JP5368221B2 - 極端紫外光源装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を発生する極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultraviolet）光源装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、６０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、更には３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を発生するＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光源として、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ生成プラズマ）光源（以下において、「ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置」ともいう）がある。ＬＰＰ光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので光源の周囲に電極等の構造物がなく、２π〜４πステラジアンという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点から、数十〜１００ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。

ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置においては、ノズルからターゲット物質を噴射し、このターゲット物質に向けてレーザ光を照射することにより、ターゲット物質を励起してプラズマ化させる。このプラズマからは、極端紫外光（ＥＵＶ）を含む様々な波長成分が放射される。そこで、その内の所望の波長成分を、集光ミラー（ＥＵＶ集光ミラー）を用いて選択的に反射集光することにより、ＥＵＶ光を利用する機器（例えば、露光機）に出力する。例えば、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を集光するためには、モリブデン及びシリコンが交互に積層された膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）が反射面に形成されたＥＵＶ集光ミラーが用いられる。

そのようなＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置においては、プラズマから放出される中性粒子や様々な速度を持つイオンによるＥＵＶ集光ミラーへの影響が問題となっている。ＥＵＶ集光ミラーはプラズマ近傍に設置されるので、プラズマから放出される中性粒子や低速イオンは、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に付着してＥＵＶ集光ミラーの反射率を低下させる。一方、プラズマから放出される高速イオンは、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に形成されている多層膜を損傷する（本願においては、このことを「スパッタリング」ともいう）。

中性粒子は、ダブルパルス照射法や特許文献１に記載された最小質量ターゲット法など様々な方法で、完全電離プラズマを生成する工程を最適化することにより抑制が可能と考えられるが、プラズマを生成する限りイオンの発生は避けられない。この為、イオンに対する対策が必要不可欠となっている。

低速イオンは、ＥＵＶ集光ミラーに付着し反射率を低下させる。イオンは単にＥＵＶ集光ミラーに付着しただけであるため、原理的には、反応性ガス等によるクリーニング技術でこの付着物を除去することができる。クリーニング後は、ＥＵＶ集光ミラーの反射率が回復し、ＥＵＶ集光ミラーを継続して使用することができる。しかしながら、露光用ＥＵＶ光源装置に対する要求（反射率が１０％低下するまでの期間が１年以上）を満たす為には、ＥＵＶ集光ミラーの反射面における金属膜の付着量（厚さ）は、錫（Ｓｎ）で約０．７５ｎｍと非常に僅かな値しか許容されない。そのため、高い頻度で高速クリーニングを行うことが必要となる。

一方、高速イオンはＥＵＶ集光ミラーの表面をスパッタし、反射膜を損傷させ反射率を低下させる。損傷して反射率が低下するとＥＵＶ集光ミラーの交換が必要となる。ＥＵＶ光源装置内で反射膜を再生させる技術もあるが、例えば０．２ｎｍ（ｒｍｓ）程度の高い表面平坦性を与える高精度な製膜装置を付加せねばならず、高コストの要因になる。さらに、損傷に分布があるため反射膜を再生させても均一な反射率分布を得ることは実質的に不可能である。

したがって、反射膜を数百層堆積させ、交換までのＥＵＶ集光ミラーの寿命を延ばすのが一般的であった。また、高速イオンのダメージ密度を低減する方法として、ＥＵＶ集光ミラーとプラズマ生成点（発光点）との間の距離を離す方法がある。この場合、ＥＵＶ光の捕集立体角が小さくなり、利用できるＥＵＶ光の出力が低下してしまうという問題があった。この問題を解決する為に、例えばφ５００ｍｍ以上の大きな径を有するＥＵＶ集光ミラーを用いる方法が考えられるが、表面粗さ及び形状精度を保ちつつ数百層に及ぶ反射膜を生成することが困難であると共に、そのようなＥＵＶ集光ミラーは、製作できたとしても高価なものとなってしまうという問題があった。

上記のような問題を解決するために、特許文献２には、電流が供給されたときに集光光学系内に磁場を発生させる磁場発生部を備え、磁場を用いてプラズマから放出される荷電粒子をトラップして、ＥＵＶ集光ミラーへのターゲット材料の付着やスパッタリングを防止するＥＵＶ光源装置が開示されている。

図２１は、特許文献２に係るＥＵＶ光源装置の構成を模式的に示す図である。このＥＵＶ光源装置は、ターゲット供給部と、ターゲットにレーザ光を照射するドライバレーザと、ＥＵＶ光を集光して出射するＥＵＶ集光ミラーとを含み、図２２に示すように、ターゲットにレーザ光が照射される部分を挟んで、磁極を同じ方向に向けた１対の電磁コイルが配置される。この１対の電磁コイルが、レーザ照射部分を中心としてミラー磁場を形成して、ターゲットから飛び出した荷電粒子を磁場に捉えてＥＵＶ集光ミラーに到達しにくくする。

しかし、１０ｋｅＶに達するエネルギーを有する高速イオンをＥＵＶ集光ミラーに到達しないように偏向させるためには、強力な磁場が必要となる。図２１に示すＥＵＶ集光ミラー周辺の空間に強力な磁場を働かせるためには、ＥＵＶ集光ミラーの径（例えば、φ３００ｍｍ）以上のギャップを持ったヘルムホルツコイルを用意しなければならない。そのような電磁コイルは非常に大きなものとなり、設計上の制約となるばかりでなく、装置の大型化を招き、ひいては装置コスト増大の原因となる。

また、ＥＵＶ光源装置の内部および周囲に強大な磁場が発生するので、ＥＵＶ装置内外で使用できる材料が制限される。構造物やサーボモータに磁場が作用して構造物の変形やモータの誤動作等を引き起こすことを避けなければならないからである。さらに、ＥＵＶ光源装置を覆うように磁場シールドを施して、強大な磁場により他の装置が誤作動することを防止する必要があるなど、２次的なコストが発生してしまうといった問題があった。

国際公開ＷＯ０２／４６８３９公報 特開２００５−１９７４５６号公報

そこで、上記の点に鑑み、本発明は、比較的小型の磁気源を使用しながら、プラズマから放射されるイオンを防御するのに十分な性能を有する磁場形成手段を備えた極端紫外光源装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の１つの観点に係る極端紫外光源装置は、レーザ光をターゲット物質に照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内の所定のプラズマ発光点に向けてターゲット物質を噴射するターゲットノズルと、プラズマ発光点においてターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザと、プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラーと、少なくとも１つの磁気源と、少なくとも１つの磁気源によって励磁される少なくとも１つの磁性体とを含む磁場形成手段であって、少なくとも１つの磁性体が、少なくとも１つの磁気源から突出してプラズマ発光点を挟んで対向する２つの先端部を有し、ターゲット物質の軌道と集光ミラーとの間に磁場を形成する、磁場形成手段とを具備する。

本発明の１つの観点によれば、少なくとも１つの磁気源によって励磁される少なくとも１つの磁性体の２つの先端部を少なくとも１つの磁気源から突出させてプラズマ発光点を挟んで対向するように配置するので、プラズマ発光点を挟むギャップに磁束が集中する。したがって、大型の磁気源を使用しなくても高密度の磁力線が形成され、プラズマから放射される荷電粒子がＥＵＶ集光ミラーに衝突しないようにすることができる。その結果、設計自由度が向上し、装置全体の小型化が可能になり、装置コストが低減できる。また、強力な磁場は局所的なものとなり、磁場は僅かな距離で急激に減衰することから、極端紫外光源装置内の材料制約も緩和され、磁場シールドも装置カバーを兼ねるような簡易なもので済み、装置コストが軽減される。

本発明の第１の実施形態に係る極端紫外光源装置の構成を示す側面図である。 本発明の第２の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。 本発明の第３の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。 本発明の第４の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。 本発明の第５の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第６の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第７の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第８の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。 本発明の第８の実施形態の変形例に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。 本発明の第９の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す平面図である。 本発明の第１０の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第１０の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第１０の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第１１の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第１１の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第１１の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第１２の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第１３の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。 本発明の第１４の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。 本発明の第１５の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す平面図である。 従来技術に係る極端紫外光源装置の構成を示す図である。 従来技術に係る磁場を用いたイオン防御方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
（実施形態１）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る極端紫外光源装置の構成を示す側面図である。本実施形態に係る極端紫外（ＥＵＶ）光源装置は、レーザ光をターゲット物質に照射して励起させることによりＥＵＶ光を生成するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）方式を採用している。

図１に示すように、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光の生成が行われるＥＵＶチャンバ１０と、ターゲット物質を噴射するターゲットノズル１３を先端に備えたターゲット供給装置１２と、ターゲット回収装置１４と、レーザ光２４を発生するドライバレーザ２３と、集光レンズ２５と、ＥＵＶ集光ミラー１６とを有している。
ＥＵＶチャンバ１０には、レーザ光２４をＥＵＶチャンバ１０内に導入するレーザ光入射窓２０と、集光されたＥＵＶ光を外部の露光機に導く露光機インターフェイス１８が設けられている。また、ＥＵＶ集光ミラー１６には、レーザ光２４が通過する入射孔が形成されている。

さらに、ＥＵＶ光源装置は、磁気源としての上部電磁コイル３０及び下部電磁コイル３２と、上部電磁コイル３０及び下部電磁コイル３２に電流を供給する電源３３と、上部電磁コイル３０によって励磁される上部磁心（磁性体）３４と、下部電磁コイル３２によって励磁される下部磁心（磁性体）３６とを有している。円筒を形成する上部磁心３４は、上部電磁コイル３０の内壁に沿って、ターゲット供給装置１２の配管を囲むように配置される。また、円筒を形成する下部磁心３６は、下部電磁コイル３２の内壁に沿って、ターゲット回収装置１４のターゲット回収筒を囲むように配置される。上部磁心３４の内部には、冷却装置４２に接続される冷媒通路４０が形成され、また、下部磁心３６の内部には、冷却装置４６に接続される冷媒通路４４が形成されている。

このＥＵＶ光源装置においては、ターゲット供給装置１２のターゲットノズル１３から、ターゲット２２が噴射される。ターゲット供給装置１２に導入されるターゲット物質の状態は、気体、液体、固体のいずれであっても良い。例えば、キセノンのように、常温で気体のターゲット物質を液体ターゲットとして用いる場合には、ターゲット供給装置１２においてキセノンガスを加圧及び冷却することにより、液化されたキセノンがターゲットノズル１３に供給される。反対に、例えば錫のように、常温で固体の物質を液体ターゲットとして用いる場合には、ターゲット供給装置１２において錫を加熱することにより、液化された錫がターゲットノズル１３に供給される。本実施形態においては、ターゲット２２として、錫（Ｓn）のドロップレットが用いられる。

ターゲットノズル１３は、ターゲット供給装置１２から供給されたターゲット物質を噴射することにより、ＥＵＶチャンバ１０内の所定の位置（プラズマ発光点）に液滴状のターゲット２２を供給する。ターゲットノズル１３は、ピエゾ素子等の振動機構を備えており、レイリーの微小擾乱の安定性理論にしたがってターゲット物質の液滴（ドロップレット）を生成する。

ドライバレーザ２３は、高い繰り返し周波数（例えば、パルス幅が数ｎ秒〜数十ｎ秒程度、繰り返し周波数が１０ｋＨｚ〜〜１００ｋＨｚ程度）でパルス発振可能なレーザ光源であり、ターゲット２２を照射することによりプラズマ化させるためのレーザ光２４を射出する。また、集光レンズ２５は、レーザ装置から射出されたレーザ光２４を集光し、プラズマ発光点（レーザ照射位置とも言う）に照射させる。なお、集光レンズ２５の代わりに、ミラー等の光学部品や、複数の光学部品を組み合わせて構成された集光光学系を用いても良い。

レーザ光２４は、ドライバレーザ２３から集光レンズ２５及びレーザ光入射窓２０を通してターゲット２２に照射される。ＥＵＶ集光ミラー１６には、レーザ光２４を入射させるためのレーザ入射孔が形成されているので、レーザ光２４は、このレーザ入射孔を通過してターゲット２２に照射される。これにより、ターゲット２２が励起されてプラズマ２６が生成され、このプラズマ２６から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を含む様々な光が放射される。

ＥＵＶ集光ミラー１６は、プラズマ２６から放射される様々な波長成分の内から、所定の波長成分（例えば、１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光）を集光する集光光学系である。ＥＵＶ集光ミラー１６は、例えば、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を選択的に反射するモリブデン（Ｍｏ）／シリコン（Ｓｉ）多層膜が形成されている凹状の反射面を有している。このＥＵＶ集光ミラー１６により、ＥＵＶ光は、ＥＵＶ捕集光路２８に沿って所定の方向に反射集光され、露光機インターフェイス１８を通して露光機に出力される。なお、ＥＵＶ光の集光光学系は、図１に示すようなＥＵＶ集光ミラー１６に限定されず、複数の光学部品を用いて構成しても良いが、ＥＵＶ光の吸収を抑えるために反射光学系とすることが必要である。

露光機インターフェイス１８は、コンタミネーションが露光機へ侵入することを防止し、ＥＵＶ光の純度を向上させるために、露光機との位置合わせ機構を有している。また、ＥＵＶ光は大気中では減衰してしまうので、プラズマ２６は、大気とは隔離されたＥＵＶチャンバ１０内で発生される。ＥＵＶチャンバ１０内は、真空排気装置により、例えば０．１Ｐa程度の圧力に保たれる。

ターゲット回収装置１４は、プラズマ発光点を挟みターゲットノズル１３に対向する位置に配置されている。ターゲット回収装置１４は、ターゲットノズル１３から噴射されたにもかかわらず、レーザ光が照射されることなくプラズマ化しなかったターゲット物質や、レーザ光が照射されたターゲット物質の残渣を回収する。それにより、不要なターゲット物質が飛散してＥＵＶ集光ミラー１６等を汚染するのを防止すると共に、ＥＵＶチャンバ１０内の真空度が低下するのを防いでいる。

上部電磁コイル３０及び下部電磁コイル３２は、ＥＵＶチャンバ１０の外部に配置されている。上部磁心３４の先端部は、上部電磁コイル３０の端面から突出し、ＥＵＶチャンバ１０内に延在している。また、下部磁心３６の先端部は、下部電磁コイル３２の端面から突出し、ＥＵＶチャンバ１０内に延在している。ＥＵＶチャンバ１０内において、上部磁心３４の先端部と下部磁心３６の先端部とが、プラズマ発光点を挟んで対向するように配置されている。

上部磁心３４及び下部磁心３６は、中空構造を有しており、上部磁心３４内にはターゲット供給装置１２が配置され、下部磁心３６内にはターゲット回収装置１４が配置されている。上部磁心３４の先端部は、ターゲット供給装置１２の先端付近まで延在し、下部磁心３６の先端部は、ターゲット回収装置１４の先端付近まで延在している。上部磁心３４及び下部磁心３６は、小型化のために、強磁性体材料などの飽和磁束密度の高い材料で形成される。

プラズマの生成に先立って、電源３３が上部電磁コイル３０及び下部電磁コイル３２に電流を供給することにより、上部磁心３４及び下部磁心３６が励磁され、ターゲット物質の軌道に沿って、少なくともターゲット物質の軌道とＥＵＶ集光ミラーとの間に、ミラー型の磁場３８を形成する。プラズマ発光点を挟んで対向する上部磁心３４及び下部磁心３６によって、小さなギャップでプラズマ付近にのみ局所的に磁場が発生するので、従来技術と比較して小さな電磁コイルにより従来技術と同程度の強さの磁場をプラズマ周辺に発生させることができる。また、ＥＵＶチャンバ１０内部に延在する上部磁心３４及び下部磁心３６によって、上部電磁コイル３０及び下部電磁コイル３２から離れた場所に磁場３８を発生させることができるので、上部電磁コイル３０及び下部電磁コイル３２をＥＵＶチャンバ１０の外に配置することが可能である。

プラズマ発生とほぼ同時に高速イオンが発生するが、高速イオンは、プラズマ周辺の磁場に捕集され、図１における上下方向に排出される。その後、高速イオンは、磁力線の放出点である上部磁心３４及び下部磁心３６に衝突し、あるいは、ターゲット回収装置１４によって捕集される。上部磁心３４及び下部磁心３６は、このようにイオンの衝突を受けるので、上部磁心３４及び下部磁心３６の内部に冷却用の冷媒を循環させるための冷媒通路４０及び４４が形成されている。冷媒通路４０及び４４は、冷却装置４２及び４６に連結されており、冷却装置４２及び４６が冷媒を冷却することにより上部磁心３４及び下部磁心３６を冷却する。また、イオン衝突によって損傷されにくい材料を、上部磁心３４及び下部磁心３６の表面にコーティングすることが望ましい。

コーティング材料としては、高硬度であり耐スパッタ性のあるＴｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＢＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）等が適している。特に、ターゲット物質として錫（Ｓｎ）を用いる場合には、液体の錫に対して高い濡れ性を有すると共に比較的高い耐スパッタ性を有するチタン（Ｔｉ）をコーティング材料として用いることが好ましい。さらに、多孔質（ポーラス）のチタンを磁心にコーティングする場合には、錫イオンが磁心に到達して錫が磁心に付着したとしても、多孔質のチタンの孔に錫がしみ込むので、磁心に衝突する高速イオンによって錫が再びスパッタされることを防止できる。

（実施形態２）
図２は、本発明の第２の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。図２の（Ａ）は側面図であり、図２の（Ｂ）は底面図である。
高速イオンを偏向させるために発生される磁場３８は、ターゲット物質の軌道とＥＵＶ集光ミラー１６との間で強くなるような分布を持つようにしてもよい。そこで、第２の実施形態においては、上部磁心３４及び下部磁心３６を、ターゲット供給装置１２及びターゲット回収装置１４のＥＵＶ集光ミラー側にのみ設けることにより、ターゲット物質の軌道とＥＵＶ集光ミラー１６との間に強い磁場を形成する。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様である。

第２の実施形態においては、ターゲット物質の軌道のＥＵＶ集光ミラー側に強い磁場が発生するので、プラズマから発生したイオンがＥＵＶ集光ミラー１６に衝突するのを防止できる。その上、上部磁心３４及び下部磁心３６がＥＵＶ捕集光路２８を遮る断面積が小さいので、第１の実施形態に比べてＥＵＶ捕集光量が多いという利点がある。

（実施形態３）
図３は、本発明の第３の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。図３の（Ａ）は側面図であり、図３の（Ｂ）及び（Ｃ）は底面図であり、図３の（Ｄ）は平面図である。第３の実施形態においては、上部電磁コイル３０及び上部磁心３４が、ターゲット供給装置１２から分離され、下部電磁コイル３２及び下部磁心３６が、ターゲット回収装置１４から分離されている。その他の点に関しては、第２の実施形態と同様である。

第３の実施形態においても、第２の実施形態と同様に、ターゲット物質の軌道とＥＵＶ集光ミラー１６との間に強い磁場を形成することができる。さらに、第３の実施形態においては、磁心の形状を比較的自由に形成することができる。例えば、図３の（Ｃ）に示すように、上部磁心３４及び下部磁心３６を平板状に形成すると、広い範囲にわたってイオンを防御することができるようになる。

上部磁心３４及び下部磁心３６の形状は、平板に制限されること無く、円弧状に湾曲していてもよい。このように磁心の形状を比較的自由に形成できるので、ＥＵＶ集光ミラー１６の大きさやＥＵＶチャンバ１０内の構造物の配置に合わせて磁場を形成することが可能となる。例えば、図３の（Ｄ）に示すように、ＥＵＶ集光ミラー１６と共に、ＥＵＶ光量センサー４７やレーザ集光光学系４８やターゲット位置モニタ装置４９等の光学素子を保護対象とし、それらをプラズマから遮蔽するように磁場３８を形成することができる。

（実施形態４）
図４は、本発明の第４の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。図４の（Ａ）は側面図であり、図４の（Ｂ）は底面図である。第４の実施形態においては、上部磁心３４及び下部磁心３６に補助リング３５及び３７をそれぞれ付加することにより、プラズマ２６を覆うような磁場３８が形成される。補助リング３５及び３７は、磁性材料によって形成される。その他の点に関しては、第２の実施形態と同様である。

この場合には、第１実施形態とほぼ同様に、プラズマ２６から発生するイオンをほぼ全方位に亘って捕集でき、なおかつ、ＥＵＶ光路に形成される磁心の影は最小限に抑えることができる。

このように、磁心の形状を自由に形成することができるので、ＥＵＶチャンバ１０内の構造物の配置に合わせて磁場３８を効果的に作用させることができる。磁場３８は局所的なものとなるので、従来のように大きな電磁コイルは必要ない。また、第１実施形態の場合と同様に、上部磁心３４及び下部磁心３６を冷却したり、上部磁心３４及び下部磁心３６にコーティングを施してもよい。

（実施形態５）
図５は、本発明の第５の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。第５の実施形態は、第１の実施形態の変形例である。第５の実施形態においては、高速イオンを偏向させるために発生される磁場３８が、ターゲット物質軌道のターゲット供給装置側で強くなるような分布を持つ。

第１から第４の実施形態は、上下にほぼ対称な磁場を発生させるものであった。即ち、ターゲット供給装置側とターゲット回収装置側とにおいて、ほぼ対称な磁場が発生される。しかし、上下にほぼ対称な磁場によると、磁場に捕獲されたイオンは、ターゲット供給装置側とターゲット回収装置側とに均等に収束される。このような状態で長期間運転が行われると、ターゲット供給装置１２のターゲットノズル１３は、イオンの衝突により変形して、ターゲット物質の軌道が変わってしまうという問題が生じる。ターゲットノズル１３の前面に耐イオンコーティング等を施して耐久性を向上させてもよいが、イオンは磁力線の疎な空間に排出されやすいので、ターゲット供給装置側に強い磁場を形成することにより、相対的にターゲットノズル１３に対するイオンの衝突量を低減することができる。
そこで、第５の実施形態においては、ターゲット回収装置側の下部磁心３６に厚みを持たせて、下部磁心３６の端面における磁束密度を低減している。相対的にターゲット供給装置側の上部磁心３４においては、磁束密度が高くなるので、イオンが到達しにくい。

（実施形態６）
図６は、本発明の第６の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。第６の実施形態は、第５の実施形態の変形例である。第６の実施形態においては、ターゲット回収装置側の下部磁心３６を、ターゲット供給装置１２とターゲット回収装置１４の中心軸であるターゲット物質の軌道から遠ざけ、磁場３８に勾配を持たせている。ターゲット供給装置側においては、ターゲット供給装置１２に磁場が近接するので、イオンが到達しにくい。

（実施形態７）
図７は、本発明の第７の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。第７の実施形態は、第６の実施形態の変形例である。第７の実施形態においては、ターゲット回収装置側の下部磁心３６を下部磁気コイル３２ごとターゲット回収装置１４から遠ざけることにより、さらにターゲット回収装置側の磁場３８を弱くしている。

（実施形態８）
図８は、本発明の第８の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。図８の（Ａ）は側面図であり、図８の（Ｂ）は平面図である。また、図９は、本発明の第８の実施形態の変形例に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。図９の（Ａ）は側面図であり、図９の（Ｂ）は平面図である。第８の実施形態及びその変形例においては、磁性体であるヨークを用いて、上下の磁心が磁気的に連結されている。

上部磁心３４及び下部磁心３６をヨーク５２、５４、５６で連結すると、磁力線はプラズマ２６を挟むギャップを除いて、ほぼ全て磁性体の中を通過する。これにより、磁性体外部への洩れ磁場が殆ど無い構成が実現できる。この構成によれば、ＥＵＶチャンバ１０内の他の構造物の材料の選定に注意する必要が無く、磁気シールドが不要となる。更に、場合によっては、電磁コイルの数を低減できる。また、電磁コイル５０は、図８の（Ａ）及び（Ｂ）、又は、図９の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、磁気回路中の任意の位置に取り付け可能であり、設計自由度が向上する。

さらに、イオン衝突によって損傷されにくい材料を、ヨーク５２、５４、５６の内の少なくとも１つの表面にコーティングしてもよい。コーティング材料としては、高硬度であり耐スパッタ性のあるＴｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＢＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）等が適している。特に、ターゲと物質として錫（Ｓｎ）を用いる場合には、多孔質（ポーラス）のチタンをコーティングするのが好ましい。

（実施形態９）
図１０は、本発明の第９の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す平面図である。第９の実施形態においては、上部磁心３４及び下部磁心３６の先端部分を円錐状に形成して、ＥＵＶ捕集光路２８に形成される上部磁心３４及び下部磁心３６の影を小さくしている。

ＥＵＶ捕集光路２８を遮る部分は、ターゲットノズル１３の先端部とターゲット回収装置１４の先端部の周辺だけになるので、ＥＵＶ光の取得効率が向上する。また、図１０においては、ターゲット供給装置１２とターゲット回収装置１４を水平に設置して、ターゲット物質を水平に射出することによりターゲット物質軌道を水平方向にセットしている。このようにターゲット物質の軌道の方向が変わっても、ターゲット噴射能力が保証できれば、ターゲットの運動やイオン排除機能に差はない。

（実施形態１０）
図１１−１３は、本発明の第１０の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。第１０の実施形態においては、電磁コイル５０の軸部を通り、プラズマ発光点にギャップが形成された磁心５８によって、磁気回路が構成される。磁心５８は、ＥＵＶ集光ミラー１６を貫通しても良い。

プラズマ発光点にギャップが形成された磁心５８を使用すると、プラズマ２６から放射されるイオンは磁場に捕らえられて磁心５８に衝突するので、ターゲットノズル１３が保護される。なおかつ、プラズマ２６を囲むように磁場が形成されるので、ＥＵＶ集光ミラー１６に向かうイオンも減少し、ＥＵＶ集光ミラー１６も保護される。更に、磁力線の殆どが磁心５８を通過するので、外部への洩れ磁場も非常に少ない。

図１１及び１２は、レーザ光２４の入射方向と磁心５８との位置関係に関するバリエーションを示す。図１１に示すように、ＥＵＶ集光ミラー１６の中心軸に磁心５８を貫通させて、ＥＵＶ捕集光路２８への磁心５８の影を最小としても良い。あるいは、図１２に示すように、アライメントの容易さを重視して、ＥＵＶ集光ミラー１６の中心軸にレーザ光２４を入射させて、磁心５８はＥＵＶ集光ミラー１６の中心軸を避けるように配置しても良い。

さらに、図１３に示すように、プラズマ発光点を挟む磁心５８の一部に空洞を形成し、空洞をレーザ光２４の入射路として使っても良い。図１３に示す配置によれば、ＥＵＶ捕集光路２８に形成される磁心５８の影も最小にすることができ、レーザ光入射軸のアライメントも容易である。但し、レーザ光入射軸にイオンが排出されるため、このままではレーザ集光光学系にイオンが衝突しダメージを与える。これを避けるため、イオン捕集用のバイアス電極６２と、バイアス電極６２に直流電圧を供給する直流電源６４等を設けることが望ましい。

（実施形態１１）
図１４−１６は、本発明の第１１の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。イオンは磁場のみならず電場によっても影響を受けるので、これを利用して電場を併用してもよい。第１１の実施形態においては、電場の作用を併用することにより、ＥＵＶ集光ミラーのイオン防御効果が増進される。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様である。

図１４は、ＥＵＶ集光ミラー１６の背面にイオンを反発する電極６６を形成することによりイオン防御効果を更に高めたＥＵＶ光源装置の一部の構成を示す。ＥＵＶ集光ミラー１６の背面に電極６６が設けられ、直流電源６８が、電極６６に、イオンと同極性の電圧を供給する。これにより、ＥＵＶ集光ミラー１６の前面にイオンを反発する電場が形成され、磁場３８を通過してきた高エネルギーのイオンがＥＵＶ集光ミラー１６に到達するのを防止することができる。

図１５は、上部磁心３４及び下部磁心３６を電極として利用するＥＵＶ光源装置の一部の構成を示す。直流電源７０が、上部磁心３４及び下部磁心３６に、イオンと逆極性の電圧を印加する。これにより、イオンを積極的に上部磁心３４及び下部磁心３６に衝突させ、ＥＵＶ集光ミラー１６には衝突させないようにして、ＥＵＶ集光ミラー１６を防御することができる。この場合には、上部磁心３４及び下部磁心３６にコーティング等のイオン防御措置を施すことが望ましい。

図１６は、図１４に示す構成と図１５に示す構成とを併用したＥＵＶ光源装置の一部の構成を示す。直流電源６８が、ＥＵＶ集光ミラー１６の背面に形成された電極６６にイオンと同じ極性の電圧を印加してイオンを反発させると共に、直流電源７０が、上部磁心３４及び下部磁心３６にイオンと異なる極性の電圧を印加してイオンを吸収する。したがって、図１６に示した構成によれば、イオンがＥＵＶ集光ミラー１６に衝突する確率は更に低くなる。

（実施形態１２）
図１７は、本発明の第１２の実施形態に係る極端紫外光源装置の構成を示す側面図である。第１２の実施形態においても、電場の作用を併用してＥＵＶ集光ミラーのイオン防御効果が増進される。

このＥＵＶ光源装置は、プラズマ発光点の周辺にミラー磁場３８を形成してプラズマ２６から放射されるイオンによるＥＵＶ集光ミラー１６のスパッタリングを防止する機能に加えて、プラズマ発光点に電場を形成して、イオンがＥＵＶ集光ミラー１６に向かわないようにする機能を有する。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様である。

図１７に示すように、中空構造を有する電極棒７６をレーザ光２４の光路に配置すると共に、プラズマ発光点を挟んで対極の電極棒７４を配置し、電極棒７６と電極棒７４との間に直流電源７２が直流電圧を供給する。これにより、磁場３８に捕集されずにＥＵＶ集光ミラー側に放出されたイオンは、イオンと逆極性の電位を有する電極棒７６によって捕集される。この場合には、チューブ状の電極棒７６の内面もイオン衝突面になるため、単位面積当たりのイオン衝突量が減り、上部磁心３４及び下部磁心３６のダメージを低減できる。電極棒７６の孔を通過してくるイオンはごく少量になるので、レーザ集光光学系がイオンの衝突にさらされる可能性も低い。

この実施形態ではレーザ光路を兼ねる電極棒７６の電位をイオンと逆極性としたが、電極棒７６の電位をイオンと同極性とし、対向する電極棒７４の電位をイオンと逆極性とし、対向電極棒７４にイオンを衝突させるようにしても良い。

（実施形態１３）
図１８は、本発明の第１３の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す側面図である。第１３の実施形態においては、プラズマから放射される粒子を積極的に帯電させて、磁場及び／又は電場の作用を利用して排除することにより、ＥＵＶ集光ミラーのイオン防御効果が増進される。その他の点に関しては、第１１の実施形態と同様である。

このＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ集光ミラー１６の裏面に形成された電極６６に直流電圧を印加する直流電源６８と、上部磁心３４及び下部磁心３６に直流電圧を印加する直流電源７０と、プラズマから放射される粒子を帯電させる電子銃やマイクロ波源などの帯電装置７８と、帯電装置７８に電圧を印加する電源８０とを有している。

ターゲット物質やレーザ光等の条件により、プラズマから放射される粒子のイオン化率が低い場合がある。このような場合に、帯電装置７８が、プラズマから放射される粒子を積極的に帯電させる。粒子を帯電させることができれば、上部電磁コイル３０及び下部電磁コイル３２によって生成されるミラー磁場、及び／又は、電極６６、上部磁心３４及び下部磁心３６によって生成される電場の作用を利用して、荷電粒子の捕集が可能となる。したがって、イオン化率が低い場合にも、プラズマから放射される粒子を効果的に捕集して、ＥＵＶ集光ミラー１６を保護することができる。

（実施形態１４）
図１９は、本発明の第１４の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す図である。図１９の（Ａ）は上面から見た平面図であり、図１９の（Ｂ）は側面図である。第１４の実施形態においては、ターゲット物質の軌道と磁場の方向とが略直交するように各部が配置されている。また、磁気源として電磁コイルの替わりに磁石が用いられる。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様である。

図１９の（Ａ）に示すように、ＥＵＶ光源装置は、磁石３０ａと、磁石３２ａと、磁石３０ａによって励磁される磁心（磁性体）３４ａと、磁石３２ａによって励磁される磁心（磁性体）３６ａとを有している。円筒を形成する磁心３４ａは、磁石３０ａの内壁に沿って配置され、円筒を形成する磁心３６ａは、磁石３２ａの内壁に沿って配置される。磁心３４ａによって形成される円筒の内側には、イオン回収装置８１が設けられ、磁心３６ａによって形成される円筒の内側には、イオン回収装置８２が設けられている。イオン回収装置８１及び８２は、磁場に捕獲され水平方向に排出されるイオンを回収する。

図１９の（Ｂ）に示すように、このＥＵＶ光源装置においては、ターゲット供給装置１２のターゲットノズル１３から、ターゲット２２が噴射される。ターゲットノズル１３は、ターゲット供給装置１２から供給されたターゲット物質を噴射することにより、ＥＵＶチャンバ１０内の所定の位置（プラズマ発光点）に液滴状のターゲット２２を供給する。

ドライバレーザ２３は、ターゲット２２を照射することによりプラズマ化させるためのレーザ光２４を射出する。また、集光レンズ２５は、レーザ装置から射出されたレーザ光２４を集光し、プラズマ発光点に照射させる。レーザ光２４は、ドライバレーザ２３から集光レンズ２５及びレーザ光入射窓２０を通してターゲット２２に照射される。これにより、ターゲット２２が励起されてプラズマ２６が生成され、このプラズマ２６から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を含む様々な光が放射される。

ＥＵＶ集光ミラー１６は、プラズマ２６から放射される様々な波長成分の内から、所定の波長成分（例えば、１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光）を集光する。このＥＵＶ集光ミラー１６により、ＥＵＶ光は、ＥＵＶ捕集光路２８に沿って所定の方向に反射集光され、露光機インターフェイス１８を通して露光機に出力される。

ターゲット回収装置１４は、プラズマ発光点を挟みターゲットノズル１３に対向する位置に配置されている。ターゲット回収装置１４は、ターゲットノズル１３から噴射されたにもかかわらず、レーザ光が照射されることなくプラズマ化しなかったターゲット物質や、レーザ光が照射されたターゲット物質の残渣を回収する。

再び図１９の（Ａ）を参照すると、磁石３０ａ及び３２ａは、ＥＵＶチャンバ１０の外部に配置されている。磁心３４ａの先端部は、磁石３０ａの端面から突出し、ＥＵＶチャンバ１０内に延在している。また、磁心３６ａの先端部は、磁石３２ａの端面から突出し、ＥＵＶチャンバ１０内に延在している。ＥＵＶチャンバ１０内において、磁心３４ａの先端部と磁心３６ａの先端部とが、プラズマ発光点を挟んで対向するように配置されている。

磁石３０ａ及び３２ａによって磁心３４ａ及び３６ａが励磁され、ターゲット物質の軌道に沿って、少なくともターゲット物質の軌道とＥＵＶ集光ミラーとの間に、ミラー型の磁場３８を形成する。プラズマ発光点を挟んで対向する磁心３４ａ及び３６ａによって、小さなギャップでプラズマ付近にのみ局所的に磁場が発生するので、小さな磁石によりある程度の強さの磁場をプラズマ周辺に発生させることができる。また、ＥＵＶチャンバ１０内部に延在する磁心３４ａ及び３６ａによって、磁石３０ａ及び３２ａから離れた場所に磁場３８を発生させることができるので、磁石３０ａ及び３２ａをＥＵＶチャンバ１０の外に配置することが可能である。

プラズマ発生とほぼ同時に高速イオンが発生するが、高速イオンは、プラズマ周辺の磁場に捕集され、水平方向に排出される。その後、高速イオンは、磁力線の放出点である磁心３４ａ及び３６ａに衝突し、あるいは、イオン回収装置８１及び８２によって捕集される。

第１４の実施形態によれば、ターゲットノズル１３にイオンが衝突しないので、ターゲットノズル１３がスパッタされず、ターゲット２２を安定に供給することができる。また、ターゲットノズル１３の寿命が改善される。ターゲット回収装置１４には、レーザ光が照射されなかったターゲット等も回収されるので、大量のターゲットが蓄積される。ターゲット回収装置１４に蓄積されているターゲットに高速イオンが入射すると、ターゲット物質がスパッタされて噴出する。第１４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置は、この現象を防ぐことができる。

第１４の実施形態においては、磁石をＥＵＶチャンバ１０の外部に配置しているが、本発明はこの実施形態に限定されることなく、磁石３０ａ及び３２ａ、又は、イオン回収装置８１及び８２を、ＥＵＶチャンバ１０の内部に配置してもよい。

（実施形態１５）
図２０は、本発明の第１５の実施形態に係る極端紫外光源装置の一部の構成を示す平面図である。第１５の実施形態は、第１４の実施形態の変形例である。第１５の実施形態においては、磁心及び／又はイオン回収装置の表面に、スパッタを防ぐための材料がコーティングされる。

プラズマ２６の周辺における磁場強度を強くするために、磁心３４ａ及び３６ａは、プラズマ２６にできるだけ近い位置まで延在する必要がある。しかしながら、プラズマ２６から放射される高速イオンが磁心３４ａ及び３６ａに衝突して、磁心の材料をスパッタしてしまう。このスパッタされた磁心の材料は、ＥＵＶチャンバ１０（図１９）内の光学素子（例えば、レーザ光入射窓２０及びＥＵＶ集光ミラー１６）に付着して、それぞれ、レーザ光及びＥＵＶ光の集光効率を低下させる。

そこで、このスパッタを防止するために、イオン衝突によって損傷されにくい材料を、磁心３４ａ及び３６ａの表面にコーティングして、コーティング層９１を形成することが望ましい。コーティング材料としては、高硬度であり耐スパッタ性のあるＴｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＢＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）等が適している。特に、ターゲット物質として錫（Ｓｎ）を用いる場合には、液体の錫に対して高い濡れ性を有すると共に比較的高い耐スパッタ性を有するチタン（Ｔｉ）をコーティング材料として用いることが好ましい。さらに、多孔質（ポーラス）のチタンを磁心にコーティングする場合には、錫イオンが磁心に到達して錫が磁心に付着したとしても、多孔質のチタンの孔に錫がしみ込むので、磁心に衝突する高速イオンによって錫が再びスパッタされることを防止できる。

また、上記のようなコーティング材料をイオン回収装置８１及び８２の表面にコーティングして、コーティング層９２を形成するようにしてもよい。これにより、プラズマ２６から放射される高速イオンがイオン回収装置８１及び８２の表面に衝突しても、イオン回収装置８１及び８２の表面がスパッタされ難くなる。
さらに、磁石３０ａ及び３２ａをＥＵＶチャンバ１０内に設置する場合には、上記のようなコーティング材料を磁石３０ａ及び３２ａの表面にコーティングしてもよい。

以上述べた第１〜１３の実施形態において、磁気源として電磁コイルの替わりに磁石を用いても良いし、第１４〜１５の実施形態において、磁気源として磁石の替わりに電磁コイルを用いても良い。

本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外光源装置において利用することが可能である。

１０・・・ＥＵＶチャンバ、１２・・・ターゲット供給装置、１３・・・ターゲットノズル、１４・・・ターゲット回収装置、１６・・・ＥＵＶ集光ミラー、１８・・・露光機インターフェイス、２０・・・レーザ光入射窓、２２・・・ターゲット、２４・・・レーザ光、２６・・・プラズマ、２８・・・ＥＵＶ捕集光路、３０・・・上部電磁コイル、３０ａ，３２ａ・・・磁石、３２・・・下部電磁コイル、３４・・・上部磁心、３４ａ，３６ａ，５８・・・磁心、３５，３７・・・補助リング、３６・・・下部磁心、３８・・・磁場、４０，４４・・・冷媒配管、４２，４６・・・冷却装置、４７・・・ＥＵＶ光量センサー、４８・・・レーザ集光光学系、４９・・・ターゲット位置モニタ装置、５０・・・電磁コイル、５２，５４，５６・・・ヨーク、６２・・・バイアス電極、６４・・・直流電源、６６・・・電極、６８，７０，７２・・・直流電源、７４，７６・・・電極棒、７８・・・帯電装置、８０・・・電源

Claims (15)

1. レーザ光をターゲット物質に照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、
   極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
   前記チャンバ内の所定のプラズマ発光点に向けてターゲット物質を噴射するターゲットノズルと、
   前記プラズマ発光点においてターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザと、
   前記プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
   少なくとも１つの磁気源と、前記少なくとも１つの磁気源によって励磁される少なくとも１つの磁性体とを含む磁場形成手段であって、前記少なくとも１つの磁性体が、前記少なくとも１つの磁気源から突出して前記プラズマ発光点を挟んで対向する２つの先端部を有し、ターゲット物質の軌道と前記集光ミラーとの間に磁場を形成する、前記磁場形成手段と、
   を具備する極端紫外光源装置。
2. 前記磁場形成手段が、２つの磁気源と、前記２つの磁気源によってそれぞれ励磁される２つの磁性体とを含み、前記２つの磁性体が、前記２つの磁気源から突出して前記プラズマ発光点を挟んで対向する２つの先端部をそれぞれ有する、請求項１記載の極端紫外光源装置。
3. 前記少なくとも１つの磁性体が、前記少なくとも１つの磁気源の軸部を通りギャップが形成されたリング状の磁心として形成され、前記磁心の端面が、前記プラズマ発光点を挟んで対向する、請求項１記載の極端紫外光源装置。
4. 前記２つの磁性体が、ターゲット物質の軌道と前記集光ミラーとの間に配置される、請求項２記載の極端紫外光源装置。
5. 前記２つの磁性体が、前記ターゲットノズルにターゲット物質を供給する配管を囲む円筒を形成する第１の磁性体と、ターゲット物質を回収するターゲット回収筒を囲む円筒を形成する第２の磁性体とを含む、請求項２記載の極端紫外光源装置。
6. 前記第１の磁性体の端面の面積が、前記第２の磁性体の端面の面積よりも小さく、前記第１の磁性体の端面における磁束密度が、前記第２の磁性体の端面における磁束密度よりも大きい、請求項５記載の極端紫外光源装置。
7. 前記少なくとも１つの磁性体の内部に、冷媒を循環させるための通路が形成されている、請求項１〜６のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
8. 前記２つの磁性体の内の一方に、レーザ光が通過する貫通孔が形成されている、請求項２記載の極端紫外光源装置。
9. 前記少なくとも１つの磁気源が、前記チャンバ外に設置されている、請求項１〜８のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
10. 前記少なくとも１つの磁性体が、前記チャンバ内に配置される光学素子に前記プラズマ発光点から放射されるイオンが到達しないようにする磁場を形成するように配置されている、請求項１〜９のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
11. 前記集光ミラーの裏面に形成された電極と、
    前記電極に前記プラズマ発光点から放射されるイオンと同極性の電圧を印加して、該イオンが前記集光ミラーから反発されるようにする電源と、
    をさらに具備する、請求項１〜１０のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
12. 前記少なくとも１つの磁性体に前記プラズマ発光点から放射されるイオンと異なる極性の電圧を印加して、該イオンを前記少なくとも１つの磁性体が捕捉するようにする電源をさらに具備する、請求項１〜１１のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
13. 前記プラズマ発光点を挟んで対向する２つの電極と、
    前記２つの電極に電圧を印加して、前記プラズマ発光点から放射されるイオンが前記集光ミラーに衝突しにくくする電源と、
    をさらに具備する、請求項１〜１２のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
14. 前記２つの電極の内の一方に、前記レーザ光が通過する貫通孔が形成されている、請求項１３記載の極端紫外光源装置。
15. 前記プラズマから放射される粒子を帯電する帯電装置をさらに具備する、請求項１１〜１４のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。

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