JP2021043402A - 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶ集光ミラーの表面へのイオンの到達に起因した集光パターンの対称性の悪化を防止するＥＵＶ光生成装置を提供する。【解決手段】チャンバ２と、チャンバ内に供給されたターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマから放射されるＥＵＶ光を集光するミラー２３と、チャンバ内におけるプラズマの生成領域とミラーとの間に磁場を形成するようにチャンバの外部に配置された電磁石９０、９１と、電磁石に流れる電流の方向を反転させる電流反転装置５１と、定められた条件を満たした場合に、電流の方向を反転させるように電流反転装置を制御するコントローラ５２と、を備える。【選択図】図５

Description

本開示は、極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置の開発が進んでいる。

米国特許第7251012号 米国特許第5680429号 米国特許第8399867号

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内に供給されたターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマから放射される極端紫外光を集光するミラーと、チャンバ内におけるプラズマの生成領域とミラーとの間に磁場を形成するようにチャンバの外部に配置された電磁石と、電磁石に流れる電流の方向を反転させる電流反転装置と、定められた条件を満たした場合に、電流の方向を反転させるように電流反転装置を制御するコントローラと、を備える。

本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内に供給されたターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマから放射される極端紫外光を集光するミラーと、チャンバ内におけるプラズマの生成領域とミラーとの間に磁場を形成するようにチャンバの外部に配置された電磁石と、電磁石に流れる電流の方向を反転させる電流反転装置と、定められた条件を満たした場合に、電流の方向を反転させるように電流反転装置を制御するコントローラと、を備える極端紫外光生成装置を用いて極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す断面図である。 図３は、図２中の３−３線における断面図である。 図４は、図２中の矢印Ｆ方向にＥＵＶ集光ミラーの表面を見た場合のミラー表面におけるイオン分布のシミュレーション結果を示す。 図５は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図６は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置のコントローラによる制御例を示すフローチャートである。 図７は、図５中の７−７線における断面図であり、電流方向が第１の方向である場合を示す。 図８は、図５に示す構成において電流方向を反転させた場合の図７に代わる断面図であり、電流方向が第２の方向である場合を示す。 図９は、電流方向が第２の方向である場合の図５中の矢印Ｆ方向にＥＵＶ集光ミラーの表面を見た場合のミラー表面におけるイオン分布のシミュレーション結果を示す。 図１０は、図４に示すイオン分布と図９に示すイオン分布とを重ね合わせて得られるイオン分布のシミュレーション結果を示す。 図１１は、イベント情報と反転条件とに基づいて電流方向を反転させる制御を行う場合のフローチャートである。 図１２は、図１１のステップＳ５７に適用されるイベント情報取得処理の第１例を示すフローチャートである。 図１３は、図１１のステップＳ５７に適用されるイベント情報取得処理の第２例を示すフローチャートである。 図１４は、ＥＵＶ光のファーフィールドパターンを取得する構成を含むＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。 図１５は、図１１のステップＳ５７に適用されるイベント情報取得処理の第３例を示すフローチャートである。 図１６は、規定時間の停止を伴うメンテナンスを実施した場合に電流方向を反転させる制御を行う場合のフローチャートである。 図１７は、複数条件のＡＮＤ（論理積）を用いて反転条件の判定を行うことにより電流反転制御を行う場合のフローチャートである。 ＥＵＶ光生成装置と接続された露光装置の構成を概略的に示す。

実施形態

−目次−
１．用語の説明
２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用・効果
４．課題
５．実施形態１
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．電流反転制御の具体例
６．１ メインルーチン
６．２ ショット数に基づく制御の例
６．３ ＥＵＶエネルギ積算値に基づく制御の例
６．４ ファーフィールドパターンの対称性評価値に基づく制御の例
６．４．１ ファーフィールドパターンを取得する構成
６．４．２ 動作
６．４．３ 変形例
６．４．４ 制御フロー
６．５ 規定時間の停止を伴うメンテナンスを実施した場合に電流方向を反転させる例
６．６ 複数条件の組み合わせに基づく制御の例
６．７ 他の反転条件について
７．ＥＵＶ光生成装置を用いた電子デバイスの製造方法の例
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．用語の説明
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。ターゲットは、プラズマの発生源となる。

「ドロップレット」は、チャンバ内に供給されたターゲットの一形態である。ドロップレットは、溶融したターゲット物質の表面張力によってほぼ球状となった滴状のターゲットを意味し得る。

「プラズマ生成領域」は、チャンバ内におけるプラズマの生成領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に供給されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。

「浮遊物質」は、チャンバ内にて浮遊する物質である。浮遊する物質には、ターゲットにレーザ光が照射されて発生するデブリ、チャンバ内に供給されるエッチングガス、デブリとエッチングガスとの反応生成物のうち、少なくとも１つが含まれてもよい。

「デブリ」は、ターゲットにレーザ光が照射されて発生するイオン、原子、エッチングガスとの衝突により中性化されたイオン、フラグメント等が、少なくとも含まれてよい。

「反応生成物」は、イオンとエッチングガスとの反応により生成される生成物、ターゲット原子やフラグメント等とエッチングガスとの反応により生成される生成物のうち、少なくとも１つを含んでよい。

「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。

「レーザ光」は、パルスレーザ光に限らずレーザ光一般を意味し得る。

「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれる。

「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。「極端紫外光生成装置」は「ＥＵＶ光生成装置」と表記される。

２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
２．１ 構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられる。ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。

ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含む。チャンバ２は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部２６は、ターゲット物質をチャンバ２の内部に供給するように構成され、例えばチャンバ２の壁を貫通するように取り付けられる。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウインドウ２１によって塞がれ、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光ＰＬ２が透過する。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ：Intermediate Focusing point）２９２に位置するように配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられ、貫通孔２４をパルスレーザ光ＰＬ３が通過する。

ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４及びＥＵＶ光生成制御部５等を含む。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌道、位置、及び速度のうちいずれか、又は複数を検出するように構成される。ターゲットセンサ４は、撮像機能を備えてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９の内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が備えられる。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置される。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、ビーム伝送装置３４、レーザ光集光ミラー２２、及びターゲット２７を回収するターゲット回収部２８等を含む。ビーム伝送装置３４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータと、を備える。ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたターゲット２７が進行する方向の延長線上に配置される。

２．２動作
図１を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。チャンバ２の内部は大気圧よりも低圧に保持され、好ましくは真空であってよい。あるいは、チャンバ２の内部にはＥＵＶ光の透過率が高いガスが存在する。チャンバ２の内部に存在するガスは、例えば、水素ガスであってよい。

レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光ＰＬ１は、ビーム伝送装置３４を経てパルスレーザ光ＰＬ２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光ＰＬ２は、少なくとも１つのレーザ光路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光ＰＬ３として少なくとも１つのターゲット２７に照射される。

ターゲット供給部２６は、ターゲット物質によって形成されたターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するように構成される。ターゲット供給部２６は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレットを形成する。

ターゲット２７には、パルスレーザ光ＰＬ３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光ＰＬ３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が生成される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光ＰＬ３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するように構成される。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４の検出結果を処理する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光ＰＬ２の進行方向、パルスレーザ光ＰＬ３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加される。

ＥＵＶ光生成制御部５及び露光装置６の制御部等の制御装置は、１台又は複数台のコンピュータのハードウェア及びソフトウェアの組み合わせによって実現することが可能である。ソフトウェアはプログラムと同義である。プログラマブルコントローラやシーケンサはコンピュータの概念に含まれる。

また、複数の制御装置の機能を１台の制御装置で実現することも可能である。さらに本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５及び露光装置６の制御部等は、ローカルエリアネットワークやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムユニットは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

３．比較例に係るＥＵＶ光生成装置の説明
３．１ 構成
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１の構成を示す断面図である。図３は、図２中の３−３線における断面図である。

図２では、ＥＵＶ集光ミラー２３の第１の焦点と第２の焦点（中間集光点２９２）とを通る光路軸をＺ軸とする。Ｚ軸方向は、チャンバ２から露光装置６へＥＵＶ光２５２が出力される方向である。また、ターゲット供給部２６のノズル孔とプラズマ生成領域２５とを通る軸をＹ軸とする。Ｙ軸方向は、ターゲット供給部２６がプラズマ生成領域２５に向けてターゲット２７を出力する方向であり、図２の紙面に直交する方向である。ターゲット供給部２６から出力されたターゲット２７は図２の紙面手前側から奥側に向かって進行する。Ｙ軸及びＺ軸に直交する軸をＸ軸とする。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の直交座標系の原点はＥＵＶ集光ミラー２３の第１の焦点とする。

チャンバ２は、ガス供給部７０と、排気部８０と、を備える。ガス供給部７０は、ガス導入ポート７１と、ガス供給コーン７３と、を備える。ガス導入ポート７１の一端は、不図示のエッチングガス供給源に接続される。ガス導入ポート７１の他端は、ガス供給コーン７３の内部に連通している。

ガス供給コーン７３は、レーザ光が透過する入射ウインドウ７４を囲んで保持するホルダ構成を含む。入射ウインドウ７４は、図１で説明したウインドウ２１であってもよい。ガス供給コーン７３は、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４から突出したコーン開口部７３Ａを備える。コーン開口部７３Ａは、プラズマ生成領域２５に向くように開口している。

チャンバ２の外部には、２つのコイル状の電磁石９０，９１が配置される。電磁石９０，９１のそれぞれは、トーラス形状のコアにコイルを巻き付けて形成されてもよい。電磁石９０，９１は、プラズマ生成領域２５を挟んでミラー磁場を発生させるように対向配置されている。電磁石９０，９１によって形成される磁場の中心軸を磁場中心軸ＢＣという。磁場中心軸ＢＣはＸ軸であってもよい。電磁石９０，９１は、例えば超電導磁石であってもよい。電磁石９０，９１が超電導磁石である場合、電磁石９０，９１は冷凍装置９４によって冷却される。冷凍装置９４は、低温冷媒を電磁石９０，９１に供給する冷媒循環装置であってもよい。

排気部８０は、排気ポート８１と、排気管８２と、排気装置８３と、を含む。排気ポート８１は、チャンバ２の内壁面に設けられた開口であって、磁場中心軸ＢＣがチャンバ２の内壁を横切る位置に設けられている。磁場中心軸ＢＣがチャンバ２の内壁を横切る位置は２カ所である。排気ポート８１は、磁場が収束する位置付近に設けられる。排気ポート８１の開口面積は、イオンの収束径よりも大きな面積である。排気ポート８１の開口形状は、図３に示すように円形であってもよいし、他の形状でもよい。

排気管８２はチャンバ２と電磁石９０，９１との間に配置される。排気管８２は排気ポート８１と排気装置８３とに接続される。チャンバ２は、排気ポート８１及び排気管８２を介して排気装置８３に接続される。

排気装置８３は、吸引動作によりチャンバ２内のガスを排気する。すなわち、排気装置８３は、チャンバ２内のガスを吸引するとともに、ガス中に含まれる浮遊物質をチャンバ２外へ排出する。排気管８２は、排気装置８３の吸引動作により、チャンバ２内のガスを排気装置８３へ流通させて、ガス中に含まれる浮遊物質Ｐを排気装置８３へ排出し得る。

排気管８２及び排気装置８３の少なくとも一方に、不図示の微粒子トラップを備えてもよい。また、排気装置８３の端部には不図示の除害装置が設けられる。

ＥＵＶ光生成装置１は、電流制御装置５０と、コントローラ５２と、を備える。電流制御装置５０は、電磁石９０，９１に流す電流を所定の電流値に制御する。電流制御装置５０は、例えば、図３の白抜き矢印が示す方向（図３において時計回り方向）に所定値の電流を流す。電磁石９０，９１に流す電流は直流電流である。図２中の黒丸を円で囲んだ記号は、紙面の奥側から手前側に向かって電流が流れることを表している。図２中の「×」印を円で囲んだ記号は、紙面の手前側から奥側に向かって電流が流れることを表している。

コントローラ５２は、電流制御装置５０や冷凍装置９４を制御する。コントローラ５２は、レーザ装置３や排気装置８３等、ＥＵＶ光生成装置１の他の動作を制御してもよい。すなわち、コントローラ５２は、ＥＵＶ光生成制御部５の一部又は全部であってもよい。

３．２ 動作
図２及び図３に示すＥＵＶ光生成装置１の動作について説明する。電磁石９０，９１はチャンバ２内のプラズマ生成領域２５の周囲にミラー磁場を形成する。電磁石９０，９１によって形成される磁場の磁力線ＭＬは、電磁石９０，９１付近で収束する。

チャンバ２内においてプラズマから飛散するイオンは、ローレンツ力による螺旋運動を行いながら、磁力線ＭＬに沿って進行し、チャンバ２内のエッチングガスによって減速及び中性化され、微粒子デブリとなる。

ガス供給部７０は、ガス導入ポート７１を介してチャンバ２内にエッチングガスを供給する。エッチングガスの一部は、ガス導入ポート７１を介してガス供給コーン７３内部を通りチャンバ２内に供給される。ガス供給コーン７３から供給されるエッチングガスの運動量によって、プラズマ生成領域２５から飛散するデブリ等の入射ウインドウ７４への付着が抑制される。さらに、入射ウインドウ７４に付着してしまったデブリは、エッチングガスと反応して常温で気体の反応生成物を生成する。また、エッチングガスの一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に付着したデブリと反応して常温で気体の反応生成物を生成する。例えば、ターゲット物質がＳｎ（スズ）、エッチングガスがＨ_２（水素）である場合、反応生成物はＳｎＨ_４（スタナン）である。ＳｎＨ_４は常温で気体であるため、排気ポート８１を通じて排気することが可能である。

ガス供給部７０からチャンバ２に供給されるエッチングガスとその反応生成物を含むガスは、排気ポート８１を介してチャンバ２から排気される。

微粒子デブリは、排気ポート８１に向かうガスの流れＧＦによって排気ポート８１及び排気管８２を介してチャンバ２外に排出される。なお、イオンは、排気管８２の中で中性化されてもよい。

排気部８０は、チャンバ２内でデブリと反応しなかったエッチングガスと、デブリとエッチングガスとの反応生成物とを、排気ポート８１、排気管８２及び排気装置８３を介してチャンバ２外に排気する。また、排気部８０は、ガス供給部７０が供給するエッチングガスの質量流量と同流量で排気するように調整される。さらに、チャンバ２の内圧を略一定に保つように不図示の制御装置によってガスの供給量と排気量とが制御されてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１の典型的な動作条件は、次のとおりである。チャンバ２内の磁場強度は、０．４Ｔ〜３Ｔであり、好ましくは、０．５Ｔ〜１．５Ｔである。チャンバ２内に導入するエッチングガスの流量は総量で、５ｓｌｍ〜１００ｓｌｍであり、好ましくは、１０ｓｌｍ〜３０ｓｌｍである。チャンバ２は、ガス導入ポート７１の他に、各種センサやモニタ用の窓などを保護するためのガスロック機構にエッチングガスを導入する場合がある。したがって、ガス導入ポート７１から導入するエッチングガスは、ガスロック機構の流量も考慮した上記総量の範囲で決定されてもよい。チャンバ２内のガス圧力は、１０Ｐａ〜１００Ｐａであり、好ましくは、１５Ｐａ〜４０Ｐａである。

ＥＵＶ集光ミラー２３の温度を６０℃以下に保つように、ＥＵＶ光生成装置１は適当な不図示の温度調節装置を備えてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の温度は、好ましくは、２０℃以下に温度調節するとよい。

３．３ 作用・効果
図２及び図３に示す比較例に係るＥＵＶ光生成装置１によれば、微粒子デブリは、チャンバ２内に滞留することなく、排気ポート８１を介してチャンバ２外に排出される。したがって、微粒子デブリが拡散してＥＵＶ集光ミラー２３に付着することを抑制できる。そのため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率低下を抑制でき、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換頻度が低下し、ＥＵＶ光生成装置１の運用コストも安価となり得る。

４．課題
図４は、図２中の矢印Ｆ方向にＥＵＶ集光ミラー２３の表面を見た場合のミラー表面におけるイオン分布のシミュレーション結果を示す。図４においてイオン個数が相対的に多い部位ほど濃い濃度で表示されている。図４から次のような状況が推察される。

（１）プラズマ生成に伴って発生するイオンの一部は、エネルギが高いために排気ポート８１に達することなくＥＵＶ集光ミラー２３の表面に到達することがある。

（２）ＥＵＶ集光ミラー２３の表面におけるイオンの到達部位は、磁場による螺旋運動によって非対称性を示す。すなわち、図４において、Ｙ軸方向のミラー中心位置（Ｙ＝０）から下側の反射面領域にイオンの到達部位が集中する傾向にある。

（３）長期的にはイオンの到達部位の反射率は、イオン衝突に伴って低下すると予測できる。つまり、図４に示すイオン分布は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率分布を表すものに相当すると理解される。

以上の考察により、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面へのイオンの到達に起因してＥＵＶ集光ミラー２３による集光パターン（ファーフィールドパターン）の対称性が悪化して、露光装置６の露光性能を確保できなくなる可能性がある。

５．実施形態１
５．１ 構成
図５は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの構成を概略的に示す。実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの構成において、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。図５に示すＥＵＶ光生成装置１Ａについて、図２に示すＥＵＶ光生成装置１との相違点を説明する。

実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの電流制御装置５０は、電磁石９０，９１に流す電流の方向を反転させる電流反転装置５１を備える。「電流の方向」は「電流の向き」と同義であり、「反転させる」とは「逆向きに（反対方向）に切り替える」ことと同義である。

電流反転装置５１は、例えば、不図示の複数のダイオードと不図示の複数のスイッチング素子とを用いて構成される。スイッチング素子は、ＧＴＯ（Gate Turn-Off thyristor）やＳｉＣ（炭化ケイ素）等のサイリスタでもよい。あるいは電流反転装置５１は、電磁開閉器によって構成されてもよい。電流反転装置５１は、電流源から供給される電流の向きを、ある方向（第１の方向）とこれに反対の方向（第２の方向）とに切り替え可能に構成されればよい。

コントローラ５２は、イベント情報を検知して電流制御装置５０と冷凍装置９４とを制御する。イベント情報は、電磁石９０，９１に流す電流の方向を反転させるか否かの判定に使用される情報を含む。イベント情報は、情報の種類によって、不図示のユーザインターフェースを用いてオペレータの入力操作によって入力される場合がある。また、イベント情報は、ＥＵＶ光生成装置１Ａに備えられたセンサから取得されてもよく、日時や時間に関するイベント情報については、コントローラ５２に備えられた内蔵時計、タイマ、カウンタ、又はこれらの組み合わせなどから取得されてもよい。

５．２ 動作
実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの動作について説明する。図６は、ＥＵＶ光生成装置１Ａのコントローラ５２による制御例を示すフローチャートである。図６の各ステップは、コントローラ５２に含まれるＣＰＵがプログラムを実行することにより実施され得る。

ステップＳ１１において、コントローラ５２はイベント情報の監視を開始する。イベント情報は、例えば、メンテナンスの実施情報、ＥＵＶ光のショット数、ＥＵＶエネルギ積算値、前回のメンテナンスを実施してからの経過時間あるいはＥＵＶ光生成装置１Ａを設置して使用を開始した以降の経過時間等であってもよく、又はこれらの組み合わせでもよい。ここでいう「メンテナンス」は、例えば、規定時間以上の作業時間を要するメンテナンスであってもよい。規定時間は、例えば１時間であってよい。１時間以上の作業時間を要するメンテナンスの具体例としては、ターゲット供給部２６に用いられるドロップレット生成器の交換や、ＥＵＶセンサの交換などが該当する。

ＥＵＶエネルギ積算値は、ＥＵＶ光生成装置１Ａによって生成されたＥＵＶ光のエネルギを反映したパラメータの積算値である。例えば、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光のファーフィールドにおけるエネルギ計測値の積算値や、ファーフィールドのプロファイルデータを基に取得されるエネルギ積算値である。ファーフィールドのプロファイルデータは、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光の光束断面におけるエネルギ分布を反映したデータである。コントローラ５２は、不図示のセンサからエネルギ計測値やプロファイルデータを受信してＥＵＶエネルギ積算値を計算する。

ステップＳ１２において、コントローラ５２は冷凍装置９４を制御して電磁石９０，９１を所定温度に冷却する。

ステップＳ１４において、コントローラ５２は電流制御装置５０を制御して電磁石９０，９１に所定電流を第１の方向で供給する。第１の方向は、例えば、図７の白抜き矢印で示す電流方向であってよい。図７は、図５中の７−７線における断面図である。電磁石９０，９１に流す電流の方向はそれぞれ同方向である。

チャンバ２内に安定した磁場が形成された後、ステップＳ１５において、コントローラ５２はＥＵＶ光の生成動作を開始する。コントローラ５２は露光装置６からの指令に従いバースト運転によってＥＵＶ光を生成してもよい。これにより、ＥＵＶ光が生成され、ＥＵＶ光生成装置１Ａから露光装置６にＥＵＶ光が供給される。その後、ステップＳ１６において、コントローラ５２は露光装置６からの指令に従い、ＥＵＶ光の生成動作を停止する。

ステップＳ１６の後、ステップＳ１８において、コントローラ５２はイベント情報が反転条件を満たしたか否かを判定する。反転条件は、電磁石９０，９１に流す電流の方向を反転させる条件である。反転条件は、例えば、規定時間以上の停止を伴うメンテナンスが実施される時期であること、メンテナンス実施回数が規定回数に到達すること、ショット数が規定ショット数に到達すること、ＥＵＶエネルギ積算値が規定エネルギ積算値に到達すること、あるいはメンテナンスの実施からの経過時間やＥＵＶ光生成装置１Ａの設置からの経過時間が規定経過時間を超過すること、などであってよい。あるいは、これら例示の複数条件の「ＡＮＤ（論理積）」又は「ＯＲ（論理和）」を反転条件としてもよい。あるいは、反転条件は、単にメンテナンスを実施したかどうかで判定してもよい。

「メンテナンスが実施される時期」という記載は、メンテナンスの実施予定時期、メンテナンスの作業を開始した時期、及びメンテナンスの作業を実施中の時期のうちの少なくとも１つの時期の概念を含む。

また、反転条件は、特定の電流方向に電流を流した状態でＥＵＶ光生成装置１Ａの稼働が開始されてから規定時間以上の停止を伴うメンテナンスが実施されるタイミングまでの経過時間と、ショット数やエネルギ積算値のような、ＥＵＶ集光ミラー２３の劣化による反射率分布の非対称性と相関を持つパラメータとの関数に基づく指標値が、判定基準値を満たしたかどうかによって判定してもよい。「規定回数」、「規定ショット数」、「規定エネルギ積算値」、「規定経過時間」又は「判定基準値」などの条件判定のための基準値は、予め定められた固定値であってもよいし、適応的に更新されてもよい。反転条件は本開示における「定められた条件」の一例である。

ステップＳ１８の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ１５に戻る。ステップＳ１８の判定結果がＹｅｓ判定である場合、すなわち、反転条件を満たした場合、コントローラ５２はステップＳ２１に進む。また、反転条件を満たした場合、コントローラ５２はイベント情報をリセットしてよい。

ステップＳ２１において、コントローラ５２は電磁石９０，９１に流す電流を低下させ、電流の供給を停止する。

その後、ステップＳ２２において、コントローラ５２は電流反転装置５１によって電流方向を第２の方向に反転させる。

ステップＳ２４において、コントローラ５２は、電磁石９０，９１に所定電流を第２の方向で供給する。第２の方向は、例えば、図８の白抜き矢印で示す電流方向であってよい。図８は、図５に示す構成において電流方向を反転させた場合の図７に代わる断面図である。

図６のステップＳ２４の後、コントローラ５２はステップＳ２５に進み、ＥＵＶ光を生成する動作を開始する。これにより、ＥＵＶ光が生成され、ＥＵＶ光生成装置１Ａから露光装置６にＥＵＶ光が供給される。その後、ステップＳ２６において、コントローラ５２はＥＵＶ光の生成動作を停止する。ステップＳ２５及びステップＳ２６はステップＳ１５及びステップＳ１６と同様であってよい。

ステップＳ２６の後、ステップＳ２８において、コントローラ５２はイベント情報が反転条件を満たしたか否かを判定する。ステップＳ２８はステップＳ１８と同様であってよい。ステップＳ２８の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ２５に戻る。ステップＳ２８の判定結果がＹｅｓ判定である場合、すなわち、反転条件を満たした場合、コントローラ５２はステップＳ３１に進む。

ステップＳ３１において、コントローラ５２は電磁石９０，９１に流す電流を低下させ、電流の供給を停止する。

その後、ステップＳ３２において、コントローラ５２は電流反転装置５１によって電流方向を第１の方向に反転させる。

ステップＳ３２の後、コントローラ５２はステップＳ１４に戻る。以後、上述の動作が繰り返される。

５．３ 作用・効果
実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａによれば、コントローラ５２は、イベント情報が反転条件を満たすたびに、電磁石９０，９１に流す電流の方向を反転させる。

図９は、電流方向が第２の方向である場合の図５中の矢印Ｆ方向にＥＵＶ集光ミラー２３の表面を見た場合のミラー表面におけるイオン分布のシミュレーション結果を示す。第１の方向と逆方向の第２の方向に電流を流すと、図９に示すようなイオン分布となる。図９に示すイオン分布は、Ｙ軸方向のミラー中心位置（Ｙ＝０）から上側の反射面領域にイオンの到達部位が集中する傾向にある。

反転条件を満たすイベント毎に電磁石９０，９１の電流方向を反転させることで、図４に示すイオン分布と図９に示すイオン分布とが重ねられる。結果として図１０に示すような、比較的対称なイオン分布が得られる。図１０は、図４に示すイオン分布と図９に示すイオン分布とを重ね合わせて得られるイオン分布のシミュレーション結果を示す。

以上により、実施形態１に係るＥＵＶ光生成装置１Ａによれば、ＥＵＶ集光ミラー２３上のイオンの到達部位の非対称性を軽減できる。このため、ＥＵＶ集光ミラー２３による集光パターン（ファーフィールドパターン）の対称性の悪化を抑制して、露光性能を確保できる期間を延長することができる。

ＥＵＶ集光ミラー２３は本開示における「ミラー」の一例である。

６．電流反転制御の具体例
６．１ メインルーチン
ここで実施形態１に適用されるイベント情報と反転条件とに基づく電流反転制御の具体例について説明する。図１１は、イベント情報と反転条件とに基づいて電流方向を反転させる制御を行う場合のフローチャートである。図１１に示す各ステップは、コントローラ５２に含まれるＣＰＵがプログラムを実行することによって実現され得る。

ステップＳ５１において、コントローラ５２はイベント情報を初期化した後、イベント情報の監視を開始する。

ステップＳ５２において、コントローラ５２は冷凍装置９４を制御することにより電磁石９０，９１を所定温度に冷却する。

ステップＳ５４において、コントローラ５２は電流制御装置５０を制御して電磁石９０，９１に電流を供給する。電流方向の初期設定は、例えば、第１の方向であってよい。

チャンバ２内に安定した磁場が形成された状態の下で、ステップＳ５５において、コントローラ５２はＥＵＶ光を生成する動作を開始する。コントローラ５２は露光装置６からの指令に従いＥＵＶ光を生成する。ＥＵＶ光生成装置１Ａは、バースト運転によってＥＵＶ光を生成してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成装置１Ａから露光装置６にＥＵＶ光が供給される。

その後、ステップＳ５６において、コントローラ５２はＥＵＶ光の生成動作を停止する。

ステップＳ５６の後、ステップＳ５７において、コントローラ５２はイベント情報を取得する処理を行う。ステップＳ５７に適用されるイベント情報取得処理のサブルーチンの例は後述する。ステップＳ５７に適用されるサブルーチンは、イベント情報を取得することと、取得したイベント情報と反転条件を示す基準値とを比較することと、反転条件を満たすか否かによってフラグＦ１の信号値を決定することと、を含む。ここでは、反転条件を満たさない場合のフラグＦ１の信号値は「０」であり、反転条件を満たす場合のフラグＦ１の信号値は「１」である。

その後、ステップＳ５８においてコントローラ５２は反転条件を満たしたか否かを判定する。すなわち、コントローラ５２はフラグＦ１の信号値が「１」であるか否かを判定する。

ステップＳ５８の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ５５に戻る。ステップＳ５８の判定結果がＹｅｓ判定である場合、すなわち、反転条件を満たした場合、コントローラ５２はステップＳ６１に進む。また、反転条件を満たした場合、コントローラ５２はイベント情報をリセットしてよい。

ステップＳ６１において、コントローラ５２は電磁石９０，９１に流す電流を低下させ、電磁石９０，９１への電流の供給を停止する。

その後、ステップＳ６２において、コントローラ５２は電流反転装置５１によって電流方向を反転させる。ステップＳ６２の後、コントローラ５２はステップＳ５４に進み、ステップＳ５４〜Ｓ６２の処理を繰り返す。

ステップＳ６１による供給停止前の電流方向が第１の方向である場合、ステップＳ６２によって電流方向は、第１の方向と反対方向である第２の方向に切り替えられる。

ステップＳ６１による供給停止前の電流方向が第２の方向である場合、ステップＳ６２によって電流方向は、第２の方向と反対方向である第１の方向に切り替えられる。

６．２ ショット数に基づく制御の例
図１２は、図１１のステップＳ５７に適用されるイベント情報取得処理の第１例を示すフローチャートである。図１２のフローチャートは、イベント情報としてショット数を用いる例である。

ステップＳ７１において、コントローラ５２は初期化後のショット数Ｎｃの読み出しを行う。ショット数ＮｃはＥＵＶ光生成装置１Ａから出力されたＥＵＶ光のパルス数である。ショット数Ｎｃのデータは、不図示のメモリに記憶されている。メモリはコントローラ５２に含まれていてもよいし、ＥＵＶ光生成制御部５に含まれていてもよい。

ステップＳ７２において、コントローラ５２は反転条件となるショット数Ｎｔの読み出しを行う。反転条件となるショット数Ｎｔは、予め定められた閾値に相当する判定基準値である。判定基準値としてのショット数Ｎｔは、例えば、イオンの到達に起因するＥＵＶ集光ミラー２３の反射率分布の非対称性の度合いが許容範囲の限界に達するようなショット数に設定される。ショット数Ｎｔは、実験に基づいて決定されてもよいし、シミュレーションに基づいて決定されてもよい。ショット数Ｎｔのデータは、不図示のメモリに記憶されている。ショット数Ｎｔは本開示における「基準値」の一例である。

ステップＳ７３において、コントローラ５２はＮｃ≧Ｎｔを満たすか否かを判定する。ステップＳ７３の判定結果がＮｏ判定の場合、コントローラ５２はステップＳ７４に進む。

ステップＳ７４において、コントローラ５２は反転条件を満たさない状態であると判断して、フラグＦ１の値を「０」に設定する。

その一方、ステップＳ７３の判定結果がＹｅｓ判定の場合、コントローラ５２はステップＳ７５に進む。ステップＳ７３の判定結果は、本開示における「指標値と基準値との比較結果」の一例である。

ステップＳ７５において、コントローラ５２は反転条件を満たした状態であると判断して、フラグＦ１の値を「１」に設定する。

ステップＳ７４又はステップＳ７５の後、コントローラ５２は図１２のフローチャートを終了し、図１１のフローチャートに復帰する。

６．３ ＥＵＶエネルギ積算値に基づく制御の例
図１３は、図１１のステップＳ５７に適用されるイベント情報取得処理の第２例を示すフローチャートである。図１３のフローチャートは、イベント情報としてＥＵＶエネルギ積算値を用いる例である。

ステップＳ８１において、コントローラ５２は初期化後のＥＵＶエネルギ積算値Ｅｃの読み出しを行う。ＥＵＶエネルギ積算値ＥｃはＥＵＶ光生成装置１Ａによって生成されたＥＵＶ光のファーフィールドにおけるエネルギ積算値である。ＥＵＶエネルギ積算値Ｅｃのデータは、不図示のメモリに記憶されている。メモリはコントローラ５２に含まれていてもよいし、ＥＵＶ光生成制御部５に含まれていてもよい。

ステップＳ８２において、コントローラ５２は反転条件となるＥＵＶエネルギ積算値Ｅｔの読み出しを行う。反転条件となるＥＵＶエネルギ積算値Ｅｔは、予め定められた閾値に相当する判定基準値である。判定基準値としてのＥＵＶエネルギ積算値Ｅｔは、例えば、イオンの到達に起因するＥＵＶ集光ミラー２３の反射率分布の非対称性の度合いが許容範囲の限界に達するようなＥＵＶエネルギ積算値に設定される。ＥＵＶエネルギ積算値Ｅｔは、実験に基づいて決定されてもよいし、シミュレーションに基づいて決定されてもよい。ＥＵＶエネルギ積算値Ｅｔのデータは、不図示のメモリに記憶されている。ＥＵＶエネルギ積算値Ｅｔは本開示における「基準値」の一例である。

ステップＳ８３において、コントローラ５２はＥｃ≧Ｅｔを満たすか否かを判定する。ステップＳ８３の判定結果がＮｏ判定の場合、コントローラ５２はステップＳ８４に進む。

ステップＳ８４において、コントローラ５２は反転条件を満たさない状態であると判断して、フラグＦ１の値を「０」に設定する。

その一方、ステップＳ８３の判定結果がＹｅｓ判定の場合、コントローラ５２はステップＳ８５に進む。ステップＳ８３の判定結果は、本開示における「指標値と基準値との比較結果」の一例である。

ステップＳ８５において、コントローラ５２は反転条件を満たした状態であると判断して、フラグＦ１の値を「１」に設定する。

ステップＳ８４又はステップＳ８５の後、コントローラ５２は図１３のフローチャートを終了し、図１１のフローチャートに復帰する。

６．４ ファーフィールドパターンの対称性評価値に基づく制御の例
６．４．１ ファーフィールドパターンを取得する構成
図１４は、ＥＵＶ光のファーフィールドパターン（ＦＦＰ）を取得する構成を含むＥＵＶ光生成装置１Ａを概略的に示す。図１４において、図１で説明した要素と同一又は類似の要素には同一の参照符号を付し、その説明は省略する。

レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光ＰＬ１を反射する高反射ミラー３４ａは、図１で説明したビーム伝送装置３４に含まれるミラーであってよい。レーザ光集光ミラー２２はチャンバ２の内部に配置されてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１Ａにおいては、ＥＵＶ集光ミラー２３の第１の焦点の位置でＥＵＶ光２５２が発光し、第２の焦点（ＩＦ）の位置にＥＵＶ光２５２を結像させる。チャンバ２の内部のＥＵＶ光２５２の光路上には、ＥＵＶ光２５２を分岐する分岐光学素子１０２が配置される。分岐光学素子１０２として、グリッドタイプのＥＵＶ光用スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ：Spectral Purity Filter）を利用することができる。図１４は分岐光学素子１０２として、グリッドタイプのＥＵＶ光用スペクトル純度フィルタを使用した場合の例を示す。グリッドタイプのＳＰＦは、ＥＵＶ集光ミラー２３とＩＦとの間に配置される。

また、分岐光学素子１０２によって分岐された分岐光の光路上にイメージセンサ１０４が配置される。イメージセンサ１０４は、分岐光学素子１０２によって分岐された分岐光のＩＦ位置とは異なる位置のＦＦＰ像を検出する。

６．４．２ 動作
グリッドタイプのＳＰＦは、例えばピッチ間隔ｄの方形格子であって材料が金属または電気電導性のあるものをコートした網によって構成される。このグリッドは原理上、光の波長をλとすると、λ≧２ｄの光は全反射し、λ＜２ｄの光は透過する。

図１４に示す構成の場合、グリッドの間隔ｄの２倍の波長よりも短い波長である１３．５ｎｍの波長の光を透過させて、露光装置６に入射させる。すなわち、分岐光学素子１０２を透過した透過光は、アパーチャ２９２を介して露光装置６へ入射する。

しかし実際のＳＰＦでは、１３．５ｎｍのＥＵＶ光も数％程度反射される。したがって反射光の中で１３．５ｎｍの波長をもつ分岐光がイメージセンサ１０４上において検出される。

イメージセンサ１０４によって検出されたＦＦＰ像のデータはコントローラ５２に出力され、コントローラ５２にてファーフィールドパターンの対称性評価値が算出される。なお、対称性を評価することは、非対称性を評価することと実質的に同じことである。対称性評価値は、非対称性の評価値（非対称性評価値）と見做すことができる。

６．４．３ 変形例
図１４に示す例では、ＥＵＶ光である波長１３．５ｎｍの光のＩＦ像をイメージセンサ１０４によって検出するようにしたが、この例に限定されることなく、別の波長の光を選択して、その選択波長の光のＩＦ像でも代用可能である。

例えば、グリッドタイプのＳＰＦは、ドライバレーザとしてのレーザ装置３がＣＯ_２レーザ（波長１０．６μｍ）の場合、グリッドの間隔ｄ＝５．３μｍでＳＰＦを製作すれば、このグリッドにより、ＣＯ_２レーザ光を全反射させることができる。このグリッドの開口率は７０〜９０％程度で製作することができる。そして、グリッドの金属部、すなわち開口していない部分では、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光やその他の光も反射される。この反射光を利用して、ＩＦ像をイメージセンサ１０４で検出することができる。

６．４．４ 制御フロー
図１５は、図１１のステップＳ５７に適用されるイベント情報取得処理の第３例を示すフローチャートである。図１５のフローチャートは、イベント情報としてファーフィールドパターンの対称性評価値を用いる例である。

ステップＳ９１において、コントローラ５２はイメージセンサ１０４からファーフィールドパターンのデータを取得する。

ステップＳ９２において、コントローラ５２は取得したファーフィールドパターンのデータから対称性評価値Ａｃを算出する。対称性評価値Ａｃの算出は、例えばＦＦＰの上半面反射率の平均値Ｒｕと下半面反射率の平均値Ｒｄとの差の絶対値Ａｃ＝｜Ｒｕ−Ｒｄ｜を算出することとしてもよい。

ステップＳ９３において、コントローラ５２は反転条件となる対称性基準値Ａｔの読み出しを行う。反転条件となる対称性基準値Ａｔは、予め定められた閾値に相当する判定基準値である。対称性基準値Ａｔのデータは、不図示のメモリに記憶されている。対称性基準値Ａｔは本開示における「基準値」の一例である。

ステップＳ９４において、コントローラ５２はＡｃ≧Ａｔを満たすか否かを判定する。ステップＳ９４の判定結果がＮｏ判定の場合、コントローラ５２はステップＳ９５に進む。

ステップＳ９５において、コントローラ５２は反転条件を満たさない状態であると判断して、フラグＦ１の値を「０」に設定する。

その一方、ステップＳ９４の判定結果がＹｅｓ判定の場合、コントローラ５２はステップＳ９６に進む。ステップＳ９４の判定結果は、本開示における「指標値と基準値との比較結果」の一例である。

ステップＳ９６において、コントローラ５２は反転条件を満たした状態であると判断して、フラグＦ１の値を「１」に設定する。

ステップＳ９５又はステップＳ９６の後、コントローラ５２は図１５のフローチャートを終了し、図１１のフローチャートに復帰する。

６．５ 規定時間の停止を伴うメンテナンスを実施した場合に電流方向を反転させる例
図１６は、規定時間の停止を伴うメンテナンスを実施した場合に電流方向を反転させる制御を行う場合のフローチャートである。

図１６のフローチャートは、規定時間の停止を伴うメンテナンスの実施状況を示す情報を「イベント情報」とし、規定時間の停止を伴うメンテナンスを実施したことを「反転条件」とする場合の制御例である。規定時間は、電磁石９０，９１の電流立ち上がり時間よりも長い時間とする。電流立ち上がり時間は、電流を流し始めてから目標とする所定の電流値に到達するまでの時間であってよい。規定時間は、例えば１時間としてもよい。「規定時間の停止を伴うメンテナンス」とは、規定時間以上の稼動停止を要する保守作業である。「メンテナンスを実施した」という記載は、メンテナンスの作業を開始した、あるいは、メンテナンスの実施期間中である、という概念を含み、メンテナンスの実施時期であること、と言い換えてもよい。

図１６において図１１と共通するステップには同一のステップ番号を付し、重複する説明は省略する。図１６のフローチャートは、図１１のステップＳ５７及びＳ５８に代えて、ステップＳ５９を含む。

図１６に示すように、ステップＳ５６の後、コントローラ５２はステップＳ５９に進む。ステップＳ５９において、コントローラ５２は規定時間の停止を伴うメンテナンスを実施したか否かを判定する。規定時間の停止を伴うメンテナンスの種類あるいは項目に関する情報は、予めコントローラ５２のメモリに記憶させておくことができる。例えば、コントローラ５２は、規定時間の停止を伴うメンテナンスを実施する際に、フラグＦ２の信号値を「１」に設定する。コントローラ５２は、フラグＦ２の信号値に基づいてステップＳ５９の判定処理を行う。

ステップＳ５９の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ５５に戻る。ステップＳ５９の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ６１に進む。その他の各ステップの処理は図１１のフローチャートと同様である。

６．６ 複数条件の組み合わせに基づく制御の例
反転条件の判定には、複数条件のＡＮＤを用いてもよい。例えば、図１２〜図１５で説明したそれぞれの条件のうちの２つ以上の条件を組み合わせて用いてもよい。あるいは、図１７に示すように、図１２〜図１５で説明した条件のうちの少なくとも１つの条件と、図１６で説明した条件とを組み合わせて用いてもよい。

図１７は、複数条件のＡＮＤを用いて反転条件の判定を行うことにより、電流反転制御を行う場合のフローチャートである。図１７において、図１１及び図１６に示すステップと共通するステップには同一のステップ番号を付し、重複する説明は省略する。

図１７のフローチャートは、図１１のステップＳ５８とステップＳ６１との間に、ステップＳ５９とステップＳ６０とを含む。

図１７のステップＳ５８の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ５５に戻る。一方、ステップＳ５８の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ５９に進む。ステップＳ５９の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ５５に戻る。一方、ステップＳ５９の判定結果がＹｅｓ判定である場合、コントローラ５２はステップＳ６０に進む。ステップＳ６０に進んだ場合、Ｆ１＝１であってＦ２＝１も満たしている。したがって、ステップＳ６０に進んだ状態は、複数の条件のすべてを満たしている状態である。

ステップＳ６０において、コントローラ５２は現時点のイベント情報を記録し、反転条件を更新する。例えば、コントローラ５２は規定時間以上の停止を伴うメンテナンスが実施された時点のショット数Ｎｃｍを記録する。さらに、コントローラ５２は次回の反転条件を、現時点からのショット数がＮｃｍ以上を満たすこと、という条件として更新してもよい。

ステップＳ６０の後、コントローラ５２はステップＳ６１に進む。その他の各ステップの処理は図１１及び図１６のフローチャートと同様である。

図１７のフローチャートにおけるステップＳ５８の判定結果がＹｅｓ判定、かつ、ステップＳ５９の判定結果がＹｅｓ判定であるケースは、本開示における「複数の条件のすべてを満たしていると判定した場合」の一例である。

６．７ 他の反転条件について
反転条件は、上述の例に限らない。反転条件は、以下に示す２つの観点のうち少なくとも１つの観点に基づいて定めることが好ましい。

第１の観点は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率分布が過度に非対称な状態になる前に電流方向を反転させる、という観点である。第２の観点は、ＥＵＶ光生成装置１Ａの停止時間をできる限り抑制する、という観点である。

第１の観点に基づく反転条件は、ＥＵＶ集光ミラー２３にイオンが到達することに起因するＥＵＶ集光ミラー２３の反射率分布の非対称性の度合いと相関を持つ様々な指標値を用いて定めることができる。既に説明したショット数Ｎｃ、ＥＵＶエネルギ積算値Ｅｃ、及び対称性評価値Ａｃなどは、反射率分布の非対称性の度合いと相関を持つ指標値の例である。これら以外にも、例えば、同じ電流方向でＥＵＶ光生成装置１Ａを使用した累積使用時間は、反射率分布の非対称性の度合いと相関を持つ指標値となり得る。累積使用時間の代わりに、これと類似する指標値として、使用日数や使用開始からの経過時間などを用いることも可能である。

例えば、ＥＵＶ光生成装置１Ａを半導体工場に設置して使用を開始した以降の経過時間、もしくは、現在設定されている電流方向での使用を開始した以降の経過時間が規定経過時間に到達したこと、を反転条件の１つとすることができる。なお、「経過時間」には、ＥＵＶ光の発光を休止している休止時間を含んでもよい。現在設定されている電流方向での使用を開始した以降の経過時間は、前回のメンテナンスを実施してからの経過時間であってもよい。

ＥＵＶ集光ミラー２３の反射率分布の非対称性の度合いと相関を持つ指標値は、非対称性を評価する指標値となり得る。「評価する」という記載は「予測する」あるいは「推定する」という概念を含む。なお、このような指標値を用いてＥＵＶ集光ミラー２３の反射率分布の非対称性を評価せずとも、適宜のタイミングで電流方向の切り替えを実施することにより、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１と比べてＥＵＶ集光ミラー２３の反射率分布の非対称性は改善される。

第２の観点に基づく反転条件は、電流方向の切り替え作業の実施時期と、他のメンテナンスの実施時期とを合わせるように、メンテナンスの実施に関する情報を用いて定めることができる。電流方向を切り替える作業は比較的長時間を要し、その作業期間中はＥＵＶ光生成装置１Ａを使用できなくなる。したがって、ダウンタイムを抑制する観点から、メンテナンスの実施時期と同時期に、電流方向の切り替え作業を実施することが好ましい。

なお、ここでいう「メンテナンス」は、ＥＵＶ集光ミラー２３の交換を除外してよい。「同時期」という記載は、電流方向の切り替え作業を行う時間の少なくとも一部が他のメンテナンスの作業を行う時間と重複していること、あるいは、重複していない場合であってもこれらの作業が実質的に連続して行われること、の概念を含む。電流方向の切り替え作業を開始した後に他のメンテナンスの作業を開始してもよいし、他のメンテナンスの作業を開始した後に電流方向の切り替え作業を開始してもよく、両者を同時に開始してもよい。

７．ＥＵＶ光生成装置を用いた電子デバイスの製造方法の例
図１８は、ＥＵＶ光生成装置１Ａと接続された露光装置６の構成を概略的に示す。露光装置６は、マスク照射部６０２と、ワークピース照射部６０４と、を含む。マスク照射部６０２は、ＥＵＶ光生成装置１Ａから入射したＥＵＶ光２５２によって、反射光学系６０３を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。

ワークピース照射部６０４は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光２５２を、反射光学系６０５を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。

ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。

以上のような露光工程によって半導体ウエハにマスクパターンを転写後、複数の工程を経ることで半導体デバイスを製造することができる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態及び変形例を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。

本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内に供給されたターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマから放射される極端紫外光を集光するミラーと、
   前記チャンバ内における前記プラズマの生成領域と前記ミラーとの間に磁場を形成するように前記チャンバの外部に配置された電磁石と、
   前記電磁石に流れる電流の方向を反転させる電流反転装置と、
   定められた条件を満たした場合に、前記電流の方向を反転させるように前記電流反転装置を制御するコントローラと、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記コントローラは、前記条件の判定に用いるイベント情報を取得し、前記イベント情報に基づいて前記電流の方向を反転させるか否かを判定する、
   極端紫外光生成装置。
3. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記条件は、メンテナンスを実施する時期であること、メンテナンス実施回数が規定回数に到達したこと、前記極端紫外光のショット数が規定ショット数に到達したこと、前記極端紫外光のエネルギ積算値が規定エネルギ積算値に到達したこと、及び、前記極端紫外光生成装置の使用を開始した以降の経過時間もしくは現在設定されている前記電流の方向での使用を開始した以降の経過時間が規定経過時間に到達したこと、のうち少なくとも１つの条件を含む、
   極端紫外光生成装置。
4. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記条件は、規定時間以上の作業時間を要するメンテナンスを実施する時期であることを含む、
   極端紫外光生成装置。
5. 請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記規定時間は１時間である、極端紫外光生成装置。
6. 請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記規定時間は、前記電磁石の電流立ち上がり時間である、極端紫外光生成装置。
7. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記条件は、前記プラズマの生成に伴って発生するイオンが前記ミラーに到達することに起因する前記ミラーの反射率分布の非対称性を評価する指標値が基準値を超えること、を含む、
   極端紫外光生成装置。
8. 請求項７に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記コントローラは、前記指標値を取得し、前記指標値と前記基準値との比較結果に基づいて前記電流の方向を反転させるか否かを判定する、
   極端紫外光生成装置。
9. 請求項７に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記指標値は、前記極端紫外光のショット数、前記極端紫外光のエネルギ積算値、及び前記ミラーによる前記極端紫外光のファーフィールドパターンの対称性を評価する対称性評価値のうち少なくとも１つを含む、
   極端紫外光生成装置。
10. 請求項７に記載の極端紫外光生成装置であって、さらに、
    前記ミラーによって反射された前記極端紫外光の光路上に配置され、前記極端紫外光を分岐する分岐光学素子と、
    前記分岐光学素子によって分岐された前記極端紫外光のファーフィールドパターン像を検出するセンサと、
    を備え、
    前記コントローラは、
    前記センサを介して取得される前記ファーフィールドパターン像のデータを基に、前記指標値としての前記ミラーによる前記極端紫外光のファーフィールドパターンの対称性を評価する対称性評価値を算出する、
    極端紫外光生成装置。
11. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記条件としての複数の条件が定められており、
    前記コントローラは、前記複数の条件のすべてを満たしていると判定した場合に、前記電流の方向を反転させる、
    極端紫外光生成装置。
12. 請求項１１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記複数の条件のうちの１つの条件として、規定時間以上の作業時間を要するメンテナンスが実施される時期であること、を含む、
    極端紫外光生成装置。
13. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記条件としての複数の条件が定められており、
    前記コントローラは、前記複数の条件のうちの少なくとも１つの条件を満たしていると判定した場合に、前記電流の方向を反転させる、
    極端紫外光生成装置。
14. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記電磁石は、前記ミラーを挟むように配置された２つのコイルを含み、
    前記コントローラは、前記２つのコイルに流れる電流の方向を同方向とする、
    極端紫外光生成装置。
15. 請求項１４に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記２つのコイルは、前記プラズマの生成領域の周囲にミラー磁場を形成する、
    極端紫外光生成装置。
16. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記電磁石は超電導磁石である、極端紫外光生成装置。
17. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、さらに、
    前記チャンバ内にエッチングガスを供給するガス供給部と、
    前記チャンバの壁面に設けられた開口である排気ポートと、
    前記排気ポートに接続される排気管と、
    前記排気管に接続され、前記チャンバ内から前記エッチングガスを含む気体を前記チャンバの外部に排気する排気装置と、
    を備える極端紫外光生成装置。
18. 請求項１７に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記排気ポートは、前記電磁石によって形成される磁場の中心軸が前記チャンバの内壁を横切る位置に設けられる、
    極端紫外光生成装置。
19. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記ミラーは、回転楕円面形状の反射面を有し、
    前記ミラーの第１の焦点が前記プラズマの生成領域に位置し、前記ミラーの第２の焦点が中間集光点に位置するように配置され、
    前記磁場の中心軸は、前記ミラーの前記第１の焦点と前記第２の焦点とを通る光路軸に直交する、
    極端紫外光生成装置。
20. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバと、
    前記チャンバ内に供給されたターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマから放射される極端紫外光を集光するミラーと、
    前記チャンバ内における前記プラズマの生成領域と前記ミラーとの間に磁場を形成するように前記チャンバの外部に配置された電磁石と、
    前記電磁石に流れる電流の方向を反転させる電流反転装置と、
    定められた条件を満たした場合に、前記電流の方向を反転させるように前記電流反転装置を制御するコントローラと、
    を備える極端紫外光生成装置を用いて前記極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光すること
    を含む電子デバイスの製造方法。

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