JPWO2020165942A1 - 極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Abstract

作業者による再調整及び立ち上げ処理を行わなくても、ＥＵＶ光生成装置を可動可能とするために、ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置において、ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、ターゲットの軌道を第１の方向から観測する第１の軌道センサと、ターゲットの軌道を第１の方向と異なる第２の方向から観測する第２の軌道センサと、第１の軌道センサがターゲットの軌道を観測した場合であって、第２の軌道センサがターゲットの軌道を観測しなかった場合に（Ｓ２０）、ターゲットの軌道を第２の軌道センサが観測できるようにアクチュエータを制御すること（Ｓ３０）を含む軌道制御を行う制御部と、を備える。

Description

本開示は、極端紫外光生成装置、ターゲット制御方法、電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許第７１６４１４４号明細書 米国特許出願公開第２０１６／０３７０７０６号明細書
概要
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する装置であって、ターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、ターゲットの軌道を第１の方向から観測する第１の軌道センサと、ターゲットの軌道を第１の方向と異なる第２の方向から観測する第２の軌道センサと、第１の軌道センサがターゲットの軌道を観測した場合であって、第２の軌道センサがターゲットの軌道を観測しなかった場合に、ターゲットの軌道を第２の軌道センサが観測できるようにアクチュエータを制御することを含む軌道制御を行う制御部と、を備える。
本開示の１つの観点に係るターゲット制御方法は、ターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、ターゲットの軌道を第１の方向から観測する第１の軌道センサと、ターゲットの軌道を第１の方向と異なる第２の方向から観測する第２の軌道センサと、を備えて、ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成するように構成された極端紫外光生成装置において、第１の軌道センサ及び第２の軌道センサがターゲットの軌道を観測したか否かを判定し、第１の軌道センサがターゲットの軌道を観測した場合であって、第２の軌道センサがターゲットの軌道を観測しなかった場合に、ターゲットの軌道を第２の軌道センサが観測できるようにアクチュエータを制御することを含む軌道制御を行うことを含む。
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、ターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、ターゲットの軌道を第１の方向から観測する第１の軌道センサと、ターゲットの軌道を第１の方向と異なる第２の方向から観測する第２の軌道センサと、第１の軌道センサがターゲットの軌道を観測した場合であって、第２の軌道センサがターゲットの軌道を観測しなかった場合に、ターゲットの軌道を第２の軌道センサが観測できるようにアクチュエータを制御することを含む軌道制御を行う制御部と、を備える極端紫外光生成装置において、ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の一部を概略的に示す。 図３Ａは、照明光レーザ装置４１から出力される照明光４３の集光位置の近傍におけるビームプロファイルの例を示す。図３Ｂは、Ｘ軸軌道センサ４ｘによって取得された画像の一部からＸ軸の方向に沿って抽出された光強度分布の例を示す。図３Ｃは、Ｚ軸軌道センサ４ｚによって取得された画像の一部からＺ軸の方向に沿って抽出された光強度分布の例を示す。図３Ｄは、Ｘ軸軌道センサ４ｘ、Ｚ軸軌道センサ４ｚ、及び照明光レーザ装置４１を、＋Ｙ方向に見たときのこれらの配置を概略的に示す。 図４は、本開示の第１の実施形態におけるターゲット制御の動作を示すフローチャートである。 図５は、第１の実施形態における軌道制御の詳細を示すフローチャートである。 図６Ａ及び図６Ｂは、軌道Ｔを観測した軌道センサによって取得された画像の一部から第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出される光強度分布の例を示す。図６Ｃは、軌道Ｔを観測しなかった軌道センサによって取得された画像の一部から第２検出軸Ａｎｇに沿って抽出される光強度分布の例を示す。図６Ｄは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩの例を示す。図６Ｅ〜図６Ｈは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩ及び指令位置ＰＣの例を示す。図６Ｉ及び図６Ｊは、軌道Ｔを観測しなかった軌道センサによって取得された画像の一部から第２検出軸Ａｎｇに沿って抽出される光強度分布の例を示す。 図７は、第２の実施形態における軌道制御の詳細を示すフローチャートである。 図８は、第２の実施形態における軌道制御の詳細を示すフローチャートである。 図９Ａ及び図９Ｂは、軌道Ｔを観測した軌道センサによって取得された画像の一部から第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出される光強度分布の例を示す。図９Ｃは、軌道Ｔを観測しなかった軌道センサによって取得された画像の一部から第２検出軸Ａｎｇに沿って抽出される光強度分布の例を示す。図９Ｄは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩの例を示す。図９Ｅは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩ及び指令位置ＰＣの例を示す。図９Ｆ及び図９Ｇは、軌道Ｔを観測した軌道センサによって取得された画像の一部から第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出される光強度分布の例を示す。図９Ｈ〜図９Ｋは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩ及び指令位置ＰＣの例を示す。 図１０は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置６の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．一方の検出軸のみ軌道Ｔを観測した場合に軌道制御を行うＥＵＶ光生成装置
３．１ メインフロー
３．２ 軌道制御の詳細
３．２．１ 第１検出軸Ａｏｋにおける軌道Ｔの変更
３．２．２ 第２検出軸Ａｎｇにおける軌道Ｔの変更
３．２．２．１ １回目の変更
３．２．２．２ ２回目の変更
３．２．２．３ ３回目の変更
３．２．２．４ ４回目以降の変更
３．２．３ 第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになった場合
３．３ 作用
４．軌道シフト方向を判定する軌道制御
４．１ 軌道制御の詳細
４．１．１ 軌道シフト回数Ｎが０であるときの処理
４．１．２ 軌道シフト回数Ｎが１であるときの処理
４．１．３ 第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになった場合
４．１．４ シフト方向Ｄの決定
４．１．５ 第２検出軸Ａｎｇにおける軌道Ｔの変更
４．１．５．１ １巡目の処理
４．１．５．２ ２巡目以降の処理
４．１．６ 第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになった場合
４．２ 作用
５．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのドライブレーザ装置３と共に用いられる。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びドライブレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能に構成されている。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられている。ターゲット供給部２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含むことができるが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられている。ウインドウ２１をドライブレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられている。貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含む。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有し、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されている。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられている。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されている。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。
１．２ 動作
図１を参照に、ドライブレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射される。
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射する。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７の画像データ等を処理する。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ドライブレーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．比較例
２．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の一部を概略的に示す。図２において、チャンバ２、レーザ光集光ミラー２２、ＥＵＶ集光ミラー２３、レーザ光進行方向制御部３４等の図示は省略されている。図２に示されるように、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１は、Ｘ軸軌道センサ４ｘと、Ｚ軸軌道センサ４ｚと、照明光レーザ装置４１と、駆動ステージ２６ａと、を含む。
ターゲット供給部２６から出力される複数のターゲット２７の出力方向を＋Ｙ方向とする。ターゲット２７に照射されるレーザ光３３ａの進行方向を＋Ｚ方向とする。＋Ｙ方向と＋Ｚ方向とは直交している。＋Ｙ方向と＋Ｚ方向との両方に垂直な方向を＋Ｘ方向及び−Ｘ方向とする。複数のターゲット２７の各々は、液滴状である。レーザ光３３ａは、ドライブレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光である。
Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、例えば、撮像装置を含む。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて移動するターゲット２７を撮像して画像データを生成するように構成されている。
Ｘ軸軌道センサ４ｘは、ターゲット２７の軌道Ｔからみて略−Ｚ方向の位置に配置され、ターゲット２７の軌道Ｔを−Ｚ方向の位置から観測する。ターゲット２７の軌道Ｔの位置が＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に変更された場合、Ｘ軸軌道センサ４ｘによって取得された画像におけるターゲット２７の像の位置が、＋Ｘ方向又は−Ｘ方向に移動する。従って、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｘ軸軌道センサ４ｘから出力された画像データに基づいてターゲット２７の軌道ＴのＸ軸における検出位置Ｐｄを算出することができる。すなわち、Ｘ軸軌道センサ４ｘは、Ｘ軸に平行な検出軸を有する。
Ｚ軸軌道センサ４ｚは、ターゲット２７の軌道Ｔからみて略−Ｘ方向の位置に配置され、ターゲット２７の軌道Ｔを−Ｘ方向の位置から観測する。ターゲット２７の軌道Ｔの位置が＋Ｚ方向又は−Ｚ方向に変更された場合、Ｚ軸軌道センサ４ｚによって取得された画像におけるターゲット２７の像の位置が、＋Ｚ方向又は−Ｚ方向に移動する。従って、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｚ軸軌道センサ４ｚから出力された画像データに基づいてターゲット２７の軌道ＴのＺ軸における検出位置Ｐｄを算出することができる。すなわち、Ｚ軸軌道センサ４ｚは、Ｚ軸に平行な検出軸を有する。
Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、プラズマ生成領域２５の近傍のターゲット２７、例えばプラズマ生成領域２５に到達する直前のターゲット２７を撮像するように配置される。Ｘ軸軌道センサ４ｘの観測範囲Ｖｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの観測範囲Ｖｚは、これらのセンサの光学系によって決まる画角及び焦点深度によって規定される。Ｘ軸軌道センサ４ｘの観測範囲ＶｘとＺ軸軌道センサ４ｚの観測範囲Ｖｚとは、互いに重複する空間Ｖｘｚを含む。ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向かうターゲット２７の理想的な軌道が空間Ｖｘｚのほぼ中心を貫通するように、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々が位置合わせされている。
照明光レーザ装置４１は、ターゲット２７にレーザ光である照明光４３を照射する照明装置である。照明光４３の光路に、空間Ｖｘｚが含まれる。
駆動ステージ２６ａは、ターゲット供給部２６に接続されている。駆動ステージ２６ａは、図示しないアクチュエータを含む。駆動ステージ２６ａは、プラズマ生成領域２５に対するターゲット供給部２６の位置又は姿勢を変更することにより、ターゲット２７の軌道Ｔを変更するように構成されている。例えば、駆動ステージ２６ａが２軸ステージで構成される場合、駆動ステージ２６ａは、ターゲット供給部２６の位置をＸ軸方向とＺ軸方向とに移動することにより、ターゲット２７の軌道ＴをＸ軸方向とＺ軸方向とに変更することができる。
２．２ 動作
照明光レーザ装置４１は、ＥＵＶ光生成制御部５による制御に従って照明光４３を生成する。ターゲット２７が空間Ｖｘｚを通過するときに、ターゲット２７が照明光４３によって照明される。
Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、ターゲット２７によって反射された照明光４３の一部を受光する。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々は、照明光４３によって照明されたターゲット２７を撮像して画像データを生成し、画像データをＥＵＶ光生成制御部５に出力する。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚによる撮像のタイミングは、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御される。
ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚから画像データを受信し、Ｘ軸及びＺ軸の各々においてターゲット２７の軌道Ｔの検出位置Ｐｄを算出する。
ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｘ軸及びＺ軸の各々における検出位置Ｐｄと、Ｘ軸及びＺ軸の各々における目標位置Ｐｔとに基づいて、駆動ステージ２６ａを制御する。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット２７の軌道ＴがＸ軸及びＺ軸の各々における目標位置Ｐｔに近づくように、駆動ステージ２６ａをＸ軸方向とＺ軸方向とに制御する。駆動ステージ２６ａがターゲット供給部２６の位置又は姿勢を変更することにより、その後に出力されるターゲット２７の軌道Ｔが変更される。これにより、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するように、ターゲット２７の軌道Ｔが調整される。
ドライブレーザ装置３は、図示しないプリパルスレーザ装置及びメインパルスレーザ装置を含んでもよい。プリパルスレーザ装置から出力されるプリパルスレーザ光はターゲット２７に照射されて、ターゲット２７を拡散させて拡散ターゲットを生成させる。メインパルスレーザ装置から出力されるメインパルスレーザ光は、拡散ターゲットに照射されて拡散ターゲットに含まれるターゲット物質をプラズマ化させる。図示しない複数のプリパルスレーザ装置から複数のプリパルスレーザ光を１つのターゲット２７に順次照射することにより、拡散ターゲットを生成させてもよい。
Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚは、ターゲット２７がＹ軸における所定の位置を通過したタイミングを示す通過タイミング信号を出力する。ＥＵＶ光生成制御部５は、通過タイミング信号に基づいて、ドライブレーザ装置３からレーザ光３３ａが出力されるように、ドライブレーザ装置３を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、通過タイミング信号に基づいて、上述のレーザ光進行方向制御部３４のアクチュエータを制御することにより、Ｙ軸におけるレーザ光３３ａの集光位置を調整する。
また、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｘ軸におけるターゲット２７の軌道Ｔの検出位置Ｐｄに基づいて、レーザ光進行方向制御部３４のアクチュエータを制御することにより、Ｘ軸におけるレーザ光３３ａの集光位置を調整する。
２．３ 課題
図３Ａは、照明光レーザ装置４１から出力される照明光４３の集光位置の近傍におけるビームプロファイルの例を示す。ビームプロファイルは、光の進行方向に略垂直な断面における光強度分布である。図３Ａの縦軸は光強度Ｉである。照明光４３は、ほぼガウシアン分布状のビームプロファイルを有する。
照明光４３の集光位置は、空間Ｖｘｚの位置にほぼ一致するように調整される。照明光４３の集光位置におけるビーム幅ＷＢは、照明光４３の光路に空間Ｖｘｚが含まれるように設定される。さらに、照明光４３の集光位置は、照明光４３のビームプロファイルの中心に位置する光強度分布のピークの位置Ｐｐｅａｋが、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向かって移動するターゲット２７の理想的な軌道の一部に一致するように調整される。この場合、ターゲット２７が理想的な軌道に沿って進んだ場合に最も明るく照明され、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの各々によって取得される画像のコントラストが最も高くなる。
図３Ｂは、Ｘ軸軌道センサ４ｘによって取得された画像の一部からＸ軸の方向に沿って抽出された光強度分布の例を示す。図３Ｂの横軸は光強度Ｉである。Ｘ軸の方向に沿ったＸ軸軌道センサ４ｘの観測範囲Ｖｘの寸法が、ＷＸで示されている。図３Ｂに示されるように、光強度分布の一部に急峻なピークがある場合に、このピークはターゲット２７によって反射された照明光４３に起因すると考えられる。そこで、このピークの位置を、Ｘ軸におけるターゲット２７の軌道Ｔの検出位置Ｐｄとすることができる。例えば、検出位置Ｐｄが目標位置Ｐｔよりも＋Ｘ方向にずれている場合には、駆動ステージ２６ａを−Ｘ方向に制御することにより、ターゲット２７の軌道Ｔを目標位置Ｐｔに近づけることができる。
図３Ｃは、Ｚ軸軌道センサ４ｚによって取得された画像の一部からＺ軸の方向に沿って抽出された光強度分布の例を示す。図３Ｃの縦軸は光強度Ｉである。Ｚ軸の方向に沿ったＺ軸軌道センサ４ｚの観測範囲Ｖｚの寸法が、ＷＺで示されている。
図３Ｄは、Ｘ軸軌道センサ４ｘ、Ｚ軸軌道センサ４ｚ、及び照明光レーザ装置４１を、＋Ｙ方向に見たときのこれらの配置を概略的に示す。上述のように、ターゲット２７が理想的な軌道に沿って進む場合には、ターゲット２７は空間Ｖｘｚを通過する。
しかし、ターゲット２７が空間Ｖｘｚを通過しないことがあり得る。例えば、図３Ｄに示されるように、ターゲット２７がＺ軸軌道センサ４ｚの観測範囲Ｖｚから外れた位置を通過する場合、Ｚ軸軌道センサ４ｚによって取得される画像にはターゲット２７の像が含まれない。従って、Ｚ軸の方向に沿って抽出された光強度分布は、図３Ｃに示されるように、明瞭なピークのない光強度分布となる。この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｚ軸におけるターゲット２７の軌道Ｔの検出位置Ｐｄを算出することができない。そのような場合は、駆動ステージ２６ａを＋Ｚ方向に制御すればいいのか、−Ｚ方向に制御すればいいのかが明らかではない。
２つの検出軸の内の一方の検出軸においてターゲット２７の軌道Ｔを観測できない場合の対処として、ターゲット供給部２６が異常吐出状態であると判定することが考えられる。この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６がターゲット２７を出力するための制御を停止し、軌道検出エラーを発報する。軌道検出エラーを認識した作業者は、ターゲット２７が正常に吐出されるように、ターゲット供給部２６の再調整を行う。再調整の後、ＥＵＶ光生成装置１の立ち上げ処理が行われ、その後、ターゲット２７の出力が可能となる。このような再調整及び立ち上げ処理が必要になると、ＥＵＶ光生成装置１の稼働時間が短くなり、生産性が低下する。
２つの検出軸の内の一方の検出軸において軌道Ｔを観測できない場合であっても、他方の検出軸において軌道Ｔを観測できる場合がある。例えば以下の２つの条件が満たされる場合、Ｘ軸方向におけるターゲット２７の軌道Ｔが観測可能である。
（１）Ｘ軸軌道センサ４ｘの観測範囲Ｖｘ内に軌道Ｔが含まれること
（２）照明光４３の光路内に軌道Ｔが含まれること
２つの検出軸の内の一方の検出軸において軌道Ｔを観測できない場合であっても、他方の検出軸において軌道Ｔを観測している場合には、少なくともターゲット２７の出力は行われていることがわかる。以下に説明する実施形態においては、一方の軌道センサによって軌道Ｔを観測し、他方の軌道センサによって軌道Ｔを観測しなかったことを条件として、軌道制御が行われる。これにより、作業者による再調整及び立ち上げ処理を行わなくても、ＥＵＶ光生成装置１を稼働できる可能性がある。
３．一方の検出軸のみ軌道Ｔを観測した場合に軌道制御を行うＥＵＶ光生成装置
３．１ メインフロー
図４は、本開示の第１の実施形態におけるターゲット制御の動作を示すフローチャートである。第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１の物理的な構成は、図２及び図３Ａ〜図３Ｄを参照しながら説明した比較例の構成と同様である。
図４に示されるターゲット制御は、ＥＵＶ光生成制御部５によって実行される。図４に示されるターゲット制御は、例えば、ターゲット供給部２６の動作開始の直後に行われる。例えば、ターゲット物質がスズを含む場合に、図４に示されるターゲット制御は、溶融したスズの容器の内部が加圧されてターゲット２７の吐出が開始された直後に行われる。
まず、Ｓ１０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、２つの検出軸の両方で軌道Ｔを観測したか否かを判定する。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの両方がターゲット２７の軌道Ｔを観測した場合（Ｓ１０：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ８０に処理を進める。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの内の少なくとも１つがターゲット２７の軌道Ｔを観測しなかった場合（Ｓ１０：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ２０に処理を進める。
Ｓ２０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、いずれか一方の検出軸において軌道Ｔを観測したか否かを判定する。
いずれの検出軸においても軌道Ｔを観測しなかった場合（Ｓ２０：ＮＯ）、すなわち、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚのいずれもがターゲット２７の軌道Ｔを観測しなかった場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ９０に処理を進める。
いずれか一方の検出軸において軌道Ｔを観測した場合（Ｓ２０：ＹＥＳ）、すなわち、いずれか一方の軌道センサがターゲット２７の軌道Ｔを観測した場合であって、他方の軌道センサがターゲット２７の軌道Ｔを観測しなかった場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３０に処理を進める。軌道Ｔを観測した検出軸を、以下では第１検出軸Ａｏｋとする。軌道Ｔを観測しなかった検出軸を、以下では第２検出軸Ａｎｇとする。Ｘ軸及びＺ軸の内の一方が第１検出軸Ａｏｋに相当し、他方が第２検出軸Ａｎｇに相当する。図３Ａ〜図３Ｄに示される例においては、Ｘ軸が軌道Ｔを観測した第１検出軸Ａｏｋに相当し、Ｚ軸が軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇに相当する。また、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの内の一方が本開示における第１の軌道センサに相当し、他方が本開示における第２の軌道センサに相当する。図３Ａ〜図３Ｄに示される例においては、軌道Ｔを観測したＸ軸軌道センサ４ｘが本開示における第１の軌道センサに相当し、軌道Ｔを観測しなかったＺ軸軌道センサ４ｚが本開示における第２の軌道センサに相当する。軌道Ｔを観測したＸ軸軌道センサ４ｘが位置する−Ｚ方向が、本開示における第１の方向に相当し、軌道Ｔを観測しなかったＺ軸軌道センサ４ｚが位置する−Ｘ方向が、本開示における第２の方向に相当する。
Ｓ３０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測した第１検出軸Ａｏｋだけでなく、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇにおいても軌道Ｔを観測できるように、軌道制御を行う。軌道制御は、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔの位置を変更するように駆動ステージ２６ａを制御してみて、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かを判定することを含む。軌道制御の詳細については図５及び図６Ａ〜図６Ｊを参照しながら後述する。Ｓ３０の後、ＥＵＶ光生成制御部５はＳ７０に処理を進める。
Ｓ７０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、２つの検出軸の両方で軌道Ｔを観測したか否かを判定する。この処理はＳ１０と同様である。軌道制御を行った結果、２つの検出軸の両方で軌道Ｔを観測できるようになった場合（Ｓ７０：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ８０に処理を進める。軌道制御を行っても、少なくとも１つの検出軸で軌道Ｔを観測できるようにならなかった場合（Ｓ７０：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ９０に処理を進める。
Ｓ８０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６が正常吐出状態であると判定する。この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６によるターゲット２７の出力を継続させる。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、２つの検出軸でそれぞれ観測されるターゲット２７の軌道Ｔに基づく軌道調整を開始する。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５は、比較例において説明したように、Ｘ軸軌道センサ４ｘで観測されるターゲット２７の軌道Ｔと、Ｚ軸軌道センサ４ｚで観測されるターゲット２７の軌道Ｔとがそれぞれの目標位置Ｐｔに近づくように、駆動ステージ２６ａを制御する。Ｓ８０の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、本フローチャートのターゲット制御を終了する。ターゲット２７の出力及び軌道調整は、その後も継続して行われる。
Ｓ９０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６が異常吐出状態であると判定する。この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６によるターゲット２７の出力を停止させ、軌道検出エラーを示す信号を発報する。Ｓ９０の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、本フローチャートのターゲット制御を終了する。
Ｓ２０からＳ９０に移行した場合に異常吐出状態であると判定される理由は次の通りである。いずれの検出軸においても軌道Ｔを観測しなかった場合には、ターゲット２７が出力されていないか、ターゲット２７の軌道Ｔがプラズマ生成領域２５から大幅にずれている場合である。ターゲット２７が出力されていない場合には、ターゲット供給部２６を修理又は交換するために、ＥＵＶ光生成装置１を停止させる必要がある。一方、ターゲット２７の軌道Ｔがプラズマ生成領域２５から大幅にずれている場合には、ターゲット回収部２８によって回収できない位置までターゲット２７の軌道Ｔがずれている可能性がある。この場合、ＥＵＶ光生成装置１の内部の光学部品がターゲット物質で汚染されるのを防止するため、ＥＵＶ光生成装置１を停止させる必要がある。
また、Ｓ７０からＳ９０に移行した場合にも異常吐出状態であると判定される。後述のように、軌道制御においてはターゲット２７の軌道Ｔを次第に大きくずらしていく。ターゲット２７の軌道Ｔをあまり大きくずらしてしまうと、ターゲット回収部２８によって回収できない位置までターゲット２７の軌道Ｔがずれる可能性がある。軌道制御を行ってもターゲット２７の軌道Ｔを観測できるようにならない場合は、ＥＵＶ光生成装置１の内部の光学部品がターゲット物質で汚染されるのを防止するため、ＥＵＶ光生成装置１を停止させる必要がある。
３．２ 軌道制御の詳細
図５は、第１の実施形態における軌道制御の詳細を示すフローチャートである。図５に示される処理は、図４のＳ３０のサブルーチンに相当する。
図６Ａ及び図６Ｂは、軌道Ｔを観測した軌道センサによって取得された画像の一部から第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出される光強度分布の例を示す。
図６Ｃ、図６Ｉ及び図６Ｊは、軌道Ｔを観測しなかった軌道センサによって取得された画像の一部から第２検出軸Ａｎｇに沿って抽出される光強度分布の例を示す。
図６Ｄは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩの例を示す。
図６Ｅ〜図６Ｈは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩ及び指令位置ＰＣの例を示す。
３．２．１ 第１検出軸Ａｏｋにおける軌道Ｔの変更
まず、Ｓ３１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道シフト回数Ｎを初期値０にセットする。
次に、Ｓ３２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測した第１検出軸Ａｏｋにおける指令位置ＰＣを、以下の式（１）により設定する。
ＰＣ＝ＰＰ−Ｐｄ＋Ｐｔ ・・・（１）
式（１）において、指令位置ＰＣは、ＥＵＶ光生成制御部５が駆動ステージ２６ａを制御するための指令位置である。ＰＰは、駆動ステージ２６ａの現在位置である。指令位置ＰＣ及び現在位置ＰＰは、駆動ステージ２６ａの座標系において定義される値である。すなわち、現在位置ＰＰは、駆動ステージ２６ａがその可動範囲の中のどこに位置しているかを特定する。指令位置ＰＣは、駆動ステージ２６ａがその可動範囲の中のどの位置に制御されるかを特定する。
式（１）において、Ｐｄは、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚによって観測されたターゲット２７の軌道Ｔの検出位置である。Ｐｔは、ターゲット２７の軌道Ｔの目標位置である。検出位置Ｐｄ及び目標位置Ｐｔは、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚの座標系において定義される値である。すなわち、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚによってそれぞれ取得された画像から、検出位置Ｐｄが特定される。Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚは、例えば、それぞれの観測範囲の中心位置が目標位置Ｐｔと一致するように、位置合わせされる。
駆動ステージ２６ａの座標系と、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚの座標系とは、必ずしも一致しない。例えば、駆動ステージ２６ａの可動範囲の中心位置に指令位置ＰＣを設定しても、ターゲット２７の軌道ＴがＸ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの観測範囲の中心位置を通るとは限らない。
但し、駆動ステージ２６ａの座標系と、Ｘ軸軌道センサ４ｘ又はＺ軸軌道センサ４ｚの座標系とは、それらの縮尺が一致するように設定される。
図６Ａに、第１検出軸Ａｏｋにおける検出位置Ｐｄ及び目標位置Ｐｔの例が示されている。ターゲット２７の軌道Ｔを目標位置Ｐｔに近づけるための指令位置ＰＣは、駆動ステージ２６ａの現在位置ＰＰに、目標位置Ｐｔと検出位置Ｐｄとの差を加算することにより算出される。
なお、指令位置ＰＣ、現在位置ＰＰ、検出位置Ｐｄ、及び目標位置Ｐｔは、第１検出軸Ａｏｋと第２検出軸Ａｎｇとのそれぞれにおいて定義することが可能である。但し、式（１）においては、指令位置ＰＣ、現在位置ＰＰ、検出位置Ｐｄ、及び目標位置Ｐｔは、第１検出軸Ａｏｋにおいて定義される値である。
次に、Ｓ３３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、設定された指令位置ＰＣに従って駆動ステージ２６ａを制御する。Ｓ３２からＳ３３に移行した場合には、第１検出軸Ａｏｋにおける指令位置ＰＣが設定されているので、Ｓ３３においては、第１検出軸Ａｏｋに沿った方向に駆動ステージ２６ａが制御される。
図６Ｂに、第１検出軸Ａｏｋに沿って駆動ステージ２６ａを制御した後の光強度分布の例が示されている。上述のように、照明光４３の光強度分布のピークの位置Ｐｐｅａｋがターゲット２７の理想的な軌道の一部に一致する。従って、Ｓ３２及びＳ３３により第１検出軸Ａｏｋにおいて観測されるターゲット２７の軌道Ｔが目標位置Ｐｔに近づくように駆動ステージ２６ａを制御しておけば、以後の処理においてターゲット２７が明るく照明されるようになる。そして、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚによって取得される画像のコントラストが高くなる。これにより、ターゲット２７の軌道Ｔをより正確に検出することが可能となる。
次に、Ｓ３４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測した第１検出軸Ａｏｋにおいて現在も軌道Ｔを観測できるか否かを判定する。
Ｓ３３における駆動ステージ２６ａの制御によって、第１検出軸Ａｏｋにおける軌道Ｔの観測ができなくなってしまった場合（Ｓ３４：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、本フローチャートの処理を終了し、図４に示されるメインフローに戻る。この場合、図４のＳ７０においてＮＯと判定される。
第１検出軸Ａｏｋにおいて現在も軌道Ｔを観測できる場合（Ｓ３４：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３５に処理を進める。
Ｓ３５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かを判定する。
Ｓ３３における駆動ステージ２６ａの制御によって、第２検出軸Ａｎｇにおける軌道Ｔの観測ができるようになった場合（Ｓ３５：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ４０に処理を進める。
第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようにならなかった場合（Ｓ３５：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３７に処理を進める。図６Ｃに、第２検出軸Ａｎｇに沿って抽出された光強度分布の例を示す。このように明瞭なピークを有しない光強度分布からは、軌道Ｔを観測することはできない。
Ｓ３７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道シフト回数Ｎが上限値Ｎｍａｘ未満であるか否かを判定する。
軌道シフト回数Ｎが上限値Ｎｍａｘに達していた場合（Ｓ３７：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、本フローチャートの処理を終了し、図４に示されるメインフローに戻る。この場合、図４のＳ７０においてＮＯと判定される。
軌道シフト回数Ｎが上限値Ｎｍａｘ未満である場合（Ｓ３７：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３８に処理を進める。
３．２．２ 第２検出軸Ａｎｇにおける軌道Ｔの変更
３．２．２．１ １回目の変更
Ｓ３８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣを、以下の式（２）により設定する。
ＰＣ＝ＰＩ＋（−１）Ｎ・ｉｎｔ（（Ｎ＋１）／２）・Ｗ ・・・（２）
ここで、ｉｎｔ（Ａ）は、正数Ａの小数点以下の端数を切り上げて得られる整数である。
式（２）において、ＰＩは、第２検出軸Ａｎｇにおける駆動ステージ２６ａの初期位置である。初期位置ＰＩは、駆動ステージ２６ａの座標系において定義される値である。ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道制御において駆動ステージ２６ａを制御する前に、駆動ステージ２６ａの現在位置ＰＰのデータを取得し、図示しない記憶装置に初期位置ＰＩとして記憶しておくことが望ましい。初期位置ＰＩは、本開示における所定の位置に相当する。
式（２）において、Ｗは、軌道制御において軌道Ｔの位置を第２検出軸Ａｎｇに沿って変更する量を示すシフト幅である。シフト幅Ｗは正数である。シフト幅Ｗをあまり大きく設定すると、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔの位置を変更したときに、軌道Ｔが空間Ｖｘｚを通り過ぎてしまう可能性がある。シフト幅Ｗは、例えば、軌道Ｔを観測しなかった軌道センサの観測範囲Ｖｚ又はＶｘの、第２検出軸Ａｎｇに沿った寸法ＷＺ又はＷＸの半分以下であることが望ましい。一方、シフト幅Ｗをあまり小さくすると、図５の処理において指令位置ＰＣを多数回更新しないと、軌道Ｔが空間Ｖｘｚに到達できない可能性がある。シフト幅Ｗは、例えば、３００μｍ以上、１５００μｍ以下とする。シフト幅Ｗは、好ましくは、５００μｍとする。第１の実施形態におけるシフト幅Ｗは、本開示における第１の距離及び第２の距離の各々に相当する。
Ｓ３８において、軌道シフト回数Ｎが０に設定されている場合（Ｎ＝０）、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣは、式（２）により以下のように設定される。
ＰＣ＝ＰＩ＋Ｗ
図６Ｄに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩの例を示す。図６Ｅに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、軌道シフト回数Ｎが０に設定されている場合の指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩにシフト幅Ｗを加算して得られる。第２検出軸Ａｎｇの正の方向が、本開示における第３の方向に相当する。例えば、Ｚ軸が第２検出軸Ａｎｇである場合には、＋Ｚ方向が、本開示における第３の方向に相当する。初期位置ＰＩにシフト幅Ｗを加算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第１の位置に相当する。Ｓ３８の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３９に処理を進める。
Ｓ３９において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道シフト回数Ｎの値に１を加算してＮの値を更新する。Ｓ３９の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３３に処理を進める。
Ｓ３９からＳ３３に移行した場合には、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣが設定されているので、Ｓ３３においては、第２検出軸Ａｎｇに沿った方向に駆動ステージ２６ａが制御される。その後のＳ３４〜Ｓ３７の処理は上述の通りである。上述のように、Ｓ３５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かを判定する。ターゲット２７の軌道Ｔを本開示における第１の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ３５で判定する処理は、本開示における第１の処理に相当する。
３．２．２．２ ２回目の変更
Ｓ３８において、軌道シフト回数Ｎが１に設定されている場合（Ｎ＝１）、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣは、式（２）により以下のように設定される。
ＰＣ＝ＰＩ−Ｗ
図６Ｆに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、軌道シフト回数Ｎが１に設定されている場合の指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩからシフト幅Ｗを減算して得られる。第２検出軸Ａｎｇの負の方向が、本開示における第４の方向に相当する。例えば、Ｚ軸が第２検出軸Ａｎｇである場合には、−Ｚ方向が、本開示における第４の方向に相当する。初期位置ＰＩからシフト幅Ｗを減算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第２の位置に相当する。その後Ｓ３９からＳ３３に移行し、Ｓ３４〜Ｓ３７の処理を行う点は上述の通りである。ターゲット２７の軌道Ｔを第２の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ３５で判定する処理は、本開示における第２の処理に相当する。
３．２．２．３ ３回目の変更
Ｓ３８において、軌道シフト回数Ｎが２に設定されている場合（Ｎ＝２）、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣは、式（２）により以下のように設定される。
ＰＣ＝ＰＩ＋２・Ｗ
図６Ｇに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、軌道シフト回数Ｎが２に設定されている場合の指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩにシフト幅Ｗの２倍を加算して得られる。シフト幅Ｗの２倍が本開示における第３の距離及び第４の距離の各々に相当し、初期位置ＰＩにシフト幅Ｗの２倍を加算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第３の位置に相当する。その後Ｓ３９からＳ３３に移行し、Ｓ３４〜Ｓ３７の処理を行う点は上述の通りである。ターゲット２７の軌道Ｔを第３の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ３５で判定する処理は、本開示における第３の処理に相当する。
３．２．２．４ ４回目以降の変更
Ｓ３８において、軌道シフト回数Ｎが３に設定されている場合（Ｎ＝３）、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣは、式（２）により以下のように設定される。
ＰＣ＝ＰＩ−２・Ｗ
図６Ｈに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、軌道シフト回数Ｎが３に設定されている場合の指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩからシフト幅Ｗの２倍を減算して得られる。初期位置ＰＩからシフト幅Ｗの２倍を減算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第４の位置に相当する。その後Ｓ３９からＳ３３に移行し、Ｓ３４〜Ｓ３７の処理を行う点は上述の通りである。ターゲット２７の軌道Ｔを第４の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ３５で判定する処理は、本開示における第４の処理に相当する。
このようにして、Ｓ３９において軌道シフト回数Ｎの値に１が加算されるたびに、初期位置ＰＩに対して軌道Ｔの位置を変更する方向を、第２検出軸Ａｎｇの正の方向と負の方向とで切り換える。また、初期位置ＰＩからの距離を次第に大きくする。軌道Ｔの位置を変更するたびに、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ３５で判定する。第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったら、上述のように、Ｓ４０に処理を進める。
３．２．３ 第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになった場合
Ｓ４０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、新たに軌道Ｔを観測できるようになった第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣを、以下の式（３）により設定する。
ＰＣ＝ＰＰ−Ｐｄ＋Ｐｔ ・・・（３）
式（３）は、式（１）と同様である。但し、式（３）における指令位置ＰＣ、現在位置ＰＰ、検出位置Ｐｄ、及び目標位置Ｐｔは、第２検出軸Ａｎｇにおいて定義される値である。
図６Ｉに、新たに軌道Ｔを観測できるようになった第２検出軸Ａｎｇにおける検出位置Ｐｄ及び目標位置Ｐｔの例が示されている。ターゲット２７の軌道Ｔを目標位置Ｐｔに近づけるための指令位置ＰＣは、駆動ステージ２６ａの現在位置ＰＰに、目標位置Ｐｔと検出位置Ｐｄとの差を加算することにより算出される。
次に、Ｓ４１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、設定された指令位置ＰＣに従って駆動ステージ２６ａを制御する。Ｓ４１においては、新たに軌道Ｔを観測できるようになった第２検出軸Ａｎｇに沿って駆動ステージ２６ａが制御される。
図６Ｊに、第２検出軸Ａｎｇに沿って駆動ステージ２６ａを制御した後の光強度分布の例が示されている。
Ｓ４１の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、本フローチャートの処理を終了し、図４に示されるメインフローに戻る。この場合、図４のＳ７０においてＹＥＳと判定される。
他の点については、第１の実施形態の動作は比較例の動作と同様である。
３．３ 作用
第１の実施形態によれば、Ｘ軸軌道センサ４ｘ及びＺ軸軌道センサ４ｚの内の一方の軌道センサによって軌道Ｔを観測し、他方の軌道センサによって軌道Ｔを観測しなかったことを条件として、軌道制御が行われる。これにより、作業者による再調整及び立ち上げ処理を行わなくても、ＥＵＶ光生成装置１を稼働できる。
また、第１の実施形態によれば、初期位置ＰＩに対して軌道Ｔの位置を変更する方向を、第２検出軸Ａｎｇの正の方向と負の方向とで切り換える。また、初期位置ＰＩからの距離を次第に大きくする。軌道Ｔの位置を変更するたびに、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かを判定する。従って、Ｘ軸軌道センサ４ｘとＺ軸軌道センサ４ｚとの両方で撮影可能な空間Ｖｘｚが、初期位置ＰＩに対して正の方向に位置する場合でも、負の方向に位置する場合でも、自動的に空間Ｖｘｚまで軌道Ｔを移動させることができる。
４．軌道シフト方向を判定する軌道制御
４．１ 軌道制御の詳細
図７及び図８は、第２の実施形態における軌道制御の詳細を示すフローチャートである。図７及び図８に示される処理は、図４のＳ３０のサブルーチンに相当する。第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１の物理的な構成は、図２及び図３Ａ〜図３Ｄを参照しながら説明した比較例の構成と同様である。また、第２の実施形態におけるメインフローは、図４を参照しながら説明した第１の実施形態のメインフローと同様である。
図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｆ及び図９Ｇは、軌道Ｔを観測した軌道センサによって取得された画像の一部から第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出される光強度分布の例を示す。
図９Ｃは、軌道Ｔを観測しなかった軌道センサによって取得された画像の一部から第２検出軸Ａｎｇに沿って抽出される光強度分布の例を示す。
図９Ｄは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩの例を示す。
図９Ｅ及び図９Ｈ〜図９Ｋは、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩ及び指令位置ＰＣの例を示す。
４．１．１ 軌道シフト回数Ｎが０であるときの処理
まず、図７のＳ３１ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道シフト回数Ｎ及びシフト方向Ｄをそれぞれ初期値にセットする。軌道シフト回数Ｎの初期値は０であり、シフト方向Ｄの初期値は＋１である。
次のＳ３２〜Ｓ３５の処理は、図５を参照しながら説明した第１の実施形態と同様である。図９Ａ〜図９Ｃの光強度分布は、第１の実施形態における図６Ａ〜図６Ｃの光強度分布と同様である。第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようにならなかった場合（Ｓ３５：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３６ａに処理を進める。
Ｓ３６ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度ＬＮを取得する。第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度ＬＮは、例えば、軌道Ｔを観測した第１検出軸Ａｏｋに沿って抽出された光強度分布のピークの位置における輝度である。軌道シフト回数Ｎが０に設定されている場合（Ｎ＝０）、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｌ０を取得する。信号強度Ｌ０は、例えば、図９Ｂに示されるような光強度分布のピークの位置における輝度である。
次に、Ｓ３７ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道シフト回数Ｎが０に設定されているか否かを判定する。軌道シフト回数Ｎが０に設定されている場合のみ（Ｓ３７ａ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３８ａに処理を進める。軌道シフト回数Ｎが０ではない場合（Ｓ３７ａ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、図８のＳ４９ａに処理を進める。
Ｓ３８ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣを、以下の式（４）により設定する。
ＰＣ＝ＰＩ＋Ｗ ・・・（４）
図９Ｄに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩの例を示す。図９Ｅに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、Ｓ３８ａにおいて設定される指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩにシフト幅Ｗを加算して得られる。初期位置ＰＩにシフト幅Ｗを加算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第５の位置に相当する。
４．１．２ 軌道シフト回数Ｎが１であるときの処理
Ｓ３８ａの後、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３９において軌道シフト回数Ｎの値に１を加算してＮの値を更新する。Ｓ３９の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ３３に処理を進める。
Ｓ３９からＳ３３に移行した場合に、Ｓ３３においては、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇに沿った方向に駆動ステージ２６ａが制御される。その後のＳ３４及びＳ３５の処理は上述の通りである。上述のように、Ｓ３５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かを判定する。ターゲット２７の軌道ＴをＳ３８ａ及びＳ３３で本開示における第５の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ３５で判定する処理は、本開示における第５の処理に相当する。
Ｓ３６ａにおいて、軌道シフト回数Ｎが１に設定されている場合（Ｎ＝１）、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度Ｌ１を取得する。信号強度Ｌ１は、例えば、図９Ｆ又は図９Ｇに示されるような光強度分布のピークの位置における輝度である。
次のＳ３７ａにおいては、軌道シフト回数Ｎが０ではないと判定されるので（Ｓ３７ａ：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、図８のＳ４９ａに処理を進める。
４．１．３ 第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになった場合
Ｓ３５においてＹＥＳと判定された場合のＳ４０及びＳ４１の処理は、それぞれ、図５を参照しながら説明した第１の実施形態におけるＳ４０及びＳ４１と同様である。
４．１．４ シフト方向Ｄの決定
図８のＳ４９ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度ＬＮが高くなったか否かを判定する。上述の図７の処理においては、信号強度ＬＮとして、軌道シフト回数Ｎが０に設定されている場合の信号強度Ｌ０と、軌道シフト回数Ｎが１に設定されている場合の信号強度Ｌ１とが取得されている。そこで、ＥＵＶ光生成制御部５は、信号強度Ｌ０と信号強度Ｌ１とを比較する。Ｓ３８ａ及びＳ３３で駆動ステージ２６ａを制御したことによる信号強度ＬＮの変化を判定する処理は、本開示における第６の処理に相当する。
図９Ｂと図９Ｆとを比較するとわかるように、Ｓ３８ａ及びＳ３３で第２検出軸Ａｎｇに沿って駆動ステージ２６ａを制御したことにより、第１検出軸Ａｏｋに沿った光強度分布のピークの位置における輝度が高くなることがある。図３Ａ〜図３Ｄを参照しながら説明したように、照明光４３の集光位置は、ビームプロファイルの中心に位置する光強度分布のピークの位置Ｐｐｅａｋが、ターゲット２７の理想的な軌道の一部に一致するように調整されている。そのように照明光４３の集光位置が調整されている場合に、ターゲット２７の軌道Ｔが理想的な軌道に近づいた場合には、照明光４３によってより明るく照明され、第１検出軸Ａｏｋに沿った光強度分布のピークの位置における輝度が高くなると考えられる。従って、第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度ＬＮが高くなった場合には、ターゲット２７の軌道Ｔが理想的な軌道に近づいたと考えられるので、以後のシフト方向Ｄは＋１のままで良いと考えられる。
Ｓ４９ａにおいて第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度ＬＮが高くなったと判定された場合（Ｌ１＞Ｌ０）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ５０ａに処理を進める。Ｓ５０ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、シフト方向Ｄを＋１に維持する。さらに、軌道シフト回数Ｎの値に１を加算してＮの値を更新する。
一方、図９Ｂと図９Ｇとを比較するとわかるように、Ｓ３８ａ及びＳ３３で第２検出軸Ａｎｇに沿って駆動ステージ２６ａを制御したことにより、第１検出軸Ａｏｋに沿った光強度分布のピークの位置における輝度が低くなることがある。この場合、以後のシフト方向Ｄは逆向きにした方が良いと考えられる。
Ｓ４９ａにおいて第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度ＬＮが高くなっていない場合（Ｌ１≦Ｌ０）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ５１ａに処理を進める。Ｓ５１ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、シフト方向Ｄを−１に設定することにより、シフト方向Ｄを反転する。Ｓ５０ａ又はＳ５１ａの後、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ５２ａに処理を進める。
４．１．５ 第２検出軸Ａｎｇにおける軌道Ｔの変更
４．１．５．１ １巡目の処理
Ｓ５２ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣを、以下の式（５）により設定する。
ＰＣ＝ＰＩ＋Ｄ・Ｎ・Ｗ ・・・（５）
Ｓ５０ａからＳ５２ａに移行した場合に、シフト方向Ｄは＋１に設定されており、軌道シフト回数Ｎは２に設定されている。そこで、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣは、式（５）により以下のように設定される。
ＰＣ＝ＰＩ＋２・Ｗ
図９Ｈに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、シフト方向Ｄが＋１に設定され、軌道シフト回数Ｎが２に設定されている場合の指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩにシフト幅Ｗの２倍を加算して得られる。初期位置ＰＩにシフト幅Ｗの２倍を加算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第６の位置に相当する。ターゲット２７の軌道Ｔを第６の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かを後述のＳ５５ａで判定する処理は、本開示における第７の処理の一部を構成する。
Ｓ５１ａからＳ５２ａに移行した場合に、シフト方向Ｄは−１に設定されており、軌道シフト回数Ｎは１に設定されている。そこで、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣは、式（５）により以下のように設定される。
ＰＣ＝ＰＩ−Ｗ
図９Ｉに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、シフト方向Ｄが−１に設定され、軌道シフト回数Ｎが１に設定されている場合の指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩからシフト幅Ｗを減算して得られる。初期位置ＰＩからシフト幅Ｗを減算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第７の位置に相当する。ターゲット２７の軌道Ｔを第７の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ５５ａで判定する処理は、本開示における第７の処理の一部を構成する。
次に、Ｓ５３ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、設定された指令位置ＰＣに従って駆動ステージ２６ａを制御する。Ｓ５３ａにおいては、軌道Ｔを観測しなかった第２検出軸Ａｎｇに沿った方向に駆動ステージ２６ａが制御される。
次のＳ５４ａ、Ｓ５５ａ、及びＳ５７ａの処理は、それぞれ、図５を参照しながら説明した第１の実施形態におけるＳ３４、Ｓ３５、及びＳ３７と同様である。但し、軌道シフト回数Ｎが上限値Ｎｍａｘ未満である場合（Ｓ５７ａ：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ５９ａに処理を進める。
Ｓ５９ａにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５は、軌道シフト回数Ｎの値に１を加算してＮの値を更新する。Ｓ５９ａの後、ＥＵＶ光生成制御部５は、Ｓ５２ａに処理を戻す。
４．１．５．２ ２巡目以降の処理
Ｓ５０ａにおいてシフト方向Ｄが＋１に維持され、軌道シフト回数Ｎが２に設定された場合に、Ｓ５９ａにおいて軌道シフト回数Ｎの値に１が加算されると、軌道シフト回数Ｎは３となる。その後、Ｓ５２ａに移行した場合に、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣは、式（５）により以下のように設定される。
ＰＣ＝ＰＩ＋３・Ｗ
図９Ｊに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、シフト方向Ｄが＋１に設定され、軌道シフト回数Ｎが３に設定されている場合の指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩにシフト幅Ｗの３倍を加算して得られる。初期位置ＰＩにシフト幅Ｗの３倍を加算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第８の位置に相当する。ターゲット２７の軌道Ｔを第８の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ５５ａで判定する処理は、本開示における第８の処理の一部を構成する。
Ｓ５１ａにおいてシフト方向Ｄが−１に反転された場合に、Ｓ５９ａにおいて軌道シフト回数Ｎの値に１が加算されると、軌道シフト回数Ｎは２となる。その後、Ｓ５２ａに移行した場合に、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣは、式（５）により以下のように設定される。
ＰＣ＝ＰＩ−２・Ｗ
図９Ｋに、第２検出軸Ａｎｇにおける初期位置ＰＩと、シフト方向Ｄが−１に設定され、軌道シフト回数Ｎが２に設定されている場合の指令位置ＰＣと、の例を示す。指令位置ＰＣは、初期位置ＰＩからシフト幅Ｗの２倍を減算して得られる。初期位置ＰＩからシフト幅Ｗの２倍を減算して得られた指令位置ＰＣが、本開示における第９の位置に相当する。ターゲット２７の軌道Ｔを第９の位置に変更し、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ５５ａで判定する処理は、本開示における第８の処理の一部を構成する。
このようにして、Ｓ３８ａ及びＳ３３において第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣを１つの方向に変更してみて、その方向が第１検出軸Ａｏｋにおける信号強度ＬＮの観測結果に基づいて正しいと判定された場合は、Ｓ５０ａを経て、Ｓ５２ａにおいて同じシフト方向Ｄに指令位置ＰＣを変更する。方向が間違っていると判定された場合は、Ｓ５１ａを経て、Ｓ５２ａにおいて逆のシフト方向Ｄに指令位置ＰＣを変更する。いずれの場合も、軌道シフト回数Ｎの値に１が加算されるたびに、初期位置ＰＩからの距離を次第に大きくする。軌道Ｔを変更するたびに、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かをＳ５５ａで判定する。第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったら、Ｓ６０ａに処理を進める。
４．１．６ 第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになった場合
Ｓ５５ａにおいてＹＥＳと判定された場合のＳ６０ａ及びＳ６１ａの処理は、それぞれ、図５を参照しながら説明した第１の実施形態におけるＳ４０及びＳ４１と同様である。
他の点については、第２の実施形態の動作は第１の実施形態の動作と同様である。
４．２ 作用
第２の実施形態によれば、第２検出軸Ａｎｇにおける指令位置ＰＣを１つの方向に変更してみて、方向が正しいと判定された場合は、同じシフト方向Ｄに指令位置ＰＣを変更する。方向が間違っていると判定された場合は、逆のシフト方向Ｄに指令位置ＰＣを変更する。いずれの場合も、初期位置ＰＩからの距離を次第に大きくする。軌道Ｔを変更するたびに、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを観測できるようになったか否かを判定する。空間Ｖｘｚが初期位置ＰＩに対して正の方向に位置するか、負の方向に位置するかを判定し、その後は判定された方向にのみ軌道Ｔを変更するので、短い時間で空間Ｖｘｚまで軌道Ｔを移動させることができる。
また、間違っている方向には軌道Ｔを大きく変更しないので、ターゲット回収部２８によって回収できない位置までターゲット２７の軌道Ｔがずれてしまうことが抑制され、ＥＵＶ光生成装置１の内部の光学部品がターゲット物質で汚染されることが抑制される。
なお、図７のＳ３８ａにおいて、シフト幅Ｗをあまり大きく設定すると、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを変更したときに、軌道Ｔが照明光４３の光強度分布のピークの位置Ｐｐｅａｋを通り過ぎてしまい、シフト方向Ｄを正しく判断できない可能性がある。シフト幅Ｗは、例えば、軌道Ｔを観測しなかった軌道センサの観測範囲Ｖｚ又はＶｘの、第２検出軸Ａｎｇに沿った寸法ＷＺ又はＷＸの半分以下であることが望ましい。一方、シフト幅Ｗをあまり小さくすると、第２検出軸Ａｎｇにおいて軌道Ｔを変更しても、信号強度の有意な変化を得られない可能性がある。シフト幅Ｗは、例えば、３００μｍ以上、１５００μｍ以下とする。シフト幅Ｗは、好ましくは、５００μｍとする。第２の実施形態におけるシフト幅Ｗは、本開示における第５の距離及び第７の距離の各々に相当する。シフト幅Ｗの２倍が、本開示における第６の距離及び第９の距離の各々に相当する。シフト幅Ｗの３倍が、本開示における第８の距離に相当する。
５．その他
図１０は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置６の構成を概略的に示す。
図１０において、露光装置６は、マスク照射部６０とワークピース照射部６１とを含む。マスク照射部６０は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６１は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造することができる。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
    前記ターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、
    前記ターゲットの軌道を第１の方向から観測する第１の軌道センサと、
    前記ターゲットの軌道を前記第１の方向と異なる第２の方向から観測する第２の軌道センサと、
    前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測しなかった場合に、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが観測できるように前記アクチュエータを制御することを含む軌道制御を行う制御部と、
    を備える、極端紫外光生成装置。
  2. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記アクチュエータは、前記ターゲット供給部を移動することにより前記ターゲットの軌道を変更するように構成された、
    極端紫外光生成装置。
  3. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ターゲットを照明する照明装置をさらに備え、
    前記第１の軌道センサ及び前記第２の軌道センサの各々は、撮像装置を含む、
    極端紫外光生成装置。
  4. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記制御部は、前記第１の軌道センサ及び前記第２の軌道センサのいずれもが前記ターゲットの軌道を観測しなかった場合に、前記ターゲットの出力を停止するよう前記ターゲット供給部を制御する、
    極端紫外光生成装置。
  5. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記制御部は、前記第１の軌道センサ及び前記第２の軌道センサの両方が前記ターゲットの軌道を観測した場合に、前記第１の軌道センサで観測される前記ターゲットの軌道と、前記第２の軌道センサで観測される前記ターゲットの軌道とが、それぞれの目標位置に近づくように、前記アクチュエータを制御する、
    極端紫外光生成装置。
  6. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記軌道制御は、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測しなかった場合に、
    前記第１の軌道センサで観測される前記ターゲットの軌道が目標位置に近づくように前記アクチュエータを制御し、
    その後、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが観測できるように前記アクチュエータを制御する
    ことを含む、極端紫外光生成装置。
  7. 請求項６に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記制御部は、前記軌道制御を行っても前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようにならなかった場合に、前記ターゲットの出力を停止するよう前記ターゲット供給部を制御する、
    極端紫外光生成装置。
  8. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記軌道制御は、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測しなかった場合に、
    前記ターゲットの軌道が、前記第２の方向と異なる第３の方向に、所定の位置から第１の距離の第１の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定する第１の処理と、
    前記第１の処理において前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようにならなかった場合に、前記ターゲットの軌道が、前記第３の方向と略反対の第４の方向に、前記所定の位置から第２の距離の第２の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定する第２の処理と、
    を行うことを含む、極端紫外光生成装置。
  9. 請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の処理は、前記アクチュエータを制御した後に、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるか否かを判定することを含み、
    前記第２の処理は、前記アクチュエータを制御した後に、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるか否かを判定することを含む、
    極端紫外光生成装置。
  10. 請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記軌道制御は、さらに、
    前記第２の処理において前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようにならなかった場合に、前記ターゲットの軌道が、前記第３の方向に、前記所定の位置から前記第１の距離より大きい第３の距離の第３の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定する第３の処理と、
    前記第３の処理において前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようにならなかった場合に、前記ターゲットの軌道が、前記第４の方向に、前記所定の位置から前記第２の距離より大きい第４の距離の第４の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定する第４の処理と、
    を行うことを含む、極端紫外光生成装置。
  11. 請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の距離及び前記第２の距離の各々は、前記第２の軌道センサの観測範囲の前記第３の方向に沿った寸法の半分以下である、
    極端紫外光生成装置。
  12. 請求項８に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第１の距離及び前記第２の距離の各々は、３００μｍ以上、１５００μｍ以下である、
    極端紫外光生成装置。
  13. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記軌道制御は、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測しなかった場合に、前記第１の軌道センサの観測結果に基づいて、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが観測できるように前記アクチュエータを制御する
    ことを含む、極端紫外光生成装置。
  14. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記軌道制御は、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測しなかった場合に、
    前記ターゲットの軌道が、前記第２の方向と異なる第３の方向に、所定の位置から第５の距離の第５の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定する第５の処理と、
    前記第５の処理において前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようにならなかった場合に、前記第５の処理の前記アクチュエータの制御による前記第１の軌道センサの信号強度の変化を判定する第６の処理と、
    第７の処理であって、
    前記第６の処理において前記第１の軌道センサの信号強度が高くなったと判定された場合に、前記ターゲットの軌道が、前記第３の方向に、前記所定の位置から前記第５の距離より大きい第６の距離の第６の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定し、
    前記第６の処理において前記第１の軌道センサの信号強度が低くなったと判定された場合に、前記ターゲットの軌道が、前記第３の方向と略反対の第４の方向に、前記所定の位置から第７の距離の第７の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定する
    前記第７の処理と、
    を行うことを含む、極端紫外光生成装置。
  15. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第５の処理は、前記アクチュエータを制御した後に、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるか否かを判定することを含み、
    前記第７の処理は、前記アクチュエータを制御した後に、前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるか否かを判定することを含む、
    極端紫外光生成装置。
  16. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記軌道制御は、前記第７の処理において前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようにならなかった場合に、さらに、
    第８の処理であって、
    前記第６の処理において前記第１の軌道センサの信号強度が高くなったと判定された場合に、前記ターゲットの軌道が、前記第３の方向に、前記所定の位置から前記第６の距離より大きい第８の距離の第８の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定し、
    前記第６の処理において前記第１の軌道センサの信号強度が低くなったと判定された場合に、前記ターゲットの軌道が、前記第４の方向に、前記所定の位置から前記第７の距離より大きい第９の距離の第９の位置に変更されるように前記アクチュエータを制御し、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測できるようになったか否かを判定する
    前記第８の処理
    を行うことを含む、極端紫外光生成装置。
  17. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第５の距離及び前記第７の距離の各々は、前記第２の軌道センサの観測範囲の前記第３の方向に沿った寸法の半分以下である、
    極端紫外光生成装置。
  18. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記第５の距離及び前記第７の距離の各々は、３００μｍ以上、１５００μｍ以下である、
    極端紫外光生成装置。
  19. 極端紫外光生成装置におけるターゲット制御方法であって、
    前記ターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、
    前記ターゲットの軌道を第１の方向から観測する第１の軌道センサと、
    前記ターゲットの軌道を前記第１の方向と異なる第２の方向から観測する第２の軌道センサと、
    を備えて、前記ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成するように構成された前記極端紫外光生成装置において、
    前記第１の軌道センサ及び前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測したか否かを判定し、
    前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測しなかった場合に、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが観測できるように前記アクチュエータを制御することを含む軌道制御を行う
    ことを含む、ターゲット制御方法。
  20. 電子デバイスの製造方法であって、
    ターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットの軌道を変更するアクチュエータと、
    前記ターゲットの軌道を第１の方向から観測する第１の軌道センサと、
    前記ターゲットの軌道を前記第１の方向と異なる第２の方向から観測する第２の軌道センサと、
    前記第１の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測した場合であって、前記第２の軌道センサが前記ターゲットの軌道を観測しなかった場合に、前記ターゲットの軌道を前記第２の軌道センサが観測できるように前記アクチュエータを制御することを含む軌道制御を行う制御部と、
    を備える極端紫外光生成装置において、前記ターゲットにレーザ光を照射して極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
    ことを含む、電子デバイスの製造方法。
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