WO2018179094A1 - レーザシステム、及びｅｕｖ光生成システム - Google Patents

レーザシステム、及びｅｕｖ光生成システム Download PDF

Info

Publication number
WO2018179094A1
WO2018179094A1 PCT/JP2017/012676 JP2017012676W WO2018179094A1 WO 2018179094 A1 WO2018179094 A1 WO 2018179094A1 JP 2017012676 W JP2017012676 W JP 2017012676W WO 2018179094 A1 WO2018179094 A1 WO 2018179094A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
laser
light
optical system
sensor
path
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/012676
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
能史 植野
悠太 高島
Original Assignee
ギガフォトン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ギガフォトン株式会社 filed Critical ギガフォトン株式会社
Priority to PCT/JP2017/012676 priority Critical patent/WO2018179094A1/ja
Publication of WO2018179094A1 publication Critical patent/WO2018179094A1/ja
Priority to US16/534,806 priority patent/US11228156B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/1022—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping
    • H01S3/1024—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping for pulse generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1304—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by using an active reference, e.g. second laser, klystron or other standard frequency source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/2232—Carbon dioxide (CO2) or monoxide [CO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2383—Parallel arrangements

Definitions

  • the present disclosure relates to a laser system and an EUV light generation system.
  • an LPP (Laser Produced) Plasma) type device using plasma generated by irradiating a target material with laser light, and a DPP (Discharge Produced Plasma) using plasma generated by discharge are used.
  • Three types of devices have been proposed: a device of the type and an SR (Synchrotron-Radiation) type device using orbital radiation.
  • JP 62-173629 A International Publication No. 2016/142959 JP 61-155833 A
  • a laser system includes a laser apparatus that emits laser light, a transmission optical system that is disposed in a path between the laser apparatus and a target supplied in an EUV chamber in which EUV light is generated, and a transmission optical system Is disposed in the path between the transmission optical system and the reflection optical system that reflects the laser light from the transmission optical system in the direction of the target, and is disposed in the path between the transmission optical system and the reflection optical system, and is reflected from the laser device.
  • a first sensor that detects a laser beam traveling toward the optical system and a return beam of the laser beam that is provided in a path from the reflection optical system to the inside of the laser device and reflected back by the reflection optical system to the laser device
  • the amount of the return light detected by the second sensor exceeds a predetermined light amount value
  • a determining controller and damage to the reflective optical system is present.
  • An EUV light generation system includes an EUV chamber in which EUV light is generated, a laser device that emits laser light, and a transmission optical device disposed in a path between the laser device and a target supplied in the EUV chamber. Is provided in a path between the transmission optical system and the reflection optical system, and is disposed in a path between the transmission optical system and the target, and reflects the laser light from the transmission optical system in the direction of the target.
  • a first sensor that detects laser light traveling from the laser device to the reflection optical system, and a laser that is provided in a path from the reflection optical system to the inside of the laser device and is reflected by the reflection optical system and travels back to the laser device
  • the amount of the return light detected by the second sensor is If it exceeds the amount of the constant, and a and determining controller damage to the reflective optical system is present.
  • FIG. 1 schematically illustrates an exemplary configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration example of a laser system according to a comparative example applied to the EUV light generation system.
  • FIG. 3 schematically illustrates a configuration example of the laser system according to the first embodiment.
  • FIG. 4 schematically shows an example of a flowchart of optical element damage diagnosis in the laser system according to the first embodiment.
  • FIG. 5 schematically shows a configuration example of a laser system according to the second embodiment.
  • FIG. 6 schematically shows a configuration example of a main pulse laser apparatus in the laser system according to the second embodiment.
  • FIG. 1 schematically illustrates an exemplary configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration example of a laser system according to a comparative example applied to the EUV light generation system.
  • FIG. 3 schematically illustrates a configuration example of the laser system according to the first embodiment.
  • FIG. 4 schematically shows an
  • FIG. 7 schematically illustrates a configuration example of a laser system according to the third embodiment.
  • FIG. 8 schematically shows an example of a flowchart of optical element damage diagnosis in the laser system according to the third embodiment.
  • FIG. 9 schematically illustrates a configuration example of a laser system according to the fourth embodiment.
  • FIG. 10 schematically shows an example of a flowchart of optical element damage diagnosis in the laser system according to the fourth embodiment.
  • FIG. 11 schematically illustrates a configuration example of a laser system according to the fifth embodiment.
  • FIG. 12 schematically illustrates a configuration example of a prepulse laser apparatus in the laser system according to the fifth embodiment.
  • Embodiment> (Laser System that Enables Diagnosis of Damage to Chamber Window) (FIGS. 7 to 8) 5.1 Configuration 5.2 Operation 5.3 Action / Effect ⁇ 6.
  • Embodiment 4> (Laser system including return light sensor for detecting return light of prepulse laser light) (FIGS. 9 to 10) 6.1 Configuration 6.2 Operation 6.3 Action / Effect ⁇ 7.
  • Embodiment 5> (Laser system provided with a return light sensor inside the pre-pulse laser apparatus) (FIGS. 11 to 12) 7.1 Configuration 7.2 Operation 7.3 Action / Effect ⁇ 8.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a chamber 2 and a target supply unit 26.
  • the chamber 2 is a container that can be sealed.
  • the target supply unit 26 is configured to supply the target material to the inside of the chamber 2 and is attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 is provided with at least one through hole.
  • the through hole is closed by the window 21, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 is transmitted through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface is disposed.
  • the EUV collector mirror 23 has first and second focal points.
  • the EUV collector mirror 23 may be arranged such that its first focal point is located in the plasma generation region 25 and its second focal point is located in the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 is provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 passes through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes an EUV light generation controller 5, a target sensor 4, and the like.
  • the target sensor 4 is configured to detect one or more of the presence, trajectory, position, and speed of the target 27.
  • the target sensor 4 may have an imaging function.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a connection portion 29 that allows communication between the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6.
  • a wall 291 in which an aperture 293 is formed is provided inside the connection portion 29. The wall 291 is arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a laser beam transmission device 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser light transmission device 34 includes an optical element for defining the transmission state of the laser light and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 passes through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam transmission device 34 and enters the chamber 2.
  • the pulsed laser light 32 travels in the chamber 2 along at least one laser light path, is reflected by the laser light focusing mirror 22, and is irradiated onto at least one target 27 as pulsed laser light 33.
  • the target supply unit 26 is configured to output a target 27 formed of the target material toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 is irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulse laser beam is turned into plasma, and radiation light 251 is emitted from the plasma.
  • the EUV light 252 included in the radiation light 251 is selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 is collected at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • a single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 is configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 is configured to process the detection result of the target sensor 4. Based on the detection result of the target sensor 4, the EUV light generation controller 5 may be configured to control, for example, the timing at which the target 27 is output, the output direction of the target 27, and the like. Further, the EUV light generation controller 5 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 3, the traveling direction of the pulse laser light 32, the focusing position of the pulse laser light 33, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration example of a laser system 300 according to a comparative example applied to, for example, the EUV light generation system 11 shown in FIG.
  • substantially the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
  • the EUV light generation system 11 may have a configuration including the chamber 2, the EUV light generation controller 5, and the laser system 300.
  • the chamber 2 is an EUV chamber in which the target 27 is supplied and EUV light 252 is generated.
  • the chamber 2 is installed on the clean room floor 202 via the installation mechanism 203.
  • the chamber 2 includes a chamber window 73 that allows the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M to pass into the chamber 2.
  • the chamber 2 may include a focus unit (FU) 74 that focuses the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M on the target 27 supplied inside.
  • FU focus unit
  • the laser system 300 includes a laser device 3 and a laser beam transmission device 34.
  • the laser device 3 is installed on the subfab floor 201.
  • the laser device 3 includes a pre-pulse laser device 30P and a main pulse laser device 30M.
  • the prepulse laser device 30P is a laser device that outputs a prepulse laser beam 31P having a pulse width on the order of, for example, ps (picoseconds) or ns (nanoseconds).
  • the main pulse laser device 30M may be a CO 2 laser device that outputs a main pulse laser beam 31M.
  • the main pulse laser beam 31M may be a laser beam having a wavelength different from that of the pre-pulse laser beam 31P.
  • the laser beam transmission device 34 may connect the chamber 2 and the laser device 3.
  • the laser light transmission device 34 includes a beam combiner 71, a tilt mirror 72, a combiner sensor 81, a beam controller 80, a beam adjustment device 90, a plurality of reflection mirrors 91M, 92M, 93M, and 94M, and a plurality of reflection mirrors. 91P, 92P, 93P, 94P, and 95P.
  • the beam adjusting device 90 may be disposed on the optical path of the prepulse laser beam 31P output from the prepulse laser device 30P.
  • the beam adjusting device 90 may be configured to adjust the beam parameter of the pre-pulse laser beam 31P.
  • the beam parameter may be, for example, a beam position, a beam shape, a beam cross-sectional area, a divergence, a wavefront, and a traveling direction of the beam.
  • the beam combiner 71 is disposed at a position where the optical path of the pre-pulse laser beam 31P and the optical path of the main pulse laser beam 31M intersect.
  • the beam combiner 71 is arranged so that the optical path of the pre-pulse laser beam 31P output from the beam adjusting device 90 and the optical path of the main pulse laser beam 31M output from the main pulse laser device 30M are substantially matched.
  • the beam combiner 71 may be, for example, a dichroic mirror that highly reflects the wavelength of the pre-pulse laser beam 31P and highly transmits the wavelength of the main pulse laser beam 31M.
  • the combiner sensor 81 may be a first sensor that detects a part of the main pulse laser beam 31M branched by the beam combiner 71 and a part of the pre-pulse laser beam 31P.
  • the combiner sensor 81 may be configured to measure, for example, the beam parameter of the pre-pulse laser beam 31P that has passed through the beam combiner 71 and the beam parameter of the main pulse laser beam 31M reflected by the beam combiner 71.
  • the beam controller 80 is connected to the EUV light generation controller 5, the combiner sensor 81, and the beam adjustment device 90.
  • the plurality of reflection mirrors 91M, 92M, 93M, and 94M are arranged to constitute a part of a transmission path that guides the main pulse laser beam 31M from the main pulse laser apparatus 30M to the chamber 2.
  • the plurality of reflection mirrors 91P, 92P, 93P, 94P, and 95P are arranged to constitute a part of a transmission path that guides the prepulse laser beam 31P from the prepulse laser apparatus 30P to the chamber 2.
  • the tilt mirror 72 includes a substrate opaque to the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M, and a reflection mirror formed on the substrate and a metal film that reflects the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M. It may be.
  • the substrate opaque to the laser light may be SiC or copper.
  • the material of the metal film may be gold. Instead of the metal film, a reflection mirror including a dielectric film may be used.
  • the laser beam transmission device 34 includes a transmission optical system arranged in a path between the laser device 3 and the target 27 supplied into the chamber 2.
  • the transmission optical system may include a beam adjusting device 90, a plurality of reflection mirrors 91M, 92M, 93M, and 94M, and a plurality of reflection mirrors 91P, 92P, 93P, 94P, and 95P.
  • the laser beam transmission device 34 includes a reflection optical system arranged in a path between the transmission optical system and the target 27.
  • the reflection optical system is configured to reflect the prepulse laser light 31P and the main pulse laser light 31M from the transmission optical system in the direction of the target 27.
  • This reflection optical system may include a tilt mirror 72.
  • the focus unit 74 in the chamber 2 may be included in the reflection optical system in the laser light transmission device 34.
  • a beam combiner 71 may be disposed between the transmission optical system and the reflection optical system.
  • the laser beam transmission device 34 may include a plurality of optical path tubes that shield the transmission paths of the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M.
  • the laser device 3 may output each laser beam in the order of the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M.
  • the prepulse laser beam 31P is guided to the beam combiner 71 via the beam adjusting device 90 and a transmission path including a plurality of reflection mirrors 91P, 92P, 93P, 94P, and 95P.
  • Part of the pre-pulse laser beam 31 ⁇ / b> P passes through the beam combiner 71 and enters the combiner sensor 81.
  • the prepulse laser beam 31 ⁇ / b> P reflected by the beam combiner 71 is introduced into the chamber 2 by the tilt mirror 72 and the chamber window 73.
  • the main pulse laser beam 31M is guided to the beam combiner 71 through a transmission path including a plurality of reflection mirrors 91M, 92M, 93M, and 94M. A part of the main pulse laser beam 31M is reflected by the beam combiner 71 and enters the combiner sensor 81. On the other hand, the main pulse laser beam 31M transmitted through the beam combiner 71 is introduced into the chamber 2 by the tilt mirror 72 and the chamber window 73.
  • the combiner sensor 81 can measure the beam parameter of the pre-pulse laser beam 31P and the beam parameter of the main pulse laser beam 31M.
  • the measured value of the beam parameter by the combiner sensor 81 is input to the beam controller 80.
  • the beam controller 80 controls the beam adjusting device 90 so that the beam parameter measured by the combiner sensor 81 becomes a desired value.
  • the target 27 can be diffused by being irradiated with the pre-pulse laser beam 31P guided to the chamber 2 and condensed by the focus unit 74. Thereafter, the diffused target 27 is irradiated with the main pulse laser beam 31M condensed by the focus unit 74, whereby the target 27 is turned into plasma, and EUV light 252 can be emitted from the plasma.
  • the beam controller 80 can detect an alignment abnormality upstream of the laser optical path including the beam combiner 71 and damage to the optical element. For example, the beam controller 80 may issue an error signal to the EUV light generation controller 5 when a significant asymmetry is recognized in the beam shape. When the EUV light generation controller 5 receives the error signal, the EUV light generation controller 5 displays the possibility of damage to the optical elements upstream of the laser light path including the beam combiner 71 on a display (not shown), and the prepulse laser light 31P and the main pulse laser The output of the light 31M may be stopped.
  • the combiner sensor 81 can detect damage or the like of an optical element on the optical path between the beam combiner 71 and the laser apparatus 3, the optical disposed in the path between the beam combiner 71 and the target 27 in the chamber 2. Damage to elements, such as tilt mirror 72, cannot be detected.
  • damage to the optical element in the path from the beam combiner 71 to the target 27 in the chamber 2 can only appear in the form of a decrease in the output of the generated EUV light 252.
  • Possible causes of a decrease in the output of the EUV light 252 include possibilities other than the pulse laser beam path, such as a decrease in the reflectance of the EUV collector mirror 23 and an output abnormality of the target 27. For this reason, it takes time to identify the cause of damage to the optical element in the path from the beam combiner 71 to the target 27 in the chamber 2, or the identification itself is difficult.
  • Embodiment 1> (Laser system including a return light sensor for detecting return light of main pulse laser light) Next, the laser system according to the first embodiment of the present disclosure will be described. In the following description, substantially the same parts as those of the laser system according to the comparative example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
  • FIG. 3 schematically shows a configuration example of the laser system 300A according to the first embodiment.
  • the EUV light generation system 11 may be configured to include a laser system 300A instead of the laser system 300 according to the comparative example.
  • the laser system 300A includes a laser device 3A and a laser beam transmission device 34A.
  • the laser system 300 ⁇ / b> A further includes a return light sensor 82.
  • the configuration of the laser device 3A may be substantially the same as that of the laser device 3 in the laser system 300 according to the comparative example.
  • the laser system 300A includes a laser light transmission device 34A instead of the laser light transmission device 34 according to the comparative example.
  • the return light sensor 82 may be provided in a path from the tilt mirror 72 that is a reflection optical system to the inside of the main pulse laser device 30M.
  • the return light sensor 82 is configured to detect a part of the return light 31Rm that travels backward through the optical path of the main pulse laser light 31M.
  • the return light sensor 82 may be a power meter that detects the amount of the return light 31Rm.
  • the return light sensor 82 is provided on the optical path of the return light 31Rm of the main pulse laser light 31M reflected by the tilt mirror 72 and going back to the main pulse laser device 30M, and detects a part of the return light 31Rm.
  • FIG. 3 shows an example in which the return light sensor 82 is disposed between the reflection mirror 93M and the reflection mirror 92M. However, the return light sensor 82 is on the optical path of the return light 31Rm at another position in the laser light transmission device 34A. It may be provided.
  • the return light sensor 82 is connected to the beam controller 80 and outputs a detection result of the return light 31Rm to the beam controller 80.
  • the beam controller 80 When the combiner sensor 81 detects no abnormality in the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M, the beam controller 80 has a light amount of the return light 31Rm detected by the return light sensor 82 exceeding a predetermined light amount value. In this case, the control unit may determine that the tilt mirror 72 is damaged. The beam controller 80 has damage to the tilt mirror 72 when the light amount of the return light 31Rm is smaller than the first light amount value that is the first threshold value and larger than the second light amount value that is the second threshold value. May be determined.
  • FIG. 4 schematically shows an example of a flowchart of optical element damage diagnosis in the laser system 300A according to the first embodiment.
  • the beam controller 80 measures the light quantity of the return light 31Rm of the main pulse laser light 31M by the return light sensor 82 (step S101).
  • the beam controller 80 determines whether or not the measurement result by the combiner sensor 81 is abnormal (step S102). For example, the beam controller 80 may determine whether or not the beam parameter of the pre-pulse laser beam 31P and the beam parameter beam parameter of the main pulse laser beam 31M measured by the combiner sensor 81 are abnormal.
  • the beam controller 80 determines that there is an abnormality in the beam combiner 71 or upstream thereof (step S103), and processing for optical element damage diagnosis Exit.
  • the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 stops the oscillation trigger to the laser device 3A, stops the operation of the laser device 3A, and displays an indicator (not shown) that may damage the optical element upstream of the laser optical path including the beam combiner 71. May be displayed. Thereby, the operator may check whether the beam combiner 71 or the optical element upstream thereof is damaged. If there is a damaged optical element, the operator may replace the damaged optical element.
  • the beam controller 80 detects the abnormality of the return light 31Rm based on the measurement value by the return light sensor 82.
  • the detection threshold value of the return light 31Rm may be two thresholds, a first threshold value and a second threshold value. Also, (first threshold)> (second threshold) may be satisfied.
  • the first threshold value and the second threshold value may be changed for each laser irradiation condition of the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M.
  • the first threshold value and the second threshold value may be changed based on table data associated with the laser irradiation conditions.
  • the first threshold value may be a value set in advance based on the tolerance of the optical element, for example.
  • a value set in advance based on the resistance of the EO element may be used.
  • the second threshold value may be a value set based on the intensity of the standard return light 31Rm for each laser irradiation condition. For example, twice the intensity of the standard return light 31Rm for each laser irradiation condition may be set as the second threshold value.
  • the intensity [W] of the return light with respect to the pulsed laser light applied to the target 27 can be proportional to the following equation.
  • P represents the output value of the pulse laser beam at the position of the target 27 that has been converted to plasma.
  • f indicates the laser frequency.
  • D indicates the duty of the pulse of the laser beam irradiated to the target 27.
  • R indicates the ratio of the return light to the pulsed laser light applied to the target 27.
  • the beam controller 80 may determine whether the measurement value of the return light 31Rm by the return light sensor 82 exceeds the first threshold value or the second threshold value, and specify the cause of the abnormality.
  • the just focus of the main pulse laser beam 31M to the target 27 when the just focus of the main pulse laser beam 31M to the target 27 occurs, the return light 31Rm increases rapidly, and the optical element may be damaged.
  • the just focus indicates a state in which the position of the beam waist of the main pulse laser beam 31M and the position of the target 27 are substantially matched.
  • the first threshold value may be set to a value that can detect an increase in the return light 31Rm when a just focus occurs.
  • the return light 31Rm can increase.
  • the second threshold may be set to a value that can detect such an increase in the return light 31Rm.
  • the beam controller 80 may determine whether or not the light amount of the return light 31Rm is smaller than the first threshold based on the measurement value by the return light sensor 82 (step S104).
  • the beam controller 80 determines that the return light 31Rm is increased due to the just focus (step S105), and the optical element.
  • the damage diagnosis process is terminated.
  • the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 may stop the oscillation trigger to the laser device 3A.
  • the EUV light generation controller 5 may adjust the optical axis to avoid the just focus state. For example, the focusing position of the main pulse laser beam 31M may be shifted from the just focus position by adjustment by a focusing position adjusting mechanism (not shown).
  • the beam controller 80 When it is determined that the light amount of the return light 31Rm is smaller than the first threshold value (step S104; Y), the beam controller 80 next determines the light amount of the return light 31Rm based on the measurement value by the return light sensor 82. It may be determined whether or not the threshold value is smaller than 2 (step S106).
  • the beam controller 80 determines that the return light 31Rm is increased due to damage of the tilt mirror 27 (step S107). Then, the optical element damage diagnosis process is terminated. In this case, as a response after the optical element damage diagnosis process, the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 may stop the oscillation trigger to the laser device 3A, stop the operation of the laser device 3A, and display the possibility of damage to the tilt mirror 27 on a display (not shown). Thereby, the operator may check whether or not the tilt mirror 72 is damaged. The operator may replace the tilt mirror 72 when the tilt mirror 72 is damaged.
  • step S106 When it is determined that the amount of the return light 31Rm is smaller than the second threshold (step S106; Y), the beam controller 80 determines that there is no abnormality (step S108), and ends the optical element damage diagnosis process.
  • the case of detecting the damage of the tilt mirror 72 is taken as an example.
  • the damage of the other reflecting optical system between the beam combiner 71 and the target 27 is also the same as the case of the tilt mirror 72.
  • damage to the focus unit 74 can also be detected.
  • the beam controller 80 can determine the damage of the optical element such as the tilt mirror 72 in a short time based on the measurement value of the return light sensor 82.
  • the increase in the return light 31Rm due to damage to the optical element downstream from the beam combiner 71 is less than the increase in the return light 31Rm due to just focus. Therefore, when the amount of the return light 31Rm is larger than the first threshold, it can be determined that the cause is an increase in the return light 31Rm due to just focus. When the amount of the return light 31Rm is smaller than the first threshold and larger than the second threshold, it can be determined that the optical element downstream of the beam combiner 71, particularly the tilt mirror 72 is damaged.
  • the tilt mirror 72 has a configuration including, for example, a copper substrate and a metal film made of gold. If the tilt mirror 72 is damaged, the metal film or the surface of the substrate may be rough and the main pulse laser beam 31M may be irregularly reflected. The irregularly reflected light due to the damage of the tilt mirror 72 often has an intensity that can be detected by the return light sensor 82. Therefore, it is possible to determine whether the tilt mirror 72 is damaged based on the measurement value of the return light sensor 82.
  • Second Embodiment> (Laser system provided with a return light sensor inside the main pulse laser device) Next, a laser system according to Embodiment 2 of the present disclosure will be described. Note that, in the following, the same reference numerals are given to substantially the same parts as those of the comparative example or the laser system according to the first embodiment, and description thereof will be omitted as appropriate.
  • FIG. 5 schematically shows a configuration example of a laser system 300B according to the second embodiment.
  • FIG. 6 schematically shows a configuration example of the main pulse laser apparatus 30M in the laser system 300B according to the second embodiment.
  • the EUV light generation system 11 may be configured to include a laser system 300B instead of the laser system 300 according to the comparative example.
  • the laser system 300B includes a laser device 3B and a laser beam transmission device 34B.
  • the laser system 300 ⁇ / b> B further includes a return light sensor 82.
  • the configuration of the laser beam transmission apparatus 34B may be substantially the same as that of the laser beam transmission apparatus 34 in the laser system 300 according to the comparative example.
  • the return light sensor 82 is provided on the transmission path in the laser light transmission device 34A.
  • the return light sensor 82 is provided inside the laser device 3B, more specifically, the main pulse laser device 30M. Is placed inside.
  • the main pulse laser device 30M may include a master oscillator (MO) 110M and a laser amplifier.
  • the laser amplifier may include one or more amplifiers PA1, PA2,.
  • Each of the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk may be a laser amplifier using a CO 2 laser gas as a laser medium.
  • the main pulse laser device 30M in the laser device 3A of the first embodiment may be configured to include a master oscillator (MO) 110M and a laser amplifier in substantially the same manner.
  • the main pulse laser device 30M may further include a beam splitter 111 disposed between the master oscillator 110M and the laser amplifier.
  • the return light sensor 82 may be disposed between the master oscillator 110M and the laser amplifier, or between any two amplifiers among the plurality of amplifiers PA1, PA2,.
  • the return light sensor 82 detects the amount of the return light 31Rm after passing backward through at least one amplifier.
  • the return light sensor 82 may be configured to detect the return light 31Rm branched by the beam splitter 111 disposed in the laser light path. In FIG. 6, the return light sensor 82 is arranged on the optical path of the return light 31Rm that has passed through the beam splitter 111.
  • optical element damage diagnosis process in the laser system 300B according to the second embodiment may be performed in the same manner as the laser system 300A according to the first embodiment, as shown in FIG.
  • the return light 31Rm is amplified by the laser amplifier in the process of reversing the laser optical path.
  • the return light sensor 82 is the case of the first embodiment.
  • the return light 31Rm amplified more than is detected.
  • the first threshold value and the second threshold value may be set to values larger than those in the first embodiment.
  • the first threshold value and the second threshold value are compared with the case of the first embodiment. Can be set to a large value. For this reason, discrimination from noise is facilitated, and determination of optical element damage diagnosis with higher accuracy becomes possible.
  • FIG. 7 schematically shows a configuration example of a laser system 300C according to the third embodiment.
  • the EUV light generation system 11 may include a laser system 300C instead of the laser system 300 according to the comparative example.
  • the laser system 300C includes a laser device 3C and a laser beam transmission device 34C.
  • the laser system 300 ⁇ / b> C further includes a return light sensor 82.
  • the return light sensor 82 may be disposed inside the laser device 3C, more specifically, inside the main pulse laser device 30M, as in the second embodiment.
  • the laser device 3C further includes a reference laser device in addition to the pre-pulse laser device 30P and the main pulse laser device 30M.
  • the reference laser device may be a pre-pulse guide laser device 30Pg and a main pulse guide laser device 30Mg.
  • the prepulse guide laser device 30Pg outputs a prepulse guide laser beam 31Pg that is coaxial with the prepulse laser beam 31P as a reference laser beam for the prepulse laser beam 31P.
  • the prepulse guide laser device 30Pg may output a prepulse guide laser beam laser 31Pg having a wavelength different from that of the prepulse laser beam 31P.
  • the main pulse guide laser device 30Mg outputs a main pulse guide laser beam 31Mg that is coaxial with the main pulse laser beam 31M as a reference laser beam for the main pulse laser beam 31M.
  • the main pulse guide laser device 30Mg may output a main pulse guide laser beam 31Mg having a wavelength different from that of the main pulse laser beam 31M.
  • the chamber window 73 may transmit the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M, and may reflect the pre-pulse guide laser beam laser 31Pg and the main pulse guide laser beam 31Mg.
  • the laser system 300C further includes an optical position detector (PSD: PositionDSensitive Detector) 83 as a third sensor that measures the reflected light 31Rg of the main pulse guide laser beam 31Mg and the prepulse guide laser beam 31Pg from the chamber window 73. You may prepare.
  • PSD PositionDSensitive Detector
  • PSD83 may measure the position (X, Y) and intensity of the reflected light 31Rg.
  • an optical sensor that detects at least the intensity of the reflected light 31Rg may be used instead of the PSD 83.
  • the beam controller 80 determines whether the chamber window 73 is damaged based on the detection result of the intensity of the reflected light 31Rg by the PSD 83. When it is determined that there is no abnormality in the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M and damage to the tilt mirror 72, the beam controller 80 determines that the intensity of the reflected light 31Rg is out of a predetermined intensity range. It may be a controller that determines that the chamber window 73 is damaged.
  • the chamber window 73 for introducing the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M into the chamber 2 may be arranged so that the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M do not enter 0 degree.
  • the normal line of the surface of the chamber window 73 is arranged to be inclined by several degrees with respect to the laser optical path. This is because when the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M are incident on the chamber window 73 at 0 degree, the surface reflected light becomes return light. Even the surface reflected light of the chamber window 73 is amplified by the laser amplifier, so there is a risk of destroying the upstream optical element.
  • the surface reflected light from the chamber window 73 deviates from the laser beam path. Therefore, it becomes difficult to detect the damage of the chamber window 73 by the return light sensor 82.
  • the chamber window 73 is structurally difficult to visually confirm, and it takes time to specify damage. Therefore, in the third embodiment, damage of the chamber window 73 is determined based on the measurement result of the PSD 83.
  • the reflection component on the surface of the chamber window 73 increases, and the intensity of the reflected light 31Rg can increase.
  • the reflected light 31Rg may deviate from the measurement surface of the PSD 83, and the intensity of the reflected light 31Rg may decrease.
  • the beam controller 80 can detect an abnormality in the reflected light 31Rg based on the intensity of the reflected light 31Rg at the PSD 83.
  • the threshold for detecting the abnormality of the reflected light 31Rg may have an upper limit and a lower limit.
  • the upper limit and lower limit values of the abnormality detection threshold of the reflected light 31Rg may be changed for each laser irradiation condition. For example, when the normal intensity detected by the PSD 83 is X, the upper limit may be 2X and the lower limit may be 0.5X.
  • the beam controller 80 may specify the cause of the abnormality depending on whether or not the intensity of the reflected light 31Rg at the PSD 83 exceeds the upper limit or lower limit threshold. This specification is based on the condition that there is no abnormality in the main pulse guide laser beam 31Mg and the prepulse guide laser beam 31Pg measured by the combiner sensor 81. For example, it may be assumed that one or more of the intensity, position, and size of the main pulse guide laser beam 31Mg and the pre-pulse guide laser beam 31Pg are measured within a predetermined range.
  • the upper and lower limits of the abnormality detection threshold of the reflected light 31Rg may be set to values that can detect the intensity change of the reflected light 31Rg when the chamber window 73 is damaged.
  • FIG. 8 schematically shows an example of a flowchart of optical element damage diagnosis in the laser system according to the third embodiment.
  • the beam controller 80 measures the light quantity of the return light 31Rm of the main pulse laser light 31M by the return light sensor 82 (step S201).
  • the beam controller 80 determines whether or not there is an abnormality in the measurement result by the combiner sensor 81 (step S202). For example, the beam controller 80 may determine whether or not the beam parameter of the pre-pulse laser beam 31P and the beam parameter beam parameter of the main pulse laser beam 31M measured by the combiner sensor 81 are abnormal.
  • the beam controller 80 determines that there is an abnormality in the beam combiner 71 or upstream thereof (step S203), and processing for optical element damage diagnosis Exit.
  • the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 stops the oscillation trigger to the laser device 3C, stops the operation of the laser device 3C, and displays an indicator (not shown) that may damage the optical element upstream of the laser optical path including the beam combiner 71. May be displayed. Thereby, the operator may check whether the beam combiner 71 or the optical element upstream thereof is damaged. If there is a damaged optical element, the operator may replace the damaged optical element.
  • the beam controller 80 detects the abnormality of the return light 31Rm based on the measurement value by the return light sensor 82.
  • the processing for detecting abnormality of the return light 31Rm based on the measurement value by the return light sensor 82 is substantially the same as steps S104 to S107 in FIG.
  • the return light 31 ⁇ / b> Rm is amplified by the laser amplifier in the process of reversing the laser optical path, and the return light sensor 82 receives the amplified return light 31 ⁇ / b> Rm more than in the first embodiment. Detected. For this reason, the first threshold value and the second threshold value may be set to values larger than those in the first embodiment.
  • the beam controller 80 may determine whether or not the light amount of the return light 31Rm is smaller than the first threshold based on the measurement value by the return light sensor 82 (step S204).
  • the beam controller 80 determines that the return light 31Rm is increased due to the just focus (step S205), and the optical element.
  • the damage diagnosis process is terminated.
  • the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 may stop the oscillation trigger to the laser device 3C.
  • the EUV light generation controller 5 may adjust the optical axis to avoid the just focus state. For example, the focusing position of the main pulse laser beam 31M may be shifted from the just focus position by adjustment by a focusing position adjusting mechanism (not shown).
  • the beam controller 80 When it is determined that the light amount of the return light 31Rm is smaller than the first threshold value (step S204; Y), the beam controller 80 next determines the light amount of the return light 31Rm based on the measurement value by the return light sensor 82. It may be determined whether or not the threshold value is smaller than 2 (step S206).
  • the beam controller 80 determines that the return light 31Rm is increased due to damage of the tilt mirror 27 (Step S207). Then, the optical element damage diagnosis process is terminated. In this case, as a response after the optical element damage diagnosis process, the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 may stop the oscillation trigger for the laser device 3C, stop the operation of the laser device 3C, and display the possibility of damage to the tilt mirror 27 on a display (not shown). Thereby, the operator may check whether or not the tilt mirror 72 is damaged. The operator may replace the tilt mirror 72 when the tilt mirror 72 is damaged.
  • the beam controller 80 When it is determined that the light amount of the return light 31Rm is smaller than the second threshold (step S206; Y), the beam controller 80 next determines that the intensity of the reflected light 31Rg is within the reference value based on the measurement value by the PSD 83. It may be determined whether or not there is (step S208).
  • the beam controller 80 determines that the intensity of the reflected light 31Rg is changed due to damage of the chamber window 73 (step S209), and the optical The element damage diagnosis process is terminated.
  • the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 may stop the oscillation trigger to the laser device 3C, stop the operation of the laser device 3C, and display the possibility of damage to the chamber window 73 on a display (not shown). Accordingly, the operator may check whether or not the chamber window 73 is damaged. The operator may replace the chamber window 73 when the chamber window 73 is damaged.
  • the beam controller 80 determines that there is no abnormality (step S210), and ends the optical element damage diagnosis process.
  • the determination is made by combining the measurement result of the main pulse guide laser beam 31Mg and the prepulse guide laser beam 31Pg measured by the combiner sensor 81 and the measurement result of the intensity of the reflected light 31Rg of the PSD 83.
  • damage to the chamber window 73 can be specified in a short time.
  • Embodiment 4> Laser system including a return light sensor for detecting return light of a pre-pulse laser beam
  • a laser system according to Embodiment 4 of the present disclosure will be described.
  • substantially the same components as those of the comparative example or the laser system according to any one of the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate.
  • FIG. 9 schematically shows a configuration example of a laser system 300D according to the fourth embodiment.
  • the EUV light generation system 11 may have a configuration including a laser system 300D instead of the laser system 300 according to the comparative example.
  • the laser system 300D includes a laser device 3D and a laser beam transmission device 34D.
  • the laser system 300D further includes a return light sensor 82.
  • the configuration of the laser device 3D may be substantially the same as that of the laser device 3 in the laser system 300 according to the comparative example.
  • the return light sensor 82 is provided in the path from the tilt mirror 72, which is a reflection optical system, to the inside of the main pulse laser device 30M.
  • the return mirror 82 is provided. It is provided in a path from 72 to the inside of the prepulse laser apparatus 30P.
  • the return light sensor 82 is configured to detect a part of the return light 31Rp that travels backward through the optical path of the pre-pulse laser light 31P.
  • the return light sensor 82 may be a power meter that detects the amount of the return light 31Rp.
  • the return light sensor 82 is provided on the optical path of the return light 31Rp of the prepulse laser light 31P reflected by the tilt mirror 72 and going back to the prepulse laser apparatus 30P, and detects a part of the return light 31Rp.
  • FIG. 9 shows an example in which the return light sensor 82 is disposed between the reflection mirror 93P and the reflection mirror 92P, but it is on the optical path of the return light 31Rp at another position in the laser light transmission device 34D. It may be provided.
  • the return light sensor 82 is connected to the beam controller 80 and outputs the detection result of the return light 31Rp to the beam controller 80.
  • the beam controller 80 when the combiner sensor 81 does not detect any abnormality in the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M, the light amount of the return light 31Rp detected by the return light sensor 82 is a predetermined light amount value.
  • the controller may determine that the tilt mirror 72 is damaged when the third threshold is exceeded.
  • FIG. 10 schematically shows an example of a flowchart of optical element damage diagnosis in the laser system 300D according to the fourth embodiment.
  • the beam controller 80 measures the amount of the return light 31Rp of the prepulse laser light 31P by the return light sensor 82 (step S301).
  • the beam controller 80 determines whether or not there is an abnormality in the measurement result by the combiner sensor 81 (step S302). For example, the beam controller 80 may determine whether or not the beam parameter of the pre-pulse laser beam 31P and the beam parameter beam parameter of the main pulse laser beam 31M measured by the combiner sensor 81 are abnormal.
  • the beam controller 80 determines that there is an abnormality in the measurement result by the combiner sensor 81 (step S302; N), the beam controller 80 determines that there is an abnormality in the beam combiner 71 or upstream thereof (step S303), and processing for optical element damage diagnosis Exit.
  • the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 stops the oscillation trigger to the laser device 3D, stops the operation of the laser device 3D, and displays an indicator (not shown) that may damage the optical element upstream of the laser light path including the beam combiner 71. May be displayed. Thereby, the operator may check whether the beam combiner 71 or the optical element upstream thereof is damaged. If there is a damaged optical element, the operator may replace the damaged optical element.
  • the beam controller 80 detects the abnormality of the return light 31Rp based on the measurement value by the return light sensor 82.
  • the threshold value for detecting the abnormality of the return light 31Rp may be one threshold value.
  • this is referred to as a third threshold value.
  • the third threshold value may be changed for each laser irradiation condition of the pre-pulse laser beam 31P and the main pulse laser beam 31M.
  • the third threshold value may be changed based on table data associated with the laser irradiation condition.
  • the beam controller 80 may determine whether the measured value of the return light 31Rp by the return light sensor 82 exceeds the third threshold value, and specify the cause of the abnormality.
  • the return light 31Rp can increase.
  • the third threshold value may be set to a value that can detect such an increase in the return light 31Rp.
  • the beam controller 80 may determine whether or not the light amount of the return light 31Rp is smaller than the third threshold value based on the measurement value by the return light sensor 82 (step S304).
  • the beam controller 80 determines that the return light 31Rp is increased due to damage of the tilt mirror 27 (step S305). Then, the optical element damage diagnosis process is terminated. In this case, as a response after the optical element damage diagnosis process, the beam controller 80 may issue an error signal including a diagnosis result to the EUV light generation controller 5, for example.
  • the EUV light generation controller 5 may stop the oscillation trigger to the laser device 3D, stop the operation of the laser device 3D, and display the possibility of damage to the tilt mirror 27 on a display (not shown). Thereby, the operator may check whether or not the tilt mirror 72 is damaged. The operator may replace the tilt mirror 72 when the tilt mirror 72 is damaged.
  • step S304 When it is determined that the amount of the return light 31Rp is smaller than the third threshold (step S304; Y), the beam controller 80 determines that there is no abnormality (step S306), and ends the optical element damage diagnosis process.
  • the beam controller 80 determines damage to optical elements such as the tilt mirror 72 in a short time based on the measurement value of the return light 31Rp of the prepulse laser light 31P by the return light sensor 82. obtain.
  • Embodiment 5> (Laser system including a return light sensor inside a pre-pulse laser apparatus) Next, a laser system according to Embodiment 5 of the present disclosure will be described.
  • substantially the same components as those of the comparative example or the laser system according to any of Embodiments 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate.
  • FIG. 11 schematically illustrates a configuration example of a laser system 300E according to the fifth embodiment.
  • FIG. 12 schematically illustrates a configuration example of the prepulse laser apparatus 30P in the laser system 300E according to the fifth embodiment.
  • the EUV light generation system 11 may have a configuration including a laser system 300E instead of the laser system 300 according to the comparative example.
  • the laser system 300E includes a laser device 3E and a laser beam transmission device 34E.
  • the laser system 300E further includes a return light sensor 82.
  • the configuration of the laser beam transmission apparatus 34E may be substantially the same as that of the laser beam transmission apparatus 34 in the laser system 300 according to the comparative example.
  • the return light sensor 82 is provided in the transmission path of the laser light transmission device 34D.
  • the return light sensor 82 is provided in the laser device 3E, more specifically, in the prepulse laser device 30P. Arranged inside.
  • the prepulse laser device 30P may include a master oscillator (MO) 110P, an optical element 122, a laser amplifier 123, and an optical shutter 124, as shown in FIG.
  • the laser amplifier 123 may include one or more amplifiers.
  • the one or more amplifiers may be laser amplifiers using YAG crystal as a laser medium.
  • the pre-pulse laser apparatus 30P may further include a beam splitter 121 disposed between the master oscillator 110P and the laser amplifier 123.
  • the return light sensor 82 may be disposed between the master oscillator 110P and the laser amplifier 123. The return light sensor 82 detects the light amount of the return light 31Rp after passing backward through the laser amplifier 123.
  • the return light sensor 82 may be configured to detect the return light 31Rp branched by the beam splitter 121 disposed in the laser light path. In FIG. 12, the return light sensor 82 is disposed on the optical path of the return light 31 ⁇ / b> Rp that has passed through the beam splitter 121.
  • optical element damage diagnosis process in the laser system 300E according to the fifth embodiment may be performed in the same manner as the laser system 300D according to the fourth embodiment, as shown in FIG.
  • the return light 31Rp is amplified by the laser amplifier 123 in the process of reversing the laser optical path.
  • the return light sensor 82 detects the return light 31Rp amplified more than in the case of the fourth embodiment. For this reason, you may set a 3rd threshold value larger than the case of Embodiment 4.
  • FIG. 1 is a diagrammatic representation of the return light 31Rp in the laser system 300E according to the fifth embodiment.
  • the measurement value of the return light sensor 82 is that of the amplified return light 31Rp, so the third threshold value can be set to a larger value than in the case of the fourth embodiment. For this reason, discrimination from noise is facilitated, and determination of optical element damage diagnosis with higher accuracy becomes possible.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

本開示によるレーザシステムは、レーザ光を出射するレーザ装置と、レーザ装置とＥＵＶ光が生成されるＥＵＶチャンバ内に供給されたターゲットとの間の経路に配置された伝送光学系と、伝送光学系とターゲットとの間の経路に配置され、伝送光学系からのレーザ光をターゲットの方向に反射する反射光学系と、伝送光学系と反射光学系との間の経路に設けられ、レーザ装置から反射光学系へと向かうレーザ光を検出する第１のセンサと、反射光学系からレーザ装置の内部に至る経路に設けられ、反射光学系により反射されレーザ装置へと逆行するレーザ光の戻り光を検出する第２のセンサと、第１のセンサによってレーザ光の異常が検出されなかった場合において、第２のセンサにより検出された戻り光の光量が所定の光量値を超えた場合に、反射光学系に損傷が有ると判定する制御部とを備える。

Description

レーザシステム、及びＥＵＶ光生成システム
　本開示は、レーザシステム、及びＥＵＶ光生成システムに関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特開昭６２－１７３６２９号公報 国際公開第２０１６／１４２９９５号 特開昭６１－１５５８３３号公報
概要
　本開示のレーザシステムは、レーザ光を出射するレーザ装置と、レーザ装置とＥＵＶ光が生成されるＥＵＶチャンバ内に供給されたターゲットとの間の経路に配置された伝送光学系と、伝送光学系とターゲットとの間の経路に配置され、伝送光学系からのレーザ光をターゲットの方向に反射する反射光学系と、伝送光学系と反射光学系との間の経路に設けられ、レーザ装置から反射光学系へと向かうレーザ光を検出する第１のセンサと、反射光学系からレーザ装置の内部に至る経路に設けられ、反射光学系により反射されレーザ装置へと逆行するレーザ光の戻り光を検出する第２のセンサと、第１のセンサによってレーザ光の異常が検出されなかった場合において、第２のセンサにより検出された戻り光の光量が所定の光量値を超えた場合に、反射光学系に損傷が有ると判定する制御部とを備える。
　本開示のＥＵＶ光生成システムは、ＥＵＶ光が生成されるＥＵＶチャンバと、レーザ光を出射するレーザ装置と、レーザ装置とＥＵＶチャンバ内に供給されたターゲットとの間の経路に配置された伝送光学系と、伝送光学系とターゲットとの間の経路に配置され、伝送光学系からのレーザ光をターゲットの方向に反射する反射光学系と、伝送光学系と反射光学系との間の経路に設けられ、レーザ装置から反射光学系へと向かうレーザ光を検出する第１のセンサと、反射光学系からレーザ装置の内部に至る経路に設けられ、反射光学系により反射されレーザ装置へと逆行するレーザ光の戻り光を検出する第２のセンサと、第１のセンサによってレーザ光の異常が検出されなかった場合において、第２のセンサにより検出された戻り光の光量が所定の光量値を超えた場合に、反射光学系に損傷が有ると判定する制御部とを備える。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示す。 図２は、ＥＵＶ光生成システムに適用される比較例に係るレーザシステムの一構成例を概略的に示す。 図３は、実施形態１に係るレーザシステムの一構成例を概略的に示す。 図４は、実施形態１に係るレーザシステムにおける光学素子損傷診断のフローチャートの一例を概略的に示す。 図５は、実施形態２に係るレーザシステムの一構成例を概略的に示す。 図６は、実施形態２に係るレーザシステムにおけるメインパルスレーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図７は、実施形態３に係るレーザシステムの一構成例を概略的に示す。 図８は、実施形態３に係るレーザシステムにおける光学素子損傷診断のフローチャートの一例を概略的に示す。 図９は、実施形態４に係るレーザシステムの一構成例を概略的に示す。 図１０は、実施形態４に係るレーザシステムにおける光学素子損傷診断のフローチャートの一例を概略的に示す。 図１１は、実施形態５に係るレーザシステムの一構成例を概略的に示す。 図１２は、実施形態５に係るレーザシステムにおけるプリパルスレーザ装置の一構成例を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
＜１．ＥＵＶ光生成装置の全体説明＞（図１）
　１．１　構成
　１．２　動作
＜２．比較例＞（レーザ光伝送装置を含むレーザシステム）（図２）
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　課題
＜３．実施形態１＞（メインパルスレーザ光の戻り光を検出する戻り光センサを備えたレーザシステム）（図３～図４）
　３．１　構成
　３．２　動作
　３．３　作用・効果
＜４．実施形態２＞（メインパルスレーザ装置の内部に戻り光センサを備えたレーザシステム）（図５～図６）
　４．１　構成
　４．２　動作
　４．３　作用・効果
＜５．実施形態３＞（チャンバウインドウの損傷を診断することを可能にしたレーザシステム）（図７～図８）
　５．１　構成
　５．２　動作
　５．３　作用・効果
＜６．実施形態４＞（プリパルスレーザ光の戻り光を検出する戻り光センサを備えたレーザシステム）（図９～図１０）
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用・効果
＜７．実施形態５＞（プリパルスレーザ装置の内部に戻り光センサを備えたレーザシステム）（図１１～図１２）
　７．１　構成
　７．２　動作
　７．３　作用・効果
＜８．その他＞
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
　以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。
　なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜１．ＥＵＶ光生成装置の全体説明＞
［１．１　構成］
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられる場合がある。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部に供給するよう構成され、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられる。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組み合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられ、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成コントローラ５、ターゲットセンサ４等を含む。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度のうちいずれか又は複数を検出するよう構成される。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられる。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置される。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。
［１．２　動作］
　図１を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射される。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット物質によって形成されたターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成される。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力さる。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成コントローラ５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成される。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理するよう構成される。ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光生成コントローラ５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成コントローラ５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
＜２．比較例＞（レーザ光伝送装置を含むレーザシステム）
［２．１　構成］
　図２に、例えば図１に示したＥＵＶ光生成システム１１に適用される比較例に係るレーザシステム３００の一構成例を概略的に示す。なお、以下では図１の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
　ＥＵＶ光生成システム１１は、チャンバ２と、ＥＵＶ光生成コントローラ５と、レーザシステム３００とを備えた構成であってもよい。
　チャンバ２は、上述したように、内部にターゲット２７が供給され、ＥＵＶ光２５２が生成されるＥＵＶチャンバである。チャンバ２は、設置機構２０３を介してクリーンルームフロア２０２に設置されている。
　チャンバ２は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍをチャンバ２内に向けて通過させるチャンバウインドウ７３を含んでいる。チャンバ２は、内部に供給されたターゲット２７にプリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍを集光させるフォーカスユニット（ＦＵ）７４を含んでもよい。
　レーザシステム３００は、レーザ装置３と、レーザ光伝送装置３４とを備えている。
　レーザ装置３は、サブファブフロア２０１に設置されている。レーザ装置３は、プリパルスレーザ装置３０Ｐと、メインパルスレーザ装置３０Ｍとを備えている。
　プリパルスレーザ装置３０Ｐは、例えばｐｓ（ピコ秒）又はｎｓ（ナノ秒）オーダのパルス幅のプリパルスレーザ光３１Ｐを出力するレーザ装置である。
　メインパルスレーザ装置３０Ｍは、メインパルスレーザ光３１Ｍを出力するＣＯ2レーザ装置であってもよい。メインパルスレーザ光３１Ｍは、プリパルスレーザ光３１Ｐとは異なる波長のレーザ光であってもよい。
　レーザ光伝送装置３４は、チャンバ２とレーザ装置３とを接続してもよい。
　レーザ光伝送装置３４は、ビームコンバイナ７１と、チルトミラー７２と、コンバイナセンサ８１と、ビームコントローラ８０と、ビーム調節装置９０と、複数の反射ミラー９１Ｍ，９２Ｍ，９３Ｍ，９４Ｍと、複数の反射ミラー９１Ｐ，９２Ｐ，９３Ｐ，９４Ｐ，９５Ｐとを備えている。
　ビーム調節装置９０は、プリパルスレーザ装置３０Ｐが出力するプリパルスレーザ光３１Ｐの光路上に配置されてもよい。ビーム調節装置９０はプリパルスレーザ光３１Ｐのビームパラメータを調節するよう構成されてもよい。ビームパラメータは、例えば、ビーム位置、ビーム形状、ビーム断面積、ダイバージェンス、波面、及びビームの進行方向等であってもよい。
　ビームコンバイナ７１は、プリパルスレーザ光３１Ｐの光路とメインパルスレーザ光３１Ｍの光路とが交差する位置に配置されている。ビームコンバイナ７１は、ビーム調節装置９０から出力されたプリパルスレーザ光３１Ｐの光路と、メインパルスレーザ装置３０Ｍから出力されたメインパルスレーザ光３１Ｍの光路とを略一致させるように配置されている。ビームコンバイナ７１は、例えば、プリパルスレーザ光３１Ｐの波長を高反射し、メインパルスレーザ光３１Ｍの波長を高透過するダイクロイックミラーであってもよい。
　コンバイナセンサ８１は、ビームコンバイナ７１により分岐されたメインパルスレーザ光３１Ｍの一部とプリパルスレーザ光３１Ｐの一部とを検出する第１のセンサであってもよい。コンバイナセンサ８１は、例えば、ビームコンバイナ７１を透過したプリパルスレーザ光３１Ｐのビームパラメータと、ビームコンバイナ７１で反射されたメインパルスレーザ光３１Ｍのビームパラメータとを計測するように構成されてもよい。
　ビームコントローラ８０は、ＥＵＶ光生成コントローラ５と、コンバイナセンサ８１と、ビーム調節装置９０とに接続されている。
　複数の反射ミラー９１Ｍ，９２Ｍ，９３Ｍ，９４Ｍは、メインパルスレーザ装置３０Ｍからのメインパルスレーザ光３１Ｍをチャンバ２まで導く伝送経路の一部を構成するように配置されている。
　複数の反射ミラー９１Ｐ，９２Ｐ，９３Ｐ，９４Ｐ，９５Ｐは、プリパルスレーザ装置３０Ｐからのプリパルスレーザ光３１Ｐをチャンバ２まで導く伝送経路の一部を構成するように配置されている。
　チルトミラー７２は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍに対して不透明な基板と、基板上に形成され、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍを反射する金属膜とを備えた反射ミラーであってもよい。レーザ光に対して不透明な基板は、ＳｉＣ又は銅であってもよい。金属膜の材質は金であってもよい。金属膜に代えて、誘電体膜を備えた反射ミラーであってもよい。
　レーザ光伝送装置３４は、レーザ装置３とチャンバ２内に供給されたターゲット２７との間の経路に配置された伝送光学系を含んでいる。この伝送光学系は、ビーム調節装置９０と、複数の反射ミラー９１Ｍ，９２Ｍ，９３Ｍ，９４Ｍと、複数の反射ミラー９１Ｐ，９２Ｐ，９３Ｐ，９４Ｐ，９５Ｐとを含んでもよい。
　レーザ光伝送装置３４は、伝送光学系とターゲット２７との間の経路に配置された反射光学系を含んでいる。この反射光学系は、伝送光学系からのプリパルスレーザ光３１Ｐ、及びメインパルスレーザ光３１Ｍをターゲット２７の方向に反射するよう構成される。この反射光学系は、チルトミラー７２を含んでもよい。チャンバ２におけるフォーカスユニット７４を、レーザ光伝送装置３４における反射光学系に含めてもよい。伝送光学系と反射光学系との間には、ビームコンバイナ７１が配置されてもよい。
　その他、レーザ光伝送装置３４は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍの伝送経路を遮蔽する複数の光路管を備えてもよい。
［２．２　動作］
　レーザ装置３は、プリパルスレーザ光３１Ｐ、及びメインパルスレーザ光３１Ｍの順に各レーザ光を出力してもよい。
　プリパルスレーザ光３１Ｐは、ビーム調節装置９０と複数の反射ミラー９１Ｐ，９２Ｐ，９３Ｐ，９４Ｐ，９５Ｐを含む伝送経路とを介してビームコンバイナ７１に導かれる。プリパルスレーザ光３１Ｐの一部は、ビームコンバイナ７１を透過してコンバイナセンサ８１に入射する。一方、ビームコンバイナ７１にて反射されたプリパルスレーザ光３１Ｐは、チルトミラー７２及びチャンバウインドウ７３によってチャンバ２の内部に導入される。
　メインパルスレーザ光３１Ｍは、複数の反射ミラー９１Ｍ，９２Ｍ，９３Ｍ，９４Ｍを含む伝送経路を介してビームコンバイナ７１に導かれる。メインパルスレーザ光３１Ｍの一部は、ビームコンバイナ７１を反射してコンバイナセンサ８１に入射する。一方、ビームコンバイナ７１を透過したメインパルスレーザ光３１Ｍは、チルトミラー７２及びチャンバウインドウ７３によってチャンバ２の内部に導入される。
　コンバイナセンサ８１は、プリパルスレーザ光３１Ｐのビームパラメータ及びメインパルスレーザ光３１Ｍのビームパラメータを計測し得る。
　コンバイナセンサ８１によるビームパラメータの計測値はビームコントローラ８０に入力される。ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１により計測されたビームパラメータが所望の値となるように、ビーム調節装置９０を制御する。
　ターゲット２７は、チャンバ２に導かれフォーカスユニット７４によって集光されたプリパルスレーザ光３１Ｐによって照射されることで拡散し得る。その後、拡散されたターゲット２７にフォーカスユニット７４によって集光されたメインパルスレーザ光３１Ｍが照射されることで、ターゲット２７がプラズマ化し、プラズマからＥＵＶ光２５２が放射され得る。
［２．３　課題］
　ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１により計測されたビームパラメータが異常である場合、ビームコンバイナ７１を含むレーザ光路の上流におけるアライメント異常や光学素子の損傷を検出し得る。ビームコントローラ８０は、例えば、ビーム形状に著しい非対称性が認められる場合、ＥＵＶ光生成コントローラ５にエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、エラー信号を受信すると、ビームコンバイナ７１を含むレーザ光路の上流の光学素子の損傷の可能性を不図示の表示器に表示して、プリパルスレーザ光３１Ｐ、及びメインパルスレーザ光３１Ｍの出力を停止してもよい。
　コンバイナセンサ８１では、ビームコンバイナ７１とレーザ装置３との間の光路上の光学素子の損傷等を検出し得るものの、ビームコンバイナ７１とチャンバ２内のターゲット２７との間の経路に配置された光学素子、例えばチルトミラー７２の損傷等は検出できない。比較例に係るレーザシステム３００では、ビームコンバイナ７１からチャンバ２内のターゲット２７までの経路における光学素子の損傷等は、生成されるＥＵＶ光２５２の出力の低下という形でしか表れない。ＥＵＶ光２５２の出力の低下の要因としては、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率低下やターゲット２７の出力異常等、パルスレーザ光の経路以外の可能性も想定される。このため、ビームコンバイナ７１からチャンバ２内のターゲット２７までの経路における光学素子の損傷等の原因の特定に時間が掛かる、又は特定そのものが困難である。
　そこで、ビームコンバイナ７１からチャンバ２内のターゲット２７までの経路における光学素子の損傷等の特定を容易にする技術の開発が望まれる。
＜３．実施形態１＞（メインパルスレーザ光の戻り光を検出する戻り光センサを備えたレーザシステム）
　次に、本開示の実施形態１に係るレーザシステムについて説明する。なお、以下では上記比較例に係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［３．１　構成］
　図３は、実施形態１に係るレーザシステム３００Ａの一構成例を概略的に示している。
　ＥＵＶ光生成システム１１は、上記比較例に係るレーザシステム３００に代えてレーザシステム３００Ａを備えた構成であってもよい。
　レーザシステム３００Ａは、レーザ装置３Ａと、レーザ光伝送装置３４Ａとを備えている。レーザシステム３００Ａは、さらに、戻り光センサ８２を備えている。
　レーザ装置３Ａの構成は、上記比較例に係るレーザシステム３００におけるレーザ装置３と略同様であってもよい。
　レーザシステム３００Ａは、上記比較例に係るレーザ光伝送装置３４に代えてレーザ光伝送装置３４Ａを備えている。
　戻り光センサ８２は、反射光学系であるチルトミラー７２からメインパルスレーザ装置３０Ｍの内部に至る経路中に設けられていればよい。
　実施形態１では、戻り光センサ８２は、メインパルスレーザ光３１Ｍの光路を逆行する戻り光３１Ｒｍの一部を検出するように構成されている。戻り光センサ８２は、戻り光３１Ｒｍの光量を検出するパワーメータであってもよい。戻り光センサ８２は、チルトミラー７２により反射されメインパルスレーザ装置３０Ｍへと逆行するメインパルスレーザ光３１Ｍの戻り光３１Ｒｍの光路上に設けられ、戻り光３１Ｒｍの一部を検出する。なお、図３では、戻り光センサ８２を、反射ミラー９３Ｍと反射ミラー９２Ｍとの間に配置した例を示しているが、レーザ光伝送装置３４Ａ内の他の位置における戻り光３１Ｒｍの光路上に設けられていてもよい。
　戻り光センサ８２は、ビームコントローラ８０に接続され、ビームコントローラ８０に戻り光３１Ｒｍの検出結果を出力する。
　ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１によってプリパルスレーザ光３１Ｐ、及びメインパルスレーザ光３１Ｍの異常が検出されなかった場合において、戻り光センサ８２により検出された戻り光３１Ｒｍの光量が所定の光量値を超えた場合に、チルトミラー７２に損傷が有ると判定する制御部であってもよい。ビームコントローラ８０は、戻り光３１Ｒｍの光量が第１の閾値である第１の光量値よりも小さく、第２の閾値である第２の光量値よりも大きい場合に、チルトミラー７２に損傷が有ると判定してもよい。
　その他の構成は、上記比較例に係るレーザシステム３００と略同様であってもよい。
［３．２　動作］
　図４は、実施形態１に係るレーザシステム３００Ａにおける光学素子損傷診断のフローチャートの一例を概略的に示している。
　ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２によって、メインパルスレーザ光３１Ｍの戻り光３１Ｒｍの光量を計測する（ステップＳ１０１）。
　ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が有るか否かを判定する（ステップＳ１０２）。例えば、ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１により計測されたプリパルスレーザ光３１Ｐのビームパラメータ及びメインパルスレーザ光３１Ｍのビームパラメータビームパラメータに異常が有るか否かを判定してもよい。
　コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が有ると判定した場合（ステップＳ１０２；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、ビームコンバイナ７１又はその上流に異常があると判定（ステップＳ１０３）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ａへの発振トリガを停止し、レーザ装置３Ａの動作を停止し、ビームコンバイナ７１を含むレーザ光路の上流の光学素子の損傷の可能性を不図示の表示器に表示してもよい。これによりオペレータは、ビームコンバイナ７１又はその上流の光学素子に損傷があるか否かのチェックを行ってもよい。オペレータは、損傷した光学素子があった場合、損傷した光学素子の交換を実施しても良い。
　コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が無いと判定した場合（ステップＳ１０２；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２による計測値に基づいて、戻り光３１Ｒｍの異常を検出する。
　戻り光３１Ｒｍの異常の検出の閾値は第１の閾値と第２の閾値との２つであってよい。また、（第１の閾値）＞（第２の閾値）であってよい。
　第１の閾値と第２の閾値は、プリパルスレーザ光３１Ｐ、及びメインパルスレーザ光３１Ｍのレーザ照射条件毎に変化させてもよい。例えば、レーザ照射条件に対応付けたテーブルデータに基づいて、第１の閾値と第２の閾値とを変化させてもよい。
　第１の閾値は、例えば光学素子の耐性に基づいて事前に設定された値であってもよい。例えばレーザシステム３００Ａ内にＥＯ（電気光学）素子を含む場合には、ＥＯ素子の耐性に基づいて事前に設定された値であってもよい。
　第２の閾値は、レーザ照射条件毎の標準的な戻り光３１Ｒｍの強度に基づいて設定された値であってもよい。例えば、レーザ照射条件毎の標準的な戻り光３１Ｒｍの強度の２倍を第２の閾値としてもよい。
　ここで、一般的に、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光に対する戻り光の強度［Ｗ］は、以下の式に比例し得る。Ｐは、プラズマ化されたターゲット２７の位置におけるパルスレーザ光の出力値を示す。ｆはレーザ周波数を示す。Ｄは、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光のパルスのＤｕｔｙを示す。Ｒは、ターゲット２７に照射されるパルスレーザ光に対する戻り光の割合を示す。戻り光の割合は、例えばレーザシステム３００Ａ内に設けられたアイソレータによる減衰率、レーザシステム３００Ａ内に設けられたレーザ増幅器による増幅率、レーザシステム３００Ａ内に設けられた光学素子の反射率などを考慮した値であってもよい。
　Ｐ［ｍＪ］＊ｆ［ｋＨｚ］＊Ｄ［％］＊Ｒ［％］
　ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２による戻り光３１Ｒｍの計測値が第１の閾値と第２の閾値とのいずれを超えているかを判定し、異常の原因を特定してもよい。
　ここで、ターゲット２７へのメインパルスレーザ光３１Ｍのジャストフォーカスが発生すると、戻り光３１Ｒｍが急激に増加し、光学素子の損傷が発生し得る。ここで、ジャストフォーカスとは、メインパルスレーザ光３１Ｍのビームウエストの位置とターゲット２７の位置とが略一致した状態を示す。第１の閾値は、ジャストフォーカスが発生した場合の戻り光３１Ｒｍの増加を検出できるような値に設定してもよい。
　ビームコンバイナ７１よりも下流の経路、換言すれば、ビームコンバイナ７１とターゲット２７との間の経路におけるチルトミラー７２等の光学素子の損傷が発生すると、その光学素子の表面での反射光が増え、戻り光３１Ｒｍが増加し得る。第２の閾値は、そのような戻り光３１Ｒｍの増加を検出できるような値に設定してもよい。
　ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２による計測値に基づいて、戻り光３１Ｒｍの光量が第１の閾値より小さいか否かを判定してもよい（ステップＳ１０４）。
　戻り光３１Ｒｍの光量が第１の閾値よりも小さくないと判定した場合（ステップＳ１０４；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、ジャストフォーカスによる戻り光３１Ｒｍの増加であると判定（ステップＳ１０５）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ａへの発振トリガを停止してもよい。そして、ＥＵＶ光生成コントローラ５は、光軸調整を行い、ジャストフォーカス状態を回避してもよい。例えば、不図示の集光位置調整機構による調整によりメインパルスレーザ光３１Ｍの集光位置をジャストフォーカスの位置からずらすようにしてもよい。
　戻り光３１Ｒｍの光量が第１の閾値よりも小さいと判定した場合（ステップＳ１０４；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、次に、戻り光センサ８２による計測値に基づいて、戻り光３１Ｒｍの光量が第２の閾値より小さいか否かを判定してもよい（ステップＳ１０６）。
　戻り光３１Ｒｍの光量が第２の閾値よりも小さくないと判定した場合（ステップＳ１０６；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、チルトミラー２７の損傷による戻り光３１Ｒｍの増加であると判定（ステップＳ１０７）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ａへの発振トリガを停止し、レーザ装置３Ａの動作を停止し、チルトミラー２７の損傷の可能性を不図示の表示器に表示してもよい。これによりオペレータは、チルトミラー７２に損傷があるか否かのチェックを行ってもよい。オペレータは、チルトミラー７２に損傷があった場合、チルトミラー７２の交換を実施しても良い。
　戻り光３１Ｒｍの光量が第２の閾値よりも小さいと判定した場合（ステップＳ１０６；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、異常無しと判定（ステップＳ１０８）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。
　なお、以上の説明では、チルトミラー７２の損傷を検出する場合を例にしたが、ビームコンバイナ７１とターゲット２７との間のその他の反射光学系の損傷もチルトミラー７２の場合と同様にして損傷を検出し得る。例えば、フォーカスユニット７４の損傷も検出し得る。
　その他の動作は、上記比較例に係るレーザシステム３００と略同様であってもよい。
［３．３　作用・効果］
　実施形態１のレーザシステム３００Ａによれば、ビームコントローラ８０は戻り光センサ８２の計測値に基づいて、チルトミラー７２等の光学素子の損傷を短時間に判定し得る。
　ビームコンバイナ７１より下流の光学素子の損傷による戻り光３１Ｒｍの増加は、ジャストフォーカスによる戻り光３１Ｒｍの増加に比べ少ない。そのため、戻り光３１Ｒｍの光量が第１の閾値よりも大きい場合、原因はジャストフォーカスによる戻り光３１Ｒｍの増加であると判定し得る。また、戻り光３１Ｒｍの光量が、第１の閾値よりも小さく、第２の閾値よりも大きい場合、ビームコンバイナ７１より下流の光学素子、特にチルトミラー７２の損傷と判定し得る。
　チルトミラー７２は、例えば銅による基板と金による金属膜とを含む構成であるため、損傷すると金属膜あるいは基板の表面が荒れてメインパルスレーザ光３１Ｍを乱反射することがある。チルトミラー７２の損傷による乱反射光は戻り光センサ８２で検出可能な程度の強度を有することが多い。このため、戻り光センサ８２の計測値に基づいて、チルトミラー７２の損傷の判定が可能となる。
＜４．実施形態２＞（メインパルスレーザ装置の内部に戻り光センサを備えたレーザシステム）
　次に、本開示の実施形態２に係るレーザシステムについて説明する。なお、以下では上記比較例、又は実施形態１に係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［４．１　構成］
　図５は、実施形態２に係るレーザシステム３００Ｂの一構成例を概略的に示している。図６は、実施形態２に係るレーザシステム３００Ｂにおけるメインパルスレーザ装置３０Ｍの一構成例を概略的に示している。
　ＥＵＶ光生成システム１１は、上記比較例に係るレーザシステム３００に代えてレーザシステム３００Ｂを備えた構成であってもよい。
　レーザシステム３００Ｂは、レーザ装置３Ｂと、レーザ光伝送装置３４Ｂとを備えている。レーザシステム３００Ｂは、さらに、戻り光センサ８２を備えている。
　レーザ光伝送装置３４Ｂの構成は、上記比較例に係るレーザシステム３００におけるレーザ光伝送装置３４と略同様であってもよい。
　実施形態１では、レーザ光伝送装置３４Ａにおける伝送経路に戻り光センサ８２を設けるようにしたが、本実施形態２では、戻り光センサ８２がレーザ装置３Ｂの内部、より詳しくはメインパルスレーザ装置３０Ｍの内部に配置されている。
　メインパルスレーザ装置３０Ｍは、図６に示したように、マスタオシレータ（ＭＯ）１１０Ｍと、レーザ増幅器とを含んでいてもよい。レーザ増幅器は、１又は複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋを含んでいてもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋはそれぞれ、ＣＯ2レーザガスをレーザ媒質とするレーザ増幅器であってもよい。なお、実施形態１のレーザ装置３Ａにおけるメインパルスレーザ装置３０Ｍも略同様に、マスタオシレータ（ＭＯ）１１０Ｍと、レーザ増幅器とを備えた構成であってもよい。
　メインパルスレーザ装置３０Ｍは、さらに、マスタオシレータ１１０Ｍとレーザ増幅器との間に配置されたビームスプリッタ１１１を含んでいてもよい。戻り光センサ８２は、マスタオシレータ１１０Ｍとレーザ増幅器との間、あるいは、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋのうち、任意の２つの増幅器間に配置されていてもよい。戻り光センサ８２は、少なくとも１つの増幅器を逆行通過した後の戻り光３１Ｒｍの光量を検出する。
　戻り光センサ８２は、レーザ光路に配置されたビームスプリッタ１１１で分岐された戻り光３１Ｒｍを検出するよう構成されてもよい。図６では、ビームスプリッタ１１１を透過した戻り光３１Ｒｍの光路上に戻り光センサ８２を配置している。
　その他の構成は、上記比較例、又は実施形態１に係るレーザシステムと略同様であってもよい。
［４．２　動作］
　実施形態２に係るレーザシステム３００Ｂにおける光学素子損傷診断の処理は、実施形態１に係るレーザシステム３００Ａと略同様に、図４に示した処理を行ってもよい。
　ただし、実施形態２に係るレーザシステム３００Ｂでは、戻り光３１Ｒｍはレーザ光路を逆行する過程で、レーザ増幅器によって増幅される。ターゲット２７へのメインパルスレーザ光３１Ｍのジャストフォーカスが発生した場合と、ビームコンバイナ７１よりも下流の光学素子の損傷が発生した場合とのいずれにおいても、戻り光センサ８２では、実施形態１の場合よりも増幅された戻り光３１Ｒｍが検出される。このため、第１の閾値と第２の閾値は、実施形態１の場合よりも大きい値に設定してもよい。
　その他の動作は、上記比較例、又は実施形態１に係るレーザシステムと略同様であってもよい。
［４．３　作用・効果］
　実施形態２のレーザシステム３００Ｂによれば、戻り光センサ８２の計測値は増幅された戻り光３１Ｒｍのものとなるため、第１の閾値と第２の閾値とを実施形態１の場合に比べて大きい値に設定できる。このため、ノイズとの識別が容易となり、より精度の高い光学素子損傷診断の判定が可能となる。
　その他の作用・効果は、上記比較例、又は実施形態１に係るレーザシステムと略同様であってもよい。
＜５．実施形態３＞（チャンバウインドウの損傷を診断することを可能にしたレーザシステム）
　次に、本開示の実施形態３に係るレーザシステムについて説明する。なお、以下では上記比較例、又は実施形態１若しくは２に係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［５．１　構成］
　図７は、実施形態３に係るレーザシステム３００Ｃの一構成例を概略的に示している。
　ＥＵＶ光生成システム１１は、上記比較例に係るレーザシステム３００に代えてレーザシステム３００Ｃを備えた構成であってもよい。
　レーザシステム３００Ｃは、レーザ装置３Ｃと、レーザ光伝送装置３４Ｃとを備えている。レーザシステム３００Ｃは、さらに、戻り光センサ８２を備えている。
　戻り光センサ８２は、実施形態２と略同様に、レーザ装置３Ｃの内部、より詳しくはメインパルスレーザ装置３０Ｍの内部に配置されていてもよい。
　レーザ装置３Ｃは、プリパルスレーザ装置３０Ｐとメインパルスレーザ装置３０Ｍとに加えて、さらに、参照レーザ装置を備えている。参照レーザ装置は、プリパルスガイドレーザ装置３０Ｐｇとメインパルスガイドレーザ装置３０Ｍｇとであってもよい。
　プリパルスガイドレーザ装置３０Ｐｇは、プリパルスレーザ光３１Ｐに対する参照レーザ光として、プリパルスレーザ光３１Ｐと同軸となるプリパルスガイドレーザ光３１Ｐｇを出力する。プリパルスガイドレーザ装置３０Ｐｇは、プリパルスレーザ光３１Ｐとは異なる波長のプリパルスガイドレーザ光レーザ３１Ｐｇを出力してもよい。
　メインパルスガイドレーザ装置３０Ｍｇは、メインパルスレーザ光３１Ｍに対する参照レーザ光として、メインパルスレーザ光３１Ｍと同軸となるメインパルスガイドレーザ光３１Ｍｇを出力する。メインパルスガイドレーザ装置３０Ｍｇは、メインパルスレーザ光３１Ｍとは異なる波長のメインパルスガイドレーザ光３１Ｍｇを出力してもよい。
　チャンバウインドウ７３は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍを透過し、プリパルスガイドレーザ光レーザ３１Ｐｇ及びメインパルスガイドレーザ光３１Ｍｇを反射してもよい。
　レーザシステム３００Ｃは、さらに、チャンバウインドウ７３からのメインパルスガイドレーザ光３１Ｍｇ及びプリパルスガイドレーザ光３１Ｐｇの反射光３１Ｒｇを計測する第３のセンサとしての光位置検出器（ＰＳＤ：Position Sensitive Detector）８３を備えてもよい。
　ＰＳＤ８３は、反射光３１Ｒｇの位置（Ｘ，Ｙ）と強度とを計測してもよい。なお、光学素子損傷診断を行うだけの目的であれば、ＰＳＤ８３に代えて、少なくとも反射光３１Ｒｇの強度を検出する光センサを用いてもよい。
　ビームコントローラ８０は、ＰＳＤ８３による反射光３１Ｒｇの強度の検出結果に基づいて、チャンバウインドウ７３の損傷の有無を判定する。ビームコントローラ８０は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍの異常とチルトミラー７２の損傷とが共に無いと判定された場合において、反射光３１Ｒｇの強度が所定の強度範囲から外れた場合に、チャンバウインドウ７３に損傷が有ると判定する制御部であってもよい。
　その他の構成は、上記比較例、又は実施形態１若しくは２に係るレーザシステムと略同様であってもよい。
［５．２　動作］
　プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍをチャンバ２に導入するためのチャンバウインドウ７３は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍが０度入射しないように配置されることがある。例えば、チャンバウインドウ７３の表面の法線が、レーザ光路に対して数度傾けて配置される。この理由は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍがチャンバウインドウ７３に０度入射すると、表面反射光が戻り光となるからである。チャンバウインドウ７３の表面反射光であってもレーザ増幅器によって増幅されるので上流の光学素子を破壊する危険性がある。
　プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍが０度入射しないように配置された場合、チャンバウインドウ７３による表面反射光はレーザ光路から逸れる。従ってチャンバウインドウ７３の損傷は戻り光センサ８２で検出することが困難となる。チャンバウインドウ７３は、構造上目視確認が困難で、損傷特定には時間が掛かる。そこで、本実施形態３では、ＰＳＤ８３の計測結果に基づいて、チャンバウインドウ７３の損傷の判定を行う。
　チャンバウインドウ７３に損傷が生じると、チャンバウインドウ７３の表面での反射成分が増加し、反射光３１Ｒｇの強度が増加し得る。また、損傷の状態によっては、反射光３１ＲｇがＰＳＤ８３の計測面上からずれ、反射光３１Ｒｇの強度が低下し得る。
　ビームコントローラ８０はＰＳＤ８３での反射光３１Ｒｇの強度に基づいて、反射光３１Ｒｇの異常を検出し得る。
　反射光３１Ｒｇの異常検出の閾値は上限と下限があってもよい。反射光３１Ｒｇの異常検出の閾値の上限と下限の値は、レーザ照射条件毎に変化させてもよい。例えば、ＰＳＤ８３で検出される通常時の強度をＸとした場合、上限を２Ｘ、下限を０．５Ｘとしてもよい。
　ビームコントローラ８０は、ＰＳＤ８３での反射光３１Ｒｇの強度が上限又は下限の閾値を超えているか否かで、異常の原因を特定してもよい。この特定は、コンバイナセンサ８１で計測されるメインパルスガイドレーザ光３１Ｍｇ及びプリパルスガイドレーザ光３１Ｐｇに異常が無いという条件を前提とする。例えば、メインパルスガイドレーザ光３１Ｍｇ及びプリパルスガイドレーザ光３１Ｐｇの強度、位置、大きさのいずれか又は複数が所定範囲内で計測されているという条件を前提としてもよい。
　反射光３１Ｒｇの異常検出の閾値の上限、下限は、チャンバウインドウ７３の損傷時の反射光３１Ｒｇの強度変化を検出できるような値に設定してもよい。
　図８は、実施形態３に係るレーザシステムにおける光学素子損傷診断のフローチャートの一例を概略的に示している。
　ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２によって、メインパルスレーザ光３１Ｍの戻り光３１Ｒｍの光量を計測する（ステップＳ２０１）。
　ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が有るか否かを判定する（ステップＳ２０２）。例えば、ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１により計測されたプリパルスレーザ光３１Ｐのビームパラメータ及びメインパルスレーザ光３１Ｍのビームパラメータビームパラメータに異常が有るか否かを判定してもよい。
　コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が有ると判定した場合（ステップＳ２０２；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、ビームコンバイナ７１又はその上流に異常があると判定（ステップＳ２０３）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ｃへの発振トリガを停止し、レーザ装置３Ｃの動作を停止し、ビームコンバイナ７１を含むレーザ光路の上流の光学素子の損傷の可能性を不図示の表示器に表示してもよい。これによりオペレータは、そして、ビームコンバイナ７１又はその上流の光学素子に損傷があるか否かのチェックを行ってもよい。オペレータは、損傷した光学素子があった場合、損傷した光学素子の交換を実施しても良い。
　コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が無いと判定した場合（ステップＳ２０２；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２による計測値に基づいて、戻り光３１Ｒｍの異常を検出する。
　戻り光センサ８２による計測値に基づく戻り光３１Ｒｍの異常の検出の処理は、図４におけるステップＳ１０４～Ｓ１０７と略同様である。ただし、実施形態３に係るレーザシステム３００Ｃでは、戻り光３１Ｒｍはレーザ光路を逆行する過程で、レーザ増幅器によって増幅され、戻り光センサ８２では、実施形態１の場合よりも増幅された戻り光３１Ｒｍが検出される。このため、第１の閾値と第２の閾値は、実施形態１の場合よりも大きい値に設定してもよい。
　ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２による計測値に基づいて、戻り光３１Ｒｍの光量が第１の閾値より小さいか否かを判定してもよい（ステップＳ２０４）。
　戻り光３１Ｒｍの光量が第１の閾値よりも小さくないと判定した場合（ステップＳ２０４；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、ジャストフォーカスによる戻り光３１Ｒｍの増加であると判定（ステップＳ２０５）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ｃへの発振トリガを停止してもよい。そして、ＥＵＶ光生成コントローラ５は、光軸調整を行い、ジャストフォーカス状態を回避してもよい。例えば、不図示の集光位置調整機構による調整によりメインパルスレーザ光３１Ｍの集光位置をジャストフォーカスの位置からずらすようにしてもよい。
　戻り光３１Ｒｍの光量が第１の閾値よりも小さいと判定した場合（ステップＳ２０４；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、次に、戻り光センサ８２による計測値に基づいて、戻り光３１Ｒｍの光量が第２の閾値より小さいか否かを判定してもよい（ステップＳ２０６）。
　戻り光３１Ｒｍの光量が第２の閾値よりも小さくないと判定した場合（ステップＳ２０６；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、チルトミラー２７の損傷による戻り光３１Ｒｍの増加であると判定（ステップＳ２０７）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ｃへの発振トリガを停止し、レーザ装置３Ｃの動作を停止し、チルトミラー２７の損傷の可能性を不図示の表示器に表示してもよい。これによりオペレータは、チルトミラー７２に損傷があるか否かのチェックを行ってもよい。オペレータは、チルトミラー７２に損傷があった場合、チルトミラー７２の交換を実施しても良い。
　戻り光３１Ｒｍの光量が第２の閾値よりも小さいと判定した場合（ステップＳ２０６；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、次に、ＰＳＤ８３による計測値に基づいて、反射光３１Ｒｇの強度が基準値以内にあるか否かを判定してもよい（ステップＳ２０８）。
　反射光３１Ｒｇの強度が基準値を超えると判定した場合（ステップＳ２０８；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、チャンバウインドウ７３の損傷による反射光３１Ｒｇの強度の変化であると判定（ステップＳ２０９）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ｃへの発振トリガを停止し、レーザ装置３Ｃの動作を停止し、チャンバウインドウ７３の損傷の可能性を不図示の表示器に表示してもよい。これによりオペレータは、チャンバウインドウ７３に損傷があるか否かのチェックを行ってもよい。オペレータは、チャンバウインドウ７３に損傷があった場合、チャンバウインドウ７３の交換を実施しても良い。
　反射光３１Ｒｇの強度が基準値以内であると判定した場合（ステップＳ２０８；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、異常無しと判定（ステップＳ２１０）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。
　その他の動作は、上記比較例、又は実施形態１若しくは２に係るレーザシステムと略同様であってもよい。
［５．３　作用・効果］
　実施形態３のレーザシステム３００Ｃによれば、コンバイナセンサ８１で計測されるメインパルスガイドレーザ光３１Ｍｇ及びプリパルスガイドレーザ光３１Ｐｇの計測結果と、ＰＳＤ８３の反射光３１Ｒｇの強度の計測結果とを合わせて判定することで、チャンバウインドウ７３の損傷を短時間で特定することができる。
　その他の作用・効果は、上記比較例、又は実施形態１若しくは２に係るレーザシステムと略同様であってもよい。
＜６．実施形態４＞（プリパルスレーザ光の戻り光を検出する戻り光センサを備えたレーザシステム）
　次に、本開示の実施形態４に係るレーザシステムについて説明する。なお、以下では上記比較例、又は実施形態１ないし３のいずれかに係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［６．１　構成］
　図９は、実施形態４に係るレーザシステム３００Ｄの一構成例を概略的に示している。
　ＥＵＶ光生成システム１１は、上記比較例に係るレーザシステム３００に代えてレーザシステム３００Ｄを備えた構成であってもよい。
　レーザシステム３００Ｄは、レーザ装置３Ｄと、レーザ光伝送装置３４Ｄとを備えている。レーザシステム３００Ｄは、さらに、戻り光センサ８２を備えている。
　レーザ装置３Ｄの構成は、上記比較例に係るレーザシステム３００におけるレーザ装置３と略同様であってもよい。
　実施形態１ないし実施形態３では、戻り光センサ８２は、反射光学系であるチルトミラー７２からメインパルスレーザ装置３０Ｍの内部に至る経路中に設けるようにしたが、本実施形態４では、チルトミラー７２からプリパルスレーザ装置３０Ｐの内部に至る経路中に設けられている。
　本実施形態４では、戻り光センサ８２は、プリパルスレーザ光３１Ｐの光路を逆行する戻り光３１Ｒｐの一部を検出するように構成されている。戻り光センサ８２は、戻り光３１Ｒｐの光量を検出するパワーメータであってもよい。戻り光センサ８２は、チルトミラー７２により反射されプリパルスレーザ装置３０Ｐへと逆行するプリパルスレーザ光３１Ｐの戻り光３１Ｒｐの光路上に設けられ、戻り光３１Ｒｐの一部を検出する。なお、図９では、戻り光センサ８２を、反射ミラー９３Ｐと反射ミラー９２Ｐとの間に配置した例を示しているが、レーザ光伝送装置３４Ｄ内の他の位置における戻り光３１Ｒｐの光路上に設けられていてもよい。
　戻り光センサ８２は、ビームコントローラ８０に接続され、ビームコントローラ８０に戻り光３１Ｒｐの検出結果を出力する。
　ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１によってプリパルスレーザ光３１Ｐ、及びメインパルスレーザ光３１Ｍの異常が検出されなかった場合において、戻り光センサ８２により検出された戻り光３１Ｒｐの光量が所定の光量値である第３の閾値を超えた場合に、チルトミラー７２に損傷が有ると判定する制御部であってもよい。
　その他の構成は、上記比較例、又は実施形態１ないし３のいずれかに係るレーザシステムと略同様であってもよい。
［６．２　動作］
　図１０は、実施形態４に係るレーザシステム３００Ｄにおける光学素子損傷診断のフローチャートの一例を概略的に示している。
　ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２によって、プリパルスレーザ光３１Ｐの戻り光３１Ｒｐの光量を計測する（ステップＳ３０１）。
　ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が有るか否かを判定する（ステップＳ３０２）。例えば、ビームコントローラ８０は、コンバイナセンサ８１により計測されたプリパルスレーザ光３１Ｐのビームパラメータ及びメインパルスレーザ光３１Ｍのビームパラメータビームパラメータに異常が有るか否かを判定してもよい。
　コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が有ると判定した場合（ステップＳ３０２；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、ビームコンバイナ７１又はその上流に異常があると判定（ステップＳ３０３）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ｄへの発振トリガを停止し、レーザ装置３Ｄの動作を停止し、ビームコンバイナ７１を含むレーザ光路の上流の光学素子の損傷の可能性を不図示の表示器に表示してもよい。これによりオペレータは、ビームコンバイナ７１又はその上流の光学素子に損傷があるか否かのチェックを行ってもよい。オペレータは、損傷した光学素子があった場合、損傷した光学素子の交換を実施しても良い。
　コンバイナセンサ８１による計測結果に異常が無いと判定した場合（ステップＳ３０２；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２による計測値に基づいて、戻り光３１Ｒｐの異常を検出する。
　戻り光３１Ｒｐの異常の検出の閾値は１つの閾値であってよい。ここでは、第３の閾値と称する。第３の閾値は、プリパルスレーザ光３１Ｐ、及びメインパルスレーザ光３１Ｍのレーザ照射条件毎に変化させてもよい。例えば、レーザ照射条件に対応付けたテーブルデータに基づいて、第３の閾値を変化させてもよい。
　ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２による戻り光３１Ｒｐの計測値が第３の閾値を超えているかを判定し、異常の原因を特定してもよい。
　ビームコンバイナ７１よりも下流の経路、換言すれば、ビームコンバイナ７１とターゲット２７との間の経路におけるチルトミラー７２等の光学素子の損傷が発生すると、その光学素子の表面での反射光が増え、戻り光３１Ｒｐが増加し得る。第３の閾値は、そのような戻り光３１Ｒｐの増加を検出できるような値に設定してもよい。
　ビームコントローラ８０は、戻り光センサ８２による計測値に基づいて、戻り光３１Ｒｐの光量が第３の閾値より小さいか否かを判定してもよい（ステップＳ３０４）。
　戻り光３１Ｒｐの光量が第３の閾値よりも小さくないと判定した場合（ステップＳ３０４；Ｎ）、ビームコントローラ８０は、チルトミラー２７の損傷による戻り光３１Ｒｐの増加であると判定（ステップＳ３０５）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。この場合、光学素子損傷診断処理後の対応として、ビームコントローラ８０は、例えばＥＵＶ光生成コントローラ５に診断結果を含むエラー信号を発報してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５は、レーザ装置３Ｄへの発振トリガを停止し、レーザ装置３Ｄの動作を停止し、チルトミラー２７の損傷の可能性を不図示の表示器に表示してもよい。これによりオペレータは、チルトミラー７２に損傷があるか否かのチェックを行ってもよい。オペレータは、チルトミラー７２に損傷があった場合、チルトミラー７２の交換を実施しても良い。
　戻り光３１Ｒｐの光量が第３の閾値よりも小さいと判定した場合（ステップＳ３０４；Ｙ）、ビームコントローラ８０は、異常無しと判定（ステップＳ３０６）し、光学素子損傷診断の処理を終了する。
　その他の動作は、上記比較例、又は実施形態１ないし３のいずれかに係るレーザシステムと略同様であってもよい。
［６．３　作用・効果］
　実施形態４のレーザシステム３００Ｄによれば、ビームコントローラ８０は戻り光センサ８２によるプリパルスレーザ光３１Ｐの戻り光３１Ｒｐの計測値に基づいて、チルトミラー７２等の光学素子の損傷を短時間に判定し得る。
　その他の作用・効果は、上記比較例、又は実施形態１ないし３のいずれかに係るレーザシステムと略同様であってもよい。
＜７．実施形態５＞（プリパルスレーザ装置の内部に戻り光センサを備えたレーザシステム）
　次に、本開示の実施形態５に係るレーザシステムについて説明する。なお、以下では上記比較例、又は実施形態１ないし４のいずれかに係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［７．１　構成］
　図１１は、実施形態５に係るレーザシステム３００Ｅの一構成例を概略的に示している。図１２は、実施形態５に係るレーザシステム３００Ｅにおけるプリパルスレーザ装置３０Ｐの一構成例を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成システム１１は、上記比較例に係るレーザシステム３００に代えてレーザシステム３００Ｅを備えた構成であってもよい。
　レーザシステム３００Ｅは、レーザ装置３Ｅと、レーザ光伝送装置３４Ｅとを備えている。レーザシステム３００Ｅは、さらに、戻り光センサ８２を備えている。
　レーザ光伝送装置３４Ｅの構成は、上記比較例に係るレーザシステム３００におけるレーザ光伝送装置３４と略同様であってもよい。
　実施形態４では、レーザ光伝送装置３４Ｄにおける伝送経路に戻り光センサ８２を設けるようにしたが、本実施形態５では、戻り光センサ８２がレーザ装置３Ｅの内部、より詳しくはプリパルスレーザ装置３０Ｐの内部に配置されている。
　プリパルスレーザ装置３０Ｐは、図１２に示したように、マスタオシレータ（ＭＯ）１１０Ｐと、光学素子１２２と、レーザ増幅器１２３と、光シャッタ１２４とを含んでいてもよい。レーザ増幅器１２３は、１又は複数の増幅器を含んでいてもよい。１又は複数の増幅器は、ＹＡＧ結晶をレーザ媒質とするレーザ増幅器であってもよい。
　プリパルスレーザ装置３０Ｐは、さらに、マスタオシレータ１１０Ｐとレーザ増幅器１２３との間に配置されたビームスプリッタ１２１を含んでいてもよい。戻り光センサ８２は、マスタオシレータ１１０Ｐとレーザ増幅器１２３との間に配置されていてもよい。戻り光センサ８２は、レーザ増幅器１２３を逆行通過した後の戻り光３１Ｒｐの光量を検出する。
　戻り光センサ８２は、レーザ光路に配置されたビームスプリッタ１２１で分岐された戻り光３１Ｒｐを検出するよう構成されてもよい。図１２では、ビームスプリッタ１２１を透過した戻り光３１Ｒｐの光路上に戻り光センサ８２を配置している。
　その他の構成は、上記比較例、又は実施形態１ないし４のいずれかに係るレーザシステムと略同様であってもよい。
［７．２　動作］
　実施形態５に係るレーザシステム３００Ｅにおける光学素子損傷診断の処理は、実施形態４に係るレーザシステム３００Ｄと略同様に、図１０に示した処理を行ってもよい。
　ただし、実施形態５に係るレーザシステム３００Ｅでは、戻り光３１Ｒｐはレーザ光路を逆行する過程で、レーザ増幅器１２３によって増幅される。戻り光センサ８２では、実施形態４の場合よりも増幅された戻り光３１Ｒｐが検出される。このため、第３の閾値は、実施形態４の場合よりも大きい値に設定してもよい。
　その他の動作は、上記比較例、又は実施形態１ないし４のいずれかに係るレーザシステムと略同様であってもよい。
［７．３　作用・効果］
　実施形態５のレーザシステム３００Ｅによれば、戻り光センサ８２の計測値は増幅された戻り光３１Ｒｐのものとなるため、第３の閾値を実施形態４の場合に比べて大きい値に設定できる。このため、ノイズとの識別が容易となり、より精度の高い光学素子損傷診断の判定が可能となる。
　その他の作用・効果は、上記比較例、又は実施形態１ないし４のいずれかに係るレーザシステムと略同様であってもよい。
＜８．その他＞
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (11)

  1. 　レーザ光を出射するレーザ装置と、
    　前記レーザ装置とＥＵＶ光が生成されるＥＵＶチャンバ内に供給されたターゲットとの間の経路に配置された伝送光学系と、
    　前記伝送光学系と前記ターゲットとの間の経路に配置され、前記伝送光学系からの前記レーザ光を前記ターゲットの方向に反射する反射光学系と、
    　前記伝送光学系と前記反射光学系との間の経路に設けられ、前記レーザ装置から前記反射光学系へと向かう前記レーザ光を検出する第１のセンサと、
    　前記反射光学系から前記レーザ装置の内部に至る経路に設けられ、前記反射光学系により反射され前記レーザ装置へと逆行する前記レーザ光の戻り光を検出する第２のセンサと、
    　前記第１のセンサによって前記レーザ光の異常が検出されなかった場合において、前記第２のセンサにより検出された前記戻り光の光量が所定の光量値を超えた場合に、前記反射光学系に損傷が有ると判定する制御部と
    　を備える
    　レーザシステム。
  2. 　請求項１に記載のレーザシステムであって、
    　前記第２のセンサは、前記レーザ装置の内部に配置されている。
  3. 　請求項２に記載のレーザシステムであって、
    　前記レーザ装置は、マスタオシレータと、少なくとも１つのレーザ増幅器とを含み、
    　前記第２のセンサは、少なくとも１つの前記レーザ増幅器を逆行通過した後の前記戻り光の光量を検出する。
  4. 　請求項１に記載のレーザシステムであって、
    　前記レーザ装置は、
    　プリパルスレーザ光を出射するプリパルスレーザ装置と、
    　メインパルスレーザ光を出射するメインパルスレーザ装置と
    　を含み、
    　前記伝送光学系と前記反射光学系との間の前記経路において、前記プリパルスレーザ光の光路と前記メインパルスレーザ光の光路とが交差する位置に配置され、前記プリパルスレーザ光の光路と前記メインパルスレーザ光の光路とを略一致させるビームコンバイナ、をさらに備え、
    　前記第１のセンサは、前記ビームコンバイナにより分岐された前記メインパルスレーザ光の一部と前記プリパルスレーザ光の一部とを検出する。
  5. 　請求項４に記載のレーザシステムであって、
    　前記第２のセンサは、前記ビームコンバイナから前記メインパルスレーザ装置へと逆行する前記メインパルスレーザ光の戻り光の一部を検出する。
  6. 　請求項５に記載のレーザシステムであって、
    　前記制御部は、前記戻り光の光量が第１の光量値よりも小さく、前記第１の光量値よりも小さい値となる第２の光量値よりも大きい場合に、前記反射光学系に損傷が有ると判定する。
  7. 　請求項４に記載のレーザシステムであって、
    　前記第２のセンサは、前記ビームコンバイナから前記プリパルスレーザ装置へと逆行する前記プリパルスレーザ光の戻り光の一部を検出する。
  8. 　請求項１に記載のレーザシステムであって、
    　前記ＥＵＶチャンバは、前記レーザ光を前記ＥＵＶチャンバ内に向けて通過させるチャンバウインドウを含み、
    　前記レーザ装置は、前記レーザ光と同一の光路上を進む参照レーザ光を出射する参照レーザ装置を含み、
    　前記参照レーザ光の前記チャンバウインドウによる反射光を検出する第３のセンサ、をさらに備え、
    　前記制御部は、前記第３のセンサによる前記反射光の強度の検出結果に基づいて、前記チャンバウインドウの損傷の有無を判定する。
  9. 　請求項８に記載のレーザシステムであって、
    　前記制御部は、前記レーザ光の異常と前記反射光学系の損傷とが共に無いと判定された場合において、前記反射光の強度が所定の強度範囲から外れた場合に、前記チャンバウインドウに損傷が有ると判定する。
  10. 　請求項１に記載のレーザシステムであって、
    　前記反射光学系は、前記レーザ光に対して不透明な基板と前記基板上に形成された前記レーザ光を反射する金属膜とを備えた反射ミラーを含む
  11. 　ＥＵＶ光が生成されるＥＵＶチャンバと、
    　レーザ光を出射するレーザ装置と、
    　前記レーザ装置と前記ＥＵＶチャンバ内に供給されたターゲットとの間の経路に配置された伝送光学系と、
    　前記伝送光学系と前記ターゲットとの間の経路に配置され、前記伝送光学系からの前記レーザ光を前記ターゲットの方向に反射する反射光学系と、
    　前記伝送光学系と前記反射光学系との間の経路に設けられ、前記レーザ装置から前記反射光学系へと向かう前記レーザ光を検出する第１のセンサと、
    　前記反射光学系から前記レーザ装置の内部に至る経路に設けられ、前記反射光学系により反射され前記レーザ装置へと逆行する前記レーザ光の戻り光を検出する第２のセンサと、
    　前記第１のセンサによって前記レーザ光の異常が検出されなかった場合において、前記第２のセンサにより検出された前記戻り光の光量が所定の光量値を超えた場合に、前記反射光学系に損傷が有ると判定する制御部と
    　を備える
    　ＥＵＶ光生成システム。
PCT/JP2017/012676 2017-03-28 2017-03-28 レーザシステム、及びｅｕｖ光生成システム WO2018179094A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/012676 WO2018179094A1 (ja) 2017-03-28 2017-03-28 レーザシステム、及びｅｕｖ光生成システム
US16/534,806 US11228156B2 (en) 2017-03-28 2019-08-07 Laser system and extreme ultraviolet light generation system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/012676 WO2018179094A1 (ja) 2017-03-28 2017-03-28 レーザシステム、及びｅｕｖ光生成システム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/534,806 Continuation US11228156B2 (en) 2017-03-28 2019-08-07 Laser system and extreme ultraviolet light generation system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018179094A1 true WO2018179094A1 (ja) 2018-10-04

Family

ID=63677485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/012676 WO2018179094A1 (ja) 2017-03-28 2017-03-28 レーザシステム、及びｅｕｖ光生成システム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11228156B2 (ja)
WO (1) WO2018179094A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021137765A1 (en) * 2019-12-31 2021-07-08 ResMed Asia Pte Ltd A patient interface formed from a textile construction and including a stiffened portion to provide for customization

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006134974A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Canon Inc 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法
JP2008103545A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置及びコレクタミラー
JP2012147022A (ja) * 2012-04-19 2012-08-02 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2013218286A (ja) * 2012-03-14 2013-10-24 Gigaphoton Inc ファラデーローテータ、光アイソレータ、レーザ装置、および極端紫外光生成装置
JP2014041828A (ja) * 2008-11-06 2014-03-06 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
WO2016142995A1 (ja) * 2015-03-06 2016-09-15 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び極端紫外光生成システム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61155833A (ja) 1984-12-28 1986-07-15 Toshiba Corp 光フアイバ異常検出装置
JPS62173629A (ja) 1986-01-28 1987-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学式記録再生装置
JP5368261B2 (ja) 2008-11-06 2013-12-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法
JP5932306B2 (ja) * 2011-11-16 2016-06-08 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP6168760B2 (ja) * 2012-01-11 2017-07-26 ギガフォトン株式会社 レーザビーム制御装置及び極端紫外光生成装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006134974A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Canon Inc 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法
JP2008103545A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置及びコレクタミラー
JP2014041828A (ja) * 2008-11-06 2014-03-06 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2013218286A (ja) * 2012-03-14 2013-10-24 Gigaphoton Inc ファラデーローテータ、光アイソレータ、レーザ装置、および極端紫外光生成装置
JP2012147022A (ja) * 2012-04-19 2012-08-02 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
WO2016142995A1 (ja) * 2015-03-06 2016-09-15 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び極端紫外光生成システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021137765A1 (en) * 2019-12-31 2021-07-08 ResMed Asia Pte Ltd A patient interface formed from a textile construction and including a stiffened portion to provide for customization

Also Published As

Publication number Publication date
US20190363508A1 (en) 2019-11-28
US11228156B2 (en) 2022-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9713239B2 (en) Laser produced plasma EUV light source
JP6195474B2 (ja) 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システムにおけるレーザシステムの制御方法
US20230139746A1 (en) Optical isolation module
JP7225224B2 (ja) プラズマをモニタするためのシステム
WO2017149712A1 (ja) レーザ装置及び極端紫外光生成システム
WO2015012099A1 (ja) レーザシステム、極端紫外光生成システム及びレーザ装置の制御方法
KR20150131187A (ko) 극자외 광원
JP2018525666A (ja) Ｌｐｐ ｅｕｖ光源におけるソースレーザの発射を制御するためのシステム及び方法
JPWO2014119199A1 (ja) レーザ装置及び極端紫外光生成装置
WO2014119198A1 (ja) レーザ装置及び極端紫外光生成装置
US20140346375A1 (en) Laser apparatus, laser system, and extreme ultraviolet light generation apparatus
WO2018179094A1 (ja) レーザシステム、及びｅｕｖ光生成システム
JP2018512723A (ja) 放射源
US9271382B2 (en) Laser apparatus and extreme ultraviolet light generation apparatus
JP6748730B2 (ja) 極端紫外光生成装置
US10925143B2 (en) Laser apparatus and EUV light generating system
JPWO2018134971A1 (ja) レーザ装置及び極端紫外光生成システム
NL2034792B1 (en) Euv light generation system and electronic device manufacturing method
US11043784B2 (en) Laser apparatus and EUV light generation system
US10958033B2 (en) Laser apparatus
KR20240032026A (ko) 계측 빔 산란을 활용한 액적 검출 방법
TW202338484A (zh) 孔徑及方法
CN110692283A (zh) 辐射源
NL2012718A (en) Radiation systems and associated methods.

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17902886

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WD Withdrawal of designations after international publication

Designated state(s): JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17902886

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1