WO2016147255A1 - ターゲット撮像装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

ターゲット撮像装置及び極端紫外光生成装置 Download PDF

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WO2016147255A1
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target
shutter
light
imaging
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裕計 細田
隆之 薮
秀往 星野
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ギガフォトン株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the present disclosure relates to an apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV) light.
  • EUV extreme ultraviolet
  • an extreme ultraviolet (EUV) light generation device that generates extreme ultraviolet (EUV) light with a wavelength of about 13 nm and a reduced projection reflection optical system (Reduced Projection Reflective Optics) are provided to meet the demand for fine processing of 32 nm or less.
  • EUV extreme ultraviolet
  • Reduced Projection Reflective Optics Reduced Projection Reflective Optics
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge
  • Three types of devices have been proposed: a Produced (Plasma) system and an SR (Synchrotron Radiation) system using orbital radiation.
  • Patent application publication 2007-528607 Patent Application Publication No. 2014-175474 International Patent Application PCT / JP2014 / 074594
  • a target imaging device detects passage of a droplet output from a target supply unit as a target in a predetermined region where extreme ultraviolet light is generated, and detects the passage of the droplet.
  • a droplet detector that outputs a detection signal to the light source, an illumination light source that illuminates the droplet detected by the droplet detector, and reflected light from the droplet that has been irradiated with the illumination light.
  • An image sensor that picks up the image of the droplet by receiving light, a shutter device that includes a shutter that switches propagation and blocking of the light including the reflected light to the image sensor, and an exposure signal that causes the image sensor to perform imaging
  • a shutter for opening and closing the shutter is operated. And it outputs the jitter-off signal, and a control unit for multiple exposure on the imaging device the light reflected from the droplet may be provided.
  • An extreme ultraviolet light generation apparatus includes a chamber in which a target supplied to an internal plasma generation region is converted into plasma by irradiation with laser light to generate extreme ultraviolet light, and the target is used as a droplet.
  • a target supply unit that supplies the target to the plasma generation region by outputting into the chamber, and the target supply unit in a direction substantially perpendicular to the droplet trajectory output from the target supply unit.
  • a target stage to be moved; a droplet detector that detects passage of the droplet between the target supply unit and the plasma generation region; and outputs a detection signal each time passage of the droplet is detected; Illuminating the droplet detected by the droplet detector.
  • An illumination light source that irradiates light, an image sensor that receives the reflected light from the droplet caused by the irradiation of the illumination light, and images the droplet; and light that includes the reflected light to the image sensor
  • a shutter device that includes a shutter that switches between propagation and blocking, and an exposure signal that causes the imaging device to perform imaging, and when the detection signal is input while the exposure signal is being output, opens and closes the shutter.
  • a control unit that outputs a shutter opening / closing signal for causing the reflected light from the droplet to be subjected to multiple exposure on the imaging device, and controlling the target stage based on the multiple exposure image output from the imaging device; , May be provided.
  • An extreme ultraviolet light generation apparatus includes a chamber that generates extreme ultraviolet light by irradiating a target supplied to an internal plasma generation region with laser light to generate plasma, and the laser light
  • a laser device for outputting, a target supply unit for supplying the target as a droplet to the plasma generation region, and the target supply unit in a direction substantially perpendicular to the trajectory of the droplet output from the target supply unit
  • a droplet detector that detects the passage of the droplet between the target stage that moves the target, the target supply unit, and the plasma generation region, and outputs a detection signal each time passage of the droplet is detected
  • illumination light on the droplets detected by the droplet detector An illumination light source to irradiate, an image sensor that receives reflected light from the droplet caused by the irradiation of the illumination light and images the droplet, and propagation of light including the reflected light to the image sensor;
  • a shutter device including a shutter for switching off, a trigger signal for outputting a laser beam to the laser device based on the
  • FIG. 1 schematically illustrates the configuration of an exemplary LPP EUV light generation system.
  • FIG. 2 shows a partial configuration of the EUV light generation apparatus including the target imaging apparatus.
  • FIG. 3A is a diagram for explaining a configuration of a droplet detector included in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3B is a diagram for explaining the configuration of the illumination light source unit of the orbital imaging unit provided in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3C is a diagram for explaining the configuration of the imaging unit of the orbital imaging unit provided in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 1 schematically illustrates the configuration of an exemplary LPP EUV light generation system.
  • FIG. 2 shows a partial configuration of the EUV light generation apparatus including the target imaging apparatus.
  • FIG. 3A is a diagram for explaining a configuration of a droplet detector included in the EUV light generation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3B is a diagram for explaining the configuration of the illumination light source unit of the orbital
  • FIG. 4A shows a time chart relating to the image acquisition of the droplet in the control unit shown in FIG.
  • FIG. 4B shows an example of an image of a droplet imaged by the imaging unit of the trajectory imaging unit shown in FIG.
  • FIG. 5A shows an example of an image of a droplet imaged by the imaging unit of the trajectory imaging unit shown in FIG.
  • FIG. 5B shows a time chart relating to acquisition of an image of a droplet in the control unit shown in FIG. 2 during a burst operation.
  • FIG. 5C illustrates an example of a droplet image captured by the imaging unit of the orbital imaging unit illustrated in FIG. 2 during the burst operation.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the configuration of the imaging unit of the orbit imaging unit included in the EUV light generation apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 7A shows a time chart relating to acquisition of an image of a droplet in the control unit of the EUV light generation apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 7B illustrates an example of a droplet image captured by the imaging unit of the trajectory imaging unit illustrated in FIG. 6.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the configuration of the imaging unit of the trajectory imaging unit in the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the configuration of the imaging unit of the trajectory imaging unit in Modification 2 of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the configuration of the trajectory imaging unit in the third modification of the first embodiment.
  • FIG. 7A shows a time chart relating to acquisition of an image of a droplet in the control unit of the EUV light generation apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 7B illustrates an example of a droplet image captured by the imaging
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a configuration of an EUV light generation apparatus including a trajectory imaging unit according to the second embodiment.
  • FIG. 12A is a diagram for explaining a configuration of an EUV light generation apparatus including a trajectory imaging unit according to the third embodiment.
  • FIG. 12B shows an example of an image of a droplet imaged by the imaging unit of the trajectory imaging unit shown in FIG. 12A.
  • FIG. 13A shows a configuration of an image intensifier unit as an example of a shutter device.
  • FIG. 13B shows a configuration of an image intensifier unit as an example of a shutter device.
  • FIG. 14 is a block diagram illustrating a hardware environment of each control unit.
  • Orbital imaging unit included in EUV light generation apparatus includes modification 3 of the first embodiment 9.1 Configuration 9.2 Operation 10. 10. Orbit imaging unit included in EUV light generation apparatus of second embodiment 10.1 Configuration 10.2 Operation 10.3 Operation 11. 11. Orbital imaging unit included in EUV light generation apparatus according to the third embodiment 11.1 Configuration 11.2 Operation 12. Shutter device 12.1 Image intensifier unit 12.2 PLZT polarization shutter 13. Hardware environment of each control unit
  • the target imaging device 40 detects the passage of the droplet 271 output from the target supply unit 26 as the target 27 in a predetermined region where extreme ultraviolet light is generated, and each time the passage of the droplet 271 is detected.
  • a droplet detector 41 that outputs a detection signal, an illumination light source 421a that irradiates illumination light to the droplet 271 detected by the droplet detector 41, and reflected light from the droplet 271 that is irradiated with the illumination light
  • An image sensor 422a that receives the light and images the droplet 271; a shutter device 422d that includes a shutter that switches between propagation and blocking of light including reflected light to the image sensor 422a; and an exposure signal that causes the image sensor 422a to perform imaging.
  • the jitter outputs a shutter closing signal for opening and closing may include a control unit 8A to multiple exposure on the imaging device 422a reflected light from the target 27. Therefore, the target imaging device 40 according to the present disclosure can acquire an image of the droplet 271 that does not include plasma light while performing multiple exposure of images of a plurality of different droplets 271 near the plasma generation position. For this reason, the control unit 8A can improve the accuracy of the trajectory control of the droplet 271 based on the image acquired by the imaging element 422a.
  • the “target” is an object to be irradiated with laser light introduced into the chamber.
  • the target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
  • a “droplet” is a form of target supplied into the chamber.
  • “Plasma light” is radiation light emitted from a plasma target. The emitted light includes EUV light.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like.
  • the target sensor 4 may have an imaging function, and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other.
  • a wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29.
  • the wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enter the chamber 2.
  • the pulse laser beam 32 may travel through the chamber 2 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and be irradiated to the at least one target 27 as the pulse laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulse laser beam is turned into plasma, and EUV light 251 can be emitted from the plasma along with the emission of light of other wavelengths.
  • the EUV light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • a single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4.
  • the EUV light generation controller 5 may perform at least one of timing control for outputting the target 27 and control of the output direction of the target 27, for example.
  • the EUV light generation control unit 5 performs at least one of, for example, control of the oscillation timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser light 32, and control of the focusing position of the pulse laser light 33. Also good.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • EUV light generation apparatus including target imaging device [4.1 Configuration: Overall]
  • the configuration of the EUV light generation apparatus 1 including the target imaging apparatus 40 will be described with reference to FIG. 2 may be a configuration of the target imaging unit 40 corresponding to the target supply unit 26 and the target sensor 4 in the EUV light generation apparatus 1 shown in FIG. Note that the chamber 2 is not shown in FIG.
  • the target supply unit 26 may be placed on the target stage 74.
  • the target stage 74 may be a biaxial stage that moves the target supply unit 26 with respect to the chamber 2.
  • the target stage 74 may be a stage that moves the target supply unit 26 in the X-axis direction and the Z-axis direction.
  • the target supply unit 26 may be configured to output a droplet-shaped target 27 through the nozzle 262 toward the plasma generation region 25.
  • the moving path of the target 27 that moves from the nozzle 262 to the plasma generation region 25 may be a droplet trajectory F.
  • the target imaging device 40 may include a droplet detector 41, a trajectory imaging unit 42, and a control unit 8.
  • the droplet detector 41 and the trajectory imaging unit 42 may be disposed in the chamber 2.
  • the droplet detector 41 may be disposed on the droplet trajectory F.
  • the droplet detector 41 may be arranged on the downstream side in the moving direction of the target 27 with respect to the nozzle 262.
  • the orbit imaging unit 42 may be disposed between the droplet detector 41 and the plasma generation region 25.
  • the trajectory imaging unit 42 may be arranged on the droplet trajectory F so as to image the target 27 passing through the region upstream of the plasma generation region 25 in the moving direction of the target 27.
  • the imaging region by the trajectory imaging unit 42 may be a region away from the plasma generation region 25 to the 17 mm target supply unit 26 side.
  • the trajectory imaging unit 42 may be arranged to image the target 27 from a direction substantially orthogonal to the droplet trajectory F, such as the X-axis direction in the drawing.
  • the control unit 8 may be connected to the droplet detector 41, the orbit imaging unit 42, the target stage 74, the EUV light generation control unit 5, and the laser device 3.
  • the configuration of the droplet detector 41 will be described with reference to FIG. 3A.
  • the droplet detector 41 may include a line beam light source unit 411 and a light receiving unit 412.
  • the line beam light source unit 411 and the light receiving unit 412 may be arranged so as to face each other across the droplet trajectory F that is the trajectory of the droplet 271 as one form of the target 27.
  • the line beam light source unit 411 and the light receiving unit 412 may be installed through windows 411c and 412c arranged on the chamber wall 2a, respectively.
  • the line beam light source unit 411 may be configured to output a line beam.
  • the line beam light source unit 411 may be arranged so that the output line beam intersects the target trajectory F.
  • the line beam light source unit 411 may include a light source 411a such as a CW laser, a high-intensity lamp, and an LED, and a line beam optical system 411b including a cylindrical lens.
  • the light receiving unit 412 may be arranged so that the line beam output from the line beam light source unit 411 is incident through the target trajectory F.
  • the light receiving unit 412 may include a light receiving optical system 412b and a light receiving element 412a including a line sensor such as a photodiode array.
  • the light receiving element 412a may be connected to the control unit 8.
  • the light receiving element 412a may receive the line beam output from the line beam light source unit 411 via the light receiving optical system 412b.
  • the configuration of the trajectory imaging unit 42 will be described with reference to FIGS. 3B and 3C.
  • the trajectory imaging unit 42 may include an illumination light source unit 421 illustrated in FIG. 3B and an imaging unit 422 illustrated in FIG. 3C.
  • the illumination light source unit 421 may be configured to irradiate the droplet 271 with illumination light through a window 421c disposed on the chamber wall 2a.
  • the illumination light source unit 421 may include an illumination light source 421a and an illumination optical system 421b.
  • the illumination light source 421a may be a laser, an LED, or the like.
  • the imaging unit 422 is arranged such that the reflected light reflected by the droplet 271 from the illumination light source unit 421 enters through the window 422c arranged on the chamber wall 2a. It's okay.
  • the imaging unit 422 may include an imaging element 422a and an imaging optical system 422b.
  • the image sensor 422a may include a CCD that can capture a two-dimensional image.
  • the image sensor 422a may be connected to the control unit 8.
  • FIG. 4A is a time chart related to the control of the control unit 8 shown in FIG. 2, and is a time chart when the image measurement of the droplet 271 before reaching the plasma generation region 25 is performed.
  • the EUV light generation control unit 5 may output the droplet 271 from the target supply unit 26 toward the plasma generation region 25. Thereafter, the droplet 271 can pass the line beam output from the line beam light source unit 411. Note that the target supply unit 26 may output the droplets 271 at an interval of 10 ⁇ S, for example.
  • the light receiving unit 412 corresponds to the detection of the droplet 271 as shown in FIG. A detection signal may be output.
  • the control unit 8 may output an exposure signal to the imaging unit 422 of the trajectory imaging unit 42.
  • the control unit 8 may output an exposure signal to the imaging unit 422 of the trajectory imaging unit 42 without being based on whether or not a detection signal is input.
  • the imaging unit 422 may start imaging when an exposure signal is input.
  • the control unit 8 may output a trigger signal for instructing laser oscillation to the laser device 3 at a timing delayed by a predetermined delay time TL from the timing at which the detection signal is input.
  • the delay time TL is determined so that when the droplet 271 corresponding to the detection signal reaches the plasma generation region 25, the laser beam output from the laser device 3 is irradiated to the droplet 271. You can leave.
  • the laser device 3 may output the pulse laser beam 31 when a trigger signal is input.
  • the pulse laser beam 31 may irradiate the droplet 271 via the laser beam traveling direction control unit 34 and the laser beam collector mirror 22. Thereby, plasma light can be generated.
  • the control unit 8 may stop outputting the exposure signal after a predetermined time has elapsed since the exposure signal was output.
  • an exposure time is defined as a predetermined time from when the output of the exposure signal is started until the output of the exposure apparatus is stopped.
  • the exposure time may be several milliseconds.
  • the exposure time may be 8 mS, for example.
  • the imaging unit 422 of the orbital imaging unit 42 may multiplex-expose images of a plurality of droplets 271 irradiated with illumination light from the illumination light source unit 421 while an exposure signal is input.
  • the control unit 8 may output an image readout signal to the imaging unit 422 in order to read an image from the imaging unit 422.
  • the control unit 8 may acquire the image output from the imaging unit 422.
  • FIG. 4B shows an example of an image that the control unit 8 can acquire from the imaging unit 422.
  • the image shown in FIG. 4B can be, for example, an integrated image of droplets 271 that have passed through a circular illumination range. For this reason, the trajectory of an elliptical or linear droplet 271 can be included in the image.
  • the control unit 8 may calculate the trajectory position of the droplet 271 based on the image acquired from the imaging unit 422.
  • the acquired image can be, for example, an image including an ellipse or a line indicating the locus of the droplet 271 as shown in FIG. 4B.
  • the control unit 8 may calculate the center position of the ellipse or line on the image coordinates.
  • the control unit 8 may recognize the calculated center position of the trajectory of the droplet 271 as the actual trajectory position of the droplet 271.
  • the control unit 8 may move the target stage 74 based on the certified actual trajectory position so that the droplet 271 passes through the desired plasma generation position.
  • the control unit 8 sets the trajectory that the droplet 271 should pass based on the position information of the plasma generation position designated in advance from the exposure apparatus 6 via the EUV light generation control unit 5 as shown in FIG.
  • the trajectory position specified by the image coordinates may be calculated.
  • the control unit 8 moves the target stage 74 on the image coordinates based on the difference between the trajectory position specified by the droplet 271 to pass and the actual trajectory position of the droplet 271 actually obtained.
  • the plasma generation position designated by the exposure apparatus 6 may be a specific spatial position in the plasma generation region 25.
  • the Z direction may correspond to the horizontal direction on the image of FIG. 4B acquired by the imaging unit 422. For this reason, when an image as shown in FIG. 4B is acquired, the target stage 74 may be moved in the Z direction. At this time, the amount of movement of the target stage 74 may be determined based on the magnification of the image shown in FIG. 4B and the number of difference pixels.
  • the trajectory of the droplet 271 can be controlled by moving the target stage 74 using the image acquired by the trajectory imaging unit 42. For this reason, plasma can be stably generated at a desired plasma generation position designated by the exposure apparatus 6.
  • the trajectory imaging unit 42 should perform imaging at the timing when the droplet 271 to be imaged has moved to a position close to the plasma generation region. There may be a request for.
  • the distance between the droplet 271 to be imaged and the plasma generation region 25 can be, for example, several tens to several hundreds ⁇ m.
  • the imaging region of the orbit imaging unit 42 can be a region including the plasma generation region 25 in the imaging region. For this reason, as shown in FIG. 5A, an image of plasma light may be reflected in the image acquired by the trajectory imaging unit 42. For this reason, calculation of the actual orbital position of the droplet 271 may be difficult due to the influence of the image of the plasma light.
  • the burst operation may be an operation in which the EUV light generation apparatus 1 repeats a burst light emission period in which EUV light is continuously generated and a burst pause period in which EUV light is not generated.
  • the burst operation may be frequently used when the exposure apparatus 6 performs wafer exposure.
  • control of the control unit 8 included in the EUV light generation apparatus 1 on the premise of the burst operation will be described with reference to FIGS. 5B and 5C.
  • the description of the same configuration, control and operation as those of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. 2, 3A to 3C and 4A to 4B is omitted.
  • the arrangement of the trajectory imaging unit 42 which is a premise of the control illustrated in FIGS. 5B and 5C may be an arrangement when the distance between the droplet 271 to be imaged and the plasma generation region 25 is short.
  • FIG. 5B is a time chart related to the control of the control unit 8 accompanied by a burst operation, and is a time chart when performing image measurement of the droplet 271 that has reached the vicinity of the plasma generation region 25.
  • the control unit 8 may receive a burst signal from the exposure apparatus 6 via the EUV light generation control unit 5.
  • the burst signal may be a signal output from the exposure apparatus 6 during the burst light emission period, as shown in FIG. 5B.
  • the burst signal may be a signal that designates a burst light emission period and a burst pause period, for example.
  • the control unit 8 may output a trigger signal at the timing when both the detection signal from the light receiving unit 412 of the droplet detector 41 and the burst signal from the exposure apparatus 6 are input. For this reason, the laser apparatus 3 can output a laser beam only during the burst emission period.
  • the control unit 8 may output the exposure signal only during the burst pause period. For this reason, the orbit imaging unit 42 can image the droplet 271 only in the burst pause period in which plasma light is not emitted. Note that the timing of outputting the exposure signal may or may not be synchronized with the timing of inputting the detection signal.
  • the trajectory imaging unit 42 can prevent imaging during the burst light emission period. For this reason, the orbit imaging unit 42 can suppress the imaging of the plasma light. Therefore, for example, as shown in FIG. 5C, the trajectory imaging unit 42 can acquire an image of the droplet 271 that does not include plasma light.
  • the trajectory of the droplet 271 can be controlled only during the burst pause period. For this reason, during the generation of plasma light, the control of the trajectory of the droplet 271 can be in an uncontrolled state. Therefore, even if the trajectory of the droplet 271 fluctuates during the emission of plasma light, the trajectory of the droplet 271 cannot be controlled, and the stability of the operation of the EUV light generation apparatus 1 is reduced. It was.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the configuration of the imaging unit 422A in the orbit imaging unit 42A included in the EUV light generation apparatus 1.
  • the imaging unit 422A in the first embodiment may include a shutter device 422d.
  • the shutter device 422d may be adjacent to the light receiving surface of the image sensor 422a.
  • Other configurations of the imaging unit 422A of the first embodiment may be the same as the configuration of the imaging unit 422 illustrated in FIG. 3C. In the configuration of the imaging unit 422A of the first embodiment, the description of the same configuration as the imaging unit 422 illustrated in FIG. 3C is omitted.
  • the imaging unit 422A in the orbit imaging unit 42A may include a shutter device 422d as shown in FIG.
  • the shutter device 422d may be disposed between the image sensor 422a and the imaging optical system 422b.
  • the shutter device 422d may be connected to the control unit 8A.
  • the shutter device 422d may be, for example, an image intensifier unit (IIU) described later.
  • the imaging region of the orbit imaging unit 42A may be a region including the plasma generation region 25 in the imaging region.
  • the imaging timing of the droplet 271 by the orbit imaging unit 42A may be a timing at which the distance between the droplet 271 to be imaged and the plasma generation region 25 is, for example, a distance of several tens to several hundreds of ⁇ m.
  • Control of the control unit 8A included in the EUV light generation apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 7A and 7B.
  • the description of the same configuration, control, and operation as those of the EUV light generation apparatus 1 shown in FIGS. 2, 3A to 3C, and 4A to 4B is omitted. To do.
  • FIG. 7A is a time chart relating to the control of the control unit 8A according to the first embodiment, and is a time chart in the case of performing image measurement of the droplet 271 that has reached the vicinity of the plasma generation region 25.
  • control unit 8A may output a shutter open / close signal to the shutter device 422d at a timing delayed by a predetermined delay time TS.
  • the predetermined delay time TS may be determined so that the shutter open / close signal is output several ⁇ S before the plasma generation timing corresponding to the detection signal when the droplet 271 is detected.
  • the predetermined delay time TS may be determined so that the shutter open / close signal is output, for example, 0.2 to 7 ⁇ S before the plasma generation timing.
  • the shutter open / close signal may be a signal for instructing to open the shutter of the shutter device 422d in order to propagate the reflected light from the droplet 271 to the image sensor 422a and to close the shutter to block the reflected light.
  • the shutter open / close signal may be a signal for opening the shutter provided in the shutter device 422d for several ⁇ S, and may be a signal for opening the shutter for about 7 ⁇ S, for example.
  • the shutter opening / closing signal may be a signal for closing the shutter provided in the shutter device 422d at the timing when several ⁇ S has elapsed since the instruction to open the shutter provided in the shutter device 422d has elapsed. For this reason, as shown in FIG.
  • the shutter provided in the shutter device 422d can be in a closed state when plasma light is emitted.
  • the speed of the shutter opening operation and the speed of the shutter closing operation in the shutter device 422d may be an operation speed that is several hundred nS or less.
  • control unit 8A may output an exposure signal to the imaging unit 422A of the orbit imaging unit 42A prior to outputting the shutter opening / closing signal.
  • the controller 8A may start outputting the exposure signal between the input of the detection signal and the output of the shutter open / close signal.
  • the imaging unit 422A may start imaging when the exposure signal output from the control unit 8A is input.
  • the imaging element 422a of the imaging unit 422A can acquire an image while the shutter of the shutter device 422d is open.
  • the controller 8A may output a trigger signal to the laser device 3 by adding a predetermined delay time TL to the detection signal, as shown in FIG. 7A.
  • the laser device 3 may output the pulse laser beam 31 when a trigger signal is input.
  • the pulse laser beam 31 may irradiate the droplet 271 via the laser beam traveling direction control unit 34 and the laser beam collector mirror 22. For this reason, plasma light can be generated.
  • the control unit 8A detects the output of the shutter open / close signal to the shutter device 422d based on the input of the detection signal of the droplet 271 while outputting the exposure signal to the image sensor 422a. It may be performed each time a signal is input. Alternatively, the shutter opening / closing signal may be output to the shutter device 422d only during the burst emission period based on the input of the trigger signal.
  • the image sensor 422a may capture different droplets 271 each time the shutter of the shutter device 422d is opened while the exposure signal is input.
  • the image sensor 422a may perform multiple exposure of the images of the plurality of droplets 271 illuminated by the illumination light source unit 421 while the exposure signal is input.
  • the image sensor 422a may multiplex-expose an image for the time during which the shutter device 422d is open.
  • the imaging element 422a is in a state in which the shutter of the shutter device 422d is closed while the plasma light is being emitted, so that the plasma light can be prevented from entering.
  • the output of the shutter opening / closing signal to the shutter device 422d may be performed based on the input of two detection signals by two different droplets.
  • the shutter may be opened based on the detection signal of the preceding droplet, and the shutter may be closed based on the detection signal of the subsequent droplet.
  • the control unit 8A may output an image readout signal for reading out an image from the image sensor 422a after stopping the output of the exposure signal.
  • the control unit 8A may acquire the image output from the image sensor 422a.
  • the control unit 8A can acquire an image as shown in FIG. 7B, for example.
  • the control unit 8A can be used for controlling the trajectory of the droplet 271 using the acquired image, similarly to the case of the image shown in FIG. 4B.
  • the orbit imaging unit 42A of the first embodiment it is possible to suppress the plasma light generated in the plasma generation region 25 from entering the imaging element 422a by the operation of the shutter device 422d. Further, the orbit imaging unit 42A can image the droplet 271 located near the plasma generation position. The orbital imaging unit 42A can perform multiple exposure of images of a plurality of different droplets 271 near the plasma generation position. Therefore, the trajectory imaging unit 42A can acquire an image of the droplet 271 that does not include plasma light while performing multiple exposure of images of a plurality of different droplets 271 near the plasma generation position. Therefore, the control unit 8A can improve the accuracy of the trajectory control of the droplet 271 based on the image acquired by the trajectory imaging unit 42A. In addition, the trajectory control of the droplets 271 may be possible even during the generation of plasma light during the burst emission period. Therefore, the stability of the operation of the EUV light generation apparatus can be improved.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the configuration of the imaging unit 422B of the orbital imaging unit 42B included in the EUV light generation apparatus 1 of Modification 1 of the first embodiment.
  • the imaging unit 422B of Modification Example 1 of the first embodiment may include a collimating optical system 422f. Further, unlike the imaging unit 422A of the first embodiment shown in FIG. 6, the imaging unit 422B of Modification 1 in the first embodiment has an imaging optical system 422e disposed between the shutter device 422d and the imaging element 422a. May be.
  • Other configurations of the imaging unit 422B according to Modification 1 of the first embodiment may be the same as the configuration of the imaging unit 422A illustrated in FIG. In the configuration of the imaging unit 422B according to Modification 1 of the first embodiment, the description of the same configuration as the imaging unit 422A illustrated in FIG. 6 is omitted.
  • the shutter device 422d may be disposed between the collimating optical system 422f and the imaging optical system 422e.
  • the collimating optical system 422f may be configured to collimate the reflected light from the droplet 271 and enter the shutter device 422d.
  • the imaging optical system 422e may be configured to form an image of light that has been collimated by the collimating optical system 422f and transmitted through the shutter device 422d on the light receiving surface of the imaging element 422a.
  • the collimated light can be incident on the shutter device 422d.
  • the shutter provided in the shutter device 422d is a polarization shutter or the like
  • distortion of the image of the droplet 271 due to transmission through the shutter device 422d can be suppressed. Therefore, the measurement accuracy of the trajectory of the droplet 271 based on the image acquired by the imaging unit 422B can be improved.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the configuration of the imaging unit 422C of the orbital imaging unit 42C included in the EUV light generation apparatus 1 of Modification 2 of the first embodiment.
  • the imaging unit 422C of Modification 2 in the first embodiment includes a first relay optical system 422g and a second relay optical system 422h. It's okay.
  • the imaging unit 422C of Modification Example 2 in the first embodiment includes a first relay optical system 422g and a second relay optical system 422h instead of the collimating optical system 422f and the imaging optical system 422e in the imaging unit 422B illustrated in FIG. May be arranged.
  • Other configurations in the imaging unit 422C of Modification 2 in the first embodiment may be the same as the configuration of the imaging unit 422B illustrated in FIG. In the configuration of the imaging unit 422C according to Modification 2 of the first embodiment, the description of the same configuration as the imaging unit 422A illustrated in FIG. 6 and the imaging unit 422B illustrated in FIG. 8 is omitted.
  • the shutter device 422d may be disposed between the first relay optical system 422g and the second relay optical system 422h.
  • the first relay optical system 422g may be configured to image the reflected light from the droplet 271 on the light receiving surface of the shutter device 422d.
  • the second relay optical system 422h may be configured to form an image of the light transmitted through the shutter device 422d on the light receiving surface of the image sensor 422a.
  • an image of the droplet 271 can be formed on the light receiving surface of the shutter device 422d.
  • the shutter provided in the shutter device 422d is an image intensifier (IIU) using a microchannel plate (MCP) or the like
  • the image of the droplet 271 is blurred due to transmission through the shutter device 422d. Can be suppressed. Therefore, the measurement accuracy of the trajectory of the droplet 271 based on the image acquired by the imaging unit 422C can be improved.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the configuration of the trajectory imaging unit 42D included in the EUV light generation apparatus 1 according to Modification 3 of the first embodiment.
  • the imaging unit 422D of Modification 3 in the first embodiment includes a partial reflection mirror 422i. It's okay.
  • the illumination light source 422j and the illumination optical system 422k may be arranged in the imaging unit 422A illustrated in FIG.
  • Other configurations in the imaging unit 422D of Modification 3 in the first embodiment may be the same as the configuration of the imaging unit 422A illustrated in FIG.
  • the same configuration as the imaging unit 422A illustrated in FIG. 6, the imaging unit 422B illustrated in FIG. 8, and the imaging unit 422C illustrated in FIG. Is omitted.
  • the imaging unit 422D may include a partial reflection mirror 422i.
  • the imaging unit 422D may include an imaging element 422a, an imaging optical system 422b, a shutter device 422d, a partial reflection mirror 422i, an illumination light source 422j, and an illumination optical system 422k in the same casing.
  • the partial reflection mirror 422i may reflect the illumination light output from the illumination light source 422j toward the droplet 271.
  • the partial reflection mirror 422i may transmit the reflected light from the droplet 271 that has been irradiated with the illumination light to the imaging optical system 422b.
  • the window 422c may transmit the illumination light output from the illumination light source 422j and transmit the reflected light from the droplet 271.
  • the partial reflection mirror 422i may be a polarization beam splitter.
  • the illumination light source 422j may output polarized light reflected by the polarization beam splitter, and a ⁇ / 4 plate may be disposed in the optical path from the partial reflection mirror 422i to the droplet 271.
  • a ⁇ / 2 plate may be disposed in the illumination light path from the illumination light source 422j to the partial reflection mirror 422i.
  • the trajectory imaging unit 42D can be configured compactly. Moreover, since reflected light can be detected from the direction in which the droplet 271 is irradiated with illumination light, the measurement accuracy of the image of the droplet 271 can be improved.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration of the trajectory imaging unit 42E provided in the EUV light generation apparatus 1 of the second embodiment.
  • the trajectory imaging unit 42E according to the second embodiment is different from the trajectory imaging unit 42 illustrated in FIG. 2 in addition to the first illumination light source unit 421P and the first imaging unit 422P, and the second illumination light source unit 421Q and the second imaging unit 422Q. May be arranged.
  • Other configurations of the trajectory imaging unit 42E of the second embodiment may be the same as the configuration of the trajectory imaging unit 42 illustrated in FIG. In the configuration of the trajectory imaging unit 42E of the second embodiment, the description of the same configuration as the trajectory imaging unit 42 shown in FIG. 2 is omitted.
  • the trajectory imaging unit 42E in the second embodiment may include a first illumination light source unit 421P and a first imaging unit 422P, and a second illumination light source unit 421Q and a second imaging unit 422Q. .
  • the first imaging unit 422P may be arranged to image the droplet 271 from the X-axis direction.
  • the second imaging unit 422Q may be arranged to image the droplet 271 from the Z-axis direction.
  • the imaging regions of the first imaging unit 422P and the second imaging unit 422Q may be regions that include the plasma generation region 25 in the imaging region.
  • the timing of imaging the droplet 271 by the first imaging unit 422P and the second imaging unit 422Q is the timing at which the distance between the droplet 271 to be imaged and the plasma generation region 25 is, for example, a distance of several tens to several hundreds of ⁇ m. It may be.
  • the 1st illumination light source part 421P may be arrange
  • the 2nd illumination light source part 421Q may be arrange
  • the target stage 74 may be a stage that moves the target supply unit 26 in the X-axis direction and the Z-axis direction, for example, similarly to the EUV light generation apparatus 1 shown in FIG.
  • the target stage 74 may move the target supply unit 26 in a direction orthogonal to the X-axis direction imaged by the first imaging unit 422P, that is, in the Z-axis direction. Further, the target stage 74 may move the target supply unit 26 in a direction orthogonal to the Z-axis direction imaged by the second imaging unit 422Q, that is, in the X-axis direction.
  • the moving direction of the target stage 74 and the imaging directions of the first imaging unit 422P and the second imaging unit 422Q are not limited to the X-axis direction and the Z-axis direction.
  • One of the moving directions of the target stage 74 may be orthogonal to the imaging direction of the first imaging unit 422P, and the other of the moving directions of the target stage 74 may be orthogonal to the imaging direction of the second imaging unit 422Q.
  • the control unit 8B may output an exposure signal to the first imaging unit 422P and the second imaging unit 422Q. Further, the control unit 8B may acquire each image of the droplet 271 obtained by imaging from each imaging direction from the first imaging unit 422P and the second imaging unit 422Q.
  • the control unit 8B may calculate the amount of movement of the target stage 74 in the direction orthogonal to the imaging direction of the first imaging unit 422P based on the image input from the first imaging unit 422P.
  • the control unit 8B may move the target stage 74 in the direction orthogonal to the imaging direction of the first imaging unit 422P based on the calculated movement amount.
  • the control unit 8B may calculate the amount of movement of the target stage 74 in the direction orthogonal to the imaging direction of the second imaging unit 422Q based on the image input from the second imaging unit 422Q.
  • the control unit 8B may move the target stage 74 in the direction orthogonal to the imaging direction of the second imaging unit 422Q based on the calculated movement amount.
  • an image of the droplet 271 can be acquired from two directions by the first imaging unit 422P and the second imaging unit 422Q. For this reason, the accuracy of the trajectory control of the droplet 271 can be improved based on the respective images output from the first imaging unit 422P and the second imaging unit 422Q.
  • FIG. 12A is a diagram for explaining the configuration of the orbit imaging unit 42F included in the EUV light generation apparatus 1 of the third embodiment.
  • the trajectory imaging unit 42F of the third embodiment has an imaging direction of an imaging unit 422R included in the trajectory imaging unit 42F.
  • the imaging unit 422R may be arranged so as to be in a direction substantially along the trajectory direction 271.
  • Other configurations in the trajectory imaging unit 42F of the third embodiment may be the same as the configurations of the trajectory imaging unit 42 illustrated in FIG. In the configuration of the trajectory imaging unit 42F of the third embodiment, the description of the same configuration as that of the trajectory imaging unit 42 illustrated in FIG. 2 is omitted.
  • the imaging unit 422R may be arranged so that the imaging direction is substantially parallel to the trajectory direction of the droplet 271 (for example, the Y-axis direction).
  • the imaging unit 422R may be arranged so that an angle difference between the imaging direction and the trajectory direction of the droplet 271 is small.
  • the imaging unit 422R may be arranged so that the imaging direction is substantially perpendicular to the moving direction of the target stage 74.
  • the vertical and horizontal directions on the image acquired by the imaging unit 422R may substantially coincide with the two directions that are the moving directions of the target stage 74.
  • the imaging region of the imaging unit 422R may be a region that includes the plasma generation region 25 in the imaging region.
  • the imaging timing of the droplet 271 by the imaging unit 422R may be a timing at which the distance between the droplet 271 to be imaged and the plasma generation region 25 is, for example, a distance of several tens to several hundreds of ⁇ m.
  • an image of the droplet 271 can be acquired with the direction substantially parallel to the traveling direction of the droplet 271 as an imaging direction. Therefore, the difference in distance between the trajectory position specified by the droplet 271 requested from the exposure apparatus 6 and the actual trajectory position of the droplet 271 can be specified in two directions on a single image. . Therefore, the same effect can be obtained as when a plurality of images are acquired by imaging from different directions.
  • the shutter devices 422d included in the imaging units 422A to 422D, the first imaging unit 422P, the second imaging unit 422Q, and the imaging unit 422R may be configured as shown in FIGS. 13A and 13B.
  • the shutter device 422d shown in FIGS. 13A and 13B may be an image intensifier (hereinafter referred to as IIU) using a microchannel plate (hereinafter referred to as MCP).
  • IIU image intensifier
  • MCP microchannel plate
  • the IIU may be a vacuum tube capable of acquiring an optical image by amplifying photoelectrons emitted from the photocathode by incident light to form an image on a phosphor screen and emitting light.
  • the IIU using MCP may include a photocathode, an MCP, and a phosphor screen as shown in FIG. 13A.
  • the photocathode and the phosphor screen may be arranged with the MCP interposed therebetween.
  • the IIU may be configured to provide a potential difference between the MCP and the photocathode in response to turning on or off of the gate signal.
  • the potential of the photocathode can be higher than the input side potential of the MCP. In this case, photoelectrons emitted from the photocathode are pulled back to the photocathode and cannot reach the MCP. For this reason, when the gate signal is OFF, the photoelectrons emitted from the photocathode are not multiplied by the MCP, and the image sensor 422a cannot receive the optical image. In this way, the IIU shown in FIG. 13A can realize a shutter function in accordance with ON or OFF of the gate signal.
  • the IIU shown in FIG. 13B may include an entrance window, a photocathode, an MCP, a phosphor screen, and an output window.
  • “p” indicates a photon
  • “e” indicates an electron.
  • the incident window may introduce incident light into the photocathode.
  • the image of the droplet 271 to be imaged may be formed on the photocathode via the entrance window.
  • the photocathode may convert incident light into photoelectrons and emit it to the MCP.
  • the MCP may be formed in a structure in which a number of channels through which photoelectrons pass are bundled.
  • the MCP may emit secondary electrons when the photoelectrons collide with the inner wall of the channel when passing through the channel. Thereby, the MCP may multiply the photoelectrons emitted from the photocathode and emit secondary electrons to the phosphor screen.
  • the phosphor screen may convert the electrons multiplied by the MCP into light and guide it to the output window.
  • the output window may be adjacent to the light receiving surface of the image sensor 422a.
  • the output window may guide light guided from the fluorescent screen to the image sensor 422a as outgoing light.
  • the image sensor 422a can receive the emitted light as an optical image.
  • the output window may include a fiber optic plate that guides light on the phosphor screen.
  • a transfer lens for transferring the optical image of the fluorescent screen to the light receiving surface of the image sensor 422a may be provided between the output window and the image sensor 422a.
  • the shutter device 422d may be a CCD electronic shutter as long as the shutter function can be realized even when plasma light is emitted.
  • the shutter device 422d may be a PLZT polarization shutter.
  • the PLZT polarization shutter may have a configuration in which a plurality of polarizing plates are arranged in the crossed Nicols direction via piezoelectric ceramics. Then, the shutter function may be realized by changing the polarization direction of the polarizing plate by applying a voltage to the piezoelectric ceramic provided between the polarizing plates.
  • the shutter device 422d may be a combination of the various shutters described above and a mechanical shutter.
  • FIG. 14 is a block diagram illustrating an example hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter may be implemented.
  • the exemplary hardware environment 100 of FIG. 14 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, D / A.
  • the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.
  • the processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004.
  • the memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM).
  • the CPU 1001 may be any commercially available processor. A dual microprocessor or other multiprocessor architecture may be used as the CPU 1001.
  • FIG. 14 may be interconnected to perform the processes described in this disclosure.
  • the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005, or the processing unit 1000 may read data together with the program from the storage unit 1005.
  • the unit 1000 may write data to the storage unit 1005.
  • the CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005.
  • the memory 1002 may be a work area for temporarily storing programs executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001.
  • the timer 1003 may measure the time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program.
  • the GPU 1004 may process the image data according to a program read from the storage unit 1005 and output the processing result to the CPU 1001.
  • the parallel I / O controller 1020 is connected to parallel I / O devices that can communicate with the processing unit 1000, such as the EUV light generation control unit 5, the control unit 8, the control units 8A to 8C, and the laser beam traveling direction control unit 34. Alternatively, communication between the processing unit 1000 and the parallel I / O devices may be controlled.
  • the serial I / O controller 1030 can communicate with the processing unit 1000 such as the light source 411a, the illumination light source 421a, the illumination light source 422j, the first illumination light source unit 421P, the second illumination light source unit 421Q, the illumination light source unit 421R, and the target stage 74. May be connected to a serial I / O device, and may control communication between the processing unit 1000 and the serial I / O devices.
  • the A / D and D / A converter 1040 includes a temperature sensor, a pressure sensor, various vacuum gauge sensors, a target sensor 4, a light receiving element 412a, an imaging element 422a, a first imaging unit 422P, and a second imaging unit via an analog port. It may be connected to an analog device such as 422Q, may control communication between the processing unit 1000 and these analog devices, or may perform A / D and D / A conversion of communication contents.
  • the user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
  • the exemplary hardware environment 100 may be applied to the configurations of the EUV light generation control unit 5, the control unit 8, the control units 8A to 8C, and the laser beam traveling direction control unit 34 in the present disclosure.
  • these controllers may be implemented in a distributed computing environment, i.e., an environment where tasks are performed by processing units connected via a communications network.
  • the EUV light generation controller 5, the controller 8, the controllers 8A to 8C, and the laser beam traveling direction controller 34 may be connected to each other via a communication network such as Ethernet or the Internet.
  • program modules may be stored in both local and remote memory storage devices.

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Abstract

ＥＵＶ光生成装置の動作の安定性を向上させ得る。　ターゲット撮像装置は、極端紫外光が生成される所定領域にターゲットとしてターゲット供給部から出力されたドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記露光信号を出力している間に前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、前記ドロップレットからの反射光を前記撮像素子に多重露光させる制御部と、を備えてもよい。

Description

ターゲット撮像装置及び極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
特許出願公表２００７－５２８６０７号 特許出願公開２０１４－１７５４７４号 国際特許出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１４／０７４５９４号
概要
　本開示の１つの観点に係るターゲット撮像装置は、極端紫外光が生成される所定領域にターゲットとしてターゲット供給部から出力されたドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記露光信号を出力している間に前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、前記ドロップレットからの反射光を前記撮像素子に多重露光させる制御部と、を備えてもよい。
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるターゲットステージと、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記ドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記露光信号を出力している間に前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、前記ドロップレットからの反射光を前記撮像素子に多重露光させ、前記撮像素子から出力された前記多重露光による画像に基づいて前記ターゲットステージを制御する制御部と、を備えてもよい。
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットにレーザ光を照射してプラズマ化することにより極端紫外光を生成するチャンバと、前記レーザ光を出力するレーザ装置と、前記ターゲットをドロップレットとして前記プラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるターゲットステージと、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記ドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、前記検出信号の入力に基づいて前記レーザ装置にレーザ光を出力させるトリガ信号を出力し、前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記露光信号を出力している間に前記トリガ信号の入力に基づいて前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、前記ドロップレットからの反射光を前記撮像素子に多重露光させ、前記撮像素子から出力された前記多重露光による画像に基づいて前記ターゲットステージを移動する制御部と、を備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ターゲット撮像装置を含むＥＵＶ光生成装置の一部の構成を示す。 図３Ａは、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器の構成を説明するための図を示す。 図３Ｂは、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部の照明光源部の構成を説明するための図を示す。 図３Ｃは、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部の撮像部の構成を説明するための図を示す。 図４Ａは、図２に示された制御部におけるドロップレットの画像取得に係るタイムチャートを示す。 図４Ｂは、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。 図５Ａは、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。 図５Ｂは、バースト動作中において、図２に示された制御部におけるドロップレットの画像の取得に係るタイムチャートを示す。 図５Ｃは、バースト動作中において、図２に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。 図６は、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部の撮像部の構成を説明するための図を示す。 図７Ａは、第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の制御部におけるドロップレットの画像の取得に係るタイムチャートを示す。 図７Ｂは、図６に示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。 図８は、第１実施形態の変形例１における軌道撮像部の撮像部の構成を説明するための図を示す。 図９は、第１実施形態の変形例２における軌道撮像部の撮像部の構成を説明するための図を示す。 図１０は、第１実施形態の変形例３における軌道撮像部の構成を説明するための図を示す。 図１１は、第２実施形態における軌道撮像部を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１２Ａは、第３実施形態における軌道撮像部を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１２Ｂは、図１２Ａに示された軌道撮像部の撮像部で撮像されたドロップレットの画像の例を示す。 図１３Ａは、シャッタ装置の例としてのイメージインテンシファイアユニットの構成を示す。 図１３Ｂは、シャッタ装置の例としてのイメージインテンシファイアユニットの構成を示す。 図１４は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。
実施形態
～内容～
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　３．１　構成
　３．２　動作
４．ターゲット撮像装置を備えるＥＵＶ光生成装置
　４．１　構成：全体
　４．２　構成：ドロップレット検出器
　４．３　構成：軌道撮像部
　４．４　動作
　４．５　作用
５．課題
６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用
７．第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
　７．１　構成
　７．２　作用
８．第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
　８．１　構成
　８．２　作用
９．第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
　９．１　構成
　９．２　作用
１０．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
　１０．１　構成
　１０．２　動作
　１０．３　作用
１１．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部
　１１．１　構成
　１１．２　作用
１２．シャッタ装置
　１２．１　イメージインテンシファイアユニット
　１２．２　ＰＬＺＴ偏光シャッタ
１３．各制御部のハードウェア環境
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．概要］
　本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。
　本開示におけるターゲット撮像装置４０は、極端紫外光が生成される所定領域にターゲット２７としてターゲット供給部２６から出力されたドロップレット２７１の通過を検出し、ドロップレット２７１の通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器４１と、ドロップレット検出器４１により検出されたドロップレット２７１に照明光を照射する照明光源４２１ａと、照明光を照射されたことによるドロップレット２７１からの反射光を受光してドロップレット２７１を撮像する撮像素子４２２ａと、撮像素子４２２ａへの反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置４２２ｄと、撮像素子４２２ａへ撮像を行わせる露光信号を出力し、露光信号を出力している間に検出信号が入力されるとシャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、ドロップレット２７からの反射光を撮像素子４２２ａに多重露光させる制御部８Ａと、を備えてもよい。
　よって、本開示におけるターゲット撮像装置４０は、プラズマ生成位置の近くにおける複数の異なるドロップレット２７１の像を多重露光しつつ、プラズマ光が含まれないドロップレット２７１の画像を取得し得る。
　このため、制御部８Ａは、撮像素子４２２ａにより取得された画像に基づいて、ドロップレット２７１の軌道制御の精度を向上させ得る。
［２．用語の説明］
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
　「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
　［３．１　構成］
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するように構成されてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　［３．２　動作］
　図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するように構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するように構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するように構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
［４．ターゲット撮像装置を備えるＥＵＶ光生成装置］
　［４．１　構成：全体］
　図２を用いて、ターゲット撮像装置４０を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
　図２は、図１に示されたＥＵＶ光生成装置１におけるターゲット供給部２６、及び、ターゲットセンサ４に相当するターゲット撮像装置４０の構成であってもよい。なお図２においてはチャンバ２を図示していない。
　図２に示すように、ターゲット供給部２６は、ターゲットステージ７４に載置されてよい。
　ターゲットステージ７４は、チャンバ２に対して、ターゲット供給部２６を移動させる２軸ステージであってよい。ターゲットステージ７４は、例えば、Ｘ軸方向及びＺ軸方向にターゲット供給部２６を移動させるステージであってもよい。
　ターゲット供給部２６は、ノズル２６２を介してドロップレット状のターゲット２７を、プラズマ生成領域２５に向けて出力するように構成されてよい。ノズル２６２からプラズマ生成領域２５に移動するターゲット２７の移動経路は、ドロップレット軌道Ｆであってよい。
　ターゲット撮像装置４０は、ドロップレット検出器４１と、軌道撮像部４２と、制御部８と、を含んでいてよい。ドロップレット検出器４１と、軌道撮像部４２と、はチャンバ２に配置されてもよい。
　ドロップレット検出器４１は、ドロップレット軌道Ｆ上に配置されてよい。ドロップレット検出器４１は、ノズル２６２に対してターゲット２７の移動方向下流側に配置されてよい。
　軌道撮像部４２は、ドロップレット検出器４１とプラズマ生成領域２５との間に配置されてよい。軌道撮像部４２は、ドロップレット軌道Ｆ上において、プラズマ生成領域２５に対してターゲット２７の移動方向上流側の領域を通過するターゲット２７を撮像するように配置されてもよい。例えば、軌道撮像部４２による撮像領域は、プラズマ生成領域２５から１７ｍｍターゲット供給部２６側に離れた領域であってもよい。
　軌道撮像部４２は、例えば図中のＸ軸方向など、ドロップレット軌道Ｆに対して略直交する方向から、ターゲット２７を撮像するように配置されてよい。
　制御部８は、ドロップレット検出器４１と、軌道撮像部４２と、ターゲットステージ７４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、レーザ装置３と、に接続されてよい。
　［４．２　構成：ドロップレット検出器］
　図３Ａを用いて、ドロップレット検出器４１の構成について説明する。
　ドロップレット検出器４１は、ラインビーム光源部４１１と、受光部４１２と、を含んでよい。
　ラインビーム光源部４１１及び受光部４１２は、ターゲット２７の一形態としてのドロップレット２７１の軌道であるドロップレット軌道Ｆを挟んで、対向するように配置されてよい。ラインビーム光源部４１１及び受光部４１２は、それぞれチャンバ壁２ａに配置されたウインドウ４１１ｃ，４１２ｃを介して、設置されてよい。
　ラインビーム光源部４１１は、ラインビームを出力するように構成されてよい。
　ラインビーム光源部４１１は、出力するラインビームがターゲット軌道Ｆと交差するように配置されてよい。
　ラインビーム光源部４１１は、ＣＷレーザ、高輝度ランプ、ＬＥＤ等の光源４１１ａと、シリンドリカルレンズ等を含むラインビーム光学系４１１ｂと、を含んでよい。
　受光部４１２は、ラインビーム光源部４１１から出力されたラインビームが、ターゲット軌道Ｆを通過して入射されるように、配置されてよい。
　受光部４１２は、受光光学系４１２ｂと、フォトダイオードアレイ等のラインセンサを含む受光素子４１２ａと、を含んでよい。
　受光素子４１２ａは、制御部８に接続されてよい。受光素子４１２ａは、受光光学系４１２ｂを介して、ラインビーム光源部４１１から出力されたラインビームを受光してよい。
　［４．３　構成：軌道撮像部］
　図３Ｂ及び図３Ｃを用いて、軌道撮像部４２の構成について説明する。
　軌道撮像部４２は、図３Ｂに示す照明光源部４２１と、図３Ｃに示す撮像部４２２と、を含んでよい。
　照明光源部４２１は、図３Ｂに示すように、チャンバ壁２ａに配置されたウインドウ４２１ｃを介して、ドロップレット２７１に対して照明光を照射するように構成されてよい。
　照明光源部４２１は、照明光源４２１ａと、照明光学系４２１ｂと、を含んでよい。照明光源４２１ａは、レーザ、ＬＥＤ等であってよい。
　撮像部４２２は、図３Ｃに示すように、照明光源部４２１からの照明光がドロップレット２７１により反射された反射光が、チャンバ壁２ａに配置されたウインドウ４２２ｃを介して入射するように配置されてよい。撮像部４２２は、撮像素子４２２ａと、結像光学系４２２ｂと、を含んでもよい。
　撮像素子４２２ａは、２次元画像を撮像可能なＣＣＤ等を含んでよい。撮像素子４２２ａは、制御部８に接続されてよい。
　［４．４　動作］
　図４Ａ及び図４Ｂを用いて、制御部８が行う制御について、説明する。
　図４Ａ及び図４Ｂにおける説明では、図２及び図３Ａ～図３Ｃで説明した内容については説明を省略する。
　図４Ａは、図２に示した制御部８の制御に係るタイムチャートであって、プラズマ生成領域２５に到達する前のドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
　先ず、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて、ドロップレット２７１を出力してよい。
　その後、ドロップレット２７１は、ラインビーム光源部４１１から出力されているラインビームを通過し得る。
　なお、ターゲット供給部２６は、例えば１０μＳの間隔で、ドロップレット２７１を出力してよい。
　受光部４１２は、図３Ａに示したように、ドロップレット２７１がラインビーム光源部４１１から出力されているラインビームを通過すると、図４Ａに示すように、ドロップレット２７１の検出に対応して、検出信号を出力してよい。
　制御部８は、受光部４１２から出力された検出信号が入力されると、軌道撮像部４２の撮像部４２２に、露光信号を出力してよい。また制御部８は、検出信号の入力の有無に基づくことなく、軌道撮像部４２の撮像部４２２に、露光信号を出力してもよい。
　撮像部４２２は、露光信号が入力されると、撮像を開始してよい。
　制御部８は、図４Ａに示すように、検出信号が入力されたタイミングから所定の遅延時間ＴＬだけ遅延したタイミングで、レーザ装置３にレーザ発振を指示するトリガ信号を出力してよい。
　ここで、遅延時間ＴＬは、検出信号に対応したドロップレット２７１が、プラズマ生成領域２５に到達した時に、レーザ装置３から出力されたレーザ光が、ドロップレット２７１に照射されるように決定しておいてよい。
　レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３１を出力してよい。
　パルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光ミラー２２を経由してドロップレット２７１を照射してよい。これにより、プラズマ光が生成し得る。
　制御部８は、図４Ａに示すように、露光信号を出力してから所定時間が経過した後に、露光信号の出力を停止してよい。ここで、露光信号の出力が開始されてから、露光装置の出力が停止されるまでの所定時間を、露光時間とする。
　露光時間は、数ｍＳの時間であってよい。露光時間は、例えば８ｍＳであってもよい。
　軌道撮像部４２の撮像部４２２は、露光信号が入力されている間に、照明光源部４２１による照明光を照射された複数のドロップレット２７１の像を多重露光してよい。
　制御部８は、撮像部４２２から画像を読み出すため、撮像部４２２に画像読出信号を出力してよい。制御部８は、撮像部４２２から出力された画像を取得してよい。
　ここで、図４Ｂは、制御部８が撮像部４２２から取得し得る画像の例を示す。
　図４Ｂに示された画像は、例えば円形の照明範囲を通過したドロップレット２７１の積算画像となり得る。このため、画像には、楕円または線状のドロップレット２７１の軌跡が含まれ得る。
　制御部８は、撮像部４２２から取得した画像に基づき、ドロップレット２７１の軌道位置を算出してよい。取得した画像は、例えば、図４Ｂに示すように、ドロップレット２７１の軌跡を示す楕円または線を含んだ画像となり得る。制御部８は、楕円または線の中心位置を画像座標上で算出してよい。
　制御部８は、算出したドロップレット２７１の軌跡の中心位置を、ドロップレット２７１の実際の軌道位置と認定してよい。制御部８は、ドロップレット２７１が所望のプラズマ生成位置を通過するように、認定された実際の軌道位置に基づいて、ターゲットステージ７４を移動してもよい。
　制御部８は、例えば、予めＥＵＶ光生成制御部５を介して露光装置６から指定されるプラズマ生成位置の位置情報に基づき、ドロップレット２７１が通過すべき軌道として、図４Ｂに示すように、画像座標上における指定による軌道位置を算出しておいてよい。
　制御部８は、画像座標上において、ドロップレット２７１が通過すべき指定による軌道位置と、実際に得られたドロップレット２７１の実際の軌道位置との差分に基づいて、ターゲットステージ７４を移動してよい。
　ここで、露光装置６から指定されるプラズマ生成位置は、プラズマ生成領域２５内における、特定の空間位置であってよい。
　なお、図２に示したＥＵＶ光生成装置１においては、Ｚ方向が、撮像部４２２が取得した図４Ｂの画像上における横方向に対応してよい。このため、図４Ｂに示すような画像を取得した場合には、ターゲットステージ７４を、Ｚ方向に移動してよい。
　この際、ターゲットステージ７４の移動量は、図４Ｂに示す画像の倍率や、差分画素数に基づいて、決定されてもよい。
　［４．５　作用］
　以上から、軌道撮像部４２により取得される画像を用いて、ターゲットステージ７４を移動させることで、ドロップレット２７１の軌道を制御し得る。このため、露光装置６から指定される所望のプラズマ生成位置において、プラズマを安定的に生成し得る。
［５．課題］
　ＥＵＶ光生成装置１においては、ドロップレット２７１の軌道制御の精度を高めるため、撮像対象であるドロップレット２７１がプラズマ生成領域に近い位置まで移動したタイミングで、軌道撮像部４２による撮像を行うべきとの要求があり得る。
　このようなタイミングにおいて撮像しようとする場合、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離は、例えば、数十から数百μｍとする配置となり得る。
　しかし、ドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が近い場合、軌道撮像部４２の撮像領域は、プラズマ生成領域２５を当該撮像領域に含む領域となり得る。
　このため、図５Ａに示すように、軌道撮像部４２が取得する画像にプラズマ光の像が映り込んでしまうことがあり得る。このため、ドロップレット２７１の実際の軌道位置の算出は、プラズマ光の像の影響により、困難となることがあり得る。
　そこで、ＥＵＶ光生成装置１においては、図５Ｂに示すように、バースト動作におけるバースト休止中にのみ、ドロップレット２７１を撮像することが考えられていた。
　ここで、バースト動作とは、ＥＵＶ光生成装置１においてＥＵＶ光の連続生成を行うバースト発光期間と、ＥＵＶ光を生成しないバースト休止期間と、を繰り返す動作であってよい。バースト動作は、露光装置６によるウエハ露光時に頻繁に用いられてよい。
　ここで、図５Ｂ及び図５Ｃを用いて、バースト動作を前提とした、ＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８の制御について、説明する。
　図５Ｂ及び図５Ｃに示す制御部８の制御において、図２、図３Ａ～図３Ｃ及び図４Ａ～図４Ｂに示したＥＵＶ光生成装置１と同一の構成、制御及び動作については、説明を省略する。なお、図５Ｂ及び図５Ｃに示す制御の前提となる軌道撮像部４２の配置は、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が近い場合の配置であってよい。
　図５Ｂは、バースト動作を伴った制御部８の制御に係るタイムチャートであって、プラズマ生成領域２５の近くに到達したドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
　制御部８は、ＥＵＶ光生成制御部５を介して、露光装置６からバースト信号を受信してもよい。
　バースト信号は、図５Ｂに示すように、バースト発光期間の最中に露光装置６から出力される信号であってよい。またバースト信号は、例えば、バースト発光期間と、バースト休止期間と、を指定する信号であってもよい。
　制御部８は、ドロップレット検出器４１の受光部４１２からの検出信号及び露光装置６からのバースト信号が共に入力されているタイミングにおいて、トリガ信号を出力してもよい。このため、レーザ装置３は、バースト発光期間にのみレーザ光を出力し得る。
　また制御部８は、バースト休止期間にのみ露光信号を出力してもよい。このため、軌道撮像部４２は、プラズマ光が発光されないバースト休止期間にのみ、ドロップレット２７１を撮像し得る。
　なお、露光信号の出力のタイミングは、検出信号の入力されるタイミングに同期してもしなくてもよい。
　以上の制御部８の制御により、軌道撮像部４２は、バースト発光期間において撮像を行わないようにし得る。このため、軌道撮像部４２は、プラズマ光を撮像してしまうことを抑制し得る。よって、軌道撮像部４２は、例えば図５Ｃに示すように、プラズマ光を含まないドロップレット２７１の画像を取得し得る。
　しかし、以上のような方法では、バースト休止期間しかドロップレット２７１の軌道の制御を行うことができない。このため、プラズマ光の発生中においては、ドロップレット２７１の軌道の制御は、無制御の状態となり得る。従って、プラズマ光の発光中にドロップレット２７１の軌道が変動しても、ドロップレット２７１の軌道の制御を行うことが出来ず、ＥＵＶ光生成装置１の動作の安定性が低下するという課題があった。
［６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
　［６．１　構成］
　図６を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ａの構成について説明する。
　ここで、図６は、ＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ａにおける撮像部４２２Ａの構成を説明するための図を示す。
　第１実施形態における撮像部４２２Ａは、図３Ｃに示した撮像部４２２と異なり、シャッタ装置４２２ｄが配置されてよい。
　シャッタ装置４２２ｄは、撮像素子４２２ａの受光面に隣接していてもよい。
　第１実施形態の撮像部４２２Ａにおけるその他の構成は、図３Ｃに示した撮像部４２２の構成と同様であってもよい。
　第１実施形態の撮像部４２２Ａの構成において、図３Ｃに示した撮像部４２２と同様の構成については説明を省略する。
　軌道撮像部４２Ａにおける撮像部４２２Ａは、図６に示すように、シャッタ装置４２２ｄを含んでよい。
　シャッタ装置４２２ｄは、撮像素子４２２ａと結像光学系４２２ｂとの間に配置されてよい。シャッタ装置４２２ｄは、制御部８Ａに接続されてよい。シャッタ装置４２２ｄは、例えば、後述のイメージインテンシファイアユニット（ＩＩＵ）であってもよい。
　軌道撮像部４２Ａの撮像領域は、プラズマ生成領域２５を撮像領域に含む領域であってよい。
　軌道撮像部４２Ａによるロップレット２７１の撮像のタイミングは、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が、例えば、数十から数百μｍの距離となるタイミングであってよい。
　［６．２　動作］
　図７Ａ及び図７Ｂを用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ａの制御について、説明する。
　図７Ａ及び図７Ｂに示す制御部８Ａの制御において、図２、図３Ａ～図３Ｃ及び図４Ａ～図４Ｂに示したＥＵＶ光生成装置１と同一の構成、制御及び動作については、説明を省略する。
　図７Ａは、第１実施形態に係る制御部８Ａの制御に係るタイムチャートであって、プラズマ生成領域２５の近くに到達したドロップレット２７１の画像計測を行う場合のタイムチャートである。
　制御部８Ａは、ドロップレット検出器４１の受光部４１２から検出信号が入力されると、所定の遅延時間ＴＳだけ遅延したタイミングでシャッタ開閉信号をシャッタ装置４２２ｄに出力してよい。
　所定の遅延時間ＴＳは、ドロップレット２７１を検出したことによる検出信号に対応したプラズマ生成のタイミングに対して、数μＳ前にシャッタ開閉信号が出力されるように決定しておくとよい。所定の遅延時間ＴＳは、例えば、プラズマ生成のタイミングに対して０．２～７μＳ前に、シャッタ開閉信号が出力されるように決定しておいてもよい。
　シャッタ開閉信号は、ドロップレット２７１からの反射光を撮像素子４２２ａに伝搬させるためにシャッタ装置４２２ｄのシャッタを開くとともに、反射光を遮断させるためにシャッタを閉じるように指示する信号であってよい。
　シャッタ開閉信号は、数μＳの間、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタを開いた状態にする信号であってよく、例えば７μＳ程度の間、シャッタを開いた状態にする信号であってよい。
　シャッタ開閉信号は、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタを開くように指示してから数μＳの時間が経過したタイミングで、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタを閉じる状態にする信号であってよい。このため、シャッタ装置４２２ｄに備えられたシャッタは、図７Ａに示すように、プラズマ光が発光されている時点において閉じられた状態となり得る。
　ここで、シャッタ装置４２２ｄにおけるシャッタが開く動作の速度、シャッタが閉じる動作の速度は、各々数１００ｎＳ以下となるような動作の速度であってもよい。
　制御部８Ａは、図７Ａに示すように、シャッタ開閉信号の出力に先立って、軌道撮像部４２Ａの撮像部４２２Ａに露光信号を出力してよい。制御部８Ａは、検出信号の入力からシャッタ開閉信号の出力までの間に、露光信号の出力を開始してもよい。
　撮像部４２２Ａは、制御部８Ａから出力された露光信号が入力されたときに、撮像を開始してよい。撮像部４２２Ａの撮像素子４２２ａは、シャッタ装置４２２ｄのシャッタが開いている間の画像を取得し得る。
　制御部８Ａは、図７Ａに示すように、検出信号に所定の遅延時間ＴＬを付加して、レーザ装置３にトリガ信号を出力してよい。
　レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３１を出力してよい。
　パルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光ミラー２２を経由してドロップレット２７１を照射してよい。このため、プラズマ光が生成し得る。
　制御部８Ａは、図７Ａに示すように、撮像素子４２２ａに露光信号を出力している間に、ドロップレット２７１の検出信号の入力に基づくシャッタ装置４２２ｄへのシャッタ開閉信号の出力を、当該検出信号が入力される度に行ってよい。あるいは、バースト発光期間の最中のみ、シャッタ装置４２２ｄへのシャッタ開閉信号の出力は、トリガ信号の入力に基づいて行うようにしてもよい。
　撮像素子４２２ａは、図７Ａに示すように、露光信号が入力されている間に、シャッタ装置４２２ｄのシャッタが開いた状態となる度に、異なるドロップレット２７１を撮像してよい。
　撮像素子４２２ａは、露光信号が入力されている間に、照明光源部４２１によって照明された複数のドロップレット２７１の像を多重露光してよい。
　撮像素子４２２ａは、シャッタ装置４２２ｄが開いている時間だけの画像を多重露光してよい。
　撮像素子４２２ａは、図７Ａに示すように、プラズマ光が発光されている間は、シャッタ装置４２２ｄのシャッタが閉じられた状態となっているため、プラズマ光が入射されるのを抑制され得る。
　あるいは、シャッタ装置４２２ｄへのシャッタ開閉信号の出力は、異なる２つのドロップレットによる２つの検出信号の入力に基づいて行われてもよい。例えば、先行するドロップレットによる検出信号に基づいてシャッタを開とし、後続するドロップレットの検出信号に基づいてシャッタを閉としてもよい。
　制御部８Ａは、露光信号の出力を停止した後に、撮像素子４２２ａから画像を読み出すため画像読出信号を出力してよい。制御部８Ａは、撮像素子４２２ａから出力された画像を取得してよい。
　制御部８Ａは、例えば図７Ｂに示すような画像を取得し得る。制御部８Ａは、図４Ｂに示した画像の場合と同様に、取得された画像を用いて、ドロップレット２７１の軌道の制御に利用し得る。
　［６．３　作用］
　第１実施形態の軌道撮像部４２Ａによれば、シャッタ装置４２２ｄの動作により、プラズマ生成領域２５において発生するプラズマ光が、撮像素子４２２ａに入射してしまうことを抑制し得る。
　また、軌道撮像部４２Ａは、プラズマ生成位置の近くに位置するドロップレット２７１を撮像し得る。軌道撮像部４２Ａは、プラズマ生成位置の近くにおける複数の異なるドロップレット２７１の像を多重露光し得る。
　このため、軌道撮像部４２Ａは、プラズマ生成位置の近くにおける複数の異なるドロップレット２７１の像を多重露光しつつ、プラズマ光が含まれないドロップレット２７１の画像を取得し得る。
　よって、制御部８Ａは、軌道撮像部４２Ａにより取得された画像に基づいて、ドロップレット２７１の軌道制御の精度を向上させ得る。
　また、バースト発光期間におけるプラズマ光の生成中であっても、ドロップレット２７１の軌道制御が可能になり得る。よって、ＥＵＶ光生成装置の動作の安定性が向上し得る。
［７．第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
　［７．１　構成］
　図８を用いて、第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｂの構成について説明する。
　ここで、図８は、第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｂの撮像部４２２Ｂの構成を説明するための図を示す。
　第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂは、図６に示した第１実施形態の撮像部４２２Ａと異なり、コリメート光学系４２２ｆが配置されてよい。
　また、第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂは、図６に示した第１実施形態の撮像部４２２Ａと異なり、結像光学系４２２ｅがシャッタ装置４２２ｄと撮像素子４２２ａとの間に配置されてよい。
　第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂにおけるその他の構成は、図６に示した撮像部４２２Ａの構成と同様であってもよい。
　第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂの構成において、図６に示した撮像部４２２Ａと同様の構成については説明を省略する。
　シャッタ装置４２２ｄは、コリメート光学系４２２ｆと結像光学系４２２ｅとの間に配置されてよい。
　コリメート光学系４２２ｆは、ドロップレット２７１からの反射光を平行光化して、シャッタ装置４２２ｄに入射するように構成されてよい。
　結像光学系４２２ｅは、コリメート光学系４２２ｆにより平行光化されて、シャッタ装置４２２ｄを透過した光を撮像素子４２２ａの受光面上に結像させるように構成されてよい。
　［７．２　作用］
　第１実施形態における変形例１の撮像部４２２Ｂによれば、シャッタ装置４２２ｄには、平行光化された光が入射し得る。このため、シャッタ装置４２２ｄに備えられるシャッタが偏光シャッタ等である場合には、シャッタ装置４２２ｄを透過したことによるドロップレット２７１の像の歪みが抑制され得る。
　そのため、撮像部４２２Ｂにより取得された画像に基づくドロップレット２７１の軌道の計測精度が向上し得る。
［８．第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
　［８．１　構成］
　図９を用いて、第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｃの構成について説明する。
　ここで、図９は、第１実施形態の変形例２のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｃの撮像部４２２Ｃの構成を説明するための図を示す。
　第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃは、図６に示した撮像部４２２Ａ及び図８に示した撮像部４２２Ｂと異なり、第１リレー光学系４２２ｇ及び第２リレー光学系４２２ｈが配置されてよい。
　第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃは、図８に示した撮像部４２２Ｂにおけるコリメート光学系４２２ｆ及び結像光学系４２２ｅの代わりに、第１リレー光学系４２２ｇ及び第２リレー光学系４２２ｈが配置されてよい。
　第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃにおけるその他の構成は、図８に示した撮像部４２２Ｂの構成と同様であってもよい。
　第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃの構成において、図６に示した撮像部４２２Ａ及び図８に示した撮像部４２２Ｂと同様の構成については、説明を省略する。
　シャッタ装置４２２ｄは、第１リレー光学系４２２ｇと第２リレー光学系４２２ｈとの間に配置されてよい。
　第１リレー光学系４２２ｇは、ドロップレット２７１からの反射光をシャッタ装置４２２ｄの受光面に結像させるように構成されてよい。
　第２リレー光学系４２２ｈは、シャッタ装置４２２ｄを透過した光を撮像素子４２２ａの受光面上に結像させるように構成されてよい。
　［８．２　作用］
　第１実施形態における変形例２の撮像部４２２Ｃによれば、シャッタ装置４２２ｄの受光面において、ドロップレット２７１の像を結像させ得る。このため、シャッタ装置４２２ｄに備えられるシャッタがマイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）を用いたイメージインテンシファイア（ＩＩＵ）等である場合には、シャッタ装置４２２ｄを透過したことによるドロップレット２７１の像のボケが抑制され得る。
　そのため、撮像部４２２Ｃにより取得された画像に基づくドロップレット２７１の軌道の計測精度が向上し得る。
［９．第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
　［９．１　構成］
　図１０を用いて、第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｄの構成について説明する。
　ここで、図１０は、第１実施形態の変形例３のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｄの構成を説明するための図を示す。
　第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄは、図６に示した撮像部４２２Ａ、図８に示した撮像部４２２Ｂ及び図９に示した撮像部４２２Ｃと異なり、部分反射ミラー４２２ｉが配置されてよい。
　第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄは、図６に示した撮像部４２２Ａに、照明光源４２２ｊ及び照明光学系４２２ｋが配置されてよい。
　第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄにおけるその他の構成は、図６に示した撮像部４２２Ａの構成と同様であってもよい。
　第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄの構成において、図６に示した撮像部４２２Ａ、図８に示した撮像部４２２Ｂ及び図９に示した撮像部４２２Ｃと同様の構成については、説明を省略する。
　撮像部４２２Ｄは、図１０に示すように、部分反射ミラー４２２ｉが備えられてよい。
　撮像部４２２Ｄは、撮像素子４２２ａと、結像光学系４２２ｂと、シャッタ装置４２２ｄと、部分反射ミラー４２２ｉと、照明光源４２２ｊと、照明光学系４２２ｋとを、同一の筐体内に備えてよい。
　部分反射ミラー４２２ｉは、照明光源４２２ｊから出力された照明光をドロップレット２７１に向けて反射してよい。
　部分反射ミラー４２２ｉは、照明光を照射されたことによるドロップレット２７１からの反射光を結像光学系４２２ｂに透過させてよい。
　ウインドウ４２２ｃは、照明光源４２２ｊから出力された照明光を透過させるとともに、ドロップレット２７１からの反射光を透過させてよい。
　部分反射ミラー４２２ｉは、偏光ビームスプリッタであってもよい。その場合、照明光源４２２ｊが偏光ビームスプリッタによって反射される偏光の光を出力し、部分反射ミラー４２２ｉからドロップレット２７１までの光路にλ／４板を配置するとよい。あるいは、照明光源４２２ｊが偏光ビームスプリッタを透過する偏光の光を出力する場合は、照明光源４２２ｊから部分反射ミラー４２２ｉまでの照明光路にλ／２板を配置してもよい。
　［９．２　作用］
　第１実施形態における変形例３の撮像部４２２Ｄによれば、軌道撮像部４２Ｄをコンパクトに構成し得る。
　また、ドロップレット２７１へ照明光が照射された方向から反射光を検出し得るため、ドロップレット２７１の画像の計測精度が向上し得る。
［１０．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
　［１０．１　構成］
　図１１を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｅの構成について説明する。
　ここで、図１１は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｅの構成を説明するための図を示す。
　第２実施形態の軌道撮像部４２Ｅは、図２に示した軌道撮像部４２と異なり、第１照明光源部４２１Ｐ及び第１撮像部４２２Ｐに加え、第２照明光源部４２１Ｑ及び第２撮像部４２２Ｑが配置されてよい。
　第２実施形態の軌道撮像部４２Ｅにおけるその他の構成は、図２に示した軌道撮像部４２の構成と同様であってもよい。
　第２実施形態の軌道撮像部４２Ｅの構成において、図２に示した軌道撮像部４２と同様の構成については、説明を省略する。
　第２実施形態における軌道撮像部４２Ｅは、図１１に示すように、第１照明光源部４２１Ｐ及び第１撮像部４２２Ｐと、第２照明光源部４２１Ｑ及び第２撮像部４２２Ｑと、を含んでよい。
　第１撮像部４２２Ｐは、例えば、Ｘ軸方向からドロップレット２７１を撮像するように配置されてよい。
　第２撮像部４２２Ｑは、例えば、Ｚ軸方向からドロップレット２７１を撮像するように配置されてよい。
　第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑの撮像領域は、プラズマ生成領域２５を撮像領域に含む領域であってよい。
　第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑによるロップレット２７１の撮像のタイミングは、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が、例えば、数十から数百μｍの距離となるタイミングであってよい。
　第１照明光源部４２１Ｐは、ドロップレット２７１からの反射光が第１撮像部４２２Ｐに入射されるように、配置されてよい。
　第２照明光源部４２１Ｑは、ドロップレット２７１からの反射光が第２撮像部４２２Ｑに入射されるように、配置されてよい。
　ターゲットステージ７４は、図２において示したＥＵＶ光生成装置１と同様に、例えば、Ｘ軸方向及びＺ軸方向にターゲット供給部２６を移動させるステージであってよい。
　ターゲットステージ７４は、第１撮像部４２２Ｐの撮像するＸ軸方向と直交する方向、つまり、Ｚ軸方向にターゲット供給部２６を移動させてよい。
　また、ターゲットステージ７４は、第２撮像部４２２Ｑの撮像するＺ軸方向と直交する方向、つまり、Ｘ軸方向にターゲット供給部２６を移動させてよい。
　ターゲットステージ７４の移動方向と、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑの撮像する方向とについては、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に限らなくてもよい。
　ターゲットステージ７４の移動方向の一方が第１撮像部４２２Ｐの撮像方向と直交し、ターゲットステージ７４の移動方向の他方が第２撮像部４２２Ｑの撮像方向と直交する関係であってもよい。
　［１０．２　動作］
　図１１に示す第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える制御部８Ｂの制御について、説明する。
　図１１に示す制御部８Ｂの制御において、図４Ａ～図４Ｂ及び図７Ａ～図７Ｂに示したＥＵＶ光生成装置１と同一の制御及び動作については、説明を省略する。
　制御部８Ｂは、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑに、露光信号を出力してよい。また制御部８Ｂは、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑから、各々の撮像方向から撮像して得られたドロップレット２７１の各々の画像を取得してよい。
　制御部８Ｂは、第１撮像部４２２Ｐから入力された画像に基づいて、第１撮像部４２２Ｐの撮像方向と直交する方向におけるターゲットステージ７４の移動量を算出してよい。
　制御部８Ｂは、第１撮像部４２２Ｐの撮像方向と直交する方向に、算出された移動量に基づいて、ターゲットステージ７４を移動させてよい。
　制御部８Ｂは、第２撮像部４２２Ｑから入力された画像に基づいて、第２撮像部４２２Ｑの撮像方向と直交する方向におけるターゲットステージ７４の移動量を算出してよい。
　制御部８Ｂは、第２撮像部４２２Ｑの撮像方向と直交する方向に、算出された移動量に基づいて、ターゲットステージ７４を移動させてよい。
　［１０．３　作用］
　第２実施形態における軌道撮像部４２Ｅによれば、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑにより、２方向からドロップレット２７１の画像を取得し得る。
　このため、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑから出力された各々の画像に基づいて、ドロップレット２７１の軌道制御の精度を向上し得る。
［１１．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える軌道撮像部］
　［１１．１　構成］
　図１２Ａ及び図１２Ｂを用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｆの構成について説明する。
　ここで、図１２Ａは、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える軌道撮像部４２Ｆの構成を説明するための図を示す。
　第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆは、図２に示した軌道撮像部４２及び図１１に示した軌道撮像部４２Ｅと異なり、軌道撮像部４２Ｆに含まれる撮像部４２２Ｒの撮像方向が、ドロップレット２７１の軌道方向に略沿う方向となるように、当該撮像部４２２Ｒが配置されてよい。
　第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆにおけるその他の構成は、図２に示した軌道撮像部４２の構成と同様であってもよい。
　第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆの構成において、図２に示した軌道撮像部４２と同様の構成については、説明を省略する。
　撮像部４２２Ｒは、図１２Ａに示すように、撮像方向がドロップレット２７１の軌道方向（例えばＹ軸方向）に略平行な方向となるように、配置されてよい。
　撮像部４２２Ｒは、撮像方向とドロップレット２７１の軌道方向との角度差が小さくなるように、配置されてよい。
　あるいは、撮像部４２２Ｒは、撮像方向がターゲットステージ７４の移動方向に対して略垂直となるように、配置されてもよい。
　第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆにおいて、図１２Ｂに示すように、撮像部４２２Ｒにより取得される画像上の縦横の方向は、ターゲットステージ７４の移動方向である２方向に略一致してよい。
　撮像部４２２Ｒの撮像領域は、プラズマ生成領域２５を撮像領域に含む領域であってよい。
　撮像部４２２Ｒによるロップレット２７１の撮像のタイミングは、撮像すべきドロップレット２７１とプラズマ生成領域２５との距離が、例えば、数十から数百μｍの距離となるタイミングであってよい。
　［１１．２　作用］
　第３実施形態の軌道撮像部４２Ｆによれば、例えば図１２Ｂに示すように、ドロップレット２７１の進行方向に略平行な方向を撮像方向として、ドロップレット２７１の画像を取得し得る。
　このため、単一の画像上で、露光装置６から要求されているドロップレット２７１の指定による軌道位置と、ドロップレット２７１の実際の軌道位置との距離の差が、２方向に亘り特定し得る。よって、異なる方向から撮像して複数の画像を取得した場合と、同様の効果を得られる。
［１２．シャッタ装置］
　［１２．１　イメージインテンシファイアユニット］
　撮像部４２２Ａ～４２２Ｄ、第１撮像部４２２Ｐ、第２撮像部４２２Ｑ及び撮像部４２２Ｒに含まれるシャッタ装置４２２ｄは、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すような構成であってもよい。
　図１３Ａ及び図１３Ｂに示すシャッタ装置４２２ｄは、マイクロチャンネルプレート（以下、ＭＣＰという）を利用したイメージインテンシファイア（以下、ＩＩＵという）であってもよい。
　ＩＩＵは、入射光により光電面から放出された光電子を増幅して蛍光面に結像及び発光させ、光学像を取得可能な真空管であってもよい。
　ここで、図１３Ａを用いて、ＭＣＰを利用したＩＩＵの動作原理を説明する。
　ＭＣＰを利用したＩＩＵは、図１３Ａに示すように、光電面と、ＭＣＰと、蛍光面と、を含んでもよい。
　光電面及び蛍光面は、ＭＣＰを挟んで配置されてよい。
　ＩＩＵは、ゲート信号のＯＮ又はＯＦＦに応じてＭＣＰと光電面との間に電位差を与える構成であってもよい。
　図１３Ａの（ａ）に示すように、ゲート信号がＯＮである場合、光電面の電位はＭＣＰの入力側電位より低くなるように構成してもよい。この場合、光電面から放出される光電子は、当該電位差によりＭＣＰに到達し得る。
　このため、ゲート信号がＯＮである場合、光電面から放出される光電子はＭＣＰで増倍され、撮像素子４２２ａは増倍された電子に応じた光学像を受光し得る。
　一方、図１３Ａの（ｂ）に示すように、ゲート信号がＯＦＦである場合、光電面の電位はＭＣＰの入力側電位より高くなり得る。この場合、光電面から放出される光電子は、光電面に引き戻され、ＭＣＰに到達し得ない。このため、ゲート信号がＯＦＦである場合、光電面から放出される光電子はＭＣＰで増倍されず、撮像素子４２２ａは光学像を受光し得ない。
　このようにして、図１３Ａに示すＩＩＵは、ゲート信号のＯＮ又はＯＦＦに応じて、シャッタ機能を実現し得る。
　次に、図１３Ｂを用いて、実際のＩＩＵの動作を説明する。図１３Ｂに示すＩＩＵは、入射窓と、光電面と、ＭＣＰと、蛍光面と、出力窓とを含んでもよい。
　なお、図１３Ｂの「ｐ」は光子を示し、「ｅ」は電子を示している。
　入射窓は、入射光を光電面に導入してもよい。
　撮像対象であるドロップレット２７１の像は、入射窓を介して、光電面に結像されてよい。
　光電面は、入射光を光電子に変換して、ＭＣＰに放出してもよい。
　ＭＣＰは、光電子を通すチャンネルを多数束ねた構造に形成されてもよい。ＭＣＰは、光電子がチャンネルを通過する際にチャンネルの内壁に衝突すると２次電子を放出してもよい。それによりＭＣＰは、光電面から放出された光電子を増倍して２次電子を蛍光面に放出してもよい。
　蛍光面は、ＭＣＰで増倍された電子を光に変換し、出力窓に導いてもよい。
　出力窓は、撮像素子４２２ａの受光面に隣接していてもよい。出力窓は、蛍光面から導かれた光を、出射光として撮像素子４２２ａへ導出してもよい。撮像素子４２２ａは、当該出射光を光学像として受光し得る。出力窓は、蛍光面の光を導光するファイバーオプティックプレートを含んでもよい。
　なお、図示していないが、出力窓と撮像素子４２２ａとの間には、蛍光面の光学像を撮像素子４２２ａの受光面に転写する転写レンズを設けてもよい。
　なお、シャッタ装置４２２ｄは、プラズマ光が放射されてもシャッタ機能を実現可能であれば、ＣＣＤ電子シャッタであってもよい。
　［１２．２　ＰＬＺＴ偏光シャッタ］
　また、シャッタ装置４２２ｄは、ＰＬＺＴ偏光シャッタであってもよい。ＰＬＺＴ偏光シャッタは、複数の偏光板を、圧電セラミクスを介してクロスニコル方向にて配置する構成であってもよい。そして、当該偏光板の間に設けられた圧電セラミクスに電圧を印加することで偏光板の偏光方向を変化させ、シャッタ機能を実現してもよい。
　シャッタ装置４２２ｄは、上述した各種のシャッタと機械的シャッタとを組み合わせてもよい。
［１３．各制御部のハードウェア環境］
　当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
　図１４は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１４の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
　図１４におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ～Ｃ及びレーザ光進行方向制御部３４等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、光源４１１ａ、照明光源４２１ａ、照明光源４２２ｊ、第１照明光源部４２１Ｐ、第２照明光源部４２１Ｑ、照明光源部４２１Ｒ及びターゲットステージ７４等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、受光素子４１２ａ、撮像素子４２２ａ、第１撮像部４２２Ｐ及び第２撮像部４２２Ｑ等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
　例示的なハードウェア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ～Ｃ及びレーザ光進行方向制御部３４の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、制御部８、制御部８Ａ～Ｃ及びレーザ光進行方向制御部３４は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
　１　　　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置
　２　　　　　　　　　　　…チャンバ
　５　　　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成制御部
　８、８Ａ～Ｃ　　　　　　…制御部
　２５　　　　　　　　　　…プラズマ生成領域
　２６　　　　　　　　　　…ターゲット供給部
　４０　　　　　　　　　　…ターゲット撮像装置
　４１　　　　　　　　　　…ドロップレット検出器
　４２、４２Ａ～Ｆ　　　　…軌道撮像部
　４２１、４２１Ｒ　　　　…照明光源部
　４２１ａ　　　　　　　　…照明光源
　４２２、４２２Ａ～Ｄ、４２２Ｒ…撮像部
　４２２ａ　　　　　　　　…撮像素子
　４２２ｄ　　　　　　　　…シャッタ装置
　７４　　　　　　　　　　…ターゲットステージ
　Ｆ　　　　　　　　　　　…ドロップレット軌道

Claims (6)

  1. 　極端紫外光が生成される所定領域にターゲットとしてターゲット供給部から出力されたドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、
    　前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、
    　前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、
    　前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、
    　前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記露光信号を出力している間に前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、前記ドロップレットからの反射光を前記撮像素子に多重露光させる制御部と、
    　を備えるターゲット撮像装置。
  2. 　前記制御部は、前記検出信号が入力された後であって前記ドロップレットが前記所定領域に到達するまでの間に、前記シャッタ開閉信号によって前記シャッタを開いて閉じるように前記シャッタ装置を制御する、
    　請求項１に記載のターゲット撮像装置。
  3. 　前記制御部は、前記検出信号が入力された後であって前記シャッタ開閉信号を前記シャッタ装置に出力する前に、前記露光信号を前記撮像素子に出力する、
    　請求項２に記載のターゲット撮像装置。
  4. 　前記撮像素子の撮像領域には、前記極端紫外光が生成される前記所定領域が含まれている、
    　請求項３に記載のターゲット撮像装置。
  5. 　内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、
    　前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
    　前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるターゲットステージと、
    　前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記ドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、
    　前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、
    　前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、
    　前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、
    　前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記露光信号を出力している間に前記検出信号が入力されると前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、前記ドロップレットからの反射光を前記撮像素子に多重露光させ、
    　前記撮像素子から出力された前記多重露光による画像に基づいて前記ターゲットステージを制御する制御部と、
    　を備える極端紫外光生成装置。
  6. 　内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットにレーザ光を照射してプラズマ化することにより極端紫外光を生成するチャンバと、
    　前記レーザ光を出力するレーザ装置と、
    　前記ターゲットをドロップレットとして前記プラズマ生成領域に供給するターゲット供給部と、
    　前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるターゲットステージと、
    　前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記ドロップレットの通過を検出し、前記ドロップレットの通過が検出される度に検出信号を出力するドロップレット検出器と、
    　前記ドロップレット検出器により検出された前記ドロップレットに照明光を照射する照明光源と、
    　前記照明光を照射されたことによる前記ドロップレットからの反射光を受光して前記ドロップレットを撮像する撮像素子と、
    　前記撮像素子への前記反射光を含む光の伝搬及び遮断を切り替えるシャッタを含むシャッタ装置と、
    　前記検出信号の入力に基づいて前記レーザ装置にレーザ光を出力させるトリガ信号を出力し、
    　前記撮像素子へ撮像を行わせる露光信号を出力し、前記露光信号を出力している間に前記トリガ信号の入力に基づいて前記シャッタを開閉動作させるためのシャッタ開閉信号を出力して、前記ドロップレットからの反射光を前記撮像素子に多重露光させ、
    　前記撮像素子から出力された前記多重露光による画像に基づいて前記ターゲットステージを移動する制御部と、
    　を備える極端紫外光生成装置。
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