JP7241143B2 - 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 - Google Patents
極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7241143B2 JP7241143B2 JP2021157970A JP2021157970A JP7241143B2 JP 7241143 B2 JP7241143 B2 JP 7241143B2 JP 2021157970 A JP2021157970 A JP 2021157970A JP 2021157970 A JP2021157970 A JP 2021157970A JP 7241143 B2 JP7241143 B2 JP 7241143B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- target
- target material
- modified
- modified target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 486
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 339
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 143
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 20
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 12
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- ZSUXOVNWDZTCFN-UHFFFAOYSA-L tin(ii) bromide Chemical compound Br[Sn]Br ZSUXOVNWDZTCFN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021623 Tin(IV) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- 238000002047 photoemission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009290 primary effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N stannane Chemical compound [SnH4] KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000083 tin tetrahydride Inorganic materials 0.000 description 1
- LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J tin(iv) bromide Chemical compound Br[Sn](Br)(Br)Br LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本願は、「TARGET EXPANSION RATE CONTROL IN AN EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE」と題され2015年8月12日に提出された米国出願第14/824,141号、及び「STABILIZING EUV LIGHT POWER IN AN EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE」と題され2015年8月12日に提出された米国出願第14/824,147号の利益を主張するものであり、両文献は参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (18)
- プラズマに変換されたときに極端紫外線(EUV)光を放出する成分を含むターゲット材料を提供すること、
第1の放射ビームを前記ターゲット材料に相互作用させて、エネルギを前記ターゲット材料へと送出することであって、前記ターゲット材料の幾何分布を修正して修正されたターゲットを形成することを含むこと、
前記修正されたターゲットの少なくとも一部をEUV光を放出するプラズマに変換する第2の放射ビームを、前記修正されたターゲットに相互作用させること、
前記修正されたターゲットの空間的なアスペクトを第1のサンプリング間隔で第1の測定システムで測定し、前記修正されたターゲットの空間的なアスペクトを前記第1のサンプリング間隔とは異なる第2のサンプリング間隔で第2の測定システムで測定すること、及び
前記第1及び第2の測定システムからの測定値に基づいて放射ビームを制御すること、
を備える方法。 - 前記放射ビームを制御することは、前記第1の放射ビームの一又は複数のプロパティを調整することを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記放射ビームを制御することは、前記第1の放射ビームから前記ターゲット材料に送出される放射露光の量を制御することを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記放射ビームを制御することは、前記第1の放射ビームに露光されるか又はこれによってインターセプトされるターゲット材料の表面の単位面積を制御することを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記修正されたターゲットの前記空間的なアスペクトを測定することは、前記第2の放射ビームが前記修正されたターゲットと相互作用する前に、前記修正されたターゲットの前記空間的なアスペクトを測定することを備える、請求項1に記載の方法。
- 極端紫外線(EUV)光源のための装置であって、
第1の放射ビームをチャンバ内のターゲット材料に相互作用させて、修正されたターゲットを形成するように構成された光学的構成と、
前記ターゲット材料が前記第1の放射ビームと相互作用したときに前記ターゲット材料から反射される放射を受信するように構成されたセンサを備える第1の測定システムと、
第1の測定サブシステム及び第2の測定サブシステムを備える第2の測定システムであって、前記第1の測定サブシステムが、前記第1の放射ビームと前記ターゲット材料との間の前記相互作用から形成される前記修正されたターゲットの空間的なアスペクトを第1のサンプリング間隔で測定するように構成され、前記第2の測定サブシステムが、前記第1の放射ビームと前記ターゲット材料との間の前記相互作用から形成される前記修正されたターゲットの空間的なアスペクトを前記第1のサンプリング間隔とは異なる第2のサンプリング間隔で測定するように構成される、第2の測定システムと、
前記第1の測定システム及び前記第2の測定システムと通信する制御システムであって、前記第1及び第2の測定システムからの出力を分析し、前記分析に基づいて前記光学的構成に情報を送信するように構成された、制御システムと、
を備える装置。 - 前記制御システムは、前記分析に基づいて前記光学的構成に情報を送信し、前記光学的構成に、前記第1の放射ビームの一又は複数のプロパティを調整させるように構成されており、請求項6に記載の装置。
- 前記制御システムは、前記第1の放射ビームのエネルギを許容可能なエネルギの範囲内に維持することを含み、前記分析に基づいて前記光学的構成に情報を送信するように構成されている、請求項6に記載の装置。
- 前記制御システムは、前記第1及び第2の測定システムからの前記出力を分析するように構成されており、前記分析に基づいて前記第1の放射ビームの特徴を調整すべきかどうかを決定することを含む、請求項6に記載の装置。
- 前記光学的構成は、前記ターゲット材料の幾何分布を修正することを含み、前記第1の放射ビームを前記ターゲット材料に相互作用させることにより前記修正されたターゲットを形成するように構成されている、請求項6に記載の装置。
- 前記第1の測定サブシステム及び前記第2の測定サブシステムは、前記修正されたターゲットの大きさ、位置、及び配向のうちの一又は複数を測定することにより、前記修正されたターゲットの前記空間的なアスペクトを測定するように構成される、請求項6に記載の装置。
- 前記第1の測定サブシステム及び前記第2の測定サブシステムは、バックライト照明装置及びカメラを含む、請求項11に記載の装置。
- 前記光学的構成は、さらに、第2の放射ビームを前記修正されたターゲットに相互作用させて、前記修正されたターゲットの少なくとも一部をEUV光を放出するプラズマに変換するように構成される、請求項6に記載の装置。
- 第1の放射ビームをチャンバ内のターゲット材料に相互作用させて、修正されたターゲットを形成すること、
前記ターゲット材料が前記第1の放射ビームと相互作用したときに前記ターゲット材料から反射される放射を検知すること、
前記修正されたターゲットの空間的なアスペクトを第1のサンプリング間隔で第1の測定サブシステムで測定し、前記修正されたターゲットの空間的なアスペクトを前記第1のサンプリング間隔とは異なる第2のサンプリング間隔で第2の測定サブシステムで測定すること、
前記検知された放射と、前記第1及び第2の測定サブシステムからの出力とを分析すること、及び
前記分析に基づいて前記第1の放射ビームを制御すること、
を備える方法。 - 前記第1及び第2の測定サブシステムからの前記出力の前記分析に基づいて、ある方向に対する前記修正されたターゲットの角度を測定することをさらに備える、請求項14に記載の方法。
- 前記第1の放射ビームを前記ターゲット材料に相互作用させることにより前記修正されたターゲットを形成することは、前記ターゲット材料の幾何分布を修正することで前記修正されたターゲットを形成することを備える、請求項14に記載の方法。
- 前記ターゲット材料の前記幾何分布を修正することで前記修正されたターゲットを形成することは、少なくとも長軸に沿って膨張したディスク状の塊を形成することを備える、
請求項16に記載の方法。 - 前記修正されたターゲットの少なくとも一部をEUV光を放出するプラズマに変換する第2の放射ビームを、前記修正されたターゲットに相互作用させることをさらに備える、
請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/824,141 US9820368B2 (en) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source |
US14/824,141 | 2015-08-12 | ||
US14/824,147 US9713240B2 (en) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | Stabilizing EUV light power in an extreme ultraviolet light source |
US14/824,147 | 2015-08-12 | ||
JP2018506293A JP6744397B2 (ja) | 2015-08-12 | 2016-08-10 | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
JP2020129631A JP6952844B2 (ja) | 2015-08-12 | 2020-07-30 | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020129631A Division JP6952844B2 (ja) | 2015-08-12 | 2020-07-30 | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022008595A JP2022008595A (ja) | 2022-01-13 |
JP7241143B2 true JP7241143B2 (ja) | 2023-03-16 |
Family
ID=57983682
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018506293A Active JP6744397B2 (ja) | 2015-08-12 | 2016-08-10 | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
JP2020129631A Active JP6952844B2 (ja) | 2015-08-12 | 2020-07-30 | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
JP2021157970A Active JP7241143B2 (ja) | 2015-08-12 | 2021-09-28 | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018506293A Active JP6744397B2 (ja) | 2015-08-12 | 2016-08-10 | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
JP2020129631A Active JP6952844B2 (ja) | 2015-08-12 | 2020-07-30 | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6744397B2 (ja) |
KR (2) | KR20240015174A (ja) |
CN (2) | CN108353489B (ja) |
TW (2) | TWI739755B (ja) |
WO (1) | WO2017027566A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9820368B2 (en) | 2015-08-12 | 2017-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source |
TWI739755B (zh) * | 2015-08-12 | 2021-09-21 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 極紫外線光源中之目標擴張率控制 |
JP7225224B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2023-02-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プラズマをモニタするためのシステム |
US10314154B1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for extreme ultraviolet source control |
TWI821437B (zh) * | 2018-10-26 | 2023-11-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於監控光發射之系統、euv光源、及控制euv光源之方法 |
WO2020091744A1 (en) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Feedback control of microwave energy emitters |
KR20210130901A (ko) * | 2020-04-22 | 2021-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 장치 |
CN111999989B (zh) * | 2020-09-01 | 2023-07-14 | 广东省智能机器人研究院 | 激光等离子体极紫外光源和极紫外光产生方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007528607A (ja) | 2004-03-10 | 2007-10-11 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源 |
JP2011514648A (ja) | 2008-03-17 | 2011-05-06 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法 |
JP2013004258A (ja) | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 |
JP2013105725A (ja) | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 |
WO2014149436A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Cymer, Llc | Extreme ultraviolet light source |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5982800A (en) * | 1997-04-23 | 1999-11-09 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser |
US8653437B2 (en) * | 2010-10-04 | 2014-02-18 | Cymer, Llc | EUV light source with subsystem(s) for maintaining LPP drive laser output during EUV non-output periods |
US8654438B2 (en) * | 2010-06-24 | 2014-02-18 | Cymer, Llc | Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source |
US7529281B2 (en) * | 2006-07-11 | 2009-05-05 | Mobius Photonics, Inc. | Light source with precisely controlled wavelength-converted average power |
JP5368261B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2013-12-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
US8436328B2 (en) * | 2008-12-16 | 2013-05-07 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
NL2004837A (en) * | 2009-07-09 | 2011-01-10 | Asml Netherlands Bv | Radiation system and lithographic apparatus. |
JP5075951B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及びドライバレーザシステム |
US8810902B2 (en) * | 2010-12-29 | 2014-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Multi-pass optical apparatus |
KR20140060560A (ko) * | 2011-09-02 | 2014-05-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스 및 리소그래피 장치 |
JP5881345B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2016-03-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
DE102011086949A1 (de) * | 2011-11-23 | 2013-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungs- und Verlagerungsvorrichtung für eine Projektionsbelichtungsanlage |
WO2014019803A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for generating radiation |
CN103064260A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-04-24 | 华中科技大学 | 一种用于极紫外光刻机光源的锡液滴靶产生装置 |
US9000403B2 (en) * | 2013-02-15 | 2015-04-07 | Asml Netherlands B.V. | System and method for adjusting seed laser pulse width to control EUV output energy |
US8872143B2 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Target for laser produced plasma extreme ultraviolet light source |
KR102214861B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2021-02-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 극자외 광원을 위한 빔 위치 제어 |
JP6646576B2 (ja) * | 2013-11-15 | 2020-02-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源 |
US9232623B2 (en) * | 2014-01-22 | 2016-01-05 | Asml Netherlands B.V. | Extreme ultraviolet light source |
TWI739755B (zh) * | 2015-08-12 | 2021-09-21 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 極紫外線光源中之目標擴張率控制 |
-
2016
- 2016-08-09 TW TW105125348A patent/TWI739755B/zh active
- 2016-08-09 TW TW110133390A patent/TWI788998B/zh active
- 2016-08-10 CN CN201680047368.0A patent/CN108353489B/zh active Active
- 2016-08-10 WO PCT/US2016/046301 patent/WO2017027566A1/en active Application Filing
- 2016-08-10 JP JP2018506293A patent/JP6744397B2/ja active Active
- 2016-08-10 KR KR1020247003169A patent/KR20240015174A/ko active Application Filing
- 2016-08-10 KR KR1020187006976A patent/KR102631831B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-10 CN CN202111336436.4A patent/CN113966061A/zh active Pending
-
2020
- 2020-07-30 JP JP2020129631A patent/JP6952844B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-28 JP JP2021157970A patent/JP7241143B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007528607A (ja) | 2004-03-10 | 2007-10-11 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源 |
JP2011514648A (ja) | 2008-03-17 | 2011-05-06 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出のためのシステム及び方法 |
JP2013004258A (ja) | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 |
JP2013105725A (ja) | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法 |
WO2014149436A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Cymer, Llc | Extreme ultraviolet light source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202210958A (zh) | 2022-03-16 |
TWI788998B (zh) | 2023-01-01 |
KR102631831B1 (ko) | 2024-01-30 |
JP6744397B2 (ja) | 2020-08-19 |
KR20180038543A (ko) | 2018-04-16 |
JP2020194178A (ja) | 2020-12-03 |
JP2022008595A (ja) | 2022-01-13 |
JP2018532138A (ja) | 2018-11-01 |
TWI739755B (zh) | 2021-09-21 |
CN108353489B (zh) | 2021-11-19 |
WO2017027566A1 (en) | 2017-02-16 |
JP6952844B2 (ja) | 2021-10-27 |
CN108353489A (zh) | 2018-07-31 |
TW201729480A (zh) | 2017-08-16 |
KR20240015174A (ko) | 2024-02-02 |
CN113966061A (zh) | 2022-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7241143B2 (ja) | 極端紫外光源におけるターゲット膨張率制御 | |
US11096266B2 (en) | Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source | |
US10667377B2 (en) | Extreme ultraviolet light source | |
US9497840B2 (en) | System and method for creating and utilizing dual laser curtains from a single laser in an LPP EUV light source | |
US9713240B2 (en) | Stabilizing EUV light power in an extreme ultraviolet light source | |
TWI636709B (zh) | 極紫外線(euv)光源及產生euv光之方法 | |
US9241395B2 (en) | System and method for controlling droplet timing in an LPP EUV light source | |
TWI787648B (zh) | 產生極紫外(euv)光之方法與系統及相關之euv光源 | |
KR102632454B1 (ko) | Lpp euv 광 소스 내의 레이저 발화를 제어하는 시스템 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211026 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220822 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7241143 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |