JP6441946B2 - レーザシステム - Google Patents
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Description
1.概要
2.EUV光生成システムの全体説明
構成
動作
3.レーザ光進行方向制御部を備えたEUV光生成装置の課題
構成
動作
ターゲット状態
課題
4.実施形態1
構成
動作
効果
5.実施形態2
実施形態1における課題
構成
効果
6.実施形態3
構成
動作
効果
7.ビーム調節装置
構成例1
構成例2
8.ビームモニタ
構成例1
構成例2
本開示は、レーザ光進行方向制御部を備えたEUV光生成システムに関する。露光装置用のLPP方式のEUV光生成システムは、ターゲットがチャンバ内の所定位置に到達した時に、集光したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を、ターゲットに順に照射することによってプラズマ化し、EUV光を生成してもよい。
<構成>
図1は、例示的なLPP方式のEUV光生成装置の構成を概略的に示している。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザシステム3と共に用いてもよい(EUV光生成装置1及びレーザシステム3を含むシステムを、以下、EUV光生成システム11と称する)。図1に示し、かつ以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2及びターゲット供給部26(例えばドロップレット発生器)を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えばチャンバ2の壁に取り付けられてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照すると、レーザシステム3から出力されたパルスメインパルスレーザ光M1は、レーザ光進行方向制御部34を経てパルスメインパルスレーザ光M2としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスメインパルスレーザ光M2は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスメインパルスレーザ光M3として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
<構成>
図2は、関連技術におけるEUV光生成システムの一部断面図を示している。チャンバ2は、クリーンルームフロアに配置され、レーザシステム3は、サブファブフロアに配置されてもよい。サブファブフロアはクリーンルームフロアの階下に位置してもよい。
レーザシステム3は、プリパルスレーザ光P1、プリパルスレーザ光P2、メインパルスレーザ光Mの順に、各パルスレーザ光を出力してもよい。プリパルスレーザ光P1及びP2の光路は、偏光ビームスプリッタ314にて略一致させられてよい。プリパルスレーザ光P1の光路は、λ/2波長板311及び第1ビーム調節装置71を経て、偏光ビームスプリッタ314に至ってもよい。プリパルスレーザ光P2の光路は、λ/2波長板312及び第2ビーム調節装置72を経て、偏光ビームスプリッタ314に至ってもよい。
図3Aは、プリパルスレーザ光P1が照射されるときのターゲットの様子を概略的に示している。破線270は、ターゲット27の軌道及びその延長線を示している。プリパルスレーザ光P1は、ターゲット27の径と略同じか、ターゲット27の径より少し大きい集光径D1を有してもよい。例えば、プリパルスレーザ光P1の集光径D1は、20μm〜100μmであってもよい。
上記構成のように、同一波長の2つのプリパルスレーザ光P1及びP2のビームパラメータを、光路を略一致させる前に調整してもよい。しかし、プリパルスレーザ光P1及びP2の伝送距離が長い場合、例えば、光路を略一致させる前にダイバージェンスを大きく調整しすぎると、伝送中のビーム径が光路管510の直径より大きくなり、ケラレが発生し、プリパルスレーザ光P1及びP2の光量が低下して伝送され得る。
<構成>
図4は、本実施形態に係るEUV光生成システム11の構成例を示している。以下において、図2に示している関連技術との相違点を主に説明する。レーザ光進行方向制御部34において、図2を参照して説明したサブファブフロアの第1ビーム調節装置71及び第2ビーム調節装置72は、省略されていてもよい。なお、第1ビーム調節装置71及び第2ビーム調節装置72は、省略されていなくともよい。この点は他の実施形態において同様である。
以下において、本実施形態のEUV光生成システム11の動作を説明する。図2に示している関連技術との相違点を主に説明する。図4において、第1プリパルスレーザ装置35及び第2プリパルスレーザ装置36は、それぞれ、プリパルスレーザ光P1及びP2を出力してもよい。ここで、プリパルスレーザ光P1及びP2の出力タイミングは異なっていて、プリパルスレーザ光P1が出力された後にプリパルスレーザ光P2が出力されてもよい。
本実施形態は、プリパルスレーザ光P1の光路とプリパルスレーザ光P2の光路を、サブファブフロアとメインフロアをつなぐ伝送経路を経た後に分離し、プリパルスレーザ光P1及びP2それぞれのビームパラメータを調節してもよい。したがって、本実施形態は、伝送距離が長くなっても、プリパルスレーザ光P1及びP2のビームパラメータの調整代が小さくなることを抑制し得る。
<実施形態1における課題>
図4に示している実施形態1のEUV光生成システム11は、偏光ビームスプリッタ76を用いてプリパルスレーザ光P1の光路とプリパルスレーザ光P2の光路とを分離してもよい。プリパルスレーザ光P2は、偏光ビームスプリッタ76で反射される偏光状態の光を含み得る。そのため、偏光ビームスプリッタ76は、本来反射するべきプリパルスレーザ光P1の他に、僅かにプリパルスレーザ光P2の一部を反射し得る。
図5は、本実施形態に係るEUV光生成システム11の構成例を示している。以下において、図4に示している実施形態1に係るEUV光生成システム11との相違点を主に説明する。
本実施形態は、特定の直線偏光のプリパルスレーザ光が伝搬すべき光路に、ミラーに代えて、多段に配置された偏光ビームスプリッタを含むので、偏光エラー成分の伝搬を抑制し、スペックルを低減し得る。
<構成>
図6は、本実施形態に係るEUV光生成システム11の構成例を示している。以下において、図4に示している実施形態1に係るEUV光生成システム11との相違点を主に説明する。
プリパルスレーザ光P1及びP2は、λ/4波長板911及び912によって、同一の偏光状態となってもよい。例えば、プリパルスレーザ光P1及びP2は、共に円偏光状態となってもよい。λ/4波長板911を通過したプリパルスレーザ光P1は、高反射ミラー313に反射され、ビームスプリッタ914に入射してもよい。λ/4波長板912を通過したプリパルスレーザ光P2は、ビームスプリッタ914に入射してもよい。ビームスプリッタ914は、プリパルスレーザ光P1及びP2の光路を、略一致させてもよい。
本実施形態は、高反射ミラー51A〜51Dで規定される伝送経路上において、円偏光のプリパルスレーザ光P1及びP2を伝送するため、伝送経路におけるプリパルスレーザ光P1及びP2の偏光状態の変化を抑制し得る。
<構成例1>
図7Aは、第1ビーム調節装置81の構成例を示している。図7B〜図7Dは、第1ビーム調節装置81の動作を示している。第2ビーム調節装置82も、同様の構成を有してよい。
図8は、第1ビーム調節装置81の他の構成例を示している。第2ビーム調節装置82も、同様の構成を有してよい。第1ビーム調節装置81は、軸外放物面凸面ミラー851、軸外放物面凹面ミラー852、平面ミラー853、平面ミラー854、ミラー固定プレート855、及び不図示の駆動機構、を含んでもよい。
<構成例1>
図9Aは、ビームモニタ66の構成例を示している。図9B、図9Cは、ビームモニタ66の検出原理を説明するための図を示している。ビームモニタ66は、ビームスプリッタ661によってサンプル光を分岐させ、ビームスプリッタ661を透過した光及び反射した光に異なる光路長を持たせて、それぞれのビームプロファイルを検出してもよい。
以下、A=θ/2とする。
A=tan−1{(Da2−Da1)/2L}
ここで、Lは、サンプル光の光路に沿った位置A1と位置A2との間の距離でもよい。
X=2sinA/(Da1)
コントローラ58は、レーザ光の位置を、2次元イメージセンサ上に結像された像の重心位置と決定してもよい。
図10は、ビームモニタ66の他の構成例を示している。以下において、主に図9に示している構成例との差異を説明する。ビームモニタ66は、転写光学系665に代えて、集光光学系667を含んでもよい。ビームスプリッタ661は、サンプル光の一部を転写光学系662に向けて透過させ、他の一部を高反射ミラー664及び集光光学系667に向けて反射してもよい。
θ=Sd/F
X=2sinA/D
Claims (6)
- 極端紫外光チャンバに供給されるターゲットに照射される第1プリパルスレーザ光を出力する第1プリパルスレーザ装置と、
前記第1プリパルスレーザ光と異なるタイミングで前記ターゲットに照射される第2プリパルスレーザ光を出力する第2プリパルスレーザ装置と、
前記第1プリパルスレーザ光と前記第2プリパルスレーザ光のいずれとも異なるタイミングで前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザ装置と、を含むレーザ装置と、
前記レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を前記極端紫外光チャンバに伝送する伝送システムと、を含み、
前記伝送システムは、
前記第1プリパルスレーザ光の光路と前記第2プリパルスレーザ光の光路とを略一致させる、光路調節装置と、
前記光路調節装置によって略一致させられた前記第1プリパルスレーザ光と前記第2プリパルスレーザ光の光路を、前記第1プリパルスレーザ光の光路と、前記第2プリパルスレーザ光の光路とに分離する、光路分離装置と、
前記光路分離装置により分離された前記第1プリパルスレーザ光の光路上に配置され、前記第1プリパルスレーザ光のビームパラメータを調節する、第1ビーム調節装置と、
前記光路分離装置により分離された前記第2プリパルスレーザ光の光路上に配置され、前記第2プリパルスレーザ光のビームパラメータを調節する、第2ビーム調節装置と、を含むレーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記第1プリパルスレーザ光と前記第2プリパルスレーザ光とは、同波長を有し、異なるパルス幅を有する、レーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記光路調節装置によって略一致させられた前記第1プリパルスレーザ光と前記第2プリパルスレーザ光の光路において、前記第1プリパルスレーザ光と前記第2プリパルスレーザ光とは異なる直線偏光状態を有し、
前記光路分離装置は、第1偏光ビームスプリッタで構成されている、レーザシステム。 - 請求項3に記載のレーザシステムであって、
前記光路調節装置によって略一致させられた前記第1プリパルスレーザ光と前記第2プリパルスレーザ光の光路上において、前記光路分離装置の上流側にλ/2波長板が配置されている、レーザシステム。 - 請求項3に記載のレーザシステムであって、
前記光路分離装置により分離された前記第1プリパルスレーザ光の光路上において、前記第1偏光ビームスプリッタの上流側及び下流側の少なくとも一方に、第2偏光ビームスプリッタが配置されている、レーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記第1ビーム調節装置により調節された前記第1プリパルスレーザ光及び前記第2ビーム調節装置により調節された前記第2プリパルスレーザ光をモニタする、ビームモニタと、
前記ビームモニタのモニタ結果に基づいて、前記第1ビーム調節装置及び前記第2ビーム調節装置を制御する、コントローラと、をさらに含む、レーザシステム。
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