JP2013135033A - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
極端紫外光生成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013135033A JP2013135033A JP2011283223A JP2011283223A JP2013135033A JP 2013135033 A JP2013135033 A JP 2013135033A JP 2011283223 A JP2011283223 A JP 2011283223A JP 2011283223 A JP2011283223 A JP 2011283223A JP 2013135033 A JP2013135033 A JP 2013135033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- ultraviolet light
- mirror
- laser
- euv
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 8
- 239000013076 target substance Substances 0.000 abstract 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N stannane Chemical compound [SnH4] KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000080 stannane Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/006—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】ＥＵＶ集光ミラーに付着したターゲット物質のデブリを効率的にエッチングする。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、少なくともひとつの窓が設けられているチャンバと、少なくともひとつの窓を通してチャンバ内の所定領域にレーザ光を入射させるように構成されたレーザ光進行方向制御装置と、上記所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、チャンバ内に配置されたミラーであって、上記所定領域に対向する反射面を有し、上記所定領域においてレーザ光を照射されたターゲット物質から生成されたプラズマから放出される極端紫外光を反射面によって反射して集光するミラーと、チャンバに接続された排気装置と、チャンバに接続され、チャンバ内にエッチャントガスを供給するように構成されたガス供給装置と、ミラーの反射面の少なくとも一部に紫外光を照射するように構成された紫外光源と、を含んでも良い。
【選択図】図２
【解決手段】極端紫外光生成装置は、少なくともひとつの窓が設けられているチャンバと、少なくともひとつの窓を通してチャンバ内の所定領域にレーザ光を入射させるように構成されたレーザ光進行方向制御装置と、上記所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、チャンバ内に配置されたミラーであって、上記所定領域に対向する反射面を有し、上記所定領域においてレーザ光を照射されたターゲット物質から生成されたプラズマから放出される極端紫外光を反射面によって反射して集光するミラーと、チャンバに接続された排気装置と、チャンバに接続され、チャンバ内にエッチャントガスを供給するように構成されたガス供給装置と、ミラーの反射面の少なくとも一部に紫外光を照射するように構成された紫外光源と、を含んでも良い。
【選択図】図２
Description
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ光を出力するように構成されたレーザシステムと共に用いられる極端紫外光生成装置であって、少なくともひとつの窓が設けられているチャンバと、少なくともひとつの窓を通してチャンバ内の所定領域にレーザ光を入射させるように構成されたレーザ光進行方向制御装置と、上記所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、チャンバ内に配置されたミラーであって、上記所定領域に対向する反射面を有し、上記所定領域においてレーザ光を照射されたターゲット物質から生成されたプラズマから放出される極端紫外光を反射面によって反射して集光するミラーと、チャンバに接続された排気装置と、チャンバに接続され、チャンバ内にエッチャントガスを供給するように構成されたガス供給装置と、ミラーの反射面の少なくとも一部に紫外光を照射するように構成された紫外光源と、を含んでも良い。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。
図２は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。
図３Ａは、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。
図３Ｂは、図３Ａの矢印IIIＢ方向から見たＥＵＶ光のファーフィールドプロファイル形状を示す。
図３Ｃは、図３Ａの矢印IIIＣ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。
図３Ｄは、図３Ａの矢印IIIＤ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。
図３Ｅは、第２の実施形態におけるガス供給装置の配管の斜視図である。
図３Ｆは、第２の実施形態におけるガス供給装置の配管の断面図である。
図４は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。
図５Ａは、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。
図５Ｂは、図５Ａの矢印ＶＢ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。
図５Ｃは、第３の実施形態におけるガス供給装置の配管の斜視図である。
図５Ｄは、第３の実施形態におけるガス供給装置の配管の断面図である。
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ガス供給装置及び紫外光源を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
４．オブスキュレーション領域に紫外光源を配置したＥＵＶ光生成装置
５．ガス供給装置及び紫外線レーザ装置を備えたＥＵＶ光生成装置
６．紫外線レーザ光によってデブリを吹き飛ばすＥＵＶ光生成装置
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ガス供給装置及び紫外光源を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
４．オブスキュレーション領域に紫外光源を配置したＥＵＶ光生成装置
５．ガス供給装置及び紫外線レーザ装置を備えたＥＵＶ光生成装置
６．紫外線レーザ光によってデブリを吹き飛ばすＥＵＶ光生成装置
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
スズ等のターゲット物質にレーザ光が照射されると、プラズマが生成され、このプラズマからＥＵＶ光が生成されるとともに、スズ等のデブリが生成され得る。このデブリは、ＥＵＶ光を集光するミラーの表面に付着して、ミラーの反射率を低下させ得る。
本開示の各実施形態においては、チャンバ内に水素等のエッチャントガスを供給するとともに、ミラーの表面に紫外光を照射することにより、ミラーの表面に付着したデブリを効率的にエッチングし得る。
スズ等のターゲット物質にレーザ光が照射されると、プラズマが生成され、このプラズマからＥＵＶ光が生成されるとともに、スズ等のデブリが生成され得る。このデブリは、ＥＵＶ光を集光するミラーの表面に付着して、ミラーの反射率を低下させ得る。
本開示の各実施形態においては、チャンバ内に水素等のエッチャントガスを供給するとともに、ミラーの表面に紫外光を照射することにより、ミラーの表面に付着したデブリを効率的にエッチングし得る。
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置（極端紫外光生成装置）１の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いてもよい（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム（極端紫外光生成システム）１１と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えばドロップレット生成器２６）を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置が供給するターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置（極端紫外光生成装置）１の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いてもよい（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム（極端紫外光生成システム）１１と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えばドロップレット生成器２６）を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置が供給するターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザシステム３によって発生したパルスレーザ光３２が通過してもよい。チャンバ２には、レーザシステム３によって発生したパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられていてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点、及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ発生位置（プラズマ生成領域２５）又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられていてもよい。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御装置５を含むことができる。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含むことができる。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ（aperture）が形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置してもよい。
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレットターゲット２７を回収するターゲット回収部２８などを含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、この光学素子の位置または姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
２．２ 動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出射されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経てパルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射して、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレットターゲット２７に照射されてもよい。
図１を参照すると、レーザシステム３から出射されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経てパルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射して、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレットターゲット２７に照射されてもよい。
ドロップレット生成器２６は、ドロップレットターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出射してもよい。ドロップレットターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射される。レーザ光が照射されたドロップレットターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が生成される。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されるとともに集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３に反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレットターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御装置５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５はターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレットターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、ドロップレットターゲット２７を放出するタイミングの制御およびドロップレットターゲット２７の放出方向の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、レーザシステム３のレーザ発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
３．ガス供給装置及び紫外光源を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
図２は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図２に示すように、チャンバ２には、水素ガス供給装置６１と、排気装置６２と、圧力センサ６３とが取り付けられていてもよい。チャンバ２の内部には、紫外光源を構成する紫外線ランプ６４が配置されていてもよい。
３．１ 構成
図２は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図２に示すように、チャンバ２には、水素ガス供給装置６１と、排気装置６２と、圧力センサ６３とが取り付けられていてもよい。チャンバ２の内部には、紫外光源を構成する紫外線ランプ６４が配置されていてもよい。
チャンバ２には、プレート４２が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。水素ガス供給装置６１は、配管６５に接続されていてもよく、配管６５の先端は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａの近傍に開口していてもよい。
紫外線ランプ６４は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光の光路から外れた位置に配置されてもよい。紫外線ランプ６４は、ランプ電源６６に電気的に接続されてもよい。紫外線ランプ６４は、水素ガスから水素ラジカルを生成し得る波長、すなわち水素ガスの解離エネルギーに相当する波長（２６２．５ｎｍ）以下の波長を有する光（深紫外光）を発生してもよい。例えば、エキシマランプ、低圧水銀ランプ、重水素ランプでもよい。好ましくは、１７０ｎｍ付近の波長を有する光（真空紫外光）を出力するキセノンエキシマランプでもよい。
レーザ光進行方向制御装置３４は、第１の高反射ミラー３４ａと、第２の高反射ミラー３４ｂとを含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４とチャンバ２との間のレーザ光の光路には、レーザ光集光光学系２２ａが配置されていてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、少なくとも１つのレンズと図示しないレンズ位置駆動系とを含んでもよい。
ＥＵＶ光生成制御装置５は、ターゲット制御装置５１、圧力制御装置５２及びランプ電源６６に信号ラインを介して接続されてもよい。ターゲット制御装置５１は、ドロップレット生成器２６に信号ラインを介して接続されてもよい。圧力制御装置５２は、圧力センサ６３、水素ガス供給装置６１及び排気装置６２に信号ラインを介して接続されてもよい。
３．２ 動作
ＥＵＶ光生成制御装置５は、ターゲット制御装置５１、圧力制御装置５２及びランプ電源６６に制御信号を出力してもよい。ターゲット制御装置５１は、ドロップレット生成器２６に制御信号を出力してもよい。圧力センサ６３は、チャンバ２内の圧力を検出し、検出信号を圧力制御装置５２に出力してもよい。水素ガス供給装置６１は、配管６５を介してチャンバ２内のＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに向けて水素ガスを含むエッチャントガスを供給することにより、反射面２３ａに沿ってエッチャントガスを流してもよい。水素ガスを供給する水素ガス供給装置６１の代わりに、他の種類のガス、例えば臭化水素（ＨＢｒ）、塩化水素（ＨＣｌ）等を含むエッチャントガスを供給する装置が用いられてもよい。排気装置６２は、チャンバ２内を排気してもよい。圧力制御装置５２は、圧力センサ６３から出力された検出信号に基づいて、チャンバ２内の圧力が所望の一定値に維持されるように水素ガス供給装置６１及び排気装置６２を制御してもよい。ランプ電源６６は、紫外線ランプ６４に電力を供給し、紫外線ランプ６４から紫外光を発生させてもよい。
ＥＵＶ光生成制御装置５は、ターゲット制御装置５１、圧力制御装置５２及びランプ電源６６に制御信号を出力してもよい。ターゲット制御装置５１は、ドロップレット生成器２６に制御信号を出力してもよい。圧力センサ６３は、チャンバ２内の圧力を検出し、検出信号を圧力制御装置５２に出力してもよい。水素ガス供給装置６１は、配管６５を介してチャンバ２内のＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに向けて水素ガスを含むエッチャントガスを供給することにより、反射面２３ａに沿ってエッチャントガスを流してもよい。水素ガスを供給する水素ガス供給装置６１の代わりに、他の種類のガス、例えば臭化水素（ＨＢｒ）、塩化水素（ＨＣｌ）等を含むエッチャントガスを供給する装置が用いられてもよい。排気装置６２は、チャンバ２内を排気してもよい。圧力制御装置５２は、圧力センサ６３から出力された検出信号に基づいて、チャンバ２内の圧力が所望の一定値に維持されるように水素ガス供給装置６１及び排気装置６２を制御してもよい。ランプ電源６６は、紫外線ランプ６４に電力を供給し、紫外線ランプ６４から紫外光を発生させてもよい。
水素ガス供給装置６１からチャンバ２内に供給された水素ガスがＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに沿って流れているときに、紫外線ランプ６４からＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに紫外光が照射されると、水素ガス（Ｈ２）が分解されて水素ラジカル（Ｈ＊）が生成され得る。水素ラジカルは、スズ（Ｓｎ）等のターゲット物質と反応しやすい。水素ラジカルとスズとが反応すると、気体のスタナン（ＳｎＨ４）が生成され得る。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに付着していたスズのデブリが効率よくエッチングされ得る。エッチングの効率をより高めるために、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに触媒がコーティングされていてもよい。
水素ラジカルは寿命が短く、短時間で他の水素ラジカルと結合して水素ガスに戻りやすい。第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに紫外光を照射することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａ付近で水素ラジカルを生成できるので、水素ラジカル同士で結合して水素ガスに戻る前にＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａのデブリと反応してスタナン等を生成するので、デブリを効率よくエッチングすることができる。更に、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに沿って水素ガスを流すことにより、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａ付近に偏在する水素ラジカルを効率よく生成できる。また、ＥＵＶ光の生成が停止されているときにおいても、ＥＵＶ集光ミラー２３のクリーニングを行うことができる。
４．オブスキュレーション領域に紫外光源を配置したＥＵＶ光生成装置
図３Ａは、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図３Ｂは、図３Ａの矢印IIIＢ方向から見たＥＵＶ光のファーフィールドプロファイル形状を示す。図３Ｃは、図３Ａの矢印IIIＣ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図３Ｄは、図３Ａの矢印IIIＤ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図３Ｅは、第２の実施形態におけるガス供給装置の配管の斜視図である。図３Ｆは、第２の実施形態におけるガス供給装置の配管の断面図である。
図３Ａは、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図３Ｂは、図３Ａの矢印IIIＢ方向から見たＥＵＶ光のファーフィールドプロファイル形状を示す。図３Ｃは、図３Ａの矢印IIIＣ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図３Ｄは、図３Ａの矢印IIIＤ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図３Ｅは、第２の実施形態におけるガス供給装置の配管の斜視図である。図３Ｆは、第２の実施形態におけるガス供給装置の配管の断面図である。
露光装置の仕様において、ＥＵＶ光のビーム断面９０（図３Ｂ参照）のうち露光に使用しない領域（オブスキュレーション領域）９０ａが存在することがある。そこで、第２の実施形態においては、チャンバ２の中のオブスキュレーション領域９０ａ（図３Ｃ、図３Ｄ参照）に紫外線ランプ６４を配置してもよい。また、紫外線ランプ６４をチャンバ２内に固定するための固定部材６７が、チャンバ２の中のＥＵＶ光のビーム断面９０以外の領域とオブスキュレーション領域９０ａとにまたがる領域内に設置されてもよい。固定部材６７には、更にレーザシステム３（図１参照）から出力されてプラズマ生成領域２５を通過したレーザ光を吸収するビームダンプ６８が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１ａによってチャンバ２内に固定されていてもよい。
また、第２の実施形態においては、チャンバ２内に、レーザシステム３（図１参照）から出力されたレーザ光の光路の周囲を取り囲むサブチャンバ２０が配置されていてもよい。サブチャンバ２０は、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４を貫通する円錐部２０ａを有していてもよい。円錐部２０ａの底面側と頂点側とはそれぞれ開口しており、レーザ光が円錐部２０ａの底面側の開口２０ｂから頂点側の開口２０ｃを通り、プラズマ生成領域２５に到達できるようになっていてもよい（図３Ｆ参照）。
水素ガス供給装置６１に接続された配管６５は、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４内に設置された配管６９に接続されてもよい。図３Ｆに示すように、配管６９は、２つの部材（第１部材６９ａ及び第２部材６９ｂ）で構成されてもよい。各部材は、円錐部２０ａの一部に沿った形状を有する胴体部と、胴体部から外方に広がる返し部とを含んでもよい。第１部材６９ａの胴体部の内径は、第２部材６９ｂの胴体部の外形よりも大きいのが好ましい。これらの２つの部材は、間に略均一なギャップが形成されるように、図示しないスペーサー等で互いに固定されていてもよい。組み合わされた２つの部材は、ＥＵＶ集光ミラー２３の裏面側（反射面の反対側の面）に位置し水素ガスの入口となる開口６９ｃと、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面側に位置し水素ガスの出口となる開口６９ｄとを有してもよい。第２部材６９ｂの胴体部は、サブチャンバ２０の円錐部２０ａの外面に固定されてもよい。配管６９は、開口６９ｄから吹き出した水素ガスがＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに沿って、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部から外周側へ向けて放射状に流れるように配置されていてもよい。
水素ガス供給装置６１に接続された配管６５は、配管７０（図３ａ参照）に接続されてもよい。配管７０の先端は、サブチャンバ２０内に開口し、ウィンドウ２１のチャンバ２内側の面付近に水素ガスを供給してもよい。
第２の実施形態においては、オブスキュレーション領域に紫外線ランプ６４を配置することにより、露光に利用されるＥＵＶ光の出力強度の実質的な低下を抑制するとともに、紫外光を効率的にＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに照射することができる。また、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面の中央部から外周側へ向けて放射状に水素ガスを流すので、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面付近に略均一に水素ガスを供給することができる。また、サブチャンバ２０内に水素ガスを流すので、ウィンドウ２１のチャンバ２内側の面に付着したスズ等のデブリもエッチングすることができる。
その他の点は、第１の実施形態と同様でよい。
その他の点は、第１の実施形態と同様でよい。
５．ガス供給装置及び紫外線レーザ装置を備えたＥＵＶ光生成装置
図４は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。第３の実施形態においては、紫外光源としてチャンバ２の外部に配置された紫外線レーザ装置７４を用いてもよい。紫外線レーザ装置７４は、エキシマレーザ装置、例えば、波長１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置や、波長２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置であってもよい。また、紫外線レーザ装置７４は、非線形結晶と固体レーザ装置とを組み合わせたレーザ装置でもよい。例えば、非線形結晶とＹＡＧレーザ装置とを組み合わせた装置を用いることによって、ＹＡＧレーザ装置の出力レーザ光の第４高調波を出力してもよい。
図４は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。第３の実施形態においては、紫外光源としてチャンバ２の外部に配置された紫外線レーザ装置７４を用いてもよい。紫外線レーザ装置７４は、エキシマレーザ装置、例えば、波長１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置や、波長２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置であってもよい。また、紫外線レーザ装置７４は、非線形結晶と固体レーザ装置とを組み合わせたレーザ装置でもよい。例えば、非線形結晶とＹＡＧレーザ装置とを組み合わせた装置を用いることによって、ＹＡＧレーザ装置の出力レーザ光の第４高調波を出力してもよい。
紫外線レーザ装置７４から出力される紫外線レーザ光の光路には、高反射ミラー７４ａが配置されてもよい。高反射ミラー７４ａは、チャンバ２に設置されたウィンドウ２１ａに向けて紫外線レーザ光を反射してもよい。チャンバ２内には、凸面ミラー７４ｂが配置されていてもよい。紫外線レーザ光は、ウィンドウ２１ａを透過し、凸面ミラー７４ｂに入射してもよい。凸面ミラー７４ｂは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面のほぼ全体に紫外線レーザ光が照射されるように、紫外線レーザ光を反射してビーム径を拡大してもよい。
第３の実施形態によれば、チャンバ２の外部に紫外光源を配置したので、チャンバ２内に配置する部品の点数を削減できる。また、紫外光源として紫外線レーザ装置を用いたので、チャンバ２の外部に紫外光源を配置した場合でも、チャンバ２内のＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に効率よく紫外光を照射することができる。
その他の点は、第１又は第２の実施形態と同様でよい。なお、紫外線レーザ装置をチャンバ２の内部に配置してもよいし、紫外線ランプ等の紫外光源をチャンバ２の外部に配置してもよい。
その他の点は、第１又は第２の実施形態と同様でよい。なお、紫外線レーザ装置をチャンバ２の内部に配置してもよいし、紫外線ランプ等の紫外光源をチャンバ２の外部に配置してもよい。
６．紫外線レーザ光によってデブリを吹き飛ばすＥＵＶ光生成装置
図５Ａは、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図５Ｂは、図５Ａの矢印ＶＢ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図５Ｃは、第３の実施形態におけるガス供給装置の配管の斜視図である。図５Ｄは、第３の実施形態におけるガス供給装置の配管の断面図である。
図５Ａは、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図５Ｂは、図５Ａの矢印ＶＢ方向から見たＥＵＶ光生成装置を概略的に示す。図５Ｃは、第３の実施形態におけるガス供給装置の配管の斜視図である。図５Ｄは、第３の実施形態におけるガス供給装置の配管の断面図である。
第４の実施形態においては、紫外光源としてチャンバ２の外部に配置された紫外線レーザ装置７４を用いてもよい。紫外線レーザ装置７４から出力された紫外線レーザ光の光路には、チャンバ２に形成されたウィンドウ２１ａと、チャンバ２内に配置された凹面ミラー７４ｃとが配置されていてもよい。凹面ミラー７４ｃは、図示しないピエゾアクチュエータを有するホルダ７４ｄによって保持されてもよい。ホルダ７４ｄに含まれるピエゾアクチュエータによって、凹面ミラー７４ｃの姿勢を制御可能であってもよい。紫外線レーザ装置７４から出力された紫外線レーザ光は、凹面ミラー７４ｃによって集光されてＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに照射されてもよい。凹面ミラー７４ｃと、ホルダ７４ｄと、レーザシステム３（図１参照）から出力されたレーザ光を吸収するビームダンプ６８と、ホルダ７４ｄ及びビームダンプ６８を固定する固定部材６７とは、オブスキュレーション領域９０ａ（図５Ｂ参照）に配置されてもよい。あるいは、これらの部材が、チャンバ２の中のＥＵＶ光のビーム断面９０以外の領域とオブスキュレーション領域９０ａとにまたがる領域内に配置されてもよい。
また、第４の実施形態においては、チャンバ２内に、レーザシステム３（図１参照）から出力されたレーザ光の光路の周囲を取り囲むサブチャンバ２０が配置されていてもよい。サブチャンバ２０は、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４を貫通する円錐部２０ａを有していてもよい。円錐部２０ａの底面側と頂点側とはそれぞれ開口しており、レーザ光が円錐部２０ａの底面側の開口２０ｂから頂点側の開口２０ｃを通り、プラズマ生成領域２５に到達できるようになっていてもよい（図３Ｆ参照）。
水素ガス供給装置６１に接続された配管６５は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面の外周部付近に配置された環状の配管７９に接続されてもよい。配管７９は、水素ガスの出口となるスリット状の開口７９ｄを有してもよい。開口７９ｄは、配管７９に沿って一周するように設けられていてもよい。また、開口７９ｄは、配管７９の内周面であってＥＵＶ集光ミラー２３に対向する側に設けられていてもよい。これにより、開口７９ｄから吹き出した水素ガスがＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に沿って、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周側から中央部へ向けて流れるようになっていてもよい。前記図３（Ａ）乃至図３（Ｆ）に示した構成によってチャンバ２内部への水素ガス供給が実施されてもよい。同様に、図３Ａの実施形態においても、図５Ａに示されたガス供給装置によって水素供給が行われてもよい。
水素ガス供給装置６１に接続された配管６５は、配管７０に接続されてもよい。配管７０の先端は、サブチャンバ２０内に開口し、ウィンドウ２１のチャンバ内側の面付近に水素ガスを供給してもよい。
第４の実施形態においては、凹面ミラー７４ｃの姿勢を制御して、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａにおける紫外線レーザ光の集光位置を変更することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面全体を走査して、水素ガスから水素ラジカルを生成することができる。また、図示しないイメージセンサ等によって得られたＥＵＶ集光ミラー２３の反射面の画像に基づいて、デブリが付着した位置を特定し、当該位置に紫外線レーザ光を照射することにより、効率的にデブリをエッチングすることもできる。また、紫外線レーザ装置７４から高エネルギーのパルスレーザ光を出力することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３ａに付着したデブリをその反射面から剥がすこともできる。
また、第４の実施形態においては、オブスキュレーション領域９０ａに凹面ミラー７４ｃや固定部材６７等を配置することにより、露光に利用されるＥＵＶ光の出力強度の実質的な低下を抑制することができる。また、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面の外周側から中央部へ向けて水素ガスを流すので、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面付近に略均一に水素ガスを供給することができる。また、サブチャンバ２０内に水素ガスを流すので、ウィンドウ２１のチャンバ２内側の面に付着したスズ等のデブリもエッチングすることができる。
その他の点は、第１〜第３の実施形態と同様でよい。
その他の点は、第１〜第３の実施形態と同様でよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１…光生成装置、２…チャンバ、３…レーザシステム、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…光生成制御装置、６…露光装置、１１…光生成システム、２０…サブチャンバ、２０ａ…円錐部、２０ｂ…底面、２０ｃ…頂点、２１…ウィンドウ、２１ａ…ウィンドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…集光ミラー、２３ａ…反射面、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ドロップレット生成器、２７…ドロップレットターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１…パルスレーザ光、３２…パルスレーザ光、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御装置、３４ａ…高反射ミラー、３４ｂ…高反射ミラー、４１…集光ミラーホルダ、４２…プレート、５１…ターゲット制御装置、５２…圧力制御装置、６１…水素ガス供給装置、６２…排気装置、６３…圧力センサ、６４…紫外線ランプ、６５…配管、６６…ランプ電源、６７…固定部材、６８…ビームダンプ、６９…配管、６９ａ…部材、６９ｂ…部材、６９ｃ…開口、６９ｄ…開口、７０…配管、７４…紫外線レーザ装置、７４ａ…高反射ミラー、７４ｂ…凸面ミラー、７４ｃ…凹面ミラー、７４ｄ…ホルダ、７９…配管、７９ｄ…開口、２５１…光、２５２…光、２９１…壁、２９２…中間焦点
Claims (7)
- レーザ光を出力するように構成されたレーザシステムと共に用いられる極端紫外光生成装置であって、
少なくともひとつの窓が設けられているチャンバと、
前記少なくともひとつの窓を通して前記チャンバ内の所定領域に前記レーザ光を入射させるように構成されたレーザ光進行方向制御装置と、
前記所定領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
前記チャンバ内に配置されたミラーであって、前記所定領域に対向する反射面を有し、前記所定領域において前記レーザ光を照射された前記ターゲット物質から生成されたプラズマから放出される極端紫外光を前記反射面によって反射して集光する前記ミラーと、
前記チャンバに接続された排気装置と、
前記チャンバに接続され、前記チャンバ内にエッチャントガスを供給するように構成されたガス供給装置と、
前記ミラーの前記反射面の少なくとも一部に紫外光を照射するように構成された紫外光源と、
を含む極端紫外光生成装置。 - 前記紫外光源は、深紫外（ＤＵＶ）光および真空紫外（ＶＵＶ）光の少なくとも一方の光を前記反射面の少なくとも一部に照射する、請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記紫外光源は、紫外線レーザ光源である請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記紫外光源は、前記チャンバの内部に配置された紫外線ランプである、請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記紫外光源は、前記チャンバの外部に配置され、
前記チャンバには、前記紫外光源から出力された紫外光を内部に入射させるための第２の窓が設けられた、請求項１に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記ガス供給装置は、前記ミラーの前記反射面に沿って前記エッチャントガスを流す、請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ガス供給装置は、前記ミラーの前記反射面に向けて前記エッチャントガスを流す、請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011283223A JP2013135033A (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 極端紫外光生成装置 |
| US13/560,310 US20130161540A1 (en) | 2011-12-26 | 2012-07-27 | Extreme ultraviolet light generation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011283223A JP2013135033A (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 極端紫外光生成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013135033A true JP2013135033A (ja) | 2013-07-08 |
Family
ID=48653599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011283223A Pending JP2013135033A (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 極端紫外光生成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130161540A1 (ja) |
| JP (1) | JP2013135033A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015097794A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| WO2016098193A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| JP2016530553A (ja) * | 2013-07-11 | 2016-09-29 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 中空光導波路アセンブリ |
| WO2016157315A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びその設計方法 |
| WO2016175031A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成システム |
| WO2017017834A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| WO2018179417A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| JP2019504356A (ja) * | 2016-01-21 | 2019-02-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Ｅｕｖ容器及びｅｕｖコレクタのターゲット材料デブリクリーニングのためのシステム、方法、及び装置 |
| JP2020016894A (ja) * | 2013-09-09 | 2020-01-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 極端紫外光源用搬送システム |
| WO2020100269A1 (ja) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2021241020A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | ウシオ電機株式会社 | 還元処理方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10237960B2 (en) * | 2013-12-02 | 2019-03-19 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
| US9301382B2 (en) * | 2013-12-02 | 2016-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for and method of source material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
| DE102014204658A1 (de) * | 2014-03-13 | 2015-03-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung für die EUV-Lithographie |
| US9377693B2 (en) | 2014-03-13 | 2016-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Collector in an extreme ultraviolet lithography system with optimal air curtain protection |
| CN104638503B (zh) * | 2015-02-15 | 2017-09-26 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 多脉冲组合泵浦的lpp‑euv光源系统 |
| WO2017187571A1 (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置 |
| NL2022644A (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-10 | Asml Netherlands Bv | Prolonging optical element lifetime in an euv lithography system |
| US10527926B1 (en) * | 2018-10-31 | 2020-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pressurized tin collection bucket with in-line draining mechanism |
| KR20230036226A (ko) * | 2021-09-07 | 2023-03-14 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 생성용 콜렉터 미러 및 이를 포함하는 극자외선 생성 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009086287A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Univ Nagoya | 反射鏡、その製造方法、そのクリーニング方法及び光源装置 |
| JP2009105307A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Univ Of Miyazaki | 極端紫外光源装置および極端紫外光源における付着物除去方法 |
| JP2011023712A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-02-03 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
| JP2011181935A (ja) * | 2003-04-08 | 2011-09-15 | Cymer Inc | Ｅｕｖ光源用コレクタ |
-
2011
- 2011-12-26 JP JP2011283223A patent/JP2013135033A/ja active Pending
-
2012
- 2012-07-27 US US13/560,310 patent/US20130161540A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011181935A (ja) * | 2003-04-08 | 2011-09-15 | Cymer Inc | Ｅｕｖ光源用コレクタ |
| JP2009086287A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Univ Nagoya | 反射鏡、その製造方法、そのクリーニング方法及び光源装置 |
| JP2009105307A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Univ Of Miyazaki | 極端紫外光源装置および極端紫外光源における付着物除去方法 |
| JP2011023712A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-02-03 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016530553A (ja) * | 2013-07-11 | 2016-09-29 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 中空光導波路アセンブリ |
| JP2020016894A (ja) * | 2013-09-09 | 2020-01-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 極端紫外光源用搬送システム |
| US9661730B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-05-23 | Gigaphoton, Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus with a gas supply toward a trajectory of a target |
| WO2015097794A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| JPWO2015097794A1 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-03-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| WO2016098193A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| US10136510B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-11-20 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
| JPWO2016098193A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2017-09-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| US10001706B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-06-19 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus and method of designing the same |
| JPWO2016157315A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2018-01-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びその設計方法 |
| WO2016157315A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びその設計方法 |
| WO2016175031A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成システム |
| WO2016174752A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置、ターゲット生成方法および極端紫外光生成装置 |
| US10028365B2 (en) | 2015-04-28 | 2018-07-17 | Gigaphoton Inc. | Chamber device, target generation method, and extreme ultraviolet light generation system |
| US10455679B2 (en) | 2015-07-30 | 2019-10-22 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
| WO2017017834A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| JPWO2017017834A1 (ja) * | 2015-07-30 | 2018-05-17 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| JP2019504356A (ja) * | 2016-01-21 | 2019-02-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Ｅｕｖ容器及びｅｕｖコレクタのターゲット材料デブリクリーニングのためのシステム、方法、及び装置 |
| US11013096B2 (en) | 2016-01-21 | 2021-05-18 | ASML Nettherlands B.V. | System, method and apparatus for target material debris cleaning of EUV vessel and EUV collector |
| WO2018179417A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| JPWO2018179417A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| US10582602B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-03-03 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus |
| WO2020100269A1 (ja) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
| US11272608B2 (en) | 2018-11-15 | 2022-03-08 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus and electronic device manufacturing method |
| WO2021241020A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | ウシオ電機株式会社 | 還元処理方法 |
| CN115427609A (zh) * | 2020-05-29 | 2022-12-02 | 优志旺电机株式会社 | 还原处理方法 |
| JP7530564B2 (ja) | 2020-05-29 | 2024-08-08 | ウシオ電機株式会社 | 還元処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130161540A1 (en) | 2013-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013135033A (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
| KR101357231B1 (ko) | Ｌｐｐ 방식의 ｅｕｖ 광원과 그 발생 방법 | |
| JP5876711B2 (ja) | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 | |
| JP5597885B2 (ja) | Ｌｐｐ、ｅｕｖ光源駆動レーザシステム | |
| JP4320999B2 (ja) | Ｘ線発生装置及び露光装置 | |
| JP6731541B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
| US9632419B2 (en) | Radiation source | |
| JP3662574B2 (ja) | リソグラフィ投影装置および上記装置に使うためのレフレクタ組立体 | |
| JP2012212641A (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 | |
| US20110013166A1 (en) | Radiation system and lithographic apparatus | |
| US8547525B2 (en) | EUV radiation generation apparatus | |
| US10455679B2 (en) | Extreme ultraviolet light generation device | |
| US8698113B2 (en) | Chamber apparatus and extreme ultraviolet (EUV) light generation apparatus including the chamber apparatus | |
| CN109799683B (zh) | 在微影曝光制程中产生光的方法及光源 | |
| JP2021152601A (ja) | 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP6977047B2 (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法 | |
| WO2016027346A1 (ja) | 極端紫外光生成システムおよび極端紫外光生成方法 | |
| JP6616427B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
| WO2020183550A1 (ja) | スズトラップ装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP2022026279A (ja) | 極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP5578482B2 (ja) | Ｌｐｐ方式のｅｕｖ光源とその発生方法 | |
| KR102673037B1 (ko) | Ｅｕｖ 광원 생성장치 | |
| JP2021071543A (ja) | 極端紫外光集光ミラー、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP5930553B2 (ja) | Ｌｐｐ方式のｅｕｖ光源とその発生方法 | |
| JP6811835B2 (ja) | レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20140411 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141110 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151006 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160301 |