JP7403271B2 - 極端紫外光集光ミラー、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

極端紫外光集光ミラー、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、極端紫外光集光ミラー、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特許第６２３２２１０号公報
概要
本開示の一態様による極端紫外光集光ミラーは、凹状に形成され、第１焦点から入射する極端紫外光を第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、第１焦点から入射し極端紫外光の波長より長い波長のレーザ光を回折する反射面を備え、反射面には、反射面を正面視する場合に、反射面の中心を囲む複数の第１反射部と、中心を囲み第１反射部の間に位置して互いに隣り合う第１反射部に対して反射方向と反対側に低い複数の第２反射部と、第１反射部と当該第１反射部に対して中心側で隣り合う第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第１段差部と、第１反射部と当該第１反射部に対して反射面の外周側で隣り合う第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第２段差部と、が設けられ、第１段差部及び第２段差部の高さは、互いに隣り合う第１反射部と第２反射部とで反射するレーザ光が互いに逆位相となる高さであり、第１段差部の高さは、第２段差部の高さ以上であり、少なくとも１つの第１段差部の高さは、第２段差部の高さよりも高くてもよい。
また、本開示の他の一態様による極端紫外光集光ミラーは、凹状に形成され、第１焦点から入射する極端紫外光を第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、第１焦点から入射し極端紫外光の波長より長い波長のレーザ光を回折する反射面を備え、反射面には、反射面を正面視する場合に、反射面の中心を囲む複数の反射部と、互いに隣り合う反射部において中心側の反射部の方が反射面の外周側の反射部よりも反射方向と反対側に低くなるように互いに隣り合う反射部間に１つずつ位置する複数の段差部と、が設けられ、段差部の高さは、互いに隣り合う反射部で反射されるレーザ光が互いに逆位相となる高さであり、段差部の少なくとも１つの高さは、互いに隣り合う反射部で反射されるレーザ光が互いに逆位相となる最低の高さよりも高くてもよい。
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、を備え、極端紫外光集光ミラーは、凹状に形成され、集光位置である第１焦点から入射する極端紫外光を第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、第１焦点から入射し極端紫外光の波長より長い波長のレーザ光を回折する反射面を備え、反射面には、反射面を正面視する場合に、反射面の中心を囲む複数の第１反射部と、中心を囲み第１反射部の間に位置して互いに隣り合う第１反射部に対して反射方向と反対側に低い複数の第２反射部と、第１反射部と当該第１反射部に対して中心側で隣り合う第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第１段差部と、第１反射部と当該第１反射部に対して反射面の外周側で隣り合う第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第２段差部と、が設けられ、第１段差部及び第２段差部の高さは、互いに隣り合う第１反射部と第２反射部とで反射するレーザ光が互いに逆位相となる高さであり、第１段差部の高さは、第２段差部の高さ以上であり、少なくとも１つの第１段差部の高さは、第２段差部の高さよりも高くてもよい。
また、本開示の他の一態様による極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、を備え、極端紫外光集光ミラーは、凹状に形成され、集光位置である第１焦点から入射する極端紫外光を第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、第１焦点から入射し極端紫外光の波長より長い波長のレーザ光を回折する反射面を備え、反射面には、反射面を正面視する場合に、反射面の中心を囲む複数の反射部と、互いに隣り合う反射部において中心側の反射部の方が反射面の外周側の反射部よりも反射方向と反対側に低くなるように互いに隣り合う反射部間に１つずつ位置する複数の段差部と、が設けられ、段差部の高さは、互いに隣り合う反射部で反射されるレーザ光が互いに逆位相となる高さであり、段差部の少なくとも１つの高さは、互いに隣り合う反射部で反射されるレーザ光が互いに逆位相となる最低の高さよりも高くてもよい。
また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光し、極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、を備え、極端紫外光集光ミラーは、凹状に形成され、集光位置である第１焦点から入射する極端紫外光を第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、第１焦点から入射し極端紫外光の波長より長い波長のレーザ光を回折する反射面を備え、反射面には、反射面を正面視する場合に、反射面の中心を囲む複数の第１反射部と、中心を囲み第１反射部の間に位置して互いに隣り合う第１反射部に対して反射方向と反対側に低い複数の第２反射部と、第１反射部と当該第１反射部に対して中心側で隣り合う第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第１段差部と、第１反射部と当該第１反射部に対して反射面の外周側で隣り合う第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第２段差部と、が設けられ、第１段差部及び第２段差部の高さは、互いに隣り合う第１反射部と第２反射部とで反射するレーザ光が互いに逆位相となる高さであり、第１段差部の高さは、第２段差部の高さ以上であり、少なくとも１つの第１段差部の高さは、第２段差部の高さよりも高くてもよい。
また、本開示の他の一態様による電子デバイスの製造方法は、極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光し、極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、を備え、極端紫外光集光ミラーは、凹状に形成され、集光位置である第１焦点から入射する極端紫外光を第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、第１焦点から入射し極端紫外光の波長より長い波長のレーザ光を回折する反射面を備え、反射面には、反射面を正面視する場合に、反射面の中心を囲む複数の反射部と、互いに隣り合う反射部において中心側の反射部の方が反射面の外周側の反射部よりも反射方向と反対側に低くなるように互いに隣り合う反射部間に１つずつ位置する複数の段差部と、が設けられ、段差部の高さは、互いに隣り合う反射部で反射されるレーザ光が互いに逆位相となる高さであり、段差部の少なくとも１つの高さは、互いに隣り合う反射部で反射されるレーザ光が互いに逆位相となる最低の高さよりも高くてもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、比較例におけるＥＵＶ光集光ミラーの反射面側からの正面図である。 図４は、比較例の第１の例における図３のIV－IV線での断面図である。 図５は、図４の反射面の一部を示す拡大図である。 図６は、比較例の第２の例における図４の反射面の一部を示す拡大図である。 図７は、実施形態１における図３のIV－IV線での断面図である。 図８は、実施形態１における図７の反射面の一部を示す拡大図である。 図９は、実施形態１における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、反射面の高さとの関係を示す図である。 図１０は、実施形態１における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、反射面とプラズマ生成領域との距離との関係を示す図である。 図１１は、実施形態２における図７の反射面の一部を示す拡大図である。 図１２は、実施形態３における図３のIV－IV線での断面図である。 図１３は、実施形態３における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、反射面の高さとの関係を示す図である。 図１４は、実施形態３における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、反射面とプラズマ生成領域との距離との関係を示す図である。 図１５は、実施形態３における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、正の整数ｎとの関係を示す図である。 図１６は、実施形態４において、反射面の全ての領域で第１反射部がプラズマ生成領域を中心とする同一の球面上に位置する場合において、反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、正の整数ｎとの関係を示す図である。 図１７は、実施形態４において、反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、反射面に入射するＥＵＶ光の強度比との関係の例を示す図である。 図１８は、実施形態４における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、反射面の高さとの関係を示す図である。 図１９は、実施形態４における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、反射面とプラズマ生成領域との距離との関係を示す図である。 図２０は、実施形態４における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、ＥＵＶ光強度－プラズマ生成領域反射面間距離比との関係を示す図である。 図２１は、実施形態４における反射面の中心から外周に向かう径方向の距離と、正の整数ｎとの関係を示す図である。
実施形態
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．比較例のＥＵＶ光集光ミラーの説明
４．１ 構成
４．２ 課題
５．実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーの説明
５．１ 構成
５．２ 作用・効果
６．実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーの説明
６．１ 構成
６．２ 作用・効果
７．実施形態３のＥＵＶ光集光ミラーの説明
７．１ 構成
７．２ 作用・効果
８．実施形態４のＥＵＶ光集光ミラーの説明
８．１ 構成
８．２ 作用・効果
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、本明細書では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
２．電子デバイスの製造装置の説明
図１に示すように、電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
３．極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
極端紫外光生成装置について説明する。図２は、本例の極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００には、レーザ装置ＬＤが接続されている。本実施形態のＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０、制御部ＣＯ、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。
チャンバ装置１０は、密閉可能な容器である。チャンバ装置１０はサブチャンバ１５を含み、サブチャンバ１５にターゲット供給部４０が設けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１と、ノズル４２とを含む。ターゲット供給部４０は、ドロップレットＤＬをチャンバ装置１０の内部空間に供給するよう構成され、例えば、サブチャンバ１５の壁を貫通するように取り付けられている。ドロップレットＤＬは、ターゲットとも呼ばれ、ターゲット供給部４０から供給される。
タンク４１は、その内部にドロップレットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。また、タンク４１の内部は、ガス圧を調節する圧力調節器４３と配管を介して連通している。また、タンク４１にはヒータ４４が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４５から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。圧力調節器４３及びヒータ電源４５は、制御部ＣＯに電気的に接続されている。
ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４６が取り付けられている。ピエゾ素子４６は、ピエゾ電源４７に電気的に接続されており、ピエゾ電源４７から印加される電圧で駆動される。ピエゾ電源４７は、制御部ＣＯに電気的に接続されている。このピエゾ素子４６の動作により、ノズル４２から吐出されるターゲット物質はドロップレットＤＬにされる。
また、チャンバ装置１０には、ターゲット回収部１４が設けられている。ターゲット回収部１４は不要なドロップレットＤＬを回収する。
チャンバ装置１０の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウィンドウ１２によって塞がれ、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光３０１が透過する。
また、チャンバ装置１０内には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂを有する。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光３０１を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光する光を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａおよび高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ装置１０内でのレーザ集光位置が制御部ＣＯから指定された位置になるように調節される。
チャンバ装置１０の内部には、概ね回転楕円面形状の反射面５５を有するＥＵＶ光集光ミラー５０が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー５０は、ＥＵＶ光を反射するミラーであり、ＥＵＶ光に対して第１焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー５０は、例えば、第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー５０の中央部には貫通孔５０Ｈが設けられ、貫通孔５０Ｈを上記のパルス状のレーザ光３０１が通過する。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０の内部空間と露光装置２００の内部空間とを連通させる接続部１９を含む。接続部１９の内部には、アパーチャが形成された壁が設けられる。この壁は、アパーチャがＥＵＶ光集光ミラー５０の第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６を含む。圧力センサ２６は、チャンバ装置１０の内部空間の圧力を計測する。また、ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ装置１０に取り付けられるターゲットセンサ２７を含む。ターゲットセンサ２７は、例えば撮像機能を有し、ドロップレットＤＬの存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成される。圧力センサ２６及びターゲットセンサ２７は、制御部ＣＯに電気的に接続されている。
レーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光３０１を出射する。マスターオシレータは、例えば、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合された気体を放電によって励起することで１０．６μｍの波長のレーザ光を出射するＣＯ２レーザ装置である。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光３０１を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を有してもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続したパルス状のレーザ光３０１を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光３０１の出射を抑制する動作である。
レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系３０で進行方向が調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光３０１の進行方向を調節するための複数のミラー３０Ａ，３０Ｂを含み、これらミラー３０Ａ，３０Ｂの少なくとも１つの位置が不図示のアクチュエータで調節される。このようにミラー３０Ａ，３０Ｂの少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光３０１がウィンドウ１２から適切にチャンバ装置１０内に伝搬し得る。
制御部ＣＯは、例えば、マイクロコントローラ、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ－ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの集積回路やＮＣ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ）装置を用いることができる。また、制御部ＣＯは、ＮＣ装置を用いた場合、機械学習器を用いたものであってもよく、機械学習器を用いないものであってもよい。制御部ＣＯは、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御するよう構成され、さらにレーザ装置ＬＤをも制御する。制御部ＣＯには、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力に係る信号や、ターゲットセンサ２７によって撮像されたドロップレットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からのバースト信号等が入力される。制御部ＣＯは、上記イメージデータ等を処理するよう構成され、例えば、ドロップレットＤＬが出力されるタイミング、ドロップレットＤＬの出力方向等を制御するよう構成される。
また、チャンバ装置１０には、エッチングガスをチャンバ装置１０の内部空間に供給するガス供給部７３が配置されている。ガス供給部７３は、配管を介してエッチングガスを供給するガス供給タンク７４に接続されている。上記のように、ターゲット物質はスズを含むため、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスである。バランスガスには、窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれてもよい。なお、ガス供給部７３とガス供給タンク７４との間の配管には、不図示の供給ガス流量調節部が設けられてもよい。
ガス供給部７３は、円錐台の側面状の形状をしており、コーンと呼ばれる場合がある。ガス供給部７３のガス供給口はＥＵＶ光集光ミラー５０に設けられた貫通孔５０Ｈに挿入され、ガス供給部７３は当該貫通孔５０ＨからエッチングガスをＥＵＶ光集光ミラー５０から離れる方向に供給する。また、レーザ光３０１は、ガス供給部７３を介して、上記のようにＥＵＶ光集光ミラー５０の貫通孔５０Ｈを通過する。したがって、ガス供給部７３のウィンドウ１２側はレーザ光３０１が透過可能な構成である。
ドロップレットＤＬを構成するターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化するとスズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。ガス供給部７３から供給されるエッチングガスは、これら微粒子及び荷電粒子を構成するスズと反応する水素を含む。スズが水素と反応すると常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。
また、チャンバ装置１０には、一対の排気口１０Ｅが設けられている。それぞれの排気口１０Ｅは、例えばチャンバ装置１０の壁の互いに対向する位置に設けられている。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ装置１０内で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。この残留ガスが排気される排気口１０Ｅは排気管に接続されており、排気管は、排気装置７５に接続されている。従って、排気口１０Ｅから排気される残留ガスは、排気管を介して排気装置７５に流入する。
３．２ 動作
ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ装置１０内の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ装置１０内のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素（Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスが用いられることが好ましい。チャンバ装置１０内の大気が排気された後、チャンバ装置１０内の圧力が所定の圧力以下になると、制御部ＣＯは、ガス供給部７３からチャンバ装置１０内へのエッチングガスの導入を開始する。このとき制御部ＣＯは、チャンバ装置１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、排気口１０Ｅから排気装置７５にチャンバ装置１０の内部空間内の気体を排気させながら、不図示の流量調節器を制御してもよい。制御部ＣＯは、圧力センサ２６で計測されたチャンバ装置１０の内部空間の圧力にかかる信号に基づいて、チャンバ装置１０の内部空間内の圧力を略一定に保つ。このときのチャンバ装置１０の内部空間内の圧力は、例えば１０Ｐａ～８０Ｐａの範囲内である。
また、制御部ＣＯは、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱するために、ヒータ電源４５から電流を供給してヒータ４４を昇温する。その後、不図示の温度センサからの出力に基づいて、ヒータ電源４５からヒータ４４へ供給する電流量を調整し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質としてスズが用いられる場合、例えば２５０℃～２９０℃の温度範囲内の温度である。
また、制御部ＣＯは、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の速度で出力するように、圧力調節器４３によってタンク４１内の圧力を制御する。ノズル４２の孔から吐出するターゲット物質はジェットの形態をとってもよい。このとき、制御部ＣＯは、ドロップレットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４７を介してピエゾ素子４６に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ素子４６の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２の孔から出力されるターゲット物質のジェットへと伝搬し得る。ターゲット物質のジェットは、この振動により所定周期で分断され、ターゲット物質から液滴のドロップレットＤＬが生成される。
また、制御部ＣＯは、発光トリガをレーザ装置ＬＤに出力する。発光トリガが入力されると、レーザ装置ＬＤは、例えば波長１０．６μｍのパルス状のレーザ光３０１を出射する。出射されたレーザ光３０１は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射する。このとき、制御部ＣＯは、レーザ光３０１がプラズマ生成領域ＡＲで集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、制御部ＣＯは、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射されるように、ターゲットセンサ２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光３０１を出射させる。このため、レーザ光集光ミラー１３Ａで収束されるレーザ光３０１は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットＤＬに照射される。この照射により生成されたプラズマから、波長が例えば１３．５ｎｍのＥＵＶ光を含む光が放射される。
プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ＥＵＶ光集光ミラー５０で反射されて、中間集光点ＩＦで集光された後、露光装置２００に入射する。なお、ドロップレットＤＬに照射されるレーザ光３０１の一部は、ドロップレットＤＬで反射して、その一部がＥＵＶ光集光ミラー５０で回折される。この回折の詳細は後述される。
また、ターゲット物質がプラズマ化する際、上記のように荷電微粒子や電気的に中性な微粒子が生じる。これら微粒子の一部は、排気口１０Ｅに流入する。例えば、不図示の磁場発生部等が設けられ、プラズマ生成領域ＡＲで生じる荷電微粒子が排気口１０Ｅに収束するための磁場が発生されてもよい。この場合、荷電微粒子は、磁場からローレンツ力を受けることで、磁力線に沿って螺旋軌道を描いて収束しながら排気口１０Ｅに誘導され、その多くが排気口１０Ｅに流入する。また、チャンバ装置１０内に拡散した微粒子の他の一部はＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５に付着する。反射面５５に付着した微粒子の一部は、ガス供給部７３から供給されるエッチングガスと反応し、この反応により所定の生成物となる。上記のようにターゲット物質がスズであり、エッチングガスが水素を含むガスである場合、生成物は常温で気体のスタンナンである。エッチングガスとの反応により得られた生成物は、未反応のエッチングガスの流れにのり排気口１０Ｅに流入する。排気口１０Ｅに流入した微粒子や残留ガスは、排気装置７５で無害化等の所定の排気処理が施される。
４．比較例のＥＵＶ光集光ミラーの説明
次に、上記の極端紫外光生成装置１００における比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
４．１ 構成
（第１の例）
本例では、反射面５５がバイナリ型の回折格子である例を示す。図３は、比較例におけるＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５側からの正面図である。なお、以降の図では貫通孔５０Ｈが省略される場合がある。図４は、本例における図３のIV－IV線での断面図である。図５は、図４の反射面の一部を示す拡大図である。ＥＵＶ光集光ミラー５０は、反射面５５側が概ね回転楕円形状に窪んだ形状をしており、表面に凹凸が形成されている。具体的には、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面の上記凹凸を平均化すると、プラズマ生成領域ＡＲである第１焦点と、中間集光点ＩＦである第２焦点の共役性を有する楕円面の一部となる。なお、特に図示しないが、反射面５５は、ＥＵＶ光１０１を反射するための多層反射膜を備えている。
本例では、反射面５５の中心５５Ｃを中心とする同心円状の複数の凸部５１Ａと、隣り合う凸部５１Ａ間に位置する複数の凹部５１Ｂとが設けられている。この凹部５１Ｂが、反射面５５に設けられる同心円状の複数の溝５５Ｇとなる。図５に示すように、本例の複数の凸部５１Ａ、凹部５１Ｂの断面は、概ね矩形状である。
本例では、それぞれの凸部５１Ａの頂面が反射面５５の第１反射部５６Ａであり、それぞれの凹部５１Ｂの底面が反射面５５の第２反射部５６Ｂである。なお、１つの第１反射部５６Ａと当該第１反射部５６Ａに隣り合う１つの第２反射部５６Ｂとで１つの反射部５６とする。本例では、反射面５５は、反射面５５を正面視する場合に、中心５５Ｃを囲む同心円状の複数の第１反射部５６Ａと、中心５５Ｃを囲む同心円状の複数の第２反射部５６Ｂとを含み、第２反射部５６Ｂは、互いに隣り合う第１反射部５６Ａ間に位置する。また、第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとの間には段差部５６Ｄが位置している。本例では、上記多層反射膜は、少なくともそれぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂに設けられている。それぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂは、プラズマ生成領域ＡＲ及び中間集光点ＩＦを焦点とする概ね回転楕円形状の一部の形状をしている。別言すれば、それぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂは、プラズマ生成領域ＡＲと中間集光点ＩＦの共役性を有する楕円面の一部である。従って、それぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂは、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の上記凹凸を平均化した面と平行である。
本例では、プラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットＤＬで反射する例えば波長１０．６μｍのレーザ光３０１が第１反射部５６Ａで反射する反射光と、当該レーザ光３０１が第２反射部５６Ｂで反射する反射光とは、互いに干渉する。つまり、第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとの段差により、プラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットＤＬで反射するレーザ光３０１に対しては、ＥＵＶ光集光ミラー５０は回折格子として機能する。一方、波長が例えば１３．５ｎｍのＥＵＶ光１０１に対しては、ＥＵＶ光集光ミラー５０は回折格子として機能せずミラーとして機能する。
溝５５Ｇのピッチは、例えば、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、１ｍｍ以上１．４ｍｍ以下であることが好ましい。このピッチは、反射部５６のピッチに等しい。
また、レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光３０１の波長をλとし、ドロップレットＤＬで反射してＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５における第１反射部５６Ａ、第２反射部５６Ｂに入射する光の入射角をθとすると、溝５５Ｇの深さ、すなわち段差部５６Ｄの高さｈは、以下の式（１）で示される。この光は、プラズマ生成領域ＡＲから入射する光であるため、レーザ光３０１がドロップレットＤＬで反射して、反射面５５に入射するレーザ光３０１であっても、ドロップレットＤＬから放射されるＥＵＶ光１０１であってもよい。
Figure 0007403271000001
なお、入射角θは、レーザ光３０１が反射面５５に入射する位置により変化する。上記のように、それぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂは、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の上記凹凸を平均化した面と平行であるため、ＥＵＶ光集光ミラー５０の所定の位置に入射するレーザ光３０１に着目する場合、入射角θは、図４に示すように、プラズマ生成領域ＡＲと当該所定の位置とを結ぶ線と、当該所定の位置におけるＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の法線とがなす角に等しい。従って、段差部５６Ｄの高さｈは、反射面５５の外周側程高くなる。
段差部５６Ｄの高さｈが式（１）を満たすことで、第１反射部５６Ａで反射するレーザ光３０１の位相と第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１の位相は、逆位相となる。また、式（１）を満たす高さｈは、第１反射部５６Ａで反射するレーザ光３０１の位相と第２反射部５６Ｂで反射するレーザ光３０１の位相とが逆位相となる場合の最低の高さである。
プラズマ生成領域ＡＲからＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５に入射するレーザ光３０１の０次回折光は、図２に示すように中間集光点ＩＦに集光し得る。しかし、段差部５６Ｄの高さｈが上記式（１）を満たすことで、第１反射部５６Ａで反射するレーザ光３０１と第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１との干渉により、この０次回折光の強度は弱められる。また、プラズマ生成領域ＡＲからＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５に入射するレーザ光３０１の０次回折光以外の回折光は、中間集光点ＩＦに集光せず、中間集光点ＩＦの周りの壁面上にリング状に集光する。従って、ＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するレーザ光３０１のうち、０次回折光以外の光は、チャンバ装置１０から出射することが抑制される。
また、第１反射部５６Ａ及び第２反射部５６Ｂの形状が上記のように回転楕円形状であることで、プラズマ生成領域ＡＲからＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するＥＵＶ光１０１は、第１反射部５６Ａ、第２反射部５６Ｂで反射して、中間集光点ＩＦで集光する。
（第２の例）
次に、比較例における第２の例のＥＵＶ光集光ミラー５０を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
本例では、反射面５５がブレーズド型の回折格子である例を示す。本例のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５側からの正面図は図３と同様であり、本例における図３のIV－IV線での断面図は図４と同様である。図６は、本例での図４の反射面の一部を示す拡大図である。本例では、反射面５５が断面視で鋸歯状に形成されており、互いに異なる傾斜角度の２つの面が隣り合い、反射面５５の中心５５Ｃを囲むように設けられている。つまり、反射面５５には、同心円状に傾斜角度の異なる２つの面が繰り返し設けられている。なお、図６には中心５５Ｃ側と外周側とが矢印で示されている。
互いに隣り合う面の一方は、反射面５５の反射部５６Ｃであり、プラズマ生成領域ＡＲ及び中間集光点ＩＦを焦点とする概ね回転楕円形状をしている。従って、それぞれの反射部５６Ｃは、プラズマ生成領域ＡＲと中間集光点ＩＦの共役性を有する楕円面の一部である。この反射部５６Ｃが図３の反射部５６に相当する。反射部５６Ｃは、中心５５Ｃ側に傾いている。また、互いに隣り合う面の他方は、反射部５６Ｃに対して概ね垂直であり、この面が互いに隣り合う反射部５６Ｃ同士の段差部５６Ｄとなる。つまり、本例では、反射面５５は、反射面５５を正面視する場合に、中心５５Ｃを囲む同心円状の複数の反射部５６Ｃを含み、それぞれの反射部５６Ｃの間に１つの段差部５６Ｄが位置している。本例では、上記多層反射膜は、少なくともそれぞれの反射部５６Ｃに設けられている。また、特に図示しないが、反射面５５は、ＥＵＶ光１０１を反射するための多層反射膜を備えている。この多層反射膜は、少なくともそれぞれの反射部５６に設けられている。それぞれの反射部５６は、プラズマ生成領域ＡＲ及び中間集光点ＩＦを焦点とする概ね回転楕円形状の一部の形状をしている。別言すれば、それぞれの反射部５６は、プラズマ生成領域ＡＲと中間集光点ＩＦの共役性を有する楕円面の一部である。
プラズマ生成領域ＡＲにおいてドロップレットＤＬで反射する例えば波長１０．６μｍのレーザ光３０１が互いに隣り合う反射部５６Ｃで反射すると、これら反射光同士は互いに干渉する。このため、互いに隣り合う反射部５６Ｃ同士の段差により、ドロップレットＤＬで反射する例えば波長１０．６μｍのレーザ光３０１に対しては、ＥＵＶ光集光ミラー５０は回折格子として機能する。一方、波長が例えば１３．５ｎｍのＥＵＶ光１０１に対しては、ＥＵＶ光集光ミラー５０は回折格子として機能せずミラーとして機能する。
反射部５６Ｃのピッチは、例えば、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、１ｍｍ以上１．４ｍｍ以下であることが好ましい。また、段差部５６Ｄの高さｈは、以下の式（２）で示される。
Figure 0007403271000002
なお、この場合のλ及びθは、第１の例におけるλ及びθと同様の意味である。
式（２）より、本例においても、段差部５６Ｄの高さｈは、反射面５５の外周側程高くなる。また、本例においても、段差部５６Ｄの高さｈが式（２）を満たすことで、互いに隣り合う反射部５６Ｃで反射するレーザ光３０１のそれぞれの位相は、互いに逆位相となる。また、式（２）を満たす高さｈは、互いに隣り合う反射部５６Ｃで反射するそれぞれのレーザ光３０１の位相が逆位相となる場合の最低の高さである。
本例においてもプラズマ生成領域ＡＲからＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５に入射するレーザ光３０１の０次回折光は、図２に示すように中間集光点ＩＦに集光し得る。しかし、上記段差の高さｈが上記式（２）を満たすことで、互いに隣り合う反射部５６Ｃで反射するレーザ光３０１同士の干渉により、この０次回折光の強度は弱められる。また、プラズマ生成領域ＡＲからＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５に入射するレーザ光３０１の０次回折光以外の回折光は、中間集光点ＩＦに集光せず、中間集光点ＩＦの周りの壁面上にリング状に集光する。従って、ＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するレーザ光３０１のうち、０次回折光以外の光は、チャンバ装置１０から出射することが抑制される。
また、本例においても、反射部５６Ｃの形状が上記のように回転楕円形状であることで、第１の例と同様に、プラズマ生成領域ＡＲからＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するＥＵＶ光１０１は、反射部５６Ｃで反射して、中間集光点ＩＦで集光される。
４．２ 課題
ＥＵＶ光集光ミラー５０の劣化は、主に多層反射膜の劣化に起因し、多層反射膜が劣化した部分では、ＥＵＶ光１０１の反射率が低減する。多層反射膜の劣化の主な要因は、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射されることで飛散する微粒子の付着である。この多層反射膜の劣化は、多層反射膜内におけるブリスタ、酸化劣化、スズのインプラント劣化等を誘発し、これらに起因して、多層反射膜はさらに劣化しやすくなる。また、多層反射膜の劣化の速度は、多層反射膜に照射されるＥＵＶ光１０１の照射強度、及び、レーザ光３０１がドロップレットＤＬに照射される際に発生する多層反射膜表面上のプラズマ由来のイオン密度に依存する。
ところで、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の形状は、上記のように概ね回転楕円形状をしている。このため、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の中心５５Ｃ側の方が外周側よりも第１の焦点であるプラズマ生成領域ＡＲに近い。このため、ドロップレットＤＬにレーザ光３０１が照射されることで飛散する微粒子は、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の外周側より中心５５Ｃ側に付着し易い傾向にある。また、多層反射膜に照射されるＥＵＶ光１０１の照射強度、及び、多層反射膜表面上のプラズマ由来のイオン密度は、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の外周側より中心５５Ｃ側で高い傾向にある。
このため、比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０は、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の外周側より中心５５Ｃ側において多層反射膜が劣化し易い傾向にある。このようにＥＵＶ光集光ミラー５０が部分的に劣化すると、ＥＵＶ光生成装置１００から出射するＥＵＶ光１０１の照射強度分布が意図せずに変化し得る。このため、比較例のＥＵＶ光集光ミラー５０では、反射面５５の中心５５Ｃ側における多層反射膜の劣化により寿命が決定される傾向がある。
そこで、以下の実施形態では、反射面５５の中心５５Ｃ側に入射するＥＵＶ光１０１の照射強度とプラズマ由来のイオン密度とが抑制されたＥＵＶ光集光ミラーが例示される。
５．実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーの説明
次に、実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
５．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５は、バイナリ型の回折格子を含む。本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５側からの正面図は図３と同様である。図７は、本実施形態における図３のIV－IV線での断面図であり、図８は、図７の反射面の一部を示す拡大図である。本実施形態では、反射面５５には、比較例における第１の例と同様に中心５５Ｃを中心とする同心円状の複数の凸部５１Ａと、隣り合う凸部５１Ａ間に位置する複数の凹部５１Ｂとが設けられている。本実施形態においても、それぞれの凸部５１Ａの頂面が反射面５５の第１反射部５６Ａであり、それぞれの凹部５１Ｂの底面が反射面５５の第２反射部５６Ｂである。従って、第２反射部５６Ｂは、第２反射部５６Ｂが隣り合う第１反射部５６Ａに対して反射方向と反対側に低くされている。また、本実施形態においても、反射面５５は、反射面５５を正面視する場合に、中心５５Ｃを囲む同心円状の複数の第１反射部５６Ａと、中心５５Ｃを囲む同心円状の複数の第２反射部５６Ｂとを含み、第２反射部５６Ｂは、互いに隣り合う第１反射部５６Ａ間に位置する。また、それぞれの第１反射部５６Ａの形状及びそれぞれの第２反射部５６Ｂの形状は、比較例におけるそれぞれの第１反射部５６Ａの形状及びそれぞれの第２反射部５６Ｂの形状と同様である。また、特に図示しないが、反射面５５は、ＥＵＶ光１０１を反射するための多層反射膜を備えている。この多層反射膜は、少なくともそれぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂに設けられている。それぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂは、プラズマ生成領域ＡＲ及び中間集光点ＩＦを焦点とする概ね回転楕円形状の一部の形状をしている。別言すれば、それぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂは、プラズマ生成領域ＡＲと中間集光点ＩＦの共役性を有する楕円面の一部であり、以降の実施形態においても、反射面５５にバイナリ型の回折格子を含む構成については、この関係が成立している。なお、図８には中心５５Ｃ側と外周側が矢印で示されている。
本実施形態では、第１反射部５６Ａと当該第１反射部５６Ａに対して反射面５５の中心５５Ｃ側において隣接する第２反射部５６Ｂとの間に第１段差部５６Ｄ１が設けられている。また、第１反射部５６Ａと当該第１反射部５６Ａに対して反射面５５の外周側において隣接する第２反射部５６Ｂとの間に第２段差部５６Ｄ２が設けられている。従って、第１反射部５６Ａの中心５５Ｃ側の縁は第１段差部５６Ｄ１に接続され、第１反射部５６Ａの反射面５５の外周側の縁は第２段差部５６Ｄ２に接続されている。また、第２反射部５６Ｂの中心５５Ｃ側の縁は第２段差部５６Ｄ２に接続され、第２反射部５６Ｂの反射面５５の外周側の縁は第１段差部５６Ｄ１に接続されている。第１段差部５６Ｄ１の高さは、第２段差部５６Ｄ２の高さよりも高い。
本実施形態においても、第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとの段差により、ドロップレットＤＬで反射する例えば波長１０．６μｍのレーザ光３０１に対して、ＥＵＶ光集光ミラー５０は回折格子として機能する。一方、波長が例えば１３．５ｎｍのＥＵＶ光１０１に対しては、ＥＵＶ光集光ミラー５０は回折格子として機能せずミラーとして機能する。
互いに隣り合う１つの第１反射部５６Ａと１つの第２反射部５６Ｂとから成る反射部５６のピッチは、例えば、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、１ｍｍ以上１．４ｍｍ以下であることが好ましい。
また、第１段差部５６Ｄ１の高さｈ１は、以下の式（３）で示される。
Figure 0007403271000003
なお、本実施形態におけるλは第１の比較例におけるλと同様の意味であるが、θは、比較例の第１の例におけるθと同様である。すなわち、本実施形態においてもθは、ＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５における第１反射部５６Ａ、第２反射部５６Ｂに入射するプラズマ生成領域ＡＲからの光の入射角である。従って、図７に示すように、プラズマ生成領域ＡＲと当該所定の位置とを結ぶ線と、当該所定の位置における第１反射部５６Ａ、第２反射部５６Ｂの法線とがなす角に等しい。しかし、後述のように、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の上記凹凸を平均化した面は、比較例の当該面の形状と異なる。このため、図７に示すように、プラズマ生成領域ＡＲと当該所定の位置とを結ぶ線と、当該所定の位置におけるＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５の凹凸を平均化した面の法線とがなす角は、比較例の第１の例とは異なり、第１反射部５６Ａ、第２反射部５６Ｂに入射する光の入射角θと異なる。ｎは１以上の整数で、溝の深さを与える係数である。
さらに高さｈ１は、下記式（４）を満たすことがより好ましい。
Figure 0007403271000004
つまり、式（３）で示すｈ１は、式（４）で示すｈ１に対して、±２％の誤差を許容している。この程度の誤差であれば、第１段差部５６Ｄ１を介して互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる高さと言える。
また、第２段差部５６Ｄ２の高さｈ２は、以下の式（５）で示される。
Figure 0007403271000005
さらに高さｈ２は、下記式（６）を満たすことがより好ましい。
Figure 0007403271000006
つまり、式（５）で示すｈ２は、式（６）で示すｈ２に対して、±２％の誤差を許容している。この程度の誤差であれば、第２段差部５６Ｄ２を介して互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる高さと言える。また、式（６）で示される高さｈ２は、互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる最低の高さである。
本実施形態では、ＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するレーザ光３０１は、比較例の第１の例においてＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するレーザ光３０１と同様に回折する。また、ＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するＥＵＶ光１０１は、比較例の第２の例においてＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するＥＵＶ光１０１と同様に反射する。
５．２ 作用・効果
図９は、本実施形態における反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、反射面５５の高さとの関係を示す図である。従って、図９は、本実施形態の反射面５５の概ねの形状を示す。なお、図９を記載するにあたり、式（４）において、ｎ＝２０とした。また、図９では、比較例における中心５５Ｃでの反射面５５の高さを基準の高さとして、比較例における反射面５５の形状を破線で示し、本実施形態における反射面５５の高さを実線で示している。図１０は、本実施形態における反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離との関係を示す図である。図１０においても、式（４）において、ｎ=２０とした。また、図１０では、比較例における反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離を破線で示し、本実施形態における反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離を実線で示している。
図９、図１０に示すように、式（１）を満たす比較例の反射面５５と比べて、式（４）、式（６）を満たす本実施形態の反射面５５は、反射面５５の中心５５Ｃ側がプラズマ生成領域ＡＲから離れていることが分かる。このことは次の理由で説明できる。比較例の第１の例におけるＥＵＶ光集光ミラー５０では、プラズマ生成領域ＡＲから入射するレーザ光３０１の入射角を考慮しなければ、段差部５６Ｄの高さは、それぞれの第１反射部５６Ａの中心側と外周側とで同じ高さである。従って、段差部５６Ｄは回転楕円形状である反射面５５の概形にほとんど影響を与えない。しかし、本実施形態では、それぞれの第１反射部５６Ａに対して反射面５５の外周側で接する第２段差部５６Ｄ２の高さが、式（５）や式（６）で示されるのに対して、第１反射部５６Ａに対して反射面５５の中心５５Ｃ側で接する第１段差部５６Ｄ１の高さは、式（３）や式（４）で示される。このため、本実施形態の反射面５５を外周側から中心５５Ｃ側に向かうと、第２段差部５６Ｄ２では、互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる最低の高さだけ、反射方向側に高くなる。しかし、第１段差部５６Ｄ１では、互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる最低の高さに、レーザ光３０１の１／２波長の正の整数倍の距離をレーザ光３０１の入射角の余弦で除した値を加えた高さだけ低くなる。つまり、反射面５５を外周側から中心５５Ｃ側に向かう場合、第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとの周期ごとに、本実施形態の反射面５５は、比較例の反射面５５よりも、レーザ光３０１の１／２波長の正の整数倍の距離をレーザ光３０１の入射角の余弦で除した値を加えた高さだけ低くなる。
このため、本実施形態の反射面５５は、図７において破線で示す比較例の反射面５５と比べて、反射面５５の中心５５Ｃがプラズマ生成領域ＡＲから離れる。従って、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０によれば、反射面５５の中心５５Ｃ側に入射するＥＵＶ光１０１の照射強度とプラズマ由来のイオン密度とが抑制され得る。
なお、第１焦点であるプラズマ生成領域ＡＲに最も近い反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離は、プラズマ生成領域ＡＲに最も遠い反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離の概ね６０％である。しかし、プラズマ生成領域ＡＲに最も近い反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離は、プラズマ生成領域ＡＲに最も遠い反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離の７２％以上であることが好ましい。この場合、整数ｎが一定であるとし、且つ溝５５Ｇのピッチを１ｍｍとした場合、式（４）及び式（６）から整数ｎは２０以上となる。異なる溝５５Ｇのピッチを採用した際の整数ｎは１ｍｍとのピッチの比に概ね比例し、ピッチが大きくなる程整数ｎも大きくなる。以降の実施形態の説明においても溝５５Ｇのピッチを１ｍｍの例にて説明する。
また、本実施形態では、第２段差部５６Ｄ２の高さは、互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる最低の高さである。従って、第２段差部５６Ｄ２の高さが、互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる最低の高さより高い場合と比べて、反射面５５の中心５５Ｃ側がプラズマ生成領域ＡＲから離れ得る。なお、第１段差部５６Ｄ１の高さが第２段差部５６Ｄ２の高さよりも高ければ、第２段差部５６Ｄ２の高さは、互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる最低の高さでなくてもよい。但し、この場合であっても、第１段差部５６Ｄ１の高さ及び第２段差部５６Ｄ２の高さは、互いに隣り合う第１反射部５６Ａと第２反射部５６Ｂとで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる高さである。また、一部の領域で、第１段差部５６Ｄ１の高さが第２段差部５６Ｄ２の高さよりも高ければ、他の一部の領域では、第１段差部５６Ｄ１の高さが第２段差部５６Ｄ２の高さと同等であってもよい。
また、本実施形態では、それぞれの第１反射部５６Ａ及び第２反射部５６Ｂは、中心５５Ｃを基準とする同心円状に設けられている。従って、多層反射膜が配置され第１反射部５６Ａや第２反射部５６Ｂとなる基板を切削により容易に加工し得る。なお、第１反射部５６Ａ及び第２反射部５６Ｂは、中心５５Ｃを基準とする同心円状でなくてもよい。例えば、それぞれの第１反射部５６Ａが接続されて、第１反射部５６Ａが螺旋状に設けられてもよい。この場合、それぞれの第２反射部５６Ｂも螺旋状になる。
また、本実施形態では、それぞれの第１反射部５６Ａ及びそれぞれの第２反射部５６Ｂは、プラズマ生成領域ＡＲと中間集光点ＩＦの共役性を有する楕円面の一部である。従って、プラズマ生成領域ＡＲから反射面５５に入射して第１反射部５６Ａ及び第２反射部５６Ｂで反射されるＥＵＶ光１０１を中間集光点ＩＦにおいて小さなスポット径で集光し得る。
なお、中心５５Ｃから半径が所定の大きさとなる領域までにおいて、半径の増加とともに整数ｎが大きくなってもよい。この場合、当該領域を第１領域とする場合に、この第１領域における第１段差部５６Ｄ１の高さは、反射面５５の第１領域よりも反射面５５の外周側に位置する所定の第２領域における第１段差部５６Ｄ１の高さよりも低い。
６．実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーの説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
６．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５は、ブレーズド型の回折格子を含む。本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５側からの正面図は図３と同様である。また、本実施形態における図３のIV－IV線での断面図は、図７と同様である。図１１は、本実施形態における図７の反射面の一部を示す拡大図である。本実施形態では、反射面５５には、比較例における第２の例と同様に中心５５Ｃを中心とする同心円状の複数の反射部５６Ｃと、互いに隣り合う反射部５６Ｃの間に段差部５６Ｄとが設けられている。従って、互いに隣り合う反射部５６Ｃでは、中心５５Ｃ側の反射部５６Ｃが反射方向と反対側に低くされている。本実施形態においても、反射面５５は、反射面５５を正面視する場合に、中心５５Ｃを囲む同心円状の複数の反射部５６Ｃを含み、それぞれの反射部５６Ｃの間に１つの段差部５６Ｄが位置している。また、それぞれの反射部５６Ｃの形状は、比較例におけるそれぞれの反射部５６Ｃの形状と同様である。また、特に図示しないが、反射面５５は、ＥＵＶ光１０１を反射するための多層反射膜を備えている。この多層反射膜は、少なくともそれぞれの反射部５６Ｃに設けられている。それぞれの反射部５６Ｃは、プラズマ生成領域ＡＲ及び中間集光点ＩＦを焦点とする概ね回転楕円形状の一部の形状をしている。別言すれば、それぞれの反射部５６Ｃは、プラズマ生成領域ＡＲと中間集光点ＩＦの共役性を有する楕円面の一部であり、以降の実施形態においても、反射面５５にブレーズド型の回折格子を含む構成については、この関係が成立している。
本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０は、段差部５６Ｄの高さｈが下記式（７）を満たす点において、比較例の第２の例におけるＥＵＶ光集光ミラー５０と異なる。
Figure 0007403271000007
なお、本実施形態におけるλ及びθは、実施形態１におけるλ及びθと同様の意味であり、ｎは１以上の整数である。
さらに高さｈは、下記式（８）を満たすことがより好ましい。
Figure 0007403271000008
つまり、式（７）で示すｈは、式（８）で示すｈに対して、±２％の誤差を許容している。この程度の誤差であれば、段差部５６Ｄを介して互いに隣り合う反射部５６で反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる高さと言える。この高さｈは、互いに隣り合う反射部５６Ｃで反射するそれぞれのレーザ光３０１の位相が逆位相となる場合の最低の高さよりも高い。
本実施形態では、ＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するレーザ光３０１は、比較例の第２の例においてＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するレーザ光３０１と同様に回折する。また、ＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するＥＵＶ光１０１は、比較例の第２の例においてＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するＥＵＶ光１０１と同様に反射する。
６．２ 作用・効果
式（７）、式（８）を満たす本実施形態の反射面５５は、式（２）を満たす比較例の反射面５５と比べて、反射面５５の中心５５Ｃ側がプラズマ生成領域ＡＲから離れる。このことは次の理由で説明できる。比較例の第２の例におけるＥＵＶ光集光ミラー５０では、プラズマ生成領域ＡＲから入射するレーザ光３０１の入射角を考慮しなければ、段差部５６Ｄの高さは一定である。従って、段差部５６Ｄは回転楕円形状である反射面５５の概形にほとんど影響を与えない。しかし、本実施形態では、式（７）や式（８）で示される段差部５６Ｄの高さｈは、式（２）で示される比較例の第２の例の段差部５６Ｄよりも大きい。具体的には、本実施形態の反射面５５を外周側から中心５５Ｃ側に向かうと、段差部５６Ｄにおいて、互いに隣り合う反射部５６Ｃで反射するレーザ光３０１が互いに逆位相となる最低の高さに、レーザ光３０１の１／２波長の正の整数倍の距離をレーザ光３０１の入射角の余弦で除した値を加えた高さだけ低くなる。つまり、反射面５５を外周側から中心５５Ｃ側に向かう場合、反射部５６Ｃの周期ごとに、本実施形態の反射面５５は、比較例の反射面５５よりも、レーザ光３０１の１／２波長の正の整数倍の距離をレーザ光３０１の入射角の余弦で除した値を加えた高さだけ低くなる。
このため、本実施形態の反射面５５は、実施形態１と同様にして、図７において破線で示す比較例の反射面５５と比べて、反射面５５の中心５５Ｃ側がプラズマ生成領域ＡＲから離れる。従って、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０によれば、反射面５５の中心５５Ｃ側に入射するＥＵＶ光１０１の照射強度とプラズマ由来のイオン密度とが抑制され得る。
なお、第１焦点であるプラズマ生成領域ＡＲに最も近い反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離は、プラズマ生成領域ＡＲに最も遠い反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離の７２％以上であることが好ましい。この場合、整数ｎが一定であるとし且つ溝５５Ｇのピッチを１ｍｍとした場合、式（４）及び式（６）から整数ｎは２０以上となる。
また、本実施形態では、それぞれの反射部５６Ｃは、中心５５Ｃを基準とする同心円状に設けられている。従って、多層反射膜が配置され反射部５６Ｃとなる基板を切削により容易に加工し得る。なお、反射部５６Ｃは、中心５５Ｃを基準とする同心円状でなくてもよい。例えば、それぞれの反射部５６Ｃが接続されて、反射部５６Ｃが螺旋状に設けられてもよい。
また、本実施形態では、それぞれの反射部５６Ｃは、プラズマ生成領域ＡＲと中間集光点ＩＦの共役性を有する楕円面の一部である。従って、プラズマ生成領域ＡＲから反射面５５に入射して反射部５６Ｃで反射されるＥＵＶ光１０１を中間集光点ＩＦにおいて小さなスポット径で集光し得る。
なお、中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離、すなわち半径が所定の大きさとなる領域までにおいて、半径の増加とともに整数ｎが大きくなってもよい。この場合、当該領域を第１領域とする場合に、この第１領域における段差部５６Ｄの高さは、反射面５５の第１領域よりも反射面５５の外周側に位置する所定の第２領域における段差部５６Ｄの高さよりも低い。
７．実施形態３のＥＵＶ光集光ミラーの説明
次に、実施形態３のＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
７．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５は、バイナリ型の回折格子を含む。本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５側からの正面図は図３と同様である。図１２は、本実施形態における図３のIV－IV線での断面図である。本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０の反射面５５は、第１実施形態と同様に、第１反射部５６Ａ、第２反射部５６Ｂ、第１段差部５６Ｄ１、及び第２段差部５６Ｄ２を含む。本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０は、第１反射部５６Ａの少なくとも２つ以上がプラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面と交わる点において、第１実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０と異なる。別言すれば、本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０は、第１反射部５６Ａの少なくとも２つ以上がプラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面上に概ね位置する。
図１３は、本実施形態における反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、反射面５５の高さとの関係を示す図である。従って、図１３は、本実施形態の反射面との関係を示す図である。図１４では、比較例における反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離が破線で示され、本実施形態における反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離が実線で示されている。図１４から明らかなように、本実施形態では、半径が２００ｍｍの反射面５５のうち、中心５５Ｃから概ね１４０ｍｍまでの領域において、反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離は一定である。従って、本実施形態では、半径が２００ｍｍの反射面５５のうち、中心５５Ｃから概ね１４０ｍｍまでの領域において、反射面５５はプラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面上に概ね位置する。このため、この領域における第１反射部５６Ａは、プラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面と交わる。また、この領域における第２反射部５６Ｂは、プラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面と交わる。ただし、第１反射部５６Ａが交わる球面と第２反射部５６Ｂが交わる球面とは、互いに異なる直径の球面である。なお、この領域よりも反射面５５の外周側では、プラズマ生成領域ＡＲから反射面５５までの距離が外周側ほど大きい。
本実施形態においても、第１段差部５６Ｄ１は式（３）、式（４）を満たすことが好ましい。しかし、少なくとも上記領域の少なくとも一部において、正の整数ｎは変化する。図１５は、反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、正の整数ｎとの関係を示す図である。図１５に示すように、半径が概ね１４０ｍｍまでの上記領域において、それぞれの第１反射部５６Ａがプラズマ生成領域ＡＲから等距離に位置するためには、整数ｎは反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かうにつれて大きくなり、その変化率は外周側ほど大きくなる。半径が概ね１４０ｍｍにおける整数ｎは８０である。
具体的には上記領域における整数ｎは、半径をｒｍｍとした際に下記式（９）で示される。
Figure 0007403271000009
なお、図１５に示す例では、上記領域より外周側では、整数ｎは一定である。
図１６は、反射面５５の全ての領域で第１反射部５６Ａがプラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面上に位置する場合において、反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、正の整数ｎとの関係を示す図である。この場合、整数ｎは、中心５５Ｃから外周に向かって大きくなり、外周側程整数ｎの変化率が大きくなるため、最外周では、整数ｎは概ね２５０になる。しかし、この場合、第１段差部５６Ｄ１が高くなりすぎる懸念がある。図１６に実線で示すように、整数ｎは８０以下であることが好ましい。従って、上記のように中心５５Ｃから半径が１４０ｍｍまでの領域では、第１反射部５６Ａはプラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面上に概ね位置し、それより外周側の領域では、式（３）または式（４）において、整数ｎを一定としてその値を８０とすることが好ましい。この場合、中心５５Ｃから半径が１４０ｍｍまでの領域において、所定の領域を第１領域とする場合に、この第１領域における第１段差部５６Ｄ１の高さは、反射面５５の第１領域よりも反射面５５の外周側に位置する所定の第２領域における第１段差部５６Ｄ１の高さよりも低い。
７．２ 作用・効果
本実施形態では、第１反射部５６Ａの少なくとも２つ以上が、第１焦点であるプラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面と交わる。従って、プラズマ生成領域ＡＲから放射されるＥＵＶ光の強度がどの方向でも同じであれば、この球面と交わる２つ以上の第１反射部５６Ａの劣化の程度は互いに概ね等しくされ得る。
なお、本実施形態では、反射面５５がバイナリ型の回折格子を含む例で説明したが、ブレーズド型の回折格子を含む反射面５５であってもよい。具体的には、第２実施形態と同様の反射部５６Ｃと段差部５６Ｄとを有する反射面５５において、反射部５６Ｃの少なくとも２つ以上が、プラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面と交わってもよい。この場合、式（５）、式（６）の正の整数ｎは、反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かうにつれて大きくなり、その変化率は外周側ほど大きくなる。上記のように整数ｎが大きくなりすぎることは好ましくなく、ブレーズド型の例においても整数ｎは８０以下であることが好ましい。従って、この例の場合、中心５５Ｃから半径が１４０ｍｍまでの領域では、第１反射部５６Ａはプラズマ生成領域ＡＲを中心とする同一の球面上に位置し、それより外周側の領域では、式（５）または式（６）において、整数ｎを一定としてその値を８０以下とすることが好ましい。この場合にも、中心から半径が１４０ｍｍまでの領域において、所定の領域を第１領域とする場合に、この第１領域における段差部５６Ｄの高さは、反射面５５の第１領域よりも反射面５５の外周側に位置する所定の第２領域における段差部５６Ｄの高さよりも低い。
８．実施形態４のＥＵＶ光集光ミラーの説明
次に、実施形態５のＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
８．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光集光ミラー５０では、図１７は、反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、反射面に向かうＥＵＶ光１０１の強度比との関係の例を示す図である。すなわち、図１７は、反射面５５に入射するＥＵＶ光の強度比の分布を示す。図１７の例では、反射面５５の中心５５Ｃ側ほど、ＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するＥＵＶ光１０１の強度が高くなる傾向がある。図１７では、反射面５５の中心５５Ｃに入射するＥＵＶ光の強度を１としている。図２に示すＥＵＶ光生成装置１００の場合、ＥＵＶ光集光ミラー５０に入射するＥＵＶ光１０１の強度分布は、概ね図１７に示す強度分布と同様になる傾向にある。
図１８は、本実施形態における反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、反射面５５の高さとの関係を示す図である。従って、図１８は、本実施形態の反射面５５の概ねの形状を示す。図１８では、比較例における中心５５Ｃでの反射面５５の高さを基準の高さとして、比較例における反射面５５の形状を破線で示し、本実施形態における反射面５５を実線で示している。なお、本実施形態では、反射面５５が実施形態１と同様のバイナリ型であるものとして説明する。図１９は、本実施形態における反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離との関係を示す図である。図１９では、比較例における反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離が破線で示され、本実施形態における反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離を実線で示している。図１９から明らかなように、本実施形態では、半径が２００ｍｍの反射面５５のうち、中心５５Ｃから概ね１４０ｍｍまでの領域において、ＥＵＶ光１０１の強度が高い部位ほど、反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離が大きくされている。なお、この領域よりも外周側では、プラズマ生成領域ＡＲから反射面５５までの距離が外周側ほど大きい。
図２０は、本実施形態における反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、ＥＵＶ光強度－プラズマ生成領域反射面間距離比との関係を示す図である。ＥＵＶ光強度－プラズマ生成領域反射面間距離比とは、図１７に示すＥＵＶ光１０１の強度比と、図１９に示す反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離を規格化したものと、の比を示す値である。図１９に示す反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離の規格化は、中心５５Ｃにおける反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離を基準にしている。従って、図２０では、反射面５５の中心５５Ｃにおける値が１となる。また、図２０には、図１７で示す反射面５５に入射するＥＵＶ光の強度分布が破線で示されている。図２０に示すように、本実施形態では、中心５５Ｃから概ね１００ｍｍまでの領域において、上記比の分布と、反射面５５に入射するＥＵＶ光の強度分布とが、概ね一致する。なお、この領域よりも外周側では、外周側ほど、上記比が反射面５５に入射するＥＵＶ光の強度分布よりも大きい。
上記のように、本実施形態の反射面５５は、バイナリ型であるため、本実施形態においても、第１段差部５６Ｄ１は式（３）、（４）を満たすことが好ましい。しかし、少なくとも中心５５Ｃから概ね１００ｍｍまでの上記領域の少なくとも一部において、正の整数ｎは変化する。図２１は、本実施形態における反射面５５の中心５５Ｃから外周に向かう径方向の距離と、正の整数ｎとの関係を示す図である。また、中心５５Ｃから２５ｍｍから１００ｍｍまでの領域では、整数ｎが一次関数的に増加する。更に、この領域よりも外周側では、整数ｎが一定である。従って、中心５５Ｃから２５ｍｍから１００ｍｍまでの領域において、所定の領域を第１領域とする場合に、この第１領域における第１段差部５６Ｄ１の高さは、反射面５５の第１領域よりも反射面５５の外周側に位置する所定の第２領域における第１段差部５６Ｄ１の高さよりも低い。
８．２ 作用・効果
本実施形態では、反射面５５の少なくとも一部の領域において、反射面５５に入射するＥＵＶ光の強度が高い領域ほど、反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離が大きくされる。従って、この少なくとも一部の領域では、反射面５５の劣化がばらつくことを抑制し得る。
なお、本実施形態では、バイナリ型の反射面５５を例に説明した。しかし、ブレーズド型の反射面５５であっても、反射面５５の少なくとも一部の領域において、反射面５５に入射するＥＵＶ光の強度が高い領域ほど、反射面５５とプラズマ生成領域ＡＲとの距離が大きくされることが好ましい。従って、中心５５Ｃから２５ｍｍから１００ｍｍまでの領域では、式（７）、式（８）の整数ｎが増加することが好ましい。このため、ブレーズド型の場合においても、中心５５Ｃから２５ｍｍから１００ｍｍまでの領域において、所定の領域を第１領域とする場合に、この第１領域における段差部５６Ｄの高さは、反射面５５の第１領域よりも反射面５５の外周側に位置する所定の第２領域における段差部５６Ｄの高さよりも低いことが好ましい。また、ブレーズド型の反射面５５においても、中心から２５ｍｍまでの領域では、式（７）、式（８）でｎ＝０としてもよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
１０・・・チャンバ装置、４０・・・ターゲット供給部、５０・・・ＥＵＶ光集光ミラー、５５・・・反射面、５６・・・反射部、５６Ａ・・・第１反射部、５６Ｂ・・・第２反射部、５６Ｄ・・・段差部、５６Ｄ１・・・第１段差部、５６Ｄ２・・・第２段差部、１００・・・極端紫外光生成装置、１０１・・・極端紫外光、２００・・・露光装置、３０１・・・レーザ光

Claims (13)

  1. 凹状に形成され、第１焦点から入射する極端紫外光を前記第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、前記第１焦点から入射し前記極端紫外光の波長より長い波長のレーザ光を回折する反射面を備え、
    前記反射面には、前記反射面を正面視する場合に、前記反射面の中心を囲む複数の第１反射部と、前記中心を囲み前記第１反射部の間に位置して互いに隣り合う前記第１反射部に対して反射方向と反対側に低い複数の第２反射部と、前記第１反射部と当該第１反射部に対して前記中心側で隣り合う前記第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第１段差部と、前記第１反射部と当該第１反射部に対して前記反射面の外周側で隣り合う前記第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第２段差部と、が設けられ、
    前記第１段差部及び前記第２段差部の高さは、互いに隣り合う前記第１反射部と前記第２反射部とで反射する前記レーザ光が互いに逆位相となる高さであり、
    前記第１段差部の高さは、前記第２段差部の高さ以上であり、
    少なくとも１つの前記第１段差部の高さは、前記第２段差部の高さよりも高く、
    前記第１反射部の少なくとも２つ以上が、前記第１焦点を中心とする同一の球面と交わる
    極端紫外光集光ミラー。
  2. 請求項１に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
    前記反射面の第１領域おける前記第１段差部の高さは、前記反射面の前記第１領域よりも前記反射面の外周側に位置する第２領域における前記第１段差部の高さよりも低い。
  3. 請求項１に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
    前記第２段差部の高さは、互いに隣り合う前記第１反射部と前記第２反射部とで反射する前記レーザ光が互いに逆位相となる最低の高さである。
  4. 請求項１に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
    それぞれの前記第１反射部及び前記第２反射部は、前記中心を基準とする同心円状に設けられる。
  5. 請求項１に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
    それぞれの前記第１反射部及びそれぞれの前記第２反射部は、前記第１焦点と前記第２焦点の共役性を有する楕円面の一部である。
  6. 凹状に形成され、第１焦点から入射する極端紫外光を前記第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、前記第１焦点から入射し前記極端紫外光の波長より長い波長のレーザ光を回折する反射面を備え、
    前記反射面には、前記反射面を正面視する場合に、前記反射面の中心を囲む複数の反射部と、互いに隣り合う前記反射部において前記中心側の前記反射部の方が前記反射面の外周側の前記反射部よりも反射方向と反対側に低くなるように互いに隣り合う前記反射部間に１つずつ位置する複数の段差部と、が設けられ、
    前記段差部の高さは、互いに隣り合う前記反射部で反射される前記レーザ光が互いに逆位相となる高さであり、
    前記段差部の少なくとも１つの高さは、互いに隣り合う前記反射部で反射される前記レーザ光が互いに逆位相となる最低の高さよりも高く、
    前記反射部の少なくとも２つ以上が、前記第１焦点を中心とする同一の球面と交わる
    極端紫外光集光ミラー。
  7. 請求項６に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
    前記反射面の第１領域おける前記段差部の高さは、前記反射面の前記第１領域よりも前記反射面の外周側に位置する第２領域における前記段差部の高さよりも低い。
  8. 請求項６に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
    前記反射部は、前記中心を基準とする同心円状に設けられる。
  9. 請求項６に記載の極端紫外光集光ミラーであって、
    それぞれの前記反射部は前記第１焦点と前記第２焦点の共役性を有する楕円面の一部である。
  10. 内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
    前記ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、
    を備え、
    前記極端紫外光集光ミラーは、
    凹状に形成され、前記集光位置である第１焦点から入射する極端紫外光を前記第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、前記第１焦点から入射し前記極端紫外光の波長より長い波長の前記レーザ光を回折する反射面を備え、
    前記反射面には、前記反射面を正面視する場合に、前記反射面の中心を囲む複数の第１反射部と、前記中心を囲み前記第１反射部の間に位置して互いに隣り合う前記第１反射部に対して反射方向と反対側に低い複数の第２反射部と、前記第１反射部と当該第１反射部に対して前記中心側で隣り合う前記第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第１段差部と、前記第１反射部と当該第１反射部に対して前記反射面の外周側で隣り合う前記第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第２段差部と、が設けられ、
    前記第１段差部及び前記第２段差部の高さは、互いに隣り合う前記第１反射部と前記第２反射部とで反射する前記レーザ光が互いに逆位相となる高さであり、
    前記第１段差部の高さは、前記第２段差部の高さ以上であり、
    少なくとも１つの前記第１段差部の高さは、前記第２段差部の高さよりも高く、
    前記第１反射部の少なくとも２つ以上が、前記第１焦点を中心とする同一の球面と交わる
    極端紫外光生成装置。
  11. 内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
    前記ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、
    を備え、
    前記極端紫外光集光ミラーは、
    凹状に形成され、前記集光位置である第１焦点から入射する極端紫外光を前記第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、前記第１焦点から入射し前記極端紫外光の波長より長い波長の前記レーザ光を回折する反射面を備え、
    前記反射面には、前記反射面を正面視する場合に、前記反射面の中心を囲む複数の反射部と、互いに隣り合う前記反射部において前記中心側の前記反射部の方が前記反射面の外周側の前記反射部よりも反射方向と反対側に低くなるように互いに隣り合う前記反射部間に１つずつ位置する複数の段差部と、が設けられ、
    前記段差部の高さは、互いに隣り合う前記反射部で反射される前記レーザ光が互いに逆位相となる高さであり、
    前記段差部の少なくとも１つの高さは、互いに隣り合う前記反射部で反射される前記レーザ光が互いに逆位相となる最低の高さよりも高く、
    前記反射部の少なくとも２つ以上が、前記第１焦点を中心とする同一の球面と交わる
    極端紫外光生成装置。
  12. 極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光し、
    前記極端紫外光生成装置は、
    内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
    前記ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、
    を備え、
    前記極端紫外光集光ミラーは、
    凹状に形成され、前記集光位置である第１焦点から入射する極端紫外光を前記第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、前記第１焦点から入射し前記極端紫外光の波長より長い波長の前記レーザ光を回折する反射面を備え、
    前記反射面には、前記反射面を正面視する場合に、前記反射面の中心を囲む複数の第１反射部と、前記中心を囲み前記第１反射部の間に位置して互いに隣り合う前記第１反射部に対して反射方向と反対側に低い複数の第２反射部と、前記第１反射部と当該第１反射部に対して前記中心側で隣り合う前記第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第１段差部と、前記第１反射部と当該第１反射部に対して前記反射面の外周側で隣り合う前記第２反射部との間に１つずつ位置する複数の第２段差部と、が設けられ、
    前記第１段差部及び前記第２段差部の高さは、互いに隣り合う前記第１反射部と前記第２反射部とで反射する前記レーザ光が互いに逆位相となる高さであり、
    前記第１段差部の高さは、前記第２段差部の高さ以上であり、
    少なくとも１つの前記第１段差部の高さは、前記第２段差部の高さよりも高く、
    前記第１反射部の少なくとも２つ以上が、前記第１焦点を中心とする同一の球面と交わる
    電子デバイスの製造方法。
  13. 極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、
    前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光し、
    前記極端紫外光生成装置は、
    内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
    前記ターゲット物質のプラズマ化により放射される極端紫外光を集光する極端紫外光集光ミラーと、
    を備え、
    前記極端紫外光集光ミラーは、
    凹状に形成され、前記集光位置である第１焦点から入射する極端紫外光を前記第１焦点と異なる位置の第２焦点に集光するように反射し、前記第１焦点から入射し前記極端紫外光の波長より長い波長の前記レーザ光を回折する反射面を備え、
    前記反射面には、前記反射面を正面視する場合に、前記反射面の中心を囲む複数の反射部と、互いに隣り合う前記反射部において前記中心側の前記反射部の方が前記反射面の外周側の前記反射部よりも反射方向と反対側に低くなるように互いに隣り合う前記反射部間に１つずつ位置する複数の段差部と、が設けられ、
    前記段差部の高さは、互いに隣り合う前記反射部で反射される前記レーザ光が互いに逆位相となる高さであり、
    前記段差部の少なくとも１つの高さは、互いに隣り合う前記反射部で反射される前記レーザ光が互いに逆位相となる最低の高さよりも高く、
    前記反射部の少なくとも２つ以上が、前記第１焦点を中心とする同一の球面と交わる
    電子デバイスの製造方法。
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