JP5277496B2 - 極端紫外光源装置および極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置 - Google Patents

Description

本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultra violet）光源装置において、ＥＵＶ光と共に生成される飛散物によって光学素子が汚染されることを防止する光学素子汚染防止方法及び光学素子汚染防止装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、１００nmから７０nmの微細加工、更には５０nm以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、５０nm以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３nm程度のＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（catadioptric system）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光源としては、ターゲットにレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ励起プラズマ）光源（以下において、「ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置」ともいう）と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（discharge produced plasma：レーザ励起プラズマ）光源と、軌道放射光を用いたＳＲ（synchrotoron radiation）光源の３種類がある。これらの内でも、ＬＰＰ光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので光源の周囲に電極等の構造物がなく、２πsteradianという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点から、数十ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。

ここで、ＬＰＰ方式によるＥＵＶ光の生成原理について説明する。真空チャンバ内に供給されるターゲット物質に対してレーザビームを照射すると、ターゲット物質が励起してプラズマ化する。このプラズマから、ＥＵＶ光を含む様々な波長成分が放射される。真空チャンバ内には所望の波長成分（例えば、１３．５nmの波長を有する成分）を選択的に反射するＥＵＶコレクタミラーが設置されており、このＥＵＶコレクタミラーによってＥＵＶ光が反射集光され、露光器に出力される。ターゲット物質としては錫（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）、キセノン（Ｘｅ）等が用いられるが、中でも高いＥＵＶ変換効率が得られる錫（Ｓｎ）が有望視されている。また、ＥＵＶコレクタミラーの反射面には、例えば、モリブデン（Ｍｏ）の薄膜とシリコン（Ｓｉ）の薄膜とを交互に積層した多層膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）が形成されている。

このようなＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置においては、特に固体のターゲットを用いる場合に、プラズマ及びターゲットから放出される中性粒子やイオンによる影響が問題となっている。ＥＵＶコレクタミラーはプラズマ近傍に設置されるので、プラズマ及びターゲットから放出される中性粒子は、ＥＵＶコレクタミラーの反射面に付着してミラーの反射率を低下させる。一方、プラズマから放出されるイオンは、ＥＵＶコレクタミラーの反射面に形成されている多層膜を削り取る（本願においては、このことを「スパッタリング」ともいう）。本願明細書では、こうした中性粒子やイオンが光学素子に及ぼす悪影響を汚染と称している。なお、中性粒子やイオンを含むプラズマからの飛散物やターゲット物質の残骸は、デブリ（debris）と呼ばれている。

ＥＵＶコレクタミラーは、高い反射率を維持するために、例えば０．２nm（rms）程度の高い表面平坦性が要求されており、非常に高価である。そのため、ＥＵＶコレクタミラーを頻繁に交換するとなると、メンテナンス時間が増加するだけでなく運転コストが上昇することになる。そこで、露光装置の運転コストの削減や、メンテナンス時間の低減等の観点から、ＥＵＶコレクタミラーの長寿命化が望まれている。露光用ＥＵＶ光源装置におけるミラー寿命は、例えば、反射率が１０％低下するまでの期間として定義され、少なくとも１年間の寿命が要求されている。

上述したように、ＥＵＶコレクタミラーの表面にはデブリが付着し金属膜を形成する。金属膜はＥＵＶ光を吸収するため、ＥＵＶコレクタミラーの反射率が低下する。仮に金属膜の光透過率が約９５％であるとすると、ＥＵＶコレクタミラーの反射率は約９０％となる。ＥＵＶコレクタミラーの寿命を１年以上にするには、１３．５nmの波長を有するＥＵＶ光に対して、ＥＵＶコレクタミラーの反射率の低下を１０％以内にしなければならない。このためには、ＥＵＶコレクタミラーの反射面における金属膜の付着量（厚さ）の許容値は、リチウムで約５nmであり、錫に至っては約０．７５nmといった非常に僅かな値である。

この程度の金属膜は比較的短期間で形成されるため、ＥＵＶコレクタミラーに対する金属膜の付着を防止することが重要である。そこで、金属膜の防止技術として下記特許文献、非特許文献で開示されているような様々な方法が提案されている。

特許文献１には、真空チャンバ内に磁場や電場を発生させてデブリを誘導する技術が開示されている。真空チャンバ内に所望の磁場や電場を発生させれば、プラズマから光学素子に向けて飛散するイオンを偏向し、光学素子以外の箇所に誘導することが可能である。

しかしながら、特許文献１の技術はデブリの中のイオンにのみ有効である。デブリにはイオンの他に中性粒子も含まれている。電荷を持たない中性粒子は磁場や電場で偏向されることなく光学素子に到達する。

特許文献２には、プラズマから放出される中性粒子を紫外線照射等の手段によってイオン化し、磁場の作用によって偏向させる技術が開示されている。また、特許文献３には特許文献２と同様に、プラズマから放出される中性粒子をイオン化し、磁場の作用によって偏向させる技術が開示されている。特許文献３では、電子にマイクロ波を照射することによって電子サイクロトロン共鳴（electron cyclotron resonance：ＥＣＲ）を生じさせてプラズマを発生させ、そのプラズマを中性粒子に衝突させることによって、中性粒子をイオン化している。特許文献２、３によれば、プラズマから放出されるイオンだけでなく中性粒子も偏向することが可能になる。

しかしながら、粒径が大きな中性粒子はイオン化が困難である。したがって、粒径の大きな中性粒子は磁場で偏向されることなく光学素子に到達する。

非特許文献１、２には、真空チャンバ内に所定圧の雰囲気ガスを供給する技術が開示されている。真空チャンバ内を０．２Ｔｏｒｒ程度のＨｅガス雰囲気にすれば、プラズマから光学素子に向けて飛散するデブリのうち直径０．３μm以下のデブリの運動エネルギーを低減することが可能になる。この現象は、粒径が小さいデブリは質量が小さいため運動エネルギー（１／２ＭＶ²）が小さく、雰囲気ガス粒子と衝突することによって光学素子に到達する前に運動エネルギーを失うため、と考えられている。

しかしながら、非特許文献３、４に示されるような直径０．５μm以上のデブリは質量が大きいため運動エネルギーが大きい。このためデブリは雰囲気ガス粒子と衝突するだけでは運動エネルギーを失うことがなく、結果として光学素子に到達すると考えられる。

特許文献４には、プラズマの発生領域とＥＵＶコレクタミラーとの間にデブリシールドを設け、デブリの飛散からＥＵＶコレクタミラーを保護する技術が開示されている。

しかしながら、この技術ではＥＵＶコレクタミラーの代わりにデブリシールドがプラズマに曝されるので、デブリシールドが高速イオンによってスパッタリングされて新たなデブリが発生し、そのデブリがＥＵＶコレクタミラーに付着する可能性がある。つまり、デブリシールド自体がデブリ発生源になってしまう。さらに、デブリシールドに付着したデブリを除去するために頻繁にクリーニングを行う必要があり、メンテナンス面に問題がある。

非特許文献５には、ターゲットがリチウムである場合に、ミラーを約４００℃程度の高温に保ち、拡散効果（蒸発）でデブリの付着を防止する技術が開示されている。しかしながら、錫は粒径が大きく蒸気圧が低いために真空中で拡散させることができない。
米国特許出願公開第２００５／０２７９９４６号明細書（第１頁） 米国特許第６９８７２７９号明細書（第１頁） 特開２００６−８０２５５号公報 国際公開第２００４／０９２６９３号パンフレット（第１、１１頁、図２Ａ及び２Ｂ） F.Bi jkerk, E.Louis, M.van der Wiel, G.Turcu, G.Tallents, and D.Batani, "Performance optimization of ahigh-repetition-rate KrF laser plazma x-ray source for microlithography, "J.X-Ray Sci. Technol 3,133-135(1992) G.D.Kubiak, D.A.Tichenor, M.E.Malinowski, R.H.Stulen, S.J.Haney, K.W.Berger, L.A.Brown, J.E.Bjorkholm, R.Freeman, W.M.Mansfield, D.M.Tennant, O.R.Wood II, J.Bokor, T.E.Jewell, D.L.White, D.L.Windt, and W.K.Waskiewics, "Diffraction-limited soft x-ray projection lithography with a laser plasma source", J.Van.Sci.Technol. B9,3184-3188(1991) G.D.Kubiak, K.W.Berger, S.J.Haney, P.D.Rockett, and J.A.Hunter, "Laser plasma source for SXPL: production and mitigation of debris, " in Soft X-Ray Projection Lithography, A.Hawryluk and R.Stulen, eds., Vol.18 of OSA Proceedings Series (Optical Society of America, Washington, D.C., 1993) H.A.Bender, A.M.Eligon, D.O'Connell, and W.T.Silfvast, "Avenger velocity distribution measurements of target debris from a laser-produced plasma," in Applications of Laser Plasma Radiation, M.C.Richardson, ed., Proc.Photo-Opt.In-strum. 2015,113-117 (1994) Proc.of SPIE Vol 5751 p248-259

特許文献４で開示されたデブリシールドは頻繁なメンテナンスを必要とするため、メンテナンスコストの上昇を招く。また、メンテナンスの度に露光作業を停止させなければならないため、露光効率の低下を招く。

また、非特許文献５で開示された技術は、蒸気圧の高いリチウムをターゲットにした場合には有効であるが、蒸気圧の低い錫をターゲットにした場合には有効に作用しない。

場合にもよるが、総合的に判断すると、特許文献１〜３や非特許文献１、２で開示された技術を用いてデブリの付着を防止する方が有利であると思われる。これらの技術では粒径が大きいデブリが光学素子に付着することを防止できないという問題は残るものの、現状ではそうしたデブリの付着は許容せざるを得ない。

本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起することによって生成されるプラズマからＥＵＶ光と共に放出されるデブリが、チャンバ内に設けられた光学素子に付着し金属膜が形成されることを防止して、光学素子の耐用期間を延ばすことを解決課題とするものである。

第１発明は、
チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起することによって生成されるプラズマから極端紫外光と共に放出される飛散物が、チャンバ内に設けられた光学素子を汚染することを防止する極端紫外光源装置の光学素子汚染防止方法において、
ターゲットを固体の錫とし且つこの固体の錫の励起源をＣＯ2レーザとすることによって、プラズマから放出される飛散物の大きさをナノサイズ以下にし、
ナノサイズ以下の飛散物に、当該飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を付与すること
を特徴とする。

第２発明は、
チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起することによって生成されるプラズマから極端紫外光と共に放出される飛散物が、チャンバ内に設けられた光学素子を汚染することを防止する極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置において、
ターゲットを固体の錫とし、
固体の錫の励起源をＣＯ2レーザとし、
固体の錫をＣＯ2レーザで励起するに伴い発生するプラズマから放出されるナノサイズ以下の飛散物に、当該飛散部が光学素子に到達することを妨げる作用を付与する汚染防止手段を備えたこと
を特徴とする。

第３発明は、第２発明において、
前記汚染防止手段は、
ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる雰囲気ガスを前記チャンバ内に供給する雰囲気ガス供給手段を有すること
を特徴とする。

第４発明は、第２発明において、
前記汚染防止手段は、
ナノサイズの飛散物が当該光学素子に到達することを妨げるガスフローを前記チャンバ内に発生させるガスフロー生成手段を有すること
を特徴とする。

第５発明は、第２発明において、
前記汚染防止手段は、
前記飛散物を帯電させる帯電手段と、
帯電したナノサイズの飛散物が当該光学素子に到達することを妨げる磁場を前記チャンバ内に発生させる磁場生成手段と、を有すること
を特徴とする。

第６発明は、第２発明において、
前記汚染防止手段は、
前記飛散物を帯電させる帯電手段と、
帯電したナノサイズの飛散物が当該光学素子に到達することを妨げる電場を前記チャンバ内に発生させる電場生成手段と、を有すること
を特徴とする。

第７発明は、第２発明において、
前記汚染防止手段は、
ナノサイズの飛散物を蒸発（熱運動による拡散）させる加熱手段を有すること
を特徴とする。

本発明は極端紫外光源装置すなわちＥＵＶ光源装置において、チャンバ内で粒径の大きな飛散物すなわちデブリの動作を制御するのではなく、粒径の大きなデブリ自体の発生を防止するという観点でなされたものである。そこで、本発明は、ＥＵＶ光源装置において、ターゲットを固体の錫（Ｓｎ）とし、ターゲットの励起源をＣＯ2レーザとし、固体の錫をＣＯ2レーザから出力されるレーザビームで励起することによってプラズマから放出するデブリの大きさをナノサイズ以下にしたうえで、放出されるナノサイズのデブリに対して光学素子に到達しないような作用を付与することとしている。

本発明者らは、固体の錫をＣＯ2レーザで励起すると、プラズマから放出されるデブリの多くがサブナノ〜ナノサイズの粒子（分子・原子レベル）になることを発見した。これは従来知られていなかった現象である。マイクロサイズのデブリの動作を制御することは困難であるが、サブナノ〜ナノサイズのデブリの動作を制御することは比較的容易である。

例えば、チャンバ内に雰囲気ガスを供給してガス粒子とデブリとを衝突させる。また、チャンバ内にガスフローを発生させてデブリを吹き飛ばす。また、デブリを帯電させると共にチャンバ内に磁場や電場を発生させて帯電したデブリを磁場や電場の影響を与える。また、デブリを加熱して蒸発させる。

本発明によれば、固体の錫のターゲットをＣＯ2レーザで励起することによってプラズマから放出されるデブリをナノサイズにしている。ナノサイズのデブリの動作は比較的小さな力又はエネルギーで容易に制御できる。そこで、ナノサイズのデブリに対して光学素子に到達しないような力又はエネルギーを作用させることによって、ナノサイズのデブリがＥＵＶコレクタミラーに到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラーに金属膜が形成されなくなる。こうして光学素子の耐用期間を延ばすことが可能になる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
本発明の各実施形態を説明する前に、本発明に係るＥＵＶ光源装置の基本的な構成について、図１、図２を参照して説明する。なお、後述する全ての実施形態は、図１、図２を用いて説明する構成を有するものとする。

図１は本発明に係るＥＵＶ光源装置の基本的な構成を示す側面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図である。本発明に係るＥＵＶ光源装置は、レーザビームをターゲットに照射して励起させてＥＵＶ光を生成するレーザ励起プラズマ（ＬＰＰ）方式を採用している。

図１及び図２に示すように、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光の生成が行われる真空チャンバ１０と、ターゲット１を供給するターゲット供給装置１１と、ターゲット１に照射される励起用レーザビーム２を生成するドライバレーザ１３と、ドライバレーザ１３によって生成される励起用レーザビーム２を集光するレーザ集光光学系１４と、ターゲット１に励起用レーザビーム２が照射されることによって発生するプラズマ３から放出されるＥＵＶ光４を集光して出射するＥＵＶコレクタミラー１５と、ターゲット１を回収するターゲット回収装置１６と、ターゲット１を循環させるターゲット循環装置１７と、ＥＵＶ光源装置全体を制御する制御部３０とを備えている。

真空チャンバ１０には、励起用レーザビーム２を導入する導入窓１８と、ＥＵＶコレクタミラー１５で反射されたＥＵＶ光４を露光器に導出する導出窓１９とが設けられている。なお、露光器の内部も、真空チャンバ１０の内部と同様に、真空又は減圧状態に保たれる。ターゲット供給装置１１は、励起用レーザビーム２が照射されるターゲット１の位置を調整するための位置調整機構を含んでおり、ターゲット１の位置を調整しながら真空チャンバ１０内の所定の位置にターゲット１を供給する。

ドライバレーザ１３は、高い繰り返し周波数（例えば、パルス幅が数ｎ秒〜数十ｎ秒程度、周波数が１kHz〜１００kHz程度）でパルス発振可能なレーザビーム源である。また、レーザ集光光学系１４は、少なくとも１つのレンズ及び／又は少なくとも１つのミラーで構成される。ドライバレーザ１３から出射したレーザビーム２はレーザ集光光学系１４に入射した後に、真空チャンバ１０内の所定の位置に集光され、ターゲット１に照射される。レーザビーム２が照射されたターゲット１は一部が励起してプラズマ化し、このプラズマから様々な波長成分が放射される。

ＥＵＶコレクタミラー１５は、プラズマ３から放射される様々な波長成分の内から、所定の波長成分（例えば、１３、５nm付近のＥＵＶ光）を選択的に反射することにより集光する集光光学系である。ＥＵＶコレクタミラー１５は凹状の反射面を有しており、この反射面には、例えば、波長が１３．５nm付近のＥＵＶ光を選択的に反射するためのモリブデン（Ｍｏ）及びシリコン（Ｓｉ）の多層膜が形成されている。図１において、ＥＵＶコレクタミラー１５によりＥＵＶ光が右方向に反射され、ＥＵＶ中間集光点に集光された後、露光器に出力される。なお、ＥＵＶ光の集光光学系は、図１に示すＥＵＶコレクタミラー１５に限定されず、複数の光学部品を用いて構成しても良いが、ＥＵＶ光の吸収を抑えるために反射光学系とすることが必要である。

ターゲット回収装置１６は、励起用レーザビーム２が照射されるターゲット１の位置を調整するための位置調整機構を含んでおり、発光点を挟みターゲット供給装置１１に対向する位置に配置されている。ターゲット回収装置１６は、プラズマ化しなかったターゲットを回収する。回収されたターゲットは、ターゲット循環装置１７によって再びターゲット供給装置１１に戻し、再利用するようにしても良い。

さらに、このＥＵＶ光源装置は、プラズマ３から放出される中性粒子の量を検出するためのミラー損傷検出器２１と、プラズマ３から放出されるイオンの量を検出するためのイオン検出器２２と、ＥＵＶコレクタミラー１５を介さずに発光点におけるＥＵＶ光の強度を検出するための多層膜ミラー２３及びＥＵＶ光検出器２４とを備える。

ミラー損傷器２１は、例えば、ＱＣＭ（quartz crystal microbalance：水晶振動子質量計）によって構成される。ＱＣＭは、センサ表面に形成された金（Ａｕ）等のサンプル膜（測定用の膜）の厚さの変化を、水晶振動子の共振周波数の変化に基づいて、オングストローム以下の精度でリアルタイムに計測できるセンサである。ミラー損傷検出器２１によって検出されたサンプル膜の厚さの変化に基づいて、ＥＵＶコレクタミラーの反射面に付着した中性粒子の量（以下、「デポジション量」ともいう）を求めることができる。

イオン検出器２２は、例えば、ファラデーカップによって構成される。イオン検出器２２によって検出されたイオンの量に基づいて、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面から削り取られた多層膜の量（以下、「スパッタリング量」ともいう）を求めることができる。

多層膜ミラー２３には、例えば、１３．５nm付近の波長に対して反射率が高いモリブデン及びシリコンの多層膜が形成されている。ＥＵＶ光検出器２４は、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）フィルタ及びフォトダイオードによって構成される。ジルコニウムフィルタは、波長が２０nm以上の光をカットする。フォトダイオードは、入射した光の強度又はエネルギーに応じた検出信号を出力する。

本発明の各実施形態においては、ターゲット１として固体の錫（Ｓｎ）が用いられる。固体の錫の形態としては、ワイヤー状、テープ状、プレート状、ロッド状、球状等様々な形態が可能である。また、除熱のために心材に錫をコーティイングしたものでも良い。心材としては、例えば熱伝導性に優れる銅（熱伝導率３９０W/mk）、タングステン（熱伝導率１３０W/mk）、モリブデン（熱伝導率１４５W/mk）等や、融点の高いタングステン（融点３３８２℃）、タンタル（融点２９９６℃）、モリブデン（融点２６２２℃）等を使用することができる。あるいは、多層構造を有する材料を使用しても良い。例えば、硬質材料を切断する際に使用されるステンレスの芯線に銅及びダイヤモンドの多層コーティングを施したワイヤーなどを使用することができる。また、熱伝導性に優れたヒートパイプを使用しても良い。

さらに、本発明の各実施形態においては、ドライバレーザ１３として比較的波長の長い光を生成することができるＣＯ2レーザが用いられる。

固体の錫とＣＯ2レーザを用いるのは、固体の錫とＣＯ2レーザを組み合わせることによって、プラズマから放出されるデブリの多くがサブナノ〜ナノサイズの粒子（分子・原子レベル）になるためである。これは従来知られていなかった現象であり、本発明者らが行った下記実験によって新たに発見されたものである。

図３は本発明者らが行った実験の装置構成を示す図である。
この装置は、プレート状の錫１′と、錫１′の表面に対する鉛直方向に配置されたＴＥＡ−ＣＯ2レーザ１３′と、錫１′の表面に対する鉛直方向から約３０度傾いた方向であって錫から約１２０mmだけ離間した位置に配置された分析用のＭｏ／Ｓｉサンプルミラー１５′とを備える。本発明者らは、ＴＥＡ−ＣＯ2レーザ１３′のエネルギーを約１５〜２５mJ程度、パルス時間半値幅１０ns、集光スポットサイズ約１００μm程度において、ＥＵＶ発光が十分可能な条件のレーザビームを１５万ショット以上照射して、Ｍｏ／Ｓｉサンプルミラー１５′に付着したデブリを観察した。

図４は本発明者らが行った実験によって得られた金属膜の断面写真である。図５は真空蒸着によって得られた金属膜の断面写真であり、本実験の比較例である。
図４からは、Ｍｏ／Ｓｉサンプルミラー１５′の表面に金属膜が形成されていることを確認できる。しかしながら、図４からは、Ｍｏ／Ｓｉサンプルミラー１５′の表面に粒子が付着していることは確認できない。一方、真空蒸着によってサンプル表面に錫を付着させた場合は、図５に示すように、サンプル表面に１０μmほどの粒子が付着していることを確認できる。これらの結果から、Ｍｏ／Ｓｉサンプルミラー１５′の表面に形成される金属膜は、マイクロサイズより小さいサブナノ〜ナノサイズ程度の粒子によって構成されていると推測される。すなわち、固体の錫をＣＯ2レーザで励起した場合に、プラズマから放出されるデブリの多くはサブナノ〜ナノサイズ程度であると推測される。

粒径が小さいデブリは粒径が大きいデブリよりも質量が小さく運動エネルギーも小さい。また後述するが、粒径が小さいデブリは粒径が大きいデブリよりも帯電させやすい。つまり、固体の錫をＣＯ2レーザで励起することによってデブリをナノサイズにしたうえで、デブリが光学素子に到達することを妨げる作用を付与すれば、光学素子の汚染を効果的に防止できるようになる。以下で、ナノサイズのデブリが光学素子に到達することを妨げる作用について、具体的な実施形態を説明する。

図６は第１実施形態の構成を示す側面図である。図７は図６のＡ−Ａ断面図である。なお、図６、図７において、図１、図２と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態では、ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を、雰囲気ガスを利用することによって実現している。すなわち、真空チャンバの内部に雰囲気ガスを供給し、雰囲気ガスの粒子をデブリと衝突させてデブリの運動エネルギーを低減させている。

真空チャンバ１０にはバッファガス供給装置４１と真空ポンプ４２が接続される。バッファガス供給装置４１は、真空チャンバ１０の内部に所望の量の雰囲気ガス（バッファガス）を供給する。また、バッファガス供給装置４１は、マスフローなどの流量制御部を備えており、この流量制御部は、真空チャンバ１０の内部を所望の真空度に保つようにバッファガスの流量を制御する。バッファガスの種類としては、ＥＵＶ光の吸収が少ないＨｅ、Ａｒ、Ｋｒなどが考えられるが、その他のガスであっても良い。真空ポンプ４２は、真空チャンバ１０を常時真空引きしており、バッファガスと共にデブリを回収している。例えば、Ａｒガスを用いてＥＵＶ光の伝播距離１m、ＥＵＶ光の吸収を１０％以下にしたい場合は、真空チャンバ１０の内部は２〜３Pa程度にされる。

本実施形態によると、プラズマ３からＥＵＶコレクタミラー１５に向けて飛来するナノサイズのデブリは、バッファガスのガス粒子と衝突することによって運動エネルギーを低下させ、最終的にはバッファガスと共に真空ポンプ４２に吸引される。したがって、デブリがＥＵＶコレクタミラー１５に到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５に金属膜が形成されなくなる。

図８は第２実施形態の構成を示す図である。なお、図８において、図１、図２と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態では、ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を、ガスフローを利用することによって実現している。すなわち、プラズマの発生領域と光学素子との間にガスフローを発生させて、光学素子に向けて飛散するデブリを吹き飛ばしている。

真空チャンバ１０にはガスフロー供給装置５１と真空ポンプ４２が接続される。ガスフロー供給装置５１にはガス管５２接続されており、ガス管５２の放出端は、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面近傍に設けられる。ガス管５２の放出端は、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面全面がガスフローで覆われるように、複数箇所に設けられている方が望ましい。また、放出端を動作させてガスフローの向きを変更する駆動装置を設けても良い。ガスフロー供給装置５１からガスが供給されると、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面に沿ってガスフローが発生する。ガスフロー供給装置５１は実質的にバッファガス供給装置４１と同等でよいが、ガスの噴射圧は、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面に到達しようとするナノサイズのデブリを吹き飛ばす程度である必要がある。ガスの種類としては、第１の実施形態と同様にＥＵＶ光の吸収が少ないＨｅ、Ａｒ、Ｋｒなどが考えられるが、その他のガスであっても良い。

本実施形態によると、プラズマ３からＥＵＶコレクタミラー１５に向けて飛来するナノサイズのデブリは、ＥＵＶコレクトミラー１５の反射面に沿って流れるガスフローによって、ＥＵＶコレクトミラー１５の反射面近傍から吹き飛ばされる。したがって、デブリがＥＵＶコレクタミラー１５に到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５に金属膜が形成されなくなる。

本実施形態ではＥＵＶコレクタミラー１５の近傍にガスフローを発生させているが、真空チャンバ１０の内部に設けられた他の光学素子又は光学素子を備えた機器、例えば、導入窓１８や導出窓１９やミラー損傷検出器２１やイオン検出器２２や多層膜ミラー２３やＥＵＶ光検出器２４などの表面近傍にガス管５２の放出端を設け、各光学素子の近傍にガスフローを発生させても良い。

なお、ガスフロー供給装置５１から供給されるガス流量を制御しつつ、真空チャンバ１０の内部にガスを充満させれば、第１実施形態と同様の作用も得ることが可能である。

次に、磁場や電場でデブリを偏向する実施形態を説明するが、各実施形態を説明する前に、粒径と偏向効果との関係について考察する。

例えば、粒子に帯電させる場合に、帯電量の上限値はレーリーの式
Ｑ＝（６４π²ε₀ｒ³σ）^1/2 …（１）
で決定される。ε₀は誘電率、ｒは粒径、σは表面張力である。
また粒子の質量は式
Ｍ＝４／３ｒ³ρ …（２）
で決定される。ρは物質の密度である。

（１）式より、帯電量Ｑは粒子半径ｒの３／２乗に比例し、（２）式より、質量Ｍは粒子半径ｒの３乗に比例する。したがって、粒子半径が大きくなるほど単位質量に対する帯電量（帯電量／質量）は減少することになる。つまり、粒径が大きくなるほど帯電粒子の電界（電場）による偏向効果が少なくなる。

以下で、上記の上限の帯電量まで帯電した錫の粒子を対象として、粒径毎に偏向の程度（偏向距離）がどのように変化するか具体的な計算データを揚げて検討する。

図９に示すように、互いに対向する一対の偏向電極Ｅ1、Ｅ2間に、粒子状の錫Ｓｎを通過させた際に、偏向電極Ｅ1、Ｅ2間に発生する電界によって計測位置Ｍの位置までに錫Ｓｎがどの程度偏向したかを計算する。偏向電極Ｅ1、Ｅ2の長手方向をｘ方向とし、電極Ｅ1、Ｅ2の対向方向をｙ方向とする。また、錫Ｓｎの初期速度のうちｘ成分ｖｘ0＝０m/s、ｙ成分ｖｙ0＝１５m/s、偏向電極Ｅ1、Ｅ2の長手方向の電極長ｌ＝２０mm、偏向電極Ｅ1、Ｅ2の間隔ｄ＝１０mm、偏向電極Ｅ1、Ｅ2の端部から計測位置Ｍまでの距離Ｌ＝５０mm、偏向電圧Ｖ＝１００Vとした場合に、粒径１μm、１０μm、１００μmの錫Ｓｎの偏向距離は図１０のようになる。

図１０によると、粒径が１μmの錫Ｓｎは計測位置Ｍでｙ方向に約２９０mm偏向（移動）しているのに対して、粒径が１０μmの錫Ｓｎは計測位置Ｍでｙ方向に約９mmしか偏向せず、粒径が１００μmの錫Ｓｎに至っては計測位置Ｍでｙ方向に約０．３mmしか偏向していない。このデータから、粒径が大きくなるに伴い単位質量に対する帯電量（帯電量／質量）が小さくなり、偏向距離が小さくなっていることが判る。このデータではマイクロサイズの粒子の偏向距離について検証したが、ナノサイズの粒子になれば１μmの錫Ｓｎの偏向距離よりも更に大きくなる。例えば直径１０nmの粒子の場合について同様に計算を行うと、計測位置での偏向距離は１．４×１０¹¹mmと桁違いに大きくなる。以下では、ナノサイズのデブリを帯電させて電場や磁場を作用させる実施形態について説明する。

図１１は第３実施形態の構成を示す側面図である。図１２は図１１のＡ−Ａ断面図である。なお、図１１、図１２において、図１、図２と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。なお、図１１においては紙面の都合上、図１に示されたイオン検出器２２、多層膜ミラー２３、ＥＵＶ光検出器２４の図示が省略されている。
本実施形態では、ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を、磁場を利用することによって実現している。すなわち、デブリを帯電させると共に、プラズマの発生領域と光学素子との間に磁場を発生させて、光学素子に向けて飛散するデブリを偏向する。

真空チャンバ１０の内部には、プラズマ３の発生領域に磁場を発生させる電磁石コイル６１、６２と、レーザビームによって生成されるプラズマ３とは異なるプラズマをプラズマ３の発生領域に生成するプラズマ用電極６４、６５が設けられる。また、図１に示された制御部３０の機能に電磁石の制御機能を加えた制御部３０ａが設けられる。

電磁石コイル６１、６２は、ターゲット１の発光点を挟んで互いに対向して設けられており、それぞれ電磁石電源６３に電気的に接続されている。電磁石電源６３は、制御部３０ａの指令に応じて電磁石コイル６１、６２を励磁する。制御部３０ａは所望の磁場がプラズマ３の発生領域に発生するように、電磁石電源６３を制御する。電磁石コイル６１、６２に代えて、永久磁石や超電導マグネットを設けても良い。

プラズマ用電極６４、６５はターゲット１の発光点を挟んで互いに対向して設けられており、プラズマ用電極は６４ＲＦ電源６６に電気的に接続され、プラズマ用電極６５はアースに接続されている。ＲＦ電源６６は、プラズマ用電極６４とプラズマ用電源６５との間に高電圧を印加する。本実施形態のプラズマ用電極６４、６５及びＲＦ電源６５はＣＣＰ（capacitively coupled plasma：容量結合型プラズマ）方式であるが、他の方式でプラズマを生成する構成を採用しても良い。例えば、ＥＣＲ（electron cyclotron resonance plasma：電子サイクロトロン共鳴プラズマ）、ＨＷＰ（helicon wave plasma：ヘリコン波励起プラズマ）、ＩＣＰ（inductively coupled plasma：誘導結合型プラズマ）、ＳＷＰ（surface wave plasma：マイクロ波励起表面波プラズマ）等の方式を採用することも可能である。

制御部３０ａは、ドライバレーザ１３がレーザビームを照射するタイミングや、ターゲット供給装置１１がターゲット１を供給するタイミングや、電磁石電源６３が電磁石コイル６１、６２に電流を流すタイミングを制御する。

なお所望の位置に、プラズマ３の発生領域に電子を供給する電子供給装置６７を設けても良い。電子供給装置６７によれば、プラズマ用電極６４、６５によるデブリのイオン化効率を向上させることができる。電子供給装置としては、例えば電子銃を用いることができる。また電子供給装置６７に代えて、紫外線電離器を設けても良い。

本実施形態によると、プラズマ３からＥＵＶコレクタミラー１５に向けて飛来するナノサイズのデブリは、プラズマ用電極６４、６５によって生成されたプラズマによって帯電（イオン化）する。こうしてイオン化したデブリは、電磁石コイル６１、６２間に発生する非対称の磁場による作用を受けて磁力線方向に偏向する。したがって、デブリがＥＵＶコレクタミラー１５に到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５に金属膜が形成されなくなる。

図１３は第４実施形態の構成を示す図である。なお、図１３において、図１、図２及び図１１、図１２と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。なお、図１３においては紙面の都合上、図１に示されたイオン検出器２２、多層膜ミラー２３、ＥＵＶ光検出器２４の図示が省略されている。
本実施形態と第３実施形態とが異なるのは、デブリの帯電手段のみである。本実施形態では、第３実施形態と同様に、ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を、磁場を利用することによって実現している。すなわち、デブリを帯電させると共に、プラズマの発生領域と光学素子との間に磁場を発生させて、光学素子に向けて飛散するデブリを偏向する。

第３の実施形態では、プラズマ３の発生領域にＣＣＰ方式などのプラズマを発生させてデブリを帯電させているが、本実施形態では、プラズマ３の発生領域に電子供給装置６７によって電子ビームを照射して、デブリを帯電させる。電子ビームの照射によって電子が付着するかあるいは二次電子の放出が誘発されるため、デブリを帯電させることができる。電子供給装置６７としては、例えば、電子銃が使用される。電子銃には熱電子放射型や電界放射型があるが、何れを用いても良い。

本実施形態によると、プラズマ３からＥＵＶコレクタミラー１５に向けて飛来するナノサイズのデブリは、電子供給装置６７によって照射された電子ビームによって帯電（イオン化）する。こうしてイオン化したデブリは、電磁石コイル６１、６２間に発生する非対称の磁場の影響を受け、磁力線方向に偏向する。したがって、デブリがＥＵＶコレクタミラー１５に到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５に金属膜が形成されなくなる。

図１４は第５実施形態の構成を示す側面図である。図１５は図１４のＡ−Ａ断面図である。なお、図１４、図１５において、図１、図２及び図１１、図１２と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態では、ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を、電場を利用することによって実現している。すなわち、デブリを帯電させると共に、プラズマの発生領域と光学素子との間に電場を発生させて、光学素子に向けて飛散するデブリを偏向する。

真空チャンバ１０の内部には、ＥＵＶコレクトミラー１５の反射面近傍に電場を発生させるグリッド電極７１と、レーザビームによって生成されるプラズマ３とは異なるプラズマをプラズマ３の発生領域に生成するプラズマ用電極６４、６５が設けられる。また、第３の実施形態と同様に、所望の位置に、プラズマ３の発生領域に電子を供給する電子供給装置６７を設けても良い。

グリッド電極７１は、ＥＵＶコレクタミラー１５とプラズマ３の発生領域との間に、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面に対向するようにして設けられている。グリッド電極７１は、格子状であるためＥＵＶ光の妨げにはならない。直流電源７２のプラス側がグリッド電極７１に接続され、直流電源７２のマイナス側がＥＵＶコレクタミラー１５に接続されている。この構成によって、ＥＵＶコレクタミラー１５とグリッド電極７１との間に電場が発生する。また、プラズマから発生するイオンからミラーを保護するめに、プラズマ用電極６４、６５によって中性粒子をプラスに帯電させることが望ましい。但し、中性粒子の発生状況によって、プラスに帯電させることができない場合は、中性粒子対策として電界の極性を反対にすればよい。

本実施形態によると、プラズマ３からＥＵＶコレクタミラー１５に向けて飛来するナノサイズのデブリは、プラズマ用電極６４、６５によって生成されたプラズマによって帯電（イオン化）する。こうしてイオン化したデブリは、ＥＵＶコレクタミラー１５とグリッド電極７１との間に発生する電場の影響を受け、反発する。したがって、デブリがＥＵＶコレクタミラー１５に到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５に金属膜が形成されなくなる。

本実施形態ではＥＵＶコレクタミラー１５の近傍に電場を発生させているが、真空チャンバ１０の内部に設けられた他の光学素子又は光学素子を備えた機器、例えば、導入窓１８や導出窓１９やミラー損傷検出器２１やイオン検出器２２や多層膜ミラー２３やＥＵＶ光検出器２４などの表面近傍にグリッド電極を設けて、本実施形態と同じ様な電場を発生させても良い。

また、ＥＵＶコレクタミラー１５自体を電極にするのではなく、ＥＵＶコレクタミラー１５の近傍に他の電極を設けても良い。

図１６は第６実施形態の構成を示す図である。なお、図１６において、図１、図２及び図１４、図１５と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態と第５実施形態とが異なるのは、デブリの帯電手段のみである。本実施形態では、第５実施形態と同様に、ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を、電場を利用することによって実現している。すなわち、デブリを帯電させると共に、プラズマの発生領域と光学素子との間に電場を発生させて、光学素子に向けて飛散するデブリを偏向する。

第５の実施形態では、プラズマ３の発生領域にＣＣＰ方式などのプラズマを発生させてデブリを帯電させているが、本実施形態では、プラズマ３の発生領域に電子供給装置６７によって電子ビームを照射して、デブリを帯電させる。電子ビームの照射によって電子が付着するかあるいは二次電子の放出が誘発されるため、デブリを帯電させることができる。電子供給装置６７としては、例えば、電子銃が使用される。電子銃には熱電子放射型や電界放射型があるが、何れを用いても良い。

本実施形態によると、プラズマ３からＥＵＶコレクタミラー１５に向けて飛来するナノサイズのデブリは、電子供給装置６７によって照射された電子ビームによって帯電（イオン化）する。こうしてイオン化したデブリは、ＥＵＶコレクタミラー１５とグリッド電極７１との間に発生する電場の影響を受け、反発する。したがって、デブリがＥＵＶコレクタミラー１５に到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５に金属膜が形成されなくなる。

図１７は第７実施形態の構成を示す図である。なお、図１７において、図１、図２及び図１３、図１４と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態では、ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を、電場を利用することによって実現している。すなわち、デブリを帯電させると共に、プラズマの発生領域と光学素子との間に電場を発生させて、光学素子に向けて飛散するデブリを偏向する。

真空チャンバ１０の内部には、プラズマ３の発生領域に電場を発生させる一対の偏向電極８１、８２と、レーザビームによって生成されるプラズマ３とは異なるプラズマをプラズマ３の発生領域に生成するプラズマ用電極６４、６５が設けられる。また、第５の実施形態と同様に、所望の位置に、プラズマ３の発生領域に電子を供給する電子供給装置６７を設けても良い。

偏向電極８１、８２は、ターゲット１の発光点を挟んで互いに対向して設けられており、電界の方向がＥＵＶコレクタミラー１５の反射面と略平行になるように配置される。偏向電極８１、８２の材料としては、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）を用いることが望ましい。偏向電極８１、８２はそれぞれ直流電源８３に電気的に接続されている。この構成によって、偏向電極８１、８２の間に電場が発生する。

本実施形態によると、プラズマ３からＥＵＶコレクタミラー１５に向けて飛来するナノサイズのデブリは、プラズマ用電極６４、６５によって生成されたプラズマによって帯電（イオン化）する。こうしてイオン化したデブリは、偏向電極８１、８２の間に発生する電場の影響を受け偏向する。したがって、デブリがＥＵＶコレクタミラー１５に到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５に金属膜が形成されなくなる。

図１８は第８実施形態の構成を示す図である。なお、図１７において、図１、図２と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態では、ナノサイズの飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を、拡散効果（蒸発）を利用することによって実現している。すなわち、光学素子に向けて飛散するデブリを加熱して蒸発させる。

ＥＵＶコレクタミラー１５にはミラー加熱装置９１が接続されている。ミラー加熱装置９１はＥＵＶコレクタミラー１５が所望温度になるように温度制御する。ナノサイズのデブリを蒸発させるには、ＥＵＶコレクタミラー１５を約４００℃程度に保つことが望ましい。なお、ＥＵＶコレクタミラー１５を加熱するのではなく、他の加熱部材を真空チャンバ１０の内部に設けても良い。

本実施形態によると、プラズマ３からＥＵＶコレクタミラー１５に向けて飛来するナノサイズのデブリは、ＥＵＶコレクタミラー１５の近傍で加熱され、蒸発する。したがって、デブリがＥＵＶコレクタミラー１５に到達することは殆どなくなり、その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５に金属膜が形成されなくなる。

以上説明した第１〜第８実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

また、各実施形態はＥＵＶコレクタミラーだけではなく、真空チャンバ内の各光学素子に適用可能である。例えば、センサ類の光学素子に適用すれば、デブリの付着に起因する感度の低下を防止できる。

本発明に係るＥＵＶ光源装置の基本的な構成を示す側面図。 図１のＡ−Ａ断面図。 本発明者らが行った実験の装置構成を示す図。 本発明者らが行った実験によって得られた金属膜の断面写真。 真空蒸着によって得られた金属膜の断面写真。 第１実施形態の構成を示す側面図。 図６のＡ−Ａ断面図。 第２実施形態の構成を示す図。 粒径毎に偏向の程度（偏向距離）がどのように変化するかを調べる装置を示す図。 粒径毎に偏向の程度（偏向距離）がどのように変化するかの結果を示す図。 第３実施形態の構成を示す側面図。 図１１のＡ−Ａ断面図。 第４実施形態の構成を示す図。 第５実施形態の構成を示す側面図。 図１４のＡ−Ａ断面図。 第６実施形態の構成を示す図。 第７実施形態の構成を示す図。 第８実施形態の構成を示す図。

符号の説明

１…ターゲット（固体の錫）、２…レーザビーム、３…プラズマ、４…ＥＵＶ光、
１０…真空チャンバ、１３…ドライバレーザ（ＣＯ2レーザ）、
１５…ＥＵＶコレクタミラー、１８…導入窓、１９…導出窓、
２１…ミラー損傷検出器、２２…イオン検出器、
２３…多層膜ミラー、２４…ＥＵＶ光検出器

Claims (8)

1. チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起する極端紫外光源装置であって、
   ターゲットを錫とし、 当該錫の励起源をＣＯ2レーザとし、前記チャンバ内にガスフロー生成手段を有し、当該ガスフロー生成手段の前記ガス放出端は、前記光学素子の表面近傍に配置され、
   前記ガス放出端からガスが放出される向きは、前記光学素子の表面の面方向に沿って、ガスフローが発生する向きに設定され、
   前記ガス放出端は、前記光学素子の周囲の複数箇所に設けられ、
   前記複数箇所に設けられたガス放出端は、当該光学素子の内側に向けて開口していること
   を特徴とする極端紫外光源装置。
2. 前記光学素子は、前記プラズマから放出される極端紫外光を集光するコレクタミラーであること
   を特徴とする請求項１記載の極端紫外光源装置。
3. 前記チャンバの内部を２〜３Ｐａの真空度に保つように前記ガス放出端から放出されるガスの流量を制御する流量制御手段を更に備えたこと を特徴とする請求項１または２に記載の極端紫外光源装置。
4. チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起することによって生成されるプラズマから極端紫外光と共に放出される飛散物が、チャンバ内に設けられた光学素子を汚染することを防止する極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置において、
   ターゲットを錫とし、
   当該錫の励起源をＣＯ2レーザとし、
   前記錫をＣＯ2レーザで励起するに伴い発生するプラズマから放出される飛散物に、当該飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を付与する汚染防止手段を備え、
   当該汚染防止手段は、
   前記光学素子と前記プラズマの発生領域との間にあって、前記光学素子の表面に対向するように設けられ、前記光学素子と前記プラズマ発生領域との間に電場を発生させるグリッド電極と、
   前記レーザビームによって生成されるプラズマとは異なるプラズマを、前記プラズマ発生領域に生成するプラズマ用電極と
   を含み、
   前記飛散物を、前記プラズマ用電極によって生成されたプラズマによって帯電させ、イオン化された飛散物に対して、前記光学素子と前記プラズマ発生領域との間に発生した電場を、前記光学素子の表面に対して反発させる向きに作用させること
   を特徴とする極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置。
5. 前記光学素子は、前記プラズマから放出される極端紫外光を集光するコレクタミラーであり、
   直流電源のプラス側が前記グリッド電極に接続され、前記直流電源のマイナス側が前記コレクタミラーに接続され、
   イオン化された飛散物に対して、前記コレクタミラーと前記プラズマ発生領域との間に発生した電場を、前記コレクタミラーの反射面に対して反発させる向きに作用させること
   を特徴とする請求項４記載の極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置。
6. 前記プラズマ発生領域に電子を供給する電子供給手段を更に備えたこと
   を特徴とする請求項４または５に記載の極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置。
7. チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起することによって生成されるプラズマから極端紫外光と共に放出される飛散物が、チャンバ内に設けられた光学素子を汚染することを防止する極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置において、
   ターゲットを錫とし、
   当該錫の励起源をＣＯ2レーザとし、
   前記錫をＣＯ2レーザで励起するに伴い発生するプラズマから放出される飛散物に、当該飛散物が光学素子に到達することを妨げる作用を付与する汚染防止手段を備え、
   当該汚染防止手段は、
   前記光学素子と前記プラズマの発生領域との間にあって、前記光学素子の表面に対向するように設けられ、前記光学素子と前記プラズマ発生領域との間に電場を発生させるグリッド電極と、
   前記プラズマ発生領域に電子ビームを照射して、前記飛散物を帯電させる電子供給手段と
   を含み、
   前記電子ビームの照射により帯電され、イオン化された飛散物に対して、前記光学素子と前記プラズマ発生領域との間に発生した電場を、前記光学素子の表面に対して反発させる向きに作用させること
   を特徴とする極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置。
8. 前記光学素子は、前記プラズマから放出される極端紫外光を集光するコレクタミラーであり、
   直流電源のプラス側が前記グリッド電極に接続され、前記直流電源のマイナス側が前記コレクタミラーに接続され、
   イオン化された飛散物に対して、前記コレクタミラーと前記プラズマ発生領域との間に発生した電場を、前記コレクタミラーの反射面に対して反発させる向きに作用させること
   を特徴とする請求項７記載の極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置。

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