JP2011216860A - 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 - Google Patents
極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011216860A JP2011216860A JP2011013014A JP2011013014A JP2011216860A JP 2011216860 A JP2011216860 A JP 2011216860A JP 2011013014 A JP2011013014 A JP 2011013014A JP 2011013014 A JP2011013014 A JP 2011013014A JP 2011216860 A JP2011216860 A JP 2011216860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply unit
- recovery
- target supply
- chamber
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 182
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 7
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001012 protector Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 34
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 27
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- -1 alumina Chemical compound 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】チャンバ装置は、レーザ光源110と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光源110から出力されるレーザ光L1を内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバ100と、前記チャンバ100に設けられ、前記チャンバ100内の所定の位置にターゲット物質200を供給するターゲット供給部120と、所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部120に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部301と、前記リカバリ制御部301からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部400と、前記ターゲット供給部120から前記チャンバ100内に供給されるターゲット物質200の位置を計測する位置計測部302と、を備えてもよい。
【選択図】図1
Description
Claims (30)
- レーザ光源と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の位置にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
所定条件が成立した場合に、前記タ―ゲット供給部に対してリカバリ動作の実行を指示するリカバリ制御部と、
前記リカバリ制御部からの指示に応じて前記リカバリ動作を実行するリカバリ部と、
前記ターゲット供給部から前記チャンバ内に供給されるターゲット物質の位置を計測する位置計測部と、
を備える、チャンバ装置。 - 前記リカバリ制御部は、前記ターゲット供給部の起動回数をカウントするカウンタを含み、
前記所定条件は、前記ターゲット供給部の起動回数が所定の起動回数に達したことである、請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記リカバリ制御部は、リカバリ動作実行からの経過時間を測定するタイマを含み、
前記所定条件は、前回のリカバリ動作の実行から所定の時間が経過したことである、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記リカバリ制御部は、前記ターゲット物質の出力回数をカウントするカウンタを含み、
前記所定条件は、前記ターゲット物質の出力回数が所定の出力回数に達したことである、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記リカバリ制御部には、前記位置計測部による計測結果が入力され、
前記所定条件は、前記チャンバ内に供給されるターゲット物質の位置が所定の位置範囲ことである、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記リカバリ制御部は、
前記所定条件が成立した場合、前記リカバリ動作を実行可能な時期であるか否かを判定し、
前記リカバリ動作を実行可能な時期であると判定した場合、前記リカバリ部に前記リカバリ動作の実行を指示する、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記リカバリ制御部は、
前記リカバリ部が前記ターゲット供給部に対して前記リカバリ動作を実行した後で、前記ターゲット供給部の状態を判定し、
前記ターゲット供給部が正常状態にあると判定した場合、通常モードに移行し、
前記ターゲット供給部が正常状態にないと判定した場合、再度前記リカバリ動作を実行するよう前記リカバリ部に指示する、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルに設けられる振動子と、前記振動子に接続された電源を含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルに設けられるヒータと、前記ヒータに接続された電源とを含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられるヒータと、前記ヒータに接続された電源とを含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット供給部には、ヒータと、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物とが設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられる加熱パイプと、前記加熱パイプと前記ターゲット供給部内部とを連通させる流路とを含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に向けて電磁波を出力する電磁波源を含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物に設けられる少なくとも1つのガスパイプと、該少なくとも1つのガスパイプに接続されたガス源とを含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記リカバリ部は、前記中間構造物と前記ターゲット供給部端部との間に配置される少なくとも1つのガスパイプと、該少なくとも1つのガスパイプに接続されたガス源とを含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ノズルの周囲に所定の空間を気密に画定するカバー部と、該所定の空間内に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記カバー部を開閉させる開閉機構と、を含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記ガス供給部は、前記所定の空間内の圧力を前記ターゲット供給部内部の圧力よりも高くなるように前記所定の空間内にガスを供給する、請求項15記載のチャンバ装置。
- 前記ターゲット供給の内部には異物をトラップするためのトラップが設けられている、請求項15記載のチャンバ装置。
- 前記ターゲット供給部にはノズルが設けられており、
前記リカバリ部は、前記ターゲット供給部の壁部を貫通するよう設けられ、その一端が前記ノズル近傍に延在する吸引管と、該吸引管の他端側に設けられる吸引ポンプと、を含む、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記リカバリ部は、前記他端側に設けられる回収槽をさらに含む、請求項18記載のチャンバ装置。
- 前記ターゲット供給部は、ノズルと、該ターゲット供給部内の圧力を制御する圧力制御部と、該ターゲット供給部内部にガスを供給するガス供給部と、を含む、請求項1記載のチャンバ装置。
- 前記ターゲット供給部には、該ターゲット供給部と前記チャンバ内の前記所定の位置との間に位置するよう配置される中間構造物が設けられ、
前記中間構造物の少なくとも表面は、前記中間構造物に対して濡れ性の低い物質から構成される、
請求項1記載のチャンバ装置。 - 前記中間構造物は、重力方向に対して傾いて配置される、請求項21記載のチャンバ装置。
- 前記物質は、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ステンレス、ダイヤモンド、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化ジルコニューム、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タンタル、および酸化タングステンのいずれかを含む物質である、請求項21記載のチャンバ装置。
- 前記チャンバは、前記ターゲット供給部と該チャンバ内の前記所定の位置との間に移動可能に配置される捕獲部と、前記捕獲部に接続されたモータと、を含む、請求項1記載のチャンバ装置。
- 前記モータは、前記捕獲部を、前記リカバリ動作が実行される際に第1の位置に移動させ、前記リカバリ動作が実行されていない際に第2の位置に移動させる、請求項24記載のチャンバ装置。
- 前記チャンバは、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて放射される極端紫外光を集光するコレクタミラーと、前記コレクタミラーの反射面側に移動可能に配置される。ミラー保護部と、前記ミラー保護部に接続されたモータと、を含む、請求項1記載のチャンバ装置。
- 前記モータは、前記ミラー保護部を、前記リカバリ動作が実行される際に第3の位置に移動させ、前記リカバリ動作が実行されていない際に第4の位置に移動させる、請求項26記載のチャンバ装置。
- チャンバ、ターゲット供給部、リカバリ制御部、リカバリ部および位置計測部を備えるチャンバ装置において、前記タ―ゲット供給部をメンテナンスする方法であって、
前記ターゲット供給部に対してリカバリ動作を実行するか否かの判定用情報を取得することと、
前記リカバリ動作を実行すると判定された際に、前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであるか否かを判定することと、
前記リカバリ動作が実行可能なタイミングであると判定された際に、前記リカバリ制御部が前記リカバリ部に前記リカバリ動作を指示することと、
前記リカバリ部が、前記リカバリ制御部の指示に応じて、所定のリカバリ動作を実行することと、
を含む、ターゲット供給部のメンテナンス方法。 - 前記リカバリ動作は、前記ターゲット供給部に設けられる部材を加熱することを含む、請求項28記載のメンテナンス方法。
- 前記リカバリ動作は、前記ターゲット供給部に不活性ガスを吹きつける、請求項28記載のメンテナンス方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011013014A JP5702164B2 (ja) | 2010-03-18 | 2011-01-25 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
US13/051,649 US8497489B2 (en) | 2010-03-18 | 2011-03-18 | Chamber apparatus and method of maintaining target supply unit |
US13/925,727 US20130277452A1 (en) | 2010-03-18 | 2013-06-24 | Chamber apparatus and method of maintaining target supply unit |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010062380 | 2010-03-18 | ||
JP2010062380 | 2010-03-18 | ||
JP2011013014A JP5702164B2 (ja) | 2010-03-18 | 2011-01-25 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015031085A Division JP2015092517A (ja) | 2010-03-18 | 2015-02-19 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011216860A true JP2011216860A (ja) | 2011-10-27 |
JP5702164B2 JP5702164B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=44946257
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011013014A Active JP5702164B2 (ja) | 2010-03-18 | 2011-01-25 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
JP2015031085A Abandoned JP2015092517A (ja) | 2010-03-18 | 2015-02-19 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015031085A Abandoned JP2015092517A (ja) | 2010-03-18 | 2015-02-19 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8497489B2 (ja) |
JP (2) | JP5702164B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013070019A (ja) * | 2011-09-23 | 2013-04-18 | Asml Netherlands Bv | 放射源 |
JP2014010954A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Gigaphoton Inc | ターゲット供給装置、チャンバ、および、極端紫外光生成装置 |
WO2014024865A1 (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
JP2014035948A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Gigaphoton Inc | ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置 |
JP2014102981A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Gigaphoton Inc | ターゲット供給装置 |
JP2016531392A (ja) * | 2013-08-02 | 2016-10-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置 |
JP2017097382A (ja) * | 2017-02-20 | 2017-06-01 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
US10629414B2 (en) | 2014-06-30 | 2020-04-21 | Gigaphoton Inc. | Target supply device, target material refining method, recording medium having target material refining program recorded therein, and target generator |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5739099B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2015-06-24 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路 |
JP5921876B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2016-05-24 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP5662214B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-01-28 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
JP5921879B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2016-05-24 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
JP5881345B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2016-03-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US8816305B2 (en) * | 2011-12-20 | 2014-08-26 | Asml Netherlands B.V. | Filter for material supply apparatus |
JP6077822B2 (ja) | 2012-02-10 | 2017-02-08 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法 |
JP5982137B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2016-08-31 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
JP2014102980A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Gigaphoton Inc | ターゲット供給装置 |
JP6166551B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2017-07-19 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
US9699876B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-07-04 | Asml Netherlands, B.V. | Method of and apparatus for supply and recovery of target material |
JP6426602B2 (ja) * | 2013-05-21 | 2018-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 |
US10880979B2 (en) * | 2015-11-10 | 2020-12-29 | Kla Corporation | Droplet generation for a laser produced plasma light source |
US10495974B2 (en) * | 2017-09-14 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Target feeding system |
US11347154B2 (en) | 2018-02-13 | 2022-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning a structure surface in an EUV chamber |
US11537053B2 (en) * | 2021-05-14 | 2022-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor processing tool and methods of operation |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005197082A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Komatsu Ltd | ジェットノズル及びそれを用いた光源装置 |
JP2008078031A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Yumex Inc | 液滴回収装置およびその方法 |
JP2008532228A (ja) * | 2005-02-25 | 2008-08-14 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源ターゲット材料を処理する方法及び装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000098100A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 軟x線平行光束形成装置 |
IT1316249B1 (it) * | 2000-12-01 | 2003-04-03 | Enea Ente Nuove Tec | Procedimento di abbattimento del flusso di ioni e di piccoli detritiin sorgenti di raggi-x molli da plasma, tramite l'uso di kripton. |
JP2003142296A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Canon Inc | X線発生装置 |
JP3782736B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2006-06-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びその制御方法 |
JP2005235959A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Canon Inc | 光発生装置及び露光装置 |
US7449703B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-11-11 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling |
US7628865B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus |
JP5386799B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2014-01-15 | 株式会社ニコン | Euv光源、euv露光装置、euv光放射方法、euv露光方法および電子デバイスの製造方法 |
JP5182917B2 (ja) * | 2007-10-25 | 2013-04-17 | 国立大学法人 宮崎大学 | 極端紫外光源装置および極端紫外光源における付着物除去方法 |
JP5534647B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5393517B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2014-01-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
-
2011
- 2011-01-25 JP JP2011013014A patent/JP5702164B2/ja active Active
- 2011-03-18 US US13/051,649 patent/US8497489B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-24 US US13/925,727 patent/US20130277452A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-02-19 JP JP2015031085A patent/JP2015092517A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005197082A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Komatsu Ltd | ジェットノズル及びそれを用いた光源装置 |
JP2008532228A (ja) * | 2005-02-25 | 2008-08-14 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源ターゲット材料を処理する方法及び装置 |
JP2008078031A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Yumex Inc | 液滴回収装置およびその方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013070019A (ja) * | 2011-09-23 | 2013-04-18 | Asml Netherlands Bv | 放射源 |
JP2014010954A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Gigaphoton Inc | ターゲット供給装置、チャンバ、および、極端紫外光生成装置 |
WO2014024865A1 (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
JP2014035948A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Gigaphoton Inc | ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置 |
JP2014102981A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Gigaphoton Inc | ターゲット供給装置 |
JP2016531392A (ja) * | 2013-08-02 | 2016-10-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置 |
US10629414B2 (en) | 2014-06-30 | 2020-04-21 | Gigaphoton Inc. | Target supply device, target material refining method, recording medium having target material refining program recorded therein, and target generator |
JP2017097382A (ja) * | 2017-02-20 | 2017-06-01 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130277452A1 (en) | 2013-10-24 |
US20110310365A1 (en) | 2011-12-22 |
JP2015092517A (ja) | 2015-05-14 |
US8497489B2 (en) | 2013-07-30 |
JP5702164B2 (ja) | 2015-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5702164B2 (ja) | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 | |
JP5455661B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP5108367B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP6469577B2 (ja) | 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置 | |
US9465307B2 (en) | Cleaning method for EUV light generation apparatus | |
JP5921876B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
JP2011023712A (ja) | 極端紫外光源装置 | |
EP1232516A1 (en) | Method and radiation generating system using microtargets | |
US11856681B2 (en) | Target delivery system | |
KR20180104025A (ko) | Euv 용기 및 euv 콜렉터의 타겟 재료 잔해 세정을 위한 시스템, 방법 및 장치 | |
US20130134326A1 (en) | Extreme ultraviolet light generation apparatus, target collection device, and target collection method | |
JP2013524464A (ja) | レーザ生成プラズマeuv光源におけるターゲット材料送出保護のためのシステム及び方法 | |
US10887973B2 (en) | High brightness laser-produced plasma light source | |
JP6179472B2 (ja) | デブリトラップ装置及び極端紫外光光源装置 | |
JP5393517B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
US10251253B2 (en) | Extreme ultraviolet light generation device | |
JP6068044B2 (ja) | ターゲット供給装置の制御方法、および、ターゲット供給装置 | |
JP5901058B2 (ja) | ターゲット供給装置 | |
US8841639B2 (en) | Control method for target supply device, and target supply device | |
RU2726316C1 (ru) | Высокояркостный источник коротковолнового излучения на основе лазерной плазмы | |
WO2016121040A1 (ja) | ターゲット供給装置、その処理装置および処理方法 | |
JP2014032778A (ja) | ターゲット供給装置、および、ターゲット供給方法 | |
CN115494701A (zh) | 半导体制程工具的操作方法及其辐射源 | |
CN112913333A (zh) | 目标材料供应设备和方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111006 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111019 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120702 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5702164 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |