TWI712338B - 極紫外光輻射之光源及其產生方法、極紫外光微影系統 - Google Patents

極紫外光輻射之光源及其產生方法、極紫外光微影系統 Download PDF

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Abstract

一種用於極紫外光(EUV)輻射之光源。光源包括目標液滴產生器、雷射產生器、測量裝置、以及控制器。目標液滴產生器配置以提供目標液滴至源槽。雷射產生器配置以根據控制信號，提供第一雷射脈衝，以照射源槽中之目標液滴，進而產生作為極紫外光輻射之電漿。測量裝置配置以測量製程參數，製程參數包括源槽之溫度、目標液滴之液滴位置、以及第一雷射脈衝之光束尺寸以及焦點。控制器配置以根據至少兩個製程參數，提供控制信號。

Description

極紫外光輻射之光源及其產生方法、極紫外光微影系統
本揭露係有關於極紫外光技術，特別係有關於一種極紫外光輻射之光源、一種執行微影曝光製程之極紫外光微影系統、以及一種產生極紫外光輻射之方法。
半導體積體電路(IC)產業經歷指數性成長，積體電路材料以及設計的技術的進步已產生了數個世代之積體電路，每一世代的積體電路都具有比上一世代更小以及更複雜的電路。在積體電路演變過程中，功能密度(亦即單位晶片面積的互聯裝置之數量)通常隨著幾何尺寸(亦即使用製造製程可以產生的最小元件(或線))下降而增加。這種尺寸微縮化的製程通常由提高生產效率以及降低相關成本提供益處，這樣的尺寸微縮化亦增加生產以及製造積體電路的複雜性。
在半導體製造中，極紫外光微影(EUVL)已發展以執行高解析度光微影(high-resolution photolithography)。極紫外光微影採用使用在極紫外光(EUV)區域中之光(具有約1-100nm之波長)之掃描器。一些極紫外光掃描器提供四倍縮小投影列印，類似於一些光學掃描器，除了極紫外光掃描器使用反射光學而非折射光學，亦即反射鏡取代透鏡。一種極紫外光光源類型係雷射生成電漿(LPP)，雷射生成電漿技術將一高能量的雷射光束聚焦在小型錫液滴目標上，以形成高度離子化的電漿，高度離子化的電漿放射的極紫外光輻射具有最大放射波峰13.5nm，然後，上述極紫外光透過雷射生成電漿收集器收集，且由光學裝置朝向微影目標(例如：晶圓)反射。收集器會因為粒子、離子、輻射之影響，且最嚴重的是錫沉積之影響，而受到損害以及劣化。
在本揭露的實施例中，提供一種用於極紫外光(EUV)輻射之光源。光源包括目標液滴產生器、雷射產生器、測量裝置、以及控制器。目標液滴產生器配置以提供多個目標液滴至源槽(source vessel)。雷射產生器配置以根據控制信號，提供多個第一雷射脈衝，以照射源槽中之目標液滴，進而產生作為極紫外光輻射之電漿。測量裝置配置以測量製程參數，製程參數包括源槽之溫度、目標液滴之液滴位置、以及第一雷射脈衝之光束尺寸以及焦點。控制器配置以根據至少兩個製程參數，提供控制信號。
在本揭露的實施例中，提供一種極紫外光(EUV)微影系統，用於執行微影曝光製程，極紫外光微影系統包括極紫外光掃描器以及光源。光源配置以因應於控制信號，提供極紫外光輻射至極紫外光掃描器。光源包括收集器、目標液滴產生器、雷射產生器以及控制器。收集器配置以收集極紫外光輻射，且引導極紫外光輻射至極紫外光掃描器。目標液滴產生器配置以提供多個目標液滴至源槽。雷射產生器配置以根據控制信號，提供多個第一雷射脈衝，以照射在源槽中之目標液滴，進而產生作為極紫外光輻射之電漿。控制器配置以根據至少兩個製程參數，提供控制信號至雷射產生器，以停止提供第一雷射脈衝，且提供控制信號至極紫外光掃描器，以中止微影曝光製程。至少兩個製程參數包括：源槽之溫度、目標液滴之液滴位置、以及第一雷射脈衝之光束尺寸以及焦點。
在本揭露的實施例中，提供一種用於產生極紫外光(EUV)輻射之方法。提供目標液滴至源槽，測量源槽之溫度，測量目標液滴之每一者的液滴位置，且獲得目標液滴之液滴位置之標準差或平均值。根據源槽之溫度以及目標液滴之液滴位置之標準差或平均值，決定目標液滴是否穩定。當目標液滴係穩定的，提供多個第一雷射脈衝，以照射在源槽中之目標液滴，進而產生作為極紫外光輻射之電漿。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實行本揭露的不同特徵。以下敘述各個構件以及排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，範例僅供說明用且意欲不限於此。例如，如果本說明書敘述了第一特徵形成於第二特徵之上或上方，表示可包括上述第一特徵與上述第二特徵係直接接觸的實施例，亦可包括了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可未直接接觸的實施例。除此之外，在以下的揭露內容的不同範例中可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化以及清楚說明之目的，並非用以指定所討論的不同實施例及/或配置之間的關係。
在實施例中描述了一些變化，在各種視圖以及說明性實施例中，類似的參考符號用於標示類似的元件。應理解的是，在本揭露之方法之前、過程中及/或之後，可以提供額外的操作，且在本揭露之方法之其他的實施例中，可以替換或刪減一些所述的操作。
本揭露描述的先進微影製程、方法以及材料可用於許多應用中，包括鰭式場效電晶體(FinFET)。例如，鰭結構可能被圖案化以在結構之間產生相對較小的間隔，而本發明實施例係適合應用於此。除此之外，可以根據本揭露生產用於形成鰭式場效電晶體之鰭結構之間隙壁 (spacers)。
第1圖圖示根據本揭露之一些實施例，微影系統10之示意概略圖。微影系統10係操作以各別輻射源以及曝光模式下執行微影曝光製程。
微影系統10包括光源12、照明器14、遮罩平台16、投影光學模組(或投影光學盒(POB))20、基板平台24，以及氣體供應模組26。在一些實施例中，光源12以及氣體供應模組26設置在極紫外光(EUV)輻射源裝置11中。除此之外，照明器14、遮罩平台16、投影光學模組20、以及基板平台24設置在極紫外光掃描器13中。微影系統10之元件可以被添加或省略，且本揭露不應限於實施例。
光源12配置以產生具有波長範圍在約1nm至約100nm之間的輻射。在一些實施例中，光源12能夠產生具有中心波長約13.5nm的極紫外光輻射(或光)。在這樣的實施例中，光源12亦被稱為極紫外光光源。在一些實施例中，光源12可用於執行任何來自激發目標材料之高強度光子放射。
照明器14包括各種折射光學組件，例如：單透鏡、或具有多個透鏡(波帶片) 的透鏡系統、或選擇地反射光學裝置(用於極紫外光微影系統)，例如：單個反射鏡或具有多個反射鏡的反射鏡系統，以引導來自光源12的光至遮罩平台16，特別是固定在遮罩平台16上之遮罩18。在本實施例中，光源12在極紫外光波長範圍中產生光，且採用反射光學器件。
遮罩平台16配置以固定遮罩18。在一些實施例中，遮罩平台16包括靜電吸座(電子吸座)以固定遮罩18。這是因為氣體分子會吸收極紫外光，所以用於極紫外光微影圖案化的微影系統保持在真空環境中，以避免損失極紫外光強度。在本實施例中，術語遮罩(mask)、光罩(photomask)以及倍縮光罩(reticle)可互換使用。
在一些實施例中，遮罩18係反射遮罩(reflective mask)。遮罩18之一個示例性結構包括具有合適材料的基板，例如低熱膨脹材料(LTEM)或熔融石英。在各種實施例中，低熱膨脹材料包括摻雜二氧化矽(SiO2 )的二氧化鈦(TiO2 )或其他具有低熱膨脹之合適材料。遮罩18包括沉積在基底上的反射多層。
上述反射多層包括多個膜對，例如：鉬-矽(Mo/Si)膜對(例如，每一個膜對中矽層上方或下方的鉬層)。或者，反射多層可包括鉬-鈹(Mo/Be)膜對，或可配置以高度地反射極紫外光的其他合適材料。遮罩18可更包括設置在反射多層上、用於保護的覆蓋層，例如：釕(Ru)。遮罩18更包括沉積在反射多層上的吸收層，例如硼氮化鉭 (TaBN)層。吸收層圖案化以定義出積體電路(IC)之層。或者，可在反射多層上沉積另一個反射層，且將另一個反射層圖案化以定義積體電路之層，從而形成極紫外光相移遮罩。
投影光學模組(或投影光學盒)20配置以提供圖案化的光束，且將圖案化的光束投射至半導體基板22上，進而將遮罩18之圖案成像至固定在微影系統10之基板平台24上之半導體基板22上。在一些實施例中，投影光學模組20具有折射光學器件(例如：用於紫外光(UV)微影系統)或選擇地反射光學器件(例如：用於極紫外光(EUV)微影系統)。來自遮罩18所引導帶有遮罩上定義的圖案的圖像的光，由投影光學模組20所收集。在一些實施例中，照明器14以及投影光學模組20統稱為微影系統10之光學模組。
半導體基板22係半導體晶圓，且半導體晶圓可由矽或其他半導體材料製成。或者或除此之外，半導體基板22可包括其他基本半導體材料，例如：鍺(Ge)。在一些實施例中，半導體基板22由化合物半導體製成，例如：碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦(InAs)、或磷化銦(InP)。在一些實施例中，半導體基板22由合金半導體製成，例如：矽化鍺(SiGe)、碳化矽鍺(SiGeC)、磷化鎵砷(GaAsP)、或磷化鎵銦(GaInP)。在一些其他實施例中，半導體基板22可為絕緣層上覆矽(SOI)或絕緣體上覆鍺(GOI)基板。
半導體基板22可具有各種裝置元件。在半導體基板22中形成的裝置元件之範例包括電晶體(例如：金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、互補式金屬氧化物半導體(CMOS)電晶體、雙極性電晶體(BJT)、高電壓電晶體、高頻率電晶體、p通道及/或n通道場效電晶體(PFET/NFET)等等)、二極體及/或其他適用元件。執行各種製程以形成裝置元件，例如沉積、蝕刻、佈植、光微影、退火及/或其他合適的製程。在一些實施例中，半導體基板22塗佈對極紫外光敏感的光阻層(resist layer)。包括上述的各種組件整合在一起，係操作以執行微影曝光製程。
微影系統10可更包括其他模組、或與其他模組整合(或耦接)。例如，氣體供應模組26配置以提供氫氣至光源12，進而減少光源12之汙染。
第2圖圖示根據本揭露之一些實施例，第1圖之微影系統10之光源12A。光源12採用單一脈衝雷射生成電漿(LPP)機制，以產生電漿，並進一步由電漿產生極紫外光。
在一些實施例中，光源12A包括控制器40、目標液滴產生器30、雷射產生器60A、雷射生成電漿(LPP)收集器36、測量裝置50、液滴捕集器70以及源槽(或腔室)72。光源12A之上述元件可在真空下保持。除此之外，源槽72保持在真空環境中。應理解的是，光源12A之元件可被添加或省略，且本揭露不應限於實施例。
控制器40耦接至測量裝置50、目標液滴產生器30、以及雷射產生器60A。控制器40配置以控制測量裝置50、目標液滴產生器30、以及雷射產生器60A之操作。除此之外，控制器40配置以接收來自測量裝置50、源槽72內之關於狀況變化的測量資訊(例如：目標液滴32之位置及/或溫度TEMP)。
目標液滴產生器30配置以產生多個目標液滴32至源槽72內。例如，一次一個地產生目標液滴32，且一系列的目標液滴32移動通過激發區34。在一些實施例中，目標液滴產生器30包括氣體供應器(未圖示)，氣體供應器配置以供應泵送氣體，以迫使目標材料移出目標液滴產生器30，且驅動目標液滴32之流動。來自目標液滴產生器30之目標液滴32之流速由控制器40控制。除此之外，來自目標液滴產生器30之目標液滴32之流速係在目標液滴產生器30中之泵送氣體之壓力之函數。例如，當泵送氣體之壓力增加時，目標液滴32流動較快，而當泵送氣體之壓力降低時，目標液滴32流動較慢。
在一些實施例中，目標液滴32係錫(Sn)液滴。在一些實施例中，目標液滴32具有約30微米(μm)之直徑。在一些實施例中，目標液滴32在約50千赫(kHz)的速率產生、且在約每秒70米的速度被引入至光源12A中的激發區34內。其他材料亦可用於目標液滴32，例如，含有錫的液體材料，例如：含有錫、鋰(Li)以及氙(Xe)的共晶合金。目標液滴32可為固相或液相。
雷射產生器60A配置以根據來自控制器40之控制信號CTRL，產生脈衝雷射66，以允許目標液滴32轉換至電漿。雷射產生器60A包括雷射源62，雷射源62配置以因應於控制信號CTRL，產生脈衝雷射(或雷射光束)66。脈衝雷射66用於照射目標液滴32，進而產生增加的光之放射。例如，脈衝雷射66將目標液滴32加熱至預設溫度。在預設溫度時，目標液滴32之材料脫掉(shed)電子，而成為放射極紫外光(或輻射)38之電漿。極紫外光38由收集器36所收集。收集器36更反射以及聚焦極紫外光38，以用於微影曝光製程。例如，由收集器36收集的極紫外光38透過源槽72之輸出埠74，照射至第1圖之照明器14，進而引導來自光源12之極紫外光18至遮罩平台16上，特別是固定在遮罩平台16上之遮罩18。
在本實施例中，雷射源62係二氧化碳(CO2 )雷射源。在一些實施例中，雷射源62係摻釹的釔鋁石榴石(Nd:YAG)雷射源。在一些實施例中，脈衝雷射66具有特定的光點尺寸(例如：約100-300μm)。脈衝雷射66產生具有特定驅動功率以滿足晶圓大量生產，例如：每小時125個晶圓之產量。例如，脈衝雷射66配備大約19kW的驅動功率。應理解的是，可以對本揭露之實施例做出許多變化以及修改。
來自雷射源62之脈衝雷射66通過收集器36之視窗(或透鏡)64引導進入激發區34，進而在激發區34之發光位置LP(例如：焦點)照射目標液滴32。視窗64採取對脈衝雷射66大致透明的合適材料。
收集器36設計成具有適當的塗佈材料以及形狀，作為收集、反射以及聚焦極紫外光之反射鏡。在一些實施例中，收集器36設計成具有橢圓形幾何形狀。在一些實施例中，收集器36之塗佈材料類似於第1圖之極紫外光遮罩18之反射多層。在一些實施例中，收集器36之塗佈材料包括多層(例如：多個Mo/Si膜對)，且可更包括塗佈在多層上的覆蓋層(例如：Ru)，以實質上反射極紫外光。在一些實施例中，收集器36可更包括光柵結構，上述光柵結構設計成有效地散射被引導至收集器36上之雷射光束。例如，氮化矽層可塗佈在收集器36上，且圖案化以具有光柵結構。
液滴捕集器70相對於目標液滴產生器30設置，且在目標液滴32之運動之方向。液滴捕集器70配置以捕集任何未由脈衝雷射66擊中之目標液滴32。例如，脈衝雷射66可能故意錯過一些目標液滴32。除此之外，高溫電漿可冷卻，並成為蒸氣或小顆粒(統稱為碎屑)39。當脈衝雷射66未在激發區34之發光位置LP適當地以及準確地照射目標液滴32，碎屑39會增加。例如，如果目標液滴32係不穩定的，不穩定的目標液滴32會被轉換成不穩定的電漿，且導致未預期的碎屑39出現，從而增加碎屑39。碎屑39會沉積至收集器36之表面上，從而引起其上的汙染。隨著時間的推移，由於碎屑累積以及其他因素(例如：離子損害、氧化以及起泡)，收集器36之反射率劣化。一旦反射率劣化至特定程度(例如：小於50％)時，收集器36達到可用壽命之終點，且需要在更換操作中調換。當在更換操作期間調換收集器36時，微影系統10被關閉，且沒有微影曝光製程能執行。當更換操作之次數或更換操作之操作時間增加，半導體基板22之製造週期增加，從而增加了製造成本。
在特定實施例中，測量裝置50包括熱感測器52以及液滴偵測器54。熱感測器52配置以測量源槽72內之溫度TEMP，且提供溫度TEMP至控制器40。在一些實施例中，熱感測器52係設置在源槽72中的溫度儀。
液滴偵測器54配置以測量目標液滴32之液滴位置，且提供關於液滴位置之資訊至控制器40。在一些實施例中，液滴偵測器54係包括能夠捕捉目標液滴32之圖像的相機的液滴成像器(未圖示)。根據目標液滴32之圖像，液滴成像器提供關於目標液滴32之液滴位置之資訊至控制器40。在一些實施例中，液滴偵測器54係包括光產生器(未圖示)以及光偵測器(未圖示)的液滴成像器。光產生器配置以引導雷射光束至目標液滴32。在一些實施例中，光偵測器，例如：光偵測器陣列、雪崩光電二極體或光電倍增器，相對於光產生器設置，且光偵測器配置以接收通過目標液滴32的雷射光束，進而獲得目標液滴32之液滴位置。在一些實施例中，光偵測器鄰近於光產生器設置，且配置以接收來自目標液滴32反射的雷射光束，進而獲得目標液滴32之液滴位置。除此之外，液滴位置可由一或多個軸定義。
在一些實施例中，測量裝置50更包括雷射儀56，雷射儀56用於測量脈衝雷射66之光束尺寸，且提供測得的光束尺寸至控制器40。除此之外，源槽72內的雷射儀56之安裝位置係根據各種用途來決定。在一些實施例中，雷射儀56能夠測量發光位置LP，且提供測得的發光位置LP至控制器40，進而檢測發光位置LP是否偏移。
在光源12A中，根據來自測量裝置50之源槽72之溫度TEMP以及目標液滴32之液滴位置，控制器40能夠提供控制信號CTRL至雷射產生器60A，進而控制是否產生脈衝雷射66。例如，當源槽72之溫度TEMP或目標液滴32之液滴位置係正常的，控制器40決定目標液滴32係穩定的，且控制器40配置以提供控制信號CTRL至雷射產生器60A，進而提供脈衝雷射66。相反地，當源槽72之溫度TEMP及/或目標液滴32之液滴位置係異常的，控制器40決定目標液滴32係不穩定的，且控制器40配置以提供控制信號CTRL至雷射產生器60A，進而停止提供脈衝雷射66，直至源槽72之溫度TEMP或目標液滴32之液滴位置係正常的。因此，避免了使用脈衝雷射66轉換不穩定的目標液滴32，從而減少收集器36之表面上的汙染，且延長收集器36之可用壽命。以下將提供本操作之詳細描述。
在一些實施例中，除了來自測量裝置50之源槽72之溫度TEMP以及目標液滴32之液滴位置，控制器40配置以進一步根據由雷射儀56測量之脈衝雷射66之光束尺寸以及發光位置LP，提供控制信號CTRL。例如，當脈衝雷射66之光束尺寸或發光位置LP係正常的，控制器40配置以提供控制信號CTRL至雷射產生器60A，進而提供脈衝雷射66。相反地，當脈衝雷射66之光束尺寸及/或發光位置LP係異常的，控制器40配置以提供控制信號CTRL至雷射產生器60A，進而停止提供脈衝雷射66，直至脈衝雷射66之光束尺寸或發光位置LP係正常的。因此，避免了使用不穩定的脈衝雷射66轉換目標液滴32，從而減少收集器36之表面上的汙染，且延長收集器36之可用壽命。
在一些實施例中，控制器40更提供控制信號CTRL至第1圖之極紫外光掃描器13，進而通知極紫外光掃描器13是否中止微影曝光製程。例如，當源槽72之溫度TEMP或目標液滴32之液滴位置係正常的，控制器40決定目標液滴32係穩定的，且提供控制信號CTRL至極紫外光掃描器13，進而執行微影曝光製程。相反地，當源槽72之溫度TEMP以及目標液滴32之液滴位置係異常的，控制器40決定目標液滴32係不穩定的，且提供控制信號CTRL至極紫外光掃描器13，進而中止微影曝光製程。
第3圖圖示根據本揭露之一些實施例，第1圖之微影系統10之光源12B。光源12B採用雙脈衝雷射(dual-pulse laser)雷射生成電漿機制以產生電漿，且更產生來自電漿之極紫外光。
與第2圖中之光源12A之雷射產生器60A相比，第3圖中之光源12B之雷射產生器60B包括第一雷射源62A以及第二雷射源62B。第一雷射源62A配置以產生預脈衝雷射66A。第二雷射源62B配置以產生主脈衝雷射66B。預脈衝雷射66A用於加熱(或預熱)目標液滴32，以擴展目標液滴32，並產生低密度目標煙霧33，目標煙霧33隨後由主脈衝雷射66B照射，產生更多的光線放射。
在一些實施例中，第一雷射源62A係二氧化碳(CO2 )雷射源。在一些實施例中，第一雷射源62A係一個摻釹的釔鋁石榴石(Nd:YAG)雷射源。在一些實施例中，第二雷射源62B係CO2 雷射源。
在本實施例中，預脈衝雷射66A具有比主脈衝雷射66B更低的強度以及更小的光點尺寸。在一些實施例中，預脈衝雷射66A具有約100μm或更小的光點尺寸，且主脈衝雷射66B具有約200-300μm(例如：225μm)的光點尺寸。預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B產生具有特定驅動功率以滿足晶圓大量生產，例如：每小時125個晶圓之產量。例如，預脈衝雷射66A配備大約2千瓦(kW)的驅動功率，而主脈衝雷射66B配備大約19kW的驅動功率。在一些實施例中，預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B之總驅動功率至少為20kW，例如：27kW。然而，應理解的是，可以對本揭露之實施例進行許多變化以及修改。
來自第一雷射源62A之預脈衝雷射66A以及來自第二雷射源62B之主脈衝雷射66B各別地通過收集器36之視窗(或透鏡)64引導進入激發區34，且在第一發光位置LP1以及第二發光位置LP2照射目標液滴32。換句話說，第一發光位置LP1以及第二發光位置LP2分別為預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B的焦點。視窗64A以及64B可採取對預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B大致透明的合適材料。在一些實施例中，預脈衝66A以及主脈衝66B之產生與目標液滴32之產生同步。當目標液滴32移動通過激發區34時，預脈衝雷射66A在第一發光位置LP1加熱目標液滴32，且轉換目標液滴32至低密度目標煙霧33。在預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B之間的延遲由控制器40所控制，以允許低密度目標煙霧33形成以及擴展至最佳的尺寸以及幾何形狀。當主脈衝雷射66B在第二發光位置LP2加熱目標煙霧33時，產生高溫電漿。上述高溫電漿放射出極紫外光輻射38，並由收集器36所收集。收集器36更反射且聚焦用於微影曝光製程之極紫外光輻射38。
如上所述，液滴捕集器70相對目標液滴產生器30設置。液滴捕集器配置以捕集過量的目標液滴32。例如，預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B兩者可能故意錯過一些目標液滴32，或僅有主脈衝雷射66B故意錯過一些目標煙霧33。除此之外，當預脈衝雷射66A未適當地以及準確地照射目標液滴32，碎屑39會增加。類似地，當主脈衝雷射66B未適當地以及準確地照射目標煙霧33，碎屑39會增加。例如，如果目標液滴32係不穩定的，不穩定的目標液滴32會被轉換成不穩定的電漿，且導致未預期的碎屑39出現，從而增加碎屑39。碎屑39可沉積至收集器36之表面上，從而引起其上的汙染。因此，收集器36之反射率劣化，且需要調換。
在光源12B中，根據來自測量裝置50測得之源槽72之溫度TEMP以及目標液滴32之液滴位置，控制器40能夠提供控制信號CTRL至雷射產生器60B，進而控制是否產生預脈衝雷射66A及/或主脈衝雷射66B。例如，當源槽72之溫度TEMP或目標液滴32之液滴位置係正常的，控制器40決定目標液滴32係穩定的，且控制器40提供控制信號CTRL至雷射產生器60B，進而提供預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B。相反地，當源槽72之溫度TEMP及/或目標液滴32之液滴位置兩者係異常的，控制器40決定目標液滴32係不穩定的，且控制器40提供控制信號CTRL至雷射產生器60B，進而停止提供預脈衝雷射66A及/或主脈衝雷射66B，直至源槽72之溫度TEMP或目標液滴32之液滴位置係正常的。因此，避免了使用預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B轉換不穩定的目標液滴32，從而減少收集器36之表面上的汙染，且延長收集器36之可用壽命。以下將描述本操作之細節。
在一些實施例中，除了來自測量裝置50之源槽72之溫度TEMP以及目標液滴32之液滴位置，控制器40配置以進一步根據由雷射儀56測量之預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B之光束尺寸、第一發光位置LP1以及第二發光位置LP2，提供控制信號CTRL。例如，當預脈衝雷射66A及/或主脈衝雷射66B之光束尺寸或發光位置LP1及/或LP2係正常的，控制器40提供控制信號CTRL至雷射產生器60B，進而提供預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B。相反地，當預脈衝雷射66A及/或主脈衝雷射66B之光束尺寸以及發光位置LP1及/或LP2係異常的，控制器40提供控制信號CTRL至雷射產生器60B，進而停止提供預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B，直至預脈衝雷射66A及/或主脈衝雷射66B之光束尺寸、或發光位置LP1及/或LP2係正常的。因此，避免了使用不穩定的預脈衝雷射66A及/或主脈衝雷射66B轉換目標液滴32，從而減少收集器36之表面上的汙染，且延長收集器36之可用壽命。以下將描述本操作之細節。
在一些實施例中，控制器40更提供控制信號CTRL至第1圖之極紫外光掃描器13，進而通知極紫外光掃描器13是否中止微影曝光製程。例如，當決定目標液滴32係穩定的，控制器40配置以提供控制信號CTRL至極紫外光掃描器13，進而執行微影曝光製程。相反地，當決定目標液滴32係不穩定的，控制器40配置以提供控制信號CTRL至極紫外光掃描器13，進而中止微影曝光製程。
第4圖圖示根據本揭露之一些實施例，用於產生極紫外光(EUV)輻射之方法之簡化流程圖。除此之外，第4圖之用於微影曝光製程之方法，係由第1圖之微影系統10執行。
在第4圖之方法執行之前，用於極紫外光的遮罩18裝載至微影系統10，微影系統10配置以執行極紫外光微影曝光製程。遮罩18係圖案化遮罩，且包括積體電路圖案，上述積體電路圖案將被轉移至半導體基板，例如：晶圓22。除此之外，遮罩18固定在遮罩平台16上，且執行遮罩18之校準。
類似地，在第4圖之方法執行之前，半導體基板22裝載至微影系統10。晶圓22塗佈光阻層(resist layer)。在本實施例中，光阻層對來自微影系統10之光源12之極紫外光(輻射)敏感。
在第4圖之操作410中，目標液滴產生器30配置以用適當的材料、適當的尺寸、適當的速率、以及適當的移動速度以及方向，提供(或產生)目標液滴32至源槽72。在一些實施例中，根據預定設定，控制器40控制目標液滴32之速率以及適當的移動速度及/或方向。如上所述，目標液滴32一次一個地產生，且一系列的目標液滴32移動通過源槽72之激發區34。
在第4圖之操作420中，測量裝置50測量源槽72內之溫度TEMP，然後測量裝置50配置以提供溫度TEMP至控制器40。在一些實施例中，測量裝置50透過具有一或多位元(bits)之類比訊號或數位訊號傳送溫度TEMP至控制器40。
當獲得溫度TEMP時，控制器40比較溫度TEMP與溫度閾值TH_temp，以獲得數據(或信號)T_vane，且數據T_vane被用於決定源槽72之溫度TEMP是否大於溫度閾值TH_temp。參考第5圖，第5圖圖示根據本揭露之一些實施例，繪示溫度TEMP以及數據T_vane之間的關係的範例。在第5圖中，當溫度TEMP小於或等於溫度閾值TH_temp時，控制器40獲得具有低邏輯準位(“L”)之數據T_vane。相反地，當溫度TEMP大於溫度閾值TH_temp時，控制器40獲得具有高邏輯準位(“H”)之數據T_vane。
在一些實施例中，控制器40比較溫度TEMP與溫度範圍，以獲得數據T_vane，且數據T_vane被用於決定源槽72之溫度TEMP是否大於上溫度閾值、或小於下溫度閾值(例如：在溫度範圍之外)。例如，當溫度TEMP在溫度範圍內時(亦即，溫度TEMP小於上溫度閾值以及大於下溫度閾值)，控制器40獲得具有低邏輯準位(“L”)之數據T_vane。相反地，當溫度TEMP未落在溫度範圍內(亦即，溫度TEMP大於上溫度閾值或小於下溫度閾值)，控制器40獲得具有高邏輯準位(“H”)之數據T_vane。
再次參考第4圖之流程圖，在第4圖之操作420中，測量裝置50亦測量每一個目標液滴32之液滴位置，且提供關於液滴位置之資訊至控制器40。在一些實施例中，關於每一個液滴位置之資訊透過具有一或多位元之類比訊號或數位訊號傳送。
在一些實施例中，當獲得液滴位置時，控制器40可計算液滴位置之標準差σ，例如：控制器40配置以執行標準差σ之算術運算。在本實施例中，液滴位置之標準差σ係用於量化一組液滴位置之變異量或分散量之測量值。換句話說，標準差σ係用於兩個連續目標液滴32之間隔時間之績效指標。在一些實施例中，標準差σ由測量裝置50所提供。在一些實施例中，可做其他運算，以決定液滴位置是否係可接受的。
在一些實施例中，標準差σ根據以下方程式獲得：
Figure 02_image001
在此{x1 ,x2 ,…,xN }代表第一個、第二個、...第N個目標液滴32之液滴位置，N係目標液滴32之數量，且μ代表液滴位置之平均值。
當獲得標準差σ時，控制器40比較標準差σ與標準差閾值TH_SD，以獲得數據(或信號)X-int_σ，且數據X-int_σ係用於指出目標液滴32之標準差是否大於標準差閾值TH_SD。參考第6圖，第6圖圖示根據本揭露之一些實施例，繪示標準差σ以及數據X-int_σ之間的關係的範例。在第6圖中，當標準差σ小於或等於標準差閾值TH_SD，控制器40獲得具有低邏輯準位(“L”)之數據X-int_σ。相反地，當標準差σ大於標準差閾值TH_SD，控制器40獲得具有高邏輯準位(“H”)之數據X-int_σ。
在一些實施例中，控制器40比較標準差σ與標準差範圍，以獲得數據X-int_σ，且數據X-int_σ用於指出目標液滴32之標準差σ是否大於上標準差閾值或小於下標準差閾值(例如：在標準差範圍之外)。例如，當標準差σ在標準差範圍時，控制器40獲得具有低邏輯準位(“L”)之數據X-int_σ。相反地，當標準差σ未落在標準差範圍內(亦即，大於上標準差閾值或小於下標準差閾值)，控制器40獲得具有高邏輯準位(“H”)之數據X-int_σ。
由於標準差σ對源槽72之容器狀況敏感，例如：溫度TEMP，當源槽72被加熱時，溫度TEMP之變化導致不穩定的壓力流動，從而影響目標液滴32之液滴位置。例如，參考第7圖，第7圖圖示根據本揭露之一些實施例，對應於第5圖之溫度TEMP以及第6圖之標準差σ之源槽72之壓力。當源槽72之壓力出現明顯變異(標記為UPF)，壓力變化會造成不穩定的壓力流動以影響目標液滴32，從而產生不穩定的目標液滴32。在第7圖中，源槽72之壓力之明顯變異(標記為UPF)，由第5圖之溫度TEMP明顯變異造成。
再次參考第4圖之流程圖，在操作430中，控制器40決定溫度TEMP是否超過溫度閾值TH_temp，且標準差σ是否超過標準差閾值TH_SD。當決定溫度TEMP未超過溫度閾值TH_temp(例如：TEMP≦TH_temp)或標準差σ未超過標準差閾值TH_SD時(例如：σ≦TH_SD)，控制器40配置以提供控制信號CTRL至雷射產生器(例如：第2圖之60A或第3圖之60B)，用於通知目標液滴32係穩定的。因此，雷射產生器繼續提供脈衝雷射66。
如上所述，標準差σ係製程參數(或指標)，以量化一組液滴位置之變異量或分散量。在一些實施例中，其他製程參數可用於量化液滴位置之變異量或分散量，例如：液滴位置之平均值(average value)(或平均值(mean value))或液滴位置對時間的微分產生之一階導數。例如，控制器40決定溫度TEMP是否超過溫度閾值TH_temp，且平均值是否在預定範圍內。當決定溫度TEMP未超過溫度閾值TH_temp(例如：TEMP≦TH_temp)或平均值未超過預定範圍時，控制器40配置以提供控制信號CTRL至雷射產生器(例如：第2圖之60A或第3圖之60B)，用於通知目標液滴32係穩定的。因此，雷射產生器繼續提供脈衝雷射66。
在操作440中，雷射產生器配置以因應於控制信號CTRL，提供雷射脈衝(例如：第2圖之66或第3圖之66A以及66B)，進而轉換目標液滴32至作為用於微影曝光製程之極紫外光輻射之電漿。例如，第2圖中，如果控制信號CTRL指出目標液滴32係穩定的，雷射源62配置以產生之脈衝雷射66。類似地，第3圖中，雷射源62A配置以產生預脈衝雷射66A，且雷射源62B配置以產生主脈衝雷射66B。
對於第1圖之極紫外光掃描器13而言，控制器40更提供控制信號CTRL至極紫外光掃描器13，進而通知極紫外光掃描器13繼續微影曝光製程。除此之外，由光源12所產生的極紫外光輻射照射在遮罩18上(由照明器14)，且更投射在塗佈在晶圓22上之光阻層上(由投影光學模組20)，從而形成光阻層上之潛像。
當雷射產生器因應於控制信號CTRL(在操作440中)產生雷射脈衝，第4圖之流程圖之操作420再次執行，進而獲得當前溫度TEMP以及當前液滴位置。因此，溫度TEMP以及標準差σ被更新。接下來，當控制器40決定溫度TEMP未超過溫度閾值TH_temp或決定標準差σ未超過標準差閾值TH_SD(在操作430中)，控制器40繼續提供用於產生雷射脈衝之控制信號CTRL(操作440)。
相反地，當控制器40同時地決定溫度TEMP超過溫度閾值TH_temp，且標準差σ超過標準差閾值TH_SD(操作430)，控制器40決定目標液滴32係不穩定的，且提供控制信號CTRL至雷射產生器(例如：第2圖之60A或第3圖之60B)，進而在操作450中停止提供脈衝雷射(例如：第2圖之66或第3圖之66A以及66B)，直至溫度TEMP未超過溫度閾值TH_temp或標準差σ未超過標準差閾值TH_SD。例如，如果控制信號CTRL指出目標液滴32係不穩定的，在第2圖中，雷射源62配置以停止提供脈衝雷射66。在一些實施例中，如果控制信號CTRL指出目標液滴32係不穩定的，在第3圖中，僅有雷射源62B配置以停止產生主脈衝雷射66B。在一些實施例中，如果控制信號CTRL指出目標液滴32係不穩定的，在第3圖中，雷射源62A以及62B兩者配置以停止產生預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B。
當目標液滴32係不穩定的，控制器40更提供控制信號CTRL至第1圖之極紫外光掃描器13，進而通知極紫外光掃描器13中止微影曝光製程。除此之外，當雷射產生器因應於控制信號CTRL而未產生雷射脈衝時，第4圖中之流程圖之操作420再次執行，進而獲得當前的溫度TEMP以及當前的液滴位置。因此，溫度TEMP以及標準差σ被更新。接下來，在操作430中，控制器40決定當前溫度TEMP是否超過溫度閾值TH_temp，且決定當前標準差σ是否超過標準差閾值TH_SD，然後因應於對應於操作430中之決定的控制信號CRTL執行隨後的操作(例如：第4圖中之操作440或操作450)。
第8圖圖示根據本揭露之一些實施例，繪示根據第5圖之溫度TEMP以及第6圖之標準差σ、對應於操作430中之決定之控制信號CTRL的範例。如上所述，當溫度TEMP超過溫度閾值TH_temp時，控制器40獲得具有高邏輯準位之數據T_vane。除此之外，當標準差σ超過標準差閾值TH_SD，控制器40獲得具有高邏輯準位之數據X-int_σ。控制器40對數據T_vane以及數據X-int_σ執行AND邏輯運算，以獲得數據(或信號)UNSTABLE_PD。在本實施例中，數據UNSTABLE_PD根據數據T_vane以及數據X-int_σ之卷積(convolution)獲得，且數據UNSTABLE_PD用於代表源槽72中目標液滴32之狀態。例如，如果兩個數據T_vane以及數據X-int_σ在高邏輯準位，則數據UNSTABLE_PD在高邏輯準位，這代表目標液滴32係不穩定的。如果數據T_vane或數據X-int_σ在低邏輯準位，則數據UNSTABLE_PD在低邏輯準位，這代表目標液滴32係穩定的。
在本實施例中，控制器40根據數據UNSTABLE_PD提供控制信號CTRL，且根據關於溫度TEMP以及標準差σ之製程參數獲得數據UNSTABLE_PD。在本實施例中，控制信號CTRL與數據UNSTABLE_PD互補。因此，當控制信號CTRL在高邏輯準位時(亦即，目標液滴32係穩定的)，雷射產生器配置以因應於具有高邏輯準位之控制信號CTRL，提供雷射脈衝。相反地，當控制信號CTRL在低邏輯準位時(亦即，目標液滴32係不穩定的)，雷射產生器配置以因應於具有低邏輯準位之控制信號CTRL，停止提供雷射脈衝。
在一些實施例中，關於目標液滴32之液滴位置之其他製程參數可用於獲得數據UNSTABLE_PD。例如，假設目標液滴32之數量為N，其他製程參數可為第一個、第二個、...第N個目標液滴32之液滴位置之平均值，或第一個、第二個、...第N個目標液滴32之液滴位置對時間的微分產生之一階導數。
在一些實施例中，關於脈衝雷射66、預脈衝雷射66A及/或主脈衝雷射66B之光束尺寸之製程參數可用於獲得數據UNSTABLE_PD。例如，製程參數可為對應於第一個、第二個、...第N個目標液滴32的脈衝雷射66(或預脈衝雷射66A、主脈衝雷射66B)之光束尺寸之平均值或標準差。
在一些實施例中，關於脈衝雷射66、預脈衝雷射66A及/或主脈衝雷射66B之焦點之製程參數可用於獲得數據UNSTABLE_PD。例如，製程參數可為對應於第一個、第二個、...第N個目標液滴32的脈衝雷射66(或預脈衝雷射66A、主脈衝雷射66B)之焦點之標準差或一階導數。除此之外，製程參數可為對應於第一個、第二個、...第N個目標液滴32，在預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B之間之焦點間距之標準差或一階導數。在一些實施例中，在預脈衝雷射66A以及主脈衝雷射66B之間之焦點間距代表第3圖之第一發光位置LP1以及第二發光位置LP2之差異。
在一些實施例中，根據各種製程或應用，先前所描述的兩個或多個製程參數用於獲得數據UNSTABLE_PD。例如，在第8圖中，根據關於第5圖之溫度TEMP之製程參數以及關於第6圖之標準差σ之製程參數，獲得數據UNSTABLE_PD。
在一些實施例中，如果用於獲得數據UNSTABLE_PD之兩個或多個製程參數在對應範圍外(例如：溫度範圍或標準差範圍)，或大於對應閾值(例如：溫度閾值TH_temp或標準差閾值TH_SD)，控制器40決定目標液滴32或雷射脈衝66/66A/66B係不穩定的，所以不會產生脈衝雷射以照射源槽72中之目標液滴32。相反地，如果其中一個用於獲得數據UNSTABLE_PD之製程參數在對應範圍內，或小於或等於對應閾值，控制器40決定目標液滴32或雷射脈衝66/66A/66B係穩定的，故控制器40配置以提供控制信號CTRL至雷射產生器60A/60B，進而提供脈衝雷射66/66A/66B。
在一些實施例中，控制信號CTRL為用於中止微影曝光製程之選通信號(gating signal)。如上所述，控制器40更提供控制信號CTRL以通知極紫外光掃描器13、是否中止微影曝光製程。例如，當控制信號CTRL在高邏輯準位(亦即，目標液滴32係穩定的)，極紫外光掃描器13配置以因應於具有高邏輯準位之控制信號CTRL，執行微影曝光製程。相反地，當控制信號CTRL在低邏輯準位(亦即，目標液滴32係不穩定的)，極紫外光掃描器13配置以因應於具有低邏輯準位之控制信號CTRL，中止微影曝光製程，從而防止未預期的碎屑39產生。因此，增加收集器36之可用壽命。例如，可用壽命從30天增加至180天。應理解的是，數據T_vane、X-int_σ、以及UNSTABLE_PD以及控制信號CTRL之邏輯準位可以改變，且本揭露不應限於實施例。
本揭露提供用於光源、極紫外光微影系統，以及用於產生極紫外光輻射的方法之實施例。目標液滴產生器30配置以提供多個目標液滴32至源槽72。測量裝置50配置以測量源槽72之溫度TEMP、目標液滴32之液滴位置、以及脈衝雷射66、66A以及66B。除此之外，獲得關於目標液滴32之液滴位置之標準差σ之製程參數。如果源槽72之溫度TEMP未超過溫度閾值TH_temp或在溫度範圍內，則控制器40決定目標液滴係穩定的，故多個脈衝雷射(例如：第2圖之66或第3圖之66A以及66B)產生以照射源槽72中之目標液滴32。如果標準差σ未超過標準差閾值TH_SD或在標準差範圍內，則控制器40決定目標液滴係穩定的，故脈衝雷射亦產生以照射源槽72中之目標液滴32。然而，如果源槽之溫度TEMP超過溫度閾值TH_temp或在溫度範圍外、且標準差σ超過標準差閾值TH_SD或在標準差範圍外，則控制器40決定目標液滴32係不穩定的，所以不會產生脈衝雷射以照射源槽72中之目標液滴32。因此，當控制器40決定目標液滴32係不穩定的，沒有未預期的碎屑39產生，從而降低收集器36之表面上的汙染。因此，增進且進一步延長收集器36之壽命。而且，收集器36需要調換之次數下降。除此之外，由於在微影曝光製程中有更多穩定的液滴狀況，可以固定劑量控制以及曝光品質。因此，在微影曝光製程中，亦增進了機台的可用性、生產力以及可靠性。
在一些實施例中，提供用於極紫外光(EUV)輻射之光源。光源包括目標液滴產生器、雷射產生器、測量裝置、以及控制器。目標液滴產生器配置以提供多個目標液滴至源槽。雷射產生器配置以根據控制信號，提供多個第一雷射脈衝，以照射源槽中之目標液滴，進而產生作為極紫外光輻射之電漿。測量裝置配置以測量製程參數，製程參數包括源槽之溫度、目標液滴之液滴位置、以及第一雷射脈衝之光束尺寸以及焦點。控制器配置以根據至少兩個製程參數，提供控制信號。
在一些實施例中，當至少兩個製程參數之第一製程參數在第一預定範圍外或大於第一閾值，且至少兩個製程參數之第二製程參數在第二預定範圍外或大於第二閾值時，控制器配置以提供控制信號至雷射產生器，進而停止提供第一雷射脈衝。在一些實施例中，當至少兩個製程參數之第一製程參數在第一預定範圍內、或第一製程參數小於或等於第一閾值，或至少兩個製程參數之第二製程參數在第二預定範圍內、或第二製程參數小於或等於第二閾值時，控制器更配置以提供控制信號至雷射產生器，進而繼續提供第一雷射脈衝。
在一些實施例中，控制器更配置以對製程參數中之一者執行算術運算，製程參數包括源槽之溫度、目標液滴之液滴位置之標準差或平均值、目標液滴之液滴位置之一階導數、第一雷射脈衝之光束尺寸之標準差或平均值、第一雷射脈衝之焦點之標準差或平均值、或第一雷射脈衝之焦點之一階導數。
在一些實施例中，雷射產生器包括第一雷射源以及第二雷射源，第一雷射源配置以提供第二雷射脈衝，以照射目標液滴，進而產生目標煙霧；以及第二雷射源，配置以因應於控制信號，提供第一雷射脈衝，以照射目標煙霧，進而產生電漿。在一些實施例中，第一雷射源配置以因應於控制信號，提供第二雷射脈衝，以照射目標液滴，進而產生複數個目標煙霧。
在一些實施例中，提供極紫外光(EUV)微影系統，用於執行微影曝光製程。極紫外光微影系統包括極紫外光掃描器以及光源。光源配置以因應於控制信號，提供極紫外光輻射至極紫外光掃描器。光源包括收集器、目標液滴產生器、雷射產生器以及控制器。收集器配置以收集極紫外光輻射，且引導極紫外光輻射至極紫外光掃描器。目標液滴產生器配置以提供多個目標液滴至源槽。雷射產生器配置以根據控制信號，提供多個第一雷射脈衝，以照射在源槽中之目標液滴，進而產生作為極紫外光輻射之電漿。控制器配置以根據至少兩個製程參數，提供控制信號至雷射產生器，以停止提供第一雷射脈衝，且提供控制信號至極紫外光掃描器，以中止微影曝光製程。至少兩個製程參數包括：源槽之溫度、目標液滴之液滴位置、以及第一雷射脈衝之光束尺寸以及焦點。
在一些實施例中，光源更包括熱感測器、液滴偵測器、以及雷射儀，熱感測器配置以測量源槽之溫度，且提供測得之溫度至控制器；液滴偵測器，配置以測量目標液滴之液滴位置，且提供測得之液滴位置至控制器；以及雷射儀，配置以測量第一雷射脈衝之光束尺寸以及焦點，且提供測得之光束尺寸以及測得之焦點至控制器。
在一些實施例中，當控制信號指出至少兩個製程參數之第一製程參數在第一預定範圍外或大於第一閾值，且至少兩個製程參數之第二製程參數在第二預定範圍外或大於第二閾值時，雷射產生器配置以停止提供第一雷射脈衝，進而停止提供極紫外光輻射至極紫外光掃描器。在一些實施例中，當控制信號指出第一製程參數在第一預定範圍內、或第一製程參數小於或等於第一閾值，或第二製程參數在第二預定範圍內、或第二製程參數小於或等於第二閾值時，雷射產生器更配置以繼續提供第一雷射脈衝，進而提供極紫外光輻射至極紫外光掃描器。
在一些實施例中，雷射產生器包括：第一雷射源以及第二雷射源，第一雷射源配置以提供第二雷射脈衝，以照射目標液滴，進而產生目標煙霧；第二雷射源配置以因應於控制信號，提供第一雷射脈衝，以照射目標煙霧，進而產生電漿。在一些實施例中，第一雷射源配置以因應於控制信號，提供第二雷射脈衝，以照射目標液滴，進而產生目標煙霧。
在一些實施例中，極紫外光掃描器配置以因應於控制信號，用極紫外光輻射照射圖案化遮罩，進而在微影曝光製程中提供圖案化光束，且投射圖案化光束至半導體基板上。
在一些實施例中，提供用於產生極紫外光(EUV)輻射之方法。提供目標液滴至源槽，測量源槽之溫度，測量目標液滴之每一者的液滴位置，且獲得目標液滴之液滴位置之標準差或平均值。根據源槽之溫度以及目標液滴之液滴位置之標準差或平均值，決定目標液滴是否穩定。當目標液滴係穩定的，提供多個第一雷射脈衝，以照射在源槽中之目標液滴，進而產生作為極紫外光輻射之電漿。
在一些實施例中，當目標液滴為不穩定的，停止提供照射在源槽中之目標液滴之第一雷射脈衝，進而停止產生作為極紫外光輻射之電漿。在一些實施例中，當目標液滴為穩定的，通知極紫外光掃描器，以執行微影曝光製程；當目標液滴為不穩定的，通知極紫外光掃描器，以中止微影曝光製程。
在一些實施例中，提供第二雷射脈衝，以照射目標液滴，進而產生目標煙霧，當目標液滴為不穩定的，停止提供照射在源槽中之目標液滴之第一雷射脈衝，且停止提供照射目標煙霧之第一雷射脈衝。在一些實施例中，當目標液滴為穩定的，提供第二雷射脈衝，以照射目標液滴，進而產生目標煙霧，當目標液滴為穩定的，提供第一雷射脈衝，以照射在源槽中之目標液滴以及目標煙霧，進而產生電漿。
在一些實施例中，根據源槽之溫度、以及目標液滴之液滴位置之標準差或平均值，決定目標液滴是否為穩定的步驟，包括當源槽之溫度小於或等於第一閾值，或當目標液滴之液滴位置之標準差或平均值小於或等於第二閾值，決定目標液滴為穩定的。在一些實施例中，當源槽之溫度超過第一閾值，且當目標液滴之液滴位置之標準差或平均值超過第二閾值，決定目標液滴為不穩定的。
前面概述數個實施例之特徵，使得本技術領域中具有通常知識者可更好地理解本揭露的各方面。本技術領域中具有通常知識者應理解的是，可輕易地使用本揭露作為設計或修改其他製程以及結構的基礎，以實現在此介紹的實施例之相同目的及/或達到相同優點。本技術領域中具有通常知識者亦應理解的是，這樣的等同配置不背離本揭露的精神以及範圍，且在不背離本揭露之精神以及範圍的情況下，可對本揭露進行各種改變、替換以及更改。
10‧‧‧微影系統11‧‧‧極紫外光輻射源裝置12、12A、12B‧‧‧光源13‧‧‧極紫外光掃描器14‧‧‧照明器16‧‧‧遮罩平台18‧‧‧遮罩20‧‧‧投影光學模組22‧‧‧半導體基板24‧‧‧基板平台26‧‧‧氣體供應模組30‧‧‧目標液滴產生器32‧‧‧目標液滴33‧‧‧目標煙霧34‧‧‧激發區36‧‧‧收集器38‧‧‧極紫外光39‧‧‧碎屑40‧‧‧控制器410、420、430、440、450‧‧‧操作50‧‧‧測量裝置52‧‧‧熱感測器54‧‧‧液滴偵測器56‧‧‧雷射儀60A、60B‧‧‧雷射產生器62、62A、62B‧‧‧雷射源64、64A、64B‧‧‧視窗66、66A、66B‧‧‧脈衝雷射70‧‧‧液滴捕集器72‧‧‧源槽74‧‧‧輸出埠CTRL‧‧‧控制信號H‧‧‧高邏輯準位L‧‧‧低邏輯準位LP、LP1、LP2‧‧‧發光位置TH_SD‧‧‧標準差閾值TH_temp‧‧‧溫度閾值T_vane、UNSTABLE_PD、X-int_σ‧‧‧數據UPF‧‧‧明顯變異σ‧‧‧標準差
當閱讀所附圖式時，從以下的詳細描述能最佳理解本揭露的各方面。應注意的是，根據業界的標準作法，各種特徵並未按照比例繪製。事實上，可任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。 第1圖圖示根據本揭露之一些實施例，微影系統之示意概略圖。 第2圖圖示根據本揭露之一些實施例，第1圖之微影系統之光源。 第3圖圖示根據本揭露之一些實施例，第1圖之微影系統之光源。 第4圖圖示根據本揭露之一些實施例，用於產生極紫外光(EUV)輻射之方法之簡化流程圖。 第5圖圖示根據本揭露之一些實施例，繪示溫度TEMP以及數據T_vane之間的關係的範例。 第6圖圖示根據本揭露之一些實施例，繪示標準差σ以及數據X-int_σ之間的關係的範例。 第7圖圖示根據本揭露之一些實施例，對應於第5圖之溫度TEMP以及第6圖之標準差σ之源槽之壓力。 第8圖圖示根據本揭露之一些實施例，繪示根據第5圖之溫度TEMP以及第6圖之標準差σ、對應於操作430中之決定之控制信號CTRL的範例。
12A‧‧‧光源
30‧‧‧目標液滴產生器
32‧‧‧目標液滴
34‧‧‧激發區
36‧‧‧收集器
38‧‧‧極紫外光
39‧‧‧碎屑
40‧‧‧控制器
50‧‧‧測量裝置
52‧‧‧熱感測器
54‧‧‧液滴偵測器
56‧‧‧雷射儀
60A‧‧‧雷射產生器
62‧‧‧雷射源
64‧‧‧視窗
66‧‧‧脈衝雷射
70‧‧‧液滴捕集器
72‧‧‧源槽
74‧‧‧輸出埠
CTRL‧‧‧控制信號
LP‧‧‧發光位置

Claims (9)

  1. 一種用於極紫外光(EUV)輻射之光源，包括：一目標液滴產生器，配置以提供複數個目標液滴至一源槽；一雷射產生器，配置以根據一控制信號，提供複數個第一雷射脈衝，以照射在該源槽中之該等目標液滴，進而產生作為該極紫外光輻射之一電漿；一測量裝置，配置以測量複數個製程參數，該等製程參數包括該源槽之一溫度、該等目標液滴之複數個液滴位置、以及該等第一雷射脈衝之複數個光束尺寸以及複數個焦點；以及一控制器，配置以根據至少兩個該等製程參數，提供該控制信號至該雷射產生器，以控制是否提供該等第一雷射脈衝；其中當該源槽之該溫度超過一溫度閾值，且該等目標液滴之該等液滴位置之一標準差超過一標準差閾值時，該控制器配置以提供該控制信號至該雷射產生器，以停止提供該等第一雷射脈衝。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於極紫外光輻射之光源，其中當該等製程參數中除了該源槽之該溫度以及該等目標液滴之該等液滴位置之該標準差以外之其中之一者在一第一預定範圍外或大於一第一閾值時，該控制器更配置以提供該控制信號至該雷射產生器，進而停止提供該等第一雷射脈衝，其中當該等製程參數之其中之一者在該第一預定範圍內、或當該等製程參數之其中之一者小於或等於該第一閾值時，該控制器更配置以提供該控制信號至該雷射產生器，進而繼續提供該等第一雷射脈衝。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於極紫外光輻射之光源，其中該控制器更配置以對該等製程參數之中之一者執行一算術運算，該等製程參數包括該源槽之該溫度、該等目標液滴之該等液滴位置之該標準差或一平均值、該等目標液滴之該等液滴位置之複數個一階導數、該等第一雷射脈衝之該等光束尺寸之一標準差或一平均值、該等第一雷射脈衝之該等焦點之一標準差或一平均值、或該等第一雷射脈衝之該等焦點之複數個一階導數。
  4. 一種極紫外光(EUV)微影系統，用於執行微影曝光製程，包括：一極紫外光掃描器；以及一光源，配置以因應於一控制信號，提供一極紫外光輻射至該極紫外光掃描器，其中該光源包括：一收集器，配置以收集該極紫外光輻射，且引導該極紫外光輻射至該極紫外光掃描器；一目標液滴產生器，配置以提供複數個目標液滴至一源槽；一雷射產生器，配置以根據該控制信號，提供複數個第一雷射脈衝，以照射在該源槽中之該等目標液滴，進而產生作為該極紫外光輻射之一電漿；以及一控制器，配置以根據至少兩個製程參數，提供該控制信號至該雷射產生器，以控制是否提供該等第一雷射脈衝，且提供該控制信號至該極紫外光掃描器，以控制是否中止該微影曝光製程，該等至少兩個製程參數包括該源槽之一溫度、該等目標液滴之複數個液滴位置、以及該等第一雷射脈衝之複數個光束尺寸以及複數個焦點； 其中當該源槽之該溫度超過一溫度閾值，且該等目標液滴之該等液滴位置之一標準差超過一標準差閾值時，該控制器配置以提供該控制信號至該雷射產生器，以停止提供該等第一雷射脈衝。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之極紫外光微影系統，其中該光源更包括：一熱感測器，配置以測量該源槽之該溫度，且提供測得之該溫度至該控制器；一液滴偵測器，配置以測量該等目標液滴之該等液滴位置，且提供測得之該等液滴位置至該控制器；以及一雷射儀，配置以測量該等第一雷射脈衝之該等光束尺寸以及該等焦點，且提供測得之該等光束尺寸以及測得之該等焦點至該控制器。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之所述之極紫外光微影系統，其中當該控制信號指出該等製程參數中除了該源槽之該溫度以及該等目標液滴之該等液滴位置之該標準差以外之其中之一者在一第一預定範圍外或大於一第一閾值時，該雷射產生器配置以停止提供該等第一雷射脈衝，進而停止提供該極紫外光輻射至該極紫外光掃描器，其中當該控制信號指出該等製程參數之其中之一者在該第一預定範圍內、或該等製程參數之其中之一者小於或等於該第一閾值時，該雷射產生器更配置以繼續提供該等第一雷射脈衝，進而提供該極紫外光輻射至該極紫外光掃描器。
  7. 一種產生極紫外光(EUV)輻射之方法，包括：提供複數個目標液滴至一源槽； 測量該源槽之一溫度；測量該等目標液滴之每一者的一液滴位置，且獲得該等目標液滴之該等液滴位置之一標準差；根據該源槽之該溫度以及該等目標液滴之該等液滴位置之該標準差，決定該等目標液滴是否穩定；以及當該源槽之該溫度大於一溫度閾值，且該等液滴位置之該標準差大於一標準差閾值時，決定該等目標液滴為不穩定的，停止提供照射在該源槽中之該等目標液滴之該等第一雷射脈衝，進而停止產生作為該極紫外光輻射之該電漿。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之產生極紫外光輻射之方法，更包括：提供複數個第二雷射脈衝，以照射該等目標液滴，進而產生複數個目標煙霧，其中當該等目標液滴為不穩定的，停止提供照射在該源槽中之該等目標液滴之該等第一雷射脈衝的步驟，更包括：當該等目標液滴為不穩定的，停止提供照射該等目標煙霧之該等第一雷射脈衝。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之產生極紫外光輻射之方法，其中根據該源槽之該溫度、以及該等目標液滴之該等液滴位置之該標準差，決定該等目標液滴是否為穩定的步驟，更包括：當該源槽之該溫度小於或等於該溫度閾值，決定該等目標液滴為穩定的；或當該等目標液滴之該等液滴位置之該標準差小於或等於該標準差閾值，決定該等目標液滴為穩定的。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10524345B2 (en) * 2017-04-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Residual gain monitoring and reduction for EUV drive laser
WO2019092831A1 (ja) * 2017-11-09 2019-05-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
JP7306888B2 (ja) * 2019-06-13 2023-07-11 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム、レーザビームサイズ制御方法及び電子デバイスの製造方法
US11086226B1 (en) * 2020-06-03 2021-08-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Liquid tamped targets for extreme ultraviolet lithography
CN111913370B (zh) * 2020-08-27 2022-04-26 广东省智能机器人研究院 极紫外光产生方法及装置
CN112947014B (zh) * 2021-01-29 2024-02-06 广东省智能机器人研究院 极紫外光产生方法和装置
US11852978B2 (en) * 2022-03-07 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV lithography system with 3D sensing and tunning modules

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100176310A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Masato Moriya Extreme ultra violet light source apparatus
TW201127214A (en) * 2009-04-09 2011-08-01 Cymer Inc System, method and apparatus for laser produced plasma extreme ultraviolet chamber with hot walls and cold collector mirror
US20120286176A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Chirag Rajyaguru Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
TW201515523A (zh) * 2013-09-04 2015-04-16 Asml Netherlands Bv 用於極紫外光雷射生成電漿源之高能聚焦系統中的溫度補償方法及裝置
TW201515522A (zh) * 2013-09-04 2015-04-16 Asml Netherlands Bv 用於保護極紫外光光學元件之裝置
TW201630477A (zh) * 2014-12-16 2016-08-16 克萊譚克公司 基於電漿之光源
US20160320708A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme Ultraviolet Lithography Collector Contamination Reduction
US20170142817A1 (en) * 2015-11-16 2017-05-18 Kla-Tencor Corporation Laser Produced Plasma Light Source Having a Target Material Coated on a Cylindrically-Symmetric Element

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI305296B (en) 2004-07-27 2009-01-11 Cymer Inc Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an euv light source
US8530871B2 (en) 2007-07-13 2013-09-10 Cymer, Llc Laser produced plasma EUV light source
US7872245B2 (en) * 2008-03-17 2011-01-18 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
JP6054067B2 (ja) 2011-11-24 2016-12-27 ギガフォトン株式会社 Ｅｕｖ光生成装置、ターゲット回収装置、および、ターゲット回収方法
US8841047B2 (en) 2012-04-02 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US8877409B2 (en) 2012-04-20 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective mask and method of making same
US8828625B2 (en) 2012-08-06 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same
US9093530B2 (en) 2012-12-28 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of FinFET
US9148941B2 (en) * 2013-01-22 2015-09-29 Asml Netherlands B.V. Thermal monitor for an extreme ultraviolet light source
JP6151941B2 (ja) * 2013-03-22 2017-06-21 ギガフォトン株式会社 ターゲット生成装置及び極端紫外光生成装置
KR20150143802A (ko) * 2013-04-17 2015-12-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 수집기, 냉각 시스템 및 리소그래피 장치
US8796666B1 (en) 2013-04-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MOS devices with strain buffer layer and methods of forming the same
US9548303B2 (en) 2014-03-13 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof
US9529268B2 (en) 2014-04-03 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for improving pattern transfer
US9256123B2 (en) 2014-04-23 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of making an extreme ultraviolet pellicle
US9184054B1 (en) 2014-04-25 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit patterning
WO2015172816A1 (de) * 2014-05-13 2015-11-19 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Einrichtung zur überwachung der ausrichtung eines laserstrahls und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung damit
KR102269695B1 (ko) * 2015-03-19 2021-06-25 삼성전자주식회사 극자외선 광 생성 장치
US10880979B2 (en) 2015-11-10 2020-12-29 Kla Corporation Droplet generation for a laser produced plasma light source
WO2017130323A1 (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
US10524345B2 (en) * 2017-04-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Residual gain monitoring and reduction for EUV drive laser
WO2018203370A1 (ja) * 2017-05-01 2018-11-08 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及びターゲット供給方法
US10969690B2 (en) * 2017-09-29 2021-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet control system for adjusting droplet illumination parameters
US10338475B2 (en) * 2017-11-20 2019-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Light source for lithography exposure process
US11166361B2 (en) * 2018-11-30 2021-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and device for measuring contamination in EUV source

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100176310A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Masato Moriya Extreme ultra violet light source apparatus
TW201127214A (en) * 2009-04-09 2011-08-01 Cymer Inc System, method and apparatus for laser produced plasma extreme ultraviolet chamber with hot walls and cold collector mirror
US20120286176A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Chirag Rajyaguru Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
TW201515523A (zh) * 2013-09-04 2015-04-16 Asml Netherlands Bv 用於極紫外光雷射生成電漿源之高能聚焦系統中的溫度補償方法及裝置
TW201515522A (zh) * 2013-09-04 2015-04-16 Asml Netherlands Bv 用於保護極紫外光光學元件之裝置
TW201630477A (zh) * 2014-12-16 2016-08-16 克萊譚克公司 基於電漿之光源
US20160320708A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme Ultraviolet Lithography Collector Contamination Reduction
US20170142817A1 (en) * 2015-11-16 2017-05-18 Kla-Tencor Corporation Laser Produced Plasma Light Source Having a Target Material Coated on a Cylindrically-Symmetric Element

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