TW202338484A - 孔徑及方法 - Google Patents

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亞歷山大 葉夫根維奇 林可夫
多普 巴斯 威廉 約翰內斯 約翰娜 安娜 范
湯瑪士 威廉 喬治 庫里
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Abstract

本發明提供一種用於偵測一雷射光束未對準之孔徑，該孔徑包含：一本體，其包括一第一開口且界定一第一軸線；一光束捕集器；一光學元件，其包括一第二開口，其中該第一開口及該第二開口與該第一軸線同軸，該光學元件經組態以將一未對準雷射光束重導引至一偵測器或將一未對準雷射光束分裂成至少兩個子光束；一雷射光束偵測系統，其經組態以偵測雷射光，其中該光學元件經組態以將一第一子光束導引至該光束捕集器，且將一第二子光束導引至該雷射光束偵測系統。本發明亦描述：一種包括一外殼之孔徑；一種偵測一雷射光束之未對準的方法；一種包含此類孔徑之輻射源；一種包含此類輻射源或孔徑之微影設備；及該孔徑、方法、輻射源、微影設備在一微影設備或方法中之用途。

Description

孔徑及方法
本發明係關於用於偵測雷射光束未對準之孔徑。本發明亦係關於一種用於偵測雷射光束未對準之方法以及一種包含此等孔徑之輻射源、一種包括此等孔徑或輻射源之微影設備，以及此等孔徑、輻射源、微影設備或方法在微影設備或方法中之用途。本發明特別但非排他地應用於EUV輻射源、度量衡工具及EUV微影設備及方法。
微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。舉例而言，微影設備可將圖案化裝置(例如，光罩)處之圖案投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有介於4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用於在基板上形成較小特徵。
EUV微影設備藉由經由雷射光束將能量沈積至諸如錫之燃料中來產生EUV輻射。錫經轉換成電漿，且包括EUV輻射之輻射在電漿中電子與離子的去激發及再結合期間自電漿7發射。可接著收集EUV輻射以供在成像中使用。雷射光束用以將錫轉換成電漿。EUV微影設備之EUV源可被劃分成不同區域或區段。在該等區段之間及該等區段內部，雷射可傳播通過孔徑。孔徑可界定不同區段之間的界限。若雷射光束未對準，則此可造成對孔徑之損壞，孔徑之功能為保護微影設備之其他組件。此又可造成微影設備之污染。
其他應用亦可遭遇此問題。舉例而言，度量衡設備藉由經由雷射光束將能量沈積至目標中來產生度量衡輻射。度量衡輻射經透射至經圖案化基板以檢查基板內之圖案是否滿足規格。基板可為倍縮光罩或晶圓。經由孔徑提供用以將目標轉換成電漿之雷射光束。若雷射光束未對準，則此可導致對孔徑之損壞。此又可造成基板或設備之其他元件的污染。
因此，需要提供一種偵測雷射光束之未對準且藉此限制或防止對設備之損壞的方式。亦需要減少或消除產生污染物及污染設備之風險。本發明意欲解決此等問題。
根據本發明之第一態樣，提供一種用於偵測雷射光束之未對準的孔徑，該雷射光束經組態以在其擊中目標時產生電漿，該孔徑包含： 本體，其包括第一開口且界定第一軸線；光束捕集器； 光學元件，其包括第二開口，其中第一開口及第二開口與第一軸線同軸，該光學元件經組態以朝向偵測器導引未對準光束或將未對準雷射光束分裂成至少兩個子光束；雷射光束偵測系統，其經組態以偵測雷射光，其中光學元件經組態以將第一子光束導引至光束捕集器，且將第二子光束導引至雷射光束偵測系統。該本體可為環形。
孔徑可用於偵測EUV源中之雷射光束未對準。EUV源使用高功率CO 2雷射光束以將能量提供至通常呈錫小滴形式之燃料，以產生電漿，其最終釋放包括EUV輻射之輻射。雷射光束穿過孔徑，該孔徑設計成防止雷射光束自系統射出且亦屏蔽敏感性光學組件。應瞭解，雷射光束在正確地對準之情況下會穿過孔徑而不會擊中本體。換言之，經對準雷射光束僅穿過孔徑。標稱雷射光束將沿著第一軸線穿過第一開口及第二開口。若雷射光束未對準，則雷射光落在孔徑上，從而使得孔徑之材料加熱且觸發與孔徑相關聯之溫度開關。此安全開關觸發雷射光束之關閉。然而，當使用10微米雷射光時，孔徑之尺寸很大且其亦需要主動水冷卻，水冷卻本身佔用空間較大且需要水基礎設施以為其提供冷卻所需的水供應。此外，在此波長下，少數材料為光學透明的。雖然鑽石在此波長下為透明的，但製造具有鑽石組件之孔徑將極其昂貴且困難。此外，孔徑作出反應可花費數秒，且此可比孔徑開始熔融所花費之時間更慢，尤其在高強度光束之情況下。此可造成微粒及殘渣產生，微粒及殘渣可污染孔徑附近之敏感性光學件。孔徑可用於在度量衡工具或設備中偵測雷射光束未對準，此可遭遇與EUV源相似的問題。
對於一些應用，可能需要使雷射光束之波長自約10微米減小至約1微米。波長可為0.5至1.5微米。此增加了雷射光束之強度及/或功率，且因此由未對準造成之任何損壞可更快發生。因此，需要提供一種偵測雷射光束之未對準同時避免對孔徑之損壞及/或微粒及殘渣之產生的方式。儘管可增加光束直徑以降低強度，但此將需要整個系統中更大的光學件及光束包絡，此係不合需要的。
度量衡工具亦可使用具有約1微米之波長的雷射光束。因此，需要提供一種偵測雷射光束之未對準同時避免對孔徑之損壞及/或微粒及殘渣之產生的方式。
本發明藉由提供經組態以將未對準雷射光束分裂成兩個子光束之光學元件來解決此問題。由於雷射光束已分裂，因此到達雷射光束偵測系統之雷射光的強度或功率得以降低。以此方式，未對準雷射要造成損壞得花費更長的時間，且強度之降低可足以防止損壞。藉由在損壞發生之前留出更多時間，安全機制具有更多時間來防止損壞發生。未對準雷射光束之分裂無需相等，且光學元件可經組態使得未對準雷射光束之大部分能量經導引至光束捕集器且僅少數能量經導引至雷射光束偵測系統。光學元件可額外或替代地經組態以將未對準雷射光束重導引至偵測器。
光學元件可包括經組態以反射入射雷射光束之一部分且透射入射雷射光束之另一部分的部分反射表面。以此方式，光學元件能夠將未對準雷射光束分裂成兩個或多於兩個子光束。取決於孔徑之組態，可將經透射雷射光束提供至光束捕集器且可將經反射雷射光束提供至雷射光束偵測系統。在其他組態中，可將經透射雷射光束提供至雷射光束偵測系統，且可將經反射雷射光束導引至光束捕集器。可視需要選擇經反射及經透射雷射光之相對比例。此可藉由任何合適方式達成，例如改變部分反射表面之厚度及/或組成物。部分反射表面可經組態以放大光束且視情況彎曲。
光學元件可經組態以放大第一子光束。藉由放大第一子光束，光束在其到達光束捕集器時之強度得以降低，且因此，光束捕集器損壞的可能性得以降低。
光學元件可包括經組態以放大第一子光束之彎曲表面。當雷射光束落在彎曲表面上時，彎曲表面之形狀使得雷射光發散，且此引起光束捕集器上之強度的降低。
雷射光束偵測系統可經組態以偵測雷射光束之未對準且在偵測到未對準時發送信號。在雷射光束正確地對準之標稱情況下，雷射光束不應落在孔徑上(除一些不可避免雜散光以外)，但當雷射光束落在孔徑上，孔徑按照本文所述進行組態，且偵測到未對準，並產生信號。信號可為發給控制器以關閉雷射光束或雷射光束源或重新對準雷射光束的信號。
雷射光束偵測系統可包括一或多個光偵測器，光偵測器可為光電二極體。光電二極體能夠偵測入射雷射光且產生信號，該信號可轉換成信號。光電二極體可位於其可偵測未對準雷射光的任何合適位置處。在一實施例中，光電二極體圍繞孔徑之本體中的第一開口的周邊配置，該本體可為環形體。光電二極體可在其曝露於原始雷射光束時被損壞，但光學元件經組態以將到達光電二極體之雷射光的強度或功率降低至光電二極體可耐受之位準。替代地或額外地，雷射光束偵測系統可包括經組態以將雷射光導引至一或多個光偵測器的複數個光纖。
光學元件可經組態以至少部分地漫射第二子光束。使光學元件至少部分地漫射雷射光意謂雷射光未被雷射光束偵測系統偵測到之機率較小，從而避免雷射光束偵測系統無法偵測雷射光之潛在盲點。
孔徑可包括用以至少部分地漫射第二子光束的漫射體。漫射體可為與光學元件分開之組件。
光學元件可經組態成能夠透射波長約為1微米之雷射光。由於需要光學元件透射及/或反射入射雷射光，因此雷射光需要能夠透射穿過光學元件。
本體可包括複數個隆脊，該複數個隆脊位於其內表面處且經組態以吸收任何經反射雷射光。該等隆脊可呈任何合適形式，以限制雷射光之進一步反射。該等隆脊可呈環形圈之形式。該等隆脊可為光學黑色或實質上光學黑色。因而，隆脊可具有確保低反射率及高吸收率之表面處理。
光學元件可經組態以內反射未對準雷射光束之至少一部分。未對準雷射光束可藉由如下方式分裂：使光學元件之表面成角度以反射未對準雷射光之一部分以形成子光束。子光束可接著經內反射以便將其導引至雷射光束偵測系統之位置。
孔徑可包括對預定波長之光光學透明的外殼。預定波長為包含雷射光束之光的波長。外殼可經組態以密封孔徑之至少一部分。藉由至少圍封孔徑之一部分，即使產生微粒或殘渣，其亦保留在外殼內以使得其無法污染別處。
外殼可圍封光學元件、光束捕集器及雷射光束偵測系統中之至少一者。在一些實施例中，外殼可形成光學元件之至少一部分。因而，外殼可為光學元件。
光學元件可經組態以圍封光束捕集器及雷射光束偵測系統。
密封件可設置於本體與光學元件之間。光學元件可經組態以將雷射光導引遠離密封件。
外殼可包含熔融矽石或石英。熔融矽石及石英兩者在用於EUV源中之約為1微米的波長下為光學透明的，且可易於形成為所需形狀。
外殼可為環形且包括中心孔徑。因為標稱對準雷射光束穿過孔徑之第一開口，所以需要保持此區域不含可以其他方式干擾雷射光束的材料。僅需要在雷射光束變得未對準時與其相互作用的材料。藉由具有中心孔徑，標稱對準雷射光束可穿過外殼而不與外殼相互作用。
孔徑可進一步包括經組態以發散未對準雷射光束之半透明光學元件。
藉由包括半透明光學元件，入射雷射光束經歷多次反射及折射，使雷射光束自高度平行組態改變至稍微發散光束。半透明光學元件可具有粗糙的表面塗層以引起多次此類反射及折射。由於穿過半透明光學元件之未對準雷射光束發散，所以當該雷射光束擊中孔徑時，其通量已降低，此係因為雷射光束已散佈在較大區域上且因此強度降低，但所遞送之能量的量僅稍微減弱，因此孔徑幾乎以相同速率加熱，但能量在較大區域上遞送，因而不存在對孔徑的損壞。
半透明光學元件可為包括第二開口之光學元件，其中第一開口及第二開口與第一軸線同軸。替代地或額外地，半透明光學元件可為與包括第二開口之光學元件分開的光學元件，其中第一開口及第二開口與第一軸線同軸。應瞭解，半透明元件將包括供標稱對準雷射光束穿過的空隙或透明部分，此係因為引起對準雷射光束之發散為不合需要的。
根據本發明之第一或第二態樣之另一實施例，提供一種用於偵測雷射光束之未對準的孔徑，該雷射光束經組態以在其擊中目標時產生電漿，該孔徑包含：本體，其包括第一開口且界定第一軸線；光束捕集器；光學元件，其包括第二開口，其中第一開口及第二開口與第一軸線同軸，其中光學元件為半透明的且經組態以發散未對準雷射光束。
如同本發明之第一態樣，在未對準雷射光束之路徑中存在半透明光學元件使得未對準雷射光束發散。由於未對準雷射光束已發散，因此當其擊中孔徑時，由未對準雷射光束提供之能量沈積於比原本情況下更大的表面區域上方，從而導致較低的強度及較小的損壞可能性。儘管未對準雷射光束已發散，但功率僅略微降低(若有降低的話)，因此遞送的能量的量幾乎相同，且因此未對準仍可同樣快速被偵測到，但無損壞之風險。
光學元件可經組態以使未對準雷射光束發散至少5°(半錐形角度)。
光學元件可包括經組態以發散未對準雷射光束的多於一個半透明光學元件。藉由在未對準雷射光束之路徑中提供一或多個半透明光學元件，可發散未對準雷射光束，藉此降低未對準雷射光束擊中孔徑時的強度。
根據本發明之第二態樣，提供一種用於偵測EUV源內之雷射光束未對準的孔徑，該孔徑包含：本體，其包括第一開口且界定第一軸線；光束捕集器；雷射光束偵測系統，其經組態以偵測雷射光，其中該孔徑進一步包括經組態以圍封本體、光束捕集器及雷射光束偵測系統中之至少一者的外殼，且該外殼經組態以對預定波長之光為透明的。
根據本發明之第二態樣之孔徑類似於第一態樣之孔徑，儘管其未必需要光學元件將未對準雷射光束分裂成兩個或多於兩個子光束。實情為，其提供包含經組態以圍封本體、光束捕集器及雷射光束偵測系統中之至少一者之外殼的孔徑。藉由提供外殼，藉由未對準雷射光束產生之任何微粒或殘渣由外殼保留且不污染別處。因而，即使孔徑之部分可在雷射光束關閉之前開始熔融，但此仍然不會造成污染。雷射光束偵測系統可經組態以直接及/或間接地偵測雷射光。舉例而言，直接偵測依賴於雷射光本身之偵測，而間接偵測依賴於雷射光之加熱效應。
外殼可包含熔融矽石或石英。外殼可包含對波長為約0.5至約1.5微米之光光學透明的任何材料。
外殼可經組態以漫射任何未對準雷射光。再次，藉由漫射未對準雷射光，當雷射光遇到孔徑之一部分時，雷射光之強度降低，且藉此減緩或降低出現損壞之速率。任何未對準光之漫射可由半透明光學元件來實現。
密封件可設置於本體與外殼之間。密封件防止在外殼內產生之任何污染物或殘渣離開外殼。
外殼可經組態以導引雷射光遠離密封件。密封件可由橡膠形成，橡膠在密封件曝露於未對準雷射光束的情況下將快速熔融。因而，外殼經組態以將密封件置放在其陰影中以防止損壞密封件。此可以任何合適方式達成，諸如，在雷射光束之路徑中提供至少部分反射表面，或提供反射雷射光或使雷射光折射遠離光束之傾斜表面。
雷射光束偵測系統可經組態以熱偵測雷射光束。因此，偵測器可包括溫度感測器或熱開關。儘管此可能比光學感測器動作慢，但它可能更耐曝露於強雷射光。雷射光束偵測系統可包括光學感測器。換言之，雷射光束偵測系統可經組態以諸如藉由其加熱效應間接地偵測雷射光束，或諸如經由諸如光偵測器或光電二極體之感光構件直接地偵測雷射光束。雷射光束偵測系統可包括一或多個溫度感測器。在存在兩個或多於兩個溫度感測器之情況下，溫度感測器可設置於兩個或多於兩個單獨電路上。以此方式，若電路中之一者無法起作用，則另一電路能夠仍偵測任何溫度波動。類似地，光學感測器可出於相同原因設置於兩個或多於兩個單獨電路上。
關於本發明之第一態樣所描述之特徵可與關於本發明之第二態樣所描述之任何特徵組合。實際上，除非技術上不相容，否則關於任何態樣所描述之特徵可與本文所描述之任何其他態樣之特徵組合。明確考慮並揭示所有此類組合。
根據本發明之第三態樣，提供一種偵測雷射光束之未對準的方法，該方法包括：將未對準雷射光束分裂成兩個或多於兩個子光束；將該等子光束中之一者導引至雷射光束偵測器系統；及將該等子光束中之另一者導引至光束捕集器。
如關於本發明之先前態樣所描述，藉由分裂未對準雷射光束，有可能組件發生損壞的時間變長，且藉此為安全預防措施生效提供更多時間。
該方法可包括放大子光束中之至少一者。藉由放大提供至光束捕集器之子光束，光束之強度得以降低且藉此避免或減少損壞。相似地，藉由放大提供至雷射光束偵測系統之子光束，雷射光之強度得以降低且雷射光不被偵測到之可能性更小。
該方法可包括使子光束中之至少一者成角度以使得其以傾斜角度照明光束捕集器或雷射光束偵測器。藉由使子光束成如此角度，子光束照明光束捕集器或雷射光束偵測器之較大區域，且藉此降低雷射光之強度。
該方法可包括當偵測到未對準時產生信號。可將信號發送至控制器以斷開雷射光束或重新對準雷射光束。
該方法可包括視情況藉由使子光束穿過半透明光學元件來發散子光束中之至少一者。
根據本發明之第四態樣，提供一種輻射源，其包括根據本發明之第一態樣或第二態樣之孔徑。輻射源可為EUV輻射源或適合於度量衡設備之源。
根據本發明之第五態樣，提供一種微影設備，其包括根據本發明之第一態樣或第二態樣之孔徑或根據本發明之第四態樣之輻射源。
根據本發明之第六態樣，提供一種度量衡設備，其包括根據本發明之第一態樣或第二態樣之孔徑或根據本發明之第四態樣之輻射源。
根據本發明之第七態樣，提供根據本發明之任何態樣之孔徑、輻射源、度量衡設備或方法在微影設備或方法中或在度量衡設備中之用途。
應瞭解，本發明之態樣中之各者的主題可與本發明之其他態樣中之任一者的主題組合，且關於一個態樣所描述之任何特徵同樣適用於本發明之任何其他態樣。
圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將該EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照射系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。此外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11共同提供具有所要橫截面形狀及所要強度分佈之EUV輻射光束B。除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11以外或代替該等裝置，照明系統IL可包括其他鏡面或裝置。
在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。作為此相互作用之結果，產生圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管投影系統PS在圖1中被繪示為僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此種情況下，微影設備LA將由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即處於遠低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如，氫氣)。
圖1中所展示之輻射源SO為例如可稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括CO 2雷射之雷射系統1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至由例如燃料發射器3提供的燃料，諸如錫(Sn)中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適的燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器3可包含經組態以沿著軌道朝著電漿形成區4導引例如呈小滴形式之錫的噴嘴。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量沈積至錫中在電漿形成區4處產生錫電漿7。包括EUV輻射之輻射在電漿中電子與離子之去激發及再結合期間自電漿7發射。
由收集器5收集且聚焦來自電漿之EUV輻射。收集器5包含例如近正入射輻射收集器5 (有時更一般被稱作正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長的EUV輻射)的多層鏡面結構。收集器5可具有橢球形組態，該橢球形組態具有兩個焦點。如下文所論述，焦點中之第一者可在電漿形成區4處，且焦點中之第二者可在中間焦點6處。
雷射系統1可在空間上與輻射源SO分離。在此情況下，雷射光束2可借助於包含例如合適導引鏡面及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(圖中未繪示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統可共同被視為輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處的電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照射系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。
圖9描繪度量衡設備302之示意性表示，其中輻射可用於量測基板上之結構之參數。圖9中所呈現之度量衡設備302可適合於硬X射線、軟X射線及/或EUV域。
圖9純粹作為實例繪示度量衡設備302的示意性實體配置，該設備包含視情況在掠入射中使用硬X射線、軟X射線及/或EUV輻射之光譜散射計。檢測設備之替代形式可以角度解析散射計之形式提供，該角度解析散射計與在較長波長下操作之習知散射計相似可使用在正入射或近正入射下之輻射，且其亦可使用具有與平行於基板之方向所成角度大於1°或2°之方向的輻射。檢測設備之替代形式可能以透射散射計之形式提供，圖5中之組態應用至該透射散射計。
檢測設備302包含輻射源或稱作照明源310、照明系統312、基板支撐件316、偵測系統318、398及度量衡處理單元(MPU) 320。
此實例中之照明源310為用於產生EUV、硬X射線或軟X射線輻射。該照明源310可基於如圖9中所展示之高階諧波產生(HHG)技術，且其亦可為其他類型之照明源，例如，液體金屬射流源、逆康普頓散射(ICS)源、電漿通道源、磁性波盪器源、自由電子雷射(FEL)源、緊密儲存環源、放電產生電漿源、軟X射線雷射源、旋轉陽極源、固體陽極源、微粒加速器源、微焦源或雷射產生電漿源。
HHG源可為氣體射流/噴嘴源、毛細管/光纖源或氣胞源。
對於HHG源之實例，如圖9中所展示，輻射源之主要組件為可操作以發射泵浦輻射之泵浦輻射源330以及氣體遞送系統332。視情況地，該泵浦輻射源330為雷射，視情況，該泵浦輻射源330為脈衝式高功率紅外線或光學雷射。泵浦輻射源330可為例如具有光學放大器之以光纖為基礎的雷射，從而產生每脈衝可持續例如小於1 ns (1奈秒)的紅外線輻射之脈衝，其中脈衝重複率視需要高達若干兆赫茲。紅外線輻射之波長可在200 nm至10 μm之範圍內，例如大約1 μm (1微米)。視情況地，雷射脈衝作為第一泵浦輻射340經遞送至氣體遞送系統332，其中在氣體中，輻射之一部分轉換為比第一輻射更高的頻率，成為發射輻射342。氣體供應件334將合適氣體供應至氣體遞送系統332，其中該合適氣體視情況由電源336離子化。氣體遞送系統332可為截斷管。
由氣體遞送系統332提供之氣體界定一氣體目標，其可為氣流或靜態體積。該氣體可為例如空氣、氖氣(Ne)、氦氣(He)、氮氣(N 2)、氧氣(O 2)、氬氣(Ar)、氪氣(Kr)、氙氣(Xe)、二氧化碳及其等組合。此等氣體可為同一設備內可選擇的選項。該發射輻射可含有多個波長。若發射輻射為單色的，則可簡化量測計算(例如重建構)，但較易於產生具有若干波長之輻射。該發射輻射之發射發散角可為與波長相關的。不同波長將例如在對不同材料之結構成像時提供不同等級之對比度。為了檢測金屬結構或矽結構，例如，可將不同波長選擇為用於成像(碳基)抗蝕劑之特徵或用於偵測此等不同材料之污染的波長。可提供一或多個濾光裝置344。舉例而言，諸如鋁(Al)或鋯(Zr)薄膜之濾光器可用以切斷基本IR輻射以免進一步傳遞至檢測設備中。可提供光柵(圖中未繪示)以自產生之波長當中選擇一或多個特定波長。視情況地，照明源包含經組態以待抽空之空間且氣體遞送系統經組態以在該空間中提供氣體目標。視情況地，光束路徑中之一些或全部可包含在真空環境中，應記住，SXR及/或EUV輻射當在空氣中傳播時會被吸收。輻射源310及照明光學件312之各種組件可為可調整的以在同一設備內實施不同度量衡「配方」。舉例而言，可以選擇不同的波長及/或偏振。
取決於在檢測中之結構之材料，不同波長可提供至下部層中之所要程度的穿透。為了解析最小裝置特徵及最小裝置特徵當中之缺陷，短波長很可能為較佳的。舉例而言，可選擇介於0.01至20 nm之範圍內或視情況介於1至10 nm之範圍內或視情況介於10至20 nm之範圍內的一或多個波長。短於5 nm之波長可在自半導體製造中之所關注材料反射時遭受極低臨界角。因此，選擇大於5 nm之波長可在較高入射角處提供較強信號。另一方面，若檢測任務係偵測某一材料之存在以例如偵測污染，則高達50 nm之波長可為有用的。
經濾光光束342可自輻射源310進入檢測腔室350，在該檢測腔室中，包括所關注結構之基板W由基板支撐件316固持以用於在量測位置處進行檢測。該所關注結構標記為T。視情況地，檢測腔室350內之氛圍可由真空泵352維持為接近真空，使得SXR及/或EUV輻射可在無不當衰減之情況下穿過該氛圍。照明系統312具有將輻射聚焦至經聚焦光束356中之功能，且可包含例如二維彎曲鏡面或一系列一維彎曲鏡面，如上文所提及的已公開美國專利申請案US2017/0184981A1 (其內容以全文引用之方式併入本文中)中所描述。執行該聚焦以在投影至所關注結構上時達成直徑低於10 µm之圓形或橢圓形光點S。基板支撐件316包含例如X-Y平移載物台及旋轉載物台，藉由該等載物台可使基板W之任何部分在所要定向上到達光束之焦點。因此，輻射光點S形成於所關注結構上。替代地或額外地，基板支撐件316包含例如可按某一角度使基板W傾斜以控制所關注結構T上之經聚焦光束之入射角的傾斜載物台。
視情況地，照明系統312將參考輻射光束提供至參考偵測器314，該參考偵測器可經組態以量測經濾光光束342中之不同波長的光譜及/或強度。參考偵測器314可經組態以產生信號315，該信號被提供至處理器310且濾光器可包含關於經濾光光束342之光譜及/或經濾光光束中之不同波長之強度的資訊。
反射輻射360係由偵測器318擷取且光譜被提供至處理器320以用於計算目標結構T之屬性。照明系統312及偵測系統318因此形成檢測設備。此檢測設備可包含屬於內容以全文引用方式併入本文中之US2016282282A1中所描述之種類的硬X射線、軟X射線及/或EUV光譜反射計。
若目標Ta具有某一週期性，則經聚焦光束356之輻射亦可經部分地繞射。繞射輻射397相對於入射角接著相對於反射輻射360以明確界定之角度遵循另一路徑。在圖9中，所繪製繞射輻射397以示意性方式繪製，且繞射輻射397可遵循除所繪製路徑以外的許多其他路徑。檢測設備302亦可包含對繞射輻射397之至少一部分進行偵測及/或成像的其他偵測系統398。在圖9中，繪製單個其他偵測系統398，但檢測設備302之實施例亦可包含多於一個其他偵測系統398，該偵測系統經配置於不同位置處以在複數個繞射方向上對繞射輻射397進行偵測及/或成像。換言之，照射於目標Ta上之經聚焦輻射光束的(較高)繞射階由一或多個其他偵測系統398來偵測及/或成像。一或多個偵測系統398產生提供至度量衡處理器320之信號399。該信號399可包括繞射光397之資訊及/或可包括自繞射光397獲得之影像。
為了輔助光點S與所要產品結構之對準及聚焦，檢測設備302亦可提供在度量衡處理器320之控制下使用輔助輻射的輔助光學件。度量衡處理器320亦可與位置控制器372通信，該位置控制器操作平移載物台、旋轉載物台及/或傾斜載物台。處理器320經由感測器接收基板之位置及定向的高度準確回饋。感測器374可包括例如干涉計，其可給出大約數皮米之準確度。在檢測設備302之操作中，由偵測系統318擷取之光譜資料382經遞送至度量衡處理單元320。
如所提及，檢測設備之替代形式使用視情況處於正入射或近正入射之硬X射線、軟X射線及/或EUV輻射，以例如執行基於繞射之不對稱性量測。檢測設備之另一替代形式使用具有與平行於基板之方向所成角度大於1°或2°之方向的硬X射線、軟X射線及/或EUV輻射。兩種類型之檢測設備均可提供於混合度量衡系統中。待量測之效能參數可包括疊對(OVL)、臨界尺寸(CD)、在微影設備列印目標結構時微影設備之焦點、相干繞射成像(CDI)及依解析度疊對(ARO)度量衡。硬X射線、軟X射線及/或EUV輻射可例如具有小於100 nm之波長，例如使用介於5至30 nm之範圍內，視情況介於10 nm至20 nm之範圍內的輻射。該輻射在特性上可係窄頻帶或寬頻帶。該輻射可在特定波長帶中具有離散峰值或可具有更連續特性。
類似於用於當今生產設施中之光學散射計，檢測設備302可用以量測在微影單元內處理之抗蝕劑材料內的結構(顯影後檢測或ADI)，及/或用以在結構已以較硬材料形成之後量測該等結構(蝕刻後檢測或AEI)。舉例而言，可在基板已由顯影設備、蝕刻設備、退火設備及/或其他設備處理之後使用檢測設備302來檢測該等基板。
包括但不限於上文所提及之散射計之度量衡工具MT可使用來自輻射源之輻射以執行量測。由度量衡工具MT使用之輻射可為電磁輻射。輻射可為光輻射，例如電磁光譜之紅外線部分、可見光部分及/或紫外線部分中的輻射。度量衡工具MT可使用輻射以量測或檢測基板之屬性及態樣，例如半導體基板上之微影曝光圖案。量測之類型及品質可取決於由度量衡工具MT使用之輻射的若干屬性。舉例而言，電磁量測之解析度可視輻射之波長而定，其中例如由於繞射限制，較小波長能夠量測較小特徵。為了量測具有小尺寸之特徵，可較佳使用具有短波長之輻射，例如EUV、硬X射線(HXR)及/或軟X射線(SXR)輻射，以執行量測。為了在特定波長或波長範圍下執行度量衡，度量衡工具MT需要存取提供在彼/彼等波長下之輻射的源。存在用於提供不同波長之輻射之不同類型的源。取決於由源提供之波長，可使用不同類型之輻射產生方法。對於極紫外線(EUV)輻射(例如，1 nm至100 nm)，及/或軟X射線(SXR)輻射(例如，0.1 nm至10 nm)，源可使用高階諧波產生(HHG)或逆康普頓散射(ICS)以獲得在所要波長下之輻射。
圖2a描繪根據本發明之孔徑15之實施例的剖視圖。本發明可用於圖1中所展示之EUV輻射源或EUV微影設備中，或用於如圖9中所展示之度量衡設備照明源或度量衡工具或度量衡設備中。孔徑15包括環形體16，該環形體包括第一開口17且界定第一軸線A，雷射光束2標稱地沿該軸線通過。環形體16包括可充當光束捕集器18之區域。光束捕集器18可係連續的且可定位於環形體16之內壁上。孔徑15亦包括光學元件19，該光學元件包括第二開口20。孔徑15亦包括雷射光束偵測系統21。應瞭解，雷射光束偵測系統21圍繞第一開口17設置，且雷射光束2不穿過該第一開口。
在雷射光束2適當地對準之標稱使用中，雷射光束沿著軸線A通過且穿過第一開口17及第二開口20。在標稱條件下，雷射光束2穿過光學元件19中之開口，且雷射光束偵測系統21並未接收到來自雷射光束2的任何或足夠的雷射光以被啟動。如圖2b中所展示，其中雷射光束2未對準，雷射光束2與光學元件19相互作用。雷射光束2與光學元件19之後壁22相互作用。後壁22允許雷射光束2之一部分穿過以形成第一子光束23。第一子光束23相較於雷射光束2具有較低功率，且因此其並不會損壞雷射光束偵測系統21。後壁22亦反射雷射光束2之一部分以形成朝向光束捕集器18導引之第二子光束24。隨著後壁22彎曲，第二子光束24經放大使得光束捕集器18處之雷射光的強度得以降低。以此方式，可將雷射光束2之大部分能量導引至光束捕集器18。較佳地，將大於90%、大於95%、大於98%或大於99%的雷射光束2之能量導引至光束捕集器18。因而，僅將少量雷射光束2之能量提供至雷射光束偵測系統21。如諸圖中所展示，光束捕集器18可包括隆脊，包括該等隆脊以減少或消除非想要的反射。隆脊33在其未與光學元件19重疊的地方以實線展示，且在其與光學元件19重疊的地方以虛線展示。光學元件19可由熔融矽石或石英形成。此等材料兩者均對具有約1微米之波長的雷射光光學透明。
圖2c描繪根據本發明類似於圖2a及圖2b之設備的設備之另一組態。在此實例中，孔徑包含外殼27。外殼27對雷射光束2之光的波長為透明的。在所描繪組態中，外殼27僅用以保留由對孔徑15造成之損壞產生的任何微粒或殘渣。外殼27包括中心孔徑，雷射光束2在標稱使用中穿過該中心孔徑。應瞭解，本文中所描述之任何孔徑可具備經組態以保留微粒及殘渣之外殼。
圖3a描繪替代性組態，其中光學元件19經組態以允許大部分雷射光束2通過至光束捕集器18且朝向雷射光束偵測系統21反射少數雷射光束2。光學元件19包括後壁22，該後壁為部分反射的，使得雷射光束2分裂成兩個子光束23、24。光學元件19包括具有視情況選用之抗反射塗層的前壁25。如同圖2a至圖2c中所展示之組態，後壁22可為彎曲或筆直的。孔徑15可包括隔離壁26，該隔離壁經組態以抑制朝向雷射光束偵測系統21導引之子光束。
圖3b描繪本發明之一實施例之橫截面透視圖。光束捕集器18包括隆脊以便減少或消除非想要的反射。雷射光束偵測系統21位於圍繞環形體16之周邊。
圖4描繪根據本發明類似於圖3之設備的設備之另一組態。在此組態中，後壁22成角度使得第一子光束23經由內部反射傳播通過光學元件19。雷射光束2之大部分能量將穿過光學元件19且照明光束捕集器18。經反射雷射光束2將到達雷射光束偵測系統21。
在圖2a至圖4之實施例中，雷射光束偵測系統21可包括一或多個光偵測器，光偵測器可為光電二極體。光電二極體能夠偵測入射雷射光且產生信號，該信號可轉換成信號。替代地或額外地，雷射光束偵測系統可包括經組態以將雷射光導引至一或多個光偵測器的複數個光纖。光偵測器可連接至一或多個電子電路。該電子電路經組態以將停止信號發送至雷射光束之源來停止該源且避免任何進一步損壞。
圖5a描繪現有孔徑15'。對於此孔徑15'，當雷射光束2未對準時，其造成孔徑15'之加熱，該加熱可損壞孔徑15'且產生微粒及殘渣31。此等微粒及殘渣可接著污染微影設備之其他部分。圖5b描繪根據本發明之第二態樣的設備之實施例，該設備額外包括外殼27。外殼27對雷射光束2之光的波長為透明的。在所描繪組態中，外殼27僅用以保留由對孔徑15造成之損壞產生的任何微粒或殘渣。外殼27包括中心孔徑，雷射光束2在標稱使用中穿過該中心孔徑。應瞭解，本文中所描述之任何孔徑可具備經組態以保留微粒及殘渣之外殼。在圖5b中，雷射偵測系統包含兩個熱開關30。該等熱開關可設置於兩個或多於兩個單獨電子電路上。以此方式，若電路中之一者無法起作用，則另一電路能夠仍偵測任何溫度波動。該電子電路經組態以將停止信號發送至雷射光束之源來停止該源且避免任何進一步損壞。
圖6及圖7描繪本發明之實施例，其包括經組態以保留由對孔徑15之損壞產生之任何微粒或殘渣的外殼27。應瞭解，雷射光束出於比較及實例起見而展示於其標稱位置中以及未對準位置中。後壁34可如圖6中所展示為直線的或如圖7中所展示為彎曲的。後壁34可經組態以放大子光束24，使得光束捕集器18處之子光束24的強度得以降低。後壁34可經組態以使子光束24成角度，使得其以傾斜角照明光束捕集器18，藉此降低光束捕集器18處之子光束24的強度。該設備可包括密封件28。密封件28可為o型環且可由橡膠形成。可存在超過一個密封件28、28'。外殼27可包括經組態以保護密封件28免受雷射光束2影響之壁29。壁29可為至少部分地反射的或成角度以降低雷射光束2的入射角來使大部分雷射光束2反射遠離密封件28。環形體16可具備熱開關30，該熱開關回應於溫度改變且經組態以在其偵測到溫度高於預定位準時關閉雷射光束2。
在特定實施例中，孔徑包含複數個熱開關30。熱開關30可連接至不同電子電路。熱開關30之第一集合可連接至第一電子電路，且熱開關30之第二集合可連接至第二電子電路。熱開關30可以環形樣式配置於第一孔徑之周邊中。有利地，這樣可以符合SIL-3規定，因為它為其中一個電路不工作的情況提供了故障保護。兩個或多於兩個電子電路發生雙重故障之可能性極低。有利地，孔徑經組態以足夠快地關閉雷射，即使有一個電路發生故障。熱開關之各集合中之熱開關30的數目可在2與10之間。電子電路經組態以將停止信號發送至雷射光束之源來停止該源且避免任何進一步損壞。
圖8類似於圖6及圖7，儘管其中光學感測器32安置於外殼27與本體16之間。如上文所描述，外殼27可為光學元件19，其與雷射光2相互作用使得光學感測器能夠經由偵測雷射光2來偵測未對準。外殼27經組態使得提供至光學感測器32之雷射光2的強度降低以避免對光學感測器32的損壞。熱開關30亦可視情況提供，或可以代替光學感測器32被去除。應瞭解，光學元件19及外殼27可作為單件提供。在此等情況下，光學元件之後壁22係外殼之後壁22、34。在此類組態中，光學元件/外殼經組態以根據本發明之第一態樣將未對準雷射光束分裂成至少兩個子光束，且亦根據本發明之第二態樣保留任何污染物或殘渣。
圖10描繪提供兩個半透明光學元件34之實施例。應瞭解，在一些實施例中，僅可提供單一半透明元件34。亦應瞭解，在一些實施例中，先前圖中所描繪之光學元件可為至少部分半透明的。如同其他實施例，半透明光學元件34可為實質上環形或圓環形的，中心具有孔，標稱雷射光束可不受阻礙地穿過該孔。未對準雷射光束(展示為三個最初平行線)穿過第一半透明光學元件34，引起該未對準雷射光束發散。未對準雷射光束接著穿過第二半透明光學元件34，發生未對準雷射光束之進一步發散。因此，當未對準雷射光束擊中孔徑時，其會散佈在比原本情況下更大的區域。半透明光學元件可為有利的，因為其可呈具有中心孔之扁平圓盤的形式，該中心孔具有粗糙表面塗層，此意謂其相較於意欲執行發散雷射光束之同樣功能的彎曲光學元件更容易生產，因為不需要精確的表面拋光。
圖11A及圖11B描繪根據本發明之光學元件的一個實施例。圖11A展示包括中心孔之光學元件的橫截面，經對準雷射光束在使用中穿過該中心孔。圖11B為展示中心開口之光學元件的正視圖。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件的任何設備之部分。此等設備可通常被稱作微影工具。此類微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
在上下文允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機制。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)；以及其他者。此外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此等動作實際上由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置引起，且如此進行可引起致動器或其他裝置與實體世界互動。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
在以下經編號條項中描述本發明之態樣： 1. 一種用於偵測雷射光束之未對準的孔徑，該雷射光束經組態以在其擊中目標時產生電漿，該孔徑包含： - 本體，其包括第一開口且界定第一軸線； - 光束捕集器； - 光學元件，其包括第二開口，其中第一開口及第二開口與第一軸線同軸，該光學元件經組態以將未對準雷射光束分裂成至少兩個子光束； - 雷射光束偵測系統，其經組態以偵測雷射光，其中光學元件經組態以將第一子光束導引至光束捕集器，且將第二子光束導引至雷射光束偵測系統。 2. 如條項1之孔徑，其中光學元件包括經組態以反射入射雷射光束之一部分且透射入射雷射光束之另一部分的部分反射表面。 3. 如條項1或2之孔徑，其中光學元件經組態以放大第一子光束，視情況其中該光學元件包括經組態以放大第一子光束之彎曲表面。 4. 如任一前述條項之孔徑，其中雷射光束偵測系統經組態以偵測雷射光束之未對準且在偵測到未對準時發送信號。 5. 如任一前述條項之孔徑，其中雷射光束偵測系統包括一或多個光偵測器、視情況光電二極體，及/或經組態以將雷射光導引至一或多個光偵測器的複數個光纖。 6. 如任一前述條項之孔徑，其中光學元件經組態以至少部分地漫射第二子光束。 7. 如任一前述條項之孔徑，其中該孔徑包括漫射體以至少部分地漫射第二子光束。 8. 如任一前述條項之孔徑，其中光學元件經組態成能夠透射波長約為1微米之雷射光。 9. 如任一前述條項之孔徑，其中本體包括複數個隆脊，該複數個隆脊位於其內表面處且經組態以吸收任何經反射雷射光。 10. 如任一前述條項之孔徑，其中光學元件經組態以內反射未對準雷射光束之至少一部分。 11. 如任一前述條項之孔徑，其中該孔徑包括對預定波長之光光學透明的外殼。 12. 如請求項11之孔徑，其中外殼圍封光學元件、光束捕集器及雷射光束偵測系統中之至少一者，視情況該外殼可形成光學元件之至少一部分。 13. 如條項11或條項12之孔徑，其中外殼包含熔融矽石或石英。 14. 如條項11至13中任一項之孔徑，其中外殼為環形的且包括中心孔徑。 15. 一種用於偵測EUV源內之雷射光束未對準的孔徑，該孔徑包含：本體，其包括第一開口且界定第一軸線；光束捕集器；雷射光束偵測系統，其中孔徑進一步包括經組態以圍封本體、光束捕集器及雷射光束偵測系統中之至少一者的外殼，且該外殼經組態以對預定波長之光為透明的。 16. 如條項15之孔徑，其中外殼包含對於波長為約0.5至約1.5微米之光光學透明的材料，視情況為熔融矽石或石英。 17. 如條項15或條項16之孔徑，其中外殼經組態以漫射任何未對準雷射光。 18. 如條項15至17中任一項之孔徑，其中密封件設置於本體與外殼或光學元件之間。 19. 如條項18之孔徑，其中外殼經組態以將雷射光導引遠離密封件，及/或其中光學元件經組態以圍封光束捕集器及雷射光束偵測系統。 20. 如條項15至19中任一項之孔徑，其中雷射光束偵測系統經組態以熱偵測雷射光束。 21. 一種偵測雷射光束之未對準的方法，該方法包括：將未對準雷射光束分裂成兩個或多於兩個子光束；將該等子光束中之一者導引至雷射光束偵測器系統；及將該等子光束中之另一者導引至光束捕集器。 22. 如條項21之方法，其中該方法包括放大該等子光束中之至少一者。 23. 如條項21或條項22之方法，其中該方法包括使該等子光束中之至少一者成角度，使得其按傾斜角照明光束捕集器或雷射光束偵測器。 24. 如條項21至23中任一項之方法，其中該方法包括在偵測到未對準時產生信號。 25. 如條項24之方法，其中信號被發給控制器以斷開雷射光束或重新對準雷射光束。 26. 一種輻射源或度量衡工具，其包括如條項1至14中任一項之孔徑。 27. 一種微影設備，其包括如條項1至14中任一項之孔徑或如條項26之輻射源。 28. 一種如條項1至27中任一項之孔徑、輻射源、度量衡工具或方法在微影設備或方法中的用途。
1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:接近正入射輻射收集器 6:中間焦點 7:錫電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 15:孔徑 15':孔徑 16:環形體 17:第一開口 18:光束捕集器 19:光學元件 20:第二開口 21:雷射光束偵測系統 22:後壁 23:第一子光束 24:第二子光束 25:前壁 26:隔離壁 27:外殼 28:密封件 28':密封件 29:壁 30:熱開關 31:微粒及殘渣 32:光學感測器 33:隆脊 34:後壁/半透明光學元件 302:度量衡設備/檢測設備 310:照明源/輻射源/處理器 312:照明系統/照明光學件 314:參考偵測器 315:信號 316:基板支撐件 318:偵測系統/偵測器 320:度量衡處理單元(MPU)/度量衡處理器 330:泵浦輻射源 332:氣體遞送系統 334:氣體供應件 336:電源 340:第一泵浦輻射 342:發射輻射/經濾光光束 344:濾光裝置 350:檢測腔室 352:真空泵 356:經聚焦光束 360:反射輻射 372:位置控制器 374:感測器 382:光譜資料 397:繞射輻射/繞射光 398:偵測系統 399:信號 A:第一軸線 B:EUV輻射光束 B':圖案化EUV輻射光束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構/度量衡工具 PS:投影系統 S:輻射光點 SO:輻射源 T:目標結構 Ta:目標 W:基板 WT:基板台
現將參看隨附示意性圖式僅作為實例來描述本發明之實施例，在隨附示意性圖式中： -  圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統； -  圖2a描繪本發明之一實施例，其中雷射光束處於標稱位置中且圖2b描繪雷射光束未對準之情況； -  圖2c描繪類似於圖2a及圖2b之孔徑的孔徑，其包括經組態以容納污染物及殘渣之外殼。 -  圖3a及圖3b描繪根據本發明之設備的另一組態； -  圖4描繪根據本發明之設備的另一組態； -  圖5a描繪現有孔徑且圖5b描繪根據本發明之一實施例的孔徑，其包括經組態以容納污染物及殘渣之外殼； -  圖6描繪根據本發明之態樣之設備的實施例，該設備包括外殼； -  圖7描繪類似於圖6中所展示之外殼的外殼，儘管其具有經組態以放大雷射光束的彎曲壁； -  圖8描繪根據本發明之態樣之設備的實施例，該設備包括雷射光束偵測系統； -  圖9描繪其中使用EUV及/或SXR輻射之度量衡設備的示意性表示；及 -  圖10描繪根據本發明之態樣之孔徑的示意性表示，該孔徑包括半透明光學元件。 -  圖11A及圖11B描繪根據本發明之態樣的光學元件之示意性表示。
2:雷射光束
16:環形體
19:光學元件
27:外殼
30:熱開關
32:光學感測器
33:隆脊

Claims (20)

  1. 一種用於偵測一雷射光束之未對準的孔徑，該雷射光束經組態以在其擊中一目標時產生電漿，該孔徑包含： 一本體，其包括一第一開口且界定一第一軸線； 一光束捕集器； 一光學元件，其包括一第二開口，其中該第一開口及該第二開口與該第一軸線同軸，該光學元件經組態以將一未對準雷射光束重導引至一偵測器或將一未對準雷射光束分裂成至少兩個子光束； 一雷射光束偵測系統，其經組態以偵測雷射光，其中該光學元件經組態以將一第一子光束導引至該光束捕集器，且將一第二子光束導引至該雷射光束偵測系統。
  2. 如請求項1之孔徑，其中該光學元件包括經組態以反射入射雷射光束之一部分且透射該入射雷射光束之另一部分的一部分反射表面。
  3. 如請求項1或2之孔徑，其中該光學元件經組態以放大該第一子光束，視情況其中該光學元件包括經組態以放大該第一子光束之一彎曲表面。
  4. 如請求項1或2之孔徑，其中該雷射光束偵測系統經組態以偵測該雷射光束之一未對準且在偵測到未對準時發送一信號。
  5. 如請求項1或2之孔徑，其中該雷射光束偵測系統包括一或多個光偵測器、視情況光電二極體，及/或經組態以將雷射光導引至一或多個光偵測器之複數個光纖。
  6. 如請求項1或2之孔徑，其中該光學元件經組態以至少部分地漫射該第二子光束。
  7. 如請求項1或2之孔徑，其中該孔徑包括一漫射體以至少部分地漫射該第二子光束。
  8. 如請求項1或2之孔徑，其中該光學元件經組態成能夠透射波長約為1微米之雷射光。
  9. 如請求項1或2之孔徑，其中該孔徑包括對一預定波長之光光學透明的一外殼。
  10. 如請求項9之孔徑，其中該外殼圍封該光學元件、光束捕集器及雷射光束偵測系統中之至少一者，視情況該外殼可形成該光學元件之至少一部分。
  11. 如請求項1或2之孔徑，其中該光學元件經組態以圍封該光束捕集器及該雷射光束偵測系統。
  12. 如請求項1或2之孔徑，其中一密封件設置於該本體與該光學元件之間。
  13. 如請求項12之孔徑，其中該光學元件經組態以將雷射光導引遠離該密封件。
  14. 如請求項1或2之孔徑，其中該孔徑進一步包括經組態以發散該未對準雷射光束之一半透明光學元件。
  15. 如請求項14之孔徑，其中該半透明光學元件為包括一第二開口之該光學元件，其中該第一開口及該第二開口與該第一軸線同軸。
  16. 一種用於偵測一雷射光束之未對準的孔徑，該雷射光束經組態以在其擊中一目標時產生電漿，該孔徑包含： 一本體，其包括一第一開口且界定一第一軸線； 一光束捕集器； 一光學元件，其包括一第二開口，其中該第一開口及該第二開口與該第一軸線同軸，其中該光學元件為半透明的且經組態以發散該未對準雷射光束。
  17. 如請求項16之孔徑，其中該光學元件經組態以使該未對準雷射光束發散至少5°(半圓錐角)。
  18. 如請求項16或請求項17之孔徑，其中該光學元件包括經組態以發散該未對準雷射光束之多於一個半透明光學元件。
  19. 一種輻射源或一種度量衡工具，其包括一如請求項1至18中任一項之孔徑。
  20. 一種微影設備，其包括一如請求項1至18中任一項之孔徑或如請求項19之輻射源。
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