JP6383736B2 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Description
本開示の他の1つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、ターゲット供給部と上記所定領域との間のターゲットの軌道に向かう第1の方向にガスを噴出する第1のガス供給部と、上記所定領域にパルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、集光光学系と所定領域との間のパルスレーザ光の光路を囲むサブチャンバであって、所定領域に向かう第3の方向にパルスレーザ光を通過させるように所定領域に向けられた開口を有するサブチャンバと、サブチャンバにガスを供給する第3のガス供給部と、を備え、第1の方向は、第3の方向と反対方向の方向成分を有してもよい。
本開示の他の1つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、ターゲット供給部と上記所定領域との間のターゲットの軌道に向かう第1の方向にガスを噴出する第1のガス供給部と、上記所定領域にパルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、を備え、ターゲット供給部は、所定領域に向かう第4の方向にターゲットを出力するように構成され、第1の方向は、第4の方向と同一方向の方向成分を有してもよい。
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.ガス供給部を含むEUV光生成装置
4.1 構成
4.2 動作
5.排気装置の配置
6.ターゲットの軌跡変更制御
7.複数の第1のガス供給部
8.制御部の構成
LPP式のEUV光生成装置においては、ターゲット供給部がターゲットを出力し、プラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時点で、レーザ装置がターゲットにパルスレーザ光を照射することにより、ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからEUV光が放射され得る。
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。
ターゲットの「軌道」は、ターゲット供給部から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット供給部の設計に従ったターゲットの経路であってもよい。
ターゲットの「軌跡」は、ターゲット供給部から出力されたターゲットの実際の経路であってもよい。
「プラズマ生成領域」は、EUV光を生成するためのプラズマの生成が開始される所定領域を意味し得る。
パルスレーザ光の「光路軸」は、パルスレーザ光の光路の中心軸を意味し得る。
3.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
4.1 構成
図2は、第1の実施形態に係るEUV光生成システム11の構成を示す一部断面図である。以下の説明において、Y方向はターゲット27の移動方向とほぼ一致し、本開示における第4の方向に相当していてもよい。Z方向は、パルスレーザ光33の進行方向とほぼ一致し、本開示における第3の方向に相当していてもよい。Z方向は、また、EUV集光ミラー23によって反射された反射光252の進行方向とほぼ一致し、本開示における第2の方向に相当していてもよい。X方向は、Y方向及びZ方向の両方に垂直な方向であって、図2における紙面に垂直な方向であってもよい。
EUV光生成制御部5は、ターゲット供給部26がターゲット27を出力するように、ターゲット供給部26に制御信号を出力してもよい。
ターゲット供給部26は、複数の液滴状のターゲット27を順次出力してもよい。ターゲット回収部28は、ターゲット27の軌道の延長線上に配置され、プラズマ生成領域25を通過したターゲット27を回収してもよい。
図4は、第2の実施形態に係るEUV光生成システム11の構成を示す一部断面図である。第2の実施形態に係るEUV光生成システム11は、チャンバ2に対する排気装置の接続位置が第1の実施形態と異なってもよい。
その他の点については第1の実施形態と同様でよい。
図6A及び図6Bは、第3の実施形態に係るEUV光生成システム11の構成を示す一部断面図である。図6Aは、ターゲット27の軌道とパルスレーザ光33の光路軸との両方を含む面における断面を示している。ターゲット27の軌道とパルスレーザ光33の光路軸との両方を含む面は、YZ面に平行な面であってもよい。図6Bは、ターゲット27の軌道を含み、且つ、パルスレーザ光33の光路軸に垂直な面における断面を示している。ターゲット27の軌道を含み、且つ、パルスレーザ光33の光路軸に垂直な面は、XY面に平行な面であってもよい。図6Bにおいては、配管66の一部の図示が省略されている。
その他の点については第2の実施形態と同様でよい。
−2μm≦L≦2μm
L=D−C
プラズマ生成領域25の中心位置Cは、Z方向における中心位置であってもよい。
その後、本フローチャートによる処理を終了してもよい。
ΔP=P−Pt
目標の圧力Ptは、5Pa以上、20Pa以下の範囲で決められた値であってもよい。
その後、本フローチャートによる処理を終了してもよい。
以上の処理により、ターゲット27がプラズマ生成領域25を通過するように、ノズル69による水素ガスの流量を調整することができる。
図8は、第4の実施形態に係るEUV光生成システム11の構成を示す一部断面図である。図8は、ターゲット27の軌道を含み、且つ、パルスレーザ光33の光路軸に垂直な面における断面を示している。ターゲット27の軌道を含み、且つ、パルスレーザ光33の光路軸に垂直な面は、XY面に平行な面であってもよい。図8に示されるように、第4の実施形態においては、複数の第1のガス供給部が設けられてもよい。複数の第1のガス供給部は、それぞれ、ターゲット27の軌道に向けて水素ガスを噴出してもよい。
ガス供給源68a、調節弁67a、配管66a及びノズル69aを含む別の第1のガス供給部が、−Z方向の方向成分、Y方向の方向成分及びX方向の方向成分を含む方向に、水素ガスを噴出してもよい。
ガス供給源68b、調節弁67b、配管66b及びノズル69bを含むさらに別の第1のガス供給部が、−Z方向の方向成分、Y方向の方向成分及び−X方向の方向成分を含む方向に、水素ガスを噴出してもよい。
他の点については、第3の実施形態と同様でよい。
図9は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるEUV光生成制御部5及びガス制御部50等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。
制御部は、処理部1000と、処理部1000に接続される、ストレージメモリ1005と、ユーザインターフェイス1010と、パラレルI/Oコントローラ1020と、シリアルI/Oコントローラ1030と、A/D、D/Aコンバータ1040とによって構成されてもよい。また、処理部1000は、CPU1001と、CPU1001に接続された、メモリ1002と、タイマー1003と、GPU1004とから構成されてもよい。
処理部1000は、ストレージメモリ1005に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部1000は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ1005からデータを読み出したり、ストレージメモリ1005にデータを記憶させたりしてもよい。
シリアルI/Oコントローラ1030に接続される、シリアルI/Oポートを介して通信可能な機器1031〜103xは、ターゲットセンサ4、ターゲット供給部26等であってもよい。
A/D、D/Aコンバータ1040に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器1041〜104xは、圧力センサ38等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。
Claims (6)
- チャンバと、
前記チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部と前記所定領域との間のターゲットの軌道に向かう第1の方向にガスを噴出する第1のガス供給部と、
前記所定領域にパルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、
前記所定領域において生成される極端紫外光を第2の方向に反射して集光する反射面を有するEUV集光ミラーと、
前記EUV集光ミラーの反射面に沿ってガスを流す第2のガス供給部と、
を備え、
前記第1の方向は、前記第2の方向と反対方向の方向成分を有する、
極端紫外光生成装置。 - チャンバと、
前記チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部と前記所定領域との間のターゲットの軌道に向かう第1の方向にガスを噴出する第1のガス供給部と、
前記所定領域にパルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、
前記集光光学系と前記所定領域との間のパルスレーザ光の光路を囲むサブチャンバであって、前記所定領域に向かう第3の方向にパルスレーザ光を通過させるように前記所定領域に向けられた開口を有する前記サブチャンバと、
前記サブチャンバにガスを供給する第3のガス供給部と、
を備え、
前記第1の方向は、前記第3の方向と反対方向の方向成分を有する、
極端紫外光生成装置。 - チャンバと、
前記チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するように構成されたターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部と前記所定領域との間のターゲットの軌道に向かう第1の方向にガスを噴出する第1のガス供給部と、
前記所定領域にパルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、
を備え、
前記ターゲット供給部は、前記所定領域に向かう第4の方向にターゲットを出力するように構成され、
前記第1の方向は、前記第4の方向と同一方向の方向成分を有する、
極端紫外光生成装置。 - 前記所定領域に向けられた開口部を有する筒を含み、前記所定領域及び前記開口部を通過したターゲットを回収するターゲット回収部と、
前記筒の側面に接続された排気管を含み、前記筒の内部を、前記排気管を通して排気する排気装置と、
をさらに備える、請求項1〜請求項3のいずれか一項記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第1のガス供給部によって噴出されるガスの流量を変更する流量変更機構と、
前記ターゲットが通過する位置を検出するターゲットセンサと、
前記ターゲットセンサによる検出結果に基づいて前記流量変更機構を制御する制御部と、
をさらに備える、請求項1〜請求項3のいずれか一項記載の極端紫外光生成装置。 - 前記ターゲットセンサは、
イメージセンサと、
前記所定領域及びその周辺の像を前記イメージセンサに転写する転写光学系と、
前記イメージセンサと前記所定領域との間に位置するシャッタと、
を有する、請求項5記載の極端紫外光生成装置。
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