JP6364002B2 - 極端紫外光生成システム - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外光生成システムに関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）光を生成するための極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット生成部と、ターゲットに、第１プリパルスレーザ光と、前記第１プリパルスレーザ光よりもパルス幅が長い第２プリパルスレーザ光と、メインパルスレーザ光と、がこの順で照射されるように、第１プリパルスレーザ光と、第２プリパルスレーザ光と、メインパルスレーザ光と、を生成するレーザシステムと、第２プリパルスレーザ光のフルーエンスが、１Ｊ／ｃｍ^２以上、且つ、メインパルスレーザ光のフルーエンス以下となるように、レーザシステムを制御する制御部と、を含んでもよい。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット生成部と、ターゲットに、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がこの順で照射されるように、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を生成するレーザシステムと、メインパルスレーザ光のパルス波形が、第１の増加率以下の増加率で光強度が増加する第１段階と、第１の増加率より大きい第２の増加率以上の増加率で光強度が増加する第２段階と、光強度が減少する第３段階と、を含み、且つ、第１段階における当該メインパルスレーザ光のフルーエンスが、２Ｊ／ｃｍ^２以上、且つ、第２段階及び第３段階における当該メインパルスレーザ光のフルーエンス以下となるように、パルス波形を制御する制御部と、を含んでもよい。

本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、チャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット生成部と、ターゲットに、第１プリパルスレーザ光、第２プリパルスレーザ光、及び、第１プリパルスレーザ光の波長及び第２プリパルスレーザ光の波長より大きい波長を有するメインパルスレーザ光が、この順で照射されるように、第１プリパルスレーザ光、第２プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を生成するレーザシステムと、第１プリパルスレーザ光、第２プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光をプラズマ生成領域に集光するように構成されたレーザ集光光学系と、レーザ集光光学系に入射する第２プリパルスレーザ光のビーム径が、レーザ集光光学系に入射する第１プリパルスレーザ光のビーム径及びレーザ集光光学系に入射するメインパルスレーザ光のビーム径より小さくなるように、第１プリパルスレーザ光、第２プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の少なくとも１つのビーム径を制御する制御部と、を含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。 図３は、第１の実施形態におけるレーザ受光信号の一例を示す波形図である。 図４は、図２に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光進行方向制御部及びその周辺の第１の構成例を概略的に示す。 図５は、図２に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光進行方向制御部及びその周辺の第２の構成例を概略的に示す。 図６は、図２に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光進行方向制御部及びその周辺の第３の構成例を概略的に示す。 図７は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。 図８は、第２の実施形態におけるレーザ受光信号の一例を示す波形図である。 図９は、図７に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光進行方向制御部及びその周辺の構成例を概略的に示す。 図１０は、第２の実施形態におけるレーザ受光信号の別の例を示す波形図である。 図１１Ａは、第２の実施形態におけるＣＯ_２レーザ装置の第１の構成例を概略的に示す。図１１Ｂは、第１のマスターオシレータから出力される第１のシードレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１１Ｃは、第２のマスターオシレータから出力される第２のシードレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１１Ｄは、ビームコンバイナから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１１Ｅは、ＣＯ_２レーザ装置から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１１Ｆは、第１のマスターオシレータから出力される第１のシードレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１１Ｇは、第２のマスターオシレータから出力される第２のシードレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１１Ｈは、ビームコンバイナから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１１Ｉは、ＣＯ_２レーザ装置から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。 図１２Ａは、第２の実施形態におけるＣＯ_２レーザ装置の第２の構成例を概略的に示す。図１２Ｂは、マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１２Ｃは電圧波形制御回路から出力される電圧波形の第１の例を示すグラフである。図１２Ｄは、波形調節器から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１２Ｅは、第３の増幅器から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１２Ｆは、マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１２Ｇは電圧波形制御回路から出力される電圧波形の第２の例を示すグラフである。図１２Ｈは、波形調節器から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１２Ｉは、第３の増幅器から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。 図１３は、図１２Ａに示されるＣＯ_２レーザ装置の構成例を概略的に示す。 図１４は、第２の実施形態におけるＣＯ_２レーザ装置の第３の構成例を概略的に示す。 図１５は、第１及び第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すグラフである。 図１６は、第１及び第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すグラフである。 図１７は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示す別のグラフである。 図１８は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示す別のグラフである。 図１９は、第１及び第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。 図２０は、第１及び第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。 図２１は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。 図２２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。 図２３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。 図２４は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。 図２５は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。 図２６Ａは、第１及び第２の実施形態においてピコ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図２６Ｂは、第２プリパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図２６Ｃは、メインパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図２６Ｄは、メインパルスレーザ光が照射された後のターゲットの様子を概略的に示す。 図２７Ａは、第１及び第２の実施形態においてナノ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図２７Ｂは、第２プリパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図２７Ｃは、メインパルスレーザ光が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図２７Ｄは、メインパルスレーザ光が照射された後のターゲットの様子を概略的に示す。 図２８は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。 図２９は、第３の実施形態におけるレーザ受光信号の一例を示す波形図である。 図３０は、図２８に示されるＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光進行方向制御部及びその周辺の構成例を概略的に示す。 図３１は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの変形例を示す一部断面図である。 図３２は、第３の実施形態の変形例におけるレーザ受光信号の一例を示す波形図である。 図３３は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＣＥの測定結果を示すグラフである。 図３４は、第３の実施形態において第１プリパルスレーザ光及び第２プリパルスレーザ光が照射された後のターゲットの様子を概略的に示す。 図３５は、上述の各実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいて用いることができる第１のＹＡＧレーザ装置の第１の例を概略的に示す。 図３６は、上述の各実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいて用いることができる第１のＹＡＧレーザ装置の第２の例を概略的に示す。 図３７は、図３６に示す再生増幅器においてポッケルスセルに電圧が印加されている場合の光路を概略的に示す。 図３８は、制御部の概略構成を示すブロック図である。

実施形態

＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．第１及び第２プリパルスレーザ光をターゲットに照射するＥＵＶ光生成システム
４．１ 構成
４．１．１ ターゲット生成部
４．１．２ ターゲットセンサ及び発光部
４．１．３ レーザシステム
４．１．４ レーザ光進行方向制御部
４．１．５ 光検出器
４．１．６ 集光光学系
４．１．７ ＥＵＶ集光ミラー及びＥＵＶ光センサ
４．２ 動作
４．２．１ ターゲットの出力
４．２．２ パルスレーザ光の出力
４．２．３ パルスレーザ光の伝送
４．２．４ パルスレーザ光の検出
４．２．５ パルスレーザ光の集光
４．３ レーザ光学系の第１の例
４．３．１ パルスレーザ光の照射位置の調整
４．３．２ パルスレーザ光の集光径
４．４ レーザ光学系の第２の例
４．５ レーザ光学系の第３の例
５．ＣＯ_２レーザ装置に２つのトリガ信号が入力されるＥＵＶ光生成システム
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ レーザ光学系の例
５．４ ＣＯ_２レーザ装置によるパルスレーザ光のパルス波形の変形例
５．５ ２つのトリガ信号が入力されるＣＯ_２レーザ装置の第１の構成例
５．６ ２つのトリガ信号が入力されるＣＯ_２レーザ装置の第２の構成例
５．７ ２つのトリガ信号が入力されるＣＯ_２レーザ装置の第３の構成例
６．パルスレーザ光のパラメータとＣＥの関係
６．１ 第２プリパルスレーザ光Ｐ２又はメインパルスレーザ光ＭＰの第１段階におけるフルーエンス及びそれらの光強度
６．２ 第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミング
６．３ メインパルスレーザ光Ｍ又はＭＰのフルーエンス
６．４ 第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミング
６．５ 第１及び第２プリパルスレーザ光の照射タイミング
７．パルスレーザ光を照射されたターゲットの変化
７．１ 第１プリパルスレーザ光がピコ秒オーダーのパルス幅を有する場合
７．２ 第１プリパルスレーザ光がナノ秒オーダーのパルス幅を有する場合
８．ＹＡＧレーザ装置が複数のパルスを出力するＥＵＶ光生成システム
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ レーザ光学系の例
８．４ 第４のトリガ信号を用いた変形例
８．５ ＣＥの向上
８．６ パルスレーザ光を照射されたターゲットの変化
９．その他（ＹＡＧレーザ装置）
９．１ 第１の例
９．２ 第２の例
９．２．１ ポッケルスセルに電圧を印加しない場合
９．２．２ ポッケルスセルに電圧を印加する場合
１０．制御部の構成

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作のすべてが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムにおいては、ターゲット生成部が液滴状のターゲットを出力し、チャンバ内のプラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲットがプラズマ生成領域に到達する時点で、レーザシステムがターゲットにパルスレーザ光を照射することにより、ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。放射されたＥＵＶ光は、チャンバ内に配置されたＥＵＶ集光ミラーによって集光され、露光装置等に出力されてもよい。

このＥＵＶ光生成システムにおいては、パルスレーザ光のエネルギーからＥＵＶ光のエネルギーへの変換効率（ＣＥ）の向上が求められている。

本開示の１つの観点によれば、液滴状のターゲットに第１プリパルスレーザ光を照射した後に、このターゲットに第２プリパルスレーザ光を照射し、その後、このターゲットにメインパルスレーザ光を照射するように、ＥＵＶ光生成システムが構成されてもよい。液滴状のターゲットに第１プリパルスレーザ光が照射されることにより、液滴状のターゲットが微粒子状に破壊されて膨張してもよい。このターゲットに第２プリパルスレーザ光が照射されることにより、ターゲットが蒸気又はプリプラズマとなり得る。この蒸気又はプリプラズマにメインパルスレーザ光が照射されることにより、効率よくプラズマ化し得る。

２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。
ターゲットの「軌道」は、ターゲット生成部から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット生成部の設計に従ったターゲットの経路であってもよい。
ターゲットの「軌跡」は、ターゲット生成部から出力されたターゲットの実際の経路であってもよい。
「プラズマ生成領域」は、ＥＵＶ光を生成するためのプラズマの生成が開始される領域を意味し得る。
パルスレーザ光の「光路軸」は、パルスレーザ光の光路の中心軸を意味し得る。

３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット生成部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット生成部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット生成部２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

３．２ 動作
図１を参照に、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット生成部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザシステム３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

４．第１及び第２プリパルスレーザ光をターゲットに照射するＥＵＶ光生成システム
４．１ 構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す一部断面図である。図２に示されるように、チャンバ２の内部には、集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及び８３とが設けられてもよい。チャンバ２には、ターゲット生成部２６と、ターゲットセンサ４と、発光部４５と、ＥＵＶ光センサ７とが取り付けられてもよい。

チャンバ２の外部には、レーザシステム３と、レーザ光進行方向制御部３４ａと、光検出器３５と、ＥＵＶ光生成制御部５とが設けられてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ制御部５０と、第１遅延回路５１と、第２遅延回路５２とを含んでいても良い。

４．１．１ ターゲット生成部
ターゲット生成部２６は、リザーバ６１を有していても良い。リザーバ６１は、溶融されたターゲットの材料を、内部に貯蔵してもよい。リザーバ６１に備えられた図示しないヒータによって、ターゲットの材料がその融点以上の温度に維持されてもよい。リザーバ６１の一部が、チャンバ２の壁面に形成された貫通孔２ａを貫通しており、リザーバ６１の先端がチャンバ２の内部に位置していてもよい。リザーバ６１の上記先端には、開口６２が形成されていてもよい。貫通孔２ａの周囲のチャンバ２の壁面には、リザーバ６１のフランジ部６１ａが密着して固定されてもよい。

４．１．２ ターゲットセンサ及び発光部
ターゲットセンサ４と発光部４５とは、ターゲット２７の軌道を挟んで互いに反対側に配置されていてもよい。チャンバ２にはウインドウ２１ａ及び２１ｂが取り付けられていてもよい。ウインドウ２１ａは、発光部４５とターゲット２７の軌道との間に位置していてもよい。ウインドウ２１ｂは、ターゲット２７の軌道とターゲットセンサ４との間に位置していてもよい。

ターゲットセンサ４は、光センサ４１と、集光光学系４２と、容器４３とを含んでもよい。容器４３はチャンバ２の外部に固定され、この容器４３内に、光センサ４１及び集光光学系４２が固定されてもよい。発光部４５は、光源４６と、集光光学系４７と、容器４８とを含んでもよい。容器４８はチャンバ２の外部に固定され、この容器４８内に、光源４６及び集光光学系４７が固定されてもよい。

光源４６の出力光は、集光光学系４７によって、ターゲット生成部２６とプラズマ生成領域２５との間のターゲット２７のほぼ軌道上の位置に、集光され得る。ターゲット２７が発光部４５による光の集光位置を通過するときに、ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の軌道及びその周囲を通る光の光強度の変化を検出し、ターゲット検出信号を出力してもよい。

４．１．３ レーザシステム
レーザシステム３は、第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１と、第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２と、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂとを含んでいてもよい。ここではＹＡＧレーザ装置及びＣＯ_２レーザ装置について例示するが、他のレーザ装置、例えばＮｄ：ＹＶＯ_４を用いたレーザ装置であってもよい。なお、ＹＡＧレーザ装置とは、レーザ発振器及び必要に応じてレーザ増幅器を含み、レーザ発振器及びレーザ増幅器のいずれか又は両方に、レーザ媒質としてＹＡＧ結晶を用いるものでもよい。ＣＯ_２レーザ装置とは、レーザ発振器及び必要に応じてレーザ増幅器を含み、レーザ発振器及びレーザ増幅器のいずれか又は両方に、レーザ媒質としてＣＯ_２ガスを用いるものでもよい。

第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１を出力してもよい。第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を出力してもよい。ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、メインパルスレーザ光Ｍを出力してもよい。

４．１．４ レーザ光進行方向制御部
レーザ光進行方向制御部３４ａは、高反射ミラー３４０、３４１及び３４２と、ビームコンバイナ３４３及び３４４と、を含んでもよい。高反射ミラー３４０は、ホルダ３４５によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４１は、ホルダ３４６によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４２は、ホルダ３４７によって支持されていてもよい。

ビームコンバイナ３４３は、ホルダ３４８によって支持されていてもよい。ビームコンバイナ３４３は、偏光方向が紙面に平行な直線偏光を、高い透過率で透過させ、偏光方向が紙面に垂直な直線偏光を、高い反射率で反射することにより、２つの光の光路をほぼ一致させる偏光子を含んでもよい。

ビームコンバイナ３４４は、ホルダ３４９によって支持されていてもよい。ビームコンバイナ３４４は、第１の波長成分が含まれる光を高い透過率で透過させ、第２の波長成分が含まれる光を高い反射率で反射することにより、２つの光の光路をほぼ一致させるダイクロイックミラーを含んでもよい。
なお、第１プリパルスレーザ光Ｐ１と第２プリパルスレーザ光Ｐ２とが異なる波長成分を有する場合には、ビームコンバイナ３４３も、ダイクロイックミラーであってよい。

４．１．５ 光検出器
光検出器３５は、レーザ光進行方向制御部３４ａと集光光学系２２ａとの間のパルスレーザ光３２の光路に配置されてもよい。光検出器３５は、ビームスプリッタ３５１と光センサ３５２とを含んでもよい。

４．１．６ 集光光学系
プレート８２は、チャンバ２に固定されてもよい。プレート８２には、プレート８３が支持されてもよい。集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１は、ホルダ２２３によって支持されてもよい。平面ミラー２２２は、ホルダ２２４によって支持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。

位置調整機構８４は、ＥＵＶ制御部５０から出力される制御信号により、プレート８２に対するプレート８３の位置を調整可能であってもよい。プレート８３の位置が調整されることにより、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置が調整されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置は、これらのミラーによって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光するように調整されてもよい。

４．１．７ ＥＵＶ集光ミラー及びＥＵＶ光センサ
ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されていてもよい。ＥＵＶ光センサ７は、プラズマ生成領域２５において発生したＥＵＶ光の一部を受光し、ＥＵＶ光のエネルギー又はＥＵＶ光の光強度を検出してもよい。ＥＵＶ光センサ７は、検出結果をＥＵＶ制御部５０へ出力してもよい。

４．２ 動作
４．２．１ ターゲットの出力
ＥＵＶ光生成制御部５に含まれるＥＵＶ制御部５０は、ターゲット生成部２６がターゲット２７を出力するように、ターゲット生成部２６に制御信号を出力してもよい。
ターゲット生成部２６は、開口６２を介して、複数の液滴状のターゲット２７を順次出力してもよい。複数の液滴状のターゲット２７は、その出力順に従って、プラズマ生成領域２５に到達してもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置され、プラズマ生成領域２５を通過したターゲット２７を回収してもよい。
ＥＵＶ制御部５０は、ターゲットセンサ４から出力されるターゲット検出信号を受信してもよい。

４．２．２ パルスレーザ光の出力
ＥＵＶ制御部５０は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５又はその近傍に到達するタイミングでパルスレーザ光３３が当該ターゲット２７に集光されるように、レーザシステム３を制御してもよい。

ＥＵＶ制御部５０は、ターゲット検出信号に基づいて、第１のトリガ信号を、第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１及び第１遅延回路５１に出力してもよい。第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１は、第１のトリガ信号に従って、第１プリパルスレーザ光Ｐ１を出力してもよい。

第１遅延回路５１は、第１のトリガ信号を受信してもよい。第１遅延回路５１は、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１の遅延時間が経過したことを示す第２のトリガ信号を、第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２及び第２遅延回路５２に出力してもよい。第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２は、第２のトリガ信号に従って、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を出力してもよい。

第２遅延回路５２は、第２のトリガ信号を受信してもよい。第２遅延回路５２は、第２のトリガ信号の受信タイミングに対して第２の遅延時間が経過したことを示す第３のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに出力してもよい。
あるいは、ＥＵＶ制御部５０が、第１のトリガ信号を第２遅延回路５２にも出力してもよい。第１のトリガ信号を受信した第２遅延回路５２が、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１及び第２の遅延時間が経過したことを示す第３のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに出力してもよい。
ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、第３のトリガ信号に従って、メインパルスレーザ光Ｍを出力してもよい。

このように、レーザシステム３は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１、第２プリパルスレーザ光Ｐ２、メインパルスレーザ光Ｍを、この順で出力してもよい。

４．２．３ パルスレーザ光の伝送
レーザ光進行方向制御部３４ａに含まれる高反射ミラー３４０は、第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１によって出力された第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路に配置されてもよい。高反射ミラー３４０は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１を高い反射率で反射してもよい。

ビームコンバイナ３４３は、高反射ミラー３４０によって反射された第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路と、第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２によって出力された第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路とが交差する位置に配置されてもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１は、偏光方向が紙面に平行な直線偏光であってもよい。第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、偏光方向が紙面に垂直な直線偏光であってもよい。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１は、ビームコンバイナ３４３に図中上側から入射してもよい。第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、ビームコンバイナ３４３に図中左側から入射してもよい。ビームコンバイナ３４３は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１を高い透過率で透過させ、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を高い反射率で反射し、これらの光をビームコンバイナ３４４に導いてもよい。

高反射ミラー３４１及び３４２は、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂによって出力されたメインパルスレーザ光Ｍの光路に配置されてもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、メインパルスレーザ光Ｍを高い反射率で順次反射してもよい。

ビームコンバイナ３４４は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路と、高反射ミラー３４２によって反射されたメインパルスレーザ光Ｍの光路とが交差する位置に配置されてもよい。メインパルスレーザ光Ｍは、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２に含まれる波長成分と異なる波長成分を含んでもよい。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、ビームコンバイナ３４４に図中上側から入射してもよい。メインパルスレーザ光Ｍは、ビームコンバイナ３４４に図中右側から入射してもよい。ビームコンバイナ３４４は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２を高い反射率で反射し、メインパルスレーザ光Ｍを高い透過率で透過させ、これらの光をパルスレーザ光３２として集光光学系２２ａに導いてもよい。

４．２．４ パルスレーザ光の検出
光検出器３５に含まれるビームスプリッタ３５１は、パルスレーザ光３２を集光光学系２２ａに向けて高い透過率で透過させるとともに、パルスレーザ光３２の一部を光センサ３５２に向けて反射してもよい。光センサ３５２は、ビームスプリッタ３５１によって反射されたパルスレーザ光３２の一部を受光して、それらの受光タイミングやその他のパラメータを示すレーザ受光信号を、ＥＵＶ制御部５０に出力してもよい。パルスレーザ光３２が光センサ３５２によって受光されるタイミングは、パルスレーザ光３３がターゲット２７に照射されるタイミングにほぼ一致していてもよい。

図３は、第１の実施形態におけるレーザ受光信号の一例を示す波形図である。図３において、横軸は時間ｔを示し、縦軸は光強度Ｉを示してもよい。光センサ３５２が受光するパルスレーザ光３２は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、メインパルスレーザ光Ｍと、を含んでもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、メインパルスレーザ光Ｍとは、この順で光センサ３５２に入射してもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２のパルスエネルギよりも、メインパルスレーザ光Ｍのパルスエネルギが大きくてもよい。ここで、パルスエネルギは光強度Ｉを積分することで見積もることができる。

４．２．５ パルスレーザ光の集光
図２を再び参照し、集光光学系２２ａに含まれる軸外放物面ミラー２２１は、パルスレーザ光３２の光路に配置されてもよい。軸外放物面ミラー２２１は、パルスレーザ光３２を平面ミラー２２２に向けて反射してもよい。平面ミラー２２２は、軸外放物面ミラー２２１によって反射されたパルスレーザ光３２を、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５又はその近傍に向けて反射してもよい。パルスレーザ光３３は、軸外放物面ミラー２２１の反射面形状に従い、プラズマ生成領域２５又はその近傍において集光されてもよい。

プラズマ生成領域２５又はその近傍において、１つのターゲット２７に、第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、メインパルスレーザ光Ｍとが、この順で照射されてもよい。液滴状のターゲット２７に第１プリパルスレーザ光Ｐ１が照射されると、液滴状のターゲット２７が複数の微粒子状に破壊されて拡散することにより、２次ターゲットが生成され得る。この２次ターゲットに第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されることにより、蒸気又はプリプラズマを少なくとも含む３次ターゲットが生成され得る。この３次ターゲットにメインパルスレーザ光Ｍが照射されることにより、ターゲットが効率よくプラズマ化し、ＥＵＶ光が生成され得る。

４．３ レーザ光学系の第１の例
図４は、図２に示されるＥＵＶ光生成システム１１におけるレーザ光進行方向制御部３４ａ及びその周辺の第１の構成例を概略的に示す。チャンバ２に付帯するＥＵＶ集光ミラー２３やターゲットセンサ４などの構成については、図示が省略されている。集光光学系２２ａやターゲット生成部２６についても、その具体的な構成の図示は省略されている。

４．３．１ パルスレーザ光の照射位置の調整
ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの間に、ターゲット２７は矢印Ｙ方向に移動し得る。図３に示されるように、ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの時間が比較的長い場合には、その移動距離も長くなり得る。

そこで、好ましくは、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路軸が、プラズマ生成領域２５よりもターゲット２７の移動方向の上流側で、ターゲット２７の軌道とほぼ交差してもよい。また、好ましくは、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路軸と、メインパルスレーザ光Ｍの光路軸とは、プラズマ生成領域２５を通ってもよい。

ターゲット２７がプラズマ生成領域２５近傍に到達するときのターゲット２７の速度は、例えば１００ｍ／ｓであり得る。ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの遅延時間は、例えば２．０μｓであり得る。この場合、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路軸は、プラズマ生成領域２５からターゲット２７の移動方向の上流側に２００μｍずれた位置で、ターゲット２７の軌道と交差してもよい。

図４に示されるように、高反射ミラー３４０は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路であって、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路及びメインパルスレーザ光Ｍの光路とは異なる位置に配置されている。この高反射ミラー３４０のホルダ３４５に、アクチュエータ３６５が取り付けられ、ＥＵＶ光生成制御部５がアクチュエータ３６５を制御することにより、高反射ミラー３４０の姿勢が調整できるようになっていてもよい。これにより、第１プリパルスレーザ光Ｐ１がプラズマ生成領域２５近傍の所望の位置でターゲットの軌道と交差するように、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の進行方向が制御されてもよい。

ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの遅延時間を変更する場合や、ターゲット２７の速度が変化した場合には、高反射ミラー３４０の姿勢がさらに調整されてもよい。

図４においては、高反射ミラー３４０にアクチュエータが取り付けられる場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。高反射ミラー３４１又は第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路に配置される図示しない高反射ミラーに、アクチュエータが取り付けられてもよい。

４．３．２ パルスレーザ光の集光径
ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの間に、破壊されたターゲット２７は拡散し、２次ターゲットが生成され得る。図３に示されるように、ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの時間が比較的長い場合には、その２次ターゲットの分散径も大きくなり得る。

好ましくは、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光径は、ターゲット２７の径とほぼ同等、あるいは、ターゲット２７の径より若干大きくてもよい。また、好ましくは、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光径は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射によって拡散したターゲット２７の分散径とほぼ同等、あるいは、拡散したターゲット２７の分散径より若干大きくてもよい。メインパルスレーザ光Ｍの集光径は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光径とほぼ同等でもよい。そこで、好ましくは、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光径は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光径及びメインパルスレーザ光Ｍの集光径より小さくてもよい。

ここで、パルスレーザ光が平面波であって、集光光学系２２ａによって集光されたパルスレーザ光のビームウエスト位置で、パルスレーザ光がターゲットに集光する場合を想定する。
平面波のレーザ光を集光光学系に入射させることによりレーザ光を集光したとき、そのビームウエストの集光径Ｄは、次の近似式で表され得る。
Ｄ≒４Ｆ・λ・Ｍ^２／（π・Ｂ）
ここで、Ｆは、集光光学系の焦点距離であり、λは、レーザ光の波長であってもよい。Ｍ^２は、ビームがシングルモード横モードビームにどのくらい近いかを示す値であり、どのくらい小さなビームウエストに集光できるかを示す値であってもよい。Ｂは、集光光学系に入射するレーザ光のビーム径であってもよい。
この近似式で示されるように、レーザ光の集光径Ｄは、レーザ光の波長λに比例し、レーザ光のビーム径Ｂに反比例し得る。

そこで、第１プリパルスレーザ光Ｐ１は、メインパルスレーザ光Ｍの波長より短い波長を有してもよい。この場合、例えば、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のビーム径とメインパルスレーザ光Ｍのビーム径とがほぼ同じであるとすれば、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光径が、メインパルスレーザ光Ｍの集光径より小さくなり得る。
また、第１プリパルスレーザ光Ｐ１は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のビーム径より大きいビーム径を有してもよい。この場合、例えば、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の波長と第２プリパルスレーザ光Ｐ２の波長とがほぼ同じであるとすれば、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光径が、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光径より小さくなり得る。

第１の実施形態においては、第１プリパルスレーザ光Ｐ１として、第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１から出力された波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられてもよい。同様に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２として、第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２から出力された波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられてもよい。さらに、メインパルスレーザ光Ｍとして、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力された波長１０．６μｍのパルスレーザ光が用いられてもよい。

また、図４に示されるように、第１のビームエキスパンダ３６１が、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路であって、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路及びメインパルスレーザ光Ｍの光路とは異なる位置に配置されてもよい。第２のビームエキスパンダ３６２が、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路であって、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路及びメインパルスレーザ光Ｍの光路とは異なる位置に配置されてもよい。第３のビームエキスパンダ３６３が、メインパルスレーザ光Ｍの光路であって、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路とは異なる位置に配置されてもよい。

第１のビームエキスパンダ３６１、第２のビームエキスパンダ３６２及び第３のビームエキスパンダ３６３は、それぞれ、球面凹レンズと球面凸レンズとを含んでもよい。あるいは、第３のビームエキスパンダ３６３は、大きな熱負荷に耐えるために、球面凹面ミラーと球面凸面ミラーとを含んでもよい。

そして、第１〜第３のビームエキスパンダ３６１〜３６３は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のビーム径及びメインパルスレーザ光Ｍのビーム径が、第２のプリパルスレーザ光Ｐ２のビーム径より大きくなるように、それぞれ、ビーム径を制御してもよい。
以上により、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光径を、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光径及びメインパルスレーザ光Ｍの集光径より小さくし得る。

例えば、集光光学系２２ａの焦点距離Ｆを２００ｍｍとする。また、第１プリパルスレーザ光Ｐ１、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍについての、Ｍ^２の値をいずれも１とする。上述の近似式を用いれば、望ましい集光径Ｄを得るためのビーム径Ｂが以下のように算出され得る。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１の波長λを１．０６μｍとしたとき、集光径Ｄを７０μｍとするには、集光光学系２２ａに入射する第１プリパルスレーザ光Ｐ１のビーム径Ｂは、約３．９ｍｍと算出できる。
第２プリパルスレーザ光Ｐ２の波長λを１．０６μｍとしたとき、集光径Ｄを３００μｍとするには、集光光学系２２ａに入射する第２プリパルスレーザ光Ｐ２のビーム径Ｂは、約０．９ｍｍと算出できる。
メインパルスレーザ光Ｍの波長λを１０．６μｍとしたとき、集光径Ｄを３００μｍとするには、集光光学系２２ａに入射するメインパルスレーザ光Ｍのビーム径Ｂは、約９．０ｍｍと算出できる。

４．４ レーザ光学系の第２の例
図５は、図２に示されるＥＵＶ光生成システム１１におけるレーザ光進行方向制御部３４ａ及びその周辺の第２の構成例を概略的に示す。チャンバ２に付帯するＥＵＶ集光ミラー２３やターゲットセンサ４などの構成については、図示が省略されている。集光光学系２２ａやターゲット生成部２６についても、その具体的な構成の図示は省略されている。

図５に示される構成例は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の波面及びビーム径を調整するために、第２のビームエキスパンダ３６２にアクチュエータ３６６が設けられた点で、図４に示される構成例と異なる。他の点については、図４に示される構成例と同様であるので詳細な説明を省略する。

図５に示されるアクチュエータ３６６は、第２のビームエキスパンダ３６２に含まれる球面凸レンズに取り付けられていてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５がアクチュエータ３６６を制御することにより、第２のビームエキスパンダ３６２に含まれる球面凸レンズと球面凹レンズとの距離が増減できるようになっていてもよい。これにより、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の波面を、平面波以外の曲率を有する波面とし、集光光学系２２ａから第２プリパルスレーザ光Ｐ２のビームウエスト位置までの距離を変更し得る。

図５においては、第２のビームエキスパンダ３６２から出力される第２プリパルスレーザ光Ｐ２を、その進行方向の前面側が凸状となる波面を有する波、すなわち凸面波とした例が示されている。この場合、集光光学系２２ａから第２プリパルスレーザ光Ｐ２のビームウエスト位置までの距離は、集光光学系２２ａの焦点距離よりも長くなり得る。さらに、図５においては、集光光学系２２ａに入射する位置における第２プリパルスレーザ光Ｐ２のビーム径が、図４における第２プリパルスレーザ光Ｐ２のビーム径よりも大きくなっている。このように、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の波面及びビーム径を調整することにより、プラズマ生成領域２５における第２プリパルスレーザ光Ｐ２のビーム径を調整し得る。

図５においては、第２のビームエキスパンダ３６２にアクチュエータが取り付けられる場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。第１のビームエキスパンダ３６１又は第３のビームエキスパンダ３６３にアクチュエータが取り付けられてもよい。

４．５ レーザ光学系の第３の例
図６は、図２に示されるＥＵＶ光生成システム１１におけるレーザ光進行方向制御部３４ａ及びその周辺の第３の構成例を概略的に示す。チャンバ２に付帯するＥＵＶ集光ミラー２３やターゲットセンサ４などの構成については、図示が省略されている。集光光学系２２ａやターゲット生成部２６についても、その具体的な構成の図示は省略されている。

図６に示される構成例は、高反射ミラー３６７及び３６８と、高反射ミラー３６８のホルダに取り付けられたアクチュエータ３６９と、を含む光路調整部が設けられた点で、図４に示される構成例と異なる。他の点については、図４に示される構成例と同様であるので詳細な説明を省略する。光路調整部は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路であって、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路及びメインパルスレーザ光Ｍの光路とは異なる位置に設けられてもよい。

図６に示されるように、高反射ミラー３６７は、第２のビームエキスパンダ３６２とビームコンバイナ３４３との間の第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路に配置されてもよい。高反射ミラー３６７は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー３６８は、高反射ミラー３６７とビームコンバイナ３４３との間の第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路に配置されてもよい。高反射ミラー３６８は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を高い反射率でビームコンバイナ３４３に向けて反射してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５がアクチュエータ３６９を制御することにより、高反射ミラー３６８の姿勢が調整できるようになっていてもよい。これにより、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の進行方向が制御されてもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路軸とターゲット２７の軌道とが交差する位置と、プラズマ生成領域２５との間の位置で、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路軸がターゲット２７の軌道と交差してもよい。

５．ＣＯ_２レーザ装置に２つのトリガ信号が入力されるＥＵＶ光生成システム
５．１ 構成
図７は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す一部断面図である。図７に示される第２の実施形態は、レーザシステム３が１つのＹＡＧレーザ装置Ｌａと１つのＣＯ_２レーザ装置Ｌｂとを含んでいる点で、図２に示される第１の実施形態と異なる。さらに、第２の実施形態は、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに、第１遅延回路５１からの第２のトリガ信号と第２遅延回路５２からの第３のトリガ信号とが入力される点で、第１の実施形態と異なる。第１の実施形態におけるビームコンバイナ３４３は、なくてもよい。

５．２ 動作
ＥＵＶ制御部５０は、ターゲット検出信号に基づいて、第１のトリガ信号を、ＹＡＧレーザ装置Ｌａ及び第１遅延回路５１に出力してもよい。ＹＡＧレーザ装置Ｌａは、第１のトリガ信号に従って、第１プリパルスレーザ光Ｐ１を出力してもよい。

第１遅延回路５１は、第１のトリガ信号を受信してもよい。第１遅延回路５１は、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１の遅延時間が経過したことを示す第２のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂ及び第２遅延回路５２に出力してもよい。ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、第２のトリガ信号に従って、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を出力してもよい。

第２遅延回路５２は、第２のトリガ信号を受信してもよい。第２遅延回路５２は、第２のトリガ信号の受信タイミングに対して第２の遅延時間が経過したことを示す第３のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに出力してもよい。
あるいは、ＥＵＶ制御部５０が、第１のトリガ信号を第２遅延回路５２にも出力してもよい。第１のトリガ信号を受信した第２遅延回路５２が、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１及び第２の遅延時間が経過したことを示す第３のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに出力してもよい。
ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、第３のトリガ信号に従って、メインパルスレーザ光Ｍを出力してもよい。

このように、レーザシステム３は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１、第２プリパルスレーザ光Ｐ２、メインパルスレーザ光Ｍを、この順で出力してもよい。

図８は、第２の実施形態におけるレーザ受光信号の一例を示す波形図である。図８において、横軸は時間ｔを示し、縦軸は光強度Ｉを示してもよい。光センサ３５２が受光するパルスレーザ光３２は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、メインパルスレーザ光Ｍと、を含んでもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、メインパルスレーザ光Ｍとは、この順で光センサ３５２に入射してもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２のパルスエネルギよりも、メインパルスレーザ光Ｍのパルスエネルギが大きくてもよい。

５．３ レーザ光学系の例
図９は、図７に示されるＥＵＶ光生成システム１１におけるレーザ光進行方向制御部３４ａ及びその周辺の構成例を概略的に示す。チャンバ２に付帯するＥＵＶ集光ミラー２３やターゲットセンサ４などの構成については、図示が省略されている。集光光学系２２ａやターゲット生成部２６についても、その具体的な構成の図示は省略されている。

図９に示されるように、ＹＡＧレーザ装置Ｌａから出力された第１プリパルスレーザ光Ｐ１は、高反射ミラー３４０及びビームコンバイナ３４４によって反射されて集光光学系２２ａに入射してもよい。ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力された第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍは、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて集光光学系２２ａに入射してもよい。

図８に示されるように、ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの時間に比べて、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングからメインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングまでの時間は短くてもよい。このため、ターゲット２７に対する第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングからメインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングまでの、ターゲットの移動距離及びターゲットの拡散径の変化は、小さくてもよい。

従って、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍは、ほぼ同じ波長、且つほぼ同じビーム径を有していてもよい。これにより、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍは、集光光学系２２ａによって、ほぼ同じ集光径に集光され得る。また、集光光学系２２ａからプラズマ生成領域２５までの、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路軸及びメインパルスレーザ光Ｍの光路軸は、ほぼ同じであってもよい。
他の点については、第１の実施形態と同様でよい。

５．４ ＣＯ_２レーザ装置によるパルスレーザ光のパルス波形の変形例
図１０は、第２の実施形態におけるレーザ受光信号の別の例を示す波形図である。図１０において、横軸は時間ｔを示し、縦軸は光強度Ｉを示してもよい。光センサ３５２が受光するパルスレーザ光３２は、プリパルスレーザ光Ｐと、メインパルスレーザ光ＭＰと、を含んでもよい。プリパルスレーザ光Ｐと、メインパルスレーザ光ＭＰとは、この順で光センサ３５２に入射してもよい。プリパルスレーザ光Ｐのパルスエネルギよりも、メインパルスレーザ光ＭＰのパルスエネルギが大きくてもよい。

プリパルスレーザ光Ｐは、図８に示される第１プリパルスレーザ光Ｐ１と同じく、ＹＡＧレーザ装置Ｌａから出力されてもよい。
メインパルスレーザ光ＭＰは、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力されてもよい。図８に示される第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、出力されなくてもよい。図１０に示されるメインパルスレーザ光ＭＰのパルス波形は、光強度が低く、緩やかに増加する第１段階Ｍ１と、第１段階Ｍ１の後、光強度が急峻に増加する第２段階Ｍ２と、第２段階Ｍ２の後、光強度が減少する第３段階Ｍ３と、を含んでもよい。すなわち、第２段階Ｍ２における光強度の増加率は、第１段階Ｍ１における光強度の増加率よりも大きくてよい。

５．５ ２つのトリガ信号が入力されるＣＯ_２レーザ装置の第１の構成例
図１１Ａは、第２の実施形態におけるＣＯ_２レーザ装置Ｌｂの第１の構成例を概略的に示す。第２の実施形態におけるＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、第１及び第２のマスターオシレータＭＯ１及びＭＯ２と、ＣＯ_２レーザ制御部３９１と、ビームコンバイナ３９９と、第１〜第３の増幅器ＰＡ１〜ＰＡ３とを含んでもよい。

第１のマスターオシレータＭＯ１は、ＣＯ_２レーザ制御部３９１から出力された第２のトリガ信号に従って、第１のシードレーザ光を出力してもよい。第２のマスターオシレータＭＯ２は、ＣＯ_２レーザ制御部３９１から出力された第３のトリガ信号に従って、第２のシードレーザ光を出力してもよい。ビームコンバイナ３９９は、第１及び第２のマスターオシレータＭＯ１及びＭＯ２からそれぞれ出力されたシードレーザ光の光路を合わせて、第１の増幅器ＰＡ１に向けて出力してもよい。ビームコンバイナ３９９は、ハーフミラー又はグレーティングによって構成されてもよい。
本開示は図示されたものに限定されず、ビームコンバイナ３９９の代わりに、図示しないビームスプリッタを増幅器間（ＰＡ１とＰＡ２間、又はＰＡ２とＰＡ３間）の光路に配置してもよい。その場合のビームスプリッタは、第１のマスターオシレータＭＯ１から出力されたパルスレーザ光と、第２のマスターオシレータＭＯ２から出力されて少なくとも第１の増幅器ＰＡ１を通過したパルスレーザ光とを、合波させてもよい。

図１１Ｂは、第１のマスターオシレータＭＯ１から出力される第１のシードレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１１Ｃは、第２のマスターオシレータＭＯ２から出力される第２のシードレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。第１のマスターオシレータＭＯ１から出力される第１のシードレーザ光は、第２のマスターオシレータＭＯ２から出力される第２のシードレーザ光よりも小さいピーク強度を有していてもよい。第２のマスターオシレータＭＯ２から出力される第２のシードレーザ光は、第１のマスターオシレータＭＯ１から出力される第１のシードレーザ光に対して一定の遅延時間を有していてもよい。

図１１Ｄは、ビームコンバイナ３９９から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１１Ｅは、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。第１及び第２のマスターオシレータＭＯ１及びＭＯ２からそれぞれ出力されたシードレーザ光の光路を合わせることにより、図１１Ｄに示されるようなパルス波形を有するパルスレーザ光がビームコンバイナ３９９から出力され得る。このパルスレーザ光を増幅することにより、先に出力される第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２より後に出力されるメインパルスレーザ光ＭとがＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力されてもよい。

図１１Ｆは、第１のマスターオシレータＭＯ１から出力される第１のシードレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１１Ｇは、第２のマスターオシレータＭＯ２から出力される第２のシードレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１１Ｆ及び図１１Ｇに示されるパルス波形は、それぞれ、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示されるパルス波形と同様でよい。但し、図１１Ｆ及び図１１Ｇにおいて、第２のマスターオシレータＭＯ２から出力される第２のシードレーザ光と、第１のマスターオシレータＭＯ１から出力される第１のシードレーザ光との時間差は、図１１Ｂ及び図１１Ｃにおける時間差より小さくてもよい。また、図１１Ｆに示される第１のマスターオシレータＭＯ１から出力される第１のシードレーザ光は、図１１Ｂに示される第１のシードレーザ光よりも長いパルス幅を有するパルス波形を有していてもよい。

図１１Ｈは、ビームコンバイナ３９９から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１１Ｉは、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。第１及び第２のマスターオシレータＭＯ１及びＭＯ２からそれぞれ出力されたシードレーザ光の光路を合わせることにより、図１１Ｈに示されるようなパルス波形を有するパルスレーザ光がビームコンバイナ３９９から出力され得る。このパルスレーザ光を増幅することにより、光強度が低く、緩やかに増加する第１段階と、第１段階の後、急峻に光強度が増加してピーク値に達する第２段階と、第２段階の後、光強度が減少する第３段階とを含むメインパルスレーザ光ＭＰとなってもよい。

５．６ ２つのトリガ信号が入力されるＣＯ_２レーザ装置の第２の構成例
図１２Ａは、第２の実施形態におけるＣＯ_２レーザ装置Ｌｂの第２の構成例を概略的に示す。第２の構成例におけるＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、波形調節器３９２と、ビームスプリッタ３９４と、パルス波形検出器３９３と、電圧波形制御回路３８２とを含んでもよい。

波形調節器３９２は、マスターオシレータＭＯと増幅器ＰＡ１との間のパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。ビームスプリッタ３９４は、増幅器ＰＡ３から出力されるパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。パルス波形検出器３９３は、ビームスプリッタ３９４によって分岐された２つの光路のうちの、一方の光路に配置されてもよい。パルス波形検出器３９３は、第３の増幅器ＰＡ３から出力されるパルスレーザ光の波形を検出し、フィードバック制御のために検出結果をＣＯ_２レーザ制御部３９１に出力してもよい。

図１２Ｂは、マスターオシレータＭＯから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１２Ｃは電圧波形制御回路３８２から出力される電圧波形の第１の例を示すグラフである。図１２Ｄは、波形調節器３９２から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。図１２Ｅは、第３の増幅器ＰＡ３から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第１の例を示すグラフである。マスターオシレータＭＯは、ＣＯ_２レーザ制御部３９１から出力された第２のトリガ信号に従って、パルスレーザ光を出力してもよい。

図１２Ｂに示されるように、マスターオシレータＭＯから出力されるパルスレーザ光のパルス波形は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のパルス波形の開始時からメインパルスレーザ光Ｍのパルス波形の終了時までの時間を含む長さのパルス波形であってもよい。

電圧波形制御回路３８２は、ＣＯ_２レーザ制御部３９１から出力された第２及び第３のトリガ信号に従って、図１２Ｃに示されるような電圧波形を生成してもよい。図１２Ｃに示される電圧波形は、第２及び第３のトリガ信号のタイミングにそれぞれ対応する第１及び第２のピークを有していてもよい。

波形調節器３９２は、マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光のパルス波形を調節してもよい。例えば、波形調節器３９２は、図１２Ｂに示されるパルス波形のパルスレーザ光と、図１２Ｃに示される電圧波形とが入力されると、図１２Ｄに示されるパルス波形のパルスレーザ光を出力してもよい。このパルスレーザ光を増幅することにより、先に出力される第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２より後に出力されるメインパルスレーザ光ＭとがＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力されてもよい。

図１２Ｆは、マスターオシレータＭＯから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１２Ｇは電圧波形制御回路３８２から出力される電圧波形の第２の例を示すグラフである。図１２Ｈは、波形調節器３９２から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。図１２Ｉは、第３の増幅器ＰＡ３から出力されるパルスレーザ光のパルス波形の第２の例を示すグラフである。

図１２Ｆに示されるように、マスターオシレータＭＯから出力されるパルスレーザ光のパルス波形は、メインパルスレーザ光ＭＰの第１段階の開始時から第３段階の終了時までの時間を含む長さのパルス波形であってもよい。

図１２Ｇに示される電圧波形は、その前半部において比較的低い電圧値を有し、後半部において比較的高い電圧値を有する波形であってもよい。この電圧波形の前半部から後半部に移行するタイミングは、電圧波形制御回路３８２に第３のトリガ信号が入力されたタイミングに合わせられてもよい。

波形調節器３９２は、マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光のパルス波形を調節してもよい。例えば、波形調節器３９２は、図１２Ｆに示されるパルス波形のパルスレーザ光と、図１２Ｇに示される電圧波形とが入力されると、図１２Ｈに示されるパルス波形のパルスレーザ光を出力してもよい。このパルスレーザ光を増幅することにより、光強度が低く、緩やかに増加する第１段階と、第１段階の後、急峻に光強度が増加してピーク値に達する第２段階と、第２段階の後、光強度が減少する第３段階とを含むメインパルスレーザ光ＭＰがＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力されてもよい。

図１３は、図１２Ａに示されるＣＯ_２レーザ装置Ｌｂの構成例を概略的に示す。図１３において、ビームスプリッタ３９４及びパルス波形検出器３９３の図示は省略されている。図１２Ａに示される波形調節器３９２は、高電圧電源３８３と、ポッケルスセル３８４と、偏光子３８６とを含んでいてもよい。

ポッケルスセル３８４は、電気光学結晶を挟んで対向する位置に設けられた一対の電極３８５を含んでもよい。マスターオシレータＭＯから出力されるパルスレーザ光は、紙面に対して垂直な方向に直線偏光していてもよい。マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光は、一対の電極３８５の間の電気光学結晶を透過してもよい。ポッケルスセル３８４は、一対の電極３８５間に所定の電圧が印加されたときに、パルスレーザ光の偏光面を９０度回転させて透過させ得る。ポッケルスセル３８４は、一対の電極３８５間に電圧が印加されていないときに、パルスレーザ光の偏光面を回転させずに透過させ得る。

偏光子３８６は、紙面に平行な方向に直線偏光したパルスレーザ光を、増幅器ＰＡ１に向けて高い透過率で透過させてもよい。偏光子３８６は、紙面に垂直な方向に直線偏光したパルスレーザ光を、図示しないレーザダンパに向けて高い反射率で反射してもよい。

ＣＯ_２レーザ制御部３９１は、マスターオシレータＭＯに第２のトリガ信号を出力し、電圧波形制御回路３８２に第３のトリガ信号を出力してもよい。マスターオシレータＭＯは、ＣＯ_２レーザ制御部３９１から出力される第２のトリガ信号に応じて、パルスレーザ光を出力してもよい。電圧波形制御回路３８２は、ＣＯ_２レーザ制御部３９１から出力される第３のトリガ信号に応じて電圧波形を生成し、この電圧波形を高電圧電源３８３に供給してもよい。この電圧波形は、図１２Ｃ又は図１２Ｇに示されるものでもよい。高電圧電源３８３は、この電圧波形に基づいたパルス状の電圧を生成し、この電圧をポッケルスセル３８４の一対の電極３８５間に印加してもよい。

上述の図１２Ｃあるいは図１２Ｇに示される電圧波形を有する電圧がポッケルスセル３８４に印加されると、その電圧に応じて、ポッケルスセル３８４を透過するパルスレーザ光の偏光成分が変化し得る。このように、波形調節器３９２から出力されるパルスレーザ光の波形は、電圧波形制御回路３８２が生成する電圧波形によって調整され得る。

５．７ ２つのトリガ信号が入力されるＣＯ_２レーザ装置の第３の構成例
図１４は、第２の実施形態におけるＣＯ_２レーザ装置Ｌｂの第３の構成例を概略的に示す。第３の構成例におけるＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、マスターオシレータＭＯと増幅器ＰＡ１との間に、高反射ミラー４６７と、可飽和吸収体セル３９７とを含んでもよい。また、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、電圧波形生成回路３９５と、高電圧電源３９６とを含んでもよい。

ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに含まれるマスターオシレータＭＯは、高反射ミラー４６１及び４６２の間に、レーザチャンバ４６３と、偏光子４６６と、ポッケルスセル４６４とが、この順に高反射ミラー４６１側から配置された光共振器を含んでもよい。レーザチャンバ４６３内には、一対の電極４６５が配置されるとともに、ＣＯ_２ガスがレーザ媒質として収容されてもよい。

マスターオシレータＭＯは、一対の電極４６５間に発生させる放電によってレーザチャンバ４６３内のレーザ媒質を励起し、高反射ミラー４６１及び４６２の間でレーザ光を往復させることによって、そのレーザ光を増幅してもよい。高反射ミラー４６１及び４６２の間で往復するレーザ光は、紙面に平行な方向に直線偏光していてもよい。偏光子４６６は、紙面に平行な方向に直線偏光したレーザ光を高い透過率で透過させてもよい。

ポッケルスセル４６４は、図示しない電気光学結晶と、図示しない一対の電極とを含んでもよい。高電圧電源３９６は、電圧波形生成回路３９５によって生成された電圧波形に基づいて、パルス状の電圧を出力してもよい。ポッケルスセル４６４の一対の電極には、高電圧電源３９６によって出力されたパルス状の電圧が印加されてもよい。ポッケルスセル４６４は、一対の電極に電圧が印加されると、入射したレーザ光の直交する偏光成分の位相を１／４波長分ずらして透過させてもよい。ポッケルスセル４６４を図中左側から右側に透過し、高反射ミラー４６２によって反射されて、ポッケルスセル４６４を図中右側から左側に透過したレーザ光は、その直交する偏光成分の位相が合計で１／２波長分ずらされてもよい。そして、このレーザ光は、紙面に垂直な方向に直線偏光したレーザ光として偏光子４６６に入射してもよい。偏光子４６６は、紙面に垂直な方向に直線偏光したレーザ光を反射することにより、このレーザ光をマスターオシレータＭＯから出力してもよい。

ここで、高電圧電源３９６によってポッケルスセル４６４に印加されるパルス状の電圧の波形は、図１２Ｇに示される電圧の波形と同様でもよい。これにより、偏光子４６６によって反射されるパルスレーザ光のパルス波形は、光強度が低く、緩やかに増加する光強度の増加率が小さい第１段階と、第１段階の後、急峻に光強度が増加してピーク値に達する第２段階と、第２段階の後、光強度が減少する第３段階とを含み得る。

高反射ミラー４６７は、偏光子４６６によって反射されたパルスレーザ光の光路に配置され、パルスレーザ光を可飽和吸収体セル３９７に向けて高い反射率で反射してもよい。可飽和吸収体セル３９７は、例えばガス状の可飽和吸収体を内部に収容していてもよい。可飽和吸収体セル３９７は、所定値未満の光強度を有する入射光に対しては入射光の多くを吸収し、所定値以上の光強度を有する入射光に対しては入射光の多くを透過させてもよい。たとえば、ＣＯ_２レーザ光に使用する可飽和吸収体セルは、ＳＦ_６ガスを含むガスセルであってもよい。
その他の点は図１２Ａを用いて説明した第２の構成例と同様でもよい。

６．パルスレーザ光のパラメータとＣＥの関係
６．１ 第２プリパルスレーザ光Ｐ２又はメインパルスレーザ光ＭＰの第１段階におけるフルーエンス及びそれらの光強度
図１５及び図１６は、第１及び第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示すグラフである。図１５において、横軸は第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンス又はメインパルスレーザ光ＭＰの第１段階におけるフルーエンスを示し、縦軸はＣＥを示してもよい。図１６において、横軸は第２プリパルスレーザ光Ｐ２の単位面積当たりの光強度又はメインパルスレーザ光ＭＰの第１段階における単位面積当たりの光強度を示し、縦軸はＣＥを示してもよい。

ＣＥの測定は、以下の条件で行われた。
ターゲット２７としては、液体のスズが用いられた。ターゲット２７の直径は、２１μｍ〜２２μｍの範囲であった。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１としては、次の２通りのものが用いられた。
（１）ナノ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１として、Ｎｄ：ＹＡＧ（neodymium-doped yttrium aluminum garnet）レーザ装置による波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。このパルスレーザ光の半値全幅によるパルス幅は１０ｎｓであり、パルスエネルギは０ｍＪ〜２．７ｍＪの範囲であった。
（２）ピコ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１として、Ｎｄ：ＹＶＯ_４を用いたモードロックレーザ装置をマスターオシレータとし、Ｎｄ：ＹＡＧを用いた再生増幅器により増幅された波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。このパルスレーザ光の半値全幅によるパルス幅は１４ｐｓであり、パルスエネルギは０ｍＪ〜２．０ｍＪの範囲であった。
これらの第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光径は、集光位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径で表した場合に、７０μｍとした。

さらに、次の２通りの条件で測定が行われた。
（１）第１プリパルスレーザ光Ｐ１の次に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍをターゲット２７に照射した。当該第２プリパルスレーザ光Ｐ２のエネルギーの設定値を、０ｍＪ〜２．４ｍＪの間で変化させた。そして、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングを変化させながらＣＥを測定し、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のエネルギーの設定値ごとに、最も高いＣＥを図１５及び図１６に表した。
（２）第１プリパルスレーザ光Ｐ１の次に、第１〜第３段階を有するメインパルスレーザ光ＭＰをターゲット２７に照射した。メインパルスレーザ光ＭＰの第１段階の時間幅は約５０ｎｓとし、当該第１段階におけるエネルギーを０ｍＪ〜８０ｍＪの間で変化させてＣＥを測定した。

上記第２プリパルスレーザ光Ｐ２としては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置による波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。このパルスレーザ光の半値全幅によるパルス幅は５ｎｓであった。この第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光径は、ターゲットへの照射位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径で表した場合に、４００μｍとした。

上記メインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰとしては、ＣＯ_２レーザ装置による波長１０．６μｍのパルスレーザ光が用いられた。このパルスレーザ光の半値全幅によるパルス幅は１５ｎｓであり、パルスエネルギは２０ｍＪ〜１７０ｍＪの範囲であった。このメインパルスレーザ光Ｍの集光径は、ターゲットへの照射位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径で表した場合に、３００μｍとした。

ターゲットへの照射位置における集光径をＤとし、パルスレーザ光のパルスエネルギをＰとすると、フルーエンスＦは、Ｆ＝４・Ｐ／（πＤ^２）となる。
また、パルスレーザ光の半値全幅でのパルス幅をＴｄとすると、単位面積当たりの光強度Ｉは、Ｉ＝Ｆ／Ｔｄとなる。なお、メインパルスレーザ光ＭＰの第１段階の時間幅を、上述の条件設定の通り５０ｎｓとした場合には、第１段階の単位面積当たりの光強度Ｉを算出するためのＴｄの値は、５０ｎｓでよい。

図１５に示される結果から、以下のことが理解され得る。
（１）第２プリパルスレーザ光Ｐ２を照射しない場合、すなわち、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスを０Ｊ／ｃｍ^２とした場合よりも、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を照射した場合の方が、ＣＥが高かった。また、メインパルスレーザ光ＭＰが第１段階を含まない場合、すなわち、第１段階におけるフルーエンスを０Ｊ／ｃｍ^２とした場合よりも、メインパルスレーザ光ＭＰが第１段階を含む場合の方が、ＣＥが高かった。

（２）第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスが高くなるにつれて、ＣＥが向上した。第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスは、１．０Ｊ／ｃｍ^２以上、好ましくは１．５Ｊ／ｃｍ^２以上でもよく、メインパルスレーザ光Ｍのフルーエンス以下でもよい。また、メインパルスレーザ光ＭＰの第１段階におけるフルーエンスが高くなるにつれて、ＣＥが向上した。メインパルスレーザ光ＭＰの第１段階におけるフルーエンスは、２Ｊ／ｃｍ^２以上、好ましくは５Ｊ／ｃｍ^２以上でもよく、メインパルスレーザ光ＭＰの第２段階及び第３段階におけるフルーエンスの合計値以下でもよい。

（３）第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍを用いた場合の方が、第１〜第３段階を有するメインパルスレーザ光ＭＰを用いた場合よりも、小さいフルーエンスで、高いＣＥが得られた。

（４）第１プリパルスレーザ光Ｐ１がナノ秒オーダーのパルス幅を有する場合よりも、ピコ秒オーダーのパルス幅を有する場合の方が、高いＣＥが得られた。

図１６に示される結果から、以下のことが理解され得る。
第２プリパルスレーザ光Ｐ２の単位面積当たりの光強度は、０．４×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上、好ましくは３．０×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上でもよく、メインパルスレーザ光Ｍの単位面積当たりの光強度以下でもよい。また、メインパルスレーザ光ＭＰの第１段階における単位面積当たりの光強度は、０．４×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上、好ましくは１．７×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上でもよく、メインパルスレーザ光ＭＰの第２段階及び第３段階における単位面積当たりの光強度以下でもよい。

６．２ 第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミング
図１７及び図１８は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示す別のグラフである。図１７及び図１８において、横軸は第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングを示し、縦軸はＣＥを示してもよい。ここで、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡った時間でもよい。

ターゲット２７、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射条件及びメインパルスレーザ光Ｍの照射条件は、図１５及び図１６を参照しながら説明したものと同様とした。そして、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のエネルギーの設定値ごとに、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングを−０．６μｓ〜０μｓの範囲で変化させながらＣＥを測定した。

図１５及び図１６を参照しながら説明した測定条件におけるピコ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１を用いた結果を、図１７に示した。但し、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のフルーエンスは、５．２Ｊ／ｃｍ^２とした。第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡って−１．１μｓのタイミングとした。

図１５及び図１６を参照しながら説明した測定条件におけるナノ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１を用いた結果を、図１８に示した。但し、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のフルーエンスは、７．０Ｊ／ｃｍ^２とした。第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡って−２．７μｓのタイミングとした。

図１７に示される結果から、以下のことが理解され得る。
第１プリパルスレーザ光Ｐ１がピコ秒オーダーのパルス幅を有する場合に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、好ましくは、−０．３７μｓ〜−０．０３μｓの範囲でもよい。さらに好ましくは、−０．２２μｓ〜−０．０７μｓの範囲でもよい。

図１８に示される結果から、以下のことが理解され得る。
第１プリパルスレーザ光Ｐ１がナノ秒オーダーのパルス幅を有する場合に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、好ましくは、−０．５７μｓ〜−０．０３μｓの範囲でもよい。

６．３ メインパルスレーザ光Ｍ又はＭＰのフルーエンス
図１９及び図２０は、第１及び第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。図１９及び図２０において、横軸はメインパルスレーザ光Ｍ又はＭＰのフルーエンスを示し、縦軸はＣＥを示してもよい。

ターゲット２７、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射条件、メインパルスレーザ光Ｍの照射条件、第１〜第３段階を有するメインパルスレーザ光ＭＰの照射条件は、図１５及び図１６を参照しながら説明したものと同様とした。但し、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスを１．６Ｊ／ｃｍ^２とし、メインパルスレーザ光Ｍのフルーエンスの設定値を、２０Ｊ／ｃｍ^２〜２００Ｊ／ｃｍ^２の間で変化させながらＣＥを測定した。また、メインパルスレーザ光ＭＰの第１段階のフルーエンスを３４Ｊ／ｃｍ^２とし、メインパルスレーザ光ＭＰの第２段階及び第３段階におけるフルーエンスの合計値を、２０Ｊ／ｃｍ^２〜２００Ｊ／ｃｍ^２の間で変化させながらＣＥを測定した。

図１５及び図１６を参照しながら説明した測定条件におけるピコ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１を用いた結果を、図１９に示した。但し、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のフルーエンスは、５．２Ｊ／ｃｍ^２とした。第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡って−１．１μｓのタイミングとした。

図１５及び図１６を参照しながら説明した測定条件におけるナノ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１を用いた結果を、図２０に示した。但し、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のフルーエンスは、７．０Ｊ／ｃｍ^２とした。第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡って−２．７μｓのタイミングとした。

図１９に示される結果から、以下のことが理解され得る。
第１プリパルスレーザ光Ｐ１がピコ秒オーダーのパルス幅を有する場合に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍを照射した場合には、メインパルスレーザ光Ｍのフルーエンスの計測範囲全体で高いＣＥが得られた。
第１プリパルスレーザ光Ｐ１がピコ秒オーダーのパルス幅を有する場合に、メインパルスレーザ光ＭＰを照射した場合には、メインパルスレーザ光ＭＰの第２段階及び第３段階のフルーエンスが１００Ｊ／ｃｍ^２〜２００Ｊ／ｃｍ^２の範囲では高いＣＥが得られた。

図２０に示される結果から、以下のことが理解され得る。
第１プリパルスレーザ光Ｐ１がナノ秒オーダーのパルス幅を有する場合に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍを照射した場合には、メインパルスレーザ光Ｍのフルーエンスの計測範囲全体で一定のＣＥが得られた。
第１プリパルスレーザ光Ｐ１がナノ秒オーダーのパルス幅を有する場合に、メインパルスレーザ光ＭＰを照射した場合には、メインパルスレーザ光ＭＰの第２段階及び第３段階におけるフルーエンスの計測範囲全体で一定のＣＥが得られた。

６．４ 第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミング
図２１は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。図２１において、横軸は第１プリパルスレーザ光Ｐ１とメインパルスレーザ光の照射タイミング時間差を示し、縦軸はＣＥを示す。ここで、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡った時間でもよい。

ターゲット２７、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射条件及びメインパルスレーザ光Ｍの照射条件は、図１５及び図１６を参照しながら説明したものと同様とした。但し、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスは、１．６Ｊ／ｃｍ^２及び０Ｊ／ｃｍ^２の２通りとした。第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡って−０．１μｓのタイミングとした。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１としては、図１５及び図１６を参照しながら説明した測定条件におけるピコ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１を用いた。但し、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のフルーエンスは、５．２Ｊ／ｃｍ^２とした。

図２１に示される結果から、以下のことが理解され得る。
第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスを１．６Ｊ／ｃｍ^２とした場合には、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を照射しない場合、すなわちフルーエンスを０Ｊ／ｃｍ^２とした場合に比べて、高いＣＥが得られた。また、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスを１．６Ｊ／ｃｍ^２とした場合には、０Ｊ／ｃｍ^２とした場合に比べて、高いＣＥを得るための第１プリパルスレーザ光Ｐ１とメインパルスレーザ光Ｍとの時間差が短かった。
第２プリパルスレーザ光Ｐ２を照射する場合には、第１プリパルスレーザ光Ｐ１とメインパルスレーザ光Ｍとの照射タイミングの時間差は、好ましくは０．５μｓ以上、１．６μｓ以下でもよい。さらに好ましくは、０．８μｓ以上、１．３μｓ以下でもよい。

６．５ 第１及び第２プリパルスレーザ光の照射タイミング
図２２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。図２２において、横軸はメインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを示し、縦軸はＣＥを示す。ここで、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングは、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングを０としたとき、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングからメインパルスレーザ光Ｍの照射までの間に経過した時間でもよい。

ＣＥの測定は、以下の条件で行われた。
ターゲット２７としては、液体のスズが用いられた。ターゲット２７の直径は、約２３μｍであった。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１として、Ｎｄ：ＹＶＯ_４を用いたモードロックレーザ装置をマスターオシレータとし、Ｎｄ：ＹＡＧを用いた再生増幅器により増幅された波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。第１プリパルスレーザ光Ｐ１の半値全幅によるパルス幅は１４ｐｓであり、パルスエネルギは２ｍＪ、集光径は９０μｍ、フルーエンスは３１Ｊ／ｃｍ^２であった。なお、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光径は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径としてもよい。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１の次に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍをターゲット２７に照射した。第２プリパルスレーザ光Ｐ２として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置による波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。第２プリパルスレーザ光Ｐ２の半値全幅によるパルス幅は６ｎｓであり、パルスエネルギは２ｍＪ、集光径は４００μｍ、フルーエンスは１．６Ｊ／ｃｍ^２であった。なお、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光径は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径としてもよい。

図２２においては、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングを、０．５μｓとした場合と、０．７μｓとした場合と、０．９μｓとした場合と、１．１μｓとした場合とが、それぞれ示されている。ここで、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングは、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングを０としたとき、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射までの間に経過した時間でもよい。

上記メインパルスレーザ光Ｍとしては、ＣＯ_２レーザ装置による波長１０．６μｍのパルスレーザ光が用いられた。メインパルスレーザ光Ｍの半値全幅によるパルス幅は１５ｎｓであり、パルスエネルギは１００ｍＪであった。メインパルスレーザ光Ｍの集光径は、ターゲットへの照射位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径で表した場合に、３００μｍとした。メインパルスレーザ光Ｍのフルーエンスは、１４２Ｊ／ｃｍ^２であった。

図２３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。
図２３において、第２プリパルスレーザ光Ｐ２として、Ｎｄ：ＹＶＯ_４を用いたモードロックレーザ装置をマスターオシレータとし、Ｎｄ：ＹＡＧを用いた再生増幅器により増幅された波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。第２プリパルスレーザ光Ｐ２の半値全幅によるパルス幅は１４ｐｓであり、パルスエネルギは１．６ｍＪ、集光径は４００μｍ、フルーエンスは１．３Ｊ／ｃｍ^２であった。

図２３においては、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングを、０．１μｓとした場合と、０．４μｓとした場合と、０．９μｓとした場合と、１．４μｓとした場合とが、それぞれ示されている。
他の点については、図２２における測定条件と同一の条件とした。

図２２及び図２３に示される結果から、以下のことが理解され得る。
（１）図２２に示されるように、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のパルス幅をピコ秒オーダーとし、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のパルス幅をナノ秒オーダーとした場合よりも、図２３に示されるように、それらのパルス幅をいずれもピコ秒オーダーとした場合の方が、最大のＣＥは若干低かった。

（２）図２２よりも、図２３の方が、グラフの傾きが緩やかであった。従って、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２のパルス幅をいずれもピコ秒オーダーとした場合には、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングに多少のばらつきがあっても、安定したＣＥを得られることが期待できる。

図２４は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。図２４において、横軸は第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスを示す。図２４においては、第１プリパルスレーザ光Ｐ１、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍをこの順でターゲット２７に照射した。また、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスとして４通りの値を設定して、それぞれ、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを変化させながらＣＥを測定した。そして、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスの設定値ごとに、最も高いＣＥが得られたメインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングＴｍと、そのときのＣＥとを図２４に表した。ここで、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングは、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングを０としたとき、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングからメインパルスレーザ光Ｍの照射までの間に経過した時間でもよい。

ターゲット２７としては、液体のスズが用いられた。ターゲット２７の直径は、約２３μｍであった。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１として、Ｎｄ：ＹＶＯ_４を用いたモードロックレーザ装置をマスターオシレータとし、Ｎｄ：ＹＡＧを用いた再生増幅器により増幅された波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。第１プリパルスレーザ光Ｐ１の半値全幅によるパルス幅は１４ｐｓであり、パルスエネルギは２ｍＪ、集光径は９０μｍ、フルーエンスは３１Ｊ／ｃｍ^２であった。なお、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光径は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の集光位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径としてもよい。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１の次に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２及びメインパルスレーザ光Ｍをターゲット２７に照射した。第２プリパルスレーザ光Ｐ２として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置による波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。第２プリパルスレーザ光Ｐ２の半値全幅によるパルス幅は６ｎｓであり、集光径は４００μｍであった。なお、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光径は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の集光位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径としてもよい。

上記メインパルスレーザ光Ｍとしては、ＣＯ_２レーザ装置による波長１０．６μｍのパルスレーザ光が用いられた。メインパルスレーザ光Ｍの半値全幅によるパルス幅は１５ｎｓであり、パルスエネルギは１００ｍＪであった。メインパルスレーザ光Ｍの集光径は、ターゲットへの照射位置におけるピーク強度の１／ｅ^２以上の光強度を有する部分の直径で表した場合に、３００μｍとした。メインパルスレーザ光Ｍのフルーエンスは、１４２Ｊ／ｃｍ^２であった。

図２５は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示すさらに別のグラフである。
図２５において、第２プリパルスレーザ光Ｐ２として、Ｎｄ：ＹＶＯ_４を用いたモードロックレーザ装置をマスターオシレータとし、Ｎｄ：ＹＡＧを用いた再生増幅器により増幅された波長１．０６μｍのパルスレーザ光が用いられた。第２プリパルスレーザ光Ｐ２の半値全幅によるパルス幅は１４ｐｓであり、集光径は４００μｍであった。

図２５においては、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスとして３通りの値を設定して、それぞれ、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを変化させながらＣＥを測定した。そして、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスの設定値ごとに、最も高いＣＥが得られたメインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングＴｍと、そのときのＣＥとを図２５に表した。
他の点については、図２４における測定条件と同一の条件とした。

図２４及び図２５に示される結果から、以下のことが理解され得る。
（１）図２４に示されるように、第１プリパルスレーザ光Ｐ１のパルス幅をピコ秒オーダーとし、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のパルス幅をナノ秒オーダーとした場合よりも、図２５に示されるように、それらのパルス幅をいずれもピコ秒オーダーとした場合の方が、最大のＣＥは低かった。

（２）図２４よりも、図２５の方が、ＣＥのグラフの傾きが緩やかであった。従って、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２のパルス幅をいずれもピコ秒オーダーとした場合には、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスに多少のばらつきがあっても、安定したＣＥを得られることが期待できる。

（３）図２４及び図２５に示されるように、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスを高くすると、メインパルスレーザ光Ｍの最適な照射タイミングＴｍは早くなる傾向がある。特に、図２５に示されるように、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２のパルス幅をいずれもピコ秒オーダーとした場合には、その傾向が強くなる。

７．パルスレーザ光を照射されたターゲットの変化
７．１ 第１プリパルスレーザ光がピコ秒オーダーのパルス幅を有する場合
図２６Ａは、第１及び第２の実施形態においてピコ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１が照射されるときのターゲット２７の様子を概略的に示す。破線２７０は、ターゲット２７の軌道及びその延長線を示す。第１プリパルスレーザ光Ｐ１は、ターゲット２７の径とほぼ同じか、ターゲット２７の径より少し大きい集光径を有していてもよい。

図２６Ｂは、第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。液滴状のターゲット２７に第１プリパルスレーザ光Ｐ１が照射されると、液滴状のターゲット２７が複数の微粒子状に破壊されて拡散することにより、２次ターゲット２７２が生成され得る。図２６Ｂにおけるドットの粗密は、ターゲット物質の分布密度に対応し得る。図２６Ｂに示されるように、ピコ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１が照射されて生成された２次ターゲット２７２は、円盤部２７ａと、ドーム部２７ｂとを有し得る。円盤部２７ａは、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路の下流側に拡散し、ターゲット物質の密度が比較的高くなり得る。ドーム部２７ｂは、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路の上流側に拡散し、ターゲット物質の密度が比較的低くなり得る。ドーム部２７ｂの内側には、さらにターゲット物質の密度が低い部分２７ｃが生成され得る。

図２６Ｂに示されるように、この拡散した２次ターゲット２７２に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されてもよい。第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、拡散した２次ターゲット２７２の径とほぼ同じか、それより少し大きい集光径を有していてもよい。

図２６Ｃは、メインパルスレーザ光Ｍが照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図２６Ｂに示される２次ターゲット２７２に第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されると、蒸気又はプリプラズマ２７ｐを少なくとも含む３次ターゲット２７３が生成され得る。
ここでは２次ターゲット２７２に第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されて３次ターゲット２７３が生成される場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。２次ターゲット２７２にメインパルスレーザ光ＭＰの第１段階に相当する部分が照射された場合にも、同様に蒸気又はプリプラズマを少なくとも含む３次ターゲット２７３が生成され得る。

図２６Ｃに示されるように、蒸気又はプリプラズマ２７ｐを少なくとも含む３次ターゲット２７３に、メインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰの第２段階及び第３段階に相当する部分が照射されてもよい。メインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰは、３次ターゲット２７３の分散径とほぼ同じか、それより少し大きい集光径を有していてもよい。

図２６Ｄは、メインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰが照射された後のターゲットの様子を概略的に示す。図２６Ｃに示される３次ターゲット２７３にメインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰが照射されると、３次ターゲットはプラズマ化し、このプラズマから、ＥＵＶ光が放射し得る。

７．２ 第１プリパルスレーザ光がナノ秒オーダーのパルス幅を有する場合
図２７Ａは、第１及び第２の実施形態においてナノ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１が照射されるときのターゲット２７の様子を概略的に示す。第１プリパルスレーザ光Ｐ１は、ターゲット２７の径とほぼ同じか、ターゲット２７の径より少し大きい集光径を有していてもよい。

図２７Ｂは、第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。液滴状のターゲット２７に第１プリパルスレーザ光Ｐ１が照射されると、液滴状のターゲット２７が複数の微粒子状に破壊されて拡散することにより、２次ターゲット２７２が生成され得る。図２７Ｂに示されるように、ナノ秒オーダーのパルス幅を有する第１プリパルスレーザ光Ｐ１が照射されて生成された２次ターゲット２７２は、円盤状の分布を有し得る。円盤状の分布を有する２次ターゲット２７２は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の光路の下流側に拡散し得る。

図２７Ｂに示されるように、この拡散した２次ターゲット２７２に、第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されてもよい。第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、拡散した２次ターゲット２７２の径とほぼ同じか、それより少し大きい集光径を有していてもよい。

図２７Ｃは、メインパルスレーザ光Ｍが照射されるときのターゲットの様子を概略的に示す。図２７Ｂに示される２次ターゲット２７２に第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されると、微粒子と蒸気又はプリプラズマ２７ｐとを含む３次ターゲット２７３が生成され得る。
ここでは２次ターゲット２７２に第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されて３次ターゲット２７３が生成される場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。２次ターゲット２７２にメインパルスレーザ光ＭＰの第１段階に相当する部分が照射された場合にも、同様に微粒子と蒸気又はプリプラズマとを含む３次ターゲット２７３が生成され得る。

図２７Ｃに示されるように、微粒子と蒸気又はプリプラズマ２７ｐとを含む３次ターゲット２７３に、メインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰの第２段階及び第３段階に相当する部分が照射されてもよい。メインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰは、３次ターゲット２７３の分散径とほぼ同じか、それより少し大きい集光径を有していてもよい。

図２７Ｄは、メインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰが照射された後のターゲットの様子を概略的に示す。図２７Ｃに示される３次ターゲット２７３にメインパルスレーザ光Ｍ又はメインパルスレーザ光ＭＰが照射されると、３次ターゲットはプラズマ化し、このプラズマから、ＥＵＶ光が放射し得る。

このように、第１及び第２の実施形態においては、第１及び第２プリパルスレーザ光によってターゲットが段階的に破壊され、蒸気又はプリプラズマ化した後で、プラズマ化されるので、ターゲットが効率よくプラズマ化されるものと考えられる。
特に、第１プリパルスレーザ光がピコ秒オーダーのパルス幅を有する場合に、２次ターゲットがより細かい複数の微粒子状に拡散するので、第２プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光によって効率よくプラズマ化するものと考えられる。

８．ＹＡＧレーザ装置が複数のパルスを出力するＥＵＶ光生成システム
８．１ 構成
図２８は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す一部断面図である。図２８に示される第３の実施形態は、レーザシステム３が１つのＹＡＧレーザ装置Ｌａと１つのＣＯ_２レーザ装置Ｌｂとを含んでいる点で、図２に示される第１の実施形態と異なる。さらに、第３の実施形態は、ＹＡＧレーザ装置Ｌａに、ＥＵＶ制御部５０からの第１のトリガ信号と第１遅延回路５１からの第２のトリガ信号とが入力される点で、第１の実施形態と異なる。第１の実施形態におけるビームコンバイナ３４３は、なくてもよい。

８．２ 動作
ＥＵＶ制御部５０は、ターゲット検出信号に基づいて、第１のトリガ信号を、ＹＡＧレーザ装置Ｌａ及び第１遅延回路５１に出力してもよい。ＹＡＧレーザ装置Ｌａは、第１のトリガ信号に従って、第１プリパルスレーザ光Ｐ１を出力してもよい。

第１遅延回路５１は、第１のトリガ信号を受信してもよい。第１遅延回路５１は、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１の遅延時間が経過したことを示す第２のトリガ信号を、ＹＡＧレーザ装置Ｌａ及び第２遅延回路５２に出力してもよい。ＹＡＧレーザ装置Ｌａは、第２のトリガ信号に従って、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を出力してもよい。

第２遅延回路５２は、第２のトリガ信号を受信してもよい。第２遅延回路５２は、第２のトリガ信号の受信タイミングに対して第２の遅延時間が経過したことを示す第３のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに出力してもよい。
あるいは、ＥＵＶ制御部５０が、第１のトリガ信号を第２遅延回路５２にも出力してもよい。第１のトリガ信号を受信した第２遅延回路５２が、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１及び第２の遅延時間が経過したことを示す第３のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに出力してもよい。
ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、第３のトリガ信号に従って、メインパルスレーザ光Ｍを出力してもよい。

このように、レーザシステム３は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１、第２プリパルスレーザ光Ｐ２、メインパルスレーザ光Ｍを、この順で出力してもよい。

図２９は、第３の実施形態におけるレーザ受光信号の一例を示す波形図である。図２９において、横軸は時間ｔを示し、縦軸は光強度Ｉを示してもよい。光センサ３５２が受光するパルスレーザ光３２は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、メインパルスレーザ光Ｍと、を含んでもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、メインパルスレーザ光Ｍとは、この順で光センサ３５２に入射してもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１のフルーエンスよりも、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスが大きくてもよい。第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスよりも、メインパルスレーザ光Ｍのフルーエンスが大きくてもよい。

８．３ レーザ光学系の例
図３０は、図２８に示されるＥＵＶ光生成システム１１におけるレーザ光進行方向制御部３４ａ及びその周辺の構成例を概略的に示す。チャンバ２に付帯するＥＵＶ集光ミラー２３やターゲットセンサ４などの構成については、図示が省略されている。集光光学系２２ａやターゲット生成部２６についても、その具体的な構成の図示は省略されている。

図３０に示されるように、ＹＡＧレーザ装置Ｌａから出力された第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、高反射ミラー３４０及びビームコンバイナ３４４によって反射されて集光光学系２２ａに入射してもよい。ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂから出力されたメインパルスレーザ光Ｍは、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて集光光学系２２ａに入射してもよい。

図２９に示されるように、ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの時間は、第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングからメインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングまでの時間より、短くてもよい。このため、ターゲット２７に対する第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングから第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射タイミングまでの、ターゲットの移動距離及びターゲットの拡散径の変化は、小さくてもよい。

従って、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、ほぼ同じ波長、且つほぼ同じビーム径を有していてもよい。これにより、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、ほぼ同じ集光径に集光され得る。また、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２の光路は、ほぼ同じであってもよい。
他の点については、第１の実施形態と同様でよい。

８．４ 第４のトリガ信号を用いた変形例
図３１は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の変形例を示す一部断面図である。図３１に示される変形例において、レーザシステム３は、第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１と、第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２と、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂとを含んでもよい。さらに、この変形例において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ制御部５０、第１遅延回路５１及び第２遅延回路５２だけでなく、第３遅延回路５３を含んでもよい。
他の点については、図２８に示されるものとほぼ同様でよい。以下に、図２８に示されるものと異なり得る部分について説明する。

ＥＵＶ制御部５０は、ターゲット検出信号に基づいて、第１のトリガ信号を、第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１及び第１遅延回路５１に出力してもよい。第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１は、第１のトリガ信号に従って、第１プリパルスレーザ光Ｐ１を出力してもよい。

第１遅延回路５１は、第１のトリガ信号を受信してもよい。第１遅延回路５１は、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１の遅延時間が経過したことを示す第２のトリガ信号を、第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１及び第２遅延回路５２に出力してもよい。第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１は、第２のトリガ信号に従って、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を出力してもよい。

第２遅延回路５２は、第２のトリガ信号を受信してもよい。第２遅延回路５２は、第２のトリガ信号の受信タイミングに対して第２の遅延時間が経過したことを示す第３のトリガ信号を、第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２及び第３遅延回路５３に出力してもよい。
あるいは、ＥＵＶ制御部５０が、第１のトリガ信号を第２遅延回路５２にも出力してもよい。第１のトリガ信号を受信した第２遅延回路５２が、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１及び第２の遅延時間が経過したことを示す第３のトリガ信号を、第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２に出力してもよい。
第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２は、第３のトリガ信号に従って、第３プリパルスレーザ光Ｐ３を出力してもよい。

第３遅延回路５３は、第３のトリガ信号を受信してもよい。第３遅延回路５３は、第３のトリガ信号の受信タイミングに対して第３の遅延時間が経過したことを示す第４のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに出力してもよい。
あるいは、ＥＵＶ制御部５０が、第１のトリガ信号を第３遅延回路５３にも出力してもよい。第１のトリガ信号を受信した第３遅延回路５３が、第１のトリガ信号の受信タイミングに対して第１、第２及び第３の遅延時間が経過したことを示す第４のトリガ信号を、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂに出力してもよい。
ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂは、第４のトリガ信号に従って、メインパルスレーザ光Ｍを出力してもよい。

このように、レーザシステム３は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１、第２プリパルスレーザ光Ｐ２、第３プリパルスレーザ光Ｐ３、メインパルスレーザ光Ｍを、この順で出力してもよい。

レーザ光進行方向制御部３４ａは、図２に示される第１の実施形態と同様に、高反射ミラー３４０、３４１及び３４２と、ビームコンバイナ３４３及び３４４と、を含んでもよい。ビームコンバイナ３４３の機能は、第１〜第３プリパルスレーザ光Ｐ１〜Ｐ３の光路をほぼ一致させるものである他、図２に示されるものとほぼ同様でよい。

図３２は、第３の実施形態の変形例におけるレーザ受光信号の一例を示す波形図である。図３２において、横軸は時間ｔを示し、縦軸は光強度Ｉを示してもよい。光センサ３５２が受光するパルスレーザ光３２は、第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、第３プリパルスレーザ光Ｐ３と、メインパルスレーザ光Ｍと、を含んでもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１と、第２プリパルスレーザ光Ｐ２と、第３プリパルスレーザ光Ｐ３と、メインパルスレーザ光Ｍとは、この順で光センサ３５２に入射してもよい。第１プリパルスレーザ光Ｐ１のフルーエンスよりも、第２プリパルスレーザ光Ｐ２のフルーエンスが大きくてもよい。第２プリパルスレーザ光Ｐ２及び第３プリパルスレーザ光Ｐ３のフルーエンスよりも、メインパルスレーザ光Ｍのフルーエンスが大きくてもよい。

図３１においては、第２遅延回路５２が第３の遅延信号を第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２に出力し、第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２が第３プリパルスレーザ光Ｐ３を出力する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。第２のＹＡＧレーザ装置Ｌａ２がなくてもよい。すなわち、第３の遅延信号及び第４の遅延信号をＣＯ_２レーザ装置Ｌｂが受信し、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂが第３プリパルスレーザ光Ｐ３及びメインパルスレーザ光Ｍを出力してもよい。また、第３の遅延信号及び第４の遅延信号をＣＯ_２レーザ装置Ｌｂが受信し、ＣＯ_２レーザ装置Ｌｂが第１〜第３段階を含むパルス波形を有するメインパルスレーザ光ＭＰを出力してもよい。このようなＣＯ_２レーザ装置Ｌｂの機能については、第２及び第３の遅延信号の代わりに第３及び第４の遅延信号を用いる他、図７に示されるものと同様でよい。

８．５ ＣＥの向上
図３３は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１におけるＣＥの測定結果を示すグラフである。図３３において、横軸は第１プリパルスレーザ光Ｐ１とメインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングの時間差を示し、縦軸はＣＥを示してもよい。ここで、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡った時間でもよい。

ターゲット２７及びメインパルスレーザ光Ｍの照射条件は、図１５及び図１６を参照しながら説明したものと同様とした。

第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２としては、図１５及び図１６を参照しながら説明した測定条件におけるモードロックレーザ装置及び再生増幅器により出力されたパルスレーザ光が用いられた。第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２は、それぞれピコ秒オーダーのパルス幅を有し、パルス間の間隔は１２ｎｓとした。第１プリパルスレーザ光Ｐ１は第２プリパルスレーザ光Ｐ２より小さな光強度を有するものとし、第１プリパルスレーザ光Ｐ１と第２プリパルスレーザ光Ｐ２とを合わせたフルーエンスを５．２Ｊ／ｃｍ^２とした。

第３プリパルスレーザ光Ｐ３の照射条件は、図１５及び図１６を参照しながら説明した第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射条件と同様とした。但し、第３プリパルスレーザ光Ｐ３のフルーエンスは、１．６Ｊ／ｃｍ^２及び０Ｊ／ｃｍ^２の２通りとした。第３プリパルスレーザ光Ｐ３の照射タイミングは、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングを０としたとき、メインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングから遡って−０．１μｓのタイミングとした。

図３３には、第３の実施形態における第２プリパルスレーザ光Ｐ２を照射しない場合の結果を併せて示した。

図３３に示される結果から、以下のことが理解され得る。
第３の実施形態においては第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射を加えたことにより、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を照射しない場合に比べてＣＥが向上した。
第３の実施形態においては第２プリパルスレーザ光Ｐ２の照射を加えたことにより、第２プリパルスレーザ光Ｐ２を照射しない場合に比べて、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の最適な照射タイミングが早くなった。すなわち、第３の実施形態においては、図２１の場合と比べて、第１プリパルスレーザ光Ｐ１の照射タイミングからメインパルスレーザ光Ｍの照射タイミングまでのタイミングの時間差が長い方がＣＥが向上した。
第３プリパルスレーザ光Ｐ３を照射する場合には、第１プリパルスレーザ光Ｐ１とメインパルスレーザ光Ｍとの時間差は、好ましくは１．３μｓ以上、３．２μｓ以下でもよい。さらに好ましくは、２．０μｓ以上、３．０μｓ以下でもよい。
第３プリパルスレーザ光Ｐ３を照射しない場合には、第１プリパルスレーザ光Ｐ１とメインパルスレーザ光Ｍとの時間差は、好ましくは２．０μｓ以上、３．５μｓ以下でもよい。さらに好ましくは、２．３μｓ以上、３．２μｓ以下でもよい。

８．６ パルスレーザ光を照射されたターゲットの変化
図３４は、第３の実施形態において第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射された後のターゲット２７の様子を概略的に示す。液滴状のターゲット２７に第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されると、液滴状のターゲット２７が複数の微粒子状に破壊されて拡散することにより、２次ターゲット２７２が生成され得る。図３４におけるドットの粗密は、ターゲット物質の分布密度に対応し得る。図３４に示されるように、第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２が照射されて破壊された２次ターゲット２７２は、円錐台部２７ｄと、ドーム部２７ｅとを有し得る。図２６Ｂに示される２次ターゲットの円盤部２７ａに比べて、図３４に示される２次ターゲットのテーパ状の円筒部２７ｄは、ターゲット物質の密度が低くなり得る。

このように、第３の実施形態においては、第１及び第２プリパルスレーザ光によってターゲットがより細かい複数の微粒子状に拡散するので、第３プリパルスレーザ光Ｐ３及びメインパルスレーザ光Ｍによって効率よくプラズマ化するものと考えられる。

９．その他（ＹＡＧレーザ装置）
９．１ 第１の例
図３５は、上述の各実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいて用いることができる第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１の第１の例を概略的に示す。図３５に示される第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１は、パルス幅がピコ秒オーダーであるプリパルスレーザ光を出力し得る。

第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１は、モードロックレーザ装置３０２と、光シャッタ３０３と、電圧波形制御回路３０４と、増幅器ＰＡ１〜ＰＡ３と、第１のＹＡＧレーザ制御部３１０とを含んでもよい。

モードロックレーザ装置３０２は、例えばパルス幅がピコ秒オーダーであり、繰り返し周波数が１００ＭＨｚ程度であるパルスレーザ光を出力してもよい。モードロックレーザ装置３０２は、図示しない光共振器と、レーザ媒質となるＮｄ:ＹＶＯ_４結晶と、可飽和吸収ミラーと、を含んでもよい。モードロックレーザ装置３０２の光共振器は、相対的に位相が固定された複数の縦モードでレーザ光を発振させ得る。そして、それらの縦モードの光が合波されることにより、光共振器からパルス幅の短いパルスレーザ光が出力され得る。このパルスレーザ光の繰り返し周波数は、光が光共振器内を一往復する時間の逆数に相当し得る。

第１のＹＡＧレーザ制御部３１０は、モードロックレーザ装置３０２、電圧波形制御回路３０４、増幅器ＰＡ１〜ＰＡ３に、それぞれ制御信号を出力してもよい。第１のＹＡＧレーザ制御部３１０は、ＥＵＶ光生成制御部５から第１のトリガ信号及び第２のトリガ信号を受信し、これらの第１のトリガ信号及び第２のトリガ信号を電圧波形制御回路３０４に出力してもよい。

電圧波形制御回路３０４は、第１のトリガ信号に従って、光シャッタ３０３がパルスレーザ光に含まれる１つのパルスを通過させるように、光シャッタ３０３に第１の電圧信号を送信してもよい。電圧波形制御回路３０４は、第２のトリガ信号に従って、光シャッタ３０３がパルスレーザ光に含まれる別の１つのパルスを通過させるように、光シャッタ３０３に第２の電圧信号を送信してもよい。

光シャッタ３０３は、ＥＯポッケルスセルと偏光子とを含み、モードロックレーザ装置３０２から出力されるパルスレーザ光の光路に配置されていてもよい。光シャッタ３０３は、モードロックレーザ装置３０２から出力されるパルスレーザ光を遮断してもよい。光シャッタ３０３は、電圧波形制御回路３０４が出力した第１の電圧信号を受信したときに、パルスレーザ光に含まれる１つのパルスを通過させてもよい。光シャッタ３０３は、電圧波形制御回路３０４が出力した第２の電圧信号を受信したときに、パルスレーザ光に含まれる１つのパルスを通過させてもよい。ここで、好ましくは、第１のプリパルスレーザ光Ｐ１の光強度は、第２のプリパルスレーザ光Ｐ２の光強度よりも小さくてもよい。第１の電圧信号と第２の電圧信号の電圧値を調節することで、第１のプリパルスレーザ光Ｐ１の光強度及び第２のプリパルスレーザ光Ｐ２の光強度を制御し得る。

増幅器ＰＡ１〜ＰＡ３は、光シャッタ３０３を通過したパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。光シャッタ３０３を通過したパルスレーザ光は、増幅器ＰＡ１〜ＰＡ３によって増幅され、図３１などに示されるレーザ光進行方向制御部３４ａに出力されてもよい。増幅器ＰＡ１は、たとえば、スラブ形状の光学結晶（たとえば、Ｎｄ：ＹＡＧ）と２枚のミラーとを含むマルチパルス増幅器であってもよい。

以上のようにして、第３の実施形態において例示された第１プリパルスレーザ光Ｐ１及び第２プリパルスレーザ光Ｐ２を出力する第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１が実現され得る。但し、第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１がＥＵＶ光生成制御部５から第１のトリガ信号のみを受信した場合には、第１及び第２の実施形態において例示された第１プリパルスレーザ光Ｐ１のみを出力する第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１が実現され得る。

９．２ 第２の例
図３６は、上述の各実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいて用いることができる第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１の第２の例を概略的に示す。図３６に示される第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１は、パルス幅がピコ秒オーダーであるプリパルスレーザ光を出力し得る。

第１のＹＡＧレーザ装置Ｌａ１は、モードロックレーザ装置３０２と、再生増幅器３０５と、励起用電源３０６と、第１のＹＡＧレーザ制御部３１０とを含んでもよい。

再生増幅器３０５は、平面ミラー３３４と凹面ミラー３３５とで構成される光共振器を含んでもよい。この光共振器には、レーザ結晶３３６と、凹面ミラー３３７と、平面ミラー３３８と、偏光ビームスプリッタ３３９と、ポッケルスセル３２０と、λ／４波長板３２１とが、この順に平面ミラー３３４側から配置されてもよい。さらに、再生増幅器３０５は、光共振器の外部からレーザ結晶３３６に励起光Ｅ２を出力する励起光源３２２を含んでもよい。励起光源３２２は、励起光Ｅ２を発生するレーザダイオードを含んでもよい。また、再生増幅器３０５は、偏光ビームスプリッタ３３０と、ファラデー光アイソレータ３３１と、平面ミラー３３２と、平面ミラー３３３とを含んでもよい。ファラデー光アイソレータ３３１は、図示しないファラデーローテータと図示しないλ／２波長板を含んでいてもよい。

平面ミラー３３４は、励起光源３２２からの励起光Ｅ２に含まれる波長成分を高い透過率で透過させ、レーザ結晶３３６からの放出光に含まれる波長成分を高い反射率で反射するミラーでもよい。レーザ結晶３３６は、励起光Ｅ２を受けて励起されるレーザ媒質であり、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧの結晶であってもよい。励起光Ｅ２を受けて励起されたレーザ結晶３３６に、モードロックレーザ装置３０２から出力された種光が入射すると、誘導放出によって種光が増幅され得る。

９．２．１ ポッケルスセルに電圧を印加しない場合
偏光ビームスプリッタ３３０は、モードロックレーザ装置３０２から出力されたパルスレーザ光Ｂ１の光路に配置されてもよい。偏光ビームスプリッタ３３０は、入射面が紙面に対して垂直に配置されてもよい。偏光ビームスプリッタ３３０は、紙面に平行な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ１を高い透過率で透過させ得る。偏光ビームスプリッタ３３０は、後述のように、紙面に垂直な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ２９を高い反射率で反射し得る。

ファラデー光アイソレータ３３１は、図中下側から偏光ビームスプリッタ３３０を透過したパルスレーザ光Ｂ２の光路に配置されてもよい。ファラデー光アイソレータ３３１は、図中下側から入射した直線偏光のパルスレーザ光Ｂ２の偏光面を９０度回転させてパルスレーザ光Ｂ３として透過させてもよい。また、ファラデー光アイソレータ３３１は、後述のように、図中上側に相当する逆方向から入射するパルスレーザ光Ｂ２８の偏光面を回転させずに、偏光ビームスプリッタ３３０に向けて透過させてもよい。

平面ミラー３３２は、ファラデー光アイソレータ３３１を透過したパルスレーザ光Ｂ３の光路に配置されてもよい。平面ミラー３３２は、パルスレーザ光Ｂ３を高い反射率で反射してもよい。平面ミラー３３３は、平面ミラー３３２によって反射されたパルスレーザ光Ｂ４を高い反射率で反射してもよい。

光共振器内に配置された偏光ビームスプリッタ３３９は、平面ミラー３３３によって反射されたパルスレーザ光Ｂ５の光路上に位置していてもよい。偏光ビームスプリッタ３３９は、入射面が紙面に対して垂直に配置されてもよく、パルスレーザ光Ｂ５は、偏光ビームスプリッタ３３９の図中右側の面に入射してもよい。偏光ビームスプリッタ３３９は、紙面に垂直な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ５を高い反射率で反射し、パルスレーザ光Ｂ６として光共振器内に導いてもよい。偏光ビームスプリッタ３３９は、後述のように、紙面に平行な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ１１等を高い透過率で透過させてもよい。

ポッケルスセル３２０と、λ／４波長板３２１と、凹面ミラー３３５とは、偏光ビームスプリッタ３３９からみて図中右側の光路に配置されていてもよい。平面ミラー３３４と、レーザ結晶３３６と、凹面ミラー３３７と、平面ミラー３３８とは、偏光ビームスプリッタ３３９からみて図中左側の光路に配置されていてもよい。

ポッケルスセル３２０には、高電圧電源３２３によって電圧を印加可能であってもよい。ポッケルスセル３２０は、高電圧電源３２３によって電圧が印加されていない状態においては、偏光ビームスプリッタ３３９によって反射されたパルスレーザ光Ｂ６の偏光面を回転させずにパルスレーザ光Ｂ７として透過させてもよい。なお、ポッケルスセル３２０に高電圧電源３２３が電圧を印加していない状態は「電圧がＯＦＦ」と称し、高電圧電源３２３が電圧を印加している状態は「電圧がＯＮ」と称する。

λ／４波長板３２１は、パルスレーザ光Ｂ７が入射する角度が略０度で配置されてもよい。更に、λ／４波長板３２１の結晶の光学軸が、λ／４波長板３２１に対する入射光の光路軸に垂直な面内において、紙面に対して４５度傾いた状態となるよう、λ／４波長板３２１が配置されてもよい。λ／４波長板３２１に入射するパルスレーザ光Ｂ７は、上記結晶の光学軸に平行な第１の偏光成分と、上記結晶の光学軸とパルスレーザ光Ｂ７の進行方向との両方に垂直な第２の偏光成分とを有し得る。第１の偏光成分と第２の偏光成分との合成ベクトルの方向は、パルスレーザ光Ｂ７の偏光面に沿った方向と一致し、その方向は紙面に垂直な方向であり得る。

λ／４波長板３２１は、第１の偏光成分と第２の偏光成分とを互いに異なる屈折率で透過させる複屈折作用を有してもよい。その結果、λ／４波長板３２１は、ポッケルスセル３２０を透過したパルスレーザ光Ｂ７を、第１の偏光成分の位相に対して第２の偏光成分の位相を１／４波長分ずらして透過させ得る。凹面ミラー３３５は、λ／４波長板３２１を透過したパルスレーザ光Ｂ８を高い反射率で反射してもよい。凹面ミラー３３５によって反射されたパルスレーザ光Ｂ９は、λ／４波長板３２１を再び透過するので、第１の偏光成分の位相に対して第２の偏光成分の位相がさらに１／４波長分ずらされてもよい。つまり、パルスレーザ光Ｂ７は、λ／４波長板３２１を２回透過することにより、第１の偏光成分の位相に対して第２の偏光成分の位相が合計で１／２波長分ずらされてもよい。その結果、紙面に垂直な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ７は、その偏光面が９０度回転し、紙面に平行な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ１０としてポッケルスセル３２０に入射し得る。

ポッケルスセル３２０は、上述の通り、高電圧電源３２３による電圧が印加されていない状態においては、入射光の偏光面が変化することなく透過させ得る。従って、ポッケルスセル３２０を透過したパルスレーザ光Ｂ１１は、紙面に平行な方向に直線偏光した状態で偏光ビームスプリッタ３３９に入射し得る。偏光ビームスプリッタ３３９は、紙面に平行な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ１１を高い透過率で透過させてもよい。

平面ミラー３３８は、偏光ビームスプリッタ３３９を透過したパルスレーザ光Ｂ１２を高い反射率で反射してもよい。凹面ミラー３３７は、平面ミラー３３８によって反射されたパルスレーザ光Ｂ１３を高い反射率で反射してもよい。レーザ結晶３３６は、凹面ミラー３３７によって反射された種光としてのパルスレーザ光Ｂ１４を増幅して透過させてもよい。

平面ミラー３３４は、レーザ結晶３３６によって増幅されてレーザ結晶３３６を透過したパルスレーザ光Ｂ１５を高い反射率で反射し、パルスレーザ光Ｂ１６としてレーザ結晶３３６に入射させてもよい。レーザ結晶３３６によって再び増幅されたパルスレーザ光Ｂ１７は、凹面ミラー３３７と、平面ミラー３３８と、偏光ビームスプリッタ３３９と、ポッケルスセル３２０とを介して、パルスレーザ光Ｂ２１としてλ／４波長板３２１に入射してもよい。パルスレーザ光Ｂ２１はλ／４波長板３２１を透過し、凹面ミラー３３５によって反射されて再びλ／４波長板３２１を透過することにより、その偏光面が９０度回転し、紙面に垂直な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ２４となり得る。パルスレーザ光Ｂ２４は、ポッケルスセル３２０を透過した後、偏光ビームスプリッタ３３９によって高い反射率で反射され、パルスレーザ光Ｂ２６として光共振器の外部に出力され得る。

パルスレーザ光Ｂ２６は、平面ミラー３３３と平面ミラー３３２とを介して、パルスレーザ光Ｂ２８としてファラデー光アイソレータ３３１に図中上側から入射してもよい。ファラデー光アイソレータ３３１は、図中上側から入射した直線偏光のパルスレーザ光Ｂ２８を、その偏光面を回転させずに、パルスレーザ光Ｂ２９として透過させてもよい。偏光ビームスプリッタ３３０は、紙面に垂直な方向に直線偏光したパルスレーザ光Ｂ２９を高い反射率で反射してもよい。

偏光ビームスプリッタ３３０によって反射されたパルスレーザ光Ｂ３０は、図２に示される集光光学系２２ａを介してプラズマ生成領域２５に導かれてもよい。ただし、再生増幅器３０５の光共振器内を一往復しただけで出力された、このパルスレーザ光Ｂ３０は、仮にターゲットに照射されても、ターゲットを破壊せず、ターゲットをプラズマ化もしない程度の弱い光強度を有していてもよい。

９．２．２ ポッケルスセルに電圧を印加する場合
高電圧電源３２３は、一度ポッケルスセル３２０を透過したパルスレーザ光Ｂ１１の１つのパルスが、次にパルスレーザ光Ｂ２０としてポッケルスセル３２０に入射するまでの間のタイミングで、ポッケルスセル３２０に印加する電圧をＯＦＦからＯＮにしてもよい。ポッケルスセル３２０は、高電圧電源３２３によって電圧が印加されている状態においては、λ／４波長板３２１と同様に、入射光を、第１の偏光成分の位相に対して第２の偏光成分の位相を１／４波長分ずらして透過させてもよい。

図３７は、図３６に示す再生増幅器３０５においてポッケルスセル３２０に電圧が印加されている場合の光路を概略的に示す。このとき、パルスレーザ光Ｂ２０は、ポッケルスセル３２０及びλ／４波長板３２１をそれぞれ２回透過して（パルスレーザ光Ｂａ１、Ｂａ２、Ｂａ３、Ｂａ４）、パルスレーザ光Ｂ１１として戻ってきてもよい。λ／４波長板３２１を２回透過することで偏光面が９０度回転し、且つ、電圧が印加されているポッケルスセル３２０を２回透過することでさらに偏光面が９０度回転したパルスレーザ光Ｂ１１は、その偏光面の向きがパルスレーザ光Ｂ２０と同じであり得る。従って、パルスレーザ光Ｂ１１は、偏光ビームスプリッタ３３９を再び透過して、レーザ結晶３３６によって増幅され得る。ポッケルスセル３２０に高電圧電源３２３による電圧が印加されている間、この増幅動作が繰り返され得る。

増幅動作が繰り返された後、高電圧電源３２３は、一度ポッケルスセル３２０を透過したパルスレーザ光Ｂ１１が、次にパルスレーザ光Ｂ２０としてポッケルスセル３２０に入射するまでの間のタイミングで、ポッケルスセル３２０に印加する電圧をＯＮからＯＦＦにしてもよい。ポッケルスセル３２０は、上述の通り、図５のように高電圧電源３２３による電圧が印加されていない状態においては、入射光の偏光面を回転させなくてもよい。従って、このときポッケルスセル３２０に図中左側から入射したパルスレーザ光Ｂ２０は、図３７のパルスレーザ光Ｂ２１、Ｂ２２、Ｂ２３、Ｂ２４として、λ／４波長板３２１を２回透過することによって、その偏光面が９０度だけ回転し得る。よって、増幅動作が繰り返された後のパルスレーザ光は、紙面に垂直な方向に直線偏光した状態で、パルスレーザ光Ｂ２５として偏光ビームスプリッタ３３９に図中右側から入射し、光共振器の外部に出力され得る。

あるいは、増幅動作が繰り返された後、高電圧電源３２３は、一度ポッケルスセル３２０を透過したパルスレーザ光Ｂ１１が、次にパルスレーザ光Ｂ２０としてポッケルスセル３２０に入射するまでの間のタイミングで、ポッケルスセル３２０に印加する電圧のＯＮからＯＦＦへの立ち下げを、開始してもよい。電圧の立下り中に、パルスレーザ光Ｂ２０がポッケルスセル３２０を通過するように、電圧立ち下げの開始タイミングと、電圧立ち下げの開始から電圧立ち下げの完了までの所要時間とが設定されてもよい。これにより、パルスレーザ光Ｂ２０の一部、すなわち電圧ＯＦＦ時にポッケルスセル３２０を通過したパルスレーザ光Ｂ２０は、偏光ビームスプリッタ３３９によって反射されて光共振器の外部に出力され得る。パルスレーザ光Ｂ２０の残りの一部、すなわち電圧ＯＮ時にポッケルスセル３２０を通過したパルスレーザ光Ｂ２０は、偏光ビームスプリッタ３３９を再度透過し、光共振器内を一往復してから光共振器の外部に出力され得る。
これにより、再生増幅器３０５から取り出されるパルスレーザ光をダブルパルス化し、第３の実施形態における第１及び第２のプリパルスレーザ光を１つのターゲット２７に照射し得る。

プリパルスレーザ光のパルス幅をピコ秒オーダーとすることにより、ターゲットを細かい粒子状に破壊して拡散させ得る。これにより、拡散したターゲットにメインパルスレーザ光を照射したときに、ターゲットが効率よくプラズマ化され得る。

その他、ピコ秒オーダーのパルス幅を有するパルスレーザ光を出力するレーザ装置としては、以下のようなレーザ装置が用いられてもよい。
（１）モードロックレーザ装置としては、固体レーザ（Nd系、Yb系、Ti:sapphire等）、ファイバレーザ等が用いられてもよい。この場合には１０ｆｓ〜１００ｐｓの範囲のパルス幅を有するパルスレーザ光が生成され得る。
（２）Ｎｄ：ＹＶＯ_４等のマイクロチップレーザが用いられてもよい。この場合には５０ｐｓ〜５００ｐｓの範囲のパルス幅を有するパルスレーザ光が生成され得る。
（３）半導体レーザにおける供給電流を高速変調することにより、ピコ秒オーダーのパルス幅を有するパルスレーザ光を出力してもよい。この場合には５０ｐｓ以上１ｎｓ未満の範囲のパルス幅を有するパルスレーザ光が生成され得る。
（４）ＣＷ発振の半導体レーザと高速の光スイッチとを組み合わせて、ピコ秒オーダーのパルス幅を有するパルスレーザ光を生成し、複数の増幅器によって増幅してもよい。この場合には１００ｐｓ以上１ｎｓ未満の範囲のパルス幅を有するパルスレーザ光が生成され得る。

１０．制御部の構成
図３８は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるＥＵＶ制御部５０等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。

（構成）
制御部は、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。

（動作）
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部１０００は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読み出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。

処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘは、レーザシステム３、露光装置６、他の制御部等であってもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘは、ターゲットセンサ４、光検出器３５、位置調整等であってもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘは、ＥＵＶ光センサ７等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (20)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット生成部と、
   前記ターゲットに、第１プリパルスレーザ光と、前記第１プリパルスレーザ光よりもパルス幅が長い第２プリパルスレーザ光と、メインパルスレーザ光と、がこの順で照射されるように、前記第１プリパルスレーザ光と、前記第２プリパルスレーザ光と、前記メインパルスレーザ光と、を生成するレーザシステムと、
   前記第２プリパルスレーザ光のフルーエンスが、１Ｊ／ｃｍ^２以上、且つ、前記メインパルスレーザ光のフルーエンス以下となるように、前記レーザシステムを制御する制御部と、
   を含む極端紫外光生成システム。
2. チャンバと、
   前記チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット生成部と、
   前記ターゲットに、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がこの順で照射されるように、前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を生成するレーザシステムと、
   前記メインパルスレーザ光のパルス波形が、第１の増加率以下の増加率で光強度が増加する第１段階と、第１の増加率より大きい第２の増加率以上の増加率で光強度が増加する第２段階と、光強度が減少する第３段階と、を含み、且つ、前記第１段階における当該メインパルスレーザ光のフルーエンスが、２Ｊ／ｃｍ^２以上、且つ、前記第２段階及び前記第３段階における当該メインパルスレーザ光のフルーエンス以下となるように、前記パルス波形を制御する制御部と、
   を含む極端紫外光生成システム。
3. チャンバと、
   前記チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット生成部と、
   前記ターゲットに、第１プリパルスレーザ光、第２プリパルスレーザ光、及び、前記第１プリパルスレーザ光の波長及び前記第２プリパルスレーザ光の波長より大きい波長を有するメインパルスレーザ光が、この順で照射されるように、前記第１プリパルスレーザ光、前記第２プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を生成するレーザシステムと、
   前記第１プリパルスレーザ光、前記第２プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するように構成されたレーザ集光光学系と、
   前記レーザ集光光学系に入射する前記第２プリパルスレーザ光のビーム径が、前記レーザ集光光学系に入射する前記第１プリパルスレーザ光のビーム径及び前記レーザ集光光学系に入射する前記メインパルスレーザ光のビーム径より小さくなるように、前記第１プリパルスレーザ光、前記第２プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の少なくとも１つのビーム径を制御する制御部と、
   を含む極端紫外光生成システム。
4. 前記制御部は、前記第１プリパルスレーザ光と前記メインパルスレーザ光との出力タイミングの時間差が０．５μｓ以上、１．６μｓ以下となるように、且つ、前記第２プリパルスレーザ光と前記メインパルスレーザ光との出力タイミングの時間差が、０．０３μｓ以上、０．３７μｓ以下となるように、前記レーザシステムを制御する、
   請求項１記載の極端紫外光生成システム。
5. 前記レーザシステムは、パルス幅がピコ秒オーダーである前記第１プリパルスレーザ光を生成する、
   請求項１記載の極端紫外光生成システム。
6. 前記レーザシステムは、
   モードロックレーザ装置と、
   前記モードロックレーザ装置から出力されるパルスレーザ光の光路に配置された光シャッタと、
   前記モードロックレーザ装置から出力されるパルスレーザ光に含まれる少なくとも１つのパルスを前記光シャッタが通過させるように、前記光シャッタに電圧信号を送信する電圧波形制御回路と、
   前記光シャッタを通過したパルスレーザ光を入力して前記第１プリパルスレーザ光を出力する増幅器と、
   前記モードロックレーザ装置、前記電圧波形制御回路、及び前記増幅器に制御信号を出力するレーザ制御部と、
   を含む、請求項１記載の極端紫外光生成システム。
7. 前記モードロックレーザ装置は、光共振器と、レーザ媒質となるＮｄ:ＹＶＯ_４結晶と、可飽和吸収ミラーとを含む、
   請求項６記載の極端紫外光生成システム。
8. 前記光シャッタは、ＥＯポッケルスセルと、偏光子とを含む、
   請求項６記載の極端紫外光生成システム。
9. 前記増幅器は、スラブ形状の光学結晶と、２枚のミラーとを含むマルチパス増幅器である、
   請求項６記載の極端紫外光生成システム。
10. 前記レーザシステムは、前記第２プリパルスレーザ光よりもパルス幅が長い前記メインパルスレーザ光を生成する、
    請求項１記載の極端紫外光生成システム。
11. 前記第１のプリパルスレーザ光の光路に配置され、前記第１のプリパルスレーザ光の波面を調節する第１のビームエキスパンダと、
    前記第２のプリパルスレーザ光の光路に配置され、前記第２のプリパルスレーザ光の波面を調節する第２のビームエキスパンダと、
    前記メインパルスレーザ光の光路に配置され、前記メインパルスレーザ光の波面を調節する第３のビームエキスパンダと、
    をさらに含む請求項１記載の極端紫外光生成システム。
12. 前記第１から第３のビームエキスパンダを、前記第１プリパルスレーザ光の集光径が、前記メインパルスレーザ光の集光径及び前記第２のプリパルスレーザ光の集光径より小さくなるように、それぞれ制御する制御部
    をさらに備えた請求項１１記載の極端紫外光生成システム。
13. 前記第１のビームエキスパンダは、球面凹レンズと球面凸レンズとを含み、
    前記第２のビームエキスパンダは、球面凹レンズと球面凸レンズとを含み、
    前記第３のビームエキスパンダは、球面凹面ミラーと球面凸面ミラーとを含む、
    請求項１１記載の極端紫外光生成システム。
14. 前記第１のプリパルスレーザ光の光路に配置された第１の光学素子と、
    前記第１の光学素子を動かすことにより、前記第１のプリパルスレーザ光の進行方向を制御する第１のアクチュエータと、
    前記第２のプリパルスレーザ光の光路に配置された第２の光学素子と、
    前記第２の光学素子を動かすことにより、前記第２のプリパルスレーザ光の進行方向を制御する第２のアクチュエータと、
    前記メインパルスレーザ光の光路に配置された第３の光学素子と、
    前記第３の光学素子を動かすことにより、前記メインパルスレーザ光の進行方向を制御する第３のアクチュエータと、
    をさらに含む、請求項１１記載の極端紫外光生成システム。
15. 前記第１のプリパルスレーザ光の光路と前記第２のプリパルスレーザ光の光路とが交差する第１の位置に配置され、前記第１のプリパルスレーザ光に含まれる第１の偏光成分と前記第２のプリパルスレーザ光に含まれる第２の偏光成分との内の一方を反射し他方を透過させて、前記第１のプリパルスレーザ光及び前記第２のプリパルスレーザ光を、前記メインパルスレーザ光の光路に位置する第２の位置に向けて出射する第１のビームコンバイナと、
    前記第２の位置に配置され、前記第１のプリパルスレーザ光及び前記第２のプリパルスレーザ光の両方に含まれる第１の波長成分と前記メインパルスレーザ光に含まれる第２の波長成分との内の一方を反射し他方を透過させて、前記第１のプリパルスレーザ光、前記第２のプリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を、第３の位置に向けて出射する第２のビームコンバイナと、
    をさらに含む請求項１記載の極端紫外光生成システム。
16. 前記第２のビームコンバイナと前記第３の位置との間に配置され、前記第１のプリパルスレーザ光、前記第２のプリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の各一部を第４の位置に向けて出射し、別の各一部を前記第３の位置に向けて出射するビームスプリッタと、
    前記第４の位置に配置され、前記第１のプリパルスレーザ光、前記第２のプリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の前記各一部を検出する光センサと、
    をさらに含む、請求項１５記載の極端紫外光生成システム。
17. 前記レーザシステムは、０．４×１０ ^８ Ｗ／ｃｍ ^２ 以上の単位面積当たりの光強度を有する前記第２プリパルスレーザ光を生成する、
    請求項１記載の極端紫外光生成システム。
18. 前記レーザシステムは、３．０×１０ ^８ Ｗ／ｃｍ ^２ 以上の単位面積当たりの光強度を有する前記第２プリパルスレーザ光を生成する、
    請求項１記載の極端紫外光生成システム。
19. 前記レーザシステムは、１００Ｊ／ｃｍ ^２ 以上、２００Ｊ／ｃｍ ^２ 以下のフルーエンスを有する前記メインパルスレーザ光を生成する、
    請求項１記載の極端紫外光生成システム。
20. 前記レーザシステムは、
    前記第１プリパルスレーザ光を生成する固体レーザ装置と、
    前記第２プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を生成するＣＯ _２ レーザ装置と、
    を含む、請求項１記載の極端紫外光生成システム。

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