JP2005233827A - Euv光強度分布測定装置およびeuv光強度分布測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、EUV光源から放出されるEUV光束内の強度分布を精密に測定可能なEUV光強度分布測定装置及びEUV光強度分布測定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 EUV光源から発散されるEUV光束内の強度分布を測定するEUV光強度分布測定装置であって、EUV光反射ミラ−と光電変換素子を有する複数の第1のEUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上の異なる位置に移動可能に配置され、該移動を行なうことによって少なくとも隣合う前記第1のEUV光検出ユニットが略球面上の略同一の位置においてEUV光を検出可能であることを特徴とするEUV光強度分布測定装置。
【選択図】 図1
【解決手段】 EUV光源から発散されるEUV光束内の強度分布を測定するEUV光強度分布測定装置であって、EUV光反射ミラ−と光電変換素子を有する複数の第1のEUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上の異なる位置に移動可能に配置され、該移動を行なうことによって少なくとも隣合う前記第1のEUV光検出ユニットが略球面上の略同一の位置においてEUV光を検出可能であることを特徴とするEUV光強度分布測定装置。
【選択図】 図1
Description
本発明は、投影露光装置等で用いるEUV光源を評価するためのEUV光強度分布測定装置、およびその測定装置で用いられるEUV光強度分布測定方法に関するものである。
従来、半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するための焼き付け(リソグラフィー)方法として、紫外線を用いた縮小投影露光が行われてきた。縮小投影露光で転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため微細な回路パターンを転写するためには用いる光の短波長化が進められ、水銀ランプi線(波長365nm)、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
しかし半導体素子は急速に微細化しており、以上の紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで0.1μmを下回るような非常に微細な回路パターンを効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長が短い波長10〜15nm程度の極端紫外光(EUV光)を用いた縮小投影露光装置が開発されている。図13はEUV露光装置の概念図である。
この縮小投影露光装置の開発と平行してこれに用いるEUV光源の開発が進められていて、たとえば特開2002−174700に記載されようなレーザープラズマ光源がある。これは真空容器中に置かれたターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させこれが発光点となって、これから放射される例えば波長13nm程度のEUV光を利用するものである。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。ターゲットから放射されるEUV光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方が良く、通常数kHzの繰り返し周波数で運転される。また、ターゲットから放射されるEUV光を効率よく利用するために光学素子が設けられている。EUV光を用いた露光装置を構成する光学素子は、主として斜入射全反射ミラー、および直入射に近い入射角のミラーとしてシリコンとモリブデンからなる多層膜ミラーが用いられるが、この直入射多層膜ミラーは波長13.5nmのEUV光に対する反射率が高いことから、EUV光源から放射される光のうち、投影露光としては結果的に波長13.5nmを中心とした、13.365nm乃至13.635nmのEUV光が用いられる。発光点からのEUV光は、集光ミラーによって集光点に集光され、集光点から発散した後投影露光装置に導入され、投影露光装置の照明光学系によってマスクを均一に照明する。
マスクを均一に照明することは、例えば解像力といった投影露光装置の性能にとって極めて重要であり、そのためには集光点から発散されるEUV光の強度が発散角度内で均一であることが望ましい。しかし集光点から発散されるEUV光は、プラズマの形状や真空容器内のガス濃度の分布、集光ミラーの形状などの因子によって、発散角度内に均一な強度で放射されるとは限らず、EUV光源の発散角度内の強度分布をあらかじめ把握して、照明光学系で補正する等の必要がある。
以上を達成するには、EUV光の発散角度内での強度分布(以下、角度分布)を測定する装置が必要となるが、特開2002−175980に記載されているような図10に示す装置で角度分布を測定することができる。図12において、101はEUV光を含む光を発散する発散点であり、発散点101から発散された光は、ミラー102で反射され、さらにEUV光のみを透過するEUVフィルタ103を経てEUV光のみがCCDアレイ104に到達する。発散点101からのEUV光は、発散角度によってCCDアレイ104上における到達位置が異なるが、CCD上の位置ごとの出力によって、発散点101でのEUV光の角度分布が把握できる。
特開2002−174700
特開2002−175980
しかしながら、上述の図12の装置で角度分布を測定する場合には、以下のような欠点がある。
一点目としてEUV光のミラーとしては、斜入射全反射ミラーではない図12のような場合には、通常多層膜ミラーが用いられるが、入射角によって反射率が最大となる波長が異なる。したがって、CCDの受光面の位置によって異なる波長のEUV光に感度が生じるため、投影露光に用いる波長13.365nm乃至13.635nmのEUV光の角度分布を正確に求めることができない。
他方、通常多層膜ミラー、検出器などは予め校正されているものを使用しているが、光源を照射していくと、EUV光とともにデブリと呼ばれる飛散粒子を発生してしまい、それが多層膜ミラーを汚染、損傷し、ミラーの反射率の低下を引き起こし、また、チャンバー雰囲気内のコンタミ(汚染物)により光電変換素子表面にコンタミが堆積して感度を変化させてしまい、EUV光の角度分布を正確に求めることができない。
本発明は、以上のような問題点を解決し、EUV光源から放出されるEUV光束内の強度分布が精密に測定可能であるEUV光強度分布測定装置およびEUV光検出ユニットの校正をしてEUV光強度分布を測定するEUV光強度分布測定方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明に係るEUV光強度分布測定装置は、EUV光源から発散されるEUV光束内の強度分布を測定するEUV光強度分布測定装置であって、EUV光反射ミラーと光電変換素子を有する複数の第1のEUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上の異なる位置に移動可能に配置され、該移動を行なうことによって少なくとも隣合う前記第1のEUV光検出ユニットが略球面上の略同一の位置においてEUV光を検出可能であることを特徴とする。
また、本発明に係るEUV光強度分布測定装置は、EUV光源から発散されるEUV光束内の強度分布を測定するEUV光強度分布測定装置であって、EUV光反射ミラーと光電変換素子を有する複数の第1のEUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上の異なる位置に移動可能に配置され、該複数の第1のEUV光検出ユニットは、該略球面上の基準位置に移動可能である第1群、又は該基準位置に移動不可能な第2群のいずれかに属し、該第2群に属するEUV光検出ユニットは該第1群に属するEUV光検出ユニットの内の少なくとも一つと該略球面上の略同一位置でEUV光の検出を行なうことができることを特徴とする。
また、本発明に係るEUV光強度分布測定装置は、EUV光源から発散されるEUV光束内の強度分布を測定するEUV光強度分布測定装置であって、EUV光反射ミラーと光電変換素子を有する複数の第1のEUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上の異なる位置に移動可能に配置され、該複数の第1のEUV光検出ユニットは、該略球面上の基準位置に移動可能であることを特徴とする。
以上説明したように、EUV光強度分布測定装置において、少なくとも反射ミラーと光電変換素子からなる複数のEUV光検出ユニットを、EUV光の発散中心点からほぼ等距離の異なる位置に配置するとともに、任意の角度方向のEUV光強度を検出することができるように、EUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上で移動可能な構成として移動させることにより、所望の波長範囲のみのEUV光の角度分布を正確に求めることができる。また、EUV光角度分布の時間変動も測定が可能となる。
さらに、EUV光強度分布測定装置内において、複数のEUV光検出ユニットを校正することができるため、このように感度のそれぞれ異なる複数のEUV光検出ユニットを、事前に校正おこなうことにより、より精度の高いの角度分布を求めることができる。
(第1実施形態)
図1は第1実施形態に係るEUV光強度分布測定装置と、測定の対象であるEUV光を発生するEUV光源の断面図である。図2は図1におけるA−A矢視図である。尚、発明を説明するにあたり、図1中に示すとおり、紙面に垂直の方向がX軸、紙面における上下方向がY軸、紙面における左右方向がZ軸である座標軸を用いて以下に説明する。本実施形態においては、主に発光点から発散されるEUV光を回転楕円面を有する集光ミラーによって集光点に集光して投影露光装置に供給するEUV光源について、本発明は係るEUV光強度分布測定装置を適用する場合について説明する。発光点から発散されるEUV光を回転放物面を有する集光ミラーによって平行光として投影露光装置に供給するEUV光源に対して本発明を適用する場合には、適宜EUV光束の違いに対応して装置の構成を変更することで同様の効果を得ることが可能である。
図1は第1実施形態に係るEUV光強度分布測定装置と、測定の対象であるEUV光を発生するEUV光源の断面図である。図2は図1におけるA−A矢視図である。尚、発明を説明するにあたり、図1中に示すとおり、紙面に垂直の方向がX軸、紙面における上下方向がY軸、紙面における左右方向がZ軸である座標軸を用いて以下に説明する。本実施形態においては、主に発光点から発散されるEUV光を回転楕円面を有する集光ミラーによって集光点に集光して投影露光装置に供給するEUV光源について、本発明は係るEUV光強度分布測定装置を適用する場合について説明する。発光点から発散されるEUV光を回転放物面を有する集光ミラーによって平行光として投影露光装置に供給するEUV光源に対して本発明を適用する場合には、適宜EUV光束の違いに対応して装置の構成を変更することで同様の効果を得ることが可能である。
EUV光源1は、ノズル1−aから供給されるターゲット材(Xenon)にパルスレーザー光1−bを照射することによって発光点1−cの近傍においてターゲット材をプラズマ化し、パルス状のEUV光を放射させる。1−fはそのターゲット材を回収する機構である。このパルス状のEUV光は、集光ミラー1−dによって集光点1−eに集光され、集光点1−eを発散中心点として立体角C内を除く立体角B内に向けてEUV光を発散する。
本発明に係るEUV光強度分布測定装置2は、前記集光点1−eを中心にZ軸まわりに回転可能なωZステージ3上に、Z軸を含む平面内において集光点1−eを中心に回転可能なθステージ4−a〜dが設けられている。さらに4−a〜dのθステージ上に2個のEUV光検出ユニット5−aが設けられている。θステージ4−a〜dは、図1に示すように集光点1−eを中心とした同一半径の円弧状の形状であるので、すべてのEUV光検出ユニット5−aは、集光点1−eから等しい距離eの場所に位置している。
以上のような構成によって、すべてのEUV光検出ユニット5−aはωZステージ3によって図2中の矢印fに示すZ軸まわりの回転による移動が可能で、かつθステージ4−a〜dによって図1中の矢印g、すなわち図2中の矢印hに示すZ軸を含む平面内での集光点1−eを中心とした回転による移動が可能となる。
このような構成により、複数のEUV光検出ユニット5−aが、集光点1−eからほぼ等距離の異なる位置に配置され、かつEUV光検出ユニットが集光点を中心とする球面上で移動可能であるため、任意の角度方向のEUV光強度を検出することができる。なお、EUV光はガスによって吸収される性質があり、その吸収を防ぐため、EUV光角度分布測定装置2の内部は図示しない真空排気系による排気によって真空が保たれている。
図3は、EUV光検出ユニット5−aの構成を示す断面図である。EUV光強度分布測定装置2内に設けられた複数のEUV光検出ユニットは、構成はすべて同じになっている。EUV検出ユニット5−aはアパーチャ6を通過して入射したEUV光を、典型的にはシリコンとモリブデンによる多層膜で構成された反射ミラーである多層膜ミラー7で反射し、必要に応じてEUV光以外を吸収するように設定された例えばジルコニウムの薄膜によるフィルタ8を通過させた後、光電変換素子であるフォトダイオード9により強度を測定する。フォトダイオード9の代わりとして、空間分解能を有するCCDを用いても実現可能である。フォトダイオード9からはEUV光の強度に応じて信号が出力され、EUV検出ユニット5−aの出力となる。また、その出力信号が微弱な場合は必要に応じて、EUV検出ユニット5−aにアンプ部を設け、フォトダイオード9からの出力を増幅し、EUV光検出ユニット5−aの出力としてもよい。
多層膜ミラー7は、投影露光に用いる13.5nmの波長のEUV光に対して反射率が最大になるような膜厚のシリコン層とモリブデン層が既知の方法により交互に成膜されて構成されている。EUV光源1からの光には、投影露光に用いる13.5nm付近の波長のEUV光だけではなく、波長が10〜20nm程度のEUV光や、さらに長波長の紫外線、可視光、赤外光も含まれている。このような光がすべてフォトダイオード9に入射した場合、実際に露光に用いられるEUV光強度分布を測定することが困難となる。しかし、上記のような多層膜ミラー7を反射させることにより、13.5nm付近の波長を有するEUV光以外の光線が取り除かれ、目的とするEUV光の強度分布が測定可能となる。また,更に高精度に測定を行なう場合には、目的のEUV光以外を吸収するフィルタ8(たとえばZrフィルタ)を光路に設定する。
また、EUV光検出ユニット5−aの出力は、偏光成分の比に関係なく波長13.5nm付近のEUV光の強度に応じた信号を出力させるために、多層膜ミラー7への入射角は直入射に近い10度に設定している。なお、入射角は10度に限るものではなく、s偏光とp偏光の反射率に大きな差が生じない20度以下であれば良い。
以上に説明した構成であるので、EUV光角度分布測定装置2は、投影露光に用いる波長のEUV光の強度を、任意の方向で測定することが可能で、集光点1−eから発散する投影露光に用いる波長のEUV光の角度分布を求めることができる。
本実施形態では複数のEUV光検出ユニットを用いてEUV光の強度分布を測定するため、予めそれぞれのEUV光検出ユニットの感度を、例えば既知の強度のEUV光を測定した際の出力を測定すること等で求めておくことが、EUV光束内の強度分布を精度良く測定するために望ましい。
しかしながら、EUV光源はEUV光とともにデブリと呼ばれる飛散粒子を発生し、それに起因してEUV光検出ユニットの感度が変化するといった問題を生じる。具体的には、デブリが多層膜ミラ−を汚染、損傷し、ミラ−の反射率の低下を生じる。また、デブリを含むチャンバ−雰囲気内のコンタミ(汚染物)により光電変換素子表面にコンタミが堆積して光電変換素子の感度が変化する。これらの結果、EUV光検出ユニットの感度が変化し、精度良く測定できなくなってしまう問題を生じる。
そこで、本実施形態において、EUV光強度分布測定装置2に複数のEUV光検出ユニットを組み込んだ状態で、それぞれの感度比を明らかにして精度良く強度分布を測定する方法について説明する。
図2に示すように、EUV光検出ユニット5−aが8ヶ組み込まれたEUV光角度分布測定装置2について、EUV光検出ユニット5−aを組み込んだままの状態で、それぞれのEUV光検出ユニット5−aの校正を行なう手順について述べる。図2に示すように、θステ−ジ4上のEUV光検出ユニット5−aをそれぞれユニット1番〜8番とする。
ステップ1ではユニット1番に着目して、ユニット1番が所定の角度位置(φa,θa)にある状態で、所定のEUV光を照射することで、ユニット1番の出力Q1(φa,θa)を得る。ここで、φはωZステ−ジ3による図2中の矢印fに示すZ軸まわりの回転に関する角度を示し、θはθステ−ジ4−a〜dによるωZステ−ジ3の半径方向の移動に関する角度を示す。
ステップ2では、θステ−ジ4−aの移動によりユニット2番を同じ角度位置(φa,θa)まで移動させて、所定のEUV光を照射して出力Q2(φa,θa)を得る。この際に、上記で照射されたEUV光の強度は角度(φa,θa)において同等とすると、それぞれの出力は次式の関係で表される。
Q2(φa,θa)=αQ1(φa,θa) …(1)
ここでαは定数であり、ユニット1番とユニット2番の感度比を示している。
Q2(φa,θa)=αQ1(φa,θa) …(1)
ここでαは定数であり、ユニット1番とユニット2番の感度比を示している。
ステップ3ではユニット3番に着目して、ユニット3番が所定の角度位置(φb,θb)にある状態で、所定のEUV光を照射することで、ユニット3番の出力Q3(φb,θb)が得られる。
ステップ4では、θステ−ジ4−bによりユニット4番を同じ角度位置(φb,θb)まで移動させて、所定のEUV光を照射して出力Q4(φb,θb)を得る。
次にステップ5では、ωZステ−ジ3とθステ−ジ4−aによりユニット1番を同じ角度位置(φb,θb)まで移動させて、所定のEUV光を照射すると出力Q1(φb,θb)が得られる。ステップ3−5において、それぞれ照射されたEUV光の強度は角度(φa,θa)において同等とすると、それぞれの得られた出力は次式の関係で表される。
Q3(φb,θb)=βQ1(φb,θb) …(2)
ここでβは定数であり、ユニット1番とユニット3番の感度比を示している。
Q4(φb,θb)=γQ3(φb,θb) …(3)
ここでγは定数であり、ユニット3番とユニット4番の感度比を示している。また(2)、(3)式より
Q4(φb,θb)=γβQ1(φb,θb) …(4)
Q3(φb,θb)=βQ1(φb,θb) …(2)
ここでβは定数であり、ユニット1番とユニット3番の感度比を示している。
Q4(φb,θb)=γQ3(φb,θb) …(3)
ここでγは定数であり、ユニット3番とユニット4番の感度比を示している。また(2)、(3)式より
Q4(φb,θb)=γβQ1(φb,θb) …(4)
以上(1)〜(4)式について説明したのと同様にユニット1番〜8番の出力の比を求め、それぞれの角度位置におけるEUV光の出力が同等として、すべてのEUV光検出ユニットについてユニット1番との感度比を得ることができる。
また、このEUV光源から照射されるEUV光が時間的に変化する場合、例えば校正を行なうある角度(φ,θ)において,スペクトルが時間的に変化するか、あるいは強度の空間分布が時間的に変化する場合は、EUV光を照射する時間を十分に伸ばして、その平均の出力を用いるか、またはそれぞれのEUV光検出ユニットとを交互に角度(φ,θ)へ配置して、測定を繰り返し、その平均の出力を用いることにより、EUV光源の時間的変化に対する影響を取り除くことができる。
このように感度のそれぞれ異なる複数のEUV光検出ユニットを、事前に校正おこなうことにより、より精度の高いEUV光強度の角度分布を求めることができる。また、この校正動作は装置から取り外すことなくできるため、測定後のEUV光検出ユニットの感度変化を認識することができる。
本実施例形態のEUV光強度分布測定装置2では、複数のEUV光検出ユニット5−aを集光点1−eから等しい距離に設置しているため、集光点1−eから放射されたEUV光の角度によらずに同等に補正された感度で所定の波長のEUV光の強度測定が可能となる結果、集光点1−eから放射されるEUV光束内の強度分布計測を精度よく行なうことができる。また、単一のEUV光検出ユニット5−aを集光点1−eに向けた状態でEUV光束内を走査させることで、本実施例で説明した複数のEUV光検出ユニット5−aを用いる場合と同様の強度分布測定を行なうことも可能である。一方、特にターゲット材が気体や液体の場合には、発光点1−cでパルス状に発生するEUV光の分布がパルス毎に異なる場合がある。1回のパルス発光の時間は1msec以下であって非常に短時間であるため、EUV光検出ユニット5−aを走査することで強度分布を測定した場合にはパルス間のEUV光の分布のばらつきが本来の分布に重なり、測定の目的である平均的なEUV光の強度分布測定が困難になる。これに対して、十分な数のEUV光検出ユニット5−aをEUV光束内に分布させて同時に測定することで、各パルスによるEUV光の強度分布と平均的なEUV光の強度分布の測定が可能となる。
さらに、EUV光検出ユニット5−aは、略円形のEUV光の透過部を持つアパーチャ6により集光点1−eからのEUV光を狭い範囲に限定してフォトダイオード9に入射させる。このため、多層膜ミラー7への入射角の広がりが小さくなり、反射光の持つ波長分布幅を狭くすることが可能であり、目的の波長をもつEUV光の強度測定を精密に行なうことができる。本実施例で説明するEUV光検出ユニット5−aのアパーチャ6が集光点1−eを見込む角度は6度程度に設定されている。アパーチャ6が集光点1−eを見込む角度はこれに限定するものではなく、10度以下であれば良好な測定を行なうことができる。
EUV光検出ユニット5−aは図2中における半径方向に2個、図2中における周方向に4個、合計2×4であるところの8個が配置されている。EUV光検出ユニットをωZステージ3やθステージ4−a〜dで移動させずに、この8個のEUV光検出ユニットで同時に連続的に測定することによって、角度分布の時間変化を把握することができる。これについて図4を用いて説明する。
図4は、角度分布を表すグラフであり、集光点1−eを中心としたZ軸からの角度方向と、13.5nmのEUV光の強度を示していて、横軸はZ軸からの角度、縦軸は強度である。例えば、角度分布が時間によって図4の実線10に示すような状態と点線11に示すような状態とに変動する場合、本形態のEUV光強度分布測定装置での測定結果も変動に応じて、図5の×のプロット12と○のプロット13の2種の測定結果を示すことになる。このようにして角度分布の時間変化を把握することができる。
さらに図2中における周方向にもEUV光検出ユニット5が複数配置されているため、周方向を座標とした強度分布の時間変動も把握できる。角度分布の時間変動を把握するには、以上のようにEUV光検出ユニットの配置は、EUV光の発散中心点とすべてのEUV光検出ユニットの位置が同一平面上にあるのではない配置となるようにするのが望ましい。
(第2実施形態)
図6は第2実施形態に係るEUV光強度分布測定装置と、測定の対象であるEUV光を発生するEUV光源の断面図である。図7は図6におけるA−A矢視図である。尚、発明を説明するにあたり、図6中に示すとおり、紙面に垂直の方向がX軸、紙面における上下方向がY軸、紙面における左右方向がZ軸である座標軸を用いて以下に説明する。図6、図7に関して、図1及び図2と同じ構成である部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
図6は第2実施形態に係るEUV光強度分布測定装置と、測定の対象であるEUV光を発生するEUV光源の断面図である。図7は図6におけるA−A矢視図である。尚、発明を説明するにあたり、図6中に示すとおり、紙面に垂直の方向がX軸、紙面における上下方向がY軸、紙面における左右方向がZ軸である座標軸を用いて以下に説明する。図6、図7に関して、図1及び図2と同じ構成である部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
本発明に係るEUV光強度分布測定装置2は、第1実施形態と同様にEUV光検出ユニットが8個配置されているほかに、EUV光検出ユニットの校正を行なう際にのみ使用する1個の基準EUV光検出ユニット5−bが設けられている。基準EUV光検出ユニット5−bはEUV光束内、外に移動できるようになっている。これにより、基準EUV光検出ユニット5−bはEUV光の発生に伴い発生するデブリ等の汚染を受け難くなり、各EUV光検出ユニットの絶対感度を求める基準とすることができる。
図7に示すように、すべてのEUV光検出ユニット5−aは、集光点1−eから等しい距離eの場所に位置している。θステ−ジ4上のEUV光検出ユニット5−aをそれぞれユニット1番〜8番とする。また、本実施形態においては、基準EUV光検出ユニット5−bが他のEUV光検出ユニット5−aと同様に集光点1−eから距離eの場所に位置している場合について説明するが、基準EUV光検出ユニット5−bは集光点1−eからの距離が異なる位置に配置してもよい。
本実施形態においても複数のEUV光検出ユニットを用いることから、複数のEUV光検出ユニットの感度比を求める必要があるが、第1実施形態の方法によっては各EUV光検出ユニット間の相対的な感度比を明らかにできる一方、絶対的な感度の補正をすることができない。また、EUV光源自体の発光強度が変化する場合の感度比を求めることが困難となる。
そこで、本実施形態においては、第1実施形態と同様に、それぞれのユニット1番〜8番で感度比を求めるための測定を行なうと同時に、校正常に基準EUV光検出ユニット5−bを用いて所定の角度位置(φ,θ)におけるの出力Q(φ,θ)を得るようにする。これにより、各EUV光検出ユニットの絶対的な感度比が求められると共に、EUV光源の発光強度の変化によらない正確な感度比の測定が可能となる。
ステップ1では、第1実施形態と同様にユニット1番に着目して、ユニット1番が所定の角度位置(φa,θa)にある状態で、EUV光を照射することで、ユニット1番の出力Q1(φa,θa)が得られる。同時に、所定の角度位置(φ,θ)に固定した基準EUV光検出ユニット5−bの出力Q1(φ,θ)を得る。
ステップ2では、θステ−ジ4−aの移動によりユニット2番を同じ角度位置(φa,θa)まで移動させて、EUV光を照射して出力Q2(φa,θa)を得る。同時に、所定の角度位置(φ,θ)に固定してある基準EUV光検出ユニット5−bの出力Q2(φ,θ)を得る。
上記で得られたそれぞれの出力の関係は次式で表される。
Q2(φa,θa)/Q2(φ,θ)=α’Q1(φa,θa)/Q1(φ,θ) ・・・(5)
ここでα’は定数であり、基準EUV光検出ユニット5−bの出力で標準化されたユニット1番とユニット2番の感度比を示している。
Q2(φa,θa)/Q2(φ,θ)=α’Q1(φa,θa)/Q1(φ,θ) ・・・(5)
ここでα’は定数であり、基準EUV光検出ユニット5−bの出力で標準化されたユニット1番とユニット2番の感度比を示している。
ステップ3ではユニット3番に着目して、ユニット3番が所定の角度位置(φb,θb)にある状態で、EUV光を照射することで、ユニット3番の出力Q3(φb,θb)が得られる。同時に、所定の角度位置(φ,θ)に固定してある基準EUV光検出ユニット5−bの出力Q3(φ,θ)を得る。
ステップ4では、θステ−ジ4−bによりユニット4番を同じ角度位置(φb,θb)まで移動させて、所定のEUV光を照射して出力Q4(φb,θb)を得る。同時に、所定の角度位置(φ,θ)に固定してある基準EUV光検出ユニット5−bの出力Q4(φ,θ)を得る。
次にステップ5では、ωZステ−ジ3とθステ−ジ4−aによりユニット1番を同じ角度位置(φb,θb)まで移動させて、EUV光を照射すると出力Q1(φb,θb)が得られる。同時に、所定の角度位置(φ,θ)に固定してある基準EUV光検出ユニット5−bの出力Q5(φ,θ)を得る。
ステップ3−5において得られたそれぞれの出力の関係は次式で表される。
Q3(φb,θb)/Q3(φ,θ)=β’Q1(φb,θb)/Q5(φ,θ) …(6)
ここでβ’は定数であり、基準EUV光検出ユニット5−bの出力で標準化されたユニット1番とユニット3番の感度比を示している。
Q4(φb,θb)/Q4(φ,θ)=γ’Q3(φb,θb)/Q3(φ,θ) …(7)
ここでγ’は定数であり、基準EUV光検出ユニット5−bの出力で標準化されたユニット4番とユニット3番の感度比を示している。
Q3(φb,θb)/Q3(φ,θ)=β’Q1(φb,θb)/Q5(φ,θ) …(6)
ここでβ’は定数であり、基準EUV光検出ユニット5−bの出力で標準化されたユニット1番とユニット3番の感度比を示している。
Q4(φb,θb)/Q4(φ,θ)=γ’Q3(φb,θb)/Q3(φ,θ) …(7)
ここでγ’は定数であり、基準EUV光検出ユニット5−bの出力で標準化されたユニット4番とユニット3番の感度比を示している。
以上のように、各ステップの動作を繰り返すことによりユニット1番〜8番の出力の比が求められ、すべてのEUV光検出ユニット5−aの感度比を求めることができる。また、常に一定の角度位置(φ,θ)の出力をとらえることにより、EUV光源の強度変化に対する影響を取り除くことができる。
このように感度のそれぞれ異なる複数のEUV光検出ユニットを、事前に校正おこなうことにより、より精度の高いEUV光強度の角度分布を求めることができる。また、この校正動作は装置から取り外すことなくできるため、測定後のEUV光検出ユニットの感度変化を認識することができる。
(第3実施形態)
図8は第3実施形態に係るEUV光強度分布測定装置2で、第1、2実施形態とは配置したEUV光検出ユニットの数が異なるもである。図9は図8におけるA−A矢視図である。EUV光強度分布測定装置2は、前記集光点1−eを中心にZ軸まわりに回転可能なωZステージ3上に、Z軸を含む平面内において集光点1−eを中心に回転可能なθステージ4−a〜eが設けられている。さらに4−a〜dのθステージ上に4個のEUV光検出ユニット5−a,cが設けられている。また、4−eのθステージ上には、通常の測定時にはビームシャッター(5−bの斜線部分)で閉じられていて、EUV光検出ユニットの校正を行なう際にのみ使用する1個の基準EUV光検出ユニット5−bが設けられている。θステージ4−a〜eは、図8に示すように集光点1−eを中心とした同一半径の円弧状の形状であるので、すべてのEUV光検出ユニット5−a,bは、集光点1−eから等しい距離eの場所に位置している。
図8は第3実施形態に係るEUV光強度分布測定装置2で、第1、2実施形態とは配置したEUV光検出ユニットの数が異なるもである。図9は図8におけるA−A矢視図である。EUV光強度分布測定装置2は、前記集光点1−eを中心にZ軸まわりに回転可能なωZステージ3上に、Z軸を含む平面内において集光点1−eを中心に回転可能なθステージ4−a〜eが設けられている。さらに4−a〜dのθステージ上に4個のEUV光検出ユニット5−a,cが設けられている。また、4−eのθステージ上には、通常の測定時にはビームシャッター(5−bの斜線部分)で閉じられていて、EUV光検出ユニットの校正を行なう際にのみ使用する1個の基準EUV光検出ユニット5−bが設けられている。θステージ4−a〜eは、図8に示すように集光点1−eを中心とした同一半径の円弧状の形状であるので、すべてのEUV光検出ユニット5−a,bは、集光点1−eから等しい距離eの場所に位置している。
以上のような構成によって、すべてのEUV光検出ユニット5はωZステージ3によって図9中の矢印fに示すZ軸まわりの回転による移動が可能で、かつθステージ4−a〜dによって図8中の矢印g、すなわち図9中の矢印hに示すZ軸を含む平面内での集光点1−eを中心とした回転による移動が可能となる。
本実施形態においては、特に図9においてEUV光検出ユニット5−aは基準EUV光検出ユニット5−bと同一に位置までに移動可能であり、またEUV光検出ユニット5−cはEUV光検出ユニット5−aと同一に位置までに移動可能であるが、基準EUV光検出ユニット5−bの位置までは移動出来ないものである場合について説明する。本発明の実施が可能な実施形態はこれに限られるものではなく、全てのEUV光検出ユニットが基準EUV光検出ユニット5−bの位置に移動可能である場合にも実施が可能である。
図9に示したEUV光検出ユニットについても、前記の実施形態と同様に校正が必要になるが、第1、2実施形態よりも数が増しているため、EUV光検出ユニットの校正に用する時間が長くなる。また第1実施形態の方法と同様の校正動作、すなわに、基準EUV光検出ユニット5−bと同じ位置にすべてのEUV光検出ユニット5−aを移動できるようにするためには、測定装置が大きくなる。
そこで、本実施形態において、EUV光強度分布測定装置2にEUV光検出ユニットを組み込んだままの状態で、それぞれのEUV光検出ユニットの校正を行なう手順について述べる。
基準EUV光検出ユニット5−bは、例えば所定の波長において図10ような特定の入射角度―反射率特性を有する多層膜ミラー7と、透過率が既知のフィルタ8と、例えば図11のような量子効率の既知のフォトダイオード9のように、すべてが校正された部品で構成されていることで、入射したEUV光の絶対強度を知ることができる。一方、EUV光検出ユニット5−a,cにおいては、相対強度が測定できれば十分であるので、多層膜ミラー7のみ入射角度−反射率特性または特定の入射角度での波長−反射率特性が既知のものを使用する。このような構成において、光源の測定を行なう前に複数のEUV光検出ユニット5−a,cの出力の校正を行なう。
ステップ1では、基準EUV光検出ユニット5−bの出力の確認を行なうために、基準EUV光検出ユニット5−bを角度(φ0,θ0)の位置へ移動させる。EUV光の照射を行なうと前に、基準EUV光検出ユニット5−bの前面にあるビームシャッター(5−bの斜線部分)を開く。このビームシャッターは通常のEUV光源を測定している間は、多層膜ミラー、フォトダイオードなどの汚染を防止するために、閉じている。
この状態でEUV光を照射すると出力Q0(φ0,θ0)が得られる。出力Q0(φ0,θ0)は次式のようにあらわされる。
Q0(φ0,θ0)=G0Ω0∫I(φ0,θ0,λ)R0(λ)T0(λ)S0(λ)dλ …(1)
Q0(φ0,θ0)=G0Ω0∫I(φ0,θ0,λ)R0(λ)T0(λ)S0(λ)dλ …(1)
ここで、λは光の波長で、I(φ0,θ0,λ)は角度(φ0,θ0)において測定される波長λを持つEUV光の強度、R0(λ)は多層膜ミラー7の反射率、T0(λ)はフィルタ8の透過率、S0(λ)はフォトダイオード9の量子効率、G0は増幅回路(アンプ)のゲイン、Ω0はフォトダイオード9に取り込まれるEUV光の受光立体角である。被測定値Q0(φ0,θ0)はこれらのパラメータの積を波長により積分したものである。
ステップ2では、EUV光検出ユニット5−aの1番〜n番目の校正を行なうために、EUV光検出ユニット5−aをステップ1で基準EUV光検出ユニット5−bの校正を行なった同じ角度(φ0,θ0)の位置へ移動させる。EUV光源を照射すると出力Q1(φ0,θ0)が得られる。出力Q1(φ0,θ0)は次式のようにあらわされる。
Q1(φ0,θ0)=G1Ω1∫I(φ0,θ0,λ)R1(λ)T1(λ)S1(λ)dλ…(2)
また、
G1=aG0、Ω1=bΩ0、T1=cT0、S1=dS0
とすると、(2)式は
Q1(φ0,θ0)=aG0bΩ0∫I(φ0,θ0,λ)R1(λ)cT0(λ)dS0(λ)dλ
=abcd G0 Ω0∫I(φ0,θ0,λ)R1(λ)T0(λ)S0(λ)dλ…(3)
abcd=α1とすると、(1)、(3)より
α1=Q1(φ0,θ0)/Q0(φ0,θ0)×(∫I(φ0,θ0,λ)R0(λ)T0(λ)S0(λ)dλ)/(∫I(φ0,θ0,λ)R1(λ)T0(λ)S0(λ)dλ)
となり、Q1(φ0,θ0),Q0(φ0,θ0)の値はこの校正測定より得られる。またそのほかの値は、予め、校正した値を用いることにより、EUV光検出ユニット5−aと基準EUV光検出ユニット5−bの感度比α1を求めることができる。
Q1(φ0,θ0)=G1Ω1∫I(φ0,θ0,λ)R1(λ)T1(λ)S1(λ)dλ…(2)
また、
G1=aG0、Ω1=bΩ0、T1=cT0、S1=dS0
とすると、(2)式は
Q1(φ0,θ0)=aG0bΩ0∫I(φ0,θ0,λ)R1(λ)cT0(λ)dS0(λ)dλ
=abcd G0 Ω0∫I(φ0,θ0,λ)R1(λ)T0(λ)S0(λ)dλ…(3)
abcd=α1とすると、(1)、(3)より
α1=Q1(φ0,θ0)/Q0(φ0,θ0)×(∫I(φ0,θ0,λ)R0(λ)T0(λ)S0(λ)dλ)/(∫I(φ0,θ0,λ)R1(λ)T0(λ)S0(λ)dλ)
となり、Q1(φ0,θ0),Q0(φ0,θ0)の値はこの校正測定より得られる。またそのほかの値は、予め、校正した値を用いることにより、EUV光検出ユニット5−aと基準EUV光検出ユニット5−bの感度比α1を求めることができる。
ステップ3では、EUV光検出ユニット5−cの校正を行なうために、EUV光検出ユニット5−aを角度(φ1,θ1)の位置へ移動させる。EUV光源を照射すると出力Q1’(φ1,θ1)が得られる。
ステップ4では、EUV光検出ユニット5−cの1番〜n番目の校正を行なうために、EUV光検出ユニット5−cをステップ3でEUV光検出ユニット5−bの校正を行なった同じ角度(φ1,θ1)の位置へ移動させる。EUV光源を照射すると出力Q2’(φ1,θ1)が得られる。これらより、EUV光検出ユニット5−aとEUV光検出ユニット5−cの感度比を求めることができる。
他のEUV光検出ユニット5−aも同様に行なうことで、感度比がそれぞれ求まる。感度比α1については、取り込み立体角、フィルタの透過率、フォトダイオードの感度よる影響が少ないので、b≒c≒d=1として扱って、出力感度の差は、増幅回路(アンプ)のゲイン差としてもよい。
また、この測定するEUV光源が時間的に変化する場合、すなわち角度(φ0,θ0)において,スペクトルが時間的に変化するか、あるいは強度分布が時間的に変化する場合は、EUV光を照射する時間を十分に伸ばして、その平均の出力を用いるか、またはEUV光検出ユニット5−aと基準EUV光検出ユニット5−bを交互に角度(φ0,θ0)へ配置して、測定を繰り返し、その平均の出力を用いることにより、EUV光源の時間的変化に対する影響を取り除くことができる。第3実施形態で、基準EUV光検出ユニットを用いてEUV光検出ユニット5−aの校正を行い、次に、校正したEUV光検出ユニット5−aを基準センサーとして用いることによりEUV光検出ユニット5−cを校正することにより、校正時間の短縮および、装置の大型化を回避したものである。また、予め、すべてを校正している部品で構成されたEUV光検出ユニットを用いることにより、角度分布だけでなく、分布の絶対量の計測を行なうことができる。
このように感度のそれぞれ異なる複数のEUV光検出ユニットを、事前に校正おこなうことにより、より精度の高いの角度分布を求めることができる。また、この校正動作は装置から取り外すことなくできるため、測定後のEUV光検出ユニットの感度変化を認識することができる。
1 EUV光源
1−a ノズル
1−b レーザー光
1−c 発光点
1−d 集光ミラー
1−e 集光点
1−f ターゲット回収機構
2 EUV光角度分布測定装置
3 ωZステージ
4−a〜d θステージ
5−a、c EUV光検出ユニット
5−b 基準EUV光検出ユニット
6 アパーチャ
7 多層膜ミラー
8 フィルタ
9 フォトダイオード
101 発散点
102 ミラー
103 EUVフィルタ
104 CCDアレイ
1−a ノズル
1−b レーザー光
1−c 発光点
1−d 集光ミラー
1−e 集光点
1−f ターゲット回収機構
2 EUV光角度分布測定装置
3 ωZステージ
4−a〜d θステージ
5−a、c EUV光検出ユニット
5−b 基準EUV光検出ユニット
6 アパーチャ
7 多層膜ミラー
8 フィルタ
9 フォトダイオード
101 発散点
102 ミラー
103 EUVフィルタ
104 CCDアレイ
Claims (9)
- EUV光源から発散されるEUV光束内の強度分布を測定するEUV光強度分布測定装置であって、
EUV光反射ミラ−と光電変換素子を有する複数の第1のEUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上の異なる位置に移動可能に配置され、
該移動を行なうことによって少なくとも隣合う前記第1のEUV光検出ユニットが略球面上の略同一の位置においてEUV光を検出可能であることを特徴とするEUV光強度分布測定装置。 - EUV光源から発散されるEUV光束内の強度分布を測定するEUV光強度分布測定装置であって、
EUV光反射ミラ−と光電変換素子を有する複数の第1のEUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上の異なる位置に移動可能に配置され、
該複数の第1のEUV光検出ユニットは、該略球面上の基準位置に移動可能である第1群、又は該基準位置に移動不可能な第2群のいずれかに属し、
該第2群に属するEUV光検出ユニットは該第1群に属するEUV光検出ユニットの内の少なくとも一つと該略球面上の略同一位置でEUV光の検出を行なうことができることを特徴とするEUV光強度分布測定装置。 - EUV光源から発散されるEUV光束内の強度分布を測定するEUV光強度分布測定装置であって、
EUV光反射ミラ−と光電変換素子を有する複数の第1のEUV光検出ユニットがEUV光の発散中心点を中心とする略球面上の異なる位置に移動可能に配置され、
該複数の第1のEUV光検出ユニットは、該略球面上の基準位置に移動可能であることを特徴とするEUV光強度分布測定装置。 - 前記第1のEUV光検出ユニットの移動によらず、所定の位置においてEUV光の検出を行なうEUV光反射ミラ−と光電変換素子を有する第2のEUV光検出ユニットを更に有することを特徴とする請求項1乃至3に記載のEUV光強度分布測定装置。
- 前記第1のEUV光検出ユニットの移動によらず、前記略球面上の基準位置においてEUV光の検出を行なうEUV光反射ミラ−と光電変換素子を有する第2のEUV光検出ユニットを更に有することを特徴とする請求項2乃至3に記載のEUV光強度分布測定装置。
- 前記第2のEUV光検出ユニットは、前記EUV光束外に移動可能であることを特徴とする請求項4乃至5に記載のEUV光強度分布測定装置。
- 前記第2のEUV光検出ユニットの前記EUV光反射ミラ−は予めEUV波長帯域での反射率の入射角度依存性が既知であり、前記第2のEUV光検出ユニットの前記光電変換素子はEUV波長帯域での感度特性の既知であることを特徴とする請求項4乃至6に記載のEUV光強度分布測定装置。
- 前記第1のEUV光検出ユニットの前記EUV光反射ミラ−は、予めEUV波長帯域での反射率の入射角度依存性が既知であることを特徴とする請求項1乃至7のEUV光強度分布測定装置。
- 請求項1乃至8に記載のEUV光強度分布測定装置を用いて、前記複数の第1のEUV光検出ユニット間の感度比を予め測定し、又は第2のEUV光検出ユニットと前記の各第1のEUV光検出ユニットとの感度比を予め測定することで前記の各第1のEUV光検出ユニットのEUV光検出強度の校正を行うEUV光強度分布測定方法。
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