WO2017130323A1 - ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 Download PDF

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WO2017130323A1
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droplet
control unit
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duty
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貴久 藤巻
隆之 薮
悠太 高島
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ギガフォトン株式会社
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means

Definitions

  • the present disclosure relates to a target supply device and an extreme ultraviolet light generation device.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • JP 2014-186846 A International Publication No. 2014/189055 Special table 2010-527300 gazette Special table 2009-541093
  • a target supply device is driven by a tank that stores a liquid target material, a nozzle that outputs the target material stored in the tank, and an electric signal of a rectangular wave.
  • An excitation element that generates vibration of the target material by applying vibration to the target material output from the nozzle, a droplet detector that detects the droplet output from the nozzle, and a drop Based on the detection signal obtained from the let detection unit, the passing time interval measuring unit that measures the passing time interval of the droplet, and the operation of the vibration element based on the passing time interval measurement value measured by the passing time interval measuring unit
  • a control unit that determines an operation duty value that is a duty value of an electric signal suitable for the control unit, and the control unit has a transit time By changing the duty value of the electric signal input to the vibration element and changing the duty value of the electric signal input to the vibration element, the electric signal of each duty value is input to the vibration element for each duty value.
  • a process of determining an operation duty value based on variation in a certain duty value may be employed.
  • a target supply device is driven by a tank that stores a liquid target material, a nozzle that outputs the target material stored in the tank, and an electric signal of a rectangular wave.
  • An excitation element that generates vibration of the target material by applying vibration to the target material output from the nozzle, a droplet detector that detects the droplet output from the nozzle, and a drop Based on the detection signal obtained from the let detection unit, the passing time interval measuring unit that measures the passing time interval of the droplet, and the operation of the vibration element based on the passing time interval measurement value measured by the passing time interval measuring unit
  • a control unit that determines an operation duty value that is a duty value of an electrical signal suitable for the
  • a process that calculates the distance between droplets that represents the distance between droplets from the measured value, a process that sets an appropriate range for the distance between droplets, and a duty value of an electric signal that is input to the vibration element By inputting the electrical signal of each duty value to the vibration element for each duty value, the distance between droplets and the distance measurement between
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus.
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a control system that controls a light emission trigger of the laser apparatus.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing the state of the droplet passing through the detection range of the droplet detection device when the generation of the droplet is normal.
  • FIG. 5 is a timing chart of the passage timing signal and the light emission trigger signal obtained when the generation of droplets is normal.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus.
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a control system that controls a light emission trigger of the laser apparatus.
  • FIG. 4 is
  • FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a state of a droplet passing through a detection range of the droplet detection device when a defectively combined droplet is generated.
  • FIG. 7 shows a timing chart of a passage timing signal obtained when a defectively combined droplet is generated.
  • FIG. 8 is a diagram schematically illustrating a state of a droplet passing through a detection range of the droplet detection device when a satellite is generated.
  • FIG. 9 shows an example of a timing chart of a passage timing signal obtained when a satellite is generated.
  • FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of a control system in the target supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of a control system in the target supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is an example of a timing chart of a passage timing signal and a light emission trigger signal obtained when a poorly combined droplet or satellite is generated.
  • FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of the operation of the control unit illustrated in FIG.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram of a burst operation in the EUV light generation apparatus.
  • FIG. 14 is a flowchart showing the processing contents of duty adjustment in the first embodiment.
  • FIG. 15 is a flowchart showing the process in step S15 of FIG.
  • FIG. 16A is a waveform diagram illustrating a rectangular wave signal with a duty of 25%.
  • FIG. 16B is a waveform diagram illustrating a rectangular wave signal with a duty of 50%.
  • FIG. 17 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 18 is a flowchart showing the processing contents of duty adjustment in the second embodiment.
  • FIG. 19 is a flowchart showing the process in step S37 of FIG.
  • FIG. 20 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including the target supply apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 21 is a block diagram showing a configuration of a control system in the third embodiment.
  • FIG. 22A is a diagram illustrating an example of an output image in which a normal droplet discharge state is captured.
  • 22B is a diagram illustrating an example of a cross-sectional profile in the determination line of the output image illustrated in FIG. 22A.
  • FIG. 23A is a diagram illustrating an example of an output image in which a state in which satellites are generated is captured.
  • 23B is a diagram illustrating an example of a cross-sectional profile in the determination line of the output image illustrated in FIG. 23A.
  • FIG. 24 is a flowchart illustrating an example of the operation of the control unit in the third embodiment.
  • FIG. 25 is a diagram illustrating a configuration example of an optical sensor that can be employed in the light receiving unit of the droplet detection device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 26 is an explanatory view of an optical sensor that captures a normal droplet discharge state as viewed from the light receiving surface side.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating an example of the output voltage and threshold voltage of each light receiving surface of the optical sensor and the output of each comparator.
  • FIG. 28 is an explanatory view of an optical sensor that captures a droplet discharge state when a satellite is generated as viewed from the light receiving surface side.
  • FIG. 29 is a diagram showing an example of the output voltage and threshold voltage of each light receiving surface of the optical sensor and the output of each comparator in the droplet ejection state when a satellite is generated.
  • FIG. 30 is a flowchart showing the operation of the control unit in the fourth embodiment.
  • FIG. 31 is a diagram schematically showing a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the fifth embodiment.
  • FIG. 32 is a block diagram illustrating an example of a hardware environment of each control unit.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation device 12 may be used with at least one laser device 14.
  • a system including the EUV light generation apparatus 12 and the laser apparatus 14 is referred to as an EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation device 12 may include a chamber 16 and a target supply 18.
  • the chamber 16 may be sealable.
  • the target supply unit 18 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 16, for example.
  • the material of the target substance supplied from the target supply unit 18 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 16 may be provided with at least one through hole.
  • the through hole may be provided with a window 20, and the pulse laser light 22 output from the laser device 14 may be transmitted through the window 20.
  • an EUV collector mirror 24 having a spheroidal reflection surface may be disposed inside the chamber 16.
  • the EUV collector mirror 24 may have a first focus and a second focus.
  • On the surface of the EUV collector mirror 24, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 24 is, for example, arranged such that its first focal point is located in the plasma generation region 26 and its second focal point is located in an intermediate focusing point (IF) 28. Is preferred.
  • a through hole 30 may be provided at the center of the EUV collector mirror 24, and the pulse laser beam 23 may pass through the through hole 30.
  • the EUV light generation apparatus 12 may include an EUV light generation control unit 40, a target sensor 42, and the like.
  • the target sensor 42 may have an imaging function, and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 44.
  • the EUV light generation apparatus 12 may include a connection portion 48 that communicates the inside of the chamber 16 and the inside of the exposure apparatus 46.
  • a wall 52 in which an aperture 50 is formed may be provided inside the connection portion 48. The wall 52 may be arranged such that the aperture 50 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 24.
  • the EUV light generation apparatus 12 may include a laser beam traveling direction control unit 54, a laser beam collector mirror 56, a target recovery unit 58 for recovering the target 44, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 54 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the target recovery unit 58 may be disposed on an extension line in the direction in which the target 44 output into the chamber 16 travels.
  • the pulsed laser beam 21 output from the laser device 14 passes through the window 20 as the pulsed laser beam 22 through the laser beam traveling direction control unit 54 and enters the chamber 16. May be.
  • the pulse laser beam 22 may travel through the chamber 16 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collector mirror 56, and be irradiated to the at least one target 44 as the pulse laser beam 23.
  • the target supply unit 18 may be configured to output the target 44 toward the plasma generation region 26 inside the chamber 16.
  • the target 44 may be irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 23.
  • the target 44 irradiated with the pulsed laser light is turned into plasma, and radiation light 60 can be emitted from the plasma.
  • the EUV light 62 included in the radiation light 60 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 24.
  • the EUV light 62 reflected by the EUV collector mirror 24 may be condensed at the intermediate condensing point 28 and output to the exposure device 46.
  • a single target 44 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulsed laser light 23.
  • the EUV light generation controller 40 may be configured to control the entire EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation controller 40 may be configured to process image data of the target 44 captured by the target sensor 42. Further, the EUV light generation control unit 40 may be configured to control, for example, the timing at which the target 44 is output, the output direction of the target 44, and the like. Further, the EUV light generation control unit 40 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 14, the traveling direction of the pulse laser light 22, the condensing position of the pulse laser light 23, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • Target is an object to be irradiated with laser light introduced into a chamber.
  • the target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
  • “Droplet” is a form of target supplied into the chamber.
  • Pulsma light is radiation light emitted from plasmatized droplets.
  • the emitted light includes EUV light.
  • EUV light is an abbreviation for “extreme ultraviolet light”.
  • interval in the term “droplet interval” can be either a time interval or a spatial interval.
  • Passing timing interval refers to the time interval of droplet passing timing.
  • the passage timing interval corresponds to the droplet passage time interval.
  • the distance between droplets means a spatial interval between two different droplets, that is, a droplet space.
  • the distance between the droplets in the present disclosure refers to a droplet space in the droplet ejection direction.
  • piezo element is synonymous with “piezo element”.
  • the piezo element is a form of “vibration element”.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration of an EUV light generation device including a target supply device.
  • the EUV light generation apparatus 12 may include a control unit 70, a delay circuit 72, a target supply unit 18, an inert gas supply unit 74, and a droplet detection device 76.
  • the target supply unit 18 may include a nozzle 80 that outputs a target material, a tank 82 that stores the target material, a heater 84, a temperature sensor 86, a piezo element 88, and a pressure regulator 90. .
  • the target supply device 78 may include a control unit 70, a target supply unit 18, a heater power source 92, a temperature control unit 94, and a piezo power source 96. Further, the target supply device 78 may include a droplet detection device 76.
  • the tank 82 may be formed in a hollow cylindrical shape.
  • a target material may be accommodated in the hollow tank 82.
  • At least the inside of the tank 82 may be made of a material that hardly reacts with the target substance.
  • the material that does not easily react with tin which is an example of the target substance may be, for example, any one of SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , molybdenum, tungsten, and tantalum.
  • a heater 84 and a temperature sensor 86 may be fixed to the tank 82.
  • the heater 84 may be fixed to the outer side surface portion of the cylindrical tank 82.
  • the heater 84 fixed to the tank 82 may heat the tank 82.
  • the heater 84 may be connected to the heater power source 92.
  • the heater power source 92 may supply power to the heater 84.
  • the heater power source 92 may be connected to the temperature control unit 94.
  • the temperature control unit 94 may be connected to the control unit 70 or may be included in the control unit 70.
  • the heater power supply 92 may be controlled by the temperature control unit 94 to supply power to the heater 84.
  • a temperature sensor 86 may be fixed to the outer side surface of the tank 82.
  • the temperature sensor 86 may be connected to the temperature control unit 94.
  • the temperature sensor 86 may detect the temperature of the tank 82 and output a detection signal to the temperature control unit 94.
  • the temperature control unit 94 can adjust the power supplied to the heater 84 based on the detection signal output from the temperature sensor.
  • the temperature adjustment mechanism including the heater 84 and the heater power source 92 can adjust the temperature of the tank 82 based on the control signal of the temperature control unit 94.
  • the pressure regulator 90 may be installed in a pipe 98 between the inert gas supply unit 74 and the tank 82.
  • the pipe 98 can communicate the target supply unit 18 including the tank 82 with the pressure regulator 90.
  • the pipe 98 may be covered with a heat insulating material (not shown).
  • a heater (not shown) may be installed in the pipe 98.
  • the temperature in the pipe 98 may be kept at the same temperature as the temperature in the tank 82 of the target supply unit 18.
  • the inert gas supply unit 74 may include a gas cylinder filled with an inert gas such as helium or argon.
  • the inert gas supply unit 74 may supply the inert gas into the tank 82 via the pressure regulator 90.
  • the pressure regulator 90 may include a solenoid valve, a pressure sensor, etc. (not shown) for supplying and exhausting air.
  • the pressure regulator 90 may detect the pressure in the tank 82 using a pressure sensor (not shown).
  • the pressure regulator 90 may be connected to an exhaust pump (not shown).
  • the pressure regulator 90 may exhaust a gas in the tank 82 by operating an exhaust pump (not shown).
  • the pressure regulator 90 can increase or decrease the pressure in the tank 82 by supplying gas into the tank 82 or exhausting the gas in the tank 82.
  • the pressure regulator 90 may be connected to the control unit 70.
  • the pressure regulator 90 may output a detection signal of the detected pressure to the control unit 70.
  • the pressure regulator 90 may receive a control signal output from the control unit 70.
  • the controller 70 Based on the detection signal output from the pressure regulator 90, the controller 70 outputs a control signal for controlling the operation of the pressure regulator 90 so that the pressure in the tank 82 becomes a target pressure. May be supplied.
  • the pressure regulator 90 may supply gas into the tank 82 or exhaust gas from the tank 82 based on a control signal from the control unit 70. As the pressure regulator 90 supplies or exhausts gas, the pressure in the tank 82 can be adjusted to a target pressure.
  • the nozzle 80 may include a nozzle hole 80 that outputs a target material.
  • a target material As an example of the target material to be output from the nozzle hole 80a, liquid tin can be adopted.
  • a piezo element 88 may be fixed to the nozzle 80.
  • the piezo element 88 may be connected to a piezo power source 96.
  • the nozzle 80 may be provided on the bottom surface of the cylindrical tank 82.
  • the nozzle 80 may be disposed inside the chamber 16 through a target supply hole (not shown) of the chamber 16.
  • the target supply hole of the chamber 16 can be closed by installing the target supply unit 18. Due to the structure in which the target supply unit 18 is installed so as to close the target supply hole of the chamber 16, the inside of the chamber 16 can be isolated from the atmosphere.
  • At least the inner surface of the nozzle 80 may be made of a material that does not easily react with the target material.
  • One end of the pipe-shaped nozzle 80 may be fixed to the hollow tank 82.
  • a nozzle hole 80 a may be provided at the other end of the pipe-shaped nozzle 80.
  • the tank 82 on one end side of the nozzle 80 may be located outside the chamber 16, and the nozzle hole 80 a on the other end side of the nozzle 80 may be located inside the chamber 16.
  • the plasma generation region 26 inside the chamber 16 may be positioned on an extension line in the central axis direction of the nozzle 80.
  • the central axis direction of the nozzle 80 may be the Y-axis direction.
  • the tank 82, the nozzle 80, and the chamber 16 may communicate with each other.
  • the nozzle hole 80a may be formed in a shape that jets the molten target material into the chamber 16 in a jet form.
  • the target supply unit 18 may form the droplet 136 by, for example, a continuous jet method.
  • a standing wave may be given to the flow of the target jetted by vibrating the nozzle 80 to periodically separate the target.
  • the separated target can form a free interface by its surface tension to form a droplet 136.
  • the piezo element 88 and the piezo power source 96 can be elements constituting a droplet forming mechanism that gives the nozzle 80 vibration necessary for forming the droplet 136.
  • the piezo element 88 may be fixed to the outer side surface of the pipe-shaped nozzle 80.
  • the piezo element 88 fixed to the nozzle 80 may give vibration to the nozzle 80.
  • the piezo element 88 may be connected to a piezo power source 96.
  • the piezo power source 96 may supply power to the piezo element 88.
  • the piezo power supply 96 may be connected to the control unit 70.
  • the piezoelectric power source 96 may be controlled by the control unit 70 to supply power to the piezoelectric element 88.
  • the droplet detection device 76 may be a part or all of the target sensor 42 described in FIG.
  • the droplet detection device 76 may detect the droplet 136 output into the chamber 16.
  • the droplet detection device 76 may include a light source unit 100 and a light receiving unit 120.
  • the light source unit 100 may include a light source 102 and an illumination optical system 104.
  • the light source unit 100 may be arranged to illuminate a droplet at a predetermined position P on the trajectory between the nozzle 80 of the target supply unit 18 and the plasma generation region 26.
  • the light source 102 may be a CW (Continuous-Wave) laser light source.
  • the illumination optical system 104 may include a condenser lens 106 and a window 108.
  • the beam diameter of continuous laser light applied to the droplet 136 may be sufficiently larger than the diameter of the droplet 136.
  • the diameter of the droplet 136 may be 20 ⁇ m, for example.
  • the condensing lens 106 may be a cylindrical lens.
  • the light source unit 100 and the light receiving unit 120 may be disposed to face each other across a target travel path that is a travel path of a droplet 136 that is a target output into the chamber 16.
  • the facing direction of the light source unit 100 and the light receiving unit 120 may be orthogonal to the target travel path.
  • the illumination light 110 emitted from the light source unit 100 can be irradiated to the droplet 136.
  • the light receiving unit 120 may include a light receiving optical system 122 and an optical sensor 124.
  • the light receiving unit 120 may be arranged to receive the illumination light 110 output from the light source unit 100.
  • the light receiving optical system 122 may include a window 126 and a condenser lens 128.
  • the light receiving optical system 122 may be an optical system such as a collimator, or may be configured by an optical element such as a lens.
  • the light receiving optical system 122 may guide the continuous laser light emitted from the light source unit 100 to the optical sensor 124.
  • the light sensor 124 may be a light receiving element including a photodiode.
  • the optical sensor 124 may detect the light intensity of the continuous laser light guided by the light receiving optical system 122.
  • the optical sensor 124 may be connected to the control unit 70.
  • the optical sensor 124 may supply a detection signal of the detected light intensity to the control unit 70.
  • the light receiving unit 120 can output a detection signal corresponding to a decrease in light intensity due to the passage of the droplet 136 to the control unit 70.
  • a detection signal corresponding to a decrease in light intensity by the droplet 136 is also referred to as a “passing timing signal”.
  • the control unit 70 can detect the timing at which the droplet 136 is detected based on the detection signal from the droplet detection device 76. In particular, the timing at which the droplet 136 has passed the predetermined position P on the target travel path can be detected.
  • the timing at which the droplet detection device 76 detects the droplet 136 is also referred to as “passing timing”.
  • the passage timing may be a timing at which the droplet detection device 76 outputs a passage timing signal to the control unit 70.
  • the EUV light generation apparatus 12 may include a first high reflection mirror 130, a second high reflection mirror 132, and a laser beam condensing optical system 134.
  • the laser beam traveling direction control unit 54 described with reference to FIG. 1 may include a first high reflection mirror 130 and a second high reflection mirror 132.
  • the laser beam focusing optical system 134 may include the laser beam focusing mirror 56 described with reference to FIG.
  • the direction in which the EUV light 62 is led out from the chamber 16 of the EUV light generation apparatus 12 toward the exposure apparatus 46 is defined as a Z axis.
  • the X axis and the Y axis are orthogonal to the Z axis and orthogonal to each other. Let the dropping direction of a droplet be a Y-axis. 3 and the subsequent drawings are the same as the coordinate axes in FIG.
  • the chamber 16 of the EUV light generation apparatus 12 may be formed in a hollow spherical shape or a cylindrical shape, for example.
  • the central axis direction of the cylindrical chamber 16 may be the direction in which the EUV light 62 is led out to the exposure apparatus 46, that is, the Z-axis direction.
  • the EUV light generation controller 40 may send and receive signals to and from an exposure apparatus controller (not shown) that is a controller of the exposure apparatus 46. Thereby, the EUV light generation control unit 40 may control the overall operation of the EUV light generation system 10 based on a command from the exposure apparatus 46.
  • the EUV light generation controller 40 may send and receive control signals to and from the laser device 14. Thereby, the EUV light generation controller 40 may control the operation of the laser device 14.
  • the EUV light generation controller 40 may send and receive control signals to and from the respective actuators (not shown) of the laser beam traveling direction controller 54 and the laser beam focusing optical system 134. Thereby, the EUV light generation control unit 40 may adjust the traveling direction and the focusing position of the pulsed laser beams 21, 22, and 23.
  • the EUV light generation controller 40 may send and receive control signals to and from the controller 70 of the target supply device 78. Thereby, the EUV light generation controller 40 may control the operations of the target supply device 78, the droplet detection device 76, and the laser device 14.
  • the control unit 70 causes the heater through the temperature control unit 94 so that the target material in the target supply unit 18 has a predetermined temperature equal to or higher than the melting point. 84 may be controlled.
  • the temperature control unit 94 may control the heater power source 92 based on the detection value of the temperature sensor 86 in accordance with the control of the control unit 70.
  • tin (Sn) is used as the target material
  • the control unit 70 controls the heater 84 so that the tin in the target supply unit 18 has a predetermined temperature in the range of 200 ° C. to 300 ° C., for example. Also good.
  • tin stored in the target supply unit 18 can be melted.
  • the molten tin may correspond to one form of “liquid target material”.
  • the control unit 70 may send an electrical signal having a predetermined piezo drive frequency and a predetermined duty to the piezo element 88 via the piezo power source 96 so that the liquid tin output from the nozzle 80 generates the droplet 136.
  • the piezo power supply 96 may supply driving power to the piezo element 88 in accordance with an instruction from the control unit 70. As a result, the nozzle 80 can be vibrated by the piezo element 88.
  • the control unit 70 may control the pressure regulator 90 to a predetermined pressure so that the droplet reaches the plasma generation region 26 at a predetermined speed.
  • jet-shaped liquid tin is output from the nozzle hole 80a, and the droplet 136 can be generated by the vibration of the nozzle hole 80a. Then, the droplet 136 can be supplied to the plasma generation region 26.
  • the light receiving unit 120 can generate a passage timing signal for a period in which the amount of light received by the optical sensor 124 is equal to or less than a predetermined threshold.
  • the passage timing signal output from the light receiving unit 120 may be input directly to the delay circuit 72 via the control unit 70.
  • the delay circuit 72 may add a delay time to the passage timing signal to generate a light emission trigger signal, and input the light emission trigger signal to the laser device 14.
  • the delay time of the delay circuit 72 may be set such that a light emission trigger signal is input to the laser device 14 before the droplet 136 passes through the predetermined position P and reaches the plasma generation region 26. That is, the delay time may be set so that the pulse 136 is irradiated with the pulse laser beam output from the laser device 14 when the droplet 136 reaches the plasma generation region 26.
  • the pulsed laser light output from the laser device 14 is guided to the plasma generation region 26 via the first high reflection mirror 130, the second high reflection mirror 132, and the laser beam condensing optical system 134, and is sent to the droplet 136. It may be irradiated.
  • the plasma generation region 26 can correspond to a condensing position of pulsed laser light.
  • FIG. 3 shows a configuration of a control system that controls a light emission trigger of the laser device 14.
  • the control system 140 may include a droplet detection device 76, a control unit 70, a delay circuit 72, and the laser device 14.
  • the delay circuit 72 may be configured as a part of the control unit 70.
  • a passage timing signal that is an output signal of the droplet detection device 76 may be input to the delay circuit 72 via the control unit 70.
  • a line for the controller 70 to set the delay time of the delay circuit 72 may be connected to the delay circuit 72.
  • the output of the delay circuit 72 may be input to the laser device 14 as a light emission trigger signal.
  • the control unit 70 may transmit data for setting the delay time t d to the delay circuit 72.
  • the control unit 70 can receive the droplet passage timing signal from the droplet detection device 76 and input the signal to the delay circuit 72.
  • the delay circuit 72 can input a signal delayed by a delay time td with respect to the passage timing signal to the laser device 14 as a light emission trigger signal.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing the state of the droplet passing through the detection range of the droplet detection device 76 when the generation of the droplet is normal.
  • FIG. 5 shows a timing chart of the passage timing signal and the light emission trigger signal obtained when the generation of droplets is normal.
  • the time intervals T (1) to T (n) of the passage timing can be substantially the same cycle Tc.
  • Period Tc can be a natural number times the reciprocal of the predetermined piezoelectric driving frequency f p. That is, as a natural number m, the cycle Tc can be approximately m / f P.
  • the rising timing of the pulse of the passage timing signal is “passing timing”.
  • the time interval of the passage timing is called “passing timing interval”. That is, the signal time interval may be measured from the pulse rising timing interval.
  • Emission trigger signal delayed by a delay time t d from the passage timing signal may be generated at approximately the same period Tc and the passage timing signal.
  • the laser device 14 When the light emission trigger signal shown in the lower part of FIG. 5 is supplied to the laser device 14, the laser device 14 outputs laser light at a substantially constant time interval, so that the temperature of the excitation medium gradually approaches a substantially constant value. The pulse energy of the output laser light is stabilized.
  • FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a state of a droplet that passes through a detection range of the droplet detection device 76 when a defectively combined droplet is generated.
  • FIG. 7 shows an example of a timing chart of the passage timing signal obtained when the unionized droplet is generated.
  • the second passage timing signal from the left is a signal of a coalesced droplet.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing the state of the droplet passing through the detection range of the droplet detection device 76 when the satellite is generated.
  • FIG. 9 shows an example of a timing chart of a passage timing signal obtained when a satellite is generated.
  • the second passage timing signal from the left is a satellite signal.
  • the fourth and sixth passage timing signals from the left are also satellite signals.
  • droplets of tin from the nozzle 80 can be continuously discharged.
  • a plurality of droplets discharged from the nozzle 80 can be detected by the droplet detection device 76 after a plurality of droplets are combined during the dropping.
  • a defectively combined droplet 142 may be generated, or as illustrated in FIG. 8, a satellite 146 may be generated in the vicinity of the large droplet 144.
  • the droplet detecting device 76 When the droplet detecting device 76 detects the droplet 142 or the satellite 146 with poor coalescence, the droplet detecting device 76 can generate a passage timing signal at a time interval different from the cycle Tc.
  • the passage timing signal corresponds to a droplet detection signal.
  • the light emission trigger signal can be a signal delayed by the delay time t d from the passage timing signal by the delay circuit 72.
  • the time interval T of continuous passage timing signals is T ⁇ Tc
  • the time interval of the light emission trigger signal input to the laser device 14 is shorter than the cycle Tc
  • the pulse energy of the pulse laser beam output from the laser device 14 can be reduced. As a result, the pulse energy of EUV light can also be reduced.
  • the pulse waveform of the pulse laser beam output from the laser device 14 may change.
  • the pulse energy of EUV light can also change.
  • the laser device 14 may be damaged.
  • FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of a control system in the target supply device according to the first embodiment.
  • the target supply apparatus according to the first embodiment may employ a control system 150 shown in FIG. 10 instead of the control system 140 described in FIG.
  • the control unit 70 may include a droplet interval measurement unit 152 and a duty adjustment unit 154.
  • the control unit 70 may include a storage unit (not shown) for storing various data necessary for control and calculation processing.
  • the droplet interval measurement unit 152 may be a circuit that measures the droplet passage timing interval from the passage timing signal generated by the droplet detector 76. Alternatively, the droplet interval measuring unit 152 may be a program that is described so as to calculate the droplet passage timing interval from the passage timing signal, is held inside the control unit 70, and can be executed by the control unit 70.
  • the droplet interval measuring unit 152 may correspond to one form of a “passing time interval measuring unit” that measures a droplet passing time interval.
  • the droplet detection device 76 may correspond to one form of a “droplet detection unit”.
  • the duty adjustment unit 154 may be a circuit that outputs a signal to the piezo power supply 96 based on the duty value designated by the control unit 70.
  • the duty adjustment unit 154 may be configured by an external device such as a function generator that can supply a signal waveform to the piezo power source 96 based on the duty value designated by the control unit 70.
  • the control unit 70 may set Tmin as a reference for the interval of the passage timing signal.
  • Tmin may be held in a storage device (not shown) or may be input by an operator.
  • Tmin may be determined based on the light emission trigger signal interval at which the output of the laser device 14 becomes unstable.
  • a plurality of Tmin may be held in association with the repetition frequency of a plurality of EUV lights.
  • Tmin may correspond to one form of “reference value of passage time interval”.
  • the droplet interval measurement unit 152 may measure the passage timing interval T of each droplet when the passage timing signal is input.
  • the control unit 70 compares the passage timing interval T and Tmin measured by the droplet interval measurement unit 152, and when T ⁇ Tmin, that is, when the passage timing interval T is less than Tmin, Duty adjustment may be performed. “Duty adjustment” is a process of adjusting the duty of a rectangular wave electric signal applied from the piezo power source 96 to the piezo element 88.
  • the control unit 70 may generate a light emission trigger signal when T ⁇ Tmin.
  • the control unit 70 may continue to compare with Tmin each time the passage timing interval T measured by the droplet interval measurement unit 152 is input. During this time, the EUV light generation apparatus 12 may perform EUV light output.
  • control unit 70 may generate the light emission trigger signal after performing the duty adjustment when restarting the EUV light generation.
  • FIG. 11 is an example of a timing chart of a passage timing signal and a light emission trigger signal obtained when a poorly combined droplet or satellite is generated. If for some reason a poorly merged droplet or a satellite is generated, the passage timing interval T can be T ⁇ Tmin, as shown in FIG.
  • the second passage timing signal from the left is a signal that detects the passage of a defective coalescence droplet.
  • the sixth passage timing signal from the left is a signal that detects the passage of the satellite.
  • the control unit 70 may monitor the generation of defective coalescence or satellite generation by determining T ⁇ Tmin.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of the operation of the control unit 70.
  • the controller 70 may start the process illustrated in the flowchart of FIG.
  • step S1 the control unit 70 may start the passage timing signal detection.
  • step S2 the control unit 70 may confirm whether or not the passage timing interval T is equal to or greater than a predetermined Tmin.
  • the control unit 70 confirms that T ⁇ Tmin is satisfied in the passage timing interval confirmation step in step S2, the process may proceed to step S3.
  • the control unit 70 confirms that T ⁇ Tmin is not satisfied in step S2, that is, if it is determined that T ⁇ Tmin, the process may proceed to step S8.
  • step S3 the control unit 70 may start generating a light emission trigger based on the passage timing signal.
  • the generation of the light emission trigger is initiated, the delay circuit 72 may generate a light emission trigger gives a delay of a predetermined delay time to passage timing signal t d.
  • step S4 after step S3, the control unit 70 may determine whether or not the EUV light generated by the EUV light generation apparatus 12 maintains a predetermined stability.
  • the control unit 70 may perform the determination in step S4 based on the signal obtained from the EUV light generation control unit 40.
  • the EUV light generation apparatus 12 may adjust each part by temporarily stopping the EUV light generation due to unexpected quality degradation of the EUV light. At this time, the generation of the light emission trigger may be stopped. For example, a light emission trigger stop signal may be input to the control unit 70 when the variation in EUV light energy exceeds ⁇ 2% in a moving average of a certain number of pulses within one burst. The burst operation will be described later with reference to FIG.
  • step S4 of FIG. 12 the control unit 70 may return to step S3 when it is determined that the EUV light generated by the EUV light generation apparatus maintains a predetermined stability.
  • the control unit 70 receives a light emission trigger stop signal from the EUV light generation control unit 40 to the control unit 70, and determines that the EUV light does not maintain a predetermined stability in step S4. The process may proceed to step S5.
  • step S5 the control unit 70 may stop generating the light emission trigger.
  • the generation of the light emission trigger is stopped, the output of the pulse laser beam from the laser device 14 is stopped, and the generation of the EUV light is stopped.
  • the controller 70 may confirm the interval of the passage timing signal in step S6, and may perform the duty adjustment in step S8 if T ⁇ Tmin.
  • the control unit 70 may adjust the duty of the rectangular wave electric signal for driving the piezo element 88. The duty adjustment in step S8 will be described later with reference to FIG.
  • step S2 or step S6 when it is determined that T ⁇ Tmin, the control unit 70 may perform the duty adjustment in step S8.
  • control unit 70 may proceed to step S7.
  • step S7 the control unit 70 may perform performance adjustments other than the duty adjustment in step S8.
  • step S7 the control unit 70 may return to step S3 and resume generating the light emission trigger.
  • the flowchart of FIG. 12 can be terminated at an arbitrary timing by the interrupt process from the EUV light generation controller 40.
  • FIG. 13 shows an explanatory diagram of the burst operation.
  • the EUV light generation system 10 may output EUV light by a burst operation.
  • the burst operation is an operation of repeating a burst period in which EUV light is output at a constant repetition frequency for a certain period and a pause period in which EUV light is not output for a predetermined period.
  • One burst period may be called one burst.
  • laser light can be output from the laser device 14.
  • the output of the laser beam from the laser device 14 can be stopped.
  • the propagation of the laser light to the plasma generation region 26 may be suppressed during the pause period.
  • the burst pattern may be defined by data including one or more of EUV light energy in a burst period, repetition frequency, number of pulses and length of burst pause period, and number of bursts.
  • the burst pattern may be instructed by the exposure device 46.
  • FIG. 14 is a flowchart showing the processing contents of duty adjustment in step S8 of FIG.
  • the control unit 70 may calculate the predicted passage timing interval of the droplet from the drive frequency of the piezo element 88 in step S11.
  • the “predicted passage timing interval” means a time interval of droplet passage timing predicted from the driving frequency of the piezo element.
  • the predicted passage timing interval may correspond to a form of “predicted passage time interval”.
  • the predicted passage timing interval can be a measure of an appropriate passage time interval of the droplet.
  • step S12 the control unit 70 may set an upper limit value and a lower limit value of appropriate droplet passage timing intervals.
  • the control unit 70 may set the value of “ ⁇ 15%” of the predicted passage timing interval calculated in step S11 as the upper limit value and the lower limit value. That is, the control unit 70 may set the predicted passage timing interval ⁇ 15% as an appropriate range of the droplet passage timing interval.
  • the process shown in step S12 may correspond to one form of “a process for setting an appropriate range of passage time intervals”.
  • the appropriate range of the droplet passage timing interval can be a range allowed as an appropriate passage time interval of the droplet.
  • step S13 the control unit 70 may set the duty value of the duty adjustment unit 154 to A [%].
  • “A” is a variable parameter representing a duty value.
  • step S14 the duty adjustment unit 154 can drive the piezo power source 96 based on the set duty A [%].
  • the piezo power supply 96 By driving the piezo power supply 96 based on the setting of the duty A [%], a droplet is generated, and a passage timing signal can be output from the droplet detector 76.
  • the droplet interval measuring unit 152 may measure the passage timing intervals T (1), T (2),... T (N) of the droplets.
  • the passage timing interval T (k) is the time interval t (k + 1) ⁇ t (k) between the passage timing t (k) of the kth droplet and the passage timing t (k + 1) of the k + 1th droplet.
  • Each of the passage timing intervals T (1), T (2),... T (N) measured by the droplet interval measurement unit 152 may correspond to one form of “measurement value of passage time interval”.
  • the control unit 70 may store the passage timing intervals T (1), T (2),... T (N) measured by the droplet interval measuring unit 152. Further, the control unit 70 calculates the maximum passage timing interval Tmax, the minimum passage timing interval Tmin, the average value Tav of passage timing intervals from the passage timing intervals T (1), T (2),.
  • the variation Tsigma of the passage timing interval may be calculated. Tsigma may be a 3 ⁇ value of standard deviation. The 3 ⁇ value of the standard deviation indicates a value of “3 ⁇ ⁇ ” when the standard deviation is ⁇ .
  • step S15 the control unit 70 associates each of the calculated Tmax, Tmin, Tav and Tsigma with the duty A [%], and Tmax (A), Tmin (A), Tav (A) and Tsigma (A). May be stored as The process according to step S15 will be described later with reference to FIG.
  • step S16 the control unit 70 may change the duty A of the piezo power source 96 that drives the piezo element 88 to A + 1.
  • step S16 the value A + 1 is newly set as the duty A.
  • the control unit 70 may move to step S17.
  • step S17 the control unit 70 may determine whether or not the duty A exceeds 99 [%]. When the control unit 70 determines in step S17 that the duty A is 99 [%] or less, the control unit 70 may return to step S14. Until the duty A exceeds 99, the processing from step S14 to step S17 may be repeated.
  • control unit 70 determines in step S17 that the duty A exceeds 99 [%]
  • the control unit 70 may proceed to step S18.
  • step S18 the control unit 70 determines the optimum value of the duty based on the data stored in association with each duty A [%], and sets the determined optimum value in the duty adjustment unit 154 as the optimum duty value. May be.
  • the control unit 70 extracts a data group in which Tmax (A), Tmin (A), and Tav (A) are within an appropriate range of the droplet passage timing interval from the stored data.
  • the duty A which is the smallest Tsigma (A) may be determined as an optimum value.
  • the appropriate range of the droplet passage timing interval can be a range defined by the upper limit value and the lower limit value determined in step S12.
  • control unit 70 may end the adjustment process of FIG. 14 and return to the flowchart of FIG.
  • the duty adjustment unit 154 can drive the piezo power supply 96 based on the set duty.
  • control unit 70 can perform the process of step S15 for each of the plurality of duty values while changing the duty value in step S16.
  • Such a configuration may correspond to one form of “a process of storing the passage time interval measurement value of the droplet generated at each duty value and the variation of the passage time interval measurement value in association with the duty value”.
  • Each of Tmax (A) and Tmin (A) stored by the control unit 70 in step S15 may correspond to one form of “passed time interval measurement value” stored in association with the duty value.
  • the “optimum duty value” determined by the control unit 70 in step S18 may correspond to one form of “an operation duty value that is a duty value of an electrical signal suitable for the operation of the vibration element”.
  • the process of step S18 may correspond to one form of “process for determining an operation duty value”.
  • FIG. 15 is a flowchart showing the process in step S15 of FIG.
  • step S22 the droplet interval measurement unit 152 may record the measurement value of the passage timing interval T (N).
  • control unit 70 may increment the value of N by “+1” and newly set the value of N + 1 as the value of the parameter N.
  • control unit 70 may determine whether or not the value of N exceeds a predetermined value Nmax that is determined in advance.
  • Nmax can be set to an arbitrary integer larger than the maximum number of measurement of the passage timing interval. For example, Nmax may be set to an appropriate value in the range of 4 to 51.
  • the control unit 70 may return to step S22 if it is determined in step S24 that N ⁇ Nmax.
  • step S24 determines in step S24 that N> Nmax, the process may proceed to step S25.
  • control unit 70 may calculate Tmax (A), Tmin (A), Tav (A), and Tsigma (A) using data T (1) to T (N).
  • the control unit 70 may store the calculated Tmax (A), Tmin (A), Tav (A), and Tsigma (A).
  • the control unit 70 may return to the flowchart of FIG. 14 after step S25.
  • FIG. 16A and FIG. 16B show examples of changing the duty of an electric signal for driving a piezo element.
  • FIG. 16A is an example of a rectangular wave supplied from the duty adjustment unit 154 to the piezo power source 96, and shows an example of a duty of 25%.
  • FIG. 16B is an example of a rectangular wave supplied from the duty adjustment unit 154 to the piezo power source 96, and shows an example in which the duty is 50%.
  • the duty is determined by the ratio of time during which the rectangular wave is turned on with respect to the period t calculated by the following equation.
  • the control unit 70 changes the duty by changing the ON time of the rectangular wave supplied from the duty adjustment unit 154 to the piezo power source 96, and sets the droplet passage timing interval at each duty value. Can be measured. Further, the control unit 70 can calculate the variation Tsigma of the passage timing interval at each duty value. For example, the control unit 70 may perform the above-described measurement of the passage timing interval and the calculation of the variation or the like at each duty value in the range from 1% to 99% duty. Then, the control unit 70 may set a duty value having the measured passage timing interval within an appropriate range determined by the upper limit value and the lower limit value and having the smallest Tsigma as the optimum operation duty value.
  • the duty of a piezo drive waveform can be detected even if a poorly merged droplet or a satellite is generated and an appropriate droplet output can be detected.
  • a value can be applied. As a result, it is possible to improve the defective combination of the droplets and the generation of satellites, and it is possible to suppress a decrease in EUV light energy and damage to the laser device.
  • FIG. 17 shows a configuration of the second embodiment.
  • FIG. 17 differs from FIG. 2 in that a description of the droplet interval d of the droplets 136 that are continuously discharged from the nozzle 80 is added.
  • the processing content described below may be adopted instead of the processing content of the passage timing signal in the control unit 70 described in the first embodiment. That is, the control unit 70 of the second embodiment may calculate the distance between the droplets, that is, the droplet interval d, which is a spatial interval, from the time interval of the droplet passage timing.
  • the droplet interval indicating the distance between the droplets is synonymous with “distance between droplets” or “droplet space”.
  • the main flowchart in the second embodiment may employ the same flowchart as in FIG.
  • FIG. 18 is a flowchart showing the contents relating to the duty adjustment process in the second embodiment. Instead of the duty adjustment flowchart of the first embodiment described in FIG. 14, the flowchart of FIG. 18 may be employed.
  • the control unit 70 in the second embodiment, in step S31, and the nozzle diameter, estimated pressure loss than a predetermined pressure supplied to the target supply unit 18 may calculate an effective pressure P e.
  • the predetermined pressure may be a set value as a set pressure of the tank 82 or may be detected by a sensor (not shown) that detects the pressure in the tank 82 of the target supply unit 18.
  • step S32 the control unit 70 may calculate the droplet discharge speed v from the effective pressure Pe and the tin density ⁇ .
  • the control unit 70 may calculate the predicted droplet interval d p from the discharge speed v and the detection frequency f d by the droplet detection device 76.
  • the droplets output from the nozzle 80 at the piezo drive frequency are merged in the middle of dropping, and then the merged droplets can be detected by the droplet detection device 76.
  • m may be set based on the EUV light generation frequency. EUV light generation frequency may generally be equal to the detection frequency f d.
  • step S33 the control unit 70, the discharge speed v and the piezoelectric driving frequency f p, may be calculated predicted droplet spacing d p.
  • the predicted droplet interval d p may correspond to a form of “distance between predicted droplets”.
  • step S34 the control unit 70 may set an upper limit value and a lower limit value of the droplet interval.
  • the control unit 70 may use the predicted droplet interval d p ⁇ 15% obtained in step S33 as the upper limit value and the lower limit value of the droplet interval. That is, the control unit 70 may set a range of the predicted droplet interval d p ⁇ 15% as an appropriate range of the droplet interval.
  • the processing in step S34 may correspond to one form of “processing for setting an appropriate range of distance between droplets”.
  • the appropriate range of the droplet interval can be an allowable range as an appropriate drop-to-drop distance.
  • step S33 the predicted droplet interval d p is calculated in step S33 as a reference for setting the upper limit value and the lower limit value of the droplet interval prior to step S34.
  • the control unit 70 may set the upper limit value and the lower limit value of the droplet interval by an appropriate method in step S34 without performing the process of step S33.
  • step S35 the control unit 70 may set the duty A [%] in the duty adjustment unit 154.
  • A is a variable parameter representing a duty value.
  • the initial value is not limited to 1 [%], and can be set to an appropriate value.
  • step S36 the duty adjustment unit 154 can drive the piezo power source 96 based on the set duty A [%].
  • the piezo power supply 96 By driving the piezo power supply 96 based on the setting of the duty A [%], a droplet is generated, and a passage timing signal can be output from the droplet detector 76.
  • the droplet interval measuring unit 152 may measure the passage timing intervals T (1), T (2),... T (N) of the droplets.
  • the controller 70 determines the droplet intervals DLspace (1), DLspace (2), and the like from the droplet discharge velocity v and the respective passage timing intervals T (1), T (2),... T (N). ... DLspace (N) may be obtained.
  • Each of the droplet intervals DLspace (1), DLspace (2),..., DLspace (N) can correspond to one form of “distance measurement between droplets”.
  • the process in which the control unit 70 obtains the droplet intervals DLspace (1), DLspace (2),... DLspace (N) is “calculates a distance measurement value between droplets representing a distance between droplets from a measurement value of the passage time interval. It may correspond to one form of “processing to perform”.
  • step S37 the control unit 70 determines the maximum droplet interval dmax, the minimum droplet interval dmin, the average value dav of the droplet interval, and the drop from each DLspace (1), DLspace (2),... DLspace (N).
  • the variation DLsigma of the let interval may be calculated.
  • DLsigma may be a 3 ⁇ value of standard deviation.
  • the control unit 70 associates the calculated dmax, dmin, dav, and DLsigma with the duty A [%] and stores them as dmax (A), dmin (A), dav (A), and DLsigma (A). May be.
  • the process according to step S37 will be described later with reference to FIG.
  • step S38 the control unit 70 may change the duty A of the piezo power source 96 that drives the piezo element 88 to A + 1.
  • step S38 the value of A + 1 is newly set as the duty A.
  • the control unit 70 may move to step S39.
  • step S39 the control unit 70 may determine whether or not the duty A exceeds 99 [%]. If the control unit 70 determines in step S39 that the duty A is 99 [%] or less, the control unit 70 may return to step S36. Until the duty A exceeds 99 [%], the processing from step S36 to step S39 may be repeated.
  • control unit 70 determines in step S39 that the duty A exceeds 99 [%], the control unit 70 may proceed to step S40.
  • step S40 the control unit 70 determines the optimum value of the duty based on the data stored in association with each duty A [%], and sets the determined optimum value in the duty adjustment unit 154 as the optimum duty value. May be.
  • the control unit 70 extracts the data group in which dmax (A), dmin (A), and dav (A) are within the appropriate range of the droplet interval from the stored data, and among the extracted data group
  • the duty A that is the minimum DLsigma (A) may be determined as an optimum value.
  • the appropriate range of the droplet interval can be a range defined by the upper limit value and the lower limit value determined in step S34.
  • control unit 70 may end the adjustment process of FIG. 18 and return to the flowchart of FIG.
  • the duty adjustment unit 154 can drive the piezo power supply 96 based on the set duty.
  • the control unit 70 can perform the process of step S37 for each of the plurality of duty values while changing the duty value in step S38.
  • Such a configuration may correspond to one form of “a process of storing the distance measurement value between droplets and the variation in the distance measurement value between the droplets generated at each duty value in association with the duty value”.
  • Each of dmax (A) and dmin (A) stored in step S37 can correspond to one form of “measurement value between droplets” stored in association with the duty value.
  • the “optimum duty value” determined by the control unit 70 in step S40 may correspond to one form of “an operation duty value that is a duty value of an electric signal suitable for the operation of the vibration element”.
  • the process of step S40 may correspond to one form of “process for determining an operation duty value”.
  • FIG. 19 is a flowchart showing the process in step S37 of FIG.
  • control unit 70 may record the measurement value of the droplet interval DLspace (N).
  • control unit 70 may increment the value of N by “+1” and newly set the value of N + 1 as the value of the parameter N.
  • control unit 70 may determine whether or not the value of N has exceeded a predetermined value Nmax.
  • Nmax can be set to an arbitrary integer larger than the maximum number of measurement of the passage timing interval. For example, Nmax may be set to an appropriate value in the range of 4 to 51.
  • step S44 If the controller 70 determines in step S44 that N ⁇ Nmax, the controller 70 may return to step S42.
  • step S44 determines in step S44 that N> Nmax
  • the process may proceed to step S45.
  • step S45 the control unit 70 may calculate dmax (A), dmin (A), dav (A), and DLsigma (A) using data of DLspace (0) to DLspace (N). .
  • the control unit 70 may store the calculated dmax (A), dmin (A), dav (A), and DLsigma (A).
  • the control unit 70 may return to the flowchart of FIG. 18 after step S45.
  • the control unit 70 changes the duty by changing the ON time of the rectangular wave supplied from the duty adjustment unit 154, and the droplet interval DLspace at each duty is changed.
  • (1) to DLspace (N) can be measured.
  • the controller 70 can calculate the droplet interval variation DLsigma at the duty from the droplet intervals DLspace (1) to DLspace (N) measured for each duty.
  • control unit 70 changes the setting of the duty A [%] from 1% to 99%, measures the droplet intervals DLspace (1) to DLspace (N) and sets the droplet interval for each duty value. The calculation of the variation DLsigma may be performed. Then, the control unit 70 sets the duty value where the measured DLspace (1) to DLspace (N) are within the upper and lower limits of the appropriate range and the DLsigma is the smallest as the optimum duty value. Good.
  • the duty of a piezo drive waveform can be detected and an appropriate droplet output can be performed even if a poorly merged droplet or a satellite is generated.
  • a value can be applied.
  • FIGS. 20 and 21 show a configuration of the third embodiment. In FIG. 20 and FIG. 21, the part added with respect to 1st Embodiment is demonstrated below.
  • the EUV light generation apparatus 12 in the third embodiment may include a droplet image detection unit 160.
  • the target supply device 78 may include a droplet detection device 76 and a droplet image detection unit 160.
  • the droplet image detection unit 160 may include a light source unit 170 and a light receiving unit 190.
  • the light source unit 170 and the light receiving unit 190 may be disposed to face each other across the target travel path.
  • the facing direction of the light source unit 170 and the light receiving unit 190 may be orthogonal to the target travel path.
  • FIG. 20 an example in which the facing direction of the light source unit 170 and the light receiving unit 190 is a direction orthogonal to the Y direction (X-axis direction) is described, but the description of FIG. It is not a description for limiting the facing direction.
  • the light source unit 170 may include a light source 172 and an illumination optical system 174, and may be arranged to illuminate a droplet at a predetermined position on the trajectory between the nozzle 80 of the target supply unit 18 and the plasma generation region 26.
  • the light source 172 may be a pulsed light source such as a xenon flash lamp or a laser light source.
  • the light source 172 may be connected to the control unit 70.
  • the “light source lighting signal” output from the control unit 70 may be input to the light source 172.
  • the light source lighting signal output from the control unit 70 may be a control signal for controlling the operation of the light source 172 so that the light source 172 is pulse-lit at a predetermined timing.
  • the light source 172 may emit pulsed light based on a light source lighting signal given from the control unit 70.
  • the illumination optical system 174 may include a condenser lens 176 and a window 178.
  • the illumination optical system 174 may be an optical system such as a collimator, and may be configured by an optical element such as a lens.
  • the illumination optical system 174 may guide the pulsed light output from the light source 172 to the droplet 136 on the target traveling path.
  • the light receiving unit 190 may include a transfer optical system 192 and an image sensor 194 and may be arranged to receive the illumination light 180 that is pulsed light output from the light source unit 170.
  • the image sensor 194 may be a two-dimensional image sensor such as a CCD (Charge-Coupled Device).
  • the transfer optical system 192 may include a window 196 and a pair of lenses 198A and 198B.
  • the lenses 198A and 198B may be convex lenses or concave lenses.
  • the transfer optical system 192 may image the shadow of the droplet 136 guided through the window 196 on the light receiving surface of the image sensor 194.
  • the image sensor 194 may capture a shadow image of the droplet 136 imaged by the transfer optical system 192.
  • the image sensor 194 may include a shutter (not shown).
  • the shutter may be an electrical shutter or a mechanical shutter.
  • the image sensor 194 may capture an image only while a shutter (not shown) is open.
  • the droplet image detection unit 160 may include the image acquisition controller 200.
  • the image acquisition controller 200 may be connected to the image sensor 194.
  • the image acquisition controller 200 may be connected to the control unit 70.
  • the image sensor 194 may be connected to the control unit 70 via the image acquisition controller 200.
  • the image acquisition controller 200 may control the imaging operation by the image sensor 194 and the image signal acquisition operation from the image sensor 194 in accordance with a command from the control unit 70.
  • the image acquisition controller 200 may have an image processing function of processing an image signal obtained from the image sensor 194 and generating image data in a data format suitable for delivery to the control unit 70.
  • the “imaging timing signal” output from the image acquisition controller 200 may be input to the image sensor 194.
  • the imaging timing signal may be a control signal for controlling the operation of the image sensor 194 so that the image sensor 194 captures a shadow image of the droplet 136 at a predetermined timing.
  • the image sensor 194 may capture a shadow image of the droplet 136 based on the imaging timing signal of the control unit 70. Then, the image sensor 194 may generate image data related to the shadow image of the captured droplet 136.
  • the image sensor 194 may output the generated image data to the image acquisition controller 200.
  • the image acquisition controller 200 may output image data captured by the image sensor 194 to the control unit 70.
  • the image data output from the droplet image detection unit 160 is referred to as an “output image”.
  • the control unit 70 can measure the state of the droplet 136 from the output image of the droplet image detection unit 160.
  • FIG. 21 is a block diagram of the control system 210 in the third embodiment.
  • the control unit 70 may include an image measurement unit 212.
  • the droplet image detection unit 160 may be connected to the image measurement unit 212 of the control unit 70.
  • the image measurement unit 212 may be a circuit that detects the presence / absence of unionized droplets or satellites based on the output image from the droplet image detection unit 160.
  • the program may be a program that can be executed by the control unit 70 and is held in the control unit 70.
  • FIG. 22A is a diagram illustrating an example of an output image in which a normal droplet discharge state is captured.
  • the horizontal axis in FIG. 22A represents the pixel position in the horizontal direction of the output image.
  • the x-axis that is the horizontal axis in FIG. 22A corresponds to a coordinate axis that indicates a position in a direction parallel to the Z-axis defined in FIG.
  • the vertical axis in FIG. 22A represents the pixel position in the vertical direction of the output image.
  • the output image from the droplet image detection unit 160 can be a two-dimensional image of a plane parallel to the ZY plane.
  • the discharge direction of the droplet is a direction from the top to the bottom of FIG. 22A.
  • the linear shadow 216 extending in the vertical direction shown in the center portion of the output image shown in FIG. 22A is generated by the passage of the droplet.
  • the image measurement unit 212 may generate a cross-sectional profile in the determination line of the output image.
  • the determination line may be a line parallel to the x-axis direction in the output image.
  • the determination line can be set to an appropriate y coordinate that intersects the linear shadow 216.
  • the determination line may be set at the center of the image range in the y direction in the output image.
  • FIG. 22B shows an example of a cross-sectional profile in the determination line of the output image shown in FIG. 22A.
  • the horizontal axis of FIG. 22B represents the pixel coordinates on the determination line, that is, the pixel position in the Z direction.
  • the vertical axis in FIG. 22B represents the detected intensity of droplets in the output image.
  • FIG. 23A is a diagram illustrating an example of an output image in which a state in which satellites are generated is captured.
  • the horizontal and vertical axes in FIG. 23A are the same as the definitions of the horizontal and vertical axes in FIG. 22A.
  • FIG. 23B shows an example of a cross-sectional profile in the determination line of the output image shown in FIG. 23A.
  • the horizontal and vertical axes in FIG. 23B are the same as the definitions of the horizontal and vertical axes in FIG. 22B.
  • FIG. 23B when satellites are generated, a plurality of peaks can be detected in the cross-sectional profile.
  • the image measurement unit 212 may detect whether the cross-sectional profile has a single peak and output the result to the control unit 70. When the cross-sectional profile is other than a single peak, the control unit 70 may determine that a satellite is generated and may adjust the duty of the drive signal of the piezo element 88. Other operations may be the same as those in the first or second embodiment.
  • FIG. 24 is a flowchart showing an example of the operation of the control unit 70 in the third embodiment.
  • the flowchart shown in FIG. 24 may adopt step S52 and step S56 instead of step S2 and step S6 in the flowchart of the first embodiment described in FIG.
  • Steps S51, S53 to S55, S57, and S58 of the flowchart shown in FIG. 24 may be the same as steps S1, S3 to 5, S7, and S8 of the flowchart shown in FIG.
  • the controller 70 may start the processing shown in the flowchart of FIG. In step S51, the control unit 70 may start the passage timing signal detection. Further, the image measurement unit 212 of the control unit 70 may start acquiring an output image from the droplet image detection unit 160.
  • step S52 the image measurement unit 212 may determine whether the cross-sectional profile in the determination line of the acquired output image has a single peak. In the determination step of step S52, when the image measurement unit 212 confirms that the cross-sectional profile is a single peak, the image measurement unit 212 may move to step S53. On the other hand, when the image measuring unit 212 detects a plurality of peaks in step S52, the process may proceed to step S58.
  • step S53 the control unit 70 may start generating a light emission trigger based on the passage timing signal.
  • the generation of the light emission trigger is initiated, the delay circuit 72 may generate a light emission trigger gives a delay of a predetermined delay time to passage timing signal t d.
  • step S54 the control unit 70 may determine whether or not the EUV light generated by the EUV light generation device maintains a predetermined stability.
  • the control unit 70 may perform the determination in step S54 based on the signal obtained from the EUV light generation control unit 40.
  • step S54 the control unit 70 may return to step S53 when determining that the EUV light generated by the EUV light generation apparatus maintains a predetermined stability.
  • the control unit 70 determines that the EUV light does not maintain the predetermined stability in step S54, for example, when a light emission trigger stop signal is input from the EUV light generation control unit 40 to the control unit 70.
  • the process may proceed to step S55.
  • step S55 the control unit 70 may stop generating the light emission trigger.
  • the generation of the light emission trigger is stopped, the output of the pulse laser beam from the laser device 14 is stopped, and the generation of the EUV light is stopped.
  • the controller 70 may perform the duty adjustment in step S58 if it has a plurality of peaks after confirming the cross-sectional profile in step S56.
  • the duty adjustment in step S58 the duty adjustment described with reference to FIG. 14 of the first embodiment may be performed.
  • the duty adjustment described in FIG. 18 of the second embodiment may be performed in the duty adjustment in step S58.
  • step S56 when it is confirmed in step S56 that the cross-sectional profile is a single peak, the control unit 70 may proceed to step S57.
  • step S57 the control unit 70 may perform performance adjustment other than the duty adjustment in step S58. After step S57, the control unit 70 may return to step S53 and resume the generation of the light emission trigger.
  • the flowchart of FIG. 24 can be ended at an arbitrary timing by the interruption process from the EUV light generation control unit 40.
  • Embodiment 4 Description of Target Supply Device According to Fourth Embodiment 9.1 Configuration
  • a target supply device according to the fourth embodiment is a light receiving unit in the droplet detection device 76 described in the first embodiment and the second embodiment. This is a modification of 120 photosensors 124.
  • the optical sensor 124 of the light receiving unit 120 in the fourth embodiment may include a plurality of light receiving surfaces.
  • FIG. 25 is a diagram illustrating a configuration example of the optical sensor 124 that can be employed in the light receiving unit 120 according to the fourth embodiment.
  • the optical sensor 124 may include six light receiving surfaces 231 to 236.
  • the optical sensor 124 may be configured by a plurality of adjacent optical sensors.
  • the optical sensor 124 may be a diode array, an avalanche photodiode array (APD array), or a PIN photodiode.
  • the optical sensor 124 may be composed of a plurality of photodiodes or a plurality of avalanche photodiodes.
  • the image of the illumination light 180 emitted from the light source unit 170 may be formed over all of the plurality of light receiving surfaces 231 to 236 (see FIGS. 26 and 27).
  • the control unit 70 may include comparators 241 to 246 for inputting passage timing signals output from the light receiving surfaces 231 to 236, respectively.
  • the passage timing signals output from the light receiving surfaces 231 to 236 may be input to, for example, the Vin ⁇ terminals of the comparators 241 to 246.
  • the control unit 70 may include a threshold voltage generator 250.
  • the threshold voltage generator 250 may be connected to Vin + terminals of the comparators 241 to 246.
  • the control unit 70 may include a control circuit 252, and output terminals of the comparators 241 to 246 may be connected to input terminals of the control circuit 252.
  • FIG. 26 is an explanatory view of the optical sensor 124 that captures a normal droplet discharge state as viewed from the light receiving surface side.
  • FIG. 26 corresponds to a C arrow view of the optical sensor 124 shown in FIG.
  • the image of the irradiation region of the illumination light 180 may be formed over all of the six light receiving surfaces 231 to 236 of the optical sensor 124.
  • a droplet shadow 260 can be generated on any of the plurality of light receiving surfaces 231 to 236.
  • a droplet shadow 260 can be generated on the second light receiving surface 232 and the third light receiving surface 233 from the left.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating an example of output voltages and threshold voltages of the light receiving surfaces 231 to 236 of the optical sensor 124 and outputs of the comparators 241 to 246.
  • the range divided by the one-dot chain line in the vertical direction corresponds to the outputs of the light receiving surfaces 231 to 236.
  • each of the light receiving surfaces 231 to 236 is represented as a first light receiving surface to a sixth light receiving surface.
  • the horizontal axis in FIG. 27 represents time, and shows the same light receiving time range for each of the ranges corresponding to the outputs of the respective light receiving surfaces.
  • Receiving time range of the light receiving surface 231-236 shown in FIG. 27 may be the inverse of the detected frequency f d of the droplets.
  • the light output from the light receiving surface 232 that is the second light receiving surface and the light receiving surface 233 that is the third light receiving surface of the optical sensor 124 is as follows.
  • a signal corresponding to the change may be generated.
  • no shadow is generated on the other light receiving surface 231 and the light receiving surfaces 234 to 236, and each of the light receiving surface 231 that is the first light receiving surface and the light receiving surfaces 234 to 236 that are the fourth light receiving surface to the sixth light receiving surface.
  • the output may be a noise level in a state where the illumination light 180 is received like the output of the light receiving surface 236 which is the sixth light receiving surface, for example.
  • the outputs from the light receiving surface 232 and the light receiving surface 233 of the optical sensor 124 are compared with the threshold voltage in the comparator 242 and the comparator 243, and the outputs of the comparator 242 and the comparator 243 are at a high level during a period of Vin +> Vin ⁇ .
  • the outputs of the other comparators 241 and the comparators 244 to 246 may be at a low level.
  • the threshold voltage may be determined in advance through experiments or the like so as to detect a decrease in the amount of light due to the shadow 260 of the droplet and not detect noise, and is set in the threshold voltage generator 250.
  • FIG. 28 is an explanatory view of the optical sensor 124 capturing the droplet discharge state when the satellite is generated as viewed from the light receiving surface side.
  • a droplet shadow 260 and a satellite shadow 262 may be generated on any one of the plurality of light receiving surfaces 231 to 236.
  • a droplet shadow 260 may be generated on the light receiving surface 232 and the light receiving surface 233, and a satellite shadow 262 may be generated on the light receiving surface 235.
  • FIG. 29 is a diagram showing an example of output voltages and threshold voltages of the light receiving surfaces 231 to 236 of the optical sensor 124 and outputs of the comparators 241 to 246 in a droplet discharge state when a satellite is generated.
  • the output from the light receiving surfaces 232, 233, and 235 of the optical sensor 124 generates a signal corresponding to a change in light amount due to the droplet shadow 260 and the satellite shadow 262, as shown in FIG. Can do.
  • no shadow is generated on the other light receiving surfaces 231, 234, and 236, and the respective outputs of the light receiving surfaces 231, 234, and 236 receive the illumination light 180 like the output of the light receiving surface 236, for example.
  • the noise level can be
  • the droplet discharge state when the satellite is generated can be detected by the control circuit 252 corresponding to any of the following states [1] to [3]. .
  • the normal droplet discharge state can be detected by the control circuit 252 corresponding to one of the following states [4] or [5].
  • FIG. 30 is a flowchart showing the operation of the control unit 70 in the fourth embodiment.
  • the flowchart shown in FIG. 30 may employ steps S62 and S66 instead of steps S2 and S6 in the flowchart of the first embodiment described in FIG.
  • Steps S61, S63 to S65, S67 and S68 in the flowchart shown in FIG. 30 may be the same steps as steps S1, S3 to 5, S7 and S8 in the flowchart shown in FIG.
  • the controller 70 may start the processing shown in the flowchart of FIG. In step S61, the control unit 70 may start the passage timing signal detection.
  • step S62 the control unit 70 may determine whether or not the outputs from the light receiving surfaces 231 to 236 of the optical sensor 124 are in a specified state.
  • the “specified state” as the determination criterion in step S62 may be a normal droplet discharge detection state, for example, a state satisfying any of the above-described states [4] and [5]. Good.
  • step S62 when the control unit 70 confirms that the output value from each light receiving surface of the optical sensor 124 is within the specified range, the control unit 70 may proceed to step S63.
  • step S62 when the control unit 70 detects that the outputs from the light receiving surfaces 231 to 236 of the optical sensor 124 are not in the specified state, the control unit 70 may proceed to step S68.
  • the process may proceed to step S68.
  • the duty adjustment in step S68 the same content as the duty adjustment described in the flowchart of FIG. 14 may be performed. Further, in the duty adjustment in step S68, the same content as the duty adjustment described in the flowchart of FIG. 18 may be performed.
  • step S63 the control unit 70 may start generating a light emission trigger based on the passage timing signal.
  • the generation of the light emission trigger is initiated, the delay circuit 72 may generate a light emission trigger gives a delay of a predetermined delay time to passage timing signal t d.
  • step S64 the control unit 70 may determine whether or not the EUV light generated by the EUV light generation apparatus maintains a predetermined stability.
  • the control unit 70 may perform the determination in step S64 based on the signal obtained from the EUV light generation control unit 40.
  • step S64 when it is determined that the EUV light generated by the EUV light generation apparatus maintains a predetermined stability, the control unit 70 may return to step S63.
  • the control unit 70 receives a light emission trigger stop signal from the EUV light generation control unit 40 to the control unit 70 and determines that the EUV light does not maintain a predetermined stability in step S64. The process may proceed to step S65.
  • step S65 the control unit 70 may stop generating the light emission trigger.
  • the generation of the light emission trigger is stopped, the output of the pulse laser beam from the laser device 14 is stopped, and the generation of the EUV light is stopped.
  • control unit 70 When resuming EUV light generation, the control unit 70 confirms in step S66 whether or not the output of each light receiving surface of the optical sensor 124 satisfies a specified state, and then the output of each light receiving surface does not satisfy the specified state. In this case, the duty adjustment in step S68 may be performed.
  • step S66 when it is confirmed in step S66 that the output of each light receiving surface of the optical sensor 124 satisfies the specified state, the control unit 70 may proceed to step S67.
  • step S67 the control unit 70 may perform performance adjustments other than the duty adjustment in step S68. After step S67, the control unit 70 may return to step S63 and resume generating the light emission trigger.
  • Embodiment 5 Description of Target Supply Device According to Fifth Embodiment 10.1 Configuration
  • FIG. 31 shows a configuration of the fifth embodiment. In FIG. 31, the part changed from 1st Embodiment or 2nd Embodiment is demonstrated below.
  • the heater 280 may be assembled to the outside of the nozzle 80, and the nozzle temperature sensor 282 may be assembled to the heater 280.
  • the heater 280 may be connected to the heater power supply 284.
  • the nozzle temperature sensor 282 and the heater power supply 284 may be connected to the temperature control unit 94.
  • the temperature controller 94 may control the temperature of the nozzle 80 within a range of, for example, a specified temperature ⁇ 0.1 ° C. based on the temperature information obtained from the nozzle temperature sensor 282. Further, a cooling pipe and a chiller (not shown) may be connected to the nozzle 80, and the temperature control unit 94 may control the temperature of the cooling water in the chiller within a predetermined temperature range.
  • FIG. 32 is a block diagram illustrating an example hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter may be implemented.
  • the exemplary hardware environment 900 of FIG. 32 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D and D / A.
  • the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 900 is not limited to this.
  • the notation “I / O” represents Input / Output.
  • the notation “A / D” represents Analog to Digital.
  • the notation “D / A” represents Digital to Analog.
  • the processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU; Graphics Processing Unit) 1004.
  • the memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM).
  • the CPU 1001 may be any commercially available processor. A dual microprocessor or other multiprocessor architecture may be used as the CPU 1001.
  • the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005. Further, the processing unit 1000 may read data from the storage unit 1005 together with the program. Further, the processing unit 1000 may write data to the storage unit 1005.
  • the CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005.
  • the memory 1002 may be a work area for temporarily storing programs executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001.
  • the timer 1003 may measure the time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program.
  • the GPU 1004 may process the image data according to a program read from the storage unit 1005 and output the processing result to the CPU 1001.
  • the parallel I / O controller 1020 includes an exposure apparatus controller, an EUV light generation controller 40, a laser beam traveling direction controller 54, a controller 70, a delay circuit 72, a temperature controller 94, an image acquisition controller 200, a control circuit 250, and the like. May be connected to a parallel I / O device capable of communicating with the processing unit 1000, and communication between the processing unit 1000 and these parallel I / O devices may be controlled.
  • the serial I / O controller 1030 may be connected to a serial I / O device that can communicate with the processing unit 1000, such as a heater power source 92, a piezo power source 96, a pressure regulator 90, a light source 102, and a light source 172. Communication between 1000 and these serial I / O devices may be controlled.
  • the A / D and D / A converter 1040 may be connected to analog devices such as a temperature sensor, a pressure sensor, various vacuum gauge sensors, an optical sensor 124, and an image sensor 194 via an analog port. Communication with these analog devices may be controlled, or A / D conversion or D / A conversion of communication contents may be performed.
  • analog devices such as a temperature sensor, a pressure sensor, various vacuum gauge sensors, an optical sensor 124, and an image sensor 194 via an analog port. Communication with these analog devices may be controlled, or A / D conversion or D / A conversion of communication contents may be performed.
  • the user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
  • the exemplary hardware environment 900 may be applied to configurations of the EUV light generation control unit 40, the laser light traveling direction control unit 54, the control unit 70, the temperature control unit 94, the image acquisition controller 200, and the like in the present disclosure.
  • controllers may be implemented in a distributed computing environment, i.e., an environment where tasks are performed by processing units connected via a communications network.
  • an exposure apparatus control unit, an EUV light generation control unit 40, a laser beam traveling direction control unit 54, a control unit 70, a temperature control unit 94, an image acquisition controller 200, and the like are connected to a communication network such as Ethernet (registered trademark) or the Internet. May be connected to each other via
  • program modules may be stored in both local and remote memory storage devices.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

ターゲット供給装置は、タンクに収容されている液状のターゲット物質を出力するノズルと、矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子と、ノズルから出力されたドロップレットを検出するドロップレット検出部と、ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、制御部と、を備え、制御部は、通過時間間隔の適正レンジを設定する処理と、加振素子に入力する電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値の各々において生成されるドロップレットの通過時間間隔計測値及びそのばらつきをデューティ値に対応付けて記憶する処理と、複数のデューティ値のうち、通過時間間隔計測値が適正レンジ内にあるデューティ値の中で、ばらつきに基づいて、動作デューティ値を決定する処理と、を行う構成としてもよい。

Description

ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
　本開示は、ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ；Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特開２０１４－１８６８４６号公報 国際公開第２０１４／１８９０５５号 特表２０１０－５２７３００号公報 特表２００９－５４１０９３号公報
概要
　本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、タンクに収容されているターゲット物質を出力するノズルと、矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子であって、ノズルから出力されるターゲット物質に振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、ノズルから出力されたドロップレットを検出するドロップレット検出部と、ドロップレット検出部から得られる検出信号を基に、ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、通過時間間隔計測部によって計測した通過時間間隔計測値に基づいて、加振素子の動作に適した電気信号のデューティ値である動作デューティ値を決定する制御部と、を備え、制御部は、通過時間間隔の適正レンジを設定する処理と、加振素子に入力する電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値について各デューティ値の電気信号を加振素子に入力することにより、各デューティ値において生成されるドロップレットの通過時間間隔計測値、及び通過時間間隔計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理と、複数のデューティ値のうち、通過時間間隔計測値が適正レンジ内にあるデューティ値の中で、ばらつきに基づいて、動作デューティ値を決定する処理と、を行う構成としてもよい。
　本開示の他の観点に係るターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、タンクに収容されているターゲット物質を出力するノズルと、矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子であって、ノズルから出力されるターゲット物質に振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、ノズルから出力されたドロップレットを検出するドロップレット検出部と、ドロップレット検出部から得られる検出信号を基に、ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、通過時間間隔計測部によって計測した通過時間間隔計測値に基づいて、加振素子の動作に適した電気信号のデューティ値である動作デューティ値を決定する制御部と、を備え、制御部は、通過時間間隔計測値からドロップレット間距離を表すドロップレット間距離計測値を算出する処理と、ドロップレット間距離の適正レンジを設定する処理と、加振素子に入力する電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値について各デューティ値の電気信号を加振素子に入力することにより、各デューティ値において生成されるドロップレットのドロップレット間距離計測値及びドロップレット間距離計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理と、複数のデューティ値のうち、ドロップレット間距離計測値が適正レンジ内にあるデューティ値の中で、ばらつきに基づいて、動作デューティ値を決定する処理と、を行う構成としてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２は、ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図３は、レーザ装置の発光トリガを制御する制御システムの構成を示すブロック図である。 図４は、ドロップレットの生成が正常な場合にドロップレット検出装置の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。 図５は、ドロップレットの生成が正常な場合に得られる通過タイミング信号と発光トリガ信号のタイミングチャートである。 図６は、合体不良のドロップレットが生成された場合にドロップレット検出装置の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。 図７は、合体不良のドロップレットが生成された場合に得られる通過タイミング信号のタイミングチャートを示す。 図８は、サテライトが生成された場合にドロップレット検出装置の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。 図９は、サテライトが生成された場合に得られる通過タイミング信号のタイミングチャートの例を示す。 図１０は、第１実施形態に係るターゲット供給装置における制御システムの構成を示したブロック図である。 図１１は、合体不良のドロップレット又はサテライトが生成された場合に得られる通過タイミング信号と発光トリガ信号のタイミングチャートの一例である。 図１２は、図１０に示した制御部の動作の例を示すフローチャートである。 図１３は、ＥＵＶ光生成装置におけるバースト動作の説明図である。 図１４は、第１実施形態におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。 図１５は、図１４のステップＳ１５における処理を示すフローチャートである。 図１６Ａは、デューティ２５％の矩形波の信号を例示した波形図である。 図１６Ｂは、デューティ５０％の矩形波の信号を例示した波形図である。 図１７は、第２実施形態のターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図１８は、第２実施形態におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。 図１９は、図１８のステップＳ３７における処理を示すフローチャートである。 図２０は、第３実施形態のターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図２１は、第３実施形態における制御システムの構成を示したブロック図である。 図２２Ａは、正常なドロップレット吐出状態が撮像された出力画像の例を示す図である。 図２２Ｂは、図２２Ａに示した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルの例を示す図である。 図２３Ａは、サテライトが発生した状態が撮像された出力画像の例を示す図である。 図２３Ｂは、図２３Ａに示した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルの例を示す図である。 図２４は、第３実施形態における制御部の動作の例を示すフローチャートである。 図２５は、第４実施形態におけるドロップレット検出装置の受光部に採用し得る光センサの構成例を示す図である。 図２６は、正常なドロップレット吐出状態を捉えた光センサを受光面側から見た説明図である。 図２７は、光センサの各受光面の出力電圧と閾値電圧、並びに各コンパレータの出力の例を示した図である。 図２８は、サテライト発生時のドロップレット吐出状態を捉えた光センサを受光面側から見た説明図である。 図２９は、サテライト発生時のドロップレット吐出状態における光センサの各受光面の出力電圧と閾値電圧、並びに各コンパレータの出力の例を示した図である。 図３０は、第４実施形態における制御部の動作を示すフローチャートである。 図３１は、第５実施形態のターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図３２は、各制御部のハードウェア環境の例を示すブロック図である。
実施形態
－目次－
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　１．２　動作
２．用語の説明
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の説明
　３．１　構成
　３．２　動作
４．レーザ装置の発光トリガ制御システムの説明
　４．１　構成
　４．２　動作
５．課題
６．実施形態１
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用・効果
７．実施形態２
　７．１　構成
　７．２　動作
　７．３　作用・効果
８．実施形態３
　８．１　構成
　８．２　動作
９．実施形態４
　９．１　構成
　９．２　動作
　９．３　作用・効果
１０．実施形態５
　１０．１　構成
　１０．２　動作
　１０．３　作用・効果
１１．各制御部のハードウェア環境
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
　以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　　１．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、少なくとも１つのレーザ装置１４と共に用いられてもよい。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１２及びレーザ装置１４を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１０と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６及びターゲット供給部１８を含んでもよい。チャンバ１６は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部１８は、例えば、チャンバ１６の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部１８から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ１６の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２０が設けられてもよく、ウインドウ２０をレーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光２２が透過してもよい。チャンバ１６の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２４が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２４は、第１の焦点及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２４の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２４は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２６に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ；Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ　Ｆｏｃｕｓｉｎｇ　ｐｏｉｎｔ）２８に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２４の中央部には貫通孔３０が設けられていてもよく、貫通孔３０をパルスレーザ光２３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１２は、ＥＵＶ光生成制御部４０及びターゲットセンサ４２等を含んでもよい。ターゲットセンサ４２は、撮像機能を有してもよく、ターゲット４４の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６の内部と露光装置４６の内部とを連通させる接続部４８を含んでもよい。接続部４８の内部には、アパーチャ５０が形成された壁５２が設けられてもよい。壁５２は、そのアパーチャ５０がＥＵＶ集光ミラー２４の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１２は、レーザ光進行方向制御部５４、レーザ光集光ミラー５６、ターゲット４４を回収するためのターゲット回収部５８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部５４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。ターゲット回収部５８は、チャンバ１６内に出力されたターゲット４４が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。
　　１．２　動作
　図１を参照に、レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光２１は、レーザ光進行方向制御部５４を経て、パルスレーザ光２２としてウインドウ２０を透過してチャンバ１６内に入射してもよい。パルスレーザ光２２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ１６内を進み、レーザ光集光ミラー５６で反射されて、パルスレーザ光２３として少なくとも１つのターゲット４４に照射されてもよい。
　ターゲット供給部１８は、ターゲット４４をチャンバ１６内部のプラズマ生成領域２６に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット４４には、パルスレーザ光２３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット４４はプラズマ化し、そのプラズマから放射光６０が放射され得る。放射光６０に含まれるＥＵＶ光６２は、ＥＵＶ集光ミラー２４によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２４によって反射されたＥＵＶ光６２は、中間集光点２８で集光され、露光装置４６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット４４に、パルスレーザ光２３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部４０は、ＥＵＶ光生成システム１０全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲットセンサ４２によって撮像されたターゲット４４のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部４０は、例えば、ターゲット４４が出力されるタイミング、ターゲット４４の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部４０は、例えば、レーザ装置１４の発振タイミング、パルスレーザ光２２の進行方向、パルスレーザ光２３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
　２．用語の説明
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
　「プラズマ光」は、プラズマ化したドロップレットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
　「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。
　「ドロップレット間隔」という用語における「間隔」は、時間間隔を意味する場合と、空間的な間隔である距離を意味する場合の両方の場合があり得る。
　「通過タイミング間隔」は、ドロップレットの通過タイミングの時間間隔を指す。通過タイミング間隔は、ドロップレットの通過時間間隔に相当する。
　「ドロップレット間距離」は、異なる二つのドロップレットの空間的な間隔、つまりドロップレットスペースを意味する。本開示におけるドロップレット間距離は、ドロップレットの吐出方向についてのドロップレットスペースを指す。
　「ピエゾ素子」は「圧電素子」と同義である。ピエゾ素子は、「加振素子」の一形態である。
　３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の説明
　　３．１　構成
　図２に、ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、制御部７０と、遅延回路７２と、ターゲット供給部１８と、不活性ガス供給部７４と、ドロップレット検出装置７６とを含んでもよい。
　ターゲット供給部１８は、ターゲット物質を出力するノズル８０と、ターゲット物質を貯蔵するタンク８２と、ヒータ８４と、温度センサ８６と、ピエゾ素子８８と、圧力調節器９０と、を含んでいてもよい。
　ターゲット供給装置７８は、制御部７０、ターゲット供給部１８、ヒータ電源９２、温度制御部９４、及びピエゾ電源９６を含んでいてもよい。また、ターゲット供給装置７８は、ドロップレット検出装置７６を含んでいてもよい。
　タンク８２は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク８２の内部には、ターゲット物質が収容されてもよい。タンク８２の少なくとも内部は、ターゲット物質と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット物質の一例であるスズと反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、及びタンタルのいずれかであってもよい。
　タンク８２には、ヒータ８４と温度センサ８６が固定されていてもよい。ヒータ８４は、筒形状のタンク８２の外側側面部に固定されてもよい。タンク８２に固定されたヒータ８４は、タンク８２を加熱してもよい。ヒータ８４は、ヒータ電源９２と接続されてもよい。
　ヒータ電源９２は、ヒータ８４に電力を供給してもよい。ヒータ電源９２は、温度制御部９４と接続されてもよい。温度制御部９４は、制御部７０と接続されてもよく、制御部７０に含まれていてもよい。ヒータ電源９２は、ヒータ８４への電力供給を温度制御部９４によって制御されてもよい。
　タンク８２の外側側面部には、温度センサ８６が固定されてもよい。温度センサ８６は、温度制御部９４と接続されてもよい。温度センサ８６は、タンク８２の温度を検出し、検出信号を温度制御部９４に出力してもよい。温度制御部９４は、温度センサから出力された検出信号に基づいて、ヒータ８４へ供給する電力を調節し得る。
　ヒータ８４とヒータ電源９２を含む温度調節機構は、温度制御部９４の制御信号に基づいてタンク８２の温度を調節し得る。
　圧力調節器９０は不活性ガス供給部７４とタンク８２の間の配管９８に設置してもよい。配管９８は、タンク８２を含むターゲット供給部１８と圧力調節器９０とを連通させ得る。配管９８は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管９８には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管９８内の温度は、ターゲット供給部１８のタンク８２内の温度と同じ温度に保たれてもよい。
　不活性ガス供給部７４は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されているガスボンベを含んでいてもよい。不活性ガス供給部７４は、圧力調節器９０を介して、タンク８２内に不活性ガスを給気してもよい。
　圧力調節器９０は、給気及び排気用の図示しない電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器９０は、図示しない圧力センサを用いてタンク８２内の圧力を検出してもよい。圧力調節器９０は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器９０は、図示しない排気ポンプを動作させて、タンク８２内のガスを排気してもよい。
　圧力調節器９０は、タンク８２内にガスを給気又はタンク８２内のガスを排気することによって、タンク８２内の圧力を加圧又は減圧し得る。圧力調節器９０は、制御部７０と接続されてもよい。圧力調節器９０は、検出した圧力の検出信号を制御部７０に出力してもよい。圧力調節器９０は、制御部７０から出力された制御信号が入力されてもよい。
　制御部７０は、圧力調節器９０から出力された検出信号に基づいて、タンク８２内の圧力が目標とする圧力になるよう圧力調節器９０の動作を制御するための制御信号を圧力調節器９０に供給してもよい。圧力調節器９０は、制御部７０からの制御信号に基づいてタンク８２内にガスを給気又はタンク８２内のガスを排気してもよい。圧力調節器９０がガスを給気又は排気することにより、タンク８２内の圧力は、目標とする圧力に調節され得る。
　ノズル８０は、ターゲット物質を出力するノズル孔８０を備えてもよい。ノズル孔８０ａから出力させるターゲット物質の一例として、液体スズを採用し得る。ノズル８０には、ピエゾ素子８８が固定されていてもよい。ピエゾ素子８８はピエゾ電源９６と接続されてもよい。
　ノズル８０は、筒形状のタンク８２の底面部に設けられていてもよい。ノズル８０は、チャンバ１６の図示しないターゲット供給孔を通してチャンバ１６の内部に配置されてもよい。チャンバ１６のターゲット供給孔は、ターゲット供給部１８が設置されることで塞がれ得る。ターゲット供給部１８がチャンバ１６のターゲット供給孔を塞ぐように設置される構造により、チャンバ１６の内部は大気と隔絶され得る。ノズル８０の少なくとも内面は、ターゲット材料と反応し難い材料で構成されてもよい。
　パイプ状のノズル８０の一端は、中空のタンク８２に固定されてもよい。パイプ状のノズル８０の他端には、ノズル孔８０ａが設けられていてもよい。ノズル８０の一端側にあるタンク８２がチャンバ１６の外部に位置し、ノズル８０の他端側にあるノズル孔８０ａがチャンバ１６の内部に位置してもよい。ノズル８０の中心軸方向の延長線上には、チャンバ１６の内部にあるプラズマ生成領域２６が位置してもよい。ノズル８０の中心軸方向は、Ｙ軸方向であってもよい。タンク８２、ノズル８０、及びチャンバ１６は、その内部が互いに連通してもよい。
　ノズル孔８０ａは、溶融したターゲット物質をチャンバ１６内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。
　ターゲット供給部１８は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット１３６を形成してもよい。コンティニュアスジェット方式では、ノズル８０を振動させてジェット状に噴出したターゲットの流れに定在波を与え、ターゲットを周期的に分離してもよい。分離されたターゲットは、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット１３６を形成し得る。
　ピエゾ素子８８と、ピエゾ電源９６は、ドロップレット１３６の形成に必要な振動をノズル８０に与えるドロップレット形成機構を構成する要素となり得る。
　ピエゾ素子８８は、パイプ状のノズル８０の外側側面部に固定されてもよい。ノズル８０に固定されたピエゾ素子８８は、ノズル８０に振動を与えてもよい。ピエゾ素子８８は、ピエゾ電源９６と接続されてもよい。
　ピエゾ電源９６は、ピエゾ素子８８に電力を供給してもよい。ピエゾ電源９６は、制御部７０と接続されてもよい。ピエゾ電源９６は、ピエゾ素子８８への電力供給を制御部７０によって制御されてもよい。
　ドロップレット検出装置７６は、図１で説明したターゲットセンサ４２の一部又は全部であってもよい。ドロップレット検出装置７６は、チャンバ１６内に出力されたドロップレット１３６を検出してもよい。
　ドロップレット検出装置７６は、光源部１００と受光部１２０とを含んでいてもよい。光源部１００は、光源１０２と照明光学系１０４を含んでもよい。光源部１００は、ターゲット供給部１８のノズル８０とプラズマ生成領域２６の間の軌道上における所定の位置Ｐのドロップレットを照明するように配置してもよい。光源１０２には、ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ－Ｗａｖｅ）レーザ光源を用いてもよい。照明光学系１０４は、集光レンズ１０６とウインドウ１０８を含んでもよい。
　ドロップレット１３６に照射される連続レーザ光のビーム径は、ドロップレット１３６の直径よりも十分に大きくてもよい。ドロップレット１３６の直径は、例えば２０μｍとしてもよい。集光レンズ１０６は、シリンドリカルレンズであってもよい。
　光源部１００と受光部１２０とは、チャンバ１６内に出力されたターゲットであるドロップレット１３６の進行経路であるターゲット進行経路を挟んで互いに対向配置されてもよい。光源部１００と受光部１２０の対向方向は、ターゲット進行経路と直交してもよい。
　ターゲット進行経路を進行するドロップレット１３６が所定位置Ｐに到達すると、光源部１００から出射された照明光１１０が当該ドロップレット１３６に照射され得る。
　受光部１２０は、受光光学系１２２と光センサ１２４とを含んでもよい。受光部１２０は、光源部１００から出力された照明光１１０を受光するように配置してもよい。受光光学系１２２は、ウインドウ１２６と集光レンズ１２８を含んでもよい。受光光学系１２２は、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。受光光学系１２２は、光源部１００から出射された連続レーザ光を、光センサ１２４に導いてもよい。
　光センサ１２４は、フォトダイオードを含む受光素子であってもよい。光センサ１２４は、受光光学系１２２によって導かれた連続レーザ光の光強度を検出してもよい。光センサ１２４は、制御部７０と接続されてもよい。光センサ１２４は、検出した光強度の検出信号を制御部７０に供給してもよい。
　ドロップレット１３６がターゲット進行経路上の所定位置Ｐを通過すると、ドロップレット１３６により連続レーザ光の一部が遮蔽され、受光部１２０が受光する光強度は低下し得る。受光部１２０は、ドロップレット１３６の通過による光強度の低下に応じた検出信号を制御部７０に出力し得る。ドロップレット１３６による光強度の低下に応じた検出信号を、「通過タイミング信号」ともいう。
　制御部７０は、ドロップレット検出装置７６からの検出信号により、ドロップレット１３６が検出されたタイミングを検知し得る。特に、ドロップレット１３６がターゲット進行経路上の所定位置Ｐを通過したタイミングを検知し得る。
　なお、ドロップレット検出装置７６がドロップレット１３６を検出したタイミングを「通過タイミング」ともいう。通過タイミングは、ドロップレット検出装置７６が通過タイミング信号を制御部７０に出力したタイミングであり得る。
　ＥＵＶ光生成装置１２は、第１の高反射ミラー１３０と第２の高反射ミラー１３２と、レーザ光集光光学系１３４とを含んでもよい。図１で説明したレーザ光進行方向制御部５４は、第１の高反射ミラー１３０と第２の高反射ミラー１３２を含んで構成されてもよい。レーザ光集光光学系１３４は、図１で説明したレーザ光集光ミラー５６を含んでもよい。
　図２において、ＥＵＶ光生成装置１２のチャンバ１６から露光装置４６に向かってＥＵＶ光６２を導出する方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、かつ、互いに直交する軸とする。ドロップレットの滴下方向をＹ軸とする。なお、図３以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。
　ＥＵＶ光生成装置１２のチャンバ１６は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ１６の中心軸方向は、ＥＵＶ光６２を露光装置４６へ導出する方向、つまりＺ軸方向であってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部４０は、露光装置４６の制御部である図示しない露光装置制御部との間で信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、露光装置４６の指令に基づいてＥＵＶ光生成システム１０全体の動作を統括的に制御してもよい。ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ装置１４との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ装置１４の動作を制御してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ光進行方向制御部５４及びレーザ光集光光学系１３４のそれぞれの図示しないアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、パルスレーザ光２１、２２及び２３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲット供給装置７８の制御部７０との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲット供給装置７８、ドロップレット検出装置７６、及びレーザ装置１４の動作を制御してもよい。
　　３．２　動作
　図２を用いて、ＥＵＶ光生成装置１２の動作について説明する。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲットの生成信号が入力されると、ターゲット供給部１８内のターゲット材料が融点以上の所定の温度になるように、温度制御部９４を介してヒータ８４を制御してもよい。温度制御部９４は、制御部７０の制御にしたがい、温度センサ８６の検出値に基づいてヒータ電源９２を制御してもよい。ターゲット材料としてスズ（Ｓｎ）が用いられる場合、制御部７０は、ターゲット供給部１８内のスズが、例えば、２００℃から３００℃の範囲の所定の温度になるように、ヒータ８４を制御してもよい。その結果、ターゲット供給部１８に貯蔵されたスズは融解し得る。融解したスズは、「液状のターゲット物質」の一形態に相当し得る。
　制御部７０は、ピエゾ素子８８にピエゾ電源９６を介して、ノズル８０から出力された液体スズがドロップレット１３６を生成するよう、所定のピエゾ駆動周波数及び所定デューティの電気信号を送ってもよい。
　ピエゾ電源９６は、制御部７０からの指示にしたがい、ピエゾ素子８８に対し駆動用の電力を供給してもよい。その結果、ノズル８０はピエゾ素子８８によって振動し得る。
　制御部７０は、ドロップレットが所定の速度でプラズマ生成領域２６に到達するように、圧力調節器９０を所定圧力に制御してもよい。その結果、ノズル孔８０ａからジェット状の液体スズが出力され、ノズル孔８０ａの振動によって、ドロップレット１３６が生成し得る。そして、プラズマ生成領域２６にドロップレット１３６を供給し得る。
　ドロップレット１３６が、ノズル孔８０aとプラズマ生成領域２６の間の軌道上の所定位置Ｐを通過すると、受光部１２０の光センサ１２４に入射する照明光量が低下する。受光部１２０は、光センサ１２４によって受光した光量が所定の閾値以下である期間、通過タイミング信号を生成し得る。
　受光部１２０から出力された通過タイミング信号は、制御部７０を介して直接、遅延回路７２に入力されてもよい。
　遅延回路７２は通過タイミング信号に遅延時間を付加して発光トリガ信号を生成し、発光トリガ信号をレーザ装置１４に入力してもよい。遅延回路７２の遅延時間は、ドロップレット１３６が所定位置Ｐを通過して、プラズマ生成領域２６に到達する前に、レーザ装置１４に発光トリガ信号が入力されるように設定してもよい。つまり、遅延時間は、ドロップレット１３６がプラズマ生成領域２６に到達した時に、レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光がドロップレット１３６に照射されるように設定してもよい。
　レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光は、第１の高反射ミラー１３０、第２の高反射ミラー１３２及びレーザ光集光光学系１３４を介してプラズマ生成領域２６に導かれ、ドロップレット１３６に照射されてもよい。プラズマ生成領域２６は、パルスレーザ光の集光位置に相当し得る。
　４．レーザ装置の発光トリガ制御システムの説明
　　４．１　構成
　図３に、レーザ装置１４の発光トリガを制御する制御システムの構成を示す。制御システム１４０は、ドロップレット検出装置７６と、制御部７０と、遅延回路７２と、レーザ装置１４とを含んでいてもよい。
　遅延回路７２は、制御部７０の一部として構成されてもよい。ドロップレット検出装置７６の出力信号である通過タイミング信号は、制御部７０を介して遅延回路７２に入力してもよい。制御部７０が遅延回路７２の遅延時間を設定するためのラインが、遅延回路７２に接続されてもよい。遅延回路７２の出力は、発光トリガ信号としてレーザ装置１４に入力してもよい。
　　４．２　動作
　制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からドロップレット生成信号を受信すると、遅延時間ｔｄを設定するデータを遅延回路７２に送信してもよい。制御部７０は、ドロップレット検出装置７６からのドロップレットの通過タイミング信号を受信して、その信号を遅延回路７２に入力し得る。
　遅延回路７２は、通過タイミング信号に対し、遅延時間ｔｄ遅れた信号を、発光トリガ信号としてレーザ装置１４に入力し得る。
　図４は、ドロップレットの生成が正常な場合にドロップレット検出装置７６の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。また、図５に、ドロップレットの生成が正常な場合に得られる通過タイミング信号と発光トリガ信号のタイミングチャートを示す。
　図４に示すように、ドロップレット１３６が正常に生成されている場合は、ドロップレット１３６はほぼ等間隔でドロップレット検出装置７６の検出範囲を通過し得る。このため、図５の上段に示したように、通過タイミングの時間間隔Ｔ（１）～Ｔ（ｎ）は、ほぼ同一の周期Ｔｃとなり得る。周期Ｔｃは、所定のピエゾ駆動周波数ｆｐの逆数の自然数倍となり得る。つまり、自然数ｍとして、周期Ｔｃは概ねｍ／ｆＰとなり得る。本例では、通過タイミング信号のパルスの立ち上がりのタイミングを「通過タイミング」としている。通過タイミングの時間間隔を「通過タイミング間隔」と呼ぶ。つまり、信号の時間間隔は、パルスの立ち上がりタイミングの間隔から計測されてもよい。
　発光トリガ信号は、図５の下段に示したように、通過タイミング信号から遅延時間ｔｄだけ遅れて、通過タイミング信号と略同じ周期Ｔｃで生成し得る。図５の下段に示した発光トリガ信号がレーザ装置１４に供給されることにより、レーザ装置１４は、ほぼ一定の時間間隔でレーザ光を出力するので、励起媒質の温度は略一定に漸近し、出力レーザ光のパルスエネルギは安定化される。
　５．課題
　図６は、合体不良のドロップレットが生成された場合にドロップレット検出装置７６の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。図７に、合体不良のドロップレットが生成された場合に得られる通過タイミング信号のタイミングチャートの例を示す。図７において、左から２番目の通過タイミング信号は、合体不良ドロップレットの信号である。
　図８は、サテライトが生成された場合にドロップレット検出装置７６の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。図９に、サテライトが生成された場合に得られる通過タイミング信号のタイミングチャートの例を示す。図９において、左から２番目の通過タイミング信号は、サテライトの信号である。また、左から４番目と６番目の通過タイミング信号も、それぞれサテライトの信号である。
　ピエゾ電源９６からピエゾ素子８８に対し、ピエゾ駆動周波数ｆｐの矩形波の駆動信号が印加されることにより、ノズル８０からスズのドロップレットが連続的に吐出され得る。ノズル８０から吐出されたドロップレットは、落下中に複数個が合体した後、ドロップレット検出装置７６によって検出され得る。
　なんらかの原因で、図６に示すように、合体不良のドロップレット１４２が生成されたり、図８に示すように、大きなドロップレット１４４の近傍にサテライト１４６が生成されたりすることがある。
　ドロップレット検出装置７６が合体不良のドロップレット１４２やサテライト１４６を検出すると、ドロップレット検出装置７６は周期Ｔｃとは異なる時間間隔で通過タイミング信号を生成し得る。通過タイミング信号は、ドロップレット検出信号に相当する。
　発光トリガ信号は、遅延回路７２によって、通過タイミング信号から遅延時間ｔｄだけ遅れた信号になり得る。例えば、図７や図９に例示したように、連続する通過タイミング信号の時間間隔ＴがＴ≪Ｔｃの場合、レーザ装置１４に入力される発光トリガ信号の時間間隔が周期Ｔｃよりも短くなり、以下の課題が発生し得る。
　・[課題１]　レーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギが低下し得る。その結果、ＥＵＶ光のパルスエネルギも低下し得る。
　・[課題２]　レーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光のパルス波形が変化し得る。その結果、ＥＵＶ光のパルスエネルギも変化し得る。
　・[課題３]　レーザ装置１４が破損する場合があり得る。
　上述の課題１～３は、例えばＴ≫Ｔｃの場合でも同様である。以下に述べる各実施形態は、課題１～３のうち少なくとも１つの課題を解決し得る。
　６．実施形態１：第１実施形態に係るターゲット供給装置の説明
　　６．１　構成
　図１０は、第１実施形態に係るターゲット供給装置における制御システムの構成を示したブロック図である。第１実施形態に係るターゲット供給装置は、図３で説明した制御システム１４０に代えて、図１０に示す制御システム１５０を採用し得る。
　制御部７０は、ドロップレット間隔計測部１５２と、デューティ調整部１５４とを備えてもよい。制御部７０は、制御及び演算の処理に必要な各種データを記憶するための図示しない記憶部を含んでいてもよい。
　ドロップレット間隔計測部１５２は、ドロップレット検出装置７６が生成する通過タイミング信号からドロップレットの通過タイミング間隔を計測する回路であってよい。或いは、ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング信号からドロップレットの通過タイミング間隔を算出するよう記述され、制御部７０内部に保持され、制御部７０が実行可能なプログラムであってよい。ドロップレット間隔計測部１５２は、ドロップレットの通過時間間隔を計測する「通過時間間隔計測部」の一形態に相当し得る。ドロップレット検出装置７６は「ドロップレット検出部」の一形態に相当し得る。
　デューティ調整部１５４は、制御部７０が指定するデューティ値に基づいてピエゾ電源９６に信号を出力する回路であってよい。或いは、デューティ調整部１５４は、制御部７０が指定するデューティ値に基づいてピエゾ電源９６に信号波形を供給することができる外部装置、例えばファンクションジェネレータ等によって構成してもよい。
　　６．２　動作
　制御部７０は通過タイミング信号の間隔基準となるＴminを設定してもよい。Ｔminは図示しない記憶装置に保持されてもよく、オペレータが入力してもよい。Ｔminは、レーザ装置１４の出力が不安定となる発光トリガ信号間隔に基づいて決定されてもよい。Ｔminは、複数のＥＵＶ光の繰り返し周波数に対応付けて複数保持されてもよい。Ｔminは、「通過時間間隔の基準値」の一形態に相当し得る。
　ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング信号が入力されるとドロップレットの各々の通過タイミング間隔Ｔを計測してもよい。
　制御部７０は、ドロップレット間隔計測部１５２によって計測された通過タイミング間隔ＴとＴminとを比較し、Ｔ＜Ｔminの場合に、つまり、通過タイミング間隔ＴがＴminを下回る場合に、ピエゾ駆動信号のデューティ調整を実行してもよい。「デューティ調整」は、ピエゾ電源９６からピエゾ素子８８に印加する矩形波の電気信号のデューティを調整する処理である。
　制御部７０は、Ｔ≧Ｔminである場合には、発光トリガ信号の生成を行ってもよい。制御部７０は、ドロップレット間隔計測部１５２によって計測された通過タイミング間隔Ｔが入力される度に、Ｔminと比較し続けてもよい。この間、ＥＵＶ光生成装置１２はＥＵＶ光出力を行ってもよい。
　また、制御部７０は、なんらかの原因でＥＵＶ光生成が一時的に中止された場合、ＥＵＶ光生成を再開するにあたってデューティ調整を行った後に発光トリガ信号を生成するようにしてもよい。
　図１１は、合体不良のドロップレット又はサテライトが生成された場合に得られる通過タイミング信号と発光トリガ信号のタイミングチャートの一例である。なんらかの原因で、合体不良のドロップレットが生成されたり、サテライトが生成されたりした場合は、図１１に示すように、通過タイミング間隔ＴがＴ＜Ｔminとなり得る。
　図１１の上段に示した通過タイミング信号のタイミングチャートにおいて、左から２番目の通過タイミング信号は、合体不良ドロップレットの通過を検出した信号である。また、左から６番目の通過タイミング信号は、サテライトの通過を検出した信号である。
　制御部７０は、Ｔ＜Ｔminを判定することで、合体不良のドロップレット生成、又は、サテライト生成を監視してもよい。
　図１２は、制御部７０の動作の例を示すフローチャートである。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲット供給装置７８に起動信号が入力されると、図１２のフローチャートに示した処理を開始してもよい。
　ステップＳ１において、制御部７０は、通過タイミング信号検出を開始してもよい。
　ステップＳ２において、制御部７０は通過タイミング間隔Ｔが、予め定められているＴmin以上であるか否かを確認してもよい。ステップＳ２の通過タイミング間隔確認工程において、制御部７０がＴ≧Ｔminを満たすことを確認すると、ステップＳ３に移行してもよい。一方、ステップＳ２において、制御部７０がＴ≧Ｔminの不成立を確認した場合、つまりＴ＜Ｔminであると判定した場合は、ステップＳ８に移行してもよい。
　ステップＳ３において、制御部７０は、通過タイミング信号による発光トリガの生成を開始してもよい。発光トリガの生成が開始されると、遅延回路７２は通過タイミング信号に所定の遅延時間ｔｄの遅延を与えて発光トリガを生成してもよい。
　ステップＳ３の後のステップＳ４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置１２によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っているか否かを判定してもよい。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から得られる信号を基に、ステップＳ４の判定を行ってもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１２は、予期しないＥＵＶ光の品質低下等によりＥＵＶ光生成を一時的に中止して各部の調整を行うことがある。このとき、発光トリガの生成が停止されることがある。例えば、１バースト内において、ある一定数のパルス数の移動平均において、ＥＵＶ光エネルギのばらつきが±２％を超えた場合に、発光トリガ停止信号が制御部７０に入力されることがある。バースト動作については、図１３を用いて後述する。
　図１２のステップＳ４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っていると判定した場合に、ステップＳ３に戻ってもよい。一方、制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から制御部７０に発光トリガ停止信号が入力されるなどして、ステップＳ４において、ＥＵＶ光が所定の安定度を保っていないと判定した場合に、ステップＳ５に移行してもよい。
　ステップＳ５において、制御部７０は、発光トリガの生成を停止してもよい。発光トリガの生成が停止されると、レーザ装置１４からのパルスレーザ光の出力が停止され、ＥＵＶ光の生成が停止される。
　ＥＵＶ光生成を再開する場合には、制御部７０は、ステップＳ６において、通過タイミング信号の間隔を確認し、Ｔ＜Ｔminの場合に、ステップＳ８のデューティ調整を実施してもよい。ステップＳ８において、制御部７０は、ピエゾ素子８８を駆動させるための矩形波の電気信号のデューティを調整してもよい。ステップＳ８のデューティ調整については、図１４を用いて後述する。
　ステップＳ２又はステップＳ６において、制御部７０は、Ｔ＜Ｔminと判定した場合、ステップＳ８のデューティ調整を実施してよい。
　その一方、制御部７０は、ステップＳ６において、通過タイミング間隔ＴがＴ≧Ｔminを満たす場合は、ステップＳ７に移行してもよい。
　ステップＳ７において、制御部７０は、ステップＳ８のデューティ調整以外の性能調整を実施してもよい。ステップＳ７の後、制御部７０は、ステップＳ３に戻り、発光トリガの生成を再開してもよい。図１２のフローチャートは、ＥＵＶ光生成制御部４０からの割り込み処理によって、任意のタイミングで終了可能である。
　図１３に、バースト動作の説明図を示す。ＥＵＶ光生成システム１０は、バースト動作によってＥＵＶ光を出力することがある。バースト動作は、ある期間一定繰返し周波数でＥＵＶ光を出力するバースト期間と、所定の期間ＥＵＶ光を出力しない休止期間とを繰り返す動作である。１つのバースト期間を１バーストと呼ぶことがある。
　バースト期間中は、レーザ装置１４からレーザ光が出力され得る。休止期間中はレーザ装置１４からのレーザ光の出力が停止され得る。または、休止期間中はプラズマ生成領域２６へのレーザ光の伝搬が抑制されてもよい。
　バーストパターンは、バースト期間のＥＵＶ光エネルギ、繰り返し周波数、パルス数とバースト休止期間の長さ、及びバースト数のうちいずれか、又は、これらのうちの複数を含んだデータによって定義され得る。バーストパターンは、露光装置４６によって指示されてもよい。
　図１４は、図１２のステップＳ８におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。
　デューティ調整の処理が開始すると、制御部７０は、ステップＳ１１において、ピエゾ素子８８の駆動周波数からドロップレットの予測通過タイミング間隔を算出してもよい。「予測通過タイミング間隔」とは、ピエゾ素子の駆動周波数から計算上、予測されるドロップレットの通過タイミングの時間間隔を意味する。
　予測通過タイミング間隔は、「予測通過時間間隔」の一形態に相当し得る。予測通過タイミング間隔は、ドロップレットの適正な通過時間間隔の目安となり得る。
　ステップＳ１２において、制御部７０は、ドロップレットの適正な通過タイミング間隔の上限値及び下限値を設定してもよい。制御部７０は、例えば、ステップＳ１１で算出した予測通過タイミング間隔の「±１５％」の値を上限値及び下限値と設定してもよい。つまり、制御部７０は、予測通過タイミング間隔±１５％を、ドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジとして設定してもよい。ステップＳ１２に示した処理は、「通過時間間隔の適正レンジを設定する処理」の一形態に相当し得る。ドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジは、ドロップレットの適正な通過時間間隔として許容される範囲となり得る。
　ステップＳ１３において、制御部７０は、デューティ調整部１５４のデューティ値をＡ［％］に設定してもよい。ここでの「Ａ」はデューティの値を表す変数パラメータである。制御部７０は、例えば、初期値としてＡ＝１［％］を設定してもよい。
　ステップＳ１４において、デューティ調整部１５４は、設定されたデューティＡ［％］に基づいてピエゾ電源９６を駆動し得る。デューティＡ［％］の設定に基づきピエゾ電源９６を駆動することにより、ドロップレットが生成され、ドロップレット検出装置７６から通過タイミング信号が出力され得る。
　ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング信号が入力されると、ドロップレットの各々の通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）を計測してもよい。Ｎは、通過タイミング間隔を計測する回数を表し、予め定めておくことができる任意の自然数である。例えば、Ｎは、３以上５０以下とすることができる。一例として、Ｎ＝５でもよい。自然数ｋについて、通過タイミング間隔Ｔ（ｋ）は、ｋ番目のドロップレットの通過タイミングｔ（ｋ）とｋ＋１番目のドロップレットの通過タイミングｔ（ｋ＋１）の時間間隔ｔ（ｋ＋１）－ｔ（ｋ）で定義することができる。ドロップレット間隔計測部１５２によって計測される通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）の各々は、「通過時間間隔計測値」の一形態に相当し得る。
　ステップＳ１５において、制御部７０は、ドロップレット間隔計測部１５２により計測された通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）を記憶してもよい。また、制御部７０は各々の通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）から、最大通過タイミング間隔Ｔmax、最小通過タイミング間隔Ｔmin、通過タイミング間隔の平均値Ｔav、通過タイミング間隔のばらつきＴsigmaを算出してもよい。Ｔsigmaは、標準偏差の３σ値としてもよい。標準偏差の３σ値とは、標準偏差をσとする場合の「３×σ」の値を指す。
　ステップＳ１５において、制御部７０は、算出したＴmax、Ｔmin、Ｔav 及びＴsigmaのそれぞれをデューティＡ［％］に対応付けて、Ｔmax（Ａ）、Ｔmin（Ａ）、Ｔav（Ａ）及びＴsigma（Ａ）として記憶してもよい。ステップＳ１５に係る処理については、図１５を用いて後述する。
　制御部７０は、例えばＡ＝１～９９［％］まで、１［％］の刻みで順次にデューティＡの設定を変更して、各デューティ値について、ステップＳ１４及びステップＳ１５の処理を実施してよい。
　すなわち、ステップＳ１６において、制御部７０は、ピエゾ素子８８を駆動するピエゾ電源９６のデューティＡをＡ＋１に変更してもよい。ステップＳ１６により、Ａ＋１の値が新たにデューティＡとしてセットされる。ステップＳ１６の後、制御部７０はステップＳ１７に移行してもよい。
　ステップＳ１７において、制御部７０は、デューティＡが９９［％］を超えたか否かを判定してもよい。制御部７０は、ステップＳ１７においてデューティＡが９９［％］以下であると判定した場合は、ステップＳ１４に戻ってもよい。デューティＡが９９を超えるまで、ステップＳ１４からステップＳ１７の処理が繰り返されてもよい。
　制御部７０は、ステップＳ１７においてデューティＡが９９［％］を超えたと判定した場合は、ステップＳ１８に移行してもよい。
　ステップＳ１８において、制御部７０は、各デューティＡ［％］に対応付けて記憶したデータを基に、デューティの最適値を決定し、この決定した最適値を最適デューティ値としてデューティ調整部１５４に設定してもよい。
　制御部７０は、記憶したデータの中で、Ｔmax（Ａ）、Ｔmin（Ａ）及びＴav（Ａ）がドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジ内にあるデータ群を抽出して、抽出したデータ群の中で最小のＴsigma(Ａ)であるデューティＡを最適値に決定してもよい。ドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジは、ステップＳ１２にて定められた上限値と下限値で規定される範囲とすることができる。
　ステップＳ１８において、最適デューティ値が設定されると、制御部７０は、図１４の調整処理を終了し、図１２のフローチャートに復帰してもよい。
　その後、デューティ調整部１５４は、設定されたデューティに基づいてピエゾ電源９６を駆動し得る。
　上述のように、制御部７０は、ステップＳ１６によってデューティ値を変えながら、複数のデューティ値の各々において、ステップＳ１５の処理を行い得る。かかる構成は、「各デューティ値において生成されるドロップレットの通過時間間隔計測値、及び通過時間間隔計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理」の一形態に相当し得る。ステップＳ１５において制御部７０が記憶するＴmax（Ａ）及びＴmin（Ａ）の各々は、デューティ値に対応付けて記憶される「通過時間間隔計測値」の一形態に相当し得る。
　ステップＳ１８において制御部７０が決定する「最適デューティ値」は「加振素子の動作に適した電気信号のデューティ値である動作デューティ値」の一形態に相当し得る。ステップＳ１８の処理は、「動作デューティ値を決定する処理」の一形態に相当し得る。
　図１５は、図１４のステップＳ１５における処理を示すフローチャートである。図１５のステップＳ２１において、制御部７０は、パラメータＮを初期値であるＮ＝１に設定してもよい。
　ステップＳ２２において、ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング間隔Ｔ（Ｎ）の計測値を記録してもよい。
　ステップＳ２３において、制御部７０は、Ｎの値を「＋１」インクリメントし、Ｎ＋１の値を新たにパラメータＮの値としてもよい。
　ステップＳ２４において、制御部７０はＮの値が、予め定められている規定値であるＮmaxを超えたか否かを判定してもよい。Ｎmaxは、通過タイミング間隔の最大計測回数より大きい任意の整数に設定することができる。例えば、Ｎmaxは、４から５１の範囲の適宜の値に設定してもよい。
　制御部７０は、ステップＳ２４において、Ｎ≦Ｎmaxであると判定した場合には、ステップＳ２２に戻ってもよい。
　一方、ステップＳ２４において、制御部７０はＮ＞Ｎmaxであると判定した場合に、ステップＳ２５に移行してもよい。
　ステップＳ２５において、制御部７０は、Ｔ（１）～Ｔ（Ｎ）のデータを使用し、Ｔmax（Ａ）、Ｔmin（Ａ）、Ｔav（Ａ）及びＴsigma（Ａ）を算出してもよい。制御部７０は、算出したＴmax（Ａ）、Ｔmin（Ａ）、Ｔav（Ａ）及びＴsigma（Ａ）を記憶してもよい。
　制御部７０は、ステップＳ２５の後、図１４のフローチャートに復帰してもよい。
　図１６Ａと図１６Ｂに、ピエゾ素子を駆動するための電気信号のデューティの変更例を示す。図１６Ａは、デューティ調整部１５４からピエゾ電源９６に供給する矩形波の一例であり、デューティ２５％の例を示した。図１６Ｂは、デューティ調整部１５４からピエゾ電源９６に供給する矩形波の一例であり、デューティ５０％の例を示した。
　まず、デューティは以下の式により算出される周期ｔに対し、矩形波をＯＮとする時間の割合により決定される。
　ｔ＝１／ピエゾ駆動周波数
　制御部７０は、デューティ調整部１５４からピエゾ電源９６に供給する矩形波のＯＮ時間を変更することによりデューティを変化させ、各デューティ値でのドロップレットの通過タイミング間隔を計測し得る。また、制御部７０は、各デューティ値における通過タイミング間隔のばらつきＴsigmaを算出し得る。例えば、制御部７０は、上述した通過タイミング間隔の計測と、ばらつき等の算出を、デューティ１％～９９％までの範囲の各デューティ値において実施してもよい。そして、制御部７０は、計測した通過タイミング間隔が上限値及び下限値で定めた適正レンジ内にあり、かつ、Ｔsigmaが最も小さいデューティ値を、最適な動作デューティ値として、設定してもよい。
　　６．３　作用・効果
　第１実施形態によれば、合体不良のドロップレットが生成したり、サテライトが生成したりしても、これを検出して適正なドロップレット出力を行えるピエゾ駆動波形のデューティ値を適用し得る。これにより、ドロップレットの合体不良やサテライトの生成を改善することができ、ＥＵＶ光エネルギの低下やレーザ装置の破損を抑制できる。
　７．実施形態２：第２実施形態に係るターゲット供給装置の説明
　　７．１　構成
　図１７に、第２実施形態の構成を示す。図１７が図２と異なる点は、ノズル８０から連続して吐出されるドロップレット１３６のドロップレット間隔ｄの説明が加えられている点である。
　第２実施形態は、第１実施形態で説明した制御部７０における通過タイミング信号の処理内容に代えて、以下に説明する処理内容を採用してもよい。すなわち、第２実施形態の制御部７０は、ドロップレットの通過タイミングの時間間隔から、ドロップレット間の距離、つまり空間的間隔であるドロップレット間隔ｄを算出してもよい。ドロップレット間の距離を示すドロップレット間隔は、「ドロップレット間距離」又は「ドロップレットスペース」と同義である。
　　７．２ 動作
　第２実施形態におけるメインのフローチャートは、図１２と同様のフローチャートを採用し得る。
　図１８は、第２実施形態におけるデューティ調整の処理に関する内容を示したフローチャートである。図１４で説明した第１実施形態のデューティ調整のフローチャートに代えて、図１８のフローチャートを採用し得る。
　第２実施形態における制御部７０は、ステップＳ３１において、ノズル径と、ターゲット供給部１８に供給される所定圧力より圧力損失を見積もり、実効圧力Ｐｅを算出してもよい。所定圧力は、タンク８２の設定圧力としての設定値でもよいが、ターゲット供給部１８のタンク８２内の圧力を検出する図示しないセンサによって検出してもよい。
　ステップＳ３２において、制御部７０は、実効圧力Ｐｅと、スズ密度ρよりドロップレットの吐出速度ｖを算出してもよい。吐出速度ｖは、ｖ＝ＳＱＲＴ（２×Ｐｅ／ρ）の式を用いて算出し得る。「ＳＱＲＴ（　）」は、（　）の平方根を表す。
　ステップＳ３３において、制御部７０は、吐出速度ｖとドロップレット検出装置７６による検出周波数ｆｄから、予測ドロップレット間隔ｄｐを算出してもよい。予測ドロップレット間隔ｄｐは、ｄｐ＝ｖ／ｆｄの式を用いて算出し得る。なお、ピエゾ駆動周波数ｆｐは、検出周波数ｆｄの自然数倍の値となり得る。つまり、自然数ｍとして、ｆｐ＝ｍ×ｆｄの関係が成立し得る。ピエゾ駆動周波数でノズル８０から出力されたドロップレットは、落下途中でｍ個が合体した後、その合体したドロップレットがドロップレット検出装置７６によって検出され得る。この場合のｍは、ＥＵＶ光生成周波数に基づいて設定されてもよい。ＥＵＶ光生成周波数は、概ね検出周波数ｆｄに等しいものとなり得る。
　よって、ステップＳ３３において、制御部７０は、吐出速度ｖとピエゾ駆動周波数ｆｐから、予測ドロップレット間隔ｄｐを算出してもよい。
　予測ドロップレット間隔ｄｐは、ｄｐ＝ｍ×ｖ／ｆｐの式を用いて算出し得る。予測ドロップレット間隔ｄｐは、「予測ドロップレット間距離」の一形態に相当し得る。
　ステップＳ３４において、制御部７０は、ドロップレット間隔の上限値と下限値を設定してもよい。例えば、制御部７０は、ステップＳ３３で求めた予測ドロップレット間隔ｄｐ±１５％をドロップレット間隔の上限値と下限値としてもよい。つまり、制御部７０は、予測ドロップレット間隔ｄｐ±１５％の範囲を、ドロップレット間隔の適正レンジとして設定してもよい。
　ステップＳ３４の処理は、「ドロップレット間距離の適正レンジを設定する処理」の一形態に相当し得る。ドロップレット間隔の適正レンジは、ドロップレットの適正なドロップ間距離として許容される範囲となり得る。
　なお、図１８のフローチャートでは、ステップＳ３４に先立って、ドロップレット間隔の上限値と下限値を設定する基準として、ステップＳ３３において予測ドロップレット間隔ｄｐを算出する例が示されている。しかし、制御部７０は、ステップＳ３３の処理を実施することなく、ステップＳ３４において、ドロップレット間隔の上限値と下限値を適宜の方法で設定してもよい。
　ステップＳ３５において、制御部７０は、デューティ調整部１５４にデューティＡ［％］を設定してもよい。ここでの「Ａ」はデューティの値を表す変数パラメータである。制御部７０は、例えば、初期値としてＡ＝１［％］を設定してもよい。なお、初期値は１［％］に限らず、適宜の値に設定し得る。
　ステップＳ３６において、デューティ調整部１５４は、設定されたデューティＡ［％］に基づいてピエゾ電源９６を駆動し得る。デューティＡ［％］の設定に基づきピエゾ電源９６を駆動することにより、ドロップレットが生成され、ドロップレット検出装置７６から通過タイミング信号が出力され得る。
　ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング信号が入力されると、ドロップレットの各々の通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）を計測してもよい。Ｎは、予め定めておくことができる任意の自然数である。Ｎは、３以上５０以下とすることができる。一例として、Ｎ＝５でもよい。
　制御部７０は、ドロップレットの吐出速度ｖと、各々の通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）から、ドロップレット間隔DLspace（１）、DLspace（２）、・・・DLspace（Ｎ）を求めてもよい。１からＮまでの自然数ｋに対して、ドロップレット間隔DLspace（ｋ）は、DLspace（ｋ）＝ｖ×Ｔ（Ｎ）の式から求めることができる。
　ドロップレット間隔DLspace（１）、DLspace（２）、・・・DLspace（Ｎ）の各々は、「ドロップレット間距離計測値」の一形態に相当し得る。制御部７０がドロップレット間隔DLspace（１）、DLspace（２）、・・・DLspace（Ｎ）を求める処理は、「通過時間間隔計測値からドロップレット間距離を表すドロップレット間距離計測値を算出する処理」の一形態に相当し得る。
　ステップＳ３７において、制御部７０は各々のDLspace（１）、DLspace（２）、・・・DLspace（Ｎ）から、最大ドロップレット間隔ｄmax、最小ドロップレット間隔ｄmin、ドロップレット間隔の平均値ｄav及びドロップレット間隔のばらつきDLsigmaを算出してもよい。DLsigmaは、標準偏差の３σ値としてもよい。
　制御部７０は、算出したｄmax、ｄmin、ｄav及びDLsigmaのそれぞれをデューティＡ［％］に対応付けて、ｄmax（Ａ）、ｄmin（Ａ）、ｄav（Ａ）、及びDLsigma（Ａ）として記憶してもよい。ステップＳ３７に係る処理については、図１９を用いて後述する。
　制御部７０は、例えばＡ＝１～９９［％］まで、１［％］の刻みで順次にデューティＡの設定を変更して、各デューティＡについて、ステップＳ３６及びステップＳ３７の処理を実施してよい。
　すなわち、ステップＳ３８において、制御部７０は、ピエゾ素子８８を駆動するピエゾ電源９６のデューティＡをＡ＋１に変更してもよい。ステップＳ３８により、Ａ＋１の値が新たにデューティＡとしてセットされる。ステップＳ３８の後、制御部７０はステップＳ３９に移行してもよい。
　ステップＳ３９において、制御部７０は、デューティＡが９９［％］を超えたか否かを判定してもよい。制御部７０は、ステップＳ３９においてデューティＡが９９［％］以下であると判定した場合は、ステップＳ３６に戻ってもよい。デューティＡが９９［％］を超えるまで、ステップＳ３６からステップＳ３９の処理が繰り返されてもよい。
　制御部７０は、ステップＳ３９においてデューティＡが９９［％］を超えたと判定した場合は、ステップＳ４０に移行してもよい。
　ステップＳ４０において、制御部７０は、各デューティＡ［％］に対応付けて記憶したデータを基に、デューティの最適値を決定し、この決定した最適値を最適デューティ値としてデューティ調整部１５４に設定してもよい。
　制御部７０は、記憶したデータの中で、ｄmax（Ａ）、ｄmin（Ａ）及びｄav（Ａ）がドロップレット間隔の適正レンジ内にあるデータ群を抽出して、抽出したデータ群の中で最小のDLsigma(Ａ)であるデューティＡを最適値に決定してもよい。ドロップレット間隔の適正レンジは、ステップＳ３４にて定められた上限値と下限値で規定される範囲とすることができる。
　ステップＳ４０において、最適デューティ値が設定されると、制御部７０は、図１８の調整処理を終了し、図１２のフローチャートに復帰してもよい。
　その後、デューティ調整部１５４は、設定されたデューティに基づいてピエゾ電源９６を駆動し得る。
　上述のように、制御部７０は、ステップＳ３８においてデューティ値を変えながら、複数のデューティ値の各々において、ステップＳ３７の処理を行い得る。かかる構成は「各デューティ値において生成されるドロップレットのドロップレット間距離計測値及びドロップレット間距離計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理」の一形態に相当し得る。ステップＳ３７において記憶されるｄmax（Ａ）及びｄmin（Ａ）の各々は、デューティ値に対応付けて記憶される「ドロップレット間距離計測値」の一形態に相当し得る。ステップＳ４０において制御部７０が決定する「最適デューティ値」は「加振素子の動作に適した電気信号のデューティ値である動作デューティ値」の一形態に相当し得る。ステップＳ４０の処理は、「動作デューティ値を決定する処理」の一形態に相当し得る。
　図１９は、図１８のステップＳ３７における処理を示すフローチャートである。図１９のステップＳ４１において、制御部７０は、パラメータＮを初期値であるＮ＝１に設定してもよい。
　ステップＳ４２において、制御部７０は、ドロップレット間隔DLspace（Ｎ）の計測値を記録してもよい。
　ステップＳ４３において、制御部７０は、Ｎの値を「＋１」インクリメントし、Ｎ＋１の値を新たにパラメータＮの値としてもよい。
　ステップＳ４４において、制御部７０はＮの値が、予め定められている規定値であるＮmaxを超えたか否かを判定してもよい。Ｎmaxは、通過タイミング間隔の最大計測回数よりも大きい任意の整数に設定することができる。例えば、Ｎmaxは、４から５１の範囲の適宜の値に設定してもよい。
　制御部７０は、ステップＳ４４において、Ｎ≦Ｎmaxであると判定した場合には、ステップＳ４２に戻ってもよい。
　一方、ステップＳ４４において、制御部７０はＮ＞Ｎmaxであると判定した場合に、ステップＳ４５に移行してもよい。
　ステップＳ４５において、制御部７０は、DLspace（０）～DLspace（Ｎ）のデータを使用し、ｄmax（Ａ）、ｄmin（Ａ）、ｄav（Ａ）、及びDLsigma（Ａ）を算出してもよい。制御部７０は、算出したｄmax（Ａ）、ｄmin（Ａ）、ｄav（Ａ）、及びDLsigma（Ａ）を記憶してもよい。
　制御部７０は、ステップＳ４５の後、図１８のフローチャートに復帰してもよい。
　図１６Ａ及び図１６Ｂで例示的に説明したように、制御部７０は、デューティ調整部１５４から供給する矩形波のＯＮ時間を変更することにより、デューティを変化させ、各デューティでのドロップレット間隔DLspace（１）～DLspace（Ｎ）を計測し得る。制御部７０は、デューティごとに計測したドロップレット間隔DLspace（１）～DLspace（Ｎ）から、そのデューティでのドロップレット間隔のばらつきDLsigmaを算出し得る。
　例えば、制御部７０は、デューティＡ［％］の設定を１％から９９％まで変更して、各デューティ値について、ドロップレット間隔DLspace（１）～DLspace（Ｎ）の計測と、ドロップレット間隔のばらつきDLsigmaの計算を実施してもよい。そして、制御部７０は、計測したDLspace（１）～DLspace（Ｎ）が適正レンジの上限値と下限値の範囲内にあり、かつDLsigmaが最も小さいデューティの値を最適デューティ値として設定してもよい。
　　７．３　作用・効果
　第２実施形態によれば、合体不良のドロップレットが生成したり、サテライトが生成したりしても、これを検出して適正なドロップレット出力を行えるピエゾ駆動波形のデューティ値を適用し得る。これにより、ドロップレットの合体不良やサテライトの生成を改善することができ、ＥＵＶ光エネルギの低下やレーザ装置の破損を抑制できる。
　８．実施形態３：第３実施形態に係るターゲット供給装置の説明
　　８．１　構成
　図２０及び図２１に、第３実施形態の構成を示す。図２０及び図２１において、第１実施形態に対して追加した部分を以下に説明する。
　第３実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１２は、ドロップレット画像検出部１６０を含んでもよい。ターゲット供給装置７８は、ドロップレット検出装置７６とドロップレット画像検出部１６０とを含んでもよい。ドロップレット画像検出部１６０は、光源部１７０と受光部１９０とを含んでいてもよい。
　光源部１７０と受光部１９０とは、ターゲット進行経路を挟んで互いに対向配置されてもよい。光源部１７０と受光部１９０との対向方向は、ターゲット進行経路と直交してもよい。図２０では、光源部１７０と受光部１９０との対向方向がＹ方向に直交する方向（Ｘ軸方向）である例が記載されているが、図２０の記載は、光源部１７０と受光部１９０との対向方向を限定するための記載ではない。
　光源部１７０は、光源１７２と照明光学系１７４を含み、ターゲット供給部１８のノズル８０とプラズマ生成領域２６の間の軌道上の所定の位置のドロップレットを照明するように配置してもよい。光源１７２は、例えば、キセノンフラッシュランプやレーザ光源等のパルス点灯する光源であってもよい。
　光源１７２は、制御部７０と接続されてもよい。光源１７２には、制御部７０から出力された「光源点灯信号」が入力されてもよい。
　制御部７０から出力される光源点灯信号は、所定のタイミングで光源１７２がパルス点灯するよう光源１７２の動作を制御するための制御信号であってもよい。光源１７２は、制御部７０から与えられる光源点灯信号に基づいてパルス光を発光してもよい。
　照明光学系１７４は、集光レンズ１７６とウインドウ１７８を含んでもよい。照明光学系１７４は、コリメータ等の光学系であってよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。照明光学系１７４は、光源１７２から出力されたパルス光を、ターゲット進行経路上のドロップレット１３６に導いてもよい。
　受光部１９０は、転写光学系１９２とイメージセンサ１９４を含み、光源部１７０から出力されたパルス光である照明光１８０を受光するように配置してもよい。イメージセンサ１９４は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）等の２次元イメージセンサであってもよい。
　転写光学系１９２はウインドウ１９６と、一対のレンズ１９８Ａ、１９８Ｂとを含んでもよい。レンズ１９８Ａ、１９８Ｂは、凸面レンズでも凹面レンズでもよい。転写光学系１９２は、ウインドウ１９６を介して導かれたドロップレット１３６の影を、イメージセンサ１９４の受光面に結像してもよい。
　イメージセンサ１９４は、転写光学系１９２によって結像されたドロップレット１３６の影の像を、撮像してもよい。イメージセンサ１９４は、図示しないシャッタを備えていてもよい。シャッタは、電気的シャッタであってもよいし、機械的シャッタであってもよい。イメージセンサ１９４は、図示しないシャッタが開いている間のみ撮像するようにしてもよい。
　また、ドロップレット画像検出部１６０は、画像取得コントローラ２００を含んでもよい。画像取得コントローラ２００は、イメージセンサ１９４と接続されてもよい。画像取得コントローラ２００は、制御部７０と接続されてもよい。イメージセンサ１９４は、画像取得コントローラ２００を介して制御部７０と接続されてもよい。
　画像取得コントローラ２００は、制御部７０の指令にしたがい、イメージセンサ１９４による撮像動作とイメージセンサ１９４からの画像信号の取得動作とを制御してもよい。画像取得コントローラ２００は、イメージセンサ１９４から得られる画像信号を処理して、制御部７０への受け渡しに適したデータ形式の画像データを生成する画像処理機能を有していてもよい。
　イメージセンサ１９４には、画像取得コントローラ２００から出力された「撮像タイミング信号」が入力されてもよい。撮像タイミング信号は、所定のタイミングでイメージセンサ１９４がドロップレット１３６の影の像を撮像するようイメージセンサ１９４の動作を制御するための制御信号であってもよい。
　イメージセンサ１９４は、制御部７０の撮像タイミング信号に基づいてドロップレット１３６の影の像を撮像してもよい。そして、イメージセンサ１９４は、撮像したドロップレット１３６の影の像に係る画像データを生成してもよい。
　イメージセンサ１９４は、生成した画像データを、画像取得コントローラ２００に出力してもよい。画像取得コントローラ２００は、イメージセンサ１９４が撮像した画像データを制御部７０に出力してもよい。ドロップレット画像検出部１６０から出力された画像データを「出力画像」と呼ぶ。制御部７０は、ドロップレット画像検出部１６０の出力画像からドロップレット１３６の状態を計測し得る。
　図２１は、第３実施形態における制御システム２１０のブロック図が示されている。図２１に示すように、制御部７０は、画像計測部２１２を備えてもよい。ドロップレット画像検出部１６０は、制御部７０の画像計測部２１２に接続されてよい。
　画像計測部２１２は、ドロップレット画像検出部１６０からの出力画像に基づいて、合体不良ドロップレットやサテライトの有無を検出する回路であってよい。或いは、制御部７０の内部に保持された、制御部７０が実行可能なプログラムであってよい。
　　８．２　動作
　画像計測部２１２は、ドロップレット画像検出部１６０から出力画像を取得してよい。図２２Ａは、正常なドロップレット吐出状態が撮像された出力画像の例を示す図である。図２２Ａにおける横軸は、出力画像の水平方向の画素位置を表す。図２２Ａの横軸であるｘ軸は、図２で定義したＺ軸と平行な方向の位置を示す座標軸に相当する。図２２Ａにおける縦軸は、出力画像の垂直方向の画素位置を表す。図２２Ａの縦軸であるｙ軸は、図２で定義したＹ軸と平行な方向の位置を示す座標軸に相当する。ドロップレット画像検出部１６０からの出力画像は、ＺＹ平面に平行な面の２次元画像となり得る。ドロップレットの吐出方向は、図２２Ａの上から下に向かう方向である。
　図２２Ａに示した出力画像の中央部分に示されている縦方向に伸びる線状の影２１６は、ドロップレットの通過によって発生したものである。画像計測部２１２は、出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルを生成してよい。判定ラインは、出力画像におけるｘ軸方向に平行なラインとしてもよい。判定ラインは、線状の影２１６と交差する適宜のｙ座標に設定し得る。例えば、判定ラインは、出力画像におけるｙ方向の画像範囲の中央部に設定してもよい。
　図２２Ｂは、図２２Ａに示した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルの例を示している。図２２Ｂの横軸は判定ラインにおける画素座標、つまりＺ方向の画素位置を表している。図２２Ｂの縦軸は出力画像におけるドロップレットの検出強度を表している。
　図２３Ａは、サテライトが発生した状態が撮像された出力画像の例を示す図である。図２３Ａの横軸及び縦軸は図２２Ａの横軸及び縦軸の定義と同じである。図２３Ｂは、図２３Ａに示した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルの例を示している。図２３Ｂの横軸及び縦軸は図２２Ｂの横軸及び縦軸の定義と同じである。図２３Ｂに示されているように、サテライトが発生している場合には、断面プロファイルにおいて、複数のピークが検出され得る。
　画像計測部２１２は、断面プロファイルが単一のピークを持つかどうか検出し、その結果を制御部７０に出力してもよい。制御部７０は、断面プロファイルが単一ピーク以外の場合、サテライト発生と判断し、ピエゾ素子８８の駆動信号のデューティ調整を実施してもよい。他の動作は、実施形態１又は実施形態２と同様でよい。
　図２４は、第３実施形態における制御部７０の動作の例を示すフローチャートである。図２４に示したフローチャートは、図１２で説明した第１実施形態のフローチャートにおけるステップＳ２及びステップＳ６に代えて、ステップＳ５２及びステップＳ５６を採用してもよい。図２４に示したフローチャートのステップＳ５１、Ｓ５３～Ｓ５５、Ｓ５７及びＳ５８は、図１２に示したフローチャートのステップＳ１、Ｓ３～５、Ｓ７及びＳ８と同様の工程としてもよい。
　制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲット供給装置７８に起動信号が入力されると、図２４のフローチャートに示した処理を開始してもよい。ステップＳ５１において、制御部７０は、通過タイミング信号検出を開始してもよい。また、制御部７０の画像計測部２１２は、ドロップレット画像検出部１６０から出力画像の取得を開始してもよい。
　ステップＳ５２において、画像計測部２１２は、取得した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルが単一のピークを持つか否かを判定してもよい。ステップＳ５２の判定工程において、画像計測部２１２は、断面プロファイルが単一ピークであることを確認すると、ステップＳ５３に移行してもよい。一方、ステップＳ５２において、画像計測部２１２が複数のピークを検出した場合は、ステップＳ５８に移行してもよい。
　ステップＳ５３において、制御部７０は、通過タイミング信号による発光トリガの生成を開始してもよい。発光トリガの生成が開始されると、遅延回路７２は通過タイミング信号に所定の遅延時間ｔｄの遅延を与えて発光トリガを生成してもよい。
　ステップＳ５４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っているか否かを判定してもよい。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から得られる信号を基に、ステップＳ５４の判定を行ってもよい。
　ステップＳ５４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っていると判定した場合に、ステップＳ５３に戻ってもよい。一方、制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から制御部７０に発光トリガ停止信号が入力されるなどして、ステップＳ５４において、ＥＵＶ光が所定の安定度を保っていないと判定した場合に、ステップＳ５５に移行してもよい。
　ステップＳ５５において、制御部７０は、発光トリガの生成を停止してもよい。発光トリガの生成が停止されると、レーザ装置１４からのパルスレーザ光の出力が停止され、ＥＵＶ光の生成が停止される。
　ＥＵＶ光生成を再開する場合には、制御部７０は、ステップＳ５６において、断面プロファイルを確認後、複数ピークを有する場合は、ステップＳ５８のデューティ調整を実施してもよい。ステップＳ５８のデューティ調整においては、第１実施形態の図１４で説明したデューティ調整を実施してもよい。或いは、ステップＳ５８のデューティ調整においては、第２実施形態の図１８で説明したデューティ調整を実施してもよい。
　その一方、制御部７０は、ステップＳ５６において、断面プロファイルが単一ピークであることを確認した場合は、ステップＳ５７に移行してもよい。
　ステップＳ５７において、制御部７０は、ステップＳ５８のデューティ調整以外の性能調整を実施してもよい。ステップＳ５７の後、制御部７０は、ステップＳ５３に戻り、発光トリガの生成を再開してもよい。図２４のフローチャートは、ＥＵＶ光生成制御部４０からの割り込み処理によって、任意のタイミングで終了可能である。
　９．実施形態４：第４実施形態に係るターゲット供給装置の説明
　　９．１　構成
　第４実施形態に係るターゲット供給装置は、第１実施形態及び第２実施形態で説明したドロップレット検出装置７６における受光部１２０の光センサ１２４の変形例である。以下、第１実施形態及び第２実施形態との相違点について説明する。第４実施形態における受光部１２０の光センサ１２４は、複数の受光面を含む構成であってもよい。
　図２５は、第４実施形態における受光部１２０に採用し得る光センサ１２４の構成例を示す図である。例えば、図２５に示すように、光センサ１２４は、６つの受光面２３１～２３６を備えてもよい。或いは、光センサ１２４は、隣接した複数の光センサによって構成してもよい。光センサ１２４は、ダイオードアレイ、アバランシェフォトダイオードアレイ（ＡＰＤアレイ）、又はＰＩＮフォトダイオードでもよい。或いは、光センサ１２４は、複数のフォトダイオード又は複数のアバランシェフォトダイオードから構成されてもよい。
　光源部１７０から出射される照明光１８０の像は、複数の受光面２３１～２３６の望ましくは全てに渡って結像されてよい（図２６及び図２７参照）。
　制御部７０は、受光面２３１～２３６それぞれが出力する通過タイミング信号をそれぞれ入力するコンパレータ２４１～２４６を備えてもよい。受光面２３１～２３６から出力される各通過タイミング信号は、各コンパレータ２４１～２４６の例えばＶin－端子に入力されるようにしてもよい。
　制御部７０は、閾値電圧発生器２５０を備えてもよい。閾値電圧発生器２５０には、各コンパレータ２４１～２４６のＶin＋端子が接続されてもよい。
　制御部７０は、制御回路２５２を備えてもよく、制御回路２５２の入力端子にはコンパレータ２４１～２４６の出力端子が接続されてもよい。
　　９．２　動作
　図２６は、正常なドロップレット吐出状態を捉えた光センサ１２４を受光面側から見た説明図である。図２６は、図２５に示した光センサ１２４を矢印Ｃの方向から見たＣ矢視図に相当する。図２６に示すように、照明光１８０の照射領域の像は、光センサ１２４における６つの受光面２３１～２３６の全てに渡って結像されてよい。ドロップレットが照明光１８０の照射領域を通過すると、複数の受光面２３１～２３６のいずれかにドロップレットの影２６０を生成し得る。例えば、図２６のように、左から２番目の受光面２３２と３番目の受光面２３３にドロップレットの影２６０を生成し得る。
　図２７は、光センサ１２４の各受光面２３１～２３６の出力電圧と閾値電圧、並びに各コンパレータ２４１～２４６の出力の例を示した図である。図２７において、縦方向の一点鎖線で区切った範囲が各受光面２３１～２３６の出力に対応している。図２７では、受光面２３１～２３６のそれぞれを第１受光面～第６受光面と表記した。図２７における横軸は時間を表し、各受光面の出力に対応する範囲のそれぞれについて、同じ受光時間範囲を示している。図２７に示した各受光面２３１～２３６の受光時間範囲は、ドロップレットの検出周波数ｆｄの逆数としてもよい。
　図２６に例示した状況の場合、光センサ１２４の第２受光面である受光面２３２と第３受光面である受光面２３３による出力は、図２７に示すように、ドロップレットの影２６０による光量変化に対応した信号を生成し得る。一方、他の受光面２３１及び受光面２３４～２３６には影が生成されず、第１受光面である受光面２３１及び第４受光面～第６受光面である受光面２３４～２３６の各々の出力は、例えば第６受光面である受光面２３６の出力の様に照明光１８０を受光している状態におけるノイズレベルであってよい。
　光センサ１２４の受光面２３２と受光面２３３からの出力は、コンパレータ２４２とコンパレータ２４３において閾値電圧と比較され、Ｖin＋＞Ｖin－である期間、コンパレータ２４２とコンパレータ２４３の出力はＨｉｇｈレベルとなる。一方、他のコンパレータ２４１及びコンパレータ２４４～２４６の出力は、Ｌｏｗレベルであってよい。閾値電圧はドロップレットの影２６０による光量低下を検出でき、かつ、ノイズを検出しないよう予め実験等によって決定し、閾値電圧発生器２５０に設定しておくとよい。
　　９．３　作用・効果
　光センサ１２４が複数の受光面２３１～２３６を持ち、それぞれの出力レベルを計測する構成を採用することにより、以下に示すように、サテライトの発生を検知することが可能となる。
　図２８は、サテライト発生時のドロップレット吐出状態を捉えた光センサ１２４を受光面側から見た説明図である。図２８に示すように、ドロップレットとサテライトが照明光１８０の照射領域を通過すると、複数の受光面２３１～２３６のいずれかにドロップレットの影２６０とサテライトの影２６２を生成し得る。例えば、図２８のように、受光面２３２と受光面２３３にドロップレットの影２６０が生成され、受光面２３５にサテライトの影２６２が生成され得る。
　図２９は、サテライト発生時のドロップレット吐出状態における光センサ１２４の各受光面２３１～２３６の出力電圧と閾値電圧、並びに各コンパレータ２４１～２４６の出力の例を示した図である。図２８に例示した状況の場合、光センサ１２４の受光面２３２、２３３及び２３５による出力は、図２９に示すように、ドロップレットの影２６０とサテライトの影２６２による光量変化に対応した信号を生成し得る。一方、他の受光面２３１、２３４及び２３６には影が生成されず、受光面２３１、２３４及び２３６の各々の出力は、例えば受光面２３６の出力の様に照明光１８０を受光している状態におけるノイズレベルとなり得る。
　図２８及び図２９に例示した状況を含め、サテライト発生時のドロップレット吐出状態は、制御回路２５２にて、以下の状態［１］～[３]のいずれかに該当することで検出可能である。
　［１］１つのコンパレータの出力レベルと、隣接しないコンパレータの出力レベルがＨｉｇｈレベルである。
　［２］隣接する２つのコンパレータの出力レベルとその２つに隣接しない１つのコンパレータの出力レベルがＨｉｇｈレベルである（図２９参照）。
　［３］隣接する３つのコンパレータの出力レベルがＨｉｇｈレベルである。
　また、正常なドロップレット吐出状態は、制御回路２５２にて、以下の状態［４］又は[５]のいずれかに該当することで検出可能である。
　［４］コンパレータの出力レベルが１つのみＨｉｇｈレベルである。
　［５］隣接する２つのコンパレータの出力レベルがＨｉｇｈレベルである（図２７参照）。
　図３０は、第４実施形態における制御部７０の動作を示すフローチャートである。図３０に示したフローチャートは、図１２で説明した第１実施形態のフローチャートにおけるステップＳ２及びステップＳ６に代えて、ステップＳ６２及びステップＳ６６を採用してもよい。図３０に示したフローチャートのステップＳ６１、Ｓ６３～Ｓ６５、Ｓ６７及びＳ６８は、図１２に示したフローチャートのステップＳ１、Ｓ３～５、Ｓ７及びＳ８と同様の工程としてもよい。
　制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲット供給装置７８に起動信号が入力されると、図３０のフローチャートに示した処理を開始してもよい。ステップＳ６１において、制御部７０は、通過タイミング信号検出を開始してもよい。
　ステップＳ６２において、制御部７０は、光センサ１２４の各受光面２３１～２３６からの出力が規定状態か否かを判定してもよい。ステップＳ６２の判定基準となる「規定状態」は、正常なドロップレット吐出の検出状態としてよく、例えば上述した状態［４］又は［５］のいずれかの条件を満たした状態として定めておいてもよい。
　ステップＳ６２において、制御部７０は、光センサ１２４の各受光面からの出力値がそれぞれの規定範囲内であることを確認すると、ステップＳ６３に移行してもよい。一方、ステップＳ６２において、制御部７０は、光センサ１２４の各受光面２３１～２３６からの出力が規定状態にないことを検出した場合は、ステップＳ６８に移行してもよい。例えば上述した状態［４］又は［５］のいずれの条件も満たさない場合、或いは上述した状態［１］～［３］のいずれの条件を満たす場合、ステップＳ６８に移行してもよい。ステップＳ６８におけるデューティ調整においては、図１４のフローチャートで説明したデューティ調整と同様の内容を実施してもよい。また、ステップＳ６８におけるデューティ調整においては、図１８のフローチャートで説明したデューティ調整と同様の内容を実施してもよい。
　ステップＳ６３において、制御部７０は、通過タイミング信号による発光トリガの生成を開始してもよい。発光トリガの生成が開始されると、遅延回路７２は通過タイミング信号に所定の遅延時間ｔｄの遅延を与えて発光トリガを生成してもよい。
　ステップＳ６４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っているか否かを判定してもよい。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から得られる信号を基に、ステップＳ６４の判定を行ってもよい。
　ステップＳ６４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っていると判定した場合に、ステップＳ６３に戻ってもよい。一方、制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から制御部７０に発光トリガ停止信号が入力されるなどして、ステップＳ６４において、ＥＵＶ光が所定の安定度を保っていないと判定した場合に、ステップＳ６５に移行してもよい。
　ステップＳ６５において、制御部７０は、発光トリガの生成を停止してもよい。発光トリガの生成が停止されると、レーザ装置１４からのパルスレーザ光の出力が停止され、ＥＵＶ光の生成が停止される。
　ＥＵＶ光生成を再開する場合には、制御部７０は、ステップＳ６６において、光センサ１２４の各受光面の出力が規定状態を満たすか否か確認後、各受光面の出力が規定状態を満たさない場合に、ステップＳ６８のデューティ調整を実施してもよい。
　その一方、制御部７０は、ステップＳ６６において、光センサ１２４の各受光面の出力が規定状態を満たすことを確認した場合は、ステップＳ６７に移行してもよい。
　ステップＳ６７において、制御部７０は、ステップＳ６８のデューティ調整以外の性能調整を実施してもよい。ステップＳ６７の後、制御部７０は、ステップＳ６３に戻り、発光トリガの生成を再開してもよい。
　図３０のフローチャートは、ＥＵＶ光生成制御部４０からの割り込み処理によって、任意のタイミングで終了可能である。
　１０．実施形態５：第５実施形態に係るターゲット供給装置の説明
　　１０．１　構成
　図３１に、第５実施形態の構成を示す。図３１において、第１実施形態又は第２実施形態から変更した部分を以下に説明する。
　図３１に示したように、ノズル８０の外側部にヒータ２８０を組み付け、ヒータ２８０にノズル温度センサ２８２を組み付けてもよい。ヒータ２８０はヒータ電源２８４に接続されてもよい。ノズル温度センサ２８２とヒータ電源２８４は、温度制御部９４に接続されてもよい。
　　１０．２　動作
　温度制御部９４は、ノズル温度センサ２８２から得られる温度情報を基に、ノズル８０を、例えば、規定温度±０．１℃の範囲内で温度制御してもよい。また、ノズル８０に、図示しない冷却配管とチラーを接続し、温度制御部９４がチラー内の冷却水を所定の温度範囲内で温度制御してもよい。
　　１０．３　作用・効果
　ノズル８０を高精度に温度制御することにより、ドロップレット生成間隔がより安定化する。これにより、通過タイミング間隔のばらつきＴsigma（Ａ）及びドロップレット間隔のばらつきDLsigma（Ａ）は低下するので、より高精度な最適デューティ値を選定することが可能となる。また、ノズル８０の高精度温度制御は、サテライトの発生を抑制することにも寄与する。第５実施形態で説明したノズル８０の温度制御を行う構成は、第３実施形態又は第４実施形態と組み合わせて適用し得る。
　１１．各制御部のハードウェア環境
　当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
　図３２は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図３２の例示的なハードウェア環境９００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ及びＤ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境９００の構成は、これに限定されない。「Ｉ／Ｏ」の表記は、Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔを表す。「Ａ／Ｄ」の表記は、Ａｎａｌｏｇ　ｔｏ　Ｄｉｇｉｔａｌを表す。「Ｄ／Ａ」の表記は、Ｄｉｇｉｔａｌ　ｔｏ　Ａｎａｌｏｇを表す。
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ；Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ；Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｇ　Ｕｎｉｔ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
　図３２におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部、ＥＵＶ光生成制御部４０、レーザ光進行方向制御部５４、制御部７０、遅延回路７２、温度制御部９４、画像取得コントローラ２００、制御回路２５０等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ヒータ電源９２、ピエゾ電源９６、圧力調節器９０、光源１０２、光源１７２等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ及びＤ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、光センサ１２４、イメージセンサ１９４等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ変換又はＤ／Ａ変換を行ってもよい。
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
　例示的なハードウェア環境９００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部４０、レーザ光進行方向制御部５４、制御部７０、温度制御部９４、画像取得コントローラ２００等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部、ＥＵＶ光生成制御部４０、レーザ光進行方向制御部５４、制御部７０、温度制御部９４、画像取得コントローラ２００等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１０　ＥＵＶ光生成システム
１２　ＥＵＶ光生成装置
１４　レーザ装置
１６　チャンバ
１８　ターゲット供給部
２０　ウインドウ
２６　プラズマ生成領域
４０　ＥＵＶ光生成制御部
４２　ターゲットセンサ
４４　ターゲット
４６　露光装置
７０　制御部
７２　遅延回路
７４　不活性ガス供給部
７６　ドロップレット検出装置
７８　ターゲット供給装置
８０　ノズル
８２　タンク
８４　ヒータ
８６　温度センサ
８８　ピエゾ素子
９０　圧力調節器
９２　ヒータ電源
９４　温度制御部
９６　ピエゾ電源
１００　光源部
１２０　受光部
１２４　光センサ
１３６，１４２，１４４　ドロップレット
１５２　ドロップレット間隔計測部
１５４　デューティ調整部
１６０　ドロップレット画像検出部
１７０　光源部
１９０　受光部
１９４　イメージセンサ
２００　画像取得コントローラ
２１２　画像計測部
２３１～２３６　受光面
２４１～２４６　コンパレータ
２５０　閾値電圧発生器
２８０　ヒータ
２８２　ノズル温度センサ
２８４　ヒータ電源

Claims (16)

  1. 　液状のターゲット物質を収容するタンクと、
    　前記タンクに収容されている前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    　矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子であって、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質に振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、
    　前記ノズルから出力された前記ドロップレットを検出するドロップレット検出部と、
    　前記ドロップレット検出部から得られる検出信号を基に、前記ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、
    　前記通過時間間隔計測部によって計測した通過時間間隔計測値に基づいて、前記加振素子の動作に適した前記電気信号のデューティ値である動作デューティ値を決定する制御部と、を備え、
    　前記制御部は、前記通過時間間隔の適正レンジを設定する処理と、
    　前記加振素子に入力する前記電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値について各デューティ値の前記電気信号を前記加振素子に入力することにより、各デューティ値において生成される前記ドロップレットの前記通過時間間隔計測値、及び前記通過時間間隔計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理と、
    　前記複数のデューティ値のうち、前記通過時間間隔計測値が前記適正レンジ内にあるデューティ値の中で、前記ばらつきに基づいて、前記動作デューティ値を決定する処理と、
    　を行うターゲット供給装置。
  2. 　前記制御部は、前記加振素子を動作させる駆動周波数から前記ドロップレットの予測通過時間間隔を算出し、算出した前記予測通過時間間隔を基に、前記適正レンジの上限値と下限値を定める請求項１に記載のターゲット供給装置。
  3. 　前記制御部は、前記複数のデューティ値のうち、前記通過時間間隔計測値が前記適正レンジ内にあるデューティ値の中で前記ばらつきが最小となるデューティ値を前記動作デューティ値に決定する請求項１に記載のターゲット供給装置。
  4. 　前記制御部において、前記通過時間間隔の基準値が設定され、
    　前記制御部は、前記通過時間間隔計測値が前記基準値を下回った場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１に記載のターゲット供給装置。
  5. 　前記ノズルから出力された前記ドロップレットを撮像する２次元イメージセンサを含むドロップレット画像検出部と、
    　前記ドロップレット画像検出部からの出力画像に基づいて、合体不良のドロップレットの検出、及びサテライトの有無の検出のうち少なくとも一方の検出を行う画像計測部と、を備え、
    　前記制御部は、前記出力画像において前記ドロップレットの吐出方向に直交する方向の判定ラインにおける断面プロファイルが複数のピークを持つ場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１に記載のターゲット供給装置。
  6. 　前記ドロップレット検出部は、複数の受光面を備える光センサを含んで構成され、
    　前記制御部は、前記複数の受光面の各々が出力する信号に基づき、サテライトの発生が検出された場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１に記載のターゲット供給装置。
  7. 　前記ノズルに組み付けられたヒータと、
    　前記ノズルの温度を検出するノズル温度センサと、
    　前記ノズル温度センサから得られる温度情報に基づき前記ヒータを制御する温度制御部と、を備え、
    　前記温度制御部は、前記ノズルを規定温度±０．１℃の範囲で温度制御する請求項１に記載のターゲット供給装置。
  8. 　請求項１に記載のターゲット供給装置と、
    　レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するためのウインドウを有するチャンバと、を備え、
    　前記チャンバ内に前記ターゲット供給装置からターゲットである前記ドロップレットが供給され、前記ターゲットに前記レーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。
  9. 　液状のターゲット物質を収容するタンクと、
    　前記タンクに収容されている前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    　矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子であって、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質に振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、
    　前記ノズルから出力された前記ドロップレットを検出するドロップレット検出部と、
    　前記ドロップレット検出部から得られる検出信号を基に、前記ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、
    　前記通過時間間隔計測部によって計測した通過時間間隔計測値に基づいて、前記加振素子の動作に適した前記電気信号のデューティ値である動作デューティ値を決定する制御部と、を備え、
    　前記制御部は、前記通過時間間隔計測値からドロップレット間距離を表すドロップレット間距離計測値を算出する処理と、
    　前記ドロップレット間距離の適正レンジを設定する処理と、
    　前記加振素子に入力する電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値について各デューティ値の電気信号を前記加振素子に入力することにより、各デューティ値において生成される前記ドロップレットの前記ドロップレット間距離計測値及び前記ドロップレット間距離計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理と、
    　前記複数のデューティ値のうち、前記ドロップレット間距離計測値が前記適正レンジ内にあるデューティ値の中で、前記ばらつきに基づいて、前記動作デューティ値を決定する処理と、
    　を行うターゲット供給装置。
  10. 　前記制御部は、前記タンクの設定圧力と、前記ターゲット物質の密度と、前記ドロップレットの検出周波数とから、前記ドロップレットの予測ドロップレット間距離を算出し、算出した前記予測ドロップレット間距離を基に、前記適正レンジの上限値と下限値を定める請求項９に記載のターゲット供給装置。
  11. 　前記制御部は、前記複数のデューティ値のうち、前記ドロップレット間距離計測値が前記適正レンジ内にあるデューティ値の中で前記ばらつきが最小となるデューティ値を前記動作デューティ値に決定する請求項９に記載のターゲット供給装置。
  12. 　前記制御部において、前記通過時間間隔の基準値が設定され、
    　前記制御部は、前記通過時間間隔計測値が前記基準値を下回った場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値から得られる前記ドロップレット間距離計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項９に記載のターゲット供給装置。
  13. 　前記ノズルから出力された前記ドロップレットを撮像する２次元イメージセンサを含むドロップレット画像検出部と、
    　前記ドロップレット画像検出部からの出力画像に基づいて、合体不良のドロップレットの検出、及びサテライトの有無の検出のうち少なくとも一方の検出を行う画像計測部と、を備え、
    　前記制御部は、前記出力画像において前記ドロップレットの吐出方向に直交する方向の判定ラインにおける断面プロファイルが複数のピークを持つ場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値から得られる前記ドロップレット間距離計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項９に記載のターゲット供給装置。
  14. 　前記ドロップレット検出部は、複数の受光面を備える光センサを含んで構成され、
    　前記制御部は、前記複数の受光面の各々が出力する信号に基づき、サテライトの発生が検出された場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値から得られる前記ドロップレット間距離計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項９に記載のターゲット供給装置。
  15. 　前記ノズルに組み付けられたヒータと、
    　前記ノズルの温度を検出するノズル温度センサと、
    　前記ノズル温度センサから得られる温度情報に基づき前記ヒータを制御する温度制御部と、を備え、
    　前記温度制御部は、前記ノズルを規定温度±０．１℃の範囲で温度制御する請求項９に記載のターゲット供給装置。
  16. 　請求項９に記載のターゲット供給装置と、
    　レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するためのウインドウを有するチャンバと、を備え、
    　前記チャンバ内に前記ターゲット供給装置からターゲットである前記ドロップレットが供給され、前記ターゲットに前記レーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。
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