JP2021152601A - 極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反射面７５ａの汚染が抑制されるＥＵＶ光生成装置（ＬＰＰ）を提供する。【解決手段】極端紫外光生成装置は、チャンバ装置１０と、集光ミラー７５と、排気口１０Ｅと、中心側ガス供給口８１ａと、を備える。排気口１０Ｅは、チャンバ装置１０に設けられ、プラズマ生成領域ＡＲを基準として反射面７５ａとは反対側において、焦点直線ＬＯの側方に設けられる。中心側ガス供給口８１ａは、排気口１０Ｅとプラズマ生成領域ＡＲと反射面７５ａの外周部よりも内側とを通る供給直線Ｌ１上においてプラズマ生成領域ＡＲを基準にして排気口１０Ｅとは反対側に設けられる。中心側ガス供給口８１ａは、供給直線Ｌ１に沿ってプラズマ生成領域ＡＲを介して排気口１０Ｅに向かってガスを供給する。【選択図】図６

Description

本開示は、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。

米国特許出願公開第２０１３／０１２６７６１号明細書 米国特許出願公開第２００６／０２１９９５９号明細書 国際公開第２０１８／１２７５６５号公報 国際公開第２０１９／１０２５２６号公報

概要

本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、レーザ光が照射されるドロップレットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバ装置と、内部空間に配置され、プラズマ生成領域においてプラズマから生成される極端紫外光を反射する回転楕円面形状の反射面を含む集光ミラーと、チャンバ装置に設けられ、プラズマ生成領域を基準として反射面とは反対側において、反射面の第１焦点及び第２焦点を通る焦点直線の側方に設けられる排気口と、排気口とプラズマ生成領域と反射面の外周部よりも内側とを通る供給直線上においてプラズマ生成領域を基準にして排気口とは反対側に設けられる中心側ガス供給口と、を備え、中心側ガス供給口は、供給直線に沿ってプラズマ生成領域を介して排気口に向かってガスを供給してもよい。

また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザ光が照射されるドロップレットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバ装置と、内部空間に配置され、プラズマ生成領域においてプラズマから生成される極端紫外光を反射する回転楕円面形状の反射面を含む集光ミラーと、チャンバ装置に設けられ、プラズマ生成領域を基準として反射面とは反対側において、反射面の第１焦点及び第２焦点を通る焦点直線の側方に設けられる排気口と、排気口とプラズマ生成領域と反射面の外周部よりも内側とを通る供給直線上においてプラズマ生成領域を基準にして排気口とは反対側に設けられる中心側ガス供給口と、を備え、中心側ガス供給口は、供給直線に沿ってプラズマ生成領域を介して排気口に向かってガスを供給する極端紫外光生成装置によって、ドロップレットにレーザ光を照射することによってプラズマを生成し、プラズマから生成される極端紫外光を露光装置に出射し、電子デバイスを製造するために、露光装置によって感光基板上に極端紫外光を露光することを含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す図である。 図２は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す図である。 図３は、比較例におけるチャンバ装置を含む一部の概略構成例を示す図である。 図４は、プラズマ生成領域側から見る場合の比較例における反射面の正面図である。 図５は、比較例における、中心側ガス供給口からのエッチングガスの流れ、外周側ガス供給口からのエッチングガスの流れ、ガス渦の流れ、及び逆流ガスの流れを示す図である。 図６は、実施形態１におけるチャンバ装置を含む一部の概略構成例を示す図である。 図７は、プラズマ生成領域側から見る場合の実施形態１における反射面の正面図である。 図８は、実施形態１における中心側ガス供給口からのエッチングガスの流れ及び外周側ガス供給口からのエッチングガスの流れを示す図である。 図９は、実施形態１の中心側ガス供給部の変形例を示す図である。 図１０は、実施形態１の出射口の変形例を示す図である。 図１１は、実施形態２におけるチャンバ装置を含む一部の概略構成例を示す図である。 図１２は、プラズマ生成領域側から見る場合の実施形態２における反射面の正面図である。 図１３は、実施形態２の中心側ガス供給部の変形例を示す図である。

実施形態

１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１のＥＵＶ光生成装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２のＥＵＶ光生成装置の説明
５．１ 構成
５．２ 作用・効果

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。

２．電子デバイスの製造装置の説明
図１に示すように、電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。

３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。

図２は、本例のＥＵＶ光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、ＥＵＶ光生成装置１００は、レーザ装置ＬＤ、チャンバ装置１０、プロセッサ１２０、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。なお、図２では、後述する複数の外周側ガス供給部８３、及びガス供給装置７４といった、ＥＵＶ光生成装置１００の構成の一部が省略されている。

チャンバ装置１０は、密閉可能な容器である。チャンバ装置１０は、低圧雰囲気の内部空間を囲う内壁１０ｂを含む。チャンバ装置１０はサブチャンバ１５を含み、サブチャンバ１５にターゲット供給部４０が設けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１及びノズル４２を含む。ターゲット供給部４０は、ドロップレットＤＬをチャンバ装置１０の内部空間に供給し、例えば、サブチャンバ１５の壁を貫通するように取り付けられている。ドロップレットＤＬは、ターゲットとも呼ばれ、ターゲット供給部４０から供給される。

タンク４１は、その内部にドロップレットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。また、タンク４１の内部は、配管を介してガス圧を調節する圧力調節器４３と連通している。また、タンク４１にはヒータ４４が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４５から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。圧力調節器４３及びヒータ電源４５は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。

ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４６が取り付けられている。ピエゾ素子４６は、ピエゾ電源４７に電気的に接続されており、ピエゾ電源４７から印加される電圧で駆動される。ピエゾ電源４７は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。このピエゾ素子４６の動作により、ノズル４２から吐出されるターゲット物質はドロップレットＤＬにされる。

また、チャンバ装置１０は、ターゲット回収部１４を含む。ターゲット回収部１４は、チャンバ装置１０の内壁１０ｂに取り付けられる箱体である。ターゲット回収部１４は、チャンバ装置１０の内壁１０ｂに設けられる開口１０ａを介してチャンバ装置１０の内部空間に連通している。ターゲット回収部１４及び開口１０ａは、ノズル４２の直下に配置される。ターゲット回収部１４は、開口１０ａを通過してターゲット回収部１４に到達する不要なドロップレットＤＬを回収し、この不要なドロップレットＤＬが溜まるドレインタンクである。

チャンバ装置１０の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。この貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光９０が透過する。

また、チャンバ装置１０の内部空間には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを含む。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光９０を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光する光を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ装置１０の内部空間でのレーザ集光位置がプロセッサ１２０から指定された位置になるように調節される。

チャンバ装置１０の内部空間には、例えば、回転楕円面形状の反射面７５ａを含むＥＵＶ光集光ミラー７５が配置される。反射面７５ａは、プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから生成されるＥＵＶ光１０１を反射する。反射面７５ａは、第１焦点及び第２焦点を有する。反射面７５ａは、例えば、その第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、その第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。図２では、第１焦点及び第２焦点を通る直線が焦点直線Ｌ０として示されている。

また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０の内部空間及び露光装置２００の内部空間を連通させる接続部１９を含む。接続部１９の内部には、アパーチャが形成された壁が設けられる。この壁は、アパーチャが第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。

また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６及びターゲットセンサ２７を含む。圧力センサ２６及びターゲットセンサ２７は、チャンバ装置１０に取り付けられ、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。圧力センサ２６は、チャンバ装置１０の内部空間の圧力を計測する。ターゲットセンサ２７は、例えば撮像機能を含み、プロセッサ１２０からの指示によってドロップレットＤＬの存在、軌跡、位置、速度等を検出する。

レーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光９０を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合された気体を放電によって励起することで、レーザ光９０を出射するレーザ装置である。あるいは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光９０を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を含んでもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続したパルス状のレーザ光９０を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光９０の出射を抑制する動作である。

レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光９０の進行方向は、レーザ光デリバリ光学系３０によって調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光９０の進行方向を調節するための複数のミラー３０Ａ，３０Ｂを含み、これらミラー３０Ａ，３０Ｂの少なくとも１つの位置が不図示のアクチュエータで調節される。ミラー３０Ａ，３０Ｂの少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光９０がウィンドウ１２から適切にチャンバ装置１０の内部空間に伝搬し得る。

プロセッサ１２０は、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御し、さらにレーザ装置ＬＤをも制御する。プロセッサ１２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力に係る信号や、ターゲットセンサ２７によって撮像されたドロップレットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からのバースト信号等が入力される。プロセッサ１２０は、上記イメージデータ等を処理し、例えば、ドロップレットＤＬが出力されるタイミング、ドロップレットＤＬの出力方向等を制御してもよい。さらに、プロセッサ１２０は、レーザ装置ＬＤの発振タイミング、レーザ光９０の進行方向、レーザ光９０の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて後述のように他の制御が追加されてもよい。

次に、チャンバ装置１０の構成についてより詳細に説明する。

図３は、比較例におけるチャンバ装置１０を含む一部の概略構成例を示す模式図である。なお、図３では、レーザ集光光学系１３、ターゲット供給部４０、及びターゲット回収部１４といったチャンバ装置１０の構成の一部が省略されている。

チャンバ装置１０には、エッチングガスをチャンバ装置１０の内部空間に供給する中心側ガス供給部８１、及び複数の外周側ガス供給部８３が配置されている。上記のように、ターゲット物質はスズを含むため、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が１００％と見做せる水素含有ガスである。あるいは、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスでもよい。バランスガスには、窒素（Ｎ_２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれている。ドロップレットＤＬを構成するターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。エッチングガスは、これら微粒子及び荷電粒子を構成するスズと反応する水素を含む。スズが水素と反応すると、常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ_４）になる。

中心側ガス供給部８１は、円錐台の側面状の形状をしており、コーンと呼ばれる場合がある。中心側ガス供給部８１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５の中央部に形成された第１貫通孔７５ｃを挿通している。

図４は、プラズマ生成領域ＡＲ側から見る場合の比較例における反射面７５ａの正面図である。中心側ガス供給部８１及び第１貫通孔７５ｃは、反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂに設けられる。オブスキュレーション領域７５ｂとは、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって集光されるＥＵＶ光１０１の立体空間のうち露光装置２００において利用されない角度範囲に対応する空間領域のことをいう。従って、中心側ガス供給部８１及び第１貫通孔７５ｃは、オブスキュレーション領域７５ｂに設けられても、露光装置２００における露光に影響を与えることはない。なお、オブスキュレーション領域７５ｂ内に光学要素などの部材が配置されたり、反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂと対応する領域に変形が施されたりすることが可能である。

図３及び図４に示すように、中心側ガス供給部８１は、ノズルである中心側ガス供給口８１ａを備える。中心側ガス供給口８１ａは、反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂに設けられる。中心側ガス供給口８１ａは、反射面７５ａの第１焦点及び第２焦点を通る焦点直線Ｌ０上に設けられる。焦点直線Ｌ０は、反射面７５ａの中心軸方向に沿って設けられている。

中心側ガス供給口８１ａは、反射面７５ａの中心側からプラズマ生成領域ＡＲに向かってエッチングガスを供給する。中心側ガス供給口８１ａは、焦点直線Ｌ０に沿って反射面７５ａの中心側から反射面７５ａから離れる方向にエッチングガスを供給することが好ましい。中心側ガス供給口８１ａは、中心側ガス供給部８１の配管８１ｂを介してエッチングガスを供給するタンクであるガス供給装置７４に接続されている。ガス供給装置７４は、プロセッサ１２０によって駆動を制御される。配管８１ｂには、不図示の供給ガス流量調節部が設けられてもよい。

比較例では、中心側ガス供給口８１ａは、エッチングガスをチャンバ装置１０の内部空間に供給するガス供給口であると共に、レーザ光９０がチャンバ装置１０の内部空間に出射する出射口でもある。レーザ光９０は、ウィンドウ１２と中心側ガス供給口８１ａとを通過してチャンバ装置１０の内部空間に向かって進行する。

複数の外周側ガス供給部８３は、ガス供給装置７４からのエッチングガスを反射面７５ａの外周部からチャンバ装置１０の内部空間に向かって供給する。

複数の外周側ガス供給部８３のそれぞれは、ノズルである外周側ガス供給口８３ａを備える。

外周側ガス供給口８３ａは、外周側ガス供給部８３の配管８３ｂを介してガス供給装置７４に接続される。配管８３ｂには、不図示の供給ガス流量調節部が設けられてもよい。外周側ガス供給口８３ａは、反射面７５ａの外周部に設けられている。

外周側ガス供給口８３ａは、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの一部が反射面７５ａの外周部から反射面７５ａに沿って反射面７５ａの中心に向かって流れるように、エッチングガスの一部を供給する。また、外周側ガス供給口８３ａは、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの別の一部が反射面７５ａの外周部からプラズマ生成領域ＡＲに向かって流れるように、エッチングガスの別の一部を供給する。また、外周側ガス供給口８３ａは、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの残りの一部が反射面７５ａの外周部から中間集光点ＩＦが位置する第２焦点側に向かって流れるように、エッチングガスの残りの一部を供給する。

複数の外周側ガス供給口８３ａは、焦点直線Ｌ０を基準とする同一の円の円周上に設けられる。外周側ガス供給口８３ａのそれぞれは、円の周方向において等間隔離れて設けられる。外周側ガス供給口８３ａは、焦点直線Ｌ０に向けられて設けられており、反射面７５ａの外側から反射面７５ａの内側に向かう方向にエッチングガスを供給する。従って、外周側ガス供給口８３ａは、焦点直線Ｌ０に近づく方向にエッチングガスを供給する。本比較例では、反射面７５ａの外側から反射面７５ａの内側に向かう方向は、反射面７５ａの径方向である。中心側ガス供給口８１ａ及び外周側ガス供給口８３ａからエッチングガスが供給されると、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスは中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスに向かって流れる。外周側ガス供給口８３ａは、ターゲット供給部４０及びターゲット回収部１４と同じ平面に設けられており、ターゲット供給部４０及びターゲット回収部１４の間には位置しない。

焦点直線Ｌ０に沿う方向における接続部１９側から外周側ガス供給口８３ａ側までの範囲において、チャンバ装置１０の内壁１０ｂは、円錐台の側面状の形状をしている。焦点直線Ｌ０に直交する方向における内壁１０ｂの断面積は、外周側ガス供給口８３ａ側から接続部１９側に向かって徐々に小さくされている。円錐台の側面におけるチャンバ装置１０の内壁１０ｂには、排気口１０Ｅが設けられている。焦点直線Ｌ０上には露光装置２００が配置されるため、排気口１０Ｅは、焦点直線Ｌ０上ではなく焦点直線Ｌ０の側方における内壁１０ｂに設けられている。排気口１０Ｅの中心軸１０ｇに沿う方向は、焦点直線Ｌ０に直交している。また、排気口１０Ｅは、焦点直線Ｌ０に垂直な方向から見る場合において、プラズマ生成領域ＡＲを基準として反射面７５ａとは反対側に設けられている。排気口１０Ｅは、チャンバ装置１０の内部空間の後述する残留ガスを排気する。排気口１０Ｅは排気管１０Ｐに接続されており、排気管１０Ｐは排気ポンプ６０に接続されている。

ターゲット物質がプラズマ化する際、排ガスとしての残留ガスがチャンバ装置１０の内部空間に生成される。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ装置１０の内部空間で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。排気ポンプ６０は、残留ガスを排気口１０Ｅと排気管１０Ｐとを介して吸引する。

３．２ 動作
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ装置１０の内部空間の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ装置１０の内部空間のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが用いられることが好ましい。その後、チャンバ装置１０の内部空間の圧力が所定の圧力以下になると、プロセッサ１２０は、ガス供給装置７４から中心側ガス供給部８１、及び複数の外周側ガス供給部８３を介してチャンバ装置１０の内部空間へのエッチングガスの導入を開始させる。このときプロセッサ１２０は、チャンバ装置１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、不図示の供給ガス流量調節部や排気ポンプ６０を制御してもよい。その後、プロセッサ１２０は、エッチングガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機する。

また、プロセッサ１２０は、排気ポンプ６０により、チャンバ装置１０の内部空間の気体を排気口１０Ｅから排気させ、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力の信号に基づいて、チャンバ装置１０の内部空間の圧力を略一定に保つ。

また、プロセッサ１２０は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱および維持するために、ヒータ電源４５からヒータ４４に電流を印加させヒータ４４を昇温させる。このとき、プロセッサ１２０は、不図示の温度センサからの出力に基づいて、ヒータ電源４５からヒータ４４へ印加される電流の値を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質がスズである場合、例えば２５０℃〜２９０℃である。

また、プロセッサ１２０は、ノズル４２の孔から溶融したターゲット物質が所定の速度で吐出するように、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を調節する。ノズル４２の孔から吐出するターゲット物質はジェットの形態をとってもよい。このとき、プロセッサ１２０は、ドロップレットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４７からピエゾ素子４６に所定波形の電圧を印加させる。ピエゾ素子４６の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２の孔から吐出するターゲット物質へと伝搬し得る。ターゲット物質は、この振動により所定周期で分断され、ターゲット物質から液滴のドロップレットＤＬが生成される。

また、プロセッサ１２０は、発光トリガ信号をレーザ装置ＬＤに出力する。発光トリガ信号が入力されると、レーザ装置ＬＤは、パルス状のレーザ光９０を出射する。出射されたレーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射する。また、レーザ光９０は、レーザ集光光学系１３から出射部である中心側ガス供給部８１に進行する。レーザ光９０は、中心側ガス供給部８１における出射口である中心側ガス供給口８１ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かって焦点直線Ｌ０に沿って出射され、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬに照射される。このとき、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲで集光されるように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、プロセッサ１２０は、ドロップレットＤＬにレーザ光９０が照射されるように、ターゲットセンサ２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０を出射させる。このため、レーザ光集光ミラー１３Ａで集光されるレーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬに照射される。この照射により生成されたプラズマから、ＥＵＶ光を含む光が放射される。

プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。従って、接続部１９は、ＥＵＶ光生成装置１００におけるＥＵＶ光１０１の出射口であると理解し得る。

ターゲット物質がプラズマ化する際、上記のようにスズの微粒子が生じる。この微粒子は、チャンバ装置１０の内部空間に拡散する。チャンバ装置１０の内部空間に拡散した微粒子の一部は反射面７５ａに付着することがある。反射面７５ａに付着した微粒子は、複数の外周側ガス供給部８３から供給される水素を含むエッチングガスと反応してスタンナンになる。また、チャンバ装置１０の内部空間に拡散する微粒子は、中心側ガス供給部８１、及び複数の外周側ガス供給部８３から供給される水素を含むエッチングガスと反応してスタンナンになる。エッチングガスとの反応により得られたスタンナンの多くは、未反応のエッチングガスの流れにのって、排気口１０Ｅに流入する。

また、反射面７５ａに付着しなかった微粒子の少なくとも一部は、チャンバ装置１０の内部空間を流れる未反応のエッチングガスの一部と反応してスタンナンになり得る。この反応により生成されるスタンナンの多くは、未反応のエッチングガスの流れにのって、排気口１０Ｅに流入する。また、未反応の荷電粒子、微粒子、及びエッチングガスの少なくとも一部は、排気口１０Ｅに流入する。

排気口１０Ｅに流入した未反応のエッチングガス、微粒子、荷電粒子、及びスタンナン等は、残留ガスとして排気管１０Ｐから排気ポンプ６０内に流入し無害化等の所定の排気処理が施される。

本比較例では、プロセッサ１２０は、上記のガス供給装置７４から中心側ガス供給部８１、及び複数の外周側ガス供給部８３を介してチャンバ装置１０の内部空間へのエッチングガスの導入を開始させる。

図５は、比較例における、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの流れ、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの流れ、ガス渦の流れ、及び逆流ガスの流れを示す図である。

中心側ガス供給部８１において、エッチングガスは、ガス供給装置７４から配管８１ｂを介して中心側ガス供給口８１ａに供給され、中心側ガス供給口８１ａからチャンバ装置１０の内部空間に供給される。供給されたエッチングガスは、焦点直線Ｌ０に沿って反射面７５ａの中心側から反射面７５ａから離れる方向に流れる。図５において、焦点直線Ｌ０に沿って反射面７５ａの中心側から反射面７５ａから離れる方向に流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ１で示す。排気管１０Ｐの内部空間の圧力はチャンバ装置１０の内部空間の圧力に対して相対的に低いため、流れたエッチングガスの一部は圧力差によって焦点直線Ｌ０に沿う方向から排気口１０Ｅ側に曲がり得る。従って、エッチングガスの一部は、チャンバ装置１０の内部空間における残留ガスと共に排気口１０Ｅに向かって流れ、残留ガスと共に排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。図５において、焦点直線Ｌ０に沿う方向から排気口１０Ｅ側に曲がりさらに排気口１０Ｅに向かって流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ２で示す。

なお、排気口１０Ｅは、焦点直線Ｌ０上ではなく、焦点直線Ｌ０の側方に設けられている。従って、エッチングガスの別の一部は、排気口１０Ｅに流れ込まず、排気口１０Ｅを通り過ぎて、空間１０ｄに進行してしまうことがある。空間１０ｄは、排気口１０Ｅよりも接続部１９側において円錐台の側面状の内壁１０ｂに囲まれる空間である。空間１０ｄに進行したエッチングガスは空間１０ｄにおいて渦状に滞留し、ガス渦が発生してしまうことがある。図５において、ガス渦の流れを実線の矢印Ｆ１０で示す。ガス渦は、中心側ガス供給口８１ａから空間１０ｄに進行するエッチングガスの一部と衝突し、衝突によってエッチングガスの流れの向きを焦点直線Ｌ０に沿う方向から排気口１０Ｅ側に曲げる。これにより、エッチングガスは、チャンバ装置１０の内部空間における残留ガスと共に排気口１０Ｅに向かって流れ、残留ガスと共に排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。また、ガス渦におけるエッチングガスの一部もチャンバ装置１０の内部空間における残留ガスと共に排気口１０Ｅに向かって流れ、残留ガスと共に排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。

上記したようにドロップレットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されると、この照射により熱が放射される。この熱は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に焦点直線Ｌ０に沿ってプラズマ生成領域ＡＲ側からプラズマ生成領域ＡＲから離れる方向に流れる。また、熱は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に焦点直線Ｌ０に沿う方向から排気口１０Ｅ側に曲がり、排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。また、ドロップレットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子が生じる。スズの微粒子は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に焦点直線Ｌ０に沿ってプラズマ生成領域ＡＲ側からプラズマ生成領域ＡＲから離れる方向に流れる。また、スズの微粒子は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に焦点直線Ｌ０に沿う方向から排気口１０Ｅ側に曲がり、排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。

外周側ガス供給部８３において、エッチングガスは、ガス供給装置７４から配管８３ｂを介して外周側ガス供給口８３ａに供給され、外周側ガス供給口８３ａからチャンバ装置１０の内部空間に供給される。供給されたエッチングガスの一部は、反射面７５ａの外周部から反射面７５ａに沿って反射面７５ａの中心に向かって流れる。図５において、反射面７５ａの外周部から反射面７５ａに沿って反射面７５ａの中心に向かって流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ３で示す。反射面７５ａに沿って流れるエッチングガスは、反射面７５ａを冷却し、プラズマから発生する上記した光による反射面７５ａの熱変形を抑制する。また、反射面７５ａに沿って流れるエッチングガスは、反射面７５ａへのスズの付着を抑制する。スズは、チャンバ装置１０の内部空間において、プラズマから発生する上記した光によって加熱される残留ガスから析出され得る。詳細には、残留ガスに含まれるスタンナンの一部は、加熱によってスズに戻り得る。仮に、チャンバ装置１０の内部空間における残留ガスからスズが析出され、スズが反射面７５ａに付着する場合、反射面７５ａの反射率が低下し、反射面７５ａによって中間集光点ＩＦに向かって集光されるＥＵＶ光１０１は、スズによって集光を妨げられ得る。しかしながら、上記したように、スズの付着は反射面７５ａに沿って流れるエッチングガスによって抑制されるため、ＥＵＶ光１０１は中間集光点ＩＦへ集光される。

また、外周側ガス供給口８３ａにおいて、エッチングガスの別の一部は、外周側ガス供給口８３ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かって流れる。図５において、外周側ガス供給口８３ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かって流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ４で示す。

また、外周側ガス供給口８３ａにおいて、エッチングガスの残りの一部は、外周側ガス供給口８３ａから第２焦点側に向かって流れる。図５において、外周側ガス供給口８３ａから第２焦点側に向かって流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ５で示す。

矢印Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５によって流れを示されるエッチングガスは、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に、焦点直線Ｌ０に沿って反射面７５ａから離れる方向に流れる。また、上記したように、ターゲット物質がプラズマ化する際、排ガスとしての残留ガスがチャンバ装置１０の内部空間に生成される。従って、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスは、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガス及びチャンバ装置１０の内部空間における残留ガスと共に排気口１０Ｅに向かって流れ、残留ガスと共に排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。なお、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの一部は、排気口１０Ｅに流れ込まず、排気口１０Ｅを通り過ぎて、空間１０ｄに進行することもある。これにより、ガス渦が発生することもある。ガス渦は、上記したように、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの流れの向きを焦点直線Ｌ０に沿う方向から排気口１０Ｅ側に曲げる。

上記したように、中心側ガス供給口８１ａ及び外周側ガス供給口８３ａの少なくとも一つからのエッチングガスによって、空間１０ｄにおいてガス渦が発生する場合がある。ガス渦が発生する場合、ガス渦であるエッチングガスは、焦点直線Ｌ０に沿う方向において、空間１０ｄ側から反射面７５ａ側に向かって逆流してしまうことがある。このように逆流するエッチングガスを、以下では逆流ガスと呼ぶ場合がある。図５において、一部の逆流ガスの流れを実線の矢印Ｆ１１で示す。上記したように、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの一部は、外周側ガス供給口８３ａから第２焦点側に向かって流れている。このエッチングガスが逆流ガスに衝突すると、反射面７５ａへの逆流ガスの接触が抑制される。これにより、逆流ガスと共に反射面７５ａへの残留ガスの進行が抑制され、残留ガスからスズが析出されても、反射面７５ａへのスズの付着が抑制される。

３．３ 課題
ガス渦は、ドロップレットＤＬの軌道及び位置を変動させる要因となり得る。要因として、主に以下の２つが挙げられる。

第１に、ガス渦は中心側ガス供給口８１ａ及び外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスに波及してしまい、エッチングガスの流れが変動してしまう。エッチングガスの流れの変動によって、ドロップレットＤＬの軌道及び位置が変動してしまう。第２に、エッチングガスは、エッチングガスの密度、速度、及び方向に従った流体抵抗をドロップレットＤＬに与えるため、ドロップレットＤＬの軌道及び位置の変動の要因になり得る。特に、逆流ガスは、ドロップレットＤＬの軌道に位置するエッチングガスの密度、速度、及び方向の変動を大きくしてしまう。これにより、逆流ガスは、流体抵抗をドロップレットＤＬにさらに与えてしまうため、ドロップレットＤＬの軌道及び位置が大きく変動してしまう。

ドロップレットＤＬの軌道及び位置が変動すると、ドロップレットＤＬへのレーザ光９０の照射の正確性が低下してしまう。この場合、例えば、レーザ光９０がドロップレットＤＬの意図しない位置を照射してしまい、ＥＵＶ光１０１が生成されない懸念がある。または、レーザ光９０がドロップレットＤＬを照射できず、ＥＵＶ光１０１が生成されない懸念がある。また、ドロップレットＤＬは、変動によって、ターゲット回収部１４に進行せず、意図しない方向に流れてしまうことも考えられる。この場合、反射面７５ａといったチャンバ装置１０の内部空間の構造物はドロップレットＤＬによって汚染され得る。また、上記した照射の正確性の低下によってスズが大量に発生してしまい、反射面７５ａ周辺に存在するエッチングガスにおけるスズの濃度が高くなってしまうことがある。これにより、スズが反射面７５ａに付着し、反射面７５ａが汚染されてしまう。このようなチャンバ装置１０の内部空間の構造物の汚染等は、チャンバ装置１０の不具合となり得る。

また、ガス渦は、反射面７５ａを汚染する原因となり得る。汚染の要因として、主に以下が挙げられる。

逆流ガスが反射面７５ａに進行する過程において、逆流ガスはチャンバ装置１０の内部空間におけるスズの微粒子を取り込む。一部の逆流ガスが微粒子を取り込んだ状態で反射面７５ａに進行してしまうと、スズが反射面７５ａに付着し、反射面７５ａが汚染されてしまう。このような汚染は、チャンバ装置１０の不具合となり得る。

そこで、以下の実施形態では、ガス渦の発生を抑制することで、ガス渦によるＥＵＶ光生成装置１００の不具合を抑制し得るＥＵＶ光生成装置１００が例示される。

４．実施形態１のＥＵＶ光生成装置の説明
次に、実施形態１のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

４．１ 構成
図６は、本実施形態におけるチャンバ装置１０を含む一部の概略構成例を示す模式図である。なお、図６では、図３と同様に、レーザ集光光学系１３、ターゲット供給部４０及びターゲット回収部１４といったチャンバ装置１０の構成の一部が省略されている。

比較例の中心側ガス供給口８１ａは、エッチングガスをチャンバ装置１０の内部空間に供給するガス供給口であると共に、レーザ光９０がチャンバ装置１０の内部空間に出射する出射口でもある。しかしながら、本実施形態の中心側ガス供給口８１ａは、比較例の中心側ガス供給口８１ａとは異なり、出射口とは別体である。また、本実施形態の中心側ガス供給口８１ａを含む中心側ガス供給部８１は、比較例の中心側ガス供給口８１ａを含む中心側ガス供給部８１とは異なる位置に設けられる。

まず、本実施形態の出射口８５ａを含む出射部８５について説明する。

出射部８５及び出射口８５ａは、比較例の中心側ガス供給部８１及び中心側ガス供給口８１ａに相当する。従って、出射部８５は、円錐台の側面状の形状をしており、コーンと呼ばれる場合がある。焦点直線Ｌ０に直交する方向における出射部８５の断面積は、プラズマ生成領域ＡＲに向かって徐々に小さくされている。また、出射部８５は、ＥＵＶ光集光ミラー７５の中央部に形成された第１貫通孔７５ｃを挿通している。

図７は、プラズマ生成領域ＡＲ側から見る場合の実施形態１における反射面７５ａの正面図である。出射口８５ａ、出射部８５、及び第１貫通孔７５ｃは、反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂに設けられる。出射口８５ａ、出射部８５、及び第１貫通孔７５ｃのそれぞれの中心軸は、焦点直線Ｌ０上に設けられる。また、出射口８５ａは、ノズルである。

次に、本実施形態の中心側ガス供給口８１ａを含む中心側ガス供給部８１について説明する。

図６に示すように、本実施形態の中心側ガス供給部８１は、比較例の中心側ガス供給部８１と同様に、円錐台の側面状の形状をしており、コーンと呼ばれる場合がある。中心側ガス供給部８１の中心軸は、排気口１０Ｅとプラズマ生成領域ＡＲと反射面７５ａの外周部よりも内側とを通る供給直線Ｌ１上に設けられる。排気口１０Ｅは焦点直線Ｌ０の側方に設けられるため、供給直線Ｌ１は焦点直線Ｌ０に対して傾斜している直線である。供給直線Ｌ１は、排気口１０Ｅの中心軸１０ｇとプラズマ生成領域ＡＲと反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂとを通る直線でもある。従って、排気口１０Ｅの中心軸１０ｇに沿う方向は、焦点直線Ｌ０に対して傾斜している。供給直線Ｌ１に直交する方向における中心側ガス供給部８１の断面積は、プラズマ生成領域ＡＲに向かって徐々に小さくされている。中心側ガス供給部８１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５に形成された第２貫通孔７５ｄを挿通している。

図６及び図７に示すように、中心側ガス供給口８１ａは、供給直線Ｌ１上においてプラズマ生成領域ＡＲを基準にして排気口１０Ｅとは反対側に設けられている。本実施形態の中心側ガス供給口８１ａは、焦点直線Ｌ０上に設けられていないため、焦点直線Ｌ０上に設けられる出射口８５ａとは異なる位置に設けられる。また、中心側ガス供給口８１ａの中心軸は、出射口８５ａから出射するレーザ光９０の光軸とは異なる位置に設けられる。中心側ガス供給口８１ａの中心軸は、供給直線Ｌ１上に設けられることが好ましい。中心側ガス供給口８１ａは排気口１０Ｅよりも小さくされ、中心側ガス供給口８１ａは排気口１０Ｅに向けられて設けられている。従って、中心側ガス供給口８１ａ側から排気口１０Ｅ側を見る場合において、中心側ガス供給口８１ａの中心軸と直交する平面に投影される中心側ガス供給口８１ａの投影面全体は、排気口１０Ｅの内部に位置する。また、中心側ガス供給口８１ａはプラズマ生成領域ＡＲよりも大きくされ、プラズマ生成領域ＡＲ全体は中心側ガス供給口８１ａに向けられて設けられている。従って、プラズマ生成領域ＡＲ側から中心側ガス供給口８１ａ側を見る場合において、供給直線Ｌ１に直交する平面に投影されるプラズマ生成領域ＡＲの投影面全体は、中心側ガス供給口８１ａの内部に位置する。

図７に示すように、中心側ガス供給口８１ａ、中心側ガス供給部８１、及び第２貫通孔７５ｄは、反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂに設けられているが、出射部８５及び第１貫通孔７５ｃとは異なる位置に設けられる。中心側ガス供給口８１ａ、中心側ガス供給部８１、及び第２貫通孔７５ｄは、反射面７５ａの径方向において、出射口８５ａ、出射部８５、及び第１貫通孔７５ｃに隣り合って設けられているが、焦点直線Ｌ０上に設けられてはいない。

中心側ガス供給口８１ａは、供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａ側から反射面７５ａから離れる方向にエッチングガスを供給する。供給直線Ｌ１が焦点直線Ｌ０に沿う方向に対して傾斜しているため、供給直線Ｌ１に沿う方向である中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの供給方向は焦点直線Ｌ０に沿う方向に対して傾斜している。また、中心側ガス供給口８１ａは、供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａ側からプラズマ生成領域ＡＲを介して排気口１０Ｅに向かってエッチングガスを供給する。

ここで、中心側ガス供給口８１ａにおけるエッチングガスの流束密度について説明する。流束密度は、中心側ガス供給口８１ａを単位時間及び単位面積当たりに通過するエッチングガスの質量の平均値を示す。ここでは、中心側ガス供給口８１ａにおけるエッチングガスの流束密度をＡとし、中心側ガス供給口８１ａを１秒当たりに通過するエッチングガスの質量をＭとし、中心側ガス供給口８１ａの実効断面積をＳとする。実効断面積Ｓは、中心側ガス供給口８１ａの中心軸と直交する平面に投影される中心側ガス供給口８１ａの投影面の面積である。流束密度Ａは、質量Ｍと実効断面積Ｓとを基に、以下の式（１）によって算出される。
Ａ＝Ｍ／Ｓ ・・・（１）
本実施形態では、式（１）によって算出される流束密度Ａは、例えば、７．５×１０^−３（ｋｇ・ｍ^−２・ｓ^−１）以上１．５×１０^−１（ｋｇ・ｍ^−２・ｓ^−１）以下であることが好ましい。

なお、外周側ガス供給口８３ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かうエッチングガスの流束密度Ａ１についても、外周側ガス供給口８３ａを１秒当たりに通過するエッチングガスの質量Ｍ１と、外周側ガス供給口８３ａの実効断面積Ｓ１とを基に、式（１）によって算出される。質量Ｍ，Ｍ１と、実効断面積Ｓ，Ｓ１とを基に、流束密度Ａは流束密度Ａ１よりも高くされる。従って、中心側ガス供給口８１ａは、チャンバ装置１０においてプラズマ生成領域ＡＲを通るエッチングガスのうち流束密度が最も大きいエッチングガスを供給する。

４．２ 動作
次に、本実施形態におけるレーザ装置ＬＤ、中心側ガス供給部８１、及び外周側ガス供給部８３の動作について説明する。図８は、実施形態１における中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの流れ、及び外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの流れを示す図である。

本実施形態では、比較例と同様に、レーザ装置ＬＤは、レーザ光９０を出射する。レーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由してレーザ集光光学系１３に入射する。また、レーザ光９０は、レーザ集光光学系１３から出射部８５に進行する。レーザ光９０は、出射部８５の出射口８５ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かって焦点直線Ｌ０に沿って出射され、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬに照射される。この照射により生成されたプラズマから、ＥＵＶ光を含む光が放射される。プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー７５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。

本実施形態では、比較例と同様に、中心側ガス供給部８１において、エッチングガスは、ガス供給装置７４から配管８１ｂを介して中心側ガス供給口８１ａに供給され、中心側ガス供給口８１ａからチャンバ装置１０の内部空間に供給される。本実施形態では、供給されたエッチングガスは、供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａ側から反射面７５ａから離れる方向に流れる。流れたエッチングガスは、チャンバ装置１０の内部空間における残留ガスと共に、供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａ側からプラズマ生成領域ＡＲを経由して排気口１０Ｅに向かって流れる。図８において、供給直線Ｌ１に沿って中心側ガス供給口８１ａからプラズマ生成領域ＡＲを経由して排気口１０Ｅに向かって流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ２１で示す。また、流れたエッチングガスは、残留ガスと共に排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。

本実施形態では、比較例と同様に、ドロップレットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されると、この照射により熱が放射される。本実施形態では、この熱は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａから離れる方向に流れ、排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。また、本実施形態では、比較例と同様に、ドロップレットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子が生じる。本実施形態では、スズの微粒子は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に供給直線Ｌ１に沿ってプラズマ生成領域ＡＲ側からプラズマ生成領域ＡＲから離れる方向に流れ、排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。

本実施形態では、比較例と同様に、外周側ガス供給部８３において、エッチングガスは、ガス供給装置７４から配管８３ｂを介して外周側ガス供給口８３ａに供給され、外周側ガス供給口８３ａからチャンバ装置１０の内部空間に供給される。供給されたエッチングガスの一部は、反射面７５ａの外周部から反射面７５ａに沿って反射面７５ａの中心に向かって流れる。図８において、反射面７５ａの外周部から反射面７５ａに沿って反射面７５ａの中心に向かって流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ３で示す。反射面７５ａに沿って流れるエッチングガスは、反射面７５ａを冷却し、プラズマから発生する上記した光による反射面７５ａの熱変形を抑制する。また、反射面７５ａに沿って流れるエッチングガスは、反射面７５ａへのスズの付着を抑制する。これにより、反射面７５ａの反射率の低下が抑制され、ＥＵＶ光１０１は中間集光点ＩＦへ集光される。

また、本実施形態では、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの一部は、反射面７５ａの外周部から中心側ガス供給口８１ａまで流れる。これにより、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの一部は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの流れによって中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａから離れる方向に流れる。図８において、供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａから離れる方向に流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ２３で示す。流れたエッチングガスは、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガス及びチャンバ装置１０の内部空間における残留ガスと共にプラズマ生成領域ＡＲを経由して排気口１０Ｅに向かって流れ、残留ガスと共に排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。

また、本実施形態では、比較例と同様に、外周側ガス供給口８３ａにおいて、エッチングガスの別の一部は、外周側ガス供給口８３ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かって流れる。図８において、外周側ガス供給口８３ａからプラズマ生成領域ＡＲに向かって流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ４で示す。

本実施形態では、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの別の一部は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスが供給直線Ｌ１に沿って流れるプラズマ生成領域ＡＲまで流れる。これにより、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの別の一部は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの流れによって中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａから離れる方向に流れる。図８において、供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａから離れる方向に流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ２４で示す。流れたエッチングガスは、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガス及びチャンバ装置１０の内部空間における残留ガスと共にプラズマ生成領域ＡＲを経由して排気口１０Ｅに向かって流れ、残留ガスと共に排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。

また、本実施形態では、比較例と同様に、外周側ガス供給口８３ａにおいて、エッチングガスの残りの一部は、外周側ガス供給口８３ａから第２焦点側に向かって流れる。図８において、外周側ガス供給口８３ａから第２焦点側に向かって流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ５で示す。

本実施形態では、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの残りの一部は、供給直線Ｌ１に沿って流れる中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスにまで流れる。これにより、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの残りの一部は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの流れによって中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスと共に供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａから離れる方向に流れる。図８において、供給直線Ｌ１に沿って反射面７５ａから離れる方向に流れるエッチングガスの流れを実線の矢印Ｆ２５で示す。流れたエッチングガスは、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガス及びチャンバ装置１０の内部空間における残留ガスと共にプラズマ生成領域ＡＲを経由して排気口１０Ｅに向かって流れ、残留ガスと共に排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。

比較例と同様に、ドロップレットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されると、この照射により熱が放射される。この熱は、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスと共に反射面７５ａから離れる方向に流れ、排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。また、ドロップレットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子が生じる。本実施形態では、スズの微粒子は、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスと共に供給直線Ｌ１に沿ってプラズマ生成領域ＡＲ側からプラズマ生成領域ＡＲから離れる方向に流れ、排気口１０Ｅから排気管１０Ｐを介して排気ポンプ６０に吸引される。

４．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、排気口１０Ｅは、焦点直線Ｌ０の側方に設けられる。中心側ガス供給口８１ａは、焦点直線Ｌ０に対して傾斜する供給直線Ｌ１上に設けられると共に、プラズマ生成領域ＡＲを基準にして排気口１０Ｅとは反対側に設けられる。また、中心側ガス供給口８１ａは、供給直線Ｌ１に沿ってプラズマ生成領域ＡＲを介して排気口１０Ｅに向かってエッチングガスを供給する。

このため、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスは排気口１０Ｅに流れ込み易くなり得、空間１０ｄへのエッチングガスの進行が抑制され、空間１０ｄにおけるガス渦の発生が抑制され得る。従って、ガス渦によるドロップレットＤＬの軌道及び位置の変動が抑制され得、ドロップレットＤＬへのレーザ光９０の照射の正確性の低下が抑制され得る。また、ガス渦の発生が抑制されるため、ガス渦による反射面７５ａの汚染が抑制され得る。

従って、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ガス渦の発生を抑制することで、ガス渦によるＥＵＶ光生成装置１００の不具合を抑制し得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ガス渦の発生が抑制されることで、逆流ガスの発生が抑制され得る。これにより、反射面７５ａへの逆流ガスの接触が抑制され得、逆流ガスと共に反射面７５ａへの残留ガスの進行が抑制され、残留ガスからスズが析出されても、反射面７５ａへのスズの付着が抑制され得る。

また、空間１０ｄにおけるガス渦は、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの供給量を増大させる原因となり得る。増大の要因は、主に以下が挙げられる。反射面７５ａへの逆流ガスの接触を抑制するためには、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスが逆流ガスと衝突する必要がある。このためには、外周側ガス供給口８３ａは反射面７５ａから第２焦点側に向かってエッチングガスを供給する必要があり、外周側ガス供給口８３ａからのエッチングガスの供給量が増大してしまう。

しかしながら、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、ガス渦の発生が抑制されることで、逆流ガスの発生が抑制され、逆流ガスに衝突させるために外周側ガス供給口８３ａから供給されるエッチングガスの供給量の増大が抑制され得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、中心側ガス供給口８１ａは反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂに設けられる。これにより、中心側ガス供給口８１ａによる露光装置２００における露光への影響が抑制され得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、中心側ガス供給口８１ａは排気口１０Ｅに向けられて設けられる。これにより、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスは、排気口１０Ｅに一層流れ込み易くなり得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、中心側ガス供給部８１及び中心側ガス供給口８１ａの中心軸は供給直線Ｌ１上に設けられる。これにより、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスは、供給直線Ｌ１に沿って流れ易くなり得、排気口１０Ｅにより一層流れ込み易くなり得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、中心側ガス供給部８１は円錐台の側面状の形状をしている。これにより、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスは、供給直線Ｌ１上に収束し得、流束密度が高い状態でプラズマ生成領域ＡＲに向かって出射され得る。なお、図９に示すように、中心側ガス供給部８１は円柱の側面状の形状をしていてもよく、中心側ガス供給部８１の中心軸は供給直線Ｌ１上に設けられてもよい。これにより、中心側ガス供給部８１が円錐台の側面状の形状である場合に比べて、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスは、拡散が抑制された状態で供給直線Ｌ１に沿って流れ易くなり得、排気口１０Ｅに流れ込み易くなり得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、中心側ガス供給口８１ａにおけるエッチングガスの流束密度Ａは、７．５×１０^−３（ｋｇ・ｍ^−２・ｓ^−１）以上１．５×１０^−１（ｋｇ・ｍ^−２・ｓ^−１）以下であることが好ましい。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、プラズマ生成領域ＡＲにおいて、ドロップレットＤＬへのレーザ光９０の照射によって熱が放射される。また、プラズマ生成領域ＡＲにおいて、ドロップレットＤＬがレーザ光９０を照射されプラズマ化すると、スズの微粒子が生じる。流束密度Ａが上記の範囲に収まるエッチングガスによって、熱及びスズの微粒子は、排気口１０Ｅに向けて効率的に流れ得る。

また、式（１）によって、中心側ガス供給口８１ａは、チャンバ装置１０においてプラズマ生成領域ＡＲを通るエッチングガスのうち流束密度が最も大きいエッチングガスを、供給直線Ｌ１に沿ってプラズマ生成領域ＡＲを介して排気口１０Ｅに向かって供給し得る。従って、残留ガス、及びプラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットＤＬへのレーザ光９０の照射によって放射される熱は、このエッチングガスによって、排気口１０Ｅに流れ易くなり得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、出射口８５ａは中心側ガス供給口８１ａとは別体である。これにより、出射口８５ａと中心側ガス供給口８１ａとが個別に設計され得、出射口８５ａと中心側ガス供給口８１ａとの配置の自由度が向上し得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、出射口８５ａは反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂに設けられる。これにより、出射口８５ａによる露光装置２００における露光への影響が抑制され得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、出射口８５ａは焦点直線Ｌ０上に設けられる。これにより、レーザ光９０は第１焦点におけるプラズマ生成領域ＡＲを照射し易くなり得る。

なお、本実施形態の出射口８５ａは、図１０に示すように、比較例と同様に、中心側ガス供給口であってもよく、配管８１ｂを介してガス供給装置７４に接続されてもよい。すなわち、本実施形態では、中心側ガス供給口８１ａは、２か所に設けられてもよい。また、中心側ガス供給口８１ａ及び中心側ガス供給部８１は、反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂに設けられていれば第２貫通孔７５ｄから突出してもよい。また、中心側ガス供給口８１ａ及び中心側ガス供給部８１は、反射面７５ａにおけるオブスキュレーション領域７５ｂに設けられる必要はなく、第２貫通孔７５ｄから突出せず、第２貫通孔７５ｄの内部空間に位置してもよい。また、中心側ガス供給口８１ａの少なくとも一部は、排気口１０Ｅに対向して設けられていてもよい。中心側ガス供給口８１ａ側から排気口１０Ｅ側を見る場合において、中心側ガス供給口８１ａの中心軸と直交する平面に投影される中心側ガス供給口８１ａの投影面の少なくとも一部は、排気口１０Ｅの内部に位置してもよい。

５．実施形態２のＥＵＶ光生成装置の説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成装置１００の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

５．１ 構成
図１１は、本実施形態におけるチャンバ装置１０を含む一部の概略構成例を示す図である。図１２は、プラズマ生成領域ＡＲ側から見る場合の本実施形態における反射面７５ａの正面図である。本実施形態のチャンバ装置１０では、中心側ガス供給口８１ａを含む中心側ガス供給部８１の構成は、実施形態１の中心側ガス供給口８１ａを含む中心側ガス供給部８１の構成とは異なる。具体的には、中心側ガス供給口８１ａは、エッチングガスをチャンバ装置１０の内部空間に供給するガス供給口であると共に、レーザ光９０がチャンバ装置１０の内部空間に出射する出射口でもある。また、中心側ガス供給部８１は、出射部でもある。レーザ光９０の光軸は、中心側ガス供給口８１ａの中心軸及び供給直線Ｌ１上に位置する。本実施形態では、第１貫通孔７５ｃは省略される。

５．２ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、中心側ガス供給口８１ａは、レーザ光９０が中心側ガス供給口８１ａから供給直線Ｌ１に沿ってプラズマ生成領域ＡＲに向かって出射する出射口である。従って、レーザ光９０の進行方向は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの供給方向と同じである。上記したように、ドロップレットＤＬがプラズマ生成領域ＡＲでレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子が生じる。この微粒子の大部分は、レーザ光９０の進行方向に拡散する。詳細には、微粒子の大部分は、供給直線Ｌ１に沿う方向において、レーザ光９０が照射されるドロップレットＤＬを基準として中心側ガス供給口８１ａとは反対側に拡散する。本実施形態では、レーザ光９０の進行方向は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスの供給方向と同じある。従って、微粒子の大部分は、中心側ガス供給口８１ａからのエッチングガスによって排気口１０Ｅに流れ込み易くなり得る。

また、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００では、出射口８５ａと中心側ガス供給口８１ａとが個別に設計される手間が省略され得、第１貫通孔７５ｃが省略され得、ＥＵＶ光集光ミラー７５における設計の自由度が向上し得る。

本実施形態では、比較例と同様に、図１３に示すように、第１貫通孔７５ｃ、中心側ガス供給口８１ａ及び中心側ガス供給部８１は、焦点直線Ｌ０上にさらに設けられ、配管８１ｂを介してガス供給装置７４に接続されてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (14)

1. レーザ光が照射されるドロップレットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバ装置と、
   前記内部空間に配置され、前記プラズマ生成領域において前記プラズマから生成される極端紫外光を反射する回転楕円面形状の反射面を含む集光ミラーと、
   前記チャンバ装置に設けられ、前記プラズマ生成領域を基準として前記反射面とは反対側において、前記反射面の第１焦点及び第２焦点を通る焦点直線の側方に設けられる排気口と、
   前記排気口と前記プラズマ生成領域と前記反射面の外周部よりも内側とを通る供給直線上において前記プラズマ生成領域を基準にして前記排気口とは反対側に設けられる中心側ガス供給口と、
   を備え、
   前記中心側ガス供給口は、前記供給直線に沿って前記プラズマ生成領域を介して前記排気口に向かってガスを供給する
   極端紫外光生成装置。
2. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記中心側ガス供給口は、前記反射面におけるオブスキュレーション領域に設けられる。
3. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記中心側ガス供給口は、前記排気口に向けられて設けられる。
4. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記供給直線は、前記排気口の中心軸と前記プラズマ生成領域と前記反射面におけるオブスキュレーション領域とを通り、
   前記中心側ガス供給口の中心軸は、前記供給直線上に設けられる。
5. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記中心側ガス供給口を有する中心側ガス供給部をさらに具備し、
   前記中心側ガス供給部は、円錐台の側面状の形状をしている。
6. 請求項５に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記中心側ガス供給部の中心軸は、前記供給直線上に設けられる。
7. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記中心側ガス供給口を有する中心側ガス供給部をさらに具備し、
   前記中心側ガス供給部は、円柱の側面状の形状をしている。
8. 請求項７に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記中心側ガス供給部の中心軸は、前記供給直線上に設けられる。
9. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
   前記中心側ガス供給口における前記ガスの流束密度は、７．５×１０^−３（ｋｇ・ｍ^−２・ｓ^−１）以上１．５×１０^−１（ｋｇ・ｍ^−２・ｓ^−１）以下である。
10. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記レーザ光が出射する出射口をさらに備え、
    前記出射口は、前記中心側ガス供給口とは別体である。
11. 請求項１０に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記出射口は、前記反射面におけるオブスキュレーション領域に設けられる。
12. 請求項１１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記出射口は、前記焦点直線上に設けられる。
13. 請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    前記中心側ガス供給口は、前記レーザ光が出射する出射口である。
14. 電子デバイスの製造方法であって、
    レーザ光が照射されるドロップレットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバ装置と、
    前記内部空間に配置され、前記プラズマ生成領域において前記プラズマから生成される極端紫外光を反射する回転楕円面形状の反射面を含む集光ミラーと、
    前記チャンバ装置に設けられ、前記プラズマ生成領域を基準として前記反射面とは反対側において、前記反射面の第１焦点及び第２焦点を通る焦点直線の側方に設けられる排気口と、
    前記排気口と前記プラズマ生成領域と前記反射面の外周部よりも内側とを通る供給直線上において前記プラズマ生成領域を基準にして前記排気口とは反対側に設けられる中心側ガス供給口と、
    を備え、
    前記中心側ガス供給口は、前記供給直線に沿って前記プラズマ生成領域を介して前記排気口に向かってガスを供給する極端紫外光生成装置によって、前記ドロップレットに前記レーザ光を照射することによって前記プラズマを生成し、前記プラズマから生成される前記極端紫外光を露光装置に出射し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置によって感光基板上に前記極端紫外光を露光すること
    を含む電子デバイスの製造方法。
    

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