JP2013105725A - 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 - Google Patents
極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013105725A JP2013105725A JP2011251037A JP2011251037A JP2013105725A JP 2013105725 A JP2013105725 A JP 2013105725A JP 2011251037 A JP2011251037 A JP 2011251037A JP 2011251037 A JP2011251037 A JP 2011251037A JP 2013105725 A JP2013105725 A JP 2013105725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- euv light
- light generation
- wavefront
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 122
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 abstract 3
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 description 188
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 39
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 27
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 27
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 20
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000025174 PANDAS Diseases 0.000 description 1
- 208000021155 Paediatric autoimmune neuropsychiatric disorders associated with streptococcal infection Diseases 0.000 description 1
- 240000004718 Panda Species 0.000 description 1
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002751 lymph Anatomy 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0429—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using polarisation elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
Abstract
【解決手段】極端紫外光生成装置は、ターゲット物質にレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、前記ターゲット物質に照射する前記レーザ光を出力するレーザ装置と、前記レーザ光の波面を調節する波面調節器と、前記ターゲット物質で反射された前記レーザ光を結像させる結像光学系と、結像された像を撮像する像検出器と、前記像に基づいて前記波面調節器を制御する制御部と、を備えてもよい。
【選択図】図2
Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.ターゲットからの反射光を検出する反射光検出装置を含むEUV光生成装置
4.1 構成
4.2 動作
4.2.1 イメージセンサで検出されるドロップレット像の例
4.3 作用
4.4 フローチャート
4.4.1 EUV光生成フロー
4.4.2 波面調節サブルーチン
4.4.3 波面調節サブルーチン(変形例)
4.4.4 遅延時間調節サブルーチン
4.4.5 波面安定化サブルーチン
4.4.6 波面安定化サブルーチン(変形例)
5.ガイドレーザ光の反射光を検出する反射光検出装置を含むEUV光生成装置
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用
5.4 フローチャート
5.4.1 EUV光生成フロー
5.4.2 波面調節サブルーチン
5.4.3 波面調節サブルーチン(変形例)
5.4.4 遅延時間調節サブルーチン
5.4.5 波面安定化サブルーチン
5.4.6 波面安定化サブルーチン(変形例)
6.レンズを含むレーザ集光光学の場合のEUV光生成装置
6.1 構成
6.2 動作
6.3 作用
6.4 フローチャート
6.4.1 EUV光生成フロー
7. 波面調節器の実施形態
7.1 球面凹凸レンズの組合せ
7.2 2つの球面凸レンズの組合せ
7.3 45度入射VRWM
8. 光検出器の実施形態
8.1 結像レンズとイメージセンサの組合せ
8.2 シャックハルトマン干渉計
9. レーザ集光光学系の実施形態
9.1 放物面ミラーと楕円ミラーの組合せ
10.その他機能の組み合わせ
以下で例示する実施の形態は、ガイド光とターゲット物質の位置とを検出するための検出器を含むLPP方式のEUV光生成システムに関する。
本開示において使用される用語を、以下のように定義する。「ドロップレット」とは、溶融したターゲット物質の液滴である。その形状は、表面張力によって略球形であり得る。「プラズマ生成領域」とは、プラズマが生成される空間として予め設定された3次元空間である。レーザ光の光路において、レーザ光の生成源側を「上流」とし、レーザ光の到達目標側を「下流」とする。また、「所定繰返し周波数」とは、必ずしも一定の繰返し周波数でなくてもよい。
以下、実施の形態1にかかるLLP方式のEUV光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成装置1の構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい(EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、以下、EUV光生成システム11と称する)。図1に示し、かつ以下に詳細に説明されるように、EUV光生成装置1は、チャンバ2を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。EUV光生成装置1は、ターゲット供給装置を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばドロップレット生成器26であってよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ2に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか2つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。ドロップレット生成器26はドロップレット形状のターゲット27を出力してもよい。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウィンドウ21を透過して、チャンバ2に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光光学系22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
つぎに、本開示の実施の形態2にかかるEUV光生成装置について、図面を用いて詳細に説明する。以下では、ターゲット物質にレーザ光を複数回照射する多段照射方式のEUV光生成システム11Aを例に挙げる。なお、以下の説明において、上述と同様の構成には、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
図2は、EUV光生成システム11Aの構成を概略的に示す。図2に示されるように、EUV光生成システム11Aは、レーザ装置(以下、メインパルスレーザ装置という)3と、高反射ミラー341と、ダイクロイックミラー342と、プリパルスレーザ装置40と、高反射ミラー401および402と、波面調節器350と、λ/4波長板360と、反射光検出器370と、偏光ビームスプリッタ374と、チャンバ2Aと、EUV光生成制御システム5Aとを含んでもよい。
つづいて、図2に示されるEUV光生成システム11Aの動作を説明する。EUV光生成システム11Aは、EUV光生成制御システム5Aの制御にしたがって動作してもよい。
図3〜図5に、イメージセンサ371で検出されるターゲット27の像(以下、ドロップレット像という)の例を示す。図3は、プリパルスレーザ光42の集光面がターゲット27に対して−Z方向にずれている場合に検出されるドロップレット像G271の一例を示す。図4は、プリパルスレーザ光42の集光面がターゲット27に対して+Z方向にずれている場合に検出されるドロップレット像G272の一例を示す。図5は、プリパルスレーザ光42の集光面がターゲット27と一致している場合に検出されるドロップレット像G273の一例を示す。なお、集光面とは、レーザ集光光学系22Aの集光点を含む光軸に対して垂直な面であってもよい。
プリパルスレーザによって照明されたドロップレット像を検出して、プリパルスレーザの集光位置を調整するので、調整結果が直感的に判り易くなってもよい。さらに、波長の異なる2つのレーザ光(たとえばメインパルスレーザ光31およびプリパルスレーザ光41)を同一の反射光学系で集光する場合、それぞれ独立に集光位置を任意の位置に制御することが困難な場合がある。そこで、実施の形態2のように、いずれか一方のレーザ光路にレーザ光の波面を調節する波面調節器350を用いることで、同じレーザ集光光学系22Aを用いた場合でも、波長の異なる2つのレーザ光をターゲット27または拡散ターゲットにそれぞれ高精度に集光させることが可能となる。
つぎに、実施の形態2によるEUV光生成システム11Aの動作を、図面を用いて詳細に説明する。
図6は、実施の形態2によるEUV光生成コントローラ51の動作を概略的に示すフローチャートである。図6に示されるように、EUV光生成コントローラ51は、起動後、EUV光252の生成位置を指定するEUV光生成位置指定信号を受信してもよい(ステップS101)。EUV光生成位置指定信号は、露光装置コントローラ61などの外部装置からEUV光生成コントローラ51に入力されてもよい。また、EUV光生成位置指定信号の代わりに、露光命令や露光要求などの各種信号が用いられてもよい。これらの信号には、EUV光252の生成位置を指定する情報が含まれていてもよい。
図7は、図6のステップS107に示される波面調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図7に示されるように、波面調節サブルーチンでは、EUV光生成コントローラ51は、プリパルスレーザ光41が出力されるまで待機してもよい(ステップS121;NO)。プリパルスレーザ光41が出力されると(ステップS121;YES)、EUV光生成コントローラ51は、反射光検出器370のイメージセンサ372から画像データを受信してもよい(ステップS122)。
また、波面調節サブルーチンは、以下のようにも変形することができる。図8は、図6のステップS107に示される波面調節サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。図8に示されるように、波面調節サブルーチンの変形例では、EUV光生成コントローラ51は、プリパルスレーザ光41が出力されるまで待機してもよい(ステップS131;NO)。プリパルスレーザ光41が出力されると(ステップS131;YES)、EUV光生成コントローラ51は、反射光検出器370のイメージセンサ372から画像データを受信してもよい(ステップS132)。
図9は、図6のステップS108に示される遅延時間調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図10は、遅延時間調節サブルーチンの前後で取得されるターゲット27の像の例を概略的に示す。
図11は、図6のステップS115に示される波面安定化サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図11に示されるように、波面安定化サブルーチンでは、EUV光生成コントローラ51は、プリパルスレーザ光41が出力されるまで待機してもよい(ステップS151;NO)。プリパルスレーザ光41が出力されると(ステップS151;YES)、EUV光生成コントローラ51は、反射光検出器370のイメージセンサ372から画像データを受信してもよい(ステップS152)。
また、波面安定化サブルーチンは、以下のようにも変形することができる。図12は、図6のステップS115に示される波面安定化サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。図12に示されるように、波面安定化サブルーチンの変形例では、EUV光生成コントローラ51は、プリパルスレーザ光41が出力されるまで待機してもよい(ステップS161;NO)。プリパルスレーザ光41が出力されると(ステップS161;YES)、EUV光生成コントローラ51は、反射光検出器370のイメージセンサ372から画像データを受信してもよい(ステップS162)。
つぎに、実施の形態3によるEUV光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。
図13は、実施の形態3によるEUV光生成システム11Bの構成を概略的に示す。図13に示されるように、EUV光生成システム11Bは、図2に示されるEUV光生成システム11Aと同様の構成を備えてもよい。ただし、EUV光生成システム11Bは、高反射ミラー401の代わりにダイクロイックミラー411を備えてもよい。また、EUV光生成システム11Bは、ガイドレーザ装置420をさらに備えてもよい。
つづいて、図13に示されるEUV光生成システム11Bの動作を説明する。EUV光生成システム11Bは、EUV光生成システム11Aと同様に、EUV光生成制御システム5Aの制御にしたがって動作してもよい。
実施の形態3では、プリパルスレーザ光41の代わりにガイドレーザ光423の戻り光を検出する。それにより、EUV光252の生成を行わずとも、すなわちプリパルスレーザ光41を出力せずとも、ターゲット27にレーザ集光光学系22Aの集光位置を合わせることができる。そのため、レーザ集光光学系22Aの調整のためだけにターゲット27を拡散させ、デブリを増やしてしまうことを抑制できる。
つぎに、実施の形態3によるEUV光生成システム11Bの動作を、図面を用いて詳細に説明する。
図14は、実施の形態3によるEUV光生成コントローラ51の動作を概略的に示すフローチャートである。図14に示されるように、EUV光生成コントローラ51は、起動後、EUV光252の生成位置を指定するEUV光生成位置指定信号を受信してもよい(ステップS201)。EUV光生成位置指定信号は、露光装置コントローラ61などの外部装置からEUV光生成コントローラ51に入力されてもよい。また、EUV光生成位置指定信号の代わりに、露光命令や露光要求などの各種信号が用いられてもよい。これらの信号には、EUV光252の生成位置を指定する情報が含まれていてもよい。
図15は、図14のステップS208に示される波面調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図15に示されるように、波面調節サブルーチンでは、EUV光生成コントローラ51は、ガイドレーザ光423が出力されるまで待機してもよい(ステップS221;NO)。ガイドレーザ光423が出力されると(ステップS221;YES)、EUV光生成コントローラ51は、反射光検出器370のイメージセンサ372から画像データを受信してもよい(ステップS222)。
また、波面調節サブルーチンは、以下のようにも変形することができる。図16は、図14のステップS208に示される波面調節サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。図16に示されるように、波面調節サブルーチンの変形例では、EUV光生成コントローラ51は、ガイドレーザ光423が出力されるまで待機してもよい(ステップS231;NO)。ガイドレーザ光423が出力されると(ステップS231;YES)、EUV光生成コントローラ51は、反射光検出器370のイメージセンサ372から画像データを受信してもよい(ステップS232)。
図17は、図14のステップS209に示される遅延時間調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図18は、遅延時間調節サブルーチンの前後で取得されるターゲット27の像の例を概略的に示す。
図19は、図14のステップS217に示される波面安定化サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図19に示されるように、波面安定化サブルーチンでは、EUV光生成コントローラ51は、ガイドレーザ光423が出力されるまで待機してもよい(ステップS251;NO)。ガイドレーザ光423が出力されると(ステップS251;YES)、EUV光生成コントローラ51は、反射光検出器370のイメージセンサ372から画像データを受信してもよい(ステップS252)。
また、波面安定化サブルーチンは、以下のようにも変形することができる。図20は、図14のステップS217に示される波面安定化サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。図20に示されるように、波面安定化サブルーチンの変形例では、EUV光生成コントローラ51は、ガイドレーザ光423が出力されるまで待機してもよい(ステップS261;NO)。ガイドレーザ光423が出力されると(ステップS261;YES)、EUV光生成コントローラ51は、反射光検出器370のイメージセンサ372から画像データを受信してもよい(ステップS262)。
つぎに、実施の形態4によるEUV光生成装置を、図面を用いて詳細に説明する。
図21は、実施の形態4によるEUV光生成システム11Cの構成を概略的に示す。図21に示されるように、EUV光生成システム11Cは、図2に示されるEUV光生成システム11Aと同様の構成を備えてもよい。ただし、EUV光生成システム11Cは、レーザ集光光学系22Aに代えてレーザ集光光学系22Cを備え、また、チャンバ2Aに代えてチャンバ2Cを備えてもよい。さらに、EUV光生成システム11Cは、減衰部380を備えてもよい。チャンバ2Cは、チャンバ2Aと同様の構成を備えてもよい。ただし、チャンバ2Cでは、間仕切り80が省略されてもよい。
つづいて、図21に示されるEUV光生成システム11Cの動作を説明する。EUV光生成システム11Cは、EUV光生成システム11Aと同様に、EUV光生成制御システム5Aの制御にしたがって動作してもよい。
実施の形態4によれば、メインパルスレーザ光32とプリパルスレーザ光31とを集光するために色収差補正が困難なレンズ(たとえばダイヤモンド材料のみから構成されるレンズ)をレーザ集光光学系22Cに用いた場合でも、プリパルスレーザ光42とメインパルスレーザ光33との集光点の位置を所望の位置に合わせることが可能となる。
つぎに、実施の形態4によるEUV光生成システム11Cの動作を、図面を用いて詳細に説明する。
図22は、実施の形態4によるEUV光生成コントローラ51の動作を概略的に示すフローチャートである。図22に示されるように、EUV光生成コントローラ51は、起動後、EUV光252の生成位置を指定するEUV光生成位置指定信号を受信してもよい(ステップS301)。EUV光生成位置指定信号は、露光装置コントローラ61などの外部装置からEUV光生成コントローラ51に入力されてもよい。また、EUV光生成位置指定信号の代わりに、露光命令や露光要求などの各種信号が用いられてもよい。これらの信号には、EUV光252の生成位置を指定する情報が含まれていてもよい。
つぎに、上述した実施の形態における波面調節器350の具体例を、以下に図面を参照して詳細に説明する。
図23は、球面凸レンズと球面凹レンズとを組み合わせて構成された波面調節器350Aの一例を概略的に示す。
また、図27に示されるように、2つの球面凸レンズを組み合わせてもよい。図27は、2つの球面凸レンズを組み合わせて構成された波面調節器350Bの一例を概略的に示す。
図28〜図30は、VRWM(Variable Radius Wavefront Mirror)を用いて構成された波面補正器350Cの一例を概略的に示す。波面補正器350Cは、たとえば反射面の曲率を変更することが可能なデフォーマブルミラー358を用いて構成されてもよい。デフォーマブルミラー358は、たとえば反射面が平面である場合、図28に示すように、平行光のプリパルスレーザ光41を平行光として反射してもよい。または、たとえば反射面が凹面となるように曲率が調整されていた場合、図29に示すように、デフォーマブルミラー358は、平行光のプリパルスレーザ光41を焦点距離+F離れた所定の焦点F1に集光するように反射してもよい。あるいは、たとえば反射面が凸面となるように曲率が調整されていた場合、図30に示すように、デフォーマブルミラー358は、平行光のプリパルスレーザ光41を焦点距離−F離れた位置に焦点F2を持つように進行方向に対して凸面波のレーザ光として反射してもよい。このように、波面補正器350Cは、反射面の曲率を変更することが可能なデフォーマブルミラー358を用いて、入射光に対する反射光の波面を所定の波面に調節できるよう構成されてもよい。
つぎに、上述した実施の形態における反射光検出器370の具体例を、以下に図面を参照して詳細に説明する。
図31は、結像レンズとイメージセンサとを組み合わせて構成された反射光検出器370Aの構成を概略的に示す。図31に示されるように、反射光検出器370Aは、結像レンズ371と、イメージセンサ372とを含んでもよい。イメージセンサ372は、たとえば2次元CCD等であってもよい。また、反射光検出器370Aには、偏光ビームスプリッタ374が含まれてもよい。さらに、反射光検出器370Aは、図示しない波長フィルタ373を含んでもよい。
図32は、シャックハルトマン干渉計を用いた反射光検出器370Bの構成を概略的に示す。図32に示されるように、反射光検出器370Bは、マイクロレンズアレイ375と、波面計376とを含んでもよい。波面計376は、たとえば2次元CCD等であってもよい。また、反射光検出器370Bには、偏光ビームスプリッタ374が含まれてもよい。さらに、反射光検出器370Vは、図示しない波長フィルタ373を含んでもよい。
つぎに、上述した実施の形態におけるレーザ集光光学系22A/22Bの具体例を、以下に図面を参照して詳細に説明する。
図33は、放物面ミラーと楕円ミラーとを組み合わせて構成されたレーザ集光光学系22Dの一例を示す。図33に示されるように、レーザ集光光学系22Dは、軸外放物面ミラー171と、楕円ミラー172とを備えてもよい。軸外放物面ミラー171および楕円ミラー172は、それぞれ不図示のミラーホルダを用いて、移動プレート73に固定されていてもよい。移動プレート73は、図示しないプレート移動機構74によって移動可能であってもよい。
図34は、上述した実施の形態に、メインパルスレーザ光33の戻り光防止機構と、プリパルスレーザ光41に対するプロファイル調節部を付加した場合の一例も示している。ただし、図34には、チャンバ2Aへのレーザ光入力部の構成が抜粋して示されている。
11、11A、11B、11C EUV光生成システム
2、2A チャンバ
22、22A、22C、22D レーザ光集光光学系
23 EUV集光ミラー
23a 保持部
24 貫通孔
25 プラズマ生成領域
251 放射光
252 EUV光
26 ドロップレット生成器
26a 2軸移動機構
27 ドロップレット
28 ターゲット回収器
29 接続部
291 壁
292 中間焦点(IF)
3 レーザ装置(メインパルスレーザ装置)
31〜33 パルスレーザ光(メインパルスレーザ光)
34、43、424 戻り光
340 ビームデリバリーシステム
341 高反射ミラー
342 ダイクロイックミラー
4 ターゲットセンサ
40 プリパルスレーザ装置
41、42 プリパルスレーザ光
401、402 高反射ミラー
5、5A EUV光生成制御システム
51 EUV光生成コントローラ
52 基準クロック生成器
53 ターゲットコントローラ
54 ターゲット供給ドライバ
55 遅延回路
6 露光装置
61 露光装置コントローラ
71 軸外放物面ミラー
71a ミラーホルダ
72 高反射ミラー
72a 自動アオリ機能付きホルダ
73 移動プレート
74 プレート移動機構
75 ドライバ
76 凸レンズ
77 レンズホルダ
78 真空ゲートバルブ
81 間仕切り
90 EUV光モニタ
100 ダンパ
101 支柱
171 軸外放物面ミラー
172 楕円ミラー
350、350A、350B、350C 波面調節器
351、357 球面凸レンズ
352 球面凹レンズ
353 ドライバ
354 レンズホルダ
355 移動プレート
356 1軸移動機構
358 デフォーマブルミラー
360 λ/4波長板
370、370A、370B 反射光検出器
371 結像レンズ
372 イメージセンサ
373 波長フィルタ
374 偏光ビームスプリッタ
375 マイクロレンズアレイ
376 波面計
380 減衰部
381 アッテネータ
382 移動プレート
383 プレート移動機構
384 ドライバ
420 ガイドレーザ装置
421 ガイドレーザ光源
422 ビームエキスパンダ
423 ガイドレーザ光
411 ダイクロイックミラー
510 トップハット変換機構
520 戻り光防止機構
521 ダンパ
522 ビームスプリッタ
G271、G272、G273、G27a、G27b、G27c、G27d ドロップレット像
Claims (13)
- ターゲット物質にレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、
前記ターゲット物質に照射する前記レーザ光を出力するレーザ装置と、
前記レーザ光の波面を調節する波面調節器と、
前記ターゲット物質で反射された前記レーザ光を結像させる結像光学系と、
結像された像を撮像する像検出器と、
前記像に基づいて前記波面調節器を制御する制御部と、
を備える極端紫外光生成装置。 - ターゲット物質に第1レーザ光を集光照射し、該第1レーザ光の照射によって拡散した前記ターゲット物質に第2レーザ光を集光照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
前記第1レーザ光の光路と前記第2レーザ光の光路とを実質的に一致させる光路調節器と、
前記第1レーザ光の光路上であって前記光路調節器よりも上流側に配置された波面調節器と、
前記光路調節器によって実質的に一致させられた前記第1および第2レーザ光の光路上であって該光路調節器よりも下流側に配置された集光光学系と、
を備える極端紫外光生成装置。 - 前記ターゲット物質で反射され、前記集光光学系から前記波面調節器を通過した戻り光の像を取得する像検出器と、
前記像検出器で取得された前記像に基づいて前記波面調節器を制御する制御部と、
をさらに備える、請求項2記載の極端紫外光生成装置。 - 前記像検出器は、前記ターゲット物質で反射しされ前記第1レーザ光の前記戻り光の像を取得する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。
- 前記第1レーザ光と実質的に同一の光路で前記波面調節器に上流側から入射する第3レーザ光を出力するレーザ装置をさらに備え、
前記像検出器は、前記ターゲット物質で反射された前記第3レーザ光の前記戻り光の像を取得する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。 - 透過する光を減光する減衰部と、
前記減衰部を前記第1レーザ光の光路に対して出し入れする移動部と、
をさらに備え、
前記像検出器は、前記減衰部が前記第1レーザ光の前記光路上に配置されている際に、前記所定領域のターゲット物質で反射した前記第1レーザ光の前記戻り光の像を取得する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。 - 前記制御部は、前記像検出部で検出された前記像に含まれる前記ターゲット物質の像の大きさが小さくなるように前記波面調節器を制御する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。
- 前記制御部は、前記像検出部で検出された前記像の画素値のピーク値が大きくなるように前記波面調節器を制御する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。
- 前記所定領域から前記集光光学系を介して前記波面調節器を通過した光のうち前記戻り光以外の光の光路を該戻り光の光路から分離するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタで分離された前記戻り光以外の光を吸収するダンパと、
をさらに備える、請求項3記載の極端紫外光生成装置。 - 前記集光光学系は、前記第1および第2レーザ光を集光するように反射するミラーを含む、請求項2記載の極端紫外光生成装置。
- 前記集光光学系は、前記第1および第2レーザ光を集光するレンズを含む、請求項2記載の極端紫外光生成装置。
- 前記第1レーザ光の光路上であって前記波面調節器よりも上流側に配置され、前記第1レーザ光の断面プロファイル形状をより矩形に近い形状に変換するプロファイル調節部をさらに備える、請求項2記載の極端紫外光生成装置。
- 第1レーザ光の光路と第2レーザ光の光路とを実質的に一致させる光路調節器と、前記第1レーザ光の光路上であって前記光路調節器よりも上流側に配置された波面調節器と、前記光路調節器によって実質的に一致させられた前記第1および第2レーザ光の光路上であって該光路調節器よりも下流側に配置された集光光学系とを備え、ターゲット物質に前記第1レーザ光を照射し、該第1レーザ光の照射によって広がった前記ターゲット物質に前記第2レーザ光を照射する極端紫外光生成装置の極端紫外光生成方法であって、
前記所定領域のターゲット物質で反射され、前記集光光学系から前記波面調節器を通過した戻り光の像を取得し、
取得された前記像に基づいて前記波面調節器を調節する、
極端紫外光生成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251037A JP5932306B2 (ja) | 2011-11-16 | 2011-11-16 | 極端紫外光生成装置 |
US13/662,264 US8957356B2 (en) | 2011-11-16 | 2012-10-26 | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US14/590,833 US9439275B2 (en) | 2011-11-16 | 2015-01-06 | System and method for generating extreme ultraviolet light |
US15/224,894 US9574935B2 (en) | 2011-11-16 | 2016-08-01 | System for generating extreme ultra violet light |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251037A JP5932306B2 (ja) | 2011-11-16 | 2011-11-16 | 極端紫外光生成装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016090771A Division JP2016154156A (ja) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | 極端紫外光生成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013105725A true JP2013105725A (ja) | 2013-05-30 |
JP5932306B2 JP5932306B2 (ja) | 2016-06-08 |
Family
ID=48279685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011251037A Active JP5932306B2 (ja) | 2011-11-16 | 2011-11-16 | 極端紫外光生成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8957356B2 (ja) |
JP (1) | JP5932306B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017056324A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
WO2017130346A1 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2017154528A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
KR20180038543A (ko) * | 2015-08-12 | 2018-04-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외 광원 내에서의 타겟 팽창 속도 제어 방법 |
WO2018131123A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
WO2019008719A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム、極端紫外光生成装置、及び極端紫外光生成方法 |
KR20190128212A (ko) * | 2017-03-20 | 2019-11-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외 광원에 대한 계측 시스템 |
US11096266B2 (en) | 2015-08-12 | 2021-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source |
JP7429691B2 (ja) | 2018-10-02 | 2024-02-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvプラズマ源において励起レーザービームを測定するための計測システムおよび方法 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010103499A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置および極端紫外光生成方法 |
JP2013004258A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 |
US9265136B2 (en) | 2010-02-19 | 2016-02-16 | Gigaphoton Inc. | System and method for generating extreme ultraviolet light |
JP2012216768A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Gigaphoton Inc | レーザシステム、極端紫外光生成システム、およびレーザ光生成方法 |
US9462667B2 (en) * | 2012-02-08 | 2016-10-04 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
US8791440B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Target for extreme ultraviolet light source |
JP6364002B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2018-07-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
US9544984B2 (en) * | 2013-07-22 | 2017-01-10 | Kla-Tencor Corporation | System and method for generation of extreme ultraviolet light |
US9127981B2 (en) * | 2013-08-06 | 2015-09-08 | Cymer, Llc | System and method for return beam metrology with optical switch |
NL2013246A (en) | 2013-08-26 | 2015-03-02 | Asml Netherlands Bv | Radiation source and lithographic apparatus. |
JP6378355B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2018-08-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 |
JP6649957B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2020-02-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2017090167A1 (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10149375B2 (en) | 2016-09-14 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Target trajectory metrology in an extreme ultraviolet light source |
US9778022B1 (en) | 2016-09-14 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Determining moving properties of a target in an extreme ultraviolet light source |
US10215625B2 (en) * | 2016-12-19 | 2019-02-26 | Automotive Research & Testing Center | Laser vehicle headlight system and detecting method thereof |
WO2018179094A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム、及びeuv光生成システム |
US11212903B2 (en) * | 2018-08-31 | 2021-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for generating extreme ultraviolet radiation |
KR102547657B1 (ko) | 2018-10-01 | 2023-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 가공 장치 |
DE102018124356A1 (de) * | 2018-10-02 | 2019-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Metrologiesystem und Verfahren zur Vermessung eines Anregungs-Laserstrahls in einer EUV-Plasmaquelle |
JP7216416B2 (ja) | 2019-09-25 | 2023-02-01 | 英昭 和田 | 冷蔵オープンショーケースの冷気整流体の埃付着防止方法および冷蔵オープンショーケースの冷気整流体用の埃捕捉シート |
JP7426299B2 (ja) | 2020-06-26 | 2024-02-01 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法 |
CN116134972A (zh) * | 2020-07-21 | 2023-05-16 | Asml荷兰有限公司 | 照射源和相关联的量测设备 |
EP3962241A1 (en) * | 2020-08-26 | 2022-03-02 | ASML Netherlands B.V. | An illumination source and associated metrology apparatus |
CN116134971A (zh) * | 2020-07-30 | 2023-05-16 | Asml荷兰有限公司 | Euv光源靶量测 |
EP4083570A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Laser beam metrology system, laser beam system, euv radiation source, and lithographic apparatus |
WO2022228807A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Laser beam metrology system, laser beam system, euv radiation source, and lithographic apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003270551A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | レーザパルス制御方法と装置およびx線発生方法と装置 |
JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6285443B1 (en) * | 1993-12-13 | 2001-09-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus |
DE19944021A1 (de) * | 1998-09-14 | 2000-05-04 | Nikon Corp | Interferometrische Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen der Oberflächentopographie einer Testoberfläche |
US6307682B1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-10-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Zoom illumination system for use in photolithography |
JP4478302B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 干渉装置及びそれを搭載した半導体露光装置 |
JP4387359B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2009-12-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学特性の測定方法、及び波面検出系を備えた投影露光システム |
US8000212B2 (en) | 2009-12-15 | 2011-08-16 | Cymer, Inc. | Metrology for extreme ultraviolet light source |
-
2011
- 2011-11-16 JP JP2011251037A patent/JP5932306B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-26 US US13/662,264 patent/US8957356B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-06 US US14/590,833 patent/US9439275B2/en active Active
-
2016
- 2016-08-01 US US15/224,894 patent/US9574935B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003270551A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | レーザパルス制御方法と装置およびx線発生方法と装置 |
JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018532138A (ja) * | 2015-08-12 | 2018-11-01 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
KR102631831B1 (ko) * | 2015-08-12 | 2024-01-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외 광원 내에서의 타겟 팽창 속도 제어 방법 |
JP7241143B2 (ja) | 2015-08-12 | 2023-03-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
JP2022008595A (ja) * | 2015-08-12 | 2022-01-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
KR20180038543A (ko) * | 2015-08-12 | 2018-04-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외 광원 내에서의 타겟 팽창 속도 제어 방법 |
US11096266B2 (en) | 2015-08-12 | 2021-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source |
JP2020194178A (ja) * | 2015-08-12 | 2020-12-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
US10085334B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-09-25 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating system |
WO2017056324A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
JPWO2017056324A1 (ja) * | 2015-10-02 | 2018-07-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
JPWO2017130346A1 (ja) * | 2016-01-28 | 2018-11-15 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2017130346A1 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10303061B2 (en) | 2016-01-28 | 2019-05-28 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
JPWO2017154528A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2019-01-31 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10225918B2 (en) | 2016-03-08 | 2019-03-05 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
WO2017154528A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2017154111A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10842010B2 (en) | 2017-01-12 | 2020-11-17 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation system |
WO2018131123A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
JPWO2018131123A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2019-11-07 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
JP2020512577A (ja) * | 2017-03-20 | 2020-04-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外線光源のためのメトロロジシステム |
KR20190128212A (ko) * | 2017-03-20 | 2019-11-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외 광원에 대한 계측 시스템 |
KR102482288B1 (ko) * | 2017-03-20 | 2022-12-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외 광원에 대한 계측 시스템 |
JP7240322B2 (ja) | 2017-03-20 | 2023-03-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外線光源のためのメトロロジシステム |
JPWO2019008719A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2020-04-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム、極端紫外光生成装置、及び極端紫外光生成方法 |
US11374379B2 (en) | 2017-07-06 | 2022-06-28 | Gigaphoton Inc. | Laser system, extreme ultraviolet light generation apparatus, and extreme ultraviolet light generation method |
WO2019008719A1 (ja) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム、極端紫外光生成装置、及び極端紫外光生成方法 |
JP7429691B2 (ja) | 2018-10-02 | 2024-02-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvプラズマ源において励起レーザービームを測定するための計測システムおよび方法 |
US11920977B2 (en) | 2018-10-02 | 2024-03-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Metrology system and method for measuring an excitation laser beam in an EUV plasma source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150123018A1 (en) | 2015-05-07 |
US8957356B2 (en) | 2015-02-17 |
US20130119232A1 (en) | 2013-05-16 |
US9439275B2 (en) | 2016-09-06 |
JP5932306B2 (ja) | 2016-06-08 |
US20160341601A1 (en) | 2016-11-24 |
US9574935B2 (en) | 2017-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5932306B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US8847181B2 (en) | System and method for generating extreme ultraviolet light | |
JP5368261B2 (ja) | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 | |
EP2856583B1 (en) | System and method for separating a main pulse and a pre-pulse beam from a laser source | |
US9128391B2 (en) | Optical device including wavefront correction parts and beam direction parts, laser apparatus including the optical device, and extreme ultraviolet light generation system including the laser apparatus | |
US20130037693A1 (en) | Optical system and extreme ultraviolet (euv) light generation system including the optical system | |
US10027084B2 (en) | Alignment system and extreme ultraviolet light generation system | |
JP2012212641A (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 | |
US8872144B1 (en) | System and method for laser beam focus control for extreme ultraviolet laser produced plasma source | |
US9888555B2 (en) | Transmission system for transmitting pulse laser beam to extreme ultraviolet light chamber, and laser system | |
US10194515B2 (en) | Beam delivery system and control method therefor | |
US20190289707A1 (en) | Extreme ultraviolet light generation system | |
JP5711326B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
KR20150130440A (ko) | 극자외 광원을 위한 빔 위치 제어 | |
US11374379B2 (en) | Laser system, extreme ultraviolet light generation apparatus, and extreme ultraviolet light generation method | |
WO2016098240A1 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP2016154156A (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP7329422B2 (ja) | ビームデリバリシステム、焦点距離選定方法及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2023183776A (ja) | Euv光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141010 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150430 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5932306 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |