JP2018527612A - リソグラフィ装置のための抑制フィルタ、放射コレクタ及び放射源、並びに抑制フィルタの少なくとも２つの反射面レベル間の分離距離を決定する方法 - Google Patents

リソグラフィ装置のための抑制フィルタ、放射コレクタ及び放射源、並びに抑制フィルタの少なくとも２つの反射面レベル間の分離距離を決定する方法 Download PDF

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Abstract

それぞれがある分離距離だけ分離された少なくとも２つの反射面レベルを規定する断面を有する抑制フィルタが開示される。分離距離は、反射抑制フィルタが反射抑制フィルタに入射する第１の波長及び第２の波長の放射の鏡面反射を実質的に防止するように動作可能となる距離である。そのような抑制フィルタを備えた放射コレクタ、放射源及びリソグラフィ装置、並びに抑制フィルタの少なくとも２つの反射面レベル間の分離距離を決定する方法も開示される。【選択図】 図５

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１５年８月２５日に出願された欧州特許出願第１５１８２４０２．６号の優先権を主張し、参照によりその全体が組み込まれる。
[0002] 本発明は、リソグラフィ装置のための抑制フィルタ、放射コレクタ及び放射源に関する。本発明は、そのような放射源を備えたリソグラフィ装置、及び抑制フィルタの少なくとも２つの反射面レベル間の分離距離を測定する方法にも関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分上に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイの一部を含む）上に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接するターゲット部分のネットワークを含んでいる。
[0004] リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。
パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷される特徴のフィーチャサイズ（又は、限界寸法）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることがわかる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ１の値の減少によるものである。
[0005] 露光波長を短くするため、及び、したがって最小プリント可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源の使用が提案されてきた。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。更に、１０ｎｍ未満、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの５〜１０ｎｍの範囲内の波長を伴うＥＵＶ放射が使用可能であることが提案されてきた。こうした放射は、極端紫外線放射又は軟Ｘ線放射と呼ばれる。可能な放射源には、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
[0006] ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを提供するために燃料を励起するレーザと、プラズマを収容するソースコレクタ装置とを含んでよい。プラズマは、例えば、適切な材料（例えば、スズ）の粒子あるいはＸｅガス又はＬｉ蒸気などの適切なガス又は蒸気の流れなどといった燃料にレーザビームを向けることによって生成することができる。結果として生じるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、これは、放射コレクタを用いて集光される。放射コレクタは、放射を受けて放射をビームに合焦させるミラー法線入射放射コレクタであってよい。ソースコレクタ装置は、プラズマを支持するために真空環境を提供するように配置された閉鎖構造又はチャンバを含んでよい。そのような放射システムを、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ぶ。
[0007] ＥＵＶ出力を高めるために、プラズマを励起するのに使用するレーザの出力パワーを高めることが望ましい。出力パワーを高める１つの方法は、２つ以上の出力波長線を使用することによる。しかしこれは、ＥＵＶ放射によってこのレーザ放射の出力が妨げられるときに問題となる。燃料から放射コレクタに反射する可能性があるレーザ放射が放射コレクタによって集光されるのを防ぐために、格子の形態をとる可能性がある抑制フィルタを放射コレクタ上に（又はこれと一体に）配置することができる。そのような抑制フィルタは、特定の波長を抑制するように特別に調整されることになる。したがって、２つ以上の波長を有するレーザ放射の使用は問題を生じさせる。
[0008] ２つの波長の出力を有するレーザで使用可能な抑制フィルタを提供することが望ましい。
[0009] 本発明は第１の態様において、それぞれがある分離距離だけ分離された少なくとも２つの反射面レベルを規定する断面を有する抑制フィルタであって、分離距離を、反射抑制フィルタが入射する第１の波長λ１及び第２の波長λ２の放射の鏡面反射を実質的に防止するように動作可能となる距離とする抑制フィルタを提供する。
[0010] 本発明は第２の態様において、抑制フィルタの少なくとも２つの反射面レベル間の分離距離を、抑制フィルタが、入射する第１の波長λ１及び第２の波長λ２の放射の鏡面反射を実質的に防止するように動作可能となる距離に決定する方法であって、第１の波長と第１の近似整数ｎ１に依存する第１の係数の積である第１の積と、第２の波長と第２の近似整数ｎ２に依存する第２の係数の積である第２の積の差を最小化することと、分離距離を最小化に対応するものとして決定することとを含む方法を提供する。
[0011] 本発明は更に、第１の態様の抑制フィルタをそれぞれが備えた放射コレクタ、放射源及びリソグラフィ装置を提供する。
[0012] 本発明の種々の実施形態の構造及び動作だけでなく、本発明の更なる特徴及び利点を、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載された特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。そのような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に示されている。本明細書に含まれる教示に基づいた追加の実施形態が当業者に明らかであろう。
[0013] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は本発明を図示し、説明とともに、更に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。本発明の実施形態は、添付の図面を参照して、単なる例として記載される。
反射型投影光学系を有するリソグラフィ装置を概略的に示す。 図１の装置のより詳細な図である。 抑制フィルタの機能を示すＥＵＶ源構成を示す。 本発明の第１の実施形態による第１の抑制フィルタ構成を示す。 本発明の第２の実施形態による第２の抑制フィルタ構成を示す。
[0014] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。
[0015] 図１は、本発明の一実施形態に従った、ソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。装置１００は、
−放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を条件付けるように構成された、照明システム（又はイルミネータ）ＩＬ、
−パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ、
−基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ、及び、
−パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された、投影システム（例えば、反射型投影システム）ＰＳ、
を備える。
[0016] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0017] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。
[0018] 「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路のようなターゲット部分内に生成されるデバイス内の特定の機能層に相当する。
[0019] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
[0020] 照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。
[0021] 本明細書に示すように、リソグラフィ装置は反射タイプである（例えば、反射マスクを使用する）。
[0022] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は、２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプとすることができる。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0023] 図１を参照すると、照明システムＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受信する。ＥＵＶ光を生成するための方法は、必ずしも限定はしないが、少なくとも１つの元素、例えば、キセノン、リチウム、又はスズを有する材料を、ＥＵＶ範囲内に１本以上の輝線を伴うプラズマ状態に変換することを含む。こうした１つの方法において、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる、必要なプラズマは、レーザビームを用いて、必要な線発光元素を有する材料の小滴、ストリーム、又はクラスタなどの燃料を照射することによって、生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するための、図１には図示されないレーザを含む、ＥＵＶ放射システムの一部とすることができる。結果として生じるプラズマは、ソースコレクタモジュール内に配設される放射コレクタを使用して収集される、出力放射、例えば、ＥＵＶ放射を発する。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためにレーザビームが提供される場合、レーザ及びソースコレクタモジュールＳＯは別のエンティティとすることができる。
[0024] こうしたケースでは、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成するものとは見なされず、放射ビームは、例えば、好適な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムの助けにより、レーザからソースコレクタモジュールＳＯに渡される。他のケースでは、例えばソースが、しばしばＤＰＰソースと呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、ソースはソースコレクタモジュールＳＯの不可欠部分とすることができる。
[0025] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の、少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。加えて、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、その断面において所望の均一性及び強度分布を有するように放射ビームを条件付けるために使用することができる。
[0026] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上で保持されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置決めセンサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に関してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
[0027] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0028] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0029] 図２は、放射システム４２、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置の実施形態を更に詳細に示す。図２に示すような放射システム４２は、放射源としてレーザ生成プラズマを用いるタイプのものである。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気を用いて、極めて高温のプラズマを生成して、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させることで生成可能である。極めて高温のプラズマは、例えばＣＯ２レーザ光を用いた光学的励起によって少なくとも部分的に電離したプラズマを生じることにより生成される。効率的な放射発生のために、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気、又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が必要となる場合がある。ある実施形態では、ＥＵＶ範囲内の放射を放出するために、Ｓｎを用いてプラズマを生成する。
[0030] 放射システム４２は、図１の装置におけるソースＳＯの機能を具現化する。放射システム４２はソースチャンバ４７を備え、このチャンバは、この実施形態ではＥＵＶ放射源だけでなく放射コレクタ５０も実質的に閉鎖している。コレクタ５０は、図２の例では法線入射放射コレクタであり、例えば多層ミラーである。
[0031] ＬＰＰ放射源の一部として、レーザシステム６１はレーザビーム６３を供給するように構築及び配置されている。レーザビーム６３は、ビームデリバリシステム６５によって、放射コレクタ５０に設けられたアパーチャ６７を介して送出される。また、放射システムは、ターゲット材料供給７１によって供給されるＳｎ又はＸｅのようなターゲット材料６９を含む。この実施形態では、ビームデリバリシステム６５は、所望のプラズマ形成位置７３にほぼ集束するビーム経路を確立するように配置されている。
[0032] 動作において、燃料と称されることもあるターゲット材料６９は、小滴の形態でターゲット材料供給７１により供給される。このようなターゲット材料６９の小滴がプラズマ形成位置７３に到達すると、レーザビーム６３は小滴に衝突し、ソースチャンバ４７内部でＥＵＶ放射を発するプラズマが形成される。パルスレーザの場合、これは、小滴が位置７３を通過するのと一致するようにレーザ放射パルスをタイミング調整することを伴う。前述のように、燃料は例えばキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ）であってよい。これらは、数十ｅＶの電子温度を有する高度に電離したプラズマを生成する。例えばＴｂ及びＧｄのような他の燃料材料によって、もっと高いエネルギーのＥＵＶ放射を発生させることも可能である。これらのイオンの下方遷移及び再結合の間に発生したエネルギー放射は、必要なＥＵＶを含み、このＥＵＶは位置７３でプラズマから放出される。プラズマ形成位置７３及びアパーチャ５２は、それぞれ放射コレクタ５０の第１及び第２の焦点に位置付けられ、ＥＵＶ放射は、法線入射コレクタミラー５０によって中間焦点ＩＦに集束される。
[0033] ソースチャンバ４７から発する放射ビームは、図２に放射ビーム５６で示すように、いわゆる法線入射リフレクタ５３、５４を介して照明システムＩＬを横断する。法線入射リフレクタは、ビーム５６を、支持（例えばレチクル又はマスクテーブル）ＭＴ上に位置決めされたパターニングデバイス（例えばレチクル又はマスク）上に誘導する。パターン付与されたビーム５７が形成され、反射要素５８、５９を介して、投影システムＰＳによって、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴに支持された基板上に結像される。一般的に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在する可能性がある。例えば、図２に示す２つの要素５８及び５９よりも、１つ、２つ、３つ、４つ又はそれ以上多くの反射要素が存在することがある。放射コレクタ５０と同様の放射コレクタが従来技術において知られている。
[0034] 当業者に知られているように、装置、その様々なコンポーネント、及び放射ビーム５５、５６、５７のジオメトリ及び挙動を測定し記述するために、基準軸Ｘ、Ｙ及びＺを規定することができる。装置の各部分では、Ｘ、Ｙ及びＺ軸の局所的基準系を規定することができる。Ｚ軸は、システムの所与のポイントにおける光軸Ｏの方向と概ね一致し、概してパターニングデバイス（レチクル）ＭＡの面に垂直であると共に基板Ｗの面に垂直である。ソースモジュール（装置）４２では、Ｘ軸は、燃料の流れ（６９、以下で説明する）の方向と概ね一致し、Ｙ軸はこれに直交し、図示するように紙面の外へ向かう。一方、レチクルＭＡを保持する支持構造ＭＴの近傍では、Ｘ軸は、Ｙ軸と並んだスキャン方向と概ね直交する。便宜上、図２の概略図のこの領域では、Ｘ軸は同様に図示するように紙面の外へ向かう。これらの呼称は当技術分野において従来通りであり、本明細書では便宜のために採用する。原則として、装置及びその挙動を記述するために任意の基準系を選ぶことができる。
[0035] プラズマは、望ましいＥＵＶ放射の他に、例えば可視光範囲、ＵＶ範囲及びＤＵＶ範囲のような他の放射波長も生成する。また、レーザビーム６３からのＩＲ放射も存在する。これらの非ＥＵＶ波長は照明システムＩＬ及び投影システムＰＳには不要であり、非ＥＵＶ放射を遮断するために様々な手段を配置することができる。図２に概略的に示すように、仮想光源点ＩＦの上流に透過型ＳＰＦが適用されてよい。そのようなフィルタの代わりに又はそれに加えて、フィルタリング機能を他の光学系に組み入れることができる。例えば、より長いＩＲ放射を仮想光源点ＩＦから離れて迂回させるように調整された格子構造を提供することによって、回折フィルタを放射コレクタ５０及び／又はミラー５３，５４等に組み入れることができる。したがって、ＩＲ、ＤＵＶ及び他の望ましくない波長に対するフィルタは、ソースモジュール（放射システム４２）、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内のビーム５５、５６、５７の経路に沿って１つ以上の箇所に設けてもよい。
[0036] 例えば液体スズである燃料を送出するため、ソースチャンバ４７内に小滴ジェネレータ又はターゲット材料供給７１を配置して、小適の流れをプラズマ形成位置７３の方へ発射する。動作において、ターゲット材料供給７１の動作と同期してレーザビーム６３を送出して、放射インパルスを送出し、各燃料小滴をプラズマに変えることができる。小滴送出の周波数は、数キロヘルツ、又は数十もしくは数百キロヘルツであってよい。実際には、レーザビーム６３は、レーザシステム６１によって少なくとも２つのパルスで送出可能である。すなわち、燃料材料を小さいクラウドに気化させるため、小滴がプラズマ位置に到達する前に限られたエネルギーのプリパルスＰＰを小滴に送出し、次いでレーザエネルギーのメインパルスＭＰを所望の位置のクラウドに送出してプラズマを発生させる。典型的な例では、プラズマの直径は約２〜３ｍｍである。閉鎖構造４７の反対側にトラップ７２を設けて、何らかの理由でプラズマに変わらない燃料を捕獲する。
[0037] レーザシステム６１は、例えばＭＯＰＡ（主発振器パワー増幅器）タイプであってよい。このようなレーザシステム６１は、レーザエネルギーのメインパルスを拡大小滴クラウドの方へ発射するための「主」レーザ又は「シード」レーザ及びこの後段のパワー増幅システムＰＡと、レーザエネルギーのプリパルスを小滴の方へ発射するためのプリパルスレーザとを含む。レーザエネルギー６３をソースチャンバ４７内に送出するためにビームデリバリシステム２４が設けられている。実際には、レーザエネルギーのプリパルス要素を別個のレーザによって送出する場合もある。レーザシステム６１、ターゲット材料供給７１及び他のコンポーネントは、コントローラ（図示せず）によって別々に制御することができる。コントローラは、多くの制御機能を実行し、システムの様々な要素のためのセンサ入力及び制御出力を有する。センサは、放射システム４２の要素の内部及び周囲に、更には任意選択的にリソグラフィ装置の他の場所に位置付けることができる。本発明のいくつかの実施形態では、メインパルス及びプリパルスは同一のレーザから得られる。本発明の他の実施形態では、メインパルス及びプリパルスは、相互に独立しているが同期して動作するように制御される異なるレーザから得られる。ＬＰＰ放射源装置で起こり得る１つの問題は、レーザビームデリバリシステム６５の光学要素がプラズマからのデブリによって汚染されることである。特に、レンズ又はミラーである最終光学要素は、プラズマから射出される燃料の粒子に直接曝される。屈折性（透過性）要素は、スズ堆積物によってすぐに覆われてしまうので、レーザ放射の伝送が低減し、望ましくない加熱が生じる。銅鏡のような反射性の最終要素は、一時的にはＳｎ堆積物に耐性が高いことがあるが、反射及び集束の効率を維持するために結局はクリーニングを必要とすることになる。
[0038] できる限り汚染を阻止するために、ある種の汚染トラップ８０をプラズマ形成部位７３とビームデリバリシステム６５の光学素子との間に設けてよい。このような場合にいわゆるフォイルトラップの使用が知られている。トラップは、静的又は回転フォイルトラップ、あるいはその両方の組み合わせであってもよい。当該技術分野では周知のように、回転フォイルトラップ（ＲＦＴ）は、望ましい放射ビームの障害にあまりならないように放射方向と整列された多数の薄い羽根を含む。羽根は、ビーム方向と平行の長さに延在し、光軸（Ｏ）から放射状に延在する。フォイルが光軸Ｏの周りを回転すると、動きの遅い汚染物質粒子は、羽根の掃引動作によって捕捉される。あいにくフォイルトラップ自体がビームに対して何らかの障害となり、プラズマ形成位置７３に供給される放射電力の損失という結果をもたらす。トラップに吸収された放射は加熱に繋がり、結果的にトラップの変形及びそこからの放射に繋がる。結果的に、ＲＦＴは、装置の全体的な性能を維持するのに効果的でない場合がある。例えば、逆流ガスに基づく他のタイプのトラップが代わりに配置される（例えば、低圧窒素）。これらの他のタイプのトラップは、必ずしもデブリを止めるのに効果的であるとは限らない。
[0039] ＬＰＰ ＥＵＶ源は、その出力に、燃料を励起するために使用されるレーザによって放出されて燃料小滴から放射コレクタに向かって反射されるＩＲ放射からが主の高赤外（ＩＲ）成分を有する可能性がある。このＩＲ成分は、オーバーレイエラーに繋がるウェーハ加熱及び光学（過）熱を防止するためにソース出力からできる限り取り除かれるべきである。
[0040] この問題は図３に概略的に示されている。図３は、プラズマ形成位置で燃料小滴３１０に入射するＩＲレーザビーム３００を示している。ＩＲレーザビームから放出されたＩＲ放射３２０の一部は、燃料小滴３１０で放射コレクタ５０方向に戻るように反射される。ＩＲフィルタリングは、放射コレクタ５０表面（「スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）放射コレクタ」と呼ばれることがある）に組み込まれる抑制フィルタ３３０を設けることによって実現することができる。格子を画定し得る抑制フィルタ３３０を調整して駆動ＩＲ波長（１０．６μｍの領域にある可能性があるが、例えば１．０６μｍのような他の駆動波長も可能である）のためのゼロ次反射放射３４０（これは抑制フィルタ３３０によって基本的に抑制されるので点線で示される）を打ち消す。次いで一次反射放射３５０（及び他の次数）は、中間焦点（ＩＦ）にある又はその近くのクリッピングアパーチャ３６０によって遮断することができる。
[0041] 放射コレクタ上に配置された抑制フィルタ３３０は相殺的干渉の基本原理を使用し、抑制フィルタの（第１の反射面を規定する）上部領域からの各寄与は、（第２の反射面を規定する）下部領域からの位相外れの同等の寄与によって相殺される。これは、上部と下部の等面積（デューティサイクルＤＣ＝５０％）及び各反射面間の分離距離Ｈ＝λ／４、より一般的には、全ての整数値ｎについて、
と同じである。Ｋは、放射のフィルタへの入射角αに基づく補正係数である。通常の入射放射の場合はＫ＝１であるが、より一般的には、Ｋ＝２ｃｏｓα／（１＋ｃｏｓ（２α））の形をとる。
[0042] その結果、分離距離Ｈは、抑制される波長と、整数ｎに依存する係数の積であることがわかる。
[0043] このゼロ次相殺は、単一の特定波長に特有であり、二次ラインに対して効果的ではない。これは二次ＩＲラインが効果的に抑制されていないことを意味し、これらの二次ラインをＩＲレーザ又はデリバリシステムにおいて除去する必要がある。この制限は、多数のＣＯ２出力ラインの使用を効果的に防止することによってレーザシステムからの正味のＩＲ出力を制限する。
[0044] 一部の現在のＣＯ２ＩＲレーザは、波長１０．６μｍの出力ライン付近の主要な出力帯域に加えて、例えば９．４μｍなど、波長９μｍ付近の強力な二次出力帯域を出力する。この二次出力帯域での放射出力を使用することによって、全体の出力を大幅に高めることができる。
[0045] 一般に、ゼロ次数に向かう電力の割合ｆは、近似的に
である。式（２）は、４Ｈ／Ｋλが近似的に奇整数である場合に有効である。ある実施形態では、近似的な奇整数は、奇整数との差が±０．１以内の値であってよい。より具体的には、この差は±０．０５以内、±０．０４以内、又は±０．０２以内であってもよい。
[0046] １０．６μｍ波長の放射（すなわち通常の入射放射の場合は、Ｈ＝２．６５μｍ）を抑制するために最適化された抑制フィルタは、９．４μｍ波長の放射の許容できる非常に大きな割合をゼロ次数に反射する。上記の式（１）に従えば、割合ｆは０．０８（８％）となるが、１％を上回るものはどれも許容できないほど高い。（１０．６μｍ波長の放射に最適な深さと９．４μｍ波長の放射に最適な深さの中間である）中間的な抑制フィルタの要素高さ２．４９１μｍは、９．４μｍ波長の放射及び１０．６μｍ波長の放射の両方に対して割合ｆ＝０．０１７６となるが、これも高すぎる。
[0047] 図４は、第１の実施形態による抑制フィルタを備えた放射コレクタの一部を示す。パラメータｐは抑制フィルタのピッチであり、パラメータＨは反射面４１０、４２０間の分離距離である。反射面４１０、４２０は、（少なくとも近似的な）部分楕円表面曲率を有してよく、それぞれ中間焦点及びプラズマ形成位置をその焦点として有する（図３参照）。典型的な抑制フィルタは、図４に示すものと同じ一般形態を有してよいが、分離距離ＨはＫλ／４（例えば、１０．６μｍ放射に最適化されるときＫ＊２．６５μｍ）である。典型的なピッチｐは、例えば約１ｍｍであってよい。以下で更に詳しく説明するように、分離距離Ｈは、Ｋ係数に起因して抑制フィルタの長さに沿って変化する可能性がある。
[0048] 上述の問題に対処するために、第１の波長及び第２の波長の両方を抑制する共通の分離距離を求めることを提案する。ある実施形態では、これは次の近似式を許容程度に満たす近似整数値ｎ１及びｎ２を決定することにより行われる。
ここでλ１及びλ２は、それぞれ抑制対象の第１及び第２の波長である。
[0049] 式（４）を用いてｎ１及びｎ２を決定した後、第１及び第２の波長に対応する分離距離Ｈを求める必要がある。分離距離Ｈは、以下の式（５．１）又は式（５．２）のいずれかを用いて求めることができる。そして、この分離距離Ｈにより抑制フィルタを設計することができる。
[0050] ｎ１及びｎ２は共通の分離距離を最良に求めるように選択されているが、式（５．１）を用いて計算した分離距離Ｈが式（５．２）を用いて計算したものとわずかに異なる可能性がある。これは、式（４）をどの程度正確に満たしているかに依存する。異なる場合、その差は小さく、どちらを選ぶかは問題ではなく、式（５．１）及び式（５．２）を用いて計算したＨの間（例えば２つの中間）の分離距離を選ぶこともできる。しかし、近似整数ｎ１及びｎ２（並びに任意選択で、以下に記載されるように波長λ１及びλ２の一方又は両方）の値を慎重に選択することで、式（５．１）又は（５．２）のどちらが用いられているかに関係なく、同じ（少なくとも０．０１μｍの範囲内の）Ｈの値を決定することができる。
[0051] 許容程度に式（４）を満たす近似整数ｎ１及びｎ２は、真の整数であるか、又は式（４）をより良い精度で満たすために、真の整数と異なってもよい。そのような近似整数は、実際には整数ではないが、式（２）に定義された相殺的干渉の基準を満たすよう整数値に十分に近似していなければならない。
[0052] 式（４）を許容程度に満たすｎ１及びｎ２の値を求める必要があること、及びｎ１及びｎ２は近似整数でなければならないことが以上で開示された。式（４）は許容程度に満たされているかどうか、及び、ｎ１及びｎ２は整数に十分に近似しているかどうかは、結果として得られる分離距離Ｈを決定し、次に４Ｈ／Ｋλ（式（２））の値の奇整数からの偏差が相殺的干渉の条件を満たすよう十分に小さい（すなわち、ｆの値が十分に低くなる）かどうかを判定することによって評価することができる。
[0053] ４Ｈ／ＫλをＮ＋ｄと言い換えた場合（ここでＮは４Ｈ／Ｋλを最も近い（奇数の）整数に丸めたものであり、ｄは４Ｈ／ＫλとＮの差（すなわち、４Ｈ／Ｋλの奇整数からの偏差量））は、式（２）は、以下となる。
[0054] ある実施形態では、０．１未満（ｆ＜０．０５）となるようにｄを最小化する分離距離Ｈの値を決定するｎ１及びｎ２（及び任意選択的にλ１及びλ２）の値を求める必要がある。他の実施形態では、ｄを０．０５未満（ｆ＜０．０１２）、０．０４未満（ｆ＜０．００７８）、０．０２未満（ｆ＜０．００１９）、又は０．０１５未満（ｆ＜０．００１１）となるように最小化するｎ１及びｎ２（及び任意選択的にλ１及びλ２）の値を決定する。
[0055] λ１が１０．３〜１０．８μｍ、より具体的には１０．６μｍに等しく、λ２が９μｍ〜９．６μｍ、より具体的には９．４μｍに等しい（数字は全て０．１μｍ未満は四捨五入）特定の実施形態では、式（４）を満たす良好な近似は、ｎ１＝７及びｎ２＝８のときであることがわかる。これはおよそＫ＊３９．７５μｍ〜Ｋ＊３９．９５μｍの分離距離Ｈをもたらすことになる。ｎ１のより良好な近似は、７〜７．０３、より具体的には７．０２と求めることができ、ｎ２のより良好な近似は、７．９７〜８、より具体的には７．９８と求めることができ、これらの値は、λ１＝１０．６μｍ及びλ２＝９．４μｍについて式（４）をより良い精度で満たす。これは、（例えば）Ｋ＊３９．８６μｍの分離距離Ｈをもたらすことになる。そのような分離距離Ｈは、ゼロ次数に向かう電力の割合をおよそ０．８％に制限することになる。これらの例は原理を教示するために提供されていること、及び上記のパラメータの実績値はいずれも、より小さな割合ｆの値を得るために変わる可能性があることに留意することが重要である。まず、提示される例示的な波長は厳密ではなく、（以下に述べるように）これも変わる可能性があることが理解されるべきである。したがって、別の例として、λ１が１０．６μｍで、λ２が９．３６μｍの場合は、ｎ１は７．００５で、ｎ２は７．９９５であってよい。これによって、Ｈの値が３９．８μｍで、結果として生じる割合ｆがλ１について０．２％未満で、λ２について大幅に小さくなる。また、割合ｆを更に小さくするために、ｎ１及びｎ２のかなり高い値が必要となる可能性がある。いくつかの実施形態では、Ｈの値は、２つの波長で割合ｆが１％未満、０．５％未満、０．２％未満又は０．１％未満となるような値となる。
[0056] 別の考えられる改良は、より良い精度で式（４）を満たすように波長λ１及びλ２を改善又は選択することである。放射をレーザ（例えばＣＯ２レーザ）から出力する場合、主レーザ出力ラインの一方又は両方を調整することを含んでよい。実際、ＣＯ２出力スペクトルで利用可能なより多くの出力ラインがあることが示される。したがって、Ｈを決定するとき、出力放射の正確なライン及びライン幅を考慮し、これに応じてｎ１及びｎ２を得ることが好ましい。
[0057] 好ましくは、抑制フィルタのピッチｐは、ピッチが大きくなると回折角が小さくなるため、１ｍｍを大幅に上回ってはならない。回折角があまり小さくなると、高次の反射放射（例えば、図３の一次反射放射３５０）はクリッピングアパーチャ３６０を通過することになる。
[0058] ２つの反射面を有する図４の構成によって、抑制フィルタが画定するトレンチのエッジにおいて入射ＥＵＶ放射のシャドーイングが生じる可能性がある。これは特に、本明細書で定義されるような、より大きい分離距離Ｈにとって問題となる可能性がある。ピッチｐはあまり大きくない可能性があるため（上記参照）、Ｈ／ｐの比率は非常に大きくなり、かなりのＥＵＶ電力損失が生じる可能性がある。これに対処するために、図５は、抑制フィルタの断面の代替案を示している。この実施形態では、それぞれが同じ面積を有する複数（２より大）の反射面レベル５１０ａ〜５１０ｆがある。各反射面レベル間の分離距離は、本明細書で定義するＨである。各反射面の幅はピッチの半分の幅である。抑制フィルタの断面は階段状の断面である。ある実施形態では、各表面レベルは、少なくとも近似的な（部分）楕円断面を規定してよい。
[0059] Ｈの実績値は、図４及び図５の実施形態のいずれにおいても、Ｋ補正係数への依存に起因して、反射面に沿って変わる可能性があることに留意すべきである。反射面にわたって、放射３２０（図３）が抑制フィルタに入射する角度、ひいてはＫが変化することになる。したがって、例として、図４の表面４１０は、１つの部分楕円面を規定してよく、表面にわたる分離距離Ｈの変化によって、表面４２０が１つの部分楕円面から逸れることになる。あるいは、表面４２０が、１つの部分楕円面を規定してよく、したがって、表面にわたる分離距離Ｈの変化によって、表面４１０が１つの部分楕円面から逸れることになる。表面４１０及び４２０がいずれも１つの部分楕円面を規定しない可能性もある。
[0060] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0061] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。
[0062] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (35)

  1. それぞれがある分離距離だけ分離された少なくとも２つの反射面レベルを規定する断面を有する反射抑制フィルタであって、前記分離距離は、前記反射抑制フィルタが前記反射抑制フィルタに入射する第１の波長λ１及び第２の波長λ２の放射の鏡面反射を実質的に防止するように動作可能となる距離である反射抑制フィルタ。
  2. 前記分離距離は、前記第１の波長及び前記第２の波長の放射の１％未満を鏡面反射するような距離である、請求項１に記載の反射抑制フィルタ。
  3. 前記分離距離は、前記第１の波長及び前記第２の波長の放射の０．５％未満を鏡面反射するような距離である、請求項１に記載の反射抑制フィルタ。
  4. 前記分離距離は、前記第１の波長及び前記第２の波長の放射の０．１％未満を鏡面反射するような距離である、請求項１に記載の反射抑制フィルタ。
  5. 前記分離距離は、前記第１の波長と第１の近似整数ｎ１に依存する第１の係数の第１の積、及び前記第２の波長と第２の近似整数ｎ２に依存する第２の係数の第２の積にほぼ等しい、前記請求項のいずれかに記載の反射抑制フィルタ。
  6. 前記近似整数ｎ１及び前記近似整数ｎ２は、
    を近似的に満たすように選ばれる、請求項５に記載の反射抑制フィルタ。
  7. 前記分離距離は、前記抑制フィルタの１つ以上の寸法に沿って変化し、放射源に対する前記抑制フィルタの前記１つ以上の寸法に沿った位置に依存し、前記第１の係数及び前記第２の係数はそれぞれ、前記抑制フィルタに入射する放射の入射角に依存する、請求項５又は６に記載の反射抑制フィルタ。
  8. 前記分離距離は、Ｈを前記分離距離とし、Ｋを前記反射抑制フィルタに入射する前記放射の入射角に依存する係数とするとき、
    ４Ｈ／Ｋλ１の実績値と、４Ｈ／Ｋλ１を最も近い奇整数に丸めた値の差、及び
    ４Ｈ／Ｋλ２の実績値と、４Ｈ／Ｋλ２を最も近い奇整数に丸めた値の差の両方がそれぞれ０．１未満に等しくなるような距離である、請求項５、６又は７に記載の反射抑制フィルタ。
  9. 前記分離距離は、Ｈを前記分離距離とし、Ｋを前記反射抑制フィルタに入射する前記放射の入射角に依存する係数とするとき、
    ４Ｈ／Ｋλ１の実績値と、４Ｈ／Ｋλ１を最も近い奇整数に丸めた値の差、及び
    ４Ｈ／Ｋλ２の実績値と、４Ｈ／Ｋλ２を最も近い奇整数に丸めた値の差の両方が、それぞれ０．０５未満に等しくなるような距離である、請求項５、６又は７に記載の反射抑制フィルタ。
  10. 前記分離距離は、Ｈを前記分離距離とし、Ｋを前記反射抑制フィルタに入射する前記放射の入射角に依存する係数とするとき、
    ４Ｈ／Ｋλ１の実績値と、４Ｈ／Ｋλ１を最も近い奇整数に丸めた値の差、及び
    ４Ｈ／Ｋλ２の実績値と、４Ｈ／Ｋλ２を最も近い奇整数に丸めた値の差の両方が、それぞれ０．０２未満に等しくなるような距離である、請求項５、６又は７に記載の反射抑制フィルタ。
  11. 前記第１の波長及び第２の波長は、共に７５０ｎｍ〜１１μｍである、請求項５〜１０のいずれかに記載の反射抑制フィルタ。
  12. 前記第１の波長は１０．３μｍ〜１０．８μｍであり、前記第２の波長は９．０μｍ〜９．６μｍであり、前記分離距離は、Ｋを前記反射抑制フィルタに入射する前記放射の入射角に依存する係数とするとき、Ｋ＊３９．７５μｍ〜Ｋ＊３９．９５μｍである、請求項５〜１１のいずれかに記載の反射抑制フィルタ。
  13. 前記第１の波長は１０．５μｍ〜１０．７μｍであり、前記第２の波長は９．３μｍ〜９．５μｍである、請求項１２に記載の反射抑制フィルタ。
  14. ｎ１は７〜７．０３であり、ｎ２は７．９７〜８である、請求項１３に記載の反射抑制フィルタ。
  15. 前記少なくとも２つの反射面レベルのそれぞれの表面積は全てほぼ等しい、前記請求項のいずれかに記載の反射抑制フィルタ。
  16. 前記分離距離だけ分離された２つの反射面レベルが存在し、前記反射抑制フィルタは、前記第１の反射面レベルと前記第２の反射面レベルを交互に繰り返す断面を有する、前記請求項のいずれかに記載の反射抑制フィルタ。
  17. それぞれ前記分離距離だけ分離された２つを上回る複数の反射面を備え、前記反射抑制フィルタは階段状の断面を規定する、請求項１〜１５のいずれかに記載の反射抑制フィルタ。
  18. 前記反射抑制フィルタは、入射する前記第１の波長及び前記第２の波長のゼロ次放射を抑制するよう動作可能である、前記請求項のいずれかに記載の反射抑制フィルタ。
  19. 前記請求項のいずれかに記載の反射抑制フィルタを備える放射コレクタ。
  20. 前記反射抑制フィルタは前記放射コレクタと一体である、請求項１９に記載の放射コレクタ。
  21. 前記反射面レベルの１つ以上は、それぞれ部分楕円断面を規定する、請求項１９又は２０に記載の放射コレクタ。
  22. 請求項１９〜２１のいずれかに記載の放射コレクタを備える放射源。
  23. プラズマ発生部位に燃料の小滴を供給するための小滴ジェネレータと、
    前記プラズマ発生部位で前記小滴を励起するために出力放射を放出するように動作可能なレーザと、を更に備え、
    前記レーザは、前記第１の波長及び前記第２の波長の前記出力放射を放出するように動作可能である、請求項２２に記載の放射源。
  24. 請求項２２又は２３に記載の放射源を備え、リソグラフィプロセスにおいて前記放射源が発生した放射を使用し、基板のターゲット部分に構造を形成するように動作可能なリソグラフィ装置。
  25. 反射抑制フィルタの少なくとも２つの反射面レベル間の分離距離を、前記反射抑制フィルタが、前記反射抑制フィルタに入射する第１の波長λ１及び第２の波長λ２の放射の鏡面反射を実質的に防止するように動作可能となる距離に決定する方法であって、前記方法は、
    前記第１の波長と第１の近似整数ｎ１に依存する第１の係数の積である第１の積と、前記第２の波長と第２の近似整数ｎ２に依存する第２の係数の積である第２の積の差を最小化することと、
    前記分離距離を前記最小化に対応するものとして決定することとを含む方法。
  26. 前記分離距離は、前記反射抑制フィルタの１つ以上の寸法に沿って変化し、放射源に対する前記反射抑制フィルタの前記１つ以上の寸法に沿った位置に依存し、前記第１の係数及び前記第２の係数はそれぞれ、前記反射抑制フィルタへの放射の入射角に依存する、請求項２５に記載の方法。
  27. を近似的に満たすように前記近似整数ｎ１及び前記近似整数ｎ２を選択することを含む、請求項２５又は２６に記載の方法。
  28. Ｋを前記反射抑制フィルタに入射する前記放射の入射角に依存する補正係数とするとき、
    のいずれかから前記分離距離Ｈを決定することを含む、請求項２５〜２７のいずれかに記載の方法。
  29. 前記近似整数ｎ１及び前記近似整数ｎ２は、
    Ｈを前記分離距離とし、Ｋを前記反射抑制フィルタに入射する前記放射の入射角に依存する係数とするとき、
    ４Ｈ／Ｋλ１の実績値と、４Ｈ／Ｋλ１を最も近い奇整数に丸めた値の差、及び
    ４Ｈ／Ｋλ２の実績値と、４Ｈ／Ｋλ２を最も近い奇整数に丸めた値の差の両方がそれぞれ０．１未満に等しくなるように選択される、請求項２５〜２８のいずれかに記載の方法。
  30. 前記近似整数ｎ１及び前記近似整数ｎ２は、
    Ｈを前記分離距離とし、Ｋを前記反射抑制フィルタに入射する前記放射の入射角に依存する係数とするとき、
    ４Ｈ／Ｋλ１の実績値と、４Ｈ／Ｋλ１を最も近い奇整数に丸めた値の差、及び
    ４Ｈ／Ｋλ２の実績値と、４Ｈ／Ｋλ２を最も近い奇整数に丸めた値の差の両方がそれぞれ０．０５未満に等しくなるように選択される、請求項２５〜２８のいずれかに記載の方法。
  31. 前記近似整数ｎ１及び前記近似整数ｎ２は、
    Ｈを前記分離距離とし、Ｋを前記反射抑制フィルタに入射する前記放射の入射角に依存する係数とするとき、
    ４Ｈ／Ｋλ１の実績値と、４Ｈ／Ｋλ１を最も近い奇整数に丸めた値の差、及び
    ４Ｈ／Ｋλ２の実績値と、４Ｈ／Ｋλ２を最も近い奇整数に丸めた値の差の両方がそれぞれ０．０２未満に等しくなるように選択される、請求項２５〜２８のいずれかに記載の方法。
  32. をより良い精度で満たすように、前記第１の波長及び前記第２の波長の一方又は両方を選択することを含む、請求項２５〜３１のいずれかに記載の方法。
  33. 前記第１の波長は１０．３μｍ〜１０．８μｍであり、前記第２の波長は９．０μｍ〜９．６μｍであり、ｎ１は７±．０４であり、ｎ２は８±．０４である、請求項２５〜３２のいずれかに記載の方法。
  34. 前記第１の波長は１０．５μｍ〜１０．７μｍであり、前記第２の波長は９．３μｍ〜９．５μｍである、請求項３３に記載の方法。
  35. ｎ１は７〜７．０３であり、ｎ２は７．９７〜８である、請求項３４に記載の方法。
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