮像部によって取得された画像を説明するための図を示す。 図１９は、第４実施形態に係る制御部によって実行されるＥＵＶ光移動処理のフローチャートを示す。 図２０は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図２１は、第５実施形態に係る制御部によって実行されるＥＵＶ光移動処理のＥＵＶ光重心制御の流れを説明するための図を示す。

実施形態

＜内容＞
１．用語の説明
２．課題
２．１ 比較例の構成
２．２ 比較例の動作
２．３ 課題
３．第１実施形態
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用効果
４．第２実施形態
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用効果
５．第３実施形態
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用効果
６．第４実施形態
７．第５実施形態
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用効果
８．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光を放射する。

「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。

「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差する。

「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。

「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれる。

「Ｚ軸方向」は、チャンバ内に導入されたレーザ光がプラズマ生成領域に向かって進行する際の当該レーザ光の進行方向である。Ｚ軸方向は、ＥＵＶ光生成装置がＥＵＶ光を出力する方向と略同一であってもよい。

「Ｙ軸方向」は、ターゲット供給器がチャンバ内にターゲットを出力する方向の逆方向である。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。

「Ｘ軸方向」は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に垂直な方向である。

［２．課題］
図１乃至図３を用いて、比較例のＥＵＶ光生成装置１について説明する。

比較例のＥＵＶ光生成装置１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置である。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられる。

ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１ともいう。

ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３から出力された少なくとも１つのパルスレーザ光３１をターゲット２７に照射することによって、ターゲット２７のプラズマ２７５を生成する。生成されたプラズマ２７５は、放射光２７６を放射する。放射光２７６は、ＥＵＶ光２７７の他、様々な波長の光を含む。ＥＵＶ光生成装置１は、放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７を捕集して、露光装置９に出力する。

このようにして、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２７７を生成し得る。

なお、１つのターゲット２７には、複数のパルスレーザ光３１が照射されてもよい。この場合、レーザ装置３は、異なる波長のパルスレーザ光３１を出力する複数のレーザ装置３から構成される。ＥＵＶ光生成装置１は、複数のレーザ装置３からそれぞれ出力された複数のパルスレーザ光３１が１つのターゲット２７を照射するよう、複数のパルスレーザ光３１のそれぞれの出力タイミングを制御する。

［２．１ 比較例の構成］
図１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。図２は、図１に示された照明部４１０及び検出部４２０の配置を説明するための図を示す。

比較例のＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２と、レーザ光集光光学系２２と、ＥＵＶ光集光光学系２３と、接続部２４と、レーザ光伝送光学系３３とを備える。加えて、比較例のＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給器２５と、ステージ２６と、ターゲット回収器２８と、ターゲット検出センサ４１と、制御部８とを備える。

チャンバ２は、内部に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３１が照射されることで、ターゲット２７からプラズマ２７５が生成され、ＥＵＶ光２７７が生成される容器である。

チャンバ２の壁２１１は、チャンバ２の内部空間を形成し、チャンバ２の内部空間を外界から隔絶する。

壁２１１には、パルスレーザ光３１をチャンバ２内に導入するためのウインドウ２１５が設けられている。

また、チャンバ２は、チャンバ２内にターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２１２を含む。

レーザ光伝送光学系３３は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１を、ウインドウ２１５を介してチャンバ２内に導入する光学系である。

レーザ光伝送光学系３３は、チャンバ２の外部に配置される。

レーザ光伝送光学系３３は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の光路上であって、レーザ装置３とウインドウ２１５との間に配置される。

レーザ光伝送光学系３３は、高反射ミラー３３１と、高反射ミラー３３２とを含む。

高反射ミラー３３１及び３３２のそれぞれは、それらの位置及び姿勢の少なくとも１つを調整する不図示のステージに搭載される。高反射ミラー３３１及び３３２を搭載するステージの動作は、制御部８によって制御される。

レーザ光集光光学系２２は、ウインドウ２１５を介してチャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に集光する光学系である。

レーザ光集光光学系２２は、チャンバ２の内部に配置される。

レーザ光集光光学系２２は、ウインドウ２１５を透過したパルスレーザ光３１の光路上であって、ウインドウ２１５とプラズマ生成領域Ｒ１との間に配置される。

レーザ光集光光学系２２は、レーザ光集光ミラー２２１と、マニピュレータ２２４とを含む。

レーザ光集光ミラー２２１は、ウインドウ２１５を透過したパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に向けて反射する。レーザ光集光ミラー２２１は、反射されたパルスレーザ光３１を、プラズマ生成領域Ｒ１に集光する。

レーザ光集光ミラー２２１は、マニピュレータ２２４に搭載される。

レーザ光集光ミラー２２１は、軸外放物面ミラー２２２及び平面ミラー２２３を用いて構成される。

マニピュレータ２２４は、レーザ光集光ミラー２２１の位置を調整する機構である。マニピュレータ２２４は、Ｘ軸及びＹ軸の少なくとも１つに沿った方向において、レーザ光集光ミラー２２１を移動させる機構である。

マニピュレータ２２４は、プラズマ生成領域Ｒ１においてパルスレーザ光３１がターゲット２７に照射されるよう、レーザ光集光ミラー２２１の位置を調整する機構である。

マニピュレータ２２４の駆動は、制御部８によって制御される。

マニピュレータ２２４は、レーザ光集光ミラー２２１の位置だけでなくその姿勢を調整してもよい。マニピュレータ２２４は、Ｘ軸及びＹ軸に加えてＺ軸に沿った方向において、レーザ光集光ミラー２２１を移動させる機構であってもよい。

ＥＵＶ光集光光学系２３は、放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７を捕集し、中間集光点ＩＦに集光する光学系である。

ＥＵＶ光集光光学系２３は、チャンバ２の内部に配置される。

ＥＵＶ光集光光学系２３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３１を含む。

ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、プラズマ生成領域Ｒ１においてプラズマ２７５から放射された放射光２７６のうちから選択的にＥＵＶ光２７７を反射する。ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、選択的に反射されたＥＵＶ光２７７を、接続部２４内に位置する中間集光点ＩＦに集光する。

ＥＵＶ光集光ミラー２３１の反射面は、例えば、モリブデン及びシリコンが交互に積層された多層反射膜によって形成される。

ＥＵＶ光集光ミラー２３１の反射面は、例えば、第１及び第２焦点を有する回転楕円面の一部で形成される。

ＥＵＶ光集光ミラー２３１は、第１焦点がプラズマ生成領域Ｒ１に位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置される。

ＥＵＶ光集光ミラー２３１の中央部には、貫通孔２３２が形成される。

貫通孔２３２は、レーザ光集光ミラー２２１で反射されたパルスレーザ光３１をプラズマ生成領域Ｒ１に向けて通過させるための孔である。

接続部２４は、チャンバ２と露光装置９との接続部である。

接続部２４は、中間集光点ＩＦに集光されたＥＵＶ光２７７を露光装置９に出力するための不図示のゲートバルブを含む。接続部２４に含まれるゲートバルブは、チャンバ２の内部と露光装置９の内部とを気密的に連通又は隔絶させる。

接続部２４の内部には、壁２４１が設けられる。壁２４１には、アパーチャ２４２が形成される。アパーチャ２４２は、中間集光点ＩＦに位置するように形成される。

ターゲット供給器２５は、チャンバ２内に供給されるターゲット２７を溶融させ、ドロップレットの形態で、プラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力する機器である。ターゲット供給器２５は、いわゆるコンティニュアスジェット方式でターゲット２７を出力する機器である。

ターゲット供給器２５によって供給されるターゲット２７は、金属材料で形成される。ターゲット２７を形成する金属材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含む材料である。好適には、ターゲット２７を形成する金属材料は、スズである。

ターゲット供給器２５は、ステージ２６に搭載される。

ターゲット供給器２５は、タンク２５１、ノズル２５２、ヒータ２５３、圧力調節器２５４及びピエゾ素子２５５を用いて構成される。

ターゲット供給器２５の動作は、制御部８によって制御される。

ステージ２６は、ターゲット供給器２５の位置を調整する機構である。ステージ２６は、Ｘ軸及びＺ軸の少なくとも１つに沿った方向において、ターゲット供給器２５の移動させる機構である。

ステージ２６は、ターゲット供給器２５から出力されたターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に供給されるよう、ターゲット供給器２５の位置を調整する機構である。

ステージ２６の駆動は、制御部８によって制御される。

ターゲット回収器２８は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７のうち、パルスレーザ光３１が照射されなかったターゲット２７を回収する機器である。

ターゲット回収器２８は、ターゲット軌道Ｑの延長線上にあるチャンバ２の壁２１１に設けられる。

ターゲット検出センサ４１は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出するセンサである。

ターゲット検出領域Ｒ２は、チャンバ２内の所定領域であって、ターゲット供給器２５とプラズマ生成領域Ｒ１との間にあるターゲット軌道Ｑ上の所定位置に位置する領域である。すなわち、ターゲット検出領域Ｒ２は、ターゲット供給器２５から出力されてからパルスレーザ光３１が照射される前の間にターゲット２７が通過する領域である。

ターゲット検出センサ４１は、照明部４１０と、検出部４２０とを含む。

照明部４１０及び検出部４２０は、それぞれウインドウ２１６及びウインドウ２１７を介して、ターゲット供給路２１２の壁２１１に接続される。

照明部４１０及び検出部４２０は、ターゲット軌道Ｑ上のターゲット検出領域Ｒ２を挟んで互いに対向するように配置される。

照明部４１０及び検出部４２０は、照明部４１０の照明光軸及び検出部４２０の検出光軸が、図１に示されるように、互いに略同軸でターゲット検出領域Ｒ２を通るように配置される。加えて、照明部４１０及び検出部４２０は、照明部４１０の照明光軸及び検出部４２０の検出光軸が、図２に示されるように、ＸＹ平面に略平行な平面内に含まれると共にＸ軸に対して所定角度θだけ傾斜するように配置される。

所定角度θは、０°以上９０°未満である。所定角度θが０°である場合、照明部４１０及び検出部４２０は、照明光軸及び検出光軸が、ターゲット軌道Ｑに略直交するように配置される。

なお、照明部４１０の照明光軸とは、照明部４１０からターゲット検出領域Ｒ２に向けて出力された照明光の光路軸である。検出部４２０の検出光軸とは、照明部４１０からターゲット検出領域Ｒ２に向けて出力された照明光のうち、検出部４２０によって検出される照明光の光路軸である。

照明部４１０は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように、ターゲット検出領域Ｒ２に向けて照明光を出力する。

照明部４１０は、光源４１１及び照明光学系４１２を用いて構成される。

検出部４２０は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように出力された照明光の光強度を検出することで、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出する。

検出部４２０は、光センサ４２１及び受光光学系４２２を用いて構成される。

制御部８は、外部装置である露光装置９からの各種指令に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１の各構成要素の動作を統括的に制御する。

制御部８は、レーザ装置３を制御し、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力を制御する。

制御部８は、ターゲット供給器２５を制御し、ターゲット供給器２５からのターゲット２７の出力を制御する。

制御部８は、高反射ミラー３３１及び３３２を搭載する不図示のステージを制御し、高反射ミラー３３１及び３３２のそれぞれの位置及び姿勢の少なくとも１つを制御する。

制御部８は、マニピュレータ２２４を制御し、レーザ光集光ミラー２２１の位置を制御する。

制御部８は、ステージ２６を制御し、ターゲット供給器２５の位置を制御する。

なお、制御部８は、プロセッサ等のハードウェアとプログラムモジュール等のソフトウェアとを組み合わせたコンピュータで構成される。制御部８に含まれるソフトウェアによる情報処理は、制御部８に含まれるハードウェアを用いて具体的に実現される。

［２．２ 比較例の動作］
制御部８は、ターゲット供給器２５を制御し、ターゲット供給器２５からプラズマ生成領域Ｒ１に向けてターゲット２７を出力させる。

具体的には、制御部８は、ターゲット供給器２５のヒータ２５３をターゲット２７の融点以上の温度まで加熱させ、ターゲット供給器２５のタンク２５１に収容された固体のターゲット２７を溶融させる。ターゲット２７を形成する金属材料がスズである場合、スズの融点が２３２℃であることから、制御部８は、例えば２５０℃以上２９０℃以下の温度でヒータ２５３を加熱させる。

制御部８は、ターゲット供給器２５の圧力調節器２５４を制御して、タンク２５１内のターゲット２７が所定速度で連続的にノズル２５２から出力されるよう、タンク２５１内のターゲット２７に所定圧力を加える。

制御部８は、ターゲット供給器２５のピエゾ素子２５５を所定波形で振動させ、連続的に出力されたターゲット２７を所定周期で分断してドロップレット状のターゲット２７を形成し、ノズル２５２から所定周波数で出力させる。

チャンバ２内へ出力されたターゲット２７は、ドロップレットの形態でターゲット軌道Ｑ上を進行し、ターゲット検出領域Ｒ２を通過する。ターゲット検出領域Ｒ２を通過したターゲット２７は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給される。

ターゲット検出センサ４１は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを検出する。

具体的には、照明部４１０の光源４１１は、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を照明するように、照明光学系４１２を介して、ターゲット検出領域Ｒ２に向けて照明光を出力する。

検出部４２０の光センサ４２１は、ターゲット検出領域Ｒ２に出力された照明光を受光光学系４２２を介して検出することで、ターゲット検出領域Ｒ２を通過するターゲット２７を検出する。光センサ４２１で検出された照明光の光強度は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過する毎に低下し得る。光センサ４２１は、検出された照明光の光強度の変化に応じた出力信号を生成し、制御部８に送信する。

なお、光センサ４２１によって検出された照明光の光強度の変化に応じた出力信号を、通過タイミング信号ともいう。

制御部８は、ターゲット検出センサ４１から送信された通過タイミング信号を受信する。

制御部８は、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングを、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングと判定する。すなわち、制御部８は、ターゲット検出センサ４１の検出結果に基づいて、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを特定する。

制御部８は、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングで、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したことを示すターゲット検出信号を生成する。

なお、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒ２を通過したタイミングを、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングともいう。

制御部８は、ターゲット検出信号を生成したタイミングから遅延時間Ｔｄだけ遅延したタイミングで、レーザ装置３にトリガ信号を送信する。すなわち、制御部８は、ターゲット検出領域Ｒ２の通過タイミングに遅延時間Ｔｄを付加したタイミングで、レーザ装置３からパルスレーザ光３１を出力させる。

遅延時間Ｔｄは、パルスレーザ光３１がプラズマ生成領域Ｒ１に集光されるタイミングを、ターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に供給されるタイミングに略一致させるための時間である。遅延時間Ｔｄは、ＥＵＶ光２７７の生成位置に供給されたターゲット２７にパルスレーザ光３１が照射されるタイミングを規定する。したがって、ＥＵＶ光２７７の生成位置を少なくともＹ軸に沿った方向に移動させる場合、制御部８は、遅延時間Ｔｄを変更する。遅延時間Ｔｄは、制御部８に予め記憶されている。

なお、チャンバ２内に供給されたターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射タイミングを、単に、パルスレーザ光３１の照射タイミングともいう。

レーザ装置３は、トリガ信号を受信すると、パルスレーザ光３１を出力する。

レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送光学系３３の高反射ミラー３３１及び３３２で反射され、ウインドウ２１５を透過して、チャンバ２内に導入される。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３１は、レーザ光集光光学系２２によってプラズマ生成領域Ｒ１に集光される。プラズマ生成領域Ｒ１に集光されたパルスレーザ光３１は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に照射される。

プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７は、パルスレーザ光３１が照射されることによって、プラズマ化し、放射光２７６を放射する。放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７は、ＥＵＶ光集光光学系２３のＥＵＶ光集光ミラー２３１で選択的に反射され、接続部２４の中間集光点ＩＦに集光される。中間集光点ＩＦに集光されたＥＵＶ光２７７は、露光装置９に向かって出力される。

また、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させるための露光装置９からの指令を受信する。

制御部８は、露光装置９からの指令に基づいて、ＥＵＶ光２７７の生成位置が移動するよう、ステージ２６、マニピュレータ２２４及びパルスレーザ光３１の照射タイミングの少なくとも１つを制御する。

具体的には、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の生成位置をＸＺ平面に略平行な平面内で移動させる場合、ステージ２６を駆動させ、ターゲット供給器２５の位置を移動させる。それにより、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置を移動させる。

加えて、制御部８は、マニピュレータ２２４を駆動させ、レーザ光集光ミラー２２１の位置を移動させる。それにより、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１におけるパルスレーザ光３１の集光位置を移動させる。

加えて、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の生成位置の移動前後においてターゲット２７へのパルスレーザ光３１の照射状態が維持されるよう、遅延時間Ｔｄを変更してパルスレーザ光３１の照射タイミングを変更する。ターゲット２７へのパルスレーザ光３１の照射状態が維持されることは、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係が維持されることである。これらの相対的な位置関係がずれると、パルスレーザ光３１が照射されたターゲット２７がレーザアブレーションによって拡散される領域が変更され、ＥＵＶ光２７７の生成位置が所望の位置とならないことがあるためである。また、これらの相対的な位置関係がずれると、パルスレーザ光３１がターゲット２７に適切に照射されず、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２７７の性能が劣化することがあるためである。

なお、ＥＵＶ光２７７の性能を評価する指標は、例えば、ＥＵＶ光２７７のパルスエネルギ又はエネルギ安定性である。ＥＵＶ光２７７の性能が劣化するとは、例えば、ＥＵＶ光生成装置１から出力されるＥＵＶ光２７７のパルスエネルギ又はエネルギ安定性がそれらの許容範囲から外れることである。ＥＵＶ光２７７のエネルギ安定性とは、ＥＵＶ光２７７のパルスエネルギのばらつきであり、例えば３σで記述される。

図３は、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させる際に、図２に示されるように配置されたターゲット検出センサ４１を備えるＥＵＶ光生成装置１によってパルスレーザ光３１の照射タイミングを変更するために変更される遅延時間Ｔｄを説明するための図を示す。

図３の破線は、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させる前のターゲット２７及びそのプラズマ２７５を示す。図３の実線は、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させた後のターゲット２７及びそのプラズマ２７５を示す。

図３では、Ｘ軸及びＹ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７の生成位置の移動距離を、それぞれΔｘ及びΔｙとする。ＥＵＶ光２７７の生成位置が移動されると、プラズマ２７５の位置が移動される。

図３のようにＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させる場合、制御部８は、遅延時間Ｔｄを、数式１に示されるように変更することで、パルスレーザ光３１の照射タイミングを変更する。

Ｔｄ’は、変更後の遅延時間Ｔｄを示す。Δｔは、遅延時間Ｔｄの変更量を示す。

遅延時間Ｔｄの変更量Δｔは、数式２に示されるように記述される。

Ｖ_ＤＬは、チャンバ内に出力されたターゲット２７の進行速度を示す。

制御部８は、数式１及び数式２を用いて遅延時間Ｔｄを変更することで、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係を維持するように、パルスレーザ光３１の照射タイミングを変更し得る。言い換えると、制御部８は、数式１及び数式２を用いて遅延時間Ｔｄを変更することで、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係を維持して、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させ得る。

また、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の生成位置をＺ軸に沿った方向にだけ移動させる場合、ステージ２６だけを駆動させ、ターゲット供給器２５の位置を移動させてもよい。パルスレーザ光３１のプラズマ生成領域Ｒ１におけるレイリー長は、１００μｍ以上１０００μｍ以下である。このため、パルスレーザ光３１の集光位置をＺ軸に沿った方向に移動させることは、ＥＵＶ光２７７の生成位置の移動には大きな影響を及ぼさない。よって、ＥＵＶ光２７７の生成位置をＺ軸に沿った方向にだけ移動させる場合、制御部８は、ステージ２６だけを駆動させてもよい。

また、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の生成位置をＹ軸に沿った方向に移動させる場合、マニピュレータ２２４を駆動させ、レーザ光集光ミラー２２１の位置を移動させる。

加えて、制御部８は、数式１及び数式２を用いて遅延時間Ｔｄを変更し、パルスレーザ光３１の照射タイミングを変更する。

［２．３ 課題］
ＥＵＶ光生成装置１は、露光装置９からの指令に基づいて、ＥＵＶ光２７７の生成中にその生成位置を移動させる等の露光装置９との連動動作を行うことがある。このとき、ＥＵＶ光生成装置１は、出力されるＥＵＶ光２７７の性能を維持しながら短時間で連動動作を完了する必要がある。

露光装置９からの指令に基づいてＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させる際、比較例に係る制御部８は、上述のようにステージ２６及びマニピュレータ２２４を駆動させる。この際、比較例に係る制御部８は、ＥＵＶ光２７７の生成位置の移動を短時間で完了させるために、ＥＵＶ光２７７の生成位置の移動距離にかかわらず、ステージ２６及びマニピュレータ２２４を１回の制御で駆動させる。

なお、ＥＵＶ光２７７の生成位置の移動距離は、移動前のＥＵＶ光２７７の生成位置から移動後のＥＵＶ光２７７の生成位置までの距離である。言い換えると、ＥＵＶ光２７７の生成位置の移動距離は、現在のＥＵＶ光２７７の生成位置から、露光装置９からの指令に応じたＥＵＶ光２７７の生成位置までの距離である。

一方、ステージ２６の駆動速度とマニピュレータ２２４の駆動速度との間には差があることが多い。

このため、比較例のＥＵＶ光生成装置１では、ステージ２６及びマニピュレータ２２４の駆動中に、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係がずれることがある。これらの相対的な位置関係がずれると、上述のように、ＥＵＶ光２７７の生成位置が所望の位置とならなかったり、ＥＵＶ光２７７の性能が劣化することがある。

それにより、比較例のＥＵＶ光生成装置１は、露光装置９からの指令に基づいてＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させる途中で、ＥＵＶ光２７７の性能劣化の検出によるエラーを発報して稼働を停止することがある。

ＥＵＶ光２７７の性能が劣化したままＥＵＶ光生成装置１の稼働を続けると、ＥＵＶ光生成装置１では、ＥＵＶ光２７７の生成に寄与しないターゲット２７であるデブリが多量に発生することがある。デブリが多量に発生すると、ＥＵＶ光生成装置１では、チャンバ２内がデブリで汚染され易くなり、ＥＵＶ光生成装置１の寿命が短くなることがある。加えて、デブリが多量に発生すると、ＥＵＶ光２７７の生成効率が低下することがある。

したがって、ＥＵＶ光２７７の性能を維持しつつ、ＥＵＶ光２７７の生成中にその生成位置を短時間で移動させ得る技術が望まれている。

なお、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７に対してパルスレーザ光３１を照射することを、シューティングともいう。

プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係がずれることを、シューティングずれともいう。

［３．第１実施形態］
図４乃至図８を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１に対して、ＥＵＶ光センサ４３が追加された構成を備える。更に、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１に対して、制御部８の機能が異なる。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。

［３．１ 構成］
図４は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。図５は、図４に示されたＥＵＶ光センサ４３の配置を説明するための図を示す。図６は、図５に示されたＥＵＶ光センサ４３の配置をＸ軸方向の逆方向から視た図を示す。

ＥＵＶ光センサ４３は、プラズマ２７５から放射された放射光２７６に含まれるＥＵＶ光２７７のエネルギを計測するセンサである。

ＥＵＶ光センサ４３は、複数のＥＵＶ光センサ４３から構成される。複数のＥＵＶ光センサ４３は、例えばＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃから構成される。

複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、プラズマ生成領域Ｒ１と対向するようにチャンバ２の壁２１１に設けられる。

複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光集光ミラー２３１によって反射されたＥＵＶ光２７７の光路を遮らないように配置される。

複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光集光ミラー２３１の外周縁に沿って配置される。

複数のＥＵＶセンサ光４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、プラズマ生成領域Ｒ１においてプラズマ２７５が生成された際にそれらによって計測されるエネルギの差が小さくなるよう、プラズマ生成領域Ｒ１に対して等方的に配置される。

複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光２７７のエネルギを計測し、その計測値を制御部８に送信する。

複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの動作は、制御部８によって制御される。

複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光２７７の重心位置を評価し易いような位置に配置される。

例えば、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃは、図５に示されるような直角二等辺三角形の各頂点にそれぞれ配置される。図５に示された直角二等辺三角形は、その長辺の中点がプラズマ生成領域Ｒ１に位置し、その頂角がＺ軸上に位置し、その２つの短辺がＸ軸及びＹ軸にそれぞれ沿うように配置された直角二等辺三角形である。

ＥＵＶ光センサ４３ａは、図５に示された直角二等辺三角形のＹ軸に沿った軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。

ＥＵＶ光センサ４３ｂは、図５に示された直角二等辺三角形のＸ軸に沿った軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。

ＥＵＶ光センサ４３ｃは、図５に示された直角二等辺三角形のＺ軸上に位置する頂点に配置されたＥＵＶ光センサ４３である。

ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の重心位置である。すなわち、ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギ分布における加重平均の位置である。具体的には、ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ＥＵＶ光２７７のエネルギを複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃで計測して得られた複数の計測値から算出された空間的な位置である。

ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射位置を反映する指標である。ＥＵＶ光２７７の重心位置は、ターゲット２７に対するパルスレーザ光３１の照射条件がＥＵＶ光２７７の性能を満たすような条件であるかを評価する指標である。ＥＵＶ光２７７の重心位置が所定位置となるように制御されることは、パルスレーザ光３１がターゲット２７に適切に照射されることを意味する。

第１実施形態に係る制御部８は、数式３の計算値を、Ｘ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７の重心位置を評価する指標として定義する。制御部８は、数式４の計算値を、Ｙ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７の重心位置を評価する指標として定義する。

Ｅ１は、ＥＵＶ光センサ４３ａの計測値である。Ｅ２は、ＥＵＶ光センサ４３ｂの計測値である。Ｅ３は、ＥＵＶ光センサ４３ｃの計測値である。

ＥＵＶＣｅｎｔｒｏｉｄ_ｘは、Ｘ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の偏在性を示す。ＥＵＶＣｅｎｔｒｏｉｄ_ｘは、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置のＸ軸座標成分についての所定位置に対する偏差を規格化した値である。この所定位置は、プラズマ生成領域Ｒ１である。ＥＵＶＣｅｎｔｒｏｉｄ_ｙは、Ｙ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光２７７のエネルギ分布の偏在性を示す。ＥＵＶＣｅｎｔｒｏｉｄ_ｙは、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置のＹ軸座標成分についての所定位置に対する偏差を規格化した値である。

制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行可能に構成される。

ＥＵＶ光重心制御とは、ＥＵＶ光２７７の生成中に複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれの計測結果に基づいてＥＵＶ光２７７の重心位置が所定位置となるようマニピュレータ２２４をフィードバック方式で制御することである。

具体的には、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御として次のような処理を実行する機能を備える。

制御部８は、ターゲット検出信号を生成したタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれに第１ゲート信号を送信する。

第１ゲート信号は、ＥＵＶ光２７７のエネルギを計測する契機を複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれに与える信号である。

複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃは、それぞれ第１ゲート信号を受信すると、それぞれＥＵＶ光２７７のエネルギを計測し、その計測値Ｅ１乃至Ｅ３を制御部８に送信する。

制御部８は、数式３及び数式４を用いて、ＥＵＶ光２７７の重心位置を評価する。

制御部８は、数式３及び数式４の計算値から、現在のＥＵＶ光２７７の重心位置と所定位置との偏差を特定する。そして、制御部８は、現在のパルスレーザ光３１の集光位置と所定の集光位置との偏差を特定する。そして、制御部８は、パルスレーザ光３１の集光位置における偏差が無くなるようなマニピュレータ２２４の駆動量を決定する。制御部８は、決定された駆動量に応じてマニピュレータ２２４を駆動させ、パルスレーザ光３１の集光位置を移動させる。

なお、ＥＵＶ光重心制御において、制御部８は、マニピュレータ２２４の代わりに、高反射ミラー３３１を搭載する上述のステージ及び高反射ミラー３３２を搭載する上述のステージを駆動させることによって、パルスレーザ光３１の集光位置を移動させてもよい。また、制御部８は、パルスレーザ光３１の集光位置の移動量や移動速度に応じて、マニピュレータ２２４、高反射ミラー３３１を搭載する上述のステージ、及び、高反射ミラー３３２を搭載する上述のステージの何れかを駆動させてもよい。

制御部８がこのような処理を実行することにより、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係が適切な位置関係となり、ＥＵＶ光２７７の重心位置が所定位置に制御される。すなわち、シューティングずれが抑制され得る。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様である。

［３．２ 動作］
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。具体的には、ＥＵＶ光２７７の生成中にその生成位置を移動させる際に、第１実施形態に係る制御部８が実行する処理について説明する。

ＥＵＶ光２７７の生成中にその生成位置を移動させるために制御部８が実行する処理を、単に、ＥＵＶ光移動処理ともいう。

図７は、ＥＵＶ光移動処理の概略を説明するためのフローチャートを示す。

ステップＳ１において、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させるための露光装置９からの指令を受信する。

ステップＳ２において、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御の実行を停止する。

ステップＳ３において、制御部８は、現在のプラズマ２７５の位置を取得し、プラズマ２７５の移動距離を特定する。

現在のプラズマ２７５の位置は、ＥＵＶ光移動処理の開始時点で制御部８が保持しているプラズマ２７５の位置である。現在のプラズマ２７５の位置は、前回のＥＵＶ光移動処理の際に露光装置９によって指令されたＥＵＶ光２７７の生成位置であってもよい。

ＥＵＶ光２７７を含む放射光２７６はプラズマ２７５から放射状に放射されるため、ＥＵＶ光２７７の生成位置は、プラズマ２７５の位置と相関がある。ＥＵＶ光２７７の生成位置が移動されると、プラズマ２７５の位置が移動される。

そこで、制御部８は、チャンバ２内で生成されたプラズマ２７５の位置を、ＥＵＶ光２７７の生成位置と推定する。そして、制御部８は、露光装置９からの指令に応じて移動されるプラズマ２７５の移動距離を、ＥＵＶ光２７７の生成位置の移動距離と推定する。

プラズマ２７５の移動距離は、現在のプラズマ２７５の位置であるプラズマ現在位置と、露光装置９からの指令に応じて移動された後のプラズマ２７５の位置であるプラズマ目標位置との距離である。プラズマ２７５の移動距離は、プラズマ現在位置とプラズマ目標位置との差分値から特定される。すなわち、ＥＵＶ光２７７の生成位置の移動距離は、プラズマ現在位置とプラズマ目標位置との差分値から特定される。

ステップＳ４において、制御部８は、プラズマ２７５の移動距離が許容値Ｌｔｈ以下であるか否かを判定する。

許容値Ｌｔｈは、ステージ２６の駆動速度及びマニピュレータ２２４の駆動速度に差があっても、ＥＵＶ光２７７の性能を維持しながらＥＵＶ光２７７の生成位置を移動可能な距離である。許容値Ｌｔｈは、プラズマ生成領域Ｒ１におけるパルスレーザ光３１のスポット直径Ｄから特定される。許容値Ｌｔｈの取り得る範囲は、（Ｄ／２０）以上（Ｄ／５）以下である。許容値Ｌｔｈの取り得る範囲は、例えば５μｍ以上３０μｍ以下である。

制御部８は、プラズマ２７５の移動距離が許容値Ｌｔｈ以下であれば、ステップＳ８に移行する。一方、制御部８は、プラズマ２７５の移動距離が許容値Ｌｔｈより大きければ、ステップＳ５に移行する。

ステップＳ５において、制御部８は、プラズマ２７５の位置が許容値Ｌｔｈだけ移動するよう、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを制御する。

具体的には、制御部８は、ステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを、許容値Ｌｔｈを用いて決定する。そして、制御部８は、決定されたステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つに応じて、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを制御する。

ステップＳ６において、制御部８は、残余距離が許容値Ｌｔｈ未満となるまでプラズマ２７５を移動させたか否かを判定する。

残余距離は、プラズマ２７５の位置をプラズマ目標位置に到達させるために残りどの位の移動が必要かを示す距離である。

制御部８は、残余距離が許容値Ｌｔｈ未満となるまでプラズマ２７５を移動させていなければ、ステップＳ５に移行する。一方、制御部８は、残余距離が許容値Ｌｔｈ未満となるまでプラズマ２７５を移動させたならば、ステップＳ７に移行する。

ステップＳ７において、制御部８は、ステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを、残余距離に応じて決定する。

ステップＳ８において、制御部８は、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを一度に制御する。

具体的には、制御部８は、ステップＳ４からステップＳ８に移行された場合、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを次のように制御する。

すなわち、制御部８は、ステップＳ３で特定されたプラズマ２７５の移動距離に応じて、ステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを決定する。そして、制御部８は、決定されたステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つに応じて、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを一度に制御する。

また、制御部８は、ステップＳ７からステップＳ８に移行された場合、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを次のように制御する。

すなわち、制御部８は、ステップＳ７で決定されたステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つに応じて、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを一度に制御する。

ステップＳ９において、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御の実行を再開する。その後、制御部８は、本処理を終了する。

このように、制御部８は、ＥＵＶ光移動処理をフィードフォワード方式で制御する。

図８は、第１実施形態に係る制御部８によって実行されるＥＵＶ光移動処理のフローチャートを示す。

図８並びに後述する図１４及び図１９は、図７に示されたＥＵＶ光移動処理を各実施形態ごとで詳細に示したフローチャートである。

ステップＳ１１において、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させるための露光装置９からの指令を受信する。

露光装置９からの指令には、プラズマ現在位置とプラズマ目標位置との差分値ΔＰ（ΔＸ、ΔＹ、ΔＺ）が含まれている。すなわち、差分値ΔＰは、プラズマ現在位置とプラズマ目標位置との偏差である。露光装置９からの指令は、差分値ΔＰに応じてプラズマ２７５の位置を移動させるよう制御部８に命じる指令である。

ステップＳ１２において、制御部８は、数式５に示されるように、プラズマ２７５の移動距離ΔＬを計算する。すなわち、制御部８は、差分値ΔＰからプラズマ２７５の移動距離ΔＬを特定する。

ステップＳ１３において、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御の実行を停止する。

制御部８は、ＥＵＶ光重心制御の実行を停止する際、ＥＵＶ光２７７の重心位置における制御目標値である目標重心位置（ＥＵＶ−Ｃｅｎｔ_Ｘｉ、ＥＵＶ−Ｃｅｎｔ_Ｙｉ）を記憶する。

ステップＳ１４において、制御部８は、現在のシューティング条件に関する各情報を取得する。

具体的には、制御部８は、現在のプラズマ２７５の位置（Ｘｉ、Ｙｉ、Ｚｉ）、現在のステージ２６の位置（Ｘ_ＤＬＳ_ｉ、Ｚ_ＤＬＳ_ｉ）、現在のマニピュレータ２２４の位置（Ｘ_ＦＵ_ｉ、Ｙ_ＦＵ_ｉ）、及び、現在の遅延時間Ｔｄを取得する。加えて、制御部８は、ターゲットの進行速度Ｖ_ＤＬを取得する。

ステップＳ１５において、制御部８は、数式６を用いて、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈ以下であるか否かを判定する。

制御部８は、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈ以下であれば、ステップＳ２１に移行する。一方、制御部８は、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈより大きければ、ステップＳ１６に移行する。

ステップＳ１６において、制御部８は、数式７乃至数式９に示されるように、プラズマ２７５の位置を許容値Ｌｔｈだけ移動させるためのパラメータＮ、ｄＰ及びｋを設定する。

制御部８は、数式７の右辺を計算して得られた商をＮに設定する。Ｎは、自然数であって、数式７の右辺を計算して得られた剰余を切り捨てた値である。Ｎは、プラズマ２７５の位置を許容値Ｌｔｈずつ移動させる回数である。すわなち、Ｎは、プラズマ２７５の位置を移動距離ΔＬだけ移動させるに際して、プラズマ２７５の位置を許容値Ｌｔｈだけ移動させるような制御を、制御部８が何回実行するかを定めた数である。数式７の右辺を計算して得られた剰余は、上述の残余距離に相当する。

また、制御部８は、数式８の右辺の計算値をｄＰ（ｄＸ、ｄＹ、ｄＺ）に設定する。ｄＰ（ｄＸ、ｄＹ、ｄＺ）は、制御部８の１回の制御での移動先となるプラズマ２７５の位置と、その移動前のプラズマ２７５の位置との偏差である。ｄＰ（ｄＸ、ｄＹ、ｄＺ）を数式８のように設定することは、制御部８における１回の制御でプラズマ２７５の位置が許容値Ｌｔｈだけ移動することを意味する。

また、制御部８は、数式９に示されるように、初期値として１をｋに設定する。ｋは、Ｎに関する引数である。ｋは、１以上Ｎ以下の自然数である。

ステップＳ１７において、制御部８は、数式１０に示されるように、引数ｋがＮになるまでステップＳ１８及びＳ１９の処理を繰り返すループ１を実行する。

ステップＳ１８において、制御部８は、数式１１乃至数式１３に示されるように、ステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを、数式８のｄｐ（ｄＸ、ｄＹ、ｄＺ）を用いて決定する。

具体的には、制御部８は、数式１１に示されるように、ステージ２６のＸ軸に沿った方向における駆動量をｄＸに決定し、ステージ２６のＺ軸に沿った方向における駆動量をｄＺに決定する。制御部８は、数式１２に示されるように、マニピュレータ２２４のＸ軸に沿った方向における駆動量をｄＸに決定し、マニピュレータ２２４のＹ軸に沿った方向における駆動量をｄＹに決定する。制御部８は、数式１３に示されるように、遅延時間Ｔｄの変更量ｄｔをｄＸ及びｄＹを用いて決定する。

そして、制御部８は、決定されたステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つに応じて、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを一度に制御する。

具体的には、制御部８は、ステージ２６の位置（Ｘ_ＤＬＳ_ｉ、Ｚ_ＤＬＳ_ｉ）が、数式１１に示された位置に移動するよう、ステージ２６を駆動させる。制御部８は、マニピュレータ２２４の位置（Ｘ_ＦＵ_ｉ、Ｙ_ＦＵ_ｉ）が、数式１２に示された位置に移動するよう、マニピュレータ２２４を駆動させる。制御部８は、パルスレーザ光３１の照射タイミングが、数式１３に示された遅延時間Ｔｄで規定されるよう、遅延時間Ｔｄを変更する。

ステップＳ１９において、制御部８は、数式１４に示されるように、引数ｋをインクリメントする。

ステップＳ１８及びＳ１９の処理を繰り返すループ１が実行されると、プラズマ２７５の位置は、許容値ＬｔｈずつＮ回移動し得る。この際、プラズマ２７５の位置は、プラズマ目標位置に向かって直線的に移動し得る。

但し、許容値ＬｔｈずつＮ回移動されたプラズマ２７５の位置は、プラズマ目標位置には到達しないことがある。その場合、制御部８は、プラズマ２７５の位置を、数式７の右辺を計算して得られた剰余に相当する上述の残余距離だけ更に移動させる必要がある。

ステップＳ２０において、制御部８は、数式１５に示されるように、ΔＰ（ΔＸ、ΔＹ、ΔＺ）を更新する。

具体的には、制御部８は、数式１５に示されるように、差分値ΔＰ（ΔＸ、ΔＹ、ΔＺ）が、ループ１を実行後のプラズマ２７５の位置とプラズマ目標位置との偏差となるよう、差分値ΔＰ（ΔＸ、ΔＹ、ΔＺ）を更新する。それにより、制御部８は、ステップＳ２１において、プラズマ２７５の位置を、数式７の右辺を計算して得られた剰余に相当する上述の残余距離だけ更に移動させ得る。

ステップＳ２１において、制御部８は、数式１６乃至数式１８に示されるように、ステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを、差分値ΔＰ（ΔＸ、ΔＹ、ΔＺ）を用いて決定する。

具体的には、制御部８は、数式１６に示されるように、ステージ２６のＸ軸に沿った方向における駆動量をΔＸに決定し、ステージ２６のＺ軸に沿った方向における駆動量をΔＺに決定する。制御部８は、数式１７に示されるように、マニピュレータ２２４のＸ軸に沿った方向における駆動量をΔＸに決定し、マニピュレータ２２４のＹ軸に沿った方向における駆動量をΔＹに決定する。制御部８は、数式１８に示されるように、遅延時間Ｔｄの変更量ΔｔをΔＸ及びΔＹを用いて決定する。

そして、制御部８は、決定されたステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つに応じて、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの少なくとも１つを一度に制御する。

具体的には、制御部８は、ステージ２６の位置（Ｘ_ＤＬＳ_ｉ、Ｚ_ＤＬＳ_ｉ）が、数式１６に示された位置に移動するよう、ステージ２６を駆動させる。制御部８は、マニピュレータ２２４の位置（Ｘ_ＦＵ_ｉ、Ｙ_ＦＵ_ｉ）が、数式１７に示された位置に移動するよう、マニピュレータ２２４を駆動させる。制御部８は、パルスレーザ光３１の照射タイミングが、数式１８に示された遅延時間Ｔｄで規定されるよう、遅延時間Ｔｄを変更する。

ステップＳ２２において、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御の実行を再開する。

制御部８は、ＥＵＶ光重心制御の実行を再開する際、ステップＳ１３において記憶された目標重心位置（ＥＵＶ−Ｃｅｎｔ_Ｘｉ、ＥＵＶ−Ｃｅｎｔ_Ｙｉ）を、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置に設定する。

ＥＵＶ光重心制御の実行が再開されることにより、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係が、ＥＵＶ光移動処理の後に微調整される。

ステップＳ２３において、制御部８は、数式１９に示されるように、プラズマ２７５の位置（Ｘｉ、Ｙｉ、Ｚｉ）を更新する。その後、制御部８は、本処理を終了する。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様である。

［３．３ 作用効果］
第１実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光２７７の移動距離が許容値Ｌｔｈ以下である場合、ステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量を、差分値ΔＰを用いて決定し得る。そして、制御部８は、差分値ΔＰを用いて決定された上記の各駆動量及び変更量に応じて、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングを一度に制御し得る。

このため、制御部８は、１回の制御で、ＥＵＶ光２７７の生成中にその生成位置を、露光装置９からの指令に応じた位置に移動させ得る。この際、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の性能を維持しながら直線的に、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させ得る。

また、第１実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光２７７の移動距離が許容値Ｌｔｈより大きい場合、ステージ２６の駆動量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量を、許容値Ｌｔｈを用いて決定し得る。そして、制御部８は、許容値Ｌｔｈを用いて決定された上記の各駆動量及び変更量に応じて、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングを一度に制御し得る。そして、制御部８は、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングの制御を複数回繰り返し得る。

このため、制御部８は、プラズマ２７５の位置を許容値Ｌｔｈずつ複数回移動させながら、ＥＵＶ光２７７の生成中にその生成位置を、露光装置９からの指令に応じた位置に移動させ得る。この際、制御部８は、ＥＵＶ光２７７の性能を維持しながら可能な限り直線的に、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させ得る。

それにより、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、露光装置９からの指令に基づいてＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させる際、ＥＵＶ光２７７の性能を維持しつつ、ＥＵＶ光２７７の生成中にその生成位置を短時間で移動させ得る。

その結果、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、エラー発報による稼働停止、デブリ汚染による短寿命化及びＥＵＶ光２７７の生成効率の低下を抑制しつつ、所望性能のＥＵＶ光２７７を生成中にその生成位置を短時間で移動させ得る。

［４．第２実施形態］
図９乃至図１４を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。

第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、第１及び第２画像センサ４５及び４７が追加された構成を備える。更に、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、制御部８の動作が異なる。

第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。

［４．１ 構成］
図９は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。図１０は、図９に示された第１及び第２画像センサ４５及び４７の構成を説明するための図を示す。

第１及び第２画像センサ４５及び４７のそれぞれは、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置を含む領域を撮像領域とし、撮像領域の画像を取得するセンサである。

第１画像センサ４５は、プラズマ生成領域Ｒ１を含む領域の画像を取得するセンサである。第１画像センサ４５は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の画像を取得するセンサである。

第１画像センサ４５は、プラズマ生成領域Ｒ１と対向するようにチャンバ２の壁２１１に設けられる。

第１画像センサ４５は、図１０に示されるように、照明部４５１と、撮像部４５２とを含む。

照明部４５１及び撮像部４５２は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置における少なくともＹ軸座標成分が、撮像部４５２によって取得された画像から計測可能なように配置される。

具体的には、照明部４５１及び撮像部４５２は、プラズマ生成領域Ｒ１を挟んで互いに対向するように配置される。すなわち、照明部４５１及び撮像部４５２は、照明部４５１の照明光軸及び撮像部４５２の検出光軸が、互いに略同軸でプラズマ生成領域Ｒ１を通るように配置される。加えて、照明部４５１及び撮像部４５２は、照明部４５１の照明光軸及び撮像部４５２の検出光軸が、ＸＺ平面に略平行な平面内に含まれるように配置される。加えて、照明部４５１及び撮像部４５２は、照明部４５１の照明光軸及び撮像部４５２の検出光軸が、ＸＹ平面に略平行な平面と交差するように配置される。

なお、照明部４５１の照明光軸とは、照明部４５１からプラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力された照明光の光路軸である。

撮像部４５２の検出光軸とは、照明部４５１からプラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力された照明光のうち、撮像部４５２によって検出される照明光の光路軸である。

照明部４５１は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７を照明するように、プラズマ生成領域Ｒ１に向けて照明光を出力する。

照明部４５１は、レーザ光源又はフラッシュランプ等の輝度が高く時間幅の短いパルス光を出力する光源を用いて構成される。

照明部４５１の動作は、制御部８によって制御される。

撮像部４５２は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７を照明するように出力された照明光の画像を取得することで、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の画像を取得する。

撮像部４５２は、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）等の検出素子と、ＩＩＵ（Image Intensifier Unit）等のシャッタとを用いて構成される。

撮像部４５２は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の周囲を通過する照明光を撮像部４５２の検出素子に露光させて検出することで、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の影の画像を取得する。撮像部４５２は、取得された画像を含む信号を制御部８に送信する。

撮像部４５２の動作は、制御部８によって制御される。

第２画像センサ４７は、プラズマ生成領域Ｒ１を含む領域の画像を取得するセンサである。第２画像センサ４７は、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑの画像を取得するセンサである。第２画像センサ４７は、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑを進行するターゲット２７の画像を取得するセンサである。

第２画像センサ４７は、プラズマ生成領域Ｒ１と対向するようにチャンバ２の壁２１１に設けられる。

第２画像センサ４７は、図１０に示されるように、照明部４７１と、撮像部４７２と、撮像部４７３とを含む。

照明部４７１と撮像部４７２及び４７３とは、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置におけるＺ軸座標成分及びＸ軸座標成分が、撮像部４７２及び４７３によって取得された画像から計測可能なように配置される。

具体的には、照明部４７１と撮像部４７２及び４７３とは、照明部４７１の照明光軸と撮像部４７２及び４７３の各検出光軸とが、平行でない同じ方向からプラズマ生成領域Ｒ１を通るように配置される。加えて、照明部４７１と撮像部４７２及び４７３とは、照明部４７１の照明光軸と撮像部４７２及び４７３の各検出光軸とが、ＸＺ平面に略平行な平面内に含まれるように配置される。加えて、撮像部４７２及び４７３は、撮像部４７２及び４７３の各検出光軸が、ＹＺ平面に略平行な平面及びＸＹ平面に略平行な平面とそれぞれ交差するように配置される。好適には、撮像部４７２及び４７３は、撮像部４７２及び４７３の各検出光軸が、ＹＺ平面に略平行な平面及びＸＹ平面に略平行な平面とそれぞれ略直交するように配置される。

なお、照明部４７１の照明光軸とは、照明部４７１からプラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力された照明光の光路軸である。

撮像部４７２の検出光軸とは、照明部４７１からプラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力され、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑを進行するターゲット２７によって反射された照明光のうち、撮像部４７２によって検出される照明光の光路軸である。

撮像部４７３の検出光軸とは、照明部４７１からプラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力され、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑを進行するターゲット２７によって反射された照明光のうち、撮像部４７３によって検出される照明光の光路軸である。

また、照明部４７１からプラズマ生成領域Ｒ１に向けて出力され、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑを進行するターゲット２７によって反射された照明光を、単に、ターゲット２７からの反射光ともいう。

照明部４７１は、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑを進行するターゲット２７を照明するように、プラズマ生成領域Ｒ１付近に向けて照明光を出力する。

照明部４７１は、ＣＷレーザ等の連続光を出力する光源を用いて構成される。

照明部４７１の動作は、制御部８によって制御される。

なお、照明部４７１は、撮像部４７２及び４７３のそれぞれに対応する複数の照明部４７１から構成されてもよい。

撮像部４７２及び４７３は、ターゲット２７からの反射光の画像を互いに異なる方向から取得することで、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑの画像を取得する。

撮像部４７２及び４７３のそれぞれは、ＣＣＤ等の検出素子と、ＩＩＵ等のシャッタとを用いて構成される。

撮像部４７２及び４７３のそれぞれは、ターゲット２７からの反射光を各検出素子に露光させて検出することで、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑの画像を取得する。撮像部４７２及び４７３のそれぞれは、取得された画像を含む信号を制御部８に送信する。

撮像部４７２及び４７３のそれぞれの動作は、制御部８によって制御される。

第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。

［４．２ 動作］
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。

まず、図１１乃至図１３を用いて、第２実施形態に係る第１及び第２画像センサ４５及び４７とこれらの動作を制御する制御部８の処理について説明する。

図１１は、図１０に示された第１画像センサ４５に含まれる撮像部４５２によって取得された画像を説明するための図を示す。図１２は、図１０に示された第２画像センサ４７に含まれる撮像部４７２によって取得された画像を説明するための図を示す。図１３は、図１０に示された第２画像センサ４７に含まれる撮像部４７３によって取得された画像を説明するための図を示す。

第２実施形態に係る制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の画像が適切に取得されるよう、第１画像センサ４５に第２ゲート信号を送信する。制御部８は、第２ゲート信号の送信タイミングに同期して、照明部４５１から照明光を出力させるための制御信号を第１画像センサ４５に送信する。

第２ゲート信号は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の画像を取得する契機を第１画像センサ４５に与える信号である。第２ゲート信号は、その時間幅だけ撮像部４５２のシャッタを開いて撮像部４５２の検出素子を露光させ、画像を取得させる信号である。

具体的には、制御部８は、ターゲット検出信号に対応するターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に到達するタイミングにシャッタが開くよう、ターゲット検出信号を生成したタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで第２ゲート信号を送信する。制御部８は、ターゲット検出信号に対応するターゲット２７からプラズマ２７５が生成される前にシャッタが閉じるよう、所定の時間幅を有する第２ゲート信号を出力する。

制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑの画像が適切に取得されるよう、第２画像センサ４７に第３ゲート信号を送信する。制御部８は、予め、照明部４７１から照明光を出力させるための制御信号を第２画像センサ４７に送信し続けている。

第３ゲート信号は、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑの画像を取得する契機を第２画像センサ４７に与える信号である。第３ゲート信号は、その時間幅だけ撮像部４７２及び４７３の各シャッタを開いて撮像部４７２及び４７３の各検出素子を露光させ、画像を取得させる信号である。

具体的には、制御部８は、ターゲット検出信号に対応するターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒ１に到達するタイミングにシャッタが開くよう、ターゲット検出信号を生成したタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで第３ゲート信号を送信する。制御部８は、ターゲット検出信号に対応するターゲット２７からプラズマ２７５が生成される前にシャッタが閉じるよう、所定の時間幅を有する第３ゲート信号を出力する。

第１画像センサ４５は、第２ゲート信号を受信すると、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の画像を取得する。例えば、第１画像センサ４５は、図１１に示されるように、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置におけるＹ軸座標成分が計測可能な画像を取得する。

第１画像センサ４５の照明部４５１から出力される照明光は輝度が高く時間幅の短いパルス光である。このため、第２ゲート信号の時間幅は、照明光の時間幅に応じて短かくてよい。第２ゲート信号の時間幅が短いと、撮像部４５２の検出素子が露光される時間は短くなる。

よって、第１画像センサ４５は、図１１に示されるように、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の静止画像を取得し得る。図１１に示された静止画像によって、制御部８は、ある時刻にプラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置におけるＹ軸座標成分を計測可能である。

第１画像センサ４５は、取得された画像を含む信号を制御部８に送信する。

第２画像センサ４７は、第３ゲート信号を受信すると、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑの画像を取得する。例えば、第２画像センサ４７の撮像部４７２及び４７３は、それぞれ図１２及び図１３に示されるように、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置におけるＺ軸座標成分及びＸ軸座標成分が計測可能な画像を取得する。

第２画像センサ４７の照明部４７１から出力される照明光は、連続光である。このため、第３ゲート信号の時間幅は、第２ゲート信号よりも比較的長くてよい。また、第３ゲート信号の時間幅は、ターゲット検出信号の生成周期より短くてよい。更に、第３ゲート信号は、ターゲット検出信号の生成タイミングに同期して複数回送信されてよい。第３ゲート信号の時間幅が第２ゲート信号よりも比較的長くターゲット検出信号の生成周期より短いと、撮像部４７２及び４７３の各検出素子が露光される時間は、撮像部４５２の検出素子が露光される時間より長くターゲット検出信号の生成周期より短くなる。更に、第３ゲート信号がターゲット検出信号の生成タイミングに同期して複数回送信されると、撮像部４７２及び４７３の各検出素子が露光される周期は、ターゲット検出信号の生成周期と略同一となる。

よって、第２画像センサ４７は、図１２及び図１３に示されるように、プラズマ生成領域Ｒ１付近のターゲット軌道Ｑを進行する複数のターゲット２７についての複数の軌跡が破線状に連なった画像を取得する。図１２及び図１３に示された２つの画像によって、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置におけるＺ軸座標成分及びＸ軸座標成分を計測可能である。

第２画像センサ４７は、取得された画像を含む信号を制御部８に送信する。

制御部８は、第２画像センサ４７によって取得された画像を用いて、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置におけるＸ軸及びＺ軸座標成分を計測する。そして、制御部８は、計測されたターゲット２７のＸ軸及びＺ軸に沿った方向における位置が所望の位置となるよう、ステージ２６を駆動させる。

制御部８は、第１画像センサ４５によって取得された画像を用いて、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置におけるＹ軸座標成分を計測する。そして、制御部８は、計測されたターゲット２７のＹ軸に沿った方向における位置が所望の位置となるよう、数式１及び数式２を用いて、遅延時間Ｔｄを変更する。

制御部８は、所望の位置に移動させたターゲット２７に対してパルスレーザ光３１が適切に照射されるよう、マニピュレータ２２４を駆動させる。

続いて、図１４を用いて、第２実施形態に係る制御部８が実行するＥＵＶ光移動処理について説明する。

図１４は、第２実施形態に係る制御部８によって実行されるＥＵＶ光移動処理のフローチャートを示す。

第２実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光移動処理を実行する際、第１及び第２画像センサ４５及び４７によって取得された複数の画像を用いて計測されたターゲット２７の位置をプラズマ現在位置と推定することによって、プラズマ現在位置を特定する。

また、制御部８は、ＥＵＶ光移動処理において、特定されたプラズマ現在位置と、露光装置９からの指令に含まれる差分値ΔＰとに基づいて、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置における制御目標位置を設定する。そして、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置が、設定された制御目標位置となるよう、ステージ２６を制御する。

なお、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置における制御目標位置を、単に、ターゲット２７の位置における制御目標位置ともいう。

ステップＳ３１乃至Ｓ３３において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１１乃至１３と同様の処理を実行する。

ステップＳ３４において、制御部８は、現在のシューティング条件に関する各情報を取得する。

具体的には、制御部８は、現在のプラズマ２７５の位置（Ｘｉ、Ｙｉ、Ｚｉ）、及び、ターゲット２７の位置における現在の制御目標位置（Ｘ_ＤＬ_ｉ、Ｙ_ＤＬ_ｉ、Ｚ_ＤＬ_ｉ）を取得する。加えて、制御部８は、現在のマニピュレータ２２４の位置（Ｘ_ＦＵ_ｉ、Ｙ_ＦＵ_ｉ）、現在の遅延時間Ｔｄ、及び、ターゲットの進行速度Ｖ_ＤＬを取得する。

この際、制御部８は、上述のように、第１及び第２画像センサ４５及び４７によって取得された複数の画像を用いて計測されたターゲット２７の位置を、現在のプラズマ２７５の位置（Ｘｉ、Ｙｉ、Ｚｉ）と推定する。

ステップＳ３５において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１５と同様に、数式６を用いて、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈ以下であるか否かを判定する。

制御部８は、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈ以下であれば、ステップＳ４１に移行する。一方、制御部８は、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈより大きければ、ステップＳ３６に移行する。

ステップＳ３６において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１６と同様の処理を実行する。

ステップＳ３７において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１７と同様に、数式１０に示されるように、引数ｋがＮになるまでステップＳ３８及びＳ３９の処理を繰り返すループ２を実行する。

ステップＳ３８において、制御部８は、数式２０乃至数式２２に示されるように、ターゲット２７の位置における制御目標位置の変更量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを、ｄｐ（ｄＸ、ｄＹ、ｄＺ）を用いて決定する。

具体的には、制御部８は、数式２０に示されるように、ターゲット２７の位置における制御目標位置のＸ軸座標成分の変更量をｄＸに決定し、制御目標位置のＹ軸座標成分の変更量をｄＹに決定し、制御目標位置のＺ軸座標成分の変更量をｄＺに決定する。制御部８は、数式２１に示されるように、マニピュレータ２２４のＸ軸に沿った方向における駆動量をｄＸに決定し、マニピュレータ２２４のＹ軸に沿った方向における駆動量をｄＹに決定する。制御部８は、数式２２に示されるように、遅延時間Ｔｄの変更量ｄｔをｄＸ及びｄＹを用いて決定する。

そして、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７のＸ軸及びＺ軸に沿った方向における位置が数式２０に示された制御目標位置（Ｘ_ＤＬ_ｉ、Ｚ_ＤＬ_ｉ）となるよう、ステージ２６を駆動させる。又は、制御部８は、決定された制御目標位置（Ｘ_ＤＬ_ｉ、Ｚ_ＤＬ_ｉ）の変更量ｄＸ及びｄＺに応じてステージ２６を駆動させる。すなわち、制御部８は、ターゲット２７の位置における制御目標位置又はその変更量を決定することによって、ステージ２６を駆動させる。よって、第２実施形態に係るステージ２６の駆動量は、ターゲット２７の位置における制御目標位置の変更量によって決定される。

制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７のＹ軸に沿った方向における位置を数式２０に示された制御目標位置とすべく、パルスレーザ光３１の照射タイミングが数式２２に示された遅延時間Ｔｄで規定されるよう、遅延時間Ｔｄを変更する。

制御部８は、マニピュレータ２２４の位置が、数式２１に示された位置に移動するよう、マニピュレータ２２４を駆動させる。

なお、制御部８は、図８に示されたステップＳ１８と同様に、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングを一度に制御する。

ステップＳ３９及びＳ４０において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１９及びＳ２０と同様の処理を実行する。

ステップＳ４１において、制御部８は、数式２３乃至数式２５に示されるように、ターゲット２７の位置の制御目標位置の変更量、マニピュレータ２２４の駆動量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを、差分値ΔＰ（ΔＸ、ΔＹ、ΔＺ）を用いて決定する。

具体的には、制御部８は、数式２３に示されるように、ターゲット２７の位置における制御目標位置のＸ軸座標成分の変更量をΔＸに決定し、制御目標位置のＹ軸座標成分の変更量をΔＹに決定し、制御目標位置のＺ軸座標成分の変更量をΔＺに決定する。制御部８は、数式２４に示されるように、マニピュレータ２２４のＸ軸に沿った方向における駆動量をΔＸに決定し、マニピュレータ２２４のＹ軸に沿った方向における駆動量をΔＹに決定する。制御部８は、数式２５に示されるように、遅延時間Ｔｄの変更量ΔｔをΔＸ及びΔＹを用いて決定する。

そして、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７のＸ軸及びＺ軸に沿った方向における位置が数式２３に示された制御目標位置となるよう、決定された制御目標位置の変更量ΔＸ及びΔＺに応じてステージ２６を駆動させる。すなわち、制御部８は、ターゲット２７の位置における制御目標位置の変更量を決定することによって、ステージ２６の駆動量を決定する。

制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７のＹ軸に沿った方向における位置を数式２３に示された制御目標位置とすべく、パルスレーザ光３１の照射タイミングが数式２５に示された遅延時間Ｔｄで規定されるよう、遅延時間Ｔｄを変更する。

制御部８は、マニピュレータ２２４の位置が、数式２４に示された位置に移動するよう、マニピュレータ２２４を駆動させる。

なお、制御部８は、図８に示されたステップＳ２１と同様に、ステージ２６、マニピュレータ２２４及び照射タイミングを一度に制御する。

ステップＳ４２及びＳ４３において、制御部８は、図８に示されたステップＳ２２及びＳ２３と同様の処理を実行する。その後、制御部８は、本処理を終了する。

第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。

［４．３ 作用効果］
第２実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光移動処理を実行する際、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置を実際に計測し、計測されたターゲット２７の位置を、プラズマ現在位置と推定する。このようにして、制御部８は、ＥＵＶ光移動処理の基準となるプラズマ現在位置を特定する。

このため、制御部８は、ＥＵＶ光移動処理の初期において、ターゲット２７にパルスレーザ光３１が照射されていなくても、ＥＵＶ光移動処理を実行し得る。例えば、ＥＵＶ光生成装置１が、バースト運転等の、パルスレーザ光３１の照射と照射停止とが頻繁に繰り返される動作で運転される場合、制御部８は、パルスレーザ光３１の照射が停止中であってもＥＵＶ光移動処理を実行し得る。

それにより、制御部８は、任意のタイミングでＥＵＶ光移動処理を実行し得るため、ＥＵＶ光移動処理の実行中にパルスレーザ光３１の照射が開始されてもシューティングずれを抑制しつつ、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させ得る。

その結果、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２７７の性能を維持しつつ、任意のタイミングでＥＵＶ光２７７の生成位置を短時間で移動させ得る。

なお、バースト運転とは、所定繰り返し周波数で所定期間に亘ってＥＵＶ光２７７を生成するバースト発光期間と、所定期間に亘ってＥＵＶ光２７７の生成を休止するバースト休止期間とを、一定時間繰り返すＥＵＶ光生成装置１の運転動作である。バースト発光期間ではパルスレーザ光３１の照射が所定繰り返し周波数で行われるのに対し、バースト休止期間ではパルスレーザ光３１の照射が停止される。

［５．第３実施形態］
図１５乃至図１８を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、第２画像センサ４７の代りに第１画像センサ４５が追加された構成を備える。すなわち、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、複数の第１画像センサ４５を備える。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。

［５．１ 構成］
図１５は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。図１６は、図１５に示された複数の第１画像センサ４５の構成を説明するための図を示す。

第３実施形態に係る複数の第１画像センサ４５のそれぞれは、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７ではなくプラズマ２７５の画像を取得する。

第３実施形態に係る複数の第１画像センサ４５は、図１６に示されるように、それぞれ撮像部４５３及び撮像部４５４を含む。第３実施形態に係る複数の第１画像センサ４５は、第２実施形態に係る第１画像センサ４５の照明部４５１を含まない。

撮像部４５３及び４５４は、プラズマ２７５の画像を互いに異なる方向から取得する。

撮像部４５３及び４５４のそれぞれは、第２実施形態に係る第１画像センサ４５に含まれる撮像部４５２と同様の構成を備える。すなわち、撮像部４５３及び４５４のそれぞれは、ＣＣＤ等の検出素子と、ＩＩＵ等のシャッタとを用いて構成される。

撮像部４５３及び４５４は、撮像部４５３及び４５４の各検出光軸が、平行でない同じ方向からプラズマ生成領域Ｒ１を通るように配置される。加えて、撮像部４５３及び４５４は、撮像部４５３及び４５４の各検出光軸が、ＸＺ平面に略平行な平面内に含まれるように配置される。加えて、撮像部４５３及び４５４は、撮像部４５３及び４５４の各検出光軸が、ＹＺ平面に略平行な平面及びＸＹ平面に略平行な平面とそれぞれ交差するように配置される。好適には、撮像部４５３及び４５４は、撮像部４５３及び４５４の各検出光軸が、ＹＺ平面に略平行な平面及びＸＹ平面に略平行な平面とそれぞれ略直交するように配置される。

撮像部４５３の検出光軸とは、プラズマ２７５から放射された放射光２７６のうち、撮像部４５３によって検出される放射光２７６の光路軸である。

撮像部４５４の検出光軸とは、プラズマ２７５から放射された放射光２７６のうち、撮像部４５４によって検出される放射光２７６の光路軸である。

撮像部４５３及び４５４のそれぞれは、プラズマ２７５から放射された放射光２７６を各検出素子に露光させて検出することで、プラズマ２７５の画像を取得する。撮像部４５３及び４５４のそれぞれは、取得された画像を含む信号を制御部８に送信する。

撮像部４５３及び４５４のそれぞれの動作は、制御部８によって制御される。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。

［５．２ 動作］
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。

まず、図１７及び図１８を用いて、第３実施形態に係る複数の第１画像センサ４５とこれらの動作を制御する制御部８の処理について説明する。

図１７は、図１６に示された第１画像センサ４５に含まれる撮像部４５３によって取得された画像を説明するための図を示す。図１８は、図１６に示された第１画像センサ４５に含まれる撮像部４５４によって取得された画像を説明するための図を示す。

第３実施形態に係る制御部８は、プラズマ２７５の画像が適切に取得されるよう、複数の第１画像センサ４５のそれぞれに一度に第４ゲート信号を送信する。

第４ゲート信号は、プラズマ２７５の画像を取得する契機を複数の第１画像センサ４５のそれぞれに与える信号である。第４ゲート信号は、その時間幅だけ撮像部４５３及び４５４の各シャッタを開いて撮像部４５３及び４５４の各検出素子を露光させ、画像を取得させる信号である。

具体的には、制御部８は、ターゲット検出信号に対応するターゲット２７からプラズマ２７５が生成されたタイミングにシャッタが開くよう、ターゲット検出信号を生成したタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで第４ゲート信号を送信する。制御部８は、ターゲット検出信号に対応するターゲット２７から生成されたプラズマ２７５が発光している時間帯にシャッタが開いているよう、所定の時間幅を有する第４ゲート信号を出力する。

第３実施形態に係る複数の第１画像センサ４５のそれぞれは、第４ゲート信号を受信すると、プラズマ２７５の画像を取得する。例えば、第１画像センサ４５に含まれる撮像部４５３は、図１７に示されるように、プラズマ２７５の位置におけるＹ軸及びＺ軸座標成分が計測可能な画像を取得する。第１画像センサ４５に含まれる撮像部４５４は、図１８に示されるように、プラズマ２７５の位置におけるＸ軸及びＹ軸座標成分が計測可能な画像を取得する。

プラズマ２７５から放射される放射光２７６は、輝度が高く時間幅の短いパルス光である。このため、第４ゲート信号の時間幅は、放射光２７６の時間幅に応じて短かくてよい。第４ゲート信号の時間幅が短いと、撮像部４５３及び４５４の各検出素子が露光される時間は短くなる。

よって、複数の第１画像センサ４５に含まれる撮像部４５３及び４５４は、図１７及び図１８に示されるように、プラズマ２７５の静止画像を取得し得る。図１７及び図１８に示された静止画像によって、制御部８は、ある時刻に生成されたプラズマ２７５の位置における各座標成分を計測可能である。

複数の第１画像センサ４５のそれぞれは、取得された画像を含む信号を制御部８に送信する。

制御部８は、複数の第１画像センサ４５によって取得された複数の画像を用いて、プラズマ２７５の位置における各座標成分を計測する。そして、制御部８は、計測されたプラズマ２７５の位置が所望の位置となるよう、ステージ２６及びマニピュレータ２２４を駆動させると共に遅延時間Ｔｄを変更する。

続いて、第３実施形態に係る制御部８が実行するＥＵＶ光移動処理について説明する。

第３実施形態に係る制御部８が実行するＥＵＶ光移動処理は、図１４に示された第２実施形態に係る制御部８が実行するＥＵＶ光移動処理と同様である。

すなわち、第３実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光移動処理を実行する際、複数の第１画像センサ４５によって取得された複数の画像を用いて、プラズマ現在位置を特定する。また、制御部８は、ＥＵＶ光移動処理において、特定されたプラズマ現在位置と、露光装置９からの指令に含まれる差分値ΔＰとに基づいて、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置における制御目標位置を設定する。そして、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置が、設定された制御目標位置となるよう、ステージ２６を制御する。

但し、第３実施形態に係る制御部８は、図１４のステップＳ３４において、複数の第１画像センサ４５によって取得された複数の画像を用いて計測されたプラズマ２７５の位置からプラズマ現在位置を直接的に特定する。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。

［５．３ 作用効果］
第３実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光移動処理を実行する際、プラズマ２７５の位置を直接計測することによって、ＥＵＶ光移動処理の基準となるプラズマ現在位置を特定する。

それにより、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、シューティングずれを抑制しつつ、ＥＵＶ光２７７の生成位置を更に高い精度で移動させ得る。

［６．第４実施形態］
図１９を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１について説明する。

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１、第２又は第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備える。

但し、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１、第２又は第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１に対して、ＥＵＶ光移動処理に関する制御部８の動作が異なる。

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成及び動作において、第１、第２又は第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成及び動作については説明を省略する。

図１９は、第４実施形態に係る制御部８によって実行されるＥＵＶ光移動処理のフローチャートを示す。

第４実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光移動処理においてマニピュレータ２２４を制御する場合、マニピュレータ２２４の制御をＥＵＶ光重心制御の一環として実行する。すなわち、制御部８は、ＥＵＶ光移動処理においてマニピュレータ２２４を制御する場合、ＥＵＶ光重心制御を実行することによって、マニピュレータを制御する。

ステップＳ５１及びＳ５２において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１１及びＳ１２と同様の処理を実行する。

ステップＳ５３において、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御が実行中であるか否かを判定する。

制御部８は、ＥＵＶ光重心制御が実行中であれば、ステップＳ５５に移行する。一方、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御が実行中でなければ、ステップＳ５４に移行する。

ステップＳ５４において、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行する。

制御部８は、ＥＵＶ光重心制御を実行する際、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置（ＥＵＶ−Ｃｅｎｔ_Ｘｉ、ＥＵＶ−Ｃｅｎｔ_Ｙｉ）を記憶する。

ステップＳ５５において、制御部８は、現在のシューティング条件に関する各情報を取得する。

具体的には、制御部８は、現在のプラズマ２７５の位置（Ｘｉ、Ｙｉ、Ｚｉ）、ターゲット２７の位置における現在の制御目標位置（Ｘ_ＤＬ_ｉ、Ｙ_ＤＬ_ｉ、Ｚ_ＤＬ_ｉ）、現在の遅延時間Ｔｄ、及び、ターゲットの進行速度Ｖ_ＤＬを取得する。

この際、制御部８は、マニピュレータ２２４の制御をＥＵＶ光重心制御の一環として実行するため、現在のマニピュレータ２２４の位置（Ｘ_ＦＵ_ｉ、Ｙ_ＦＵ_ｉ）を取得する必要がない。

また、制御部８は、第１実施形態と同様に、ＥＵＶ光移動処理の開始時点で制御部８が保持しているプラズマ２７５の位置を、現在のプラズマ２７５の位置（Ｘｉ、Ｙｉ、Ｚｉ）とする。又は、制御部８は、第２実施形態と同様に、第１及び第２画像センサ４５及び４７によって取得された複数の画像を用いて計測されたターゲット２７の位置を、現在のプラズマ２７５の位置（Ｘｉ、Ｙｉ、Ｚｉ）と推定する。或いは、制御部８は、第３実施形態と同様に、複数の第１画像センサ４５によって取得された複数の画像を用いて計測されたプラズマ２７５の位置を、現在のプラズマ２７５の位置（Ｘｉ、Ｙｉ、Ｚｉ）とする。

ステップＳ５６において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１５と同様に、数式６を用いて、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈ以下であるか否かを判定する。

制御部８は、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈ以下であれば、ステップＳ６２に移行する。一方、制御部８は、プラズマ２７５の移動距離ΔＬが許容値Ｌｔｈより大きければ、ステップＳ５７に移行する。

ステップＳ５７において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１６と同様の処理を実行する。

ステップＳ５８において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１７と同様に、数式１０に示されるように、引数ｋがＮになるまでステップＳ５９及びＳ６０の処理を繰り返すループ３を実行する。

ステップＳ５９において、制御部８は、数式２６及び数式２７に示されるように、ターゲット２７の位置における制御目標位置の変更量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを、ｄｐ（ｄＸ、ｄＹ、ｄＺ）を用いて決定する。

具体的には、制御部８は、数式２６に示されるように、ターゲット２７の位置における制御目標位置のＸ軸座標成分の変更量をｄＸに決定し、制御目標位置のＹ軸座標成分の変更量をｄＹに決定し、制御目標位置のＺ軸座標成分の変更量をｄＺに決定する。制御部８は、数式２７に示されるように、遅延時間Ｔｄの変更量ｄｔをｄＸ及びｄＹを用いて決定する。

そして、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７のＸ軸及びＺ軸に沿った方向における位置が数式２６の制御目標位置となるよう、決定された制御目標位置又は制御目標位置の変更量ｄＸ及びｄＺに応じてステージ２６を駆動させる。

制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７のＹ軸に沿った方向における位置を数式２６に示された制御目標位置とすべく、パルスレーザ光３１の照射タイミングが数式２７に示された遅延時間Ｔｄで規定されるよう、遅延時間Ｔｄを変更する。

なお、制御部８は、図８に示されたステップＳ１８と同様に、ステージ２６及び照射タイミングを一度に制御する。

また、制御部８は、上述のように、マニピュレータ２２４の制御をＥＵＶ光重心制御の一環として実行する。このため、ステップＳ５９において、制御部８は、マニピュレータ２２４の駆動量を決定してマニピュレータ２２４を駆動させる必要がない。

プラズマ２７５の位置を許容値Ｌｔｈずつ移動するためにターゲット２７の位置における制御目標位置及び遅延時間Ｔｄが変更されると、ＥＵＶ光２７７の重心位置が変化する。この際、制御部８は、ＥＵＶ光重心制御の実行中であるため、ＥＵＶ光２７７の重心位置の変化を自動的に検出し、ＥＵＶ光２７７の重心位置と目標重心位置との偏差が無くなるようマニピュレータ２２４を自動的に駆動させる。

一方、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれとプラズマ２７５の位置との各距離が取り得る範囲は、２００ｍｍ以上５００ｍｍ以下である。これに対し、プラズマ２７５の移動距離ΔＬは、１．５ｍｍ以下であり、許容値Ｌｔｈは、３０μｍ以下である。すなわち、プラズマ２７５の移動距離ΔＬ及び許容値Ｌｔｈは、複数のＥＵＶ光センサ４３ａ乃至４３ｃのそれぞれとプラズマ２７５の位置との各距離よりも格段に小さい。このため、プラズマ２７５の位置の移動に伴って制御部８によって検出されるＥＵＶ光２７７の重心位置の変化は、極めて小さい。

よって、ステップＳ５９において、制御部８は、マニピュレータ２２４の制御をＥＵＶ光重心制御の一環として実行する場合、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置を変更する必要がない。

ステップＳ６０及びＳ６１において、制御部８は、図８に示されたステップＳ１９及びＳ２０と同様の処理を実行する。

ステップＳ６２において、制御部８は、数式２８及び数式２９に示されるように、ターゲット２７の位置の制御目標位置の変更量及び遅延時間Ｔｄの変更量の少なくとも１つを、差分値ΔＰ（ΔＸ、ΔＹ、ΔＺ）を用いて決定する。

具体的には、制御部８は、数式２８に示されるように、ターゲット２７の位置における制御目標位置のＸ軸座標成分の変更量をΔＸに決定し、制御目標位置のＹ軸座標成分の変更量をΔＹに決定し、制御目標位置のＺ軸座標成分の変更量をΔＺに決定する。制御部８は、数式２９に示されるように、遅延時間Ｔｄの変更量ΔｔをΔＸ及びΔＹを用いて決定する。

そして、制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７のＸ軸及びＺ軸に沿った方向における位置が数式２８に示された制御目標位置となるよう、決定された制御目標位置の変更量ΔＸ及びΔＺに応じてステージ２６を駆動させる。

制御部８は、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７のＹ軸に沿った方向における位置を数式２８に示された制御目標位置とすべく、パルスレーザ光３１の照射タイミングが数式２９に示された遅延時間Ｔｄで規定されるよう、遅延時間Ｔｄを変更する。

なお、制御部８は、図８に示されたステップＳ２１と同様に、ステージ２６及び照射タイミングを一度に制御する。

また、ステップＳ６２において、制御部８は、ステップＳ５９と同様に、マニピュレータ２２４の駆動量を決定してマニピュレータ２２４を駆動させる必要がない。加えて、制御部８は、ステップＳ５９と同様に、ＥＵＶ光２７７の目標重心位置を変更する必要がない。

ステップＳ６３において、制御部８は、図８に示されたステップＳ２３と同様の処理を実行する。その後、制御部８は、本処理を終了する。

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、第１、第２又は第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１と同様である。

第４実施形態に係る制御部８は、ＥＵＶ光移動処理と並列にＥＵＶ光重心制御を実行するため、プラズマ生成領域Ｒ１に供給されたターゲット２７の位置とパルスレーザ光３１の集光位置との相対的な位置関係を、ＥＵＶ光移動処理の後に微調整しなくてよい。

それにより、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、シューティングずれを迅速に抑制しつつ、ＥＵＶ光２７７の生成位置を移動させ得る。

［７．第５実施形態］
図８に示す第１実施形態から図１４に示す第３実施形態では、ＥＵＶ発光位置制御において、一旦ＥＵＶ光重心制御をオフにした後でプラズマ位置の移動を行う。一方、図１９に示す第４実施形態では、ＥＵＶ発光位置制御において、ＥＵＶ光重心制御を継続した状態でプラズマ位置の移動を行う。

上記ＥＵＶ発光位置制御は、プリパルスレーザを用いたＥＵＶ光生成装置に適用してもよい。その場合、プリパルスレーザの光路上にミラー駆動部を備えたミラーホルダを配置し、プリパルスレーザ用のミラーを移動させてＥＵＶ光重心制御を行ってもよい。さらに、レーザ光集光光学系２２を駆動する集光ミラー駆動部を設けて、レーザ光集光光学系２２を移動させる補助制御を行ってもよい。

ミラー駆動部は、ターゲット２７に照射されるプリパルスレーザの集光位置を、例えば、ＸＹ平面上において、プラズマ２７５が生成される領域において移動させることができるよう構成されてもよい。

ここで、プリパルスレーザ光は、ターゲット２７を拡散させるためのものであるため、ＥＵＶ光を生成させるためのメインパルスレーザ光と比較して出力を低くすることができる。すなわち、プリパルスレーザ光用のミラーについては、冷却機構が不要な程度に出力を調整することができるため、ミラー駆動部は、集光ミラー駆動部よりも応答速度を速くすることができる。ミラー駆動部及び集光ミラー駆動部としては、アクチュエータを用いることができる。以下の説明では、ミラー駆動部を高速アクチュエータともいう。したがって、プリパルスレーザ用のミラーのみを駆動することにより比較的高速なＥＵＶ光重心制御を行い、レーザ光集光光学系２２を駆動することにより、補助制御を行うようにしてもよい。以下の説明では、比較的高速なＥＵＶ光重心制御を高速重心制御といい、高速重心制御を維持するための補助制御を重心補助制御という。本実施形態では、高速重心制御を複数回（Ｎ回）実行するごとに、重心補助制御を実行するようにしてもよい。

ＥＵＶ光生成システム１１がプリパルスレーザ装置を複数備える場合には、最初にターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光についてのみ高速重心制御を行ってもよい。これは、最初にターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光が、ＥＵＶ光の重心の位置の変化に大きく影響するからである。なお、最初にターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光以外のプリパルスレーザ光についても、その光路上にミラー駆動部を設けることにより高速重心制御を行うようにしてもよい。

［７．１ 構成］
次に、プリパルスレーザ装置を２つ備えたＥＵＶ光生成装置の例について、図２０及び図２１を参照して説明する。なお、以下の説明では、上記の各実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、以下の説明では、上記の各実施形態と同様の一部構成について図示および説明を省略する。

図２０は、本発明の第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す図である。以下の説明では、ターゲットの滴下方向をＹ軸方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。

図２０に示すように、ＥＵＶ光生成システム１１のレーザ装置３は、メインパルスレーザ光３２を出力するメインパルスレーザ装置３０、第１プリパルスレーザ装置４００及び第２プリパルスレーザ装置４１０を備えてもよい。

第１プリパルスレーザ装置４００は、一例で波長１．０６μｍかつパルス幅１ｎｓ未満のプリパルスレーザ光Ｌ１を照射するレーザ光源である。

第２プリパルスレーザ装置４１０は、一例で第１プリパルスレーザ装置４００と同波長かつパルス幅１ｎｓ以上のプリパルスレーザ光Ｌ２を照射するレーザ光源である。

第１プリパルスレーザ装置４００から照射されたプリパルスレーザ光Ｌ１は、高反射ミラー４０２及び４０４によって順次反射されてプリパルスビームコンバイナ４１８を透過してもよい。プリパルスビームコンバイナ４１８を透過したプリパルスレーザ光Ｌ１は、ビームコンバイナ４２２及び高反射ミラー４２４により順次反射されてもよい。そして、プリパルスレーザ光Ｌ１は、レーザ光集光光学系２２に入射するようにしてもよい。レーザ光集光光学系２２に入射したプリパルスレーザ光Ｌ１は、軸外放物面（Off-Axis Parabolic）ミラー２２２及び高反射ミラー２２３によって順次反射されてターゲット２７に照射されてもよい。これにより、小さな液滴が空間に分散した状態の２次ターゲットが生成される。

高反射ミラー４０４は、ミラーホルダ４０６に取り付けられていてもよい、ミラーホルダ４０６は、高反射ミラー４０４を移動させたり、高反射ミラー４０４の角度を調整するためのミラー駆動部を備えていてもよい。ミラー駆動部としては、アクチュエータを用いてもよい。

第２プリパルスレーザ装置４１０から照射されたプリパルスレーザ光Ｌ２は、高反射ミラー４１２、４１４及び４１６とプリパルスビームコンバイナ４１８によって順次反射されてもよい。このプリパルスレーザ光Ｌ２は、ビームコンバイナ４２２及び高反射ミラー４２４により順次反射されてレーザ光集光光学系２２に入射するようにしてもよい。レーザ光集光光学系２２に入射したプリパルスレーザ光Ｌ２は、軸外放物面ミラー２２２及び高反射ミラー２２３によって順次反射されて２次ターゲットに照射されてもよい。これにより、２次ターゲットと比較して微粒子がより均一に空間に分散した３次ターゲットが生成される。

メインパルスレーザ装置３０は、プリパルスレーザ光Ｌ２によって生成された３次ターゲットにメインパルスレーザ光３２を照射する。これにより、ＥＵＶ光が生成される。

プリパルスビームコンバイナ４１８は、プリパルスビームコンバイナ４１８を透過したプリパルスレーザ光Ｌ１の光路と、プリパルスビームコンバイナ４１８によって反射されたプリパルスレーザ光Ｌ２との光路が略一致するように配置されてもよい。

プリパルスビームコンバイナ４１８は、レーザ光を透過する部材で構成されていてもよい。プリパルスビームコンバイナ４１８のプリパルスレーザ光Ｌ１が入射する面及びプリパルスレーザ光Ｌ１が出射する面には、プリパルスレーザ光Ｌ１を高透過する性質を有する膜がコーティングされていてもよい。プリパルスビームコンバイナ４６１のプリパルスレーザ光Ｌ２が入射する面には、プリパルスレーザ光Ｌ２を高反射する膜がコーティングされていてもよい。ここで、高透過とは、比較的高い透過率で透過することをいい、高反射とは、比較的高い反射率で反射することをいう。

プリパルスビームコンバイナ４１８のプリパルスレーザ光Ｌ１が出射し、プリパルスレーザ光Ｌ２が反射される表面４１８Ａにおいて、プリパルスレーザ光Ｌ１及びＬ２の偏光方向が互いに直交又は非平行となるように構成されてもよい。その場合、プリパルスビームコンバイナ４１８は、偏光ビームスプリッタを含む構成としてもよい。

ビームコンバイナ４２２は、プリパルスビームコンバイナ４１８によって光路が略一致したプリパルスレーザ光Ｌ１及びプリパルスレーザ光Ｌ２の光路と、メインパルスレーザ光３２の光路とが略一致するように配置されてもよい。ビームコンバイナ４２２はプリパルスレーザ光Ｌ１及びＬ２の波長を高反射し、メインパルスレーザ光３２の波長を高透過するダイクロイックミラーであってもよい。

上記のように、プリパルスレーザ光Ｌ１は、ドロップレット状のターゲット２７に照射され、プリパルスレーザ光Ｌ２は、ターゲット２７が拡散された２次ターゲットに照射される。このとき、ドロップレット状のターゲット２７の径は、２次ターゲットの拡散領域の大きさよりも小さい。よって、プリパルスレーザ光Ｌ１がターゲット２７に照射されるときのビーム径は、プリパルスレーザ光Ｌ２が２次ターゲットに照射されるときのビーム径よりも小さくてもよい。

また、メインパルスレーザ光３２は、微粒子があまり拡散しないタイミングで３次ターゲットに照射されるようにしてもよい。この場合、プリパルスレーザ光Ｌ２が２次ターゲットに照射されるときのビーム径は、メインパルスレーザ光３２が３次ターゲットに照射されるときのビーム径と略等しいか、又は大きくてもよい。

制御部８は、ＥＵＶ光センサ４３の出力に基づき検出されたＥＵＶ光の重心の位置の値が所定範囲になるようにミラーホルダ４０６のアクチュエータを制御してもよい。制御部８は、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの振り角の平均と、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの振り角の目標値との偏差を解消するように、集光ミラー駆動部を調整してもよい。以下、集光ミラー駆動部を、ＦＵ（Focus Unit）アクチュエータ２５０という。なお、ＦＵアクチュエータ２５０は、上記の各実施形態におけるマニピュレータ２２４に相当する。従って、集光ミラー駆動部はマニピュレータ２２４の一態様である。

高反射ミラー４０４は、冷却が不要な程度の比較的出力が低いプリパルスレーザ光Ｌ１の反射に用いられるため、荷重が小さく共振周波数が高くてもよい。共振周波数は、例えば、１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下としてもよい。また、ターゲット供給器２５からチャンバ２に供給されたドロップレット状のターゲット２７の径は、一例で１μｍ〜数十μｍである。よって、高反射ミラー４０４の駆動に用いられるアクチュエータは、プラズマ２７５が生成される領域でプリパルスレーザ光Ｌ１の照射位置を、ＸＹ平面上において、ドロップレットの径に相当する距離、例えば、数十μｍ移動させることができればよい。このため、高反射ミラー４０４の駆動に用いられるアクチュエータの応答速度は、一例で０．５ｍｓ以上１０ｍｓ以下でもよく、１ｍｓ以上３ｍｓ以下でもよい。

一方、レーザ集光光学系２２は数十ｋＷに達する高出力ＣＯ_２レーザを受光するためミラー冷却構造の重量が大きくなる。また、プリパルスレーザ光Ｌ１によって拡散された２次ターゲット及びプリパルスレーザ光Ｌ２によって拡散された３次ターゲットの径は数百μｍである。よって、ＦＵアクチュエータ２５０は、レーザ光照射位置を、ＸＹ平面上において、数百μｍ〜数ｍｍ移動させることができればよい。このため、ＦＵアクチュエータ２５０の応答速度は約１００ｍｓ程度となる。

制御部８は、ミラーホルダ４０６のアクチュエータとＦＵアクチュエータ２５０の応答速度の関係に応じて、高速重心制御及び重心補助制御の実行頻度を変えてもよい。

［７．２ 動作］
図２１は、第５実施形態に係る制御部によって実行されるＥＵＶ光移動処理におけるＥＵＶ光重心制御の流れを示すブロック図である。

図２１に示すように第５実施形態に係るＥＵＶ光重心制御は、ループＡとループＢとを含むブロック図で表現され、いずれも制御部８が実行する。

制御部８は、ループＢよりも高い頻度でループＡを実行する。ループＡ及びループＢの実行頻度は、例えば、ＦＵアクチュエータ２５０及びミラーホルダ４０６のアクチュエータの応答速度、又はこの応答速度の比に基づいて決定してもよい。制御部８は、高速重心制御を複数回（Ｎ回）実行するごとに重心補助制御を１回実行するようにしてもよい。ここで、Ｎ＝１０〜２００としてもよいし、Ｎ＝１００としてもよい。

以下に、ループＡ及びＢの詳細について説明する。

ループＡでは、制御部８は、高反射ミラー４０４を駆動することによりＥＵＶ光の重心位置を制御する。ループＡは、高速重心制御の動作を含む。

図２１のＡ−（ｉ）において、制御部８は、ＥＵＶ光センサ４３によるＥＵＶ光の重心位置の計測値と、ＥＵＶ光の重心位置の目標値の偏差に基づいて、ドロップレット状のターゲット２７とレーザ光の相対位置関係を演算してもよい。そして、制御部８は、ＥＵＶ光の重心位置が所定の値となる方向となるミラーホルダ４０６のアクチュエータの振り角を演算してもよい。ここで、ＥＵＶ光の重心位置の目標値は、メインパルスレーザ光３２の照射される範囲内に３次ターゲットが拡散した領域が含まれるか、略一致するように設定されてもよい。

図２１のＡ−（ｉｉ）において、制御部８は、ミラーホルダ４０６のアクチュエータを制御して、高反射ミラー４０４の振り角が、制御部８が演算した振り角となる方向に移動させてもよい。

図２１のＡ−（ｉｉｉ）において、制御部８は、ターゲット２７に対するプリパルスレーザ光Ｌ１及びＬ２並びにメインパルスレーザ光３２の照射、すなわち、シューティングを行ってもよい。

制御部８は、ターゲット検出センサ４１によるターゲット２７の検出信号に対して所定時間ｔ_ｄ遅延させたゲート信号をＥＵＶ光センサ４３に出力してもよい。ＥＵＶ光センサ４３は、制御部８より受信したゲート信号に従って、所望のＥＵＶパルス光を検出してもよい。ここで、所定時間ｔ_ｄは、例えば、ターゲット２７の検出からＥＵＶ光の生成に要する時間に基づいて実験的に求めてもよい。制御部８は、［数３］及び［数４］のＥＵＶ光の重心位置の計算式に従って、ＥＵＶ光の重心位置の計算をしてもよい。これにより、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの振り角を変更したことによるドロップレットとレーザ光の相対位置関係の変化した結果を、ＥＵＶ光の重心位置として検出してもよい。

ループＢでは、制御部８は、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの制御範囲を維持するように、ＦＵアクチュエータ２５０の位置制御を行ってもよい。ループＢは、重心補助制御の動作を含む。

図２１のＢ−（ｉ）において、制御部８は、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの振り角の目標値と、現在値を検出してもよい。制御部８は、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの振り角の目標値と現在値との偏差を解消するようにＦＵアクチュエータ２５０の移動量を演算してもよい。ここで、現在値としては、例えば、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの制御量のＮ回分の平均値を用いてもよい。

図２１のＢ−（ｉｉ）において、制御部８は、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの振り角の目標値と現在値との偏差を解消するようにＦＵアクチュエータ２５０を駆動してもよい。ＦＵアクチュエータ２５０の移動速度は、ミラーホルダ４０６のアクチュエータと比較して遅い。このため、ＦＵアクチュエータ２５０の移動中にもループＡが複数回実行されるようにしてもよい。すなわち、ＦＵアクチュエータ２５０の駆動によって発生するＥＵＶ光の重心位置の偏差は複数回のループＡの実行によって解消されるようにしてもよい。

［７．３ 作用効果］
本実施形態によれば、ミラーホルダ４０６のアクチュエータの制御範囲を維持しながら広範で高速なＥＵＶ光重心制御が可能となる。これにより、ＥＵＶ光重心制御を伴うＥＵＶ発光位置制御においては、ＥＵＶ発光位置の移動速度を向上させることができる。

［８．その他］
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
１１ …ＥＵＶ光生成システム
２ …チャンバ
２１１ …壁
２１２ …ターゲット供給路
２１５ …ウインドウ
２１６ …ウインドウ
２１７ …ウインドウ
２２ …レーザ光集光光学系
２２１ …レーザ光集光ミラー
２２２ …軸外放物面ミラー
２２３ …平面ミラー
２２４ …マニピュレータ
２３ …ＥＵＶ光集光光学系
２３１ …ＥＵＶ光集光ミラー
２３２ …貫通孔
２４ …接続部
２４１ …壁
２４２ …アパーチャ
２５ …ターゲット供給器
２５１ …タンク
２５２ …ノズル
２５３ …ヒータ
２５４ …圧力調節器
２５５ …ピエゾ素子
２６ …ステージ
２７ …ターゲット
２７５ …プラズマ
２７６ …放射光
２７７ …ＥＵＶ光
２８ …ターゲット回収器
３ …レーザ装置
３１ …パルスレーザ光
３３ …レーザ光伝送光学系
３３１ …高反射ミラー
３３２ …高反射ミラー
４１ …ターゲット検出センサ
４１０ …照明部
４１１ …光源
４１２ …照明光学系
４２０ …検出部
４２１ …光センサ
４２２ …受光光学系
４３ …ＥＵＶ光センサ
４３ａ …ＥＵＶ光センサ
４３ｂ …ＥＵＶ光センサ
４３ｃ …ＥＵＶ光センサ
４５ …第１画像センサ
４５１ …照明部
４５２ …撮像部
４５３ …撮像部
４５４ …撮像部
４７ …第２画像センサ
４７１ …照明部
４７２ …撮像部
４７３ …撮像部
８ …制御部
９ …露光装置
ＩＦ …中間集光点
Ｑ …ターゲット軌道
Ｒ１ …プラズマ生成領域
Ｒ２ …ターゲット検出領域

Claims (14)

1. 外部装置からの指令に基づいて極端紫外光の生成位置を移動させる極端紫外光生成装置であって、
   内部に供給されたターゲットに対してレーザ光が照射されることで前記ターゲットから前記極端紫外光が生成されるチャンバと、
   前記ターゲットを出力し前記チャンバ内に供給するターゲット供給器と、
   前記チャンバ内に供給された前記ターゲットに前記レーザ光を集光する集光ミラーと、
   前記ターゲット供給器の位置を調整するステージと、
   前記集光ミラーの位置を調整するマニピュレータと、
   前記極端紫外光の生成中に前記生成位置を移動させる際、前記ステージ、前記マニピュレータ、及び、前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射タイミングのうちの少なくとも１つをフィードフォワード方式で制御可能に構成された制御部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 前記極端紫外光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のＥＵＶ光センサを更に備え、
   前記制御部は、
   前記極端紫外光の生成中において、前記複数のＥＵＶ光センサの計測結果に基づいて算出された前記極端紫外光の重心位置が所定位置となるよう前記マニピュレータをフィードバック方式で制御するＥＵＶ光重心制御
   が実行可能に構成されている
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記制御部は、前記極端紫外光の生成中に前記生成位置を移動させる際、前記ＥＵＶ光重心制御の実行を停止し、前記ステージ、前記マニピュレータ及び前記照射タイミングのうちの少なくとも１つを制御した後に、前記ＥＵＶ光重心制御の実行を再開する
   請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記制御部は、前記極端紫外光の生成中に前記生成位置を移動させる際に前記マニピュレータを制御する場合、前記ＥＵＶ光重心制御を実行することによって前記マニピュレータを制御する
   請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
5. 前記ターゲット供給器から出力されてから前記レーザ光が照射される前の間に前記ターゲットが通過する前記チャンバ内の所定領域において前記ターゲットを検出するターゲット検出センサを更に備え、
   前記制御部は、
   前記ターゲット検出センサの検出結果に基づいて、前記ターゲットが前記所定領域を通過したタイミングである通過タイミングを特定し、
   前記所定領域を通過した前記ターゲットに対して前記レーザ光が照射されるよう、前記通過タイミングに遅延時間を付加したタイミングでレーザ装置から前記レーザ光を出力させ、
   前記遅延時間を変更することによって前記照射タイミングを制御する
   請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
6. 前記制御部は、前記極端紫外光の生成中に前記生成位置を移動させる際、
   前記指令に応じた前記生成位置の移動距離に基づいて、前記ステージの駆動量、前記マニピュレータの駆動量及び前記遅延時間の変更量のうちの少なくとも１つを決定し、
   決定された前記ステージの前記駆動量、前記マニピュレータの前記駆動量及び前記遅延時間の前記変更量のうちの少なくとも１つに応じて、前記ステージ、前記マニピュレータ及び前記照射タイミングのうちの少なくとも１つを制御する
   請求項５に記載の極端紫外光生成装置。
7. 前記極端紫外光は、前記レーザ光が前記ターゲットに照射されることで前記ターゲットから生成されたプラズマが、前記極端紫外光を含む光を放射することによって生成され、
   前記指令には、現在の前記プラズマの位置であるプラズマ現在位置と、前記指令に応じて移動された後の前記プラズマの前記位置であるプラズマ目標位置との差分値が含まれており、
   前記制御部は、
   前記プラズマの前記位置を前記生成位置と推定し、
   前記差分値から前記移動距離を特定する
   請求項６に記載の極端紫外光生成装置。
8. 前記制御部は、
   特定された前記移動距離が許容値以下であれば、前記ステージの前記駆動量、前記マニピュレータの前記駆動量及び前記遅延時間の前記変更量のうちの少なくとも１つを前記差分値を用いて決定し、
   特定された前記移動距離が許容値より大きければ、前記ステージの前記駆動量、前記マニピュレータの前記駆動量及び前記遅延時間の前記変更量のうちの少なくとも１つを前記許容値を用いて決定する
   請求項７に記載の極端紫外光生成装置。
9. 前記制御部は、
   特定された前記移動距離が前記許容値以下であれば、前記ステージ、前記マニピュレータ及び前記照射タイミングのうちの少なくとも１つを１回制御し、
   特定された前記移動距離が前記許容値より大きければ、前記ステージ、前記マニピュレータ及び前記照射タイミングのうちの少なくとも１つを複数回制御する
   請求項８に記載の極端紫外光生成装置。
10. 前記チャンバ内に供給された前記ターゲットの位置を含む領域の画像を取得する画像センサを更に備え、
    前記制御部は、
    前記画像センサによって取得された画像を用いて、前記プラズマ現在位置を特定し、
    特定された前記プラズマ現在位置と前記差分値とに基づいて、前記チャンバ内に供給された前記ターゲットの前記位置における制御目標位置を設定する
    請求項９に記載の極端紫外光生成装置。
11. 前記制御部は、特定された前記移動距離に基づいて前記制御目標位置の変更量を決定することによって、前記ステージの前記駆動量を決定する
    請求項１０に記載の極端紫外光生成装置。
12. 前記画像センサは、
    前記チャンバ内に供給された前記ターゲットの画像を取得する第１画像センサと、
    前記チャンバ内に供給された前記ターゲットの軌道の画像を取得する第２画像センサと、
    を含み、
    前記制御部は、
    前記第１及び第２画像センサによって取得された複数の前記画像を用いて、前記チャンバ内に供給された前記ターゲットの前記位置を計測し、
    計測された前記ターゲットの前記位置を前記プラズマ現在位置と推定することによって、前記プラズマ現在位置を特定する
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
13. 前記画像センサは、前記チャンバ内に供給された前記ターゲットから生成された前記プラズマの画像を互いに異なる方向から取得する複数の第１画像センサを含み、
    前記制御部は、
    前記複数の第１画像センサによって取得された複数の前記画像を用いて、前記プラズマの前記位置を計測し、
    計測された前記プラズマの前記位置から前記プラズマ現在位置を特定する
    請求項１１に記載の極端紫外光生成装置。
14. 前記チャンバ内に供給された前記ターゲットに照射され、前記ターゲットを拡散するプリパルスレーザ光の光路上に設けられ、前記プリパルスレーザ光を反射するミラーと、
    前記ミラーを駆動するミラー駆動部とを更に備え、
    前記制御部は、前記ミラー駆動部により前記ミラーを駆動して前記極端紫外光の重心位置を制御する高速重心制御と、前記マニピュレータにより前記集光ミラーを駆動して高速重心制御を維持する重心補助制御とを実行し、高速重心制御と重心補助制御の実行頻度を、前記ミラー駆動部及び前記マニピュレータの応答速度に応じて変える
    請求項１に記載の極端紫外光生成装置。