JPWO2017130443A1 - ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

ターゲット供給装置は、タンクに収容されている液状のターゲット物質を出力するノズルと、矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子と、ノズルから出力されたドロップレットを検出するドロップレット検出部と、ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、制御部と、を備え、制御部は、通過時間間隔の適正レンジを設定する処理と、加振素子に入力する電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値の各々において生成されるドロップレットの通過時間間隔計測値及びそのばらつきをデューティ値に対応付けて記憶する処理と、複数のデューティ値のうち、通過時間間隔計測値が適正レンジ内にあるデューティ値の中で、ばらつきに基づいて、動作デューティ値を決定する処理と、を行う構成としてもよい。

Description

本開示は、ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ；Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。

特開２０１４−１８６８４６号公報 国際公開第２０１４／１８９０５５号 特表２０１０−５２７３００号公報 特表２００９−５４１０９３号公報 特開昭６２−７４６５９号公報

概要

本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、タンクに収容されているターゲット物質を出力するノズルと、矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子であって、ノズルから出力されるターゲット物質に振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、ノズルから出力されたドロップレットを検出するドロップレット検出部と、ドロップレット検出部から得られる検出信号を基に、ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、通過時間間隔計測部によって計測した通過時間間隔計測値に基づいて、加振素子の動作に適した電気信号のデューティ値である動作デューティ値を決定する制御部と、を備え、制御部は、通過時間間隔の適正レンジを設定する処理と、加振素子に入力する電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値について各デューティ値の電気信号を加振素子に入力することにより、各デューティ値において生成されるドロップレットの通過時間間隔計測値、及び通過時間間隔計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理と、複数のデューティ値のうち、通過時間間隔計測値が適正レンジ内にあるデューティ値の中で、ばらつきに基づいて、動作デューティ値を決定する処理と、を行う構成としてもよい。

本開示の他の観点に係るターゲット供給装置は、液状のターゲット物質を収容するタンクと、タンクに収容されているターゲット物質を出力するノズルと、矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子であって、ノズルから出力されるターゲット物質に振動を与えてターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、ノズルから出力されたドロップレットを検出するドロップレット検出部と、ドロップレット検出部から得られる検出信号を基に、ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、通過時間間隔計測部によって計測した通過時間間隔計測値に基づいて、加振素子の動作に適した電気信号のデューティ値である動作デューティ値を決定する制御部と、を備え、制御部は、通過時間間隔計測値からドロップレット間距離を表すドロップレット間距離計測値を算出する処理と、ドロップレット間距離の適正レンジを設定する処理と、加振素子に入力する電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値について各デューティ値の電気信号を加振素子に入力することにより、各デューティ値において生成されるドロップレットのドロップレット間距離計測値及びドロップレット間距離計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理と、複数のデューティ値のうち、ドロップレット間距離計測値が適正レンジ内にあるデューティ値の中で、ばらつきに基づいて、動作デューティ値を決定する処理と、を行う構成としてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２は、ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図３は、レーザ装置の発光トリガを制御する制御システムの構成を示すブロック図である。 図４は、ドロップレットの生成が正常な場合にドロップレット検出装置の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。 図５は、ドロップレットの生成が正常な場合に得られる通過タイミング信号と発光トリガ信号のタイミングチャートである。 図６は、合体不良のドロップレットが生成された場合にドロップレット検出装置の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。 図７は、合体不良のドロップレットが生成された場合に得られる通過タイミング信号のタイミングチャートを示す。 図８は、サテライトが生成された場合にドロップレット検出装置の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。 図９は、サテライトが生成された場合に得られる通過タイミング信号のタイミングチャートの例を示す。 図１０は、第１実施形態に係るターゲット供給装置における制御システムの構成を示したブロック図である。 図１１は、合体不良のドロップレット又はサテライトが生成された場合に得られる通過タイミング信号と発光トリガ信号のタイミングチャートの一例である。 図１２は、図１０に示した制御部の動作の例を示すフローチャートである。 図１３は、ＥＵＶ光生成装置におけるバースト動作の説明図である。 図１４は、第１実施形態におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。 図１５は、図１４のステップＳ１５における処理を示すフローチャートである。 図１６Ａは、デューティ２５％の矩形波の信号を例示した波形図である。 図１６Ｂは、デューティ５０％の矩形波の信号を例示した波形図である。 図１７は、第２実施形態のターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図１８は、第２実施形態におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。 図１９は、図１８のステップＳ３７における処理を示すフローチャートである。 図２０は、第３実施形態のターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図２１は、第３実施形態における制御システムの構成を示したブロック図である。 図２２Ａは、正常なドロップレット吐出状態が撮像された出力画像の例を示す図である。 図２２Ｂは、図２２Ａに示した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルの例を示す図である。 図２３Ａは、サテライトが発生した状態が撮像された出力画像の例を示す図である。 図２３Ｂは、図２３Ａに示した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルの例を示す図である。 図２４は、第３実施形態における制御部の動作の例を示すフローチャートである。 図２５は、第４実施形態におけるドロップレット検出装置の受光部に採用し得る光センサの構成例を示す図である。 図２６は、正常なドロップレット吐出状態を捉えた光センサを受光面側から見た説明図である。 図２７は、光センサの各受光面の出力電圧と閾値電圧、並びに各コンパレータの出力の例を示した図である。 図２８は、サテライト発生時のドロップレット吐出状態を捉えた光センサを受光面側から見た説明図である。 図２９は、サテライト発生時のドロップレット吐出状態における光センサの各受光面の出力電圧と閾値電圧、並びに各コンパレータの出力の例を示した図である。 図３０は、第４実施形態における制御部の動作を示すフローチャートである。 図３１は、第５実施形態のターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図３２は、第６実施形態に係るターゲット供給装置における制御システムの構成を示したブロック図である。 図３３は、第６実施形態におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。 図３４は、第７実施形態におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。 図３５は、第８実施形態における制御部の動作の例を示すフローチャートである。 図３６は、各制御部のハードウェア環境の例を示すブロック図である。

実施形態

−目次−
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．用語の説明
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．レーザ装置の発光トリガ制御システムの説明
４．１ 構成
４．２ 動作
５．課題
６．実施形態１
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態２
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
８．実施形態３
８．１ 構成
８．２ 動作
９．実施形態４
９．１ 構成
９．２ 動作
９．３ 作用・効果
１０．実施形態５
１０．１ 構成
１０．２ 動作
１０．３ 作用・効果
１１．実施形態６
１１．１ 構成
１１．２ 動作
１１．３ 作用・効果
１２．実施形態７
１２．１ 構成
１２．２ 動作
１２．３ 作用・効果
１３．実施形態８
１３．１ 構成
１３．２ 動作
１３．３ 作用・効果
１４．実施形態の組み合わせの例について
１５．各制御部のハードウェア環境
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。

以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、少なくとも１つのレーザ装置１４と共に用いられてもよい。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１２及びレーザ装置１４を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１０と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６及びターゲット供給部１８を含んでもよい。チャンバ１６は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部１８は、例えば、チャンバ１６の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部１８から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ１６の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２０が設けられてもよく、ウインドウ２０をレーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光２２が透過してもよい。チャンバ１６の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２４が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２４は、第１の焦点及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２４の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２４は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２６に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ；Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ Ｆｏｃｕｓｉｎｇ ｐｏｉｎｔ）２８に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２４の中央部には貫通孔３０が設けられていてもよく、貫通孔３０をパルスレーザ光２３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１２は、ＥＵＶ光生成制御部４０及びターゲットセンサ４２等を含んでもよい。ターゲットセンサ４２は、撮像機能を有してもよく、ターゲット４４の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６の内部と露光装置４６の内部とを連通させる接続部４８を含んでもよい。接続部４８の内部には、アパーチャ５０が形成された壁５２が設けられてもよい。壁５２は、そのアパーチャ５０がＥＵＶ集光ミラー２４の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１２は、レーザ光進行方向制御部５４、レーザ光集光ミラー５６、ターゲット４４を回収するためのターゲット回収部５８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部５４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。ターゲット回収部５８は、チャンバ１６内に出力されたターゲット４４が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。

１．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光２１は、レーザ光進行方向制御部５４を経て、パルスレーザ光２２としてウインドウ２０を透過してチャンバ１６内に入射してもよい。パルスレーザ光２２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ１６内を進み、レーザ光集光ミラー５６で反射されて、パルスレーザ光２３として少なくとも１つのターゲット４４に照射されてもよい。

ターゲット供給部１８は、ターゲット４４をチャンバ１６内部のプラズマ生成領域２６に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット４４には、パルスレーザ光２３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット４４はプラズマ化し、そのプラズマから放射光６０が放射され得る。放射光６０に含まれるＥＵＶ光６２は、ＥＵＶ集光ミラー２４によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２４によって反射されたＥＵＶ光６２は、中間集光点２８で集光され、露光装置４６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット４４に、パルスレーザ光２３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部４０は、ＥＵＶ光生成システム１０全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲットセンサ４２によって撮像されたターゲット４４のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部４０は、例えば、ターゲット４４が出力されるタイミング、ターゲット４４の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部４０は、例えば、レーザ装置１４の発振タイミング、パルスレーザ光２２の進行方向、パルスレーザ光２３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．用語の説明
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。

「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。

「プラズマ光」は、プラズマ化したドロップレットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。

「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。

「ドロップレット間隔」という用語における「間隔」は、時間間隔を意味する場合と、空間的な間隔である距離を意味する場合の両方の場合があり得る。

「通過タイミング間隔」は、ドロップレットの通過タイミングの時間間隔を指す。通過タイミング間隔は、ドロップレットの通過時間間隔に相当する。

「ドロップレット間距離」は、異なる二つのドロップレットの空間的な間隔、つまりドロップレットスペースを意味する。本開示におけるドロップレット間距離は、ドロップレットの吐出方向についてのドロップレットスペースを指す。

「ピエゾ素子」は「圧電素子」と同義である。ピエゾ素子は、「加振素子」の一形態である。

３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の説明
３．１ 構成
図２に、ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、制御部７０と、遅延回路７２と、ターゲット供給部１８と、不活性ガス供給部７４と、ドロップレット検出装置７６とを含んでもよい。

ターゲット供給部１８は、ターゲット物質を出力するノズル８０と、ターゲット物質を貯蔵するタンク８２と、ヒータ８４と、温度センサ８６と、ピエゾ素子８８と、圧力調節器９０と、を含んでいてもよい。

ターゲット供給装置７８は、制御部７０、ターゲット供給部１８、ヒータ電源９２、温度制御部９４、及びピエゾ電源９６を含んでいてもよい。また、ターゲット供給装置７８は、ドロップレット検出装置７６を含んでいてもよい。

タンク８２は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク８２の内部には、ターゲット物質が収容されてもよい。タンク８２の少なくとも内部は、ターゲット物質と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット物質の一例であるスズと反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、モリブデン、タングステン、及びタンタルのいずれかであってもよい。

タンク８２には、ヒータ８４と温度センサ８６が固定されていてもよい。ヒータ８４は、筒形状のタンク８２の外側側面部に固定されてもよい。タンク８２に固定されたヒータ８４は、タンク８２を加熱してもよい。ヒータ８４は、ヒータ電源９２と接続されてもよい。

ヒータ電源９２は、ヒータ８４に電力を供給してもよい。ヒータ電源９２は、温度制御部９４と接続されてもよい。温度制御部９４は、制御部７０と接続されてもよく、制御部７０に含まれていてもよい。ヒータ電源９２は、ヒータ８４への電力供給を温度制御部９４によって制御されてもよい。

タンク８２の外側側面部には、温度センサ８６が固定されてもよい。温度センサ８６は、温度制御部９４と接続されてもよい。温度センサ８６は、タンク８２の温度を検出し、検出信号を温度制御部９４に出力してもよい。温度制御部９４は、温度センサから出力された検出信号に基づいて、ヒータ８４へ供給する電力を調節し得る。

ヒータ８４とヒータ電源９２を含む温度調節機構は、温度制御部９４の制御信号に基づいてタンク８２の温度を調節し得る。

圧力調節器９０は不活性ガス供給部７４とタンク８２の間の配管９８に設置してもよい。配管９８は、タンク８２を含むターゲット供給部１８と圧力調節器９０とを連通させ得る。配管９８は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管９８には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管９８内の温度は、ターゲット供給部１８のタンク８２内の温度と同じ温度に保たれてもよい。

不活性ガス供給部７４は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されているガスボンベを含んでいてもよい。不活性ガス供給部７４は、圧力調節器９０を介して、タンク８２内に不活性ガスを給気してもよい。

圧力調節器９０は、給気及び排気用の図示しない電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器９０は、図示しない圧力センサを用いてタンク８２内の圧力を検出してもよい。圧力調節器９０は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器９０は、図示しない排気ポンプを動作させて、タンク８２内のガスを排気してもよい。

圧力調節器９０は、タンク８２内にガスを給気又はタンク８２内のガスを排気することによって、タンク８２内の圧力を加圧又は減圧し得る。圧力調節器９０は、制御部７０と接続されてもよい。圧力調節器９０は、検出した圧力の検出信号を制御部７０に出力してもよい。圧力調節器９０は、制御部７０から出力された制御信号が入力されてもよい。

制御部７０は、圧力調節器９０から出力された検出信号に基づいて、タンク８２内の圧力が目標とする圧力になるよう圧力調節器９０の動作を制御するための制御信号を圧力調節器９０に供給してもよい。圧力調節器９０は、制御部７０からの制御信号に基づいてタンク８２内にガスを給気又はタンク８２内のガスを排気してもよい。圧力調節器９０がガスを給気又は排気することにより、タンク８２内の圧力は、目標とする圧力に調節され得る。

ノズル８０は、ターゲット物質を出力するノズル孔８０ａを備えてもよい。ノズル孔８０ａから出力させるターゲット物質の一例として、液体スズを採用し得る。ノズル８０には、ピエゾ素子８８が固定されていてもよい。ピエゾ素子８８はピエゾ電源９６と接続されてもよい。

ノズル８０は、筒形状のタンク８２の底面部に設けられていてもよい。ノズル８０は、チャンバ１６の図示しないターゲット供給孔を通してチャンバ１６の内部に配置されてもよい。チャンバ１６のターゲット供給孔は、ターゲット供給部１８が設置されることで塞がれ得る。ターゲット供給部１８がチャンバ１６のターゲット供給孔を塞ぐように設置される構造により、チャンバ１６の内部は大気と隔絶され得る。ノズル８０の少なくとも内面は、ターゲット材料と反応し難い材料で構成されてもよい。

パイプ状のノズル８０の一端は、中空のタンク８２に固定されてもよい。パイプ状のノズル８０の他端には、ノズル孔８０ａが設けられていてもよい。ノズル８０の一端側にあるタンク８２がチャンバ１６の外部に位置し、ノズル８０の他端側にあるノズル孔８０ａがチャンバ１６の内部に位置してもよい。ノズル８０の中心軸方向の延長線上には、チャンバ１６の内部にあるプラズマ生成領域２６が位置してもよい。ノズル８０の中心軸方向は、Ｙ軸方向であってもよい。タンク８２、ノズル８０、及びチャンバ１６は、その内部が互いに連通してもよい。

ノズル孔８０ａは、溶融したターゲット物質をチャンバ１６内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。

ターゲット供給部１８は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット１３６を形成してもよい。コンティニュアスジェット方式では、ノズル８０を振動させてジェット状に噴出したターゲットの流れに定在波を与え、ターゲットを周期的に分離してもよい。分離されたターゲットは、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット１３６を形成し得る。

ピエゾ素子８８と、ピエゾ電源９６は、ドロップレット１３６の形成に必要な振動をノズル８０に与えるドロップレット形成機構を構成する要素となり得る。

ピエゾ素子８８は、パイプ状のノズル８０の外側側面部に固定されてもよい。ノズル８０に固定されたピエゾ素子８８は、ノズル８０に振動を与えてもよい。ピエゾ素子８８は、ピエゾ電源９６と接続されてもよい。

ピエゾ電源９６は、ピエゾ素子８８に電力を供給してもよい。ピエゾ電源９６は、制御部７０と接続されてもよい。ピエゾ電源９６は、ピエゾ素子８８への電力供給を制御部７０によって制御されてもよい。

ドロップレット検出装置７６は、図１で説明したターゲットセンサ４２の一部又は全部であってもよい。ドロップレット検出装置７６は、チャンバ１６内に出力されたドロップレット１３６を検出してもよい。

ドロップレット検出装置７６は、光源部１００と受光部１２０とを含んでいてもよい。光源部１００は、光源１０２と照明光学系１０４を含んでもよい。光源部１００は、ターゲット供給部１８のノズル８０とプラズマ生成領域２６の間の軌道上における所定の位置Ｐのドロップレットを照明するように配置してもよい。光源１０２には、ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−Ｗａｖｅ）レーザ光源を用いてもよい。照明光学系１０４は、集光レンズ１０６とウインドウ１０８を含んでもよい。

ドロップレット１３６に照射される連続レーザ光のビーム径は、ドロップレット１３６の直径よりも十分に大きくてもよい。ドロップレット１３６の直径は、例えば２０μｍとしてもよい。集光レンズ１０６は、シリンドリカルレンズであってもよい。

光源部１００と受光部１２０とは、チャンバ１６内に出力されたターゲットであるドロップレット１３６の進行経路であるターゲット進行経路を挟んで互いに対向配置されてもよい。光源部１００と受光部１２０の対向方向は、ターゲット進行経路と直交してもよい。

ターゲット進行経路を進行するドロップレット１３６が所定位置Ｐに到達すると、光源部１００から出射された照明光１１０が当該ドロップレット１３６に照射され得る。

受光部１２０は、受光光学系１２２と光センサ１２４とを含んでもよい。受光部１２０は、光源部１００から出力された照明光１１０を受光するように配置してもよい。受光光学系１２２は、ウインドウ１２６と集光レンズ１２８を含んでもよい。受光光学系１２２は、コリメータ等の光学系であってもよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。受光光学系１２２は、光源部１００から出射された連続レーザ光を、光センサ１２４に導いてもよい。

光センサ１２４は、フォトダイオードを含む受光素子であってもよい。光センサ１２４は、受光光学系１２２によって導かれた連続レーザ光の光強度を検出してもよい。光センサ１２４は、制御部７０と接続されてもよい。光センサ１２４は、検出した光強度の検出信号を制御部７０に供給してもよい。

ドロップレット１３６がターゲット進行経路上の所定位置Ｐを通過すると、ドロップレット１３６により連続レーザ光の一部が遮蔽され、受光部１２０が受光する光強度は低下し得る。受光部１２０は、ドロップレット１３６の通過による光強度の低下に応じた検出信号を制御部７０に出力し得る。ドロップレット１３６による光強度の低下に応じた検出信号を、「通過タイミング信号」ともいう。

制御部７０は、ドロップレット検出装置７６からの検出信号により、ドロップレット１３６が検出されたタイミングを検知し得る。特に、ドロップレット１３６がターゲット進行経路上の所定位置Ｐを通過したタイミングを検知し得る。

なお、ドロップレット検出装置７６がドロップレット１３６を検出したタイミングを「通過タイミング」ともいう。通過タイミングは、ドロップレット検出装置７６が通過タイミング信号を制御部７０に出力したタイミングであり得る。

ＥＵＶ光生成装置１２は、第１の高反射ミラー１３０と第２の高反射ミラー１３２と、レーザ光集光光学系１３４とを含んでもよい。図１で説明したレーザ光進行方向制御部５４は、第１の高反射ミラー１３０と第２の高反射ミラー１３２を含んで構成されてもよい。レーザ光集光光学系１３４は、図１で説明したレーザ光集光ミラー５６を含んでもよい。

図２において、ＥＵＶ光生成装置１２のチャンバ１６から露光装置４６に向かってＥＵＶ光６２を導出する方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、かつ、互いに直交する軸とする。ドロップレットの滴下方向をＹ軸とする。なお、図３以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。

ＥＵＶ光生成装置１２のチャンバ１６は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ１６の中心軸方向は、ＥＵＶ光６２を露光装置４６へ導出する方向、つまりＺ軸方向であってもよい。

ＥＵＶ光生成制御部４０は、露光装置４６の制御部である図示しない露光装置制御部との間で信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、露光装置４６の指令に基づいてＥＵＶ光生成システム１０全体の動作を統括的に制御してもよい。ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ装置１４との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ装置１４の動作を制御してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部４０は、レーザ光進行方向制御部５４及びレーザ光集光光学系１３４のそれぞれの図示しないアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、パルスレーザ光２１、２２及び２３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲット供給装置７８の制御部７０との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部４０は、ターゲット供給装置７８、ドロップレット検出装置７６、及びレーザ装置１４の動作を制御してもよい。

３．２ 動作
図２を用いて、ＥＵＶ光生成装置１２の動作について説明する。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲットの生成信号が入力されると、ターゲット供給部１８内のターゲット材料が融点以上の所定の温度になるように、温度制御部９４を介してヒータ８４を制御してもよい。温度制御部９４は、制御部７０の制御にしたがい、温度センサ８６の検出値に基づいてヒータ電源９２を制御してもよい。ターゲット材料としてスズ（Ｓｎ）が用いられる場合、制御部７０は、ターゲット供給部１８内のスズが、例えば、２００℃から３００℃の範囲の所定の温度になるように、ヒータ８４を制御してもよい。その結果、ターゲット供給部１８に貯蔵されたスズは融解し得る。融解したスズは、「液状のターゲット物質」の一形態に相当し得る。

制御部７０は、ピエゾ素子８８にピエゾ電源９６を介して、ノズル８０から出力された液体スズがドロップレット１３６を生成するよう、所定のピエゾ駆動周波数及び所定デューティの電気信号を送ってもよい。

ピエゾ電源９６は、制御部７０からの指示にしたがい、ピエゾ素子８８に対し駆動用の電力を供給してもよい。その結果、ノズル８０はピエゾ素子８８によって振動し得る。

制御部７０は、ドロップレットが所定の速度でプラズマ生成領域２６に到達するように、圧力調節器９０を所定圧力に制御してもよい。その結果、ノズル孔８０ａからジェット状の液体スズが出力され、ノズル孔８０ａの振動によって、ドロップレット１３６が生成し得る。そして、プラズマ生成領域２６にドロップレット１３６を供給し得る。

ドロップレット１３６が、ノズル孔８０ａとプラズマ生成領域２６の間の軌道上の所定位置Ｐを通過すると、受光部１２０の光センサ１２４に入射する照明光量が低下する。受光部１２０は、光センサ１２４によって受光した光量が所定の閾値以下である期間、通過タイミング信号を生成し得る。

受光部１２０から出力された通過タイミング信号は、制御部７０を介して直接、遅延回路７２に入力されてもよい。

遅延回路７２は通過タイミング信号に遅延時間を付加して発光トリガ信号を生成し、発光トリガ信号をレーザ装置１４に入力してもよい。遅延回路７２の遅延時間は、ドロップレット１３６が所定位置Ｐを通過して、プラズマ生成領域２６に到達する前に、レーザ装置１４に発光トリガ信号が入力されるように設定してもよい。つまり、遅延時間は、ドロップレット１３６がプラズマ生成領域２６に到達した時に、レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光がドロップレット１３６に照射されるように設定してもよい。

レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光は、第１の高反射ミラー１３０、第２の高反射ミラー１３２及びレーザ光集光光学系１３４を介してプラズマ生成領域２６に導かれ、ドロップレット１３６に照射されてもよい。プラズマ生成領域２６は、パルスレーザ光の集光位置に相当し得る。

４．レーザ装置の発光トリガ制御システムの説明
４．１ 構成
図３に、レーザ装置１４の発光トリガを制御する制御システムの構成を示す。制御システム１４０は、ドロップレット検出装置７６と、制御部７０と、遅延回路７２と、レーザ装置１４とを含んでいてもよい。

遅延回路７２は、制御部７０の一部として構成されてもよい。ドロップレット検出装置７６の出力信号である通過タイミング信号は、制御部７０を介して遅延回路７２に入力してもよい。制御部７０が遅延回路７２の遅延時間を設定するためのラインが、遅延回路７２に接続されてもよい。遅延回路７２の出力は、発光トリガ信号としてレーザ装置１４に入力してもよい。

４．２ 動作
制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からドロップレット生成信号を受信すると、遅延時間ｔ_ｄを設定するデータを遅延回路７２に送信してもよい。制御部７０は、ドロップレット検出装置７６からのドロップレットの通過タイミング信号を受信して、その信号を遅延回路７２に入力し得る。

遅延回路７２は、通過タイミング信号に対し、遅延時間ｔ_ｄ遅れた信号を、発光トリガ信号としてレーザ装置１４に入力し得る。

図４は、ドロップレットの生成が正常な場合にドロップレット検出装置７６の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。また、図５に、ドロップレットの生成が正常な場合に得られる通過タイミング信号と発光トリガ信号のタイミングチャートを示す。

図４に示すように、ドロップレット１３６が正常に生成されている場合は、ドロップレット１３６はほぼ等間隔でドロップレット検出装置７６の検出範囲を通過し得る。このため、図５の上段に示したように、通過タイミングの時間間隔Ｔ（１）〜Ｔ（ｎ）は、ほぼ同一の周期Ｔｃとなり得る。周期Ｔｃは、所定のピエゾ駆動周波数ｆ_ｐの逆数の自然数倍となり得る。つまり、自然数ｍとして、周期Ｔｃは概ねｍ／ｆ_Ｐとなり得る。本例では、通過タイミング信号のパルスの立ち上がりのタイミングを「通過タイミング」としている。通過タイミングの時間間隔を「通過タイミング間隔」と呼ぶ。つまり、信号の時間間隔は、パルスの立ち上がりタイミングの間隔から計測されてもよい。

発光トリガ信号は、図５の下段に示したように、通過タイミング信号から遅延時間ｔ_ｄだけ遅れて、通過タイミング信号と略同じ周期Ｔｃで生成し得る。図５の下段に示した発光トリガ信号がレーザ装置１４に供給されることにより、レーザ装置１４は、ほぼ一定の時間間隔でレーザ光を出力するので、励起媒質の温度は略一定に漸近し、出力レーザ光のパルスエネルギは安定化される。

５．課題
図６は、合体不良のドロップレットが生成された場合にドロップレット検出装置７６の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。図７に、合体不良のドロップレットが生成された場合に得られる通過タイミング信号のタイミングチャートの例を示す。図７において、左から２番目の通過タイミング信号は、合体不良ドロップレットの信号である。

図８は、サテライトが生成された場合にドロップレット検出装置７６の検出範囲を通過するドロップレットの様子を模式的に示した図である。図９に、サテライトが生成された場合に得られる通過タイミング信号のタイミングチャートの例を示す。図９において、左から２番目の通過タイミング信号は、サテライトの信号である。また、左から４番目と６番目の通過タイミング信号も、それぞれサテライトの信号である。

ピエゾ電源９６からピエゾ素子８８に対し、ピエゾ駆動周波数ｆ_ｐの矩形波の駆動信号が印加されることにより、ノズル８０からスズのドロップレットが連続的に吐出され得る。ノズル８０から吐出されたドロップレットは、落下中に複数個が合体した後、ドロップレット検出装置７６によって検出され得る。

なんらかの原因で、図６に示すように、合体不良のドロップレット１４２が生成されたり、図８に示すように、大きなドロップレット１４４の近傍にサテライト１４６が生成されたりすることがある。

ドロップレット検出装置７６が合体不良のドロップレット１４２やサテライト１４６を検出すると、ドロップレット検出装置７６は周期Ｔｃとは異なる時間間隔で通過タイミング信号を生成し得る。通過タイミング信号は、ドロップレット検出信号に相当する。

発光トリガ信号は、遅延回路７２によって、通過タイミング信号から遅延時間ｔ_ｄだけ遅れた信号になり得る。例えば、図７や図９に例示したように、連続する通過タイミング信号の時間間隔ＴがＴ≪Ｔｃの場合、レーザ装置１４に入力される発光トリガ信号の時間間隔が周期Ｔｃよりも短くなり、以下の課題が発生し得る。

・[課題１] レーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギが低下し得る。その結果、ＥＵＶ光のパルスエネルギも低下し得る。

・[課題２] レーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光のパルス波形が変化し得る。その結果、ＥＵＶ光のパルスエネルギも変化し得る。

・[課題３] レーザ装置１４が破損する場合があり得る。

上述の課題１〜３は、例えばＴ≫Ｔｃの場合でも同様である。以下に述べる各実施形態は、課題１〜３のうち少なくとも１つの課題を解決し得る。

６．実施形態１：第１実施形態に係るターゲット供給装置の説明
６．１ 構成
図１０は、第１実施形態に係るターゲット供給装置における制御システムの構成を示したブロック図である。第１実施形態に係るターゲット供給装置は、図３で説明した制御システム１４０に代えて、図１０に示す制御システム１５０を採用し得る。

制御部７０は、ドロップレット間隔計測部１５２と、デューティ調整部１５４とを備えてもよい。制御部７０は、制御及び演算の処理に必要な各種データを記憶するための図示しない記憶部を含んでいてもよい。

ドロップレット間隔計測部１５２は、ドロップレット検出装置７６が生成する通過タイミング信号からドロップレットの通過タイミング間隔を計測する回路であってよい。或いは、ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング信号からドロップレットの通過タイミング間隔を算出するよう記述され、制御部７０内部に保持され、制御部７０が実行可能なプログラムであってよい。ドロップレット間隔計測部１５２は、ドロップレットの通過時間間隔を計測する「通過時間間隔計測部」の一形態に相当し得る。ドロップレット検出装置７６は「ドロップレット検出部」の一形態に相当し得る。

デューティ調整部１５４は、制御部７０が指定するデューティ値に基づいてピエゾ電源９６に信号を出力する回路であってよい。或いは、デューティ調整部１５４は、制御部７０が指定するデューティ値に基づいてピエゾ電源９６に信号波形を供給することができる外部装置、例えばファンクションジェネレータ等によって構成してもよい。

６．２ 動作
制御部７０は通過タイミング信号の間隔基準となるＴminを設定してもよい。Ｔminは図示しない記憶装置に保持されてもよく、オペレータが入力してもよい。Ｔminは、レーザ装置１４の出力が不安定となる発光トリガ信号間隔に基づいて決定されてもよい。Ｔminは、複数のＥＵＶ光の繰り返し周波数に対応付けて複数保持されてもよい。Ｔminは、「通過時間間隔の基準値」の一形態に相当し得る。

ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング信号が入力されるとドロップレットの各々の通過タイミング間隔Ｔを計測してもよい。

制御部７０は、ドロップレット間隔計測部１５２によって計測された通過タイミング間隔ＴとＴminとを比較し、Ｔ＜Ｔminの場合に、つまり、通過タイミング間隔ＴがＴminを下回る場合に、ピエゾ駆動信号のデューティ調整を実行してもよい。「デューティ調整」は、ピエゾ電源９６からピエゾ素子８８に印加する矩形波の電気信号のデューティを調整する処理である。

制御部７０は、Ｔ≧Ｔminである場合には、発光トリガ信号の生成を行ってもよい。制御部７０は、ドロップレット間隔計測部１５２によって計測された通過タイミング間隔Ｔが入力される度に、Ｔminと比較し続けてもよい。この間、ＥＵＶ光生成装置１２はＥＵＶ光出力を行ってもよい。

また、制御部７０は、なんらかの原因でＥＵＶ光生成が一時的に中止された場合、ＥＵＶ光生成を再開するにあたってデューティ調整を行った後に発光トリガ信号を生成するようにしてもよい。

図１１は、合体不良のドロップレット又はサテライトが生成された場合に得られる通過タイミング信号と発光トリガ信号のタイミングチャートの一例である。なんらかの原因で、合体不良のドロップレットが生成されたり、サテライトが生成されたりした場合は、図１１に示すように、通過タイミング間隔ＴがＴ＜Ｔminとなり得る。

図１１の上段に示した通過タイミング信号のタイミングチャートにおいて、左から２番目の通過タイミング信号は、合体不良ドロップレットの通過を検出した信号である。また、左から６番目の通過タイミング信号は、サテライトの通過を検出した信号である。

制御部７０は、Ｔ＜Ｔminを判定することで、合体不良のドロップレット生成、又は、サテライト生成を監視してもよい。

図１２は、制御部７０の動作の例を示すフローチャートである。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲット供給装置７８に起動信号が入力されると、図１２のフローチャートに示した処理を開始してもよい。

ステップＳ１において、制御部７０は、通過タイミング信号検出を開始してもよい。

ステップＳ２において、制御部７０は通過タイミング間隔Ｔが、予め定められているＴmin以上であるか否かを確認してもよい。ステップＳ２の通過タイミング間隔確認工程において、制御部７０がＴ≧Ｔminを満たすことを確認すると、ステップＳ３に移行してもよい。一方、ステップＳ２において、制御部７０がＴ≧Ｔminの不成立を確認した場合、つまりＴ＜Ｔminであると判定した場合は、ステップＳ８に移行してもよい。

ステップＳ３において、制御部７０は、通過タイミング信号による発光トリガの生成を開始してもよい。発光トリガの生成が開始されると、遅延回路７２は通過タイミング信号に所定の遅延時間ｔ_ｄの遅延を与えて発光トリガを生成してもよい。

ステップＳ３の後のステップＳ４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置１２によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っているか否かを判定してもよい。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から得られる信号を基に、ステップＳ４の判定を行ってもよい。

ＥＵＶ光生成装置１２は、予期しないＥＵＶ光の品質低下等によりＥＵＶ光生成を一時的に中止して各部の調整を行うことがある。このとき、発光トリガの生成が停止されることがある。例えば、１バースト内において、ある一定数のパルス数の移動平均において、ＥＵＶ光エネルギのばらつきが±２％を超えた場合に、発光トリガ停止信号が制御部７０に入力されることがある。バースト動作については、図１３を用いて後述する。

図１２のステップＳ４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っていると判定した場合に、ステップＳ３に戻ってもよい。一方、制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から制御部７０に発光トリガ停止信号が入力されるなどして、ステップＳ４において、ＥＵＶ光が所定の安定度を保っていないと判定した場合に、ステップＳ５に移行してもよい。

ステップＳ５において、制御部７０は、発光トリガの生成を停止してもよい。発光トリガの生成が停止されると、レーザ装置１４からのパルスレーザ光の出力が停止され、ＥＵＶ光の生成が停止される。

ＥＵＶ光生成を再開する場合には、制御部７０は、ステップＳ６において、通過タイミング信号の間隔を確認し、Ｔ＜Ｔminの場合に、ステップＳ８のデューティ調整を実施してもよい。ステップＳ８において、制御部７０は、ピエゾ素子８８を駆動させるための矩形波の電気信号のデューティを調整してもよい。ステップＳ８のデューティ調整については、図１４を用いて後述する。

ステップＳ２又はステップＳ６において、制御部７０は、Ｔ＜Ｔminと判定した場合、ステップＳ８のデューティ調整を実施してよい。

その一方、制御部７０は、ステップＳ６において、通過タイミング間隔ＴがＴ≧Ｔminを満たす場合は、ステップＳ７に移行してもよい。

ステップＳ７において、制御部７０は、ステップＳ８のデューティ調整以外の性能調整を実施してもよい。ステップＳ７の後、制御部７０は、ステップＳ３に戻り、発光トリガの生成を再開してもよい。図１２のフローチャートは、ＥＵＶ光生成制御部４０からの割り込み処理によって、任意のタイミングで終了可能である。

図１３に、バースト動作の説明図を示す。ＥＵＶ光生成システム１０は、バースト動作によってＥＵＶ光を出力することがある。バースト動作は、ある期間一定繰返し周波数でＥＵＶ光を出力するバースト期間と、所定の期間ＥＵＶ光を出力しない休止期間とを繰り返す動作である。１つのバースト期間を１バーストと呼ぶことがある。

バースト期間中は、レーザ装置１４からレーザ光が出力され得る。休止期間中はレーザ装置１４からのレーザ光の出力が停止され得る。または、休止期間中はプラズマ生成領域２６へのレーザ光の伝搬が抑制されてもよい。

バーストパターンは、バースト期間のＥＵＶ光エネルギ、繰り返し周波数、パルス数とバースト休止期間の長さ、及びバースト数のうちいずれか、又は、これらのうちの複数を含んだデータによって定義され得る。バーストパターンは、露光装置４６によって指示されてもよい。

図１４は、図１２のステップＳ８におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。

デューティ調整の処理が開始すると、制御部７０は、ステップＳ１１において、ピエゾ素子８８の駆動周波数からドロップレットの予測通過タイミング間隔を算出してもよい。「予測通過タイミング間隔」とは、ピエゾ素子の駆動周波数から計算上、予測されるドロップレットの通過タイミングの時間間隔を意味する。

予測通過タイミング間隔は、「予測通過時間間隔」の一形態に相当し得る。予測通過タイミング間隔は、ドロップレットの適正な通過時間間隔の目安となり得る。

ステップＳ１２において、制御部７０は、ドロップレットの適正な通過タイミング間隔の上限値及び下限値を設定してもよい。制御部７０は、例えば、ステップＳ１１で算出した予測通過タイミング間隔の「±１５％」の値を上限値及び下限値と設定してもよい。つまり、制御部７０は、予測通過タイミング間隔±１５％を、ドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジとして設定してもよい。ステップＳ１２に示した処理は、「通過時間間隔の適正レンジを設定する処理」の一形態に相当し得る。ドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジは、ドロップレットの適正な通過時間間隔として許容される範囲となり得る。

ステップＳ１３において、制御部７０は、デューティ調整部１５４のデューティ値をＡ［％］に設定してもよい。ここでの「Ａ」はデューティの値を表す変数パラメータである。制御部７０は、例えば、初期値としてＡ＝１［％］を設定してもよい。

ステップＳ１４において、デューティ調整部１５４は、設定されたデューティＡ［％］に基づいてピエゾ電源９６を駆動し得る。デューティＡ［％］の設定に基づきピエゾ電源９６を駆動することにより、ドロップレットが生成され、ドロップレット検出装置７６から通過タイミング信号が出力され得る。

ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング信号が入力されると、ドロップレットの各々の通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）を計測してもよい。Ｎは、通過タイミング間隔を計測する回数を表し、予め定めておくことができる任意の自然数である。例えば、Ｎは、３以上５０以下とすることができる。一例として、Ｎ＝５でもよい。自然数ｋについて、通過タイミング間隔Ｔ（ｋ）は、ｋ番目のドロップレットの通過タイミングｔ（ｋ）とｋ＋１番目のドロップレットの通過タイミングｔ（ｋ＋１）の時間間隔ｔ（ｋ＋１）−ｔ（ｋ）で定義することができる。ドロップレット間隔計測部１５２によって計測される通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）の各々は、「通過時間間隔計測値」の一形態に相当し得る。

ステップＳ１５において、制御部７０は、ドロップレット間隔計測部１５２により計測された通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）を記憶してもよい。また、制御部７０は各々の通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）から、最大通過タイミング間隔Ｔmax、最小通過タイミング間隔Ｔmin、通過タイミング間隔の平均値Ｔav、通過タイミング間隔のばらつきＴsigmaを算出してもよい。Ｔsigmaは、標準偏差の３σ値としてもよい。標準偏差の３σ値とは、標準偏差をσとする場合の「３×σ」の値を指す。

ステップＳ１５において、制御部７０は、算出したＴmax、Ｔmin、Ｔav 及びＴsigmaのそれぞれをデューティＡ［％］に対応付けて、Ｔmax（Ａ）、Ｔmin（Ａ）、Ｔav（Ａ）及びＴsigma（Ａ）として記憶してもよい。ステップＳ１５に係る処理については、図１５を用いて後述する。

制御部７０は、例えばＡ＝１〜９９［％］まで、１［％］の刻みで順次にデューティＡの設定を変更して、各デューティ値について、ステップＳ１４及びステップＳ１５の処理を実施してよい。

すなわち、ステップＳ１６において、制御部７０は、ピエゾ素子８８を駆動するピエゾ電源９６のデューティＡをＡ＋１に変更してもよい。ステップＳ１６により、Ａ＋１の値が新たにデューティＡとしてセットされる。ステップＳ１６の後、制御部７０はステップＳ１７に移行してもよい。

ステップＳ１７において、制御部７０は、デューティＡが９９［％］を超えたか否かを判定してもよい。制御部７０は、ステップＳ１７においてデューティＡが９９［％］以下であると判定した場合は、ステップＳ１４に戻ってもよい。デューティＡが９９を超えるまで、ステップＳ１４からステップＳ１７の処理が繰り返されてもよい。

制御部７０は、ステップＳ１７においてデューティＡが９９［％］を超えたと判定した場合は、ステップＳ１８に移行してもよい。

ステップＳ１８において、制御部７０は、各デューティＡ［％］に対応付けて記憶したデータを基に、デューティの最適値を決定し、この決定した最適値を最適デューティ値としてデューティ調整部１５４に設定してもよい。

制御部７０は、記憶したデータの中で、Ｔmax（Ａ）、Ｔmin（Ａ）及びＴav（Ａ）がドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジ内にあるデータ群を抽出して、抽出したデータ群の中で最小のＴsigma(Ａ)であるデューティＡを最適値に決定してもよい。ドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジは、ステップＳ１２にて定められた上限値と下限値で規定される範囲とすることができる。

ステップＳ１８において、最適デューティ値が設定されると、制御部７０は、図１４の調整処理を終了し、図１２のフローチャートに復帰してもよい。

その後、デューティ調整部１５４は、設定されたデューティに基づいてピエゾ電源９６を駆動し得る。

上述のように、制御部７０は、ステップＳ１６によってデューティ値を変えながら、複数のデューティ値の各々において、ステップＳ１５の処理を行い得る。かかる構成は、「各デューティ値において生成されるドロップレットの通過時間間隔計測値、及び通過時間間隔計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理」の一形態に相当し得る。ステップＳ１５において制御部７０が記憶するＴmax（Ａ）及びＴmin（Ａ）の各々は、デューティ値に対応付けて記憶される「通過時間間隔計測値」の一形態に相当し得る。

ステップＳ１８において制御部７０が決定する「最適デューティ値」は「加振素子の動作に適した電気信号のデューティ値である動作デューティ値」の一形態に相当し得る。ステップＳ１８の処理は、「動作デューティ値を決定する処理」の一形態に相当し得る。

図１５は、図１４のステップＳ１５における処理を示すフローチャートである。図１５のステップＳ２１において、制御部７０は、パラメータＮを初期値であるＮ＝１に設定してもよい。

ステップＳ２２において、ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング間隔Ｔ（Ｎ）の計測値を記録してもよい。

ステップＳ２３において、制御部７０は、Ｎの値を「＋１」インクリメントし、Ｎ＋１の値を新たにパラメータＮの値としてもよい。

ステップＳ２４において、制御部７０はＮの値が、予め定められている規定値であるＮmaxを超えたか否かを判定してもよい。Ｎmaxは、通過タイミング間隔の最大計測回数より大きい任意の整数に設定することができる。例えば、Ｎmaxは、４から５１の範囲の適宜の値に設定してもよい。

制御部７０は、ステップＳ２４において、Ｎ≦Ｎmaxであると判定した場合には、ステップＳ２２に戻ってもよい。

一方、ステップＳ２４において、制御部７０はＮ＞Ｎmaxであると判定した場合に、ステップＳ２５に移行してもよい。

ステップＳ２５において、制御部７０は、Ｔ（１）〜Ｔ（Ｎ）のデータを使用し、Ｔmax（Ａ）、Ｔmin（Ａ）、Ｔav（Ａ）及びＴsigma（Ａ）を算出してもよい。制御部７０は、算出したＴmax（Ａ）、Ｔmin（Ａ）、Ｔav（Ａ）及びＴsigma（Ａ）を記憶してもよい。

制御部７０は、ステップＳ２５の後、図１４のフローチャートに復帰してもよい。

図１６Ａと図１６Ｂに、ピエゾ素子を駆動するための電気信号のデューティの変更例を示す。図１６Ａは、デューティ調整部１５４からピエゾ電源９６に供給する矩形波の一例であり、デューティ２５％の例を示した。図１６Ｂは、デューティ調整部１５４からピエゾ電源９６に供給する矩形波の一例であり、デューティ５０％の例を示した。

まず、デューティは以下の式により算出される周期ｔに対し、矩形波をＯＮとする時間の割合により決定される。

ｔ＝１／ピエゾ駆動周波数
制御部７０は、デューティ調整部１５４からピエゾ電源９６に供給する矩形波のＯＮ時間を変更することによりデューティを変化させ、各デューティ値でのドロップレットの通過タイミング間隔を計測し得る。また、制御部７０は、各デューティ値における通過タイミング間隔のばらつきＴsigmaを算出し得る。例えば、制御部７０は、上述した通過タイミング間隔の計測と、ばらつき等の算出を、デューティ１％〜９９％までの範囲の各デューティ値において実施してもよい。そして、制御部７０は、計測した通過タイミング間隔が上限値及び下限値で定めた適正レンジ内にあり、かつ、Ｔsigmaが最も小さいデューティ値を、最適な動作デューティ値として、設定してもよい。

６．３ 作用・効果
第１実施形態によれば、合体不良のドロップレットが生成したり、サテライトが生成したりしても、これを検出して適正なドロップレット出力を行えるピエゾ駆動波形のデューティ値を適用し得る。これにより、ドロップレットの合体不良やサテライトの生成を改善することができ、ＥＵＶ光エネルギの低下やレーザ装置の破損を抑制できる。

７．実施形態２：第２実施形態に係るターゲット供給装置の説明
７．１ 構成
図１７に、第２実施形態の構成を示す。図１７が図２と異なる点は、ノズル８０から連続して吐出されるドロップレット１３６のドロップレット間隔ｄの説明が加えられている点である。

第２実施形態は、第１実施形態で説明した制御部７０における通過タイミング信号の処理内容に代えて、以下に説明する処理内容を採用してもよい。すなわち、第２実施形態の制御部７０は、ドロップレットの通過タイミングの時間間隔から、ドロップレット間の距離、つまり空間的間隔であるドロップレット間隔ｄを算出してもよい。ドロップレット間の距離を示すドロップレット間隔は、「ドロップレット間距離」又は「ドロップレットスペース」と同義である。

７．２ 動作
第２実施形態におけるメインのフローチャートは、図１２と同様のフローチャートを採用し得る。

図１８は、第２実施形態におけるデューティ調整の処理に関する内容を示したフローチャートである。図１４で説明した第１実施形態のデューティ調整のフローチャートに代えて、図１８のフローチャートを採用し得る。

第２実施形態における制御部７０は、ステップＳ３１において、ノズル径と、ターゲット供給部１８に供給される所定圧力より圧力損失を見積もり、実効圧力Ｐ_ｅを算出してもよい。所定圧力は、タンク８２の設定圧力としての設定値でもよいが、ターゲット供給部１８のタンク８２内の圧力を検出する図示しないセンサによって検出してもよい。

ステップＳ３２において、制御部７０は、実効圧力Ｐ_ｅと、スズ密度ρよりドロップレットの吐出速度ｖを算出してもよい。吐出速度ｖは、ｖ＝ＳＱＲＴ（２×Ｐ_ｅ／ρ）の式を用いて算出し得る。「ＳＱＲＴ（ ）」は、（ ）の平方根を表す。

ステップＳ３３において、制御部７０は、吐出速度ｖとドロップレット検出装置７６による検出周波数ｆ_ｄから、予測ドロップレット間隔ｄ_ｐを算出してもよい。予測ドロップレット間隔ｄ_ｐは、ｄ_ｐ＝ｖ／ｆ_ｄの式を用いて算出し得る。なお、ピエゾ駆動周波数ｆ_ｐは、検出周波数ｆ_ｄの自然数倍の値となり得る。つまり、自然数ｍとして、ｆ_ｐ＝ｍ×ｆ_ｄの関係が成立し得る。ピエゾ駆動周波数でノズル８０から出力されたドロップレットは、落下途中でｍ個が合体した後、その合体したドロップレットがドロップレット検出装置７６によって検出され得る。この場合のｍは、ＥＵＶ光生成周波数に基づいて設定されてもよい。ＥＵＶ光生成周波数は、概ね検出周波数ｆ_ｄに等しいものとなり得る。

よって、ステップＳ３３において、制御部７０は、吐出速度ｖとピエゾ駆動周波数ｆ_ｐから、予測ドロップレット間隔ｄ_ｐを算出してもよい。

予測ドロップレット間隔ｄ_ｐは、ｄ_ｐ＝ｍ×ｖ／ｆ_ｐの式を用いて算出し得る。予測ドロップレット間隔ｄ_ｐは、「予測ドロップレット間距離」の一形態に相当し得る。

ステップＳ３４において、制御部７０は、ドロップレット間隔の上限値と下限値を設定してもよい。例えば、制御部７０は、ステップＳ３３で求めた予測ドロップレット間隔ｄ_ｐ±１５％をドロップレット間隔の上限値と下限値としてもよい。つまり、制御部７０は、予測ドロップレット間隔ｄ_ｐ±１５％の範囲を、ドロップレット間隔の適正レンジとして設定してもよい。

ステップＳ３４の処理は、「ドロップレット間距離の適正レンジを設定する処理」の一形態に相当し得る。ドロップレット間隔の適正レンジは、ドロップレットの適正なドロップ間距離として許容される範囲となり得る。

なお、図１８のフローチャートでは、ステップＳ３４に先立って、ドロップレット間隔の上限値と下限値を設定する基準として、ステップＳ３３において予測ドロップレット間隔ｄ_ｐを算出する例が示されている。しかし、制御部７０は、ステップＳ３３の処理を実施することなく、ステップＳ３４において、ドロップレット間隔の上限値と下限値を適宜の方法で設定してもよい。

ステップＳ３５において、制御部７０は、デューティ調整部１５４にデューティＡ［％］を設定してもよい。ここでの「Ａ」はデューティの値を表す変数パラメータである。制御部７０は、例えば、初期値としてＡ＝１［％］を設定してもよい。なお、初期値は１［％］に限らず、適宜の値に設定し得る。

ステップＳ３６において、デューティ調整部１５４は、設定されたデューティＡ［％］に基づいてピエゾ電源９６を駆動し得る。デューティＡ［％］の設定に基づきピエゾ電源９６を駆動することにより、ドロップレットが生成され、ドロップレット検出装置７６から通過タイミング信号が出力され得る。

ドロップレット間隔計測部１５２は、通過タイミング信号が入力されると、ドロップレットの各々の通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）を計測してもよい。Ｎは、予め定めておくことができる任意の自然数である。Ｎは、３以上５０以下とすることができる。一例として、Ｎ＝５でもよい。

制御部７０は、ドロップレットの吐出速度ｖと、各々の通過タイミング間隔Ｔ（１）、Ｔ（２）、・・・Ｔ（Ｎ）から、ドロップレット間隔DLspace（１）、DLspace（２）、・・・DLspace（Ｎ）を求めてもよい。１からＮまでの自然数ｋに対して、ドロップレット間隔DLspace（ｋ）は、DLspace（ｋ）＝ｖ×Ｔ（Ｎ）の式から求めることができる。

ドロップレット間隔DLspace（１）、DLspace（２）、・・・DLspace（Ｎ）の各々は、「ドロップレット間距離計測値」の一形態に相当し得る。制御部７０がドロップレット間隔DLspace（１）、DLspace（２）、・・・DLspace（Ｎ）を求める処理は、「通過時間間隔計測値からドロップレット間距離を表すドロップレット間距離計測値を算出する処理」の一形態に相当し得る。

ステップＳ３７において、制御部７０は各々のDLspace（１）、DLspace（２）、・・・DLspace（Ｎ）から、最大ドロップレット間隔ｄmax、最小ドロップレット間隔ｄmin、ドロップレット間隔の平均値ｄav及びドロップレット間隔のばらつきDLsigmaを算出してもよい。DLsigmaは、標準偏差の３σ値としてもよい。

制御部７０は、算出したｄmax、ｄmin、ｄav及びDLsigmaのそれぞれをデューティＡ［％］に対応付けて、ｄmax（Ａ）、ｄmin（Ａ）、ｄav（Ａ）、及びDLsigma（Ａ）として記憶してもよい。ステップＳ３７に係る処理については、図１９を用いて後述する。

制御部７０は、例えばＡ＝１〜９９［％］まで、１［％］の刻みで順次にデューティＡの設定を変更して、各デューティＡについて、ステップＳ３６及びステップＳ３７の処理を実施してよい。

すなわち、ステップＳ３８において、制御部７０は、ピエゾ素子８８を駆動するピエゾ電源９６のデューティＡをＡ＋１に変更してもよい。ステップＳ３８により、Ａ＋１の値が新たにデューティＡとしてセットされる。ステップＳ３８の後、制御部７０はステップＳ３９に移行してもよい。

ステップＳ３９において、制御部７０は、デューティＡが９９［％］を超えたか否かを判定してもよい。制御部７０は、ステップＳ３９においてデューティＡが９９［％］以下であると判定した場合は、ステップＳ３６に戻ってもよい。デューティＡが９９［％］を超えるまで、ステップＳ３６からステップＳ３９の処理が繰り返されてもよい。

制御部７０は、ステップＳ３９においてデューティＡが９９［％］を超えたと判定した場合は、ステップＳ４０に移行してもよい。

ステップＳ４０において、制御部７０は、各デューティＡ［％］に対応付けて記憶したデータを基に、デューティの最適値を決定し、この決定した最適値を最適デューティ値としてデューティ調整部１５４に設定してもよい。

制御部７０は、記憶したデータの中で、ｄmax（Ａ）、ｄmin（Ａ）及びｄav（Ａ）がドロップレット間隔の適正レンジ内にあるデータ群を抽出して、抽出したデータ群の中で最小のDLsigma(Ａ)であるデューティＡを最適値に決定してもよい。ドロップレット間隔の適正レンジは、ステップＳ３４にて定められた上限値と下限値で規定される範囲とすることができる。

ステップＳ４０において、最適デューティ値が設定されると、制御部７０は、図１８の調整処理を終了し、図１２のフローチャートに復帰してもよい。

その後、デューティ調整部１５４は、設定されたデューティに基づいてピエゾ電源９６を駆動し得る。

上述のように、制御部７０は、ステップＳ３８においてデューティ値を変えながら、複数のデューティ値の各々において、ステップＳ３７の処理を行い得る。かかる構成は「各デューティ値において生成されるドロップレットのドロップレット間距離計測値及びドロップレット間距離計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理」の一形態に相当し得る。ステップＳ３７において記憶されるｄmax（Ａ）及びｄmin（Ａ）の各々は、デューティ値に対応付けて記憶される「ドロップレット間距離計測値」の一形態に相当し得る。ステップＳ４０において制御部７０が決定する「最適デューティ値」は「加振素子の動作に適した電気信号のデューティ値である動作デューティ値」の一形態に相当し得る。ステップＳ４０の処理は、「動作デューティ値を決定する処理」の一形態に相当し得る。

図１９は、図１８のステップＳ３７における処理を示すフローチャートである。図１９のステップＳ４１において、制御部７０は、パラメータＮを初期値であるＮ＝１に設定してもよい。

ステップＳ４２において、制御部７０は、ドロップレット間隔DLspace（Ｎ）の計測値を記録してもよい。

ステップＳ４３において、制御部７０は、Ｎの値を「＋１」インクリメントし、Ｎ＋１の値を新たにパラメータＮの値としてもよい。

ステップＳ４４において、制御部７０はＮの値が、予め定められている規定値であるＮmaxを超えたか否かを判定してもよい。Ｎmaxは、通過タイミング間隔の最大計測回数よりも大きい任意の整数に設定することができる。例えば、Ｎmaxは、４から５１の範囲の適宜の値に設定してもよい。

制御部７０は、ステップＳ４４において、Ｎ≦Ｎmaxであると判定した場合には、ステップＳ４２に戻ってもよい。

一方、ステップＳ４４において、制御部７０はＮ＞Ｎmaxであると判定した場合に、ステップＳ４５に移行してもよい。

ステップＳ４５において、制御部７０は、DLspace（０）〜DLspace（Ｎ）のデータを使用し、ｄmax（Ａ）、ｄmin（Ａ）、ｄav（Ａ）、及びDLsigma（Ａ）を算出してもよい。制御部７０は、算出したｄmax（Ａ）、ｄmin（Ａ）、ｄav（Ａ）、及びDLsigma（Ａ）を記憶してもよい。

制御部７０は、ステップＳ４５の後、図１８のフローチャートに復帰してもよい。

図１６Ａ及び図１６Ｂで例示的に説明したように、制御部７０は、デューティ調整部１５４から供給する矩形波のＯＮ時間を変更することにより、デューティを変化させ、各デューティでのドロップレット間隔DLspace（１）〜DLspace（Ｎ）を計測し得る。制御部７０は、デューティごとに計測したドロップレット間隔DLspace（１）〜DLspace（Ｎ）から、そのデューティでのドロップレット間隔のばらつきDLsigmaを算出し得る。

例えば、制御部７０は、デューティＡ［％］の設定を１％から９９％まで変更して、各デューティ値について、ドロップレット間隔DLspace（１）〜DLspace（Ｎ）の計測と、ドロップレット間隔のばらつきDLsigmaの計算を実施してもよい。そして、制御部７０は、計測したDLspace（１）〜DLspace（Ｎ）が適正レンジの上限値と下限値の範囲内にあり、かつDLsigmaが最も小さいデューティの値を最適デューティ値として設定してもよい。

７．３ 作用・効果
第２実施形態によれば、合体不良のドロップレットが生成したり、サテライトが生成したりしても、これを検出して適正なドロップレット出力を行えるピエゾ駆動波形のデューティ値を適用し得る。これにより、ドロップレットの合体不良やサテライトの生成を改善することができ、ＥＵＶ光エネルギの低下やレーザ装置の破損を抑制できる。

８．実施形態３：第３実施形態に係るターゲット供給装置の説明
８．１ 構成
図２０及び図２１に、第３実施形態の構成を示す。図２０及び図２１において、第１実施形態に対して追加した部分を以下に説明する。

第３実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１２は、ドロップレット画像検出部１６０を含んでもよい。ターゲット供給装置７８は、ドロップレット検出装置７６とドロップレット画像検出部１６０とを含んでもよい。ドロップレット画像検出部１６０は、光源部１７０と受光部１９０とを含んでいてもよい。

光源部１７０と受光部１９０とは、ターゲット進行経路を挟んで互いに対向配置されてもよい。光源部１７０と受光部１９０との対向方向は、ターゲット進行経路と直交してもよい。図２０では、光源部１７０と受光部１９０との対向方向がＹ方向に直交する方向（Ｘ軸方向）である例が記載されているが、図２０の記載は、光源部１７０と受光部１９０との対向方向を限定するための記載ではない。

光源部１７０は、光源１７２と照明光学系１７４を含み、ターゲット供給部１８のノズル８０とプラズマ生成領域２６の間の軌道上の所定の位置のドロップレットを照明するように配置してもよい。光源１７２は、例えば、キセノンフラッシュランプやレーザ光源等のパルス点灯する光源であってもよい。

光源１７２は、制御部７０と接続されてもよい。光源１７２には、制御部７０から出力された「光源点灯信号」が入力されてもよい。

制御部７０から出力される光源点灯信号は、所定のタイミングで光源１７２がパルス点灯するよう光源１７２の動作を制御するための制御信号であってもよい。光源１７２は、制御部７０から与えられる光源点灯信号に基づいてパルス光を発光してもよい。

照明光学系１７４は、集光レンズ１７６とウインドウ１７８を含んでもよい。照明光学系１７４は、コリメータ等の光学系であってよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。照明光学系１７４は、光源１７２から出力されたパルス光を、ターゲット進行経路上のドロップレット１３６に導いてもよい。

受光部１９０は、転写光学系１９２とイメージセンサ１９４を含み、光源部１７０から出力されたパルス光である照明光１８０を受光するように配置してもよい。イメージセンサ１９４は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等の２次元イメージセンサであってもよい。

転写光学系１９２はウインドウ１９６と、一対のレンズ１９８Ａ、１９８Ｂとを含んでもよい。レンズ１９８Ａ、１９８Ｂは、凸面レンズでも凹面レンズでもよい。転写光学系１９２は、ウインドウ１９６を介して導かれたドロップレット１３６の影を、イメージセンサ１９４の受光面に結像してもよい。

イメージセンサ１９４は、転写光学系１９２によって結像されたドロップレット１３６の影の像を、撮像してもよい。イメージセンサ１９４は、図示しないシャッタを備えていてもよい。シャッタは、電気的シャッタであってもよいし、機械的シャッタであってもよい。イメージセンサ１９４は、図示しないシャッタが開いている間のみ撮像するようにしてもよい。

また、ドロップレット画像検出部１６０は、画像取得コントローラ２００を含んでもよい。画像取得コントローラ２００は、イメージセンサ１９４と接続されてもよい。画像取得コントローラ２００は、制御部７０と接続されてもよい。イメージセンサ１９４は、画像取得コントローラ２００を介して制御部７０と接続されてもよい。

画像取得コントローラ２００は、制御部７０の指令にしたがい、イメージセンサ１９４による撮像動作とイメージセンサ１９４からの画像信号の取得動作とを制御してもよい。画像取得コントローラ２００は、イメージセンサ１９４から得られる画像信号を処理して、制御部７０への受け渡しに適したデータ形式の画像データを生成する画像処理機能を有していてもよい。

イメージセンサ１９４には、画像取得コントローラ２００から出力された「撮像タイミング信号」が入力されてもよい。撮像タイミング信号は、所定のタイミングでイメージセンサ１９４がドロップレット１３６の影の像を撮像するようイメージセンサ１９４の動作を制御するための制御信号であってもよい。

イメージセンサ１９４は、制御部７０の撮像タイミング信号に基づいてドロップレット１３６の影の像を撮像してもよい。そして、イメージセンサ１９４は、撮像したドロップレット１３６の影の像に係る画像データを生成してもよい。

イメージセンサ１９４は、生成した画像データを、画像取得コントローラ２００に出力してもよい。画像取得コントローラ２００は、イメージセンサ１９４が撮像した画像データを制御部７０に出力してもよい。ドロップレット画像検出部１６０から出力された画像データを「出力画像」と呼ぶ。制御部７０は、ドロップレット画像検出部１６０の出力画像からドロップレット１３６の状態を計測し得る。

図２１は、第３実施形態における制御システム２１０のブロック図が示されている。図２１に示すように、制御部７０は、画像計測部２１２を備えてもよい。ドロップレット画像検出部１６０は、制御部７０の画像計測部２１２に接続されてよい。

画像計測部２１２は、ドロップレット画像検出部１６０からの出力画像に基づいて、合体不良ドロップレットやサテライトの有無を検出する回路であってよい。或いは、制御部７０の内部に保持された、制御部７０が実行可能なプログラムであってよい。

８．２ 動作
画像計測部２１２は、ドロップレット画像検出部１６０から出力画像を取得してよい。図２２Ａは、正常なドロップレット吐出状態が撮像された出力画像の例を示す図である。図２２Ａにおける横軸は、出力画像の水平方向の画素位置を表す。図２２Ａの横軸であるｘ軸は、図２で定義したＺ軸と平行な方向の位置を示す座標軸に相当する。図２２Ａにおける縦軸は、出力画像の垂直方向の画素位置を表す。図２２Ａの縦軸であるｙ軸は、図２で定義したＹ軸と平行な方向の位置を示す座標軸に相当する。ドロップレット画像検出部１６０からの出力画像は、ＺＹ平面に平行な面の２次元画像となり得る。ドロップレットの吐出方向は、図２２Ａの上から下に向かう方向である。

図２２Ａに示した出力画像の中央部分に示されている縦方向に伸びる線状の影２１６は、ドロップレットの通過によって発生したものである。画像計測部２１２は、出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルを生成してよい。判定ラインは、出力画像におけるｘ軸方向に平行なラインとしてもよい。判定ラインは、線状の影２１６と交差する適宜のｙ座標に設定し得る。例えば、判定ラインは、出力画像におけるｙ方向の画像範囲の中央部に設定してもよい。

図２２Ｂは、図２２Ａに示した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルの例を示している。図２２Ｂの横軸は判定ラインにおける画素座標、つまりＺ方向の画素位置を表している。図２２Ｂの縦軸は出力画像におけるドロップレットの検出強度を表している。

図２３Ａは、サテライトが発生した状態が撮像された出力画像の例を示す図である。図２３Ａの横軸及び縦軸は図２２Ａの横軸及び縦軸の定義と同じである。図２３Ｂは、図２３Ａに示した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルの例を示している。図２３Ｂの横軸及び縦軸は図２２Ｂの横軸及び縦軸の定義と同じである。図２３Ｂに示されているように、サテライトが発生している場合には、断面プロファイルにおいて、複数のピークが検出され得る。

画像計測部２１２は、断面プロファイルが単一のピークを持つかどうか検出し、その結果を制御部７０に出力してもよい。制御部７０は、断面プロファイルが単一ピーク以外の場合、サテライト発生と判断し、ピエゾ素子８８の駆動信号のデューティ調整を実施してもよい。他の動作は、実施形態１又は実施形態２と同様でよい。

図２４は、第３実施形態における制御部７０の動作の例を示すフローチャートである。図２４に示したフローチャートは、図１２で説明した第１実施形態のフローチャートにおけるステップＳ２及びステップＳ６に代えて、ステップＳ５２及びステップＳ５６を採用してもよい。図２４に示したフローチャートのステップＳ５１、Ｓ５３〜Ｓ５５、Ｓ５７及びＳ５８は、図１２に示したフローチャートのステップＳ１、Ｓ３〜５、Ｓ７及びＳ８と同様の工程としてもよい。

制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲット供給装置７８に起動信号が入力されると、図２４のフローチャートに示した処理を開始してもよい。ステップＳ５１において、制御部７０は、通過タイミング信号検出を開始してもよい。また、制御部７０の画像計測部２１２は、ドロップレット画像検出部１６０から出力画像の取得を開始してもよい。

ステップＳ５２において、画像計測部２１２は、取得した出力画像の判定ラインにおける断面プロファイルが単一のピークを持つか否かを判定してもよい。ステップＳ５２の判定工程において、画像計測部２１２は、断面プロファイルが単一ピークであることを確認すると、ステップＳ５３に移行してもよい。一方、ステップＳ５２において、画像計測部２１２が複数のピークを検出した場合は、ステップＳ５８に移行してもよい。

ステップＳ５３において、制御部７０は、通過タイミング信号による発光トリガの生成を開始してもよい。発光トリガの生成が開始されると、遅延回路７２は通過タイミング信号に所定の遅延時間ｔ_ｄの遅延を与えて発光トリガを生成してもよい。

ステップＳ５４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っているか否かを判定してもよい。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から得られる信号を基に、ステップＳ５４の判定を行ってもよい。

ステップＳ５４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っていると判定した場合に、ステップＳ５３に戻ってもよい。一方、制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から制御部７０に発光トリガ停止信号が入力されるなどして、ステップＳ５４において、ＥＵＶ光が所定の安定度を保っていないと判定した場合に、ステップＳ５５に移行してもよい。

ステップＳ５５において、制御部７０は、発光トリガの生成を停止してもよい。発光トリガの生成が停止されると、レーザ装置１４からのパルスレーザ光の出力が停止され、ＥＵＶ光の生成が停止される。

ＥＵＶ光生成を再開する場合には、制御部７０は、ステップＳ５６において、断面プロファイルを確認後、複数ピークを有する場合は、ステップＳ５８のデューティ調整を実施してもよい。ステップＳ５８のデューティ調整においては、第１実施形態の図１４で説明したデューティ調整を実施してもよい。或いは、ステップＳ５８のデューティ調整においては、第２実施形態の図１８で説明したデューティ調整を実施してもよい。

その一方、制御部７０は、ステップＳ５６において、断面プロファイルが単一ピークであることを確認した場合は、ステップＳ５７に移行してもよい。

ステップＳ５７において、制御部７０は、ステップＳ５８のデューティ調整以外の性能調整を実施してもよい。ステップＳ５７の後、制御部７０は、ステップＳ５３に戻り、発光トリガの生成を再開してもよい。図２４のフローチャートは、ＥＵＶ光生成制御部４０からの割り込み処理によって、任意のタイミングで終了可能である。

９．実施形態４：第４実施形態に係るターゲット供給装置の説明
９．１ 構成
第４実施形態に係るターゲット供給装置は、第１実施形態及び第２実施形態で説明したドロップレット検出装置７６における受光部１２０の光センサ１２４の変形例である。以下、第１実施形態及び第２実施形態との相違点について説明する。第４実施形態における受光部１２０の光センサ１２４は、複数の受光面を含む構成であってもよい。

図２５は、第４実施形態における受光部１２０に採用し得る光センサ１２４の構成例を示す図である。例えば、図２５に示すように、光センサ１２４は、６つの受光面２３１〜２３６を備えてもよい。或いは、光センサ１２４は、隣接した複数の光センサによって構成してもよい。光センサ１２４は、ダイオードアレイ、アバランシェフォトダイオードアレイ（ＡＰＤアレイ）、又はＰＩＮフォトダイオードでもよい。或いは、光センサ１２４は、複数のフォトダイオード又は複数のアバランシェフォトダイオードから構成されてもよい。

光源部１７０から出射される照明光１８０の像は、複数の受光面２３１〜２３６の望ましくは全てに渡って結像されてよい（図２６及び図２７参照）。

制御部７０は、受光面２３１〜２３６それぞれが出力する通過タイミング信号をそれぞれ入力するコンパレータ２４１〜２４６を備えてもよい。受光面２３１〜２３６から出力される各通過タイミング信号は、各コンパレータ２４１〜２４６の例えばＶin−端子に入力されるようにしてもよい。

制御部７０は、閾値電圧発生器２５０を備えてもよい。閾値電圧発生器２５０には、各コンパレータ２４１〜２４６のＶin＋端子が接続されてもよい。

制御部７０は、制御回路２５２を備えてもよく、制御回路２５２の入力端子にはコンパレータ２４１〜２４６の出力端子が接続されてもよい。

９．２ 動作
図２６は、正常なドロップレット吐出状態を捉えた光センサ１２４を受光面側から見た説明図である。図２６は、図２５に示した光センサ１２４を矢印Ｃの方向から見たＣ矢視図に相当する。図２６に示すように、照明光１８０の照射領域の像は、光センサ１２４における６つの受光面２３１〜２３６の全てに渡って結像されてよい。ドロップレットが照明光１８０の照射領域を通過すると、複数の受光面２３１〜２３６のいずれかにドロップレットの影２６０を生成し得る。例えば、図２６のように、左から２番目の受光面２３２と３番目の受光面２３３にドロップレットの影２６０を生成し得る。

図２７は、光センサ１２４の各受光面２３１〜２３６の出力電圧と閾値電圧、並びに各コンパレータ２４１〜２４６の出力の例を示した図である。図２７において、縦方向の一点鎖線で区切った範囲が各受光面２３１〜２３６の出力に対応している。図２７では、受光面２３１〜２３６のそれぞれを第１受光面〜第６受光面と表記した。図２７における横軸は時間を表し、各受光面の出力に対応する範囲のそれぞれについて、同じ受光時間範囲を示している。図２７に示した各受光面２３１〜２３６の受光時間範囲は、ドロップレットの検出周波数ｆ_ｄの逆数としてもよい。

図２６に例示した状況の場合、光センサ１２４の第２受光面である受光面２３２と第３受光面である受光面２３３による出力は、図２７に示すように、ドロップレットの影２６０による光量変化に対応した信号を生成し得る。一方、他の受光面２３１及び受光面２３４〜２３６には影が生成されず、第１受光面である受光面２３１及び第４受光面〜第６受光面である受光面２３４〜２３６の各々の出力は、例えば第６受光面である受光面２３６の出力の様に照明光１８０を受光している状態におけるノイズレベルであってよい。

光センサ１２４の受光面２３２と受光面２３３からの出力は、コンパレータ２４２とコンパレータ２４３において閾値電圧と比較され、Ｖin＋＞Ｖin−である期間、コンパレータ２４２とコンパレータ２４３の出力はＨｉｇｈレベルとなる。一方、他のコンパレータ２４１及びコンパレータ２４４〜２４６の出力は、Ｌｏｗレベルであってよい。閾値電圧はドロップレットの影２６０による光量低下を検出でき、かつ、ノイズを検出しないよう予め実験等によって決定し、閾値電圧発生器２５０に設定しておくとよい。

９．３ 作用・効果
光センサ１２４が複数の受光面２３１〜２３６を持ち、それぞれの出力レベルを計測する構成を採用することにより、以下に示すように、サテライトの発生を検知することが可能となる。

図２８は、サテライト発生時のドロップレット吐出状態を捉えた光センサ１２４を受光面側から見た説明図である。図２８に示すように、ドロップレットとサテライトが照明光１８０の照射領域を通過すると、複数の受光面２３１〜２３６のいずれかにドロップレットの影２６０とサテライトの影２６２を生成し得る。例えば、図２８のように、受光面２３２と受光面２３３にドロップレットの影２６０が生成され、受光面２３５にサテライトの影２６２が生成され得る。

図２９は、サテライト発生時のドロップレット吐出状態における光センサ１２４の各受光面２３１〜２３６の出力電圧と閾値電圧、並びに各コンパレータ２４１〜２４６の出力の例を示した図である。図２８に例示した状況の場合、光センサ１２４の受光面２３２、２３３及び２３５による出力は、図２９に示すように、ドロップレットの影２６０とサテライトの影２６２による光量変化に対応した信号を生成し得る。一方、他の受光面２３１、２３４及び２３６には影が生成されず、受光面２３１、２３４及び２３６の各々の出力は、例えば受光面２３６の出力の様に照明光１８０を受光している状態におけるノイズレベルとなり得る。

図２８及び図２９に例示した状況を含め、サテライト発生時のドロップレット吐出状態は、制御回路２５２にて、以下の状態［１］〜［３］のいずれかに該当することで検出可能である。

［１］１つのコンパレータの出力レベルと、隣接しないコンパレータの出力レベルがＨｉｇｈレベルである。

［２］隣接する２つのコンパレータの出力レベルとその２つに隣接しない１つのコンパレータの出力レベルがＨｉｇｈレベルである（図２９参照）。

［３］隣接する３つのコンパレータの出力レベルがＨｉｇｈレベルである。

また、正常なドロップレット吐出状態は、制御回路２５２にて、以下の状態［４］又は［５］のいずれかに該当することで検出可能である。

［４］コンパレータの出力レベルが１つのみＨｉｇｈレベルである。

［５］隣接する２つのコンパレータの出力レベルがＨｉｇｈレベルである（図２７参照）。

図３０は、第４実施形態における制御部７０の動作を示すフローチャートである。図３０に示したフローチャートは、図１２で説明した第１実施形態のフローチャートにおけるステップＳ２及びステップＳ６に代えて、ステップＳ６２及びステップＳ６６を採用してもよい。図３０に示したフローチャートのステップＳ６１、Ｓ６３〜Ｓ６５、Ｓ６７及びＳ６８は、図１２に示したフローチャートのステップＳ１、Ｓ３〜５、Ｓ７及びＳ８と同様の工程としてもよい。

制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０からターゲット供給装置７８に起動信号が入力されると、図３０のフローチャートに示した処理を開始してもよい。ステップＳ６１において、制御部７０は、通過タイミング信号検出を開始してもよい。

ステップＳ６２において、制御部７０は、光センサ１２４の各受光面２３１〜２３６からの出力が規定状態か否かを判定してもよい。ステップＳ６２の判定基準となる「規定状態」は、正常なドロップレット吐出の検出状態としてよく、例えば上述した状態［４］又は［５］のいずれかの条件を満たした状態として定めておいてもよい。

ステップＳ６２において、制御部７０は、光センサ１２４の各受光面からの出力値がそれぞれの規定範囲内であることを確認すると、ステップＳ６３に移行してもよい。一方、ステップＳ６２において、制御部７０は、光センサ１２４の各受光面２３１〜２３６からの出力が規定状態にないことを検出した場合は、ステップＳ６８に移行してもよい。例えば上述した状態［４］又は［５］のいずれの条件も満たさない場合、或いは上述した状態［１］〜［３］のいずれの条件を満たす場合、ステップＳ６８に移行してもよい。ステップＳ６８におけるデューティ調整においては、図１４のフローチャートで説明したデューティ調整と同様の内容を実施してもよい。また、ステップＳ６８におけるデューティ調整においては、図１８のフローチャートで説明したデューティ調整と同様の内容を実施してもよい。

ステップＳ６３において、制御部７０は、通過タイミング信号による発光トリガの生成を開始してもよい。発光トリガの生成が開始されると、遅延回路７２は通過タイミング信号に所定の遅延時間ｔ_ｄの遅延を与えて発光トリガを生成してもよい。

ステップＳ６４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っているか否かを判定してもよい。制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から得られる信号を基に、ステップＳ６４の判定を行ってもよい。

ステップＳ６４において、制御部７０は、ＥＵＶ光生成装置によって生成されるＥＵＶ光が所定の安定度を保っていると判定した場合に、ステップＳ６３に戻ってもよい。一方、制御部７０は、ＥＵＶ光生成制御部４０から制御部７０に発光トリガ停止信号が入力されるなどして、ステップＳ６４において、ＥＵＶ光が所定の安定度を保っていないと判定した場合に、ステップＳ６５に移行してもよい。

ステップＳ６５において、制御部７０は、発光トリガの生成を停止してもよい。発光トリガの生成が停止されると、レーザ装置１４からのパルスレーザ光の出力が停止され、ＥＵＶ光の生成が停止される。

ＥＵＶ光生成を再開する場合には、制御部７０は、ステップＳ６６において、光センサ１２４の各受光面の出力が規定状態を満たすか否か確認後、各受光面の出力が規定状態を満たさない場合に、ステップＳ６８のデューティ調整を実施してもよい。

その一方、制御部７０は、ステップＳ６６において、光センサ１２４の各受光面の出力が規定状態を満たすことを確認した場合は、ステップＳ６７に移行してもよい。

ステップＳ６７において、制御部７０は、ステップＳ６８のデューティ調整以外の性能調整を実施してもよい。ステップＳ６７の後、制御部７０は、ステップＳ６３に戻り、発光トリガの生成を再開してもよい。

図３０のフローチャートは、ＥＵＶ光生成制御部４０からの割り込み処理によって、任意のタイミングで終了可能である。

１０．実施形態５：第５実施形態に係るターゲット供給装置の説明
１０．１ 構成
図３１に、第５実施形態の構成を示す。図３１において、第１実施形態又は第２実施形態から変更した部分を以下に説明する。

図３１に示したように、ノズル８０の外側部にヒータ２８０を組み付け、ヒータ２８０にノズル温度センサ２８２を組み付けてもよい。ヒータ２８０はヒータ電源２８４に接続されてもよい。ノズル温度センサ２８２とヒータ電源２８４は、温度制御部９４に接続されてもよい。

１０．２ 動作
温度制御部９４は、ノズル温度センサ２８２から得られる温度情報を基に、ノズル８０を、例えば、規定温度±０．１℃の範囲内で温度制御してもよい。また、ノズル８０に、図示しない冷却配管とチラーを接続し、温度制御部９４がチラー内の冷却水を所定の温度範囲内で温度制御してもよい。

１０．３ 作用・効果
ノズル８０を高精度に温度制御することにより、ドロップレット生成間隔がより安定化する。これにより、通過タイミング間隔のばらつきＴsigma（Ａ）及びドロップレット間隔のばらつきDLsigma（Ａ）は低下するので、より高精度な最適デューティ値を選定することが可能となる。また、ノズル８０の高精度温度制御は、サテライトの発生を抑制することにも寄与する。第５実施形態で説明したノズル８０の温度制御を行う構成は、第３実施形態又は第４実施形態と組み合わせて適用し得る。

１１．実施形態６：第６実施形態に係るターゲット供給装置の説明
１１．１ 構成
図３２は、第６実施形態に係るターゲット供給装置における制御システムの構成を示したブロック図である。図１０で説明した構成に代えて、図３２に示す構成を採用し得る。図３２に示すように、制御部７０は、圧力調節器９０に設定する目標圧力を再設定する信号を送信するよう構成されてもよい。圧力調節器９０は、制御部７０によって設定された目標圧力にしたがいタンク８２の圧力を調節してもよい。

１１．２ 動作
制御部７０は、図１２のステップＳ８において、図１４で説明したデューティ調整の処理に代えて、図３３に示すサブルーチンを実行してもよい。

図３３は、図１２のステップＳ８におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。図３３について図１４のフローチャートとの相違点を説明する。図３３のフローチャートでは、ステップＳ１７とステップＳ１８の間にステップＳ７１からステップＳ７４の工程が追加されている。

制御部７０はステップＳ１７の判定処理において「Ｙｅｓ」と判定した場合に、ステップＳ７１に移行してもよい。ステップＳ７１において制御部７０は、ステップＳ１５にて記憶したデータの中に適正レンジ内にあるデータがあるか否かを判定してもよい。制御部７０は、ステップＳ７１において適正レンジ内にあるデータが存在すると判定した場合は、ステップＳ１８に移行してもよい。

その一方、制御部７０は、ステップＳ７１において適正レンジ内にあるデータが存在しないと判定した場合は、ステップＳ７２に移行してよい。ステップＳ７２において、制御部７０は、圧力調節器９０の目標圧力Ｐ_ｔを再設定してもよい。ステップＳ７１の判定処理において「Ｎｏ」の判定となる場合は、「複数のデューティ値のうち、通過時間間隔計測値が適正レンジ内に入るデューティ値が不存在である場合」の一形態に相当する。

ステップＳ１１からステップＳ１７の処理を実行し、一度最適デューティを探索して、デューティＡごとにＴmax（Ａ）等のデータ群を記憶したものの、いずれのデューティにおけるデータもドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジ内に無い場合がある。その場合、制御部７０は、タンク８２の圧力を下げるために圧力調節器９０を制御する目標圧力を再設定し得る。このために、制御部７０には予め圧力修正量ΔＰが記憶されていてもよい。例えば、圧力修正量ΔＰは正の値であり、１ＭＰａから１０ＭＰａの範囲から定めた適宜の値とすることができる。制御部７０は、現在設定されている目標圧力Ｐ_ｔから圧力修正量ΔＰだけ下げた圧力（Ｐ_ｔ−ΔＰ）を新たな目標圧力Ｐ_ｔとして再設定してもよい。

これは、ステップＳ１３からステップＳ１７の処理によるデューティ調整を実施したものの、全てのデューティＡにおいてドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジ内に入るものが無い場合、タンク８２の圧力を下げる動作に相当する。タンク８２の圧力を下げることによりノズル孔８０ａから吐出されるドロップレット速度が低下し、吐出から複数ドロップレット合体完了までの距離が短縮される。吐出から複数ドロップレット合体完了までの距離を「合体距離」という。

タンク８２の圧力を下げると合体距離が短くなるため、複数のドロップレットはドロップレット検出装置７６の検出領域のドロップレット軌道上流で合体完了するようになる。ドロップレット検出装置７６の検出領域は、プラズマ発光点となるプラズマ生成領域２６よりもドロップレット軌道の上流に位置する。タンク８２の圧力を下げることによって、合体距離が短縮され、プラズマ生成領域２６でのドロップレットの合体不良を解消し得る。

制御部７０は、ステップＳ７２において圧力調節器９０を制御する目標圧力を再設定した後に、ステップＳ７３に移行してよい。ステップＳ７３において制御部７０は、再設定した目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回ったかどうか判定してもよい。このために、制御部７０には予め圧力下限Ｐ_ｃが記憶されていてもよい。具体的な数値の一例として、例えば、圧力下限Ｐ_ｃは１０ＭＰａと定められている。制御部７０は、再設定した目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回っていなければ、ステップＳ１３に戻り、タンク８２の圧力を変更した状態で再度、ステップＳ１３からステップＳ１７の処理による最適デューティの探索を実施してもよい。

一方、ステップＳ７３において制御部７０は、再設定した目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回っていた場合は、ステップＳ７４に移行してＥＵＶ光生成制御部４０にデューティ調整続行不可を通知してもよい。タンク８２の圧力に依存したドロップレット速度には下限値が存在する。ドロップレット速度が低下するとドロップレット間距離が短くなり、レーザ光照射中のドロップレットによるプラズマが次に照射すべきドロップレットの軌道を乱す。どの程度軌道が乱れると出力ＥＵＶ光が露光性能に影響を及ぼすかによってドロップレット間距離が制限される。したがって、タンク８２の圧力にも下限が存在する。目標圧力の再設定の結果、圧力下限Ｐ_ｃを下回ってしまった場合、調整不能となる。よって、制御部７０は、目標圧力が圧力下限Ｐ_ｃを下回った場合、ＥＵＶ光生成制御部４０にデューティ調整続行不可を通知した後に、デューティ調整の制御を終了してもよい。

１１．３ 作用・効果
第６実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、第６実施形態によれば、ピエゾ素子８８に印加する駆動信号のデューティ調整を実施しても、最適なデューティを見出すことができずに、合体不良のドロップレットが発生している場合、これを検出してタンク８２の圧力を低下させる。タンク８２の圧力を下げることによりドロップレット流速が低下し、合体距離が短縮されることにより、合体不良を解消することができる。

具体的な事例として、タンク８２の圧力が４０ＭＰａであり、ドロップレット流速が約９０ｍ／ｓである条件の下でデューティ調整を実施した場合に、ドロップレットを安定的に合体させることができる最適なデューティ値を見出すことができないことがあった。この場合、タンク８２の圧力を３２ＭＰａに下げ、ドロップレット流速が約７９ｍ／ｓとなる条件の下でデューティ調整を実施すると最適なデューティ値を設定することができた。

第６実施形態によれば、ピエゾ素子８８に印加する駆動信号のデューティの調整に加え、必要に応じて、タンク８２の圧力を下げる調整を行うことにより、プラズマ生成領域２６の位置でのドロップレットの合体不良を解消することが可能である。

１２．実施形態７：第７実施形態に係るターゲット供給装置の説明
１２．１ 構成
第７実施形態の構成は図１７と同様であり、図３２で説明した制御システム１５０と同様の構成を採用し得る。

１２．２ 動作
第７実施形態では、図１２と同様のフローチャートを採用し得る。制御部７０は、図１２のステップＳ８において、図１８で説明したデューティ調整の処理に代えて、図３４に示すサブルーチンを実行してもよい。

図３４は、第７実施形態におけるデューティ調整の処理に関する内容を示したフローチャートである。図３４は、図１２のステップＳ８におけるデューティ調整の処理内容を示したフローチャートである。図１８で説明した第２実施形態のデューティ調整のフローチャートに代えて、図３４のフローチャートを採用し得る。図３４のフローチャートについて、図１８で説明したフローチャートとの相違点を説明する。

図３４のフローチャートでは、ステップＳ３９とステップＳ４０の間にステップＳ８１〜Ｓ８４が追加されている。ステップＳ８１〜Ｓ８４は、図３３に示したフローチャートのステップＳ７１〜Ｓ７４と同様の工程としてよい。

制御部７０はステップＳ３９の判定処理において「Ｙｅｓ」と判定した場合、ステップＳ８１に移行してもよい。ステップＳ８１において制御部７０は、ステップＳ３７にて記憶したデータの中に適正レンジ内にあるデータがあるか否かを判定してもよい。制御部７０は、ステップＳ８１において適正レンジ内にあるデータが存在すると判定した場合は、ステップＳ４０に移行してもよい。

その一方、制御部７０は、ステップＳ８１において適正レンジ内にあるデータが存在しないと判定した場合は、ステップＳ８２に移行してもよい。ステップＳ８２において、制御部７０は、圧力調節器９０の目標圧力Ｐ_ｔを再設定してもよい。ステップＳ８１の判定処理において「Ｎｏ」の判定となる場合は、「複数のデューティ値のうち、ドロップレット間距離計測値が適正レンジ内に入るデューティ値が不存在である場合」の一形態に相当する。

ステップＳ３１からステップＳ３９の処理を実行し、一度最適デューティを探索して、デューティＡごとにｄmax（Ａ）等のデータ群を記憶したものの、いずれのデューティにおけるデータもドロップレット通過タイミング間隔の適正レンジ内に無い場合がある。その場合、制御部７０は、タンク８２の圧力を下げるために圧力調節器９０を制御する目標圧力を再設定し得る。制御部７０には予め圧力修正量ΔＰが記憶されていてもよい。制御部７０は、現在設定されている目標圧力Ｐ_ｔから圧力修正量ΔＰだけ下げた圧力（Ｐ_ｔ−ΔＰ）を新たな目標圧力Ｐ_ｔとして再設定してもよい。制御部７０は、ステップＳ８２において圧力調節器９０を制御する目標圧力を再設定した後に、ステップＳ８３に移行してもよい。

ステップＳ８３において制御部７０は、再設定した目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回ったかどうか判定してもよい。制御部７０は、再設定した目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回っていなければ、ステップＳ３１に戻り、タンク８２の圧力を変更した状態で再度、ステップＳ３１からステップＳ３９の処理による最適デューティの探索を実施してもよい。なお、ステップＳ３１において既に説明した「所定圧力」は、目標圧力Ｐ_ｔにしたがって圧力調節器９０がタンク８２の圧力を調節することによって実現される圧力に相当する。簡易的には、実効圧力Ｐ_ｅを目標圧力Ｐ_ｔとしてもよい。

一方、ステップＳ８３において制御部７０は、再設定した目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回っていた場合は、ステップＳ８４に移行してＥＵＶ光生成制御部４０にデューティ調整続行不可を通知してもよい。制御部７０は、目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回った場合、ＥＵＶ光生成制御部４０にデューティ調整続行不可を通知した後に、デューティ調整の制御を終了してもよい。

１２．３ 作用・効果
第７実施形態によれば、第２実施形態と同様の効果が得られる。また、第７実施形態によれば、ピエゾ素子８８に印加する駆動信号のデューティ調整を実施しても、合体不良のドロップレットが発生している場合、これを検出してタンク８２の圧力を低下させる。タンク８２の圧力を下げることによりドロップレット流速が低下し、合体距離が短縮されることにより、合体不良を解消することができる。

１３．実施形態８：第８実施形態に係るターゲット供給装置の説明
１３．１ 構成
第８実施形態は、図３２で説明した制御システム１５０と同様の構成を採用し得る。

１３．２ 動作
図１２のステップＳ８に示されたデューティ調整の処理を実施して、一時的にドロップレットの合体不良が解消された場合でも、その後、再度合体不良が発生する場合がある。図３５に示すフローチャートを実行する第８実施形態によれば、そのような状況を改善可能なことがある。

図３５は、第８実施形態における制御部７０の動作の例を示すフローチャートである。制御部７０は、図１２に示したフローチャートに代えて、図３５に示すフローチャートを実行してもよい。図３５のステップＳ１０１〜Ｓ１０５は、図１２のステップＳ１〜Ｓ５と同様の工程を採用し得る。図３５のステップＳ１１６〜Ｓ１１７は、図１２のステップＳ６〜Ｓ７と同様の工程を採用し得る。また、図３５のステップＳ１２８は、図１２のステップＳ８と同様の工程を採用し得る。

以下、図３５のフローチャートについて、図１２のフローチャートとの相違点を説明する。図３５のフローチャートでは、ステップＳ１０１の前に、デューティ調整履歴をリセットする工程（ステップＳ１００）が追加されている。また、ステップＳ１０５とステップＳ１１６の間に、デューティ調整履歴をリセットする工程（ステップＳ１１０）が追加されている。さらに、図３５のフローチャートは、ステップＳ１０２及びステップＳ１１６のそれぞれの判定処理で「Ｎｏ」の判定となった場合に実行される処理としてのステップＳ１２０、ステップＳ１２８、Ｓ１２９、Ｓ１３２〜Ｓ１３４を含んでいる。

ステップＳ１３２からステップＳ１３４は、図３３に示したフローチャートのステップＳ７２からステップＳ７４と同様の工程としてもよい。

ステップＳ１００において、制御部７０は、通過タイミング信号の検出に先んじて、デューティ調整履歴をリセットしてもよい。デューティ調整履歴は、ターゲット供給部１８の起動後、デューティ調整を実施したかどうかを示す情報である。デューティ調整履歴は制御部７０のメモリ上に構成されたフラグであってもよい。デューティ調整履歴をリセットする処理の具体例として、制御部７０はフラグを初期値０に更新してもよい。

ステップＳ１０２の通過タイミング間隔確認工程において、制御部７０がＴ≧Ｔminの不成立を確認した場合、つまりＴ＜Ｔminであると判定した場合は、ステップＳ１２０に移行してもよい。

ステップＳ１２０において、制御部７０はデューティ調整履歴があるかどうか判定する。例えば、制御部７０は、デューティ調整履歴のフラグが「０」であるか「１」であるかを判定してもよい。

ステップＳ１２０の判定処理において、デューティ調整履歴が無かった場合、つまり、デューティ調整を未実施の場合、制御部７０はステップＳ１２８に移行し、デューティ調整を実施してもよい。ステップＳ１２８によるデューティ調整の内容は、図１２のステップＳ８と同様である。

制御部７０は、ステップＳ１２８のデューティ調整を実施した後、ステップＳ１２９において、デューティ調整履歴にデューティ調整実施を記録してもよい。すなわち、制御部７０は、デューティ調整履歴のフラグを「０」から「１」に書き換え処理を実施してもよい。ステップＳ１２９のデューティ調整履歴記録工程の後、制御部７０はステップＳ１０２に移行してもよい。

一方、ステップＳ１２０の判定処理において、デューティ調整履歴がある場合、つまり、デューティ調整を実施済みの場合、制御部７０はステップＳ１３２において圧力調節器９０を制御する目標圧力を再設定してもよい。制御部７０は、現在設定されている目標圧力Ｐ_ｔから圧力修正量ΔＰだけ下げた圧力（Ｐ_ｔ−ΔＰ）を新たな目標圧力Ｐ_ｔとして再設定してもよい。制御部７０は、ステップＳ１３２において圧力調節器９０を制御する目標圧力を再設定した後に、ステップＳ１３３に移行してもよい。

ステップＳ１３３において制御部７０は、再設定した目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回ったかどうか判定してもよい。制御部７０は、再設定した目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回っていなければ、ステップＳ１０２に戻り、タンク８２の圧力を変更した状態で通過タイミング信号の間隔確認を実施してもよい。

一方、ステップＳ１３３において制御部７０は、再設定した目標圧力が圧力下限Ｐ_ｃを下回っていた場合は、ステップＳ１３４に移行してＥＵＶ光生成制御部４０にデューティ調整続行不可を通知する。制御部７０は、目標圧力Ｐ_ｔが圧力下限Ｐ_ｃを下回った場合、ＥＵＶ光生成制御部４０にデューティ調整続行不可を通知した後に、デューティ調整の制御を終了する。

また、制御部７０は、ステップＳ１０４においてＥＵＶ光が所定の安定度を保っていないと判定して、ステップＳ１０５において発光トリガの生成を停止した場合、ステップＳ１１０において、デューティ調整履歴をリセットする。ステップＳ１１０にてデューティ調整履歴をリセットする理由は、これ以降のフローにおいて、制御部７０が「デューティ調整履歴がある」と判定してデューティ調整前に目標圧力を再設定してしまうことを避けるためである。

１３．３ 作用・効果
第８実施形態によれば、ピエゾ素子８８に印加する駆動信号のデューティ調整を実施した後に、合体不良のドロップレットの発生が検出された場合に、タンク８２の圧力を低下させる圧力調整が行われる。これにより、合体距離が短縮され、合体不良を解消することができる。

１４． 実施形態の組み合わせの例について
第１実施形態から第８実施形態の各実施形態の内容は組み合わせて適用することが可能である。例えば、次のような組み合わせが可能である。

［組み合わせ例１］図２４のフローチャートと図３３のフローチャートとを組み合わせることができる。すなわち、図２４のステップＳ５８について図３３のフローチャートを適用することができる。

［組み合わせ例２］図２４のフローチャートと図３４のフローチャートとを組み合わせることができる。すなわち、図２４のステップＳ５８について図３４のフローチャートを適用することができる。

［組み合わせ例３］図３０のフローチャートと図３３のフローチャートとを組み合わせることができる。すなわち、図３０のステップＳ６８について図３３のフローチャートを適用することができる。

［組み合わせ例４］図３０のフローチャートと図３４のフローチャートとを組み合わせることができる。すなわち、図３０のステップＳ６８について図３４のフローチャートを適用することができる。

［組み合わせ例５］図３５のフローチャートと図３３のフローチャートとを組み合わせることができる。すなわち、図３５のステップＳ１２８について図３３のフローチャートを適用することができる。

［組み合わせ例６］図３５のフローチャートと図３４のフローチャートとを組み合わせることができる。すなわち、図３５のステップＳ１２８について図３４のフローチャートを適用することができる。

また、他の変形例として、図１２と図３５の関係のように、図２４及び図３０のフローチャートの各々について、図３５のフローチャートと同様に、デューティ調整履歴を管理する処理とタンク８２の圧力を低下させる処理を適用してもよい。図３５のフローチャートにおいて、デューティ調整履歴を管理する処理には、ステップＳ１００、ステップＳ１１０、ステップＳ１２０及びステップＳ１２９の工程が含まれる。図３５のフローチャートにおいて、タンク８２の圧力を低下させる処理には、ステップＳ１３２〜Ｓ１３４の工程が含まれる。

１５．各制御部のハードウェア環境
当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図３６は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図３６の例示的なハードウェア環境９００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ及びＤ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境９００の構成は、これに限定されない。「Ｉ／Ｏ」の表記は、Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔを表す。「Ａ／Ｄ」の表記は、Ａｎａｌｏｇ ｔｏ Ｄｉｇｉｔａｌを表す。「Ｄ／Ａ」の表記は、Ｄｉｇｉｔａｌ ｔｏ Ａｎａｌｏｇを表す。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ；Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ；Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｇ Ｕｎｉｔ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図３６におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部、ＥＵＶ光生成制御部４０、レーザ光進行方向制御部５４、制御部７０、遅延回路７２、温度制御部９４、画像取得コントローラ２００、制御回路２５２等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ヒータ電源９２、ピエゾ電源９６、圧力調節器９０、光源１０２、光源１７２等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ及びＤ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサや圧力センサ、真空計各種センサ、光センサ１２４、イメージセンサ１９４等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ変換又はＤ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境９００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部４０、レーザ光進行方向制御部５４、制御部７０、温度制御部９４、画像取得コントローラ２００等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部、ＥＵＶ光生成制御部４０、レーザ光進行方向制御部５４、制御部７０、温度制御部９４、画像取得コントローラ２００等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１０ ＥＵＶ光生成システム
１２ ＥＵＶ光生成装置
１４ レーザ装置
１６ チャンバ
１８ ターゲット供給部
２０ ウインドウ
２６ プラズマ生成領域
４０ ＥＵＶ光生成制御部
４２ ターゲットセンサ
４４ ターゲット
４６ 露光装置
７０ 制御部
７２ 遅延回路
７４ 不活性ガス供給部
７６ ドロップレット検出装置
７８ ターゲット供給装置
８０ ノズル
８２ タンク
８４ ヒータ
８６ 温度センサ
８８ ピエゾ素子
９０ 圧力調節器
９２ ヒータ電源
９４ 温度制御部
９６ ピエゾ電源
１００ 光源部
１２０ 受光部
１２４ 光センサ
１３６，１４２，１４４ ドロップレット
１５２ ドロップレット間隔計測部
１５４ デューティ調整部
１６０ ドロップレット画像検出部
１７０ 光源部
１９０ 受光部
１９４ イメージセンサ
２００ 画像取得コントローラ
２１２ 画像計測部
２３１〜２３６ 受光面
２４１〜２４６ コンパレータ
２５０ 閾値電圧発生器
２８０ ヒータ
２８２ ノズル温度センサ
２８４ ヒータ電源

Claims (20)

1. 液状のターゲット物質を収容するタンクと、
   前記タンクに収容されている前記ターゲット物質を出力するノズルと、
   矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子であって、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質に振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、
   前記ノズルから出力された前記ドロップレットを検出するドロップレット検出部と、
   前記ドロップレット検出部から得られる検出信号を基に、前記ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、
   前記通過時間間隔計測部によって計測した通過時間間隔計測値に基づいて、前記加振素子の動作に適した前記電気信号のデューティ値である動作デューティ値を決定する制御部と、を備え、
   前記制御部は、前記通過時間間隔の適正レンジを設定する処理と、
   前記加振素子に入力する前記電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値について各デューティ値の前記電気信号を前記加振素子に入力することにより、各デューティ値において生成される前記ドロップレットの前記通過時間間隔計測値、及び前記通過時間間隔計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理と、
   前記複数のデューティ値のうち、前記通過時間間隔計測値が前記適正レンジ内にあるデューティ値の中で、前記ばらつきに基づいて、前記動作デューティ値を決定する処理と、
   を行うターゲット供給装置。
2. 前記制御部は、前記加振素子を動作させる駆動周波数から前記ドロップレットの予測通過時間間隔を算出し、算出した前記予測通過時間間隔を基に、前記適正レンジの上限値と下限値を定める請求項１に記載のターゲット供給装置。
3. 前記制御部は、前記複数のデューティ値のうち、前記通過時間間隔計測値が前記適正レンジ内にあるデューティ値の中で前記ばらつきが最小となるデューティ値を前記動作デューティ値に決定する請求項１に記載のターゲット供給装置。
4. 前記制御部において、前記通過時間間隔の基準値が設定され、
   前記制御部は、前記通過時間間隔計測値が前記基準値を下回った場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１に記載のターゲット供給装置。
5. 前記ノズルから出力された前記ドロップレットを撮像する２次元イメージセンサを含むドロップレット画像検出部と、
   前記ドロップレット画像検出部からの出力画像に基づいて、合体不良のドロップレットの検出、及びサテライトの有無の検出のうち少なくとも一方の検出を行う画像計測部と、を備え、
   前記制御部は、前記出力画像において前記ドロップレットの吐出方向に直交する方向の判定ラインにおける断面プロファイルが複数のピークを持つ場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１に記載のターゲット供給装置。
6. 前記ドロップレット検出部は、複数の受光面を備える光センサを含んで構成され、
   前記制御部は、前記複数の受光面の各々が出力する信号に基づき、サテライトの発生が検出された場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１に記載のターゲット供給装置。
7. 前記ノズルに組み付けられたヒータと、
   前記ノズルの温度を検出するノズル温度センサと、
   前記ノズル温度センサから得られる温度情報に基づき前記ヒータを制御する温度制御部と、を備え、
   前記温度制御部は、前記ノズルを規定温度±０．１℃の範囲で温度制御する請求項１に記載のターゲット供給装置。
8. 前記タンクの圧力を調節する圧力調節器を備え、
   前記制御部は、前記複数のデューティ値のうち、前記通過時間間隔計測値が前記適正レンジ内に入るデューティ値が不存在である場合に、前記タンクの圧力を低下させるよう前記圧力調節器を制御する請求項１に記載のターゲット供給装置。
9. 前記タンクの圧力を調節する圧力調節器を備え、
   前記制御部は、前記動作デューティ値を決定する処理を実施した後に、前記通過時間間隔計測値が前記基準値を下回った場合に、前記タンクの圧力を低下させるよう前記圧力調節器を制御する請求項４に記載のターゲット供給装置。
10. 請求項１に記載のターゲット供給装置と、
    レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するためのウインドウを有するチャンバと、を備え、
    前記チャンバ内に前記ターゲット供給装置からターゲットである前記ドロップレットが供給され、前記ターゲットに前記レーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。
11. 液状のターゲット物質を収容するタンクと、
    前記タンクに収容されている前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    矩形波の電気信号が入力されることによって駆動される加振素子であって、前記ノズルから出力される前記ターゲット物質に振動を与えて前記ターゲット物質のドロップレットを発生させる加振素子と、
    前記ノズルから出力された前記ドロップレットを検出するドロップレット検出部と、
    前記ドロップレット検出部から得られる検出信号を基に、前記ドロップレットの通過時間間隔を計測する通過時間間隔計測部と、
    前記通過時間間隔計測部によって計測した通過時間間隔計測値に基づいて、前記加振素子の動作に適した前記電気信号のデューティ値である動作デューティ値を決定する制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記通過時間間隔計測値からドロップレット間距離を表すドロップレット間距離計測値を算出する処理と、
    前記ドロップレット間距離の適正レンジを設定する処理と、
    前記加振素子に入力する電気信号のデューティ値を変えて、複数のデューティ値について各デューティ値の電気信号を前記加振素子に入力することにより、各デューティ値において生成される前記ドロップレットの前記ドロップレット間距離計測値及び前記ドロップレット間距離計測値のばらつきを、デューティ値に対応付けて記憶する処理と、
    前記複数のデューティ値のうち、前記ドロップレット間距離計測値が前記適正レンジ内にあるデューティ値の中で、前記ばらつきに基づいて、前記動作デューティ値を決定する処理と、
    を行うターゲット供給装置。
12. 前記制御部は、前記タンクの設定圧力と、前記ターゲット物質の密度と、前記ドロップレットの検出周波数とから、前記ドロップレットの予測ドロップレット間距離を算出し、算出した前記予測ドロップレット間距離を基に、前記適正レンジの上限値と下限値を定める請求項１１に記載のターゲット供給装置。
13. 前記制御部は、前記複数のデューティ値のうち、前記ドロップレット間距離計測値が前記適正レンジ内にあるデューティ値の中で前記ばらつきが最小となるデューティ値を前記動作デューティ値に決定する請求項１１に記載のターゲット供給装置。
14. 前記制御部において、前記通過時間間隔の基準値が設定され、
    前記制御部は、前記通過時間間隔計測値が前記基準値を下回った場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値から得られる前記ドロップレット間距離計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１１に記載のターゲット供給装置。
15. 前記ノズルから出力された前記ドロップレットを撮像する２次元イメージセンサを含むドロップレット画像検出部と、
    前記ドロップレット画像検出部からの出力画像に基づいて、合体不良のドロップレットの検出、及びサテライトの有無の検出のうち少なくとも一方の検出を行う画像計測部と、を備え、
    前記制御部は、前記出力画像において前記ドロップレットの吐出方向に直交する方向の判定ラインにおける断面プロファイルが複数のピークを持つ場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値から得られる前記ドロップレット間距離計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１１に記載のターゲット供給装置。
16. 前記ドロップレット検出部は、複数の受光面を備える光センサを含んで構成され、
    前記制御部は、前記複数の受光面の各々が出力する信号に基づき、サテライトの発生が検出された場合に、前記複数のデューティ値による前記通過時間間隔計測値の取得を行い、取得した前記通過時間間隔計測値から得られる前記ドロップレット間距離計測値及び前記ばらつきを基に、前記動作デューティ値を決定する処理を実行する請求項１１に記載のターゲット供給装置。
17. 前記ノズルに組み付けられたヒータと、
    前記ノズルの温度を検出するノズル温度センサと、
    前記ノズル温度センサから得られる温度情報に基づき前記ヒータを制御する温度制御部と、を備え、
    前記温度制御部は、前記ノズルを規定温度±０．１℃の範囲で温度制御する請求項１１に記載のターゲット供給装置。
18. 前記タンクの圧力を調節する圧力調節器を備え、
    前記制御部は、前記複数のデューティ値のうち、前記ドロップレット間距離計測値が前記適正レンジ内に入るデューティ値が不存在である場合に、前記タンクの圧力を低下させるよう前記圧力調節器を制御する請求項１１に記載のターゲット供給装置。
19. 前記タンクの圧力を調節する圧力調節器を備え、
    前記制御部は、前記動作デューティ値を決定する処理を実施した後に、前記通過時間間隔計測値が前記基準値を下回った場合に、前記タンクの圧力を低下させるよう前記圧力調節器を制御する請求項１４に記載のターゲット供給装置。
20. 請求項１１に記載のターゲット供給装置と、
    レーザ光源から出力されるレーザ光を内部に導入するためのウインドウを有するチャンバと、を備え、
    前記チャンバ内に前記ターゲット供給装置からターゲットである前記ドロップレットが供給され、前記ターゲットに前記レーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。

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