JP6513025B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

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Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許第７０８７９１４号 米国特許第７１６４１４４号
概要
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から前記プラズマ生成領域に進行する前記ドロップレットを検出するドロップレット検出器と、前記プラズマ生成領域を含む前記チャンバ内の撮像領域の画像を撮像する撮像部と、前記ドロップレット検出器が前記ドロップレットを検出する検出タイミングに基づいて、前記撮像部が前記撮像領域を撮像する撮像タイミングを制御する制御部と、を備えてもよい。
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバ内のプラズマ生成領域にドロップレットとして出力されたターゲットにレーザ光を照射することで該ターゲットをプラズマ化してプラズマ光を放射させ極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、前記プラズマ生成領域における前記ドロップレットの画像及び前記プラズマ光の画像を同一の撮像部に撮像させ、撮像された前記ドロップレットの画像及び前記プラズマ光の画像に基づいて前記ドロップレットの位置及び前記プラズマ光の位置を制御する制御部を備えてもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、画像計測器を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３は、ＥＵＶ光生成装置が備える画像計測システムの構成を示す。 図４は、画像計測器を含むＥＵＶ光生成装置の動作の概要を説明するためのフローチャートを示す。 図５は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測システムの構成を示す。 図６は、図５に示した制御部におけるドロップレットの画像計測に係るタイムチャートを示す。 図７は、図５に示した制御部におけるプラズマ光の画像計測に係るタイムチャートを示す。 図８は、図５に示したシューティング制御部における画像計測処理を説明するためのフローチャートを示す。 図９は、図５に示したシューティング制御部におけるドロップレットの画像計測に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１０Ａは、図５に示したシューティング制御部におけるドロップレットのパラメータ計算に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１０Ｂは、図５に示した画像計測器の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。 図１１は、図５に示したシューティング制御部におけるプラズマ光の画像計測に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１２Ａは、図５に示したシューティング制御部におけるプラズマ光のパラメータ計算に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１２Ｂは、図５に示した画像計測器の撮像部で撮像されたプラズマ光の画像の例を示す。 図１３は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステムの構成を示す。 図１４は、図１３に示したシューティング制御部におけるシューティング制御処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１５Ａは、図１３に示したシューティング制御部におけるドロップレットの目標位置を計算する処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１５Ｂは、図１５Ａの処理を説明するための図を示す。 図１６は、図１３に示したシューティング制御部におけるドロップレットの目標位置及びパルスレーザ光の目標集光位置をセットする処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１７は、図１３に示したシューティング制御部におけるドロップレットの位置制御に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１８は、図１３に示したシューティング制御部におけるドロップレットの画像計測に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１９は、図１３に示したシューティング制御部におけるドロップレットの位置を計算する処理を説明するためのフローチャートを示す。 図２０は、図１３に示したシューティング制御部におけるパルスレーザ光の集光位置制御に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図２１は、図１３に示したシューティング制御部におけるプラズマ光の画像計測に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図２２は、図１３に示したシューティング制御部におけるプラズマ光の位置を計算する処理を説明するためのフローチャートを示す。 図２３Ａは、パルスレーザ光の集光位置及びドロップレットの位置と、プラズマ光の位置との関係を示す図であって、パルスレーザ光の集光位置とドロップレットの位置とが一致した場合を示す。 図２３Ｂは、パルスレーザ光の集光位置及びドロップレットの位置と、プラズマ光の位置との関係を示す図であって、パルスレーザ光の集光位置がドロップレットの位置から−Ｙ方向にずれた場合を示す。 図２３Ｃは、パルスレーザ光の集光位置及びドロップレットの位置と、プラズマ光の位置との関係を示す図であって、パルスレーザ光の集光位置がドロップレットの位置から＋Ｙ方向にずれた場合を示す。 図２４は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図２５は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステムの構成を示す。 図２６Ａは、メインパルスレーザ光又はプリパルスレーザ光の照射に伴ってドロップレットの形態が変化する様子を示す図であって、プリパルスレーザ光がドロップレットを照射する直前の様子を示す。 図２６Ｂは、メインパルスレーザ光又はプリパルスレーザ光の照射に伴ってドロップレットの形態が変化する様子を示す図であって、プリパルスレーザ光がドロップレットを照射した直後の様子を示す。 図２６Ｃは、メインパルスレーザ光又はプリパルスレーザ光の照射に伴ってドロップレットの形態が変化する様子を示す図であって、メインパルスレーザ光が２次ターゲットを照射する直前の様子を示す。 図２６Ｄは、メインパルスレーザ光又はプリパルスレーザ光の照射に伴ってドロップレットの形態が変化する様子を示す図であって、メインパルスレーザ光が２次ターゲットを照射した直後の様子を示す。 図２７は、図２５に示した制御部におけるドロップレットの画像計測に係るタイムチャートを示す。 図２８は、図２５に示した制御部における２次ターゲットの画像計測に係るタイムチャートを示す。 図２９は、図２５に示した制御部におけるプラズマ光の画像計測に係るタイムチャートを示す。 図３０は、図２５に示したシューティング制御部におけるシューティング制御処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３１Ａは、図２５に示したシューティング制御部におけるドロップレットの目標位置及び２次ターゲットの目標位置を計算する処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３１Ｂは、図３１Ａの処理を説明するための図を示す。 図３２は、図２５に示したシューティング制御部におけるドロップレットの目標位置及びプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の目標集光位置をセットする処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３３は、図２５に示したシューティング制御部におけるドロップレットの位置制御に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３４は、図２５に示したシューティング制御部におけるドロップレットの画像計測に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３５は、図２５に示したシューティング制御部における２次ターゲットの位置制御に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３６は、図２５に示したシューティング制御部における２次ターゲットの画像計測に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３７は、図２５に示したシューティング制御部における２次ターゲットの位置を計算する処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３８Ａは、プリパルスレーザ光の集光位置及びドロップレットの位置と、２次ターゲットの位置との関係を示す図であって、プリパルスレーザ光の集光位置とドロップレットの位置とが一致した場合を示す。 図３８Ｂは、プリパルスレーザ光の集光位置及びドロップレットの位置と、２次ターゲットの位置との関係を示す図であって、プリパルスレーザ光の集光位置がドロップレットの位置から−Ｙ方向にずれた場合を示す。 図３８Ｃは、プリパルスレーザ光の集光位置及びドロップレットの位置と、２次ターゲットの位置との関係を示す図であって、プリパルスレーザ光の集光位置がドロップレットの位置から＋Ｙ方向にずれた場合を示す。 図３９Ａは、図２５に示したシューティング制御部におけるメインパルスレーザ光の集光位置制御に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図３９Ｂは、図３９Ａに示した処理に続いて行われる処理を説明するためのフローチャートを示す。 図４０は、図２５に示したシューティング制御部におけるプラズマ光の画像計測に係る処理を説明するためのフローチャートを示す。 図４１Ａは、メインパルスレーザ光の集光位置及び２次ターゲットの位置と、プラズマ光の位置との関係を示す図であって、メインパルスレーザ光の集光位置と２次ターゲットの位置とが一致した場合を示す。 図４１Ｂは、メインパルスレーザ光の集光位置及び２次ターゲットの位置と、プラズマ光の位置との関係を示す図であって、メインパルスレーザ光の集光位置が２次ターゲットの位置から−Ｙ方向にずれた場合を示す。 図４１Ｃは、メインパルスレーザ光の集光位置及び２次ターゲットの位置と、プラズマ光の位置との関係を示す図であって、メインパルスレーザ光の集光位置が２次ターゲットの位置から＋Ｙ方向にずれた場合を示す。 図４２Ａは、第１プリパルスレーザ光と、当該第１プリパルスレーザ光の照射対象となるターゲットの形態との関係を説明するための図を示す。 図４２Ｂは、第２プリパルスレーザ光と、当該第２プリパルスレーザ光の照射対象となるターゲットの形態との関係を説明するための図を示す。 図４２Ｃは、メインパルスレーザ光と、当該メインパルスレーザ光の照射対象となるターゲットの形態との関係を説明するための図を示す。 図４２Ｄは、メインパルスレーザ光が照射された後のターゲットから放射されるプラズマ光を説明するための図を示す。 図４３は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステムの構成を示す。 図４４Ａは、第１プリパルスレーザ光が照射される直前のドロップレットの様子を示す図である。 図４４Ｂは、第１プリパルスレーザ光が照射された直後のドロップレットの様子を示す図である。 図４４Ｃは、第２プリパルスレーザ光が照射される直前の２次ターゲットの様子を示す図である。 図４４Ｄは、メインパルスレーザ光が照射される直前の３次ターゲットの様子を示す図である。 図４４Ｅは、メインパルスレーザ光が照射された直後の３次ターゲットから放射されるプラズマ光の様子を示す図である。 図４５は、図４３に示した制御部の画像計測に係るタイムチャートであって、第１プリパルスレーザ光が照射される直前のドロップレットの画像計測を行う場合のタイムチャートである。 図４６は、図４３に示した制御部の画像計測に係るタイムチャートであって、第２プリパルスレーザ光が照射される直前の２次ターゲットの画像計測を行う場合のタイムチャートである。 図４７は、図４３に示した制御部の画像計測に係るタイムチャートであって、メインパルスレーザ光が照射される直前の３次ターゲットの画像計測を行う場合のタイムチャートである。 図４８は、図４３に示した制御部の画像計測に係るタイムチャートであって、メインパルスレーザ光が照射された直後の３次ターゲットから放射されたプラズマ光の画像計測を行う場合のタイムチャートである。 図４９は、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器の構成を示す図である。 図５０Ａは、ドロップレットがプラズマ生成領域で適正な位置にある場合のラインセンサにおける計測結果を示す図である。 図５０Ｂは、ドロップレットがプラズマ生成領域で適正な位置にある場合のラインセンサにおける計測結果を示す図である。 図５１Ａは、ドロップレットがプラズマ生成領域で適正な位置からずれた場合のラインセンサにおける計測結果を示す図である。 図５１Ｂは、ドロップレットがプラズマ生成領域で適正な位置からずれた場合のラインセンサにおける計測結果を示す図である。 図５２は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。 図５３は、シャッタの構成を示す。
実施形態
〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．画像計測器を含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題
５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測システム
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステム
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステム
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用
８．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステム
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用
９．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器
９．１ 構成
９．２ 動作
９．３ 作用
１０．その他
１０．１ 各制御部のハードウェア環境
１０．２ シャッタの構成
１０．３ その他の変形例
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。
本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、内部のプラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７がプラズマ化されＥＵＶ光２５２が生成されるチャンバ２と、ターゲット２７をドロップレット２７１としてチャンバ２内に出力することでプラズマ生成領域２５にターゲット２７を供給するターゲット供給部２６と、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に進行するドロップレット２７１を検出するドロップレット検出器４１と、プラズマ生成領域２５を含むチャンバ２内の撮像領域２５ａの画像を撮像する撮像部４２２と、ドロップレット検出器４１がドロップレット２７１を検出する検出タイミングに基づいて、撮像部４２２が撮像領域２５ａを撮像する撮像タイミングを制御する制御部８と、を備えてもよい。
よって、本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１及びプラズマ光の状態を正確に計測し得る。
［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
「ドロップレットの状態」は、ターゲット供給部からチャンバ内へ出力されたドロップレットの形状や大きさや速度等の力学的状態である。
「ドロップレットのパラメータ」は、ドロップレットの状態を示す物理量である。特に、チャンバ内を進行するドロップレットの大きさや位置等である。
「プラズマ光」は、プラズマ化したドロップレットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
「プラズマ光の状態」は、プラズマ光の形状や大きさ等の力学的状態、又は、発光強度や発光強度分布や波長分布等の光学的状態である。
「プラズマ光のパラメータ」は、プラズマ光の状態を示す物理量である。特に、プラズマ光の大きさや位置等である。
［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
［４．画像計測器を含むＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成］
図２及び図３を用いて、画像計測器４２を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。
ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向であってもよい。
筒形状のチャンバ２の側面部には、チャンバ２外からチャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２ａが設けられてもよい。ターゲット供給路２ａは、筒形状に形成されてもよい。ターゲット供給路２ａの先端には、ターゲット供給孔２ｂが設けられてもよい。筒形状のターゲット供給路２ａの中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向と直交してもよい。チャンバ２が中空の球形状であれば、ターゲット供給路２ａは、チャンバ２の壁面部であってウインドウ２１及び接続部２９の設置されていない位置に設けられてもよい。
チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５及びプレート２３５と、３軸ステージ２２６とを備えてもよい。
プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、図１における貫通孔２４及びプラズマ生成領域２５を通る軸と同一方向であってもよい。
プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
プレート２３５の他方の面には、３軸ステージ２２６を介してプレート２２５が設けられてもよい。
プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３とホルダ２３１とを含んでもよい。
ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。
プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、３軸ステージ２２６によって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。
３軸ステージ２２６は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の３軸方向に、プレート２２５を動かしてもよい。
３軸ステージ２２６は、後述するシューティング制御部８１と接続されてもよい。３軸ステージ２２６は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてプレート２２５を動かしてもよい。それにより、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されてもよい。
プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。
レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３及びホルダ２２４とを含んでもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。
ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、シューティング制御部８１が３軸ステージ２２６を介してプレート２２５の位置及び姿勢を変更することに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２に入射したパルスレーザ光３２の反射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５で集光するように実行され得る。
ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。
また、チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１と、画像計測器４２と、制御部８とを備えてもよい。制御部８は、シューティング制御部８１と、遅延回路８２とを含んでもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられていてもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２と、ホルダ３４３及びホルダ３４４とを含んでもよい。
ホルダ３４３は、高反射ミラー３４１を保持してもよい。ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。
ホルダ３４３及びホルダ３４４は、ＥＵＶ光生成制御部５に接続された図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。
高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出射されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５によりホルダ３４３及びホルダ３４４の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２に入射したパルスレーザ光３１の反射光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行され得る。
ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６の制御部である露光装置制御部６１との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６の指令に基づいてＥＵＶ光生成システム１１全体の動作を統括的に制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａのそれぞれのアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１〜３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、シューティング制御部８１との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７、ドロップレット検出器４１、及び画像計測器４２の動作を制御してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図４２を用いて後述する。
ターゲット生成器７は、チャンバ２のターゲット供給路２ａの端部に設けられていてもよい。
ターゲット生成器７は、ターゲット供給部２６と、温度調節機構７１と、圧力調節機構７２と、ドロップレット形成機構７３と、２軸ステージ７４とを備えてもよい。
ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２とを含んでもよい。
タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク２６１の内部には、ターゲット２７が収容されてもよい。
ターゲット２７を収容するタンク２６１の少なくとも内部は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット２７と反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。
ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられていてもよい。ノズル２６２は、チャンバ２のターゲット供給孔２ｂを通してチャンバ２の内部に配置されてもよい。ターゲット供給孔２ｂは、ターゲット供給部２６が設置されることで塞がれ得る。それにより、チャンバ２の内部は大気と隔絶され得る。
ノズル２６２の少なくとも内面は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。
パイプ状のノズル２６２の一端は、中空のタンク２６１に固定されてもよい。パイプ状のノズル２６２の他端には、図３に示すように、ノズル孔２６２ａが設けられていてもよい。ノズル２６２の一端側にあるタンク２６１がチャンバ２の外部に位置し、ノズル２６２の他端側にあるノズル孔２６２ａがチャンバ２の内部に位置してもよい。ノズル２６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５が位置してもよい。タンク２６１、ノズル２６２、ターゲット供給路２ａ、及びチャンバ２は、その内部が互いに連通してもよい。
ノズル孔２６２ａは、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。
温度調節機構７１は、タンク２６１の温度を調節してもよい。
温度調節機構７１は、図３に示すように、ヒータ７１１と、ヒータ電源７１２と、を含んでもよい。
ヒータ７１１は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。タンク２６１に固定されたヒータ７１１は、タンク２６１を加熱してもよい。タンク２６１を加熱するヒータ７１１は、ヒータ電源７１２と接続されてもよい。
ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１に電力を供給してもよい。ヒータ７１１に電力を供給するヒータ電源７１２は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１への電力供給をシューティング制御部８１によって制御されてもよい。
筒形状のタンク２６１の外側側面部には、図示しない温度センサが固定されてもよい。タンク２６１に固定された温度センサは、シューティング制御部８１と接続されてもよい。温度センサは、タンク２６１の温度を検出し、検出信号をシューティング制御部８１に出力してもよい。シューティング制御部８１は、温度センサから出力された検出信号に基づいて、ヒータ７１１へ供給する電力を調節し得る。
上記構成によって温度調節機構７１は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてタンク２６１の温度を調節し得る。
圧力調節機構７２は、タンク２６１内の圧力を調節してもよい。
圧力調節機構７２は、図３に示すように、圧力調節器７２１と、配管７２２と、ガスボンベ７２３とを含んでもよい。
配管７２２は、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２の反対側と、圧力調節器７２１とを連結してもよい。配管７２２は、タンク２６１を含むターゲット供給部２６と圧力調節器７２１とを連通させ得る。
配管７２２は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管７２２には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管７２２内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と同じ温度に保たれてもよい。
ガスボンベ７２３は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されていてもよい。
ガスボンベ７２３は、圧力調節器７２１を介して、タンク２６１内に不活性ガスを給気してもよい。
圧力調節器７２１は、上述のように、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２とは反対側に配管７２２を介して設けられてもよい。
圧力調節器７２１は、給気及び排気用の電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器７２１は、圧力センサを用いてタンク２６１内の圧力を検出してもよい。
圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に連結されてもよい。圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に充填された不活性ガスを、タンク２６１内に給気してもよい。
圧力調節器７２１は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器７２１は、排気ポンプを動作させて、タンク２６１内のガスを排気してもよい。
圧力調節器７２１は、タンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気することによって、タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧し得る。
圧力調節器７２１は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。圧力調節器７２１は、検出した圧力の検出信号をシューティング制御部８１に出力してもよい。圧力調節器７２１は、シューティング制御部８１から出力された制御信号が入力されてもよい。
シューティング制御部８１から出力される制御信号は、圧力調節器７２１から出力された検出信号に基づいて、タンク２６１内の圧力が目標とする圧力になるよう圧力調節器７２１の動作を制御するための制御信号であってもよい。
圧力調節器７２１は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてタンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気してもよい。それにより、タンク２６１内の圧力は、目標とする圧力に調節され得る。
上記構成によって圧力調節機構７２は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいて、圧力調節器７２１にてタンク２６１内の圧力を調節し得る。
ドロップレット形成機構７３は、ノズル２６２からジェット状に噴出したターゲット２７の流れを周期的に分断し、ドロップレット２７１を形成してもよい。
ドロップレット形成機構７３は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット２７１を形成してもよい。コンティニュアスジェット方式では、ノズル２６２を振動させてジェット状に噴出したターゲット２７の流れに定在波を与え、当該ターゲット２７を周期的に分離してもよい。分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。
ドロップレット形成機構７３は、図３に示すように、ピエゾ素子７３１と、ピエゾ電源７３２とを含んでもよい。
ピエゾ素子７３１は、パイプ状のノズル２６２の外側側面部に固定されてもよい。ノズル２６２に固定されたピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与えてもよい。
ノズル２６２に振動を与えるピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２と接続されてもよい。
ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１に電力を供給するピエゾ電源７３２は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１への電力供給をシューティング制御部８１によって制御されてもよい。
上記構成によってドロップレット形成機構７３は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてドロップレット２７１を形成し得る。
２軸ステージ７４は、Ｘ方向及びＺ方向の２軸方向に、ターゲット供給部２６を動かしてもよい。
２軸ステージ７４は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。２軸ステージ７４には、シューティング制御部８１から出力された制御信号が入力されてもよい。
シューティング制御部８１から出力される制御信号は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が目標とする位置に到達するようターゲット供給部２６の位置を調整するための制御信号であってもよい。
２軸ステージ７４は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてターゲット供給部２６を動かしてもよい。それにより、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１のＸ方向及びＺ方向における位置は、ドロップレット２７１が目標とする位置に到達するように調整され得る。
ドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を検出してもよい。
ドロップレット検出器４１は、図２に示すように、ターゲット供給路２ａの側面部の所定位置に設けられてもよい。ドロップレット検出器４１は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間に位置し得る。
ドロップレット検出器４１は、図３に示すように、光源部４１１と、受光部４１２とを備えてもよい。
光源部４１１と受光部４１２とは、チャンバ２内に出力されたターゲット２７の進行経路であるターゲット進行経路２７２を挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部４１１と受光部４１２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２と直交してもよい。
なお、図２では、光源部４１１と受光部４１２との対向方向がＸ方向に直交する方向であるように便宜的に記載されているが、図２の記載は、光源部４１１と受光部４１２との対向方向を特定するための記載ではない。光源部４１１と受光部４１２との対向方向は、図３に示すようにＸ方向であってもよい。
光源部４１１は、ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１に連続光を照射してもよい。ドロップレット２７１に照射される連続光は、連続レーザ光であってもよい。
光源部４１１は、光源４１１ａと、照明光学系４１１ｂと、ウインドウ４１１ｃとを含んでもよい。
光源４１１ａは、例えば、ＣＷ（Continuous Wave）レーザ発振器等の連続レーザ光を出射する光源であってもよい。連続レーザ光のビーム径は、ドロップレット２７１の直径（例えば２０μｍ）よりも十分に大きくてもよい。
照明光学系４１１ｂは、レンズ等の光学素子であってもよい。このレンズは、シリンドリカルレンズであってもよい。照明光学系４１１ｂは、光源４１１ａから出射された連続レーザ光を、ウインドウ４１１ｃを介してターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐに集光してもよい。
上記構成によって光源部４１１は、連続レーザ光をターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐに向かって出射し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過すると、光源部４１１から出射された連続レーザ光が当該ドロップレット２７１を照射し得る。
受光部４１２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光を受光し、連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
受光部４１２は、光センサ４１２ａと、受光光学系４１２ｂと、ウインドウ４１２ｃとを含んでもよい。
受光光学系４１２ｂは、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。受光光学系４１２ｂは、光源部４１１から出射された連続レーザ光を、ウインドウ４１２ｃを介して光センサ４１２ａに導いてもよい。
光センサ４１２ａは、フォトダイオードを含む受光素子であってもよい。光センサ４１２ａは、受光光学系４１２ｂによって導かれた連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
光センサ４１２ａは、シューティング制御部８１と接続されてもよい。光センサ４１２ａは、検出した光強度の検出信号をシューティング制御部８１に出力してもよい。
上記構成によって受光部４１２は、光源部４１１から出射された連続レーザ光の光強度を検出してシューティング制御部８１に出力し得る。ドロップレット２７１がターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐを通過すると、ドロップレット２７１により遮蔽された連続レーザ光の受光部４１２における光強度は低下し得る。受光部４１２は、ドロップレット２７１の通過による光強度の低下に応じた信号をシューティング制御部８１に出力し得る。
なお、ドロップレット２７１による光強度の低下に応じた信号を、「ドロップレット検出信号」ともいう。
上記構成によってドロップレット検出器４１は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に進行するドロップレット２７１を検出し、ドロップレット検出信号をシューティング制御部８１に出力し得る。それにより、シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に進行するドロップレット２７１が検出されたタイミングを検知し得る。特に、ドロップレット２７１がターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐを通過したタイミングを検知し得る。
なお、ドロップレット検出器４１がドロップレット２７１を検出したタイミングを「検出タイミング」ともいう。検出タイミングは、ドロップレット検出器４１がドロップレット検出信号をシューティング制御部８１に出力したタイミングであり得る。
画像計測器４２は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５及びその付近を撮像し、その画像データを生成してもよい。
画像計測器４２は、プラズマ生成領域２５付近のチャンバ２の壁面部に設けられてもよい。
画像計測器４２は、光源部４２１と、撮像部４２２とを備えてもよい。
光源部４２１と撮像部４２２とは、ターゲット進行経路２７２上のプラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部４２１と撮像部４２２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２と直交してもよい。
なお、図２では、光源部４２１と撮像部４２２との対向方向がＸ方向に直交する方向であるように便宜的に記載されているが、図２の記載は、光源部４２１と撮像部４２２との対向方向を特定するための記載ではない。光源部４２１と撮像部４２２との対向方向は、図３に示すようにＸ方向であってもよい。
光源部４２１は、ターゲット進行経路２７２を進行してプラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１にパルス光を照射してもよい。
光源部４２１は、光源４２１ａと、照明光学系４２１ｂと、ウインドウ４２１ｃとを含んでもよい。
光源４２１ａは、例えば、キセノンフラッシュランプやレーザ光源等のパルス点灯する光源であってもよい。
光源４２１ａは、シューティング制御部８１と接続されてもよい。光源４２１ａには、シューティング制御部８１から出力された「点灯信号」が入力されてもよい。
シューティング制御部８１から出力される点灯信号は、所定のタイミングで光源４２１ａがパルス点灯するよう光源４２１ａの動作を制御するための制御信号であってもよい。
光源４２１ａは、シューティング制御部８１の点灯信号に基づいてパルス光を発光してもよい。
照明光学系４２１ｂは、コリメータ等の光学系であってよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。照明光学系４２１ｂは、光源４２１ａから発光されたパルス光を、ウインドウ４２１ｃを介してターゲット進行経路２７２上のプラズマ生成領域２５に導いてもよい。
上記構成によって光源部４２１は、パルス光をターゲット進行経路２７２上のプラズマ生成領域２５に向かって発光し得る。ターゲット進行経路２７２を進行するドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、光源部４２１から発光されたパルス光が当該ドロップレット２７１を照射し得る。
撮像部４２２は、光源部４２１によってパルス光が照射されたドロップレット２７１の影を撮像してもよい。
撮像部４２２は、イメージセンサ４２２ａと、転写光学系４２２ｂと、ウインドウ４２２ｃとを含んでもよい。
転写光学系４２２ｂは、一対のレンズ等の光学素子であってもよい。このレンズは、シリンドリカルレンズであってもよい。転写光学系４２２ｂは、ウインドウ４２２ｃを介して導かれたドロップレット２７１のプラズマ生成領域２５における影を、イメージセンサ４２２ａの受光面に結像してもよい。
イメージセンサ４２２ａは、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）等の２次元イメージセンサであってもよい。イメージセンサ４２２ａは、転写光学系４２２ｂによって結像されたドロップレット２７１の影の像を、撮像してもよい。
イメージセンサ４２２ａは、図示しないシャッタを備えていてもよい。シャッタは、電気的シャッタであっても機械的シャッタであってもよい。イメージセンサ４２２ａは、図示しないシャッタが開いている間のみ撮像するようにしてもよい。
イメージセンサ４２２ａは、シューティング制御部８１と接続されてもよい。イメージセンサ４２２ａには、シューティング制御部８１から出力された「撮像信号」が入力されてもよい。
シューティング制御部８１から出力される撮像信号は、所定のタイミングでイメージセンサ４２２ａがドロップレット２７１の影の像を撮像するようイメージセンサ４２２ａの動作を制御するための制御信号であってもよい。
イメージセンサ４２２ａは、シューティング制御部８１の撮像信号に基づいてドロップレット２７１の影の像を撮像してもよい。そして、イメージセンサ４２２ａは、撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像データを生成してもよい。
イメージセンサ４２２ａは、生成した画像データをシューティング制御部８１に出力してもよい。
上記構成によって撮像部４２２は、光源部４２１によってパルス光が照射されたドロップレット２７１の影の像を撮像し、その画像データをシューティング制御部８１に出力し得る。
上記構成によって画像計測器４２は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１の画像データをシューティング制御部８１に出力し得る。それにより、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１の画像データを取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データから当該ドロップレット２７１の状態を計測し得る。
シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいて、ターゲット生成器７、ドロップレット検出器４１、及び画像計測器４２の動作を統括的に制御してもよい。
シューティング制御部８１は、ヒータ電源７１２に制御信号を出力して、ヒータ電源７１２を含む温度調節機構７１の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、圧力調節器７２１に制御信号を出力して、圧力調節器７２１を含む圧力調節機構７２の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、ピエゾ電源７３２に制御信号を出力して、ピエゾ電源７３２を含むドロップレット形成機構７３の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、２軸ステージ７４に制御信号を出力して、２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、光源４２１ａに点灯信号を出力して、光源４２１ａを含む光源部４２１の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、イメージセンサ４２２ａに撮像信号を出力して、イメージセンサ４２２ａを含む撮像部４２２の動作を制御してもよい。
また、シューティング制御部８１は、遅延回路８２を介してレーザ装置３と接続されてもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット検出器４１から出力されたドロップレット検出信号をそのまま遅延回路８２に出力してもよい。
遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が出力されてから「遅延時間Ｔｄｌ」だけ遅延したタイミングで「トリガ信号」をレーザ装置３に出力してもよい。
遅延回路８２から出力されるトリガ信号は、レーザ装置３がレーザ発振を行ってパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。
遅延時間Ｔｄｌは、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに同期させるための遅延時間であってもよい。それにより、ターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐを通過したドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、当該ドロップレット２７１にパルスレーザ光３３が照射され得る。
シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｌを遅延回路８２に設定してもよい。
プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３がドロップレット２７１に照射されるタイミングを「照射タイミング」ともいう。
遅延回路８２がトリガ信号をレーザ装置３に出力してから、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるまでに必要な時間を、「時間α」とする。
パルスレーザ光３３の照射タイミングは、ドロップレット検出信号が出力されてから「遅延時間Ｔｄｌ＋時間α」だけ経過したタイミングであり得る。
シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｌを遅延回路８２に設定することで、パルスレーザ光３３の照射タイミングをドロップレットの検出タイミングに基づいて制御し得る。
なお、シューティング制御部８１のハードウェア構成については、図４２を用いて後述する。
［４．２ 動作］
図４を用いて、画像計測器４２を含むＥＵＶ光生成装置１の動作の概要について説明する。
ステップＳ１において、シューティング制御部８１は、ターゲット生成器７、ドロップレット検出器４１、画像計測器４２の初期設定を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、これらの各機器を起動し、各機器の動作チェックを行ってもよい。そして、シューティング制御部８１は、各機器を初期化して初期設定値を設定してもよい。
特に、シューティング制御部８１は、タンク２６１内の圧力が真空状態に近い圧力値となるように、圧力調節器７２１の初期圧力設定値を設定してもよい。真空状態に近い圧力値は、例えば、１ｈＰａ程度であってもよい。
タンク２６１内のターゲット２７と反応しやすいガスは、ターゲット２７が溶融する前に排気され得る。この際、ガスボンベ７２３から不活性ガスをタンク２６１内に数回給気して、タンク２６１内のパージ動作を行うようにしてもよい。
更に、シューティング制御部８１は、ターゲット２７の温度がターゲット２７の融点以上の値となるように、ヒータ７１１の初期温度設定値を設定してもよい。ターゲット２７がスズであれば、ヒータ７１１の初期温度設定値は、例えば２３２℃以上３００℃未満の温度であってもよい。或いは、ヒータ７１１の初期温度設定値は、３００℃以上の温度であってもよい。
ステップＳ２において、シューティング制御部８１は、ヒータ電源７１２を介してヒータ７１１による加熱を制御してもよい。タンク２６１に収容されたターゲット２７は、その融点以上に加熱され得る。加熱されたターゲット２７は、溶融し得る。
シューティング制御部８１は、ターゲット２７の温度がターゲット２７の融点以上の所定範囲内で維持されるように、温度設定値を適宜修正してもよい。シューティング制御部８１は、温度設定値の修正に応じてヒータ７１１への電力供給を制御してもよい。
ステップＳ３において、シューティング制御部８１は、ピエゾ電源７３２を介してピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。
ピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与え得る。
なお、シューティング制御部８１は、ピエゾ素子７３１へ所定波形の電力が供給されるようにピエゾ電源７３２の動作を制御してもよい。
この所定波形は、ドロップレット２７１が所定の生成周波数で生成されるような波形であってもよい。所定の生成周波数は、例えば５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであってもよい。
ステップＳ４において、シューティング制御部８１は、タンク２６１内の圧力がターゲット供給可能な圧力となる圧力設定値を圧力調節器７２１に設定してもよい。圧力調節器７２１は、設定された圧力設定値となるようにタンク２６１内の圧力を制御してもよい。
ターゲット供給可能な圧力は、溶融状態のターゲット２７が一定量でノズル孔２６２ａから噴出すると共に、プラズマ生成領域２５に所定速度で到達するような圧力であってもよい。
タンク２６１に収容され溶融状態のターゲット２７は加圧され得る。加圧されたターゲット２７は、タンク２６１からノズル２６２に向かって流れ、ノズル孔２６２ａから一定量で噴出され得る。一定量で噴出されたターゲット２７は、ピエゾ素子７３１から一定周期で振動が与えられ、一定周期で均一なドロップレット２７１が形成され得る。形成されたドロップレット２７１は、チャンバ２内に出力され得る。
なお、ターゲット供給部２６からチャンバ２内にドロップレット２７１が出力される周期を、ドロップレット２７１の「生成周期」ともいう。
ステップＳ５において、シューティング制御部８１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を検知してもよい。
ドロップレット検出器４１は、ドロップレット検出信号をシューティング制御部８１に出力する。ドロップレット２７１が所定の生成周期で出力される場合、ドロップレット検出信号は、当該所定の生成周期と同一周期でシューティング制御部８１に出力され得る。
シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号が入力されることによって、ドロップレット２７１を検知し得る。具体的には、シューティング制御部８１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１がターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐを通過したことを検知し得る。
ステップＳ６において、シューティング制御部８１は、遅延時間を設定してもよい。
シューティング制御部８１は、入力されたドロップレット検出信号を遅延回路８２に出力して遅延時間Ｔｄｌを設定してもよい。
遅延回路８２は、入力されたドロップレット検出信号から遅延時間Ｔｄｌだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。レーザ装置３は、レーザ発振を行い、パルスレーザ光３１を出力してもよい。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、パルスレーザ光３２としてチャンバ２内に導入され得る。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａにて集光され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれ得る。
ステップＳ７において、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１の画像を撮像してもよい。
チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１は、ターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐを通過した後、プラズマ生成領域２５に到達し得る。
シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の画像を撮像してもよい。
ステップＳ８において、シューティング制御部８１は、プラズマ光の画像を撮像してもよい。
ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングとパルスレーザ光３３の照射タイミングとが同期すると、ドロップレット２７１にパルスレーザ光３３が照射される。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７１はプラズマ化し得る。プラズマ化したドロップレット２７１は、ＥＵＶ光２５１を含むプラズマ光を放射し得る。
シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１が放射したプラズマ光の画像を撮像してもよい。
［４．３ 課題］
ＥＵＶ光生成装置１は、複数のドロップレット２７１をチャンバ２内に出力し得る。この複数のドロップレット２７１は、プラズマ生成領域２５においてそれぞれ一定の状態を保っていることが望ましい。更に、プラズマ化したドロップレット２７１から放射されるプラズマ光も、プラズマ生成領域２５において一定の状態を保って放射されることが望ましい。
よって、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１やプラズマ光の状態を正確に計測して、これらが一定の状態を保っているかを正確に把握し得る技術が望まれている。
高い繰り返し周波数でＥＵＶ光２５２を出力するＥＵＶ光生成装置１では、高い光強度のプラズマ光が、非常に短い周期で繰り返し放射され得る。ドロップレット２７１の生成周期は、例えば１０μｓ程度と非常に短くてもよい。ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達する毎にパルスレーザ光３３を照射させると、プラズマ光が放射される周期は、例えば１０μｓ程度と非常に短くなり得る。
このため、ドロップレット２７１のプラズマ生成領域２５への到達タイミング、撮像部４２２の撮像タイミング、及びパルスレーザ光３３の照射タイミングに係るタイミング制御を高精度で行い得る技術が望まれている。
特に、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中にプラズマ光の画像を撮像する場合、スミア（smear）やブルーミング（blooming）等の現象が発生し得る。
スミアは、イメージセンサ４２２ａを構成するＣＣＤにおいて、高い光強度のプラズマ光によって発生した不要な飽和電荷が、ＣＣＤの電荷転送過程に混入してしまう現象である。ブルーミングは、高い光強度のプラズマ光によって発生した不要な飽和電荷が、正規の画素から溢れ出し隣接する画素へ漏れ込んでしまう現象である。
これらの現象が発生すると、不要な飽和電荷がノイズとして画像に現れ、プラズマ光の状態を正確に計測することが困難であり得る。
よって、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１やプラズマ光を計測するためには、上記タイミング制御を高精度で行い得る技術が望まれている。
また、プラズマ光の画像を撮像して画像計測を行う画像計測器を、ドロップレット２７１の画像を撮像して画像計測を行う画像計測器とは別に設けることは、ＥＵＶ光生成装置１が複雑化すると共にコスト増となり得る。
よって、ＥＵＶ光生成装置１の稼働中、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１及びプラズマ光の状態を一つの計測器で画像計測を行い得る技術が望まれている。
［５．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測システム］
［５．１ 構成］
図５を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測システムの構成について説明する。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測システムは、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１と、画像計測器４２と、制御部８と、を備えてもよい。制御部８は、シューティング制御部８１と、遅延回路８２と、画像計測制御回路８３とを含んでもよい。
図５に示す画像計測システムの構成において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の構成については説明を省略する。
図５に示すターゲット生成器７及びドロップレット検出器４１の構成は、図２及び図３に示したターゲット生成器７及びドロップレット検出器４１の構成と同一であってもよい。
図５に示す画像計測器４２は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１の画像計測を行ってもよい。画像計測器４２は、プラズマ生成領域２５で放射されたプラズマ光の画像計測を行ってもよい。
画像計測器４２は、光源部４２１と、撮像部４２２とを備えてもよい。
光源部４２１と撮像部４２２とは、ターゲット進行経路２７２上のプラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部４２１と撮像部４２２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２と直交してもよい。
光源部４２１は、光源４２１ａと、照明光学系４２１ｂと、ウインドウ４２１ｃとを含んでもよい。
光源４２１ａは、画像計測制御回路８３を介してシューティング制御部８１と接続されてもよい。光源４２１ａには、画像計測制御回路８３から出力された点灯信号が入力されてもよい。
画像計測制御回路８３から出力される点灯信号は、所定のタイミングで光源４２１ａがパルス点灯するよう光源４２１ａの動作を制御するための制御信号であってもよい。
光源４２１ａは、画像計測制御回路８３から出力された点灯信号に基づいてパルス光を発光してもよい。
光源４２１ａのその他の構成は、図３に示した光源４２１ａの構成と同一であってもよい。
また、照明光学系４２１ｂ及びウインドウ４２１ｃの構成は、図３に示した照明光学系４２１ｂ及びウインドウ４２１ｃの構成と同一であってもよい。
撮像部４２２は、撮像領域２５ａの画像を撮像してもよい。
撮像領域２５ａは、プラズマ生成領域２５を含むチャンバ２内の所定の領域であってもよい。撮像領域２５ａの中心は、ターゲット進行経路２７２上に位置してもよい。
撮像領域２５ａの大きさは、プラズマ生成領域２５、ドロップレット２７１、及びプラズマ光の大きさよりも十分に大きくてもよい。
プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１は、撮像領域２５ａ内に含まれ得る。プラズマ生成領域２５で放射されたプラズマ光は、撮像領域２５ａ内に含まれ得る。
すなわち、撮像部４２２は、プラズマ生成領域２５でドロップレット２７１及びプラズマ光を撮像してもよい。
撮像部４２２は、イメージセンサ４２２ａと、転写光学系４２２ｂと、ウインドウ４２２ｃと、シャッタ４２２ｄとを含んでもよい。
イメージセンサ４２２ａは、ＣＣＤやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の２次元イメージセンサであってもよい。
イメージセンサ４２２ａは、画像計測制御回路８３を介してシューティング制御部８１と接続されてもよい。イメージセンサ４２２ａには、画像計測制御回路８３から出力された「イメージセンサ露光信号」が入力されてもよい。
画像計測制御回路８３から出力されるイメージセンサ露光信号は、イメージセンサ４２２ａの受光面を露光させるようイメージセンサ４２２ａの動作を制御するための制御信号であってもよい。
イメージセンサ４２２ａは、イメージセンサ露光信号の入力が開始すると露光を開始し、イメージセンサ露光信号の入力が終了すると露光を終了してもよい。露光を終了したイメージセンサ４２２ａは、撮像した画像に係る画像データを生成し、シューティング制御部８１に出力してもよい。
なお、イメージセンサ４２２ａが、露光を開始してから終了するまでの時間を「露光時間Ｔｒ」ともいう。
イメージセンサ４２２ａのその他の構成は、図３に示したイメージセンサ４２２ａの構成と同一であってもよい。
また、転写光学系４２２ｂ及びウインドウ４２２ｃの構成は、図３に示した転写光学系４２２ｂ及びウインドウ４２２ｃの構成と同一であってもよい。
シャッタ４２２ｄは、イメージセンサ４２２ａの受光面に設けられてもよい。
シャッタ４２２ｄは、例えば、マイクロチャネルプレートを利用したイメージインテンシファイアであってもよい。
なお、シャッタ４２２ｄの具体的な構成の詳細については、図４３を用いて後述する。
シャッタ４２２ｄは、画像計測制御回路８３を介してシューティング制御部８１と接続されてもよい。シャッタ４２２ｄには、画像計測制御回路８３から出力された「シャッタ開信号」が入力されてもよい。
画像計測制御回路８３から出力されるシャッタ開信号は、シャッタ４２２ｄの開閉動作を制御するための制御信号であってもよい。
シャッタ４２２ｄは、シャッタ開信号の入力が開始すると開き、シャッタ開信号の入力が終了すると閉じてもよい。イメージセンサ４２２ａは、シャッタ４２２ｄが開いてから閉じるまでの間に、転写光学系４２２ｂによって結像された画像を撮像し得る。
なお、シャッタ４２２ｄが開いてから閉じるまでの時間を「シャッタ開時間Ｔｅｘ」ともいう。
図５に示す画像計測制御回路８３は、画像計測器４２の動作タイミングを制御する回路であってもよい。
画像計測制御回路８３は、シューティング制御部８１と画像計測器４２との間に設けられてもよい。
画像計測制御回路８３は、ＡＮＤ回路８３１と、ＡＮＤ回路８３２と、遅延回路８３３と、遅延回路８３４と、ワンショット回路８３５と、ワンショット回路８３６とを含んでもよい。
ＡＮＤ回路８３１の入力側は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。ＡＮＤ回路８３１の出力側は、遅延回路８３３及び遅延回路８３４と接続されてもよい。
ＡＮＤ回路８３１には、シューティング制御部８１から出力されたドロップレット検出信号と、「画像計測信号」とが入力されてもよい。
シューティング制御部８１から出力されるドロップレット検出信号は、ドロップレット検出器４１から出力されたドロップレット検出信号が、シューティング制御部８１を介してＡＮＤ回路８３１にそのまま入力された信号であってもよい。ドロップレット検出信号は、ドロップレット２７１の生成周期と同一周期でＡＮＤ回路８３１に入力され得る。
シューティング制御部８１から出力される画像計測信号は、画像計測器４２で画像計測を実行することを許可するための制御信号であってもよい。画像計測信号は、ドロップレット検出信号のパルス幅より長く、ドロップレット２７１の生成周期よりも短いパルス幅を有する信号であってもよい。
ＡＮＤ回路８３１は、画像計測信号が入力されている際に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４を作動させるためのイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、シューティング制御部８１の設定に基づいて、入力信号に与える遅延時間を変更し得る遅延回路であってもよい。
遅延回路８３３の入力側は、ＡＮＤ回路８３１と接続されてもよい。遅延回路８３３の出力側は、ワンショット回路８３５と接続されてもよい。また、遅延回路８３３の遅延時間設定用の入力側は、図示していないが、シューティング制御部８１と接続されてもよい。
遅延回路８３３には、ＡＮＤ回路８３１から出力されたイネーブル信号が入力されてもよい。
遅延回路８３３は、入力されたイネーブル信号から「遅延時間Ｔｄｓ」だけ遅延したタイミングで、ワンショット回路８３５を作動させるためのイネーブル信号を出力してもよい。
遅延時間Ｔｄｓは、画像計測器４２が画像計測を開始するタイミングを規定するための遅延時間であってもよい。具体的には、遅延時間Ｔｄｓは、画像計測制御回路８３が光源部４２１の光源４２１ａに点灯信号を出力するタイミングを規定するための遅延時間であってもよい。更に、遅延時間Ｔｄｓは、画像計測制御回路８３が撮像部４２２のシャッタ４２２ｄにシャッタ開信号を出力するタイミングを規定するための遅延時間であってもよい。
遅延回路８３４は、シューティング制御部８１の設定に基づいて、入力信号に与える遅延時間を変更し得る遅延回路であってもよい。
遅延回路８３４の入力側は、ＡＮＤ回路８３１と接続されてもよい。遅延回路８３４の出力側は、ワンショット回路８３６と接続されてもよい。また、遅延回路８３４の遅延時間設定用の入力側は、図示していないが、シューティング制御部８１と接続されてもよい。
遅延回路８３４には、ＡＮＤ回路８３１から出力されたイネーブル信号が入力されてもよい。
遅延回路８３４は、入力されたイネーブル信号から「遅延時間Ｔｄｉ」だけ遅延したタイミングで、ワンショット回路８３６を作動させるためのイネーブル信号を出力してもよい。
遅延時間Ｔｄｉは、撮像部４２２のイメージセンサ４２２ａにイメージセンサ露光信号を出力するタイミングを規定するための遅延時間であってもよい。遅延時間Ｔｄｉは、遅延時間Ｔｄｓ以下の長さであってもよい。
ワンショット回路８３５は、シューティング制御部８１の設定に基づいて、出力信号のパルス幅を変更し得るワンショット回路であってもよい。シューティング制御部８１からワンショット回路８３５に設定されるパルス幅は、上述したシャッタ開時間Ｔｅｘであってもよい。
ワンショット回路８３５の入力側は、遅延回路８３３と接続されてもよい。ワンショット回路８３５の出力側は、撮像部４２２のシャッタ４２２ｄ及びＡＮＤ回路８３２と接続されてもよい。また、ワンショット回路８３５の入力側であって出力信号のパルス幅設定用の入力側は、図示していないが、シューティング制御部８１と接続されてもよい。
ワンショット回路８３５には、遅延回路８３３から出力されたイネーブル信号が入力されてもよい。ワンショット回路８３５は、入力されたイネーブル信号をトリガとして、シャッタ開時間Ｔｅｘのパルス幅を有する出力信号を出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号によって、シャッタ４２２ｄの開時間の長さ及び光源４２１ａの点灯時間の長さが規定され得る。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄに入力される信号は、上述したシャッタ開信号として機能し得る。
ワンショット回路８３６は、シューティング制御部８１の設定に基づいて、出力信号のパルス幅を変更し得るワンショット回路であってもよい。シューティング制御部８１からワンショット回路８３６に設定されるパルス幅は、上述した露光時間Ｔｒであってもよい。
ワンショット回路８３６の入力側は、遅延回路８３４と接続されてもよい。ワンショット回路８３６の出力側は、撮像部４２２のイメージセンサ４２２ａと接続されてもよい。また、ワンショット回路８３６の入力側であって出力信号のパルス幅設定用の入力側は、図示していないが、シューティング制御部８１と接続されてもよい。
ワンショット回路８３６には、遅延回路８３４から出力されたイネーブル信号が入力されてもよい。ワンショット回路８３６は、入力されたイネーブル信号をトリガとして、露光時間Ｔｒのパルス幅を有する出力信号を出力してもよい。
ワンショット回路８３６の出力信号によって、イメージセンサ４２２ａの露光時間Ｔｒの長さが規定され得る。
ワンショット回路８３６の出力信号は、イメージセンサ４２２ａに入力され、上述したイメージセンサ露光信号として機能し得る。
ＡＮＤ回路８３２の入力側は、シューティング制御部８１及びワンショット回路８３５と接続されてもよい。ＡＮＤ回路８３２の出力側は、光源部４２１の光源４２１ａと接続されてもよい。
ＡＮＤ回路８３２には、シューティング制御部８１から出力された「ゲート信号」と、ワンショット回路８３５の出力信号とが入力されてもよい。
シューティング制御部８１から出力されるゲート信号は、光源４２１ａを点灯するか否かを決定するための信号であってもよい。
ＡＮＤ回路８３２は、ゲート信号が入力されている際に、ワンショット回路８３５の出力信号が入力されると、ワンショット回路８３５の出力信号のパルス幅と同幅の点灯信号を光源４２１ａに出力してもよい。
なお、シューティング制御部８１がＡＮＤ回路８３２にゲート信号を出力することを「ゲート信号をＯＮにする」ともいう。シューティング制御部８１がＡＮＤ回路８３２にゲート信号を出力しないことを「ゲート信号をＯＦＦにする」ともいう。
上記構成によって画像計測制御回路８３は、シューティング制御部８１から設定される各種時間や各種信号に基づいて、画像計測器４２の各構成部の動作タイミングを制御し得る。特に、画像計測制御回路８３は、遅延時間Ｔｄｓ及びドロップレット検出信号に基づいてシャッタ開信号を出力することで、撮像部４２２が撮像領域２５ａを撮像するタイミングを制御し得る。
なお、撮像部４２２が撮像領域２５ａを撮像するタイミングを「撮像タイミング」ともいう。撮像タイミングは、具体的にはシャッタ開信号の出力タイミングであり、遅延時間Ｔｄｓの長短で規定され得る。
図５に示すシューティング制御部８１の構成は、画像計測制御回路８３とのやり取りに係る構成以外は、図３に示したシューティング制御部８１の構成と同一であってもよい。
図５に示す遅延回路８２の構成は、図３に示した遅延回路８２の構成と同一であってもよい。
［５．２ 動作］
図６〜図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測システムの動作について説明する。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測システムの動作において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１と同一の動作については説明を省略する。
まず、図６及び図７を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８の画像計測に係るタイミング制御について説明する。
図６は、図５に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図６に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘａを設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘａは、ドロップレット２７１を撮像するのに必要十分な時間であってもよい。シャッタ開時間Ｔｅｘａは、例えば５０ｎｓ〜５００ｎｓであってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓａを設定してもよい。
プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１の画像を撮像する場合、撮像部４２２の撮像タイミングは、パルスレーザ光３３の照射タイミングの直前に設定されてもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓａとシャッタ開時間Ｔｅｘａとの合計値「Ｔｄｓａ＋Ｔｅｘａ」は、パルスレーザ光３３の照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌ＋時間α」と同じか小さい値であってもよい。
遅延時間Ｔｄｓａは、次式から算出してもよい。
Ｔｄｓａ＝（ｄ／ｖ）−Ｔｅｘａ
ｄは、図５に示すプラズマ生成領域２５と所定位置Ｐとの距離であってもよい。例えばｄ＝１ｍｍ〜２ｍｍであってもよい。
ｖは、図５に示すドロップレット２７１の進行速度であってもよい。例えばｖ＝３０ｍ／ｓ〜１５０ｍ／ｓであってもよい。
ｄ／ｖは、ドロップレット２７１が所定位置Ｐを通過してからプラズマ生成領域２５に到達するまでに要する時間であり得る。
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
ドロップレット２７１は、所定の生成周期でチャンバ２内に出力され、ターゲット進行経路２７２上の所定位置Ｐを通過してもよい。このとき、制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力されるドロップレット検出信号に基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図６に示すように、シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図６に示すように、シューティング制御部８１は、画像計測器４２に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図６に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓａだけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図６に示すように、ワンショット回路８３６は、イネーブル信号が入力されると、露光時間Ｔｒのパルス幅を有するイメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａに出力してもよい。
イメージセンサ４２２ａは、イメージセンサ露光信号が入力されてから露光時間Ｔｒが経過するまで、露光し得る。
そして図６に示すように、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌだけ遅延して、レーザ装置３にトリガ信号を出力してもよい。
レーザ装置３は、トリガ信号が入力されるとα時間経過後に、パルスレーザ光３３をプラズマ生成領域２５に照射し得る。
そして図６に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘａのパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄに入力される信号は、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ４２２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘａが経過するまで、開かれ得る。
そして図６に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、ワンショット回路８３５の出力信号及びゲート信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘａのパルス幅を有する点灯信号を光源４２１ａに出力してもよい。
ゲート信号は、ワンショット回路８３５が出力信号をＡＮＤ回路８３２に出力する前に、シューティング制御部８１からＡＮＤ回路８３２に出力されていてもよい。また、シューティング制御部８１は、画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力するタイミングに合わせて、ゲート信号をＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
光源４２１ａは、点灯信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘａが経過するまで、パルス光を点灯し得る。
そして図６に示すように、プラズマ光は、シャッタ開時間Ｔｅｘａが経過した後に放射され得る。
撮像部４２２は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の画像を撮像し得る。
そして図６に示すように、イメージセンサ４２２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データを生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の画像データを取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データに基づいて、当該ドロップレット２７１の状態を計測し得る。
図７は、図５に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、プラズマ生成領域２５で放射されたプラズマ光の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図７に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘｂを設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘｂは、プラズマ光を撮像するのに必要十分な時間であってもよい。シャッタ開時間Ｔｅｘｂは、例えば２ｎｓ〜５０ｎｓであってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓｂを設定してもよい。
プラズマ生成領域２５で放射されたプラズマ光の画像を撮像する場合、撮像部４２２の撮像タイミングは、パルスレーザ光３３の照射タイミングの直後に設定されてもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｂは、パルスレーザ光３３の照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌ＋時間α」と同じか大きい値であってもよい。
遅延時間Ｔｄｓｂは、次式から算出してもよい。
Ｔｄｓｂ＝ｄ／ｖ
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、図６の場合と同様に、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
図７の場合も図６の場合と同様に、制御部８は、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図７に示すように、シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図７に示すように、シューティング制御部８１は、画像計測器４２に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図７に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓｂだけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図７に示すように、ワンショット回路８３６は、イネーブル信号が入力されると、露光時間Ｔｒのパルス幅を有するイメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａに出力してもよい。
イメージセンサ４２２ａは、イメージセンサ露光信号が入力されてから露光時間Ｔｒが経過するまで、露光し得る。
そして図７に示すように、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌだけ遅延して、レーザ装置３にトリガ信号を出力してもよい。
レーザ装置３は、トリガ信号が入力されるとα時間経過後に、パルスレーザ光３３をプラズマ生成領域２５に照射し得る。
そして図７に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｂのパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄに入力される信号は、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ開信号は、パルスレーザ光３３の照射タイミングに同期してシャッタ４２２ｄに入力され得る。シャッタ４２２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｂが経過するまで、開かれ得る。
そして図７に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、点灯信号を光源４２１ａに出力しなくてもよい。
ＡＮＤ回路８３２は、ワンショット回路８３５の出力信号及びゲート信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｂのパルス幅を有する点灯信号を光源４２１ａに出力し得る。しかし、シューティング制御部８１は、プラズマ光の画像を撮像する場合には、ゲート信号を出力しなくてもよい。
その理由は、プラズマ光の光強度は、光源４２１ａから発光されるパルス光の光強度よりも十分に大きく、光源４２１ａを点灯する必要がないからであり得る。
また、光源４２１ａを点灯しないことで、光源４２１ａから発光されるパルス光とプラズマ光とが干渉せず、プラズマ光の状態を正確に計測し得る。光源４２１ａを点灯しないことで、消費電力を低減し得る。
そして図７に示すように、プラズマ光は、シャッタ開時間Ｔｅｘｂの間に放射され得る。
撮像部４２２は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されるプラズマ光の画像を撮像し得る。
そして図７に示すように、イメージセンサ４２２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データを生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されるプラズマ光の画像データを取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データに基づいて、当該プラズマ光の状態を計測し得る。
次に、図８〜図１２を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるシューティング制御部８１の画像計測に係る処理の流れについて説明する。
図８は、図５に示したシューティング制御部８１の画像計測処理を示すフローチャートである。
ステップＳ１１において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１をチャンバ２内へ出力する準備を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５からターゲット生成信号が入力されると、ドロップレット２７１を出力する準備として、図４のステップＳ２〜ステップＳ４と同様の処理を行ってもよい。
ステップＳ１２において、シューティング制御部８１は、トリガ信号の遅延時間Ｔｄｌを遅延回路８２に設定してもよい。
ステップＳ１３において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号が入力されたか否かを確認することによって、当該判定を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中であれば、ステップＳ１４に移行してもよい。
ステップＳ１４において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１について、画像計測を行ってもよい。
なお、ドロップレット２７１の画像計測に係る処理については、図９を用いて後述する。
ステップＳ１５において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が出力中であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、トリガ信号がレーザ装置３に入力されているか否かを確認することによって、当該判定を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が出力中でなければ、ステップＳ１３に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が出力中であれば、ステップＳ１６に移行してもよい。
ステップＳ１６において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されるプラズマ光について、画像計測を行ってもよい。
なお、プラズマ光について画像計測を行う処理については、図１１を用いて後述する。
ステップＳ１７において、シューティング制御部８１は、画像計測処理を中止するか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、画像計測処理を中止するのでなければ、ステップＳ１３に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、画像計測処理を中止するのであれば、本処理を終了してもよい。
図９は、図８のステップＳ１４におけるドロップレット２７１の画像計測に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ１４１において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓを遅延回路８３３に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、撮像部４２２の撮像タイミングをパルスレーザ光３３の照射タイミングの直前に設定するために、遅延時間ＴｄｓをＴｄｓａに設定してもよい。
ステップＳ１４２において、シューティング制御部８１は、シャッタ開時間Ｔｅｘをワンショット回路８３５に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、イメージセンサ４２２ａがドロップレット２７１を撮像するのに必要十分な時間を確保するために、シャッタ開時間ＴｅｘをＴｅｘａに設定してもよい。
ステップＳ１４３において、シューティング制御部８１は、ＡＮＤ回路８３２に入力されるゲート信号をＯＮにしてもよい。
光源４２１ａは、撮像タイミングに合わせてパルス光を点灯し得る。
ステップＳ１４４において、シューティング制御部８１は、画像計測信号をＡＮＤ回路８３１出力してもよい。
画像計測器４２は、撮像領域２５ａを撮像し得る。撮像した画像には、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の画像が含まれ得る。画像計測器４２は、撮像した画像の画像データを生成してシューティング制御部８１に出力し得る。
ステップＳ１４５において、シューティング制御部８１は、画像データを取得可能であるか否か判定してもよい。
シューティング制御部８１は、画像計測器４２が画像データを出力できる状態になく、画像データを取得可能でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、画像計測器４２が画像データを出力できる状態にあり、画像データを取得可能であれば、ステップＳ１４６に移行してもよい。
ステップＳ１４６において、シューティング制御部８１は、画像計測器４２から出力された画像データを取得してもよい。
ステップＳ１４７において、シューティング制御部８１は、取得した画像に基づいて、パルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の状態に関するパラメータを計算してもよい。
なお、ドロップレット２７１のパラメータを計算する処理については、図１０Ａを用いて後述する。
図１０Ａは、図９のステップＳ１４７におけるドロップレット２７１のパラメータ計算に係る処理を示すフローチャートである。
図１０Ｂは、画像計測器４２の撮像部４２２で撮像されたドロップレット２７１の画像を示す図である。
ステップＳ１４７１において、シューティング制御部８１は、図９のステップＳ１４６で取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の画像から当該ドロップレット２７１の直径Ｄｄを計算してもよい。
ステップＳ１４７２において、シューティング制御部８１は、取得した画像データに含まれるドロップレット２７１の画像から当該ドロップレット２７１の位置Ｃｄを計算してもよい。
撮像部４２２で撮像されたドロップレット２７１の画像は、１回の撮像において図１０Ｂに例示するような画像を示してもよい。
シューティング制御部８１は、次のような方法でドロップレット２７１の直径Ｄｄ及び位置Ｃｄを計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の進行方向であるＹ方向のドロップレット２７１の像の幅をドロップレット２７１の直径Ｄｄとしてもよい。略球形の１つのドロップレット２７１に対応する影が１つの像として略球形に撮像されていれば、Ｙ方向における幅とＹ方向に垂直なＺ方向における幅との平均値を、ドロップレット２７１の直径Ｄｄとしてもよい。
また、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の像の中心位置を、ドロップレット２７１の位置Ｃｄとしてもよい。
具体的には、シューティング制御部８１は、撮像領域２５ａ内の特定の点を原点としてもよい。そして、シューティング制御部８１は、原点からドロップレット２７１の像の中心までのＹ方向における距離を計算してもよい。同時に、原点からドロップレット２７１の像の中心までのＺ方向における距離を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算した各方向の距離を、ドロップレット２７１の位置Ｃｄ（ｙ、ｚ）の座標値としてもよい。
図１１は、図８のステップＳ１６におけるプラズマ光の画像計測に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ１６１において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓを遅延回路８３３に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、撮像部４２２の撮像タイミングをパルスレーザ光３３の照射タイミングの直後に設定するために、遅延時間ＴｄｓをＴｄｓｂに設定してもよい。
ステップＳ１６２において、シューティング制御部８１は、シャッタ開時間Ｔｅｘをワンショット回路８３５に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、イメージセンサ４２２ａがプラズマ光を撮像するのに必要十分な時間を確保するために、シャッタ開時間ＴｅｘをＴｅｘｂに設定してもよい。
ステップＳ１６３において、シューティング制御部８１は、ＡＮＤ回路８３２に入力されるゲート信号をＯＦＦにしてもよい。
光源４２１ａは、パルス光を点灯しなくなり得る。
ステップＳ１６４において、シューティング制御部８１は、画像計測信号をＡＮＤ回路８３１出力してもよい。
画像計測器４２は、撮像領域２５ａを撮像し得る。撮像した画像には、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されるプラズマ光の画像が含まれ得る。画像計測器４２は、撮像した画像の画像データを生成してシューティング制御部８１に出力し得る。
ステップＳ１６５において、シューティング制御部８１は、画像データを取得可能であるか否か判定してもよい。
シューティング制御部８１は、画像計測器４２が画像データを出力できる状態になく、画像データを取得可能でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、画像計測器４２が画像データを出力できる状態にあり、画像データを取得可能であれば、ステップＳ１６６に移行してもよい。
ステップＳ１６６において、シューティング制御部８１は、画像計測器４２から出力された画像データを取得してもよい。
ステップＳ１６７において、シューティング制御部８１は、取得した画像に基づいて、パルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されるプラズマ光の状態に関するパラメータを計算してもよい。
なお、プラズマ光のパラメータを計算する処理については、図１２Ａを用いて後述する。
図１２Ａは、図１１のステップＳ１６７におけるプラズマ光のパラメータ計算に係る処理を示すフローチャートである。
図１２Ｂは、画像計測器４２の撮像部４２２で撮像されたプラズマ光の画像を示す図である。
ステップＳ１６７１において、シューティング制御部８１は、図１１のステップＳ１６６で取得した画像データに含まれるプラズマ光の画像から当該プラズマ光の直径Ｄｐを計算してもよい。
ステップＳ１６７２において、シューティング制御部８１は、取得した画像データに含まれるプラズマ光の画像から当該プラズマ光の位置Ｃｐを計算してもよい。
撮像部４２２で撮像されたプラズマ光の画像は、１回の撮像において図１２Ｂに例示するような画像を示してもよい。
シューティング制御部８１は、次のような方法でプラズマ光の直径Ｄｐ及び位置Ｃｐを計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の進行方向であるＹ方向のプラズマ光の像の幅をプラズマ光の直径Ｄｐとしてもよい。略楕円球形の１つのプラズマ光が１つの像として略楕円球形に撮像されていれば、長径の幅をプラズマ光の直径Ｄｐとしてもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の光強度の空間スペクトル分布を求め、その（１／ｅ）２幅をプラズマ光の直径Ｄｐとしてもよい。
また、シューティング制御部８１は、プラズマ光の像の中心位置を、プラズマ光の位置Ｃｐとしてもよい。
具体的には、シューティング制御部８１は、撮像領域２５ａ内の特定の点を原点としてもよい。そして、シューティング制御部８１は、原点からプラズマ光の像の中心までのＹ方向における距離を計算してもよい。同時に、原点からプラズマ光の像の中心までのＺ方向における距離を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算した各方向の距離を、プラズマ光の位置Ｃｐ（ｙ、ｚ）の座標値としてもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の光強度の空間分布を求め、光強度の加重平均値に対応する位置をプラズマ光の位置Ｃｐとしてもよい。
［５．３ 作用］
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の画像を撮像し得る。
ＥＵＶ光生成装置１は、撮像した画像に基づき当該ドロップレット２７１のパラメータを計算し得る。
このため、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の状態を正確に計測し得る。
そして、ＥＵＶ光生成装置１は、計算したパラメータの値と目標値とを比較することで、当該ドロップレット２７１が一定の状態にあるか否かを正確に把握し得る。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されるプラズマ光の画像を撮像し得る。
ＥＵＶ光生成装置１は、撮像した画像に基づき当該プラズマ光のパラメータを計算し得る。
このため、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されるプラズマ光の状態を正確に計測し得る。
そして、ＥＵＶ光生成装置１は、計算したパラメータの値と目標値とを比較することで、当該プラズマ光が一定の状態にあるか否かを正確に把握し得る。
また、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、制御部８の画像計測に係るタイミング制御によって、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１の画像及びプラズマ光の画像を、同一の撮像部４２２で撮像し得る。
［６．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステム］
［６．１ 構成］
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムは、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測システムに対し、レーザ装置３と、レーザ光集光光学系２２ａと、３軸ステージ２２６と、画像計測器４３とを主に追加したシステムであってもよい。
このシューティングシステムは、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１及びプラズマ光の状態を計測してもよい。更に、このシューティングシステムは、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１の位置、プラズマ光の位置、及びパルスレーザ光３３の集光位置を制御してもよい。
図１３を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの構成について説明する。
図１３において、Ｈ軸は、ＸＹ平面内の座標軸であって、Ｘ軸となす角度が４５°である座標軸であってもよい。Ｌ軸は、ＸＹ平面内の座標軸であって、Ｈ軸と直交する座標軸であってもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムは、レーザ装置３と、レーザ光集光光学系２２ａと、３軸ステージ２２６と、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１と、画像計測器４２及び画像計測器４３と、制御部８と、を備えてもよい。制御部８は、シューティング制御部８１と、遅延回路８２と、画像計測制御回路８３とを含んでもよい。
図１３に示すシューティングシステムの構成において、図１乃至図３及び図５に示したＥＵＶ光生成装置１及び画像計測システムと同一の構成については説明を省略する。
図１３に示すレーザ装置３の構成は、図２に示したレーザ装置３の構成と同一であってもよい。
図１３に示すレーザ光集光光学系２２ａの構成は、図２に示したレーザ光集光光学系２２ａの構成と同一であってもよい。
図１３に示す３軸ステージ２２６の構成は、図２に示した３軸ステージ２２６の構成と同一であってもよい。
図１３に示すターゲット生成器７の構成は、図５に示したターゲット生成器７の構成と同一であってもよい。
図１３に示すドロップレット検出器４１の構成は、図５に示したドロップレット検出器４１の構成と同一であってもよい。
図１３に示す画像計測器４２及び画像計測器４３は、図５に示した画像計測器４２と同様に、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１及びプラズマ光の画像計測を行ってもよい。
なお、画像計測器４２で撮像された画像に係る画像データを、「画像データ１」ともいう。画像計測器４３で撮像された画像に係る画像データを、「画像データ２」ともいう。
図１３に示す画像計測器４２は、ＬＺ平面の法線方向から撮像領域２５ａの画像を撮像して、ドロップレット２７１及びプラズマ光の画像計測を行ってもよい。
画像計測器４２が備える光源部４２１と撮像部４２２との対向方向は、ＬＺ平面の法線方向であってもよい。
画像計測器４２のその他の構成は、図５に示した画像計測器４２の構成と同一であってもよい。
図１３に示す画像計測器４３は、ＨＺ平面の法線方向から撮像領域２５ａの画像を撮像して、ドロップレット２７１及びプラズマ光の画像計測を行ってもよい。
画像計測器４３は、光源部４３１と、撮像部４３２とを備えてもよい。
光源部４３１と撮像部４３２とは、ターゲット進行経路２７２上のプラズマ生成領域２５を挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部４３１と撮像部４３２との対向方向は、ＨＺ平面の法線方向であってもよい。
光源部４３１は、光源４３１ａと、照明光学系４３１ｂと、ウインドウ４３１ｃとを含んでもよい。
光源４３１ａは、画像計測制御回路８３を介してシューティング制御部８１と接続されてもよい。光源４３１ａには、画像計測制御回路８３から出力された点灯信号が入力されてもよい。光源４３１ａは、画像計測制御回路８３から出力された点灯信号に基づいてパルス光を発光してもよい。
光源４３１ａのその他の構成は、図５に示した光源４２１ａの構成と同一であってもよい。
また、照明光学系４３１ｂ及びウインドウ４３１ｃの構成は、図５に示した照明光学系４２１ｂ及びウインドウ４２１ｃの構成と同一であってもよい。
撮像部４３２は、図５に示した撮像部４２２と同様に、図１３には図示していない撮像領域２５ａの画像を撮像してもよい。
撮像部４３２は、イメージセンサ４３２ａと、転写光学系４３２ｂと、ウインドウ４３２ｃと、シャッタ４３２ｄとを含んでもよい。
イメージセンサ４３２ａは、画像計測制御回路８３を介してシューティング制御部８１と接続されてもよい。イメージセンサ４３２ａには、画像計測制御回路８３から出力されたイメージセンサ露光信号が入力されてもよい。
イメージセンサ４３２ａは、イメージセンサ露光信号の入力が開始すると露光を開始し、イメージセンサ露光信号の入力が終了すると露光を終了してもよい。
イメージセンサ４３２ａは、シューティング制御部８１と接続されてもよい。イメージセンサ４３２ａは、撮像した画像に係る画像データ２を、シューティング制御部８１に出力してもよい。
イメージセンサ４３２ａのその他の構成は、図５に示したイメージセンサ４２２ａの構成と同一であってもよい。
シャッタ４３２ｄは、画像計測制御回路８３を介してシューティング制御部８１と接続されてもよい。シャッタ４３２ｄには、画像計測制御回路８３から出力されたシャッタ開信号が入力されてもよい。シャッタ４３２ｄは、シャッタ開信号の入力が開始すると開き、シャッタ開信号の入力が終了すると閉じてもよい。
シャッタ４３２ｄのその他の構成は、図５に示したシャッタ４２２ｄの構成と同一であってもよい。
また、転写光学系４３２ｂ及びウインドウ４３２ｃの構成は、図５に示した転写光学系４２２ｂ及びウインドウ４２２ｃの構成と同一であってもよい。
図１３に示す画像計測制御回路８３は、画像計測器４２及び画像計測器４３の動作タイミングを制御する回路であってもよい。
画像計測制御回路８３は、シューティング制御部８１と、画像計測器４２及び画像計測器４３との間に設けられてもよい。
画像計測制御回路８３は、ＡＮＤ回路８３１と、ＡＮＤ回路８３２と、遅延回路８３３と、遅延回路８３４と、ワンショット回路８３５と、ワンショット回路８３６とを含んでもよい。
ＡＮＤ回路８３１、遅延回路８３３、及び遅延回路８３４の構成は、図５に示したＡＮＤ回路８３１、遅延回路８３３、及び遅延回路８３４の構成と同一であってもよい。
ワンショット回路８３５の出力側は、撮像部４２２のシャッタ４２２ｄ及び撮像部４３２のシャッタ４３２ｄ、並びにＡＮＤ回路８３２と接続されてもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号は、シャッタ開信号として、シャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄに同じタイミングで入力されてもよい。
ワンショット回路８３５のその他の構成は、図５に示したワンショット回路８３５の構成と同一であってもよい。
ワンショット回路８３６の出力側は、撮像部４２２のイメージセンサ４２２ａ及び撮像部４３２のイメージセンサ４３２ａと接続されてもよい。
ワンショット回路８３６の出力信号は、イメージセンサ露光信号として、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａに同じタイミングで入力されてもよい。
ワンショット回路８３６のその他の構成は、図５に示したワンショット回路８３６の構成と同一であってもよい。
ＡＮＤ回路８３２の出力側は、光源部４２１の光源４２１ａ及び光源部４３１の光源４３１ａと接続されてもよい。
ＡＮＤ回路８３２の出力信号は、点灯信号として、光源４２１ａ及び光源４３１ａに同じタイミングで入力されてもよい。
ＡＮＤ回路８３２のその他の構成は、図５に示したＡＮＤ回路８３２の構成と同一であってもよい。
図１３に示すシューティング制御部８１は、画像計測器４２から出力された画像データ１を取得してもよい。シューティング制御部８１は、画像計測器４３から出力された画像データ２を取得してもよい。
シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１及びプラズマ光の状態に関するパラメータを計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１のパラメータの計算結果に基づいて、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。それにより、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に到達するドロップレット２７１の位置を制御し得る。
シューティング制御部８１は、プラズマ光のパラメータの計算結果に基づいて、３軸ステージ２２６の動作を制御してもよい。それにより、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５におけるパルスレーザ光３３の集光位置を制御し得る。
シューティング制御部８１のその他の構成は、図５に示したシューティング制御部８１の構成と同じであってもよい。
図１３に示す遅延回路８２の構成は、図５に示した遅延回路８２の構成と同一であってもよい。
［６．２ 動作］
図１４〜図２３を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの動作について説明する。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの動作において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１及び第１実施形態に係る画像計測システムと同一の動作については説明を省略する。
図１４は、図１３に示したシューティング制御部８１のシューティング制御処理を示すフローチャートである。
ステップＳ２１において、シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５を介して露光装置制御部６１にＮＧ信号を出力してもよい。
ＮＧ信号は、ＥＵＶ光生成装置１が適正な状態で生成されたＥＵＶ光２５２を露光装置６に導出可能な状態ではないことを通知するための信号であってもよい。
ステップＳ２２において、シューティング制御部８１は、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）を読み込んでもよい。
プラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）は、プラズマ生成領域２５で放射されるプラズマ光の中心位置に関する目標値であってもよい。
特に、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されたプラズマ光の中心位置に関する目標値であってもよい。
目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）は、露光装置制御部６１の指令に基づき、ＥＵＶ光生成制御部５によって予め定められた値であってもよい。
シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５に記憶されているプラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）を読み込んでもよい。
ステップＳ２３において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔを計算してもよい。
ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）は、プラズマ生成領域２５に到達するドロップレット２７１の中心位置に関する目標値であってもよい。
特に、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の中心位置に関する目標値であってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２２で読み込んだプラズマ光の目標位置Ｐｐｔに基づいて、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔを計算してもよい。
なお、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔを計算する処理については、図１５Ａを用いて後述する。
ステップＳ２４において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとパルスレーザ光３３の目標集光位置とをセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２３で計算したドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔにドロップレット２７１が供給されるよう、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌ並びに２軸ステージ７４をセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２３で計算したドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔにパルスレーザ光３３が集光するよう、３軸ステージ２２６をセットしてもよい。
なお、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとパルスレーザ光３３の目標集光位置とをセットする処理については、図１６を用いて後述する。
ステップＳ２５において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号が入力されたか否かを確認することによって、当該判定を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中であれば、ステップＳ２６に移行してもよい。
ステップＳ２６において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の位置を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１について、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得した画像データに基づいて、ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算したドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）に基づいて、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを適宜修正して設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。
なお、ドロップレット２７１の位置を制御する処理については、図１７を用いて後述する。
ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）は、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１の中心位置に関する計測値であり得る。
特に、ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の中心位置に関する計測値であり得る。
すなわち、ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）は、チャンバ２内に実際に出力されプラズマ生成領域２５へ到達したドロップレット２７１の中心位置の座標であり得る。
ステップＳ２７において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の位置が許容範囲内であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２６で制御後のドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）が、次式を全て満たすか否かを判定してもよい。
｜Ｘｄ−Ｘｄｔ｜≦ΔＸｄｍａｘ
｜Ｙｄ−Ｙｄｔ｜≦ΔＹｄｍａｘ
｜Ｚｄ−Ｚｄｔ｜≦ΔＺｄｍａｘ
右辺のΔＸｄｍａｘ、ΔＹｄｍａｘ、及びΔＺｄｍａｘは、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔに対する計測位置Ｃｄのばらつきにおける許容範囲を定める各座標の閾値であってもよい。ΔＸｄｍａｘ、ΔＹｄｍａｘ、及びΔＺｄｍａｘは、プラズマ光が効率的に生成され得るよう予め定められた値であってもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の位置が許容範囲内でなければ、ステップＳ２５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の位置が許容範囲内であれば、ステップＳ２８に移行してもよい。
ステップＳ２８において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が出力中であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、トリガ信号がレーザ装置３に入力されているか否かを確認することによって、当該判定を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が出力中でなければ、ステップＳ２５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が出力中であれば、ステップＳ２９に移行してもよい。
ステップＳ２９において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光の集光位置を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されたプラズマ光について、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得した画像データに基づいて、プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算したプラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）に基づいて、３軸ステージ２２６の動作を制御してもよい。
なお、パルスレーザ光の集光位置を制御する処理については、図２０を用いて後述する。
プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）は、プラズマ生成領域２５で放射されたプラズマ光の中心位置に関する計測値であってもよい。
特に、プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）は、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されたプラズマ光の中心位置に関する計測値であり得る。
すなわち、プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）は、チャンバ２内に実際に出力されたドロップレット２７１が、プラズマ生成領域２５へ到達し、パルスレーザ光３３が照射されて、実際に放射したプラズマ光の中心位置の座標であり得る。
ステップＳ３０において、シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２９で制御後のパルスレーザ光３３の集光位置によるプラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）が、次式を全て満たすか否かを判定してもよい。
｜Ｘｐ−Ｘｐｔ｜≦ΔＸｐｍａｘ
｜Ｙｐ−Ｙｐｔ｜≦ΔＹｐｍａｘ
｜Ｚｐ−Ｚｐｔ｜≦ΔＺｐｍａｘ
右辺のΔＸｐｍａｘ、ΔＹｐｍａｘ、及びΔＺｐｍａｘは、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔに対する計測位置Ｃｐのばらつきにおける許容範囲を定める各座標の閾値であってもよい。ΔＸｐｍａｘ、ΔＹｐｍａｘ、及びΔＺｐｍａｘは、プラズマ光及びＥＵＶ光２５２が効率的に生成され得るよう予め定められた値であってもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内であれば、ステップＳ３２に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内でなければ、ステップＳ３１に移行してもよい。
ステップＳ３１において、シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５を介して露光装置制御部６１にＮＧ信号を出力してもよい。
シューティング制御部８１は、ＮＧ信号を出力した後、ステップＳ２５に移行してもよい。
ステップＳ３２において、シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５を介して露光装置制御部６１にＯＫ信号を出力してもよい。
ＯＫ信号は、ＥＵＶ光生成装置１が適正な状態で生成されたＥＵＶ光２５２を露光装置６に導出可能な状態であることを通知するための信号であってもよい。
ステップＳ３３において、シューティング制御部８１は、シューティング制御処理を中止するか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、シューティング制御処理を中止しないのであれば、ステップＳ２５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、シューティング制御処理を中止するのであれば、本処理を終了してもよい。
図１５Ａは、図１４のステップＳ２３におけるドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔを計算する処理を示すフローチャートである。
図１５Ｂは、図１５Ａの処理を説明するための図である。
ステップＳ２３１において、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）のそれぞれの座標を計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図１４のステップＳ２２で読み込んだプラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）に基づいて、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）を次式から計算してもよい。
Ｘｄｔ＝Ｘｐｔ
Ｙｄｔ＝Ｙｐｔ
Ｚｄｔ＝Ｚｐｔ＋Ｚｄｃ
すなわち、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置ＰｄｔのＸ座標成分Ｘｄｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＸ座標成分Ｘｐｔと同一座標にしてもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置ＰｄｔのＹ座標成分Ｙｄｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＹ座標成分Ｙｐｔと同一座標にしてもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置ＰｄｔのＺ座標成分Ｚｄｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＺ座標成分Ｚｐｔから＋Ｚ方向にＺｄｃだけずらした座標にしてもよい。
プラズマ光の目標位置Ｐｐｔは、露光装置制御部６１の指令に基づき、ＥＵＶ光生成制御部５によって予め定められた値であってもよい。
プラズマ光の目標位置Ｐｐｔでプラズマ光を放射させるために、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及びパルスレーザ光３３の目標集光位置を、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔと略一致させてもよい。
しかしながら、単にドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及びパルスレーザ光３３の目標集光位置をプラズマ光の目標位置Ｐｐｔに一致させると、次のようなことが起こり得る。すなわち、プラズマ生成領域２５で実際に放射されたプラズマ光の位置は、Ｘ方向及びＹ方向については目標位置Ｐｐｔからずれないものの、Ｚ方向については目標位置Ｐｐｔからずれることがあり得る。
プラズマ光の中心は、パルスレーザ光３３がドロップレット２７１の−Ｚ方向側の表面から照射し始めることにより、ドロップレット２７１の−Ｚ方向側の表面又はその付近に位置し得る。よって、プラズマ光の中心は、ドロップレット２７１の中心から−Ｚ方向にずれ得る。これにより、プラズマ生成領域２５で実際に放射されたプラズマ光の位置は、その目標位置Ｐｐｔからずれ得る。ドロップレット２７１の中心に対するプラズマ光の中心の−Ｚ方向へのずれ量をＺｄｃとする。
よって、図１５Ｂに示すように、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及びパルスレーザ光３３の目標集光位置を、Ｚ方向についてはプラズマ光の目標位置Ｐｐｔから＋Ｚ方向にＺｄｃだけずらした座標に設定してもよい。
ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔのみをプラズマ光の目標位置ＰｐｔからＺ方向にずらすよりも、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及びパルスレーザ光３３の集光位置の両方をＺ方向にずらす方が好ましい。これは、パルスレーザ光３３の集光位置がドロップレット２７１の表面に位置するよりも、ドロップレット２７１の中心に位置する方が、プラズマ光が効率的に生成され得るからである。
これにより、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５で実際に放射されるプラズマ光の位置をプラズマ光の目標位置Ｐｐｔに略一致させ、且つ、効率的にプラズマ光を生成し得る。
図１６は、図１４のステップＳ２４におけるドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及びパルスレーザ光３３の目標集光位置をセットする処理を示すフローチャートである。
ステップＳ２４１において、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１の位置が、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとなるよう、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌ並びに２軸ステージ７４をセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、Ｘ方向及びＺ方向のセットについては、２軸ステージ７４の動作を制御することにより行ってもよい。２軸ステージ７４のセットについては、シューティング制御部８１が、２軸ステージ７４をＸ方向及び／又はＺ方向に所定量駆動する制御を実行することにより行ってもよい。シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６のＸ方向及びＺ方向への移動量を含めた制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、Ｙ方向のセットについては、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを設定することにより行ってもよい。シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓを遅延回路８３３に設定すると共に遅延時間Ｔｄｌを遅延回路８２に設定してもよい。
ステップＳ２４２において、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのパルスレーザ光３３の集光位置が、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとなるよう、３軸ステージ２２６をセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、レーザ光集光光学系２２ａの移動量を含めた制御信号を、３軸ステージ２２６に出力することにより行ってもよい。
図１７は、図１４のステップＳ２６におけるドロップレット２７１の位置制御に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ２６１において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１について、画像計測を行ってもよい。
なお、ドロップレット２７１の画像計測に係る処理については、図１８を用いて後述する。
ステップＳ２６２において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔと計測位置Ｃｄとの差分をそれぞれの座標で計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図１４のステップＳ２４でセットした目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）と、ステップＳ２６１で計測した計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）との差分を、座標ごとに次式から計算してもよい。
ΔＸｄ＝Ｘｄｔ−Ｘｄ
ΔＹｄ＝Ｙｄｔ−Ｙｄ
ΔＺｄ＝Ｚｄｔ−Ｚｄ
ステップＳ２６３において、シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６をＸ方向及びＺ方向にそれぞれ移動させるための制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＸ方向及びＺ方向における位置制御を、２軸ステージ７４の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２６２で計算したΔＸｄを、ターゲット供給部２６のＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ２６２で計算したΔＺｄをターゲット供給部２６のＺ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｄ及びΔＺｄを含めた当該制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
ステップＳ２６４において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１がΔＹｄ移動するのに必要な時間ΔＴｙを計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２６２で計算したΔＹｄを用いて、ΔＴｙを次式から計算してもよい。
ΔＴｙ＝ΔＹｄ／ｖ
右辺のｖは、ドロップレット２７１の進行速度であり得る。
ステップＳ２６５において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓａを修正してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＹ方向における位置制御を、遅延時間Ｔｄｓａ及び遅延時間Ｔｄｌを設定することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２６４で計算したΔＴｙを用いて、修正後の遅延時間Ｔｄｓａを次式から計算してもよい。
Ｔｄｓａ＝Ｔｄｓａ＋ΔＴｙ
シューティング制御部８１は、修正後の遅延時間Ｔｄｓａを遅延回路８３３に設定してもよい。
ステップＳ２６６において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｌを修正してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２６４で計算したΔＴｙを用いて、修正後の遅延時間Ｔｄｌを次式から計算してもよい。
Ｔｄｌ＝Ｔｄｌ＋ΔＴｙ
シューティング制御部８１は、修正後の遅延時間Ｔｄｌを遅延回路８２に設定してもよい。
ステップＳ２６７において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１について、画像計測を行ってもよい。
なお、ドロップレット２７１の画像計測に係る処理については、図１８を用いて後述する。
図１８は、図１７のステップＳ２６１及びステップＳ２６７におけるドロップレット２７１の画像計測に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ２６１１において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓを遅延回路８３３に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングをパルスレーザ光３３の照射タイミングの直前に設定するために、遅延時間ＴｄｓをＴｄｓａに設定してもよい。
ステップＳ２６１２において、シューティング制御部８１は、シャッタ開時間Ｔｅｘをワンショット回路８３５に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａがドロップレット２７１を撮像するのに必要十分な時間を確保するために、シャッタ開時間ＴｅｘをＴｅｘａに設定してもよい。
ステップＳ２６１３において、シューティング制御部８１は、ＡＮＤ回路８３２に入力されるゲート信号をＯＮにしてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、撮像タイミングに合わせてパルス光を点灯し得る。
ステップＳ２６１４において、シューティング制御部８１は、画像計測信号をＡＮＤ回路８３１出力してもよい。
画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像領域２５ａを撮像し得る。撮像した画像には、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の画像が含まれ得る。画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像した画像の画像データを生成してシューティング制御部８１に出力し得る。
ステップＳ２６１５において、シューティング制御部８１は、画像データ１及び画像データ２を取得可能であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態になく、画像データ１及び画像データ２を取得可能でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態にあり、画像データ１及び画像データ２を取得可能であれば、ステップＳ２６１６に移行してもよい。
ステップＳ２６１６において、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３から出力された画像データ１及び画像データ２を取得してもよい。
ステップＳ２６１７において、シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、パルスレーザ光３３が照射される直前のドロップレット２７１の位置を計算してもよい。
なお、ドロップレット２７１の位置を計算する処理については、図１９を用いて後述する。
図１９は、図１８のステップＳ２６１７におけるドロップレット２７１の位置を計算する処理を示すフローチャートである。
ステップＳ２６１７−１において、シューティング制御部８１は、図１８のステップＳ２６１６で取得した画像データ１に含まれるドロップレット２７１の画像から当該ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｌｄ、Ｚｄ）を計算してもよい。
画像計測器４２は、ＬＺ平面の法線方向からドロップレット２７１の画像計測を行ってもよい。画像計測器４２から取得した画像データ１に含まれる画像は、ドロップレット２７１をＬＺ平面に投影した画像であり得る。よって、画像データ１に基づいて計算可能なドロップレット２７１の計測位置Ｃｄの座標は、Ｌ座標成分のＬｄ及びＺ座標成分のＺｄであり得る。
ステップＳ２６１７−２において、シューティング制御部８１は、図１８のステップＳ２６１６で取得した画像データ２に含まれるドロップレット２７１の画像から当該ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｈｄ、Ｚｄ）を計算してもよい。
画像計測器４３は、ＨＺ平面の法線方向からドロップレット２７１の画像計測を行ってもよい。画像計測器４３から取得した画像データ２に含まれる画像は、ドロップレット２７１をＨＺ平面に投影した画像であり得る。よって、画像データ２に基づいて計算可能なドロップレット２７１の計測位置Ｃｄの座標は、Ｈ座標成分のＨｄ及びＺ座標成分のＺｄであり得る。
ステップＳ２６１７−３において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）を計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２６１７−１で計算したＣｄ（Ｌｄ、Ｚｄ）及びステップＳ２６１７−２で計算したＣｄ（Ｈｄ、Ｚｄ）に対して座標変換を行い、ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）を計算してもよい。
図２０は、図１４のステップＳ２９におけるパルスレーザ光３３の集光位置制御に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ２９１において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射された直後のプラズマ光について、画像計測を行ってもよい。
なお、プラズマ光の画像計測に係る処理については、図２１を用いて後述する。
ステップＳ２９２において、シューティング制御部８１は、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔと計測位置Ｃｐとの差分をそれぞれの座標を用いて計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図１４のステップＳ２２で読み込んだ目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）と、ステップＳ２９１で計測した計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐｄ）との差分を、座標ごとに次式から計算してもよい。
ΔＸｐ＝Ｘｐｔ−Ｘｐ
ΔＹｐ＝Ｙｐｔ−Ｙｐ
ΔＺｐ＝Ｚｐｔ−Ｚｐ
ステップＳ２９３において、シューティング制御部８１は、レーザ光集光光学系２２ａをＸ方向及びＹ方向にそれぞれ移動させるための制御信号を３軸ステージ２２６に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのパルスレーザ光３３の集光位置のＸ方向及びＹ方向における位置制御を、３軸ステージ２２６の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２９２で計算したΔＸｐを定数Ｋｘで除算したΔＸｐ／Ｋｘを、レーザ光集光光学系２２ａのＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ２９２で計算したΔＹｐを定数Ｋｙで除算したΔＹｐ／Ｋｙを、レーザ光集光光学系２２ａのＹ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｐ／Ｋｘ及びΔＹｐ／Ｋｙを含めた当該制御信号を３軸ステージ２２６に出力してもよい。
レーザ光集光光学系２２ａの移動量として、ΔＸｐ及びΔＹｐを定数Ｋｘ及び定数Ｋｙで除算したΔＸｐ／Ｋｘ及びΔＹｐ／Ｋｙを用いることで、レーザ光集光光学系２２ａを高精度に移動させ得る。なお、定数Ｋｘ及び定数Ｋｙは、レーザ光集光光学系２２ａの光学的なパラメータを反映した定数であってもよい。
なお、パルスレーザ光３３の集光位置及びドロップレット２７１の位置と、プラズマ光の位置との関係については、図２３を用いて後述する。
ステップＳ２９４において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射された直後のプラズマ光について、画像計測を行ってもよい。
なお、プラズマ光の画像計測に係る処理については、図２１を用いて後述する。
ステップＳ２９５において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３のＸ方向及びＹ方向における集光位置が許容範囲内であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内であれば、パルスレーザ光３３の集光位置が許容範囲であるとみなしてもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２９３で制御後のパルスレーザ光３３の集光位置によって、ΔＸｐ及びΔＹｐが、次式を全て満たすか否かを判定してもよい。
｜ΔＸｐ｜≦ΔＸｐｍａｘ
｜ΔＹｐ｜≦ΔＹｐｍａｘ
シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内であれば、パルスレーザ光３３の集光位置が許容範囲内であるとみなして、ステップＳ２９６に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内でなければ、パルスレーザ光３３の集光位置が許容範囲内でないとみなして、本処理を終了してもよい。
ステップＳ２９６において、シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６をＺ方向にΔＺｐ移動させるための制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
図１５Ｂを用いて説明したようにパルスレーザ光３３の集光位置とドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとが一致する場合、プラズマ光が効率的に生成され得る。
このため、シューティング制御部８１は、ステップＳ２９２で計算したΔＺｐだけドロップレット２７１の位置をＺ方向に移動させてもよい。そのために、シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６をＺ方向にΔＺｐだけ移動させてもよい。
ステップＳ２９７において、シューティング制御部８１は、レーザ光集光光学系２２ａをＺ方向に移動させるための制御信号を３軸ステージ２２６に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのパルスレーザ光３３の集光位置のＺ方向における位置制御を、３軸ステージ２２６の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２９２で計算したΔＺｐをレーザ光集光光学系２２ａのＺ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＺｐを含めた当該制御信号を３軸ステージ２２６に出力してもよい。
ステップＳ２９８において、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３が照射された直後のプラズマ光について、画像計測を行ってもよい。
なお、プラズマ光の画像計測に係る処理については、図２１を用いて後述する。
図２１は、図２０のステップＳ２９１、ステップＳ２９４、及びステップＳ２９８におけるプラズマ光の画像計測に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ２９１１において、シューティング制御部８１は、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングをパルスレーザ光３３の照射タイミングの直後に設定するために、遅延時間ＴｄｓをＴｄｓｂに設定してもよい。
ステップＳ２９１２において、シューティング制御部８１は、シャッタ開時間Ｔｅｘをワンショット回路８３５に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａがプラズマ光を撮像するのに必要十分な時間を確保するために、シャッタ開時間ＴｅｘをＴｅｘｂに設定してもよい。
ステップＳ２９１３において、シューティング制御部８１は、ＡＮＤ回路８３２に入力されるゲート信号をＯＦＦにしてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、パルス光を点灯しなくなり得る。
ステップＳ２９１４において、シューティング制御部８１は、画像計測信号をＡＮＤ回路８３１出力してもよい。
画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像領域２５ａを撮像し得る。撮像した画像には、プラズマ生成領域２５でパルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されるプラズマ光の画像が含まれ得る。画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像した画像の画像データ１及び画像データ２を生成してシューティング制御部８１に出力し得る。
ステップＳ２９１５において、シューティング制御部８１は、画像データ１及び画像データ２を取得可能であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態になく、画像データ１及び画像データ２を取得可能でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態にあり、画像データ１及び画像データ２を取得可能であれば、ステップＳ２９１６に移行してもよい。
ステップＳ２９１６において、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３から出力された画像データ１及び画像データ２を取得してもよい。
ステップＳ２９１７において、シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、パルスレーザ光３３が照射された直後のドロップレット２７１から放射されたプラズマ光の位置を計算してもよい。
なお、プラズマ光の位置を計算する処理については、図２２を用いて後述する。
図２２は、図２１のステップＳ２９１７におけるプラズマ光の位置を計算する処理を示すフローチャートである。
ステップＳ２９１７−１において、シューティング制御部８１は、図２１のステップＳ２９１６で取得した画像データ１に含まれるプラズマ光の画像から当該プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｌｐ、Ｚｐ）を計算してもよい。
画像計測器４２は、ＬＺ平面の法線方向からプラズマ光の画像計測を行ってもよい。画像計測器４２から取得した画像データ１に含まれる画像は、プラズマ光をＬＺ平面に投影した画像であり得る。よって、画像データ１に基づいて計算可能なプラズマ光の計測位置Ｃｐの座標は、Ｌ座標成分のＬｐ及びＺ座標成分のＺｐであり得る。
ステップＳ２９１７−２において、シューティング制御部８１は、図２１のステップＳ２９１６で取得した画像データ２に含まれるプラズマ光の画像から当該プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｈｐ、Ｚｐ）を計算してもよい。
画像計測器４３は、ＨＺ平面の法線方向からプラズマ光の画像計測を行ってもよい。画像計測器４３から取得した画像データ２に含まれる画像は、プラズマ光をＨＺ平面に投影した画像であり得る。よって、画像データ２に基づいて計算可能なプラズマ光の計測位置Ｃｐの座標は、Ｈ座標成分のＨｐ及びＺ座標成分のＺｐであり得る。
ステップＳ２９１７−３において、シューティング制御部８１は、プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）を計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ２９１７−１で計算したＣｐ（Ｌｐ、Ｚｐ）及びステップＳ２９１７−２で計算したＣｐ（Ｈｐ、Ｚｐ）に対して座標変換を行い、プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）を計算してもよい。
図２３Ａ〜図２３Ｃは、パルスレーザ光３３の集光位置及びドロップレット２７１の位置と、プラズマ光の位置との関係を示す図である。
図２３Ａは、パルスレーザ光の実際の集光位置とドロップレット２７１の計測位置Ｃｄとが一致した場合を示す図である。
図２３Ａの場合、プラズマ光の計測位置Ｃｐは、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔと一致し得る。
なお、図１５Ｂを用いて説明したように、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及びパルスレーザ光３３の目標集光位置は、プラズマ光の目標位置ＰｐｔからＺｄｃだけＺ方向にずらした座標にしてもよい。このため、図２３Ａに示すように、ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ及びパルスレーザ光３３の実際の集光位置は共に、プラズマ光の計測位置ＣｐからＺｄｐだけＺ方向にずれ得る。Ｚｄｐは、目標値のずれ量Ｚｄｃに対応した計測値のずれ量であり得る。
図２３Ｂは、パルスレーザ光の実際の集光位置がドロップレット２７１の計測位置Ｃｄから−Ｙ方向にずれた場合を示す図である。
図２３Ｂの場合、プラズマ光の計測位置Ｃｐは、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔから−Ｙ方向にΔＹｐだけずれ得る。
これは、パルスレーザ光３３が、ドロップレット２７１の−Ｙ方向側の表面から照射し始めることによって、プラズマ光の中心が−Ｙ方向にずれるためであり得る。
図２３Ｃは、パルスレーザ光の実際の集光位置がドロップレット２７１の計測位置Ｃｄから＋Ｙ方向にずれた場合を示す図である。
図２３Ｃの場合、プラズマ光の計測位置Ｃｐは、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔから＋Ｙ方向にΔＹｐだけずれ得る。
これは、パルスレーザ光３３が、ドロップレット２７１の＋Ｙ方向側の表面から照射し始めることによって、プラズマ光の中心が＋Ｙ方向にずれるためであり得る。
このように、パルスレーザ光３３の実際の集光位置とドロップレット２７１の計測位置ＣｄとがＹ方向にずれた場合、プラズマ光の計測位置Ｃｐは、プラズマ光の目標位置ＰｐｔからＹ方向にずれ得る。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔに対する計測位置Ｃｐのずれを是正してもよい。そのために、シューティング制御部８１は、パルスレーザ光３３の集光位置を移動させるべく、図２０のステップＳ２９３のようにレーザ光集光光学系２２ａを移動させてもよい。
なお、図２３は、パルスレーザ光３３の実際の集光位置がドロップレット２７１の計測位置ＣｄからＹ方向にずれた場合を説明しているが、Ｘ方向にずれた場合も同様であり得る。
［６．３ 作用］
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１の位置を正確に制御し得る。そして、ＥＵＶ光生成装置１は、パルスレーザ光３３の集光位置を正確に制御し得る。
よって、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、当該ドロップレット２７１の位置とパルスレーザ光３３の集光位置とを略一致させて、効率よくプラズマ光を生成し得る。このため、ＥＵＶ光生成装置１は、効率よくＥＵＶ光２５２を生成し得る。
そして、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５で実際に放射されるプラズマ光の位置を、露光装置６の指令により定められたプラズマ光の目標位置に略一致させ得る。このため、ＥＵＶ光生成装置１は、適正に生成されたＥＵＶ光２５２を安定して露光装置６へ導出し得る。
［７．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステム］
［７．１ 構成］
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムは、第２実施形態のシューティングシステムに対し、次の構成を主に追加したシステムであってもよい。すなわち、このシューティングシステムは、メインパルスレーザ装置３ａ及びプリパルスレーザ装置３ｂと、波面調節器３６及び波面調節器３７と、ビームコンバイナ３５とを主に追加したシステムであってもよい。
このシューティングシステムは、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１及びプラズマ光の状態を計測してもよい。更に、このシューティングシステムは、メインパルスレーザ装置３ａ及びプリパルスレーザ装置３ｂの各レーザ装置から出力されるパルスレーザ光３３の集光位置を制御してもよい。更に、このシューティングシステムは、プラズマ生成領域２５に到達するドロップレット２７１の位置やプラズマ光の位置を制御してもよい。
図２４及び図２５を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの構成について説明する。
図２４は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を示す図である。図２５は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの構成を示す図である。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムは、メインパルスレーザ装置３ａ及びプリパルスレーザ装置３ｂと、レーザ光集光光学系２２ａと、２軸ステージ２２７と、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１と、画像計測器４２及び画像計測器４３と、波面調節器３６及び波面調節器３７と、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４５と、ホルダ３４３及びホルダ３４６と、ビームコンバイナ３５と、制御部８とを備えてもよい。制御部８は、シューティング制御部８１と、遅延回路８２と、画像計測制御回路８３とを含んでもよい。
図２４及び図２５に示すＥＵＶ光生成装置１及びシューティングシステムの構成において、図１乃至図３、図５、及び図１３に示したＥＵＶ光生成装置１並びに画像計測システム及びシューティングシステムと同一の構成については説明を省略する。
図２４及び図２５に示すレーザ光集光光学系２２ａの構成は、図２に示したレーザ光集光光学系２２ａの構成と同一であってもよい。
図２４及び図２５に示す高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４５の構成は、図２に示した高反射ミラー３４１の構成とそれぞれ同一であってもよい。
図２４に示すホルダ３４３及びホルダ３４６の構成は、図２に示したホルダ３４３の構成とそれぞれ同一であってもよい。
図２４及び図２５に示すターゲット生成器７の構成は、図１３に示したターゲット生成器７の構成と同一であってもよい。
図２４及び図２５に示すドロップレット検出器４１の構成は、図１３に示したドロップレット検出器４１の構成と同一であってもよい。
図２４及び図２５に示す画像計測器４２及び画像計測器４３の構成は、図１３に示した画像計測器４２及び画像計測器４３の構成と同一であってもよい。
図２５に示す画像計測制御回路８３の構成は、図１３に示した画像計測制御回路８３の構成と同一であってもよい。
なお、図２４では、ドロップレット検出器４１に含まれる光源部４１１と受光部４１２との対向方向がＺ方向であるように便宜的に記載されているが、図２４の記載は、光源部４１１と受光部４１２との対向方向を特定するための記載ではない。光源部４１１と受光部４１２との対向方向は、図２５に示すようにＸ方向であってもよい。
図２４では、画像計測器４２に含まれる光源部４２１と撮像部４２２との対向方向がＸ方向に直交する方向であるように便宜的に記載されているが、図２４の記載は、光源部４２１と撮像部４２２との対向方向を特定するための記載ではない。光源部４２１と撮像部４２２との対向方向は、図２５に示すようにＨ方向であってもよい。
図２４では、画像計測器４３に含まれる光源部４３１と撮像部４３２との対向方向がＸ方向に直交する方向であるように便宜的に記載されているが、図２４の記載は、光源部４３１と撮像部４３２との対向方向を特定するための記載ではない。光源部４３１と撮像部４３２との対向方向は、図２５に示すようにＬ方向であってもよい。
図２４及び図２５に示すメインパルスレーザ装置３ａの構成は、図１３に示したレーザ装置３の構成と同一であってもよい。
メインパルスレーザ装置３ａが出力するレーザ光の波長は、例えば１０．６μｍであってもよい。
メインパルスレーザ装置３ａが出力するレーザ光を、図１の説明と同様に、「メインパルスレーザ光３１ａ〜３３ａ」ともいう。
図２４及び図２５に示すプリパルスレーザ装置３ｂは、ＹＡＧレーザ等の固体レーザ装置であってもよい。
プリパルスレーザ装置３ｂが出力するレーザ光の波長は、例えば１．０６μｍであってもよい。
プリパルスレーザ装置３ｂが出力するレーザ光を、メインパルスレーザ光３１ａ〜３３ａと同様に、「プリパルスレーザ光３１ｂ〜３３ｂ」ともいう。
プリパルスレーザ装置３ｂのその他の構成は、図１３に示したレーザ装置３の構成と同一であってもよい。
プリパルスレーザ光は、メインパルスレーザ光をドロップレット２７１に照射する前段階として、ドロップレット２７１に照射するパルスレーザ光であってもよい。ドロップレット２７１は、プリパルスレーザ光が照射されると、破壊され、複数の微細なターゲット２７の粒子となって拡散し得る。拡散したターゲット２７の粒子は、メインパルスレーザ光によるＥＵＶ光の生成効率を高め得る。
ドロップレット２７１にプリパルスレーザ光が照射されて拡散したターゲット２７の粒子を、「２次ターゲット２７１ａ」ともいう。
なお、メインパルスレーザ光３３ａ又はプリパルスレーザ光３３ｂの照射に伴ってドロップレット２７１の形態が変化する様子については、図２６を用いて後述する。
図２４及び図２５に示す２軸ステージ２２７は、図２に示した３軸ステージ２２６の代りに設けられてもよい。２軸ステージ２２７には、プレート２２５が設置されてもよい。
２軸ステージ２２７は、Ｘ方向及びＹ方向の２軸方向に、プレート２２５を動かしてもよい。
２軸ステージ２２７は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。２軸ステージ２２７は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてプレート２２５を動かしてもよい。それにより、プレート２２５に固定されたレーザ光集光光学系２２ａの位置及び姿勢が変更され得る。
図２４に示すビームコンバイナ３５は、メインパルスレーザ光３１ａとプリパルスレーザ光３１ｂとを略同一の光路でチャンバ２へ導入する光学系であってもよい。
ビームコンバイナ３５は、高反射ミラー３４２と、ホルダ３４４と、ダイクロイックミラー３５１と、ホルダ３５２と、チルトステージ３５３と、プレート３５４とを含んでもよい。
ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。高反射ミラー３４２を保持するホルダ３４４は、チルトステージ３５３に設置されてもよい。ホルダ３４４が設置されたチルトステージ３５３は、プレート３５４に固定されてもよい。
チルトステージ３５３は、Ｘ軸及びＹ軸の２軸を回転軸としてホルダ３４４を回転させてもよい。チルトステージ３５３は、Ｘ方向及びＹ方向の２軸方向に、ホルダ３４４を動かしてもよい。
チルトステージ３５３は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。チルトステージ３５３は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてホルダ３４４を動かしてもよい。それにより、ホルダ３４４に保持された高反射ミラー３４２の位置及び姿勢が変更され得る。
ホルダ３５２は、ダイクロイックミラー３５１を保持してもよい。ダイクロイックミラー３５１を保持するホルダ３５２は、プレート３５４に固定されてもよい。
高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４２は、メインパルスレーザ装置３ａから出力され高反射ミラー３４１で反射されたメインパルスレーザ光３１ａを反射してウインドウ２１へ導いてもよい。高反射ミラー３４２の反射光であるメインパルスレーザ光３２ａが、ウインドウ２１を透過してチャンバ２内へ導入され得る。
ダイクロイックミラー３５１は、メインパルスレーザ光３１ａを透過しプリパルスレーザ光３１ｂを反射する薄膜が、ダイアモンド基板上にコーティングされたミラーであってもよい。
ダイクロイックミラー３５１は、ウインドウ２１及び高反射ミラー３４５とそれぞれ対向して配置されてもよい。ダイクロイックミラー３５１は、高反射ミラー３４２の反射光であるメインパルスレーザ光３２ａの光路上に配置されてもよい。
ダイクロイックミラー３５１は、プリパルスレーザ装置３ｂから出力され高反射ミラー３４５で反射されたプリパルスレーザ光３１ｂを反射してウインドウ２１へ導いてもよい。ダイクロイックミラー３５１は、高反射ミラー３４２の反射光であるメインパルスレーザ光３２ａを透過させてウインドウ２１へ導いてもよい。
このとき、ダイクロイックミラー３５１は、メインパルスレーザ光３２ａ及びプリパルスレーザ光３２ｂを、略同一の光路上を通してウインドウ２１へ導いてもよい。
波面調節器３６は、メインパルスレーザ光３１ａの波面を調節してもよい。
波面調節器３６は、メインパルスレーザ光３１ａの光路上であって、メインパルスレーザ装置３ａと高反射ミラー３４２との間に設けられてもよい。特に、波面調節器３６は、図２４に示すように、高反射ミラー３４１と高反射ミラー３４２との間に設けられてもよい。
波面調節器３６は、凸レンズ３６１と、凹レンズ３６２と、ホルダ３６３と、ホルダ３６４と、１軸ステージ３６５とを含んでもよい。
ホルダ３６３は、凸レンズ３６１を保持してもよい。
ホルダ３６４は、凹レンズ３６２を保持してもよい。凹レンズ３６２を保持するホルダ３６４は、１軸ステージ３６５に設置されてもよい。
１軸ステージ３６５は、凹レンズ３６２に入射するメインパルスレーザ光３１ａの光軸方向であるＹ方向に、ホルダ３６４を動かしてもよい。
１軸ステージ３６５は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。１軸ステージ３６５は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてホルダ３６４を動かしてもよい。それにより、ホルダ３６３に保持された凸レンズ３６１と、ホルダ３６４に保持された凹レンズ３６２との距離が変更され得る。
凸レンズ３６１と凹レンズ３６２との距離が変更されることにより、凸レンズ３６１から出射するメインパルスレーザ光３１ａの波面が調節され得る。メインパルスレーザ光３１ａの波面が調節されることにより、メインパルスレーザ光３３ａの波面が調節され得る。それにより、プラズマ生成領域２５において、メインパルスレーザ光３３ａのＺ方向における集光位置が制御され得る。
波面調節器３７は、プリパルスレーザ光３１ｂの波面を調節してもよい。
波面調節器３７は、プリパルスレーザ光３１ｂの光路上であって、プリパルスレーザ装置３ｂとダイクロイックミラー３５１との間に設けられてもよい。特に、波面調節器３７は、図２４に示すように、高反射ミラー３４５とダイクロイックミラー３５１との間に設けられてもよい。
波面調節器３７は、凸レンズ３７１と、凹レンズ３７２と、ホルダ３７３と、ホルダ３７４と、１軸ステージ３７５とを含んでもよい。
ホルダ３７３は、凸レンズ３７１を保持してもよい。
ホルダ３７４は、凹レンズ３７２を保持してもよい。凹レンズ３７２を保持するホルダ３７４は、１軸ステージ３７５に設置されてもよい。
１軸ステージ３７５は、凹レンズ３７２に入射するプリパルスレーザ光３１ｂの光軸方向であるＹ方向に、ホルダ３７４を動かしてもよい。
１軸ステージ３７５は、シューティング制御部８１と接続されてもよい。１軸ステージ３７５は、シューティング制御部８１の制御信号に基づいてホルダ３７４を動かしてもよい。それにより、ホルダ３７３に保持された凸レンズ３７１と、ホルダ３７４に保持された凹レンズ３７２との距離が変更され得る。
凸レンズ３７１と凹レンズ３７２との距離が変更されることにより、凸レンズ３７１から出射するプリパルスレーザ光３１ｂの波面が調節され得る。プリパルスレーザ光３１ｂの波面が調節されることにより、プリパルスレーザ光３３ｂの波面が調節され得る。それにより、プラズマ生成領域２５において、プリパルスレーザ光３３ｂのＺ方向における集光位置が制御され得る。
図２４及び図２５に示すシューティング制御部８１は、２軸ステージ２２７に制御信号を出力して、レーザ光集光光学系２２ａの位置及び姿勢を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、チルトステージ３５３に制御信号を出力して、高反射ミラー３４２の位置及び姿勢を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、１軸ステージ３６５に制御信号を出力して、１軸ステージ３６５を含む波面調節器３６の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、１軸ステージ３７５に制御信号を出力して、１軸ステージ３７５を含む波面調節器３７の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、遅延回路８２を介してメインパルスレーザ装置３ａ及びプリパルスレーザ装置３ｂと接続されてもよい。
シューティング制御部８１が遅延回路８２に設定する遅延時間Ｔｄｌであって、メインパルスレーザ装置３ａに出力されるトリガ信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｌを、「遅延時間Ｔｄｌｍ」ともいう。
シューティング制御部８１が遅延回路８２に設定する遅延時間Ｔｄｌであって、プリパルスレーザ装置３ｂに出力されるトリガ信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｌを、「遅延時間Ｔｄｌｐ」ともいう。
シューティング制御部８１及び遅延回路８２のその他の構成は、図１３に示したシューティング制御部８１及び遅延回路８２の構成と同一であてもよい。
図２６Ａ〜図２６Ｄは、メインパルスレーザ光３３ａ又はプリパルスレーザ光３３ｂの照射に伴ってドロップレット２７１の形態が変化する様子を示す図である。
図２６Ａは、プリパルスレーザ光３３ｂがドロップレット２７１を照射する直前の様子を示す図である。
図２６Ａの場合、メインパルスレーザ光３３ａ及びプリパルスレーザ光３３ｂが照射される前であるため、ドロップレット２７１はそのままの形態であり得る。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置を、ドロップレット２７１の中心位置に略一致させてもよい。
集光されたプリパルスレーザ光３３ｂのビーム径は、ドロップレット２７１の直径以上であってもよい。ドロップレット２７１の直径は、例えば２０μｍ程度であってもよい。集光されたプリパルスレーザ光３３ｂのビーム径は、例えば２０μｍ〜７０μｍ程度であってもよい。
図２６Ｂは、プリパルスレーザ光３３ｂがドロップレット２７１を照射した直後の様子を示す図である。
図２６Ｂの場合、プリパルスレーザ光３３ｂの照射によって、ドロップレット２７１のパルスレーザ光照射側の表面からアブレーションされ得る。アブレーションの反作用により、ドロップレット２７１には、プリパルスレーザ光３３ｂの照射方向であるＺ方向への推進力が働き得る。
図２６Ｃは、メインパルスレーザ光３３ａが２次ターゲット２７１ａを照射する直前の様子を示す図である。
図２６Ｃの場合、アブレーションの反作用によってドロップレット２７１は、２次ターゲット２７１ａとなって拡散し得る。
２次ターゲット２７１ａは、１つのドロップレット２７１から生成された複数のターゲット２７の微粒子の集合体であってもよい。２次ターゲット２７１ａの中心位置は、当該微粒子の空間分布における中心位置であってもよい。２次ターゲット２７１ａの形状は、略円盤形状に形成されてもよい。２次ターゲット２７１ａのＺ方向に平行な断面の形状は、略楕円形状に形成させてもよい。
プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置がドロップレット２７１の中心位置と一致する場合、プリパルスレーザ光３３ｂは、ドロップレット２７１の−Ｚ側表面の中央から照射し始め得る。このため、プリパルスレーザ光３３ｂが照射されたドロップレット２７１は、アブレーションの結果、複数のターゲット２７の微粒子となり、中心軸方向がＺ方向に略平行な略円盤形状に拡散し得る。すなわち、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置がドロップレット２７１の中心位置と一致する場合、２次ターゲット２７１ａは、その中心軸方向がＺ方向に略平行である略円盤形状に形成され得る。
また、２次ターゲット２７１ａは、ターゲット進行経路２７２を進行中であるドロップレット２７１から生成した物であるため、ドロップレット２７１が保持していたＹ方向へ進行しようとする慣性力を保存し得る。よって、２次ターゲット２７１ａには、アブレーションによるＺ方向への推進力と、Ｙ方向への慣性力とが働き得る。このため、２次ターゲット２７１ａの中心は、ドロップレット２７１の中心からＺ方向及びＹ方向に移動し得る。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置を、移動した２次ターゲット２７１ａの中心位置に略一致させてもよい。
集光されたメインパルスレーザ光３３ａのビーム径は、２次ターゲット２７１ａの直径と同等或いはそれ以上であってもよい。２次ターゲット２７１ａの直径は、例えば３００μｍ〜４００μｍ程度であってもよい。集光されたメインパルスレーザ光３３ａのビーム径も、例えば３００μｍ〜４００μｍ程度であってもよい。
図２６Ｄは、メインパルスレーザ光３３ａが２次ターゲット２７１ａを照射した直後の様子を示す図である。
図２６Ｄの場合、メインパルスレーザ光３３ａの照射によって、２次ターゲット２７１ａはプラズマ化してプラズマ光を放射し得る。
プラズマ光の中心は、図１５Ｂの説明と同様に、２次ターゲット２７１ａのパルスレーザ光照射側の表面又はその付近に位置し得る。よって、プラズマ光の中心は、２次ターゲット２７１ａの中心から−Ｚ方向にずれ得る。
なお、プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の中心位置に関する計測値を、「ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）」ともいう。
メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの中心位置に関する計測値を、「２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）」ともいう。
メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の中心位置に関する計測値を、「プラズマ光の計測位置Ｃｐｍ（Ｘｐｍ、Ｙｐｍ、Ｚｐｍ）」ともいう。
シューティング制御部８１は、Ｃｄ、Ｃｓ、及びＣｐｍの相対的な位置関係を予め記憶していてもよい。
［７．２ 動作］
図２７〜図４１を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの動作について説明する。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの動作において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１、第１実施形態に係る画像計測システム、及び第２実施形態に係るシューティングシステムと同一の動作については、説明を省略する。
まず、図２７〜図２９を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの画像計測に係るタイミング制御について説明する。
図２７は、図２５に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図２７に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘｃを設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘｃは、ドロップレット２７１を撮像するのに必要十分な時間であってもよい。シャッタ開時間Ｔｅｘｃは、上述したシャッタ開時間Ｔｅｘａと同じであってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓｃを設定してもよい。
プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の画像を撮像する場合、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングは、次のように規定してもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｃとシャッタ開時間Ｔｅｘｃとの合計値「Ｔｄｓｃ＋Ｔｅｘｃ」は、プリパルスレーザ光３３ｂの照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌｐ＋時間α１」と同じか小さい値であってもよい。
遅延時間Ｔｄｓｃは、次式から算出してもよい。
Ｔｄｓｃ＝（ｄ／ｖ）−Ｔｅｘｃ
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、図６及び図７の場合と同様に、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力されるドロップレット検出信号に基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図２７に示すように、シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図２７に示すように、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図２７に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓｃだけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図２７に示すように、ワンショット回路８３６は、イネーブル信号が入力されると、露光時間Ｔｒのパルス幅を有するイメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａに出力してもよい。
イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、イメージセンサ露光信号が入力されてから露光時間Ｔｒが経過するまで、露光し得る。
そして図２７に示すように、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐだけ遅延して、プリパルスレーザ装置３ｂにトリガ信号を出力してもよい。
プリパルスレーザ装置３ｂは、トリガ信号が入力されるとα１時間経過後に、プリパルスレーザ光３３ｂをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
また、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３ａにトリガ信号を出力してもよい。
メインパルスレーザ装置３ａは、トリガ信号が入力されるとα２時間経過後に、メインパルスレーザ光３３ａをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
そして図２７に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｃのパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄ並びにＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄに入力される信号は、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃが経過するまで、開かれ得る。
そして図２７に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、ワンショット回路８３５の出力信号及びゲート信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｃのパルス幅を有する点灯信号を光源４２１ａ及び光源４３１ａに出力してもよい。
ゲート信号は、ワンショット回路８３５が出力信号をＡＮＤ回路８３２に出力する前に、シューティング制御部８１からＡＮＤ回路８３２に出力されていてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、点灯信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃが経過するまで、パルス光を点灯し得る。
そして図２７に示すように、プラズマ光は、シャッタ開時間Ｔｅｘｃが経過した後に放射され得る。
プラズマ光は、メインパルスレーザ光３３ａが２次ターゲット２７１ａを照射する際に放射され得る。更に、プラズマ光は、プリパルスレーザ光３３ｂがドロップレット２７１を照射する際にも低強度ではあるが放射され得る。この低強度のプラズマ光が放射されるタイミングも、シャッタ開時間Ｔｅｘｃが経過した直後であり得る。
撮像部４２２及び撮像部４３２は、プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の画像を撮像し得る。
そして図２７に示すように、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データ１及び画像データ２を生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の画像データ１及び画像データ２を取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、当該ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）を計算し得る。
プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の画像は、例えば図２７に示すような画像であり得る。
図２８は、図２５に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前のドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図２８に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘｄを設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘｄは、２次ターゲット２７１ａを撮像するのに必要十分な時間であってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓｄを設定してもよい。
メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像を撮像する場合、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングは、次のように規定してもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｄとシャッタ開時間Ｔｅｘｄとの合計値「Ｔｄｓｄ＋Ｔｅｘｄ」は、メインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌｍ＋時間α２」と同じか小さい値であってもよい。
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、図２７の場合と同様に、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力されるドロップレット検出信号に基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図２８に示すように、シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図２８に示すように、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図２８に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓｄだけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図２８に示すように、ワンショット回路８３６は、イネーブル信号が入力されると、露光時間Ｔｒのパルス幅を有するイメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａに出力してもよい。
イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、イメージセンサ露光信号が入力されてから露光時間Ｔｒが経過するまで、露光し得る。
そして図２８に示すように、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐだけ遅延して、プリパルスレーザ装置３ｂにトリガ信号を出力してもよい。
プリパルスレーザ装置３ｂは、トリガ信号が入力されるとα１時間経過後に、プリパルスレーザ光３３ｂをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
また、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３ａにトリガ信号を出力してもよい。
メインパルスレーザ装置３ａは、トリガ信号が入力されるとα２時間経過後に、メインパルスレーザ光３３ａをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
そして図２８に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｄのパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄ並びにＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄに入力される信号は、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｄが経過するまで、開かれ得る。
そして図２８に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、ワンショット回路８３５の出力信号及びゲート信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｄのパルス幅を有する点灯信号を光源４２１ａ及び光源４３１ａに出力してもよい。
ゲート信号は、ワンショット回路８３５が出力信号をＡＮＤ回路８３２に出力する前に、シューティング制御部８１からＡＮＤ回路８３２に出力されていてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、点灯信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｄが経過するまで、パルス光を点灯し得る。
そして図２８に示すように、メインパルスレーザ光３３ａが照射された２次ターゲット２７１ａから放射されるプラズマ光は、シャッタ開時間Ｔｅｘｄが経過した後に放射され得る。
撮像部４２２及び撮像部４３２は、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像を撮像し得る。
そして図２８に示すように、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データ１及び画像データ２を生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像データ１及び画像データ２を取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、当該２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）を計算し得る。
メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像は、例えば図２８に示すような画像であり得る。
図２９は、図２５に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図２９に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘｅを設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘｅは、プラズマ光を撮像するのに必要十分な時間であってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓｅを設定してもよい。
メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の画像を撮像する場合、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングは、次のように規定してもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｅとシャッタ開時間Ｔｅｘｅとの合計値「Ｔｄｓｅ＋Ｔｅｘｅ」は、メインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌｍ＋時間α２」と同じか大きい値であってもよい。
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、図２７及び図２８の場合と同様に、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力されるドロップレット検出信号に基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図２９に示すように、シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図２９に示すように、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図２９に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓｅだけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図２９に示すように、ワンショット回路８３６は、イネーブル信号が入力されると、露光時間Ｔｒのパルス幅を有するイメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａに出力してもよい。
イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、イメージセンサ露光信号が入力されてから露光時間Ｔｒが経過するまで、露光し得る。
そして図２９に示すように、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐだけ遅延して、プリパルスレーザ装置３ｂにトリガ信号を出力してもよい。
プリパルスレーザ装置３ｂは、トリガ信号が入力されるとα１時間経過後に、プリパルスレーザ光３３ｂをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
また、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３ａにトリガ信号を出力してもよい。
メインパルスレーザ装置３ａは、トリガ信号が入力されるとα２時間経過後に、メインパルスレーザ光３３ａをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
そして図２９に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｅのパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄ並びにＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄに入力される信号は、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｅが経過するまで、開かれ得る。
そして図２９に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、点灯信号を光源４２１ａ及び光源４３１ａに出力しなくてもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の画像を撮像する場合には、ゲート信号をＡＮＤ回路８３２に出力しなくてもよい。
そして図２９に示すように、プラズマ光は、シャッタ開時間Ｔｅｘｅの間に放射され得る。
撮像部４２２及び撮像部４３２は、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の画像を撮像し得る。
そして図２９に示すように、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データ１及び画像データ２を生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の画像データ１及び画像データ２を取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、当該プラズマ光の計測位置Ｃｐｍ（Ｘｐｍ、Ｙｐｍ、Ｚｐｍ）を計算し得る。
メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の画像は、例えば図２９に示すような画像であり得る。
次に、図３０〜図４１を用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムのシューティング制御処理について説明する。
図３０は、図２５に示したシューティング制御部８１のシューティング制御処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４１において、シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５を介して露光装置制御部６１にＮＧ信号を出力してもよい。
ステップＳ４２において、シューティング制御部８１は、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）を読み込んでもよい。
プラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の中心位置に関する目標値であってもよい。
シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５に記憶されるプラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）を読み込んでもよい。
ステップＳ４３において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔと２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔとを計算してもよい。
２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ（Ｘｓｔ、Ｙｓｔ、Ｚｓｔ）は、プラズマ生成領域２５において生成された２次ターゲット２７１ａの中心位置に関する目標値であってもよい。
特に、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ（Ｘｓｔ、Ｙｓｔ、Ｚｓｔ）は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの中心位置に関する目標値であってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４２で読み込んだプラズマ光の目標位置Ｐｐｔに基づいて、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及び２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔを計算してもよい。
なお、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及び２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔを計算する処理については、図３１Ａを用いて後述する。
ステップＳ４４において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとメインパルスレーザ光３３ａ及びプリパルスレーザ光３３ｂの目標集光位置とをセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４３で計算したドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔにドロップレット２７１が供給されるよう、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌ並びに２軸ステージ７４をセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４３で計算したドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔにプリパルスレーザ光３３ｂが集光するよう、２軸ステージ２２７及び波面調節器３７をセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４３で計算した２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔにメインパルスレーザ光３３ａが集光するよう、チルトステージ３５３及び波面調節器３６をセットしてもよい。
なお、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとメインパルスレーザ光３３ａ及びプリパルスレーザ光３３ｂの目標集光位置とをセットする処理については、図３２を用いて後述する。
ステップＳ４５において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１が出力中であれば、ステップＳ４６に移行してもよい。
ステップＳ４６において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の位置を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でプリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１について、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得した画像データに基づいて、ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算したドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）に基づいて、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを適宜修正して設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。
なお、ドロップレット２７１の位置を制御する処理については、図３３を用いて後述する。
ステップＳ４７において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の位置が許容範囲内であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４６で制御後のドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）が、次式を全て満たすか否かを判定してもよい。
｜Ｘｄ−Ｘｄｔ｜≦ΔＸｄｍａｘ
｜Ｙｄ−Ｙｄｔ｜≦ΔＹｄｍａｘ
｜Ｚｄ−Ｚｄｔ｜≦ΔＺｄｍａｘ
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の位置が許容範囲内でなければ、ステップＳ４５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の位置が許容範囲内であれば、ステップＳ４８に移行してもよい。
ステップＳ４８において、シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂが出力中であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、トリガ信号がプリパルスレーザ装置３ｂに入力されているか否かを確認することによって、当該判定を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂが出力中でなければ、ステップＳ４５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂが出力中であれば、ステップＳ４９に移行してもよい。
ステップＳ４９において、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの位置を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａについて、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得した画像データに基づいて、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算した２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）に基づいて、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを適宜修正して設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、計算した２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）に基づいて、２軸ステージ２２７及び波面調節器３７の動作を制御してもよい。
なお、２次ターゲット２７１ａの位置を制御する処理については、図３５を用いて後述する。
ステップＳ５０において、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの位置が許容範囲内であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９で制御後の２次ターゲット２７１ａ計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）が、次式を全て満たすか否かを判定してもよい。
｜Ｘｓ−Ｘｓｔ｜≦ΔＸｓｍａｘ
｜Ｙｓ−Ｙｓｔ｜≦ΔＹｓｍａｘ
｜Ｚｓ−Ｚｓｔ｜≦ΔＺｓｍａｘ
右辺のΔＸｓｍａｘ、ΔＹｓｍａｘ、及びΔＺｓｍａｘは、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔに対する計測位置Ｃｓのばらつきにおける許容範囲を定める各座標の閾値であってもよい。ΔＸｓｍａｘ、ΔＹｓｍａｘ、及びΔＺｓｍａｘは、プラズマ光が効率的に生成され得るよう予め定められた値であってもよい。
シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの位置が許容範囲内でなければ、ステップＳ４５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの位置が許容範囲内であれば、ステップＳ５１に移行してもよい。
ステップＳ５１において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが出力中であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、トリガ信号がメインパルスレーザ装置３ａに入力されているか否かを確認することによって、当該判定を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが出力中でなければ、ステップＳ４５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが出力中であれば、ステップＳ５２に移行してもよい。
ステップＳ５２において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光について、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得した画像データに基づいて、プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算したプラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）に基づいて、チルトステージ３５３及び波面調節器３６の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、計算したプラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）に基づいて、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを適宜修正して設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、計算したプラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）に基づいて、２軸ステージ２２７及び波面調節器３７の動作を制御してもよい。
なお、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置を制御する処理については、図３９を用いて後述する。
ステップＳ５３において、シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２で制御後のメインパルスレーザ光３３ａの集光位置によって、プラズマ光の計測位置Ｃｐ（Ｘｐ、Ｙｐ、Ｚｐ）が、次式を全て満たすか否かを判定してもよい。
｜Ｘｐ−Ｘｐｔ｜≦ΔＸｐｍａｘ
｜Ｙｐ−Ｙｐｔ｜≦ΔＹｐｍａｘ
｜Ｚｐ−Ｚｐｔ｜≦ΔＺｐｍａｘ
シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内であれば、ステップＳ５５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内でなければ、ステップＳ５４に移行してもよい。
ステップＳ５４において、シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５を介して露光装置制御部６１にＮＧ信号を出力してもよい。
シューティング制御部８１は、ＮＧ信号を出力した後、ステップＳ４５に移行してもよい。
ステップＳ５５において、シューティング制御部８１は、ＥＵＶ光生成制御部５を介して露光装置制御部６１にＯＫ信号を出力してもよい。
ステップＳ５６において、シューティング制御部８１は、シューティング制御処理を中止するか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、シューティング制御処理を中止しないのであれば、ステップＳ４５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、シューティング制御処理を中止するのであれば、本処理を終了してもよい。
図３１Ａは、図３０のステップＳ４３におけるドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及び２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔを計算する処理を示すフローチャートである。
図３１Ｂは、図３１Ａの処理を説明するための図である。
ステップＳ４３１において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）のそれぞれの座標を計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図３０のステップＳ４２で読み込んだプラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）に基づいて、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）を次式から計算してもよい。
Ｘｄｔ＝Ｘｐｔ
Ｙｄｔ＝Ｙｐｔ−Ｙｄｐ
Ｚｄｔ＝Ｚｐｔ−Ｚｄｐ
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置ＰｄｔのＸ座標成分Ｘｄｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＸ座標成分Ｘｐｔと同一座標にしてもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置ＰｄｔのＹ座標成分Ｙｄｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＹ座標成分Ｙｐｔから−Ｙ方向にＹｄｐだけずらした座標にしてもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置ＰｄｔのＺ座標成分Ｚｄｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＺ座標成分Ｚｐｔから−Ｚ方向にＺｄｐだけずらした座標にしてもよい。
ステップＳ４３２において、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ（Ｘｓｔ、Ｙｓｔ、Ｚｓｔ）のそれぞれの座標を計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図３０のステップＳ４２で読み込んだプラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）に基づいて、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ（Ｘｓｔ、Ｙｓｔ、Ｚｓｔ）を次式から計算してもよい。
Ｘｓｔ＝Ｘｐｔ
Ｙｓｔ＝Ｙｐｔ
Ｚｓｔ＝Ｚｐｔ＋Ｚｓｐ
シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの目標位置ＰｓｔのＸ座標成分Ｘｓｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＸ座標成分Ｘｐｔと同一座標にしてもよい。
シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの目標位置ＰｓｔのＹ座標成分Ｙｓｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＹ座標成分Ｙｐｔと同一座標にしてもよい。
シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの目標位置ＰｓｔのＺ座標成分Ｚｓｔを、プラズマ光の目標位置ＰｐｔのＺ座標成分Ｚｐｔから＋Ｚ方向にＺｓｐだけずらした座標にしてもよい。
プラズマ光の目標位置Ｐｐｔでプラズマ光を放射させるためには、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ及びメインパルスレーザ光３３ａの目標集光位置を、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔと略一致させてもよい。
しかしながら、図１５Ｂ及び図２６Ｄの説明と同様に、プラズマ光の中心は、２次ターゲット２７１ａの中心から−Ｚ方向にずれ得る。これは、メインパルスレーザ光３３ａが２次ターゲット２７１ａの−Ｚ方向側の表面から照射し始め、当該表面又はその付近がプラズマ光の中心となるからであり得る。２次ターゲット２７１ａの中心に対するプラズマ光の中心の−Ｚ方向へのずれ量をＺｓｐとする。
よって、図３１Ｂに示すように、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ及びメインパルスレーザ光３３ａの目標集光位置を、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔから＋Ｚ方向にＺｓｐだけずらした座標に設定してもよい。
また、図２６Ｃを用いて説明したように、２次ターゲット２７１ａの中心は、ドロップレット２７１の中心からＺ方向及びＹ方向に移動し得る。これは、プリパルスレーザ光３３ｂが照射されたドロップレット２７１には、アブレーションによるＺ方向への推進力と、ドロップレット２７１が保持していたＹ方向への慣性力とが働くからであり得る。ドロップレット２７１の中心に対する２次ターゲット２７１ａのＺ方向への移動量を、Ｚｓｐ＋Ｚｄｐとする。ドロップレット２７１の中心に対する２次ターゲット２７１ａのＹ方向への移動量を、Ｙｄｐとする。
よって、図３１Ｂに示すように、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及びプリパルスレーザ光３３ｂの目標集光位置を、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔから−Ｚ方向にＺｄｐだけずらし、−Ｙ方向にＹｄｐだけずらした座標にしてもよい。
図３２は、図３０のステップＳ４４におけるドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ及びプリパルスレーザ光３３ｂ及びメインパルスレーザ光３３ａの目標集光位置をセットする処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４４１において、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＸ方向及びＺ方向における位置がドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとなるよう、２軸ステージ７４をセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６のＸ方向及びＺ方向への移動量を含めた制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
ステップＳ４４２において、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＹ方向における位置がドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔとなるよう、遅延時間Ｔｄｓをセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の画像計測を行う場合に用いる遅延時間ＴｄｓをＴｄｓｃとし、これを遅延回路８３３に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像計測を行う場合に用いる遅延時間ＴｄｓをＴｄｓｄとし、これを遅延回路８３３に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の画像計測を行う場合に用いる遅延時間ＴｄｓをＴｄｓｅとし、これを遅延回路８３３に設定してもよい。
ステップＳ４４３において、シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ装置３ｂ及びメインパルスレーザ装置３ａへのトリガ信号に与える遅延時間Ｔｄｌをセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ装置３ｂへのトリガ信号に与える遅延時間ＴｄｌをＴｄｌｐとし、これを遅延回路８２に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ装置３ａへのトリガ信号に与える遅延時間ＴｄｌをＴｄｌｍとし、これを遅延回路８２に設定してもよい。
ステップＳ４４４において、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置をドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）にセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂのＸ方向及びＹ方向における集光位置がドロップレット２７１の目標位置ＰｄｔのＸｄｔ及びＹｄｔとなるよう、２軸ステージ２２７の動作を制御してもよい。シューティング制御部８１は、レーザ光集光光学系２２ａのＸ方向及びＹ方向における移動量を含めた制御信号を、２軸ステージ２２７に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂのＺ方向における集光位置がドロップレット２７１の目標位置ＰｄｔのＺｄｔとなるよう、波面調節器３７の動作を制御してもよい。シューティング制御部８１は、凹レンズ３７２を保持するホルダ３７４の移動量を含めた制御信号を、１軸ステージ３７５に出力してもよい。
ステップＳ４４５において、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのメインパルスレーザ光３３ａの集光位置を２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ（Ｘｓｔ、Ｙｓｔ、Ｚｓｔ）にセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａのＸ方向及びＹ方向における集光位置が２次ターゲット２７１ａの目標位置ＰｓｔのＸｓｔ及びＹｓｔとなるよう、チルトステージ３５３の動作を制御してもよい。シューティング制御部８１は、ビームコンバイナ３５に含まれる高反射ミラー３４２のＸ方向及びＹ方向における移動量及び回転量を含めた制御信号を、チルトステージ３５３に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａのＺ方向における集光位置が２次ターゲット２７１ａの目標位置ＰｓｔのＺｓｔとなるよう、波面調節器３６の動作を制御してもよい。シューティング制御部８１は、凹レンズ３６２を保持するホルダ３６４の移動量を含めた制御信号を、１軸ステージ３６５に出力してもよい。
図３３は、図３０のステップＳ４６におけるドロップレット２７１の位置制御に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４６１において、シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１について、画像計測を行ってもよい。
なお、ドロップレット２７１の画像計測に係る処理については、図３４を用いて後述する。
ステップＳ４６２において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔと計測位置Ｃｄとの差分をそれぞれの座標で計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図３０のステップＳ４４でセットした目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）と、ステップＳ４６１で計測した計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）との差分を、座標ごとに次式から計算してもよい。
ΔＸｄ＝Ｘｄｔ−Ｘｄ
ΔＹｄ＝Ｙｄｔ−Ｙｄ
ΔＺｄ＝Ｚｄｔ−Ｚｄ
ステップＳ４６３において、シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６をＸ方向及びＺ方向にそれぞれ移動させるための制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＸ方向及びＺ方向における位置制御を、２軸ステージ７４の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４６２で計算したΔＸｄを、ターゲット供給部２６のＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ４６２で計算したΔＺｄをターゲット供給部２６のＺ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｄ及びΔＺｄを含めた当該制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
ステップＳ４６４において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１がΔＹｄ移動するのに必要な時間ΔＴｙｄを計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４６２で計算したΔＹｄを用いて、ΔＴｙｄを次式から計算してもよい。
ΔＴｙｄ＝ΔＹｄ／ｖ
右辺のｖは、ドロップレット２７１の進行速度であり得る。
ステップＳ４６５において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを修正してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＹ方向における位置制御を、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを設定することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４６４で計算したΔＴｙｄを用いて、修正後の遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを次式から計算してもよい。
Ｔｄｓｃ＝Ｔｄｓｃ＋ΔＴｙｄ
Ｔｄｓｄ＝Ｔｄｓｄ＋ΔＴｙｄ
シューティング制御部８１は、修正後の遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを遅延回路８３３に設定してもよい。
ステップＳ４６６において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを修正してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４６４で計算したΔＴｙｄを用いて、修正後の遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを次式から計算してもよい。
Ｔｄｌｐ＝Ｔｄｌｐ＋ΔＴｙｄ
Ｔｄｌｍ＝Ｔｄｌｍ＋ΔＴｙｄ
シューティング制御部８１は、修正後の遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを遅延回路８２に設定してもよい。
ステップＳ４６７において、シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１について、画像計測を行ってもよい。
なお、ドロップレット２７１の画像計測に係る処理については、図３４を用いて後述する。
図３４は、図３３のステップＳ４６１及びステップＳ４６７におけるドロップレット２７１の画像計測に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４６１１において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓを遅延回路８３３に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングをプリパルスレーザ光３３ｂの照射タイミングの直前に設定するために、遅延時間ＴｄｓをＴｄｓｃに設定してもよい。
ステップＳ４６１２において、シューティング制御部８１は、シャッタ開時間Ｔｅｘをワンショット回路８３５に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａがドロップレット２７１を撮像するのに必要十分な時間を確保するために、シャッタ開時間ＴｅｘをＴｅｘｃに設定してもよい。
ステップＳ４６１３において、シューティング制御部８１は、ＡＮＤ回路８３２に入力されるゲート信号をＯＮにしてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、撮像タイミングに合わせてパルス光を点灯し得る。
ステップＳ４６１４において、シューティング制御部８１は、画像計測信号をＡＮＤ回路８３１出力してもよい。
画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像領域２５ａを撮像し得る。撮像した画像には、プラズマ生成領域２５でプリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の画像が含まれ得る。画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像した画像の画像データを生成してシューティング制御部８１に出力し得る。
ステップＳ４６１５において、シューティング制御部８１は、画像データ１及び画像データ２を取得可能であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態になく、画像データ１及び画像データ２を取得可能でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態にあり、画像データ１及び画像データ２を取得可能であれば、ステップＳ４６１６に移行してもよい。
ステップＳ４６１６において、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３から出力された画像データ１及び画像データ２を取得してもよい。
ステップＳ４６１７において、シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、プリパルスレーザ光３３ｂが照射される直前のドロップレット２７１の位置を計算してもよい。
なお、ドロップレット２７１の位置を計算する処理については、図１９と同様の処理を行ってもよいため、説明を省略する。
図３５は、図３０のステップＳ４９における２次ターゲット２７１ａの位置制御に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４９１において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａについて、画像計測を行ってもよい。
なお、２次ターゲット２７１ａの画像計測に係る処理については、図３６を用いて後述する。
ステップＳ４９２において、シューティング制御部８１は、レーザ光集光光学系２２ａをＸ方向及びＹ方向にそれぞれ移動させるための制御信号を２軸ステージ２２７に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置のＸ方向及びＹ方向における位置制御を、２軸ステージ２２７の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９１で計算したΔＸｓｄ’を定数Ｋｘ２で除算したΔＸｓｄ’／Ｋｘ２を、レーザ光集光光学系２２ａのＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ４９１で計算したΔＹｓｄ’を定数Ｋｙ２で除算したΔＹｓｄ’／Ｋｙ２を、レーザ光集光光学系２２ａのＹ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｓｄ’／Ｋｘ２及びΔＹｓｄ’／Ｋｙ２を含めた当該制御信号を２軸ステージ２２７に出力してもよい。
レーザ光集光光学系２２ａの移動量として、ΔＸｓｄ’／Ｋｘ２及びΔＹｓｄ’／Ｋｙ２を用いることで、レーザ光集光光学系２２ａを高精度に移動させ得る。なお、定数Ｋｘ２及び定数Ｋｙ２は、レーザ光集光光学系２２ａの光学的なパラメータを反映した定数であってもよい。
ΔＸｓｄ’及びΔＹｓｄ’は、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓと「ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’」とのＸ方向及びＹ方向における差分であってもよい。
ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’（Ｘｄ’、Ｙｄ’、Ｚｄ’）は、プリパルスレーザ光３３ｂが仮に照射されなかった場合におけるドロップレット２７１の仮想的な位置であってもよい。
特に、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’（Ｘｄ’、Ｙｄ’、Ｚｄ’）は、プリパルスレーザ光３３ｂが仮に照射されなかった場合における、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前のタイミングでのドロップレット２７１の仮想的な位置であってもよい。
シューティング制御部８１は、ΔＸｓｄ’及びΔＹｓｄ’に基づいてプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置を制御することにより、２次ターゲット２７１ａの位置を効率的なプラズマ光の生成が可能な位置に制御し得る。
なお、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’並びにΔＸｓｄ’及びΔＹｓｄ’の詳細については、図３８を用いて後述する。
ステップＳ４９３において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａについて、画像計測を行ってもよい。
なお、２次ターゲット２７１ａの画像計測に係る処理については、図３６を用いて後述する。
ステップＳ４９４において、シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂのＸ方向及びＹ方向における集光位置が許容範囲内であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの位置が許容範囲内であれば、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置が許容範囲であるとみなしてもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９２で制御後のプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置によって、ΔＸｓｄ’及びΔＹｓｄ’が、次式を全て満たすか否かを判定してもよい。
｜ΔＸｓｄ’｜≦ΔＸｓｄ’ｍａｘ
｜ΔＹｓｄ’｜≦ΔＹｓｄ’ｍａｘ
右辺のΔＸｓｄ’ｍａｘ及びΔＹｓｄ’ｍａｘは、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓとドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’との差の許容範囲を定める各座標の閾値であってもよい。ΔＸｓｄ’ｍａｘ及びΔＹｓｄ’ｍａｘは、プラズマ光が効率的に生成され得るよう予め定められた値であってもよい。
シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの位置が許容範囲内であれば、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置が許容範囲内であるとみなして、ステップＳ４９５に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの位置が許容範囲内でなければ、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置が許容範囲内でないとみなして、本処理を終了してもよい。
ステップＳ４９５において、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔと計測位置Ｃｓとの差分をそれぞれの座標で計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図３０のステップＳ４４でセットした目標位置Ｐｓｔ（Ｘｓｔ、Ｙｓｔ、Ｚｓｔ）と、ステップＳ４９３で計測した計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）との差分を、座標ごとに次式から計算してもよい。
ΔＸｓ＝Ｘｓｔ−Ｘｓ
ΔＹｓ＝Ｙｓｔ−Ｙｓ
ΔＺｓ＝Ｚｓｔ−Ｚｓ
ステップＳ４９６において、シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６をＸ方向及びＺ方向にそれぞれ移動させるための制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＸ方向及びＺ方向における位置制御を、２軸ステージ７４の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９５で計算したΔＸｓを、ターゲット供給部２６のＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ４９５で計算したΔＺｓをターゲット供給部２６のＺ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｓ及びΔＺｓを含めた当該制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
ステップＳ４９７において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１がΔＹｓ移動するのに必要な時間ΔＴｙｓを計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９５で計算したΔＹｓを用いて、ΔＴｙｓを次式から計算してもよい。
ΔＴｙｓ＝ΔＹｓ／ｖ
右辺のｖは、ドロップレット２７１の進行速度であり得る。
ステップＳ４９８において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを修正してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＹ方向における位置制御を、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを設定することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９７で計算したΔＴｙｓを用いて、修正後の遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを次式から計算してもよい。
Ｔｄｓｃ＝Ｔｄｓｃ＋ΔＴｙｓ
Ｔｄｓｄ＝Ｔｄｓｄ＋ΔＴｙｓ
シューティング制御部８１は、修正後の遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを遅延回路８３３に設定してもよい。
ステップＳ４９９において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを修正してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９７で計算したΔＴｙｓを用いて、修正後の遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを次式から計算してもよい。
Ｔｄｌｐ＝Ｔｄｌｐ＋ΔＴｙｓ
Ｔｄｌｍ＝Ｔｄｌｍ＋ΔＴｙｓ
シューティング制御部８１は、修正後の遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを遅延回路８２に設定してもよい。
ステップＳ５００において、シューティング制御部８１は、レーザ光集光光学系２２ａをＸ方向及びＹ方向にそれぞれ移動させるための制御信号を２軸ステージ２２７に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置のＸ方向及びＹ方向における位置制御を、２軸ステージ２２７の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９５で計算したΔＸｓをレーザ光集光光学系２２ａのＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ４９５で計算したΔＹｓをレーザ光集光光学系２２ａのＹ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｓ及びΔＹｓを含めた当該制御信号を２軸ステージ２２７に出力してもよい。
ステップＳ５０１において、シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置をＺ方向にΔＺｓ移動させるよう、波面調節器３７の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置のＺ方向における位置制御を、波面調節器３７の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置の移動量であるΔＺｓを、波面調節器３７の凹レンズ３７２を保持するホルダ３７４の移動量に換算してもよい。シューティング制御部８１は、当該ホルダ３７４の移動量を含めた当該制御信号を１軸ステージ３７５に出力してもよい。
ステップＳ５０２において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａについて、画像計測を行ってもよい。
なお、２次ターゲット２７１ａの画像計測に係る処理については、図３６を用いて後述する。
図３６は、図３５のステップＳ４９１、ステップＳ４９３、及びステップＳ５０２における２次ターゲット２７１ａの画像計測に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４９１１において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓを遅延回路８３３に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングをメインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングの直前に設定するために、遅延時間ＴｄｓをＴｄｓｄに設定してもよい。
ステップＳ４９１２において、シューティング制御部８１は、シャッタ開時間Ｔｅｘをワンショット回路８３５に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａが２次ターゲット２７１ａを撮像するのに必要十分な時間を確保するために、シャッタ開時間ＴｅｘをＴｅｘｄに設定してもよい。
ステップＳ４９１３において、シューティング制御部８１は、ＡＮＤ回路８３２に入力されるゲート信号をＯＮにしてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、撮像タイミングに合わせてパルス光を点灯し得る。
ステップＳ４９１４において、シューティング制御部８１は、画像計測信号をＡＮＤ回路８３１出力してもよい。
画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像領域２５ａを撮像し得る。撮像した画像には、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像が含まれ得る。画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像した画像の画像データを生成してシューティング制御部８１に出力し得る。
ステップＳ４９１５において、シューティング制御部８１は、画像データ１及び画像データ２を取得可能であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態になく、画像データ１及び画像データ２を取得可能でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態にあり、画像データ１及び画像データ２を取得可能であれば、ステップＳ４９１６に移行してもよい。
ステップＳ４９１６において、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３から出力された画像データ１及び画像データ２を取得してもよい。
ステップＳ４９１７において、シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの位置を計算してもよい。更に、シューティング制御部８１は、図３５のステップＳ４９２等で用いるΔＸｓｄ’及びΔＹｓｄ’を計算してもよい。
なお、２次ターゲット２７１ａの位置を計算する処理については、図３７を用いて後述する。
図３７は、図３６のステップＳ４９１７における２次ターゲット２７１ａの位置を計算する処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４９１７−１において、シューティング制御部８１は、図３６のステップＳ４９１６で取得した画像データ１に含まれる２次ターゲット２７１ａの画像から当該２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｌｓ、Ｚｓ）を計算してもよい。
画像計測器４２は、ＬＺ平面の法線方向から２次ターゲット２７１ａの画像計測を行ってもよい。このため、画像データ１に基づいて計算可能な２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓの座標は、Ｌ座標成分のＬｓ及びＺ座標成分のＺｓであり得る。
ステップＳ４９１７−２において、シューティング制御部８１は、図３６のステップＳ４９１６で取得した画像データ２に含まれる２次ターゲット２７１ａの画像から当該２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｈｓ、Ｚｓ）を計算してもよい。
画像計測器４３は、ＨＺ平面の法線方向から２次ターゲット２７１ａの画像計測を行ってもよい。このため、画像データ２に基づいて計算可能な２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓの座標は、Ｈ座標成分のＨｓ及びＺ座標成分のＺｓであり得る。
ステップＳ４９１７−３において、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）を計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９１７−１で計算したＣｓ（Ｌｓ、Ｚｓ）及びステップＳ４９１７−２で計算したＣｓ（Ｈｓ、Ｚｓ）に対して座標変換を行い、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）を計算してもよい。
ステップＳ４９１７−４において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’（Ｘｄ’、Ｙｄ’、Ｚｄ’）を計算してもよい。
ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’（Ｘｄ’、Ｙｄ’、Ｚｄ’）は、プリパルスレーザ光３３ｂが仮に照射されなかった場合における、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前のタイミングでのドロップレット２７１の仮想的な位置であってもよい。
プリパルスレーザ光３３ｂが仮に照射されなかった場合、ドロップレット２７１の位置は、ドロップレット２７１の進行方向であるＹ方向では変化するが、Ｘ方向及びＺ方向では変化しないとみなし得る。この場合、ドロップレット２７１は、プリパルスレーザ光３３ｂの照射タイミングからメインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングまでの間に、進行速度ｖで＋Ｙ方向に移動するとみなし得る。
なお、プリパルスレーザ光３３ｂの照射タイミングからメインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングまでの時間を、Ｔｄｘともいう。
シューティング制御部８１は、図３４のステップＳ４６１７で計算したドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）に基づいて、仮想位置Ｃｄ’（Ｘｄ’、Ｙｄ’、Ｚｄ’）を、次式から計算してもよい。
Ｘｄ’＝Ｘｄ
Ｙｄ’＝Ｙｄ’＋ｖ・Ｔｄｘ
Ｚｄ’＝Ｚｄ
右辺のｖ・Ｔｄｘは、プリパルスレーザ光３３ｂの照射タイミングからメインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングまでの間に、ドロップレット２７１が進行する距離であってもよい。
ステップＳ４９１７−５において、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓと、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’とのＸ方向における差分ΔＸｓｄ’を計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９１７−３で計算した２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ及びステップＳ４９１７−４で計算したドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’を用いて、差分ΔＸｓｄ’を次式から計算してもよい。
ΔＸｓｄ’＝Ｘｓ−Ｘｄ’
ステップＳ４９１７−６において、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓと、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’とのＹ方向における差分ΔＹｓｄ’を計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ４９１７−５と同様に、差分ΔＹｓｄ’を次式から計算してもよい。
ΔＹｓｄ’＝Ｙｓ−Ｙｄ’
図３８Ａ〜図３８Ｃは、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置及びドロップレット２７１の位置と、２次ターゲット２７１ａの位置との関係を示す図である。
図３８Ａは、プリパルスレーザ光３３ｂの実際の集光位置とドロップレット２７１の計測位置Ｃｄとが一致した場合を示す図である。
図３８Ａの場合、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓは、図３１Ｂを用いて説明したように、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔと一致し得る。
この２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓは、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’を＋Ｚ方向に平行移動させた位置と一致し得る。すなわち、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’に対する２次ターゲット２７１ａの計測位置ＣｓのＹ方向における差分ΔＹｓｄ’は、ΔＹｓｄ’＝０となり得る。
そして、２次ターゲット２７１ａの中心軸方向は、Ｚ方向と略平行となり得る。図３８Ａの場合、プリパルスレーザ光３３ｂは、ドロップレット２７１の−Ｚ側表面の中央から照射し始め得る。このため、図２６Ｂを用いて説明したように、ドロップレット２７１は複数のターゲット２７の微粒子となって、中心軸方向がＺ方向に略平行な略円盤形状に拡散するからであり得る。
図３８Ｂは、プリパルスレーザ光３３ｂの実際の集光位置がドロップレット２７１の計測位置Ｃｄから−Ｙ方向にずれた場合を示す図である。
図３８Ｂの場合、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓは、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’を＋Ｚ方向に平行移動させた位置よりも＋Ｙ方向にずれ得る。すなわち、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’に対する２次ターゲット２７１ａの計測位置ＣｓのＹ方向における差分ΔＹｓｄ’は、ΔＹｓｄ’＞０となり得る。
そして、２次ターゲット２７１ａの中心軸方向は、Ｚ方向と略平行とはならず、＋Ｚ方向に対して＋Ｙ方向に傾き得る。図３８Ｂの場合、プリパルスレーザ光３３ｂは、ドロップレット２７１の−Ｚ側表面の中央に対して−Ｙ方向にずれた位置から照射し始め得る。このため、ドロップレット２７１は複数のターゲット２７の微粒子となって、中心軸方向が＋Ｚ方向に対して＋Ｙ方向に傾いた略円盤形状に拡散するからであり得る。
図３８Ｃは、プリパルスレーザ光３３ｂの実際の集光位置がドロップレット２７１の計測位置Ｃｄから＋Ｙ方向にずれた場合を示す図である。
図３８Ｃの場合、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓは、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’を＋Ｚ方向に平行移動させた位置よりも−Ｙ方向にずれ得る。すなわち、ドロップレット２７１の仮想位置Ｃｄ’に対する２次ターゲット２７１ａの計測位置ＣｓのＹ方向における差分ΔＹｓｄ’は、ΔＹｓｄ’＜０となり得る。
そして、２次ターゲット２７１ａの中心軸方向は、Ｚ方向と略平行とはならず、＋Ｚ方向に対して−Ｙ方向に傾き得る。図３８Ｃの場合、プリパルスレーザ光３３ｂは、ドロップレット２７１の−Ｚ側表面の中央に対して＋Ｙ方向にずれた位置から照射し始め得る。このため、ドロップレット２７１は複数のターゲット２７の微粒子となって、中心軸方向が＋Ｚ方向に対して−Ｙ方向に傾いた略円盤形状に拡散するからであり得る。
このように、プリパルスレーザ光３３ｂの実際の集光位置とドロップレット２７１の計測位置ＣｄとがＹ方向にずれた場合、２次ターゲット２７１ａの中心軸方向は、Ｚ方向と略平行とはならずにＹ方向に傾き得る。
この場合、メインパルスレーザ光３３ａが照射された２次ターゲット２７１ａの表面におけるメインパルスレーザ光３３ａの照射エネルギー分布は、２次ターゲット２７１ａの中心軸方向がＺ方向と略平行となる場合に比べて、不均一になり得る。このため、メインパルスレーザ光３３ａが照射された２次ターゲット２７１ａから放射されるプラズマ光は、２次ターゲット２７１ａの中心軸方向がＺ方向と略平行となる場合に比べて、光強度が低下し得ると共に不安定に生成され得る。
言い換えると、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの中心軸方向がＺ方向と略平行となるようプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置及びドロップレット２７１の計測位置Ｃｄを制御することで、光強度の高いプラズマ光を安定的に生成し得る。
すなわち、シューティング制御部８１は、ΔＹｓｄ’が０に近いほど、２次ターゲット２７１ａからプラズマ光を効率的に生成させ得る。
そのために、シューティング制御部８１は、図３７のステップＳ４９１７−６でΔＹｓｄ’を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、ΔＹｓｄ’を是正するために、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置を移動させるべく、図３５のステップＳ４９２のようにレーザ光集光光学系２２ａを移動させてもよい。
なお、図３８は、プリパルスレーザ光の実際の集光位置がドロップレット２７１の計測位置ＣｄからＹ方向にずれた場合を説明しているが、Ｘ方向にずれた場合も同様であり得る。
図３９Ａ及び図３９Ｂは、図３０のステップＳ５２におけるメインパルスレーザ光３３ａの集光位置制御に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ５２１において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光について、画像計測を行ってもよい。
なお、プラズマ光の画像計測に係る処理については、図４０を用いて後述する。
ステップＳ５２２において、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓと、プラズマ光の計測位置Ｃｐｍとの差分をそれぞれの座標で計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図３０のステップＳ４９で計測した計測位置Ｃｓ（Ｘｓ、Ｙｓ、Ｚｓ）と、ステップＳ５２１で計測した計測位置Ｃｐｍ（Ｘｐｍ、Ｙｐｍ、Ｚｐｍ）との差分を、座標ごとに次式から計算してもよい。
ΔＸｓｐｍ＝Ｘｓ−Ｘｐｍ
ΔＹｓｐｍ＝Ｙｓ−Ｙｐｍ
ステップＳ５２３において、シューティング制御部８１は、ビームコンバイナ３５の高反射ミラー３４２をＸ方向及びＹ方向にそれぞれ移動させるための制御信号をチルトステージ３５３に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのメインパルスレーザ光３３ａの集光位置のＸ方向及びＹ方向における位置制御を、チルトステージ３５３の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２２で計算したΔＸｓｐｍを定数Ｋｘ３で除算したΔＸｓｐｍ／Ｋｘ３を、高反射ミラー３４２のＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ５２２で計算したΔＹｓｐｍを定数Ｋｙ３で除算したΔＹｓｐｍ／Ｋｙ３を、高反射ミラー３４２のＹ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＹｓｐｍ／Ｋｘ３及びΔＹｓｐｍ／Ｋｙ３を含めた当該制御信号をチルトステージ３５３に出力してもよい。
高反射ミラー３４２の移動量として、ΔＸｓｐｍ／Ｋｘ３及びΔＹｓｐｍ／Ｋｙ３を用いることで、高反射ミラー３４２を高精度に移動させ得る。なお、定数Ｋｘ３及び定数Ｋｙ３は、レーザ光集光光学系２２ａの光学的なパラメータを反映した定数であってもよい。
メインパルスレーザ光３３ａの集光位置及び２次ターゲット２７１ａの位置と、プラズマ光の位置との関係については、図４１を用いて後述する。
ステップＳ５２４において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光について、画像計測を行ってもよい。
なお、プラズマ光の画像計測に係る処理については、図４０を用いて後述する。
ステップＳ５２５において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａのＸ方向及びＹ方向における集光位置が許容範囲内であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内であれば、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置が許容範囲であるとみなしてもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２３で制御後のメインパルスレーザ光３３ａの集光位置によって、ΔＸｓｐｍ及びΔＹｓｐｍが、次式を全て満たすか否かを判定してもよい。
｜ΔＸｓｐｍ｜≦ΔＸｓｐｍｍａｘ
｜ΔＹｓｐｍ｜≦ΔＹｓｐｍｍａｘ
右辺のΔＸｓｐｍｍａｘ及びΔＹｓｐｍｍａｘは、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓとプラズマ光の計測位置Ｃｐｍとの差の許容範囲を定める各座標の閾値であってもよい。ΔＸｓｐｍｍａｘ及びΔＹｓｐｍｍａｘは、プラズマ光が効率的に生成され得るよう予め定められた値であってもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内であれば、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置が許容範囲内であるとみなして、ステップＳ５２６に移行してもよい。一方、シューティング制御部８１は、プラズマ光の位置が許容範囲内でなければ、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置が許容範囲内でないとみなして、本処理を終了してもよい。
ステップＳ５２６において、シューティング制御部８１は、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔと計測位置Ｃｐｍとの差分をそれぞれの座標で計算してもよい。
シューティング制御部８１は、図３０のステップＳ４２で読み込んだ目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）と、ステップＳ５２４で計測した計測位置Ｃｐｍ（Ｘｐｍ、Ｙｐｍ、Ｚｐｍ）との差分を、座標ごとに次式から計算してもよい。
ΔＸｐｐｍ＝Ｘｐｔ−Ｘｐｍ
ΔＹｐｐｍ＝Ｙｐｔ−Ｙｐｍ
ΔＺｐｐｍ＝Ｚｐｔ−Ｚｐｍ
ステップＳ５２７において、シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６をＸ方向及びＺ方向にそれぞれ移動させるための制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＸ方向及びＺ方向における位置制御を、２軸ステージ７４の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２６で計算したΔＸｐｐｍを、ターゲット供給部２６のＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ５２６で計算したΔＺｐｐｍをターゲット供給部２６のＺ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｐｐｍ及びΔＺｐｐｍを含めた当該制御信号を２軸ステージ７４に出力してもよい。
ステップＳ５２８において、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１がΔＹｐｐｍ移動するのに必要な時間ΔＴｙｐｍを計算してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２６で計算したΔＹｐｐｍを用いて、ΔＴｙｐｍを次式から計算してもよい。
ΔＴｙｐｍ＝ΔＹｐｐｍ／ｖ
右辺のｖは、ドロップレット２７１の進行速度であり得る。
ステップＳ５２９において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを修正してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５に供給されるドロップレット２７１のＹ方向における位置制御を、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌを設定することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２８で計算したΔＴｙｐｍを用いて、修正後の遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを次式から計算してもよい。
Ｔｄｓｃ＝Ｔｄｓｃ＋ΔＴｙｐｍ
Ｔｄｓｄ＝Ｔｄｓｄ＋ΔＴｙｐｍ
シューティング制御部８１は、修正後の遅延時間Ｔｄｓｃ及び遅延時間Ｔｄｓｄを遅延回路８３３に設定してもよい。
ステップＳ５３０において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを修正してもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２８で計算したΔＴｙｐｍを用いて、修正後の遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを次式から計算してもよい。
Ｔｄｌｐ＝Ｔｄｌｐ＋ΔＴｙｐｍ
Ｔｄｌｍ＝Ｔｄｌｍ＋ΔＴｙｐｍ
シューティング制御部８１は、修正後の遅延時間Ｔｄｌｐ及び遅延時間Ｔｄｌｍを遅延回路８２に設定してもよい。
ステップＳ５３１において、シューティング制御部８１は、レーザ光集光光学系２２ａをＸ方向及びＹ方向にそれぞれ移動させるための制御信号を２軸ステージ２２７に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置のＸ方向及びＹ方向における位置制御を、２軸ステージ２２７の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２６で計算したΔＸｐｐｍをレーザ光集光光学系２２ａのＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ５２６で計算したΔＹｐｐｍをレーザ光集光光学系２２ａのＹ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｐｐｍ及びΔＹｐｐｍを含めた当該制御信号を２軸ステージ２２７に出力してもよい。
ステップＳ５３２において、シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置をＺ方向にΔＺｐｐｍ移動させるよう、波面調節器３７の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置のＺ方向における位置制御を、波面調節器３７の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、プリパルスレーザ光３３ｂの集光位置の移動量であるΔＺｐｐｍを、波面調節器３７の凹レンズ３７２を保持するホルダ３７４の移動量に換算してもよい。シューティング制御部８１は、当該ホルダ３７４の移動量を含めた当該制御信号を１軸ステージ３７５に出力してもよい。
ステップＳ５３３において、シューティング制御部８１は、ビームコンバイナ３５の高反射ミラー３４２をＸ方向及びＹ方向にそれぞれ移動させるための制御信号をチルトステージ３５３に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのメインパルスレーザ光３３ａの集光位置のＸ方向及びＹ方向における位置制御を、チルトステージ３５３の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、ステップＳ５２６で計算したΔＸｐｐｍを高反射ミラー３４２のＸ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ステップＳ５２６で計算したΔＹｐｐｍを高反射ミラー３４２のＹ方向への移動量としてもよい。シューティング制御部８１は、ΔＸｐｐｍ及びΔＹｐｐｍを含めた当該制御信号をチルトステージ３５３に出力してもよい。
ステップＳ５３４において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置をＺ方向にΔＺｐｐｍ移動させるよう、波面調節器３６の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でのメインパルスレーザ光３３ａの集光位置のＺ方向における位置制御を、波面調節器３６の動作を制御することにより行ってもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置の移動量であるΔＺｐｐｍを、波面調節器３６の凹レンズ３６２を保持するホルダ３６４の移動量に換算してもよい。シューティング制御部８１は、当該ホルダ３６４の移動量を含めた当該制御信号を１軸ステージ３６５に出力してもよい。
ステップＳ５３５において、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光について、画像計測を行ってもよい。
なお、プラズマ光の画像計測に係る処理については、図４０を用いて後述する。
図４０は、図３９のステップＳ５２１、ステップＳ５２４、及びステップＳ５３５におけるプラズマ光の画像計測に係る処理を示すフローチャートである。
ステップＳ５２１１において、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓを遅延回路８３３に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングをメインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングの直後に設定するために、遅延時間ＴｄｓをＴｄｓｅに設定してもよい。
ステップＳ５２１２において、シューティング制御部８１は、シャッタ開時間Ｔｅｘをワンショット回路８３５に設定してもよい。
シューティング制御部８１は、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａがプラズマ光を撮像するのに必要十分な時間を確保するために、シャッタ開時間ＴｅｘをＴｅｘｅに設定してもよい。
ステップＳ５２１３において、シューティング制御部８１は、ＡＮＤ回路８３２に入力されるゲート信号をＯＦＦにしてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、パルス光を点灯しなくなり得る。
ステップＳ５２１４において、シューティング制御部８１は、画像計測信号をＡＮＤ回路８３１出力してもよい。
画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像領域２５ａを撮像し得る。撮像した画像には、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の画像が含まれ得る。画像計測器４２及び画像計測器４３は、撮像した画像の画像データを生成してシューティング制御部８１に出力し得る。
ステップＳ５２１５において、シューティング制御部８１は、画像データ１及び画像データ２を取得可能であるか否かを判定してもよい。
シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態になく、画像データ１及び画像データ２を取得可能でなければ、待機してもよい。一方、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３が画像データ１及び画像データ２を出力できる状態にあり、画像データ１及び画像データ２を取得可能であれば、ステップＳ５２１６に移行してもよい。
ステップＳ５２１６において、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３から出力された画像データ１及び画像データ２を取得してもよい。
ステップＳ５２１７において、シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の２次ターゲット２７１ａから放射されたプラズマ光の位置を計算してもよい。
なお、プラズマ光の位置を計算する処理については、図２２と同様の処理を行ってもよいため、説明を省略する。
図４１Ａ〜図４１Ｃは、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置及び２次ターゲット２７１ａの位置と、プラズマ光の位置との関係を示す図である。
図４１Ａは、メインパルスレーザ光３３ａの実際の集光位置と２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓとが一致した場合を示す図である。
図４１Ａの場合、プラズマ光の計測位置Ｃｐｍは、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔと略一致し得る。
なお、図３１Ｂを用いて説明したように、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ及びメインパルスレーザ光３３ａの目標集光位置は、プラズマ光の目標位置ＰｐｔからＺｓｐだけＺ方向にずらした座標にしてもよい。このため、図４１Ａに示すように、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ及びメインパルスレーザ光３３ａの実際の集光位置は共に、プラズマ光の計測位置ＣｐｍからＺｓｐｍだけＺ方向にずれ得る。Ｚｓｐｍは、目標値のずれ量Ｚｓｐに対応した計測値のずれ量であり得る。
また、メインパルスレーザ光３３ａのビーム径は、２次ターゲット２７１ａの直径と同等であってもよい。このため、図４１Ａの場合、メインパルスレーザ光３３ａは、２次ターゲット２７１ａの−Ｚ方向側表面の略全体を照射し得る。よって、プラズマ光の直径は、メインパルスレーザ光３３ａのビーム径以上の大きさになり得る。
図４１Ｂは、メインパルスレーザ光３３ａの実際の集光位置が２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓから−Ｙ方向にずれた場合を示す図である。
図４１Ｂの場合、プラズマ光の計測位置Ｃｐｍは、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔから−Ｙ方向にずれ得る。これは、メインパルスレーザ光３３ａが、２次ターゲット２７１ａの−Ｙ方向側の表面から照射し始めることによって、プラズマ光の中心が−Ｙ方向にずれるためであり得る。
また、図４１Ｂの場合、メインパルスレーザ光３３ａは、２次ターゲット２７１ａの−Ｚ方向側表面の一部しか照射し得ない。よって、プラズマ光の直径は、図４１Ａの場合に比べて、小さくなり得る。
図４１Ｃは、メインパルスレーザ光３３ａの実際の集光位置が２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓから＋Ｙ方向にずれた場合を示す図である。
図４１Ｃの場合、プラズマ光の計測位置Ｃｐｍは、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔから＋Ｙ方向にずれ得る。これは、メインパルスレーザ光３３ａが、２次ターゲット２７１ａの＋Ｙ方向側の表面から照射し始めることによって、プラズマ光の中心が＋Ｙ方向にずれるためであり得る。
また、図４１Ｃの場合、メインパルスレーザ光３３ａは、２次ターゲット２７１ａの−Ｚ方向側表面の一部しか照射し得ない。よって、プラズマ光の直径は、図４１Ａの場合に比べて、小さくなり得る。
このように、メインパルスレーザ光３３ａの実際の集光位置と２次ターゲット２７１ａの計測位置ＣｓとがＹ方向にずれた場合、プラズマ光の計測位置Ｃｐｍは、プラズマ光の目標位置ＰｐｔからＹ方向にずれ得る。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔに対する計測位置Ｃｐｍのずれを是正してもよい。そのために、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置を移動させるべく、図３９のステップＳ５２３のようにビームコンバイナ３５の高反射ミラー３４２をチルトステージ３５３によって移動させてもよい。
なお、図４１は、メインパルスレーザ光３３ａの実際の集光位置が２次ターゲット２７１ａの計測位置ＣｓからＹ方向にずれた場合を説明しているが、Ｘ方向にずれた場合も同様であり得る。
［７．３ 作用］
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１及び２次ターゲット２７１ａの位置を正確に制御し得る。更に、ＥＵＶ光生成装置１は、プリパルスレーザ光３３ｂ及びメインパルスレーザ光３３ａの集光位置を正確に制御し得る。
よって、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、当該ドロップレット２７１の位置とプリパルスレーザ光３３ｂの集光位置とを略一致させて、効率よくプラズマ光が生成可能な２次ターゲット２７１ａを生成し得る。更に、ＥＵＶ光生成装置１は、当該２次ターゲット２７１ａの位置とメインパルスレーザ光３３ａの集光位置とを略一致させて、効率よくプラズマ光を生成し得る。このため、ＥＵＶ光生成装置１は、効率よくＥＵＶ光２５２を生成し得る。
そして、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５で実際に放射されるプラズマ光の位置を、露光装置６の指令により定められたプラズマ光の目標位置に略一致させ得る。このため、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２５２を安定して露光装置６へ導出し得る。
［８．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置を用いたシューティングシステム］
［８．１ 構成］
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムは、１パルスのＥＵＶ光２５２を生成する際、プラズマ生成領域２５に対して、１つのプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを導入してもよい。
これに対し、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムは、１パルスのＥＵＶ光２５２を生成する際、プラズマ生成領域２５に対して、複数のプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを導入してもよい。
なお、本実施形態では、複数のプリパルスレーザ光の数は、便宜的に２つであるとして説明されるが、３つ以上であってもよい。
複数のプリパルスレーザ光のうち、あるドロップレット２７１を照射するために最初にプリパルスレーザ装置から出力されるプリパルスレーザ光を「第１プリパルスレーザ光」ともいう。
複数のプリパルスレーザ光のうち、第１プリパルスレーザ光の次にプリパルスレーザ装置から出力されるプリパルスレーザ光を「第２プリパルスレーザ光」ともいう。
図４２Ａ〜図４２Ｄは、第１プリパルスレーザ光及び第２プリパルスレーザ光並びにメインパルスレーザ光と、これらのレーザ光が照射対象とするターゲット２７の形態との関係を説明するための図を示す。
チャンバ２内のプラズマ生成領域２５にドロップレット２７１が到達すると、第４実施形態に係るシューティングシステムは、図４２Ａに示されるように、当該ドロップレット２７１に第１プリパルスレーザ光を照射してもよい。
プラズマ生成領域２５において、集光された第１プリパルスレーザ光のビーム径Ｄ１の大きさは、当該ドロップレット２７１の直径以上の大きさであってもよい。ビーム径Ｄ１の大きさは、例えば２０μｍ〜１００μｍ程度であってもよい。
ドロップレット２７１に第１プリパルスレーザ光が照射されると、上述のように、当該ドロップレット２７１から２次ターゲット２７１ａが生成されてもよい。
２次ターゲット２７１ａは、図４２Ｂに示されるように、半ドーム状に拡散してもよい。
半ドーム状に拡散した２次ターゲット２７１ａの底面側には、ミスト状になった複数のターゲット２７の微粒子の密度が比較的高い領域が形成されてもよい。当該密度が比較的高い領域は、ドーナツ形状に形成されてもよい。当該密度の比較的高いドーナツ形状の領域の内側には、当該密度が比較的低い領域が形成されてもよい。
半ドーム状に拡散する２次ターゲット２７１ａの頂点側の領域は、第１プリパルスレーザ光が照射された側に形成されてもよい。当該２次ターゲット２７１ａの頂点側の領域の内側には、当該密度が比較的低い領域が形成されてもよい。
第４実施形態に係るシューティングシステムは、図４２Ｂに示されるように、生成された２次ターゲット２７１ａに第２プリパルスレーザ光を照射してもよい。
プラズマ生成領域２５において、集光された第２プリパルスレーザ光のビーム径Ｄ２の大きさは、当該２次ターゲット２７１ａの外径と同程度の大きさであってもよい。ビーム径Ｄ２の大きさは、例えば３００μｍ〜４００μｍ程度であってもよい。
２次ターゲット２７１ａに第２プリパルスレーザ光が照射されると、当該２次ターゲット２７１ａから３次ターゲット２７１ｂが生成されてもよい。
３次ターゲット２７１ｂは、図４２Ｃに示されるように、第２プリパルスレーザ光が照射された後、２次ターゲット２７１ａが変容したものであってもよい。３次ターゲット２７１ｂは、第２プリパルスレーザ光の照射によって、２次ターゲット２７１ａよりも更に微細になった複数のターゲット２７の微粒子と、ターゲット２７の蒸気と、その一部がプラズマ化したプリプラズマとの集合体であってもよい。
プリプラズマは、２次ターゲット２７１ａの一部がプラズマ化してイオン又は中性粒子を含む状態となったターゲット２７であってもよい。プリプラズマは、ＥＵＶ光２５１を放射しない程度にエネルギーが低い状態であってもよい。プリプラズマは、２次ターゲット２７１ａの第２プリパルスレーザ光が照射された側に進展してもよい。
第４実施形態に係るシューティングシステムは、図４２Ｃに示されるように、生成された３次ターゲット２７１ｂにメインパルスレーザ光を照射してもよい。
プラズマ生成領域２５において、集光されたメインパルスレーザ光のビーム径Ｄ３の大きさは、当該３次ターゲット２７１ｂの外径と同程度の大きさであってもよい。ビーム径Ｄ３の大きさは、例えば３００μｍ〜４００μｍ程度であってもよい。
３次ターゲット２７１ｂにメインパルスレーザ光が照射されると、図４２Ｄに示されるように、当該３次ターゲット２７１ｂからプラズマ光が放射されてもよい。当該プラズマ光には、ＥＵＶ光２５１が含まれてもよい。
３次ターゲット２７１ｂは、蒸気及びプリプラズマを含むことによって、メインパルスレーザ光が照射されると効率的に加熱されてプラズマ化し得る。それにより、蒸気及びプリプラズマを含む３次ターゲット２７１ｂは、メインパルスレーザ光によるＥＵＶ光２５１の生成効率を高め得る。
第４実施形態に係るシューティングシステムは、第３実施形態に係るシューティングシステムが２台のプリパルスレーザ装置及び波面調節器を備えるように構成されてもよい。
具体的には、第４実施形態に係るシューティングシステムは、第３実施形態に係るシューティングシステムに含まれるプリパルスレーザ装置３ｂの代りに、第１プリパルスレーザ装置３ｃ及び第２プリパルスレーザ装置３ｄを備えるように構成されてもよい。更に、第４実施形態に係るシューティングシステムは、第３実施形態に係るシューティングシステムに含まれる波面調節器３７の代りに、波面調節器３８及び波面調節器３９を備えるように構成されてもよい。更に、第４実施形態に係るシューティングシステムは、第３実施形態に係るシューティングシステムに含まれる高反射ミラー３４５の代りに、高反射ミラー３４７及びビームコンバイナ３４８を備えるように構成されてもよい。
そして、第４実施形態に係るシューティングシステムは、プラズマ生成領域２５におけるターゲット２７やプラズマ光の状態を計測してもよい。更に、第４実施形態に係るシューティングシステムは、第１プリパルスレーザ装置３ｃ及び第２プリパルスレーザ装置３ｄ並びにメインパルスレーザ装置３ａの各レーザ装置から出力されるパルスレーザ光３３の集光位置を制御してもよい。更に、第４実施形態に係るシューティングシステムは、プラズマ生成領域２５に到達するターゲット２７の位置やプラズマ光の位置を制御してもよい。
図４３を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの構成について説明する。
図４３は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの構成を示す図である。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１に係るシューティングシステムは、メインパルスレーザ装置３ａと、第１プリパルスレーザ装置３ｃ及び第２プリパルスレーザ装置３ｄと、レーザ光集光光学系２２ａと、２軸ステージ２２７と、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１と、画像計測器４２及び画像計測器４３と、波面調節器３６、波面調節器３８及び波面調節器３９と、高反射ミラー３４１、高反射ミラー３４２及び高反射ミラー３４７と、ダイクロッイクミラー３５１と、チルトステージ３５３と、ビームコンバイナ３４８と、制御部８とを備えてもよい。制御部８は、シューティング制御部８１と、遅延回路８２と、画像計測制御回路８３とを含んでもよい。
図４３に示すＥＵＶ光生成装置１及びシューティングシステムの構成において、図２４及び図２５に示した第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１並びにこれに係る画像計測システム及びシューティングシステムと同様の構成については説明を省略する。
図４３に示すメインパルスレーザ装置３ａの構成は、図２４及び図２５に示したメインパルスレーザ装置３ａの構成と同様であってもよい。
図４３に示すレーザ光集光光学系２２ａ及び２軸ステージ２２７の構成は、図２４及び図２５に示したレーザ光集光光学系２２ａ及び２軸ステージ２２７の構成と同様であってもよい。
図４３に示すターゲット生成器７及びドロップレット検出器４１の構成は、図２４及び図２５に示したターゲット生成器７及びドロップレット検出器４１の構成と同様であってもよい。
図４３に示す波面調節器３６、高反射ミラー３４１及び３４２、並びにチルトステージ３５３の構成は、図２４及び図２５に示した波面調節器３６、高反射ミラー３４１及び３４２、並びにチルトステージ３５３の構成と同様であってもよい。
更に、図４３に示す画像計測制御回路８３の構成は、図２４及び図２５に示した画像計測制御回路８３の構成と同様であってもよい。
図４３に示す第１プリパルスレーザ装置３ｃは、第１プリパルスレーザ光を出力するためのプリパルスレーザ装置であってもよい。
第１プリパルスレーザ装置３ｃは、ピコ秒又はナノ秒オーダのパルス幅を有するパルスレーザ光を出力するレーザ装置で構成されてもよい。
第１プリパルスレーザ装置３ｃは、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザやＮｄ：ＹＶＯ４レーザ等の固体レーザ装置で構成されてもよい。この場合、第１プリパルスレーザ装置３ｃは、Ｎｄ：ＹＡＧ等のレーザから出力される基本波のレーザ光を高調波のレーザ光に波長変換して出力するレーザ装置で構成されてもよい。
或いは、第１プリパルスレーザ装置３ｃは、例えばＣＯ２レーザやエキシマレーザ等のガスレーザ装置で構成されてもよい。
第１プリパルスレーザ装置３ｃは、直線偏光のレーザ光を出力するレーザ装置で構成されてもよい。
第１プリパルスレーザ装置３ｃが出力するレーザ光を、メインパルスレーザ光３１ａ〜３３ａと同様に、「第１プリパルスレーザ光３１ｃ〜３３ｃ」ともいう。
第１プリパルスレーザ装置３ｃの他の構成については、図２４及び図２５に示したプリパルスレーザ装置３ｂの構成と同様であってもよい。
図４３に示す第２プリパルスレーザ装置３ｄは、第２プリパルスレーザ光を出力するためのプリパルスレーザ装置であってもよい。
第２プリパルスレーザ装置３ｄは、ピコ秒又はナノ秒オーダのパルス幅を有するパルスレーザ光を出力するレーザ装置で構成されてもよい。
第２プリパルスレーザ装置３ｄは、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザやＮｄ：ＹＶＯ４レーザ等の固体レーザ装置で構成されてもよい。この場合、第２プリパルスレーザ装置３ｄは、Ｎｄ：ＹＡＧ等のレーザから出力される基本波のレーザ光を高調波のレーザ光に波長変換して出力するレーザ装置で構成されてもよい。
或いは、第２プリパルスレーザ装置３ｄは、例えばＣＯ２レーザやエキシマレーザ等のガスレーザ装置で構成されてもよい。
第２プリパルスレーザ装置３ｄは、第１プリパルスレーザ装置３ｃと異なる直線偏光のレーザ光を出力するレーザ装置で構成されてもよい。
第２プリパルスレーザ装置３ｄが出力するレーザ光を、第１プリパルスレーザ光３１ｃ〜３３ｃと同様に、「第２プリパルスレーザ光３１ｄ〜３３ｄ」ともいう。
第２プリパルスレーザ装置３ｄの他の構成については、図２４及び図２５に示したプリパルスレーザ装置３ｂの構成と同様であってもよい。
図４３に示す波面調節器３８は、第１プリパルスレーザ光３１ｃの波面を調節してもよい。
波面調節器３８は、第１プリパルスレーザ光３１ｃの光路上であって、第１プリパルスレーザ装置３ｃとビームコンバイナ３４８との間に設けられてもよい。
波面調節器３８の他の構成については、図２４及び図２５に示した波面調節器３７の構成と同様であってもよい。
すなわち、波面調節器３８は、凸レンズと、凹レンズと、１軸ステージとを含んでもよい。そして、波面調節器３８は、シューティング制御部８１からの制御によって凸レンズと凹レンズとの距離が変更されてもよい。
それにより、凸レンズから出射する第１プリパルスレーザ光３１ｃの波面が調節され得る。その結果、プラズマ生成領域２５において、第１プリパルスレーザ光３３ｃの図４４Ａ及び図４４ＢでのＺ方向における集光位置が制御され得る。
図４３に示す波面調節器３９は、第２プリパルスレーザ光３１ｄの波面を調節してもよい。
波面調節器３９は、第２プリパルスレーザ光３１ｄの光路上であって、第２プリパルスレーザ装置３ｄと高反射ミラー３４７との間に設けられてもよい。
波面調節器３９の他の構成については、図２４及び図２５に示した波面調節器３７の構成と同様であってもよい。
すなわち、波面調節器３９は、凸レンズと、凹レンズと、１軸ステージとを含んでもよい。そして、波面調節器３９は、シューティング制御部８１からの制御によって凸レンズと凹レンズとの距離が変更されてもよい。
それにより、凸レンズから出射する第２プリパルスレーザ光３１ｄの波面が調節され得る。その結果、プラズマ生成領域２５において、第２プリパルスレーザ光３３ｄの図４４Ｃ及び図４４ＤでのＺ方向における集光位置が制御され得る。
図４３に示す高反射ミラー３４７は、第２プリパルスレーザ光３１ｄの光路上であって、波面調節器３９及びビームコンバイナ３４８とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４７は、波面調節器３９から出射した第２プリパルスレーザ光３１ｄを反射してビームコンバイナ３４８へ導いてもよい。
高反射ミラー３４７の他の構成については、図２４及び図２５に示した高反射ミラー３４５の構成と同様であってもよい。
図４３に示すビームコンバイナ３４８は、第１プリパルスレーザ光３１ｃと第２プリパルスレーザ光３１ｄとを略同一光路でダイクロイックミラー３５１に導く光学系であってもよい。
ビームコンバイナ３４８は、例えば偏光ビームスプリッタであってもよい。当該ビームコンバイナ３４８は、例えば第１プリパルスレーザ光３１ｃを高反射し、例えば第２プリパルスレーザ光３１ｄを高透過するように構成されてもよい。
ビームコンバイナ３４８は、第１プリパルスレーザ光３１ｃの光路上であって、波面調節器３８及びダイクロイックミラー３５１とそれぞれ対向して配置されてもよい。ビームコンバイナ３４８は、高反射ミラー３４７の反射光である第２プリパルスレーザ光３１ｄの光路上に配置されてもよい。ビームコンバイナ３４８は、第１プリパルスレーザ光３１ｃの光軸と第２プリパルスレーザ光３１ｄの光軸とが略一致するように配置されてもよい。
ビームコンバイナ３４８は、波面調節器３８から出射した第１プリパルスレーザ光３１ｃを反射してダイクロイックミラー３５１へ導いてもよい。ビームコンバイナ３４８は、波面調節器３９から出射して高反射ミラー３４７で反射された第２プリパルスレーザ光３１ｄを透過させてダイクロイックミラー３５１へ導いてもよい。
このとき、ビームコンバイナ３４８は、当該第１プリパルスレーザ光３１ｃ及び当該第２プリパルスレーザ光３１ｄを、略同一の光路上を通してダイクロイックミラー３５１へ導いてもよい。
図４３に示すダイクロイックミラー３５１は、メインパルスレーザ光３１ａを透過し第１及び第２プリパルスレーザ光３１ｃ及び３１ｄを反射する薄膜が、ダイアモンド基板上にコーティングされたミラーであってもよい。
ダイクロイックミラー３５１は、ウインドウ２１及びビームコンバイナ３４８とそれぞれ対向して配置されてもよい。ダイクロイックミラー３５１は、高反射ミラー３４２の反射光であるメインパルスレーザ光３２ａの光路上に配置されてもよい。
ダイクロイックミラー３５１は、ビームコンバイナ３４８から略同一の光路を通って出射した第１プリパルスレーザ光３１ｃ及び第２プリパルスレーザ光３１ｄを反射してウインドウ２１へ導いてもよい。ダイクロイックミラー３５１は、高反射ミラー３４２の反射光であるメインパルスレーザ光３２ａを透過させてウインドウ２１へ導いてもよい。
このとき、ダイクロイックミラー３５１は、メインパルスレーザ光３２ａ並びに第１プリパルスレーザ光３２ｃ及び第２プリパルスレーザ光３２ｄを、略同一の光路上を通してウインドウ２１へ導いてもよい。
ダイクロイックミラー３５１の他の構成については、図２４及び図２５に示したダイクロイックミラー３５１の構成と同様であってもよい。
図４３に示す画像計測器４２及び４３は、撮像領域２５ａの画像を撮像して、ドロップレット２７１、２次ターゲット２７１ａ、３次ターゲット２７１ｂ、及びプラズマ光の画像計測を行ってもよい。
画像計測器４２及び４３の他の構成については、図２４及び図２５に示した画像計測器４２及び４３の構成と同様であってもよい。
図４３に示すシューティング制御部８１は、波面調節器３８に含まれる１軸ステージに制御信号を出力して、凸レンズ及び凹レンズの距離の変更を含む波面調節器３８の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、波面調節器３９に含まれる１軸ステージに制御信号を出力して、凸レンズ及び凹レンズの距離の変更を含む波面調節器３９の動作を制御してもよい。
シューティング制御部８１は、遅延回路８２を介してメインパルスレーザ装置３ａ並びに第１プリパルスレーザ装置３ｃ及び第２プリパルスレーザ装置３ｄと接続されてもよい。
なお、シューティング制御部８１が遅延回路８２に設定する遅延時間Ｔｄｌであって、第１プリパルスレーザ装置３ｃに出力されるトリガ信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｌを、「遅延時間Ｔｄｌｐ１」ともいう。
シューティング制御部８１が遅延回路８２に設定する遅延時間Ｔｄｌであって、第２プリパルスレーザ装置３ｄに出力されるトリガ信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｌを、「遅延時間Ｔｄｌｐ２」ともいう。
シューティング制御部８１及び遅延回路８２の他の構成については、図２４及び図２５に示したシューティング制御部８１及び遅延回路８２の構成と同様であってもよい。
図４４Ａ〜図４４Ｅは、メインパルスレーザ光３３ａ又は第１プリパルスレーザ光３３ｃ若しくは第２プリパルスレーザ光３３ｄの照射に伴ってドロップレット２７１の形態が変化する様子を示す図である。
図４４Ａは、第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の様子を示す図である。
図４４Ａの場合、第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される前であるため、ドロップレット２７１はそのままの形態であり得る。
シューティング制御部８１は、第１プリパルスレーザ光３３ｃの集光位置を、ドロップレット２７１の中心位置に略一致させてもよい。
図４４Ｂは、第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射された直後のドロップレット２７１の様子を示す図である。
図４４Ｂの場合、第１プリパルスレーザ光３３ｃの照射によって、ドロップレット２７１は、そのパルスレーザ光照射側の表面からアブレーションされ得る。アブレーションの反作用により、ドロップレット２７１には、第１プリパルスレーザ光３３ｃの照射方向であるＺ方向への推進力が働き得る。
図４４Ｃは、第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの様子を示す図である。
図４４Ｃの場合、アブレーションの反作用によってドロップレット２７１は、２次ターゲット２７１ａとなって拡散し得る。
２次ターゲット２７１ａは、上述したように、半ドーム状に拡散し得る。２次ターゲット２７１ａの中心位置は、半ドーム状に拡散した微粒子の空間分布における中心位置であってもよい。
２次ターゲット２７１ａは、ターゲット進行経路２７２を進行中であるドロップレット２７１から生成した物であるため、ドロップレット２７１が保持していたＹ方向へ進行しようとする慣性力を保存し得る。よって、２次ターゲット２７１ａには、アブレーションによるＺ方向への推進力と、Ｙ方向への慣性力とが働き得る。このため、２次ターゲット２７１ａの中心位置は、ドロップレット２７１の中心位置からＺ方向及びＹ方向に移動し得る。
シューティング制御部８１は、第２プリパルスレーザ光３３ｄの集光位置を、移動した２次ターゲット２７１ａの中心位置に略一致させてもよい。
或いは、シューティング制御部８１は、デフォーカスの第２プリパルスレーザ光３３ｄを２次ターゲット２７１ａに照射させてもよい。この場合、当該第２プリパルスレーザ光３３ｄは、その光軸が当該２次ターゲット２７１ａの中心位置を通らなくてもよく、そのビーム断面に２次ターゲット２７１ａが含まれるようなプリパルスレーザ光であればよい。この際、第２プリパルスレーザ光３３ｄは、第１プリパルスレーザ光３３ｃと略同軸であってもよい。
図４４Ｄは、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの様子を示す図である。
図４４Ｄの場合、２次ターゲット２７１ａは、第２プリパルスレーザ光３３ｄの照射によって、３次ターゲット２７１ｂとなり得る。
３次ターゲット２７１ｂには、２次ターゲット２７１ａと同様に、アブレーションによるＺ方向への推進力と、Ｙ方向への慣性力とが働き得る。このため、３次ターゲット２７１ｂの中心位置は、２次ターゲット２７１ａの中心位置からＺ方向及びＹ方向に移動し得る。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置を、移動した３次ターゲット２７１ｂの中心位置に略一致させてもよい。
或いは、シューティング制御部８１は、デフォーカスのメインパルスレーザ光３３ａを３次ターゲット２７１ｂに照射させてもよい。この場合、当該メインパルスレーザ光３３ａは、その光軸が３次ターゲット２７１ｂの中心位置を通らなくてもよく、そのビーム断面に３次ターゲット２７１ｂが含まれるようなメインパルスレーザ光であればよい。この際、メインパルスレーザ光３３ａは、第２プリパルスレーザ光３３ｄと略同軸であってもよい。
図４４Ｅは、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されるプラズマ光の様子を示す図である。
図４４Ｅの場合、３次ターゲット２７１ｂは、メインパルスレーザ光３３ａの照射によってプラズマ化し、ＥＵＶ光２５１を含むプラズマ光を放射し得る。
プラズマ光の中心は、図１５Ｂの説明と同様に、３次ターゲット２７１ｂのパルスレーザ光照射側の表面又はその付近に位置し得る。よって、プラズマ光の中心位置は、３次ターゲット２７１ｂの中心位置から−Ｚ方向にずれ得る。
なお、第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の中心位置に関する計測値を、「ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）」ともいう。
第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの中心位置に関する計測値を、「２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ１（Ｘｓ１、Ｙｓ１、Ｚｓ１）」ともいう。
メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの中心位置に関する計測値を、「３次ターゲット２７１ｂの計測位置Ｃｓ２（Ｘｓ２、Ｙｓ２、Ｚｓ２）」ともいう。
メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光の中心位置に関する計測値を、「プラズマ光の計測位置Ｃｐｍ（Ｘｐｍ、Ｙｐｍ、Ｚｐｍ）」ともいう。
シューティング制御部８１は、Ｃｄ、Ｃｓ１、Ｃｓ２、及びＣｐｍの相対的な位置関係を予め記憶していてもよい。
［８．２ 動作］
図４５〜図４８を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの動作について説明する。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの動作において、図２４及び図２５に示した第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１並びにこれに係る画像計測システム及びシューティングシステムと同様の動作については、説明を省略する。
まず、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムの画像計測に係るタイミング制御について説明する。
図４５は、図４３に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図４５に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘｃ１を設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘｃ１は、ドロップレット２７１を撮像するのに必要十分な時間であってもよい。シャッタ開時間Ｔｅｘｃ１は、上述したシャッタ開時間Ｔｅｘａと同じであってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓｃ１を設定してもよい。
第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の画像を撮像する場合、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングは、次のように規定してもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｃ１とシャッタ開時間Ｔｅｘｃ１との合計値「Ｔｄｓｃ１＋Ｔｅｘｃ１」は、第１プリパルスレーザ光３３ｂの照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌｐ１＋時間α１１」と同じか小さい値であってもよい。
遅延時間Ｔｄｓｃ１は、次式から算出してもよい。
Ｔｄｓｃ１＝（ｄ／ｖ）−Ｔｅｘｃ１
ここで、時間α１１は、遅延回路８２がトリガ信号を第１プリパルスレーザ装置３ｃに出力してから、第１プリパルスレーザ光３３ｃがプラズマ生成領域２５に集光されるまでに必要な時間であってもよい。
時間α１２は、遅延回路８２がトリガ信号を第２プリパルスレーザ装置３ｄに出力してから、第２プリパルスレーザ光３３ｄがプラズマ生成領域２５に集光されるまでに必要な時間であってもよい。
時間α２は、遅延回路８２がトリガ信号をメインパルスレーザ装置３ａに出力してから、メインパルスレーザ光３３ａがプラズマ生成領域２５に集光されるまでに必要な時間であってもよい。
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、図２７〜図２９の場合と同様に、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力されるドロップレット検出信号に基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図４５に示すように、シューティング制御部８１は、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図４５に示すように、シューティング制御部８１は、画像計測器４２及び画像計測器４３に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図４５に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓｃ１だけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図４５に示すように、ワンショット回路８３６は、イネーブル信号が入力されると、露光時間Ｔｒのパルス幅を有するイメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａに出力してもよい。
イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、イメージセンサ露光信号が入力されてから露光時間Ｔｒが経過するまで、露光し得る。
そして図４５に示すように、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ１だけ遅延して、第１プリパルスレーザ装置３ｃにトリガ信号を出力してもよい。
第１プリパルスレーザ装置３ｃは、トリガ信号が入力されるとα１１時間経過後に、第１プリパルスレーザ光３３ｃをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
また、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ２だけ遅延して、第２プリパルスレーザ装置３ｄにトリガ信号を出力してもよい。
第２プリパルスレーザ装置３ｄは、トリガ信号が入力されるとα１２時間経過後に、第２プリパルスレーザ光３３ｄをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
また、遅延回路８２は、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３ａにトリガ信号を出力してもよい。
メインパルスレーザ装置３ａは、トリガ信号が入力されるとα２時間経過後に、メインパルスレーザ光３３ａをプラズマ生成領域２５に照射し得る。
そして図４５に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｃ１のパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄ並びにＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄに入力される信号は、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃ１が経過するまで、開かれ得る。
そして図４５に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、ワンショット回路８３５の出力信号及びゲート信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｃ１のパルス幅を有する点灯信号を光源４２１ａ及び光源４３１ａに出力してもよい。
ゲート信号は、ワンショット回路８３５が出力信号をＡＮＤ回路８３２に出力する前に、シューティング制御部８１からＡＮＤ回路８３２に出力されていてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、点灯信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃ１が経過するまで、パルス光を点灯し得る。
そして図４５に示すように、シャッタ開時間Ｔｅｘｃ１が経過した直後、第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射されたドロップレット２７１からプラズマ光が放射されてもよい。当該プラズマ光の光強度は、メインパルスレーザ光３３ａの照射に伴って放射されるプラズマ光の光強度よりも小さくてもよい。
撮像部４２２及び撮像部４３２は、第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の画像を撮像し得る。
そして図４５に示すように、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データ１及び画像データ２を生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の画像データ１及び画像データ２を取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、当該ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄ（Ｘｄ、Ｙｄ、Ｚｄ）を計算し得る。
第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の画像は、例えば図４５に示すような画像であり得る。
図４６は、図４３に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図４６に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘｃ２を設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘｃ２は、２次ターゲット２７１ａを撮像するのに必要十分な時間であってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓｃ２を設定してもよい。
第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像を撮像する場合、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングは、次のように規定してもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｃ２とシャッタ開時間Ｔｅｘｃ２との合計値「Ｔｄｓｃ２＋Ｔｅｘｃ２」は、第２プリパルスレーザ光３３ｄの照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌｐ２＋時間α１２」と同じか小さい値であってもよい。
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、図４５の場合と同様に、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力されるドロップレット検出信号に基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図４６に示すように、シューティング制御部８１は、図４５の場合と同様に、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図４６に示すように、シューティング制御部８１は、図４５の場合と同様に、画像計測器４２及び画像計測器４３に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図４６に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、図４５の場合と同様に、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓｃ２だけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、図４５の場合と同様に、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図４６に示すように、ワンショット回路８３６は、図４５の場合と同様に、イネーブル信号が入力されると、イメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａに出力してもよい。
そして図４６に示すように、遅延回路８２は、図４５の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ１だけ遅延して、第１プリパルスレーザ装置３ｃにトリガ信号を出力してもよい。
また、遅延回路８２は、図４５の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ２だけ遅延して、第２プリパルスレーザ装置３ｄにトリガ信号を出力してもよい。
また、遅延回路８２は、図４５の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３ａにトリガ信号を出力してもよい。
そして図４６に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｃ２のパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄ並びにＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄに入力される信号は、図４５の場合と同様に、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃ２が経過するまで、開かれ得る。
そして図４６に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、図４５の場合と同様に、ワンショット回路８３５の出力信号及びゲート信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｃ２のパルス幅を有する点灯信号を光源４２１ａ及び光源４３１ａに出力してもよい。
ゲート信号は、図４５の場合と同様に、ワンショット回路８３５が出力信号をＡＮＤ回路８３２に出力する前に、シューティング制御部８１からＡＮＤ回路８３２に出力されていてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、点灯信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｃ２が経過するまで、パルス光を点灯し得る。
そして図４６に示すように、シャッタ開時間Ｔｅｘｃ２が経過した直後、第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射された２次ターゲット２７１ａからプラズマ光が放射され得る。当該プラズマ光は、当該２次ターゲット２７１ａに含まれるプリプラズマから放射される光であり得る。当該プラズマ光の光強度は、メインパルスレーザ光３３ａの照射に伴って放射されるプラズマ光の光強度よりも小さくてもよい。
撮像部４２２及び撮像部４３２は、第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像を撮像し得る。
そして図４６に示すように、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データ１及び画像データ２を生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像データ１及び画像データ２を取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、当該２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ１（Ｘｓ１、Ｙｓ１、Ｚｓ１）を計算し得る。
第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの画像は、例えば図４６に示すような画像であり得る。
図４７は、図４３に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図４７に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘｄを設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘｄは、３次ターゲット２７１ｂを撮像するのに必要十分な時間であってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓｄを設定してもよい。
メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの画像を撮像する場合、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングは、次のように規定してもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｄとシャッタ開時間Ｔｅｘｄとの合計値「Ｔｄｓｄ＋Ｔｅｘｄ」は、メインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌｍ＋時間α２」と同じか小さい値であってもよい。
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、図４６の場合と同様に、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力されるドロップレット検出信号に基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図４７に示すように、シューティング制御部８１は、図４６の場合と同様に、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図４７に示すように、シューティング制御部８１は、図４６の場合と同様に、画像計測器４２及び画像計測器４３に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図４７に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、図４６の場合と同様に、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓｄだけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、図４６の場合と同様に、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図４７に示すように、ワンショット回路８３６は、図４６の場合と同様に、イネーブル信号が入力されると、イメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａに出力してもよい。
そして図４７に示すように、遅延回路８２は、図４６の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ１だけ遅延して、第１プリパルスレーザ装置３ｃにトリガ信号を出力してもよい。
また、遅延回路８２は、図４６の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ２だけ遅延して、第２プリパルスレーザ装置３ｄにトリガ信号を出力してもよい。
また、遅延回路８２は、図４６の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３ａにトリガ信号を出力してもよい。
そして図４７に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｄのパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄ並びにＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄに入力される信号は、図４６の場合と同様に、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｄが経過するまで、開かれ得る。
そして図４７に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、図４６の場合と同様に、ワンショット回路８３５の出力信号及びゲート信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｄのパルス幅を有する点灯信号を光源４２１ａ及び光源４３１ａに出力してもよい。
ゲート信号は、図４６の場合と同様に、ワンショット回路８３５が出力信号をＡＮＤ回路８３２に出力する前に、シューティング制御部８１からＡＮＤ回路８３２に出力されていてもよい。
光源４２１ａ及び光源４３１ａは、点灯信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｄが経過するまで、パルス光を点灯し得る。
そして図４７に示すように、シャッタ開時間Ｔｅｘｄが経過した直後、メインパルスレーザ光３３ａが照射された３次ターゲット２７１ｂからプラズマ光が放射され得る。
撮像部４２２及び撮像部４３２は、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの画像を撮像し得る。
そして図４７に示すように、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データ１及び画像データ２を生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの画像データ１及び画像データ２を取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、当該３次ターゲット２７１ｂの計測位置Ｃｓ２（Ｘｓ２、Ｙｓ２、Ｚｓ２）を計算し得る。
メインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの画像は、例えば図４７に示すような画像であり得る。
図４８は、図４３に示した制御部８の画像計測に係るタイムチャートであって、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
図４８に示すタイムチャートでは予め、シューティング制御部８１は、ワンショット回路８３５にシャッタ開時間Ｔｅｘ＝Ｔｅｘｅを設定してもよい。
シャッタ開時間Ｔｅｘｅは、プラズマ光を撮像するのに必要十分な時間であってもよい。
更に、シューティング制御部８１は、遅延回路８３３に遅延時間Ｔｄｓ＝Ｔｄｓｅを設定してもよい。
メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光の画像を撮像する場合、撮像部４２２及び撮像部４３２の撮像タイミングは、次のように規定してもよい。すなわち、シャッタ開信号の出力タイミングを規定する遅延時間Ｔｄｓｅとシャッタ開時間Ｔｅｘｅとの合計値「Ｔｄｓｅ＋Ｔｅｘｅ」は、メインパルスレーザ光３３ａの照射タイミングを規定する「遅延時間Ｔｄｌｍ＋時間α２」よりも大きい値であってもよい。
遅延回路８３４の遅延時間Ｔｄｉ及びワンショット回路８３６の露光時間Ｔｒは、図４７の場合と同様に、起動時の初期設定で予め設定されていてもよい。
制御部８は、ドロップレット検出器４１から出力されるドロップレット検出信号に基づいて、画像計測に係る各種信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。
図４８に示すように、シューティング制御部８１は、図４７の場合と同様に、ドロップレット検出信号を遅延回路８２及びＡＮＤ回路８３１にそのまま出力してもよい。
そして図４８に示すように、シューティング制御部８１は、図４７の場合と同様に、画像計測器４２及び画像計測器４３に計測を実行させる場合に画像計測信号をＡＮＤ回路８３１に出力してもよい。
そして図４８に示すように、ＡＮＤ回路８３１は、図４７の場合と同様に、画像計測信号及びドロップレット検出信号が入力されると、遅延回路８３３及び遅延回路８３４にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３３は、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｓｅだけ遅延して、ワンショット回路８３５にイネーブル信号を出力してもよい。
遅延回路８３４は、図４７の場合と同様に、ＡＮＤ回路８３１からイネーブル信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｉだけ遅延して、ワンショット回路８３６にイネーブル信号を出力してもよい。
そして図４８に示すように、ワンショット回路８３６は、図４７の場合と同様に、イネーブル信号が入力されると、イメージセンサ露光信号をイメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａに出力してもよい。
そして図４８に示すように、遅延回路８２は、図４７の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ１だけ遅延して、第１プリパルスレーザ装置３ｃにトリガ信号を出力してもよい。
また、遅延回路８２は、図４７の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｐ２だけ遅延して、第２プリパルスレーザ装置３ｄにトリガ信号を出力してもよい。
また、遅延回路８２は、図４７の場合と同様に、ドロップレット検出信号が入力されると、遅延時間Ｔｄｌｍだけ遅延して、メインパルスレーザ装置３ａにトリガ信号を出力してもよい。
そして図４８に示すように、ワンショット回路８３５は、イネーブル信号が入力されると、シャッタ開時間Ｔｅｘｅのパルス幅を有する出力信号をシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄ並びにＡＮＤ回路８３２に出力してもよい。
ワンショット回路８３５の出力信号のうちシャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄに入力される信号は、図４７の場合と同様に、シャッタ開信号として機能し得る。シャッタ４２２ｄ及びシャッタ４３２ｄは、シャッタ開信号が入力されてからシャッタ開時間Ｔｅｘｅが経過するまで、開かれ得る。
そして図４８に示すように、ＡＮＤ回路８３２は、点灯信号を光源４２１ａ及び光源４３１ａに出力しなくてもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ光の画像を撮像する場合には、ゲート信号をＡＮＤ回路８３２に出力しなくてもよい。
そして図４８に示すように、シャッタ開時間Ｔｅｘｅの間に、メインパルスレーザ光３３ａが照射された３次ターゲット２７１ｂからプラズマ光が放射され得る。当該プラズマ光には、ＥＵＶ光２５１が含まれ得る。
撮像部４２２及び撮像部４３２は、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光の画像を撮像し得る。
そして図４８に示すように、イメージセンサ４２２ａ及びイメージセンサ４３２ａは、露光時間Ｔｒの経過後に、画像データ１及び画像データ２を生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。
シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光の画像データ１及び画像データ２を取得し得る。シューティング制御部８１は、取得した画像データ１及び画像データ２に基づいて、当該プラズマ光の計測位置Ｃｐｍ（Ｘｐｍ、Ｙｐｍ、Ｚｐｍ）を計算し得る。
メインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光の画像は、例えば図４８に示すような画像であり得る。
次に、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１を用いたシューティングシステムのシューティング制御処理について説明する。
第４実施形態に係るシューティング制御部８１のシューティング制御処理は、図３０〜図４１Ｃに示した第３実施形態に係るシューティング制御部８１のシューティング制御処理及びそのサブルーチンとして実行される処理と同様であってもよい。
まず、第４実施形態に係るシューティング制御部８１は、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔを読み込んでもよい。
プラズマ光の目標位置Ｐｐｔ（Ｘｐｔ、Ｙｐｔ、Ｚｐｔ）は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光の中心位置に関する目標値であってもよい。
続いて、シューティング制御部８１は、当該プラズマ光の目標位置Ｐｐｔに基づいて、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ１、及び３次ターゲット２７１ｂの目標位置Ｐｓｔ２を計算してもよい。
ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔ（Ｘｄｔ、Ｙｄｔ、Ｚｄｔ）は、プラズマ生成領域２５で第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の中心位置に関する目標値であってもよい。
２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ１（Ｘｓｔ１、Ｙｓｔ１、Ｚｓｔ１）は、プラズマ生成領域２５で第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの中心位置に関する目標値であってもよい。
３次ターゲット２７１ｂの目標位置Ｐｓｔ２（Ｘｓｔ２、Ｙｓｔ２、Ｚｓｔ２）は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの中心位置に関する目標値であってもよい。
続いて、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔと、第１プリパルスレーザ光３３ｃ、第２プリパルスレーザ光３３ｄ、及びメインパルスレーザ光３３ａのそれぞれの目標集光位置とを、セットしてもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔにドロップレット２７１が供給されるよう、遅延時間Ｔｄｓ及び遅延時間Ｔｄｌ並びに２軸ステージ７４をセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の目標位置Ｐｄｔに第１プリパルスレーザ光３３ｃが集光するよう、２軸ステージ２２７及び波面調節器３８をセットしてもよい。
シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの目標位置Ｐｓｔ１に第２プリパルスレーザ光３３ｄが集光するよう、波面調節器３９をセットしてもよい。
上述のように、第２プリパルスレーザ光３３ｄと第１プリパルスレーザ光３３ｃとを略同軸として照射する場合、当該目標位置Ｐｓｔ１と当該目標位置Ｐｄｔとの図４４Ａ〜図４４ＣにおけるＸ座標及びＹ座標は、それぞれ共通であってもよい。この場合、第２プリパルスレーザ光３３ｄと第１プリパルスレーザ光３３ｃとが集光されるべき目標位置のＸ座標及びＹ座標は、２軸ステージ２２７によって同時に調整されてもよい。第２プリパルスレーザ光３３ｄと第１プリパルスレーザ光３３ｃとが集光されるべき目標位置のＺ座標は、それぞれ、波面調節器３９と波面調節器３８とによって調整されてもよい。
一方、第２プリパルスレーザ光３３ｄと第１プリパルスレーザ光３３ｃとを略同軸として照射しない場合、当該目標位置Ｐｓｔ１と当該目標位置Ｐｄｔとの図４４Ａ〜図４４ＣにおけるＸ座標及びＹ座標は、それぞれ共通でなくてもよい。この場合、図４３の第１プリパルスレーザ光３１ｃの光路上又は第２プリパルスレーザ光３１ｄの光路上には、図示しないプリパルスレーザ光路調整機構が設けられてもよい。当該プリパルスレーザ光路調整機構は、第１プリパルスレーザ装置３ｃ又は第２プリパルスレーザ装置３ｄからビームコンバイナ３４８までの間に配置されてもよい。当該プリパルスレーザ光路調整機構は、ミラーやレンズ等の光学素子を用いて構成されてもよい。当該プリパルスレーザ光路調整機構の構成は、例えば高反射ミラー３４２とチルトステージ３５３とを組み合わせた構成と同様であってよい。
シューティング制御部８１は、３次ターゲット２７１ｂの目標位置Ｐｓｔ２にメインパルスレーザ光３３ａが集光するよう、チルトステージ３５３及び波面調節器３６をセットしてもよい。
続いて、シューティング制御部８１は、ターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１の位置を制御してもよい。
具体的には、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５で第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１の位置が許容範囲内になるまで、次の処理を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５で第１プリパルスレーザ光３３ｃが照射される直前のドロップレット２７１について、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得された画像データに基づいて、ドロップレット２７１の計測位置Ｃｄを計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算されたドロップレット２７１の計測位置Ｃｄに基づいて、遅延時間Ｔｄｌｐ１を適宜修正して設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓｃ１を適宜修正して設定してもよい。それにより、シューティング制御部８１は、ドロップレット２７１の画像に基づいて、ドロップレット２７１の位置を制御し得る。
続いて、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの位置を制御してもよい。
具体的には、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５で第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａの位置が許容範囲内になるまで、次の処理を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５で第２プリパルスレーザ光３３ｄが照射される直前の２次ターゲット２７１ａについて、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得された画像データに基づいて、２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ１を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算された２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ１に基づいて、遅延時間Ｔｄｌｐ２を適宜修正して設定してもよい。更に、シューティング制御部８１は、計算された２次ターゲット２７１ａの計測位置Ｃｓ１に基づいて、２軸ステージ２２７及び波面調節器３８の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓｃ２を適宜修正して設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。それにより、シューティング制御部８１は、２次ターゲット２７１ａの画像に基づいて、第１プリパルスレーザ光３３ｃの集光位置を制御し得る。
続いて、シューティング制御部８１は、３次ターゲット２７１ｂの位置を制御してもよい。
具体的には、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂの位置が許容範囲内になるまで、次の処理を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射される直前の３次ターゲット２７１ｂについて、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得された画像データに基づいて、３次ターゲット２７１ｂの計測位置Ｃｓ２を計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算された３次ターゲット２７１ｂの計測位置Ｃｓ２に基づいて、遅延時間Ｔｄｌｍを適宜修正して設定してもよい。更に、シューティング制御部８１は、計算された３次ターゲット２７１ｂの計測位置Ｃｓ２に基づいて、波面調節器３９の動作を制御してもよい。加えて、第２プリパルスレーザ光３３ｄと第１プリパルスレーザ光３３ｃとを略同軸として照射しない場合、シューティング制御部８１は、図示しないプリパルスレーザ光路調整機構の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、遅延時間Ｔｄｓｄを適宜修正して設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、２軸ステージ２２７及び波面調節器３８の動作を制御してもよい。それにより、シューティング制御部８１は、３次ターゲット２７１ｂの画像に基づいて、第２プリパルスレーザ光３３ｄの集光位置を制御し得る。
続いて、シューティング制御部８１は、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置を制御してもよい。
具体的には、シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光が許容範囲内になるまで、次の処理を行ってもよい。
シューティング制御部８１は、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光について、画像計測器４２及び画像計測器４３に画像計測を実行させてもよい。そして、シューティング制御部８１は、取得された画像データに基づいて、プラズマ光の計測位置Ｃｐｍを計算してもよい。そして、シューティング制御部８１は、計算されたプラズマ光の計測位置Ｃｐｍに基づいて、チルトステージ３５３及び波面調節器３６の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、計算されたプラズマ光の計測位置Ｃｐｍに基づいて、遅延時間Ｔｄｌｍを適宜修正して設定してもよく、遅延時間Ｔｄｓｅを適宜修正して設定すると共に２軸ステージ７４の動作を制御してもよい。更に、シューティング制御部８１は、計算されたプラズマ光の計測位置Ｃｐｍに基づいて、２軸ステージ２２７並びに波面調節器３８及び波面調節器３９の動作を制御してもよい。それにより、シューティング制御部８１は、プラズマ光の画像に基づいて、メインパルスレーザ光３３ａの集光位置を制御し得る。
このようなシューティング制御処理により、プラズマ生成領域２５でメインパルスレーザ光３３ａが照射された直後の３次ターゲット２７１ｂから放射されたプラズマ光の計測位置Ｃｐｍは、プラズマ光の目標位置Ｐｐｔに略一致し得る。
なお、第４実施形態に係るシューティング制御部８１が行うシューティング制御処理において、上述した各処理の詳細については、図３１Ａ〜図４１Ｃを用いて説明した第３実施形態に係るシューティング制御部８１の処理と同様であってもよい。
［８．３ 作用］
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１、２次ターゲット２７１ａ、及び３次ターゲット２７１ｂの位置を正確に制御し得る。更に、ＥＵＶ光生成装置１は、第１プリパルスレーザ光３３ｃ及び第２プリパルスレーザ光３３ｄ並びにメインパルスレーザ光３３ａの集光位置を正確に制御し得る。
よって、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、当該ドロップレット２７１の位置と第１プリパルスレーザ光３３ｃの集光位置とを目標位置に略一致させて、効率よくプラズマ光が生成可能な２次ターゲット２７１ａを生成し得る。更に、ＥＵＶ光生成装置１は、２次ターゲット２７１ａの位置と第２プリパルスレーザ光３３ｄの集光位置とを目標位置に略一致させて、更に効率よくプラズマ光が生成可能な３次ターゲット２７１ｂを生成し得る。更に、ＥＵＶ光生成装置１は、当該３次ターゲット２７１ｂの位置とメインパルスレーザ光３３ａの集光位置とを目標位置に略一致させて、効率よくプラズマ光を生成し得る。このため、ＥＵＶ光生成装置１は、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１に比べて、更に効率よくＥＵＶ光２５２を生成し得る。
そして、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５で実際に放射されるプラズマ光の位置を、露光装置６の指令により定められたプラズマ光の目標位置に略一致させ得る。このため、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光２５２を安定して露光装置６へ導出し得る。
［９．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器］
［９．１ 構成］
図４９〜図５１Ｂを用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器４２及び４３について説明する。
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、画像計測器４２及び画像計測器４３の構成が、図４３に示した第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１に含まれる画像計測器４２及び画像計測器４３の構成と異なってもよい。
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器４２及び画像計測器４３の構成において、図４３に示した第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器４２及び画像計測器４３と同様の構成については説明を省略する。
図４９は、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器４２及び画像計測器４３の構成を示す図である。
図４９において、Ｘ’軸及びＺ’軸は、Ｘ軸及びＺ軸をＹ軸周りに所定角度回転させた座標軸であってもよい。
図４９に示す画像計測器４２は、Ｘ’方向から撮像領域２５ａの画像を撮像して、ドロップレット２７１、２次ターゲット２７１ａ、３次ターゲット２７１ｂ、及びプラズマ光の画像計測を行ってもよい。なお、撮像領域２５ａは、プラズマ生成領域２５を含むように構成されてもよい。
画像計測器４２は、光源部４２１と、撮像部４２２とを備えてもよい。
光源部４２１と撮像部４２２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２に略垂直であってもよい。光源部４２１と撮像部４２２との対向方向は、Ｘ’方向であってもよい。
光源部４２１と撮像部４２２とは、Ｘ’Ｚ’平面に略平行であり撮像領域２５ａに交差する平面である平面Ａ内に配置されてもよい。
平面Ａは、特定のドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５において理想的な位置にある場合、当該ドロップレット２７１の直径と交差するような平面であってもよい。
撮像部４２２は、図４３に示したイメージセンサ４２２ａとして、受光素子が１次元に配列されたラインセンサ４２２ｅが用いられてもよい。
撮像部４２２は、ラインセンサ４２２ｅと、転写光学系４２２ｂと、ウインドウ４２２ｃと、シャッタ４２２ｄとを含んでもよい。
なお、図４９では、転写光学系４２２ｂ、ウインドウ４２２ｃ、及びシャッタ４２２ｄの図示を省略している。
転写光学系４２２ｂは、平面Ａとターゲット進行経路２７２との交点を含む撮像領域２５ａの像を、ラインセンサ４２２ｅの受光素子に転写して結像してもよい。
転写光学系４２２ｂは、光源部４２１から出射され平面Ａを通過する光の撮像領域２５ａにおける像を、ラインセンサ４２２ｅの受光素子に転写して結像してもよい。
ラインセンサ４２２ｅは、転写光学系４２２ｂによって転写され結像された光の像を撮像してもよい。
ラインセンサ４２２ｅの受光素子は、光源部４２１と撮像部４２２との対向方向に対して略垂直な方向に配列されてもよい。ラインセンサ４２２ｅの受光素子は、平面Ａに交差して略平行に配列されてもよい。ラインセンサ４２２ｅの各チャンネルは、当該ラインセンサ４２２ｅの受光素子の配列に対応付けられてもよい。
ラインセンサ４２２ｅは、撮像した光の像の光強度に応じた検出信号を生成してもよい。ラインセンサ４２２ｅは、当該検出信号からドロップレット２７１のパラメータを計測し、シューティング制御部８１に出力してもよい。
図４９に示す画像計測器４３は、Ｚ’方向から撮像領域２５ａの画像を撮像して、ドロップレット２７１、２次ターゲット２７１ａ、３次ターゲット２７１ｂ、及びプラズマ光の画像計測を行ってもよい。
画像計測器４３は、光源部４３１と、撮像部４３２とを備えてもよい。
光源部４３１と撮像部４３２との対向方向は、ターゲット進行経路２７２に略垂直であってもよい。光源部４３１と撮像部４３２との対向方向は、Ｚ’方向であってもよい。
光源部４３１と撮像部４３２とは、Ｘ’Ｚ’平面に略平行であり撮像領域２５ａに交差する平面である平面Ｂ内に配置されてもよい。
平面Ｂは、平面Ａと略平行であって、平面Ａよりも＋Ｙ方向に所定間隔だけ離れた位置に配置されてもよい。平面Ｂは、特定のドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５において理想的な位置にある場合、平面Ａとは異なるドロップレット２７１の部分と交差するような平面であってもよい。
撮像部４３２は、図４３に示したイメージセンサ４３２ａとして、受光素子が１次元に配列されたラインセンサ４３２ｅが用いられてもよい。
撮像部４３２は、ラインセンサ４３２ｅと、転写光学系４３２ｂと、ウインドウ４３２ｃと、シャッタ４３２ｄとを含んでもよい。
なお、図４９では、転写光学系４３２ｂ、ウインドウ４３２ｃ、及びシャッタ４３２ｄの図示を省略している。
転写光学系４３２ｂは、平面Ｂとターゲット進行経路２７２との交点を含む撮像領域２５ａの像を、ラインセンサ４３２ｅの受光素子に転写して結像してもよい。
転写光学系４３２ｂは、光源部４３１から出射され平面Ｂを通過する光の撮像領域２５ａにおける像を、ラインセンサ４３２ｅの受光素子に転写して結像してもよい。
ラインセンサ４３２ｅは、転写光学系４３２ｂによって転写され結像された光の像を検出してもよい。
ラインセンサ４３２ｅの受光素子は、光源部４３１と撮像部４３２との対向方向に対して略垂直な方向に配列されてもよい。ラインセンサ４３２ｅの受光素子は、平面Ｂに交差して略平行に配列されてもよい。ラインセンサ４３２ｅの各チャンネルは、当該ラインセンサ４３２ｅの受光素子の配列に対応付けられてもよい。
ラインセンサ４３２ｅは、撮像した光の像の光強度に応じた検出信号を生成してシューティング制御部８１に出力してもよい。シューティング制御部８１は、当該検出信号からドロップレット２７１のパラメータを計測してもよい。
ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１を同時に撮像してもよい。ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅの撮像のタイミングは、当該ドロップレット２７１の直径が平面Ａと交差するタイミングであってもよい。
ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅの撮像は、１つのドロップレット２７１について１回でもよい。
画像計測器４２及び画像計測器４３の他の構成については、図４３に示した画像計測器４２及び画像計測器４３の構成と同様であってもよい。
［９．２ 動作］
図５０Ａ〜図５１Ｂを用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器４２及び画像計測器４３の動作について説明する。
図５０Ａは、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５で適正な位置にある場合のラインセンサ４２２ｅにおける計測結果を示す図である。図５０Ｂは、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５で適正な位置にある場合のラインセンサ４３２ｅにおける計測結果を示す図である。図５１Ａは、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５で適正な位置からずれた場合のラインセンサ４２２ｅにおける計測結果を示す図である。図５１Ｂは、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５で適正な位置からずれた場合のラインセンサ４３２ｅにおける計測結果を示す図である。
なお、図５０Ａの縦軸は、ラインセンサ４２２ｅによって生成される上記検出信号の信号強度を示す。図５０Ａの横軸は、ラインセンサ４２２ｅの各チャンネルに順次割り当てられたチャンネル番号を示す。図５０Ｂの縦軸は、ラインセンサ４３２ｅによって生成される上記検出信号の信号強度を示す。図５０Ｂの横軸は、ラインセンサ４３２ｅの各チャンネルに順次割り当てられたチャンネル番号を示す。図５１Ａ及び図５１Ｂの縦軸及び横軸も、図５０Ａ及び図５０Ｂと同様である。
ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、光源部４２１及び光源部４３１から出射された光は当該ドロップレット２７１により遮蔽され、撮像部４２２及び撮像部４３２は当該ドロップレット２７１の影の像を撮像することとなり得る。そして、当該ドロップレット２７１により遮蔽された光の像の光強度は、当該ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達していないときに比べて顕著に低下し得る。よって、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅによって生成される上記検出信号の信号強度は、当該ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達していないときに比べて顕著に低下し得る。
まず、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、図５０Ａ及び図５０Ｂに示すように、ドロップレット２７１が適正な位置にある場合の当該ドロップレット２７１のＸ’Ｚ’平面における位置を、基準位置として計測してもよい。
具体的には、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、この場合の各検出信号の信号強度が最低となるチャンネル番号Ｎａ及びチャンネル番号Ｎｂを特定してもよい。続いて、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、特定されたチャンネル番号Ｎａ及びチャンネル番号Ｎｂを、当該ドロップレット２７１の基準位置として計測してもよい。
次に、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、ドロップレット２７１が適正な位置にある場合の当該ドロップレット２７１のＺ’方向及びＸ’方向での長さを、基準長さとして計測してもよい。
具体的には、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、この場合の各検出信号の信号強度が閾値Ａ及び閾値Ｂを下回っているチャンネル数（Ｎａ２−Ｎａ１）及びチャンネル数（Ｎｂ２−Ｎｂ１）を算出してもよい。
続いて、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、チャンネル数（Ｎａ２−Ｎａ１）及びチャンネルの数（Ｎｂ２−Ｎｂ１）を、当該ドロップレット２７１の基準長さＤ（＝Ｎａ２−Ｎａ１）及び基準長さｄ（＝Ｎｂ２−Ｎｂ１）として計測してもよい。
次に、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、図５１Ａ及び図５１Ｂに示すように、ドロップレット２７１が適正な位置からずれた場合の当該ドロップレット２７１のＺ’方向及びＸ’方向における基準位置からのずれ量を計測してもよい。
具体的には、ラインセンサ４２２ｅ及び４３２ｅは、この場合の各検出信号の信号強度が最低となるチャンネル番号Ｎａ’及びチャンネル番号Ｎｂ’を特定してもよい。続いて、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、特定されたチャンネル番号Ｎａ’及びチャンネル番号Ｎｂ’と、基準位置のチャンネル番号Ｎａ及びチャンネル番号Ｎｂとの差分（Ｎａ’−Ｎａ）及び（Ｎｂ’−Ｎｂ）を算出してもよい。続いて、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、算出された各差分を、Ｚ’方向及びＸ’方向における基準位置からのずれ量ΔＺ’（＝Ｎａ’−Ｎａ）及びずれ量ΔＸ’（＝Ｎｂ’−Ｎｂ）として計測してもよい。
なお、ΔＺ’及びΔＸ’を座標変換することによって、Ｚ方向及びＸ方向におけるずれ量ΔＺ及びずれ量ΔＸが算出され得る。また、チャンネル番号Ｎａは、Ｎａ１とＮａ２との中間のチャンネル番号として算出されてもよい。チャンネル番号Ｎａ’、Ｎｂ、及びＮｂ’も、これと同様にして算出されてもよい。
次に、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、ドロップレット２７１が適正な位置からずれた場合の当該ドロップレット２７１のＺ’方向及びＸ’方向での観測長さを計測してもよい。
具体的には、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、この場合の各検出信号の信号強度が閾値Ａ及び閾値Ｂを下回っているチャンネル数（Ｎａ２’−Ｎａ１’）及びチャンネル数（Ｎｂ２’−Ｎｂ１’）を算出してもよい。続いて、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、チャンネル数（Ｎａ２’−Ｎａ１’）及びチャンネル数（Ｎｂ２’−Ｎｂ１’）を、観測長さＤ’（＝Ｎａ２’−Ｎａ１’）及び観測長さｄ’（＝Ｎｂ２’−Ｎｂ１’）として計測してもよい。
次に、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、図５１Ａ及び図５１Ｂに示すように、ドロップレット２７１が適正な位置からずれた場合の当該ドロップレット２７１のＹ方向におけるずれ量を計測してもよい。
具体的には、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、Ｙ方向のずれ量の大きさ｜ΔＹ｜を次式から算出してもよい。
｜ΔＹ｜＝Ｄ・ｃｏｓ（ｓｉｎ−１（Ｄ’／Ｄ））
続いて、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、Ｙ方向での当該ドロップレット２７１のずれた方向を（ｄ’−ｄ）を算出することによって特定してもよい。（ｄ’−ｄ）＞０であれば、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、当該ドロップレット２７１は平面Ｂから＋Ｙ方向にずれていると特定してもよい。また、（ｄ’−ｄ）＜０であれば、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、当該ドロップレット２７１は平面Ｂから−Ｙ方向にずれていると特定してもよい。
上述したように、図４９〜図５１Ｂの説明では、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器４２及び画像計測器４３の計測対象となるターゲット２７はドロップレット２７１である場合について説明した。
しかしながら、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器４２及び画像計測器４３の計測対象となるターゲット２７は、２次ターゲット２７１ａ、３次ターゲット２７１ｂ、及びプラズマ光であってもよい。
特に、２次ターゲット２７１ａの形状及び３次ターゲット２７１ｂの形状は、軸対称であることが多くなり得る。このため、計測対象が２次ターゲット２７１ａ及び３次ターゲット２７１ｂである場合、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、これらの対称軸が平面Ａ内に含まれるように構成されてもよい。更に、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅの撮像のタイミングは、２次ターゲット２７１ａ及び３次ターゲット２７１ｂの対称軸が平面Ａ内に含まれるタイミングであってもよい。
また、プラズマ光の光強度は、光源部４２１及び光源部４３１から出射される光よりも高くなり、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅで生成される上記検出信号の信号強度は高くなり得る。このため、計測対象がプラズマ光である場合、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、当該検出信号の信号強度が最高であるチャンネル番号をＮａ及びＮｂとして特定し、プラズマ光の基準位置として計測してもよい。
なお、１つのターゲット２７に対して時間をずらして撮像された複数のデータによって、Ｙ方向のズレ量を計測するようにしてもよい。この場合、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅは、略同一の平面上に配置されてもよい。
［９．３ 作用］
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ラインセンサ４２２ｅ及びラインセンサ４３２ｅを用いた場合であっても、ドロップレット２７１、２次ターゲット２７１ａ、３次ターゲット２７１ｂ、及びプラズマ光のパラメータを計測し得る。
それにより、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット２７１、２次ターゲット２７１ａ、３次ターゲット２７１ｂ、及びプラズマ光のパラメータを、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１よりも安価及び高速に計測し得る。
［１０．その他］
［１０．１ 各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
図５２は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図５２の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。
処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
図５２におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、シューティング制御部８１、遅延回路８２、画像計測制御回路８３、イメージセンサ４２２ａ、及びイメージセンサ４３２ａ等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ヒータ電源７１２、ピエゾ電源７３２、圧力調節器７２１、光源４１１ａ、光源４２１ａ、光源４３１ａ、２軸ステージ７４、３軸ステージ２２６、及び２軸ステージ２２７等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサ、圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、光センサ４１２ａ、シャッタ４２２ｄ、シャッタ４３２ｄ、ラインセンサ４２２ｅ、及びラインセンサ４３２ｅ等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
例示的なハードウェア環境１００は、本開示における露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、及びシューティング制御部８１の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、及びシューティング制御部８１は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
［１０．２ シャッタの構成］
撮像部４２２に含まれるシャッタ４２２ｄは、図５３に示すような構成であってもよい。撮像部４３２に含まれるシャッタ４３２ｄの構成も、シャッタ４２２ｄの構成と同一であってもよい。
図５３に示すシャッタ４２２ｄは、マイクロチャネルプレートを利用したイメージインテンシファイアであってもよい。
イメージインテンシファイアは、入射光により光電面から放出された光電子を増幅して蛍光面に結像及び発光させ、光学像を取得可能な真空管であってもよい。
図５３に示すイメージインテンシファイアは、イメージセンサ４２２ａの受光面に設けられてもよい。
このイメージインテンシファイアは、入射窓と、光電面と、マイクロチャネルプレートと、蛍光面と、出力窓とを含んでもよい。
なお、図５３の「ｐ」は光子を示し、「ｅ」は電子を示している。
入射窓は、入射光を光電面に導入してもよい。
光電面は、入射光を光電子に変換して、マルチチャネルプレートに放出してもよい。
マルチチャネルプレートは、光電子を通すチャネルを多数束ねた構造に形成されてもよい。マルチチャネルプレートは、光電子がチャネルを通過する際にチャネルの内壁に衝突すると２次電子を放出してもよい。それにより、マルチチャネルプレートは、光電面から放出された光電子を増倍して２次電子を蛍光面に放出してもよい。
蛍光面は、マルチチャネルプレートで増倍された電子を光に変換し、出力窓に導いてもよい。
出力窓は、イメージセンサ４２２ａの受光面に隣接していてもよい。出力窓は、蛍光面から導かれた光を、出射光としてイメージセンサ４２２ａへ導出してもよい。イメージセンサ４２２ａは、当該出射光を光学像として受光し得る。
なお、図示していないが、出力窓とイメージセンサ４２２ａとの間には、蛍光面の光学像をイメージセンサ４２２ａの受光面に転写する転写レンズを設けてもよい。
また、図５３に示すイメージインテンシファイアは、ゲート信号のＯＮ又はＯＦＦに応じてマルチチャネルプレートと光電面との間に電位差を与える構成であってもよい。
ゲート信号がＯＮである場合、光電面の電位はマルチチャネルプレートの入力側電位より低くなるように構成してもよい。この場合、光電面から放出される光電子は、当該電位差によりマルチチャネルプレートに到達し得る。このため、ゲート信号がＯＮである場合、光電面から放出される光電子はマルチチャネルプレートで増倍され、イメージセンサ４２２ａは増倍された電子に応じた光学像を受光し得る。
一方、ゲート信号がＯＦＦである場合、光電面の電位はマルチチャネルプレートの入力側電位より高くなり得る。この場合、光電面から放出される光電子は、光電面に引き戻され、マルチチャネルプレートに到達し得ない。このため、ゲート信号がＯＦＦである場合、光電面から放出される光電子はマルチチャネルプレートで増倍されず、イメージセンサ４２２ａは光学像を受光し得ない。
このようにして、図５３に示すイメージインテンシファイアは、ゲート信号のＯＮ又はＯＦＦに応じて、シャッタ機能を実現し得る。
なお、シャッタ４２２ｄは、プラズマ光が放射されてもシャッタ機能を実現可能であれば、ＣＣＤ電子シャッタであってもよい。
また、シャッタ４２２ｄは、ＰＬＺＴ偏光シャッタであってもよい。ＰＬＺＴ偏光シャッタは、複数の偏光板を、圧電セラミクスを介してクロスニコル方向にて配置する構成であってもよい。そして、当該偏光板の間に設けられた圧電セラミクスに電圧を印加することで偏光板の偏光方向を変化させ、シャッタ機能を実現してもよい。
また、シャッタ４２２ｄは、上述した各種のシャッタと機械的シャッタとを組み合わせてもよい。
［１０．３ その他の変形例］
ドロップレット検出器４１は、光源部４１１と受光部４１２とをターゲット進行経路２７２を挟んで対向させなくてもよい。例えば、光源部４１１のウインドウ４１１ｃと受光部４１２のウインドウ４１２ｃとが、非平行で同一点を向くように配置してもよい。受光部４１２は、ドロップレット２７１からの反射光を検出し得る。このように、光源部４１１のウインドウ４１１ｃと受光部４１２のウインドウ４１２ｃとの配置は、ドロップレット２７１からの反射光を検出し得る配置であればよい。
ドロップレット形成機構７３は、コンティニュアスジェット方式を用いたが、静電引き出し方式を用いてもよい。
静電引き出し方式では、ターゲット進行経路２７２上にノズル孔２６２ａと間隔をあけて引出電極を設けてもよい。そして、引出電極及びタンク２６１内のターゲット２７に電位差を生じさせてもよい。それにより、引出電極とターゲット２７との間に静電気力を発生させ得る。この静電気力によって、ノズル孔２６２ａから突出したターゲット２７は、やがて分離され、自己の表面張力によりドロップレット２７１を形成し得る。
ＥＵＶ光生成制御部５、シューティング制御部８１、遅延回路８２、及び画像計測制御回路８３は、その一部又は全部を組み合わせて一体の制御部として構成されてもよい。
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
２５ …プラズマ生成領域
２５ａ …撮像領域
２６ …ターゲット供給部
２７ …ターゲット
２７１ …ドロップレット
２７１ａ …２次ターゲット
２７１ｂ …３次ターゲット
３１ａ〜３３ａ …メインパルスレーザ光
３１ｂ〜３３ｂ …プリパルスレーザ光
３１ｃ〜３３ｃ …第１プリパルスレーザ光
３１ｄ〜３３ｄ …第２プリパルスレーザ光
４１ …ドロップレット検出器
４２、４３ …画像計測器
４２２、４３２ …撮像部
８ …制御部
８１ …シューティング制御部
８２ …遅延回路
８３ …画像計測制御回路

Claims (8)

  1. 内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、
    前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲット供給部から前記プラズマ生成領域に進行する前記ドロップレットを検出するドロップレット検出器と、
    前記プラズマ生成領域を含む前記チャンバ内の撮像領域の画像を撮像する撮像部と、
    前記ドロップレット検出器が前記ドロップレットを検出する検出タイミングに基づいて、前記撮像部が前記撮像領域を撮像する撮像タイミングを制御する制御部と、
    を備え、
    前記ドロップレットは、
    前記プラズマ生成領域でレーザ光が照射されるとプラズマ化して前記極端紫外光を含むプラズマ光を放射し、
    前記制御部は、
    前記検出タイミングに基づいて、前記プラズマ生成領域で前記レーザ光が前記ドロップレットを照射する照射タイミングを制御する構成であり、
    前記制御部は、
    前記検出タイミングから所定時間だけ遅延したタイミングに前記照射タイミングを設定すると共に、前記照射タイミングの直前に前記撮像タイミングを設定し、
    前記撮像部は、
    前記撮像タイミングの前記撮像領域に含まれる前記ドロップレットの画像を撮像する
    極端紫外光生成装置。
  2. 前記制御部は、
    前記照射タイミングの直後に前記撮像タイミングを設定し、
    前記撮像部は、
    前記撮像タイミングの前記撮像領域に含まれる前記プラズマ光の画像を撮像する
    請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
  3. 前記制御部は、
    前記撮像部によって撮像された前記ドロップレットの画像及び前記プラズマ光の画像
    に基づいて、前記ドロップレットの位置を制御すると共に前記レーザ光の集光位置を制御
    する
    請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
  4. 内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、
    前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲット供給部から前記プラズマ生成領域に進行する前記ドロップレットを検出するドロップレット検出器と、
    前記プラズマ生成領域を含む前記チャンバ内の撮像領域の画像を撮像する撮像部と、
    前記ドロップレット検出器が前記ドロップレットを検出する検出タイミングに基づいて、前記撮像部が前記撮像領域を撮像する撮像タイミングを制御する制御部と、
    を備え、
    前記プラズマ生成領域には、
    前記プラズマ生成領域に出力された前記ドロップレットを照射する第１プリパルスレーザ光と、
    前記第１プリパルスレーザ光が照射された前記ドロップレットである２次ターゲットを照射する第２プリパルスレーザ光と、
    前記第２プリパルスレーザ光が照射された前記２次ターゲットである３次ターゲットを照射するメインパルスレーザ光と、
    がそれぞれ導入され、
    前記３次ターゲットは、前記メインパルスレーザ光が照射されるとプラズマ化して前記極端紫外光を含むプラズマ光を放射し、
    前記制御部は、
    前記検出タイミングに基づいて、
    前記第１プリパルスレーザ光が前記ドロップレットを照射する第１照射タイミングと、
    前記第２プリパルスレーザ光が前記２次ターゲットを照射する第２照射タイミングと、
    前記メインパルスレーザ光が前記３次ターゲットを照射する第３照射タイミングと、
    をそれぞれ制御する構成であり、
    前記制御部は、
    前記検出タイミングから第１所定時間だけ遅延したタイミングに前記第１照射タイミングを設定すると共に、前記第１照射タイミングの直前に前記撮像タイミングを設定し、
    前記撮像部は、
    前記撮像タイミングの前記撮像領域に含まれる前記ドロップレットの画像を撮像する
    極端紫外光生成装置。
  5. 前記制御部は、
    前記検出タイミングから前記第１所定時間よりも長い第２所定時間だけ遅延したタイミングに前記第２照射タイミングを設定すると共に、前記第２照射タイミングの直前に前記撮像タイミングを設定し、
    前記撮像部は、
    前記撮像タイミングの前記撮像領域に含まれる前記２次ターゲットの画像を撮像する
    請求項４に記載の極端紫外光生成装置。
  6. 前記制御部は、
    前記検出タイミングから前記第２所定時間よりも長い第３所定時間だけ遅延したタイミングに前記第３照射タイミングを設定すると共に、前記第３照射タイミングの直前に前
    記撮像タイミングを設定し、
    前記撮像部は、
    前記撮像タイミングの前記撮像領域に含まれる前記３次ターゲットの画像を撮像する
    請求項５に記載の極端紫外光生成装置。
  7. 前記制御部は、
    前記第３照射タイミングの直後に前記撮像タイミングを設定し、
    前記撮像部は、
    前記撮像タイミングの前記撮像領域に含まれる前記プラズマ光の画像を撮像する
    請求項６に記載の極端紫外光生成装置。
  8. 前記制御部は、
    前記撮像部によって撮像された前記ドロップレットの画像に基づいて、前記ドロップレットの位置を制御し、
    前記撮像部によって撮像された前記２次ターゲットの画像に基づいて、前記第１プリパルスレーザ光の集光位置を制御し、
    前記撮像部によって撮像された前記３次ターゲットの画像に基づいて、前記第２プリパルスレーザ光の集光位置を制御し、
    前記撮像部によって撮像された前記プラズマ光の画像に基づいて、前記メインパルスレーザ光の集光位置を制御する
    請求項７に記載の極端紫外光生成装置。
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