JP2013070019A - 放射源 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 131
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 164
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 89
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 56
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 25
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 6
- 238000011954 pollution control method Methods 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Alternatively Chemical compound 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C1/00—Magnetic separation
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
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- H—ELECTRICITY
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- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Epidemiology (AREA)
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- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の第一の態様によれば、放射源であって、所定の体積の燃料を保持するように構成されたリザーバと、リザーバに流体連通し、かつ燃料流を軌道に沿ってプラズマ形成位置に向けて誘導するように構成されたノズルと、プラズマ形成位置の燃料流にレーザ放射を誘導して使用中に放射生成プラズマを生成するように構成されたレーザと、磁界を生成する磁界生成エレメントおよび電界を生成する電界生成エレメントを備える燃料汚染制御機構と、を備え、汚染の移動を制御するために、磁界生成エレメントおよび電界生成エレメントは、使用中、磁界および電界が、燃料内の汚染の位置または潜在位置において確実に重なり合うように、かつ磁界および電界の線束が当該位置において確実に非平行になるように、ともに構成される、放射源が提供される。
【選択図】図5
Description
ここで、λは、使用される放射の波長であり、NAは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数である。k1は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、CDは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ(またはクリティカルディメンジョン)である。式(1)から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、3つの方法、すなわち露光波長λを短くすること、開口数NAを大きくすること、またはk1の値を小さくすること、によって達成可能であるということになる。
[0042] 図1は、本発明の一実施形態に係るソースコレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置LAPを概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームB(例えば、EUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスクまたはレチクル)MAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、反射投影システム)PSと、を備える。
1.ステップモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
1)直流および定常磁界の同時の付加;
2)交流(すなわち、可変)電流(電界)の付加;
3)交流(すなわち、可変)電流および交番(すなわち、可変)磁界の同時の付加;
4)交番(すなわち、可変)磁界の付加;
5)移動または交番(すなわち、可変)磁界の付加
好ましい手法は、上記(2)であり得る。これと同時に直流および定常磁界が付加される。というのは、これは、“Modeling Of Electromagnetic Separation Of Inclusions From Molten Metals”, International Journal Of Mechanical Sciences, 52 (2010) 1107−1114, M. Reza Afshar, M. Reza Aboutalebi, R.I.L.Guthrie, M.Isacに述べられているように最も確実な手法の一つとして認識されているからである。
“Application Of EPM To The Separation Of Inclusion Particles From Liquid Metal”, The 15th Riga And 6th PAMIR Conference On Fundamental And Applied MHD, S. Taniguchi, N. Yoshikawa, K. Takahashi
“Study Of Electromagnetic Separation Of Nonmetallic Inclusions From Aluminum Melt”, Metallurgical And Materials Transactions A Volume 30a, November 1999−2979, D. Shu, B.D. Sun, J. Wang, T.X. Li, And Y.H. Zhou
“Recent Development And Prospect Of Electromagnetic Processing Of Materials”, Science And Technology Of Advanced Materials 1 (2000) 191-200, S. Asai
“Modeling Of Electromagnetic Separation Of Inclusions From Molten Metals”, International Journal Of Mechanical Sciences, 52 (2010) 1107−1114, M. Reza Afshar, M. Reza Aboutalebi, R.I.L. Guthrie, M. Isac
Claims (15)
- 放射源であって、
所定の体積の燃料を保持するリザーバと、
前記リザーバに流体連通し、かつ燃料流を軌道に沿ってプラズマ形成位置に向けて誘導するノズルと、
前記プラズマ形成位置の前記燃料流にレーザ放射を誘導して使用中に放射生成プラズマを生成するレーザと、
磁界を生成する磁界生成エレメントと、
電界を生成する電界生成エレメントと、を備える燃料汚染制御機構と、を備え、
汚染の移動を制御するために、前記磁界生成エレメントおよび前記電界生成エレメントは、使用中、前記磁界および前記電界が、前記燃料内の汚染の位置または潜在位置において確実に重なり合うように、かつ前記磁界および前記電界の線束が前記位置において確実に非平行になるように、ともに構成される、放射源。 - 前記燃料汚染制御機構は、前記ノズルを通過しないように汚染を駆動する、請求項1に記載の放射源。
- 前記燃料汚染制御機構は、前記ノズルを通るように汚染を駆動する、請求項1に記載の放射源。
- 前記燃料内の汚染の前記位置または前記潜在位置は、
前記ノズル内、または前記リザーバから前記ノズルに至る導管内、
前記リザーバ内、または前記リザーバ内かつ前記ノズルの開口の付近、または前記リザーバ内かつ前記リザーバから前記ノズルに至る導管の開口の付近、もしくは
前記リザーバの上流のさらなるリザーバ内、または前記さらなるリザーバ内かつ前記リザーバに至る導管の開口付近、または前記リザーバに至る導管内、のうちの1つ以上である、請求項1に記載の放射源。 - 前記ノズルおよび/または前記ノズルに至る導管は、前記ノズルまたは当該ノズルに収容された流体の振動を引き起こす電気機械アジテータを備え、または当該電気機械アジテータに接続し、前記電気機械アジテータは、外部電界および/または外部磁界から遮蔽される、請求項1に記載の放射源。
- 前記磁界生成エレメントは、
前記燃料内の汚染の前記位置または前記潜在位置を取り囲むソレノイド、および/または
1つ以上の永久磁石、を備える、請請求項1に記載の放射源。 - 前記電界生成機構は、
電極、または
2つの電極、または
前記燃料内の汚染の前記位置または前記潜在位置の実質的に両側に位置する2つの電極、または
前記燃料内の汚染の前記位置または前記潜在位置の実質的に両側に位置する、相対するプレートであるキャパシタ、のうちの1つ以上を備える、請求項1に記載の放射源。 - 前記磁界生成エレメントおよび/または前記電界生成エレメントは、使用中、前記磁界および/または前記電界が前記燃料内の汚染の前記位置または前記潜在位置に実質的に均一な磁界および/または電界を確実に提供するように構成される、請求項1に記載の放射源。
- 前記汚染制御機構、または1つ以上の追加の汚染制御機構は、前記放射源内でフィルタまたは浄化器として機能する、請求項1に記載の放射源。
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを提供する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えるパターニングデバイスと、
基板を保持する基板ホルダと、
前記パターン形成された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、を備え、
前記リソグラフィ装置は、請求項1〜9のいずれかに記載の放射源をさらに備える、または当該放射源に接続する、リソグラフィ装置。 - 流体流ジェネレータであって、
所定の体積の流体を保持するリザーバと、
前記リザーバに流体連通し、かつ流体流を軌道に沿って誘導するノズルと、
磁界を生成する磁界生成エレメントと、
電界を生成する電界生成エレメントと、を備える流体汚染制御機構と、を備え、
汚染の移動を制御するために、前記磁界生成エレメントおよび前記電界生成エレメントは、使用中、前記磁界および前記電界が、前記流体内の汚染の位置または潜在位置において確実に重なり合うように、かつ前記磁界および前記電界の線束が前記位置において確実に非平行になるように、ともに構成される、流体流ジェネレータ。 - 所定の体積の流体を保持するリザーバと、前記リザーバに流体連通し、かつ流体流を軌道に沿って誘導するノズルと、を備える流体流ジェネレータにおける汚染制御方法であって、
前記汚染の移動を制御するために磁界および電界を設けることであって、前記磁界および前記電界の線束の、前記流体内の汚染の位置における重なりが設けられることと、
前記流体内の前記汚染の移動を誘起するために前記磁界および前記電界の少なくとも1つを変化させることと、を含む、方法。 - 流体流ジェネレータにおける汚染制御方法であって、
当該流体流ジェネレータの機構が、
所定の体積の流体を保持するリザーバと、
前記リザーバに流体連通し、かつ流体流を軌道に沿って誘導するノズルと、を備え、
前記流体内の汚染の位置または潜在位置において重なり合う磁界および電界を設けることによって前記汚染の移動を制御することであって、前記流体の移動を誘起し、ひいては前記流体に含まれる前記汚染の移動を制御するために、前記磁界および前記電界の線束が前記位置において非平行であることを含む、方法。 - 流体流ジェネレータにおける汚染制御方法であって、
当該流体流ジェネレータの機構が、
所定の体積の流体を保持するリザーバと、
前記リザーバに流体連通し、かつ流体流を軌道に沿って誘導するノズルと、を備え、
前記流体に含まれる前記汚染の移動を制御するために、前記流体内の汚染の位置または潜在位置に磁界および/または電界を設けることによって前記汚染の移動を制御することを含む方法。 - 請求項1〜14のいずれかに記載の放射源、リソグラフィ装置、流体流ジェネレータ、または方法であって、前記燃料または流体はスズを含み、および/または、前記汚染は酸化スズを含む、放射源、リソグラフィ装置、流体流ジェネレータ、または方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161538688P | 2011-09-23 | 2011-09-23 | |
US61/538,688 | 2011-09-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013070019A true JP2013070019A (ja) | 2013-04-18 |
JP6081711B2 JP6081711B2 (ja) | 2017-02-15 |
Family
ID=47910963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012083860A Active JP6081711B2 (ja) | 2011-09-23 | 2012-04-02 | 放射源 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9007560B2 (ja) |
JP (1) | JP6081711B2 (ja) |
CN (1) | CN103019036B (ja) |
NL (1) | NL2009387A (ja) |
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- 2012-04-02 JP JP2012083860A patent/JP6081711B2/ja active Active
- 2012-05-25 US US13/480,944 patent/US9007560B2/en active Active
- 2012-06-11 CN CN201210190892.7A patent/CN103019036B/zh active Active
- 2012-08-30 NL NL2009387A patent/NL2009387A/en not_active Application Discontinuation
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US20130077069A1 (en) | 2013-03-28 |
CN103019036A (zh) | 2013-04-03 |
US9007560B2 (en) | 2015-04-14 |
JP6081711B2 (ja) | 2017-02-15 |
CN103019036B (zh) | 2017-05-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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